JP4511707B2 - 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。特に本発明は、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用のマークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置において、露光すべきウェハが載置されるウェハステージに設けられたミラーの反りや傾き、当該ウェハステージの反りや傾き、あるいはウェハステージ上に存在するゴミなどに起因する露光パターンの位置ずれを補正する補正値は、ウェハに対して実際に露光処理を行い、ウェハに露光されたパターンの座標位置を、座標測定器等を用いて検出することにより算出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電子ビーム露光装置において、補正値を算出するためには、実際にウェハに露光処理を行い、さらに露光パターンを検出した結果又は当該検出した結果に基づいて算出された補正値を、電子ビーム露光装置に入力しなくてはならない。そのため、補正値を算出して電子ビーム露光装置に記憶させるまでに非常に時間がかかり、工程の簡略化が望まれていた。また、座標測定器は非常に高価であるため、座標測定器を必要としない補正値の算出が望まれていた。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、半導体ウェハが載置されるウェハステージと、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置である検出座標位置を検出する検出部と、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する演算部と、補正値に基づいて、電子ビームの照射位置を調整する照射位置制御部とを備える。
【０００６】
補正値を算出するための補正関数を記憶する補正関数記憶部をさらに備え、演算部は、理想座標位置、検出座標位置、及び補正関数に基づいて、補正値を算出してもよい。
【０００７】
理想座標位置と、補正値を用いて補正された検出座標位置とに基づいて、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領域における座標位置の位置ずれを表示する表示部をさらに備えてもよい。
【０００８】
複数のレーザを用いてウェハステージの傾きを検出するレーザ干渉計をさらに備え、演算部は、レーザ干渉計によって検出されたウェハステージの傾きに基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出してもよい。
【０００９】
電子ビームを発生させる電子銃と、電子ビームを偏向させる偏向器とをさらに備え、照射位置制御部は、偏向器を制御する偏向制御部と、ウェハステージの位置を制御するウェハステージ制御部とを有し、補正値に基づいて、偏向制御部及びウェハステージ制御部の少なくとも一方を制御し、電子ビームの照射位置を調整してもよい。
【００１０】
本発明の他の形態によると電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光する露光方法であって、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置である検出座標位置を検出する検出段階と、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、電子ビームの照射位置を調整して露光する露光段階とを備える。
【００１１】
マークは、略平行な複数の列を形成するように位置測定用ウェハに設けられており、検出段階は、第１の列の含まれるマークの座標位置と、第１の列と隣り合う第２の列のマークの座標位置とを交互に検出する段階を含んでもよい。
【００１２】
本発明の他の形態によると、電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光して半導体素子を製造する半導体素子製造方法であって、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置である検出座標位置を検出する検出段階と、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、電子ビームの照射位置を調整して露光する露光段階とを備える。
【００１３】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビーム処理装置である電子ビーム露光装置１００を示す。電子ビーム露光装置１００は、電子ビームにより半導体ウェハ３０に所定の露光処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１６】
露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを、半導体ウェハ３０に照射するか否かを制御するショット制御系１１２と、電子ビームをウェハステージ３２に載置された半導体ウェハ３０の所定の領域に偏向するとともに、半導体ウェハ３０に転写されるパターンの像のサイズを調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系と、パターンを露光すべき半導体ウェハ３０が載置されるウェハステージ３２を所定の位置に移動させるステージ制御系１１６とを備える。
【００１７】
電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを発生させる電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発生させるのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを発生してもよい。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
【００１８】
ショット制御系１１２は、ブランキング電極１８と、ラウンドアパーチャ部２０とを有する。ラウンドアパーチャ部２０は、円形の開口（ラウンドアパーチャ）を有する。ブランキング電極１８は、電子ビームを高速に同期してオン／オフすることができ、具体的には、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるように偏向する機能を有する。すなわち、ブランキング電極１８は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパーチャ部２０から下流に電子ビームが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、ブランキング電極１８は、半導体ウェハ３０に転写するパターンを変更するとき、さらには、パターンを露光する半導体ウェハ３０の領域を変更するときに、ラウンドアパーチャ部２０から下流に電子ビームが進行しないように電子ビームを偏向することが望ましい。
【００１９】
ウェハ用投影系１１４は、第２電子レンズ２２と、第３電子レンズ２４と、主偏向器２６と、副偏向器２８と、電子検出部３６とを有する。第２電子レンズ２２は、スリット部１６で形成されたパターンに対する、半導体ウェハ３０に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第３電子レンズ２４は、対物レンズとして機能する。主偏向器２６及び副偏向器２８は、半導体ウェハ３０上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電子ビームを偏向する。主偏向器２６は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために用いられ、副偏向器２８は、サブフィールドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。また、電子検出部３６は、ウェハステージ３２に載置された位置測定用ウェハ及び／又はウェハステージ３２の所定の位置に設けられたマークに電子ビームが照射されることにより発生する反射電子に応じた電気信号を反射電子処理部１３８に出力する。
【００２０】
ウェハステージ制御系１１６は、ウェハステージ３２と、ウェハステージ駆動部３４とを有する。ウェハステージ制御部１３６が統括制御部１３０から受け取った露光処理データに基づいて、ウェハステージ駆動部３４は、ウェハステージ３２を移動させる。
【００２１】
制御系１４０は、統括制御部１３０と、照射位置制御部１６０とを備える。照射位置制御部１６０は、偏向制御部１３２と、電子レンズ制御部１３４と、反射電子処理部１３８と、ウェハステージ制御部１３６とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステーションであって、偏向制御部１３２、電子レンズ制御部１３４、ウェハステージ制御部１３６を統括制御する。偏向制御部１３２は、ブランキング電極１８、主偏向器２６、及び副偏向器２８を制御する。電子レンズ制御部１３４は、第１電子レンズ１４、第２電子レンズ２２及び第３電子レンズ２４に供給する電流を制御する。反射電子処理部１３８は、電子検出部３６から出力された電気信号に基づいて反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通知する。統括制御部１３０は、検出された反射電子量に基づいて位置測定用ウェハに設けられたマークの座標位置を求めることができる。ウェハステージ制御部１３６は、ウェハステージ駆動部３４を制御し、ウェハステージ３２を所定の位置に移動させる。
【００２２】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作について説明する。まず、マークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、電子ビームの照射位置の校正を行う。統括制御部１３０は、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における複数の所望の座標位置である理想座標位置と、理想座標位置に対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、電子ビームを照射して検出された当該マークの座標位置である検出座標位置とに基づいて、半導体ウェハ３０が載置されるべき領域の所望の位置における電子ビームの照射位置を補正するための補正値を算出する。電子ビームの照射位置の校正を行った後、ウェハステージ３２上に、露光処理が施される半導体ウェハ３０が載置される。統括制御部１３０において算出された補正値に基づいて、偏向制御部１３２は、主偏向器２６及び／又は副偏向器２８を制御し、ウェハステージ制御部１３６は、ウェハステージ駆動部３４を制御する。ウェハステージ駆動部３４は、ウェハステージ３２を移動させて、半導体ウェハ３０の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置するようにする。また、電子銃１２は、電子ビームを発生する。電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、露光の開始前において、スリット部１６の開口を通過した電子ビームが半導体ウェハ３０に照射されないように、偏向制御部１３２が、ブランキング電極１８を制御する。
【００２３】
マスク投影系１１２及びショット制御系１１４が調整された後、偏向制御部１３２が、ブランキング電極１８による電子ビームの偏向を停止する。これにより、以下に示すように、電子ビームは半導体ウェハ３０に照射される。電子銃１２が電子ビームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビームの焦点位置を調整して、スリット部１６に照射させる。スリット部１６は、電子ビームの断面形状を矩形に整形する。スリット部１６の開口を通過した電子ビームは、矩形の断面形状を有している。
【００２４】
そして、スリット部１６を通過した電子ビームは、ラウンドアパーチャ部２０に含まれるラウンドアパーチャを通過し、第２電子レンズ２２により、パターン像の縮小率が調整される。それから、電子ビームは、統括制御部１３０で算出された補正値に基づいて主偏向器２６及び副偏向器２８により、半導体ウェハ３０上の所定のショット領域に照射されるように偏向される。本実施形態では、主偏向器２６が、ショット領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向し、副偏向器２８が、サブフィールドにおけるショット領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に偏向された電子ビームは、第３電子レンズ２４によって調整されて、半導体ウェハ３０に照射される。
【００２５】
所定の露光時間が経過した後、偏向制御部１３２が、電子ビームが半導体ウェハ３０を照射しないように、ブランキング電極１８を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプロセスにより、半導体ウェハ３０上の所定のショット領域に、パターンが露光される。次のショット領域に、パターンを露光するために、副偏向器２８は、パターン像が、次のショット領域に露光されるように電界を調整する。この後、上記と同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サブフィールド内の露光すべきショット領域のすべてにパターンを露光した後に、主偏向器２６は、次のサブフィールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返し実行することによって、所望の回路パターンを、半導体ウェハ３０に露光することができる。
【００２６】
本発明による電子ビーム処理装置である電子ビーム露光装置１００は、可変矩形を用いた電子ビーム露光装置であってもよく、また、ブランキング・アパーチャ・アレイ（ＢＡＡ）・デバイスを用いた電子ビーム露光装置であってもよい。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態に係る統括制御部１３０の構成を示す。図２を参照して、本実施形態の電子ビーム露光装置１００における電子ビームの照射位置の位置ずれを校正するための動作を説明する。本実施形態の電子ビーム露光装置１００では、露光すべきウェハが載置されるウェハステージ３２に設けられたミラーの反りや傾き、或いは当該ウェハステージの反りや傾きに起因する電子ビームの照射位置の位置ずれを校正する。
【００２８】
統括制御部１３０は、センサ信号入力部２００と、座標位置記憶部２０２と、演算部２０４と、補正関数記憶部２０６とを有する。座標位置記憶部２０２は、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を記憶する。補正関数記憶部２０６は、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出するための補正関数を記憶する。センサ信号入力部２００は、電子検出部３６によって検出された反射電子量を反射電子処理部１３８から受け取り、演算部２０４に通知する。また、電子ビーム露光装置１００は、複数のレーザをウェハステージ３２に設けられたミラー６０に照射して、当該複数のレーザの反射光を受け取るレーザ干渉計２１０をさらに備える。レーザ干渉計２１０は、ミラー６０に照射されたレーザと当該反射光とに基づいて、ウェハステージ３２の位置及び傾き、ミラー６０の傾き及び反りを検出する。演算部２０４は、電子検出部３６によって検出された反射電子量と、レーザ干渉計２１０によって検出されたウェハステージ３２の位置とに基づいて、位置測定用ウェハに設けられたマークの座標位置である検出座標位置を求める。そして、演算部２０４は、検出された検出座標位置と、座標位置記憶部２０２に記憶された理想座標位置と、補正関数記憶部２０６に記憶された補正関数とに基づいて、補正値を算出する。具体的には、演算部２０４は、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて補正関数に含まれる未知数を決定し、半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における所望の位置のｘ座標及びｙ座標を入力することにより当該座標位置における補正値が算出できる補正関数を決定する。そして、演算部２０４は、半導体ウェハ３０が載置されるべき領域の各座標位置における補正値を算出する。演算部２０４は、レーザ干渉計２１０によって検出されたウェハステージの傾き等を配慮して、補正値を算出することが好ましい。演算部２０４によって算出された補正値に基づいて、照射位置制御部１６０は電子ビームの照射位置を制御する。具体的には、偏向制御部１３２が主に副偏向器２８を制御し、ウェハステージ制御部１３６がウェハステージ駆動部３４を制御することにより、露光部１５０は露光処理を行う。
【００２９】
図３は、電子ビームの照射位置の位置ずれの検出結果及び補正結果の一例を示す。図３（ａ）は、理想座標位置と補正前の検出座標位置との位置ずれの検出結果の一例である。補正前の検出結果では、ウェハステージ３２上に存在する異物に起因する位置ずれ７０と、ウェハステージ３２に設けられたミラー６０の反りに起因する位置ずれ７５とが存在する。図３（ｂ）は、理想座標位置と補正された検出座標位置との位置ずれの補正結果の一例である。補正によって、ウェハステージ３２に設けられたミラー６０の反りに起因する位置ずれ７５が排除され、ウェハステージ３２上に存在する異物に起因する位置ずれ７０のみが残る。本実施形態の電子ビーム露光装置１００では、ミラー６０の反りや傾き、ウェハステージ３２の反りや傾き等による大域的な位置ずれが、最小二乗近似を行うことにより補正される。
【００３０】
本発明による電子ビーム露光装置１００は、理想座標位置と、演算部２０４によって算出された補正値を用いて補正された検出座標位置とに基づいて、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における座標位置の位置ずれ等の情報を表示する表示部２０８をさらに備えることが好ましい。表示部２０８は、図３に示すように、ミラー６０の反り及び傾きに起因する位置ずれ、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０を載置する面に付着した異物による位置ずれ等による検出結果及び補正結果を通知することができる。
【００３１】
図４は、所望の位置に位置検出用のマークが設けられた位置測定用ウェハ３１を示す。位置検出用のマークは、第１の方向に略平行な複数の列を形成するように位置測定用ウェハ３１に設けられており、第１の列５１に含まれるマークの座標位置と、第１の列５１と隣り合う第２の列５２のマークの座標位置とを交互に検出する。本実施形態による位置検出用のマークは、第１の方向と略垂直な第２の方向に、略平行な複数の行をさらに形成するように位置測定用ウェハ３１に設けられることが好ましい。
【００３２】
図４を参照して、位置検出用のマークの具体的な検出順序の一例について説明する。第１の列５１及び第１の行６１に含まれるマーク５１ａを検出した後、第１の列５１と隣り合う第２の列５２及び第１の行６１と隣り合う第２の行６２に含まれるマーク５２ｂを検出する。次に、第１の列５１及び第２の行６２と隣り合う第３の行６３に含まれるマーク５１ｃを検出する。そして、マーク５２ｄ、マーク５１ｅ、マーク５２ｆ、マーク５１ｇの順に検出する。第１の列５１の端のマークであり、第１の列５１及び第７の行６７に含まれる５１ｇを検出した後、マーク５１ｇと隣り合い、第２の列５２及び第７の行６７に含まれるマーク５２ｇを検出する。そして、マーク５１ｆ、マーク５２ｅ、マーク５１ｄ、マーク５２ｃ、マーク５１ｂ、マーク５２ａの順で、第１の列５１及び第２の列５２の検出されていないマークを検出する。第２の列５２及び第１の行６１に含まれるマーク５２ａを検出した後、第４の列５４に含まれるマーク５４ａを検出する。
【００３３】
同様に、第３の列５３に含まれるマークと第４の列５４に含まれるマークとを交互に検出し、第３の列５３に含まれるマークと第４の列５４に含まれるとの検出が終了すると、第５の列５５に含まれるマークと第６の列５６に含まれるマークとの検出を開始する。
【００３４】
上記の順序で位置測定用ウェハ３１のマークの座標位置を検出することにより、ウェハステージ３２の剛性不足によって生じるウェハステージ３２の反りを容易に検出することができる。
【００３５】
図５は、ウェハから半導体素子を製造する、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャートである。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。フォトレジストが塗布されたウェハが、電子ビーム露光装置１００におけるウェハステージ３２に載置される。Ｓ１４で、ウェハは、図１及び図２に関連して説明したように、電子ビームによりパターン像を露光される。
【００３６】
露光されたウェハは、現像液に浸され、現像され、余分なレジストが除去される（Ｓ１６）。ついで、Ｓ１８で、ウェハ上のフォトレジストが除去された領域に存在するシリコン基板、絶縁膜あるいは導電膜が、プラズマを用いた異方性エッチングによりエッチングされる。またＳ２０で、トランジスタやダイオードなどの半導体素子を形成するために、ウェハに、ホウ素や砒素などの不純物を注入する。またＳ２２で、熱処理を施し、注入された不純物の活性化を行う。またＳ２４で、ウェハ上の有機汚染物や金属汚染物を取り除くために、薬液によりウェハを洗浄する。また、Ｓ２６で、導電膜や絶縁膜の成膜を行い、配線層および配線間の絶縁層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の工程を組み合わせ、繰り返し行うことによって、ウェハに素子分離領域、素子領域および配線層を有する半導体素子を製造することが可能となる。Ｓ２８で、所要の回路が形成されたウェハを切り出し、チップの組み立てを行う。Ｓ３０で半導体素子製造フローが終了する。
【００３７】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００３８】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用のマークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する電子ビーム露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム処理装置である電子ビーム露光装置１００を示す。
【図２】本発明の一実施形態に係る統括制御部１３０の構成を示す。
【図３】電子ビームの照射位置の位置ずれの検出結果及び補正結果の一例を示す。
【図４】所望の位置に位置検出用のマークが設けられた位置測定用ウェハ３１を示す。
【図５】本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャートである。
【符号の説明】
１２ 電子銃
２６ 主偏向器
２８ 副偏向器
３０ 半導体ウェハ
３１ 測定用ウェハ
３２ ウェハステージ
３４ ウェハステージ駆動部
３６ 電子検出部
４０ マーク
５１ 第１の列
６１ 第１の行
６０ ミラー
７０ 異物に起因する位置ずれ
７５ ミラーの反りに起因する位置ずれ
１００ 電子ビーム露光装置
１１６ ウェハステージ制御系
１３０ 統括制御部
１３２ 偏向制御部
１３６ ウェハステージ制御部
１３８ 反射電子処理部
１５０ 露光部
１６０ 照射位置制御部
２００ センサ信号入力部
２０２ 座標位置記憶部
２０４ 演算部
２０６ 補正関数記憶部
２０８ 表示部
２１０ レーザ干渉計

Claims (7)

1. 電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、
   前記半導体ウェハが載置されるウェハステージと、
   前記ウェハステージの前記半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の座標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部と、
   前記複数の理想座標位置に対応する位置にそれぞれマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、複数の前記マークのそれぞれの座標位置である検出座標位置を検出する検出部と、
   前記理想座標位置と前記検出座標位置とに基づいて、前記電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する演算部と、
   前記補正値に基づいて、前記電子ビームの前記照射位置を調整する照射位置制御部と
   を備え、
   前記マークは、第１の方向に略平行な複数の列を形成し、かつ、前記第１の方向と略垂直な第２の方向に略平行な複数の行を形成するように、前記位置測定用ウェハに設けられており、
   前記検出部は、第１の列の前記マークの座標位置と、前記第１の列と隣り合う第２の列の前記マークの座標位置とを交互に検出し、前記第１の列の前記マークの座標位置と前記第２の列の前記マークの座標位置とを交互に検出する場合に、前記第１の方向に隣接する行のマークの座標位置を順に検出する
   電子ビーム露光装置。
2. 前記補正値を算出するための補正関数を記憶する補正関数記憶部
   をさらに備え、
   前記演算部は、前記理想座標位置、前記検出座標位置、及び前記補正関数に基づいて、前記補正値を算出する
   請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
3. 前記理想座標位置と、前記補正値を用いて補正された前記検出座標位置とに基づいて、前記ウェハステージの前記半導体ウェハが載置されるべき前記領域における座標位置の位置ずれを表示する表示部
   をさらに備える請求項１または２に記載の電子ビーム露光装置。
4. 複数のレーザを用いて前記ウェハステージの傾きを検出するレーザ干渉計
   をさらに備え、
   前記演算部は、前記レーザ干渉計によって検出された前記ウェハステージの前記傾きに基づいて、前記電子ビームの前記照射位置を補正する前記補正値を算出する
   請求項１から３のいずれかに記載の電子ビーム露光装置。
5. 前記電子ビームを発生させる電子銃と、
   前記電子ビームを偏向させる偏向器と
   をさらに備え、
   前記照射位置制御部は、前記偏向器を制御する偏向制御部と、前記ウェハステージの位置を制御するウェハステージ制御部とを有し、前記補正値に基づいて、前記偏向制御部及び前記ウェハステージ制御部の少なくとも一方を制御し、前記電子ビームの前記照射位置を調整する
   請求項１から４のいずれかに記載の電子ビーム露光装置。
6. 電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光する露光方法であって、
   ウェハステージの前記半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階と、
   前記複数の理想座標位置に対応する位置にそれぞれマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、複数の前記マークのそれぞれの座標位置である検出座標位置を検出する検出段階と、
   前記理想座標位置と前記検出座標位置とに基づいて、前記電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、
   前記補正値に基づいて、前記電子ビームの前記照射位置を調整して露光する露光段階と
   を備え、
   前記マークは、第１の方向に略平行な複数の列を形成し、かつ、前記第１の方向と略垂直な第２の方向に略平行な複数の行を形成するように、前記位置測定用ウェハに設けられており、
   前記検出段階は、第１の列の前記マークの座標位置と、前記第１の列と隣り合う第２の列の前記マークの座標位置とを交互に検出し、前記第１の列の前記マークの座標位置と前記第２の列の前記マークの座標位置とを交互に検出する場合に、前記第１の方向に隣接する行のマークの座標位置を順に検出する
   露光方法。
7. 請求項６に記載の露光方法を用いて電子ビームにより半導体ウェハにパターンを露光して半導体素子を製造する半導体素子製造方法。

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