JPH10308434A - 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 - Google Patents
位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法Info
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- JPH10308434A JPH10308434A JP9132965A JP13296597A JPH10308434A JP H10308434 A JPH10308434 A JP H10308434A JP 9132965 A JP9132965 A JP 9132965A JP 13296597 A JP13296597 A JP 13296597A JP H10308434 A JPH10308434 A JP H10308434A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミラーの曲りの影響を受けない、高精度な位
置決めおよび露光を、簡便に行えるようにする。 【解決手段】 位置決め対象物３を搭載し、ＸＹ平面内
でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブル５、６
と、前記ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラー１およ
びＹ方向ミラー２と、前記Ｘ方向ミラーおよびＹ方向ミ
ラーにそれぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射
して各照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測する
Ｘ方向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段
と、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位
置に基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の
位置決めを行う位置決め制御手段とを備えた位置決め装
置において、前記位置決め制御手段は、あらかじめ計測
した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮
して前記ＸＹテーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決め
を行う。
置決めおよび露光を、簡便に行えるようにする。 【解決手段】 位置決め対象物３を搭載し、ＸＹ平面内
でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブル５、６
と、前記ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラー１およ
びＹ方向ミラー２と、前記Ｘ方向ミラーおよびＹ方向ミ
ラーにそれぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射
して各照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測する
Ｘ方向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段
と、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位
置に基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の
位置決めを行う位置決め制御手段とを備えた位置決め装
置において、前記位置決め制御手段は、あらかじめ計測
した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮
して前記ＸＹテーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決め
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置決め装置およ
び方法、これに適用できるミラー曲り検出方法、前記位
置決め装置を有する露光装置、ならびにそのような露光
装置を用いることができるデバイス製造方法に関し、特
に半導体ウエハ、液晶表示パネル等の平板状の被露光体
にパターンを形成し、さらには、半導体メモリや演算装
置等の高密度集積回路チップを製造する際に、回路パタ
ーンの焼付けを行うべきウエハ等の被露光体の姿勢を的
確に保持して高精度な露光を行うことができるようにし
たものに関する。
び方法、これに適用できるミラー曲り検出方法、前記位
置決め装置を有する露光装置、ならびにそのような露光
装置を用いることができるデバイス製造方法に関し、特
に半導体ウエハ、液晶表示パネル等の平板状の被露光体
にパターンを形成し、さらには、半導体メモリや演算装
置等の高密度集積回路チップを製造する際に、回路パタ
ーンの焼付けを行うべきウエハ等の被露光体の姿勢を的
確に保持して高精度な露光を行うことができるようにし
たものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、露光装置に使用される位置決め装
置（通称、ＸＹステージ）においては、Ｘ、Ｙ軸に関
し、それぞれレーザ光により位置決めを行うとともに、
ヨーイング（回転）変動成分に関しては、その検出用と
して、例えばＸまたはＹ軸に平行にもう１本のレーザ光
を使用して制御を行っている。つまり、このＸまたはＹ
軸方向の１組（２本）のレーザ光が照射する２か所の照
射点の位置の変動値によって、ＸＹ方向への移動時にお
けるヨーイング検出およびヨーイング制御を行ってい
る。
置（通称、ＸＹステージ）においては、Ｘ、Ｙ軸に関
し、それぞれレーザ光により位置決めを行うとともに、
ヨーイング（回転）変動成分に関しては、その検出用と
して、例えばＸまたはＹ軸に平行にもう１本のレーザ光
を使用して制御を行っている。つまり、このＸまたはＹ
軸方向の１組（２本）のレーザ光が照射する２か所の照
射点の位置の変動値によって、ＸＹ方向への移動時にお
けるヨーイング検出およびヨーイング制御を行ってい
る。
【０００３】ところが、このような位置決め装置におい
ては、測長するための被測定面であるミラーの面精度の
影響を受けてしまう。例えば、Ｘ方向にミラーの２か所
にレーザ光を照射する場合、Ｘ方向への移動時は問題は
ないが、Ｙ方向への移動を行うと、ミラー面内でレーザ
の当たる位置が変化するため、ミラー面の曲り等の影響
を受けて、正しいヨーイングの計測および制御を行うこ
とができない。
ては、測長するための被測定面であるミラーの面精度の
影響を受けてしまう。例えば、Ｘ方向にミラーの２か所
にレーザ光を照射する場合、Ｘ方向への移動時は問題は
ないが、Ｙ方向への移動を行うと、ミラー面内でレーザ
の当たる位置が変化するため、ミラー面の曲り等の影響
を受けて、正しいヨーイングの計測および制御を行うこ
とができない。
【０００４】そこで、従来は、参照用ミラーの面精度を
高精度に仕上げて、ステージ上に変形がないように取り
付ける等の工夫が必要である。
高精度に仕上げて、ステージ上に変形がないように取り
付ける等の工夫が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術によれば、高精度に仕上げた参照ミラーを
変形を生じないように装置に取り付けるために、多大な
時間を費やしている。その上、変形しないように取り付
けたとしても０．０３μｍ程度の変形は残ってしまうた
め、正しい位置およびヨーイングの計測と制御を行うこ
とができず、誤差が残ってしまうという問題がある。
うな従来技術によれば、高精度に仕上げた参照ミラーを
変形を生じないように装置に取り付けるために、多大な
時間を費やしている。その上、変形しないように取り付
けたとしても０．０３μｍ程度の変形は残ってしまうた
め、正しい位置およびヨーイングの計測と制御を行うこ
とができず、誤差が残ってしまうという問題がある。
【０００６】図４は、図２に示すような半導体露光装置
（通称、ステッパ）を用い、図３に示すようなショット
配列で焼き付けたときの、ミラーに曲りがある場合の、
実際に露光が行われたショットの配列の様子を示す。直
線上に理想的に焼き付けられるべきショット位置を破線
で示し、実際のショット位置を実線で示してある。Ｘ軸
用ミラー１にＸ干渉計１１からのレーザビームを照射し
てＸ方向の位置制御を行いながら、Ｙ軸方向へ移動する
ときには、Ｘ軸用ミラー１の曲りと対照的な曲りを有す
る配列となる。
（通称、ステッパ）を用い、図３に示すようなショット
配列で焼き付けたときの、ミラーに曲りがある場合の、
実際に露光が行われたショットの配列の様子を示す。直
線上に理想的に焼き付けられるべきショット位置を破線
で示し、実際のショット位置を実線で示してある。Ｘ軸
用ミラー１にＸ干渉計１１からのレーザビームを照射し
てＸ方向の位置制御を行いながら、Ｙ軸方向へ移動する
ときには、Ｘ軸用ミラー１の曲りと対照的な曲りを有す
る配列となる。
【０００７】図５はＹ軸用ミラー２の曲りの影響を示
す。同図に示すように、Ｙ軸用ミラー２にＹ干渉計１２
およびＹａｗ干渉計１３からレーザビームを照射してヨ
ーイングの制御を行う場合、ウエハ内の左右のショット
では回転成分が発生する。
す。同図に示すように、Ｙ軸用ミラー２にＹ干渉計１２
およびＹａｗ干渉計１３からレーザビームを照射してヨ
ーイングの制御を行う場合、ウエハ内の左右のショット
では回転成分が発生する。
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、位置決め装置およびデバイス製造方法にお
いて、ミラーの曲りの影響を受けない、高精度な位置決
めおよび露光を、簡便に行えるようにすることにある。
題点に鑑み、位置決め装置およびデバイス製造方法にお
いて、ミラーの曲りの影響を受けない、高精度な位置決
めおよび露光を、簡便に行えるようにすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の位置決め装置は、位置決め対象物を搭載し、Ｘ
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ルと、前記ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラーおよ
びＹ方向ミラーと、前記Ｘ方向ミラーおよびＹ方向ミラ
ーにそれぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射し
て各照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測するＸ
方向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段
と、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位
置に基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の
位置決めを行う位置決め制御手段とを備えた位置決め装
置において、前記位置決め制御手段は、あらかじめ計測
した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮
して前記ＸＹテーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決め
を行うものであることを特徴とする。
本発明の位置決め装置は、位置決め対象物を搭載し、Ｘ
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ルと、前記ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラーおよ
びＹ方向ミラーと、前記Ｘ方向ミラーおよびＹ方向ミラ
ーにそれぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射し
て各照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測するＸ
方向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段
と、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位
置に基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の
位置決めを行う位置決め制御手段とを備えた位置決め装
置において、前記位置決め制御手段は、あらかじめ計測
した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮
して前記ＸＹテーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決め
を行うものであることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の位置決め方法によれば、Ｘ
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ル上に位置決め対象物を搭載し、前記ＸＹテーブルに固
定されたＸ方向ミラーおよびＹ方向ミラーにそれぞれＸ
方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点のＸ
方向位置およびＹ方向位置をＸ方向のレーザ測長手段お
よびＹ方向のレーザ測長手段によって計測し、これによ
って計測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に基づいて
前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の位置決めを行
う位置決め方法において、あらかじめ計測した前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮して前記ＸＹ
テーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決めを行うことを
特徴とする。
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ル上に位置決め対象物を搭載し、前記ＸＹテーブルに固
定されたＸ方向ミラーおよびＹ方向ミラーにそれぞれＸ
方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点のＸ
方向位置およびＹ方向位置をＸ方向のレーザ測長手段お
よびＹ方向のレーザ測長手段によって計測し、これによ
って計測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に基づいて
前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の位置決めを行
う位置決め方法において、あらかじめ計測した前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮して前記ＸＹ
テーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決めを行うことを
特徴とする。
【００１１】また、本発明のデバイス製造方法では、Ｘ
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ル上に被露光体を搭載し、前記ＸＹテーブルに固定され
たＸ方向ミラーおよびＹ方向ミラーにそれぞれＸ方向お
よびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点のＸ方向位
置およびＹ方向位置をＸ方向のレーザ測長手段およびＹ
方向のレーザ測長手段によって計測し、これによって計
測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に基づいて前記被
露光体のＸ方向およびＹ方向の位置決めを行い、位置決
めされた前記被露光体に所定のパターンの露光を行うデ
バイス製造方法において、あらかじめ計測した前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮して前記被露
光体の位置決めを行うことを特徴とする。
Ｙ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブ
ル上に被露光体を搭載し、前記ＸＹテーブルに固定され
たＸ方向ミラーおよびＹ方向ミラーにそれぞれＸ方向お
よびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点のＸ方向位
置およびＹ方向位置をＸ方向のレーザ測長手段およびＹ
方向のレーザ測長手段によって計測し、これによって計
測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に基づいて前記被
露光体のＸ方向およびＹ方向の位置決めを行い、位置決
めされた前記被露光体に所定のパターンの露光を行うデ
バイス製造方法において、あらかじめ計測した前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮して前記被露
光体の位置決めを行うことを特徴とする。
【００１２】このように、Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミ
ラーの曲りを考慮して被露光体の位置決めを行うことに
より、ミラーの曲りに影響されない、高精度な位置決め
が行われ、したがって高精度な露光が行われる。
ラーの曲りを考慮して被露光体の位置決めを行うことに
より、ミラーの曲りに影響されない、高精度な位置決め
が行われ、したがって高精度な露光が行われる。
【００１３】
【発明の実施の形態】好ましい実施形態においては、本
発明の位置決め装置は、前記ＸＹ平面に平行な平面内で
回転可能な回転テーブル、および前記Ｘ方向ミラーまた
はＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点のＸ方向位置
またはＹ方向位置を計測するもう１つのレーザ測長手段
を備え、前記ＸＹテーブルは前記回転テーブル上に設け
られまたは前記回転テーブルは前記ＸＹテーブル上に設
けられ、前記位置決め制御手段は前記Ｘ方向のレーザ測
長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記もう１つ
のレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記回転テー
ブルの回転方向の位置決めを行うとともに、その際にお
いても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを
考慮するものである。これによれば、回転テーブルのヨ
ーイング方向の制御も高精度に行われる。
発明の位置決め装置は、前記ＸＹ平面に平行な平面内で
回転可能な回転テーブル、および前記Ｘ方向ミラーまた
はＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点のＸ方向位置
またはＹ方向位置を計測するもう１つのレーザ測長手段
を備え、前記ＸＹテーブルは前記回転テーブル上に設け
られまたは前記回転テーブルは前記ＸＹテーブル上に設
けられ、前記位置決め制御手段は前記Ｘ方向のレーザ測
長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記もう１つ
のレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記回転テー
ブルの回転方向の位置決めを行うとともに、その際にお
いても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを
考慮するものである。これによれば、回転テーブルのヨ
ーイング方向の制御も高精度に行われる。
【００１４】また、このような位置決め装置と、前記位
置決め装置に搭載した被露光体と原板のパターンとのず
れを被露光体に設けられたマークを検出することによっ
て検出する位置合せ用検出手段と、この検出結果に基づ
いて前記位置決め装置の位置決め制御手段を介して前記
被露光体の位置決めを行い、前記原板のパターンを前記
被露光体に露光する露光装置において、ミラー曲り検出
は、前記被露光体の代わりに位置が既知の複数のマーク
を設けた基準被露光体を前記位置決め装置に搭載し、そ
のマークを前記位置合せ用検出手段によって検出するこ
とにより、前記位置決め装置のＸ方向ミラーまたはＹ方
向ミラーの曲りを計測することにより行うことができ
る。あるいは、曲り計測用の被露光体を前記位置決め装
置に搭載し、その被露光体上の複数位置に露光を行い、
その露光結果に基づいて前記位置決め装置のＸ方向ミラ
ーまたはＹ方向ミラーの曲りを計測することにより行う
ことができる。より具体的には、前記被露光体を前記原
板のパターンとは１８０°反転させて前記位置決め装置
上に搭載して第１の露光を被露光体上の複数位置に行
い、その後、前記被露光体を現像し、その後、前記被露
光体を正規位置で前記位置決め装置上に搭載して第２の
露光を前記複数位置において行い、その後、前記被露光
体を現像し、その後、前記複数位置のそれぞれに前記第
１および第２の露光により形成された各マークの位置を
計測することにより前記ミラーの曲りを計測することに
より行うことができる。ミラーの曲りは、たとえば、ｎ
次の近似式で表される。
置決め装置に搭載した被露光体と原板のパターンとのず
れを被露光体に設けられたマークを検出することによっ
て検出する位置合せ用検出手段と、この検出結果に基づ
いて前記位置決め装置の位置決め制御手段を介して前記
被露光体の位置決めを行い、前記原板のパターンを前記
被露光体に露光する露光装置において、ミラー曲り検出
は、前記被露光体の代わりに位置が既知の複数のマーク
を設けた基準被露光体を前記位置決め装置に搭載し、そ
のマークを前記位置合せ用検出手段によって検出するこ
とにより、前記位置決め装置のＸ方向ミラーまたはＹ方
向ミラーの曲りを計測することにより行うことができ
る。あるいは、曲り計測用の被露光体を前記位置決め装
置に搭載し、その被露光体上の複数位置に露光を行い、
その露光結果に基づいて前記位置決め装置のＸ方向ミラ
ーまたはＹ方向ミラーの曲りを計測することにより行う
ことができる。より具体的には、前記被露光体を前記原
板のパターンとは１８０°反転させて前記位置決め装置
上に搭載して第１の露光を被露光体上の複数位置に行
い、その後、前記被露光体を現像し、その後、前記被露
光体を正規位置で前記位置決め装置上に搭載して第２の
露光を前記複数位置において行い、その後、前記被露光
体を現像し、その後、前記複数位置のそれぞれに前記第
１および第２の露光により形成された各マークの位置を
計測することにより前記ミラーの曲りを計測することに
より行うことができる。ミラーの曲りは、たとえば、ｎ
次の近似式で表される。
【００１５】また、本発明の位置決め方法では、前記Ｘ
Ｙテーブルは前記ＸＹ平面に平行な平面内で回転可能な
回転テーブル上に設けられまたは前記回転テーブルは前
記ＸＹテーブル上に設けられており、前記２つのものと
は異なるもう１つのレーザ測長手段により前記Ｘ方向ミ
ラーまたはＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点のＸ
方向位置またはＹ方向位置を計測し、前記Ｘ方向のレー
ザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記もう
１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記回転
テーブルの回転方向の位置決めを行うとともに、その際
においても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲
りを考慮する。
Ｙテーブルは前記ＸＹ平面に平行な平面内で回転可能な
回転テーブル上に設けられまたは前記回転テーブルは前
記ＸＹテーブル上に設けられており、前記２つのものと
は異なるもう１つのレーザ測長手段により前記Ｘ方向ミ
ラーまたはＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点のＸ
方向位置またはＹ方向位置を計測し、前記Ｘ方向のレー
ザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記もう
１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記回転
テーブルの回転方向の位置決めを行うとともに、その際
においても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲
りを考慮する。
【００１６】また、本発明のデバイス製造方法では、前
記ＸＹテーブルは前記ＸＹ平面に平行な平面内で回転可
能な回転テーブル上に設けられまたは前記回転テーブル
は前記ＸＹテーブル上に設けられており、前記２つのも
のとは異なるもう１つのレーザ測長手段により前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点
のＸ方向位置またはＹ方向位置を計測し、前記Ｘ方向の
レーザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記
もう１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記
回転テーブルの回転方向についも位置決めを行うととも
に、その際においても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向
ミラーの曲りを考慮する。この場合も、ミラーの曲りの
計測は、上述と同様にして行うことができる。
記ＸＹテーブルは前記ＸＹ平面に平行な平面内で回転可
能な回転テーブル上に設けられまたは前記回転テーブル
は前記ＸＹテーブル上に設けられており、前記２つのも
のとは異なるもう１つのレーザ測長手段により前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーにレーザを照射して照射点
のＸ方向位置またはＹ方向位置を計測し、前記Ｘ方向の
レーザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記
もう１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記
回転テーブルの回転方向についも位置決めを行うととも
に、その際においても、前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向
ミラーの曲りを考慮する。この場合も、ミラーの曲りの
計測は、上述と同様にして行うことができる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係るＸＹステージ
装置を示す斜視図である。同図に示すように、この装置
は、ウエハ３を搭載し、ＸＹ平面内でＸ方向およびＹ方
向に移動可能なＸステージ５およびＹステージ６と、Ｘ
Ｙステージ５、６に固定されたＸ用ミラー１およびＹ用
ミラー２と、Ｘ用ミラー１およびＹ用ミラー２にそれぞ
れＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点
のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測する不図示のＸ方
向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段と、
これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に
基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の位置
決めを行う位置決め制御手段とを備える。前記位置決め
制御手段は、あらかじめ計測したＸ用ミラー１またはＹ
用ミラー２の曲りを考慮してＸＹステージ５、６のＸ方
向またはＹ方向の位置決めを行う。
装置を示す斜視図である。同図に示すように、この装置
は、ウエハ３を搭載し、ＸＹ平面内でＸ方向およびＹ方
向に移動可能なＸステージ５およびＹステージ６と、Ｘ
Ｙステージ５、６に固定されたＸ用ミラー１およびＹ用
ミラー２と、Ｘ用ミラー１およびＹ用ミラー２にそれぞ
れＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点
のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測する不図示のＸ方
向のレーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段と、
これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に
基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の位置
決めを行う位置決め制御手段とを備える。前記位置決め
制御手段は、あらかじめ計測したＸ用ミラー１またはＹ
用ミラー２の曲りを考慮してＸＹステージ５、６のＸ方
向またはＹ方向の位置決めを行う。
【００１８】この装置は、さらに、ＸＹ平面に平行な平
面内で微動回転（θ回転）可能な微動ステージ４、およ
びＸ用ミラー１またはＹ用ミラー２にレーザを照射して
照射点のＸ方向位置またはＹ方向位置を計測するもう１
つのレーザ測長手段を備え、微動ステージ４はＸＹテー
ブル５、６上に設けられ、位置決め制御手段はＸ方向の
レーザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記
もう１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記
回転テーブルの回転方向の位置決めを行うとともに、そ
の際においても、Ｘ用ミラー１またはＹ用ミラー２の曲
りを考慮する。
面内で微動回転（θ回転）可能な微動ステージ４、およ
びＸ用ミラー１またはＹ用ミラー２にレーザを照射して
照射点のＸ方向位置またはＹ方向位置を計測するもう１
つのレーザ測長手段を備え、微動ステージ４はＸＹテー
ブル５、６上に設けられ、位置決め制御手段はＸ方向の
レーザ測長手段またはＹ方向のレーザ測長手段と、前記
もう１つのレーザ測長手段とによる計測値に基いて前記
回転テーブルの回転方向の位置決めを行うとともに、そ
の際においても、Ｘ用ミラー１またはＹ用ミラー２の曲
りを考慮する。
【００１９】図２はこのＸＹステージ装置が用いられる
ステッパである。このステッパは、ＸＹステージ装置の
微動ステージ４上に搭載したウエハ３とレチクル２０の
パターンとのずれをウエハ３に設けられたマークを投影
レンズ２１を介して検出することによって検出する位置
合せ用の検出系２２を備え、この検出結果に基づいて位
置決め制御手段を介してウエハ３の位置決めを各ショッ
トについて行い、レチクル２０のパターンをウエハ３に
露光する。ウエハ３の粗い位置決めは、オフアクシス顕
微鏡２３を用いて行われる。
ステッパである。このステッパは、ＸＹステージ装置の
微動ステージ４上に搭載したウエハ３とレチクル２０の
パターンとのずれをウエハ３に設けられたマークを投影
レンズ２１を介して検出することによって検出する位置
合せ用の検出系２２を備え、この検出結果に基づいて位
置決め制御手段を介してウエハ３の位置決めを各ショッ
トについて行い、レチクル２０のパターンをウエハ３に
露光する。ウエハ３の粗い位置決めは、オフアクシス顕
微鏡２３を用いて行われる。
【００２０】この構成において、Ｘ用ミラー１およびＹ
用ミラー２の曲りを計測するには、ウエハ３として曲り
計測用のものを搭載し、そのウエハ３上の複数位置に露
光を行い、その露光結果に基づいて前記位置決め装置の
Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを計測する。つ
まりまず、ウエハ３をレチクル２０のパターンとは１８
０°反転させて微動ステージ４上に搭載して位置合せを
行い、第１の露光をウエハ３上の複数位置に、図３に示
すショットレイアウトで行う。次に、ウエハ３を現像し
てから、ウエハ３を正規位置で微動ステージ４上に搭載
し、位置合せして、第２の露光を前記複数位置において
（同一のショットレイアウトで）行う。その後、ウエハ
３を現像し、前記複数位置のそれぞれに前記第１および
第２の露光により形成された、ショット中心の重合せ検
定用のマークのＸ、Ｙ方向のずれの測定を全ショットに
ついて行う。
用ミラー２の曲りを計測するには、ウエハ３として曲り
計測用のものを搭載し、そのウエハ３上の複数位置に露
光を行い、その露光結果に基づいて前記位置決め装置の
Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを計測する。つ
まりまず、ウエハ３をレチクル２０のパターンとは１８
０°反転させて微動ステージ４上に搭載して位置合せを
行い、第１の露光をウエハ３上の複数位置に、図３に示
すショットレイアウトで行う。次に、ウエハ３を現像し
てから、ウエハ３を正規位置で微動ステージ４上に搭載
し、位置合せして、第２の露光を前記複数位置において
（同一のショットレイアウトで）行う。その後、ウエハ
３を現像し、前記複数位置のそれぞれに前記第１および
第２の露光により形成された、ショット中心の重合せ検
定用のマークのＸ、Ｙ方向のずれの測定を全ショットに
ついて行う。
【００２１】次に、測定データに対し、次の処理を行
い、Ｘ用ミラー１およびＹ用ミラー２の曲がり成分を算
出する。
い、Ｘ用ミラー１およびＹ用ミラー２の曲がり成分を算
出する。
【００２２】まず、レチクル２０とウエハ３との位置
合せ誤差を除くための補正を行う。すなわち、ショット
ローテーションの成分、ＸＹ方向へのシフト成分、およ
びウエハローテーション成分による誤差を除く。
合せ誤差を除くための補正を行う。すなわち、ショット
ローテーションの成分、ＸＹ方向へのシフト成分、およ
びウエハローテーション成分による誤差を除く。
【００２３】次に、最小自乗近似により、曲がり成分
をｎ次近似式により抽出する。算出はＸ軸、Ｙ軸方向の
それぞれについて行い、この値を補正値として記憶して
おき、これを考慮して、装置は各ステージのＸ、Ｙ及び
θ回転の位置決めを行う。
をｎ次近似式により抽出する。算出はＸ軸、Ｙ軸方向の
それぞれについて行い、この値を補正値として記憶して
おき、これを考慮して、装置は各ステージのＸ、Ｙ及び
θ回転の位置決めを行う。
【００２４】他の実施例として、ウエハ３の代わりに位
置が既知の複数のマークを設けた基準ウエハを前記ＸＹ
ステージ装置に搭載し、そのマークを検出系２２によっ
て検出することにより、Ｘ用ミラー１またはＹ用ミラー
２の曲りを計測することもできる。
置が既知の複数のマークを設けた基準ウエハを前記ＸＹ
ステージ装置に搭載し、そのマークを検出系２２によっ
て検出することにより、Ｘ用ミラー１またはＹ用ミラー
２の曲りを計測することもできる。
【００２５】すなわち、格子状に描画した位置が既知の
複数のマークを各ショット位置に有する基準ウエハを前
記ステッパの微動ステージ４上に搭載し、基準ウエハと
レチクル２０との位置合せ（アライメント）を行い、そ
の後、ステップ＆リピート動作により露光する代わりに
各ショット位置について検出系２２を用いてマークを検
出することにより、レイチクル２０と基準ウエハとのず
れを計測する。そして各ショットについての計測結果
と、基準ウエハについての補正値とに基づいて各ミラー
の曲がり成分を最小自乗近似して算出する。
複数のマークを各ショット位置に有する基準ウエハを前
記ステッパの微動ステージ４上に搭載し、基準ウエハと
レチクル２０との位置合せ（アライメント）を行い、そ
の後、ステップ＆リピート動作により露光する代わりに
各ショット位置について検出系２２を用いてマークを検
出することにより、レイチクル２０と基準ウエハとのず
れを計測する。そして各ショットについての計測結果
と、基準ウエハについての補正値とに基づいて各ミラー
の曲がり成分を最小自乗近似して算出する。
【００２６】次に、このステッパを利用することができ
るデバイス製造例を説明する。図６は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ３１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行なう。ステップ３２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用
いてウエハを製造する。ステップ３４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ３５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステップ３４によって作製されたウエハを用
いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ３６（検査）
では、ステップ３５で作製された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした
工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステ
ップ３７）する。
るデバイス製造例を説明する。図６は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ３１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行なう。ステップ３２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用
いてウエハを製造する。ステップ３４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ３５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステップ３４によって作製されたウエハを用
いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ３６（検査）
では、ステップ３５で作製された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした
工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステ
ップ３７）する。
【００２７】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ４１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ４５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ４６（露光）では、上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ４７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）では、エ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。
を示す。ステップ４１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ４５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ４６（露光）では、上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ４７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）では、エ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。
【００２８】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コスト
で製造することができる。
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コスト
で製造することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ミ
ラーの曲がりを検出し、これを考慮して位置決めするよ
うにしたため、従来は長時間を費やしていたミラーの取
付け時間を短縮することができるだけでなく、ミラー面
の面精度の影響を受けない高精度な位置決めを、簡便に
行うことができる。したがって、高精度な露光、および
それによる高精度なデバイス製造を簡便に行うことがで
きる。
ラーの曲がりを検出し、これを考慮して位置決めするよ
うにしたため、従来は長時間を費やしていたミラーの取
付け時間を短縮することができるだけでなく、ミラー面
の面精度の影響を受けない高精度な位置決めを、簡便に
行うことができる。したがって、高精度な露光、および
それによる高精度なデバイス製造を簡便に行うことがで
きる。
【図１】 本発明の一実施例に係るＸＹステージ装置を
示す外観図である。
示す外観図である。
【図２】 図１の装置が用いられるステッパの概念図で
ある。
ある。
【図３】 図２のステッパにおいて露光されるウエハの
ショットレイアウトの一例を示す図である。
ショットレイアウトの一例を示す図である。
【図４】 参照ミラーの曲がりの影響（Ｘ、Ｙ方向の位
置ずれ）を示す該略図である。
置ずれ）を示す該略図である。
【図５】 参照ミラーの曲がりのヨーイング制御への影
響（回転ずれ）を示す概略図である。
響（回転ずれ）を示す概略図である。
【図６】 図２のステッパにより製造し得る微小デバイ
スの製造の流れを示すフローチャートである。
スの製造の流れを示すフローチャートである。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１：Ｘ制御用参照ミラー、２：Ｙ制御用参照ミラー、
３：ウエハ、４：微動ステージ、５：Ｘステージ、６：
Ｙステージ、７：Ｘステージ用リニアモータ、８：Ｙス
テージ用リニアモータ、１０：ウエハステージ、２０：
レチクル、２１：投影レンズ、２２：検出系、２３：オ
フアクシス顕微鏡。
３：ウエハ、４：微動ステージ、５：Ｘステージ、６：
Ｙステージ、７：Ｘステージ用リニアモータ、８：Ｙス
テージ用リニアモータ、１０：ウエハステージ、２０：
レチクル、２１：投影レンズ、２２：検出系、２３：オ
フアクシス顕微鏡。
Claims (13)
- 【請求項１】 位置決め対象物を搭載し、ＸＹ平面内で
Ｘ方向およびＹ方向に移動可能なＸＹテーブルと、前記
ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラーおよびＹ方向ミ
ラーと、前記Ｘ方向ミラーおよびＹ方向ミラーにそれぞ
れＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各照射点
のＸ方向位置およびＹ方向位置を計測するＸ方向のレー
ザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段と、これによ
って計測されるＸ方向位置およびＹ方向位置に基づいて
前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方向の位置決めを行
う位置決め制御手段とを備えた位置決め装置において、
前記位置決め制御手段は、あらかじめ計測した前記Ｘ方
向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮して前記ＸＹ
テーブルのＸ方向またはＹ方向の位置決めを行うもので
あることを特徴とする位置決め装置。 - 【請求項２】 前記ＸＹ平面に平行な平面内で回転可能
な回転テーブル、および前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向
ミラーにレーザを照射して照射点のＸ方向位置またはＹ
方向位置を計測するもう１つのレーザ測長手段を備え、
前記ＸＹテーブルは前記回転テーブル上に設けられまた
は前記回転テーブルは前記ＸＹテーブル上に設けられ、
前記位置決め制御手段は前記Ｘ方向のレーザ測長手段ま
たはＹ方向のレーザ測長手段と、前記もう１つのレーザ
測長手段とによる計測値に基いて前記回転テーブルの回
転方向の位置決めを行うとともに、その際においても、
前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮する
ものであることを特徴とする請求項１記載の位置決め装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２の位置決め装置と、前
記位置決め装置に搭載した被露光体と原板のパターンと
のずれを被露光体に設けられたマークを検出することに
よって検出する位置合せ用検出手段とを備え、この検出
結果に基づいて前記位置決め装置の位置決め制御手段を
介して前記被露光体の位置決めを行い、前記原板のパタ
ーンを前記被露光体に露光する露光装置において、前記
被露光体の代わりに位置が既知の複数のマークを設けた
基準被露光体を前記位置決め装置に搭載し、そのマーク
を前記位置合せ用検出手段によって検出することによ
り、前記位置決め装置のＸ方向ミラーまたはＹ方向ミラ
ーの曲りを計測することを特徴とするミラー曲り検出方
法。 - 【請求項４】 請求項１または２の位置決め装置と、前
記位置決め装置に搭載した被露光体と原板のパターンと
のずれをそれぞれに設けられたマークを検出することに
よって検出する位置合せ用検出手段とを備え、この検出
結果に基づいて前記位置決め装置の位置決め制御手段を
介して前記被露光体の位置決めを行い、前記原板のパタ
ーンを前記被露光体に露光する露光装置において、曲り
計測用の被露光体を前記位置決め装置に搭載し、その被
露光体上の複数位置に露光を行い、その露光結果に基づ
いて前記位置決め装置のＸ方向ミラーまたはＹ方向ミラ
ーの曲りを計測することを特徴とするミラー曲り検出方
法。 - 【請求項５】 前記被露光体を前記原板のパターンとは
１８０°反転させて前記位置決め装置上に搭載して第１
の露光を被露光体上の複数位置に行い、その後、前記被
露光体を現像し、その後、前記被露光体を正規位置で前
記位置決め装置上に搭載して第２の露光を前記複数位置
において行い、その後、前記被露光体を現像し、その
後、前記複数位置のそれぞれに前記第１および第２の露
光により形成された各マークの位置を計測することによ
り前記ミラーの曲りを計測することを特徴とする請求項
４記載のミラー曲り検出方法。 - 【請求項６】 前記ミラーの曲りは、ｎ次の近似式で表
されることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に
記載のミラー曲り検出方法。 - 【請求項７】 ＸＹ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動
可能なＸＹテーブル上に位置決め対象物を搭載し、前記
ＸＹテーブルに固定されたＸ方向ミラーおよびＹ方向ミ
ラーにそれぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射
して各照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置をＸ方向の
レーザ測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段によって
計測し、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方
向位置に基づいて前記ＸＹテーブルのＸ方向およびＹ方
向の位置決めを行う位置決め方法において、あらかじめ
計測した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを
考慮して前記ＸＹテーブルのＸ方向またはＹ方向の位置
決めを行うことを特徴とする位置決め方法。 - 【請求項８】 前記ＸＹテーブルは前記ＸＹ平面に平行
な平面内で回転可能な回転テーブル上に設けられまたは
前記回転テーブルは前記ＸＹテーブル上に設けられてお
り、前記２つのものとは異なるもう１つのレーザ測長手
段により前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーにレーザ
を照射して照射点のＸ方向位置またはＹ方向位置を計測
し、前記Ｘ方向のレーザ測長手段またはＹ方向のレーザ
測長手段と、前記もう１つのレーザ測長手段とによる計
測値に基いて前記回転テーブルの回転方向の位置決めを
行うとともに、その際においても、前記Ｘ方向ミラーま
たはＹ方向ミラーの曲りを考慮することを特徴とする請
求項７記載の位置決め方法。 - 【請求項９】 ＸＹ平面内でＸ方向およびＹ方向に移動
可能なＸＹテーブル上に被露光体を搭載し、前記ＸＹテ
ーブルに固定されたＸ方向ミラーおよびＹ方向ミラーに
それぞれＸ方向およびＹ方向からレーザ光を照射して各
照射点のＸ方向位置およびＹ方向位置をＸ方向のレーザ
測長手段およびＹ方向のレーザ測長手段によって計測
し、これによって計測されるＸ方向位置およびＹ方向位
置に基づいて前記被露光体のＸ方向およびＹ方向の位置
決めを行い、位置決めされた前記被露光体に所定のパタ
ーンの露光を行うデバイス製造方法において、あらかじ
め計測した前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーの曲り
を考慮して前記被露光体の位置決めを行うことを特徴と
するデバイス製造方法。 - 【請求項１０】 前記ＸＹテーブルは前記ＸＹ平面に平
行な平面内で回転可能な回転テーブル上に設けられまた
は前記回転テーブルは前記ＸＹテーブル上に設けられて
おり、前記２つのものとは異なるもう１つのレーザ測長
手段により前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラーにレー
ザを照射して照射点のＸ方向位置またはＹ方向位置を計
測し、前記Ｘ方向のレーザ測長手段またはＹ方向のレー
ザ測長手段と、前記もう１つのレーザ測長手段とによる
計測値に基いて前記回転テーブルの回転方向についも位
置決めを行うとともに、その際においても、前記Ｘ方向
ミラーまたはＹ方向ミラーの曲りを考慮することを特徴
とする請求項９記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１１】 前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラー
の曲りは、前記被露光体の代わりに位置が既知の複数の
マークを設けた基準被露光体を前記ＸＹテーブルまたは
回転テーブル上に搭載し、そのマークを前記露光を行う
露光装置の位置合せ用検出手段によって検出することに
より計測することを特徴とする請求項９または１０に記
載のデバイス製造方法。 - 【請求項１２】 前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラー
の曲りは、曲り計測用の被露光体を前記ＸＹテーブルま
たは回転テーブル上に搭載し、その被露光体上の複数位
置に各レーザ測長手段による計測値に基づいて位置決め
を行いながら露光を行い、その露光結果に基づいて計測
することを特徴とする請求項９または１０に記載のデバ
イス製造方法。 - 【請求項１３】 前記Ｘ方向ミラーまたはＹ方向ミラー
の曲りは、前記被露光体を前記パターンとは１８０°反
転させて前記ＸＹテーブルまたは回転テーブル上に搭載
して第１の露光を被露光体上の複数位置に各レーザ測長
手段による計測値に基づいて位置決めを行いながら行
い、その後、前記被露光体を現像し、その後、前記被露
光体を正規位置で前記ＸＹテーブルまたは回転テーブル
上に搭載して第２の露光を前記複数位置において同様に
位置決めを行いながら行い、その後、前記被露光体を現
像し、その後、前記複数位置のそれぞれに前記第１およ
び第２の露光により形成された各マークの位置を計測す
ることにより前記ミラーの曲りを計測することを特徴と
する請求項１２記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13296597A JP3658142B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 計測方法およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13296597A JP3658142B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 計測方法およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308434A true JPH10308434A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3658142B2 JP3658142B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=15093651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13296597A Expired - Fee Related JP3658142B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 計測方法およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3658142B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| KR100469987B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2005-02-04 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | 기판위치 결정장치 및 노광장치 |
| KR100890133B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2009-03-20 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | 노광장치 |
| JP2010071843A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP13296597A patent/JP3658142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP4511707B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-07-28 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| KR100469987B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2005-02-04 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | 기판위치 결정장치 및 노광장치 |
| KR100890133B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2009-03-20 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | 노광장치 |
| JP2010071843A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | マスク検査装置及びマスク検査方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3658142B2 (ja) | 2005-06-08 |
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