JP2000260690A

JP2000260690A - Ｘ線露光装置

Info

Publication number: JP2000260690A
Application number: JP11060728A
Authority: JP
Inventors: Hirohisa Ota; 裕久太田; Takayuki Hasegawa; 隆行長谷川; Goji Miyaji; 剛司宮地
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-03-08
Filing date: 1999-03-08
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】マスク倍率を機械的手段で変形して補正した
場合にも高精度の位置合わせ、露光を可能にする。【解決手段】マスクの倍率補正によるマスクパターン
の平面内の回転（θ方向）の位置ずれ量または平面の傾
き方向（ωｘ、ωｙ）の位置ずれ量に応じてＡＡもしく
はＡＦ測定値またはステージ駆動量を補正する。また、
倍率補正量を複数回に分割し、該分割した補正量を逐一
該マスク倍率補正機構に指示するマスク倍率駆動制御手
段を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置で
用いられる、Ｘ線露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩなどで固体素子の集積度お
よび動作速度向上のため、回路パターンの微細化が進ん
でいる。これらのＬＳＩを製造する過程の回路パターン
形成では、将来的な露光技術として、ＳＲ光源等からの
高輝度Ｘ線を利用した微細パターンの形成が注目されて
いる。Ｘ線露光方法には、大別して波長０．５ｎｍから
２ｎｍのものを用いた近接等倍Ｘ線露光方法と、４ｎｍ
から２０ｎｍのものを用い、反射型マスクを用いた縮小
投影露光方法がある。

【０００３】前者では、本出願人から特開平２−１００
３１１に示す露光装置が提案されている。この方法は、
露光波長が短いため、原理的に０．１μｍ以下の高い解
像度が得られる可能性がある。近接等倍Ｘ線露光法で
は、等倍Ｘ線マスクと呼ばれる透過型マスクが用いられ
る。上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線が透過する部分
は、メンブレンと呼ばれるＳｉＮやＳｉＣ等の軽元素材
料で形成され、通常厚さ２μｍ程度で、３５ｍｍ□程度
の薄膜から成っている。上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ
線を吸収する部分としては、吸収体と呼ばれるＷやＴａ
等の重金属からなる厚さ０．５から１．０μｍ程度で回
路パターンが上記メンブレン上に形成されている。ま
た、近接等倍Ｘ線露光法の光学系は、例えば光源からの
Ｘ線をＸ線ミラーにより所定のフィールドサイズに拡大
しＸ線マスクを通してＸ線マスクと対時しているウエハ
基板にパターンを転写する。

【０００４】半導体デバイスを製造する過程において露
光工程はマスクを変えて複数回行われ、そのつど前工程
で既にウエハ上に形成されているパターンと現工程のマ
スクパターンを露光光軸に対し精度良く重ね合わせる必
要がある。その際、単なる位置ずれの補正だけでなくパ
ターンサイズの違い（倍率）をも補正する必要が生じ
る。しかしながら、上記従来技術で説明したような、近
接等倍Ｘ線露光法は、従来の光露光装置（紫外線等）と
異なる構成のため、ウエハ基板上に転写される露光転写
倍率をＸ線光学系を用いて可変にすることが困難であ
る。これは、レンズ群を用いた光学系にる光露光装置の
ような倍率補正が、Ｘ線光学系では、困難なため発生す
る固有の問題である。

【０００５】そこで、Ｘ線露光装置における、倍率補正
方法としてはマスク基板に面内応力や面外応力を作用さ
せ、マスク基板を積極的に変形させメンブレン上のパタ
ーン倍率を制御する方法が提案されている。例えば、面
内応力をマスク基板に作用させる従来例としては、特公
平４−６６０９５に示すように、マスクチャックのクラ
ンプ機構に機械的手段（電歪素子を利用）を設け、マス
ク支持フレームに変形を与える。結果として支持フレー
ム上のマスク基板が伸縮させられるものである。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来技術で説明したような、マスクに面内、面外応力
を作用させマスクを押し当て基準面等に押し当て変形さ
せてパターンの倍率を補正する方法においては、パター
ンのｘ、ｙ、ｚ方向の位置ずれが生ずるという問題があ
る。さらにこの幾何学的に生ずるずれｘ、ｙ、ｚ方向と
は別に、倍率補正駆動時の、機械的手段とマスク支持フ
レーム間、押し当て基準面とマスク支持フレーム間で生
ずる摩擦や、本来同時に駆動されるべき複数軸より構成
される機械的加圧手段に制御指示が与えられてから実際
に駆動がかかるまでのそれぞれの軸の間に生ずるタイミ
ングのずれなどにより、パターンが形成される面内での
回転（θ方向）が実際には発生してしまう。また、外力
を加えることにより、パターンが形成されるマスク面
の、ウエハ面（もしくは平行出し基準面）に対する傾き
が発生してしまう。この原因として例えば、押し当て基
準面と機械的手段とで弾性変形率が異なることが挙げら
れる。

【０００７】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、マスク倍率を機械的手段で変形
して補正した場合にも高精度の位置合わせ、露光が可能
なＸ線露光装置を提供すること、さらに、副次的に発生
してしまう面内での回転（θ方向）ずれ量を、倍率補正
量算出と同時に得られるウエハ上のパターンとマスク上
のパターンの回転（θ方向）補正に利用できる倍率補正
制御手順を搭載したＸ線露光装置を提供すると共に、よ
り効率よく半導体デバイスを製造することができるデバ
イス製造方法を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するために、本発明の第１の局面に係るＸ線露光装置
は、マスクの倍率補正によるマスクパターンの平面内の
回転方向の位置ずれ量または平面の傾き方向の位置ずれ
量に応じて相対位置ずれ測定値またはステージ駆動量を
補正することを特徴とする。マスクパターンの平面内の
回転方向の位置ずれ量または平面の傾き方向の位置ずれ
量は、例えばマスク倍率補正機構によるマスク倍率補正
後露光前に再度の相対位置ずれ測定を行ない、この測定
値とマスク倍率補正前の測定による測定値とから算出す
る。または予めマスクの倍率補正量とそれによるパター
ンの移動量との関係を測定しておき、その関係を表わす
テーブルを露光装置の制御装置に持たせ、マスク倍率補
正機構によるテーブルから読み出し、マスクパターンの
平面内の回転方向の位置ずれ量または平面の傾き方向の
位置ずれを算出する。本発明の第２の局面に係るＸ線露
光装置は、マスクの倍率補正において、倍率補正量を複
数回に分割し、該分割した補正量を逐一該マスク倍率補
正機構に指示するマスク倍率駆動制御手段を有すること
を特徴とする。

【０００９】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。［実施例１］図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
例に係わる近接等倍Ｘ線露光装置の構成を示す。図１
（ａ）において、１はマスク、２はメンブレンが蒸着さ
れている薄板（マスク基板）、３はマスク倍率補正機
構、４は突き当て基準となるマスク突き当てピン、５は
マスクチャックである。６は半導体ウエハ、７はウエハ
チャック、８はウエハステージ、９はマスク１上のアラ
イメントマークの座標を計測するための基準マークであ
る。１０はマスク１上のアライメントマークとウエハ上
のアライメントマークの面内位置ずれ計測（以下、ＡＡ
計測という）と、ギャップ計測（以下、ＡＦ計測とい
う）を行なうための計測装置（ピックアップ）、１１は
マスクチャック５ひいてはその上にチャッキングされて
いるマスク１をθ、Ｚおよびチルト（ωｘ、ωｙ）方向
に移動せしめるマスクステージである。

【００１０】図１（ｂ）は、マスク倍率補正機構３の構
成を示したものである。３−ａはピエゾ（ＰＺＴ）アク
チュエータ、１３−ａはＰＺＴアクチュエータ駆動用ド
ライバであるが、アクチュエータはＰＺＴ以外にモータ
や直動シリンダなど駆動力を発生するものであっても良
い。３−ｂは歪ゲージで構成されている荷重検出用のロ
ードセルである。１３−ｂはロードセル用アンプであ
る。ＰＺＴアクチュエータ３−ａ及びロードセル３−ｂ
の組は、Ｘ線マスク構造体のマスクパターンの面内に二
ヶ所設けてあり、各軸について荷重付与及び荷重測定を
独立して行なう事ができる。１２は荷重検出と起動量出
力を司る制御装置である。また、該制御装置１２は露光
装置全体を制御するものであり、倍率補正以外の制御も
行なう。

【００１１】図２および図３は、マスクの倍率補正によ
り起こるマスクパターンの移動を示したものであり、破
線で示した倍率（変形）を加えることで生ずるマスクパ
ターンの平面内の回転方向（θ）の移動を図２に、平面
の傾き方向（ωｘ）の移動を図３に表している（ωｙは
不図示）。

【００１２】上記構成における本発明を適用したグロー
バルアライメント時のステージ駆動パターンの決定方法
について図４のフローチャートを用いて説明する。ステ
ップ３０１でウエハ搬送系（不図示）によりウエハ６を
ウエハチャック７にチャッキングしプリアライメント
（不図示）の後、ステップ３０２で第１回目のグローバ
ルＡＡ計測、ＡＦ計測を行なう。この計測結果よりステ
ップ３０３でウエハ上のパターンの倍率を算出する。こ
の露光倍率結果よりマスクの倍率補正が必要であれば、
ステップ３０４で倍率補正機構３により変更する。図２
および図３に示したように、マスクの倍率補正を行なっ
たことによりマスクパターンは（Δｘ、Δｙ、Δｚ、△
θ、△ωｘ、△ωｙ）移動している（△ωｙは不図
示）。この量を補正するために、ステップ３０５でもう
一度グローバルＡＡ計測、ＡＦ計測を行なう。ステップ
３０６では、この結果よりステージの駆動パターンを決
定し、ウエハ露光の処理へ進む。

【００１３】以上説明したようなグローバルアライメン
トシーケンスを行なうことにより、マスクの倍率補正を
したことによるマスクパターンの移動量を補正すること
が可能となり、高精度のパターンの重ね合わせが可能と
なる。

【００１４】本発明は、特に、平面内回転方向の移動量
（△θ）および平面の傾き方向の移動量（△ωｘ、△ω
ｙ）を補正することを特徴とするものであり、以下の実
施例においては、マスクパターンのｘ、ｙ、ｚ方向への
移動量（Δｘ、Δｙ、Δｚ）の補正は上記の方法で行な
うものとし、特に言及はしない。

【００１５】［実施例２］図５（ａ）、（ｂ）は本発明
の実施例２におけるマスク倍率補正時のマスク上アライ
メントマークの移動を示したものである。同図におい
て、２１〜２４はマスク上アライメントマークである。
この実施例２は、上記実施例１よりさらにスループット
を向上するために、予め、マスクの倍率補正によるパタ
ーンの移動量をテーブルとして露光装置内に記憶させて
おくようにしたものである。図６は実施例２の計測シー
ケンスをフローチャートで示したものである。以下に図
１、図５および図６を参照しながら本実施例の流れにつ
いて説明する。

【００１６】テーブル作成、保存処理は以下のように実
行する。まず、ステップ５０１でマスク１をマスクチャ
ック５に付ける。ステップ５０２で基準マーク９上のア
ライメントマークがマスク上マーク２１（図５）の真下
に来るようにステージ８を駆動する。ステップ５０３に
おいてピックアップ１０でＡＡ、ＡＦ計測しながら所定
のギャップ位置にかつマーク間の位置ずれ量がなくなる
ようステージ８を追い込み、この時のステージ座標を制
御装置１２に保存する。ステップ５０４で４マークすべ
てに対し行ったかをチェックして、ステップ５０２〜５
０３をマーク２２〜２４（図５）についても同様に繰り
返し、それぞれのステージ座標を制御装置１２に保存す
る。次に、ステップ５０５でマスク倍率補正機構３を駆
動し、マスクを所望の倍率に設定する。ステップ５０６
において基準マーク９をステップ５０３で制御装置１２
に保存したウエハ上のアライメントマーク２１の座標の
位置に駆動する。ステップ５０７でＡＡ、ＡＦ計測を行
ない、マークの移動量を計測し、それぞれ△Ｘｕ、△Ｚ
ｕとして制御装置１２に保存する。ステップ５０８で４
マークすべてに対し行ったかをチェックして、ステップ
５０６〜５０７をマーク２２〜２４についても同様に繰
り返し行ない、各マークの移動量を測定し、それぞれ△
Ｘｄ、△Ｚｄ、△Ｙｌ、△Ｚｌ、△Ｙｒ、△Ｚｒとして
制御装置１２に保存する。ステップ５０９において、ス
テップ５０７で保存した４つのマーク２１〜２４の移動
量より、以下の式に従いマスクの中心の回転量θおよび
傾き（ωｘ、ωｙ）を算出する。

【００１７】

【数１】

【００１８】以上の計測を予め指定された各マスク倍率
で所定回数行ない（ステップ５１０で回数を確認し否な
らステップ５０５へ戻る）、ステップ５０９で算出した
値は、各マスクの倍率に対するマスク中心の回転量、マ
スクの傾きのテーブルとして作成し、制御装置１２に保
存する。

【００１９】露光処理は、まずステップ５１１で、ウエ
ハをウエハチャック７にチャッキングする。ステップ５
１２でグローバルアライメントのＡＡ、ＡＦ計測を行な
い、この結果より、ウエハにすでに焼き付けられている
パターンの位置と倍率を算出する。次にステップ５１３
で、このウエハの露光のためのステージの駆動パターン
が決められるが、この時倍率補正によるマスクの傾きを
ステップ５０９で作成したテーブルより求めマスクステ
ージをＺチルト駆動するとともに、マスク中心の回転量
を同じくステップ５０９で作成したテーブルより求め、
その値分だけステージの駆動パターンを補正する。

【００２０】次に、この補正後の駆動パターンにしたが
って、ウエハをステップ移動しながら各ショットの露光
（ステップアンドリピート露光）を行なう。一枚のウエ
ハ上の全ショットの露光を終了すると、その露光済みウ
エハを回収し、新たなウエハについて上記の露光処理を
繰り返す。以上説明したように、マスクの倍率とマスク
中心の回転量のテーブルを持つことにより、倍率補正後
にもう一度ＡＡ、ＡＦ計測をする必要がなく、スループ
ットの向上が測れる。

【００２１】また、本実施例では、マスク倍率とマスク
中心の回転量、傾きを露光装置にマスク１を付けて測定
したが、あらかじめ露光装置とは別の装置で計測し、テ
ーブルを作成し、マスク固有のデータとしてマスク１を
露光装置に付ける際に、制御装置１２にマスクデータと
してダウンロードするようにしても同様の効果が得られ
るのは当然のことである。

【００２２】なお、上記テーブルの作成方法としては、
倍率とマスク中心の回転量、傾きの関係をシミュレーシ
ョンで求め、それをもとにテーブルを作成してもよく、
あるいは、露光装置で、マスクの倍率補正をしなかった
場合と、した場合それぞれでウエハに焼かれたパターン
の位置をそれぞれ計測し、マスク中心の回転量、傾きを
求め、テーブルを作成してもよい。

【００２３】［実施例４］図７は本発明の実施例３にお
けるマスク倍率補正駆動のシーケンスをフローチャート
で示したものである。ステップ６０１〜６０２は、図４
で示したステップ３０１〜３０２と同じ処理であり、露
光装置に搬入したウエハ６に対し所定のサンプルショッ
トでグローバルアライメント計測を行なう。ステップ６
０３で上記グローバル計測結果より露光倍率補正量Ｍ
と、ショット毎のアライメント補正量（△ｘ、△ｙ、△
θ）およびマスク６の基準面からの補正量（△ｚ、△ω
ｘ、△ωｙ）を求める。ここで基準面からの補正量（△
ｚ、△ωｘ、△ωｙ）は、倍率補正Ｍだけマスクに外力
を加えることで生ずる分の変化量も考慮されるものと
し、その値は例えば実施例２で示したごとくテーブル管
理されている。次にステップ６０４においてステップ６
０３で求めた倍率補正量Ｍを、倍率補正駆動しても他成
分としてθ方向にずれが生じないように駆動すべく複数
回に分けるための補正回数を求める。ここでδｍは倍率
補正機構３＿ｒ、３＿ｌ（図１）を駆動する際、制御信
号発行から実際にアクチュエータが作動するまでの遅延
が発生してもθずれが生じない微小な駆動量である。次
にステップ６０５でδｍだけ倍率補正機構３＿ｒ、３＿
ｌを駆動する。ステップ６０６で所定の倍率補正量Ｍす
べてが加えられたかをステップ６０４で求めた回数と比
較し、否ならステップ６０５に戻り再び駆動する。フロ
ーチャートのステップ６０５では常にδｍを加えている
が最後は端数が生じδｍ未満となることもある。ステッ
プ６０６で所定回数を完了したことが確認できたら倍率
補正を終了し、ステップ６０３で求めたアライメント補
正量を考慮した露光処理に移る。

【００２４】［実施例４］図８は本発明の実施例４にお
けるマスク倍率補正駆動のシーケンスをフローチャート
で示したものである。ステップ７０１〜７０３は図７の
ステップ６０１〜６０３と同じ処理である。実施例３と
の違いは、実施例３でθずれを発生しないように倍率補
正をしたのに対し、本実施例ではアライメント補正量△
θを施す方向にθ回転が発生するように制御する点にあ
る。ステップ７０４では倍率補正量Ｍを△θだけθ回転
するよう倍率補正機構３＿ｒ、３＿ｌへの駆動量を分割
し、２ｘｎの倍率補正駆動テーブルδｍｌ（ｉ）、δｍ
ｒ（ｉ）（但しｉ＝１〜ｎ）を作成する。ただ、倍率補
正量Ｍとアライメント補正量△θの関係によっては必ず
しも残θ補正量が０とはならない場合もあり、△θから
倍率補正駆動テーブルに従って駆動した際のθ回転量を
差し引いた値をアライメント補正量△θ’として更新す
る。ステップ７０５において一回の倍率補正駆動をテー
ブルの値に基づき行なう。θの回転方向に合わせ倍率補
正機構３＿ｒ、３＿ｌの駆動順序は決定する。ステップ
７０６で所定の倍率補正量Ｍすべてが加えられたかをス
テップ７０４で求めた回数と比較し否ならステップ７０
５に戻り再び駆動する。ステップ７０６で所定回数を完
了したことが確認できたら倍率補正を終了し、ステップ
７０３で求めたアライメント補正量およびステップ７０
４で更新した△θを考慮した露光処理に移る。

【００２５】［デバイスの生産方法の実施例］次に上記
説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの
生産方法の実施例を説明する。図９は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ８０１（回路設計）ではデバイスのパター
ン設計を行なう。ステップ８０２（マスク制作）では設
計したパターンを形成したマスクを作製する。一方、ス
テップ８０３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ８０４（ウエ
ハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に
実際の回路を形成する。次のステップ８０５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ８０４で作製されたウ
エハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ８０６
（検査）ではステップ８０５で作製された半導体デバイ
スの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ８０７）される。

【００２６】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ９０１（酸化）ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ９０２（ＣＶＤ）ではウエハ表面
に絶縁膜を形成する。ステップ９０３（電極形成）では
ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ９０
４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ス
テップ９０５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗
布する。ステップ９０６（露光）では上述したＸ線露光
装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光
する。ステップ９０７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ９０８（エッチング）では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ９０９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度のデバイスを低コストに製造できる。

【００２７】

【発明の適用範囲】上記の実施例１〜４においてはＡＡ
計測およびＡＦ計測の双方を行なう例について述べた
が、ＡＡ計測とＡＦ計測のいずれか一方しか行なわない
場合にも本発明は適応可能である。

【００２８】また、グローバルアライメントの場合につ
いて説明したが、ダイバイダイアライメントの場合でも
同様である。テーブルを持つことにより、位置合わせの
ためのステージ駆動量をパターン位置ずれ量により補正
するので位置合わせ時間を短縮することが可能となる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の本発明
によれば、Ｘ線露光装置はマスク倍率補正機構によるマ
スクパターンの位置ずれ量により、測定手段の測定値、
またはステージ駆動量を補正することで、倍率補正を行
なっても、パターンの重ね合わせ精度が悪化することが
無くなる。また、特に請求項３の本発明によればマスク
の倍率補正量とそれによるパターンの移動量とのテーブ
ルを露光装置の制御装置に持ち、前記テーブルによりマ
スクの倍率補正によるマスクパターンの位置ずれ量を算
出し、測定手段の測定値、ステージ駆動量を補正するこ
とで、ウエハ毎にマスクの倍率補正によるマスクパター
ンの位置ずれ量を補正するための計測をする必要がな
く、スループットの向上が可能となる。

【００３０】さらに請求項４の本発明によれば、マスク
倍率補正駆動によるマスクパターンの平面内の回転方向
（θ）位置ずれ量を抑えることや、所望の量および方向
にθを合わせることができ、マスク上パターンとウエハ
上パターンの回転ずれをマスク倍率補正時に兼ねること
でスループットが向上する。また、θステージのストロ
ークも少なくすることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る露光装置を説明する
図である。

【図２】マスクの倍率補正によるパターンの平面内の
回転方向（θ）の位置ずれおよび直線方向のシフトを説
明する図である。

【図３】マスクの倍率補正によるパターンの平面の傾
き方向ωｘの位置ずれおよび間隔方向シフトを説明する
図である。

【図４】本発明の実施例１のグローバルＡＡ、ＡＦ計
測シーケンスを説明する図である。

【図５】本発明の実施例２のマスクの倍率補正による
パターンの位置ずれの計測方法を説明する図である。

【図６】本発明の実施例２のグローバルＡＡ、ＡＦ計
測シーケンスを説明する図である。

【図７】本発明の実施例３のマスク倍率補正駆動シー
ケンスを説明する図である。

【図８】本発明の実施例４のマスク倍率補正駆動シー
ケンスを説明する図である。

【図９】微小デバイスの製造の流れを説明する図であ
る。

【図１０】図９におけるウエハプロセスの詳細な流れ
を説明する図である。

【符号の説明】

１：マスク、２：マスク基板、３，３＿ｌ，３＿ｒ：倍
率補正機構、３−ａ：ＰＺＴアクチュエータ、３−ｂ：
ロードセル、４：マスク突き当てピン、５：マスクチャ
ック、６：ウエハ、７：ウエハチャック、８：ウエハス
テージ、９：基準マーク、１０：ピックアップ、１１：
マスクステージ、１２：制御装置、１３−ａ：ＰＺＴア
クチュエータ駆動用ドライバ、１３−ｂ：ロードセル用
アンプ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮地剛司東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H097 BB04 CA15 GA45 KA12 KA13 5F046 DA16 DB14 ED01 FA14 FC04 FC08 GA02 GA04 GA12 GA14 GA18 GA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクと被露光体との平面方向またはそ
れと垂直な方向の相対位置ずれを測定する測定手段と、
この測定手段の測定値に応じてマスクと被露光体とを前
記各方向ならびに平面内の回転方向および平面の傾き方
向に相対移動させるステージと、マスク倍率補正機構と
を備えたＸ線露光装置において、マスクの倍率補正によるマスクパターンの平面内の回転
方向の位置ずれ量または平面の傾き方向の位置ずれ量に
応じて前記測定手段の測定値または前記ステージの駆動
量を補正することを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項２】前記補正手段は、前記マスク倍率補正機
構によるマスク倍率補正後前記測定手段による測定を再
度行わせ、補正前に得られた測定値とその再度の測定値
とに基づいて前記平面内回転方向位置ずれ量または平面
の傾き方向の位置ずれ量を検出することを特徴とする請
求項２記載のＸ線露光装置。
【請求項３】前記補正手段は、マスクの倍率補正量と
それによるマスク上複数位置におけるパターンの移動量
とのテーブルを備え、該テーブルに基づいて前記平面内
回転方向位置ずれ量または平面の傾き方向の位置ずれ量
を算出することを特徴とする請求項１記載のＸ線露光装
置。
【請求項４】マスクと被露光体との平面方向またはそ
れと垂直な方向の相対位置ずれを測定する測定手段と、
この測定手段の測定値に応じてマスクと被露光体とを前
記各方向ならびに平面内の回転方向および平面の傾き方
向に相対移動させるステージと、マスク倍率補正機構と
を備えたＸ線露光装置において、倍率補正量を複数の微小量に分割し、該分割した補正量
を逐一該マスク倍率補正機構に指示するマスク倍率駆動
制御手段を有することを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項５】前記マスク倍率補正機構は、複数軸の機
械的加圧手段より構成され、前記マスク倍率駆動制御手
段は、前記測定手段の測定値より得られるマスクと被露
光体との平面内回転方向位置ずれ量に応じ、該分割補正
量の算出および該複数軸の機械的加圧手段への指示順序
を制御することを特徴とする請求項４記載のＸ線露光装
置。
【請求項６】マスクと被露光体とを微小間隔をおいて
対向させ、Ｘ線を照射することにより、マスクの像を等
倍で被露光体に転写する近接等倍Ｘ線露光装置である請
求項１〜５のいずれか１つに記載のＸ線露光装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１つに記載のＸ
線露光装置を用いて製造したことを特徴とする半導体デ
バイス。