JPH10289943A - ステージ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ装置およびデバイス製造方法Info
- Publication number
- JPH10289943A JPH10289943A JP9113642A JP11364297A JPH10289943A JP H10289943 A JPH10289943 A JP H10289943A JP 9113642 A JP9113642 A JP 9113642A JP 11364297 A JP11364297 A JP 11364297A JP H10289943 A JPH10289943 A JP H10289943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- measurement
- measured
- laser
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コストをあまりかけずにレーザ干渉計による
計測精度の向上およびステージの動特性の向上を図る。 【解決手段】 ２次元的に移動できるように案内された
ステージ２と、このステージを前記案内された方向に移
動する駆動手段と、前記ステージ上に設けられた第１の
計測ミラー３と、この第１計測ミラーにレーザビームを
照射して前記ステージの第１の方向の位置を計測する第
１のレーザ干渉計１３と、この計測位置に基づいて前記
駆動手段を制御することにより前記ステージの位置を制
御する制御手段４０とを備えたステージ装置において、
前記ステージの第１方向位置を比較的低精度で計測する
第１の位置計測手段１０，１１を備え、前記制御手段は
必要に応じて前記第１レーザ干渉計による計測位置の代
わりに前記第１位置計測手段による計測位置を用いて前
記ステージ位置を制御する。
計測精度の向上およびステージの動特性の向上を図る。 【解決手段】 ２次元的に移動できるように案内された
ステージ２と、このステージを前記案内された方向に移
動する駆動手段と、前記ステージ上に設けられた第１の
計測ミラー３と、この第１計測ミラーにレーザビームを
照射して前記ステージの第１の方向の位置を計測する第
１のレーザ干渉計１３と、この計測位置に基づいて前記
駆動手段を制御することにより前記ステージの位置を制
御する制御手段４０とを備えたステージ装置において、
前記ステージの第１方向位置を比較的低精度で計測する
第１の位置計測手段１０，１１を備え、前記制御手段は
必要に応じて前記第１レーザ干渉計による計測位置の代
わりに前記第１位置計測手段による計測位置を用いて前
記ステージ位置を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種測定器、およ
び半導体リソグラフィ工程で用いる投影露光装置などに
おいて、被測定物もしくはウエハなどの被加工物を搭載
し、高速、高精度で物体の移動、位置決めをするための
ステージ装置およびこれを用いることができるデバイス
製造方法に関するものである。
び半導体リソグラフィ工程で用いる投影露光装置などに
おいて、被測定物もしくはウエハなどの被加工物を搭載
し、高速、高精度で物体の移動、位置決めをするための
ステージ装置およびこれを用いることができるデバイス
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種測定器、半導体リソグラフィ工程で
用いる投影露光装置などにおいて、被測定物もしくはウ
エハなどの被加工物を搭載し、高速、高精度で物体の移
動や位置決めを行うための従来のステージ装置の平面図
を図３、４に示す。図３は、各種測定プロセス中、もし
くは投影露光装置における露光プロセス中のステージ位
置を示しており、図４は、被測定物の交換時、もしくは
ウエハの交換時のステージ位置を示している。これらの
図において、各図中央の矢印はＸ方向およびＹ方向を示
している。１０１は被測定物もしくはウエハなどの被加
工物、１０２は被測定物もしくはウエハなどの被加工物
１０１を搭載するＸステージである。１０３はＸステー
ジのＸ方向の位置計測用のＸミラー、１０４はＸステー
ジのＹ方向の位置計測用のＹミラーであり、それぞれＸ
ステージ上に固定されている。１１３はＸ方向レーザ干
渉計であり、１１４はＹ方向レーザ干渉計である。１２
３、１２４は計測用のレーザビームである。干渉計１１
３、１１４で検出された位置情報１３３、１３４はステ
ージ制御システム１４０に取り込まれる。以上の構成
で、ＸステージのＸ、Ｙ位置を高精度、高分解能（１０
-9〜１０-8ｍのオーダ）で計測することができる。
用いる投影露光装置などにおいて、被測定物もしくはウ
エハなどの被加工物を搭載し、高速、高精度で物体の移
動や位置決めを行うための従来のステージ装置の平面図
を図３、４に示す。図３は、各種測定プロセス中、もし
くは投影露光装置における露光プロセス中のステージ位
置を示しており、図４は、被測定物の交換時、もしくは
ウエハの交換時のステージ位置を示している。これらの
図において、各図中央の矢印はＸ方向およびＹ方向を示
している。１０１は被測定物もしくはウエハなどの被加
工物、１０２は被測定物もしくはウエハなどの被加工物
１０１を搭載するＸステージである。１０３はＸステー
ジのＸ方向の位置計測用のＸミラー、１０４はＸステー
ジのＹ方向の位置計測用のＹミラーであり、それぞれＸ
ステージ上に固定されている。１１３はＸ方向レーザ干
渉計であり、１１４はＹ方向レーザ干渉計である。１２
３、１２４は計測用のレーザビームである。干渉計１１
３、１１４で検出された位置情報１３３、１３４はステ
ージ制御システム１４０に取り込まれる。以上の構成
で、ＸステージのＸ、Ｙ位置を高精度、高分解能（１０
-9〜１０-8ｍのオーダ）で計測することができる。
【０００３】１０５はＸ可動ガイド、１０６Ｌ、１０６
ＲはＹスライダＬ、ＹスライダＲであり、Ｘ可動ガイ
ド、ＹスライダＬ、ＹスライダＲは一体となってＹステ
ージを構成している。Ｙステージは、Ｘ方向に関して、
軸受け１０９を介してＹガイド１０７にガイドされてお
り、Ζ方向に関して、軸受けを介してベース１０８にガ
イドされている。以上の構成で、ＹステージはＹ方向に
なめらかに動くことができる。軸受け１０９は例えば静
圧軸受けと磁石吸引との組み合わせで構成されている。
またＸステージ１０２は、Ｙ方向に関して、同様の軸受
けを介してＸ可動ガイド１０５にガイドされており、Ｚ
方向に関して、軸受けを介してベース１０８にガイドさ
れている。以上の構成で、Ｘステージ１０２は、Ｘ可動
ガイド１０５、およびベース１０８に沿ってＸ方向に、
さらにはＹステージといっしょにＹ方向になめらかに動
くことができる。
ＲはＹスライダＬ、ＹスライダＲであり、Ｘ可動ガイ
ド、ＹスライダＬ、ＹスライダＲは一体となってＹステ
ージを構成している。Ｙステージは、Ｘ方向に関して、
軸受け１０９を介してＹガイド１０７にガイドされてお
り、Ζ方向に関して、軸受けを介してベース１０８にガ
イドされている。以上の構成で、ＹステージはＹ方向に
なめらかに動くことができる。軸受け１０９は例えば静
圧軸受けと磁石吸引との組み合わせで構成されている。
またＸステージ１０２は、Ｙ方向に関して、同様の軸受
けを介してＸ可動ガイド１０５にガイドされており、Ｚ
方向に関して、軸受けを介してベース１０８にガイドさ
れている。以上の構成で、Ｘステージ１０２は、Ｘ可動
ガイド１０５、およびベース１０８に沿ってＸ方向に、
さらにはＹステージといっしょにＹ方向になめらかに動
くことができる。
【０００４】上記Ｘ、ＹステージはそれぞれＸ方向、Ｙ
方向に力を発生するアクチュエータを有しており、前述
したレーザ干渉計よりステージ制御システムに取り込ま
れた位置情報に基づきＸステージ、Ｙステージを高精
度、高分解能（１０-9〜１０-8ｍのオーダ）に位置決め
することができる。
方向に力を発生するアクチュエータを有しており、前述
したレーザ干渉計よりステージ制御システムに取り込ま
れた位置情報に基づきＸステージ、Ｙステージを高精
度、高分解能（１０-9〜１０-8ｍのオーダ）に位置決め
することができる。
【０００５】図３におけるステージ位置において、各ス
テージは上記精度を維持しながら、各種測定プロセス、
もしくは投影露光装置における露光プロセスを実行して
いくことが求められる。これに対し、図４のような被測
定物の交換時、もしくはウエハの交換時においては、一
般には、ステージの位置決め精度は上記ほど必要ない。
交換後、被測定物もしくはウエハ等を、装置もしくはマ
スクに有する基準に合わせるために、アライメントを実
施するからである。実質的にステージに求められるの
は、アライメント計測範囲に十分はいる精度、分解能
（経験的には１０-7〜１０-6ｍのオーダ）である。
テージは上記精度を維持しながら、各種測定プロセス、
もしくは投影露光装置における露光プロセスを実行して
いくことが求められる。これに対し、図４のような被測
定物の交換時、もしくはウエハの交換時においては、一
般には、ステージの位置決め精度は上記ほど必要ない。
交換後、被測定物もしくはウエハ等を、装置もしくはマ
スクに有する基準に合わせるために、アライメントを実
施するからである。実質的にステージに求められるの
は、アライメント計測範囲に十分はいる精度、分解能
（経験的には１０-7〜１０-6ｍのオーダ）である。
【０００６】従来においては、レーザビームが切れてし
まうと、ステージは制御不能となるため、精度が求めら
れるプロセス時においても、精度がさほど求められない
交換時においても、レーザビームが切れないように、図
中のような、全ストロークをカバーするためにオーバハ
ングした計測ミラーが使われている。
まうと、ステージは制御不能となるため、精度が求めら
れるプロセス時においても、精度がさほど求められない
交換時においても、レーザビームが切れないように、図
中のような、全ストロークをカバーするためにオーバハ
ングした計測ミラーが使われている。
【０００７】また、他の従来例として、特開平６−６９
０９９号公報には、短い計測ミラーを使用して、長いス
トロークを得るために、複数のレーザ干渉計を切り替え
ていく技術が開示されている。
０９９号公報には、短い計測ミラーを使用して、長いス
トロークを得るために、複数のレーザ干渉計を切り替え
ていく技術が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
３、４の従来例によれば計測ミラーが長大化すること
によって、計測ミラーの加工性が悪化し、精度を追い込
んでいくことが困難となる。また、計測ミラーが長大
化することによって、ミラーやＸステージの固有振動が
下がり、動特性が悪化し、位置決め時間に影響を及ぼ
す。
３、４の従来例によれば計測ミラーが長大化すること
によって、計測ミラーの加工性が悪化し、精度を追い込
んでいくことが困難となる。また、計測ミラーが長大
化することによって、ミラーやＸステージの固有振動が
下がり、動特性が悪化し、位置決め時間に影響を及ぼ
す。
【０００９】また、他の従来例によれば精度が必要な
い領域までレーザ干渉計を使用することにより、大幅に
コストがかかってしまう。
い領域までレーザ干渉計を使用することにより、大幅に
コストがかかってしまう。
【００１０】本発明は、これらの問題に鑑み、高精度が
求められる領域と、高精度が求められない領域を含む長
ストロークを動くことができ、かつ動特性が良好でコス
トがかからないステージ装置およびデバイス製造方法を
提供することを目的としている。
求められる領域と、高精度が求められない領域を含む長
ストロークを動くことができ、かつ動特性が良好でコス
トがかからないステージ装置およびデバイス製造方法を
提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、２次元的に移動できるように案内されたス
テージと、このステージを前記案内された方向に移動す
る駆動手段と、前記ステージ上に設けられた第１の計測
ミラーと、この第１計測ミラーにレーザビームを照射し
て前記ステージの第１の方向の位置を計測する第１のレ
ーザ干渉計と、この計測位置に基づいて前記駆動手段を
制御することにより前記ステージの位置を制御する制御
手段とを備えたステージ装置において、前記ステージの
第１方向位置を比較的低精度で計測する第１の位置計測
手段を備え、前記制御手段は必要に応じて前記第１レー
ザ干渉計による計測位置の代わりに前記第１位置計測手
段による計測位置を用いて前記ステージ位置を制御する
ものであることを特徴とする。
本発明では、２次元的に移動できるように案内されたス
テージと、このステージを前記案内された方向に移動す
る駆動手段と、前記ステージ上に設けられた第１の計測
ミラーと、この第１計測ミラーにレーザビームを照射し
て前記ステージの第１の方向の位置を計測する第１のレ
ーザ干渉計と、この計測位置に基づいて前記駆動手段を
制御することにより前記ステージの位置を制御する制御
手段とを備えたステージ装置において、前記ステージの
第１方向位置を比較的低精度で計測する第１の位置計測
手段を備え、前記制御手段は必要に応じて前記第１レー
ザ干渉計による計測位置の代わりに前記第１位置計測手
段による計測位置を用いて前記ステージ位置を制御する
ものであることを特徴とする。
【００１２】あるいは、２次元的に移動できるように案
内されたステージと、このステージを前記案内方向に移
動する駆動手段と、前記ステージ上に設けられた計測ミ
ラーと、この計測ミラーにレーザビームを照射して前記
ステージの位置のヨーイング成分を計測するための２つ
のレーザ干渉計と、このヨーイング成分に基づいて前記
駆動手段を制御することにより前記ステージ位置のヨー
イング成分を制御する制御手段とを備えたステージ装置
において、前記ステージ位置のヨーイング成分を比較的
低精度で計測するための２つの位置計測手段を備え、前
記制御手段は必要に応じて前記２つのレーザ干渉計の代
わりに前記２つの位置計測手段を用いて前記ステージの
ヨーイング成分を計測し、その計測値を用いて前記ステ
ージ位置のヨーイング成分を制御するものであることを
特徴とする。
内されたステージと、このステージを前記案内方向に移
動する駆動手段と、前記ステージ上に設けられた計測ミ
ラーと、この計測ミラーにレーザビームを照射して前記
ステージの位置のヨーイング成分を計測するための２つ
のレーザ干渉計と、このヨーイング成分に基づいて前記
駆動手段を制御することにより前記ステージ位置のヨー
イング成分を制御する制御手段とを備えたステージ装置
において、前記ステージ位置のヨーイング成分を比較的
低精度で計測するための２つの位置計測手段を備え、前
記制御手段は必要に応じて前記２つのレーザ干渉計の代
わりに前記２つの位置計測手段を用いて前記ステージの
ヨーイング成分を計測し、その計測値を用いて前記ステ
ージ位置のヨーイング成分を制御するものであることを
特徴とする。
【００１３】また、本発明のデバイス製造方法では、基
板が搭載されるステージを前記ステージに対する前記基
板の授受位置と露光位置との間で移動させながら複数基
板について順次露光を行ってデバイスを製造する際に、
第１のレーザ干渉計により、前記ステージ上の計測ミラ
ーにレーザビームを照射し前記ステージの２次元位置の
第１の方向の成分を計測して、前記ステージ位置の前記
第１方向成分を制御するデバイス製造方法において、前
記授受位置およびその近傍においては、前記第１レーザ
干渉計の代わりに比較的低精度の位置計測手段によって
前記ステージ位置の前記第１方向成分を計測して、前記
ステージ位置の前記第１方向成分を制御することを特徴
とする。
板が搭載されるステージを前記ステージに対する前記基
板の授受位置と露光位置との間で移動させながら複数基
板について順次露光を行ってデバイスを製造する際に、
第１のレーザ干渉計により、前記ステージ上の計測ミラ
ーにレーザビームを照射し前記ステージの２次元位置の
第１の方向の成分を計測して、前記ステージ位置の前記
第１方向成分を制御するデバイス製造方法において、前
記授受位置およびその近傍においては、前記第１レーザ
干渉計の代わりに比較的低精度の位置計測手段によって
前記ステージ位置の前記第１方向成分を計測して、前記
ステージ位置の前記第１方向成分を制御することを特徴
とする。
【００１４】あるいは、基板が搭載されるステージを前
記ステージに対する前記基板の授受位置と露光位置との
間で移動させながら複数基板について順次露光を行って
デバイスを製造する際に、２つのレーザ干渉計により、
前記ステージ上の計測ミラーにレーザビームを照射し前
記ステージ位置のヨーイング成分を計測して、前記ステ
ージ位置のヨーイング成分を制御するデバイス製造方法
において、前記授受位置およびその近傍においては、前
記２つのレーザ干渉計の代わりに比較的低精度の位置計
測手段によって前記ステージ位置のヨーイング成分を計
測して、前記ステージ位置のヨーイング成分を制御する
ことを特徴とする。
記ステージに対する前記基板の授受位置と露光位置との
間で移動させながら複数基板について順次露光を行って
デバイスを製造する際に、２つのレーザ干渉計により、
前記ステージ上の計測ミラーにレーザビームを照射し前
記ステージ位置のヨーイング成分を計測して、前記ステ
ージ位置のヨーイング成分を制御するデバイス製造方法
において、前記授受位置およびその近傍においては、前
記２つのレーザ干渉計の代わりに比較的低精度の位置計
測手段によって前記ステージ位置のヨーイング成分を計
測して、前記ステージ位置のヨーイング成分を制御する
ことを特徴とする。
【００１５】本発明によれば、レーザ干渉計による計測
の代わりに、レーザ干渉計よりも低精度の位置計測手段
により計測を行い、ステージの位置を制御できるように
したため、基板の授受位置等の低精度の位置制御で十分
な位置にステージがあるときは、前記位置計測手段を用
いて位置制御を行うことにより、計測ミラーの長さは従
来より短い短ストローク用ものを使用することができ
る。したがって、加工精度の高い計測ミラーを用いるこ
とができ、レーザ干渉計による計測精度が向上する。ま
た、ステージ動特性が向上し、位置決め時間が減少す
る。また、短ストロークのレーザ干渉計を複数用いて、
長ストロークに渡って高精度な計測を行う場合に較べ
て、コストが低くて済む。
の代わりに、レーザ干渉計よりも低精度の位置計測手段
により計測を行い、ステージの位置を制御できるように
したため、基板の授受位置等の低精度の位置制御で十分
な位置にステージがあるときは、前記位置計測手段を用
いて位置制御を行うことにより、計測ミラーの長さは従
来より短い短ストローク用ものを使用することができ
る。したがって、加工精度の高い計測ミラーを用いるこ
とができ、レーザ干渉計による計測精度が向上する。ま
た、ステージ動特性が向上し、位置決め時間が減少す
る。また、短ストロークのレーザ干渉計を複数用いて、
長ストロークに渡って高精度な計測を行う場合に較べ
て、コストが低くて済む。
【００１６】
【発明の実施の形態】好ましい実施形態においては、ス
テージは、前記第１方向の比較的高精度な位置計測によ
る位置制御が必要な第１の領域から比較的低精度な位置
計測による位置制御でよい第２の領域に渡って第２の方
向へ移動するものであり、前記第１ミラーは前記第１領
域において前記第１レーザ干渉計による計測が可能な寸
法を有し、前記制御手段は、前記第１領域においては、
前記第１ミラーおよび第１レーザ干渉計により比較的高
精度の位置計測による前記ステージ位置の制御を行い、
前記第２領域においては、前記第１位置計測手段により
比較的低精度の位置計測による前記ステージ位置の制御
を行う。
テージは、前記第１方向の比較的高精度な位置計測によ
る位置制御が必要な第１の領域から比較的低精度な位置
計測による位置制御でよい第２の領域に渡って第２の方
向へ移動するものであり、前記第１ミラーは前記第１領
域において前記第１レーザ干渉計による計測が可能な寸
法を有し、前記制御手段は、前記第１領域においては、
前記第１ミラーおよび第１レーザ干渉計により比較的高
精度の位置計測による前記ステージ位置の制御を行い、
前記第２領域においては、前記第１位置計測手段により
比較的低精度の位置計測による前記ステージ位置の制御
を行う。
【００１７】また、さらに、前記ステージに設けられた
第２の計測ミラーと、この第２計測ミラーにレーザビー
ムを照射して前記ステージの前記第２方向の位置を計測
する第２のレーザ干渉計とを備え、前記制御手段は、こ
の第２レーザ干渉計による計測位置に基づいて前記ステ
ージの位置を制御する。
第２の計測ミラーと、この第２計測ミラーにレーザビー
ムを照射して前記ステージの前記第２方向の位置を計測
する第２のレーザ干渉計とを備え、前記制御手段は、こ
の第２レーザ干渉計による計測位置に基づいて前記ステ
ージの位置を制御する。
【００１８】また、前記第２計測ミラーにレーザビーム
を照射して前記ステージの前記第２方向の位置を計測す
る第３のレーザ干渉計と、前記ステージの第１方向位置
を比較的低精度で計測する第２の位置計測手段とを備
え、前記制御手段は前記第２および第３レーザ干渉計に
よる計測値に基づいて前記ステージの回転方向位置を制
御するとともに、必要に応じて前記第２および第３レー
ザ干渉計による計測値の代わりに、前記第１および第２
位置計測手段による計測値に基づいて前記ステージの回
転方向位置を制御する。
を照射して前記ステージの前記第２方向の位置を計測す
る第３のレーザ干渉計と、前記ステージの第１方向位置
を比較的低精度で計測する第２の位置計測手段とを備
え、前記制御手段は前記第２および第３レーザ干渉計に
よる計測値に基づいて前記ステージの回転方向位置を制
御するとともに、必要に応じて前記第２および第３レー
ザ干渉計による計測値の代わりに、前記第１および第２
位置計測手段による計測値に基づいて前記ステージの回
転方向位置を制御する。
【００１９】前記ステージは、その上に被測定物または
基板が搭載されるものであり、その被測定物または基板
を交換するための位置もしくはその近傍に前記ステージ
が位置するときに、前記制御手段は前記位置計測手段に
よる計測値を用いた制御を行う。前記位置計測手段とし
ては、例えばリニアエンコーダを使用することができ
る。
基板が搭載されるものであり、その被測定物または基板
を交換するための位置もしくはその近傍に前記ステージ
が位置するときに、前記制御手段は前記位置計測手段に
よる計測値を用いた制御を行う。前記位置計測手段とし
ては、例えばリニアエンコーダを使用することができ
る。
【００２０】
［第１の実施例］各種測定器、および半導体リソグラフ
ィ工程で用いる投影露光装置などにおいて、被測定物も
しくはウエハなどの被加工物を搭載し、高速、高精度で
物体の移動、位置決めをするための本発明の第１の実施
例に係るステージ装置の平面図を図１、２に示す。図１
は、各種測定プロセス中、もしくは投影露光装置におけ
る露光プロセス中のステージ位置を示しており、図２
は、被測定物の交換時、もしくはウエハの交換時のステ
ージ位置を示している。これらの図において、各図中央
の矢印は、Ｘ方向およびＹ方向を示している。１は被測
定物もしくはウエハなどの被加工物、２は被測定物もし
くは被加工物１を搭載するＸステージである。３はＸス
テージ２のＸ方向の位置計測用のＸミラー、４はＸステ
ージ２のＹ方向の位置計測用のＹミラーであり、それぞ
れＸステージ２上に固定されている。１３はＸ方向レー
ザ干渉計であり、１４はＹ方向レーザ干渉計である。２
３、２４は計測用のレーザビームである。Ｘ干渉計１３
からの位置情報３３はセレクタ３０を介して、Ｙ干渉計
１４からの位置情報３４は直接に、ステージ制御システ
ム４０に取り込まれる。以上の構成で、Ｘステージの
Ｘ、Ｙ位置を高精度、高分解能（１０-9〜１０-8ｍのオ
ーダ）に計測することができる。
ィ工程で用いる投影露光装置などにおいて、被測定物も
しくはウエハなどの被加工物を搭載し、高速、高精度で
物体の移動、位置決めをするための本発明の第１の実施
例に係るステージ装置の平面図を図１、２に示す。図１
は、各種測定プロセス中、もしくは投影露光装置におけ
る露光プロセス中のステージ位置を示しており、図２
は、被測定物の交換時、もしくはウエハの交換時のステ
ージ位置を示している。これらの図において、各図中央
の矢印は、Ｘ方向およびＹ方向を示している。１は被測
定物もしくはウエハなどの被加工物、２は被測定物もし
くは被加工物１を搭載するＸステージである。３はＸス
テージ２のＸ方向の位置計測用のＸミラー、４はＸステ
ージ２のＹ方向の位置計測用のＹミラーであり、それぞ
れＸステージ２上に固定されている。１３はＸ方向レー
ザ干渉計であり、１４はＹ方向レーザ干渉計である。２
３、２４は計測用のレーザビームである。Ｘ干渉計１３
からの位置情報３３はセレクタ３０を介して、Ｙ干渉計
１４からの位置情報３４は直接に、ステージ制御システ
ム４０に取り込まれる。以上の構成で、Ｘステージの
Ｘ、Ｙ位置を高精度、高分解能（１０-9〜１０-8ｍのオ
ーダ）に計測することができる。
【００２１】５はＸ可動ガイド、６Ｌ、６Ｒは左側Ｙス
ライダ、右側Ｙスライダであり、Ｘ可動ガイド５、Ｙス
ライダ６Ｌ、Ｙスライダ６Ｒは一体となってＹステージ
を構成している。１０はＸ可動ガイドに固定された、リ
ニアスケール１１はＸステージに固定されたピックアッ
プであり、リニアスケール１０とピックアップ１１のー
対で、リニアエンコーダを構成している。リニアエンコ
ーダからの位置情報３２はセレクタ３０を介して、ステ
ージ制御システム４０に取り込まれる。以上の構成で、
リニアエンコーダはＹステージに対して、Ｘステージ２
のＸ方向位置を所定の精度、分解能もしくは再現性（１
０-7〜１０-6ｍのオーダ）で計測できる。
ライダ、右側Ｙスライダであり、Ｘ可動ガイド５、Ｙス
ライダ６Ｌ、Ｙスライダ６Ｒは一体となってＹステージ
を構成している。１０はＸ可動ガイドに固定された、リ
ニアスケール１１はＸステージに固定されたピックアッ
プであり、リニアスケール１０とピックアップ１１のー
対で、リニアエンコーダを構成している。リニアエンコ
ーダからの位置情報３２はセレクタ３０を介して、ステ
ージ制御システム４０に取り込まれる。以上の構成で、
リニアエンコーダはＹステージに対して、Ｘステージ２
のＸ方向位置を所定の精度、分解能もしくは再現性（１
０-7〜１０-6ｍのオーダ）で計測できる。
【００２２】Ｙステージは、Ｘ方向に関して、軸受け９
を介してＹガイド７にガイドされており、Ζ方向に関し
て、軸受けを介してベース８にガイドされている。以上
の構成で、ＹステージはＹ方向になめらかに動くことが
できる。軸受け９は例えば静圧軸受けと磁石吸引との組
み合わせで構成されている。
を介してＹガイド７にガイドされており、Ζ方向に関し
て、軸受けを介してベース８にガイドされている。以上
の構成で、ＹステージはＹ方向になめらかに動くことが
できる。軸受け９は例えば静圧軸受けと磁石吸引との組
み合わせで構成されている。
【００２３】またＸステージ２は、Ｙ方向に関して、同
様の軸受けを介してＸ可動ガイド５にガイドされてお
り、Ζ方向に関して、軸受けを介してベース８にガイド
されている。以上の構成で、Ｘステージ２は、Ｘ可動ガ
イド５、およびベース８に沿ってＸ方向に、さらにはＹ
ステージといっしょにＹ方向になめらかに動くことがで
きる。
様の軸受けを介してＸ可動ガイド５にガイドされてお
り、Ζ方向に関して、軸受けを介してベース８にガイド
されている。以上の構成で、Ｘステージ２は、Ｘ可動ガ
イド５、およびベース８に沿ってＸ方向に、さらにはＹ
ステージといっしょにＹ方向になめらかに動くことがで
きる。
【００２４】上記Ｘ、ＹステージはそれぞれＸ方向、Ｙ
方向に力を発生するアクチュエータを有しており、前述
したレーザ干渉計からの位置情報３３、３４に基づきＸ
ステージ、Ｙステージを高精度、高分解能（１０-9〜１
０-8ｍのオーダ）で位置決めすることができる。また、
リニアエンコーダからの位置情報３２に基づきＸステー
ジ２を所定の精度、分解能（１０-7〜１０-6ｍのオー
ダ）で位置決めすることができる。ステージ制御システ
ム４０はセレクタ３０を切り替えることによって、選択
的にレーザ干渉計からの位置情報３３とリニアエンコー
ダからの位置情報３２を切り替えることができる。
方向に力を発生するアクチュエータを有しており、前述
したレーザ干渉計からの位置情報３３、３４に基づきＸ
ステージ、Ｙステージを高精度、高分解能（１０-9〜１
０-8ｍのオーダ）で位置決めすることができる。また、
リニアエンコーダからの位置情報３２に基づきＸステー
ジ２を所定の精度、分解能（１０-7〜１０-6ｍのオー
ダ）で位置決めすることができる。ステージ制御システ
ム４０はセレクタ３０を切り替えることによって、選択
的にレーザ干渉計からの位置情報３３とリニアエンコー
ダからの位置情報３２を切り替えることができる。
【００２５】図１におけるステージ位置では、ステージ
は上記高精度を維持しながら、各種測定プロセス、もし
くは投影露光装置における露光プロセスを実行していく
ことが求められる。そのため、ステージ制御システム４
０は、干渉計１３、１４からの位置情報に基づき、ステ
ージを位置決めしている。またこの時、Ｘステージの回
転方向位置（ヨーイング）は不図示のレーザ干渉計もし
くはθセンサにより計測される。
は上記高精度を維持しながら、各種測定プロセス、もし
くは投影露光装置における露光プロセスを実行していく
ことが求められる。そのため、ステージ制御システム４
０は、干渉計１３、１４からの位置情報に基づき、ステ
ージを位置決めしている。またこの時、Ｘステージの回
転方向位置（ヨーイング）は不図示のレーザ干渉計もし
くはθセンサにより計測される。
【００２６】図２のような被測定物の交換時、もしくは
ウエハの交換時においては、一般には、ステージの位置
決め精度は上記ほど必要ない。交換後、被測定物もしく
はウエハ等を、装置もしくはマスクに有する基準に合わ
せるために、アライメントを実施するからである。実質
的にステージに求められるのは、アライメント計測範囲
に十分はいる精度、分解能（経験的には１０-7〜１０-6
ｍのオーダ）である。
ウエハの交換時においては、一般には、ステージの位置
決め精度は上記ほど必要ない。交換後、被測定物もしく
はウエハ等を、装置もしくはマスクに有する基準に合わ
せるために、アライメントを実施するからである。実質
的にステージに求められるのは、アライメント計測範囲
に十分はいる精度、分解能（経験的には１０-7〜１０-6
ｍのオーダ）である。
【００２７】図１に示す高精度が求められるプロセスに
おける状態より、図２に示す所定の精度で十分な状態に
移行するときの、ステージ制御システム４０の役割を説
明する。ステージ制御システム４０は、Ｙ干渉計１４か
らの位置情報が事前に決められた値に到達したとき、セ
レクタ３０を切り替える。これによってＸステージ２
は、リニアエンコーダからの位置情報に基づき位置決め
制御される。この際、ステージ制御システム４０はＸ干
渉計１３からの位置情報の切り替わる直前の値を記憶し
ておく。また、図２の状態から、図１の状態に戻るとき
は、記憶しておいた値を、Ｘ干渉計１３からの位置情報
に加える。それによってステージはまた高精度、高分解
能で位置決め制御される。
おける状態より、図２に示す所定の精度で十分な状態に
移行するときの、ステージ制御システム４０の役割を説
明する。ステージ制御システム４０は、Ｙ干渉計１４か
らの位置情報が事前に決められた値に到達したとき、セ
レクタ３０を切り替える。これによってＸステージ２
は、リニアエンコーダからの位置情報に基づき位置決め
制御される。この際、ステージ制御システム４０はＸ干
渉計１３からの位置情報の切り替わる直前の値を記憶し
ておく。また、図２の状態から、図１の状態に戻るとき
は、記憶しておいた値を、Ｘ干渉計１３からの位置情報
に加える。それによってステージはまた高精度、高分解
能で位置決め制御される。
【００２８】Ｘ計測ミラー３は、ウエハ等１の交換時の
ストロークをカバーする必要がないため、高精度が求め
られる領域のみをカバーする長さとなっている。また交
換時には、Ｘのレーザビーム２３が装置外に漏れないよ
うに遮光板５０が設けられている。
ストロークをカバーする必要がないため、高精度が求め
られる領域のみをカバーする長さとなっている。また交
換時には、Ｘのレーザビーム２３が装置外に漏れないよ
うに遮光板５０が設けられている。
【００２９】［第２の実施例］上述の実施例では、ステ
ージのＸ軸一方向に関して、レーザ干渉計とリニアエン
コーダを選択的に切り替えたが、図５に示すように、ス
テージの限定された位置において、例えば静電容量形セ
ンサや渦電流形センサなどのポジションセンサ３６を用
いてもよい。また、例えばある位置に２次元エリアセン
サを設け、ＸおよびＹの両方向においてレーザ干渉計と
エリアセンサとを選択的に切り替えてもかまわない。
ージのＸ軸一方向に関して、レーザ干渉計とリニアエン
コーダを選択的に切り替えたが、図５に示すように、ス
テージの限定された位置において、例えば静電容量形セ
ンサや渦電流形センサなどのポジションセンサ３６を用
いてもよい。また、例えばある位置に２次元エリアセン
サを設け、ＸおよびＹの両方向においてレーザ干渉計と
エリアセンサとを選択的に切り替えてもかまわない。
【００３０】［第３の実施例］ピッチング、ローリン
グ、ヨーイングなどの回転自由度に関しても、本発明を
応用することが可能である。図６は、ステージのＺ軸回
りの回転であるヨーイングの高精度制御にもレーザ干渉
計を使用している例を示す。本実施例ではＹ干渉計（１
４、１４′）を２軸構成してあり、その２軸の位置情報
３４、３４′の差分より、ヨーイング成分を高精度に計
測できる。また、２軸のポジションセンサ３６′、３
６″を搭載しており、これにより、Ｘステージ２が左に
寄ったときのみ、Ｘステージ２のＸ方向の位置およびヨ
ーイング成分を計測できる。図６は、被測定物もしくは
ウエハ１の交換時の状態を示しており、Ｘステージ２は
図中左下にきている。このとき、レーザ干渉計１４′は
切れているため、レーザ干渉計１４、１４′からの位置
情報ではなく、２個のポジションセンサ３６′、３６″
からの位置情報３８″でＸステージ２のヨーイング成分
を計測し、Ｘステージ２のヨーイング制御を実施してい
る。
グ、ヨーイングなどの回転自由度に関しても、本発明を
応用することが可能である。図６は、ステージのＺ軸回
りの回転であるヨーイングの高精度制御にもレーザ干渉
計を使用している例を示す。本実施例ではＹ干渉計（１
４、１４′）を２軸構成してあり、その２軸の位置情報
３４、３４′の差分より、ヨーイング成分を高精度に計
測できる。また、２軸のポジションセンサ３６′、３
６″を搭載しており、これにより、Ｘステージ２が左に
寄ったときのみ、Ｘステージ２のＸ方向の位置およびヨ
ーイング成分を計測できる。図６は、被測定物もしくは
ウエハ１の交換時の状態を示しており、Ｘステージ２は
図中左下にきている。このとき、レーザ干渉計１４′は
切れているため、レーザ干渉計１４、１４′からの位置
情報ではなく、２個のポジションセンサ３６′、３６″
からの位置情報３８″でＸステージ２のヨーイング成分
を計測し、Ｘステージ２のヨーイング制御を実施してい
る。
【００３１】次に、このステージ装置を有する露光装置
を利用することができるデバイス製造例を説明する。図
７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ３１（回路設計）
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ３２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ３３（ウエハ製造）で
はシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステッ
プ３４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ３５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ３４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ３６（検査）では、ステップ３５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これを出荷（ステップ３７）する。
を利用することができるデバイス製造例を説明する。図
７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ３１（回路設計）
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ３２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ３３（ウエハ製造）で
はシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステッ
プ３４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ３５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ３４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ３６（検査）では、ステップ３５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これを出荷（ステップ３７）する。
【００３２】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ４１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ４５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ４６（露光）では、上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ４７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）では、エ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。本実施形態の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを低コストで製造することができる。
を示す。ステップ４１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ４５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ４６（露光）では、上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ４７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）では、エ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。本実施形態の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを低コストで製造することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
計測ミラーは基板交換位置等までのストロークをカバー
する必要がないため、高精度が求められる領域のみをカ
バーする長さで十分である。従って計測ミラーの加工性
が改善され、精度を追い込んでいくことが容易となる。
また、計測ミラーやステージの固有振動が下がることが
なくなり、ステージの位置決め時間に影響を与える動特
性を悪化させることがない。また比較的低い所定の精
度、分解能（経験的には１０-7〜１０-6ｍのオーダ）を
得るためのリニアエンコーダ、ポジションセンサ等の位
置計測手段は、市販のもので十分対応できるため、必要
以上のコストアップを抑えることができる。
計測ミラーは基板交換位置等までのストロークをカバー
する必要がないため、高精度が求められる領域のみをカ
バーする長さで十分である。従って計測ミラーの加工性
が改善され、精度を追い込んでいくことが容易となる。
また、計測ミラーやステージの固有振動が下がることが
なくなり、ステージの位置決め時間に影響を与える動特
性を悪化させることがない。また比較的低い所定の精
度、分解能（経験的には１０-7〜１０-6ｍのオーダ）を
得るためのリニアエンコーダ、ポジションセンサ等の位
置計測手段は、市販のもので十分対応できるため、必要
以上のコストアップを抑えることができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る一状態における
ステージ装置を示す図である。
ステージ装置を示す図である。
【図２】 他の状態における図１の装置を示す図であ
る。
る。
【図３】 従来の一状態におけるステージ装置を示す図
である。
である。
【図４】 他の状態における図３の装置を示す図であ
る。
る。
【図５】 本発明の第２の実施例を示す図である。
【図６】 本発明の第３の実施例を示す図である。
【図７】 図１の装置を有する露光装置により製造し得
る微小デバイスの製造の流れを示すフローチャートであ
る。
る微小デバイスの製造の流れを示すフローチャートであ
る。
【図８】 図７におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１：被測定物もしくはウエハ、２：Ｘステージ、３，
４：計測ミラー、５：Ｘガイド、６Ｒ，６Ｌ：Ｙスライ
ダ、１０：リニアスケール、１１：ピックアップ、１
３，１４：レーザ干渉計、３０：セレクタ、３６：ポジ
ションセンサ、４０：ステージ制御システム。
４：計測ミラー、５：Ｘガイド、６Ｒ，６Ｌ：Ｙスライ
ダ、１０：リニアスケール、１１：ピックアップ、１
３，１４：レーザ干渉計、３０：セレクタ、３６：ポジ
ションセンサ、４０：ステージ制御システム。
Claims (9)
- 【請求項１】 ２次元的に移動できるように案内された
ステージと、このステージを前記案内された方向に移動
する駆動手段と、前記ステージ上に設けられた第１の計
測ミラーと、この第１計測ミラーにレーザビームを照射
して前記ステージの第１の方向の位置を計測する第１の
レーザ干渉計と、この計測位置に基づいて前記駆動手段
を制御することにより前記ステージの位置を制御する制
御手段とを備えたステージ装置において、前記ステージ
の第１方向位置を比較的低精度で計測する第１の位置計
測手段を備え、前記制御手段は必要に応じて前記第１レ
ーザ干渉計による計測位置の代わりに前記第１位置計測
手段による計測位置を用いて前記ステージ位置を制御す
るものであることを特徴とするステージ装置。 - 【請求項２】 前記ステージは、前記第１方向の比較的
高精度な位置計測による位置制御が必要な第１の領域か
ら比較的低精度な位置計測による位置制御でよい第２の
領域に渡って第２の方向へ移動するものであり、前記第
１ミラーは前記第１領域において前記第１レーザ干渉計
による計測が可能な寸法を有し、前記制御手段は、前記
第１領域においては、前記第１ミラーおよび第１レーザ
干渉計により比較的高精度の位置計測による前記ステー
ジ位置の制御を行い、前記第２領域においては、前記第
１位置計測手段により比較的低精度の位置計測による前
記ステージ位置の制御を行うものであることを特徴とす
る請求項１記載のステージ装置。 - 【請求項３】 前記ステージに設けられた第２の計測ミ
ラーと、この第２計測ミラーにレーザビームを照射して
前記ステージの前記第２方向の位置を計測する第２のレ
ーザ干渉計とを備え、前記制御手段は、この第２レーザ
干渉計による計測位置に基づいて前記ステージの位置を
制御するものであることを特徴とする請求項１または２
記載のステージ装置。 - 【請求項４】 前記第２計測ミラーにレーザビームを照
射して前記ステージの前記第２方向の位置を計測する第
３のレーザ干渉計と、前記ステージの第１方向位置を比
較的低精度で計測する第２の位置計測手段とを備え、前
記制御手段は前記第２および第３レーザ干渉計による計
測値に基づいて前記ステージの回転方向位置を制御する
とともに、必要に応じて前記第２および第３レーザ干渉
計による計測値の代わりに、前記第１および第２位置計
測手段による計測値に基づいて前記ステージの回転方向
位置を制御するものであることを特徴とする請求項３記
載のステージ装置。 - 【請求項５】 ２次元的に移動できるように案内された
ステージと、このステージを前記案内方向に移動する駆
動手段と、前記ステージ上に設けられた計測ミラーと、
この計測ミラーにレーザビームを照射して前記ステージ
の位置のヨーイング成分を計測するための２つのレーザ
干渉計と、このヨーイング成分に基づいて前記駆動手段
を制御することにより前記ステージ位置のヨーイング成
分を制御する制御手段とを備えたステージ装置におい
て、前記ステージ位置のヨーイング成分を比較的低精度
で計測するための２つの位置計測手段を備え、前記制御
手段は必要に応じて前記２つのレーザ干渉計の代わりに
前記２つの位置計測手段を用いて前記ステージのヨーイ
ング成分を計測し、その計測値を用いて前記ステージ位
置のヨーイング成分を制御するものであることを特徴と
するステージ装置。 - 【請求項６】 前記ステージは、その上に被測定物また
は基板が搭載されるものであり、その被測定物または基
板を交換するための位置もしくはその近傍に前記ステー
ジが位置するときに、前記制御手段は前記位置計測手段
による計測値を用いた制御を行うものであることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のステージ装
置。 - 【請求項７】 前記位置計測手段はリニアエンコーダで
あることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記
載のステージ装置。 - 【請求項８】 基板が搭載されるステージを前記ステー
ジに対する前記基板の授受位置と露光位置との間で移動
させながら複数基板について順次露光を行ってデバイス
を製造する際に、第１のレーザ干渉計により、前記ステ
ージ上の計測ミラーにレーザビームを照射し前記ステー
ジの２次元位置の第１の方向の成分を計測して、前記ス
テージ位置の前記第１方向成分を制御するデバイス製造
方法において、前記授受位置およびその近傍において
は、前記第１レーザ干渉計の代わりに比較的低精度の位
置計測手段によって前記ステージ位置の前記第１方向成
分を計測して、前記ステージ位置の前記第１方向成分を
制御することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項９】 基板が搭載されるステージを前記ステー
ジに対する前記基板の授受位置と露光位置との間で移動
させながら複数基板について順次露光を行ってデバイス
を製造する際に、２つのレーザ干渉計により、前記ステ
ージ上の計測ミラーにレーザビームを照射し前記ステー
ジ位置のヨーイング成分を計測して、前記ステージ位置
のヨーイング成分を制御するデバイス製造方法におい
て、前記授受位置およびその近傍においては、前記２つ
のレーザ干渉計の代わりに比較的低精度の位置計測手段
によって前記ステージ位置のヨーイング成分を計測し
て、前記ステージ位置のヨーイング成分を制御すること
を特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9113642A JPH10289943A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ステージ装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9113642A JPH10289943A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ステージ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289943A true JPH10289943A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14617423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9113642A Pending JPH10289943A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | ステージ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10289943A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003004386A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Systeme et procede de fabrication d'un ecran plat |
| JP2003254739A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Canon Inc | 位置決め装置及びその制御方法、並びに露光装置、並びにその制御方法により制御される露光装置により半導体デバイスを製造する製造方法 |
| US7016049B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, control method therefor, exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method |
| WO2007083758A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JPWO2008029757A1 (ja) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
| JP2010040946A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | 真空処理装置 |
| JP2010040945A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | 真空処理装置 |
| US7907287B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method in which a correction unit corrects a value measured by a selected measuring device |
| JP2012235165A (ja) * | 2006-02-21 | 2012-11-29 | Nikon Corp | パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2013054698A1 (ja) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基体処理システム用の基体搬送装置 |
| JP2014143033A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | ステージ装置およびビーム照射装置 |
| US9329060B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| WO2017039169A1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | (주)이오테크닉스 | 레이저 가공장치 및 이를 이용한 레이저 가공방법 |
| US9857697B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
-
1997
- 1997-04-16 JP JP9113642A patent/JPH10289943A/ja active Pending
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003004386A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Systeme et procede de fabrication d'un ecran plat |
| US7542141B2 (en) | 2002-03-01 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage controller and exposure method in which position of the stage is controlled based on position measurements of first and second laser interferometers |
| JP2003254739A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Canon Inc | 位置決め装置及びその制御方法、並びに露光装置、並びにその制御方法により制御される露光装置により半導体デバイスを製造する製造方法 |
| US7411678B2 (en) | 2002-03-01 | 2008-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, control method thereof, exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device by exposure apparatus controlled by the same control method |
| US7016049B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus, control method therefor, exposure apparatus, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method |
| US7839485B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10133195B2 (en) | 2006-01-19 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10203613B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-02-12 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10185227B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-01-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10185228B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-01-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101312862B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2013-09-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| JP2011014915A (ja) * | 2006-01-19 | 2011-01-20 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JPWO2007083758A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2009-06-11 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007083758A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2012178570A (ja) * | 2006-01-19 | 2012-09-13 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| KR20170106514A (ko) * | 2006-01-19 | 2017-09-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101525373B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2015-06-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR20150004439A (ko) * | 2006-01-19 | 2015-01-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101442381B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101278829B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2013-06-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101431405B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2014-08-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US10012913B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-07-03 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US9989859B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-06-05 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US10409173B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-09-10 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10345121B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-07-09 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US10234773B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2012235165A (ja) * | 2006-02-21 | 2012-11-29 | Nikon Corp | パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US9329060B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US10139738B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US9690214B2 (en) | 2006-02-21 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10132658B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US9857697B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10088759B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10088343B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| JP2012169655A (ja) * | 2006-09-01 | 2012-09-06 | Nikon Corp | 移動体駆動方法 |
| JP5035247B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-09-26 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
| JPWO2008029757A1 (ja) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
| US7907287B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method in which a correction unit corrects a value measured by a selected measuring device |
| TWI401767B (zh) * | 2006-10-25 | 2013-07-11 | Canon Kk | 定位設備、曝光設備及裝置製造方法 |
| JP2010040945A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | 真空処理装置 |
| JP2010040946A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | 真空処理装置 |
| WO2013054698A1 (ja) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基体処理システム用の基体搬送装置 |
| JP2013084849A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 基体処理システム用の基体搬送装置 |
| JP2014143033A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | ステージ装置およびビーム照射装置 |
| WO2017039169A1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | (주)이오테크닉스 | 레이저 가공장치 및 이를 이용한 레이저 가공방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7289194B2 (en) | Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| EP1014199B1 (en) | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP3634563B2 (ja) | 露光方法および装置並びにデバイス製造方法 | |
| JPH10289943A (ja) | ステージ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2005046941A (ja) | ケーブル微動ユニット付きステージ装置 | |
| JPH11352266A (ja) | ステージ装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP3679767B2 (ja) | ステージ位置決め装置及びその制御方法、露光装置、半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH10321515A (ja) | 半導体露光装置 | |
| US6233040B1 (en) | Exposure apparatus with setting of stage driving in accordance with type of motion of stage and device manufacturing method | |
| US5773953A (en) | Substrate transfer system | |
| JP2000187338A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3919592B2 (ja) | ステージ装置及びその制御方法並びに露光装置 | |
| JP3962736B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US6630986B2 (en) | Scanning type exposure apparatus and a device manufacturing method using the same | |
| JP2001015422A (ja) | 投影露光方法、投影露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2000228355A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| KR100444263B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스의 제조방법 | |
| JP3526174B2 (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US6122059A (en) | Scanning exposure apparatus and device fabrication method in which multiple laser interferometers use a respective laser head | |
| JPH1174190A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP4541849B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| JPH10308434A (ja) | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 | |
| JP4677180B2 (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3531895B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2001085316A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 |