JP2003203842A - 位置決めステージ、露光装置、半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
位置決めステージ、露光装置、半導体デバイスの製造方法Info
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Abstract
傾斜に関する計測誤差を補正。 【解決手段】 位置決めステージは、並進及び高さ方向
の傾斜を計測するために、略直交する2つの方向に延設
される平面鏡2A,2Bと、レーザーを照射し、並進方
向の位置を、反射を利用して計測する第1の計測ユニッ
ト3A−1と、ステージの傾斜を計測するために、第1
の計測ユニットと鉛直方向に離間した位置で、位置を計
測する第2の計測ユニット3A−2と、ステージと定盤
面との高さ方向の傾きを計測する第3の計測ユニット1
4−1,2,3と、第1及び第2の計測ユニットの計測
結果との差分に基づく第1傾斜量と、第3の計測ユニッ
トにより計測される第2傾斜量と、の差分に基づき、ス
テージの位置毎に対応した平面鏡の誤差を演算する演算
部と、その演算部によって予め求められた誤差に基づ
き、ステージが移動する位置に応じて第1傾斜量を補正
してステージを駆動させる制御部とを備える。
Description
用いられるような、非常に高精度で広範囲に渡って駆動
が可能な位置決めステージ、およびその位置決めステー
ジを備える露光装置、その露光装置を用いて半導体デバ
イスを製造する方法に関するものである。
っているステップ・アンド・リピート方式の露光装置
(ステッパー)は、被露光資材(以下、「ウエハー」と
称す)を所定の場所に位置決めし、静止させた状態で、
パターンが描画された原盤(以下、「レチクル」と称
す)を通った光(露光光)を、投影光学系(レンズ)に
て一定の比率で縮小し、ウエハー上に塗布された感光剤
(フォトレジスト)を感光させ、レチクルのパターンを
ウエハーに転写する。これを、ウエハー全面にわたって
繰り返し行うものである。また、ステップ・アンド・ス
キャン方式の露光装置(スキャナー)は、ウエハーを静
止して一括露光するステッパーに対し、ウエハーおよび
レチクルを同期走査(スキャン)させながら、より広い
領域を露光するものである。
テージ(以下、「ウエハーステージ」と称す)は、2次
元平面(XY平面)内の任意の場所に、高精度かつ広範
囲に渡って駆動されることが要求される。これは、半導
体回路の微細化が進むにつれ、必要とされる精度はます
ます厳しいものとなり、同時に、ウエハーの大口径化
や、ウエハーを交換するための交換位置への駆動、ウエ
ハーに露光されたマークを露光位置以外で計測する場合
など、ウエハーステージが駆動する領域も、非常に広範
囲にわたる必要があるためである。
ーザー干渉計が一般的に用いられている。このレーザー
干渉計をXY平面内に配置することで、ウエハーステー
ジのXY平面内の位置を計測することができる。例え
ば、図1のように、ウエハーステージ1には、X軸計測
用の平面鏡2A(以下、バーミラーと称す)が、Y軸方
向に沿って搭載されており、X軸方向の位置を計測する
レーザー干渉計(3A−1)は、X軸に略平行にレーザ
ーをバーミラー2Aに照射して、その反射光と基準光を
干渉させることで、ウエハーステージの相対的な駆動量
を検出している。Y軸の計測も同様である。X軸または
Y軸のどちらか、または、両方の干渉計を2つ用意する
ことで、ウエハーステージのZ軸周りの回転角(θz)
も検出することができる。
を基に、リニアモーターなどのアクチュエータ(図示せ
ず)をXY平面に配置することによって、ウエハーステ
ージを所定の場所に駆動することができる。
化に伴い、レチクルの像をウエハーに転写するためのフ
ォーカス許容範囲(焦点深度)も狭くなり、フォーカス
方向(Z方向)の位置決めに要求される精度は厳しくな
ってきている。そのため、ステージは、XY平面に直交
するZ方向(フォーカス方向)、および、X軸方向に関
する傾斜(Y軸周りの回転、チルトあるいはθyと称
す)、Y軸方向への傾斜(X軸周りの回転、チルトある
いはθxと称す)も、高精度に計測・制御を行う必要が
ある。そのため、X軸の干渉計をZ方向に2系統並べて
配置(3A−1、3A−2)して同時に位置計測をし
て、その計測データの差分から、ステージのX方向の傾
斜(θy)を計測する方式が提案されている。同じよう
に、Y軸の干渉計をZ方向に2系統配置することで(3
B−1、3B−2)、Y軸方向に関する傾斜(θx)を
計測することができる(図1)。
エハーステージにおいては、X軸計測用のバーミラー2
A(以下、「Xバーミラー」という。)は、ステージ1
のY軸方向の駆動ストロークよりも長く、また、Y計測
用のバーミラー2B(以下、「Yバーミラー」とい
う。)は、ステージ1のX軸方向の駆動ストロークより
も長くする必要がある。それぞれのストロークよりも短
い場合は、レーザー干渉計の光の反射光が得られなくな
るために、計測ができなくなってしまう。同じように、
バーミラーのZ方向の幅は、ステージのZの駆動ストロ
ークより長くする必要がある。また、ステージの傾斜成
分を精度よく計測するためには、Z方向に配置された2
つのレーザー干渉計の間隔をできるだけ広くする必要が
ある。そのため、バーミラーは、Z方向にも十分に大き
く作る必要がある。
関する長手方向と、Z軸方向の幅方向との広い面積、全
面にわたり、高精度に加工することは限界もあり、コス
トも高くなってしまうという問題がある。
ージに搭載するとき、バーミラーをステージに締結する
保持力によって、バーミラーを変形させてしまうという
問題もある。
たは、取り付け時の変形の問題は、ウエハステージの位
置計測精度に影響することになる。例えばウエハステー
ジ1がY軸方向に駆動した場合に、図2のように、X軸
方向のレーザー干渉計(以下、「Xレーザー干渉計」と
いう。)(3A−1)と、このXレーザー干渉計とZ軸
方向に並んで配置されたレーザー干渉計である、θyレ
ーザー干渉計(3A−2)、との計測データの差分が、
位置に応じて誤差を持ってしまう。例えば、Y座標がy
1の場合に、傾きがΔθy1であっても、Y座標がy2
に移動した場合には、Y軸回りの傾きはΔθy2となり
ばらつきが生じる。そのため、θy方向の傾きを正確に
計測することができなくなってしまう。
向の傾きを正確に計測することができなくなってしま
う。このような、ウエハステージの傾斜量の計測誤差
は、そのままステージ上のウエハー表面と、レンズのベ
ストフォーカス面とのずれとなってしまう。従って、先
述のような、焦点深度の浅いレンズにおいては、露光面
内において、デフォーカスしてしまう領域(例えば、図
3の6Bの領域)が存在することとなってしまう。図3
において、ウエハー4に対して、像面5を考えた場合、
6Aはベストフォーカスで露光された範囲を示す。
ルのパターンを一括して露光する、静止露光装置(ステ
ッパー)の場合は、ステージに搭載されたウエハー表面
と、レンズ像面とのずれを計測するフォーカスセンサー
によって、最終的には、ウエハー表面を像面に追い込む
ことができる。しかし、ウエハーとレチクルをスキャン
させながら露光する、走査露光装置(スキャナー)の場
合は、フォーカス計測位置は、露光位置より先を計測し
ている。その計測位置が、露光位置に来るときに、ステ
ージを駆動するのであるが、このとき、上記のように、
バーミラーの平面度の影響で、チルト計測に誤差がのっ
てしまっていると、フォーカス計測位置が露光位置に来
たとき、やはり図3のように、デフォーカスして露光さ
れることになる。
の平面度の影響で、チルト計測に誤差がのる場合は、フ
ォーカス計測値が大きく計測されてしまい、その駆動の
ための移動時間およびステージが静止するまでの時間の
ロスで、スループットが低下してしまう問題もある。
するべく、本発明にかかる位置決めステージ、露光装
置、露光方法は、主として、以下の構成を備えることを
特徴とする。
て、ステージを平面内に位置決めする第1の駆動手段
と、前記ステージを高さ方向に駆動して、焦点方向に位
置決めする第2の駆動手段と、を有する位置決めステー
ジは、前記ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾
斜を計測するために、略直交する2つの方向に延設され
る平面鏡と、前記平面鏡に対してレーザーを照射して、
前記ステージの並進方向の位置を、該レーザーの反射を
利用して計測する第1の計測手段と、前記平面鏡に対し
てレーザーを照射して、前記ステージの傾斜を計測する
ために、前記第1の計測手段と鉛直方向に離間した位置
で、該レーザーの反射を利用して位置を計測する第2の
計測手段と、前記ステージと、前記定盤面との高さ方向
の傾きを計測する第3の計測手段と、前記第1の計測手
段の計測結果と、前記第2の計測手段の計測結果との差
分に基づく第1傾斜量と、前記第3の計測手段により計
測される第2傾斜量と、の差分に基づき、前記ステージ
の位置毎に対応した前記平面鏡の誤差を演算する演算手
段と、前記演算手段により予め求められた誤差に基づ
き、前記ステージが移動する位置に応じて前記第1傾斜
量を補正して前記ステージを駆動させる制御手段と、を
備えることを特徴とする。
て、ステージを平面内に位置決めする第1の駆動手段
と、前記ステージを高さ方向に駆動して、焦点方向に位
置決めする第2の駆動手段と、を有する位置決めステー
ジは、前記ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾
斜を計測するために、略直交する2つの方向に延設され
る第1平面鏡と、前記ステージの、光学系を支持する鏡
筒定盤に対する傾斜量を計測するための第2平面鏡と、
前記第1平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの並進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して
計測する第1の計測手段と、前記第1平面鏡に対してレ
ーザーを照射して、前記ステージの傾斜を計測するため
に、前記第1の計測手段と鉛直方向に離間した位置で、
該レーザーの反射を利用して位置を計測する第2の計測
手段と、前記第2平面鏡に対してレーザーを照射して、
前記ステージの前記鏡筒定盤に対する傾きを計測する第
3の計測手段と、前記第1の計測手段の計測結果と、前
記第2の計測手段の計測結果との差分に基づく第1傾斜
量と、前記第3の計測手段により計測される第2傾斜量
と、の差分に基づき、前記ステージの位置毎に対応した
前記平面鏡の誤差を演算する演算手段と、前記演算手段
により予め求められた誤差に基づき、前記ステージが移
動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正して前記ステ
ージを駆動させる制御手段と、を備えることを特徴とす
る。
いて、前記演算手段により演算された平面鏡の誤差は、
前記ステージの位置に対応した関数として、あるいは、
参照テーブルとして、記憶手段に記憶される。
いて、前記制御手段は、前記ステージの位置に応じて、
前記記憶手段に記憶されている、関数あるいは参照テー
ブルから前記平面鏡の誤差を求め、該誤差に基づき、前
記第2の駆動手段の制御量を制御する。
いて、前記第2平面鏡は、前記第1平面鏡に対して略4
5度の傾斜角を有して前記ステージに延設されており、
前記第3の計測手段から該第2平面鏡に照射されたレー
ザーは、該第2平面鏡の傾斜角により鉛直上方におい
て、前記ステージと対向する鏡筒定盤面に設けられた第
3平面鏡を照射し、該第3平面鏡からの反射を利用し
て、前記ステージと、該鏡筒定盤に対する傾きを計測す
る。
いて、前記第2平面鏡は、前記鏡筒定盤に対向した前記
ステージ上の面に延設されており、前記第3の計測手段
は、前記第2平面鏡に対して、略垂直な方向に設けられ
た位置で、該ステージの該鏡筒定盤に対する傾きを計測
する。
路パターンを縮小倍率してウエハーに投影するための投
影光学手段と、前記投影光学手段により投影された回路
パターンをウエハ上に転写するために、該ウエハを保持
して位置及び傾斜角を制御して位置決めする位置決めス
テージと、を有し、前記位置決めステージは、ステージ
の並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計測するため
に、略直交する2つの方向に延設される平面鏡と、前記
平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージの並
進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して計測する
第1の計測手段と、前記平面鏡に対してレーザーを照射
して、前記ステージの傾斜を計測するために、前記第1
の計測手段と鉛直方向に離間した位置で、該レーザーの
反射を利用して位置を計測する第2の計測手段と、前記
ステージと、前記定盤面との高さ方向の傾きを計測する
第3の計測手段と、前記第1の計測手段の計測結果と、
前記第2の計測手段の計測結果との差分に基づく第1傾
斜量と、前記第3の計測手段により計測される第2傾斜
量と、の差分に基づき、前記ステージの位置毎に対応し
た前記平面鏡の誤差を演算する演算手段と、前記演算手
段により予め求められた誤差に基づき、前記ステージが
移動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正して前記ス
テージを駆動させる制御手段と、を備えて位置決めする
ことを特徴とする。
路パターンを縮小倍率してウエハーに投影するための投
影光学手段と、前記投影光学手段により投影された回路
パターンをウエハ上に転写するために、該ウエハを保持
して位置及び傾斜角を制御して位置決めする位置決めス
テージと、を有し、前記位置決めステージは、ステージ
の並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計測するため
に、略直交する2つの方向に延設される第1平面鏡と、
前記ステージの、光学系を支持する鏡筒定盤に対する傾
斜量を計測するための第2平面鏡と、前記第1平面鏡に
対してレーザーを照射して、前記ステージの並進方向の
位置を、該レーザーの反射を利用して計測する第1の計
測手段と、前記第1平面鏡に対してレーザーを照射し
て、前記ステージの傾斜を計測するために、前記第1の
計測手段と鉛直方向に離間した位置で、該レーザーの反
射を利用して位置を計測する第2の計測手段と、前記第
2平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージの
前記鏡筒定盤に対する傾きを計測する第3の計測手段
と、前記第1の計測手段の計測結果と、前記第2の計測
手段の計測結果との差分に基づく第1傾斜量と、前記第
3の計測手段により計測される第2傾斜量と、の差分に
基づき、前記ステージの位置毎に対応した前記平面鏡の
誤差を演算する演算手段と、前記演算手段により予め求
められた誤差に基づき、前記ステージが移動する位置に
応じて前記第1傾斜量を補正して前記ステージを駆動さ
せる制御手段と、を備えて位置決めすることを特徴とす
る。
装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程
と、前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイス
を製造する工程と、を備え、上記の露光装置に記載され
た構成を有してデバイスを製造することを特徴とする。
照しつつ本発明にかかる実施径形態を説明する。ウエハ
ーステージには、XY平面を自由に移動可能なXYステ
ージと、そのXYステージの上に搭載された、Z軸、θ
z方向のチルト補正のために駆動可能な微動ステージを
組み合わせたものを用いる(図10)。これにより、X
YZ軸方向の並進駆動、および、それぞれの軸周り(θ
x、θy、θz)の回転駆動が可能になる。
は、レーザー干渉計(図10の3A−1、3B−1)に
よって計測される。XY方向は駆動ストロークが長いた
め、X軸方向の駆動位置を計測するために、Y軸方向に
延設されたXバーミラー(図10の2A)が使用さ
れ、、Y軸方向の駆動位置を計測するために、X軸方向
に延設されたYバーミラー(図10の2B)が利用され
る。
は、レーザー干渉計3A−1、若しくは3B−1と、そ
れぞれ水平方向に離間して設けられた別個のレーザー干
渉計を用意することで、XY平面内における回転方向の
ずれ量θzが計測可能となる。
ーザー干渉計)3A−1に対し、水平方向に間隔(Δ
y)をおき、かつ、3A−1と同じZ軸方向の高さに、
XY平面内の回転を計測するためのθzレーザー干渉計
(図10の3A−4)を配置する。
鉛直方向に間隔(Δz)をおき、かつ、3A−1と水平
方向に位置ずれなく並び、ステージのy軸まわりの回転
を計測するためのθyレーザー干渉計(図10の3A−
2)を配置する。
ー干渉計3A−4、θyレーザー干渉計3A−2とによ
り、X軸方向の並進駆動と、面内の回転(θz)、y軸
まわりの面外の回転(θy)とをそれぞれ計測すること
ができる。
ーザー干渉計)3B−1に対し、鉛直方向に間隔(Δ
z)をおき、かつ、3B−1と水平方向に位置ずれなく
並び、ステージのX軸まわりの回転を計測するためのθ
xレーザー干渉計(図10の3B−2)から、ステージ
のX軸まわりの面外の回転(θx)を計測することが可
能となる。
4、図5のようにレンズを搭載している鏡筒定盤7に配
置されており、レンズに対するステージの位置を計測す
ることが可能な構成となっている。
基準となるウエハステージのZ軸方向の位置の計測方法
として、次の2つの方法がある。
向の位置を計測し、この位置を基準として、更に、間接
的に鏡筒定盤7から、ウエハーステージのZ軸方向の位
置を計測して、両者の比較から差分をとる方法(間接的
な方法)と、(2)レーザー干渉計により、鏡筒定盤か
らのステージZ軸方向の位置を計測する方法(直接的な
方法)と、の2通りが考えられる。
て、XおよびYバーミラーの、Z軸方向の平面度の計測
方法を説明する。
テージ定盤8からステージのZ軸方向の位置を計測する
場合は、リニアエンコーダーを使う。他に、静電容量セ
ンサーや、渦電流センサーなどでもよく、計測範囲は小
さくても精度がよければよい。これを、例えば、XY平
面内に三角形を形成するように配置すれば、Z軸方向の
位置と同時に各軸まわりの回転(θxおよびθy)も計
測することができる。
する(図10の14−1、14−2、14−3)。
方向の平面度を計測する場合には、計測手段Z1,Z
2,Z3でY軸回りの回転角θyを計測し、この計測値
に基づいて、回転角θyを保持するようにサーボをかけ
た状態で、ウエハーステージ1をY軸方向に移動しなが
ら、Xレーザー干渉計3A−1およびθyレーザー干渉
計3A−2で、位置とその位置における回転角を計測す
る。ここで計測された回転角と、計測手段Z1、Z2、
Z3によって計測された回転角(θy)との差が、Xバ
ーミラーの平面度の誤差である。
ジ1のY軸方向の位置の関数、あるいは、位置毎に対応
した参照テーブルとしてメモリに記録しておく。実際に
ウエハステージを駆動する場合は、ウエハーステージの
Y軸方向の位置に応じた誤差の値を、位置の関数または
参照テーブルデータとして求め、ウエハーステージの位
置を補正して駆動すればよい。または、この補正量を、
レーザー干渉計の計測値からあらかじめ差し引き、ある
いは、加算して、事前に計測値を補正してもよい。
サーは、レーザー干渉計より計測分解能が低いが、Y方
向の間隔、あるいは、X方向の間隔を十分に広くとるこ
とで、チルトを精度よく計測することができる。あるい
は、計測手段(Z1,Z2,Z3)の計測結果に基づい
てサーボをかけ、レーザー干渉計で計測する際に、複数
回計測を繰り返してデータを平均化することで精度を向
上することができる。
定盤(図10の8)の上を2次元に移動する。上記のよ
うな、定盤面からステージのZ軸方向の位置を計測する
ような構成では、定盤面の平面度の影響を受けてしま
う。つまり、ウエハーステージの定盤面に凹凸がある
と、その分、ステージの実際のZ位置は、誤差をもって
しまう。例えば図4のように、ウエハーステージ定盤8
が凹状になっている場合は、ウエハーステージ1は凹部
の影響を受けて、傾いた状態となる。
とウエハーステージ1を非接触にガイドしている、エア
ースライダー(静圧パッド)(図4の9)を、ステージ
下面の広範囲に使用すれば、定盤面8の凹凸の影響を解
消するすることができ、また、静圧パッド9の間隔を十
分広くとることで、定盤面の凹凸によるチルトへの誤差
の影響も少なくすることができる。
がなされている方法(特願平11−187693)であ
る、複数のフォーカスセンサーを用いてウエハーステー
ジ定盤8の平面度をあらかじめ計測しておけばよい。
に、複数のフォーカスセンサー11A、11Bで、ウエ
ハーステージ表面上の同じ点(図6ではP点)を、ステ
ージを駆動して計測する。ウエハーステージ定盤が非常
に精度よく加工された場合、つまり、ウエハーステージ
の走りが、像面と一致している場合は、複数のフォーカ
スセンサーは、すべて同じ計測値を出力(Za、Zb)
するはずである。これは、ウエハー上の同じ点(図6の
P点)を計測しているため、ウエハーの凹凸は、すべて
のフォーカスセンサーに同じだけ計測されるためであ
る。
測値を出力した場合(例えば、図6のZd)、これは、
ウエハーステージ定盤の平面度の影響によって、ステー
ジの走りが像面と異なっているということである。つま
り、この手法を用いることで、ウエハー凹凸の影響を除
いた、定盤面の凹凸を計測することがきでる。
のZ方向の走り誤差を計測したければ、Y方向にフォー
カスセンサーを複数配置し、ウエハー上の同じ点P点
を、ステージをY方向に駆動しながら、各フォーカスセ
ンサーで計測すればよい。
って、ステージ位置によって生じるチルトの誤差も計測
することができる。例えば、Y方向に駆動したときのθ
yの誤差を求めたければ、上記Y方向に並んだ複数のフ
ォーカスセンサーを更にX方向に複数配置する、つま
り、2次元配列に配置すればよい。
荷重変動により、レンズを支持している鏡筒定盤7が変
形してしまうことも考えられる。すると、レーザー干渉
計を支えている支柱7aが変動してしまい、計測に誤差
を持ってしまう。そこで、図5のように、鏡筒定盤7と
ウエハーステージ定盤8を分離した構造にすることで、
ウエハーステージの位置の移動による、鏡筒定盤の変形
を防ぐことができる。このとき鏡筒定盤7とウエハース
テージ定盤8の位置関係は、レーザー干渉計(3D−
1、3D−2)などのセンサーを用いて計測することが
できる。両定盤間のレーザー干渉計は少なくとも3箇所
を計測することで、Z軸方向(上下の高さ方向)、X
軸、Y軸まわりの回転角(θx、θy)を計測すること
ができる。
盤面8を基準として、Z軸方向の位置を計測する計測手
段を用いて、Xバーミラー2Aの平面度の誤差を求める
ことができる。
求めることもでき、これらの平面度の誤差に基づき、ウ
エハステージのチルト量を補正することが可能となる。
接的な方法による場合、ウエハーステージ定盤面8の平
面度の影響や、鏡筒定盤7の変形による誤差を取り除く
必要性が生じる。また、計測手段として使用されるセン
サー(Z1,Z2,Z3)は、一般的にレーザー干渉計
よりも計測分解能が低いという制約も生じる。
ージ1のZ方向の位置を、鏡筒定盤7から直接計測する
方法を説明する。
バーミラー2A、Yバーミラー2Bの他に、45度の傾
きをもたせた傾斜バーミラー(2D、2E、2F)が配
置される。このとき、X軸方向からレーザー干渉計(3
A−3)より発せられた光を傾斜バーミラー2Dに当て
る。すると、その光は、傾斜バーミラー2Dによって、
垂直上方に折り曲げられ、図示しない鏡筒定盤に向か
う。鏡筒定盤面を平面ミラーにしておくことで、この垂
直上方に折り曲げられた光は、もと来た経路をたどり、
レーザー干渉計(3A−3)に戻ってくる。この干渉計
の値と、Xレーザー干渉計(3A−1)の計測値との差
分から、Z軸方向の位置(Y軸まわりの回転)を計測す
ることができる。この傾斜バーミラーに対するZ軸方向
のレーザー干渉計を、複数個用意することで、ウエハー
ステージのチルト量を計測することができる。
A−1、3C−1)とZレーザー干渉計(3A−3、3
C−3)とを、それぞれウエハーステージの正面側と背
面側にそれぞれ2系統を用意している。また、Y方向に
もZレーザー干渉計を用意している(3B−3)。これ
らZレーザー干渉計(3A−3、3B−3、3C−3)
を用いれば、ウエハーステージのZ方向の位置と、X
軸、Y軸まわりの回転角(θx、θy)が計測可能であ
る。
位置をZレーザー干渉計(3A−3、3B−3、3C−
3)で計測する場合は、鏡筒定盤側に広い範囲で反射面
を形成しなければならない。実際は、鏡筒定盤面には、
レンズやオフ・アクシス・スコープ、または、フォーカ
スセンサーなどが搭載されている。そのため、ウエハー
ステージのXY移動平面すべてにおいて、Zレーザー干
渉計(3A−3、3B−3、3C−3)を複数において
計測することは困難であり、通常、どれか1つが計測可
能で、ウエハーステージの移動に伴い、有効な干渉計を
切り替えて計測するのが通常である。
B−3、3C−3)は、いずれか有効な1つでZ軸方向
の位置の計測を行い、チルト量は、θxおよびθy干渉
計(3B−2、3A−2)で行うことになり、Xおよび
Yバーミラー(2A、2B)の、Z方向の平面度の影響
を無視できなくなる。
誤差成分をウエハーステージの姿勢制御にフィードバッ
クすればよい。例えば、Xバーミラー2AのZ方向の平
面度を計測するとき、レーザー干渉計3A−3および3
C−3で、Y軸回りの回転角θyを計測し、この計測値
(回転角θy)を保持するようにサーボをかけた状態
で、ウエハーステージをY軸方向に移動しながら、Xレ
ーザー干渉計3A−1およびθyレーザー干渉計で、位
置とその位置における回転角を計測する。ここで計測さ
れた回転角と、レーザー干渉計(3A−3、3C−3)
によって計測された回転角(θy)との差が、Xバーミ
ラー2Aの平面度の誤差である。
3C−3は、ウエハステージのXY平面内の移動範囲に
おいて、常に計測可能である。
測値は、それぞれ、傾斜バーミラーと、鏡筒定盤に取付
けられている不図示の平面ミラーの平面度の影響を受け
てしまう。この場合、レーザー干渉計3A−3及び3C
−3の間隔を十分大きくとることで、θyの誤差を小さ
くすることもできる。
ンサーを用いて定盤平面度を計測する方法(図6)で、
ステージをY方向に移動したときのθyの誤差を、あら
かじめ求めておいてもよい。この場合の、計測値は、定
盤平面度の影響によるものでなく、傾斜バーミラーと鏡
筒定盤の平面ミラーの平面度の影響による誤差が計測で
きる。この誤差成分を、XバーミラーのZ方向の平面度
を求めるときに、計算に含めることで補正すればよい。
できる。すなわち、X軸回りの回転角(θx)の計測
を、レーザー干渉計3A−3、3B−3、3C−3で行
ってもよいし、Y軸方向に、レーザー干渉計3B−3と
対向する位置に、不図示のレーザー干渉計を用意して、
X軸の場合と全く同様に計測し、Yバーミラー2BのZ
軸方向の平面度の誤差を補正することができる。
に、X、Yバーミラーの平面度を計測するための目的で
あれば、次のような構成でも十分である。
面度の計測の場合を考える。このとき、チルト量を計測
し、その状態を保持するようにサーボをかけて、ウエハ
ーステージをY方向に移動しながら、Xレーザー干渉計
3A−1とθyレーザー干渉計3A−2の計測値の差を
求める。この計測値の差が、XバーミラーのZ方向の平
面度である。
分を計測するためのセンサーを考える。図8のように、
Y方向に延設されたZバーミラー(2G、2H)を、ウ
エハーステージに配置する。Zバーミラー2G、2H
を、それぞれ鏡筒定盤に配置されたレーザー干渉計(3
A−3、3C−3)によって計測する。この場合、レー
ザー干渉計(3A−3、3C−3)がX軸に平行に並ん
でいれば、X軸回りの回転角(θx)の影響を受けずに
Y軸回りの回転角(θy)は、(1)式で計算すること
ができる。
定間距離。
X軸に平行でない場合は、Y方向に対してもレーザー干
渉計を用意して、この構成からX軸方向の回転角(θ
x)も同時に計測するか、または、Yレーザー干渉計3
B−1とθxレーザー干渉計3B−2で、X軸回りの回
転角を保持するサーボをかけた状態で、ウエハーステー
ジをX軸方向に移動して、位置ごとに、対応する回転方
向の誤差を差分計算して求めてもよい。
る場合、ウエハーステージがX方向に移動してしまう
と、計測できなくなってしまう場合があるが、バーミラ
ーの平面度の計測のために、レーザー干渉計3A−3及
び3C−3が同時に計測できるX座標位置にステージを
移動させて、そこで、ステージをY軸方向に移動しなが
ら、Xバーミラー2Aの平面度を計測すればよい。
て、レーザー干渉計3A−3、3C−3の計測値は、そ
れぞれ、Zバーミラー2G、2Hの平面度の影響を受け
てしまうが、Xspanを十分大きくとることで、その
誤差の影響を小さくすることができる。また、先ほど述
べた、複数のフォーカスセンサーを用いて定盤平面度を
計測する方法で、ステージをY方向に移動したときの、
θyの誤差を、あらかじめ求めておいてもよい。この場
合の、計測値は、定盤平面度の影響によるものでなく、
Zバーミラー2G、2Hの平面度の影響による誤差が計
測できる。この誤差成分をXバーミラーのZ方向の平面
度を求めるときに計算に含めることで補正すればよい。
法も、全く同様に行なうことができる。
度に起因して生じるステージのチルト(傾斜)に関する
計測誤差をあらかじめ計測しておき、これをステージの
位置の関数または参照テーブルデータとして記憶手段に
記憶し、ステージが駆動する際に、その関数または参照
テーブルから補正量を求め、ステージを補正駆動するこ
とで、ステージのチルト(傾斜)に関する位置決め精度
を向上させることができる。
ージを用いた半導体露光装置の概略的な構成を説明する
図である。この装置を利用して、レチクル上の回路パタ
ーンをウエハーに転写する方法を説明する。
り、レチクル側、ウエハー側のステージの位置は、すべ
て、このレンズからの位置で計測される。つまり、鏡筒
定盤7に設置されたレーザー干渉計によって、不図示の
レチクルステージ、ウエハーステージ1の位置は計測さ
れる。
いう。)12の上面から入射して、この露光光によりレ
チクルの回路パターンはレンズにより所定の倍率に縮小
され、ウエハステージ1上のウエハー上に転写される。
このとき、ウエハー表面がレンズの像面と一致するよう
に、鏡筒定盤7に設置されたフォーカスセンサー11に
よって、ウエハーステージ1はZ方向(上下方向)およ
びチルト(傾斜角)を補正して駆動する。なお、スキャ
ナーでは、レンズを通る露光光はスリット状で、レチク
ルステージおよびウエハーステージをレンズの倍率とほ
ぼ同じ割合で、同期スキャンされることで、レチクル全
面のパターンを、ウエハーに転写する。
ハーステージは、およそショットの間隔だけステップ
し、同じように露光を繰り返す。これを、ウエハー全面
に対して繰り返し行う。以上が、半導体露光装置の概略
的な説明である。
エハーステージの構成について説明する。ウエハーステ
ージは、ウエハーステージ定盤(図10の8)の上を、
XY方向に自由に移動することができるXYステージ
と、XYステージ上に搭載されており、Z方向と、Z軸
回りの回転(θz)、X軸、Y軸回りのチルト(θx、
θy)方向に駆動可能な微動ステージから構成される。
XYステージは、ウエハーステージ定盤8の上を、エア
ースライダー(静圧パッド)による空気の吹出し力で、
定盤上をわずかに浮上し、非接触にXYステージを案内
する。
−1、15A−2)で駆動される。この2つのリニアモ
ーターの間に、Xリニアモーター(15B)が配置して
ある。XYステージは、これらのリニアモータを駆動源
として、エアースライダーの案内により、ウエハーステ
ージ定盤の上を、非接触に駆動することができる。
ニアモーター(15C)と、Z方向に駆動可能なリニア
モーターが配置されている(15D−1、15D−2、
15D−3)。θzおよび、Z軸並進、チルト(θx、
θy)方向は、これらのリニアモータを駆動源とする。
測用のバーミラー(2A、2B)が搭載されている。こ
れらのバーミラーにレーザー干渉計の光を当て、帰って
きた反射光により、ウエハーステージの位置を計測す
る。X方向計測用のバーミラーは、Y方向に延設され、
Y方向計測用のバーミラーは、X方向に延設されてい
る。
から、Y方向に任意の間隔ΔYをおいて、θzレーザー
干渉計3A−4が配置されている。Xおよびθz干渉計
のZ高さは、ほぼ同じであることが望ましい。Xおよび
θzレーザー干渉計の計測値の差を、両干渉計の間隔で
割ることで、微動ステージのθz回転角(XY平面の回
転ずれ)を求めることができる。θzを計測する干渉計
は、Y軸側にあってもよく、また、X軸Y軸の両方に搭
載し、平均化させることで、さらに精度よくθzを計測
することもできる。
向に任意の間隔ΔZをおいて、θyレーザー干渉計3A
−2が配置されている。Xおよびθyレーザー干渉計の
Y方向の位置は、ほぼ同じが望ましい。ウエハーステー
ジのY軸回りの回転は、Xレーザー干渉計3A−1とθ
yレーザー干渉計3A−2の計測値の差を、両干渉計の
間隔で割ることで求められる。Yレーザー干渉計3B−
1も同様に、θxレーザ干渉計3B−2を配置すること
で、ウエハーステージのX軸回りの回転角θxを計測す
ることができる。
15D−3の付近には、リニアエンコーダー(14−
1、14−2、14−3)が配置されている。それぞ
れ、ステージ定盤面から、微動ステージまでのZ位置を
計測している。この3つセンサーの計測値から、微動ス
テージのZ軸方向およびチルト(θx、θy)量を計測
することができる。チルト量に関しては、レーザー干渉
計でも計測しているので、通常は、レーザー干渉計の値
を用いるが、場合によっては両者を使い分けることが可
能である。
ク図である。なお、図11は、簡略化した図であり、実
際のセンサーやリニアモーターの配置は、図10に従う
ものとする。レーザー干渉計(3A−1、3A−4、3
B−1)等のデータは、レーザー干渉計カウンター(1
6A−1、16A−4、16B−1)等を介して演算装
置17に送られる。演算装置17はプロセッサーやメモ
リーを搭載したコンピュータである。センサーから得ら
れた計測情報から、ステージの各軸の位置を算出し、ス
テージの目標位置との差分を求める。この差分から、ス
テージの駆動量を計算し、リニアモーターに流す電流値
を算出する。この算出結果は、リニアモータードライバ
ー18に送られ、実際に、リニアモーターに電流を流す
ことで、ステージの位置サーボを行っている。
置における、各センサーの誤差を記憶しておく。例え
ば、第1実施形態のような、バーミラーの平面度の影響
によるチルト(ステージの傾斜)に関する誤差である。
この誤差は、上述の手法で、あらかじめ計測され、ステ
ージのX方向の位置に対応するX軸回りの回転角(θ
x)の誤差、ステージY方向の位置に対応するY軸回り
の回転角(θy)の誤差として、関数あるいは参照テー
ブルとして、メモリーに記憶されている。
いて、メモリに記憶されている関数あるいは参照テーブ
ルから、回転角(θx)の誤差が求められ、ウエハース
テージを駆動する際に、誤差を補正した駆動量が決定さ
れる。
べたが、レーザー干渉計のビームスポットの設計値から
の位置ずれによる誤差、いわゆるアッベ誤差や、バーミ
ラー平面度の影響による、X軸方向の位置におけるY軸
成分の誤差、Y軸方向の位置におけるX軸成分の誤差な
どがある。
置から隣接するショット位置に変更された場合、演算装
置17は、ステージの速度や加速度ををある一定値を越
えないように、なおかつ、高速でステージが駆動するよ
うに、ステージのサーボ目標位置を、所定のショットの
位置に近づけていく。ステージが目標のショット位置に
駆動されると、ウエハー表面をフォーカスセンサーで計
測する。このとき、複数のフォーカスセンサーを用い
て、ウエハー表面と像面のZおよび傾斜の差分を算出す
る。この計測値は、演算装置17に送られ、ウエハース
テージのZおよびチルトのサーボ目標位置を更新し、ス
テージを駆動することで、ウエハー表面を像面に追い込
む。
向の位置を計測する方法であるが、リニアエンコーダー
を使用する代わりに、Z方向の位置、傾斜を計測するレ
ーザー干渉計を用いてもよい。
説明した半導体露光装置を利用した半導体デバイスの製
造プロセスを説明する。図12は半導体デバイスの全体
的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップS
1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パタ
ーンに基づいて露光装置の露光用マスクを作製する。一
方、ステップS3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料
を用いてウエハを製造する。ステップS4(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップS5(組み立て)は後工
程と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の組立て工程を含む。ステップS6
(検査)ではステップS6で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
(ステップS7)する。
ーを示す図である。ステップS11(酸化)ではウエハ
の表面を酸化させる。ステップS12(CVD)ではウ
エハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップS13(電極形
成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップS13(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップS15(レジスト処理)ではウエハに感
光剤を塗布する。ステップS16(露光)では上記説明
した露光装置によって回路パターンをウエハに描画(露
光)する。ステップS17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップS18(エッチング)では現像し
たレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。
およびそのステージを利用した露光装置を、半導体製造
プロセスにおいて適用することにより、ウエハー表面を
レンズ像面に追い込む精度が向上し、レチクルの回路パ
ターンをデフォーカスすることなく、ウエハーに転写す
ることができる。また、フォーカス駆動にかかる時間
や、ステージが静止するのを待つ時間が短縮され、スル
ープットも向上する。
生じるステージの傾斜に関する計測誤差をあらかじめ計
測しておき、これをステージの位置の関数または参照テ
ーブルデータとして記憶手段に記憶し、ステージが駆動
する際に、その関数または参照テーブルから補正量を求
め、ステージを補正駆動することで、ステージの傾斜に
関する位置決め精度を向上させることができる。
い込む精度が向上し、レチクルの回路パターンをデフォ
ーカスすることなく、ウエハーに転写することができ
る。また、フォーカス駆動にかかる時間や、ステージが
静止するのを待つ時間が短縮され、スループットも向上
する。
なウエハーステージ構成を示す図である。
転角(θy)の計測の誤差を説明する図である。
フォーカスの状態を示す図である。
テージのチルトに関する誤差に与える影響を説明する図
である。
構造を説明する図である。
明する図である。
測するための構成を説明する図である。
測するための構成を説明する図である。
ある。
ジの構成を説明する図である。
ック図である。
ローを示す図である。
る。
Claims (15)
- 【請求項1】 定盤面上を並進方向に駆動して、ステー
ジを平面内に位置決めする第1の駆動手段と、前記ステ
ージを高さ方向に駆動して、焦点方向に位置決めする第
2の駆動手段と、を有する位置決めステージにおいて、 前記ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計
測するために、略直交する2つの方向に延設される平面
鏡と、 前記平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージ
の並進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して計測
する第1の計測手段と、 前記平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージ
の傾斜を計測するために、前記第1の計測手段と鉛直方
向に離間した位置で、該レーザーの反射を利用して位置
を計測する第2の計測手段と、 前記ステージと、前記定盤面との高さ方向の傾きを計測
する第3の計測手段と、 前記第1の計測手段の計測結果と、前記第2の計測手段
の計測結果との差分に基づく第1傾斜量と、前記第3の
計測手段により計測される第2傾斜量と、の差分に基づ
き、前記ステージの位置毎に対応した前記平面鏡の誤差
を演算する演算手段と、 前記演算手段により予め求められた誤差に基づき、前記
ステージが移動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正
して前記ステージを駆動させる制御手段と、 を備えることを特徴とする位置決めステージ。 - 【請求項2】 定盤面上を並進方向に駆動して、ステー
ジを平面内に位置決めする第1の駆動手段と、前記ステ
ージを高さ方向に駆動して、焦点方向に位置決めする第
2の駆動手段と、を有する位置決めステージにおいて、 前記ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計
測するために、略直交する2つの方向に延設される第1
平面鏡と、 前記ステージの、光学系を支持する鏡筒定盤に対する傾
斜量を計測するための第2平面鏡と、 前記第1平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの並進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して
計測する第1の計測手段と、 前記第1平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの傾斜を計測するために、前記第1の計測手段と鉛
直方向に離間した位置で、該レーザーの反射を利用して
位置を計測する第2の計測手段と、 前記第2平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの前記鏡筒定盤に対する傾きを計測する第3の計測
手段と、 前記第1の計測手段の計測結果と、前記第2の計測手段
の計測結果との差分に基づく第1傾斜量と、前記第3の
計測手段により計測される第2傾斜量と、の差分に基づ
き、前記ステージの位置毎に対応した前記平面鏡の誤差
を演算する演算手段と、 前記演算手段により予め求められた誤差に基づき、前記
ステージが移動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正
して前記ステージを駆動させる制御手段と、 を備えることを特徴とする位置決めステージ。 - 【請求項3】 前記演算手段により演算された平面鏡の
誤差は、前記ステージの位置に対応した関数として、あ
るいは、参照テーブルとして、記憶手段に記憶されるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の位置決めステ
ージ。 - 【請求項4】 前記制御手段は、前記ステージの位置に
応じて、前記記憶手段に記憶されている、関数あるいは
参照テーブルから前記平面鏡の誤差を求め、該誤差に基
づき、前記第2の駆動手段の制御量を制御することを特
徴とする請求項1または2に記載の位置決めステージ。 - 【請求項5】 前記ステージは、前記定盤面上を静圧パ
ッドにより、前記定盤面上を非接触に案内されることを
特徴とする請求項1または2に記載の位置決めステー
ジ。 - 【請求項6】 前記第1及び第2の計測手段は、レーザ
ー干渉計であることを特徴とする請求項1に記載の位置
決めステージ。 - 【請求項7】 前記第3の計測手段にはリニアエンコー
ダー、静電容量センサーや、渦電流センサーが含まれる
ことを特徴とする請求項1に記載の位置決めステージ。 - 【請求項8】 前記第1乃至第3の計測手段は、レーザ
ー干渉計であることを特徴とする請求項2に記載の位置
決めステージ。 - 【請求項9】 前記第2平面鏡は、前記第1平面鏡に対
して略45度の傾斜角を有して前記ステージに延設され
ており、 前記第3の計測手段から該第2平面鏡に照射されたレー
ザーは、該第2平面鏡の傾斜角により鉛直上方におい
て、前記ステージと対向する鏡筒定盤面に設けられた第
3平面鏡を照射し、該第3平面鏡からの反射を利用し
て、前記ステージと、該鏡筒定盤に対する傾きを計測す
ることを特徴とする請求項2に記載の位置決めステー
ジ。 - 【請求項10】 前記第2平面鏡は、前記鏡筒定盤に対
向した前記ステージ上の面に延設されており、前記第3
の計測手段は、前記第2平面鏡に対して、略垂直な方向
に設けられた位置で、該ステージの該鏡筒定盤に対する
傾きを計測することを特徴とする請求項2に記載の位置
決めステージ。 - 【請求項11】 前記平面鏡に対してレーザーを照射し
て、前記ステージの定盤面内の回転を計測するために、
前記第1の計測手段と水平方向に離間した位置で、該レ
ーザーの反射を利用して位置を計測する第4の計測手段
を更に備え、 前記演算手段は、前記第1の計測手段の計測結果と、前
記第4の計測手段の計測結果と、から前記ステージの前
記定盤面内の回転方向の誤差を演算し、 前記制御手段は、前記回転方向の誤差を補正して前記ス
テージの並進方向の駆動を制御することを特徴とする請
求項1に記載の位置決めステージ。 - 【請求項12】 前記第1平面鏡に対してレーザーを照
射して、前記ステージの定盤面内の回転を計測するため
に、前記第1の計測手段と水平方向に離間した位置で、
該レーザーの反射を利用して位置を計測する第4の計測
手段を更に備え、 前記演算手段は、前記第1の計測手段の計測結果と、前
記第4の計測手段の計測結果と、から前記ステージの前
記定盤面内の回転方向の誤差を演算し、 前記制御手段は、前記回転方向の誤差を補正して前記ス
テージの並進方向の駆動を制御することを特徴とする請
求項2に記載の位置決めステージ。 - 【請求項13】 露光装置であって、 露光光により原版の回路パターンを縮小倍率してウエハ
ーに投影するための投影光学手段と、 前記投影光学手段により投影された回路パターンをウエ
ハ上に転写するために、該ウエハを保持して位置及び傾
斜角を制御して位置決めする位置決めステージと、を有
し、 前記位置決めステージは、 ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計測す
るために、略直交する2つの方向に延設される平面鏡
と、 前記平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージ
の並進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して計測
する第1の計測手段と、 前記平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステージ
の傾斜を計測するために、前記第1の計測手段と鉛直方
向に離間した位置で、該レーザーの反射を利用して位置
を計測する第2の計測手段と、 前記ステージと、前記定盤面との高さ方向の傾きを計測
する第3の計測手段と、 前記第1の計測手段の計測結果と、前記第2の計測手段
の計測結果との差分に基づく第1傾斜量と、前記第3の
計測手段により計測される第2傾斜量と、の差分に基づ
き、前記ステージの位置毎に対応した前記平面鏡の誤差
を演算する演算手段と、 前記演算手段により予め求められた誤差に基づき、前記
ステージが移動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正
して前記ステージを駆動させる制御手段と、 を備えて位置決めすることを特徴とする露光装置。 - 【請求項14】 露光装置であって、 露光光により原版の回路パターンを縮小倍率してウエハ
ーに投影するための投影光学手段と、 前記投影光学手段により投影された回路パターンをウエ
ハ上に転写するために、該ウエハを保持して位置及び傾
斜角を制御して位置決めする位置決めステージと、を有
し、 前記位置決めステージは、 ステージの並進方向の位置及び高さ方向の傾斜を計測す
るために、略直交する2つの方向に延設される第1平面
鏡と、 前記ステージの、光学系を支持する鏡筒定盤に対する傾
斜量を計測するための第2平面鏡と、 前記第1平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの並進方向の位置を、該レーザーの反射を利用して
計測する第1の計測手段と、 前記第1平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの傾斜を計測するために、前記第1の計測手段と鉛
直方向に離間した位置で、該レーザーの反射を利用して
位置を計測する第2の計測手段と、 前記第2平面鏡に対してレーザーを照射して、前記ステ
ージの前記鏡筒定盤に対する傾きを計測する第3の計測
手段と、 前記第1の計測手段の計測結果と、前記第2の計測手段
の計測結果との差分に基づく第1傾斜量と、前記第3の
計測手段により計測される第2傾斜量と、の差分に基づ
き、前記ステージの位置毎に対応した前記平面鏡の誤差
を演算する演算手段と、 前記演算手段により予め求められた誤差に基づき、前記
ステージが移動する位置に応じて前記第1傾斜量を補正
して前記ステージを駆動させる制御手段と、 を備えて位置決めすることを特徴とする露光装置。 - 【請求項15】 半導体デバイスの製造方法であって、 露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する
工程と、 前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製
造する工程と、 を備え、前記露光装置は、請求項13また14に記載さ
れた構成を有してデバイスを製造することを特徴とする
半導体デバイスの製造方法。
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