JPH11145049A

JPH11145049A - 位置合わせ方法

Info

Publication number: JPH11145049A
Application number: JP9317682A
Authority: JP
Inventors: Noboru Moriuchi; 昇森内; Kazuhiro Ono; 一博大野
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-11-04
Filing date: 1997-11-04
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】固有の位置合わせマークを使用しないで位置
合わせする。【解決手段】レチクルパターンのウエハへの多重露光
方法に使用される位置合わせ方法において、ウエハに形
成された下層パターンの一部をウエハ側位置合わせマー
クとして抽出して画像認識装置に予め登録しておき、位
置合わせに際して、下層パターンの抽出対象となった実
マークと、前記登録マークとが照合されて重ね合わされ
ることにより、位置ずれ誤差が計測され、その計測値に
基づいてウエハと基準位置との位置合わせが実行され
る。【効果】固有の位置合わせマークの配置を廃止するこ
とで、ステッパ、縮小投影露光方法の汎用性を高めら
れ、ウエハ側マークの選定の自由度を増加でき、ステッ
プ・アンド・リピート露光方法やステップ・アンド・ス
キャン露光方法、電子線直接描画方法等の混用を推進で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、位置合わせ技術、
特に、重ね合わされるパターン同士の位置合わせ技術に
関し、例えば、半導体装置の製造工程において、半導体
ウエハ（以下、ウエハという。）に露光原版であるホト
マスクに形成された回路パターン（以下、パターンとい
う。）を転写するのに利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工場において、ウエハ
にホトマスクのパターンを転写するのにステップアンド
リピート方式による縮小投影露光装置（以下、ステッパ
という。）が、広く使用されている。半導体装置はウエ
ハに互いに関連する複数種類のパターンを順次重ね合わ
せ露光することにより製造されるものであるため、ステ
ッパにおいては拡大ホトマスク（以下、レチクルとい
う。）と被露光物であるウエハとの位置合わせが、半導
体装置の品質および信頼性の維持並びに超微細化を推進
するのにきわめて重要になる。

【０００３】従来のステッパにおいては、レチクルとウ
エハとの位置合わせを直接的に実行するのではなく、次
のような位置合わせが実行されている。まず、レチクル
を予め設定された基準位置に位置合わせする。ウエハ側
座標系とウエハに形成された位置合わせマークを観察す
るための光学系（以下、アライメント光学系という。）
の基準位置とを合わせる。このアライメント光学系の基
準位置からのウエハ側位置合わせマークとの誤差（ず
れ）を計測する。計測値を統計処理し、その処理結果に
よってウエハのＸ、Ｙ、θの位置を補正し、その後、露
光する。

【０００４】また、前記した統計処理において、ウエハ
の伸縮も計測結果から求め、これを縮小投影光学系の倍
率補正機能と連動させることにより、さらに高精度の位
置合わせが実行される場合もある。

【０００５】なお、ステッパにおける位置合わせ方法を
述べている例としては、特開平３−９６２１９号公報が
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ステッパにおける位置合わせ方法においては、ウエハ側
位置合わせマークとして、十文字やライン・アンド・ス
ペース等のステッパの各機種に固有のマークが使用され
ているので、当該ウエハ側位置合わせマークが配置され
た場所でしか前記位置合わせのための計測を実行するこ
とができないという問題点がある。

【０００７】また、これらのウエハ側位置合わせマーク
はチップ面積の増大を防止するために、スクライブライ
ン内に設けられる場合が多い。しかし、スクライブライ
ン内には位置合わせマークの他に、微細寸法測定のため
のパターンや、電気的特性測定のためのパターン、製造
工程管理のためのパターン等が配置されているため、１
チップ内で多点の計測を実行しようとしても、予め指定
された固有の位置合わせマークの配置は困難な場合が発
生する。さらに、固有の位置合わせマークはチップの中
央部には配置することができず、スクライブラインに対
応したチップ輪郭部分にのみ配置されることになる。

【０００８】本発明の目的は、固有の位置合わせマーク
を使用せずに位置合わせ対象物を高精度に位置合わせす
ることができる位置合わせ技術を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１１】すなわち、パターンを既に形成された位置
合わせ対象物が予め設定された基準位置に位置合わせさ
れる位置合わせ方法において、前記パターンの一部が位
置合わせマークとして予め抽出されて登録され、前記位
置合わせに際して、前記位置合わせマークと、前記パタ
ーンのうち前記位置合わせマークに相当する部分とが照
合されることを特徴とする。

【００１２】前記した手段によれば、実際のパターンの
一部を位置合わせマークとして使用するため、固有の位
置合わせマークを予め位置合わせ対象物に設けておく必
要がない。そして、位置合わせは予め登録した位置合わ
せマークと当該位置合わせマークとして抽出されたパタ
ーンの一部とを照合することにより確保されるため、位
置合わせ対象物は基準位置に精密に位置合わせすること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
縮小投影露光方法を示すフロー図である。図２はそれに
使用されるステッパを示す斜視図である。図３はウエハ
を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのショット
の平面図、（ｃ）はその正面断面図である。図４は位置
合わせ方法を説明するための各説明図である。

【００１４】本実施形態において、本発明に係る位置合
わせ方法は、レチクルの原画パターンをウエハのレジス
トにステッパを使用して下層パターンと重ね合わせて露
光する露光方法において、ウエハとレチクルチクルとを
位置合わせする位置合わせ方法として使用されている。

【００１５】まず、図２に示されているステッパについ
て説明する。半導体素子パターンの原画がレチクル６に
描かれており、この像が縮小投影レンズ７を介してウエ
ハ１に投影される。このレンズ７はウエハ側はテレセン
トリック系になるように構成されている。ウエハ１はカ
セット８からローディングテーブル９の上に自動搬送さ
れ、プリアライメント装置１０によって粗位置決めが行
われた後に、移送アーム１１によってＸＹステージ１２
上のチャック１３に真空吸着される。

【００１６】一方、レチクル６はレチクルアライメント
光学系２０により縮小投影レンズ７の中心にその中心が
一致するように位置合わせが行われる。このステッパに
おいては、レチクル６とウエハ１との位置決めのため
に、スルーザレンズ方式の位置検出Ｘ系２１および位置
検出Ｙ系２２が備えられている。両検出系２１、２２に
は照明光学装置（図示省略）およびハーフミラー２４が
設備されており、照明光学装置はレジスト５が感光しな
い波長の光をハーフミラー２４を透過してウエハ側マー
クＭに照射するように構成されている。ハーフミラー２
４は照明光学装置の照明光を透過するとともに、ウエハ
側マークＭからの正反射像を位置検出Ｘ系２１および位
置検出Ｙ系２２に反射するように構成されている。位置
検出Ｘ系２１および位置検出Ｙ系２２は、ウエハ側マー
クＭからの正反射像をスリットを走査し光電子増倍管で
検出するとともに、レチクル６の窓パターンを検出する
ように構成されている。

【００１７】また、ウエハ１はレーザ干渉測長計３０に
より位置測定されるように構成されている。レーザ干渉
測長計３０から発光されたレーザ光３１は、分光器３２
で分けられる。一方のレーザ光３１はＸＹステージ１２
に取り付けられたＸ軸用ミラー３３に照射される。この
照射光はＸ軸用ミラー３３で反射されてレーザ干渉測長
計３０に戻り、ＸＹステージ１２のＸ座標が検出され
る。また、他方のレーザ光３１は両ミラー３４、３５を
介してＸＹステージ１２に取り付けられたＹ軸用ミラー
３６にそれぞれ照射される。Ｙ軸用ミラー３６に照射さ
れて反射したレーザ光３１は両ミラー３４、３５および
分光器３２を通ってレーザ干渉測長計３０に至り、ＸＹ
ステージ１２のＹ座標が検出されるようになっている。

【００１８】なお、ＸＹステージ１２はＸ軸用モータ３
７によってＸ軸方向に高精度に移動制御されるととも
に、Ｙ軸用モータ３８によってＹ軸方向に高精度に移動
制御されるように構成されている。

【００１９】作業が終了したチャック１３上のウエハ１
は移送アーム１１によってアンローディングテーブル４
０上に移送される。例えば、アンローディングテーブル
４０上に移送されたウエハ１は、アンローディングテー
ブル４０に構成されたエアーベアリング機構によって回
収用カセット４１に順次収容される。

【００２０】次に、本発明の一実施形態である縮小投影
露光方法における位置合わせ方法を説明する。ここで、
説明を理解し易くするため、この位置合わせ方法はＭＯ
Ｓ型半導体素子のアイソレーション領域を形成するため
のパターンを基準層とし、アイソレーション形成用パタ
ーンの一部をウエハ側位置合わせマーク（以下、ウエハ
側マークという。）として使用して位置合わせする場合
について説明する。

【００２１】また、図３（ａ）に示されているショット
２毎にステップアンドリピート露光されるものとする。
そして、図３（ｃ）に示されているように、ウエハ１の
サブストレート上には基準層のパターン（以下、下層パ
ターンという。）３が既に形成されており、その上にレ
ジスト５が塗布されている。下層パターン３のうちチッ
プ４の左下チップコーナー部分のパターンが予め抽出さ
れたウエハ側マークＭとして、位置検出Ｘ系２１および
位置検出Ｙ系２２の画像認識装置（図示せず）における
メモリーに登録されている。このウエハ側マークＭは９
０度に交差するパターンを備えているため、個々のウエ
ハ側マークＭによってＸＹ双方の位置計測が可能なよう
になっている。このウエハ側マークＭは１ショットには
１チップしか含まれていないため、ウエハ１内の配置と
しては微細寸法測定のためのパターン等の余裕を増加す
ることはできない。しかし、固有のウエハ側マークの配
置を実質的に省略したことになっている。

【００２２】下層パターン３が既に形成され、かつ、ウ
エハ側マークＭが登録されたウエハ１は、プリアライメ
ント装置１０によりウエハ１内の２点のウエハ側マーク
Ｍを用いられて、ＸＹ方向および回転方向の粗位置合わ
せを実施される。この際、このステッパの場合には、Ｘ
Ｙステージ１２上に回転機構がないため、プリアライメ
ント装置１０の上に回転誤差が最小になるように位置決
めされる。

【００２３】チャック１３上に搬送吸着されたウエハ１
は、ウエハ１内の複数のショット２を用いられて光学的
なアライメントを実行される。ここで、各チップ４内の
左下隅のパターンがウエハ側マークＭとして登録されて
いるので、各ショット２内にはウエハ側マークＭが全て
配置された状態になっている。

【００２４】例えば、ウエハ１内の図３（ａ）に示され
ているＡなるショット２（以下、第１ショット２ａとい
う。）のウエハ側マークＭが、縮小投影レンズ７の下に
ＸＹステージ１２により移動されて位置決めされる。Ｘ
Ｙステージ１２の移動はこれから露光しようとする下層
パターン３の設計データに基づいて制御される。この
際、ウエハ１はプリアライメント装置１０によってプリ
アライメントされているため、図４（ａ）に示されてい
るように、第１ショット２ａに実際に形成されたウエハ
側マーク（以下、実マークＭａという。）は、予め登録
されたウエハ側マーク（以下、登録マークＭという。）
にきわめて近接した状態になる。つまり、図４（ａ）に
示されている視野内に実マークＭａが撮映されない状況
が起こることはなく、次に述べる計測工程は常に確保さ
れることになる。

【００２５】第１ショット２ａの実マークＭａが位置検
出Ｘ系２１および位置検出Ｙ系２２によって観察される
と、実マークＭａと登録マークＭとが照合されるととも
に、実マークＭａと登録マークＭとが図４（ｂ）に示さ
れているように完全に重なり合う状態にＸＹステージ１
２が移動される。このＸＹステージ１２の移動に伴っ
て、位置検出Ｘ系２１のデータに基づいてＸ方向の設計
値（設計上のショット）に対する誤差量が求められ、位
置検出Ｙ系２２のデータに基づいてＹ方向の同様の誤差
量が求められる。

【００２６】次に、例えば、ウエハ１内の図３（ａ）に
示されているＢなるショット２（以下、第２ショット２
ｂという。）のウエハ側マークＭが、縮小投影レンズ７
の下にＸＹステージ１２により移動されて位置決めされ
る。第１ショット２ａの場合と同様に、第２ショット２
ｂの実マークＭａは登録マークＭにきわめて近接した状
態（図４（ａ）参照）になる。

【００２７】第２ショット２ｂの実マークＭａが位置検
出Ｘ系２１および位置検出Ｙ系２２によって観察される
と、実マークＭａと登録マークＭとが照合されるととも
に、実マークＭａと登録マークＭとが完全に重なり合う
状態（図４（ｂ）参照）にＸＹステージ１２が移動され
る。このＸＹステージ１２の移動に伴って、位置検出Ｘ
系２１のデータに基づいてＸ方向の設計値（設計上のシ
ョット）に対する誤差量が求められ、位置検出Ｙ系２２
のデータに基づいてＹ方向の同様の誤差量が求められ
る。

【００２８】なお、図３および図４においては、実マー
クおよび登録マークの双方ともに輪郭のみで示したが、
実際の計測時には輪郭処理は必要ではなく、これらマー
クの中央の位置が求まれば、誤差量は計測することがで
きる。

【００２９】以降、ウエハ１内に予め指定された複数の
ショット２における実マークについても同様にして誤差
がそれぞれ求められる。

【００３０】以上の複数の実マークに対する計測結果か
ら、ウエハ１における回転やＸＹ方向のオフセット（ｏ
ｆｆ）、ＸＹ方向の伸縮等の成分が統計処理によって算
出される。この算出に基づいて、ＸＹステージ１２によ
りウエハ１がステップ・アンド・リピートの態様をもっ
て移動されて位置決めされ、各ショット２毎にウエハ１
のレジスト５にレチクル６のパターンが順次転写されて
行く。

【００３１】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。

【００３２】下層パターンの一部を抽出して登録し
ておいたウエハ側マークと、実際の下層パターンの当該
抽出されたパターン部分とを照合して誤差量を計測する
とともに、その計測値に基づいてウエハとレチクルとの
位置合わせを実行することにより、位置合わせ方法すな
わち露光方法において、固有のウエハ側マークの配置を
省略することができるため、ステッパおよび縮小投影露
光方法の汎用性を高めることができる。

【００３３】下層パターンの一部をウエハ側マーク
として使用することにより、ウエハ側マークの選定の自
由度を増加することができるため、ステップ・アンド・
リピート露光方法やステップ・アンド・スキャン露光方
法および電子線直接描画方法等の露光方法の混用を推進
することができる。

【００３４】下層パターンの一部をウエハ側マーク
として使用することにより、チップの中央部のパターン
をウエハ側マークとして抽出して登録することができる
ため、位置合わせ精度をより一層高めることができる。

【００３５】図５は本発明の一実施形態である縮小投影
露光方法を示すフロー図である。図６はウエハを示して
おり、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのショットの平面
図、（ｃ）はその正面断面図である。図７は位置合わせ
方法を説明するための各説明図である。

【００３６】本実施形態２が前記実施形態と異なる点
は、１ショット内に複数個設定されたウエハ側マークに
よって、各ショット毎にファインアライメントを実行す
るように構成されている。すなわち、本実施形態２にお
いては、図６に示されているように、下層パターン３の
うちチップ４の四隅の部分のパターンが、予め抽出され
たウエハ側マークＭとして位置検出Ｘ系２１および位置
検出Ｙ系２２の画像認識装置におけるメモリーに登録さ
れている。図６（ｂ）に示されているように、このウエ
ハ側マークＭはそれぞれＬ字形状に形成されているた
め、個々のウエハ側マークＭによってＸＹ双方の位置計
測が可能なようになっている。そして、このウエハ側マ
ークＭは１ショット２内に４個含まれているため、各シ
ョット２毎のファインアライメントを実行することがで
きる。

【００３７】図５に示されているように、本実施形態２
においては、ウエハ１全体についてのグローバルアライ
メントが前記実施形態１と同様に実施された後に、各シ
ョット２毎のファインアライメントがそれぞれ実行さ
れ、そのファインアライメント毎に露光が実行される。
以下、ファインアライメントについて説明する。

【００３８】例えば、最初にショット２内におけるチッ
プ４の左下隅のウエハ側マークＭが、縮小投影レンズ７
の下にＸＹステージ１２により移動されて位置決めされ
る。ＸＹステージ１２の移動はこれから露光しようとす
る下層パターン３の設計データに基づいて制御される。
この際、ショット２は先にグローバルアライメントされ
ているため、図６（ａ）に示されているように、チップ
４の左上隅に実際に形成された実マークＭａは、予め登
録された登録マークＭにきわめて近接した状態になる。

【００３９】ショット２内の実マークＭａが位置検出Ｘ
系２１および位置検出Ｙ系２２によって観察されると、
実マークＭａと登録マークＭとが照合されるとともに、
実マークＭａと登録マークＭとが図６（ｂ）に示されて
いるように完全に重なり合う状態にＸＹステージ１２が
移動される。このＸＹステージ１２の移動に伴って、位
置検出Ｘ系２１のデータに基づいてＸ方向の設計値（設
計上のショット）に対する誤差量が求められ、位置検出
Ｙ系２２のデータに基づいてＹ方向の同様の誤差量が求
められる。

【００４０】次に、例えば、図６（ｃ）に示されている
ように、右上隅のウエハ側マークＭが縮小投影レンズ７
の下にＸＹステージ１２により移動されて位置決めされ
る。先の場合と同様に、２回目の実マークＭａは登録マ
ークＭにきわめて近接した状態になる。

【００４１】２回目の実マークＭａが位置検出Ｘ系２１
および位置検出Ｙ系２２によって観察されると、実マー
クＭａと登録マークＭとが照合されるとともに、実マー
クＭａと登録マークＭとが図６（ｄ）に示されているよ
うに完全に重なり合う状態にＸＹステージ１２が移動さ
れる。このＸＹステージ１２の移動に伴って、位置検出
Ｘ系２１のデータに基づいてＸ方向の設計値（設計上の
ショット）に対する誤差量が求められ、位置検出Ｙ系２
２のデータに基づいてＹ方向の同様の誤差量が求められ
る。以降、ショット２における左上隅および右下隅の実
マークについても同様にして誤差がそれぞれ求められ
る。

【００４２】以上の複数の実マークＭａに対する計測結
果から、ショット２における回転やＸＹ方向のオフセッ
ト（ｏｆｆ）、ＸＹ方向の伸縮等の成分が統計処理によ
って算出される。この算出に基づいて、ショット２がＸ
Ｙステージ１２により移動されて位置決めされ、各ショ
ット２毎にウエハ１のレジスト５にレチクル６のパター
ンが順次転写されて行く。

【００４３】本実施形態２によれば、各ショット毎にフ
ァインアライメントされるため、位置合わせ精度をより
一層向上させることができる。

【００４４】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４５】例えば、ステップ・アンド・リピート露光
方法に使用するに限らず、図８に示されているステップ
・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置が使用され
た露光方法にも適用することができる。図８に示されて
いるステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装
置は、ウエハスキャンステージ１２Ａおよびレチクルス
キャンステージ４２Ａを備えており、ウエハスキャンス
テージ１２Ａとレチクルスキャンステージ４２Ａとが同
期してスキャニングすることにより、1 ショットの縮小
投影露光が実行されるように構成されている。このステ
ップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置が使用
された縮小投影露光方法においても、ウエハ１の下層パ
ターンの一部を予め抽出してウエハ側マークとして登録
しておくことにより、前記実施形態と同様にグローバル
アライメントおよびファインアライメントを実行するこ
とができる。

【００４６】さらに、パターンを読み取る手段が設備さ
れている場合には、電子線直接描画装置を使用した電子
線露光方法にも使用することができる。つまり、本発明
に係る位置合わせ方法は光露光方法に限らず、電子線露
光方法等の露光方法全般に使用することができ、これら
の露光方法を混用することができる。

【００４７】パターンのコーナー部を抽出してウエハ側
マークとして登録するに限らず、パターンの中央部を抽
出してウエハ側マークとして登録してもよい。

【００４８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４９】パターンの一部を抽出して登録しておいた
ウエハ側マークと、実際の下層パターンの当該抽出され
たパターン部分とを照合して誤差量を計測するととも
に、その計測値に基づいてウエハとレチクルとの位置合
わせを実行することにより、位置合わせ方法すなわち露
光方法において、固有のウエハ側マークの配置を省略す
ることができるため、露光方法の汎用性を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である縮小投影露光方法を
示すフロー図である。

【図２】それに使用されるステッパを示す斜視図であ
る。

【図３】ウエハを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその
ショットの平面図、（ｃ）はその正面断面図である。

【図４】位置合わせ方法を説明するための各説明図であ
り、（ａ）は実マークと登録マークとの照合状態を示す
画面図、（ｂ）は位置合わせ後の画面図である。

【図５】本発明の他の実施形態である縮小投影露光方法
を示すフロー図である。

【図６】ウエハを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその
ショットの平面図である。

【図７】位置合わせ方法を説明するための各説明図であ
り、（ａ）は左下隅の実マークと登録マークとの照合状
態を示す画面図、（ｂ）は位置合わせ後の画面図、
（ｃ）は右上隅の実マークと登録マークとの照合状態を
示す画面図、（ｄ）は位置合わせ方法を説明するための
各説明図である。

【図８】ステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露
光装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ウエハ、２…ショット、３…下層パターン、４…チ
ップ、５…レジスト、６…レチクル（露光原版）、７…
縮小投影レンズ、８…カセット、９…ローディングテー
ブル、１０…プリアライメント装置、１１…移送アー
ム、１２…ＸＹステージ、１３…チャック、２０…レチ
クルアライメント光学系、２１…位置検出Ｘ系、２２…
位置検出Ｙ系、２４…ハーフミラー、３０…レーザ干渉
測長計、３１…レーザ光、３２…分光器、３３…Ｘ軸用
ミラー、３４、３５…ミラー、３６…Ｙ軸用ミラー、３
７…Ｘ軸用モータ、３８…Ｙ軸用モータ、４０…アンロ
ーディングテーブル、４１…回収用カセット、４２…レ
チクル微動系、Ｍ…登録マーク、Ｍａ…実マーク（ウエ
ハ側位置合わせマーク）、１２Ａ…ウエハスキャンステ
ージ、４２Ａ…レチクルスキャンステージ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パターンを既に形成された位置合わせ対
象物が予め設定された基準位置に位置合わせされる位置
合わせ方法において、前記パターンの一部が位置合わせマークとして予め抽出
されて登録され、前記位置合わせに際して、前記位置合
わせマークと、前記パターンのうち前記位置合わせマー
クに相当する部分とが照合されることを特徴とする位置
合わせ方法。
【請求項２】前記位置合わせに際して、前記位置合わ
せマークが前記基準位置に対応されて前記照合が実行さ
れることを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方
法。
【請求項３】前記照合において、前記位置合わせマー
クと前記パターンのうち前記位置合わせマークに相当す
る部分との位置ずれ誤差が計測され、その計測値に基づ
いて前記位置合わせ対象物と基準位置との位置合わせが
実行されることを特徴とする請求項１または２に記載の
位置合わせ方法。
【請求項４】前記位置合わせ対象物が、前記パターン
の上に塗布されたレジストに露光原版の原画を露光され
る被露光物であることを特徴とする請求項１、２または
３に記載の位置合わせ方法。
【請求項５】前記位置合わせ対象物が、前記パターン
の上に塗布されたレジストに電子線の照射によるパター
ンを露光される被露光物であることを特徴とする請求項
１、２または３に記載の位置合わせ方法。
【請求項６】前記位置合わせマークが、同一のパター
ン内で複数抽出されて登録されることを特徴とする請求
項１、２、３、４または５に記載の位置合わせ方法。
【請求項７】半導体ウエハに同一のパターンが複数繰
り返して既に形成されこのパターン群の上に塗布された
レジストに露光原版の原画が、ショット毎のステップア
ンドリピート方式により前記各パターン毎にそれぞれ重
ね合わせされて順次露光されて行く露光方法に使用され
る位置合わせ方法において、前記半導体ウエハのパターンの一部が位置合わせマーク
として予め抽出されて登録され、前記重ね合わせに際し
て、前記位置合わせマークと、前記半導体ウエハの前記
パターンのうち前記位置合わせマークに相当する部分と
が照合されることを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項８】前記ステップアンドリピート方式の露光
に先立って、前記位置合わせマークの複数について前記
照合が実行され、これらの照合に基づいて前記半導体ウ
エハ全体の誤差が求められ、この誤差を解消させる補正
が実行されることを特徴とする請求項７に記載の位置合
わせ方法。
【請求項９】前記位置合わせマークが、同一のパター
ン内で複数抽出されて登録されることを特徴とする請求
項７に記載の位置合わせ方法。
【請求項１０】前記位置合わせマークが、同一のパタ
ーン内で複数抽出されて登録され、前記ステップアンド
リピート方式の露光に先立って、前記位置合わせマーク
の複数について前記照合が実行され、これらの照合に基
づいて前記半導体ウエハ全体の誤差が求められ、この誤
差を解消させる補正が実行され、さらに、前記ステップ
アンドリピート方式の各ショット毎の露光に先立って、
前記同一パターン内の複数の位置合わせマークのうち複
数ついて前記照合が実行され、これらの照合に基づいて
各ショット毎の誤差が求められ、この誤差を解消させる
補正が実行されることを特徴とする請求項７に記載の位
置合わせ方法。