JP2015146342A - リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015146342A
JP2015146342A JP2014017744A JP2014017744A JP2015146342A JP 2015146342 A JP2015146342 A JP 2015146342A JP 2014017744 A JP2014017744 A JP 2014017744A JP 2014017744 A JP2014017744 A JP 2014017744A JP 2015146342 A JP2015146342 A JP 2015146342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis
substrate
optical
measurement
charged particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014017744A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015146342A5 (ja
JP6338386B2 (ja
Inventor
伊藤　敦史
Atsushi Ito
敦史 伊藤
是永　伸茂
Nobushige Korenaga
伸茂 是永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014017744A priority Critical patent/JP6338386B2/ja
Priority to US14/590,379 priority patent/US9547242B2/en
Publication of JP2015146342A publication Critical patent/JP2015146342A/ja
Publication of JP2015146342A5 publication Critical patent/JP2015146342A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6338386B2 publication Critical patent/JP6338386B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する複数の光学系を含み、該光学系の光軸に直交する第１方向及び第２方向のうち少なくとも一方に沿って配列された光学ユニットと、前記光軸に平行な軸のまわりの前記光学ユニットの回転角を計測するための一対の干渉計と、を有し、前記一対の干渉計の計測軸の間の距離は、前記第１方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離及び前記第２方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上であることを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
リソグラフィ装置の１つとして、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置がある。描画装置は、荷電粒子光学系から射出された荷電粒子線を基板に照射し、かかる荷電粒子線を制御（偏向）することで基板上（のレジスト）に任意のパターンを描画（形成）する。荷電粒子光学系は、鏡筒に収納され、真空チャンバに支持されている。
描画装置によって基板に描画されるパターンには、高い描画位置精度が要求されるが、例えば、荷電粒子光学系の鏡筒の振動などによる位置変動が発生すると、パターンの描画位置精度が低下してしまう。従来の露光装置では、投影光学系を収納する鏡筒の位置を計測する計測系を有し、かかる計測系の計測結果に基づいてリアルタイムに露光位置（パターンの形成位置）を補正する、所謂、鏡筒参照計測が行われている（特許文献１参照）。このような鏡筒参照計測では、複数の干渉計を用いて、鏡筒の並進方向の位置変動の計測だけではなく、鏡筒の各並進方向まわりの姿勢変動の計測も行われている。
特開２００４−１５３０９２号公報
描画装置には、スループットを向上させるために、複数の荷電粒子光学系を第１方向及び第２方向の少なくとも一方に配列させたマルチカラム方式の描画装置がある。この場合、複数の荷電粒子光学系の下に配置された基板ステージは第１方向や第２方向に移動し、複数の荷電粒子光学系のそれぞれから射出された複数の荷電粒子線を、基板ステージに保持された基板に同時に照射することが可能である。このようなマルチカラム方式の描画装置においても、描画位置精度を向上させるために、鏡筒参照計測が必要となる。
従来の露光装置では、一度に露光される基板上の領域の一辺の長さは、最大３０ｍｍ程度である。一方、マルチカラム方式の描画装置では、複数の荷電粒子線が同時に照射される基板上の領域の一辺の長さは、例えば、２５０ｍｍ程度となる場合がある。鏡筒参照計測における荷電粒子光学系の光軸まわりの回転計測誤差は、基板に照射される荷電粒子線の目標位置誤差となり、かかる目標位置誤差は、複数の荷電粒子線が同時に照射される基板上の領域（の一辺の長さ）と回転計測誤差とに依存する。従って、描画装置では、複数の荷電粒子線が同時に照射される基板上の領域の一辺の長さが長いため、描画位置精度（基板上でのビームの位置決め精度）が低下することになる。
本発明は、基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する複数の光学系を含み、該光学系の光軸に直交する第１方向及び第２方向のうち少なくとも一方に沿って配列された光学ユニットと、前記光軸に平行な軸のまわりの前記光学ユニットの回転角を計測するための一対の干渉計と、を有し、前記一対の干渉計の計測軸の間の距離は、前記第１方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離及び前記第２方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上であることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板上でのビームの位置決め精度の点で有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
本発明の一側面としての描画装置の構成を示す概略図である。 光学ユニットと、第１干渉計と、反射鏡との配置関係の一例を示す図である。 基板ステージと、第２干渉計と、反射鏡との配置関係の一例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の一側面としての描画装置１００の構成を示す概略図である。描画装置１００は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、荷電粒子線で基板に描画を行う。描画装置１００は、真空チャンバ２と、基板ステージ４と、第１干渉計５と、反射鏡６と、第２干渉計７と、反射鏡８と、光学ユニット１０とを有する。
光学ユニット１０は、パターンを形成するためのエネルギー線を基板３に照射する複数の光学系で構成されている。光学ユニット１０は、荷電粒子線を基板３に照射する複数の荷電粒子光学系１を光軸に平行な方向（Ｚ軸方向）に直交する第１方向（Ｘ軸方向）及び第２方向（Ｙ軸方向）の少なくとも一方に沿って配列して構成される。
真空チャンバ２は、光学ユニット１０の一部分を収納するとともに光学ユニット１０を支持する。真空チャンバ２に収納された光学ユニット１０の一部分には、反射鏡６が設けられており、第１干渉計５によって光学ユニット１０の位置及び回転が計測できるようになっている。
基板ステージ４は、光学ユニット１０の下に配置され、基板３を保持してＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する。また、基板ステージ４には、反射鏡８が設けられており、第２干渉計７によって基板ステージ４の位置及び回転が計測できるようになっている。
描画装置１００は、ＣＰＵやメモリなどを含む制御部（不図示）も有する。かかる制御部において、光学ユニット１０（荷電粒子光学系１）からの荷電粒子線を制御（荷電粒子線の照射及び非照射の選択、荷電粒子線の偏向など）しながら基板ステージ４をＸＹ平面内で移動させることで、基板３に任意のパターンを描画することができる。
図２は、光学ユニット１０（荷電粒子光学系１）と、第１干渉計５と、反射鏡６との配置関係の一例を示す図である。図２において、光学ユニット１０は、６つの荷電粒子光学系１で構成されている。６つの荷電粒子光学系１は、例えば、Ｙ軸方向に１００ｍｍのピッチで、Ｘ軸方向に５０ｍｍのピッチで互いに離間して配列されている。６つの荷電粒子光学系１のうち、Ｘ軸方向において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離（中心間距離）はＬＸで表され、Ｙ軸方向において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離（中心間距離）はＬＹで表されている。本実施形態では、距離ＬＸは２５０ｍｍであり、距離ＬＹは１００ｍｍである。
基板３の全面を描画（露光）するために必要となる基板ステージ４の移動ストローク量（可動量）は、光学ユニット１０における荷電粒子光学系１の配置によって決定される。本実施形態では、基板３をＸ軸方向に５０ｍｍごとに短冊状に分割した領域を、それぞれの荷電粒子光学系１（からの荷電粒子線）で描画することで基板３の全面を描画することができる。換言すれば、例えば、直径３００ｍｍの基板の場合、Ｘ軸方向に少なくとも５０ｍｍ、Ｙ軸方向に少なくとも４００ｍｍの移動ストロークを基板ステージ４が有することで、基板３の全面を描画することができる。
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有する、一般的な露光装置では、その露光領域のサイズは、２６ｍｍ×３３ｍｍである。一方、本実施形態の描画装置１００では、光学ユニット１０（荷電粒子光学系１）からの荷電粒子線が同時に照射される基板上の描画領域のサイズは、Ｘ軸方向に最大で２５０ｍｍ、Ｙ軸方向に最大で１００ｍｍとなる。従って、描画装置１００における基板上の描画領域のサイズは、一般的な露光装置における露光領域のサイズの１０倍程度となる。
ここで、描画装置１００において、光学ユニット１０の光軸まわり（Ｚ軸まわり）の回転を計測するための第１干渉計５として、一般的な露光装置の露光軸まわりの回転を計測するための干渉計（計測精度が等しい干渉計）を用いた場合を考える。この場合、描画領域と露光領域との最大の長さの比によって干渉計による回転計測誤差が増幅されるため、例えば、図２に示す構成では、一般的な露光装置の露光位置誤差よりも１０倍の描画位置誤差が生じてしまう。
そこで、本実施形態では、図２に示すように、５つの第１干渉計５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ及び５ｅを配置している。６つの荷電粒子光学系１で構成される光学ユニット１０の位置及び回転を計測するために、第１干渉計５ａ乃至５ｅからの計測光を反射する反射鏡６が光学ユニット１０に設けられている。反射鏡６は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って設けられ、本実施形態では、ＸＹ平面おいてＬ字形状を有する。反射鏡６に対して、第１干渉計５ａの計測軸１５、第１干渉計５ｂの計測軸１４、第１干渉計５ｃの計測軸１３、第１干渉計５ｄの計測軸１２及び第１干渉計５ｅの計測軸１１の５軸が構成されている。計測軸１５と計測軸１３とは、Ｚ軸方向の位置座標が同一で、Ｘ軸方向の位置座標が異なっている。計測軸１４と計測軸１３とは、Ｘ軸方向の位置座標が同一で、Ｚ軸方向の位置座標が異なっている。計測軸１２と計測軸１１とは、Ｙ軸方向の位置座標が同一で、Ｚ軸方向の位置座標が異なっている。従って、第１干渉計５ａ乃至５ｅによって、光学ユニット１０のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、Ｘ軸まわりの回転、Ｙ軸まわりの回転及びＺ軸まわりの回転の５軸の位置姿勢（５自由度の運動状態）を計測可能である。
光学ユニット１０のＺ軸まわりの回転（光軸に平行な軸のまわりの光学ユニット１０の回転角）は、一対の第１干渉計５ａ及び５ｃ（計測軸１５及び１３）によって計測される。一対の第１干渉計５ａ及び５ｃは、計測軸１５と計測軸１３との間の距離がＸ軸方向において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離ＬＸ及びＹ軸において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離ＬＹのうち長い方の距離以上となるように、配置されている。換言すれば、計測軸１５と計測軸１３との間の距離は、Ｘ軸において最も離れた２つの荷電粒子光学系の光軸の間の距離及びＹ軸方向において最も離れた２つの荷電粒子光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上である。図２では、距離ＬＸ（＝２５０ｍｍ）が距離ＬＹ（＝５０ｍｍ）よりも長いため、計測軸１５と計測軸１３との間の距離が２５０ｍｍ以上となるように（図２では、２５０ｍｍ）、第１干渉計５ａ及び５ｃが配置されている。これにより、第１干渉計５ａ及び５ｃは、複数の荷電粒子光学系１を含む光学ユニット１０のＺ軸まわり、即ち、光軸まわりの回転を、計測誤差（計測回転誤差）を低減しながら計測することができる。従って、第１干渉計５ａ及び５ｃの計測結果を、例えば、荷電粒子光学系１からの荷電粒子線の制御や基板ステージ４の位置制御にフィードバックすることで、荷電粒子線による描画位置精度を向上させることができる。
また、第１干渉計５ａ及び５ｃは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のうち基板ステージ４の移動ストローク量が小さい方向（本実施形態ではＸ軸方向）に間隔を有して配置されている。換言すれば、一対の第１干渉計５ａ及び５ｃの計測軸は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のうち基板ステージ４の移動ストローク量（可動量）が大きい方向（Ｙ軸方向）に沿っている。
図３は、基板ステージ４と、第２干渉計７と、反射鏡８との配置関係の一例を示す図である。本実施形態では、図３に示すように、５つの第２干渉計７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ及び７ｅを配置している。基板ステージ４の側面には、第２干渉計７ａ乃至７ｅからの計測光を反射する反射鏡８が設けられている。反射鏡８は、基板ステージ４のＸ軸方向に沿った側面及びＹ軸方向に沿った側面にバーミラーとして設けられている。反射鏡８に対して、第２干渉計７ａの計測軸２５、第２干渉計７ｂの計測軸２４、第２干渉計７ｃの計測軸２３、第２干渉計７ｄの計測軸２２及び第２干渉計７ｅの計測軸２１の５軸が構成されている。計測軸２５と計測軸２３とは、Ｚ軸方向の位置座標が同一で、Ｘ軸方向の位置座標が異なっている。計測軸２４と計測軸２３とは、Ｘ軸方向の位置座標が同一で、Ｚ軸方向の位置座標が異なっている。計測軸２２と計測軸２１とは、Ｙ軸方向の位置座標が同一で、Ｚ軸方向の位置座標が異なっている。従って、第２干渉計７ａ乃至７ｅによって、基板ステージ４のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、Ｘ軸まわりの回転、Ｙ軸まわりの回転及びＺ軸まわりの回転の５軸の位置姿勢を計測可能である。なお、描画装置１００は、基板ステージ４のＺ軸方向の位置を計測するための干渉計（不図示）も有している。
描画装置１００における描画領域のサイズに起因する干渉計による回転計測誤差の増幅の課題は、基板ステージ４においても同様に生じてしまう。基板ステージ４のＺ軸まわりの回転（光軸に平行な軸のまわりの基板ステージ４の回転角）は、一対の第２干渉計７ａ及び７ｃ（計測軸２５及び２３）によって計測される。そこで、一対の第２干渉計７ａ及び７ｃを、計測軸２５と計測軸２３との間の距離がＸ軸方向において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離ＬＸ、及びＹ軸において最も離れた荷電粒子光学系１の間の距離ＬＹのうち長い方の距離以上となるように配置する。換言すれば、計測軸２５と計測軸２３との間の距離は、Ｘ軸において最も離れた２つの荷電粒子光学系の光軸の間の距離及びＹ軸方向において最も離れた２つの荷電粒子光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上である。本実施形態では、距離ＬＸ（＝２５０ｍｍ）が距離ＬＹ（＝５０ｍｍ）よりも長いため、計測軸２５と計測軸２３との間の距離が２５０ｍｍ以上となるように（図３では、２５０ｍｍ）、第２干渉計７ａ及び７ｃが配置されている。これにより、第２干渉計７ａ及び７ｃは、基板ステージ４のＺ軸まわり、即ち光軸まわりの回転計測誤差を低減して計測することができる。従って、第２干渉計７ａ及び７ｃの計測結果を、例えば、荷電粒子光学系１からの荷電粒子線の制御や基板ステージ４の位置制御にフィードバックすることで、荷電粒子線による描画位置精度を向上させることができる。
また、第２干渉計７ａ及び７ｃは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のうち基板ステージ４の移動ストローク量が小さい方向、本実施形態では、Ｘ軸方向に間隔を有して配置されている。換言すれば、一対の第２干渉計７ａ及び７ｃの計測軸は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のうち基板ステージ４の移動ストローク量（可動量）の大きい方向（Ｙ軸方向）に沿っている。
このように、描画装置１００は、光学ユニット１０や基板ステージ４の光軸まわりの回転を計測する精度の点で有利であり、荷電粒子線による描画位置精度を向上させることができる。従って、描画装置１００は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置１００を用いて潜像パターンを形成する工程と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を処理（例えば、現像）する工程（描画を行われた基板を現像する工程）とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を描画装置に限定するものではなく、露光装置やインプリント装置などのリソグラフィ装置にも適用することができる。ここで、露光装置は、光や荷電粒子等のビームを用い、レチクル又はマスク及び投影光学系を介して基板を露光するリソグラフィ装置である。また、インプリント装置は、基板上のインプリント材（樹脂など）をモールド（型）により成形してパターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。

Claims (6)

  1. パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
    前記パターンを形成するためのビームを前記基板に照射する複数の光学系を含み、該光学系の光軸に直交する第１方向及び第２方向のうち少なくとも一方に沿って配列された光学ユニットと、
    前記光軸に平行な軸のまわりの前記光学ユニットの回転角を計測するための一対の干渉計と、を有し、
    前記一対の干渉計の計測軸の間の距離は、前記第１方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離及び前記第２方向において最も離れた２つの光学系の光軸の間の距離のうち長い方の距離以上であることを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記基板を保持して前記第１方向及び前記第２方向に移動するステージを有し、
    前記一対の干渉計の計測軸は、前記第１方向及び前記第２方向のうち前記ステージの可動量の大きい方向に沿っていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記光軸に平行な軸のまわりの前記ステージの回転角を計測するための第２の一対の干渉計を有し、
    前記第２の一対の干渉計の計測軸の間の距離は、前記長い方の距離以上であることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記第２の一対の干渉計の計測軸は、前記第１方向及び前記第２方向のうち前記ステージの可動量の大きい方向に沿っていることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記ビームは、荷電粒子線を含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
JP2014017744A 2014-01-31 2014-01-31 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 Expired - Fee Related JP6338386B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014017744A JP6338386B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US14/590,379 US9547242B2 (en) 2014-01-31 2015-01-06 Lithography apparatus, and method of manufacturing article

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014017744A JP6338386B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015146342A true JP2015146342A (ja) 2015-08-13
JP2015146342A5 JP2015146342A5 (ja) 2017-03-02
JP6338386B2 JP6338386B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=53754586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014017744A Expired - Fee Related JP6338386B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9547242B2 (ja)
JP (1) JP6338386B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10114297B2 (en) * 2016-07-22 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Active eye-to-eye with alignment by X-Y capacitance measurement
CN110244520B (zh) * 2019-05-22 2020-09-15 上海交通大学 用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03272406A (ja) * 1990-03-20 1991-12-04 Nikon Corp 位置合わせ方法及び装置
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2003203842A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Canon Inc 位置決めステージ、露光装置、半導体デバイスの製造方法
JP2004165076A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Advantest Corp 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置
JP2005012021A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Canon Inc 露光装置、及び当該装置を用いたデバイス製造方法、位置合わせ方法、並びにステージ装置
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2007005669A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Nikon Corp 支持装置、ステージ装置及び露光装置
WO2007013612A1 (ja) * 2005-07-29 2007-02-01 Fujifilm Corporation 描画方法および装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2606285B2 (ja) * 1988-06-07 1997-04-30 株式会社ニコン 露光装置および位置合わせ方法
KR100381629B1 (ko) * 1994-08-16 2003-08-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치
US6798516B1 (en) 1996-11-14 2004-09-28 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having compact substrate stage
US6160628A (en) * 1999-06-29 2000-12-12 Nikon Corporation Interferometer system and method for lens column alignment
JP2001308003A (ja) 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6674512B2 (en) * 2001-08-07 2004-01-06 Nikon Corporation Interferometer system for a semiconductor exposure system
US20050151947A1 (en) 2002-07-31 2005-07-14 Nikon Corporation Position measuring method, position control method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4078485B2 (ja) 2002-10-31 2008-04-23 株式会社ニコン 露光装置、ステージ装置、及びステージ装置の制御方法
AU2003297000A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-30 Zygo Corporation In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle
US7336369B2 (en) * 2005-09-30 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Multi-axis interferometer system using independent, single axis interferometers
US7876452B2 (en) * 2007-03-05 2011-01-25 Nikon Corporation Interferometric position-measuring devices and methods

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03272406A (ja) * 1990-03-20 1991-12-04 Nikon Corp 位置合わせ方法及び装置
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2003203842A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Canon Inc 位置決めステージ、露光装置、半導体デバイスの製造方法
JP2004165076A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Advantest Corp 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置
JP2005012021A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Canon Inc 露光装置、及び当該装置を用いたデバイス製造方法、位置合わせ方法、並びにステージ装置
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2007005669A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Nikon Corp 支持装置、ステージ装置及び露光装置
WO2007013612A1 (ja) * 2005-07-29 2007-02-01 Fujifilm Corporation 描画方法および装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150219447A1 (en) 2015-08-06
US9547242B2 (en) 2017-01-17
JP6338386B2 (ja) 2018-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2704001B2 (ja) 位置検出装置
KR100546862B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그 제조방법에 의해 제조된 디바이스
JPH07270122A (ja) 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JP6069509B2 (ja) 定量的レチクル歪み測定システム
JP6071628B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP6278833B2 (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US20140322654A1 (en) Lithography apparatus, and method for manufacturing article
TWI780106B (zh) 用於監測微影製造程序的方法及設備
TWI707208B (zh) 微影裝置及使用該微影裝置而在基板上曝光一曝光區之方法
KR20210109646A (ko) 이동체의 제어 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치, 및 노광 장치
JP6338386B2 (ja) リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2015177032A (ja) リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP7081490B2 (ja) レイアウト情報提供方法、レイアウト情報、決定方法、プログラム、並びに情報記録媒体
JP2019008029A (ja) 露光装置及び物品の製造方法
JP2018022114A (ja) 計測装置、露光装置、および物品の製造方法
JP2012133122A (ja) 近接露光装置及びそのギャップ測定方法
JP2010123755A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP6688330B2 (ja) 露光方法、露光装置、決定方法および物品製造方法
JP2017198793A (ja) 計測装置、露光装置、デバイス製造方法、及びパターン形成方法
JP2016100366A (ja) リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
TW201608344A (zh) 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
JP2015146341A (ja) リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
TWI760959B (zh) 對準方法及相關的對準及微影設備
US20160124322A1 (en) Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method
CN106444300B (zh) 曝光装置以及制造物品的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180508

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6338386

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees