JP2008066412A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 例えば複数のステージを有する露光装置において、移動するステージの位置計測を高精度に行いうる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置は、投影光学系と、基板処理系と、投影光学系の光軸と垂直な平面上の可動領域を移動する複数のステージと、可動領域における複数のステージの位置を計測するための位置計測システムとを備える。位置計測システムは、干渉計6〜13と、複数のステージA,Bに設けられた複数のミラー2〜5とを含む。そして、干渉計の少なくとも一つは、基板の可動領域で包囲される非可動領域に設けられている。
【選択図】 図2
【解決手段】 露光装置は、投影光学系と、基板処理系と、投影光学系の光軸と垂直な平面上の可動領域を移動する複数のステージと、可動領域における複数のステージの位置を計測するための位置計測システムとを備える。位置計測システムは、干渉計6〜13と、複数のステージA,Bに設けられた複数のミラー2〜5とを含む。そして、干渉計の少なくとも一つは、基板の可動領域で包囲される非可動領域に設けられている。
【選択図】 図2
Description
本発明は露光装置に関する。
半導体デバイス等のデバイスを製造する露光装置では、スループットの向上が追求される。スループットの向上を図る1つの方法として、基板を搭載する基板ステージを複数設けたツインステージ型露光装置が開発されている。
特許文献1には、アライメント処理と露光処理とをする基板処理装置であって、2つの基板ステージ位置を精確に把握し続けることができ、また、配管配線も絡まることのない基板処理装置が開示されている。この基板処理装置において、座標系は、基板の露光処理をする処理系とアライメント系とを結ぶ軸をy軸、アライメント系の光軸をz軸、これらの両軸と直交する方向をx軸として定義されている。このとき基板処理装置には、基板を保持しxy平面上を動くことのできる第1の基板ステージ及び第2の基板ステージ、さらに、第1及び第2両基板ステージの位置を計測する位置計測システムとが備えられている。位置計測システムはx軸方向の位置を計測するための少なくとも3箇所、及び、y軸方向の位置を計測するための少なくとも3箇所にあって、y軸方向の位置を計測するための少なくとも1箇所は前記両基板ステージに関して逆側に配置される。
特開2002−280283号公報
しかし、上記従来例では以下のような不都合が生じる。
第一に、各バーミラーには固有の面精度が存在するので、バーミラーの表面を基準にした位置計測では位置計測誤差が発生する。そこで、例えば、各バーミラーの表面形状に関するデータを予め取得し、このデータを用いて位置計測誤差を補正する方法が取られる。
上記特許文献1に記載の装置では、各基板ステージにおいて、露光及びアライメント両領域でy方向計測に用いるバーミラーが異なる。従って、各基板ステージのy方向制御時は2つのバーミラーに対して別々の補正処理を行わなければならない。しかし、アライメント処理時に参照した一方のバーミラーの面形状誤差は、補正処理を施しても、基板ステージの位置決めに僅かながら反映されてしまう。さらに、露光処理時に参照した他方のバーミラーの面形状誤差も該基板ステージの位置決めに反映される。つまり、位置計測上の誤差が蓄積し、位置決め精度が悪化する。さらに、異なるバーミラーに対して補正を行うため、補正計算に費やす時間も増大してしまう。
第二に、x軸計測用の干渉計を両基板ステージに対して片側に配置すると、2つの基板ステージがx方向に並んだ場合、レーザー光に対して一方の基板ステージが他方の基板ステージの影に入り、その基板ステージの位置計測が出来なくなる。そこで上記特許文献1に記載の装置では、y軸方向に基板ステージから張り出した長尺のミラーを使用している。しかし、長尺のミラーを用いると基板ステージの質量が増大する上、長尺ミラー張り出し部の振動により位置決め精度の低下を招く恐れがある。
本発明は、例えば複数のステージを有する露光装置において、移動するステージの位置計測を高精度に行いうる露光装置を提供することにある。
本発明は、基板にパターンを投影するための投影光学系と、投影光学系とは離れた位置で基板に対して処理を行う基板処理系と、投影光学系の光軸と垂直な平面上の可動領域を移動する複数のステージと、可動領域における複数のステージの位置を計測するための位置計測システムとを備えた露光装置であって、位置計測システムは、干渉計と、複数のステージに設けられたミラーとを含み、複数の干渉計の少なくとも一つは、可動領域で包囲される非可動領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、基板処理系は、例えば、基板のアライメントを行うためのアライメント光学系でありうる。
本発明の実施形態によれば、可動領域のすべての領域において、使用するミラーを切り替えずにステージの位置を計測しうる。
本発明によれば、例えば複数のステージを有する露光装置において、移動するステージの位置計測を高精度に行いうる露光装置を提供することができる。また、ステージより張り出した長尺ミラーを使用しなくても、使用するミラーを切り替えずに移動するステージの位置計測を行うことができる。
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明で使用することができるツインステージ型露光装置の概略正面図である。レクチルRは、移動可能なレチクルステージRSに保持される。レチクルR上に形成されたパターンは、投影光学系POによってウエハ(基板)S上に投影される。基板ステージST1,ST2は基板Sを搭載可能であり、定盤B上で移動可能である。定盤B上における基板ステージST1,ST2の位置を計測するために、干渉計I1,I2が例えば定盤Bに設けられ、干渉計I1,I2から照射された光を反射するミラーM1,M2が基板ステージST1,ST2に設けられる。
<第1実施形態>
図1は、本発明で使用することができるツインステージ型露光装置の概略正面図である。レクチルRは、移動可能なレチクルステージRSに保持される。レチクルR上に形成されたパターンは、投影光学系POによってウエハ(基板)S上に投影される。基板ステージST1,ST2は基板Sを搭載可能であり、定盤B上で移動可能である。定盤B上における基板ステージST1,ST2の位置を計測するために、干渉計I1,I2が例えば定盤Bに設けられ、干渉計I1,I2から照射された光を反射するミラーM1,M2が基板ステージST1,ST2に設けられる。
ツインステージ型露光装置は、露光領域とアライメント処理等の処理を行うアライメント領域とを備える。露光領域は、図1の左半分に相当し、レチクルパターンを基板Sに対して露光を行う。一方、アライメント領域は図1の右半分に相当し、アライメント用の計測を行う。図1においては、第1基板ステージST1が露光領域に、第2基板ステージST2がアライメント領域に位置している。しかし、第1,2基板ステージST1,2は、互いに位置する領域を入れ替わることが可能である。アライメント領域には、露光すべき基板Sに対してアライメント用の計測を行うためのアライメント光学系Aが設けられている。露光領域では、レチクルRを搭載したレチクルステージRSと基板Sを搭載した第1基板ステージST1とが同期を取りながら、露光を行う。
このような露光装置では複数の基板ステージを露光領域とアライメント領域の間で交互に移動させ、2つの処理を同時並行で行う。
アライメント処理は、露光光の結像点にウエハの位置を合わせる処理であり、その方法には様々なものが存在する。その中でも、スルーザレンズダイバイダイアライメントとオフアクシスグローバルアライメントが代表的である。
スルーザレンズダイバイダイアライメントは、露光処理に使われる投影光学系を使用して、ショット毎にレチクルとウエハのアライメントを行う方法である。このアライメント方法では、ショット毎にアライメントが行われるため、アライメント時間が長くなり、露光装置としてのスループットが悪化する。
一方、オフアクシスグローバルアライメントは以下のようなアライメント方法である。投影光学系とは別の光学系を用いて、ウエハ上の適当数のショットの合わせマーク位置を調べ、これら各位置のずれ量からウエハ全体の位置ずれを計算する。そして各ショットの位置ずれが最小になるように基板ステージを動かすことで位置合わせを行う。このアライメント方法では、すべてのショットの位置ずれを計測するわけではないので、上記スルーザレンズダイバイダイアライメントに比べて、アライメント時間は短い。従って、オフアクシスグローバルアライメントを使用することが好ましい。
図2は半導体デバイス等のデバイスを製造する露光装置に搭載される基板ステージ装置の構成を概略的に示す平面図である。定盤1上に不図示のコイル列で構成された不図示の固定子が配置され、定盤1の上に2つの基板ステージA、Bが配置されている。コイル列はx方向に平行な直線部を有する略長円形コイルから構成されるコイル列とy方向に平行な直線部を有する略長円形コイルから構成されるコイル列から構成されうる。さらに基板ステージA、Bは、例えばハルバッハ配列に従って並べられた磁石列で構成された可動子を有しうる。
可動子磁石の成す磁場中においてコイル列の所定のコイルに通電することで、x、y、z方向のそれぞれの方向に独立してローレンツ力を発生させることが可能である。さらに、通電すべきコイルを選択することでx軸回り(θx方向)、y軸回り(θy方向)、z軸回り(θz方向)のモーメントをそれぞれ独立して発生させることもできる。
基板ステージA、Bの側面にはx軸計測用バーミラー2及び4、y軸計測用バーミラー3及び5がそれぞれ配置され、さらに各基板ステージ上面には不図示のz軸方向位置計測用ミラーが配置される。基板ステージA、Bのx、y、z方向の位置は、各基板ステージに固定されたバーミラーと、x干渉計6,8、y干渉計12,10、さらに不図示のz干渉計とを用いて計測される。これらの干渉計のうち、y干渉計12は、基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域領域例えば中央領域に設置される。各バーミラーにはレーザー光が照射され、バーミラーに照射されたレーザー光とミラーで反射されたレーザー光を干渉計において干渉させることにより、各基板ステージのx、y、z方向の相対位置が極めて精確に計測される。すなわち、バーミラーと干渉計とは、移動するステージの位置を計測するための位置計測システムを構成する。また、図2にはレーザー光14〜21がそれぞれ1本ずつ記されているが、実際は1つの干渉計から複数本のレーザー光が照射されている。このとき、x(又はy)干渉計から照射されたレーザー光の内、y(又はx)方向に並ぶ2本のレーザー光の計測値の差を取ることにより、θz方向の位置が計測できる。また、x干渉計から照射されたレーザー光の内、z方向に並ぶ2本のレーザー光の計測値の差を取ることにより、θy方向の位置が計測できる。さらに、y干渉計から照射されたレーザー光の内、z方向に並ぶ2本のレーザー光の計測値の差を取ることにより、θx方向の位置が計測できる。
以上、6軸方向の平面リニアモータ駆動手段、6軸方向の位置計測システムさらに不図示の制御器から位置サーボループを構成することで、基板ステージA、Bの6軸方向の精密な位置決めが可能になる。
次に露光装置で行われる2つの処理について、図2を用いて概説する。図2のアライメント領域(処理領域)では基板におけるパターン配置が測定され、露光領域では投影光学系によって基板上へのパターン形成が行われる。露光処理が終了したウェハ(不図示)は基板ステージAによってアライメント領域に運ばれ、マニピュレータ等の搬送手段(不図示)によって基板ステージAから取り出される。その後、露光すべき別のウェハ(不図示)が基板ステージAに載置され、該ウェハにはアライメント処理が施される。一方、基板ステージB上のウェハ(不図示)はアライメント処理終了後、基板ステージBによって露光領域に運ばれ、該ウェハに露光処理が施される。これらの処理は基板ステージA、Bを用いて同時並行で実行される。
以上の2つの処理が同時並行で成されるためには、基板ステージA、Bは、各処理領域における互いの位置を交換されなければならない。但し、この交換の過程では、基板ステージA,Bの位置を連続的にモニタするために、干渉計による位置管理が常に行われなければならないという要請がある。そこで、以下のことを図2乃至図8を用いて示す。図2乃至図8において、基板ステージA、Bは、露光領域及びアライメント領域のうち干渉計12、13の設置領域を除く可動領域を移動する。図2の干渉計及びバーミラー配置によれば、基板ステージA、Bの定盤1上での位置に従って、使用すべき干渉計を選択する手段(不図示)を併用することで、該基板ステージの干渉計による位置管理が常に可能となる。
図2において、基板ステージAに搭載された不図示のウェハは露光処理されている一方で、基板ステージBに搭載された不図示のウェハはアライメント光学系にてパターンの位置計測がなされている。これら処理の間、基板ステージAに固定されたバーミラー2にはx干渉計6からのレーザー光14が、さらにバーミラー3にはy干渉計12からのレーザー光20が照射される。一方、基板ステージBに固定されたバーミラー4にはx干渉計8からのレーザー光16が、さらにバーミラー5にはy干渉計10からのレーザー光18が照射され、x、y方向の位置が管理されている。
図3において、基板ステージAはx軸の正の方向に移動し、そのx方向位置の計測はx干渉計6を用いて行われ、y方向位置の計測はy干渉計12に代わり、y干渉計9によって行われる。
ここで、y方向位置計測用の干渉計の切り替えの途中においては、y干渉計12及びy干渉計9からのレーザー光が同時に照射される瞬間がなければならない。なぜなら、y干渉計12による計測値をy干渉計9に引き継がなければならないからである。従って、y干渉計12からのレーザー光とy干渉計9からのレーザー光の間隔はバーミラー3のx方向の長さより短くなければならない。換言すれば、そうなるようにy干渉計12及び9を配置しなければならない。バーミラーの長さとレーザー光の間隔に関するこの関係は、前記2つのy干渉計に限らず、切り替えられる2つの干渉計のすべてとそれらと対応するすべてのバーミラーの間で、一般的に成立していなければならない。従って、以下ではこの関係がどの干渉計の切り替えについても成立しているものとし、再び言及することは避ける。
一方、基板ステージBはx軸の負の方向に移動し、そのx方向位置の計測はx干渉計8を用いて行われ、y方向位置の計測はy干渉計10に代わり、y干渉計11によって行われる。
基板ステージA、Bが定盤1のx方向端に達した後、図4に示すように、基板ステージAはy軸の負の方向に移動し、基板ステージBはy軸の正の方向に移動する。この過程において、基板ステージAの位置は、x方向に関して、x干渉計6からx干渉計7に切り替えることで計測される。また、y方向に関して、バーミラー3に照射されたレーザー光17により計測される。一方、基板ステージBの位置は、x方向に関して、x干渉計8からx干渉計13に切り替えることで計測される。また、バーミラー4に照射されたレーザー光19により計測される。上記干渉計のうち、x干渉計13は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に設置される。
基板ステージA、Bはさらにy軸の、それぞれ負の方向及び正の方向に移動し、図5において両基板ステージはx軸方向で並ぶことになる。この場合でも、基板ステージAのx位置はx干渉計7で計測され、基板ステージBのx位置は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に位置するx干渉計13によって計測されるため、干渉計による位置管理が途切れることがない。
図6において、基板ステージAはさらにy軸の負の方向に移動し、基板ステージBはさらにy軸の正の方向に移動する。この過程において、基板ステージAの位置は、x方向に関して、x干渉計7からx干渉計8に切り替えることで計測される。また、y方向に関して、バーミラー3に照射されたレーザー光17により計測される。一方、基板ステージBの位置は、x方向に関して、x干渉計13からx干渉計6に切り替えることで計測される。また、バーミラー4に照射されたレーザー光19により計測される。
図7において、基板ステージA、Bが定盤1のy方向端に達した後、基板ステージAはx軸の負の方向に移動し、基板ステージBはx軸の正の方向に移動する。この過程において、基板ステージAの位置は、x方向に関して、バーミラー2に照射されたレーザー光16により計測される。また、y方向に関して、y干渉計9からy干渉計10に切り替えることで計測される。一方、基板ステージBの位置は、x方向に関して、バーミラー4に照射されたレーザー光14により計測される。また、y方向に関して、y干渉計11からy干渉計12に切り替えることで計測される。
図8において、基板ステージAはさらにx軸の負の方向に移動し、基板ステージBはさらにx軸の正の方向に移動し、両基板ステージは位置の交換を終える。
以上の説明では、基板ステージA及びBが、ともに可動領域をz軸の正の向きから見て反時計回りに回転し、位置交換する例を示した。しかし、第1実施形態においては反時計回りに限らず、z軸の正の向きから見て可動領域を時計回りに移動することが可能である。また、両基板ステージに左記のような移動が許されない何らかの制約が存在するならば、各基板ステージが露光領域とアライメント領域の間を往復するように可動領域を時計回り及び反時計回りを繰返す移動方法も可能である。
また、設置すべき干渉計の最小数はバーミラーの寸法と2つの基板ステージが動くことのできるxy平面内の領域の広さ等によって決まるもので、図2乃至図8に示した数に限定するものではない。このことは以下に示す実施形態についても言えることである。
<第2実施形態>
図9に本発明の第2の実施形態における2つの基板ステージおよび計測システムの平面配置を示す。x干渉計35及び36は基板ステージG、Hに対してx方向正の側に配置されており、x干渉計40は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に位置している。さらに、基板ステージ移動範囲の外側にy干渉計37及び38が、さらに基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域にy干渉計39が設置されている。ここで、y干渉計39は基板ステージGの移動時にy方向位置計測の中継ぎとして使用されるものである。また、基板ステージGのx軸負方向の側面以外の3つの側面すべてにバーミラーが固定されており、基板ステージHのx軸正方向の側面及びy軸負方向の側面にバーミラーが固定されている。従って、基板ステージG、Hが露光或はアライメント処理に従事している際のy方向位置は、各基板ステージに搭載されたバーミラー1本を参照することで管理されるため、制御時の計測誤差補正が煩雑にならずに済む。また、x干渉計40を基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に設けたことにより、基盤ステージに長尺のミラーを用いずに、他のx干渉計35,36を定盤1のx方向片側に配置できる。
<第2実施形態>
図9に本発明の第2の実施形態における2つの基板ステージおよび計測システムの平面配置を示す。x干渉計35及び36は基板ステージG、Hに対してx方向正の側に配置されており、x干渉計40は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に位置している。さらに、基板ステージ移動範囲の外側にy干渉計37及び38が、さらに基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域にy干渉計39が設置されている。ここで、y干渉計39は基板ステージGの移動時にy方向位置計測の中継ぎとして使用されるものである。また、基板ステージGのx軸負方向の側面以外の3つの側面すべてにバーミラーが固定されており、基板ステージHのx軸正方向の側面及びy軸負方向の側面にバーミラーが固定されている。従って、基板ステージG、Hが露光或はアライメント処理に従事している際のy方向位置は、各基板ステージに搭載されたバーミラー1本を参照することで管理されるため、制御時の計測誤差補正が煩雑にならずに済む。また、x干渉計40を基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に設けたことにより、基盤ステージに長尺のミラーを用いずに、他のx干渉計35,36を定盤1のx方向片側に配置できる。
この実施例のような干渉計及びバーミラー配置を採用した場合、基板ステージの可動領域の全範囲に渡って干渉計による位置管理を可能とするためには、基板ステージHを常にx干渉計35及び36とy干渉計39の間を移動させねばならない。その結果、基板ステージGを常にx干渉計40に対してx方向の負の側を移動させねばならない。
<第3実施形態>
図10に本発明の第3の実施形態における2つの基板ステージおよび干渉計の平面配置を示す。y干渉計57、58、61は基板ステージ移動範囲の外側3箇所に設置されており、y干渉計57は基板ステージの移動時にy方向位置計測の中継ぎとして使用される。x干渉計59及び60は2つの基板ステージに対してx方向正の側に配置されており、x干渉計62は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に位置している。ここで、x干渉計62は両基板ステージがx軸方向に並んだ場合に、x方向位置計測の中継ぎとして使用されるものであり、基板の可動領域で包囲される非可動領域に設置されている。また、バーミラーは、両基板ステージA,Bのx軸負方向の側面以外の側面すべてに固定されている。
<第3実施形態>
図10に本発明の第3の実施形態における2つの基板ステージおよび干渉計の平面配置を示す。y干渉計57、58、61は基板ステージ移動範囲の外側3箇所に設置されており、y干渉計57は基板ステージの移動時にy方向位置計測の中継ぎとして使用される。x干渉計59及び60は2つの基板ステージに対してx方向正の側に配置されており、x干渉計62は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域に位置している。ここで、x干渉計62は両基板ステージがx軸方向に並んだ場合に、x方向位置計測の中継ぎとして使用されるものであり、基板の可動領域で包囲される非可動領域に設置されている。また、バーミラーは、両基板ステージA,Bのx軸負方向の側面以外の側面すべてに固定されている。
第3実施形態は基板ステージの可動領域で包囲される非可動領域にx干渉計だけを配置した唯一の例である。このx干渉計62の設置により、y方向に張り出した長尺のミラーを用いることなく、他のx干渉計59,60を定盤1のx方向片側に配置することができる。
この実施形態のように干渉計及びバーミラーを配置した場合、2つの基板ステージA,Bは可動領域をz軸の正の向きから見て時計回りに移動して互いの位置を交換、又は反時計回りに移動して互いの位置を交換することができる。
<デバイス製造方法の実施形態>
次に、図11及び図12を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図11は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
<デバイス製造方法の実施形態>
次に、図11及び図12を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図11は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板)を製造する。ステップS4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。
図12は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップS17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
A,B,G,H:基板ステージ
1:定盤
2〜5:バーミラー
6〜13,35〜40,57〜62:レーザー干渉計
14〜21:レーザー光
1:定盤
2〜5:バーミラー
6〜13,35〜40,57〜62:レーザー干渉計
14〜21:レーザー光
Claims (4)
- 基板にパターンを投影するための投影光学系と、
前記投影光学系とは離れた位置で前記基板に対して処理を行う基板処理系と、
前記投影光学系の光軸と垂直な平面上の可動領域を移動する複数のステージと、
前記可動領域における前記複数のステージの位置を計測するための位置計測システムとを備えた露光装置であって、
前記位置計測システムは、複数の干渉計と、前記複数のステージに設けられた複数のミラーとを含み、
前記複数の干渉計の少なくとも一つは、前記可動領域で包囲される非可動領域に設けられていることを特徴とする露光装置。 - 前記基板処理系は、前記基板のアライメントを行うためのアライメント光学系であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記可動領域のすべての領域において、使用するミラーを切り替えずに前記ステージの位置を計測することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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NL1042221A (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-21 | Harbin Institute Technology | Arc vector rotation wafer stage switching method and device based on plane grating measurement for dynamic magnetic maglev dual-wafer stage |
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