JPH03270215A - 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置

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JPH03270215A
JPH03270215A JP2072331A JP7233190A JPH03270215A JP H03270215 A JPH03270215 A JP H03270215A JP 2072331 A JP2072331 A JP 2072331A JP 7233190 A JP7233190 A JP 7233190A JP H03270215 A JPH03270215 A JP H03270215A
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particle beam
deflection
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Akio Yamada
章夫 山田
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Fujitsu Ltd
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    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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    • H01J2237/31776—Shaped beam

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 荷電粒子ビーム露光方法に関し、 荷電粒子ビームの断面形状を所望の大きさの非矩形に成
形する際の荷電粒子ビームの偏向量の較正に要する時間
を短縮し、スルーブツトの向上を図ることを目的とし、 露光開始前、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる荷電
粒子ビームの偏向量を基準として荷電粒子ビームの断面
形状を所望の大きさの非矩形に成形するために必要とす
る荷電粒子ビームの偏向量を偏向データとして記憶する
と共に、露光開始後、荷電粒子ビームの断面形状を所望
の大きさの非矩形に成形する場合、前記非矩形の大きさ
が丁度ゼロとなる偏向量で荷電粒子ビームを偏向した場
合における荷電粒子ビームの、ステンシルマスクの可変
非矩形成形用開口に対する位置を荷電粒子ビームの電流
値から検出し、該検出した位置が、前記非矩形の大きさ
が１度ゼロとなる位置とずれている場合には、該ずれ量
をゼロとするに必要な偏向量を偏向補正データとして算
出し、該偏向補正データで前記偏向データを補正して露
光を行う。
［産業上の利用分野］ 本発明は、電子ビーム露光方法及び露光装置等、ＬＳＩ
製造プロセス等において使用される荷電粒子ビーム露光
方法及び露光装置に関する。
近年、集積回路の高集積化に伴い、長年、微細パターン
形成の主流であったフォトリングラフィに代わり、電子
ビーム等、荷電粒子ビームを使用する露光装置が実際に
使用されるようになってきた。
［従来の技術］ 従来、電子ビーム露光装置として、第３図に、その要部
を示すようなものが提案されている。
図中、１は電子銃、２は電子ビーム、３は光軸、４は矩
形成形アパーチャ、５はレンズ、６は偏向器、７はレン
ズ、８．９は入射マスク偏向器、１０はステンシルマス
ク、１１．１２は出射マスク偏向器、１３はマスク偏向
器駆動回路、１４はレンズ、１５はブランキング電極、
１６は縮小レンズ、１７は絞りアパーチャ、１８．１９
は投影レンズ、２０は偏向器、２１はウェハ、２２はス
テージであって、特に、レンズ７は電子ビーム２を平行
電子ビームにするためのもの、レンズ１４はレンズ７に
よって平行電子ビーム化された電子ビーム２を収束する
ためのものである。
かかる電子ビーム露光装置においては、電子銃１から放
射された電子ビーム２は、カソード（陰極）、アノード
（陽極〉間に印加された加速電圧によって加速された後
、矩形成形アパーチャ４によって矩形に成形され、レン
ズ５、偏向器６を通過し、レンズ７で平行電子ビームに
される。この平行電子ビームにされた電子ビーム２は、
入射マスク偏向器８．９によって偏向され、ステンシル
マスク１０に形成された後述する開口を通過する。
なお、入射マスク偏向器９は、電子ビーム２を光軸３に
平行する方向、即ち、ステンシルマスク１０に直交する
方向に偏向するものである。このようにして、ステンシ
ルマスク１０を通過した電子ビーム２は、出射マスク偏
向器１１で光軸３上に戻され、更に出射マスク偏向器１
２によって、その照射方向を光軸３に一致された後、レ
ンズ１４によって収束される。そして、ブランキング電
極１５、縮小レンズ１６、絞りアパーチャ１７、投影レ
ンズ１８．１９、偏向器２０を通過してウェハ２１に照
射される。
ここに、ステンシルマスク１０は、例えば、第４図にそ
の平面図を示すように構成されている。
図中、２３は可変矩形成形用開口、即ち、電子ビーム２
の断面形状を所望の大きさの矩形に成形するための開口
、２４〜２７は繰り返しパターン成形用開口、即ち、電
子ビーム２の断面形状を繰り返しパターンの基本形状に
成形するための開口、２８〜３１は可変三角形成形用開
口、即ち、電子ビーム２の断面形状を所望の大きさの三
角形に成形するための開口、３２〜３５は較正用開口、
即ち、電子ビーム２の偏向量の較正（キャリブレーショ
ン）を行う場合に使用する開口である。
例えば、可変三角形成形用開口２８〜３１は、可変三角
形成形用開口２８を代表して示せば、例えば、第５図に
矢印で示すように電子ビーム２を偏向することによって
、電子ビーム２の断面形状を所望の大きさの三角形に形
成しようとするものである。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、かかる電子ビーム露光装置においては、繰り
返しパターン成形用開口２４〜２７を使用してウェハ２
１面に繰り返しパターンを描画する場合には、かかる繰
り返しパターン成形用開口２４〜２７を覆うように電子
ビーム２を照射すれば足りるので、電子ビーム２の偏向
量の較正は、さほど問題とならない。これに対して、可
変三角形成形用開口２８〜３１を使用してウェハ２１面
に所望の大きさの三角形パターンを描画しようとする場
合には、マスク面上におけるビーム照射位置の精度が問
題となる。このため、電子ビーム２の偏向量の較正を高
精度で行う必要が生じる。この電子ビーム２の偏向量の
較正は、露光開始後のカラム内の温度上昇、チャージア
ップ等を考慮すると、三角形パターン等、可変非矩形パ
ターンを描画する際に行うことが好適である。
ここに、第３図従来例の電子ビーム露光装置においては
、電子ビーム２の偏向量の較正は、ステンシルマスク１
０に形成された較正用開口３２〜３５を使用して行われ
るが、かかる較正用開口３２〜３５を使用した電子ビー
ム２の偏向量の較正は、かなり複雑な手法を必要とし、
較正に要する時間も長くなり、スループットを低くする
要因となっていた。
本発明は、かかる点に鑑み、荷電粒子ビームの断面形状
を所望の大きさの非矩形に成形する際の荷電粒子ビーム
の偏向量の較正に要する時間を短縮し、スループットの
向上を図ることができるようにした荷電粒子ビーム露光
方法及び露光装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明の荷電粒子ビーム露光方法は、荷電粒子ビームの
断面形状を所望の大きさの非矩形に成形するための可変
非矩形成形用開口が形成されたステンシルマスクを具備
してなる荷電粒子ビーム露光装置において、露光開始前
、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる前記荷電粒子ビ
ームの偏向量を基準として、前記荷電粒子ビームの断面
形状を前記所望の大きさの非矩形に成形するために必要
とする前記荷電粒子ビームの偏向量を偏向データとして
記憶すると共に、露光開始後、前記荷電粒子ビームの断
面形状を前記所望の大きさの非矩形に成形する場合、前
記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる偏向量で前記荷電粒
子ビームを偏向した場合における前記荷電粒子ビームの
前記可変非矩形成形用開口に対する位置を前記荷電粒子
ビームの電流値から検出し、該検出した位置が、前記非
矩形の大きさが丁度ゼロとなる位置とずれている場合に
は、該ずれ量をゼロとするに必要な偏向量を偏向補正デ
ータとして算出し、該偏向補正データで前記偏向データ
を補正して露光を行う、というものである。
また、本発明の荷電粒子ビーム露光装置は、その構成要
素を、例えば、実施例図面第１図及び第２図に対応させ
て説明すると、荷電粒子ビーム２を放射する荷電粒子ビ
ーム放射手段１と、試料２１を載置するステージ２２と
の間に、荷電粒子ビーム放射手段１から放射された荷電
粒子ビーム２の断面形状を矩形に成形する矩形成形アパ
ーチャ４と、この矩形成形アパーチャ４を通過した荷電
粒子ビーム２を偏向する第１の偏向器６と、この第１の
偏向器６を通過した荷電粒子ビーム２を平行荷電粒子ビ
ームにする第１のレンズ７と、この第１のレンズ７によ
って平行荷電粒子ビームにされた荷電粒子ビーム２を偏
向する第２の偏向器８と、この第２の偏向器８によって
偏向された荷電粒子ビーム２を光軸３と平行する方向に
偏向する第３の偏向器９と、この第３の偏向器９を通過
した荷電粒子ビーム２の断面形状を所望の大きさの非矩
形に成形するための可変非矩形成形用開口２８〜３１が
形成されたステンシルマスク１０と、このステンシルマ
スク１０を通過した荷電粒子ビーム２を光軸３上に戻す
第４の偏向器１１と、この第４の偏向器１１によって光
軸３上に戻された荷電粒子ビーム２の照射方向を光軸３
に一致させる第５の偏向器１２と、この第５の偏向器１
２を通過した前記荷電粒子ビーム２を収束させる第２の
レンズ１４と、この第２のレンズ１４によって収束され
た荷電粒子ビーム２を縮小化する縮小レンズ１６と、こ
の縮小レンズ１６によって縮小化された荷電粒子ビーム
２を試料２１に投影する投影レンズ１８．１つと、種々
の大きさの非矩形を成形するために必要な偏向データを
記憶させる偏向データ記憶手段３８と、この偏向データ
記憶手段３８に記憶させた偏向データに基づく荷電粒子
ビーム２の偏向量を補正するために必要な偏向補正デー
タを記憶させる偏向補正データ記憶手段３９〜４２とを
設け、露光開始前、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとな
る荷電粒子ビーム２の偏向量を基準として、荷電粒子ビ
ーム２の断面形状を所望の大きさの非矩形に成形するた
めに必要とする偏向データを算出し、この偏向データを
偏向データ記憶手段３８に記憶すると共に、露光開始後
、荷電粒子ビーム２の断面形状を前記所望の大きさの非
矩形に成形する場合、前記非矩形の大きさが丁度ゼロと
なる偏向量で前記荷電粒子ビーム２を偏向した場合にお
ける荷電粒子ビーム２の可変非矩形成形用開口２８〜３
１に対する位置を荷電粒子ビーム２の電流値から検出し
、この検出した位置が、前記非矩形の大きさが丁度ゼロ
となる位置とずれている場合には、このずれ量をゼロと
するに必要な偏向量を偏向補正データとして算出し、こ
の偏向補正データを偏向補正データ手段３９〜４２に記
憶し、この記憶された偏向補正データで前記偏向データ
を補正して露光を行うことができるように構成する、と
いうものである。
なお、荷電粒子ビーム２の断面形状を所望の大きさの非
矩形に成形するに必要な荷電粒子ビーム２の偏向は、第
１の偏向器６又は第２及び第３の偏向器８．９で行うこ
とができる。
また、ここで、非矩形とは、三角形、平行四辺形等を意
味する。
［作用］ かかる本発明の荷電粒子ビーム露光方法又は露光装置に
よれば、ステンシルマスク１０に形成された可変非矩形
成形用開口２８〜３１を使用して荷電粒子ビーム２の断
面形状を所望の大きさの非矩形に成形する場合において
、荷電粒子ビーム２の偏向量を較正する場合、ステンシ
ルマスク１０に形成された較正用開口３２〜３５を使用
せず、荷電粒子ビーム２の可変非矩形成形用開口２８〜
３１に対する位置の検出によって行うことができる。し
たがって、荷電粒子ビーム２の偏向量の較正を短時間で
行うことができる。
［実施例］ 以下、第１図及び第２図を参照して、本発明による荷電
粒子ビーム露光装置の一実施例につき、電子ビーム露光
装置を例にして説明する。なお、第１図及び第２図にお
いて、第３図〜第５図に対応する部分には同一符号を付
し、その重複説明は省略する。
第１図は本実施例による電子ビーム露光装置の要部を示
す図であって、図中、３６は中央処理装置、いわゆるＣ
ＰＵ、３７はバス線、３８は電子ビーム２の断面形状を
所望の大きさの三角形に成形するために必要な偏向デー
タを記憶−させるための偏向データ記憶手段、３９〜４
２は偏向データ記憶手段３８に記憶された偏向データに
基づく電子ビーム２の偏向量を補正する偏向補正データ
を記憶させるための偏向補正データ記憶手段、４３は偏
向データと偏向補正データを加算するための加算器、４
４は加算器４３の出力をアナログ信号に変換するデジタ
ル・アナログ・コンバータ（ＤＡコンバータ）、４５は
電子ビーム電流測定手段であり、偏向データ及び偏向補
正データは加算器４３、ＤＡコンバータ４４及びマスク
偏向器駆動回路１３を介して偏向器６．８．９．１１．
１２に供給されるように構成されている。その他につい
ては、第３図従来例と同様に構成されている。
なお、偏向データ記憶手段３８中、Ａ１〜Ｄ。
はアドレスを示しており、アドレスＡ１〜Ａ、は可変三
角形成形用開口２８（第２図Ｃ参照）を使用して所望の
大きさの三角形を成形する場合に必要な偏向データを記
憶するためのアドレス、アドレスＢ２〜Ｂ、は可変三角
形成形用開口２９（第２図Ｃ参照）を使用して所望の大
きさの三角形を成形する場合に必要な偏向データを記憶
するためのアドレス、Ｃ２〜Ｃｎは可変三角形成形用開
口３０（第２図Ｃ参照）を使用して所望の・大きさの三
角形を成形する場合に必要な偏向データを記憶するため
のアドレス、Ｄ２〜Ｄ、は可変三角形成形用開口３１（
第２図り参照〉を使用して所望の大きさの三角形を成形
する場合に必要な偏向データを記憶するためのアドレス
である。
かかる本実施例においては、電子ビーム２の断面形状を
所望の大きさの三角形に成形する場合、露光開始前に、
以下に述べる動作が行われる。
まず、第２図Ａに示すように、ステンシルマスク１０に
形成された可変三角形成形用開口２８によって成形され
る三角形の大きさが丁度ゼロ、即ち、電子ビーム２が丁
度、ステンシルマスク１０に隠れた場合における電子ビ
ーム２の偏向量を示す偏向データが算出され、これがア
ドレスＡ１に格納される０次に、この偏向量を基準とし
て、所望の大きさの三角形に成形するために必要な種々
の偏向データが算出され、これらがアドレスＡ２〜Ａ、
に格納される。
次に、第２図Ｂに示すように、ステンシルマスク１０に
形成された可変三角形成形用開口２９によって成形され
る三角形の大きさが丁度ゼロ、即ち、電子ビーム２が丁
度、ステンシルマスク１０に隠れた場合における電子ビ
ーム２の偏向量を示す偏向データが算出され、これがア
ドレスＢ１に格納される。次に、この偏向量を基準とし
て、所望の大きさの三角形に成形するために必要な種々
の偏向データが算出され、これらがアドレスＢ２〜Ｂ、
、に格納される。
次に、第２図Ｃに示すように、ステンシルマスク１０に
形成された可変三角形成形用開口３０によって成形され
る三角形の大きさが丁度ゼロ、即ち、電子ビーム２が丁
度、ステンシルマスク１０に隠れた場合における電子ビ
ーム２の偏向量を示す偏向データが算出され、これがア
ドレスＣ１に格納される。次に、この偏向量を基準とし
て、所望の大きさの三角形に成形するために必要な種々
の偏向データが算出され、これらがアドレスＣ２〜Ｃ０
に格納される。
次に、第２図りに示すように、ステンシルマスク１０に
形成された可変三角形成形用開口３１によって成形され
る三角形の大きさが丁度ゼロ、即ち、電子ビーム２が１
度、ステンシルマスク１０に隠れた場合における電子ビ
ーム２の偏向量を示す偏向データが算出され、これがア
ドレスＤＩに格納される。次に、この偏向量を基準とし
て、所望の大きさの三角形に成形するために必要な種々
の偏向データが算出され、これらがアドレスＤ２〜Ｄ、
、に格納される。
なお、この時点では、偏向補正データ記憶手段３９はク
リアにしておく。
そして、露光開始後、例えば、可変三角形成形用開口２
８を使用して電子ビーム２の断面形状を所望の大きさの
三角形に成形する場合において、電子ビーム２の偏向量
を較正する場合、この較正は、次のようにして行われる
。
まず、ステージ２２の位置を電流値測定のための位置に
移動した後、可変三角形成形用開口２８を選択し、かつ
、アドレスＡ１の偏向データを使用して電子ビーム２を
偏向する。この場合、第２図Ａに破線で示すように、電
子ビーム２が可変三角形成形用開口２８内に、はみ出し
ている場合には、電子ビーム電流測定手段４５によって
、はみ出している大きさに対応した電流値が測定される
ので、これに応じて、ＣＰＵ３６から偏向補正データ記
憶手段３９に対して、電子ビーム２の電流値が１度０　
［Ａ］となるような偏向補正データが供給され、これが
、更に加算器４３に供給され、偏向データに加算される
。このとき、電子ビーム２は丁度、ステンシルマスクＩ
Ｏに隠れる。ここに、電子ビーム２の偏向量は正確に較
正されたことになる。
そこで次に、ステージ２２の位置をウェハ２１に対する
露光位置に移動し、アドレスＡ２〜Ａｎから、露光しよ
うとする大きさの三角形を形成する場合に必要とされる
偏向データを読出し、これを加算器４３に供給する。こ
こに、電子ビーム２の断面形状は、希望する大きさの三
角形に正確に成形される。
なお、アドレスＡ１の偏向データを使用して電子ビーム
２を偏向した場合において、電子ビーム２がステンシル
マスク１０に隠れている場合には、電子ビーム２を一旦
、可変三角形成形用開口２８内に、はみ出させ、上述と
同様の動作が行われることによって電子ビーム２の偏向
量の較正が行われる。
また、可変三角形成形用開口２９〜３１を使用して電子
ビーム２の断面形状を所望の大きさの三角形に成形する
場合にも、同様にして、電子ビーム２の偏向量の較正が
行われる。
このように、本実施例の電子ビーム露光装置によれば、
ステンシルマスク１０に形成された可変三角形成形用開
口２８〜３１を使用して電子ビーム２の断面形状を所望
の大きさの三角形に成形する場合において、電子ビーム
２の偏向量を較正する場合、ステンシルマスク１０に形
成された較正用開口３２〜３５を使用せず、電子ビーム
２の可変三角形成形用開口２８〜３１に対する位Ｉの検
出によって行うことができる。したがって、電子ビーム
２の偏向量の較正を短時間で行い、スループットの向上
を図ることができる。
［発明の効果］ 本発明の荷電粒子ビーム露光方法又は露光装置によれば
、ステンシルマスクに形成された可変非矩形成形用開口
を使用して荷電粒子ビームの断面形状を所望の大きさの
非矩形に成形する場合において、荷電粒子ビームの偏向
量を較正する場合、ステンシルマスクに形成された較正
用開口を使用せず、荷電粒子ビームの可変非矩形成形用
開口に対する位置の検出によって行うことができるので
、荷電粒子ビームの偏向量の較正を短時間で行い、スル
ープットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による荷電粒子ビーム露光装置の一実施
例（を子ビーム露光装置）の要部を示す図、 第２図は可変三角形成形用開口と電子ビームとの位置間
係を示す図、 第３図は従来の電子ビーム露光装置の一例の要部を示す
図、 第４図はステンシルマスクの一例を示す平面図、第５図
は可変三角形成形用開口と電子ビームとの位置関係を示
す図である。 ３８・・・偏向データ記憶手段 ３９〜４２・・・偏向補正データ記憶手段４３・・・加
算器 ４５・・・電子ビーム電流測定手段 （Ａ） （Ｃ） ０ （Ｄ） ０ 可変三角形成形用開口２８〜３１と電子ビーム２との位
置間係第２図 従来の電子ビーム露光装置の一例の要部第３図 ステンンルマスク 第４図 １゜ 可変三角形成形用開口２８と電子ビーム２との位置関係
第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、荷電粒子ビームの断面形状を所望の大きさの非矩形
    に成形するための可変非矩形成形用開口が形成されたス
    テンシルマスクを具備してなる荷電粒子ビーム露光装置
    において、 露光開始前、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる前記
    荷電粒子ビームの偏向量を基準として、前記荷電粒子ビ
    ームの断面形状を前記所望の大きさの非矩形に成形する
    ために必要とする前記荷電粒子ビームの偏向量を偏向デ
    ータとして記憶すると共に、 露光開始後、前記荷電粒子ビームの断面形状を前記所望
    の大きさの非矩形に成形する場合、前記非矩形の大きさ
    が丁度ゼロとなる偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向し
    た場合における前記荷電粒子ビームの前記可変非矩形成
    形用開口に対する位置を前記荷電粒子ビームの電流値か
    ら検出し、該検出した位置が、前記非矩形の大きさが丁
    度ゼロとなる位置とずれている場合には、該ずれ量をゼ
    ロとするに必要な偏向量を偏向補正データとして算出し
    、該偏向補正データで前記偏向データを補正して露光を
    行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。 ２、荷電粒子ビーム（２）を放射する荷電粒子ビーム放
    射手段（１）と、試料（２１）を載置するステージ（２
    ２）との間に、 前記荷電粒子ビーム放射手段（１）から放射された前記
    荷電粒子ビーム（２）の断面形状を矩形に成形する矩形
    成形アパーチャ（４）と、該矩形成形アパーチャ（４）
    を通過した前記荷電粒子ビーム（２）を偏向する第１の
    偏向器（６）と、 該第１の偏向器（６）を通過した前記荷電粒子ビーム（
    ２）を平行荷電粒子ビームにする第１のレンズ（７）と
    、 該第１のレンズ（７）によって平行荷電粒子ビームにさ
    れた前記荷電粒子ビーム（２）を偏向する第２の偏向器
    （８）と、 該第２の偏向器（８）によって偏向された前記荷電粒子
    ビーム（２）を光軸（３）と平行する方向に偏向する第
    ３の偏向器（９）と、 該第３の偏向器（９）を通過した前記荷電粒子ビーム（
    ２）の断面形状を所望の大きさの非矩形に成形するため
    の可変非矩形成形用開口（２８〜３１）が形成されたス
    テンシルマスク（１０）と、 該ステンシルマスク（１０）を通過した前記荷電粒子ビ
    ーム（２）を前記光軸（３）上に戻す第４の偏向器（１
    １）と、 該第４の偏向器（１１）によって光軸（３）上に戻され
    た前記荷電粒子ビーム（２）の照射方向を前記光軸（３
    ）に一致させる第５の偏向器（１２）と、 該第５の偏向器（１２）を通過した前記荷電粒子ビーム
    （２）を収束させる第２のレンズ（１４）と、 該第２のレンズ（１４）によつて収束された前記荷電粒
    子ビーム（２）を縮小化する縮小レンズ（１６）と、 該縮小レンズ（１６）によって縮小化された前記荷電粒
    子ビーム（２）を前記試料（２１）に投影する投影レン
    ズ（１８、１９）と、 前記種々の大きさの非矩形を成形するために必要な偏向
    データを記憶させる偏向データ記憶手段（３８）と、 該偏向データ記憶手段（３８）に記憶させた前記偏向デ
    ータに基づく前記荷電粒子ビーム（２）の偏向量を補正
    するために必要な偏向補正データを記憶させる偏向補正
    データ記憶手段（３９〜４２）とを設け、 露光開始前、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる前記
    荷電粒子ビーム（２）の偏向量を基準として、前記荷電
    粒子ビーム（２）の断面形状を前記所望の大きさの非矩
    形に成形するために必要とする偏向データを算出し、該
    偏向データを前記偏向データ記憶手段（３８）に記憶す
    ると共に、 露光開始後、前記荷電粒子ビーム（２）の断面形状を前
    記所望の大きさの非矩形に成形する場合、前記非矩形の
    大きさが丁度ゼロとなる偏向量で前記荷電粒子ビーム（
    ２）を偏向した場合における前記荷電粒子ビーム（２）
    の前記可変非矩形成形用開口（２８〜３１）に対する位
    置を前記荷電粒子ビーム（２）の電流値から検出し、該
    検出した位置が、前記非矩形の大きさが丁度ゼロとなる
    位置とずれている場合には、該ずれ量をゼロとするに必
    要な偏向量を偏向補正データとして算出し、該偏向補正
    データを前記偏向補正データ手段（３９〜４２）に記憶
    し、該記憶された偏向補正データで前記偏向データを補
    正して露光を行うことができるように構成されているこ
    とを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。 ３、前記荷電粒子ビーム（２）の断面形状を前記所望の
    大きさの非矩形に成形するために必要な前記荷電粒子ビ
    ーム（２）の偏向は、前記第１の偏向器（６）において
    行うように構成されていることを特徴とする請求項２記
    載の荷電粒子ビーム露光装置。
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