JP2020021880A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 title abstract 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 28
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 19
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 16
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/24—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof
- H01J35/30—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof by deflection of the cathode ray
- H01J35/305—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof by deflection of the cathode ray by using a rotating X-ray tube in conjunction therewith
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
- H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【課題】計算量を抑えつつ、高精度にドリフト補正を行う。【解決手段】本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する偏向器と、描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出し、該ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成するドリフト補正部と、前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する偏向制御部と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。
LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン(マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。)をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
電子ビーム描画装置では、様々な要因により、描画中に電子ビームの照射位置が時間経過と共にシフトするビームドリフトと呼ばれる現象が発生し得る。例えば、描画装置の偏向電極等の照射系にコンタミネーションが付着し、描画対象基板からの散乱電子によりコンタミネーションが帯電することで、ビームドリフトが発生する。このビームドリフトをキャンセルするため、ドリフト補正が行われる。
例えば、特許文献1には、ショット毎のビーム電流量と、ビーム照射位置と、ビームのオン・オフ時間をパラメータにした補正計算式からドリフト量を算出し、偏向器による偏向量を補正する手法が開示されている。しかし、偏向器表面の電荷蓄積量を1ショット毎に計算しているため、ショット数の増加に伴い計算量が多くなる。例えば、1ショットあたりの電荷蓄積量の計算時間が1μsであるとした場合、100ギガ(1×1011)ショット分の計算には約28時間かかり、現実的ではなく、描画中にリアルタイムで計算を行うことが困難であった。
特許文献2には、ビーム照射量(=照射時間×照射面積)を一定時間毎に累積加算し、累積加算量に応じて偏向器による偏向量を補正する手法が開示されている。この手法では、ビーム照射量の累積加算量の算出間隔を短くすると、ドリフトの補正精度は上がるが、計算量が増加する。累積加算量の算出間隔を長くすると、計算量を低減させられるが、補正精度が低下する。このように、累積加算量の算出間隔と補正精度がトレードオフの関係にあった。
本発明は、計算量を抑えつつ、高精度にドリフト補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する偏向器と、描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出し、該ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成するドリフト補正部と、前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する偏向制御部と、を備えるものである。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記偏向器は複数の電極を有し、前記ドリフト補正部は、複数ショットのショットサイズの平均値、複数ショットのショット位置の平均値、及び複数ショットの累積ビームオン・オフ時間を用いて、前記偏向器の各電極の帯電量を計算し、各電極の帯電量から前記ドリフト量を算出する。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記偏向器は、前記ステージの移動に追従するように、前記基板の描画領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第1小領域の基準位置に荷電粒子ビームを偏向する第1偏向器と、各第1小領域の基準位置から、各第1小領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第2小領域の基準位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第2偏向器と、各第2小領域の基準位置から、該第2小領域内に照射されるビームのショット位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第3偏向器と、を有し、前記ドリフト補正部は、前記第1小領域に含まれる複数ショットのショットデータ、又は前記第2小領域に含まれる複数ショットのショットデータを参照して前記ドリフト量を算出する。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、前記ステージ上に設けられたマークと、前記マークを前記荷電粒子ビームで走査した際の反射荷電粒子からビーム照射位置を検出する照射位置検出器と、をさらに備え、前記照射位置検出器により検出されたビーム照射位置から測定されたドリフト量と、前記ドリフト補正部が算出したドリフト量との差分から外乱ドリフト量を求める。
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、
偏向器を用いて、ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する工程と、描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成する工程と、複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出する工程と、前記ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成する工程と、前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する工程と、を備えるものである。
偏向器を用いて、ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する工程と、描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成する工程と、複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出する工程と、前記ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成する工程と、前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する工程と、を備えるものである。
本発明によれば、計算量を抑えつつ、高精度にドリフト補正を行うことができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等でもよい。
図1は、実施の形態における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器212、ブランキングアパーチャ214、第1成形アパーチャ203、投影レンズ204、成形偏向器205、第2成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216が配置されている。
描画室103内には、XY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる基板101が配置される。基板101には、半導体装置を製造するための露光用のマスク、シリコンウェハ、マスクブランクス等が含まれる。
XYステージ105上には、電子ビームのドリフト量を測定するためのマーク(図示略)が設けられている。マークは、例えば十字形状やドット形状をなし、シリコン基板上にタンタルやタングステン等の重金属で形成されたものである。
XYステージ105の上方には、マークに対する電子ビームの照射により、電子ビームの照射位置(ビーム位置)を検出する照射位置検出器220が設けられている。照射位置検出器220として、例えば、マークが電子ビームで走査され、マークにより反射された反射電子を電流値として検出する電子検出器を用いることができる。検出されたビーム位置は、後述する制御計算機110に通知される。
電子鏡筒102内に設けられた電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、ブランキング偏向器212内を通過する際にブランキング偏向器212によって、電子ビームを基板に照射するか否か切り替えられる。
電子ビーム200は、照明レンズ202により、矩形の開口A1(図2参照)を有する第1成形アパーチャ203に照射される。第1成形アパーチャ203の開口A1を通過することで、電子ビームBは矩形に成形される。
第1成形アパーチャ203を通過した第1アパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により、可変成形開口A2(図2参照)を有した第2成形アパーチャ206上に投影される。その際、成形偏向器205によって、第2成形アパーチャ206上に投影される第1アパーチャ像が偏向制御され、可変成形開口A2を通過する電子ビームの形状と寸法を変化させる(可変成形を行う)ことができる。
第2成形アパーチャ206の可変成形開口A2を通過した第2アパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105上に載置された基板101に照射される。
制御部160は、制御計算機110、メモリ112、偏向制御回路120、DAC(デジタル・アナログコンバータ)アンプ130,132,134,136、138(偏向アンプ)、及び記憶装置140を有している。
偏向制御回路120にはDACアンプ130,132,134,136,138が接続されている。DACアンプ130は、ブランキング偏向器212に接続されている。DACアンプ132は、副偏向器209に接続されている。DACアンプ134は、主偏向器208に接続されている。DACアンプ136は、副副偏向器216に接続されている。DACアンプ138は、成形偏向器205に接続されている。
制御計算機110は、ショットデータ生成部50、ドリフト補正部52、及び描画制御部54を備える。ショットデータ生成部50、ドリフト補正部52、及び描画制御部54の各機能は、ソフトウェアで構成されてもよいし、ハードウェアで構成されてもよい。
図3は、偏向領域を説明するための概念図である。図3に示すように、基板101の描画領域10は、主偏向器208の偏向可能幅で、例えばy方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域20に仮想分割される。そして、主偏向器208の偏向可能幅で、ストライプ領域20をx方向に分割した領域が主偏向器208の偏向領域(主偏向領域)となる。
この主偏向領域は、副偏向器209の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド(SF)30に仮想分割される。そして、各SF30は、副副偏向器216の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のアンダーサブフィールド(ここでは第3の偏向を意味するTertiary Deflection Fieldの略語を用いて「TF」とする。以下、同じ)40に仮想分割される。各TF40の各ショット位置42にショット図形が描画される。
偏向制御回路120からDACアンプ130に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。DACアンプ130では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器212に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム200が偏向させられ、各ショットのブランキング制御が行われる。
偏向制御回路120からDACアンプ138に対して、成形偏向用のデジタル信号が出力される。DACアンプ138では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、偏向器205に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム200が第2成形アパーチャ206の特定の位置に偏向され、所望の寸法及び形状の電子ビームが形成される。
偏向制御回路120からDACアンプ134に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。DACアンプ134は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器208に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム200が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド(SF)の基準位置A(例えば、該当するSFの中心位置或いは左下の角位置等)に偏向される。また、XYステージ105が連続移動しながら描画する場合には、かかる偏向電圧には、ステージ移動に追従するトラッキング用の偏向電圧も含まれる。
偏向制御回路120からDACアンプ132に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。DACアンプ132は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器209に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム200が偏向させられ、各ショットのビームが最小偏向領域となるTF40の基準位置B(例えば、該当するTFの中心位置或いは左下の角位置等)に偏向される。
偏向制御回路120からDACアンプ136に対して、副副偏向制御用のデジタル信号が出力される。DACアンプ136は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副副偏向器216に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム200が偏向させられ、各ショットのビームがTF40内の各ショット位置42に偏向される。
描画装置100では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域20毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216といった3段偏向器が用いられる。XYステージ105が例えば−x方向に向かって連続移動しながら、1番目のストライプ領域20についてx方向に向かって描画を進めていく。そして、1番目のストライプ領域20の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって2番目のストライプ領域20の描画を進めていく。以降、同様に、3番目以降のストライプ領域20の描画を進めていく。
主偏向器208が、XYステージ105の移動に追従するように、SF30の基準位置Aに電子ビーム200を順に偏向する。また、副偏向器209が、各SF30の基準位置Aから、TF40の基準位置Bに電子ビーム200を順に偏向する。そして、副副偏向器216が、各TF40の基準位置Bから、当該TF40内に照射されるビームのショット位置42に電子ビーム200を偏向する。
このように、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216は、サイズの異なる偏向領域をもつ。TF40は、複数段の偏向器の偏向領域のうち、最小偏向領域となる。
記憶装置140は、例えば磁気ディスク装置であり、基板101にパターンを描画するための描画データを記憶する。この描画データは、設計データ(レイアウトデータ)が描画装置100用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から記憶装置140に入力されて保存されている。
ショットデータ生成部50が、記憶装置140に格納されている描画データに対して、複数段のデータ変換処理を行い、描画対象となる各図形パターンを1回のショットで照射可能なサイズのショット図形に分割し、描画装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する。ショットデータには、ショット毎に、例えば、各ショット図形の図形種を示す図形コード、図形サイズ(ショットサイズ)、ショット位置、ビームオン・オフ時間等が定義される。生成されたショットデータはメモリ112に一時的に記憶される。
ショットデータに含まれるビームオン時間は、近接効果、フォギング効果、ローディング効果といった、パターンの寸法変動を引き起こす要因を考慮して描画領域10の各位置における電子ビームの照射量(ドーズ量)Qを算出し、算出した照射量Qを電流密度Jで割ることで算出される。ビームオフ時間は、描画中のステージ移動速度やビーム移動量、DACアンプのセトリング時間等によって算出される。
ショットデータの生成は、描画処理と並行して行われ、複数ショットのショットデータが事前に生成されてメモリ112に記憶される。例えば、ストライプ領域20一本分のショットデータが事前に生成され、メモリ112に記憶されている。
本実施形態では、事前に生成された複数ショットのショットデータを参照し、複数ショットの累積ショット数と、平均化したショットサイズ(ビームサイズ)及びショット位置(ビーム偏向位置)と、累積ビームオン・オフ時間とを用いて、偏向器(主偏向器208、副偏向器209又は副副偏向器216)表面の電荷蓄積量を算出し、チャージアップ現象による帯電ドリフトを補正する。
図4に示すように、1回のショットはビームオンの期間tshotとビームオフの期間tstlとを有し、偏向器表面では、ビーム照射(ビームオン)時の散乱電子による帯電フェーズと、ビームオフ時の放電フェーズとが繰り返される。
偏向器を構成する複数の電極は、それぞれ、電極表面の電荷蓄積量の変化を図5に示す関数C(t)、D(t)で表すことができる。関数C(t)はビームオン時の帯電を示し、関数D(t)はビームオフ時の放電を示す。図5の数式において、τcは帯電しやすさを示す時定数であり、τdは放電しやすさを示す時定数である。
図4に示すi番目のショット開始時の電荷蓄積量をQiとすると、i番目のショット終了時(i+1番目のショット開始時)の電荷蓄積量Qi+1、i+1番目のショット終了時(i+2番目のショット開始時)の電荷蓄積量Qi+2は、それぞれ、以下の数式1で表すことができる。数式1において、Qmaxは飽和電子量、tshotはビームオンの時間(ショット時間)、tstlはビームオフの時間(セトリング時間)、τcは帯電の時定数、τdは放電の時定数である。
図4に示すグラフは、1ショットずつ電荷蓄積量を計算する場合の計算式に対応するものである。1ショットずつ電荷蓄積量を計算する場合、ショット数の増加に伴い計算量が多くなり、描画処理と並行してリアルタイムでドリフト補正を行うことは困難となる。そのため、本実施形態では、複数ショットをまとめて電荷蓄積量を計算することで計算速度を向上させ、リアルタイムでのドリフト補正を可能とさせる。
例えば、2ショット毎に電荷蓄積量を計算する場合、電荷蓄積量を図6のように変化するとみなすことで計算が簡略化可能である。この場合、i+1番目のショット終了時(i+2番目のショット開始時)の電荷蓄積量Qi+2は、i番目のショット開始時の電荷蓄積量Qiから以下の数式2で算出でき、2回分の計算を1回で終わらせることが可能となる。
また、偏向器には複数個の電極が使用されているため、帯電源も複数箇所あると考えられる。そのため、図7に示すように、偏向器が4個の電極E1〜E4からなり、各電極の電荷蓄積量(帯電量)をNショット毎に(Nショットまとめて)計算する場合を考える。電極Ej(j=1〜4)のi番目のショット開始時の電荷蓄積量Qi、jから、Nショット後の電荷蓄積量Qi+N、jは以下の数式3で求めることができる。
数式3において、時定数τcj、τdj、係数α、Qmax,jは、描画レイアウトによらない装置固有の状態パラメータなため、ビーム照射量又はショット間隔と、偏向位置をそれぞれ2以上の条件でドリフトの変化を測定した結果から事前に求めることができる。
各電極の電荷蓄積量を用いて、以下の数式4からドリフト量を算出することができる。
図8は、ショットをまとめる数(数式3の累積ショット数N)と、1×108ショット分のドリフト量の算出に要する時間との関係の例を示す。累積ショット数Nが大きい程、1×108ショット分のドリフト量の算出に要する時間は減少する。なお、累積ショット数Nを100、1000、10000、100000、1000000と変えても、算出されるドリフト量はほとんど変わらなかった。
上述の数式3、4、及び時定数τcj、τdj、係数α、Qmax,jを含む計算式データは、記憶装置140に格納されている。ドリフト補正部52は、記憶装置140から計算式データを取り出す。ドリフト補正部52は、メモリ112に格納されている複数のショットデータを参照し、複数ショットの累積ショット時間(ビームオンの時間の合計)、累積セトリング時間(ビームオフの時間の合計)、平均偏向方向、平均ショットサイズを算出し、算出した値を計算式に代入して各電極の電荷蓄積量を算出する。
ドリフト補正部52は、各電極の電荷蓄積量からドリフト量を算出し、ドリフト量をキャンセルするドリフト補正量を求める。ドリフト補正部52は、ドリフト補正量に基づいて、電子ビームの偏向量(ビーム照射位置)の補正情報を生成し、描画制御部54に与える。描画制御部54は、この補正情報を用いてビーム照射位置の補正量を偏向制御回路120に与える。
描画制御部54は、ショットデータを偏向制御回路120へ転送する。偏向制御回路120は、ショットデータに基づいてブランキング制御用の信号をDACアンプ130へ出力し、成形偏向用の信号をDACアンプ138へ出力する。
偏向制御回路120は、ショットデータと、ビーム照射位置の補正量とに基づいて、偏向制御用の信号をDACアンプ132、134、136へ出力する。これにより、描画部150においてビーム照射位置が補正される。
このように、本実施形態によれば、特定区間の複数のショットデータを参照し、累積ショット数と、区間内で平均化したビームサイズ、ビーム偏向位置(偏向方向)、区間内でのビームオン・オフの累積時間を用いてドリフト量を算出するため、計算量を抑えつつ、高精度にドリフト補正を行うことができる。
特定区間(数式3の累積ショット数N)は特に限定されず、例えばサブフィールド(SF30)毎でもよいし、アンダーサブフィールド(TF40)毎でもよいし、一定ショット毎でもよい。
上記実施形態では、チャージアップ現象による帯電ドリフトを補正することができるが、描画装置には熱や気圧などの要因によるドリフト(外乱ドリフト)も発生している。そのため、外乱ドリフトの補正を行うことで、さらに描画精度を向上させることができる。外乱ドリフトは以下の方法で算出できる。
描画処理中、任意の間隔で描画動作を一時停止し、ビームドリフト量を測定する。例えば、XYステージ105上のマークを電子ビームでスキャンし、照射位置検出器220が反射電子の電流量から検出したビーム位置に基づいて、ビームドリフト量が測定される。
この測定値は、帯電ドリフトと外乱ドリフトの両方の影響を含むため、測定値から描画動作一時停止直前の帯電ドリフトの計算結果を減じて、外乱ドリフト量を求める。外乱ドリフト量を所定の時間間隔で複数回求め、そのトレンドを関数近似する。外乱ドリフト量の近似関数はメモリに登録される。図9に、ドリフト測定結果、帯電ドリフト計算結果、外乱ドリフト量、外乱ドリフト量の近似関数の例を示す。
近似関数の算出後、ドリフト補正部52は、この関数を用いて外乱ドリフト量の変化を予測する。予測された外乱ドリフト量と、帯電ドリフトの計算結果とを合わせて全体のビームドリフト量とし、偏向量を補正する。
上記実施形態では、シングルビームを用いた描画装置について説明したが、マルチビーム描画装置であってもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
50 ショットデータ生成部
52 ドリフト補正部
54 描画制御部
100 描画装置
110 制御計算機
150 描画部
160 制御部
52 ドリフト補正部
54 描画制御部
100 描画装置
110 制御計算機
150 描画部
160 制御部
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する偏向器と、
描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、
複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出し、該ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成するドリフト補正部と、
前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する偏向制御部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記偏向器は複数の電極を有し、
前記ドリフト補正部は、複数ショットのショットサイズの平均値、複数ショットのショット位置の平均値、及び複数ショットの累積ビームオン・オフ時間を用いて、前記偏向器の各電極の帯電量を計算し、各電極の帯電量から前記ドリフト量を算出することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記偏向器は、
前記ステージの移動に追従するように、前記基板の描画領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第1小領域の基準位置に荷電粒子ビームを偏向する第1偏向器と、
各第1小領域の基準位置から、各第1小領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第2小領域の基準位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第2偏向器と、
各第2小領域の基準位置から、該第2小領域内に照射されるビームのショット位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第3偏向器と、
を有し、
前記ドリフト補正部は、前記第1小領域に含まれる複数ショットのショットデータ、又は前記第2小領域に含まれる複数ショットのショットデータを参照して前記ドリフト量を算出することを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ステージ上に設けられたマークと、
前記マークを前記荷電粒子ビームで走査した際の反射荷電粒子からビーム照射位置を検出する照射位置検出器と、
をさらに備え、
前記照射位置検出器により検出されたビーム照射位置から測定されたドリフト量と、前記ドリフト補正部が算出したドリフト量との差分から外乱ドリフト量を求めることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを放出する工程と、
偏向器を用いて、ステージに載置された基板に対する前記荷電粒子ビームの照射位置を調整する工程と、
描画データから、ショット毎のショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間を含むショットデータを生成する工程と、
複数のショットデータを参照し、複数ショットのショットサイズ、ショット位置及びビームオン・オフ時間に基づいて、前記基板に照射される荷電粒子ビームの照射位置のドリフト量を算出する工程と、
前記ドリフト量に基づいて照射位置ずれを補正する補正情報を生成する工程と、
前記ショットデータ及び前記補正情報に基づいて前記偏向器による偏向量を制御する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018146121A JP6981380B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
DE112019003899.0T DE112019003899T5 (de) | 2018-08-02 | 2019-07-04 | Schreibvorrichtung mit geladenem Partikelstrahl und Schreibverfahren mit geladenem Partikelstrahl |
CN201980027771.0A CN112020761B (zh) | 2018-08-02 | 2019-07-04 | 带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法 |
KR1020207026704A KR102440642B1 (ko) | 2018-08-02 | 2019-07-04 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
US17/265,079 US11251012B2 (en) | 2018-08-02 | 2019-07-04 | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
PCT/JP2019/026676 WO2020026696A1 (ja) | 2018-08-02 | 2019-07-04 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
TW108125453A TWI730353B (zh) | 2018-08-02 | 2019-07-18 | 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018146121A JP6981380B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020021880A true JP2020021880A (ja) | 2020-02-06 |
JP6981380B2 JP6981380B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=69230926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018146121A Active JP6981380B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251012B2 (ja) |
JP (1) | JP6981380B2 (ja) |
KR (1) | KR102440642B1 (ja) |
CN (1) | CN112020761B (ja) |
DE (1) | DE112019003899T5 (ja) |
TW (1) | TWI730353B (ja) |
WO (1) | WO2020026696A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11854764B2 (en) | 2021-03-17 | 2023-12-26 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing device and charged particle beam writing method |
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KR101027260B1 (ko) | 2008-12-23 | 2011-04-06 | 주식회사 포스코 | 불연속 스파크형 슬라브 단면 개재물의 맵 획득시스템 및 획득방법 |
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2018
- 2018-08-02 JP JP2018146121A patent/JP6981380B2/ja active Active
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2019
- 2019-07-04 CN CN201980027771.0A patent/CN112020761B/zh active Active
- 2019-07-04 KR KR1020207026704A patent/KR102440642B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-04 US US17/265,079 patent/US11251012B2/en active Active
- 2019-07-04 WO PCT/JP2019/026676 patent/WO2020026696A1/ja active Application Filing
- 2019-07-04 DE DE112019003899.0T patent/DE112019003899T5/de active Pending
- 2019-07-18 TW TW108125453A patent/TWI730353B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11251012B2 (en) | 2022-02-15 |
TW202018429A (zh) | 2020-05-16 |
JP6981380B2 (ja) | 2021-12-15 |
CN112020761B (zh) | 2024-03-01 |
KR20200121349A (ko) | 2020-10-23 |
KR102440642B1 (ko) | 2022-09-06 |
DE112019003899T5 (de) | 2021-04-15 |
US20210305008A1 (en) | 2021-09-30 |
CN112020761A (zh) | 2020-12-01 |
WO2020026696A1 (ja) | 2020-02-06 |
TWI730353B (zh) | 2021-06-11 |
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Legal Events
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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