JP7176480B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Description
2 電子鏡筒
4 電子銃
6 照明レンズ
8 成形アパーチャアレイ基板
10 ブランキングプレート
12 縮小レンズ
14 制限アパーチャ部材
15 対物レンズ
16 コイル
17 主偏向器
20 描画室
22 XYステージ
40 検査アパーチャ
50 電流検出器
100 制御部
110 制御計算機
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを放出する工程と、
成形アパーチャアレイ基板に設けられた複数の開口を前記荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する工程と、
前記マルチビームの各ビームに対応するブランカが設けられたブランキングプレートを用いて、各ビームのオンオフを切り替える工程と、
前記マルチビームの焦点位置の変動量を算出する工程と、
予め求められた焦点位置と前記マルチビームの各ビームの位置ずれ量との相関関係に基づき、算出された前記焦点位置より前記位置ずれ量を算出する工程と、
前記位置ずれ量に基づいて、前記マルチビームの各ビームの照射量を変調する工程と、
変調後の照射量で前記マルチビームを基板に照射してパターンを描画する工程と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記相関関係は、ショット毎、またはマルチビームを複数のビームに分割したブロック毎に求められることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記変調後の前記マルチビームの焦点位置の変動量又は前記位置ずれ量が所定値以下となるまで、前記マルチビームの各ビームの照射量を変調する工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記マルチビームの焦点位置の変動量は、前記マルチビームの各ビームの照射量を変調することによる前記マルチビームの焦点位置の変動量を含むことを特徴とする請求項3に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口が形成され、前記複数の開口を前記荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイ基板と、
前記マルチビームの各ビームにそれぞれ対応し、ビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングプレートと、
前記マルチビームの焦点位置の変動量を算出し、予め求められた焦点位置と前記マルチビームの各ビームの位置ずれ量との相関関係に基づき、算出された前記焦点位置より前記位置ずれ量を算出し、前記位置ずれ量に基づいて、各ビームの照射量を変調する制御計算機と、
変調後の照射量に基づいて前記複数のブランカを制御する偏向制御回路と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
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JP2018182189A (ja) | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US20190164721A1 (en) | 2017-11-29 | 2019-05-30 | Hermes Microvision, Inc. | Systems and methods for charged particle beam modulation |
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