JP2003022957A - 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 - Google Patents

電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法

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JP2003022957A
JP2003022957A JP2001207915A JP2001207915A JP2003022957A JP 2003022957 A JP2003022957 A JP 2003022957A JP 2001207915 A JP2001207915 A JP 2001207915A JP 2001207915 A JP2001207915 A JP 2001207915A JP 2003022957 A JP2003022957 A JP 2003022957A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハステージのアッベ誤差量を正確に算出
し、電子ビームの照射位置を補正することにより、ウェ
ハにパターンを精度良く露光する電子ビーム露光装置を
提供する。 【解決手段】 ウェハにパターンを露光する電子ビーム
露光装置であって、ウェハが載置されるウェハステージ
に設けられたミラーにレーザ光を照射することにより、
ステージ位置を測定するレーザ測長器と、レーザ測長器
によって測定されたステージ位置と、ウェハステージの
速度データとに基づいて、電子ビームをウェハに照射さ
せるタイミングにおけるステージ位置を算出するステー
ジ位置算出部と、ステージ位置算出部によって算出され
たステージ位置に基づいて、ウェハステージの位置ずれ
を補償する位置ずれ補正量を算出する位置ずれ補正演算
部と、ウェハにおける所望の位置に電子ビームを照射さ
せるべく、位置ずれ補正量に基づいて電子ビームを偏向
するフィードバック偏向部とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置及び電子ビーム露光方法に関する。特に本発明は、ウ
ェハが載置されるウェハステージのアッベ誤差量を正確
に算出し、算出されたアッベ誤差量に基づいて電子ビー
ムの照射位置を補正することにより、ウェハにパターン
を精度良く露光する電子ビーム露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子ビーム露光装置では、ウェハを移動
させるウェハステージのステージ位置を常時レーザ測長
器で計測し、計測されたステージ位置に基づいて電子ビ
ームの照射位置を制御することにより、ウェハに所望の
パターンを露光する。また、電子ビーム露光装置では、
レーザ測長器によって計測されたステージ位置と、電子
ビームをウェハの所望の領域に偏向する主偏向部によっ
て偏向されてウェハに照射される電子ビームの照射位置
座標とに基づいて、ウェハステージのアッベ誤差量を算
出する。そして、算出されたアッベ誤差量に基づいて、
電子ビームを偏向し、ウェハの所望の位置に電子ビーム
を照射させてパターンを露光する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体デバイス
の微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイス
の量産での利用に向け、露光処理や電子ビームの補正方
法の高速化が望まれており、ウェハステージの移動速度
の高速化や、主偏向器による偏向後のアンプ静定時間の
短縮化等が行われている。そのため、主偏向器による偏
向後のアンプ静定時間が短くなることにより、主偏向器
による偏向前の電子ビームの照射位置座標に基づいてア
ッベ誤差量を算出してしまい、アッベ誤差量を正確に補
正できないという問題が生じる。また、ウェハステージ
の移動速度が速くなることにより、レーザ測長器が測定
したステージ位置と、電子ビームをウェハに照射するタ
イミングにおけるステージ位置との差が大きくなってし
まい、アッベ誤差量を正確に補正できないという問題が
生じる。
【0004】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
【0005】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第1の形
態によると、電子ビームにより、ウェハにパターンを露
光する電子ビーム露光装置であって、ウェハが載置され
るウェハステージと、ウェハステージに設けられたミラ
ーにレーザ光を照射することにより、ウェハステージの
ステージ位置を測定するレーザ測長器と、ウェハステー
ジの移動を制御するウェハステージ制御部と、レーザ測
長器によって測定されたステージ位置と、ウェハステー
ジ制御部が出力するウェハステージの速度データとに基
づいて、電子ビームをウェハに照射させるタイミングに
おけるウェハステージのステージ位置を算出するステー
ジ位置算出部と、ステージ位置算出部によって算出され
たステージ位置に基づいて、ウェハステージの位置ずれ
を補償する位置ずれ補正量を算出する位置ずれ補正演算
部と、前記タイミングにおいて、ウェハにおける所望の
位置に電子ビームを照射させるべく、位置ずれ補正量に
基づいて電子ビームを偏向するフィードバック偏向部と
を備える。
【0006】位置ずれ補正演算部は、ステージ位置算出
部によって算出されたステージ位置に基づいて、ウェハ
ステージのアッベ誤差を補償するアッベ補正量を算出
し、フィードバック偏向部は、前記タイミングにおい
て、ウェハにおける所望の位置に電子ビームを照射させ
るべく、アッベ補正量に基づいて電子ビームを偏向して
もよい。
【0007】ミラーの歪みを示す歪みデータに基づい
て、ステージ位置算出部によって算出されたステージ位
置を補正するミラー歪み補正演算部をさらに備え、位置
ずれ補正演算部は、ミラー歪み補正演算部によって補正
されたステージ位置に基づいて、アッベ補正量を算出し
てもよい。
【0008】レーザ測長器によって測定された複数のス
テージ位置を連続的に受け取り、受け取った複数のステ
ージ位置に基づいて、動的に変動するウェハステージの
位置ずれを補償するフィードバック補正量を算出するス
テージフィードバック補正演算部と、アッベ補正量とフ
ィードバック補正量とを加算する加算部とをさらに備
え、フィードバック偏向部は、加算部によって加算され
たアッベ補正量とフィードバック補正量とに基づいて電
子ビームを偏向してもよい。
【0009】位置ずれ補正演算部は、ステージ位置算出
部によって算出されたステージ位置に基づいて、ウェハ
ステージのピッチング誤差を補償するピッチング補正量
を算出するピッチング演算部を有してもよい。
【0010】ウェハの所望の領域に電子ビームを照射さ
せるべく、電子ビームを偏向する主偏向部と、主偏向部
によって偏向されてウェハに照射される電子ビームの照
射位置座標を出力する主偏向位置座標出力部と、主偏向
部が偏向動作を行うタイミングに、セット信号を出力す
るセット信号出力部とをさらに備え、位置ずれ補正演算
部は、セット信号を受け取った場合に、照射位置座標
と、ステージ位置算出部によって算出されたステージ位
置とに基づいて、ウェハステージのヨーイング誤差を補
償するヨーイング補正量を算出するヨーイング演算部を
さらに有してもよい。
【0011】第1クロック及び第2クロックを発生する
クロック発生部をさらに備え、ピッチング演算部は、第
1クロックに基づいてピッチング補正量を算出し、ヨー
イング演算部は、第2クロックに基づいてヨーイング補
正量を算出してもよい。
【0012】位置ずれ補正演算部は、ステージ位置算出
部によって算出されたステージ位置に基づいて、ウェハ
ステージのヨーイング誤差を補償するヨーイング補正量
を算出するヨーイング演算部を有してもよい。
【0013】ウェハの所望の領域に電子ビームを照射さ
せるべく、電子ビームを偏向する主偏向部と、主偏向部
によって偏向されてウェハに照射される電子ビームの照
射位置座標を出力する主偏向位置座標出力部と、主偏向
部が偏向動作を行うタイミングに、セット信号を出力す
るセット信号出力部とをさらに備え、ヨーイング演算部
は、セット信号を受け取った場合に、照射位置座標に基
づいて、ウェハステージのヨーイング誤差を補償するヨ
ーイング補正量を算出してもよい。
【0014】本発明の第2の形態によると、電子ビーム
により、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装
置であって、ウェハが載置されるウェハステージと、ウ
ェハの所望の領域に電子ビームを照射させるべく、電子
ビームを偏向する主偏向部と、主偏向部によって偏向さ
れてウェハに照射される電子ビームの照射位置座標を出
力する主偏向位置座標出力部と、主偏向部が偏向動作を
行うタイミングに、セット信号を出力するセット信号出
力部と、セット信号を受け取った場合に、照射位置座標
に基づいて、ウェハステージのヨーイング誤差を補償す
るヨーイング補正量を算出するヨーイング補正演算部
と、ウェハにおける所望の位置に電子ビームを照射させ
るべく、ヨーイング補正量に基づいて電子ビームを偏向
するフィードバック偏向部とを備える。
【0015】ウェハステージに設けられたミラーにレー
ザ光を照射することにより、ウェハステージのステージ
位置を測定するレーザ測長器と、レーザ測長器によって
測定された複数のステージ位置を連続的に受け取り、受
け取った複数のステージ位置に基づいて、動的に変動す
るウェハステージの位置ずれを補償するフィードバック
補正量を算出するステージフィードバック補正演算部
と、ヨーイング補正量とフィードバック補正量とを加算
する加算部とをさらに備え、フィードバック偏向部は、
加算部によって加算されたヨーイング補正量とフィード
バック補正量とに基づいて電子ビームを偏向してもよ
い。
【0016】本発明の第3の形態によると、電子ビーム
により、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光方
法であって、ウェハが載置されるウェハステージに設け
られたミラーにレーザ光を照射することにより、ウェハ
ステージのステージ位置を測定するステージ位置測定段
階と、レーザ測長器によって測定されたステージ位置
と、ウェハステージの移動を制御するウェハステージ制
御部が出力するウェハステージの速度データとに基づい
て、電子ビームをウェハに照射させるタイミングにおけ
るウェハステージのステージ位置を算出するステージ位
置算出段階と、ステージ位置算出段階において算出され
たステージ位置に基づいて、ウェハステージの位置ずれ
を補償する位置ずれ補正量を算出する位置ずれ補正演算
段階と、前記タイミングにおいて、ウェハにおける所望
の位置に電子ビームを照射させるべく、位置ずれ補正量
に基づいて電子ビームを偏向する偏向段階とを備える。
【0017】本発明の第4の形態によると、電子ビーム
により、ウェハにパターンを露光する電子ビーム方法で
あって、ウェハの所望の領域に電子ビームを照射させる
べく、電子ビームを偏向する主偏向部によって偏向され
てウェハに照射される電子ビームの照射位置座標を出力
する主偏向位置座標出力段階と、主偏向部が偏向動作を
行うタイミングに、セット信号を出力するセット信号出
力段階と、セット信号を受け取った場合に、照射位置座
標に基づいて、ウェハが載置されるウェハステージのヨ
ーイング誤差を補償するヨーイング補正量を算出するヨ
ーイング補正演算段階と、ウェハにおける所望の位置に
電子ビームを照射させるべく、ヨーイング補正量に基づ
いて電子ビームを偏向する偏向段階とを備える。
【0018】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【0020】図1は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置100の構成図である。電子ビーム露光装
置100は、電子ビームによりウェハ64に所定の露光
処理を施すための露光部150と、露光部150の各構
成の動作を制御する制御系140とを備える。
【0021】露光部150は、筐体10内部に、所定の
電子ビームを照射する電子ビーム照射系110と、電子
ビーム照射系110から照射された電子ビームを偏向す
るとともに、電子ビームのマスク30近傍における結像
位置を調整するマスク用投影系112と、電子ビームの
マスク通過前後の結像条件を調整する焦点調整レンズ系
114と、マスク30を通過した電子ビームをウェハス
テージ62に載置されたウェハ64の所定の領域に偏向
するとともに、ウェハ64に転写されるパターンの像の
向き及びサイズを調整するウェハ用投影系116を含む
電子光学系を備える。
【0022】また、露光部150は、ウェハ64に露光
すべきパターンをそれぞれ形成された複数の開口パター
ンを有するマスク30を載置するマスクステージ72
と、マスクステージ72を駆動するマスクステージ駆動
部68と、パターンを露光すべきウェハ64を載置する
ウェハステージ62と、ウェハステージ62を駆動する
ウェハステージ駆動部70と、ウェハステージ62に設
けられたミラー208にレーザ光を照射することによ
り、ウェハステージ62のステージ位置を測定するレー
ザ測長器206とを含むステージ系を備える。さらに、
露光部150は、電子光学系の調整のために、ウェハス
テージ62側から飛散する電子を検出して、飛散した電
子量に相当する電気信号に変換する電子検出器60を有
する。
【0023】電子ビーム照射系110は、電子ビームを
発生させる電子ビーム発生部の一例である電子銃12に
よる、電子ビームの焦点位置を定める第1電子レンズ1
4と、電子ビームを通過させる矩形形状の開口(スリッ
ト)が形成されたスリット部16とを有する。電子銃1
2は、安定した電子ビームを発生するのに所定の時間が
かかるので、電子銃12は、露光処理期間において常に
電子ビームを発生してもよい。スリットは、マスク30
に形成された所定の開口パターンの形状に合わせて形成
されるのが好ましい。図1において、電子ビーム照射系
110から照射された電子ビームが、電子光学系により
偏向されない場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Aで
表現する。
【0024】マスク用投影系112は、電子ビームを偏
向するマスク用偏向系としての第1偏向器18、第2偏
向器22及び第3偏向器26と、電子ビームの焦点を調
整するマスク用焦点系としての第2電子レンズ20、さ
らに、第1ブランキング電極24を有する。第1偏向器
18及び第2偏向器22は、電子ビームをマスク30上
の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領
域は、ウェハ64に転写するパターンを有する開口パタ
ーン群であってよい。電子ビームが開口パターンを通過
することにより、電子ビームの断面形状は、開口パター
ンと略同一の形状になる。所定の形状の開口パターンを
通過した電子ビームの像をパターン像と定義する。第3
偏向器26は、第1偏向器18及び第2偏向器22を通
過した電子ビームの軌道を光軸Aに略平行に偏向する。
第2電子レンズ20は、スリット部16の開口の像を、
マスクステージ72上に載置されるマスク30上に結像
させる機能を有する。
【0025】第1ブランキング電極24は、マスク30
に形成された開口パターンに電子ビームが当たらないよ
うに電子ビームを偏向する。第1ブランキング電極24
は、マスク30に電子ビームが当たらないように電子ビ
ームを偏向することが好ましい。電子ビームが照射され
るにつれてマスク30に形成されたパターンは劣化する
ので、第1ブランキング電極24は、パターンをウェハ
64に転写するとき以外は、電子ビームを偏向する。従
って、マスク30の劣化を防止することができる。焦点
調整レンズ系114は、第3電子レンズ28と、第4電
子レンズ32とを有する。第3電子レンズ28及び第4
電子レンズ32は、マスク30通過前後の電子ビームの
結像条件を合わせる。
【0026】ウェハ用投影系116は、第5電子レンズ
40と、第6電子レンズ46と、第7電子レンズ50
と、第8電子レンズ52と、第9電子レンズ66と、第
4偏向器34と、第5偏向器38と、第6偏向器42
と、主偏向器56と、副偏向器58と、第2ブランキン
グ電極36と、ラウンドアパーチャ部48と、スティグ
コイル200と、SEMコイル202と、フィードバッ
ク偏向部の一例であるフィードバックコイル204とを
有する。
【0027】電界や磁界の影響を受けてパターン像は回
転してしまう。第5電子レンズ40は、マスク30の所
定の開口パターンを通過した電子ビームのパターン像の
回転量を調整する。第6電子レンズ46及び第7電子レ
ンズ50は、マスク30に形成された開口パターンに対
する、ウェハ64に転写されるパターン像の縮小率を調
整する。第8電子レンズ52及び第9電子レンズ66
は、対物レンズとして機能する。第4偏向器34及び第
6偏向器42は、電子ビームの進行方向に対するマスク
30の下流において、電子ビームを光軸Aの方向に偏向
する。第5偏向器38は、電子ビームを光軸Aに略平行
になるように偏向する。スティグコイル200は、動的
に電子ビームの非点収差を補正する。フィードバックコ
イル204は、微小な振動やアッベ誤差等によるウェハ
ステージ62の位置ずれを補正する。主偏向器56及び
副偏向器58は、ウェハ64上の所定の領域に電子ビー
ムが照射されるように、電子ビームを偏向する。本実施
形態では、主偏向器56は、1ショットの電子ビームで
照射可能な領域(ショット領域)を複数含むサブフィー
ルド間で電子ビームを偏向するために用いられ、副偏向
器58は、サブフィールドにおけるショット領域間の偏
向のために用いられる。
【0028】ラウンドアパーチャ部48は、円形の開口
(ラウンドアパーチャ)を有する。第2ブランキング電
極36は、ラウンドアパーチャの外側に当たるように電
子ビームを偏向する。従って、第2ブランキング電極3
6は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパーチ
ャ部48から下流に電子ビームが進行することを防ぐこ
とができる。電子銃12は、露光処理期間において常に
電子ビームを照射するので、第2ブランキング電極36
は、ウェハ64に転写するパターンを変更するとき、更
には、パターンを露光するウェハ64の領域を変更する
ときに、ラウンドアパーチャ部48から下流に電子ビー
ムが進行しないように電子ビームを偏向することが望ま
しい。
【0029】制御系140は、統括制御部130及び個
別制御部120を備える。個別制御部120は、主偏向
位置座標出力部の一例である偏向制御部82と、マスク
ステージ制御部84と、ブランキング電極制御部86
と、電子レンズ制御部88と、反射電子処理部90と、
ウェハステージ制御部92とを有する。統括制御部13
0は、例えばワークステーションであって、個別制御部
120に含まれる各制御部を統括制御する。また、本実
施形態では、統括制御部130は、レーザ測長器206
が測定したウェハステージ62のステージ位置と、主偏
向器56によって偏向されてウェハ64に照射される電
子ビームの照射位置座標とに基づいて、フィードバック
コイル204に供給するアッベ補正量を算出し、偏向制
御部82に出力する。
【0030】偏向制御部82は、第1偏向器18、第2
偏向器22、第3偏向器26、第4偏向器34、第5偏
向器38、第6偏向器42、主偏向器56、副偏向器5
8、スティグコイル200、SEMコイル202、及び
フィードバックコイル204の偏向量及び補正量を制御
する。マスクステージ制御部84は、マスクステージ駆
動部68を制御して、マスクステージ72を移動させ
る。
【0031】ブランキング電極制御部86は、第1ブラ
ンキング電極24及び第2ブランキング電極36を制御
する。本実施形態では、第1ブランキング電極24及び
第2ブランキング電極36は、露光時には、電子ビーム
をウェハ64に照射させ、露光時以外には、電子ビーム
をウェハ64に到達させないように制御されるのが望ま
しい。電子レンズ制御部88は、第1電子レンズ14、
第2電子レンズ20、第3電子レンズ28、第4電子レ
ンズ32、第5電子レンズ40、第6電子レンズ46、
第7電子レンズ50、第8電子レンズ52および第9電
子レンズ66に供給する電力を制御する。反射電子処理
部90は、反射電子検出部60により検出された電気信
号に基づいて電子量を示すデジタルデータを検出する。
ウェハステージ制御部92は、ウェハステージ駆動部7
0によりウェハステージ62を所定の位置に移動させ
る。
【0032】本実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0の動作について説明する。マスクステージ72上に
は、所定のパターンを形成された複数の開口パターンを
有するマスク30が載置され、マスク30は、所定の位
置に固定されている。また、ウェハステージ62上に
は、露光処理が施されるウェハ64が載置されている。
ウェハステージ制御部92は、ウェハステージ駆動部7
0によりウェハステージ62を移動させて、ウェハ64
の露光されるべき領域が光軸A近傍に位置するようにす
る。また、電子銃12は、露光処理期間において常に電
子ビームを照射するので、露光の開始前において、スリ
ット部16の開口を通過した電子ビームがマスク30お
よびウェハ64に照射されないように、ブランキング電
極制御部86が第1ブランキング電極24及び第2ブラ
ンキング電極36を制御する。マスク用投影系112に
おいて、電子レンズ20及び偏向器(18、22、2
6)は、ウェハ64に転写するパターンが形成された開
口パターンに電子ビームを照射できるように調整され
る。焦点調整レンズ系114において、電子レンズ(2
8、32)は、電子ビームのウェハ64に対する焦点が
合うように調整される。また、ウェハ用投影系116に
おいて、電子レンズ(40、46、50、52、6
6)、偏向器(34、38、42、56、58)、ステ
ィグコイル200、及びフィードバックコイル204
は、ウェハ64の所定の領域にパターン像を転写できる
ように調整される。特に、フィードバックコイル204
は、統括制御部130において算出されたアッベ補正量
に基づいて電子ビームを偏向し、ウェハ64における所
望の位置に電子ビームを照射させる。
【0033】マスク投影系112、焦点調整レンズ系1
14及びウェハ用投影系116が調整された後、ブラン
キング電極制御部86が、第1ブランキング電極24及
び第2ブランキング電極36による電子ビームの偏向を
停止する。これにより、以下に示すように、電子ビーム
はマスク30を介してウェハ64に照射される。電子銃
12が電子ビームを生成し、第1電子レンズ14が電子
ビームの焦点位置を調整して、スリット部16に照射さ
せる。そして、第1偏向器18及び第2偏向器22がス
リット部16の開口を通過した電子ビームをマスク30
の転写すべきパターンが形成された所定の領域に照射す
るように偏向する。スリット部16の開口を通過した電
子ビームは、矩形の断面形状を有している。第1偏向器
18及び第2偏向器22により偏向された電子ビーム
は、第3偏向器26により光軸Aと略平行になるように
偏向される。また、電子ビームは、第2電子レンズ20
により、マスク30上の所定の領域にスリット部16の
開口の像が結像するように調整される。
【0034】そして、マスク30に形成されたパターン
を通過した電子ビームは、第4偏向器34及び第6偏向
器42により光軸Aに近づく方向に偏向され、第5偏向
器38により、光軸Aと略平行になるように偏向され
る。また、電子ビームは、第3電子レンズ28及び第4
電子レンズ32により、マスク30に形成されたパター
ンの像がウェハ64の表面に焦点が合うように調整さ
れ、第5電子レンズ40によりパターン像の回転量が調
整され、第6電子レンズ46及び第7電子レンズ50に
より、パターン像の縮小率が調整される。それから、電
子ビームは、主偏向器56及び副偏向器58により、ウ
ェハ64上の所定のショット領域に照射されるように偏
向される。本実施形態では、主偏向器56が、ショット
領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向
し、副偏向器58が、サブフィールドにおけるショット
領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に
偏向された電子ビームは、電子レンズ52及び電子レン
ズ66によって調整されて、ウェハ64に照射される。
これによって、ウェハ64上の所定のショット領域に
は、マスク30に形成されたパターンの像が転写され
る。
【0035】所定の露光時間が経過した後、ブランキン
グ電極制御部86が、電子ビームがマスク30およびウ
ェハ64を照射しないように、第1ブランキング電極2
4及び第2ブランキング電極36を制御して、電子ビー
ムを偏向させる。以上のプロセスにより、ウェハ64上
の所定のショット領域に、マスク30に形成されたパタ
ーンが露光される。次のショット領域に、マスク30に
形成されたパターンを露光するために、マスク用投影系
112において、電子レンズ20及び偏向器(18、2
2、26)は、ウェハ64に転写するパターンを有する
開口パターンに電子ビームを照射できるように調整され
る。焦点調整レンズ系114において、電子レンズ(2
8、32)は、電子ビームのウェハ64に対する焦点が
合うように調整される。また、ウェハ用投影系116に
おいて、電子レンズ(40、46、50、52、6
6)、偏向器(34、38、42、56、58)、ステ
ィグコイル200、及びフィードバックコイル204
は、ウェハ64の所定の領域にパターン像を転写できる
ように調整される。
【0036】具体的には、副偏向器58は、マスク用投
影系112により生成されたパターン像が、次のショッ
ト領域に露光されるように電界を調整する。この後、上
記同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サブ
フィールド内のパターンを露光すべきショット領域のす
べてにパターンを露光した後に、主偏向器56は、次の
サブフィールドにパターンを露光できるように磁界を調
整する。電子ビーム露光装置100は、この露光処理
を、繰り返し実行することによって、所望の回路パター
ンを、ウェハ64に露光することができる。
【0037】本発明による電子ビーム露光装置100
は、可変矩形を用いた電子ビーム露光装置であってもよ
く、また、ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイ
スを用いた電子ビーム露光装置であってもよい。また、
本発明による電子ビーム処理装置は、複数の電子ビーム
により、ウェハにパターンを露光するマルチビーム露光
装置でもよい。
【0038】図2は、本実施形態に係る統括制御部13
0の構成図である。統括制御部130は、動的に変動す
るウェハステージ62の位置ずれを補償するフィードバ
ック補正量を算出するステージフィードバック補正演算
部210と、ミラー208の歪みを示す歪みデータに基
づいてステージ位置を補正するミラー歪み補正演算部2
18と、所定のタイミングにおけるウェハステージ62
のステージ位置を算出するステージ位置算出部216
と、ウェハステージ62のアッベ誤差を補償するアッベ
補正量を算出する位置ずれ補正演算部の一例であるアッ
ベ補正演算部228と、主偏向器56が偏向動作を行う
タイミングをアッベ補正演算部228に通知するセット
信号出力部222と、アッベ補正量とフィードバック補
正量とを加算する加算部212及び214と、周波数が
異なる複数のクロックを発生するクロック発生部226
とを備える。また、アッベ補正演算部228は、ウェハ
ステージ62のピッチング誤差を補償するピッチング補
正量を算出するピッチング演算部220と、ウェハステ
ージ62のヨーイング誤差を補償するヨーイング補正量
を算出するヨーイング演算部224とを有する。
【0039】レーザ測長器206は、複数のレーザ光を
ウェハステージ62に設けられたミラー208に照射す
ることにより、ウェハステージ62のステージ位置を測
定する。レーザ測長器206は、ステージ位置を連続的
に測定し、ステージフィードバック補正演算部210に
出力する。そして、ステージフィードバック補正演算部
210は、レーザ測長器206によって測定された複数
のステージ位置を連続的に受け取り、受け取った複数の
ステージ位置及び移動時間に基づいて、動的に変動する
ウェハステージ62の位置ずれを補償するフィードバッ
ク補正量を算出する。
【0040】また、ステージ位置算出部216は、レー
ザ測長器206によって測定されたステージ位置を受け
取る。また、ステージ位置算出部216は、ウェハステ
ージ制御部92からウェハステージ62の移動速度を示
す速度データを受け取る。そして、ステージ位置算出部
216は、レーザ測長器206によって測定されたステ
ージ位置と、ウェハステージ制御部92が出力するウェ
ハステージ62の速度データとに基づいて、電子ビーム
をウェハ64に照射させる所定のタイミングにおけるウ
ェハステージ62のステージ位置を算出する。ウェハス
テージ62の速度が変動する場合、ステージ位置算出部
216は、ウェハステージ62の速度が変更する時間を
示す時間データと、時間データに対応づけられた複数の
速度データとをウェハステージ制御部92から受け取
り、複数の速度データに基づいてウェハステージ62に
ステージ位置を算出してもよい。そして、ステージ位置
算出部216は、算出したステージ位置を加算部212
に供給する。
【0041】次に、ミラー歪み補正演算部218は、ミ
ラー208の歪みを示す歪みデータに基づいて、ステー
ジ位置算出部216によって算出されたステージ位置を
補正する。ミラー歪み補正演算部218は、ミラー20
8の位置をミラーの歪みとが対応づけられたミラー歪み
マップを有し、当該ミラー歪みマップに基づいて、ウェ
ハステージ62のステージ位置を補正する。そして、ミ
ラー歪み補正演算部218は、補正したウェハステージ
62のステージ位置をアッベ補正演算部228に供給す
る。そして、ピッチング演算部220は、ステージ位置
算出部216によって算出され、ミラー歪み補正演算部
218によって補正されたウェハステージ62のステー
ジ位置に基づいて、ウェハステージ62のピッチング誤
差を補償するピッチング補正量を算出する。そして、ピ
ッチング演算部220は、算出したピッチング補正量を
加算部212に供給する。
【0042】また、偏向制御部82は、主偏向器56に
よって偏向されてウェハ64に照射される電子ビームの
照射位置座標を定期的にヨーイング演算部に供給する。
また、セット信号出力部222は、偏向制御部82から
出力される電子ビームの照射位置座標の変化に基づい
て、主偏向器56が偏向動作を行うタイミングに、セッ
ト信号を出力する。そして、ヨーイング演算部224
は、セット信号出力部222によって出力されたセット
信号を受け取った場合に、ステージ位置算出部216に
よって算出され、ミラー歪み補正演算部218によって
補正されたステージ位置と、偏向制御部82から受け取
った電子ビームの照射位置座標とに基づいて、ウェハス
テージ62のヨーイング誤差を補償するヨーイング補正
量を算出する。また、ヨーイング演算部224は、セッ
ト信号出力部222からセット信号が供給されない場合
でも、定期的にヨーイング補正量を算出する。そして、
ヨーイング演算部224は、算出したヨーイング補正量
を加算部214に供給する。
【0043】加算部212は、ステージフィードバック
補正演算部210から受け取ったフィードバック補正量
と、ピッチング演算部220から受け取ったピッチング
補正量とを加算した第1補正データを加算部214に供
給する。そして、加算部214は、加算部212から受
け取った第1補正データと、ヨーイング演算部224か
ら受け取ったヨーイング補正量とを加算した第2補正デ
ータを偏向制御部82に供給する。そして、偏向制御部
82は、加算部214から受け取った第2補正データに
基づいた偏向データをフィードバックコイル204に供
給する。そして、フィードバックコイル204は、所定
のタイミングにおいて、ウェハ64における所望の位置
に電子ビームを照射させるべく、偏向制御部82から受
け取った偏向データに基づいて電子ビームを偏向する。
【0044】また、クロック発生部226は、第1クロ
ック300と、第2クロック302と、第3クロック3
04を発生する。第3クロック304は、第1クロック
300及び第2クロック302と比較して、高速である
ことが好ましい。ステージフィードバック補正演算部2
10、加算部212、及び加算部214は、高速な第3
クロックに基づいて動作する。また、ステージ位置算出
部216、ミラー歪み補正演算部218、及びピッチン
グ演算部220は、第1クロック300に基づいて動作
する。また、セット信号出力部222及びヨーイング演
算部224は、第2クロック302に基づいて動作す
る。ピッチング演算部220とヨーイング演算部224
とが、異なる周期を有する第1クロック300と第2ク
ロック302とによって動作することにより、相互に影
響を及ぼすことなく、高速にピッチング補正量及びヨー
イング補正量を算出することができる。
【0045】本実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0によれば、アッベ補正演算部228は、ウェハ64に
電子ビームを照射させるタイミングにおけるウェハステ
ージ62のステージ位置に基づいて、ピッチング補正量
及びヨーイング補正量を含むアッベ補正量を算出するた
め、ウェハステージ62の移動速度が高速化された場合
においても、算出したアッベ補正量に基づいて、ウェハ
ステージ62のアッベ誤差量を正確に補正することがで
きる。また、本実施形態に係る電子ビーム露光装置10
0によれば、ヨーイング演算部224は、主偏向器56
が偏向動作を行うタイミングに出力されるセット信号を
受け取った場合に、主偏向器56によって偏向されてウ
ェハ64に照射される電子ビームの照射位置座量に基づ
いてヨーイング補正量を算出するため、主偏向器56の
偏向後のアンプ静定時間が短くなった場合においても、
算出したヨーイング補正量に基づいて、ウェハステージ
62のヨーイング誤差量を正確に補正することができ
る。ひいては、本実施形態に係る電子ビーム露光装置1
00によれば、ウェハが載置されるウェハステージのア
ッベ誤差を補償するアッベ補正量を正確に算出し、算出
されたアッベ補正量に基づいて電子ビームの照射位置を
補正することにより、ウェハにパターンを精度良く露光
する電子ビーム露光装置を提供することができる。
【0046】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲
には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または
改良を加えることができる。そのような変更または改良
を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ること
が、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【0047】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、ウェハが載置されるウェハステージのアッベ誤
差を補償するアッベ補正量を正確に算出し、算出された
アッベ補正量に基づいて電子ビームの照射位置を補正す
ることにより、ウェハにパターンを精度良く露光する電
子ビーム露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
100の構成図である。
【図2】本実施形態に係る統括制御部130の構成図で
ある。
【符号の説明】
10・・・筐体、12・・・電子銃、14・・・第1電
子レンズ、16・・・スリット部、18・・・第1偏向
器、20・・・第2電子レンズ、22・・・第2偏向
器、24・・・第1ブランキング偏向器、26・・・第
3偏向器、28・・・第3電子レンズ、30・・・マス
ク、32・・・第4電子レンズ、34・・・第4偏向
器、36・・・第2ブランキング偏向器、38・・・第
5偏向器、40・・・第5電子レンズ、42・・・第6
偏向器、46・・・第6電子レンズ、48・・・ラウン
ドアパーチャ、50・・・第7電子レンズ、52・・・
第8電子レンズ、56・・・主偏向器、58・・・副偏
向器、60・・・電子検出器、62・・・ウェハステー
ジ、64・・・ウェハ、66・・・第9電子レンズ、6
8・・・マスクステージ駆動部、70・・・ウェハステ
ージ駆動部、72・・・マスクステージ、82・・・偏
向制御部、84・・・マスクステージ制御部、86・・
・ブランキング電極制御部、88・・・電子レンズ制御
部、90・・・反射電子処理部、92・・・ウェハステ
ージ制御部、100・・・電子ビーム露光装置、110
・・・電子ビーム照射系、112・・・マスク用投影
系、114・・・焦点調整レンズ系、116・・・ウェ
ハ用投影系、120・・・個別制御部、130・・・統
括制御部、140・・・制御系、150・・・露光部、
200・・・スティグコイル、202・・・SEMコイ
ル、204・・・フィードバックコイル、206・・・
レーザ測長器、208・・・ミラー、210・・・ステ
ージフィードバック補正演算部、212・・・加算部、
214・・・加算部、216・・・ステージ位置算出
部、218・・・ミラー歪み補正演算部、220・・・
ピッチング演算部、222・・・セット信号出力部、2
24・・・ヨーイング演算部、226・・・クロック発
生部、228・・・アッベ補正演算部、300・・・第
1クロック、302・・・第2クロック、304・・・
第3クロック

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームにより、ウェハにパターンを
    露光する電子ビーム露光装置であって、 前記ウェハが載置されるウェハステージと、 前記ウェハステージに設けられたミラーにレーザ光を照
    射することにより、前記ウェハステージのステージ位置
    を測定するレーザ測長器と、 前記ウェハステージの移動を制御するウェハステージ制
    御部と、 前記レーザ測長器によって測定された前記ステージ位置
    と、前記ウェハステージ制御部が出力する前記ウェハス
    テージの速度データとに基づいて、前記電子ビームを前
    記ウェハに照射させるタイミングにおける前記ウェハス
    テージのステージ位置を算出するステージ位置算出部
    と、 前記ステージ位置算出部によって算出された前記ステー
    ジ位置に基づいて、前記ウェハステージの位置ずれを補
    償する位置ずれ補正量を算出する位置ずれ補正演算部
    と、 前記タイミングにおいて、前記ウェハにおける所望の位
    置に前記電子ビームを照射させるべく、前記位置ずれ補
    正量に基づいて前記電子ビームを偏向するフィードバッ
    ク偏向部とを備えることを特徴とする電子ビーム露光装
    置。
  2. 【請求項2】 前記位置ずれ補正演算部は、前記ステー
    ジ位置算出部によって算出された前記ステージ位置に基
    づいて、前記ウェハステージのアッベ誤差を補償するア
    ッベ補正量を算出し、 前記フィードバック偏向部は、前記タイミングにおい
    て、前記ウェハにおける所望の位置に前記電子ビームを
    照射させるべく、前記アッベ補正量に基づいて前記電子
    ビームを偏向することを特徴とする請求項1に記載の電
    子ビーム露光装置。
  3. 【請求項3】 前記ミラーの歪みを示す歪みデータに基
    づいて、前記ステージ位置算出部によって算出された前
    記ステージ位置を補正するミラー歪み補正演算部をさら
    に備え、 前記位置ずれ補正演算部は、前記ミラー歪み補正演算部
    によって補正された前記ステージ位置に基づいて、前記
    アッベ補正量を算出することを特徴とする請求項2に記
    載の電子ビーム露光装置。
  4. 【請求項4】 前記レーザ測長器によって測定された複
    数の前記ステージ位置を連続的に受け取り、受け取った
    前記複数のステージ位置に基づいて、動的に変動する前
    記ウェハステージの位置ずれを補償するフィードバック
    補正量を算出するステージフィードバック補正演算部
    と、 前記アッベ補正量と前記フィードバック補正量とを加算
    する加算部とをさらに備え、 前記フィードバック偏向部は、前記加算部によって加算
    された前記アッベ補正量と前記フィードバック補正量と
    に基づいて前記電子ビームを偏向することを特徴とする
    請求項2に記載の電子ビーム露光装置。
  5. 【請求項5】 前記位置ずれ補正演算部は、前記ステー
    ジ位置算出部によって算出された前記ステージ位置に基
    づいて、前記ウェハステージのピッチング誤差を補償す
    るピッチング補正量を算出するピッチング演算部を有す
    ることを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光装
    置。
  6. 【請求項6】 前記ウェハの所望の領域に前記電子ビー
    ムを照射させるべく、前記電子ビームを偏向する主偏向
    部と、 前記主偏向部によって偏向されて前記ウェハに照射され
    る前記電子ビームの照射位置座標を出力する主偏向位置
    座標出力部と、 前記主偏向部が偏向動作を行うタイミングに、セット信
    号を出力するセット信号出力部とをさらに備え、 前記位置ずれ補正演算部は、前記セット信号を受け取っ
    た場合に、前記照射位置座標と、前記ステージ位置算出
    部によって算出された前記ステージ位置とに基づいて、
    前記ウェハステージのヨーイング誤差を補償するヨーイ
    ング補正量を算出するヨーイング演算部をさらに有する
    ことを特徴とする請求項5に記載の電子ビーム露光装
    置。
  7. 【請求項7】 第1クロック及び第2クロックを発生す
    るクロック発生部をさらに備え、 前記ピッチング演算部は、前記第1クロックに基づいて
    前記ピッチング補正量を算出し、 前記ヨーイング演算部は、前記第2クロックに基づいて
    前記ヨーイング補正量を算出することを特徴とする請求
    項6に記載の電子ビーム露光装置。
  8. 【請求項8】 前記位置ずれ補正演算部は、前記ステー
    ジ位置算出部によって算出された前記ステージ位置に基
    づいて、前記ウェハステージのヨーイング誤差を補償す
    るヨーイング補正量を算出するヨーイング演算部を有す
    ることを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光装
    置。
  9. 【請求項9】 前記ウェハの所望の領域に前記電子ビー
    ムを照射させるべく、前記電子ビームを偏向する主偏向
    部と、 前記主偏向部によって偏向されて前記ウェハに照射され
    る前記電子ビームの照射位置座標を出力する主偏向位置
    座標出力部と、 前記主偏向部が偏向動作を行うタイミングに、セット信
    号を出力するセット信号出力部とをさらに備え、 前記ヨーイング演算部は、前記セット信号を受け取った
    場合に、前記照射位置座標に基づいて、前記ウェハステ
    ージのヨーイング誤差を補償するヨーイング補正量を算
    出することを特徴とする請求項8に記載の電子ビーム露
    光装置。
  10. 【請求項10】 電子ビームにより、ウェハにパターン
    を露光する電子ビーム露光装置であって、 前記ウェハが載置されるウェハステージと、 前記ウェハの所望の領域に前記電子ビームを照射させる
    べく、前記電子ビームを偏向する主偏向部と、 前記主偏向部によって偏向されて前記ウェハに照射され
    る前記電子ビームの照射位置座標を出力する主偏向位置
    座標出力部と、 前記主偏向部が偏向動作を行うタイミングに、セット信
    号を出力するセット信号出力部と、 前記セット信号を受け取った場合に、前記照射位置座標
    に基づいて、前記ウェハステージのヨーイング誤差を補
    償するヨーイング補正量を算出するヨーイング補正演算
    部と、 前記ウェハにおける所望の位置に前記電子ビームを照射
    させるべく、前記ヨーイング補正量に基づいて前記電子
    ビームを偏向するフィードバック偏向部とを備えること
    を特徴とする電子ビーム露光装置。
  11. 【請求項11】 前記ウェハステージに設けられたミラ
    ーにレーザ光を照射することにより、前記ウェハステー
    ジのステージ位置を測定するレーザ測長器と、 前記レーザ測長器によって測定された複数の前記ステー
    ジ位置を連続的に受け取り、受け取った前記複数のステ
    ージ位置に基づいて、動的に変動する前記ウェハステー
    ジの位置ずれを補償するフィードバック補正量を算出す
    るステージフィードバック補正演算部と、 前記ヨーイング補正量と前記フィードバック補正量とを
    加算する加算部とをさらに備え、 前記フィードバック偏向部は、前記加算部によって加算
    された前記ヨーイング補正量と前記フィードバック補正
    量とに基づいて前記電子ビームを偏向することを特徴と
    する請求項10に記載の電子ビーム露光装置。
  12. 【請求項12】 電子ビームにより、ウェハにパターン
    を露光する電子ビーム露光方法であって、 前記ウェハが載置されるウェハステージに設けられたミ
    ラーにレーザ光を照射することにより、前記ウェハステ
    ージのステージ位置を測定するステージ位置測定段階
    と、 前記レーザ測長器によって測定された前記ステージ位置
    と、前記ウェハステージの移動を制御するウェハステー
    ジ制御部が出力する前記ウェハステージの速度データと
    に基づいて、前記電子ビームを前記ウェハに照射させる
    タイミングにおける前記ウェハステージのステージ位置
    を算出するステージ位置算出段階と、 前記ステージ位置算出段階において算出された前記ステ
    ージ位置に基づいて、前記ウェハステージの位置ずれを
    補償する位置ずれ補正量を算出する位置ずれ補正演算段
    階と、 前記タイミングにおいて、前記ウェハにおける所望の位
    置に前記電子ビームを照射させるべく、前記位置ずれ補
    正量に基づいて前記電子ビームを偏向する偏向段階とを
    備えることを特徴とする電子ビーム露光方法。
  13. 【請求項13】 電子ビームにより、ウェハにパター
    ンを露光する電子ビーム方法であって、 前記ウェハの所望の領域に前記電子ビームを照射させる
    べく、前記電子ビームを偏向する主偏向部によって偏向
    されて前記ウェハに照射される前記電子ビームの照射位
    置座標を出力する主偏向位置座標出力段階と、 前記主偏向部が偏向動作を行うタイミングに、セット信
    号を出力するセット信号出力段階と、 前記セット信号を受け取った場合に、前記照射位置座標
    に基づいて、前記ウェハが載置されるウェハステージの
    ヨーイング誤差を補償するヨーイング補正量を算出する
    ヨーイング補正演算段階と、 前記ウェハにおける所望の位置に前記電子ビームを照射
    させるべく、前記ヨーイング補正量に基づいて前記電子
    ビームを偏向する偏向段階とを備えることを特徴とする
    電子ビーム露光方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184332A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Nuflare Technology Inc 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置
CN100390667C (zh) * 2003-12-09 2008-05-28 茂德科技股份有限公司 多样化产品的照相制作过程误差校正方法
JP2014512683A (ja) * 2011-04-22 2014-05-22 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィ機クラスタのためのネットワークアーキテクチャ

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103777469B (zh) * 2012-10-24 2015-11-18 上海微电子装备有限公司 一种光刻机传感器校准方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521323A (ja) * 1991-07-09 1993-01-29 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置
JPH06196395A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Mitsutoyo Corp 電子線露光装置
JPH08227840A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Jeol Ltd 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法
JP2000182925A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Hitachi Ltd ビーム照射装置および電子線露光装置
JP2001250772A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Hitachi Ltd ビーム描画装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521323A (ja) * 1991-07-09 1993-01-29 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置
JPH06196395A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Mitsutoyo Corp 電子線露光装置
JPH08227840A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Jeol Ltd 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法
JP2000182925A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Hitachi Ltd ビーム照射装置および電子線露光装置
JP2001250772A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Hitachi Ltd ビーム描画装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100390667C (zh) * 2003-12-09 2008-05-28 茂德科技股份有限公司 多样化产品的照相制作过程误差校正方法
JP2007184332A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Nuflare Technology Inc 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2014512683A (ja) * 2011-04-22 2014-05-22 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィ機クラスタのためのネットワークアーキテクチャ
JP2016219812A (ja) * 2011-04-22 2016-12-22 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィ機のクラスタのためのネットワークアーキテクチャおよびプロトコル

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