JP3291408B2 - 露光装置および集積回路の製造方法 - Google Patents
露光装置および集積回路の製造方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】本発明は、荷電粒子蓄積リング放射光（Ｓ
Ｒ−Ｘ線）等を露光光とする露光装置および集積回路の
製造方法に関するものである。
Ｒ−Ｘ線）等を露光光とする露光装置および集積回路の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子蓄積リング放射光（ＳＲ−Ｘ
線）等を露光光とする露光装置は、例えば、２５６メガ
ビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とされる線幅
０．２５μｍ程度の微細な回路パターンの転写、焼付け
が可能であるために近年特に注目されている。
線）等を露光光とする露光装置は、例えば、２５６メガ
ビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とされる線幅
０．２５μｍ程度の微細な回路パターンの転写、焼付け
が可能であるために近年特に注目されている。
【０００３】このような露光装置においては、まず、ウ
エハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つにマスクの
回路パターンを転写、焼付けし、他の露光領域のそれぞ
れについても逐次同様の転写、焼付けを行なうステップ
＆リピート方式を採用するのが一般的であり、この方式
の露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の不必要な部分が周辺の露光領域に入射して回路パタ
ーン等のコントラストを低下させるのを防ぐためのアパ
ーチャ（開口手段）を備えている（特開昭６１−１７２
３２８号、特開平３−２５３０１８号公報参照）。
エハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つにマスクの
回路パターンを転写、焼付けし、他の露光領域のそれぞ
れについても逐次同様の転写、焼付けを行なうステップ
＆リピート方式を採用するのが一般的であり、この方式
の露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の不必要な部分が周辺の露光領域に入射して回路パタ
ーン等のコントラストを低下させるのを防ぐためのアパ
ーチャ（開口手段）を備えている（特開昭６１−１７２
３２８号、特開平３−２５３０１８号公報参照）。
【０００４】図７は従来のＸ線露光装置の主要部を示す
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハＷ0 の表面には感光性レジストが塗布されており、マ
スクＭ0 を経て照射されるＸ線Ｌ0 によって露光され、
これによって、マスクＭ0 の回路パターンが転写、焼付
けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周
辺部分を遮断するアパーチャ１０１が配設され、前述の
ようにウエハＷ0 の所定の露光領域の周辺が露光される
のを防ぐ役目をする。
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハＷ0 の表面には感光性レジストが塗布されており、マ
スクＭ0 を経て照射されるＸ線Ｌ0 によって露光され、
これによって、マスクＭ0 の回路パターンが転写、焼付
けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周
辺部分を遮断するアパーチャ１０１が配設され、前述の
ようにウエハＷ0 の所定の露光領域の周辺が露光される
のを防ぐ役目をする。
【０００５】アパーチャ１０１は、Ｘ線を遮るのに充分
な遮光性を有する板材、例えば、厚さ約２００μｍのガ
ラス板によって作られた４枚のアパーチャブレード１１
１からなる。マスクＭ0 は、Ｘ線を透過させるＸ線透過
膜とこれに被着されたＡｕ（金）等のＸ線遮光膜からな
り、ウエハＷ0 の回路パターン転写領域Ｓ0 に所定の回
路パターンを転写するための回路パターンＰ0 を有し、
また、前記回路パターンＰ0 の外側のアライメントマー
ク領域には、マスクＭ0 とウエハＷ0 の位置合わせ（ア
ライメント）に用いられる図示しない位置合わせ用のア
ライメントマークと、前記回路パターンとともに次回の
リソグラフィのためのアライメントマークをウエハＷ0
の回路パターン転写領域Ｓ0 の周縁のスクライブライン
に転写するための転写用のアライメントマークＡ0 が並
設されている。
な遮光性を有する板材、例えば、厚さ約２００μｍのガ
ラス板によって作られた４枚のアパーチャブレード１１
１からなる。マスクＭ0 は、Ｘ線を透過させるＸ線透過
膜とこれに被着されたＡｕ（金）等のＸ線遮光膜からな
り、ウエハＷ0 の回路パターン転写領域Ｓ0 に所定の回
路パターンを転写するための回路パターンＰ0 を有し、
また、前記回路パターンＰ0 の外側のアライメントマー
ク領域には、マスクＭ0 とウエハＷ0 の位置合わせ（ア
ライメント）に用いられる図示しない位置合わせ用のア
ライメントマークと、前記回路パターンとともに次回の
リソグラフィのためのアライメントマークをウエハＷ0
の回路パターン転写領域Ｓ0 の周縁のスクライブライン
に転写するための転写用のアライメントマークＡ0 が並
設されている。
【０００６】Ｘ線Ｌ0 による露光を行なう前や露光中に
は、マスクＭ0 の位置合わせ用のアライメントマークと
前回のリソグラフィによって焼付けられたウエハＷ0 の
アライメントマークを用いてマスクＭ0 とウエハＷ0 の
間の位置合わせが行なわれる。この位置合わせは、Ｘ線
Ｌ0 の光路の側傍に配設されたアライメント光学系１０
３から発せられたアライメント光Ｆ0 をマスクＭ0 を経
てウエハＷ0 に照射し、マスクＭ0 の位置合わせ用のア
ライメントマークが前記ウエハＷ0 のアライメントマー
クに重なるようにウエハＷ0 の位置決めステージを駆動
するもので、このようにアライメント光Ｆ0 がＸ線Ｌ0
の光路の側傍のアライメント光学系１０３からアパーチ
ャ１０１の各アパーチャブレード１１１を斜めに横切っ
て照射されるため、各アパーチャブレード１１１の材料
にアライメント光Ｆ0 を透過させるものを選ぶか、ある
いは位置合わせを行なうときに各アパーチャブレード１
１１を後退させるように構成するのが一般的である。
は、マスクＭ0 の位置合わせ用のアライメントマークと
前回のリソグラフィによって焼付けられたウエハＷ0 の
アライメントマークを用いてマスクＭ0 とウエハＷ0 の
間の位置合わせが行なわれる。この位置合わせは、Ｘ線
Ｌ0 の光路の側傍に配設されたアライメント光学系１０
３から発せられたアライメント光Ｆ0 をマスクＭ0 を経
てウエハＷ0 に照射し、マスクＭ0 の位置合わせ用のア
ライメントマークが前記ウエハＷ0 のアライメントマー
クに重なるようにウエハＷ0 の位置決めステージを駆動
するもので、このようにアライメント光Ｆ0 がＸ線Ｌ0
の光路の側傍のアライメント光学系１０３からアパーチ
ャ１０１の各アパーチャブレード１１１を斜めに横切っ
て照射されるため、各アパーチャブレード１１１の材料
にアライメント光Ｆ0 を透過させるものを選ぶか、ある
いは位置合わせを行なうときに各アパーチャブレード１
１１を後退させるように構成するのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、前述のようにＸ線の不必要な周辺部分
を遮断するアパーチャの各アパーチャブレードがアライ
メント光を透過する材料で作られている場合でも、各ア
パーチャブレードの端縁がアライメント光の光路に位置
していると、各アパーチャブレードの端縁によるアライ
メント光の乱反射や回折等のために位置合わせの精度が
低下し、その結果、ウエハに転写される回路パターン等
の精度が損なわれる。
の技術によれば、前述のようにＸ線の不必要な周辺部分
を遮断するアパーチャの各アパーチャブレードがアライ
メント光を透過する材料で作られている場合でも、各ア
パーチャブレードの端縁がアライメント光の光路に位置
していると、各アパーチャブレードの端縁によるアライ
メント光の乱反射や回折等のために位置合わせの精度が
低下し、その結果、ウエハに転写される回路パターン等
の精度が損なわれる。
【０００８】また、アライメント光による位置合わせを
行なうときに各アパーチャブレード１１１が後退するよ
うに構成されたものは、ウエハの露光中に位置合わせを
行なうことができず、従って、露光中にウエハとマスク
の間に位置ずれが発生した場合の対応が難しい。
行なうときに各アパーチャブレード１１１が後退するよ
うに構成されたものは、ウエハの露光中に位置合わせを
行なうことができず、従って、露光中にウエハとマスク
の間に位置ずれが発生した場合の対応が難しい。
【０００９】本発明は上記従来の技術の有する問題点に
鑑みてなされてものであって、アライメント光の乱反射
や回折等のためにウエハとマスクの位置合わせの精度が
損なわれるおそれのない露光装置および集積回路の製造
方法を提供することを目的とするものである。
鑑みてなされてものであって、アライメント光の乱反射
や回折等のためにウエハとマスクの位置合わせの精度が
損なわれるおそれのない露光装置および集積回路の製造
方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め第１の発明の露光装置は、マスクの回路パターンを基
板に露光する露光装置において、露光光の一部分を遮蔽
しアライメント光を透過させる遮光部と、該露光光の必
要部分が前記回路パターンと前記マスクのアライメント
マークへ照射されるよう設けた開口と、を有する開口手
段と、前記アライメント光を、前記遮光部を透過させ
て、前記アライメントマークの中心に前記アライメント
光の中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記開口を
通過した前記露光光は、光学系を介さず前記マスクへ照
射され、前記開口手段と前記マスクの離間距離Ｅが以下
の関係を満足することを特徴とする。Ｅ≧（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅
め第１の発明の露光装置は、マスクの回路パターンを基
板に露光する露光装置において、露光光の一部分を遮蔽
しアライメント光を透過させる遮光部と、該露光光の必
要部分が前記回路パターンと前記マスクのアライメント
マークへ照射されるよう設けた開口と、を有する開口手
段と、前記アライメント光を、前記遮光部を透過させ
て、前記アライメントマークの中心に前記アライメント
光の中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記開口を
通過した前記露光光は、光学系を介さず前記マスクへ照
射され、前記開口手段と前記マスクの離間距離Ｅが以下
の関係を満足することを特徴とする。Ｅ≧（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅
【００１１】また、第２の発明の露光装置は、マスクの
回路パターンを基板に露光する露光 装置において、露光
光の一部分を遮光する遮光部と、該露光光の必要部分が
前記回路パターンと前記マスクのアライメントマークへ
照射されるよう設けた開口と、を有する開口手段と、ア
ライメント光を、前記遮光部に設けられた窓を透過させ
て、前記アライメントマークの中心に前記アライメント
光の中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記開口を
通過した前記露光光は、光学系を介さず前記マスクへ照
射され、前記開口手段と前記マスクの離間距離Ｅが以下
の関係を満足することを特徴とする。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｂ：前記遮光部の端縁と前記窓との距離
回路パターンを基板に露光する露光 装置において、露光
光の一部分を遮光する遮光部と、該露光光の必要部分が
前記回路パターンと前記マスクのアライメントマークへ
照射されるよう設けた開口と、を有する開口手段と、ア
ライメント光を、前記遮光部に設けられた窓を透過させ
て、前記アライメントマークの中心に前記アライメント
光の中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記開口を
通過した前記露光光は、光学系を介さず前記マスクへ照
射され、前記開口手段と前記マスクの離間距離Ｅが以下
の関係を満足することを特徴とする。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｂ：前記遮光部の端縁と前記窓との距離
【００１２】さらに、第３の発明の露光装置は、Ｘ線を
用いて、マスクの回路パターンを基板に露光する露光装
置において、前記Ｘ線の一部分を遮蔽しアライメント光
を透過させる遮光壁と、前記Ｘ線の必要部分が前記回路
パターンと前記マスクのアライメントマークへ照射され
るよう設けたＸ線取り出し窓と、を有する減圧室の側壁
と、前記アライメント光を、前記遮光壁を透過させて、
前記アライメントマークの中心に前記アライメント光の
中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク領域
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記Ｘ線取
り出し窓を通過した前記Ｘ線は、光学系を介さず前記マ
スクへ照射され、前記Ｘ線取り出し窓と前記マスクの離
間距離Ｅが以下の関係を満足することを特徴とする。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｄ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記Ｘ線の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記遮光壁を透過するときのビーム幅 γ：前記Ｘ線の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｄ：前記Ｘ線取り出し窓を減圧室の遮光壁に固定するための重ねしろ の幅
用いて、マスクの回路パターンを基板に露光する露光装
置において、前記Ｘ線の一部分を遮蔽しアライメント光
を透過させる遮光壁と、前記Ｘ線の必要部分が前記回路
パターンと前記マスクのアライメントマークへ照射され
るよう設けたＸ線取り出し窓と、を有する減圧室の側壁
と、前記アライメント光を、前記遮光壁を透過させて、
前記アライメントマークの中心に前記アライメント光の
中心がほぼ一致するように前記アライメントマーク領域
に照射するアライメント光学系と、を有し、前記Ｘ線取
り出し窓を通過した前記Ｘ線は、光学系を介さず前記マ
スクへ照射され、前記Ｘ線取り出し窓と前記マスクの離
間距離Ｅが以下の関係を満足することを特徴とする。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｄ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記Ｘ線の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記遮光壁を透過するときのビーム幅 γ：前記Ｘ線の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｄ：前記Ｘ線取り出し窓を減圧室の遮光壁に固定するための重ねしろ の幅
【００１３】加えて、集積回路の製造方法は、集積回路
の製造方法において、基板を用意する段階と、請求項１
ないし５いずれか１項記載の露光装置により回路パター
ンを前記基板に露光する段階と、を有することを特徴と
する。
の製造方法において、基板を用意する段階と、請求項１
ないし５いずれか１項記載の露光装置により回路パター
ンを前記基板に露光する段階と、を有することを特徴と
する。
【００１４】
【作用】開口手段の開口は、マスクの回路パターンとそ
の外側のアライメントマーク領域のアライメントマーク
を基板に転写するのに必要な露光光のみを通過させる。
他方、アライメント光は露光光の光路の側傍から開口手
段の遮光部を経てマスクのアライメントマーク領域に設
けられた位置合わせ用のアライメントマークに照射され
る。開口手段とマスクの離間距離Ｅが上記の関係を満足
すれば、アライメント光全体が開口手段の開口の外側の
遮光部を透過するため、開口手段の開口周縁によってア
ライメント光が乱反射されたり回折を起こし、位置合わ
せの精度を損なうおそれがない。
の外側のアライメントマーク領域のアライメントマーク
を基板に転写するのに必要な露光光のみを通過させる。
他方、アライメント光は露光光の光路の側傍から開口手
段の遮光部を経てマスクのアライメントマーク領域に設
けられた位置合わせ用のアライメントマークに照射され
る。開口手段とマスクの離間距離Ｅが上記の関係を満足
すれば、アライメント光全体が開口手段の開口の外側の
遮光部を透過するため、開口手段の開口周縁によってア
ライメント光が乱反射されたり回折を起こし、位置合わ
せの精度を損なうおそれがない。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１６】図１は第１実施例による、精細化の進んだ
集積回路の製造を行なうための露光装置の主要部を説明
するもので、これは、基板であるウエハＷ1 を保持して
公知のステップ移動および位置合わせを行なう図示しな
い位置決めステージと、光源Ｑ1 から発生される荷電粒
子蓄積リング放射光等の露光光であるＸ線Ｌ1 の必要部
分を除く残りの不要な周辺部分を遮光するアパーチャブ
レードを有する開口手段であるアパーチャ１と、ウエハ
Ｗ1 に近接してマスクＭ1 を位置決めするマスクステー
ジ２を有し、マスクステージ２はマスクＭ1 と一体であ
るマスクフレーム２ａを保持しており、マスクＭ1 は、
Ｘ線を透過するＸ線透過膜とこれに被着されたＡｕ
（金）等のＸ線遮光膜からなり、ウエハＷ1 の回路パタ
ーン転写領域Ｓ1 に所定の回路パターンを転写するため
の転写パターンである回路パターンＰ1を有し、また、
その外周のアライメントマーク領域には、マスクＭ1 と
ウエハＷ1 の位置合わせに用いられる図示しない位置合
わせ用のアライメントマークと、前記回路パターンとと
もに次回のリソグラフィのためのアライメントマークを
ウエハＷ1 のスクライブラインＤ1 に転写するための転
写用のアライメントマークＡe が設けられている。
集積回路の製造を行なうための露光装置の主要部を説明
するもので、これは、基板であるウエハＷ1 を保持して
公知のステップ移動および位置合わせを行なう図示しな
い位置決めステージと、光源Ｑ1 から発生される荷電粒
子蓄積リング放射光等の露光光であるＸ線Ｌ1 の必要部
分を除く残りの不要な周辺部分を遮光するアパーチャブ
レードを有する開口手段であるアパーチャ１と、ウエハ
Ｗ1 に近接してマスクＭ1 を位置決めするマスクステー
ジ２を有し、マスクステージ２はマスクＭ1 と一体であ
るマスクフレーム２ａを保持しており、マスクＭ1 は、
Ｘ線を透過するＸ線透過膜とこれに被着されたＡｕ
（金）等のＸ線遮光膜からなり、ウエハＷ1 の回路パタ
ーン転写領域Ｓ1 に所定の回路パターンを転写するため
の転写パターンである回路パターンＰ1を有し、また、
その外周のアライメントマーク領域には、マスクＭ1 と
ウエハＷ1 の位置合わせに用いられる図示しない位置合
わせ用のアライメントマークと、前記回路パターンとと
もに次回のリソグラフィのためのアライメントマークを
ウエハＷ1 のスクライブラインＤ1 に転写するための転
写用のアライメントマークＡe が設けられている。
【００１７】Ｘ線Ｌ1 によるウエハＷ1 の露光は、Ｘ線
Ｌ1 の不要な周辺部分をアパーチャ１のアパーチャブレ
ードによって遮断し、必要部分のみを通過させてマスク
Ｍ1に照射し、前述の回路パターンと次回のリソグラフ
ィのためのアライメントマークとをウエハＷ1 に転写す
る。
Ｌ1 の不要な周辺部分をアパーチャ１のアパーチャブレ
ードによって遮断し、必要部分のみを通過させてマスク
Ｍ1に照射し、前述の回路パターンと次回のリソグラフ
ィのためのアライメントマークとをウエハＷ1 に転写す
る。
【００１８】このようにしてＸ線Ｌ1 による露光を行な
う前や露光中には、前述のマスクＭ1 の位置合わせ用の
アライメントマークと、前回のリソグラフィによってウ
エハＷ1 のスクライブラインＤ1 に焼付けられたアライ
メントマークを用いてウエハＷ1 とマスクＭ1 の位置合
わせが行なわれる。この位置合わせは、Ｘ線Ｌ1 の光路
の側傍に配設されたアライメント光学系３から発生され
るアライメント光Ｆ1をマスクＭ1 を経てウエハＷ1 に
照射し、マスクＭ1 の位置合わせ用のアライメントマー
クがウエハＷ1 のアライメントマークに重なるようにウ
エハＷ1 の位置決めステージを駆動するものであり、こ
のように、ウエハＷ1 とマスクＭ1 の位置合わせがＸ線
Ｌ1 の光路の側傍から照射されるアライメント光Ｆ1 に
よって行なわれるため、アパーチャ１の遮光部（アパー
チャブレード）にはＸ線Ｌ1 を遮断しアライメント光Ｆ
1 を透過させる材料、例えばアライメント光Ｆ1 が波長
７８０ｎｍの光である場合には厚さ２００μｍのガラス
板が用いられる。
う前や露光中には、前述のマスクＭ1 の位置合わせ用の
アライメントマークと、前回のリソグラフィによってウ
エハＷ1 のスクライブラインＤ1 に焼付けられたアライ
メントマークを用いてウエハＷ1 とマスクＭ1 の位置合
わせが行なわれる。この位置合わせは、Ｘ線Ｌ1 の光路
の側傍に配設されたアライメント光学系３から発生され
るアライメント光Ｆ1をマスクＭ1 を経てウエハＷ1 に
照射し、マスクＭ1 の位置合わせ用のアライメントマー
クがウエハＷ1 のアライメントマークに重なるようにウ
エハＷ1 の位置決めステージを駆動するものであり、こ
のように、ウエハＷ1 とマスクＭ1 の位置合わせがＸ線
Ｌ1 の光路の側傍から照射されるアライメント光Ｆ1 に
よって行なわれるため、アパーチャ１の遮光部（アパー
チャブレード）にはＸ線Ｌ1 を遮断しアライメント光Ｆ
1 を透過させる材料、例えばアライメント光Ｆ1 が波長
７８０ｎｍの光である場合には厚さ２００μｍのガラス
板が用いられる。
【００１９】アパーチャ１の遮光部は前述のようにアラ
イメント光Ｆ1 を透過させる材料で作られているが、ア
ライメント光Ｆ1 の光路にアパーチャ１の開口１ａの周
縁すなわち遮光部の端縁が位置しているとここでアライ
メント光Ｆ1 の一部が乱反射されたり回折等のトラブル
を発生し、このために前記位置合わせの精度が著しく損
なわれるおそれがある。そこでアパーチャ１とマスクＭ
1 の離間距離Ｅを以下の式（１）によって算出される最
小値ｅより大きくすることで、アパーチャ１の開口１ａ
を通過するＸ線の必要部分のビーム幅がマスクＭ1 の転
写用のアライメントマークＡe を露光してこれをウエハ
Ｗ1 のスクライブラインＤ1 上に転写するのに充分であ
り、しかもアパーチャ１の開口１ａの周縁１ｂがアライ
メント光Ｆ1 の光路の外側に位置するように構成する。
このようにして、アライメント光Ｆ1 の乱反射等による
位置合わせの精度の低下を防止することができる。 ｅ＝（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ・・・・・（１） ここで、θ：Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 とアライメント光Ｆ1 の光軸のなす角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 がアパーチャ１を透過するときのビーム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 なお、式（１）は以下のように導出されたものである。
イメント光Ｆ1 を透過させる材料で作られているが、ア
ライメント光Ｆ1 の光路にアパーチャ１の開口１ａの周
縁すなわち遮光部の端縁が位置しているとここでアライ
メント光Ｆ1 の一部が乱反射されたり回折等のトラブル
を発生し、このために前記位置合わせの精度が著しく損
なわれるおそれがある。そこでアパーチャ１とマスクＭ
1 の離間距離Ｅを以下の式（１）によって算出される最
小値ｅより大きくすることで、アパーチャ１の開口１ａ
を通過するＸ線の必要部分のビーム幅がマスクＭ1 の転
写用のアライメントマークＡe を露光してこれをウエハ
Ｗ1 のスクライブラインＤ1 上に転写するのに充分であ
り、しかもアパーチャ１の開口１ａの周縁１ｂがアライ
メント光Ｆ1 の光路の外側に位置するように構成する。
このようにして、アライメント光Ｆ1 の乱反射等による
位置合わせの精度の低下を防止することができる。 ｅ＝（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ・・・・・（１） ここで、θ：Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 とアライメント光Ｆ1 の光軸のなす角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 がアパーチャ１を透過するときのビーム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 なお、式（１）は以下のように導出されたものである。
【００２０】図２の（ａ）において、アパーチャ１の開
口１ａを通過したＸ線Ｌ1 の最外周部Ｌe がマスクＭ1
の転写用のアライメントマークＡe の幅方向の外端まで
到達し、位置合わせ用のアライメントマークを照射する
アライメント光Ｆ1 の前記方向の内端部Ｆe がアパーチ
ャ１の開口１ａの周縁１ｂ上に位置するとき、アパーチ
ャ１とマスクＭ1 の離間距離をＥ1 とすれば以下の関係
が成立する。
口１ａを通過したＸ線Ｌ1 の最外周部Ｌe がマスクＭ1
の転写用のアライメントマークＡe の幅方向の外端まで
到達し、位置合わせ用のアライメントマークを照射する
アライメント光Ｆ1 の前記方向の内端部Ｆe がアパーチ
ャ１の開口１ａの周縁１ｂ上に位置するとき、アパーチ
ャ１とマスクＭ1 の離間距離をＥ1 とすれば以下の関係
が成立する。
【００２１】 Ｅ1 （ｔａｎθ＋ｔａｎγ）＝ｆ／２＋ｍ／２ すなわち、 Ｅ1 ＝（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ・・・・・（２） アパーチャ１とマスクＭ1 の離間距離ＥがＥ1 より大で
あれば、図２の（ｂ）に示すように、アライメント光Ｆ
1 の前記内端部Ｆe がアパーチャ１の開口１ａの周縁１
ｂの外側に位置し、これによって乱反射や回折を起こす
それがないうえに、アパーチャ１の開口１ａを通過した
Ｘ線Ｌ1 がマスクＭ1 の転写用のアライメントマークＡ
e の外端まで充分に照射できる。そこで、離間距離Ｅ1
を最小値ｅとする。
あれば、図２の（ｂ）に示すように、アライメント光Ｆ
1 の前記内端部Ｆe がアパーチャ１の開口１ａの周縁１
ｂの外側に位置し、これによって乱反射や回折を起こす
それがないうえに、アパーチャ１の開口１ａを通過した
Ｘ線Ｌ1 がマスクＭ1 の転写用のアライメントマークＡ
e の外端まで充分に照射できる。そこで、離間距離Ｅ1
を最小値ｅとする。
【００２２】（具体例） Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に対するアライメント光Ｆ1 の光軸
の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメント光Ｆ1 のビ
ーム幅ｆが１００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の
最大値γが２ｍｒａｄ、マスクＭ1 の転写用のアライメ
ントマークＡeの幅が１００μｍであるとき、アパーチ
ャ１とマスクＭ1 の離間距離Ｅの最小値ｅは式（１）か
ら１２．５ｍｍと算出され、余裕をもって、アパーチャ
１とマスクＭ1 の離間距離Ｅを１５ｍｍと設定した。な
お、アライメント光Ｆ1 のビーム幅はアライメント光Ｆ
1 の強度がガウス分布であると推定しその最大強度に対
して強度５％以上であるものを採用した。
の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメント光Ｆ1 のビ
ーム幅ｆが１００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の
最大値γが２ｍｒａｄ、マスクＭ1 の転写用のアライメ
ントマークＡeの幅が１００μｍであるとき、アパーチ
ャ１とマスクＭ1 の離間距離Ｅの最小値ｅは式（１）か
ら１２．５ｍｍと算出され、余裕をもって、アパーチャ
１とマスクＭ1 の離間距離Ｅを１５ｍｍと設定した。な
お、アライメント光Ｆ1 のビーム幅はアライメント光Ｆ
1 の強度がガウス分布であると推定しその最大強度に対
して強度５％以上であるものを採用した。
【００２３】本具体例によれば、アライメント光がアパ
ーチャの遮光部の端縁によって乱反射されたり回折を起
こすおそれがない。その結果、ウエハとマスクの位置合
わせを高精度で行なうことが容易であり、極めて高精度
の転写、焼付けが可能なＸ線露光装置を実現できる。
ーチャの遮光部の端縁によって乱反射されたり回折を起
こすおそれがない。その結果、ウエハとマスクの位置合
わせを高精度で行なうことが容易であり、極めて高精度
の転写、焼付けが可能なＸ線露光装置を実現できる。
【００２４】図３は第２実施例の主要部を説明する説明
図であって、これは、第１実施例のアパーチャ１の替わ
りに、開口２０ａの周縁に高い直線性を得ることができ
るように加工性の良い金属でアパーチャブレード２１を
製作し、これに、アライメント光のための窓２２を設け
たアパーチャ２０を用いたものである。
図であって、これは、第１実施例のアパーチャ１の替わ
りに、開口２０ａの周縁に高い直線性を得ることができ
るように加工性の良い金属でアパーチャブレード２１を
製作し、これに、アライメント光のための窓２２を設け
たアパーチャ２０を用いたものである。
【００２５】アパーチャ２０のアライメント光用の窓２
２は、図４に示すようにアパーチャブレード２１の端縁
２１ａから距離Ｂの部分に設置され、Ｘ線Ｌ1 を遮断し
アライメント光Ｆ1 を透過させる材料、例えばアライメ
ント光Ｆ1 が波長７８０ｎｍの光である場合には厚さ２
００μｍのガラス板で作られている。なお、窓２２は、
これとアパーチャ２０の開口２０ａの周縁との間にＸ線
Ｌ1 の必要部分の外端が位置するように設定されていれ
ば、単なる開口でもよい。
２は、図４に示すようにアパーチャブレード２１の端縁
２１ａから距離Ｂの部分に設置され、Ｘ線Ｌ1 を遮断し
アライメント光Ｆ1 を透過させる材料、例えばアライメ
ント光Ｆ1 が波長７８０ｎｍの光である場合には厚さ２
００μｍのガラス板で作られている。なお、窓２２は、
これとアパーチャ２０の開口２０ａの周縁との間にＸ線
Ｌ1 の必要部分の外端が位置するように設定されていれ
ば、単なる開口でもよい。
【００２６】窓２２の開口幅は、アライメント光Ｆ1 が
アパーチャ２０を透過するときのビーム幅ｆよりも大き
く設定されている。
アパーチャ２０を透過するときのビーム幅ｆよりも大き
く設定されている。
【００２７】本実施例においては、アパーチャ２０とマ
スクＭ1 との離間距離Ｅに関して、式（２）の変わりに
式（３）が成立する。
スクＭ1 との離間距離Ｅに関して、式（２）の変わりに
式（３）が成立する。
【００２８】 Ｅ2 （ｔａｎθ＋ｔａｎγ）＝（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ ・・・・・（３） 従って、式（１）の替わりに以下の式（４）が用いられ
る。 ｅ＝｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）・・・・・（４） ここで、 θ：Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 とアライメント光Ｆ1 の光軸の
なす角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 がアパーチャ２０を透過すると
きのビーム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 （具体例） アパーチャ２０の周縁から窓２２までの距離Ｂが１ｍ
ｍ、Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1に対するアライメント光Ｆ1 の
光軸の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメント光Ｆ1
のビーム幅ｆが最大８００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の必要部分の
発散角の最大値γが２ｍｒａｄ、転写用のアライメント
マークＡe の幅が１００μｍであるとき、アパーチャ２
０とマスクＭ1 の離間距離Ｅの最小値ｅは式（４）から
４０．７ｍｍと算出される。
る。 ｅ＝｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）・・・・・（４） ここで、 θ：Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 とアライメント光Ｆ1 の光軸の
なす角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 がアパーチャ２０を透過すると
きのビーム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 （具体例） アパーチャ２０の周縁から窓２２までの距離Ｂが１ｍ
ｍ、Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1に対するアライメント光Ｆ1 の
光軸の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメント光Ｆ1
のビーム幅ｆが最大８００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の必要部分の
発散角の最大値γが２ｍｒａｄ、転写用のアライメント
マークＡe の幅が１００μｍであるとき、アパーチャ２
０とマスクＭ1 の離間距離Ｅの最小値ｅは式（４）から
４０．７ｍｍと算出される。
【００２９】窓２２の周縁による回折等の影響を完全に
防ぐために、アパーチャ２０とマスクＭ1 の離間距離を
４２ｍｍと設定した。この値は、式（１）の右辺に各パ
ラメータを代入した値１２．２ｍｍよりも大きくなるこ
とは自明である。
防ぐために、アパーチャ２０とマスクＭ1 の離間距離を
４２ｍｍと設定した。この値は、式（１）の右辺に各パ
ラメータを代入した値１２．２ｍｍよりも大きくなるこ
とは自明である。
【００３０】図５は第３実施例の主要部を説明する説明
図である。本実施例は減圧室に導入されたＸ線Ｌ1 をＸ
線取り出し窓３０から取り出して減圧室の外に配置され
たマスクＭ1 を経てウエハＷ1 を露光するいわゆる大気
露光のＸ線露光装置である。
図である。本実施例は減圧室に導入されたＸ線Ｌ1 をＸ
線取り出し窓３０から取り出して減圧室の外に配置され
たマスクＭ1 を経てウエハＷ1 を露光するいわゆる大気
露光のＸ線露光装置である。
【００３１】このような大気露光の場合は、Ｘ線の減衰
を防ぐためにできるだけマスクに近接してＸ線取り出し
窓を配設することが望まれる。Ｘ線取り出し窓３０には
特にＳＲ−Ｘ線等の軟Ｘ線の透過率の良い材料の薄膜、
例えば１０μｍ厚のベリリウムが用いられる。Ｘ線取り
出し窓３０は減圧室の遮光壁である側壁３１に固定さ
れ、側壁３１の、少なくともアライメント光Ｆ1 を透過
させる部分が、例えば、１ｍｍ厚のガラス材で形成され
ている。
を防ぐためにできるだけマスクに近接してＸ線取り出し
窓を配設することが望まれる。Ｘ線取り出し窓３０には
特にＳＲ−Ｘ線等の軟Ｘ線の透過率の良い材料の薄膜、
例えば１０μｍ厚のベリリウムが用いられる。Ｘ線取り
出し窓３０は減圧室の遮光壁である側壁３１に固定さ
れ、側壁３１の、少なくともアライメント光Ｆ1 を透過
させる部分が、例えば、１ｍｍ厚のガラス材で形成され
ている。
【００３２】本実施例においては、図６に示すように、
Ｘ線取り出し窓３０を減圧室の側壁３１に固定するため
のいわゆる重ねしろの幅Ｄが必要である。Ｘ線取り出し
窓３０は前述のようにベリリウムの薄膜で作られている
ため、アライメント光Ｆ1 を透過できない。このため、
アライメント光Ｆ1 は重ねしろＤを避ける部分を透過さ
せる必要がある。そこで、本実施例においては、式
（２）の替わりに式（５）が成立し、従って、式（１）
の替わりに式（６）が用いられる。
Ｘ線取り出し窓３０を減圧室の側壁３１に固定するため
のいわゆる重ねしろの幅Ｄが必要である。Ｘ線取り出し
窓３０は前述のようにベリリウムの薄膜で作られている
ため、アライメント光Ｆ1 を透過できない。このため、
アライメント光Ｆ1 は重ねしろＤを避ける部分を透過さ
せる必要がある。そこで、本実施例においては、式
（２）の替わりに式（５）が成立し、従って、式（１）
の替わりに式（６）が用いられる。
【００３３】 Ｅ3 （ｔａｎθ＋ｔａｎγ）＝（ｆ＋ｍ）／２＋Ｄ ・・・・・（５） ｅ＝｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｄ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）・・・・・（６） θ：アライメント光Ｆ1 の光軸とＸ線Ｌ1 の光軸とのな
す角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 が遮光壁を透過するときのビー
ム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 （具体例） Ｘ線取り出し窓３０と減圧室の側壁３１と重ねしろの幅
Ｄが１ｍｍ、Ｘ線Ｌ1の光軸Ｏ1 に対するアライメント
光Ｆ1 の光軸の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメン
ト光Ｆ1 のビーム幅が最大８００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の発散
角の最大値γが２ｍｒａｄ、マスクＭ1 の転写用のアラ
イメントマークＡe の幅が１００μｍであるとき、Ｘ線
取り出し窓３０とマスクＭ1 との離間距離Ｅの最小値ｅ
は式（６）から４０．７ｍｍと算出される。
す角度 ｆ：アライメント光Ｆ1 が遮光壁を透過するときのビー
ム幅 γ：Ｘ線Ｌ1 の必要部分の発散角の最大値 ｍ：転写用のアライメントマークＡe の幅 （具体例） Ｘ線取り出し窓３０と減圧室の側壁３１と重ねしろの幅
Ｄが１ｍｍ、Ｘ線Ｌ1の光軸Ｏ1 に対するアライメント
光Ｆ1 の光軸の傾斜角度θが３５ｍｒａｄ、アライメン
ト光Ｆ1 のビーム幅が最大８００μｍ、Ｘ線Ｌ1 の発散
角の最大値γが２ｍｒａｄ、マスクＭ1 の転写用のアラ
イメントマークＡe の幅が１００μｍであるとき、Ｘ線
取り出し窓３０とマスクＭ1 との離間距離Ｅの最小値ｅ
は式（６）から４０．７ｍｍと算出される。
【００３４】Ｘ線取り出し窓３０を減圧室の側壁３１に
固定する際の重ねしろを正確に１．０００ｍｍにするこ
とが難しいため、Ｘ線取り出し窓３０とマスクＭ1 の離
間距離Ｅは、余裕をもたせて４５ｍｍと設定した。この
値は、式（１）によって算出した値１２．２ｍｍよりも
大きくなることは自明である。
固定する際の重ねしろを正確に１．０００ｍｍにするこ
とが難しいため、Ｘ線取り出し窓３０とマスクＭ1 の離
間距離Ｅは、余裕をもたせて４５ｍｍと設定した。この
値は、式（１）によって算出した値１２．２ｍｍよりも
大きくなることは自明である。
【００３５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３６】アパーチャの開口の周縁によってアライメ
ント光が乱反射されたり回折等を起こし、そのためにウ
エハとマスクの位置合わせの精度が損なわれるおそれが
ない。従って、高精度の回路パターン転写が容易であ
る。
ント光が乱反射されたり回折等を起こし、そのためにウ
エハとマスクの位置合わせの精度が損なわれるおそれが
ない。従って、高精度の回路パターン転写が容易であ
る。
【図１】第１実施例の主要部を示す模式部分断面図であ
る。
る。
【図２】図１の装置のアパーチャとマスクの関係を説明
する説明図であって、（ａ）はアパーチャとマスクの離
間距離が最小値であるとき、（ｂ）は前記離間距離が最
小値を越える場合を説明するものである。
する説明図であって、（ａ）はアパーチャとマスクの離
間距離が最小値であるとき、（ｂ）は前記離間距離が最
小値を越える場合を説明するものである。
【図３】第２実施例の主要部を示す模式部分断面図であ
る。
る。
【図４】図４の装置のアパーチャとマスクの関係を説明
する説明図である。
する説明図である。
【図５】第３実施例の主要部を示す模式部分断面図であ
る。
る。
【図６】図５のＸ線取り出し窓とマスクの関係を説明す
る説明図である。
る説明図である。
【図７】従来例の主要部を示す模式部分断面図である。
Ｌ1 Ｘ線 Ｗ1 ウエハ Ｍ1 マスク Ｆ1 アライメント光 １，２０ アパーチャ １ａ，２０ａ アパーチャの開口 １ｂ アパーチャの開口の周縁 ２ マスクステージ ３ アライメント光学系 ２２ 窓 ３０ Ｘ線取り出し窓 ３１ 側壁
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクの回路パターンを基板に露光する
露光装置において、 露光光の一部分を遮蔽しアライメント光を透過させる遮
光部と、該露光光の必要部分が前記回路パターンと前記
マスクのアライメントマークへ照射されるよう設けた開
口と、を有する 開口手段と、前記アライメント光を、前記遮光部を透過させて、前記
アライメントマークの中心に前記アライメント光の中心
がほぼ一致するように前記アライメントマークに照射す
るアライメント光学系と、 を有し、前記開口を通過した前記露光光は、光学系を介さず前記
マスクへ照射され、 前記開口手段と前記マスクの離間距
離Ｅが以下の関係を満足することを特徴とする露光装
置。 Ｅ≧（ｆ＋ｍ）／｛２（ｔａｎθ＋ｔａｎγ）｝ ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 - 【請求項２】 マスクの回路パターンを基板に露光する
露光装置において、露光光の一部分を遮光する遮光部
と、該露光光の必要部分が前記回路パターンと前記マス
クのアライメントマークへ照射されるよう設けた開口
と、を有する開口手段と、 アライメント光を、前記遮光部に設けられた窓を透過さ
せて、前記アライメントマークの中心に前記アライメン
ト光の中心がほぼ一致するように前記アライメントマー
クに照射するアライメント光学系と、を有し、前記開口
を通過した前記露光光は、光学系を介さず前記マスクへ
照射され、前記開口手段と前記マスクの離間距離Ｅが以
下の関係を満足することを特徴とする露光装置。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｂ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記露光光の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記開口手段を透過するときのビーム幅 γ：前記露光光の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｂ：前記遮光部の端縁と前記窓との距離 - 【請求項３】 Ｘ線を用いて、マスクの回路パターンを
基板に露光する露光装置において、 前記Ｘ線の一部分を遮蔽しアライメント光を透過させる
遮光壁と、前記Ｘ線の必要部分が前記回路パターンと前
記マスクのアライメントマークへ照射されるよう設けた
Ｘ線取り出し窓と、を有する減圧室の側壁と、 前記アライメント光を、前記遮光壁を透過させて、前記
アライメントマークの中心に前記アライメント光の中心
がほぼ一致するように前記アライメントマークに照射す
るアライメント光学系と、を有し、 前記Ｘ線取り出し窓を通過した前記Ｘ線は、光学系を介
さず前記マスクへ照射され、 前記Ｘ線取り出し窓と前記マスクの離間距離Ｅが以下の
関係を満足することを特徴とする露光装置。 Ｅ≧｛（ｆ＋ｍ）／２＋Ｄ｝／（ｔａｎθ＋ｔａｎγ） ここで、θ：前記Ｘ線の光軸と前記アライメント光の光軸のなす角度 ｆ：前記アライメント光が前記遮光壁を透過するときのビーム幅 γ：前記Ｘ線の必要部分の発散角の最大値 ｍ：前記アライメントマークの幅 Ｄ：前記Ｘ線取り出し窓を減圧室の遮光壁に固定するための重ねしろ の幅 - 【請求項４】 前記露光光がＸ線を含むことを特徴とす
る請求項１または２記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記Ｘ線がシンクロトロン放射光である
ことを特徴とする請求項３または４記載の露光装置。 - 【請求項６】 集積回路の製造方法において、基板を用
意する段階と、請求 項１ないし５いずれか１項記載の露
光装置により回路パターンを前記基板に露光する段階
と、を有することを特徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09451095A JP3291408B2 (ja) | 1994-04-04 | 1995-03-28 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
| US08/416,097 US5600698A (en) | 1994-04-04 | 1995-04-04 | X-ray exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8916894 | 1994-04-04 | ||
| JP6-89168 | 1994-04-04 | ||
| JP09451095A JP3291408B2 (ja) | 1994-04-04 | 1995-03-28 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326574A JPH07326574A (ja) | 1995-12-12 |
| JP3291408B2 true JP3291408B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=26430601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| US6240158B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system |
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| JP2000357643A (ja) | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた露光装置 |
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1995
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07326574A (ja) | 1995-12-12 |
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