JPH10321515A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPH10321515A JPH10321515A JP9142982A JP14298297A JPH10321515A JP H10321515 A JPH10321515 A JP H10321515A JP 9142982 A JP9142982 A JP 9142982A JP 14298297 A JP14298297 A JP 14298297A JP H10321515 A JPH10321515 A JP H10321515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- deformation
- membrane
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクとウエハの位置合わせ精度および転写
精度が高く、かつスループットの高い半導体露光装置を
提供する。 【解決手段】 ステップアンドリピート方式でプロキシ
ミティ露光を行なう半導体露光装置において、マスクメ
ンブレン内の少なくとも一箇所の変形あるいはその変形
に相当する量を計測する手段と、前記計測手段による計
測結果に基づきステップ駆動時にウエハステージの駆動
情報からマスクメンブレンの変形に応じて、マスクある
いはウエハの少なくともどちらか一方の姿勢駆動を行な
う処理手段を設け、ステップ移動を露光時のギャップの
ままで行なう。
精度が高く、かつスループットの高い半導体露光装置を
提供する。 【解決手段】 ステップアンドリピート方式でプロキシ
ミティ露光を行なう半導体露光装置において、マスクメ
ンブレン内の少なくとも一箇所の変形あるいはその変形
に相当する量を計測する手段と、前記計測手段による計
測結果に基づきステップ駆動時にウエハステージの駆動
情報からマスクメンブレンの変形に応じて、マスクある
いはウエハの少なくともどちらか一方の姿勢駆動を行な
う処理手段を設け、ステップ移動を露光時のギャップの
ままで行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上に描画さ
れた半導体集積回路の微細パターンを、ウエハ上に露
光、転写形成する半導体露光装置、特にマスクとウエハ
を微小間隔に接近させて露光を行なう、いわゆるプロキ
シミティ露光装置に関するものである。。
れた半導体集積回路の微細パターンを、ウエハ上に露
光、転写形成する半導体露光装置、特にマスクとウエハ
を微小間隔に接近させて露光を行なう、いわゆるプロキ
シミティ露光装置に関するものである。。
【０００２】
【従来の技術】プロキシミティ露光装置の代表的な例と
して、Ｘ線露光装置がある。このようなＸ線露光装置と
しては、例えば特開平２−１００３１１号公報に、ＳＲ
光源を利用したＸ線露光装置が示されている。
して、Ｘ線露光装置がある。このようなＸ線露光装置と
しては、例えば特開平２−１００３１１号公報に、ＳＲ
光源を利用したＸ線露光装置が示されている。
【０００３】Ｘ線露光装置の一般的な構成を図６に示
す。図６において、１０１はマスク、１０２はマスクを
保持するマスクチャック、１０３はマスクメンブレン、
１０４はマスクチャックベースである。１０７はウエ
ハ、１０８はウエハを保持するウエハチャックである。
１０９はマスクとウエハの位置合わせに用いられる微動
ステージ、１１０は各ショット間の移動に用いられる粗
動ステージであり、１１１は粗動ステージの案内が固定
されるステージべースである。ウエハ１０７およびウエ
ハチャック１０８は微動ステージ１０９上に搭載されて
いる。
す。図６において、１０１はマスク、１０２はマスクを
保持するマスクチャック、１０３はマスクメンブレン、
１０４はマスクチャックベースである。１０７はウエ
ハ、１０８はウエハを保持するウエハチャックである。
１０９はマスクとウエハの位置合わせに用いられる微動
ステージ、１１０は各ショット間の移動に用いられる粗
動ステージであり、１１１は粗動ステージの案内が固定
されるステージべースである。ウエハ１０７およびウエ
ハチャック１０８は微動ステージ１０９上に搭載されて
いる。
【０００４】Ｘ線露光装置においては一般的に、マスク
のパターンをウエハ上の複数の露光領域（ショット）に
順次繰り返し露光を行なう、いわゆるステップアンドリ
ピート方式で、かつマスクとウエハを１０〜５０μｍの
間隔で対向させて露光を行なう、いわゆるプロキシミテ
ィ方式で露光を行なう。
のパターンをウエハ上の複数の露光領域（ショット）に
順次繰り返し露光を行なう、いわゆるステップアンドリ
ピート方式で、かつマスクとウエハを１０〜５０μｍの
間隔で対向させて露光を行なう、いわゆるプロキシミテ
ィ方式で露光を行なう。
【０００５】また、Ｘ線マスクにおいては、吸収体パタ
ーンが形成される部分は２μｍ程度の厚さの薄膜になっ
ている（以下、メンブレンと呼ぶ）。
ーンが形成される部分は２μｍ程度の厚さの薄膜になっ
ている（以下、メンブレンと呼ぶ）。
【０００６】従来のＸ線露光装置において、ダイバイダ
イ方式にて露光を行なう手順を説明する。 （ステップ１）ウエハ１０７の第ｎショット目を露光す
る部分がマスクメンブレン１０３の下にくるよう、粗動
ステージ１１０を駆動する。 （ステップ２）微動ステージ１０９によってウエハ１０
７を、マスクとウエハの間隔（以下、ギャップという）
がステップ時のギャップ（例えば１００μｍ）からギャ
ップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうギャップ
（例えば７０μｍ）になるように駆動し、ＡＦ計測を行
なう。通常、ステップ時のギャップは十分に広くしてい
る。 （ステップ３）微動ステージ１０９にてマスク１０１と
ウエハ１０７の平行出しを行なった後、マスクとウエハ
の面内方向の位置ずれ計測（以下、ＡＡ計測という）を
行なうギャップに駆動し、ＡＡ計測を行なう。 （ステップ４）ウエハとマスクの位置合わせを行ない露
光する。 （ステップ５）ステップ時のギャップに退避する。 以下、（ステップ１）〜（ステップ５）を繰り返す。
イ方式にて露光を行なう手順を説明する。 （ステップ１）ウエハ１０７の第ｎショット目を露光す
る部分がマスクメンブレン１０３の下にくるよう、粗動
ステージ１１０を駆動する。 （ステップ２）微動ステージ１０９によってウエハ１０
７を、マスクとウエハの間隔（以下、ギャップという）
がステップ時のギャップ（例えば１００μｍ）からギャ
ップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうギャップ
（例えば７０μｍ）になるように駆動し、ＡＦ計測を行
なう。通常、ステップ時のギャップは十分に広くしてい
る。 （ステップ３）微動ステージ１０９にてマスク１０１と
ウエハ１０７の平行出しを行なった後、マスクとウエハ
の面内方向の位置ずれ計測（以下、ＡＡ計測という）を
行なうギャップに駆動し、ＡＡ計測を行なう。 （ステップ４）ウエハとマスクの位置合わせを行ない露
光する。 （ステップ５）ステップ時のギャップに退避する。 以下、（ステップ１）〜（ステップ５）を繰り返す。
【０００７】
【発明が解決しようとする謀題】ところで、従来のプロ
キシミティ露光装置においては、上述のようにマスクと
ウエハの接近および退避の工程が露光毎に行なわれてお
り、スループット向上への障害になっていた。スループ
ットを向上させるために、マスクとウエハの接近および
退避の工程を行なわずにウエハステージをステップ移動
することが望ましい。ところがマスクとウエハ間は微小
間隔（数十μｍ）に接近しているため、ウエハステージ
のステップ移動の時にマスクメンブレンは変形する。マ
スクメンブレンの変形によって、マスクとウエハの位置
合わせ精度および転写精度の低下が生じ、マスクメンブ
レンの変形が減衰するまで待機するとスループットが悪
化するという問題があった。
キシミティ露光装置においては、上述のようにマスクと
ウエハの接近および退避の工程が露光毎に行なわれてお
り、スループット向上への障害になっていた。スループ
ットを向上させるために、マスクとウエハの接近および
退避の工程を行なわずにウエハステージをステップ移動
することが望ましい。ところがマスクとウエハ間は微小
間隔（数十μｍ）に接近しているため、ウエハステージ
のステップ移動の時にマスクメンブレンは変形する。マ
スクメンブレンの変形によって、マスクとウエハの位置
合わせ精度および転写精度の低下が生じ、マスクメンブ
レンの変形が減衰するまで待機するとスループットが悪
化するという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、ステップ移動時のマスク
メンブレンの変形を許容値内に抑えることで、マスクと
ウエハの位置合わせ精度および転写精度が高く、かつス
ループットの高い半導体露光装置を提供することにあ
る。
メンブレンの変形を許容値内に抑えることで、マスクと
ウエハの位置合わせ精度および転写精度が高く、かつス
ループットの高い半導体露光装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、マスクメンブレン内の少なくとも一箇所
の変形あるいは変形に相当する量を計測する手段と、前
記計測手段による計測結果に基づき、ステップ駆動時に
ウエハステージの駆動情報とマスクメンブレンの変形に
応じて、マスクあるいはウエハの少なくともどちらか一
方の姿勢駆動を行なう処理手段を有することを特徴とす
る。
め本発明では、マスクメンブレン内の少なくとも一箇所
の変形あるいは変形に相当する量を計測する手段と、前
記計測手段による計測結果に基づき、ステップ駆動時に
ウエハステージの駆動情報とマスクメンブレンの変形に
応じて、マスクあるいはウエハの少なくともどちらか一
方の姿勢駆動を行なう処理手段を有することを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】上記構成により、ウエハステージのステップ駆
動時のマスクメンブレンの変形を所定の値以下に抑える
ことが可能になり、マスクとウエハの位置合わせ時ある
いは露光時の精度向上、さらにスループットの向上が図
れる。
動時のマスクメンブレンの変形を所定の値以下に抑える
ことが可能になり、マスクとウエハの位置合わせ時ある
いは露光時の精度向上、さらにスループットの向上が図
れる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 ［第１の実施例］ （装置構成の説明）図１は本発明の第１の実施例に係る
Ｘ線露光装置の構成を示す。同図において、１はマス
ク、２はマスクを保持するマスクチャック、３はマスク
メンブレン、４はマスクチャックベース、５はマスクＺ
チルトステージ、６はマスク姿勢を計測するための静電
容量センサである。マスク１およびマスクチャック２は
マスクＺチルトステージ５上に搭載されており、マスク
Ｚチルトステージ５および静電容量センサ６はマスクチ
ャックベース４に搭載されている。また、マスクΖチル
トステージ５はアクチュエータとしてピエゾ素子三個を
搭載して駆動する。７はウエハ、８はウエハを保持する
ウエハチャックである。９はマスクとウエハの位置合わ
せに用いられる微動ステージ、１０は各ショット間の移
動に用いられる粗動ステージであり、１１は粗動ステー
ジの案内が固定されるステージベースである。ウエハ７
およびウエハチャック８は微動ステージ９上に搭載され
ている。
る。 ［第１の実施例］ （装置構成の説明）図１は本発明の第１の実施例に係る
Ｘ線露光装置の構成を示す。同図において、１はマス
ク、２はマスクを保持するマスクチャック、３はマスク
メンブレン、４はマスクチャックベース、５はマスクＺ
チルトステージ、６はマスク姿勢を計測するための静電
容量センサである。マスク１およびマスクチャック２は
マスクＺチルトステージ５上に搭載されており、マスク
Ｚチルトステージ５および静電容量センサ６はマスクチ
ャックベース４に搭載されている。また、マスクΖチル
トステージ５はアクチュエータとしてピエゾ素子三個を
搭載して駆動する。７はウエハ、８はウエハを保持する
ウエハチャックである。９はマスクとウエハの位置合わ
せに用いられる微動ステージ、１０は各ショット間の移
動に用いられる粗動ステージであり、１１は粗動ステー
ジの案内が固定されるステージベースである。ウエハ７
およびウエハチャック８は微動ステージ９上に搭載され
ている。
【００１２】１２は光センサ投光部、１３は光センサ受
光部であり、本実施例で特に特徴とするマスクメンブレ
ンの変形を直接計測するセンサを構成する。
光部であり、本実施例で特に特徴とするマスクメンブレ
ンの変形を直接計測するセンサを構成する。
【００１３】さらに前記装置全体がチャンバ１４内に設
置され、露光時は減圧ヘリウム雰囲気に置かれる。不図
示の光源で発生したＳＲ光１５は、遮断窓１６（通常Ｂ
ｅ窓が使用される）を通してチャンバ１４内へ導かれ
る。
置され、露光時は減圧ヘリウム雰囲気に置かれる。不図
示の光源で発生したＳＲ光１５は、遮断窓１６（通常Ｂ
ｅ窓が使用される）を通してチャンバ１４内へ導かれ
る。
【００１４】本実施例ではマスクＺチルトステージ５に
アクチュエータとしてピエゾ素子三個を搭載してマスク
１の姿勢を駆動したが、アクチュエータおよびアクチュ
エータの個数はマスク１を姿勢駆動できるものであれば
他の方法でも良い。さらに、マスク姿勢センサとして静
電容量センサ６をマスクチャックベース４に搭載して使
用したが、センサおよびその個数は他でも良い。
アクチュエータとしてピエゾ素子三個を搭載してマスク
１の姿勢を駆動したが、アクチュエータおよびアクチュ
エータの個数はマスク１を姿勢駆動できるものであれば
他の方法でも良い。さらに、マスク姿勢センサとして静
電容量センサ６をマスクチャックベース４に搭載して使
用したが、センサおよびその個数は他でも良い。
【００１５】以下に本実施例の特徴的な部分であるマス
クメンブレン変形の計測方法と、それに基づくマスク姿
勢制御について述べる。
クメンブレン変形の計測方法と、それに基づくマスク姿
勢制御について述べる。
【００１６】( マスクメンブレン変形の計測について)
光センサ１２，１３でマスクメンブレン３中心の変位
を、マスクメンブレン３中心の変形として直接計測す
る。光センサ１２，１３は露光の邪魔にならない位置に
配置し、斜入射で投光・受光する。本実施例ではマスク
メンブレン３中心の変形を計測したが、マスクメンブレ
ン３の計測位置は変形に伴うマスクメンブレン３の姿勢
によっで生じる計測誤差を補正すれば中心でなくても適
用できる。
光センサ１２，１３でマスクメンブレン３中心の変位
を、マスクメンブレン３中心の変形として直接計測す
る。光センサ１２，１３は露光の邪魔にならない位置に
配置し、斜入射で投光・受光する。本実施例ではマスク
メンブレン３中心の変形を計測したが、マスクメンブレ
ン３の計測位置は変形に伴うマスクメンブレン３の姿勢
によっで生じる計測誤差を補正すれば中心でなくても適
用できる。
【００１７】（マスク姿勢制御について）本実施例で
は、粗動ステージ１０のステップ駆動中にマスクメンブ
レン３の変形が露光ギャップのトレランス幅を超えない
ように、粗動ステージ１０のステップ駆動方向に基づい
てマスクメンブレン３の変形量および変形方向をマスク
姿勢駆動にフィードバックする。マスク姿勢駆動はマス
クメンブレン３の中心が回転中心となるように駆動す
る。
は、粗動ステージ１０のステップ駆動中にマスクメンブ
レン３の変形が露光ギャップのトレランス幅を超えない
ように、粗動ステージ１０のステップ駆動方向に基づい
てマスクメンブレン３の変形量および変形方向をマスク
姿勢駆動にフィードバックする。マスク姿勢駆動はマス
クメンブレン３の中心が回転中心となるように駆動す
る。
【００１８】マスクメンブレン３の変形をマスク姿勢駆
動にフィードバックするのは、マスクメンブレン３の変
形がマスク姿勢角に対して線形的な変化をするためであ
る。図２にマスクメンブレン３の変形（中心の変位）と
マスク姿勢（ステップ方向に対する角度）の関係を示
す。さらに、ウエハステージ１０のステップ駆動方向の
情報を使用するのは、ステップ駆動方向によってマスク
メンブレン３の変形方向が異なるためである。また、マ
スクメンブレン３の中心が回転中心となるようにマスク
姿勢駆動をするのは、ウエハ７とマスク１の間隔（以下
ギャップとする)を一定に保つためである。ギャップを
一定に保つことができれば、マスク姿勢駆動はマスクメ
ンブレン３の中心が回転中心でなくても良い。本実施例
ではマスクメンブレン３の変形をマスク姿勢駆動にフィ
ードバックしたが、ウエハの姿勢駆動、もしくは両者の
姿勢駆動にフィードバックする方法も適用できる。図３
にマスクメンブレン３の変形計測とマスク姿勢制御のブ
ロック図を示す。
動にフィードバックするのは、マスクメンブレン３の変
形がマスク姿勢角に対して線形的な変化をするためであ
る。図２にマスクメンブレン３の変形（中心の変位）と
マスク姿勢（ステップ方向に対する角度）の関係を示
す。さらに、ウエハステージ１０のステップ駆動方向の
情報を使用するのは、ステップ駆動方向によってマスク
メンブレン３の変形方向が異なるためである。また、マ
スクメンブレン３の中心が回転中心となるようにマスク
姿勢駆動をするのは、ウエハ７とマスク１の間隔（以下
ギャップとする)を一定に保つためである。ギャップを
一定に保つことができれば、マスク姿勢駆動はマスクメ
ンブレン３の中心が回転中心でなくても良い。本実施例
ではマスクメンブレン３の変形をマスク姿勢駆動にフィ
ードバックしたが、ウエハの姿勢駆動、もしくは両者の
姿勢駆動にフィードバックする方法も適用できる。図３
にマスクメンブレン３の変形計測とマスク姿勢制御のブ
ロック図を示す。
【００１９】（露光手順の説明）第１の実施例におい
て、ダイバイダイ方式にて露光を行なう手順を説明す
る。図４に手順の概略がフローチャートで示してある。 （ステップ１）マスクチャックベース４に搭載した不図
示のギャップセンサで粗動ステージ１０をステップ駆動
させた時のウエハ７露光面の平行度を計測し、ウエハ７
露光面と粗動ステージ１０のステップ駆動方向との平行
出しを行なう。 （ステップ２）ウエハ７の第１ショット目を露光する部
分がマスク１と対面するよう、粗動ステージ１０をステ
ップ駆動する。この時ウエハ７とマスク１の干渉を避け
るため、ステップ時のギャップは両者の平面度を考慮し
て十分大きな値に決定される。本実施例では１００μｍ
以上とする。 （ステップ３）不図示のアライメントスコープによりギ
ャップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうギャップ
まで微動ステージ９をＺ駆動し、ＡＦ計測を行なう。ア
ライメントスコープは位置ずれ計測 (以下ＡＡ計測とす
る) とギャップ計測（ＡＦ計測）の２つの計測機能を持
っており、マスク１のアライメントマークの位置がずれ
ても追従できるように２軸のステージ上に搭載されてい
る。 （ステップ４）前記アライメントスコープによるＡＦ計
測結果に基づいて微動ステージ９を駆動してマスク１と
ウエハ７の平行出しを行なった後、さらにマスク１とウ
エハ７の面内方向のＡＡ計測を行なうギャップ（３０μ
ｍ）に駆動する。 （ステップ５）前記アライメントスコープによってＡＡ
計測を行ない、微動ステージ９にてマスク１とウエハ７
の位置合わせを行なう。 （ステップ６）露光する。全ショット終了ならばステッ
プ８の作業を行なう。 （ステップ７）露光終了後、粗動ステージ１０を次のシ
ョット位置までステップ駆動させる。ステップ駆動中は
マスクメンブレン３の変形量が露光ギャップのトレラン
ス幅を超えないように、ステップ駆動方向に基づいてマ
スクメンブレン３の変形量をフィードバックしてマスク
Ｚチルトステージ５を姿勢駆動する。粗動ステージ１０
のステップ駆動終了後、手順（ステップ５）〜（ステッ
プ７）を繰り返す。 （ステップ８）全ショット終了後、ギャップ１００μｍ
に退避する。
て、ダイバイダイ方式にて露光を行なう手順を説明す
る。図４に手順の概略がフローチャートで示してある。 （ステップ１）マスクチャックベース４に搭載した不図
示のギャップセンサで粗動ステージ１０をステップ駆動
させた時のウエハ７露光面の平行度を計測し、ウエハ７
露光面と粗動ステージ１０のステップ駆動方向との平行
出しを行なう。 （ステップ２）ウエハ７の第１ショット目を露光する部
分がマスク１と対面するよう、粗動ステージ１０をステ
ップ駆動する。この時ウエハ７とマスク１の干渉を避け
るため、ステップ時のギャップは両者の平面度を考慮し
て十分大きな値に決定される。本実施例では１００μｍ
以上とする。 （ステップ３）不図示のアライメントスコープによりギ
ャップ計測（以下、ＡＦ計測という）を行なうギャップ
まで微動ステージ９をＺ駆動し、ＡＦ計測を行なう。ア
ライメントスコープは位置ずれ計測 (以下ＡＡ計測とす
る) とギャップ計測（ＡＦ計測）の２つの計測機能を持
っており、マスク１のアライメントマークの位置がずれ
ても追従できるように２軸のステージ上に搭載されてい
る。 （ステップ４）前記アライメントスコープによるＡＦ計
測結果に基づいて微動ステージ９を駆動してマスク１と
ウエハ７の平行出しを行なった後、さらにマスク１とウ
エハ７の面内方向のＡＡ計測を行なうギャップ（３０μ
ｍ）に駆動する。 （ステップ５）前記アライメントスコープによってＡＡ
計測を行ない、微動ステージ９にてマスク１とウエハ７
の位置合わせを行なう。 （ステップ６）露光する。全ショット終了ならばステッ
プ８の作業を行なう。 （ステップ７）露光終了後、粗動ステージ１０を次のシ
ョット位置までステップ駆動させる。ステップ駆動中は
マスクメンブレン３の変形量が露光ギャップのトレラン
ス幅を超えないように、ステップ駆動方向に基づいてマ
スクメンブレン３の変形量をフィードバックしてマスク
Ｚチルトステージ５を姿勢駆動する。粗動ステージ１０
のステップ駆動終了後、手順（ステップ５）〜（ステッ
プ７）を繰り返す。 （ステップ８）全ショット終了後、ギャップ１００μｍ
に退避する。
【００２０】本実施例では、露光ギャップ＝３０μｍ、
退避ギャップ＝１００μｍのシーケンスについて述ベた
が、この値が変わっても適用できる。
退避ギャップ＝１００μｍのシーケンスについて述ベた
が、この値が変わっても適用できる。
【００２１】（第１の実施例の効果）本実施例によれ
ば、マスクメンブレン変形を露光ギャップのトレランス
幅以内に抑えることができるので、ウエハを広いギャッ
プ位置に退避させる必要がなく高速にウエハステージを
駆動することができる。したがって、マスクとウエハの
位置合わせ精度および転写精度が高く、ステップ時ギャ
ップと露光時ギャップとのギャップ変更がなくマスクメ
ンブレンの減衰を待機する必要がないのでスループット
が向上する。マスクを姿勢駆動することによって、姿勢
回転の中心が一定のためウエハステージの位置によらず
同じ処理方法で制御ができる。リアルタイムに制御を行
なっているので、余分な計測時間がなくスループットが
向上する。
ば、マスクメンブレン変形を露光ギャップのトレランス
幅以内に抑えることができるので、ウエハを広いギャッ
プ位置に退避させる必要がなく高速にウエハステージを
駆動することができる。したがって、マスクとウエハの
位置合わせ精度および転写精度が高く、ステップ時ギャ
ップと露光時ギャップとのギャップ変更がなくマスクメ
ンブレンの減衰を待機する必要がないのでスループット
が向上する。マスクを姿勢駆動することによって、姿勢
回転の中心が一定のためウエハステージの位置によらず
同じ処理方法で制御ができる。リアルタイムに制御を行
なっているので、余分な計測時間がなくスループットが
向上する。
【００２２】［第２の実施例］図５は本発明の第２の実
施例に係るＸ線露光装置の構成を示す。第２の実施例は
マスクメンブレン変形を計測するための専用のセンサを
使用しないものである。
施例に係るＸ線露光装置の構成を示す。第２の実施例は
マスクメンブレン変形を計測するための専用のセンサを
使用しないものである。
【００２３】（装置構成の説明）図５において、１はマ
スク、２はマスクを保持するマスクチャック、３はマス
クメンブレン、４はマスクチャックベース、５はマスク
Ｚチルトステージ、６はマスク姿勢を計測するための静
電容量センサである。マスク１およびマスクチャック２
はマスクΖチルトステージ５上に搭載されており、マス
クΖチルトステージ５および静電容量センサ６はマスク
チャックベース４に搭載されている。また、マスクＺチ
ルトステージ５はアクチュエータとしてピエゾ素子三個
を搭載して駆動する。７はウエハ、８はウエハを保持す
るウエハチャックである。９はマスクとウエハの位置合
わせに用いられる微動ステージ、１０は各ショット間の
移動に用いられる粗動ステージであり、１１は粗動ステ
ージの案内が固定されるステージベースである。ウエハ
７およびウエハチャック８は微動ステージ９上に搭載さ
れている。
スク、２はマスクを保持するマスクチャック、３はマス
クメンブレン、４はマスクチャックベース、５はマスク
Ｚチルトステージ、６はマスク姿勢を計測するための静
電容量センサである。マスク１およびマスクチャック２
はマスクΖチルトステージ５上に搭載されており、マス
クΖチルトステージ５および静電容量センサ６はマスク
チャックベース４に搭載されている。また、マスクＺチ
ルトステージ５はアクチュエータとしてピエゾ素子三個
を搭載して駆動する。７はウエハ、８はウエハを保持す
るウエハチャックである。９はマスクとウエハの位置合
わせに用いられる微動ステージ、１０は各ショット間の
移動に用いられる粗動ステージであり、１１は粗動ステ
ージの案内が固定されるステージベースである。ウエハ
７およびウエハチャック８は微動ステージ９上に搭載さ
れている。
【００２４】１７はアライメントスコープである。アラ
イメントスコープ１７は位置ずれ計測とギャップ計測を
行う機能を持っており、マスク１のアライメントマーク
の位置がずれても追従できるように２軸のステージ上に
搭載されている。本実施例ではアライメントスコープ１
７をマスクメンブレン３の変形計測センサに使用する。
イメントスコープ１７は位置ずれ計測とギャップ計測を
行う機能を持っており、マスク１のアライメントマーク
の位置がずれても追従できるように２軸のステージ上に
搭載されている。本実施例ではアライメントスコープ１
７をマスクメンブレン３の変形計測センサに使用する。
【００２５】(マスクメンブレン変形の計測方法)以下に
本発明の特徴的な部分であるマスクメンブレン３の変形
計測方法について説明する。アライメントスコープ１７
は前述の通り、ギャップ計測の機能を持っている。露光
前のウエハ７の平面度計測結果からウエハ７の反りやう
ねりが無視できるほど小さいと仮定すると、マスクメン
ブレン３の変形は、(マスクメンブレン３の変形）＝
（ＡＦ計測値）−（設定ギャップ）によって求められ
る。
本発明の特徴的な部分であるマスクメンブレン３の変形
計測方法について説明する。アライメントスコープ１７
は前述の通り、ギャップ計測の機能を持っている。露光
前のウエハ７の平面度計測結果からウエハ７の反りやう
ねりが無視できるほど小さいと仮定すると、マスクメン
ブレン３の変形は、(マスクメンブレン３の変形）＝
（ＡＦ計測値）−（設定ギャップ）によって求められ
る。
【００２６】またウエハの反りやうねりが大きい場合に
は、粗動ステージ１０のステップ駆動中にウエハの反り
およびうねりと同期して微動ステージ９をＺ駆動し、設
定ギャップが変わらないように粗動ステージ１０のステ
ップ駆動を行なえば、上式によってマスクメンブレン３
の変形を求めることができる。 （第２の実施例の効果）本実施例によれば、第１の実施
例の効果に加えて、変形を計測するためだけに使用する
センサがないので、スペース効率がよいという効果があ
る。
は、粗動ステージ１０のステップ駆動中にウエハの反り
およびうねりと同期して微動ステージ９をＺ駆動し、設
定ギャップが変わらないように粗動ステージ１０のステ
ップ駆動を行なえば、上式によってマスクメンブレン３
の変形を求めることができる。 （第２の実施例の効果）本実施例によれば、第１の実施
例の効果に加えて、変形を計測するためだけに使用する
センサがないので、スペース効率がよいという効果があ
る。
【００２７】
【発明の適用範囲】上述の実施例ではダイバイダイ方式
にて露光を行なうことを想定した例を示したが、本発明
はグローバル方式にも適用できる。ステップ駆動は露光
ギャップでのステップ駆動に限らず、マスクとウエハが
対向している状態でのステップ駆動全てに適用できる。
また、マスクメンブレン３の変形を計測する方法は上記
実施例に限定されない。例えば、マスクメンブレン３と
ウエハ７の間の圧力変動とマスクメンブレンの変形量の
関係を使用しても良い。
にて露光を行なうことを想定した例を示したが、本発明
はグローバル方式にも適用できる。ステップ駆動は露光
ギャップでのステップ駆動に限らず、マスクとウエハが
対向している状態でのステップ駆動全てに適用できる。
また、マスクメンブレン３の変形を計測する方法は上記
実施例に限定されない。例えば、マスクメンブレン３と
ウエハ７の間の圧力変動とマスクメンブレンの変形量の
関係を使用しても良い。
【００２８】さらに、上述の実施例ではマスクメンブレ
ン３の変形がマスク姿勢角に対して線形的な変化をする
ものとして、マスクメンブレン３中心の変位に基づいて
マスクのステップ方向に対する角度を制御しているが、
マスクメンブレン３の変形とマスク姿勢との関係の評価
手段を設け、この評価手段を基にマスクあるいはウエハ
の少なくともどちらか一方の姿勢駆動方法を決定するよ
うにしてもよい。
ン３の変形がマスク姿勢角に対して線形的な変化をする
ものとして、マスクメンブレン３中心の変位に基づいて
マスクのステップ方向に対する角度を制御しているが、
マスクメンブレン３の変形とマスク姿勢との関係の評価
手段を設け、この評価手段を基にマスクあるいはウエハ
の少なくともどちらか一方の姿勢駆動方法を決定するよ
うにしてもよい。
【００２９】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３０】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体露光装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体露光装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００３１】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージのステップ駆動時のマスクメンブレンの変形を
所定値以下に抑えることが可能となり、マスクとウエハ
の位置合わせ精度および転写精度が向上し、またマスク
メンブレン変形が減衰するまで待機する必要がなくなる
のでスループットの向上が図れる。
ステージのステップ駆動時のマスクメンブレンの変形を
所定値以下に抑えることが可能となり、マスクとウエハ
の位置合わせ精度および転写精度が向上し、またマスク
メンブレン変形が減衰するまで待機する必要がなくなる
のでスループットの向上が図れる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る装置構成を説明
する図である。
する図である。
【図２】 本発明の第１の実施例に係るマスクメンブレ
ン変形を抑制するためのマスク姿勢制御の優位性を説明
する図である。
ン変形を抑制するためのマスク姿勢制御の優位性を説明
する図である。
【図３】 本発明の第１の実施例に係るマスクメンブレ
ン変形計測とマスク姿勢制御を説明するブロック図であ
る。
ン変形計測とマスク姿勢制御を説明するブロック図であ
る。
【図４】 本発明の第１の実施例に係る露光手順を説明
する図である。
する図である。
【図５】 本発明の第２の実施例に係る装置構成を説明
する図である。
する図である。
【図６】 従来例のＸ線露光装置を説明する図である。
【図７】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図８】 図７におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：マスク、２：マスクチャック、３：マスクメンブレ
ン、５：マスクΖチルトステージ、６：静電容量セン
サ、７：ウエハ、９：微動ステージ、１０：粗動ステー
ジ、１２：光センサ投光部、１３：光センサ受光部、１
７：アライメントスコープ。
ン、５：マスクΖチルトステージ、６：静電容量セン
サ、７：ウエハ、９：微動ステージ、１０：粗動ステー
ジ、１２：光センサ投光部、１３：光センサ受光部、１
７：アライメントスコープ。
Claims (7)
- 【請求項１】 ウエハをマスクに対してステップ移動さ
せて、ウエハとマスクを微小な間隙を置いて対向させた
状態で該マスクのメンブレン上に形成されたパターンを
該ウエハ上の複数の露光領域に露光する半導体露光装置
において、 前記マスクメンブレン内の少なくとも一箇所の変形ある
いはその変形に相当する量を計測する手段と、前記計測
手段による計測結果に基づき、ステップ駆動時にウエハ
ステージの駆動情報からマスクメンブレンの変形に応じ
て、マスクあるいはウエハの少なくともどちらか一方の
姿勢駆動を行なう処理手段とを有することを特徴とする
半導体露光装置。 - 【請求項２】 前記計測手段は、非接触でマスクメンブ
レンの少なくとも一箇所の変形を計測する変位計を有す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。 - 【請求項３】 前記処理手段は、ウエハステージ駆動情
報とマスクメンブレンの変形との関係の評価手段を有
し、この評価手段を基にマスクあるいはウエハの少なく
ともどちらか一方の姿勢駆動方法を決定するものである
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体露光装
置。 - 【請求項４】 前記評価手段で決定された姿勢駆動方法
で、計測手段で計測されたマスクメンブレンの変形情報
に基づき制御を行なうマスクの姿勢駆動手段およびマス
クステージ制御手段をさらに有することを特徴とする請
求項３記載の半導体露光装置。 - 【請求項５】 ウエハステージのステップ駆動手段およ
びウエハステージ制御手段をさらに有することを特徴と
する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体露光装置。 - 【請求項６】 前記ステップ駆動時と少なくとも露光時
のウエハとマスク間の間隙が実質同一であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体露光装
置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の半導体
露光装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デバ
イス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298297A JP3377165B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体露光装置 |
| US09/080,397 US5959304A (en) | 1997-05-19 | 1998-05-18 | Semiconductor exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298297A JP3377165B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321515A true JPH10321515A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3377165B2 JP3377165B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=15328186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14298297A Expired - Fee Related JP3377165B2 (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959304A (ja) |
| JP (1) | JP3377165B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068609A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置及び露光装置 |
| JP2007095943A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
| JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043588A (en) * | 1995-07-18 | 2000-03-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric sensor and acceleration sensor |
| JP2000228355A (ja) | 1998-12-04 | 2000-08-15 | Canon Inc | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 |
| DE60217587D1 (de) * | 2001-07-26 | 2007-03-08 | Canon Kk | Substrathalter und ein Belichtungsapparat |
| JP2004022655A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Canon Inc | 半導体露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2004088072A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Sony Corp | マスクおよびその検査方法 |
| EP2264535B1 (en) * | 2003-07-28 | 2013-02-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
| JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| JP2006165371A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
| EP2584408B1 (en) * | 2007-02-06 | 2020-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method and imprint apparatus |
| JP5324251B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-10-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板保持装置 |
| KR101539153B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2015-07-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4385434A (en) * | 1981-06-08 | 1983-05-31 | Visidyne, Inc. | Alignment system |
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| US4648106A (en) * | 1984-11-21 | 1987-03-03 | Micronix Corporation | Gas control for X-ray lithographic system |
| JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| JP2777915B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1998-07-23 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ機構 |
| JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| JP2743199B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1998-04-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5285488A (en) * | 1989-09-21 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| DE69031897T2 (de) * | 1989-10-19 | 1998-05-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Röntgenbelichtungsvorrichtung |
| DE69128655T2 (de) * | 1990-03-02 | 1998-05-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsgerät |
| DE69126719T2 (de) * | 1990-03-09 | 1997-11-06 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsvorrichtung |
| DE4117639A1 (de) * | 1990-05-31 | 1991-12-05 | Toshiba Kawasaki Kk | Synchrotronstrahlungsgeraet |
| JP3004045B2 (ja) * | 1990-11-19 | 2000-01-31 | 株式会社東芝 | 露光装置 |
| JP3184582B2 (ja) * | 1991-11-01 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法 |
| JP3012069B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2000-02-21 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
| JP3291408B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
| JP3287725B2 (ja) * | 1994-06-07 | 2002-06-04 | キヤノン株式会社 | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP14298297A patent/JP3377165B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-18 US US09/080,397 patent/US5959304A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
| JP2003068609A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置及び露光装置 |
| JP4655433B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置及び露光装置 |
| JP2007095943A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
| JP4689423B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-05-25 | 住友重機械工業株式会社 | ステージ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5959304A (en) | 1999-09-28 |
| JP3377165B2 (ja) | 2003-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1014199B1 (en) | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP3377165B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP3634563B2 (ja) | 露光方法および装置並びにデバイス製造方法 | |
| EP1205807B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JPH10289943A (ja) | ステージ装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH08330222A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2001127144A (ja) | 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JP3244783B2 (ja) | 位置合わせ装置及び方法、並びにこれを用いた露光装置と半導体デバイス製造方法 | |
| JP3450648B2 (ja) | 倍率補正装置および倍率補正装置を搭載したｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH1116828A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000187338A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3526174B2 (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3815759B2 (ja) | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000228355A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001059704A (ja) | 位置決めステージ装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1174190A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP3244872B2 (ja) | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP4677180B2 (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11354417A (ja) | 走査型露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法ならびにステージ制御装置 | |
| JPH1187233A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3320298B2 (ja) | 半導体露光装置およびこの装置を用いた半導体露光方法 | |
| JPH08195335A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2000260690A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP2008066412A (ja) | 露光装置 | |
| JPH10308434A (ja) | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |