JPH10256112A - オフセット調整方法及び荷電ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、描画中に成形偏向器ドリフトを補正
して描画位置及びショットサイズのずれのない描画を行
う。 【解決手段】描画中に、半導体ウエハ１１からの反射電
子量を反射電子量検出器２０により測定し、この測定さ
れた反射電子量と予め測定したショットサイズＳに対す
る反射電子量の関係とからドリフト量算出回路２４によ
りドリフト量（ｘ´，ｙ´）を求め、このドリフト量に
より電子ビームのショットサイズＳを各補正回路２５
ａ，２５ｂにより補正し、このショットサイズに従って
成形偏向器６を偏向調整する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームの形状
を各アパーチャの組み合わせにより成形するとともに成
形偏向器により偏向してパターン等を描画する荷電ビー
ム描画装置に係わり、特に荷電ビーム描画に用いる成形
偏向器のオフセット調整方法及びこれを適用した荷電ビ
ーム描画装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は荷電ビーム描画装置の構成図であ
る。電子銃１から出射される電子ビームの進行路には、
照明レンズ２、投影レンズ３、及び対物レンズ４が配置
され、かつ電子ビームの進行路に沿ってブランキング偏
向器５及び静電型成形偏向器（以下、成形偏向器と省略
する）６が配置されている。

【０００３】又、電子ビームの進行路上には、図６に示
す開口形状のブランキングアパーチャ７、第１成形アパ
ーチャ８、第２の成形アパーチャ９、及び円形アパーチ
ャ１０が配置されている。

【０００４】このうち第１成形アパーチャ８及び第２の
成形アパーチャ９は、これらアパーチャ８、９を組み合
わせることにより電子ビームの形状のタイプ及びそのサ
イズを図７に示すように変化させるものとなっている。

【０００５】例えば、図８に示すように、第２の成形ア
パーチャ９の長方形部分に対して第１成形アパーチャ８
のポジションをｘｙ軸方向に移動させることにより長方
形のビーム形状Ｂ１が形成される。この場合、第１のア
パーチャ８をｙ軸方向に移動させることによりタイプ１
ｙのビーム形状となり、ｘ軸方向に移動させることによ
りタイプ１ｘのビーム形状となる。そして、ｘ軸及びＹ
軸方向のポジションに応じてビーム形状のサイズが可変
する。

【０００６】第２の成形アパーチャ９の四角形部分に対
して第１のアパーチャ８のポジションをｙ軸方向に移動
させることにより三角形の各ビーム形状Ｂ２〜Ｂ５が形
成される。この場合、第１のアパーチャ８を第２の成形
アパーチャ９の四角形の各辺別に移動させることにより
タイプ「２」〜「５」のビーム形状となり、そのｙ軸方
向のポジションに応じてビーム形状のサイズが可変す
る。

【０００７】一方、試料１１の上方には、ビーム電流検
出器１２が配置され、このビーム電流検出器１２の出力
端子にアンプリファイア（ＡＭＰ）１３、信号処理回路
１４を介して主制御計算器１５が接続されている。

【０００８】この主制御計算器１５は、パターンデータ
発生回路１６に対して描画のパターンデータ発生の指令
を発し、かつ描画前に、ビーム電流検出器１２により測
定されたビーム電流に応じた電気信号を、ＡＭＰ１３及
び信号処理回路１４を通して入力し、この電気信号に基
づいてオフセット値を求める。

【０００９】しかるに、パターンデータ発生回路１６か
ら送出されたパターンデータは、成形偏向ＤＡＣ値演算
回路１７に送られて成形偏向ＤＡＣ（ディジタルアナロ
グ変換）値に変換され、ＤＡＣ／ＡＭＰ１８を通して成
形偏向器６に送られる。

【００１０】このような構成であれば、電子銃１から出
射された電子ビームは、照明レンズ２及び円形アパーチ
ャ７を通過し、第１の成形アパーチャ８及び第２の成形
アパーチャ９により描画に必要なビーム形状に成形され
るとともに成形偏向器６により偏向され、さらに円形ア
パーチャ１０を通り、対物レンズ４により試料１１、例
えば半導体ウエハ上に結像される。

【００１１】この試料１１上に対する電子ビームの照射
により、試料１１上に所望のパターンが描画される。と
ころで、電子ビームを試料１１上に照射して描画動作を
行うと、成形偏向器６の表面やその周辺のコンタミに電
子がチャージアップし、この成形偏向器６におけるチャ
ージアップの影響を受けてドリフト（成形偏向器ドリフ
ト）が発生する。

【００１２】このチャージアップは、第１及び第２の成
形アパーチャ８、９からの各反射電子量やブランキング
時間、コンタミの程度、静電界の強さ、発生する２次電
子量等によって変わる。

【００１３】このため、例えば１枚の半導体ウエハ１１
に対する描画中に、成形偏向器ドリフトが発生し、成形
偏向器６における成形偏向のオフセットが変化してしま
う。このような事から荷電ビーム描画装置では、描画動
作前に成形偏向器６に対するオフセット調整が行われ
る。

【００１４】このオフセット調整は、先ず、例えば図７
に示すように第１の成形アパーチャ７のポジションをｘ
軸方向に移動してタイプ１ｘのビーム形状のショットサ
イズａ〜ｆを連続的に変え、その各サイズについて各１
回づつビーム電流をビームを電流検出器１２により検出
する。

【００１５】なお、この１回のビーム電流の測定には、
０．２秒〜１秒の時間を要するので、各サイズへの変更
もこの時間サイクルで変化させる。又、１回のビーム電
流測定中に、電子銃１から電子ビームは連続的に出射し
てブランキングは行われていない。

【００１６】このタイプ１ｙのビーム形状についてのビ
ーム電流測定が終了すると、主制御計算器１５は、図９
に示すようにショットサイズに対するビーム電流の関係
を求め、このショットサイズとビーム電流との関係から
オフセット値を求め、このオフセット値が許容値範囲内
に入るように、パターンデータ発生回路１６及び成形偏
向ＤＡＣ値演算回路１７を通して成形偏向器６の偏向パ
ラメータを調整する。

【００１７】以下、同様に各タイプ「２」〜「５」の各
ビーム形状のショットサイズをそれぞれ連続的に変え、
そのときの各サイズについて各１回づつビーム電流を検
出する。

【００１８】そして、各タイプ「１ｙ」「２」〜「５」
の各ビーム形状についてのビーム電流測定が終了する
と、ショットサイズに対するビーム電流の関係が求めら
れる。この場合、ショットサイズとビーム電流との関係
は、ビーム形状のタイプ「１ｘ」「１ｙ」について図９
に示すように直線近似し、タイプ「２」〜「５」につい
て図１０に示すように２次曲線近似となる。

【００１９】このようなショットサイズとビーム電流と
の関係からオフセット値が求められ、このオフセット値
が許容値範囲内に入るように成形偏向器６の偏向パラメ
ータが調整される。

【００２０】しかしながら、このオフセット調整方法で
は、半導体ウエハ１１に対する描画前に求めたオフセッ
ト値を固定値とし、このオフセット値を１枚の半導体ウ
エハ１に対する描画が終了するまで使用している。

【００２１】このため、描画中に成形偏向器ドリフトに
よってオフセット値がずれてしまい、このオフセット値
ずれ量が何ら補正されずに描画されてしまう。この結
果、オフセット値ずれ量がそのまま描画位置及びショッ
トサイズのずれとなってしまう。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】以上のように描画前に
求めたオフセット値を固定値として用いているので、描
画中の成形偏向器ドリフトによってオフセット値がずれ
ると、このオフセット値ずれ量がそのまま描画位置及び
ショットサイズのずれとなってしまう。

【００２３】そこで本発明は、描画中に成形偏向器ドリ
フトを補正できるオフセット調整方法を提供することを
目的とする。又、本発明は、描画中に成形偏向器ドリフ
トを補正して描画位置及びショットサイズのずれのない
描画ができる荷電ビーム描画装置を提供することを目的
とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】請求項１によれば、電子
ビームのショットサイズを可変成形するとともに成形偏
向器により偏向して電子ビームを試料上に照射して描画
するときの成形偏向器のオフセット調整方法において、
描画中に、試料からの反射電子量を測定し、この反射電
子量と予め測定したショットサイズに対する反射電子量
の関係とから電子ビームのドリフト量を求め、このドリ
フト量に従って成形偏向器による電子ビームの偏向を調
整するようにして上記目的を達成しようとするオフセッ
ト調整方法である。

【００２５】請求項２によれば、描画中における特定サ
イクル毎に電子ビームのドリフト量の算出を行うオフセ
ット調整方法である。請求項３によれば、電子ビームの
ショット毎に成形偏向器に対する偏向調整を行うオフセ
ット調整方法である。

【００２６】請求項４によれば、電子ビームのショット
サイズを可変成形するとともに成形偏向器により偏向し
て電子ビームを試料上に照射して描画する荷電ビーム描
画装置において、試料からの反射電子量を測定する反射
電子検出器と、この反射電子検出器により測定された反
射電子量と予め測定したショットサイズに対する反射電
子量の関係とから電子ビームのドリフト量を求めるドリ
フト量算出手段と、このドリフト量算出手段により求め
られたドリフト量により電子ビームのショットサイズを
補正する補正手段と、この補正手段により補正された電
子ビームのショットサイズに従って成形偏向器を偏向調
整する調整手段とを備えて上記目的を達成しようとする
荷電ビーム描画装置である。

【００２７】請求項５によれば、描画中における特定サ
イクル毎に電子ビームのドリフト量の算出を行う荷電ビ
ーム描画装置である。請求項６によれば、電子ビームの
ショット毎に成形偏向器に対する偏向調整を行う荷電ビ
ーム描画装置である。

【００２８】上記請求項１によれば、試料に電子ビーム
が照射されたときの試料からの反射電子量を測定し、こ
の反射電子量と予め測定したショットサイズに対する反
射電子量の関係とから電子ビームのドリフト量を求め、
このドリフト量に従って成形偏向器による電子ビームの
偏向を調整する。これにより、電子ビームを試料上に照
射する描画中に、成形偏向器ドリフトを補正できる。

【００２９】上記請求項２によれば、描画中における特
定サイクル毎に電子ビームのドリフト量を算出し、この
ドリフト量に従って成形偏向器による電子ビームの偏向
を調整する。

【００３０】上記請求項３によれば、電子ビームのショ
ットのショット毎に、求められたドリフト量に従って成
形偏向器に対する偏向調整を行う。上記請求項４によれ
ば、電子ビームを試料上に照射する描画中に、試料から
の反射電子量を反射電子検出器により測定し、この測定
された反射電子量と予め測定したショットサイズに対す
る反射電子量の関係とからドリフト量算出手段により電
子ビームのドリフト量を求め、この求められたドリフト
量により電子ビームのショットサイズを補正手段により
補正し、この補正された電子ビームのショットサイズに
従って成形偏向器を調整手段により偏向調整する。これ
により、描画中に成形偏向器ドリフトを補正でき、描画
位置及びショットサイズのずれのない描画ができる。

【００３１】上記請求項５によれば、ドリフト量算出手
段は、描画中における特定サイクル毎に電子ビームのド
リフト量の算出を行う。上記請求項６によれば、調整手
段は、電子ビームのショット毎に成形偏向器に対する偏
向調整を行う。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、図５と同一部分に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。本発明
は、荷電ビーム描画装置電子の描画中に、試料からの反
射電子量を測定し、この反射電子量と予め測定したショ
ットサイズに対する反射電子量の関係とから電子ビーム
のドリフト量を求め、このドリフト量に従って成形偏向
器による電子ビームの偏向を調整する成形偏向器のオフ
セット調整方法である。

【００３３】図１はかかる成形偏向器のオフセット調整
方法を適用した荷電ビーム描画装置の構成図である。試
料１１の斜め上方には、反射電子量検出器２０が配置さ
れている。この反射電子量検出器２０は、試料１１から
の反射電子量を測定してその反射電子量に応じた電圧信
号Ｒo を出力する機能を有している。

【００３４】この反射電子量検出器２０の出力端子に
は、ＡＭＰ２１が接続され、このＡＭＰ２１の出力側に
信号処理回路２２を介して主制御計算器２３が接続され
るとともにドリフト量算出回路２４が接続されている。

【００３５】この主制御計算器２３は、描画前に、図２
に示すような反射電子量検出器２０からの電圧信号Ｒo
を入力して電子ビームのショットサイズＳに対する反射
電子量の関係を求め、この関係から反射電子量に応じた
電圧ＲとショットサイズＳとの関係式、 Ｒo ＝Ｋ・Ｓ …(1) を予め求める機能を有している。

【００３６】又、この主制御計算器２３は、パターンデ
ータ発生回路１６に対して描画のパターンデータ発生の
指令を発し、かつドリフト量算出回路２４において反射
電子量と照射ビーム面積との関係式を得るときの定数
Ｋ、すなわちショット試料１１の種類、例えば半導体ウ
エハの下地の種類によって異なる定数Ｋをドリフト量算
出回路２４に送出する機能を有している。

【００３７】ドリフト量算出回路２４は、反射電子検出
器２０からの電圧信号Ｒo 、パターンデータ発生回路１
６からのパターンデータ（ｘ，ｙ）、及び主制御計算器
２３からの定数Ｋを入力し、反射電子量の電圧信号Ｒo
と予め測定したショットサイズＳに対する反射電子量の
関係式(1) とから電子ビームのドリフト量（ｘ´，ｙ
´）を求める機能を有している。

【００３８】このドリフト量算出回路２４は、描画中に
おける特定サイクル毎、例えば１分毎、５分毎に電子ビ
ームのドリフト量（ｘ´，ｙ´）の算出を行う機能を有
している。

【００３９】各補正回路２５ａ、２５ｂは、それぞれパ
ターンデータ発生回路１６からのパターンデータ（ｘ，
ｙ）を入力するとともにドリフト量算出回路２４からの
ドリフト量（ｘ´，ｙ´）を入力し、パターンデータ
（ｘ，ｙ）をドリフト量（ｘ´，ｙ´）により補正した
パターンデータ（ｘs ，ｙs ） ｘs ＝ｘ−ｘ´ …(3) ｙs ＝ｙ−ｙ´ …(4) を求めて調整手段としての成形偏向ＤＡＣ値演算回路１
７にセットする機能を有している。

【００４０】なお、この成形偏向ＤＡＣ値演算回路１７
は、電子ビームのショット毎に成形偏向器６に対する偏
向調整を行う機能を有している。次に上記の如く構成さ
れた装置の作用について説明する。 (a) 先ず、描画動作する前に、描画する試料１１、例え
ば半導体ウエハと同一の半導体ウエハ（レジスト塗布
等）が描画位置に配置される。

【００４１】電子銃１から電子ビームが出射されると、
この電子ビームは、照明レンズ２及び円形アパーチャ７
を通過し、さらに第１の成形アパーチャ８、第２の成形
アパーチャ９、成形偏向器６、円形アパーチャ１０を通
り、対物レンズ４により半導体ウエハ１１上に照射され
る。

【００４２】このとき、例えば第１の成形アパーチャ８
及び第２の成形アパーチャ９により半導体ウエハ１１に
対する電子ビームのショット面積Ｓが可変される。反射
電子量検出器２０は、半導体ウエハ１１からの反射電子
量を測定してその反射電子量に応じた電圧信号Ｒo を出
力する。

【００４３】主制御計算器２３は、反射電子量検出器２
０からの反射電子量に応じた電圧信号Ｒo を入力し、図
２に示すショット面積Ｓに対する反射電子量の検出電圧
Ｒoの関係を求め、この関係から反射電子量に応じた電
圧ＲとショットサイズＳとの上記関係式(1) を求める。

【００４４】これにより、半導体ウエハ１１の下地の種
類により定数Ｋが異なるので、各種下地に応じた定数Ｋ
（Ｋ1 、Ｋ2 、Ｋ3 、…）が求められる。 (b) 次に、描画中において、成形偏向器６に対するオフ
セット調整が行われる。

【００４５】電子銃１から出射された電子ビームは、照
明レンズ２及び円形アパーチャ７を通過し、さらに第１
の成形アパーチャ８、第２の成形アパーチャ９、成形偏
向器６、円形アパーチャ１０を通り、対物レンズ４によ
り半導体ウエハ１１上に照射され、半導体ウエハ１１上
に描画が行われる。

【００４６】この描画中、２つのショット形状が第１の
成形アパーチャ８及び第２の成形アパーチャ９により形
成される。すなわち、主制御計算器２３は、２つのショ
ットサイズ、例えば図３に示す第１のショットサイズ
（ａ，ｂ）、第２のショットサイズ（ｂ，ａ）の各描画
データをパターンデータ発生回路１６に発する。

【００４７】なお、第１のショットサイズ（ａ，ｂ）と
第２のショットサイズ（ｂ，ａ）とは、互いにＸ軸、Ｙ
軸を反対にした形状となっている。このように電子ビー
ムのショットサイズが、これら第１のショットサイズ
（ａ，ｂ）、第２のショットサイズ（ｂ，ａ）にそれぞ
れ形成されたとき、反射電子量検出器２０は、これらシ
ョットサイズ別に、半導体ウエハ１１からの各反射電子
量を検出し、これら反射電子量に応じた各電圧信号Ｒo
、つまりＲｘ、Ｒｙを出力する。

【００４８】ドリフト量算出回路２４は、反射電子検出
器２０からの各電圧信号Ｒｘ、Ｒｙ、を入力するととも
にパターンデータ発生回路１６からのパターンデータ
（ｘ，ｙ）を入力し、さらに主制御計算器２３からの定
数Ｋを入力し、電子ビームのドリフト量（ｘ´，ｙ´）
を求める。

【００４９】すなわち、第１のショットサイズ（ａ，
ｂ）、第２のショットサイズ（ｂ，ａ）にそれぞれドリ
フト量（ｘ´，ｙ´）を加算すると、これら電子ビーム
サイズは、図４に示すように 第１のショットサイズ（ａ＋ｘ´，ｂ＋ｙ´） 第２のショットサイズ（ｂ＋ｘ´，ａ＋ｙ´） に変化する。

【００５０】従って、反射電子量に応じた各電圧信号Ｒ
ｘ、Ｒｙは、 Ｒｘ＝（ａ＋ｘ´）（ｂ＋ｙ´）・Ｋ …(5) Ｒｙ＝（ｂ＋ｘ´）（ａ＋ｙ´）・Ｋ …(6) により表される。

【００５１】従って、ドリフト量（ｘ´，ｙ´）は、こ
れら式(5) 及び(6) から ｘ´＝｛１／（ｂ−ａ）｝×｛（１／Ｋ）（Ｒｘ−Ｒｙ）−（ａ−ｂ）ｙ｝ …(7) ｙ´＝｛−Ａ＋（Ａ² −４Ｂ）^1/2 ｝／２ …(8) となる。

【００５２】ここで、 Ａ＝ａ＋ｂ＋（Ｒｘ−Ｒｙ）／Ｋ（ｂ−ａ） …(9) Ｂ＝ａｂ＋ａ（Ｒｘ−Ｒｙ）／Ｋ（ｂ−ａ）−Ｒｙ／Ｋ …(10) である。

【００５３】しかるに、ドリフト量算出回路２４は、描
画中における特定サイクル毎、例えば１分毎、５分毎に
上記式(7) 及び(8) からドリフト量（ｘ´，ｙ´）を求
める。

【００５４】実例として、例えばショットサイズａ＝１
μｍ、ｂ＝０．５μｍ、反射電子量に応じた各電圧信号
Ｒｘ＝１２Ｖ、Ｒｙ＝８Ｖ、定数Ｋ＝２０とすると、ド
リフト量ｘ´＝０．１９μｍ、ｙ´＝０．５９μｍとな
る。

【００５５】これらドリフト量（ｘ´，ｙ´）は、それ
ぞれ各補正回路２５ａ、２５ｂに送られ、これら補正回
路２５ａ、２５ｂは、それぞれパターンデータ発生回路
１６からのパターンデータ（ｘ，ｙ）を入力するととも
にドリフト量算出回路２４からのドリフト量（ｘ´，ｙ
´）を入力し、パターンデータ（ｘ，ｙ）をドリフト量
（ｘ´，ｙ´）により補正したパターンデータ（ｘs ，
ｙs ）を求めて成形偏向ＤＡＣ値演算回路１７にセット
する。

【００５６】この結果、半導体ウエハ１１に対する描画
中に、成形偏向器ドリフトに対する補正が行われ、描画
位置及びショットサイズのずれのない描画が行われる。
このように上記一実施の形態においては、描画中に、半
導体ウエハ１１からの反射電子量を測定し、この測定さ
れた反射電子量と予め測定したショットサイズＳに対す
る反射電子量の関係とからドリフト量（ｘ´，ｙ´）を
求め、このドリフト量により電子ビームのショットサイ
ズＳを補正し、このショットサイズＳに従って成形偏向
器６を偏向調整するようにしたので、描画中に成形偏向
器ドリフトが発生しても、このドリフト量を描画中に補
正できる。

【００５７】従って、描画中にドリフト量を補正できれ
ば、半導体ウエハ１１に所定のパターンを描画するにあ
たり、その描画位置及びショットサイズＳのずれのない
高精度な描画ができる。

【００５８】又、成形偏向器ドリフトの補正は、描画中
における特定サイクル毎に電子ビームのドリフト量を算
出し、かつショット毎に成形偏向器６に対する偏向調整
を行うので、随時ドリフト補正が行われることになり、
時間経過とともにドリフト量が変化してもそのドリフト
量に応じた補正ができる。

【００５９】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、ド
リフト量の算出は、１分毎、５分毎等に行うのでなく、
各ショット毎に求めるようにしてもよい。

【００６０】又、反射電子量に応じた各電圧信号Ｒｘ、
Ｒｙは、ショットサイズに応じて例えば、 Ｒｘ＝（ａ＋ｘ´）（ｂ＋ｙ´）・Ｋ …(11) Ｒｙ＝（ｃ＋ｘ´）（ｄ＋ｙ´）・Ｋ …(12) により表してもよい。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、描画中に成形偏向器ド
リフトを補正できるオフセット調整方法を提供できる。
又、本発明によれば、描画中に成形偏向器ドリフトを補
正して描画位置及びショットサイズのずれのない高精度
な描画ができる荷電ビーム描画装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるオフセット調整方法を適用した
荷電ビーム描画装置の一実施の形態を示す構成図。

【図２】ショット面積に対する反射電子量検出電圧の関
係を示す図。

【図３】ショットサイズを示す模式図。

【図４】ドリフト発生時のショットサイズを示す模式
図。

【図５】従来の荷電ビーム描画装置の構成図。

【図６】各アパーチャの構成図。

【図７】第１及び第２のアパーチャの組み合わせによる
ビーム形状の成形を示す図。

【図８】ビーム形状の各タイプ及び各サイズの成形を示
す図。

【図９】直線近似する各タイプのオフセット調整を示す
図。

【図１０】２次曲線近似する各タイプのオフセット調整
を示す図。

【符号の説明】

１…電子銃、 ３…投影レンズ、 ４…対物レンズ、 ６…静電型成形偏向器、 ８…第１成形アパーチャ、 ９…第２の成形アパーチャ、 １１…試料、 ２０…反射電子量検出器、 ２３…主制御計算器、 ２４…ドリフト量算出回路、 ２５ａ，２５ｂ…補正回路。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビームのショットサイズを可変成形
   するとともに成形偏向器により偏向して前記電子ビーム
   を試料上に照射して描画するときの前記成形偏向器のオ
   フセット調整方法において、 前記描画中に、前記試料からの反射電子量を測定し、こ
   の反射電子量と予め測定した前記ショットサイズに対す
   る反射電子量の関係とから前記電子ビームのドリフト量
   を求め、このドリフト量に従って前記成形偏向器による
   前記電子ビームの偏向を調整する、ことを特徴とするオ
   フセット調整方法。
2. 【請求項２】 描画中における特定サイクル毎に電子ビ
   ームのドリフト量の算出を行うことを特徴とする請求項
   １記載のオフセット調整方法。
3. 【請求項３】 電子ビームのショット毎に成形偏向器に
   対する偏向調整を行うことを特徴とする請求項１記載の
   オフセット調整方法。
4. 【請求項４】 電子ビームのショットサイズを可変成形
   するとともに成形偏向器により偏向して前記電子ビーム
   を試料上に照射して描画する荷電ビーム描画装置におい
   て、 前記試料からの反射電子量を測定する反射電子検出器
   と、 この反射電子検出器により測定された反射電子量と予め
   測定した前記ショットサイズに対する反射電子量の関係
   とから前記電子ビームのドリフト量を求めるドリフト量
   算出手段と、 このドリフト量算出手段により求められたドリフト量に
   より前記電子ビームのショットサイズを補正する補正手
   段と、 この補正手段により補正された前記電子ビームのショッ
   トサイズに従って前記成形偏向器を偏向調整する調整手
   段と、を具備したことを特徴とする荷電ビーム描画装
   置。
5. 【請求項５】 描画中における特定サイクル毎に電子ビ
   ームのドリフト量の算出を行うことを特徴とする請求項
   ４記載の荷電ビーム描画装置。
6. 【請求項６】 電子ビームのショット毎に成形偏向器に
   対する偏向調整を行うことを特徴とする請求項４記載の
   荷電ビーム描画装置。