JP2001308003A - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

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JP2001308003A JP2001027940A JP2001027940A JP2001308003A JP 2001308003 A JP2001308003 A JP 2001308003A JP 2001027940 A JP2001027940 A JP 2001027940A JP 2001027940 A JP2001027940 A JP 2001027940A JP 2001308003 A JP2001308003 A JP 2001308003A
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Takechika Nishi
健爾 西
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージ系等の組立調整を容易に、効率的に
行えるようにする。 【解決手段】 ウエハベース39上にウエハステージ4
0A,40Bを移動自在に設置してウエハステージ系W
STを構成し、ウエハステージ系WSTをウエハ室38
内に収納し、その側面にウエハローダ系WRDA,WR
DBが収納されたウエハローダ室70を設置する。位置
A4からウエハローダ系WRDAでウエハW1を搬入す
る際に、搬送途中の位置A3において、撮像素子83
A,84Aの検出結果に基づいて外形基準でウエハW1
の位置合わせを行い、ウエハW1をウエハ室38内の位
置A1に搬入したときに、再び外形基準でウエハステー
ジ40Aに対するウエハW1の位置合わせ(プリアライ
メント)を行う。これによって、ウエハ室38をモジュ
ール方式で組み立てた場合にも、ウエハステージ40A
にウエハを正確に受け渡すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、プラズマディスプレイ素子又は薄膜
磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィ
工程でマスクパターンを基板上に転写する際に使用され
る露光方法及び装置、並びにこれらに関連する技術に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に使用される
一括露光型(ステッパー型)、又は走査露光型(ステッ
プ・アンド・スキャン方式等)の露光装置には高い露光
精度が要求されている。そのため、露光装置において、
マスクとしてのレチクルを位置決めするレチクルステー
ジ系、及び基板としてのウエハを2次元移動するウエハ
ステージ系には、それぞれ高精度な位置決め、又は高精
度な走査ができるような構成が採用されている。そし
て、従来のレチクルステージ系及びウエハステージ系
は、所定のフレーム機構に対して順次直接組み上げられ
ていた。
【0003】また、最近の露光装置においては、解像度
を更に高めるために露光ビームとして、KrFエキシマ
レーザ(波長248nm)よりも短波長のArFエキシ
マレーザ(波長193nm)が使用されつつあると共
に、更に短波長のF2 レーザ光(波長157nm)等の
使用も検討されている。ところが、これらの波長200
nm以下程度の真空紫外光(VUV光)は、通常の空気
(特に酸素)による吸収率が高いため、その真空紫外光
を露光ビームとして使用する場合には、各ステージ系を
それぞれステージ室(サブチャンバ)によって密閉し、
これらのステージ室内に窒素ガスやヘリウムガスのよう
な真空紫外光に対して高透過率の気体を供給するか、更
にはそれらのステージ室の内部の露光ビームの光路をほ
ぼ真空にする必要がある。これは投影光学系の内部の隣
り合うレンズの間の空間についても同様である。そこ
で、真空紫外光を露光ビームとして使用する露光装置で
は、フレーム機構に対して投影光学系を装着して、更に
は各ステージ系を順次組み上げた後に、各ステージ系を
気密性を保って囲むように対応するステージ室を装着す
る必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く例えば真空
紫外光を露光ビームとして使用する露光装置は、フレー
ム機構に対して順次投影光学系や各ステージ系を組み上
げた後に、気密性を保つためのステージ室を装着するこ
とで組み上げられる。しかしながら、このように一つの
フレーム機構に対して順次各ステージ系やステージ室等
を組み上げていく方法では、組立調整に時間を要すると
共に、各ステージ系と投影光学系との間の相対位置の調
整等に長い時間を要するため、露光装置の製造コストが
上昇するという不都合があった。また、そのように順次
各ステージ系や各ステージ室等を組み上げていく方法で
は、露光装置のメンテナンスを行う場合にも調整工程が
複雑化して、メンテナンスの時間及びコストが増大する
という不都合があった。
【0005】更に、各ステージ室等の中に露光ビームに
対して高透過率の気体を供給する構成で、露光装置の組
立調整を容易にする場合に、その高透過率の気体の漏れ
量が多くなり、露光ビームの光路上でのその気体の濃度
が低下して、被露光基板上での露光ビームの強度が低下
する恐れがある。また、その高透過率の気体が例えばヘ
リウムガスのように高価な気体であるときには、運転コ
ストを抑えるためにできるだけその気体を有効に利用す
る必要がある。
【0006】更に、例えばヘリウムガスを露光ビームの
光路に供給する場合には、ヘリウムガスと外気(空気)
とでは屈折率が比較的大きく異なるため、その露光ビー
ムの光路上での外気の混入率が変化すると、ステージ系
の位置計測用のレーザ干渉計の計測精度が低下する恐れ
もある。そこで、露光装置の組立調整を容易にした場合
にも、露光ビームの光路に対しては十分な気密性が要求
される。
【0007】また、露光装置の組立調整を容易にする場
合にも、露光装置の設置面積(フットプリント)を小さ
くするためには、各ステージ系等をできるだけ小型化で
きることが望ましい。本発明は斯かる点に鑑み、ステー
ジ系等の組立調整の容易な露光技術を提供することを第
1の目的とする。
【0008】更に本発明は、ステージ系等の組立調整が
容易であると共に、露光ビームの光路の少なくとも一部
にその露光ビームを透過する気体を供給する場合に、そ
の気体を有効利用して、その光路でのその気体の濃度を
高く維持できる(気密性を高く維持できる)露光技術を
提供することを第2の目的とする。また、本発明は、ス
テージ系等の組立調整が容易で、ステージ系等を小型化
できると共に、可動部等の位置を正確に計測できる露光
技術を提供することを第3の目的とする。
【0009】更に本発明は、そのような露光技術を用い
て低コストで、又は高いスループットで各種デバイスを
製造できるデバイス製造方法を提供することをも目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の露光
方法は、露光ビームで第1物体(R1)を介して第2物
体(W1)を露光する露光方法において、所定の気密性
を有するステージ室(38)内にその第1物体又は第2
物体よりなる被露光体を移動する可動ステージ(40
A,40B)を配置しておき、その被露光体をそのステ
ージ室内に搬入した後、その可動ステージに対するその
被露光体の位置決めを行い、その被露光体をその可動ス
テージに設置した後、その被露光体の露光位置に対する
位置決めを行うものである。
【0011】斯かる本発明によれば、そのステージ室及
びこの内部に収納される可動ステージは、例えばモジュ
ール方式で容易に組み立てることができる。しかしなが
ら、この構成ではその可動ステージと、その外部に設置
される搬送系との位置関係が目標とする位置関係から比
較的大きくずれる恐れがある。そこで、その搬送系から
そのステージ室内に受け渡された被露光体の位置を例え
ば外形基準で計測し、この計測結果に基づいてその被露
光体のその可動ステージに対する位置決め(プリアライ
メント)を行うことによって、その被露光体をその可動
ステージに対してほぼ目標とする位置関係で設置するこ
とができる。この後は、その被露光体上の位置合わせ用
マークの位置を検出し、この結果に基づいて露光位置、
例えばマスクパターンの像の投影位置に対する位置合わ
せが行われる。
【0012】この場合、その被露光体をそのステージ室
内に搬入する搬送系(WLDA,WLDB)が所定の気
密室を有する搬送室(73)内に配置され、そのステー
ジ室とその搬送室との間の空間が外気から実質的に隔離
され、そのステージ室及びその搬送室内にその露光ビー
ムを透過する気体が供給されて、そのステージ室内に比
べてその搬送室内でのその気体に対する不純物の濃度の
許容値が高くなるように管理されることが望ましい。こ
れによって、その気体の使用効率を高めることができ
る。
【0013】また、本発明の第2の露光方法は、露光ビ
ームで被露光体(R1,W1)を露光する露光方法にお
いて、その被露光体を搬送する途中で外形基準でその被
露光体の搬送系に対する位置合わせを行い、その後に位
置決め用の可動ステージ上にその被露光体を載置する際
に、外形基準でその被露光体のその可動ステージに対す
る位置合わせを行い、その後にその可動ステージ上のそ
の被露光体に対して、その被露光体上の位置合わせ用マ
ークを基準として位置合わせを行うものである。
【0014】斯かる本発明によれば、その被露光体の搬
送中、及びその可動ステージ上への設置時にそれぞれ外
形基準で位置合わせ(プリアライメント)が行われる。
従って、その可動ステージを例えばモジュール方式で構
成した場合にも、その可動ステージに対してその被露光
体をほぼ所定の位置関係でロードできる。本発明におい
て、その被露光体がマスクパターンが転写される感光基
板である場合に、その被露光体のその搬送系に対する位
置合わせと、その被露光体のその可動ステージに対する
位置合わせとの間に、その被露光体の温度調整を行うこ
とが望ましい。例えばその可動ステージ上の1枚目の感
光基板に対して露光が行われており、その搬送系上で2
枚目の感光基板が待機しているような場合に、その感光
基板上の感光材料の温度が次第に変化する恐れがある。
この際に、その感光基板の温度を目標とする温度まで加
熱又は冷却することによって、待機時間を有効に活用で
きると共に、感光材料を高い分解能で使用できる。
【0015】また、本発明による第1の露光装置は、露
光ビームで第1物体(R1)を介して第2物体(W1)
を露光する露光装置において、その第1物体又はその第
2物体よりなる被露光体を移動する可動ステージ(40
A,40B)と、この可動ステージを収納するステージ
室(38)と、このステージ室内にその被露光体を搬送
する搬送系(WLDA)と、そのステージ室内でその可
動ステージに対するその被露光体の位置決めを行う第1
アライメント系(92A)と、その可動ステージに設置
されたその被露光体の露光位置への位置合わせを行う第
2アライメント系(27A)とを有するものである。斯
かる露光装置によって、本発明の露光方法が実施でき
る。
【0016】この場合、一例としてその第1アライメン
ト系は、その被露光体の外形の位置情報を検出する外形
検出系(120,122)を含み、その第2アライメン
ト系は、その被露光体上の位置合わせ用マークの位置情
報を検出するマーク検出系(27A)を含み、その搬送
系は、外形基準でその被露光体の位置決めを行う第3ア
ライメント系(83A,84A)を含むものである。
【0017】また、その第1アライメント系は、搬入用
の第1アーム(116)と搬出用の第2アーム(12
4)とを更に備え、その第1及び第2アームは、それぞ
れその可動ステージの移動方向にスライド自在な保持部
(118a,126a)を有することが望ましい。その
被露光体がその第2物体である場合に、その可動ステー
ジ上に第2物体を載置する際に、その第1アームを降下
させてその第2物体をその可動ステージ上に載置した
後、その第1アームを更に僅かに降下させて、その保持
部を外側にスライドさせてから、その可動ステージを移
動することによって、容易にその可動ステージ上にその
第2物体を載置できる。
【0018】また、その可動ステージは、その被露光体
としての第1基板(W1)を移動する第1可動ステージ
(40A)と、その被露光体としての第2基板(W2)
を移動する第2可動ステージ(40B)とを有し、その
第1及び第2アライメント系はそれぞれその第1及び第
2可動ステージに対応して2組設けられることが望まし
い。このようにダブル・ステージ構成とすることによっ
て、露光工程のスループットを高めることができる。
【0019】また、その搬送系を収納する搬送室(7
0)と、そのステージ室(38)とその搬送室(70)
との間の空間を外気から実質的に隔離する可撓性を有す
る被覆部材(18F,18G)と、そのステージ室及び
その搬送室内にその露光ビームを透過する気体を供給す
る気体供給装置(4〜6)とを有することが望ましい。
次に、本発明の第3の露光方法は、露光ビームで第1物
体(R1)を介して第2物体(W1)を露光する露光方
法において、位置決め用の可動ステージ(40A)上に
その第2物体を搬送する途中で、その第2物体の搬送系
(WLDA)に対する位置決めを行うものである。斯か
る本発明によれば、例えば露光のためにその第2物体の
移動を行う可動ステージ(40A)をモジュール方式で
組み立てる場合に、その可動ステージとその搬送系との
位置関係が比較的大きくずれても、その第2物体はその
搬送系に対して比較的高精度に位置決めされる。従っ
て、その第2物体を全体としてほぼ正確な位置関係でそ
の可動ステージ側に受け渡すことができる。
【0020】また、本発明の第2の露光装置は、露光ビ
ームで第1物体(R1)を介して第2物体(W1)を露
光する露光装置において、その第2物体の位置決めを行
う可動ステージ(40A)と、この可動ステージ上にそ
の第2物体を搬送する搬送系(WLDA)とを有し、そ
の搬送系は、外部からその第2物体を取り込むために2
以上の変位の自由度を有するハンドリング機構(79
A)と、このハンドリング機構に保持されているその第
2物体の外形の位置情報を検出する外形検出系(83
A,84A)と、そのハンドリング機構から受け渡され
たその第2物体をその可動ステージの方向に向けて搬送
するために1以上の変位の自由度を有するアーム機構
(77A,86A)とを有するものである。これによっ
て、本発明の第3の露光方法を実施できる。
【0021】この場合、一例としてそのハンドリング機
構は、回転台(82)と、この回転台上に回転自在に固
定された第1ハンド部材(81)と、この第1ハンド部
材の先端部に回転自在に設けられて先端部にその第2物
体が保持される第2ハンド部材(80)とを有し、その
アーム機構は、その第2物体を保持するアーム部材(7
7A)と、このアーム部材をその可動ステージの方向に
駆動する駆動装置(86A)とを有するものである。
【0022】また、その可動ステージを気密性を有する
ステージ室(38)内に収納し、そのハンドリング機構
を気密性を有する第1搬送室(73)内に収納し、その
アーム機構を気密性を有する第2搬送室(72A)内に
収納し、その第1搬送室とその第2物体の搬送ラインと
の間、その第1搬送室とその第2搬送室との間、及びそ
の第2搬送室とそのステージ室との間にそれぞれ開閉自
在の開口を設けることが望ましい。
【0023】次に、本発明の第4の露光方法は、露光ビ
ームで第1物体(R1)を介して第2物体(W2)を露
光する露光方法において、露光位置を含む第1領域でそ
の第2物体としての第1基板(W1)の位置計測及び露
光を行うのと並行して、アライメント位置を含む第2領
域でその第2物体としての第2基板(W2)の位置計測
を行った後、その第1基板とその第2基板とを交換する
ようにその第1領域にその第2基板を移動して、この第
2基板の位置計測及び露光を行うものである。
【0024】斯かる本発明によれば、その第1基板及び
第2基板の移動は、例えばモジュール方式で組み立てた
ステージ系で行うことができる。この際に、その第1基
板とその第2基板とを交換して露光を行う方式とするこ
とによって、ステージ系を小型化してフットプリント
(設置面積)を小さくできる。また、本発明の第3の露
光装置は、露光ビームで第1物体(R1)を介して第2
物体を露光する露光装置において、その第2物体として
の第1基板(W1)が載置される第1可動ステージ(4
0A)と、その第2物体としての第2基板(W2)が載
置される第2可動ステージ(40B)と、露光位置を含
む第1領域でその第1可動ステージ又はその第2可動ス
テージの位置計測を行う第1計測系(144A,144
B)と、その第1領域でその第1可動ステージ又はその
第2可動ステージの駆動を行う第1駆動系(145A,
146A,147A)と、アライメント位置を含む第2
領域でその第1可動ステージ又はその第2可動ステージ
の位置計測を行う第2計測系(144A,144C)
と、その第2領域でその第1可動ステージ又はその第2
可動ステージの駆動を行う第2駆動系(145B,14
6B,147B)と、その第1駆動系とその第2駆動系
との間でその第1可動ステージの少なくとも一部とその
第2可動ステージの少なくとも一部との交換を行うステ
ージ交換系(149A,149B)とを有するものであ
る。斯かる露光装置によれば、その第1可動ステージ
(又はその第1基板の保持部)と第2可動ステージ(又
はその第2基板の保持部)とを交換して、その第2基板
をその露光位置に移動することによって、本発明の第4
の露光方法を実施できる。
【0025】また、本発明の第4の露光装置は、露光ビ
ームで第1物体(R1)を介して第2物体(W1)を露
光する露光装置において、その第2物体の位置決めを行
う可動ステージ(40A)と、その第1物体のパターン
の像をその第2物体上に投影する投影系(PL)と、そ
の第2物体上の位置合わせ用マークの位置を検出するマ
ーク検出系(27A)と、このマーク検出系に一体的に
配置されて、所定の参照部材を基準としてその可動ステ
ージの所定方向の位置を計測する第1計測系(161
A)とを有するものである。この露光装置は、例えばレ
ーザ干渉計よりなる第1計測系をマーク検出系(27
A)と一体的に配置しているため、計測システムが小型
化でき、例えばモジュール方式のステージ系に容易に組
み込むことができる。
【0026】この場合、その参照部材は投影系(PL)
であることが望ましい。これによって、露光位置を基準
としてその所定方向においてその可動ステージの位置を
計測できる。また、その可動ステージがダブル・ステー
ジ方式である場合、そのマーク検出系及びその第1計測
系は2つの可動ステージに対応して2組(27A,27
B,161A,161B)設けられることが望ましい。
これによって、スループットが向上する。
【0027】次に、本発明による第5の露光装置は、露
光ビームで第1物体(R1)及び投影系(PL)を介し
て第2物体(W1)を露光する露光装置において、1個
又は複数個の防振台(34)を介して支持されるベース
部材(35)と、このベース部材上に移動自在に載置さ
れてその第1物体を駆動する可動ステージ(24)と、
この可動ステージのガイド面とその投影系との相対変位
を検出する検出系(55A〜55C)とを有し、その検
出系の検出結果に基づいてその防振台を制御するもので
ある。斯かる露光装置によれば、その可動ステージを例
えばモジュール方式で組み立てた場合に、その可動ステ
ージとその投影系との相対位置を所定の状態に維持でき
るため、高い露光精度(位置決め精度、重ね合わせ精度
等)が得られる。
【0028】また、本発明の第6の露光装置は、露光ビ
ームで第1物体及び投影系を介して第2物体を露光する
露光装置において、ベース部材(32,33,39)
と、このベース部材上に移動自在に載置されてその第2
物体を駆動する可動ステージ(40A,40B)と、こ
の可動ステージを収納するステージ室(38)と、その
ベース部材上に1個又は複数個の防振台(36)を介し
て配置されてその投影系を支持する支持板(37)と、
このステージ室とその投影系との相対変位を検出する検
出系(58A〜58C)とを有し、その検出系の検出結
果に基づいてその防振台を制御するものである。斯かる
露光装置においても、その可動ステージを例えばモジュ
ール方式で組み立てた場合に、その気密室、ひいてはそ
の可動ステージとその投影系との相対位置を所定の状態
に維持できるため、高い露光精度(位置決め精度、重ね
合わせ精度等)が得られる。
【0029】また、本発明の第7の露光装置は、露光ビ
ームで第1物体及び投影系を介して第2物体を露光する
露光装置において、その第1物体又はその第2物体を駆
動する可動ステージ(24;40A)と、その可動ステ
ージを収納する気密室(23;38)と、この気密室に
少なくとも一部が設けられ、その可動ステージの位置情
報又は速度情報を検出する第1干渉計(25X;49A
X)と、この第1干渉計のその気密室に設けられた部分
とその投影系との変位を検出する第2干渉計(54X;
57AX)とを有するものである。斯かる露光装置にお
いても、その可動ステージを例えばモジュール方式で組
み立てた場合に、その可動ステージとその投影系との相
対位置を高精度に計測できるため、高い露光精度(位置
決め精度、重ね合わせ精度等)が得られる。
【0030】更に、この場合、その第1干渉計の計測値
をΔA、その第2干渉計の計測値をAとすると、その可
動ステージのその投影系を基準とした位置Bは、次のよ
うに両計測値を加算することで求めることができる。 B=A+ΔA …(1) また、本発明のデバイス製造方法は、本発明のいずれか
の露光方法を用いてマスクパターン(R1,R2)をワ
ークピース(W1,W2)上に転写する工程を含むもの
である。本発明によって低コスト、又は高いスループッ
トで各種デバイスが製造できる。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例はステップ・アン
ド・スキャン方式よりなる走査露光方式の投影露光装置
に本発明を適用したものである。図1は、本例の投影露
光装置を示す正面図、図2はその投影露光装置を示す側
面図であり、この図1及び図2において、一例として本
例の投影露光装置の大部分は半導体製造工場の床1上の
クリーンルーム内に設置され、その階下の機械室の準ク
リーンルーム内の床2上にその投影露光装置の露光光源
3が設置されている。露光光源3としては、ArFエキ
シマレーザ光源(波長193nm)が使用されるが、そ
れ以外のF2 レーザ光源(波長157nm)、Kr2
ーザ光源(波長146nm)、YAGレーザの高調波発
生装置、半導体レーザの高調波発生装置等の真空紫外光
(本例では波長200nm以下の光)を発生する光源も
使用することができる。但し、露光光源3としてKrF
エキシマレーザ光源(波長248nm)や水銀ランプ
(i線等)等を使用する場合にも本発明が適用できる。
【0032】本例のように露光ビームとして真空紫外光
を使用する場合、真空紫外光は、通常の大気中に存在す
る酸素、水蒸気、炭化水素系ガス(二酸化炭素等)、有
機物、及びハロゲン化物等の吸光物質(不純物)によっ
て大きく吸収されるため、露光ビームの減衰を防止する
ためには、これらの吸光物質の気体の濃度を露光ビーム
の光路上で平均的に10ppm〜100ppm程度以下
に抑えることが望ましい。そこで本例では、その露光ビ
ームの光路上の気体を、露光ビームが透過する気体、即
ち窒素(N2 )ガス、又はヘリウム(He)、ネオン
(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キ
セノン(Xe)、若しくはラドン(Rn)よりなる希ガ
ス等の露光ビームに対して高透過率で化学的に安定であ
ると共に、吸光物質が高度に除去された気体(以下、
「パージガス」とも呼ぶ。)で置換する。窒素ガス及び
希ガスをまとめて不活性ガスとも呼ぶ。
【0033】なお、その吸光物質(不純物)の濃度(又
はその許容値)は、露光ビームの光路上に存在する吸光
物質の種類に応じて異ならせてもよく、例えば有機系の
吸光物質の濃度を1〜10ppm程度以下として最も厳
しく管理し、それに続いて水蒸気、及びその他の物質に
順にその濃度を緩くしてもよい。また、窒素ガスは、真
空紫外域中でも波長150nm程度までは露光ビームが
透過する気体(パージガス)として使用することができ
るが、波長が150nm程度以下の光に対してはほぼ吸
光物質として作用するようになる。そこで、波長が15
0nm程度以下の露光ビームに対するパージガスとして
は希ガスを使用することが望ましい。また、希ガスの中
では屈折率の安定性、及び高い熱伝導率等の観点より、
ヘリウムガスが望ましいが、ヘリウムは高価であるた
め、運転コスト等を重視する場合には他の希ガスを使用
してもよい。また、パージガスとしては、単一の種類の
気体を供給するだけでなく、例えば窒素とヘリウムとを
所定比で混合した気体のような混合気体を供給するよう
にしてもよい。
【0034】そして、本例では屈折率の安定性(結像特
性の安定性)、及び高い熱伝導率(高い冷却効果)等を
重視して、そのパージガスとしてヘリウムガスを使用す
るものとする。また、ヘリウムガスを使用する場合に
は、屈折率の揺らぎが小さくなるため、レーザ干渉計や
アライメントセンサ等の各種センサの計測精度も向上す
る。そのため、床2上には、投影露光装置及びこれに付
属する装置内の複数の気密室に対して高純度のパージガ
スを供給し、それらの気密室を流れた気体を回収して再
利用するための気体供給装置の本体部が設置されてい
る。更に本例では、各ステージ系で使用されるエアーベ
アリング(エアーパッド)で緩衝用に使用される気体と
してもそのパージガスと同じ気体が使用されると共に、
各ステージ系等の計測システムとして使用されるレーザ
干渉計の計測ビームの光路にもそのパージガスと同じ気
体が供給されている。この際に、その計測ビームの光路
上の気体(パージガス)の屈折率を計測する機構が備え
られており、この計測値に基づいてそのレーザ干渉計の
計測値の補正が行われる。
【0035】また、同一の吸光物質(不純物)であって
も複数の気密室でその濃度(上限値)を異ならせてもよ
く、例えば投影光学系と照明光学系とでその濃度を最も
厳しく管理し、他の気密室などでその濃度を緩くしても
よい。このとき、投影光学系と照明光学系との少なくと
も一方に供給されるパージガスの少なくとも一部を、引
き続いて吸光物質の濃度が緩い他の気密室、例えばステ
ージ室または前述のエアーパッドなどに供給するように
構成してもよい。さらに、この構成により下流側に配置
される他の気密室などで吸光物質の濃度がその上限値を
超え得るときは、パージガスから吸光物質を取り除くケ
ミカルフィルタを他の気密室などの手前に設けてもよ
い。
【0036】その気体供給装置の本体部は、図2に示す
ように、真空ポンプを含み不純物を含むパージガスを回
収する回収装置4、高純度のパージガスを蓄積する蓄積
装置6、及びパージガスを温度調整して外部に供給する
給気装置5等から構成されている。回収装置4は、排気
管7Aを介して所望の気密室内の気体を僅かに低い気圧
でほぼ定常的な流れによるガスフロー制御によって吸引
し、吸引された気体からパージガスを分離して、分離し
たパージガスを一時的に蓄積し、必要に応じてその蓄積
されたパージガスを配管7Bを介して給気装置5に供給
する。蓄積装置6は、この内部に高圧に圧搾されるか、
又は液化して蓄積されたパージガスを必要に応じて配管
7Cを介して給気装置5に供給する。給気装置5は、配
管7B及び7Cを介して供給されるパージガスの温度を
調整し、HEPAフィルタ(highefficiency particulat
e air-filter)等の除塵フィルタや微量な有機物質等を
含む上記の吸光物質を除去するためのケミカルフィルタ
等を含むフィルタ部によりそのパージガスから上記の吸
光物質等を除去する。そして、給気装置5は、その温度
調整されて除塵されたパージガスを大気圧よりも僅かに
高い気圧(陽圧)で給気管7Dを介して所望の気密室に
供給する。
【0037】なお、その回収装置4で回収したパージガ
スは、有機系の吸光物質などの濃度を比較的緩く管理し
てもよい気密室、例えばレチクルローダ系やウエハロー
ダ系が収納される気密室にのみ供給するようにして、露
光ビームが通過する気密室内には常に蓄積装置6から供
給される新しいパージガスを供給するようにしてもよ
い。これによって、パージガスの利用効率を高めた上
で、各気密室毎に吸光物質の濃度をその設定濃度に精度
良く制御することが可能となる。
【0038】なお、本実施形態では露光装置に供給され
るパージガスを回収することを前提としているが、例え
ばパージガスの種類などによってはその回収機構を設け
なくてもよい。以下、本例の投影露光装置の構成につき
詳細に説明する。先ず図2において、床2上の露光光源
3から射出された露光ビームとしての波長193nmの
パルスレーザ光よりなる露光光(露光用の照明光)IL
は、補助チャンバ8内のミラーを経て上方に反射され
て、その上の床1上の第1サブチャンバ9内のビームマ
ッチングユニット(不図示)によって光軸が調整されて
第1照明系IS1に入射する。この第1照明系IS1に
おいて、露光光ILはビーム整形光学系(不図示)によ
って断面形状が整形されて、透過率を切り換えることが
できる減光フィルタ部(不図示)によってパルスエネル
ギーが調整されて、照度分布均一化用のオプティカル・
インテグレータ(ユニフォマイザ、又はホモジナイザ)
としてのフライアイレンズ10に入射する。
【0039】フライアイレンズ10の射出面は、後続の
光学系によって被照明体としてのレチクルR1(又はR
2)のパターン面(以下、「レチクル面」という)に対
して光学的なフーリエ変換面(照明光学系の瞳面)に合
致するように配置されている。この瞳面には、露光光の
開口数を決定するための絞り切り換え部材11が配置さ
れ、この絞り切り換え部材11には、通常照明用の開口
絞り、小さいコヒーレンスファクタ(σ値)用の開口絞
り、輪帯照明用の開口絞り、複数の開口を持つ変形照明
用の開口絞り等からなる複数の照明系の開口絞り(σ絞
り)が交換自在に配置されており、装置全体の動作を統
轄制御する主制御系(不図示)の制御によって、照明条
件に応じたσ絞りが露光光ILの光路上に設置される。
【0040】なお、絞り切り換え部材11の代わりに、
或いはそれと組み合わせて、回折光学素子、ズームレン
ズ、及びアキシコン(円錐プリズム)などの光学部材の
少なくとも一つをオプティカル・インテグレータ(フラ
イアイレンズ10)よりも露光光源側に配置して、照明
光学系の瞳面上での光量分布を可変とするようにしても
よい。これによって、露光光ILの利用効率を高めるこ
とができる。
【0041】そのσ絞りを通過した露光光ILは、第1
リレーレンズ系12を経て反射率が大きく透過率の小さ
いビームスプリッタ13に入射し、ビームスプリッタ1
3を透過した光は光電検出器よりなるインテグレータセ
ンサ14で受光され、このインテグレータセンサ14の
検出信号に基づいて、ウエハ上で適正露光エネルギーが
得られるように露光光ILのパルスエネルギーが制御さ
れる。一方、ビームスプリッタ13で反射された露光光
ILは、ほぼ水平に第1の照明系IS1の射出面に配置
された可動視野絞り15に入射する。可動視野絞り15
の配置面は、レチクル面とほぼ共役であり、この可動視
野絞り15は、被露光基板としてのウエハW1(又はW
2)の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時
に、本来の回路パターン以外のパターンが露光されない
ように視野を開閉する役割を果たす。視野の開閉時に振
動を発生する恐れのある可動視野絞り15が配置された
第1照明系IS1は、露光本体部とは別体として第1サ
ブチャンバ9内に支持されているため、露光本体部での
露光精度(重ね合わせ精度、転写忠実度等)が向上す
る。
【0042】なお、可動視野絞り15は、走査露光の開
始時及び終了時にその視野を開閉する、即ち走査方向に
関する視野の幅を変更するだけでなく、走査露光に先立
ち、転写対象の回路パターンの非走査方向に関する大き
さに応じて、その視野の非走査方向の幅を変更できるよ
うにも構成されている。整形光学系(不図示)〜可動視
野絞り15より第1照明系IS1が構成され、第1照明
系IS1は気密性の高い箱状の第1サブチャンバ9内に
収納されている。
【0043】可動視野絞り15を通過した露光光IL
は、露光本体部のフレーム機構に取り付けられた第2サ
ブチャンバ19内の第2照明系IS2に入射する。第2
照明系IS2の入射面、即ちレチクル面との共役面から
所定量だけデフォーカスした面には固定視野絞り20が
配置され、固定視野絞り20には、そのレチクル面での
照明領域を走査方向に直交する非走査方向に細長いスリ
ット状の領域に規定するための開口が形成されている。
固定視野絞り20を通過した露光光ILは、第2照明系
IS2内の第2リレーレンズ系21A、レンズ系21
B、光路折り曲げ用のミラー22、及びコンデンサレン
ズ系21Cを経てマスクとしてのレチクルR1のパター
ン面の照明領域を照明する。固定視野絞り20〜コンデ
ンサレンズ系21Cより第2照明系IS2が構成され、
第2照明系IS2は気密性の高い箱状の第2サブチャン
バ19内に収納されている。第1照明系IS1及び第2
照明系IS2より照明光学系が構成されている。なお、
固定視野絞り20は、前述したレチクル面との共役面か
らデフォーカスした面ではなく、レチクル面から所定間
隔だけ離れた面に配置するようにしてもよい。
【0044】また、オプティカル・インテグレータとし
ては、フライアイレンズ10の代わりにロッドレンズ
(内面反射型インテグレータ)を用いてもよく、このロ
ッドレンズではその射出面がレチクルのパターン面と実
質的に共役となる。そのため、その射出面に近接して固
定視野絞り20及び可動視野絞り15の少なくとも一方
を配置するようにしてもよい。
【0045】図1において、その露光光ILのもとで、
レチクルR1(又はR2)の照明領域内のパターンの像
は、投影系としての投影光学系PLを介して投影倍率β
(βは、1/4倍又は1/5倍等)で、感光基板(感応
基板又は被露光基板)としてのフォトレジストが塗布さ
れたウエハ(wafer)W1(又はW2)上のスリット状の
露光領域に投影される。この状態でレチクルR1及びウ
エハW1を投影倍率βを速度比として所定の走査方向に
同期移動することで、ウエハW1上の一つのショット領
域にレチクルR1のパターン像が転写される。この露光
に際して、複数枚のレチクルのパターンの像をステップ
・アンド・スティッチ方式で継ぎ合わせながら露光して
もよい。レチクルR1,R2及びウエハW1,W2がそ
れぞれ本発明の第1物体及び第2物体に対応しており、
ウエハW1,W2は例えば半導体(シリコン等)又はS
OI(silicon on insulator)等の直径が200mm又は
300mm等の円板状の基板である。また、レチクルR
1,R2及びウエハW1,W2を共通に被露光体とみな
すことも可能である。
【0046】投影光学系PLとしては、例えば国際公開
(WO) 00/39623 号に開示されているように、1本の光軸
に沿って複数の屈折レンズと、それぞれ光軸の近傍に開
口を有する2つの凹面鏡とを配置して構成される直筒型
の反射屈折系や、1本の光軸に沿って屈折レンズを配置
して構成される直筒型の屈折系等を使用することができ
る。更に、投影光学系PLとしては、例えば特願200
0−59268に開示されているように、レチクルから
ウエハに向かう光軸を持つ光学系と、その光軸に対して
ほぼ直交する光軸を持つ反射屈折光学系とを有し、内部
で中間像を形成する反射屈折系、又は双筒型の反射屈折
系等を使用してもよい。以下、投影光学系PLの光軸A
Xに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本例ではほ
ぼ水平面に合致している)内で走査露光時のレチクルR
1及びウエハW1の走査方向(即ち、図1の紙面に垂直
な方向)に沿ってY軸を取り、非走査方向(即ち、図1
の紙面に平行な方向)に沿ってX軸を取って説明する。
【0047】ここで、本例のレチクルR1,R2を支持
するステージ系、投影光学系PL、及びウエハW1,W
2を支持するステージ系を含む露光本体部の全体の構成
につき説明する。即ち、床1上にほぼ正方形の頂点に配
置された4箇所の防振台31A〜31D(3箇所等でも
よい)を介して剛性の高い定盤32が設置され、定盤3
2の中央部にウエハベース39が設置され、定盤32及
びウエハベース39を第1ベース部材とみなすことがで
きる。そして、定盤32上に電気式の水準器(不図示)
が設置されており、防振台31A〜31Dはそれぞれエ
アーダンパ又は油圧式のダンパ等の大重量に耐える機械
式のダンパと、ボイスコイルモータ等のアクチュエータ
よりなる電磁式のダンパとを含む能動型の防振装置であ
る。一例としてその水準器で検出される定盤32の上面
の水平面に対する傾斜角(2軸の回りの傾斜角)が許容
範囲内に収まるように、4個の防振台31A〜31D中
の電磁式のダンパが駆動され、必要に応じて機械式のダ
ンパの空気圧又は油圧等が制御される。この場合、機械
的なダンパによって、床からの高い周波数の振動は露光
本体部に伝わる前に減衰され、残存している低い周波数
の振動は電磁的なダンパによって減衰される。なお、そ
の水準器の代わりに、例えば光学的に対応する部材の傾
きを検出する検出器(例えばレーザ干渉計)、又は静電
容量式のセンサ等を使用してもよい。
【0048】定盤32の上面にほぼ正方形の頂点に位置
するように4本のコラム33が固定され、4本のコラム
33の上面に4箇所の防振台34を介して、中央部に露
光光ILを通過する開口が設けられた支持板35が固定
されている。なお、防振台34は防振台31A〜31D
と同一構成(但し、耐荷重は小さい)の能動型の防振装
置であり、コラム33及び防振台34、並びに防振台3
1A〜31Dをほぼ正三角形の頂点に位置するように3
箇所に配置するようにしてもよい。図2に示すように、
支持板35上に第2照明系IS2が収納された第2サブ
チャンバ19が設置されている。
【0049】図1に戻り、支持板35は第2ベース部材
ともみなすことができ、その上面は平面度の極めて良好
なガイド面に仕上げられ、そのガイド面上にレチクルス
テージ24がエアーベアリングを介して円滑に2次元的
に摺動自在に載置され、レチクルステージ24上にレチ
クルR1が真空吸着等によって保持されている。図2に
示すように、レチクルステージ24上のレチクルR1の
走査方向SDに隣接する領域に別のレチクルR2が保持
されており、例えば二重露光などが効率的に実行できる
ように構成されている。このように本例のレチクルステ
ージ24は、ダブルホルダ方式であるが、各レチクル毎
に可動ステージを用いるダブルステージ方式を採用して
もよいし、或いは1枚のレチクルを保持するシングルス
テージ方式を採用してもよい。
【0050】レチクルステージ24は、例えばレチクル
R1,R2を保持する微動ステージと、これを囲む枠状
の粗動ステージとから構成されており、後者の粗動ステ
ージを不図示のリニアモータによってY方向(走査方
向)に駆動し、前者の微動ステージを例えば3個のアク
チュエータによって粗動ステージに対してX方向、Y方
向、回転方向に微動することによって、レチクルR1,
R2を+Y方向又は−Y方向に所望の走査速度で高精度
に駆動すると共に、同期誤差を補正することができる。
この際に、レチクルステージ24は、不図示の駆動部材
を用いてY方向に対して運動量保存則を満たすように駆
動されて、走査露光時に振動が殆ど発生しないように構
成されている。また、レチクルステージ24のX方向の
位置情報を検出するためにレーザ干渉計よりなるX軸の
レチクル干渉計25Xが配置され、レチクルステージ2
4のY方向の位置情報を検出するために図2に示すよう
にY軸のレチクル干渉計25Yが配置されている。レチ
クル干渉計25X,25Yはそれぞれ内部の参照鏡(不
図示)を基準としてレチクルステージ24の位置を計測
すると共に、それぞれ複数軸の干渉計を備えており、こ
れらによってレチクルステージ24のX軸の回りの回転
角(ピッチング量)、Y軸の回りの回転角(ローリング
量)、及びZ軸の回りの回転角(ヨーイング量)も計測
されている。
【0051】本例では、レチクルステージ24(可動ス
テージに対応する)、この駆動装置(不図示)、レチク
ル干渉計25X,25Y等からレチクルステージ系RS
Tが構成され、レチクルステージ系RSTは気密性の高
い箱状のレチクル室23(第1ステージ室)に覆われて
おり、レチクル室23の上板の中央部に露光光ILを通
過させる窓部が形成されている。そして、レチクル干渉
計25X,25Yによってレチクル室23に対するレチ
クルステージ24(レチクルR1,R2)の位置関係
(X方向、Y方向への位置、及び回転角)が計測されて
おり、レチクル干渉計25X,25Yの一部はそれぞれ
レチクル室23の側面に埋め込まれている。レチクル干
渉計25X,25Yの背面にはコーナキューブ型の移動
鏡が設けられている。なお、レチクル干渉計25X,2
5Yはその全てのユニットがレチクル室23内に収納さ
れていなくともよい。即ち、レチクル干渉計25X,2
5Yの少なくとも一部、例えば一部の光学素子をレチク
ル室23に設けるようにしてもよい。これは、後述のウ
エハ干渉計49AX等についても同様である。
【0052】次に図1において、4本のコラム33のほ
ぼ中間の高さの4箇所の段差部に、防振台36を介して
第3ベース部材としての支持板37が固定され、支持板
37に設けられたU字型の切り欠き部(不図示)に投影
光学系PLがフランジ部を介して設置されている。即
ち、投影光学系PLは支持板37に対して+Y方向(図
2の右方向)から出し入れできるように支持されてい
る。防振台36は防振台31A〜31Dと同一構成(但
し、耐荷重は小さい)の能動型の防振装置であり、コラ
ム33を3箇所に配置する場合には、防振台36も3箇
所に配置される。本例では、定盤32、ウエハベース3
9、コラム33、防振台34、支持板35、防振台3
6、及び支持板37の集合体(32〜37)をフレーム
機構とみなすこととする。
【0053】そして、投影光学系PLの上端部及び下端
部には支持板37を挟むように、リング状の第1基準板
101及び第2基準板102が固定され、支持板37の
上面の端部にレーザ干渉計の光源部59が設置され、こ
の光源部59から射出された波長安定化されたレーザビ
ーム(例えば波長633nmのHe−Neレーザビー
ム)が、分岐光学系60によって複数軸(本例では約1
1軸)の計測用のレーザビームに分岐されている。その
内の第1及び第2のレーザビームは、第1基準板101
にX方向に投影光学系PLを挟むように配置された干渉
計ユニット55B,55Cに供給され、第3のレーザビ
ームは第1基準板101のY方向の端部に配置された干
渉計ユニット55A(図2参照)に供給されている。
【0054】干渉計ユニット55A〜55Cは、それぞ
れ内部の参照鏡とレチクル室23の底面部(支持板35
の上面)に配置された平面鏡(通常の干渉計の移動鏡に
対応する)26A〜26Cとにレーザビームを照射する
光学系と、その参照鏡及び平面鏡からの2つのレーザビ
ームの干渉光を光電変換する光電変換部と、この光電変
換部からの光電変換信号よりその参照鏡に対するその平
面鏡のZ方向の変位量を例えば10nm〜100nm程
度の分解能で求める信号処理部とを備えており、その変
位量の情報が不図示の姿勢制御系に供給されている。以
下に現れる干渉計ユニットも同様に構成されている。そ
の姿勢制御系は、その3箇所の平面鏡26A〜26Cの
Z方向の変位よりレチクルステージ24のガイド面のZ
方向への変位量、及び2軸の回り、即ちX軸及びY軸の
回りの傾斜角を求め、これらの変位量及び傾斜角が許容
範囲内に収まるように、4個の防振台34の電磁式のダ
ンパの伸縮量を制御する。これによって、例えばレチク
ルステージ24を駆動する際の僅かな振動等によって支
持板35が振動する場合に、その振動を高速に抑制する
ことが可能となり、露光精度が向上する。
【0055】また、図1及び図2において、支持板37
の上面の−X方向の端部、及び+Y方向の端部にそれぞ
れレーザ干渉計よりなるレチクル用のX軸の干渉計ユニ
ット54X、及びY軸の干渉計ユニット54Yが設置さ
れ、これらの干渉計ユニット54X,54Yにも分岐光
学系60で分岐された2本のレーザビームが供給されて
おり、これらに対応して投影光学系PLのX方向及びY
方向の側面に参照鏡53X及び53Yが固定されてい
る。この場合、干渉計ユニット54X,54Yは主計測
系の一部に対応しており、X軸の干渉計ユニット54X
は、参照鏡53Xを基準として、レチクル干渉計25X
の背面に固定されたコーナーキューブ型の移動鏡のX方
向への変位量を計測し、Y軸の干渉計ユニット54Y
は、参照鏡53Yを基準として、レチクル干渉計25Y
の背面に固定されたコーナーキューブ型の移動鏡のY方
向への変位量を計測し、計測値を不図示の主制御系に供
給する。干渉計ユニット54X,54Yは複数軸の計測
軸を有しており、主制御系は供給された計測値に基づい
て、投影光学系PLを基準としてレチクル干渉計25
X,25Y、ひいてはレチクル室23のX方向、Y方向
への位置ずれ量(ΔXR1,ΔYR1)及び回転角Δθ
R1を算出する。
【0056】更に、レチクル干渉計25X,25Yによ
って計測されるレチクル室23を基準とする、レチクル
ステージ24(レチクルR1,R2)のX方向、Y方向
への位置(XR1,YR1)及び回転角θR1も主制御
系に供給されており、主制御系は以下の演算によって、
投影光学系PLを基準としたレチクルステージ24のX
方向、Y方向への位置(XR2,YR2)及び回転角θ
R2を算出する。
【0057】 XR2=XR1+ΔXR1,YR2=YR1+ΔYR1 …(2A) θR2=θR1+ΔθR1 …(2B) このように算出される位置(XR2,YR2)及び回転
角θR2に基づいて、主制御系はレチクルステージ24
の位置及び速度を制御する。これによって、レチクルス
テージ24をレチクル室23内に密閉した構造でありな
がら、レチクルステージ24を投影光学系PLを基準と
して高精度に駆動することができる。
【0058】また、ウエハのアライメントを行うため
に、投影光学系PLの下端部の−X方向及び+X方向の
側面に、マーク検出系としてのオフ・アクシス方式で結
像方式のアライメントセンサ27A及び27Bが固定さ
れている。不図示であるが、レチクルステージ24の上
方には、レチクルのアライメントを行うために、レチク
ルアライメント顕微鏡が配置されている。レチクルアラ
イメント顕微鏡は、レチクル室23内にその全て又は一
部が配置されていてもよいが、その全てをレチクル室2
3の外部に配置してもよい。そして、露光光と同一波長
のアライメント光を用いるときには、レチクルアライメ
ント顕微鏡のアライメント光の全ての光路をパージガス
で置換しておくことが望ましい。
【0059】なお、アライメントセンサ27A,27B
としては、結像方式以外に、回折格子状のマークから発
生する少なくとも1対(例えば同次数)の回折光を干渉
させて検出する2光束干渉方式(LIA方式等)、又は
ドット状のマークとスリットビームとを相対走査させる
レーザ・ステップ・アライメント方式(LSA方式等)
等のセンサを使用できる。
【0060】次に、図1及び図2において、定盤32上
に固定されたウエハベース39の上面は平面度の極めて
良好なガイド面に加工され、このガイド面に可動ステー
ジとしての第1のウエハステージ40A及び第2のウエ
ハステージ40Bが、それぞれエアーベアリングを介し
て円滑に、かつX軸ガイド部材41,42及びY軸ガイ
ド部材43A,43Bに沿って2次元的に摺動自在に載
置され、ウエハステージ40A及び40B上にそれぞれ
第1のウエハW1及び第2のウエハW2が真空吸着等に
よって保持されている。ウエハステージ40A,40B
は、例えばリニアモータ方式でY方向に連続移動すると
共に、X方向及びY方向にステップ移動する。この際
に、ウエハステージ40A,40Bは、それぞれX軸ガ
イド部材41,42及びY軸ガイド部材43A,43B
が逆方向に移動することによって、X方向、Y方向に対
して運動量保存則を満たすように駆動されて、ステップ
移動時及び走査露光時に振動が殆ど発生しないように構
成されている。
【0061】また、ウエハステージ40A,40B内の
Zレベリング機構(試料台)は、レベリング及びフォー
カシングを行うためにウエハW1,W2のZ方向への変
位、及び2軸の回り(即ち、X軸及びY軸の回り)の傾
斜ができるように構成されている。このように本例のウ
エハステージは、ダブル・ウエハステージ方式である。
そして、ウエハステージ40A及び40BのX方向の位
置情報を検出するために、図1に示すようにレーザ干渉
計よりなるX軸のウエハ干渉計49AX及び49BXが
対向するように配置され、ウエハステージ40A,40
BのY方向の位置情報を検出するために、図2に示すよ
うにY軸のウエハ干渉計50AYが配置されている。Y
軸の干渉計としては実際にはX方向に所定間隔で3軸分
が配置されている(詳細後述)。
【0062】ウエハ干渉計49AX,49BX,50A
Yはそれぞれ内部の参照鏡(不図示)を基準としてウエ
ハステージ40A,40Bの位置を計測すると共に、そ
れぞれ複数軸の干渉計を備えており、これらによってウ
エハステージ40A,40BのX軸の回りの回転角(ピ
ッチング量)、Y軸の回りの回転角(ローリング量)、
及びZ軸の回りの回転角(ヨーイング量)も計測されて
いる。なお、レチクルステージ24及びウエハステージ
40A,40Bにおいては、アッベ誤差が生じる方向、
又は計測誤差が所定の許容値を超える恐れのある方向
(軸)のみでその回転角(ピッチング量又はローリング
量)を計測可能としてもよい。
【0063】本例では、ウエハステージ40A,40
B、この駆動装置(X軸ガイド部材41,42、Y軸ガ
イド部材43A,43B等)、ウエハ干渉計49AX,
49BX,50AY等からウエハステージ系WSTが構
成され、ウエハステージ系WSTは気密性の高い箱状の
ウエハ室38(第2ステージ室)に覆われており、ウエ
ハ室38の上板の中央部の開口に投影光学系PLの先端
部が差し込まれている。そして、ウエハ干渉計49A
X,49BX,50AYによってウエハ室38に対する
ウエハステージ40A,40B(ウエハW1,W2)の
位置関係(X方向、Y方向への位置、及び回転角)が計
測されており、ウエハ干渉計49AX,49BX,50
AYの一部はそれぞれウエハ室38の側面に埋め込まれ
ている。
【0064】次に図1及び図2において、分岐光学系6
0によって分岐された複数のレーザビームの内の第6及
び第7のレーザビームは、第2基準板102にX方向に
投影光学系PLを挟むように配置された干渉計ユニット
58B,58Cに供給され、第8のレーザビームは第2
基準板102のY方向の端部に配置された干渉計ユニッ
ト58Aに供給されている。
【0065】これらの干渉計ユニット58A〜58C
は、それぞれ内部の参照鏡に対してウエハ室38の上面
に配置された平面鏡(通常の干渉計の移動鏡に対応す
る)のZ方向への変位量、即ちウエハステージ40A,
40Bに対する投影光学系PLのZ方向への変位量を計
測し、その変位量の情報が不図示の姿勢制御系に供給さ
れている。その姿勢制御系は、その3箇所でのZ方向の
変位より投影光学系PLのZ方向への変位量、及び2軸
の回り、即ちX軸及びY軸の回りの傾斜角を求め、これ
らの変位量及び傾斜角が許容範囲内に収まるように、4
個の防振台36の電磁式のダンパの伸縮量を制御する。
これによって、例えば外部からの僅かな振動によって支
持板37(投影光学系PL)が振動する場合に、その振
動を高速に抑制することが可能となり、露光精度が向上
する。
【0066】また、図1及び図2において、支持板37
の底面の±X方向の端部、及び+Y方向の端部にそれぞ
れレーザ干渉計よりなるウエハ用のX軸の干渉計ユニッ
ト57AX,57BX、及びY軸の干渉計ユニット57
Yが設置され、これらの干渉計ユニット57AX,57
BX,57Yにも分岐光学系60で分岐された3本のレ
ーザビームが供給されており、これらに対応して投影光
学系PLのX方向及びY方向の側面に参照鏡56AX,
56BX及び56Yが固定されている。この場合、干渉
計ユニット57AX,57BX,57Yは主計測系の一
部に対応しており、X軸の干渉計ユニット57AX,5
7BXは、それぞれ参照鏡56AX,56BXを基準と
して、ウエハ干渉計49AX,49BXの背面に固定さ
れたコーナーキューブ型の移動鏡のX方向への変位量を
計測し、Y軸の干渉計ユニット57Yは、参照鏡56Y
を基準として、ウエハ干渉計50AYの背面に固定され
たコーナーキューブ型の移動鏡のY方向への変位量を計
測し、計測値を不図示の主制御系に供給する。干渉計ユ
ニット57AX,57BX,57Yは複数軸の計測軸を
有しており、主制御系は供給された計測値に基づいて、
投影光学系PLを基準としてウエハ干渉計49AX,5
0AYの位置ずれ量、ひいてはウエハ室38のX方向、
Y方向への位置ずれ量(ΔXW1,ΔYW1)及び回転
角ΔθW1を算出する。これと並列にウエハ干渉計49
BX,50AYのX方向、Y方向への位置ずれ量(ΔX
W2,ΔYW2)及び回転角ΔθW2も算出する。
【0067】更に、一方のウエハ干渉計49AX,50
AYによって計測されるウエハ室38を基準とする、第
1のウエハステージ40A(ウエハW1)のX方向、Y
方向の位置(XW1,YW1)及び回転角θW1も主制
御系に供給されており、主制御系は以下の演算によっ
て、投影光学系PLを基準としたウエハステージ40A
のX方向、Y方向の位置(XW3,YW3)及び回転角
θW3を算出する。
【0068】 XW3=XW1+ΔXW1,YW3=YW1+ΔYW1 …(3A) θW3=θW1+ΔθW1 …(3B) このように算出される位置(XW3,YW3)及び回転
角θW3に基づいて、主制御系はウエハステージ40A
の位置及び速度を制御する。同様に、他方のウエハ干渉
計49BX,50AYによって計測される、ウエハ室3
8を基準とする第2のウエハステージ40B(ウエハW
2)のX方向、Y方向の位置(XW2,YW2)及び回
転角θW2を、上記の位置ずれ量(ΔXW2,ΔYW
2)及び回転角ΔθW2で補正して得られる座標に基づ
いて、第2のウエハステージ40Bの位置及び速度が制
御される。これによって、ウエハステージ40A,40
Bをウエハ室38内に密閉した構造でありながら、ウエ
ハステージ40A,40Bを投影光学系PLを基準とし
て高精度に駆動することができる。
【0069】更に、既に説明したようにレチクル室23
内のレチクルステージ24も投影光学系PLを基準とし
て高精度に駆動されているため、本例のレチクル室23
内のレチクルステージ24と、ウエハ室38内のウエハ
ステージ40A,40Bとは共に投影光学系PLを基準
として、即ち同一の基準に基づいて相対的な位置関係を
高精度に保ちながら駆動される。これによって、レチク
ルR1,R2のパターン像をウエハW1,W2上に露光
する際に高い露光精度(重ね合わせ精度、転写忠実度
等)が得られる。また、本例のウエハステージ系WST
はダブル・ウエハステージ方式であり、例えば第1のウ
エハステージ40A側でウエハW1に対する走査露光中
に、第2のウエハステージ40B側でウエハW2の交換
及びアライメントを行うことができるため、高いスルー
プットが得られる。
【0070】なお、上記のレチクル室23の外部の干渉
計ユニット54X,54Y、及びウエハ室38の外側の
干渉計ユニット57AX,57BX,57Y等の光路
は、実際には不図示の円筒型のカバーで密閉されてお
り、その内部にパージガスが供給されている。また、図
1の光源部59は、この光源部59からの熱が投影光学
系PLに伝わるのを防止するために、断熱材を介して支
持板37に設けてもよい。更に、熱の影響を低減するた
めに、光源部59を例えば露光本体部の外部に設置して
もよい。これは干渉計ユニットのレシーバ(受光素子)
なども同様である。また、光源部59は一つではなく、
例えばレチクル室23(レチクルステージ系RST)用
とウエハ室38(ウエハステージ系WST)用とで使い
分けるように2つ以上設けてもよい。
【0071】また、図2において、床1上で投影露光装
置の定盤32の−Y方向の側面に、外気(即ち、クリー
ンルーム内の空気)と同じ環境下でレチクルライブラリ
やウエハカセット等が配置されたインターフェース・コ
ラム71が設置され、インターフェース・コラム71の
上端部と支持板35上のレチクル室23との間に気密性
の高い箱状のレチクルローダ室87が配置され、インタ
ーフェース・コラム71の下端部と定盤32上のウエハ
室38との間に気密性の高い箱状のウエハローダ室70
が配置されている。レチクルローダ室87内には、その
レチクルライブラリとレチクルステージ系RSTとの間
でレチクルの受け渡しを行うレチクルローダ系(不図
示)が設置され、ウエハローダ室70内にはそのウエハ
カセットとウエハステージ系WSTとの間でウエハの受
け渡しを行うウエハローダ系が設置されている。
【0072】レチクルを収納するカセット(レチクルラ
イブラリ)及びウエハを収納するカセット(ウエハカセ
ット)が密閉型であるとき、それらのカセット内をパー
ジガスで置換しておいてもよい。このとき、そのカセッ
ト内のレチクル又はウエハを、外気(空気)に触れさせ
ることなく、上記のパージガスで置換されている気密室
(レチクル室23、ウエハ室38)に搬入可能に構成す
ることが望ましい。なお、パージガスが供給される空間
(気密室)を形成する部材の内壁は、脱ガスが少ない材
料で形成するか、又は脱ガスが少ない材料でコーティン
グを施すことが望ましい。これはレチクルローダ室8
7、及びウエハローダ室70の内部も同様である。ま
た、その気密室内に設置される機構部の構成部材につい
ても、脱ガスが少ない材料で形成するか、又は脱ガスが
少ない材料でコーティングを施すことが望ましい。
【0073】さて、本例の投影露光装置では露光光IL
として真空紫外光が使用されているため、その露光光I
Lの透過率を高めてウエハW1,W2上での照度を高く
して高いスループットを得るために、その露光光ILの
光路には高透過率のパージガス(本例ではヘリウムガ
ス)が供給されている。即ち、図2において、給気装置
5及び給気管7Dを通過した高純度のパージガスは、そ
れぞれバルブ付きの給気管16A,16B,16C,1
6D,及び16Eを介して第1サブチャンバ9(これは
補助チャンバ8に連通している)、第2サブチャンバ1
9、レチクル室23、投影光学系PL、及びウエハ室3
8の内部に供給される。そして、第1サブチャンバ9、
第2サブチャンバ19、レチクル室23、投影光学系P
L、及びウエハ室38の内部を流れた不純物を含んだパ
ージガスは、それぞれバルブ付きの排気管17A,17
B,17C,17D,及び17Eを介して排気管7Aを
経て回収装置4に回収される。
【0074】この場合、給気管16A〜16E、及び排
気管17A〜17Eに備えられているバルブは、それぞ
れ電磁的に開閉自在なバルブであり、それらの開閉動作
は互いに独立にコンピュータよりなるパージガス制御系
(不図示)によって制御されると共に、回収装置4、給
気装置5、及び蓄積装置6の動作もそのパージガス制御
系によって制御される。そして、給気装置5からのパー
ジガスの供給動作と、回収装置4による気体の回収動作
と、それらのバルブの選択的な開閉動作とによって、サ
ブチャンバ9,19の内部、レチクル室23の内部、ウ
エハ室38の内部、及び投影光学系PLの内部(例えば
複数のレンズ室)の何れに対してもパージガスを所望の
流量で供給できるように構成されている。また、パージ
ガスの温度、圧力、及び必要に応じて湿度は、例えば各
気密室内への送風口付近に配置された環境センサの出力
に応じて制御できるように構成されている。
【0075】この際に、第1サブチャンバ9と第2サブ
チャンバ19との間の空間、第2サブチャンバ19とレ
チクル室23との間の空間、レチクル室23と投影光学
系PLの上端部との間の空間、及び投影光学系PLとウ
エハ室38との間の空間は、それぞれ外気から隔離され
るように大きい可撓性を有し、かつ気体の遮断性の高い
膜状の軟性シールド部材18A,18B,18C,及び
18Dによって密閉されている。軟性シールド部材18
A等が本発明の被覆部材に対応している。軟性シールド
部材18A等は、一例として、伸縮性の良好な保護膜
(例えばポリエチレン)と、ガスバリヤ性の良好なフィ
ルム素材(例えばエチレン・ビニル・アルコール樹脂
(EVOH樹脂)とをラミネート加工(多層加工)し
て、その内面に脱ガスの極めて少ない安定化膜(例えば
アルミニウムのような金属膜)を被着して形成されてい
る。これによって、露光光源3から被露光基板としての
ウエハW1,W2までの露光光ILの光路は、ほぼ完全
に密封されていることになる。このため、露光光ILの
光路上への外部からの吸光物質を含む気体の混入は殆ど
無く、露光光の減衰量は極めて低く抑えられる。
【0076】また、サブチャンバ9,19、レチクル室
23、投影光学系PL、及びウエハ室38の内部には、
それぞれ吸光物質中の酸素ガスの濃度を検出するための
酸素濃度センサがそれぞれ設置され、酸素濃度が所定の
サンプリングレートで連続的に計測されて、上記のパー
ジガス制御系に供給されている。この場合、酸素濃度を
計測することによって代表的に吸光物質の濃度が計測さ
れており、酸素濃度センサとしては、例えばポーラログ
ラフ式酸素濃度計、ジルコニア式酸素濃度計、又は黄リ
ン発光式の酸素センサ等が使用できる。但し、それと共
に、又は単独に水蒸気や2酸化炭素等の吸光物質の濃度
を計測するようにしてもよい。そして、その各気密室内
での吸光物質の濃度の計測値はパージガス制御系に供給
されており、何れかの気密室において所定の許容濃度以
上の吸光物質が検出された場合には、そのパージガス制
御系の指令によりその吸光物質の濃度が許容濃度以下と
なるまでその吸光物質が検出された気密室内へのパージ
ガスの供給が行われる。
【0077】また、軟性シールド部材18A〜18Dは
例えば合成樹脂より形成されて、それぞれ大きい可撓性
を有しているため、隣接する気密室の間、例えばサブチ
ャンバ19とレチクル室23との間、レチクル室23と
投影光学系PLとの間、及び投影光学系PLとウエハ室
38との間で互いに振動が伝わらない。従って、気密性
を保持した上で振動の影響が軽減されている。
【0078】更に、本例ではレチクル室23とレチクル
ローダ室87との間の空間を密閉するように軟性シール
ド部材18Eが設けられ、レチクル室23に供給された
パージガスの一部はレチクルローダ室87内にも満たさ
れている。従って、レチクルローダ系によってレチクル
R1,R2の交換を行う際に、レチクルローダ室87の
搬送口のシャッターを開いても、レチクル室23内のパ
ージガスの濃度が大きく低下することは無い。この場
合、レチクルローダ室87内にも吸光物質の濃度センサ
を配置して、レチクル室23内での吸光物質の許容濃度
よりもレチクルローダ室87内での吸光物質の許容濃度
を高く(緩く)設定し、レチクル室23内での吸光物質
の濃度が許容濃度以下であっても、レチクルローダ室8
7内での吸光物質の濃度が許容濃度を超えたときに、給
気装置5からレチクル室23にパージガスを供給するよ
うにしている。これによって、レチクルの交換時にもレ
チクル室23内でのパージガスの濃度が高く維持される
と共に、パージガスの使用量を減らすことができる。更
に、レチクルローダ室87をレチクルR1,R2の搬送
路に沿って複数の気密室に分割し、これらの複数の気密
室内にレチクルローダ系の構成部分を配置してもよい。
この際に、その複数の気密室内で吸光物質の濃度、又は
その許容値を異ならしめてもよい。
【0079】同様に、ウエハ室38とウエハローダ室7
0との間の空間を密閉するように軟性シールド部材が設
けられ、ウエハ室38内に供給されたパージガスの一
部、又は殆ど全部(排気管17Eのバルブを閉じた場
合)はウエハローダ室70内にも満たされており、ウエ
ハローダ室70内を流れたパージガスはバルブ付きの排
気管17F及び排気管7Aを介して回収装置4に回収さ
れている。そして、ウエハローダ室70内にも吸光物質
の濃度センサが配置され、ウエハ室38内に比べてウエ
ハローダ室70内の吸光物質の許容濃度は高く設定さ
れ、ウエハ室38内での吸光物質の濃度が許容濃度以下
であっても、ウエハローダ室70内での吸光物質の濃度
が許容濃度を超えたときに、給気装置5からウエハ室3
8にパージガスを供給するようにしている。これによっ
て、ウエハの交換時にもウエハ室38内でのパージガス
の濃度が高く維持されると共に、パージガスの使用量を
減らすことができる。
【0080】次に、本例のダブル・ウエハステージ方式
のウエハステージ系、及びウエハローダ系の構成につき
図3〜図5を参照して詳細に説明する。図3は、図1中
のウエハステージ系WST、及びウエハローダ系を示す
一部を断面とした平面図であり、この図3に示すように
本例のウエハ室38内のウエハステージ系WSTは、ウ
エハベース39上のガイド面にエアーベアリングを介し
て浮上支持されると共に、X方向及びY方向に独立して
移動自在な2つのウエハステージ40A,40Bと、こ
れらの駆動系と、これらの位置を計測する干渉計システ
ムとを備えており、ウエハステージ40A,40B上に
それぞれ不図示のウエハホルダを介してウエハW1,W
2が保持されている。これを更に詳述すると、ウエハベ
ース39を走査露光時の走査方向SD(Y方向)に挟む
ように、X軸に平行に1対のX軸ガイド部材41,42
が配置され、これらのX軸ガイド部材41,42に対し
てエアーパッドを介してX方向に摺動自在に第1のX軸
スライダ44A,45A、及び第2のX軸スライダ44
B,45Bが載置されている。
【0081】そして、第1のX軸スライダ44A,45
Aに対してエアーパッドを介してY方向に摺動自在に第
1のY軸ガイド43Aが配置され、第2のX軸スライダ
44B,45Bに対してエアーパッドを介してY方向に
摺動自在に第2のY軸ガイド43Bが配置され、Y軸ガ
イド43A,43Bに対してエアーパッドを介してY方
向に摺動自在にウエハステージ40A,40Bが配置さ
れている。また、X軸ガイド部材41,42に対して第
1のX軸スライダ44A,45A及び第2のX軸スライ
ダ44B,45Bを運動量保存則をほぼ満たして相対駆
動するためのX軸の第1及び第2のリニアモータ(不図
示)と、Y軸ガイド43A,43Bに対してウエハステ
ージ40A,40Bを運動量保存則をほぼ満たしてY方
向に相対駆動するための2つのリニアモータ(不図示)
とが設けられている。
【0082】また、第1のウエハステージ40Aの+X
方向側の上面にアライメントセンサ27Aのベースライ
ン計測用の基準マークが形成された基準マーク部材47
が固定され、ウエハステージ40Aの−X方向側の上面
に露光光の光量や照度むら等を計測するための計測部材
46が固定され、第2のウエハステージ40Bの上面に
もそれらと同一の基準マーク部材及び計測部材が固定さ
れている。
【0083】ここで、本例のウエハステージ系WSTの
計測システムの一例につき説明する。図3において、第
1のウエハステージ40Aの−X方向及び+Y方向の側
面にはX軸の移動鏡48AX、及びY軸の移動鏡48A
Yが固定され、第2のウエハステージ40Bの+X方向
及び+Y方向の側面にもX軸の移動鏡、及びY軸の移動
鏡が固定されている。なお、このように移動鏡48A
X,48AY等を用いる他に、ウエハステージ40A,
40Bの側面を鏡面加工して、この鏡面部に計測用のレ
ーザビームを照射してもよい。
【0084】この場合、本例では投影光学系PLの光軸
AX(露光領域の中心)と、第1のアライメントセンサ
27Aの光軸(検出中心)と、第2のアライメントセン
サ27Bの光軸(検出中心)とはX軸に平行な直線(以
下、「最小誤差軸」と呼ぶ。)上に配列されている。そ
して、その最小誤差軸上で−X方向及び+X方向に対向
するようにX軸のウエハ干渉計49AX,49BXが設
置され、第1のウエハ干渉計49AXからの2つの計測
ビームが最小誤差軸に沿って第1のウエハステージ40
AのX軸の移動鏡48AXに照射されている。これと対
称に、第2のウエハ干渉計49BXからの2つの計測ビ
ームが最小誤差軸に沿って第2のウエハステージ40B
のX軸の移動鏡に照射されている。それらの2つの計測
ビームの他に、実際にはZ方向に離れた計測ビームも移
動鏡48AX等に照射されており、ウエハ干渉計49A
X,49BXはそれぞれウエハステージ40A,40B
のX方向の位置、Z軸の回りの回転角(ヨーイング
量)、及びY軸の回りの回転角(ローリング量)を計測
する。
【0085】また、光軸AXを通りY軸に平行な計測ビ
ームがY軸のウエハ干渉計50AYからウエハステージ
40AのY軸の移動鏡48AYに照射されている。ま
た、アライメントセンサ27A,27Bのそれぞれの検
出中心を通りY軸に平行な計測ビームをそれぞれ有する
ウエハ干渉計50BY,50CYも設けられている。中
央のウエハ干渉計50AYはX方向に2軸で、Z方向に
も2軸(不図示)の計測ビームを備えているため、ウエ
ハステージ40A,40BのY方向の位置、Z軸の回り
の回転角(ヨーイング量)、及びX軸の回りの回転角
(ピッチング量)を計測できる。本例では、投影光学系
PLは、ウエハステージ40A,40B上のウエハW
1,W2を露光する場合に共通に使用されるが、第1の
ウエハステージ40A上のウエハW1のアライメント時
には−X方向のアライメントセンサ27Aが使用され、
第2のウエハステージ40B上のウエハW2のアライメ
ント時には+X方向のアライメントセンサ27Bが使用
される。そして、投影光学系PLを用いた露光時のウエ
ハステージ40A,40BのY方向の位置計測には、中
央のウエハ干渉計50AYの計測値が用いられ、アライ
メントセンサ27A、又は27Bの使用時のウエハステ
ージ40A、又は40BのY方向の位置計測には、それ
ぞれレーザ干渉計50BY又は50CYの計測値が用い
られる。
【0086】このように本例では、Y軸のウエハ干渉計
50AY〜50CYをX方向(非走査方向)に複数個設
けることによって、ウエハステージ40A,40BのY
軸の移動鏡48AY等に常に何れかのY軸の計測ビーム
が照射されるようにしている。このため、ダブル・ウエ
ハステージ方式において個々のウエハステージ40A,
40Bを小型化して高速駆動できると共に、各ウエハス
テージ40A,40Bの位置を高精度に検出できる利点
がある。
【0087】また、例えば一方のアライメントセンサ2
7Aによるアライメントの後で第1のウエハステージ4
0Aを露光位置に移動する場合や、他方のアライメント
センサ27Bによるアライメントの後で第2のウエハス
テージ40Bを露光位置に移動する場合には、Y軸の両
側のウエハ干渉計50BY,50CYとY軸の中央のウ
エハ干渉計50AYとの間で計測値の受け渡しを行う必
要がある。この計測値の受け渡しは、一例として次のよ
うに行われる。即ち、図3の状態から第1のウエハステ
ージ40Aが−X方向に移動する場合には、ウエハ干渉
計49AXによって計測されるウエハステージ40Aの
ヨーイング量が0となる状態で、次のウエハ干渉計50
BYの計測値がそれまで使用されていたウエハ干渉計5
0AYの計測値に合致するように、次のウエハ干渉計5
0BYの計測値にオフセットを加えればよい。
【0088】また、図3において、X軸のウエハ干渉計
49AX,49BXの背面にはそれぞれコーナキューブ
よりなる2軸の移動鏡61AX,61BXが固定され、
これらの移動鏡61AX,61BXのX方向の位置、及
びZ軸の回りの回転角が既に説明した干渉計ユニット5
7AX,57BXによって投影光学系PLを基準として
計測されている。更に、Y軸の中央のウエハ干渉計50
AYの背面にもそれぞれコーナキューブよりなる2軸の
移動鏡61AYが固定され、この移動鏡61AYのY方
向の位置、及びZ軸の回りの回転角が既に説明した干渉
計ユニット57Yによって投影光学系PLを基準として
計測されている。
【0089】本例では、ウエハ干渉計49AX,49B
X,50AY〜50CYよりなる合計5つの干渉計によ
って、ウエハ室38内でのウエハステージ40A,40
Bの2次元の座標位置、及び3軸の回りの回転角を管理
する第1の計測システムが構成され、干渉計ユニット5
7AX,57BX,57Yによって投影光学系PLに対
するウエハ干渉計49AX,49BX,50AY(ウエ
ハ室38)の2次元の座標位置、及びZ軸の回りの回転
角を管理する第2の計測システム(主計測系)が構成さ
れている。そして、第1の計測システム及び第2の計測
システムによって、投影光学系PLを基準として2つの
ウエハステージ40A,40BのそれぞれのX方向、Y
方向の位置、及びX軸、Y軸、Z軸の回りの回転角が高
精度に計測されており、この計測値に基づいてアライメ
ント時の位置決め、及び走査露光時の位置や速度の制御
が高精度に行われる。
【0090】また、本例ではその計測システムの他に、
図4に示すように各種センサ等が備えられている。図4
は、図3のウエハ室38及びウエハローダ室70を示す
平面図であり、この図4において、ウエハ室38には投
影光学系PLがY方向に出入りできるように+Y方向に
開いた溝部38aが形成されている。また、ウエハ室3
8の上板には、投影光学系PLによるスリット状の露光
領域28、又はこれに対して走査方向SD(Y方向)に
手前側の領域(先読み領域)にあるウエハW1(又はW
2)上の複数の計測点に光軸AXに対して斜めにスリッ
ト像を投影する投射系88Aと、その被検面からの反射
光を受光して、それらの計測点でのフォーカス位置(Z
方向の位置)を検出する受光系88Bとからなる斜入射
方式の多点のオートフォーカスセンサ(AFセンサ)8
8A,88Bが設置され、AFセンサ88A,88Bで
検出されるフォーカス位置FZn(n=1,2,…)の
情報がステージ駆動系(不図示)に供給されている。
【0091】また、投射系88A及び受光系88Bの上
面にはそれぞれコーナキューブ型の移動鏡89A及び8
9Bが固定され、図2の投影光学系PLの下部の第2基
準板102には、干渉計ユニット58Aと同様の構成で
投影光学系PLに対する移動鏡89A,89Bの変位量
FZA,FZBを高精度に検出する干渉計ユニット(不
図示)が設置され、その検出結果FZA,FZBもその
ステージ駆動系に供給されている。この場合、そのステ
ージ駆動系では、AFセンサ88A,88Bで検出され
るフォーカス位置FZnをその変位量FZA,FZBで
補正して得られる値から、ウエハW1(W2)上の各計
測点での投影光学系PLの像面からのデフォーカス量を
算出し、これらのデフォーカス量が許容範囲内に収まる
ようにウエハステージ40A(40B)内のZレベリン
グ機構を制御する。これによって、図4において、ウエ
ハW1(又はW2)上の一つのショット領域29を露光
領域28に対して走査する際に、ショット領域29の全
面が焦点深度の範囲内に収まるため、ショット領域29
の全面にレチクルパターンの縮小像が高い解像度で投影
される。
【0092】また、ウエハ室38の上部には、図3のウ
エハ干渉計49AX,49BX,50AY〜50CYに
対してレーザビームを分岐して供給するためのレーザ光
源部91、ウエハステージ40A,40B上のウエハW
1,W2の特性を計測するためのセンサ部90、及びウ
エハ室38内でウエハW1,W2のプリアライメントを
行うための第1及び第2のプリアライメント機構92
A,92Bが備えられている。この場合、第1のウエハ
ステージ40A上のウエハW1のプリアライメントは、
ウエハ室38内の−X方向の端部の位置A1で行われ、
第2のウエハステージ40B上のウエハW2のプリアラ
イメントは、+X方向の端部の位置B1で行われるた
め、プリアライメント機構92A,92Bはそれぞれ位
置A1,B1(プリアライメント位置)の上方に配置さ
れている。そして、位置A1,B1と、露光が行われる
露光領域28(光軸AX)との間にアライメントセンサ
27A,27Bによるウエハアライメントの位置が設定
されている。
【0093】図3に戻り、本例では、上記のようにウエ
ハステージ40A,40Bの内の一方が露光シーケンス
を実行している間、他方はウエハローダ系WLDA,W
LDBとの間でウエハ交換を行ってから、ウエハアライ
メントシーケンスを実行する。そのため、ウエハ室38
の−Y方向側に所定間隔を隔てて気密性の高い箱状のウ
エハローダ室70(搬送室)が設置され、ウエハローダ
室70内にそのウエハローダ系WLDA,WLDBが収
納されている。そして、ウエハ室38内で第1のウエハ
ステージ40A(ウエハW1)は露光後に点線で示すよ
うに−X方向の位置A1に移動し、第2のウエハステー
ジ40B(ウエハW2)は露光後に点線で示すように+
X方向の位置B1に移動する。ウエハ室38の側面の位
置A1及びB1の近傍にスリット状の搬送口52A及び
52Bが形成され、搬送口52A,52Bに対向するよ
うに、ウエハローダ室70の側面にもスリット状の搬送
口74A,74Bが形成され、ウエハローダ室70の内
部は、第1の搬送口74Aに接する第1の待機室72
A、第2の搬送口74Bに接する第2の待機室72B、
及び2つの待機室72A,72B(第2搬送室)の中間
の予備室73(第1搬送室)に分割されている。
【0094】そして、搬送口74A,74Bの内側に開
閉自在にシャッタ75A,75Bが設けられ、待機室7
2A,72Bと予備室73との間にもそれぞれ搬送口が
形成され、これらの搬送口を開閉するためのシャッタ7
8A,78Bが設けられている。更に、予備室73の−
Y方向の側面にはX方向に並列に2つの搬送口が形成さ
れ、これらの搬送口を開閉するためのシャッタ85A,
85Bが設けられている。そのウエハローダ室70の−
Y方向に接するようにインターフェース・コラム71が
設置されており、インターフェース・コラム71内の外
気と同じ環境下において、予備室73のシャッタ85
A,85Bによって開閉される搬送口の近傍の位置A
4、及び位置B4にはそれぞれ1ロットのウエハを収納
するウエハカセット(不図示)が設置されている。
【0095】また、ウエハ室38の搬送口52A,52
Bと、ウエハローダ室70の搬送口74A,74Bとの
間の空間を外気から遮蔽するように、それぞれ図1の軟
性シールド部材18Dと同様の高い可撓性を有する円筒
状で膜状の軟性シールド部材18F,18Gが装着され
ている。これによって、ウエハローダ室70内の振動が
ウエハ室38内に伝わらないと共に、ウエハ室38の内
部からウエハローダ室70の内部の空間までを高純度の
パージガスで満たすことができる。
【0096】また、第1の待機室72A内の中央部の位
置A2(温度制御位置)に来たウエハの温度を制御する
ために、3点接触型のヒータ及び冷却器を含む温度調整
装置76Aが設置され、位置A2と位置A1との間で搬
送口52A,74Aを通してウエハの受け渡しを行うた
めに第1のスライドアーム77Aが配置され、待機室7
2A内の上部にスライドアーム77AのZ方向への微
動、及びY方向への移動を行うための搬送装置(不図
示)が配置されている。また、予備室73内の−X方向
側に、インターフェース・コラム71及び待機室72A
の内部との間でウエハの受け渡しを行うための第1の搬
送ロボット79Aが配置されている。搬送ロボット79
Aは、回転及び上下動を行う回転軸82と、この回転軸
82上で回転を行う第1アーム81と、この第1アーム
81の先端部で回転を行う第2アーム80とを備えてお
り、この第2アーム80の先端部に搬送対象のウエハが
吸着保持される。
【0097】また、インターフェース・コラム71(外
気)と接続される気密室(本例では予備室73)では、
ウエハなどの搬送時にパージガスが外部に流出したり、
外気の流入などによって吸光物質の濃度が悪化し得る。
そこで、その搬送時にシャッタ85A,85Bによって
規定されるインターフェース・コラム71と予備室73
との間の搬送口(ここでは「IF開口」と呼ぶ)の大き
さ(開放面積)を小さくする、例えばシャッタ75A,
75Bによって規定されるウエハ室38と待機室72
A,72Bとの間の搬送口(ここでは「本体開口」と呼
ぶ)52A,52B又は74A,74Bに比べて小さく
することが望ましい。このとき、シャッタ78A,78
Bによって規定される待機室72A,72Bと予備室7
3との間の搬送口(ここでは「中間開口」と呼ぶ)はそ
の大きさを制限しなくてもよいが、前述のIF開口と同
程度以上、及び前述の本体開口(52A,52B又は7
4A,74B)と同程度以下の少なくとも一方を満たす
ことが望ましい。
【0098】なお、本例ではウエハ室38とインターフ
ェース・コラム71との間に2つの気密室(予備室73
と待機室72A又は72B)を設ける、即ちIF開口と
本体開口との間に1つの中間開口が存在しているが、ウ
エハ室38とインターフェース・コラム71との間に3
つ以上の気密室を設けてもよく、IF開口と本体開口と
の間に存在する2つ以上の中間開口はその大きさが同程
度でも、異なっていてもよいが、IF開口又は本体開口
との大小関係は上記条件を満たすことが望ましい。
【0099】また、ウエハ室38とインターフェース・
コラム71との間に1つの気密室を設けるだけでもよ
く、この場合はIF開口を本体開口に比べて小さくする
だけでよい。さらに、ウエハ室38とインターフェース
・コラム71との間に少なくとも2つの気密室が設けら
れる場合、ウエハ室38に近づくほど搬送口を大きくす
る、即ちIF開口、中間開口、及び本体開口の配列順に
その大きさを段階的に大きくするようにしてもよい。こ
れは、特にウエハ室38で吸光物質の濃度が最も厳し
く、インターフェース・コラム71に近づくほど各気密
室での吸光物質の濃度が緩くなるときに有効である。即
ち、ウエハ室38と異なる1つの気密室の前後で吸光物
質の濃度が異なり、かつその1つの気密室の濃度がその
前後の濃度のうち厳しい方と同等以上であるときは、そ
の1つの気密室で濃度が緩い方の搬送口を厳しい方の搬
送口よりも小さくするとよい。
【0100】また、IF開口、中間開口、及び本体開口
の大きさを等しくしておき、ウエハなどの搬送時に、前
述の如くシャッタによってその大きさを異ならせるよう
にしてもよいし、或いは各開口(搬送口)でその大きさ
を異ならせておき、シャッタは搬送路の開閉のみに用い
るようにしてもよい。本例ではウエハローダがウエハの
裏面を支持するので、各開口(搬送口)はその横幅がウ
エハサイズに応じてほぼ等しくなっている。従って、各
開口(搬送口)でその高さを調整することで大きさ(開
放面積)が異なることになる。但し、各開口(搬送口)
を通るウエハローダ(搬送アーム)のサイズが異なると
きは、そのサイズを考慮して上記高さを調整するか、或
いは上記条件を満たすように各搬送アームのサイズを設
定しておくとよい。
【0101】さらに、ウエハ室38とは別に少なくとも
1つの気密室をインターフェース・コラム71との間に
設ける場合、インターフェース・コラム71に接続され
る気密室でその圧力を外気よりも高くして外気の流入阻
止を図ることが望ましい。また、ウエハ室38の圧力は
その気密室と同程度でもよいが、ウエハ室38でその圧
力を最も高くすることが望ましく、この場合にウエハ室
38に近づくほど気密室の圧力を高くするようにしても
よい。特に、互いに隣接する2つの気密室で吸光物質の
濃度が異なる場合、その濃度が厳しく管理される一方の
気密室でその圧力を他方の気密室よりも高くすることが
望ましい。これにより、濃度管理が緩い気密室から濃度
管理が厳しい気密室へのパージガスの流入阻止を図るこ
とができる。
【0102】また、レチクルローダ室87内のレチクル
ローダの一部又は全体を、レチクル室23と異なる少な
くとも1つの気密室に配置し、レチクル室23を含む複
数の気密室でその搬送口の大きさや圧力を上記と全く同
様に設定してもよい。このとき、レチクルを密閉型カセ
ット(例えば、ボトムオープンタイプのSMIF(Stand
ard mechanical interface)技術を適用して製造された
ケースであるSMIF−pod(商品名)が使用でき
る)に収納し、レチクルを外気と接触させることなく、
その少なくとも1つの気密室内に搬入するように構成し
てもよい。また、その複数の気密室の1つに、少なくと
も一枚のレチクルを保持するバッファカセット(保管
棚)を設けてもよい。
【0103】ハンドリング機構としての搬送ロボット7
9Aは、ウエハの搬入時にインターフェース・コラム7
1内の位置A4からシャッタ85Aのある搬送口を通し
て予備室73内に搬入したウエハを、回転軸82上の位
置A3に設置する。位置A3に設置されたウエハの外周
部の180°離れた2箇所に視野を持つように2つの撮
像装置83A,84Aが配置され、外形検出系としての
撮像装置83A,84Aの撮像信号が不図示のウエハロ
ーダ制御系に供給され、このウエハローダ制御系は、そ
の撮像信号を処理して位置A3にあるウエハの外周部の
ノッチ部(切り欠き部)の位置、及びその中心位置を検
出し、このノッチ部の位置が所定の位置(例えば+Y方
向)に来るように、かつそのウエハの中心位置が所定の
位置に来るように搬送ロボット79Aの動作を制御す
る。これによって、ウエハの1回目のプリアライメント
が行われる。
【0104】温度調整装置76A、スライドアーム77
A、この搬送装置(不図示)、搬送ロボット79A、及
び撮像装置83A,84Aより第1のウエハローダ系W
LDAが構成されている。この第1のウエハローダ系W
LDAと対称に、ウエハ室38内の位置B1と、待機室
72B内の位置B2と、予備室73内の位置B3と、イ
ンターフェース・コラム71内の位置B4との間でウエ
ハの受け渡しを行うための第2のウエハローダ系WLD
Bが配置されている。ウエハローダ系WLDBも温度調
整装置76B、スライドアーム77B、この搬送装置
(不図示)、第2の搬送ロボット79B、及び撮像装置
83B,84Bより構成されている。ウエハローダ系W
LDA,WLDBが搬送系に対応している。そのウエハ
の1回目のプリアライメントは、ウエハのその搬送系に
対する外形基準によるアライメントとみなすことができ
る。
【0105】なお、図3の構成例において、予備室73
内には1台の搬送ロボット79Aのみを配置して、この
搬送ロボット79A(ハンドリング機構)を2つのウエ
ハローダ系WLDA,WLDBで共有してもよい。この
際には、外形検出系も1組の撮像装置83A,84Aの
みを配置するだけでよい。投影光学系PLによる露光は
ウエハステージ40A,40Bに対して交互に行われる
ため、その構成でもスループットは殆ど低下しないと共
に、ウエハローダ系を全体として小型化することができ
る。
【0106】図5は、図3と同じく本例のウエハステー
ジ系WST、及びウエハローダ系WLDA,WLDBを
示す平面図であり、この図5において、ウエハ室38の
上部に点線で示すように図2の給気管16E及び給気装
置5に連通する3箇所の吹き出し口94,95A,95
Bが設置され、これらの吹き出し口94,95A,95
Bからウエハ室38の内部にダウンフロー方式で陽圧の
パージガスが供給されている。この場合、吹き出し口9
4は、Y軸のウエハ干渉計50AYの光路を含む領域の
上部に設定され、吹き出し口95A,95BはX軸の2
つのウエハ干渉計49AX,49BXの光路を含む領域
の上部に設定されており、ウエハ干渉計49AX,49
BX,50AYの光路には実質的に常時高純度のパージ
ガスが供給されているため、その光路の屈折率が安定化
して計測精度が向上する。
【0107】但し、そのウエハ干渉計の光路の屈折率は
パージガスの純度が比較的大きく変化すると、それに応
じて変化するため、パージガスの純度が所定の許容値を
超えて変化した場合には、アライメント及び露光動作を
中止して、そのパージガスの純度が高純度で安定化する
までウエハステージ40A,40Bを待機させるように
してもよい。これによって、アライメント精度及び露光
精度の悪化を防止することができる。
【0108】また、図5のウエハローダ室70の予備室
73の底面に点線で示すように、図2の排気管17Fに
連通する排気口96が設置されており、ウエハ室38、
待機室72A,72B、及び予備室73の内部にそれぞ
れ吸光物質としての酸素の濃度を計測する酸素濃度セン
サ93A,93B,93C,93Dが設置され、酸素濃
度センサ93A〜93Dの計測値が不図示のパージガス
制御系に供給されている。シャッタ75A,78A又は
シャッタ75B,78Bが開いている場合に、ウエハ室
38の内部に供給されたパージガスは、矢印C1,C2
及び矢印D1,D2で示すように待機室72A,72B
を経て予備室73に流入し、予備室73に流れ込んだパ
ージガスは排気口96から図2の排気管17Fを介して
回収装置4に回収される。また、シャッタ75A,78
A,75B,78Bが閉じている場合に、ウエハ室38
内に吹き出したパージガスは、必要に応じて図2の排気
管17Eから回収装置4に回収される。
【0109】この場合、酸素濃度センサ93A〜93D
で検出される酸素濃度の許容値は、ウエハ室38の内
部、待機室72A,72Bの内部、予備室73の内部の
順に高く(緩く)設定されており、酸素濃度センサ93
A〜93Dの何れかで計測される濃度が許容値を超えた
場合に、そのパージガス制御系は吹き出し口94,95
A,95Bからウエハ室38の内部に通常よりも多い流
量でパージガスを供給する。これによって、ウエハの交
換時にシャッタ75A,75B等を開いた場合にも、ウ
エハ室38内でのパージガスの濃度が高く維持されると
共に、パージガスの使用量を減らすことができる。
【0110】そのウエハ室38内へパージガスを供給す
る際の流量の一例は、ウエハの1枚がウエハ室38から
順次搬出される際にウエハ室38内で増加する空間の体
積分を補う程度である。これによって、パージガスの使
用量を少なくすることができる。本例では、そのウエハ
室38(露光室)の内部の吸光物質(ここでは酸素)の
濃度の許容値(dAとする)は待機室72A,72Bの
内部の吸光物質の濃度の許容値(dBとする)の1/1
0〜1/100程度に設定され、待機室72A,72B
の内部の吸光物質の濃度の許容値dBは予備室73の内
部の吸光物質の濃度の許容値(dCとする)の1/10
〜1/100程度に設定されている。そして、一例とし
て、ウエハ室38内の許容値dAは100〜10ppm
程度、待機室72A,72B内の許容値dBは103
pm程度、予備室73内の許容値dCは105 ppm程
度に設定される。
【0111】この際に、パージガスの濃度管理を容易に
するために、ウエハ室38内での許容値dAを最も厳し
く設定し、その他の気密室(待機室72A,72B及び
予備室73)では共通にウエハ室38内と同程度以上の
許容値に設定するだけでもよい。この場合には、待機室
72A,72Bと予備室73とを一つの気密室としても
よい。また、検出対象の吸光物質(不純物)の種類を多
くして、その吸光物質毎にその濃度の許容値を異ならせ
てもよく、最も許容値が厳しい物質の濃度に着目してパ
ージガスの流量などを制御するようにしてもよい。
【0112】また、パージガスの別の管理方法として、
ウエハ室38に隣接する待機室72A,72Bではその
内部の吸光物質(不純物)の許容濃度をウエハ室38内
と同程度に設定し、待機室72A,72Bよりもウエハ
カセット側に配置される予備室73などでは、その内部
の吸光物質の許容濃度をウエハ室38内よりも高く設定
するようにしてもよい。これによって管理が単純化され
る。
【0113】また、吸光物質の濃度の許容値が緩い(大
きい)気密室からその許容度が厳しい(小さい)気密室
へのパージガスの逆流を防止するために、各気密室内で
のパージガスの圧力を異ならせる、即ちその許容値が厳
しい(小さい)気密室ほどその内部でのパージガスの圧
力を高くするようにしてもよい。また、本例ではウエハ
室38内にパージガスをダウンフロー方式で供給してい
るが、パージガスが本例のようにヘリウムガスのような
軽い気体である場合、外気の主成分である空気は下部に
溜まり易く、その軽いパージガスを上方から供給するこ
とによって、その空気は効率的に下方から排気されるた
め、ウエハ室38内のパージガスが高純度に維持され
る。但し、例えば外気が空気よりも軽い気体であるよう
な場合には、その軽い気体よりなるパージガスをウエハ
室38内の底面部から吹き上げるようにして(いわばオ
ーバーフロー方式で)供給するようにしてもよい。
【0114】なお、露光光としてKrFエキシマレーザ
(波長248nm)などを使用する場合にも、その光路
にはヘリウムガスや窒素ガスなどのパージガスを供給す
ることが望ましい。しかしながら、その場合のパージガ
スの濃度は例えば90〜99%程度に落としても、ウエ
ハ上で高い露光強度が得られると共に、レーザ干渉計等
のセンサでも高い計測精度が得られる。但し、この場合
にそのセンサの光路での屈折率の揺らぎが大きくならな
いように、気密室に対するパージガスの供給管や排気管
の位置をそのセンサの光路からできるだけ離して配置す
ることが望ましい。
【0115】次に、本例の温度調整装置76A(温度制
御系)及びプリアライメント機構92A(第1のアライ
メント系)の構成及び動作につき図8〜図12を参照し
て詳細に説明する。図8(a)は図3のウエハローダ室
70内の左半面の状態を示す拡大平面図、図8(b)は
図8(a)の一部を切り欠いた正面図であり、図8
(b)に示すように、一方の温度調整装置76Aは、上
下駆動部114と、この上に固定されてヒータ等の加熱
器、及びペルチェ素子等の冷却素子を備えた加熱冷却部
113と、この上に固定された3本の支持ピン112と
を備えている。支持ピン112は、熱伝導率の良好な材
料(金属等)から形成され、不図示であるが、支持ピン
112の上端付近にサーミスタ等の温度測定素子が固定
され、この温度測定素子による温度の検出データが不図
示のウエハローダ制御系に供給される。本例の支持ピン
112は、脱ガスの少ない材料より形成されている。
【0116】この場合、これから露光されるウエハをウ
エハW1とすると、図8(a)に示すように、ハンドリ
ング機構としての搬送ロボット79AによってウエハW
1は、ウエハローダ室70の外部の位置A4から予備室
73内の1回目のプリアライメントが行われる位置A3
を経て、待機室72A内の位置A2に搬送される。図8
(b)に示すように、点線で示す位置A2の下方に温度
調整装置76Aの支持ピン112が待機しており、この
状態で回転軸82を降下させることで、搬送ロボット7
9Aから支持ピン112上にウエハW1が受け渡され
る。ウエハW1は、その前のウエハのアライメント及び
露光が終わるまで、支持ピン112上で待機している。
この待機中に、支持ピン112に装着されている温度測
定素子(不図示)によって検出される温度(ほぼウエハ
W1の温度とみなすことができる)が、ウエハW1に塗
布されているフォトレジストの適正温度(予め露光デー
タとして設定されている)に近付くように、そのウエハ
ローダ制御系は加熱冷却部113を介して支持ピン11
2及びウエハW1の温度を制御する。これによって、ウ
エハW1は常に適正温度に保たれた状態で待機するた
め、常にフォトレジストを最も高い解像度が得られる状
態で露光できる。
【0117】なお、図8では、図3中のスライドアーム
77Aが省略されているが、図8の状態の後、ウエハW
1は、図9に示すようにスライドアーム77Aに受け渡
される。図9(a)は図3の待機室72Aの内部を示す
平面図、図9(b)は図9(a)の一部を切り欠いた正
面図であり、図9(b)に示すように、ウエハW1が温
度調整装置76Aの支持ピン112上に待機している状
態では、スライドアーム77AはウエハW1の底面部に
位置している。また、スライドアーム77Aは上部のス
ライダ86Aに連結され、スライダ86Aは必要に応じ
てスライドアーム77Aを上下に駆動すると共に、図9
(a)に示すように、位置A2と位置A1との間でスラ
イドアーム77Aをほぼ直線的に移動する。スライドア
ーム77A及びスライダ86Aが本発明のアーム機構に
対応している。また、本例の待機室72Aと図3のウエ
ハ室38との間の搬送口74A(図3の搬送口52Aも
同様)は上下方向の幅が広く形成されており、それを開
閉するためのシャッタ75Aは、ほぼ下半分の開閉を行
う第1シャッタ75A1と、ほぼ上半分の開閉を行う第
2シャッタ75A2とから構成されている。
【0118】そして、ウエハW1をウエハ室38側に搬
送する際には、図9(b)において、スライドアーム7
7Aを上昇させて支持ピン112からスライドアーム7
7AにウエハW1を受け渡した後、図9(b)に対応す
る図9(d)に示すように、第1シャッタ75A1のみ
を開く。これによって、搬送口74Aのほぼ下半分の領
域、即ちウエハW1及びスライドアーム77Aが通過で
きる領域が開かれる。なお、ウエハステージ40A側の
ウエハホルダを搬送する場合もあるが、このようにウエ
ハW1よりも大きい付属物を搬送するような場合には、
第1シャッタ75A1と共に第2シャッタ75A2も開
くようにする。このように隣接する気密室間の搬送口7
4A等を必要最小限だけ開くようにすることで、パージ
ガスを有効に利用することができる。
【0119】その後、図9(a)に対応する図9(c)
に示すように、スライドアーム77Aを搬送口74Aの
方向に駆動することで、ウエハW1がウエハ室38内の
位置A1まで搬送される。位置A1を囲むように、図1
0に示すようにプリアライメント機構92Aが配置され
ている。図10(a)はそのプリアライメント機構92
Aの搬入用のロードアーム116を示す平面図、図10
(b)は図10(a)の一部を省略した正面図、図10
(c)は図10(b)のCC線に沿う断面図であり、図
10(a),(b)に示すように、ロードアーム116
は、上下に伸びた回転昇降軸119と、この回転昇降軸
119に取り付けられて、90°間隔で開いた2個の爪
状の保持部117a,117bを有する第1アーム11
7と、この第1アーム117に対して0°〜180°程
度の範囲で回転可能に回転昇降軸119に取り付けられ
て、爪状の保持部118aを有する第2アーム118
と、その回転昇降軸119を上下方向及び回転方向に駆
動する駆動部115とを有する。この場合、3箇所の保
持部117a,117b,118a上にウエハW1が載
置されると共に、第2アーム118の回転角は、その保
持部118aがウエハW1の外周部のノッチ部NPから
外れるように設定される。
【0120】ウエハW1は、一例として直径が300m
mのいわゆる12インチウエハであり、その外周部には
1箇所に切り欠き部であるノッチ部NPが形成されてい
るが、それ以外に例えば2箇所以上にノッチ部が形成さ
れていたり、比較的広い範囲の切り欠き部であるオリエ
ンテーションフラットが形成されている場合も有り得
る。このように切り欠き部の位置や形状が変化しても、
第2アーム118を回転することによって、その切り欠
き部を避けてウエハを保持することができる。本例で
は、第2アーム118は、第1アーム117に対して9
0°回転した状態で固定されており、第2アーム118
から更にほぼ90°回転した位置にノッチ部NPが形成
されている。更に、第2アーム118は、2点鎖線の位
置G1で示すように、ウエハW1の移動方向(水平方
向)に沿って回転昇降軸119に対してスライドできる
ように構成されている。
【0121】また、図10(a)に示すように、位置A
1にあるウエハW1の外周部の上方に3箇所の撮像素子
121A〜121Cを備えた撮像部120が配置され、
中央の撮像素子121Bはノッチ部NPの上方に位置し
ている。そして、ウエハW1の底面側に図10(b),
(c)に示すように、3箇所の例えば発光ダイオードよ
りなる発光素子123A〜123Cを備えた照明部12
2が、矢印G2の方向に待避できるように配置されてい
る。照明部122及び撮像部120より外形検出系が構
成されている。発光素子123A〜123Cとしては、
入射端にハロゲンランプからの光が集光されている光フ
ァイバの射出端等も使用することができ、ウエハW1の
外形の検出時には、発光素子123A〜123Cは撮像
素子121A〜121Cに対向するように配置されると
共に、撮像素子121A〜121Cの撮像信号がアライ
メント制御系(不図示)に供給され、アライメント制御
系はその撮像信号を処理して、ウエハW1のノッチ部N
Pの方向、及びウエハW1の中心位置を求める。このよ
うにウエハW1の外形検出が終了した後、ウエハW1を
ウエハステージ40A上に載置できるように、照明部1
22は待避する。
【0122】そして、アライメント制御系は、そのノッ
チ部NPの方向が予め定められている方向となるよう
に、駆動部115を介して回転昇降軸119を回転させ
ると共に、ウエハW1の中心位置が、図3のウエハステ
ージ40A上の予め定められている位置、例えば不図示
のウエハホルダの中心に合致するようにウエハステージ
40Aの位置決めを行う。これによって、ウエハW1の
2回目のプリアライメント、即ち外形基準によるウエハ
ステージ40Aに対する位置決めが完了し、この状態で
ウエハW1がウエハステージ40A上にロードされる。
【0123】但し、実際には、それまでウエハステージ
40A上には露光済みのウエハが載置されており、この
露光済みのウエハ(ウエハW5とする)は、図11に示
すように位置A5において搬出用のアンロードアーム1
24に受け渡されている。図11(a)は、プリアライ
メント機構92Aのロードアーム116及びアンロード
アーム124を示す平面図、図11(b)は図11
(a)の正面図であり、説明の便宜上、図11(a)に
おいてウエハW1,W5は点線で示してある。図11
(a),(b)に示すように、アンロードアーム124
はロードアーム116と同様に、第1アーム125、第
2アーム126、及び回転昇降軸127を備えており、
回転昇降軸127は駆動部115によって駆動される。
また、アンロードアーム124もウエハW5を底面から
保持するための3箇所の爪状の保持部125a,125
b,126aを備えており、第2アーム126は点線の
位置G3で示すようにウエハW5の移動方向にスライド
可能であるが、アンロードアーム124はロードアーム
116を囲むように構成されている。
【0124】この場合、図3のウエハステージ40A上
の露光済みのウエハ(ウエハW5)は、図11(a)に
おいて、プリアライメントの位置A1に対して斜め方向
にずれた位置A5でアンロードアーム124に受け渡さ
れる。その後、次の露光対象のウエハW1が図3に示す
スライドアーム77Aを介してロードアーム116に受
け渡されると共に、そのスライドアーム77Aにアンロ
ードアーム124から露光済みのウエハW5が受け渡さ
れて、ウエハW5は図3の待機室72A側に搬出され
る。そして、ウエハW1のプリアライメントが行われ
て、照明部122が待避した後、ウエハW1がウエハス
テージ40A上にロードされる。このように本例のプリ
アライメントの位置A1(B1も同様)は、ローディン
グ・ポジションでもある。
【0125】図12はロードアーム116からウエハス
テージ40A上にウエハW1を受け渡すときの動作の一
例を示し、先ず図12(a)に示すようにプリアライメ
ントが行われた位置A1で、ロードアーム116の回転
昇降軸119が降下して、図13(b)に示すように、
下方のウエハステージ40Aのウエハホルダ128上に
ウエハW1が載置される。
【0126】図13(a)はそのウエハホルダ128を
示す平面図、図13(b)は図13(a)の断面図であ
り、図13(a)では分かり易いようにウエハW1は省
略してあり、更にロードアーム116も省略している。
図13(a),(b)に示すように、ウエハホルダ12
8は、ウエハステージ40A上の凹部中に吸着孔129
F及び吸着溝128fを通して不図示の真空ポンプによ
って吸着保持されており、その上のウエハW1もウエハ
ホルダ128内の吸着孔128g、及びウエハステージ
40A上の吸着孔129Gを通して不図示の真空ポンプ
によって吸着保持される。また、ウエハホルダ128の
上面には外周部の段差部128aに加えて、図10のロ
ードアーム116の保持部117a,117b,118
a、及び図11のアンロードアーム124の保持部12
5a,125b,126aを差し込むための切り欠き部
128b〜128eがほぼ90°間隔で形成されてい
る。
【0127】この状態で、図12(b)に示すように、
第2アーム118を矢印G4で示すようにスライドさせ
て、保持部118aをウエハW1の底面部から外すよう
にする。その後、図12(c)に矢印G5で示すように
ウエハステージ40Aをロードアーム116に対して斜
めに移動させて、ロードアーム116の3箇所の保持部
117a,117b,118aを全てウエハW1の底面
部から外す。この状態で、ロードアーム116を上昇さ
せると、図12(d)に矢印G6で示すようにウエハス
テージ40Aは自由に動けるようになるため、ウエハス
テージ40Aは図3のアライメントセンサ27Aの下方
に移動する。
【0128】その後、ウエハW1のアライメント及び露
光が終了して、ウエハステージ40AからウエハW1を
搬出する際には、ほぼ図12(a)〜(d)の動作と逆
の動作を経て、図13(c)に示すようにウエハW1を
アンロードアーム124に受け渡す。この際に、吸着孔
128gを通しての吸着は解除されており、ウエハW1
は図3のスライドアーム77Aに渡される。更に、ウエ
ハホルダ128自体を搬出する場合には、図13(d)
に示すように、吸着溝128fを介しての吸着も解除し
た後、ウエハW1と同様にしてウエハホルダ128をア
ンロードアーム124に受け渡せばよい。
【0129】このように本例では、ウエハの移動方向に
スライド可能な保持部118a,126aを備えたロー
ドアーム116、及びアンロードアーム124を備えた
プリアライメント機構92Aが備えられているため、ウ
エハステージ40Aに対するウエハの搬入及び搬出を高
速に、かつ簡単な制御で行うことができる。更に、プリ
アライメント機構92Aには外形検出系が備えられてい
るため、その検出結果に基づいてウエハをウエハステー
ジ40Aに対してほぼ目標とする位置関係で設置できる
ため、その後のアライメントセンサ27Aを用いてのウ
エハアライメントを迅速に行うことができる。
【0130】ここで、図3のウエハステージ系WST、
及びウエハローダ系WLDA,WLDBの全体の動作の
一例につき説明する。先ず、第1のウエハステージ40
A上の第1のウエハW1に対する走査露光が終わって、
第2のウエハステージ40B上の第2のウエハW2に対
する走査露光を行うものとすると、第1のウエハステー
ジ40Aが位置A1に移動した後、アライメントセンサ
27Bの下でウエハアライメントの行われた第2のウエ
ハステージ40Bが投影光学系PLの露光領域側に移動
して、ウエハステージ40B上のウエハW2に対する走
査露光が開始される。また、この時点までに、インター
フェース・コラム71内の位置A4にある未露光のウエ
ハが搬送ロボット79Aによって予備室73内の位置A
3まで搬送され、ここで撮像装置83A,84Aを用い
てノッチ部を基準として、回転角及び中心位置の1回目
のプリアライメントが行われる。その後、位置A3のウ
エハは搬送ロボット79Aによって待機室72A内の温
度調整装置76A上の位置A2に搬送され、ここで露光
に適した温度まで加熱、又は冷却された後、スライドア
ーム77Aによってウエハ室38内の位置A1の近傍ま
で搬送される。
【0131】その位置A1において、ウエハステージ4
0A上の露光済みのウエハW1は、図4のプリアライメ
ント機構92Aのアンロードアーム(不図示)に受け渡
されると共に、スライドアーム77A上の未露光のウエ
ハはそのプリアライメント機構92Aのロードアーム
(不図示)に受け渡される。次に、そのアンロードアー
ム上の露光済みのウエハがスライドアーム77A上に受
け渡された後に、そのロードアーム上の未露光のウエハ
の外周部の3箇所の形状を不図示の撮像装置で観察する
ことによって、その未露光のウエハの2回目のプリアラ
イメントが行われる。この後、その未露光のウエハは位
置A1でウエハステージ40A上に載置されて、ウエハ
ステージ40Aによってアライメントセンサ27Aの下
方に移動して、アライメントセンサ27Aによってその
未露光のウエハ上のサーチアライメントマークの検出
(サーチアライメント)、及びこの結果を用いたファイ
ンアライメントマークの検出が行われる。この際に、例
えばエンハンスト・グローバル・アライメント(EG
A)方式でウエハのファインアライメントが行われる。
EGA方式では、例えば特開昭61−44429号公報
(特公平4−47968号公報)で開示されているよう
に、ウエハ上から選択された所定個数のショット領域
(サンプルショット)に付設されたアライメントマーク
(ウエハマーク)の座標位置を計測し、この計測結果を
統計処理することで、全部のショット領域の座標が求め
られる。
【0132】本例ではサーチアライメント、及びファイ
ンアライメントをまとめてウエハアライメントと呼んで
いる。ウエハアライメントが完了した第1のウエハステ
ージ40A上のウエハは、第2のウエハステージ40B
上のウエハW2の走査露光が終了するまで、アライメン
トセンサ27Aの下方で待機する。一方、位置A1でウ
エハステージ40Aからスライドアーム77Aに受け渡
された露光済みのウエハW1は、待機室72A内の位置
A2まで移動した後、搬送ロボット79Aによって位置
A2からインターフェース・コラム71内の位置A4ま
で搬送される。この際に、位置A4には露光済みのウエ
ハ用のウエハカセットが待機しており、ウエハW1はそ
のウエハカセットに収納される。その後、位置A4には
未露光のウエハを収納したウエハカセットが移動して、
このウエハカセット内の未露光のウエハが搬送ロボット
79Aによって予備室73内の位置A3まで搬送され
る。
【0133】また、第2のウエハステージ40B上で露
光が行われたウエハW2が、ウエハ室38内の位置B1
まで搬送されると共に、第1のウエハステージ40Aが
投影光学系PLの露光領域側に移動して、ウエハステー
ジ40A上のウエハの走査露光が開始される。この際
に、位置B1の近傍には搬送ロボット79B及びスライ
ドアーム77Bによって位置B4から位置B3,B2を
経て未露光で温度制御されたウエハが搬送されている。
そして、図4のプリアライメント機構92Bを介してス
ライドアーム77B上の未露光のウエハと、ウエハステ
ージ40B上の露光済みのウエハW2との交換が行われ
た後、位置B1において未露光のウエハの2回目のプリ
アライメントが行われる。一方、露光済みのウエハW2
は、スライドアーム77B及び搬送ロボット79Bを介
して位置B2から位置B4まで搬送される。
【0134】このように本例では、ウエハステージWS
T及びウエハローダ系WLDA,WLDBをそれぞれウ
エハ室38及びウエハローダ室70内にモジュール構成
で組み込むようにしているが、ウエハ室38内の位置A
1,B1において2回目のプリアライメントを行ってい
るため、ウエハ室38とウエハローダ室70との組立時
の位置関係はそれ程厳密である必要が無い。即ち、投影
露光装置の組立調整を容易に行うことができると共に、
ウエハアライメントを高精度に行うことができる。
【0135】なお、本例ではロードアーム116及びア
ンロードアーム124などを含むプリアライメント機構
92A,92Bがウエハ室38内に配置されるものとし
たが、例えばウエハローダ系WLDA,WLDBと一緒
にそのプリアライメント機構92A,92Bをモジュー
ル構成でウエハローダ室70内に組み込むように構成し
てもよい。このとき、ウエハの交換時間を短縮するため
に、ウエハステージがウエハの交換位置に到達するのに
先立ち、その交換位置の上方空間にアンロードアーム、
及びプリアライメントが終了したウエハを保持するロー
ドアームを待機させておくとよい。
【0136】これにより、ウエハの露光処理が行われて
いても、例えばウエハ交換の準備作業(ロードアームや
アンロードアームの駆動などを含む)に伴って生じる振
動などによって露光精度が低下するのを防止することが
できる。この構成では、ウエハ室38とウエハローダ室
70との相対的な位置関係の変動によってプリアライメ
ント精度が低下し得るので、必要によってはその位置関
係を検出するセンサ(ギャップセンサなど)を設け、こ
の検出結果とプリアライメント結果とに基づいて、例え
ばウエハステージとロードアームとの相対位置関係を調
整してウエハの受け渡しを行うことが望ましい。
【0137】更に本例では、図3において未露光のウエ
ハ、又は露光済みのウエハが搬送口74A,74B等を
通過する際に、対応するシャッタ75A,75B,78
A,78B,85A,85Bが開くと共に、ウエハが通
過しない期間では対応するシャッタ75A,75B〜8
5A,85Bは閉じている。また、シャッタ75A,7
5Bが開いている場合には、シャッタ78A,78B又
はシャッタ85A,85Bが閉じるように制御されてお
り、ウエハ室38の内部が直接にインターフェース・コ
ラム71の内部、即ち外気と連通することは無い。従っ
て、ウエハ室38の内部のパージガスの濃度は常に高く
維持されている。
【0138】次に、図3中のウエハ室38及びウエハロ
ーダ室70の組立方法の一例につき図6、図7を参照し
て詳細に説明する。図6は、図3中のウエハ室38、ウ
エハローダ室70、及び投影光学系PLの組立調整時の
状態を示す斜視図であり、この図6において、ウエハ室
38の上面にはレーザ光源部91、プリアライメント機
構92A,92B、AFセンサ88A,88B、及びア
ライメントセンサ27A,27B等が凸部として突き出
ているが、これらの間に投影光学系PLを水平方向に相
対移動できる溝部38aが形成されている。また、ウエ
ハローダ室70の上面には図3のスライドアーム77
A,77Bを駆動するための駆動装置が収納された駆動
部70a,70bが設置され、ウエハローダ室70の底
面には防振台70cが配置されている。更に、ウエハロ
ーダ室70の正面部には、図3のインターフェース・コ
ラム71との間でウエハが搬送される搬送口97A,9
7Bが形成され、この搬送口97A,97Bは図3のシ
ャッタ85A,85Bによって開閉される。
【0139】本例の投影露光装置の組立調整時には、ウ
エハ室38はこの中のウエハステージ系WSTと共に組
み立てられ、これとほぼ並行してウエハローダ室70は
この中のウエハローダ系WLDA,WLDBと共に組み
立てられる。その後、投影光学系PLが図2のフレーム
機構に装着された後、図6の矢印で示すように投影光学
系PLが溝部38aに沿って相対移動するようにそのフ
レーム機構にウエハ室38が設置され、これに続いてウ
エハ室38の搬送口52A,52Bにウエハローダ室7
0の搬送口74A,74Bが対向するようにウエハロー
ダ室70が設置される。その後、投影光学系PLの下端
部とウエハ室38の溝部38aとの隙間を密閉するよう
に、図7(a)に示すように軟性シールド部材18Dが
装着され、搬送口52A(又は52B)と搬送口74A
(又は74B)との間の空間を外気から隔離するように
軟性シールド部材18F(又は18G)が装着される。
【0140】同様にしてその他の照明光学系、及びレチ
クル室23等の組立調整も行われる。その後で、総合調
整(電気調整、動作確認等)を行うことにより図1、図
2の投影露光装置をモジュール方式、又はボックス方式
で短時間に製造することができる。これらの動作はクリ
ーンルーム内で行われることが望ましい。なお、ウエハ
の搬出は、図14に示すような別の方法でも行うことが
できる。図14(a)において、ウエハステージ40A
上にウエハホルダ128を介してウエハW1が保持され
ており、ウエハステージ40Aに対して手前側のプリア
ライメントを行う位置A1の更に手前側に、不図示の移
動自在のスライダによって平板状のウエハ支持板129
が支持されている。ウエハ支持板129の高さはウエハ
ホルダ128よりも僅かに低く設定されており、ウエハ
支持板129の上面には半円形の段差部(不図示)より
なるストッパー、及びウエハを吸着保持する機構(真空
吸着用の吸着孔等)が備えられている。この状態で、ウ
エハステージ40Aを位置A1の方向(矢印G6で示す
方向)に所定速度で移動して、位置A1付近でウエハホ
ルダ128によるウエハW1の吸着を解除すると共に、
ウエハステージ40Aを急激に停止させる。このとき、
ウエハW1は慣性によってウエハ支持板129の上面に
移動して、上記のストッパーによって停止する。その
後、例えばウエハW1の吸着を開始して、不図示のスラ
イダによってウエハ支持板129を搬出することによっ
て、高速にウエハW1の搬出が行われる。
【0141】また、上記の実施の形態では、ウエハは単
体として搬送が行われているが、ウエハを搬送し易い付
属物と一体にして搬送するようにしてもよい。図15
(a)は、ウエハW1を付属物と一体にして搬送する場
合のウエハステージを示す平面図、図15(b)はその
一部の側面図、図15(c)は図15(a)でウエハス
テージ40Aの部分を断面とした正面図であり、図15
(a),(b),(c)に示すように、ウエハステージ
40Aの上面の凹部中に、段差部132aを有する円板
状のウエハホルダ132が保持されており、この上方に
ウエハW1が保持リング130によって支持されてい
る。即ち、保持リング130はウエハW1を囲むと共
に、保持リング130に90°間隔で3箇所に設けられ
た爪状の保持部130a,130b,130cによって
ウエハW1の底面が支持されている。また、保持リング
130の上面に180°離れて設けられた取っ手部13
1A,131Bが、2本のフォーク状の搬送アーム13
3の先端部133a,133bによって支持されてい
る。
【0142】ウエハW1をロードする際には、図15
(c)の状態から搬送アーム133を降下させて、図1
5(d)に示すように、保持リング130の保持部13
0a〜130cをウエハホルダ132の段差部132a
上に載置すると、この途中でウエハW1がウエハホルダ
132の上面に載置される。その後、例えばウエハステ
ージ40Aを僅かに手前側に移動させて、搬送アーム1
33を上昇させることで、ウエハW1のロードが完了す
る。ウエハW1の搬出を行う場合には、逆の動作を行え
ばよい。
【0143】このように図15の実施の形態では、ウエ
ハW1の搬送が付属物としての保持リング130と一体
的に行われるため、例えば保持リング130の取っ手部
131A,131Bを大きくすることによって、搬送ア
ーム133による保持リング130及びウエハW1の搬
送を確実に、かつ容易に行うことができる。次に、本発
明の実施の形態の他の例につき説明する。先ず、図16
〜図19を参照して上記の投影露光装置のウエハステー
ジ系WSTの別の構成例につき説明する。図3のウエハ
ステージ系WSTはX軸ガイド部材41,42を2つの
ウエハステージ40A,40Bで共用しているのに対し
て、この構成例では2つのウエハステージ40A,40
Bで独立にX軸ガイド部材を備えているものであり、図
16〜図19において図1〜図3に対応する部分には同
一符号を付してその詳細説明を省略する。
【0144】図16はウエハステージ系の別の構成例を
示す平面図、図17は図16のウエハステージ系を示す
斜視図であり、図17に示すように、不図示の定盤上に
第1可動ベース141A及び第2可動ベース141Bを
積み重ねた構造のウエハベース140が載置され、ウエ
ハベース140上に並列にエアーベアリングを介してX
方向、Y方向に摺動自在に可動交換テーブル149A,
149Bが載置され、可動交換テーブル149A,14
9B上にそれぞれウエハW1,W2を保持するウエハス
テージ40A,40Bが固定されている。本例のウエハ
ステージ40A,40Bは図3のウエハステージ40
A,40BからY方向に駆動するための機構を取り除い
たステージであり、フォーカシング及びレベリングを行
う機能を備えている。その上方に+Y方向側に投影光学
系PLが配置され、−Y方向側にオフ・アクシス方式で
撮像方式のアライメントセンサ27が配置されている。
【0145】そして、第2可動ベース141Bはガイド
部材142に沿ってエアーベアリングを介してX方向に
摺動自在に載置され、その上に第1可動ベース141A
がエアーベアリングを介してY方向に摺動自在に載置さ
れ、第1可動ベース141AのY方向の位置はリニアモ
ータ143Cによって調整され、第2可動ベース141
BのX方向の位置もリニアモータ143A,143Bに
よって調整される。即ち、本例のウエハベース140
は、その上の可動交換テーブル149A,149BがX
方向、Y方向に移動すると、運動量保存則を満たして逆
方向に移動すると共に、必要に応じてX方向、Y方向の
位置を例えば移動可能範囲の中央(中立位置)に戻すこ
とができるように構成されている。これによって、振動
の発生が抑制されている。
【0146】また、図16において、ウエハベース14
0上にY方向に近接して、X方向に所定間隔で第1の1
対のY軸ガイド145A,146A、及び第2の1対の
Y軸ガイド145B,146Bが固定され、Y軸ガイド
145A,146A、及びY軸ガイド145B,146
Bの間にそれぞれリニアモータ方式でY方向に駆動され
るように第1のX軸ガイド部材147A及び第2のX軸
ガイド部材147Bが配置されている。更にX軸ガイド
部材147A及び147Bに沿ってそれぞれリニアモー
タ方式でX方向に駆動されるように第1のX軸スライダ
148A及び第2のX軸スライダ148Bが配置され、
X軸スライダ148A,148Bに対して可動交換テー
ブル149A,149Bが連結されている。本例では、
可動交換テーブル149A,149Bは、必要に応じて
X軸スライダ148A,148Bから切り離して別のX
軸スライダ148B,148Aに連結できるように構成
されている。
【0147】第1のY軸ガイド145A,146A、X
軸ガイド部材147A、及びX軸スライダ148Aより
第1の駆動系DRVAが構成され、第2のY軸ガイド1
45B,146B、X軸ガイド部材147B、及びX軸
スライダ148Bより第2の駆動系DRVBが構成され
ており、第1の可動交換テーブル149A(ウエハステ
ージ40A)と第2の可動交換テーブル149B(ウエ
ハステージ40B)とは互いに交換されて、第1の駆動
系DRVA又は第2の駆動系DRVBによってX方向、
Y方向、及び回転方向に駆動される。この場合、第1の
駆動系DRVAは、投影光学系PLの下方でウエハステ
ージ40A,40Bの駆動を行い、第2のDRVBは、
アライメントセンサ27の下方でウエハステージ40
A,40Bの駆動を行う。
【0148】また、本例ではウエハステージ40A,4
0Bの位置計測用にレーザ干渉計よりなるX軸のウエハ
干渉計144A、及びY軸の2つのウエハ干渉計144
B,144Cが設けられ、X軸のウエハ干渉計144A
は、投影光学系PLの光軸AXを中心とするようにX軸
に沿う複数軸の計測ビームLB1、アライメントセンサ
27の検出中心を中心とするようにX軸に沿う複数軸の
計測ビームLB3、及びそれらの中間位置の計測ビーム
LB2を供給する。図16の状態では、計測ビームLB
1の内の3軸のレーザビームがウエハステージ40Aの
X軸の移動鏡48AXに照射され、1軸のレーザビーム
が投影光学系PLの参照鏡56AXに照射され、投影光
学系PLを基準としてウエハステージ40AのX方向の
位置、Z軸回りの回転角(ヨーイング量)、及びY軸の
回りの回転角(ローリング量)が計測されている。ま
た、計測ビームLB3の内の2軸のレーザビームはウエ
ハステージ40BのX軸の移動鏡48BXに照射され、
1軸のレーザビームはアライメントセンサ27の参照鏡
56BXに照射され、アライメントセンサ27を基準と
するウエハステージ40BのX方向の位置、及びヨーイ
ング量が計測されている。
【0149】更に、Y軸の第1のウエハ干渉計144B
は投影光学系PLの光軸AXを中心とするようにY軸に
沿う複数軸の計測ビームLB4、及びそれからX方向に
離れた計測ビームLB6を−Y方向に供給する。なお、
計測ビームLB4と共に点線で示すようにZ方向に離れ
た計測ビームLB5を供給してもよい。図16の状態で
は、計測ビームLB4の内の2軸のレーザビームがウエ
ハステージ40AのY軸の移動鏡48AYに照射され、
1軸のレーザビームが投影光学系PLの参照鏡56AY
に照射され、投影光学系PLを基準としてウエハステー
ジ40AのY方向の位置、及びヨーイング量が計測され
ている。本例では、移動鏡48AXに対するレーザビー
ムの入射位置をウエハW1の表面と同じ高さに設定して
いるため、ピッチングによるアッベ誤差は生じない。し
かしながら、より高精度に位置計測を行うためには、計
測ビームLB5も供給して、ウエハステージ40AのX
軸回りの回転角(ピッチング量)を計測することが望ま
しい。
【0150】それと対称にY軸の第2のウエハ干渉計1
44Cはアライメントセンサ27の検出中心を中心とす
るようにY軸に沿う複数軸の計測ビームLB7、及びそ
れからX方向に離れた計測ビームLB8を+Y方向に供
給している。図16の状態では、計測ビームLB7の内
の2軸のレーザビームがウエハステージ40BのY軸の
移動鏡48DYに照射され、1軸のレーザビームがアラ
イメントセンサ27の参照鏡56BYに照射され、アラ
イメントセンサ27を基準としてウエハステージ40B
のY方向の位置、及びヨーイング量が計測されている。
【0151】本例では、ウエハステージ40A,40B
は可動交換テーブル149A,149Bと共にそれぞれ
別のX軸ガイド部材147B及び147Aに連結するこ
とができ、この場合にもY方向の位置が計測できるよう
に、ウエハステージ40A,40Bにはそれぞれ第2の
Y軸の移動鏡48CY及び48BYが固定されている。
また、ウエハステージ40A及び40Bの交換中にもX
方向、Y方向の位置が計測できるように、X軸の計測ビ
ームLB2及びY軸の計測ビームLB6,LB8が使用
される。そして、投影光学系PLを基準とする位置計測
結果と、アライメントセンサ27を基準とする位置計測
結果とが等しくなるように、ウエハ干渉計144A〜1
44Cの計測値には予め求められているオフセットが加
算されている。
【0152】なお、本例ではウエハステージ40A,4
0Bを交換している際に、X軸の計測ビームLB2及び
LB3が遮られて例えば一方のウエハステージ40Bの
X方向の位置が計測できなくなる恐れがある。この際に
も、そのウエハステージ40BのX方向の位置を或る一
定の値に維持しておくために、Y軸ガイド146Bの近
傍にその上のウエハステージ40B(又は40A)のX
座標を狭い範囲内で高精度に計測するための光電式、磁
気式、又は静電容量式等のリニアエンコーダ150が設
置されている。なお、リニアエンコーダ150を使用す
る代わりに、ウエハ干渉計144AからY方向に例えば
4組以上に分かれた計測ビームを供給して、例えば第1
のウエハステージ40Aの移動鏡48AXに比べて、第
2のウエハステージ40Bの移動鏡48BXのY方向の
長さを長くしておいてもよい。この場合、可動交換テー
ブル149A,149Bを交換する場合に、第1の可動
交換テーブル149Aをウエハ干渉計144A側(−X
方向側)に、第2の可動交換テーブル149Bを+X方
向側にすることで、常時X方向の位置を計測することが
できる。
【0153】また、本例では、アライメントセンサ27
に近い位置である−Y方向で、+X方向側にウエハのロ
ーディングポジションが設定され、このローディングポ
ジションのウエハステージと不図示のウエハローダ系と
の間で矢印G7で示すようウエハの受け渡しが行われ
る。即ち、本例の投影露光装置では、ローディングポジ
ション(本例ではプリアライメント位置でもある)は1
箇所であり、ウエハローダ系は一つである。
【0154】本例では、ウエハステージ40Aを第1の
駆動系DRVAで駆動して露光を行っている際に、ウエ
ハステージ40Bを第2の駆動系DRVBによって+X
方向、及び−Y方向に移動して、矢印G7に示す方向に
不図示のウエハローダ系との間でウエハの受け渡しが行
われる。その後、ウエハステージ40Bをアライメント
センサ27の下方に移動してウエハW2のアライメント
を行い、X軸ガイド部材147A,147Bを近付け
て、ウエハステージ40A,40Bの交換を行った後、
ウエハステージ40Bを第1の駆動系DRVAで駆動す
ることによってウエハW2に対する露光が行われる。こ
の際に、本例では、ウエハステージ40A,40Bはそ
れぞれX方向、Y方向に完全に独立に運動量保存則を満
たした状態で駆動でき、振動の発生が抑制されると共
に、アライメントセンサ27は一つであるため、ウエハ
ベース140を小型化でき、露光装置のフットプリント
(設置面積)を小さくすることができる。
【0155】また、図17において、本例のウエハステ
ージ系は全体として不図示の気密性を有するウエハ室内
に収納され、その上面の投影光学系PL及びアライメン
トセンサ27の外周部との間の隙間は、図2の軟性シー
ルド部材18Dと同様の軟性シールド部材(不図示)に
よって密封される。これによって、本例のウエハステー
ジ系もモジュール方式、又はボックス方式で効率的に組
み立てることができる。
【0156】なお、図16の投影露光装置においては、
可動交換テーブル149A,149Bを全体として交換
しているが、例えば交換用のロボットアーム(不図示)
を設置して、可動交換テーブル149A,149Bはそ
れぞれX軸ガイド部材147A,147Bに固定して、
ウエハステージ40A,40Bの部分だけを交換するよ
うにしてもよい。更には、ウエハW1,W2を保持する
ウエハホルダ(不図示)を交換可能にして、ウエハホル
ダとこの上のウエハW1,W2とを一体的に交換できる
ようにしてもよい。
【0157】但し、図16、図17の投影露光装置で
は、ウエハステージ40A,40Bを交換する際に、2
組のY軸の干渉計の移動鏡48AY,48CY及び48
BY,48DYが計測対象として切り換えられるため、
Y方向の位置の計測結果にオフセットが乗る恐れがあ
る。そのオフセットは予め高精度に求めておくことが可
能である。この場合、例えば各移動鏡48AY,48C
Y,48BY,48DYの計測面の曲がり量(平面度)
を予め計測しておき、アライメントセンサ27による検
出結果を用いて、ウエハステージ40A(又は40B)
の位置を露光用のウエハ干渉計144Bでモニタしなが
ら、その移動状態を制御するときに、その2組の移動鏡
の曲がりに起因する計測値の変動量を補正することが望
ましい。この場合、ローリング量やピッチング量を計測
する干渉計では、その計測ビームがZ方向に所定間隔だ
け離れているため、各計測ビームの位置で前述の曲がり
量を計測しておくことが望ましい。
【0158】次に、そのようにオフセットを高精度に求
めておく方式の他に、Y軸の移動鏡を共通化する構成も
可能である。図18、及び図19は、そのようにY軸の
移動鏡を共通化した変形例を示し、図18、図19にお
いて、図16、図17に対応する部分には同一符号を付
してその詳細説明を省略する。
【0159】図18はその変形例のウエハステージ系を
示し、図19はその斜視図であり、図18、図19に示
すように、本例のウエハステージ40A,40Bはそれ
ぞれ+Y方向側に一つのY軸の移動鏡48AY,48B
Yを備えているのみである。そして、アライメントセン
サ27に対するY方向の位置を計測するためのレーザ干
渉計として、−Y方向に複数軸の計測ビームLB10を
照射するウエハ干渉計144Dが、投影光学系PLとア
ライメントセンサ27との間に配置されており、図18
の状態では計測ビームLB10中の2軸のレーザビーム
が移動鏡48BYに照射され、1軸のレーザビームがア
ライメントセンサ27の参照鏡56BYに照射されてい
る。この構成では、ウエハステージ40A,40Bは中
央付近を通過できないため、投影光学系PL用のY軸の
ウエハ干渉計144Bによって、+X方向に移動したウ
エハステージ40A,40BのY座標を計測できるよう
に、計測ビームLB6と対称に計測ビームLB9が供給
されている。その他の構成は図16、図17と同様であ
る。
【0160】この変形例においても、ウエハステージ4
0A,40Bは互いに交換されて順次露光、及びアライ
メントが行われるが、その交換の際に中央部のウエハ干
渉計144Dを避ける必要がある。しかしながら、その
ウエハ干渉計144Dの存在によって、ウエハステージ
40A,40Bを交換した場合にもY軸の移動鏡48A
Y,48BYはそのまま位置計測に使用されるため、ア
ライメント時及び露光時共にウエハステージ40A,4
0BのY方向の位置を継続して高精度に計測できる利点
がある。また、この変形例のウエハステージも、モジュ
ール方式又はボックス方式で効率的に組み立てることが
できる。
【0161】次に、本発明の更に別の実施の形態の投影
露光装置につき図20〜図24を参照して説明する。本
例もステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投
影露光装置に本発明を適用したものであり、図20〜図
24において、図1〜図3に対応する部分には同一符号
を付してその詳細説明を省略する。図20は、本例の投
影露光装置を示す一部を切り欠いた正面図であり、この
図20において、床上に4箇所(又は3箇所等)の防振
台31を介して定盤32、コラム33A,33B、防振
台36、及び支持板37が設置され、支持板37上のコ
ラム151A,151B、及びコラム33B上のコラム
154を介して箱状に密閉されたレチクル室23Nが設
置されている。そして、コラム151A,151Bの上
にレチクル室23Nの底面部を挟むようにレチクルベー
スとしての支持板35が設置され、コラム154の上に
レチクル室23Nの+Y方向の底面部を挟むようにベー
ス部材155が設置されている。本例では、定盤32、
コラム33A,33B、防振台36、支持板37、コラ
ム151A,151B,154よりフレーム機構が構成
されている。
【0162】そして、レチクル室23Nの上面の開口を
覆うように軟性シールド部材18Bを介して照明光学系
の一部が収納されたサブチャンバ19が配置され、サブ
チャンバ19から露光光ILが供給されている。また、
支持板35の上面(ガイド面)にエアーベリングを介し
て2次元的に摺動自在にレチクルステージ24が配置さ
れ、レチクルステージ24の内部に走査方向(Y方向)
に隣接して2枚のレチクルR1,R2が保持されてい
る。レチクルステージ24は、ベース部材155上のリ
ニアモータ方式の駆動部156によって、連結部材15
7を介して運動量保存則を満たすように駆動される。支
持板35の−Y方向側にY軸のレチクル干渉計158が
設置され、レチクル干渉計158は、投影光学系PLの
側面の3軸のコーナキューブ型の参照鏡159を基準と
してレチクルステージ24のY方向の位置を計測し、計
測値を不図示の主制御系に供給する。
【0163】この場合、例えば振動等で支持板35が回
転すると、支持板35に対して相対的に投影光学系PL
が回転するため、その主制御系は、3軸の参照鏡159
を基準とする位置計測結果の差分より、投影光学系PL
のZ軸の回りの回転角(ヨーイング量)、及びX軸の回
りの回転角(ピッチング量)を算出し、この結果に基づ
いて投影光学系PLに対するレチクルステージ24の位
置関係を補正する。同様に、X軸のレチクル干渉計も備
えられ、このレチクル干渉計によって投影光学系PLに
対するレチクルステージ24のX方向の位置が高精度に
計測される。本例では、レチクルステージ24、駆動部
156、連結部材157、及びレチクル干渉計158等
からレチクルステージ系RSTNが構成され、レチクル
ステージ系RSTNはレチクル室23N内に密閉され、
レチクル室23N内には不図示の配管を介してパージガ
ス(ヘリウム等)が供給されている。この際に、レチク
ル室23Nとコラム151A,151Bとの間を覆うよ
うに軟性シールド部材165A,165Bが装着され、
レチクル室23Nと投影光学系PLの先端部との間を覆
うように軟性シールド部材165Cが装着され、パージ
ガスに外気が混入しないように構成されている。軟性シ
ールド部材165A〜165Cは、軟性シールド部材1
8Bと同様の素材より形成されている。
【0164】また、定盤32の上面に投影光学系PLの
下端部を囲むように、箱状に密閉されたウエハ室38N
が設置され、ウエハ室38Nの底面上にエアーベアリン
グを介してX方向、Y方向に摺動自在に並列に2つのウ
エハステージ40B,40A(図20ではウエハステー
ジ40Bが現れている)が載置され、ウエハステージ4
0B,40A上にそれぞれウエハW2,W1が保持され
ている。本例のウエハステージ40A,40Bはリニア
モータ方式の駆動部163によって運動量保存則を満た
すように駆動されるが、この際に例えば床面から定盤3
2、及びウエハ室38の底面を通して連結部材164を
設置して、ウエハステージ40A,40Bを駆動する際
の反力を床面に逃がすようにしてもよい。
【0165】また、ウエハ室38Nの上面に、投影光学
系PLの下部側面を囲むようにセンサ取り付け板160
が配置されている。センサ取り付け板160は、支持板
37の底面に固定された2本のコラム153によって支
持されており、センサ取り付け板160の底面の−Y方
向側にY軸のウエハ干渉計161が設置され、ウエハ干
渉計161は、投影光学系PLの側面の3軸のコーナキ
ューブ型の参照鏡162を基準としてウエハステージ4
0A,40BのY方向の位置を計測し、計測値を不図示
の主制御系に供給する。
【0166】この場合にも、その主制御系は、3軸の参
照鏡162を基準とする位置計測結果の差分より、投影
光学系PLのZ軸の回りの回転角(ヨーイング量)、及
びX軸の回りの回転角(ピッチング量)を算出し、この
結果に基づいて投影光学系PLに対するウエハステージ
40A,40Bの位置関係を補正する。同様に、X軸の
ウエハ干渉計も備えられ、このウエハ干渉計によって投
影光学系PLに対するウエハステージ40A,40Bの
X方向の位置が高精度に計測される。本例では、ウエハ
ステージ40A,40B、駆動部163、及びウエハ干
渉計161等からダブル・ウエハステージ方式のウエハ
ステージ系WSTNが構成され、ウエハステージ系WS
TNはウエハ室38N内に密閉され、ウエハ室38N内
のウエハステージ40A,40Bの周囲には不図示の配
管を介してパージガス(ヘリウム等)が供給されてい
る。同様に、投影光学系PL内にもパージガスが供給さ
れている。
【0167】この際に、ウエハ室38N内で投影光学系
PLの最下端部を含む平面部を覆うように軟性シールド
部材165Eが装着され、ウエハ室38Nとコラム33
A,33Bとの間を覆うように軟性シールド部材165
Dが装着され、ウエハ室38N内のウエハステージ40
A,40Bの周囲のパージガスに外気が混入しないよう
に構成されている。また、センサ取り付け板160の底
面には、アライメントセンサ27及び斜入射方式で多点
のオートフォーカスセンサ(AFセンサ)152が配置
されている。その他の照明光学系及びウエハローダ系等
は、図1及び図2の実施の形態と同様である。
【0168】本例においても、図20のレチクル室23
Nの底面、及びウエハ室38Nの上面には投影光学系P
Lを横方向にスライドできる溝部が形成されており、レ
チクル室23N及びウエハ室38を別々にモジュール方
式(ボックス方式)で組立調整した後、フレーム機構に
対してレチクル室23N及びウエハ室38Nを装着する
ことによって、投影露光装置を効率的に組み立てること
ができる。また、本例では、レチクルステージ24及び
ウエハステージ40A,40Bの位置をそれぞれ投影光
学系PLを基準として直接計測しているため、計測精度
が向上し、高い露光精度が得られる。
【0169】次に、図20の投影露光装置用のウエハ干
渉計の構成の一例につき図21を参照して説明する。図
21(a)は、投影光学系PL及びウエハステージ40
Aを示す平面図、図21(b)はその正面図であり、図
21(a),(b)において、ウエハステージ40Aの
Y方向の位置を計測するためのY軸のウエハ干渉計17
0が配置されており、ウエハ干渉計170は、複数軸の
レーザビームの射出部171と、これらの射出部171
からの複数軸のレーザビームをそれぞれ参照ビームと計
測ビームとに分離して再び合成するビームスプリッタ部
172と、参照ビームを反射する反射部173と、ダブ
ルパス方式で干渉させるために計測ビームを往復させる
光学ユニット174と、戻された参照ビームと計測ビー
ムとの複数軸の干渉光を受光する光電変換素子よりなる
複数のレシーバ175とを備えている。この場合、一例
として参照ビームと計測ビームとを異なる偏光状態で僅
かに周波数を異ならしめるヘテロダイン干渉方式で計測
が行われる。
【0170】そして、ウエハ干渉計170から射出され
た2軸の参照ビームLBRは、投影光学系PLの参照鏡
としての2軸の反射ユニット176A,176Bで反射
されて反射部173で反射された後、再び反射ユニット
176A,176Bで反射されてビームスプリッタ部1
72に戻される。一方、ビームスプリッタ部172から
射出された複数軸の計測ビームLBMは、光学ユニット
174とウエハステージ40AのY軸の移動鏡48AY
との間をミラーM21を介して2回往復した後、ビーム
スプリッタ部172に戻り、戻された参照ビームLBR
及び計測ビームLBMの干渉光がレシーバ175で受光
される。レシーバ175の出力信号を処理することによ
って、投影光学系PLを基準としてウエハステージ40
AのY方向の位置、Z軸の回りの回転角、及びX軸の回
りの回転角が高精度に計測される。
【0171】このようにウエハ干渉計170を独立に設
けてもよいが、ウエハ干渉計を含むセンサ系の設置面積
を小さくするためには、図22に示すようにウエハ干渉
計をアライメントセンサに一体化して設けてもよい。図
22において、図20に対応する部分には同一符号を付
してその詳細説明を省略する。図22(a)は、図20
の実施の形態の変形例の要部を示し、図22(a)にお
いて、投影光学系PLをX方向に挟むようにセンサ取り
付け板160に2つのアライメントセンサ27A,27
Bが設置され、アライメントセンサ27A,27Bにそ
れぞれX軸のウエハ干渉計161A,161Bが一体的
に装着され、投影光学系PLの側面に2つのX軸の参照
鏡162A,162Bが設置されている。また、センサ
取り付け板160の両端部に干渉ユニット180A,1
80Bが設置され、干渉ユニット180A,180Bの
間に配置されている2つのウエハステージ40A及び4
0Bの−X方向の端部、及び+X方向の端部にそれぞれ
X軸の移動鏡48AX,48BXが固定され、ウエハス
テージ40A,40B上にウエハW1,W2が保持され
ている。
【0172】図22(b)は図22(a)中のアライメ
ントセンサ27Aの周辺部の拡大図を示し、この図22
(b)に示すように、ウエハ干渉計161Aは、図21
の例と同じ射出部171と、ビームスプリッタ部172
と、反射部173と、レシーバ175と、計測ビームを
−X方向に反射するミラー部181とを備え、投影光学
系PLの参照鏡162Aは図21の例と同じ反射ユニッ
ト176A,176Bより構成されている。また、干渉
ユニット180Aは、図21のダブルパス用の光学ユニ
ット174と同じ光学ユニット182と、計測ビームの
光路を+X方向に折り返す反射系183とを備え、ウエ
ハ干渉計161Aからの計測ビームは、干渉ユニット1
80Aとウエハステージ40Aの移動鏡48AXとの間
を2往復してウエハ干渉計161Aに戻されて、ここで
参照ビームと干渉する。そして、レシーバ175の検出
信号を処理することによって、投影光学系PLを基準と
してウエハステージ40AのX方向の位置、Z軸の回り
の回転角、及びY軸の回りの回転角が計測される。この
構成では、アライメントセンサ27Aに対してウエハ干
渉計161Aが一体化されているため、センサ系の設置
面積が小さくなり、センサ系を容易に設置できる利点が
ある。
【0173】なお、図22の構成に関して、ウエハ干渉
計161Aの全部をアライメントセンサ27Aに設けな
くともよい。即ち、ウエハ干渉計161Aの一部である
射出部171(計測用光源)やレシーバ175(受光
部)などは、他の部材、例えば支持板37と一体的に設
けるようにしてもよい。この場合、その発熱などによる
アライメントセンサ27Aへの悪影響を低減できる。
【0174】更に、図23(a)は、図22(b)のア
ライメントセンサ27Aと投影光学系PLとの間にAF
センサの照射部(又は受光部でもよい)152Aを配置
した場合の平面図、図23(b)は、図23(a)の正
面図であり、図23(a)において、アライメントセン
サ27Aには、アライメント時にウエハステージ40A
のY軸の移動鏡48AYの位置を計測するためのY軸の
ウエハ干渉計161Cが一体的に設置されている。ウエ
ハ干渉計161Cから+Y方向に射出された計測ビーム
はダブルパス用の光学ユニット184と、Y軸の移動鏡
48Yとの間を計測ビームをY方向に折り返す反射系1
85を経て2往復してウエハ干渉計161Cに戻り、こ
こで内部で生成される参照ビームと合成されて光電変換
され、この検出信号に基づいてアライメントセンサ27
Aを基準としてウエハステージ40AのY方向の位置、
及びZ軸の回りの回転角(ヨーイング量)が計測され
る。
【0175】この場合、ウエハ干渉計161Cから射出
される計測ビームは、Z方向においてウエハW1の表面
(ウエハ面)と同じ高さで移動鏡48AYに入射してお
り、X軸の回りのピッチング方向にはアッベ誤差が生じ
ないように構成されている。これによって、アライメン
トセンサ27A(27Bも同様)を基準としてY方向の
位置計測を行う場合には、ピッチング量を計測する必要
が無くなり、Y軸のウエハ干渉計161Cの構成が簡素
化される。
【0176】これに対して、図23(a)に示すよう
に、X軸の移動鏡48AXの上面はほぼウエハ面と同じ
高さであり、X軸の計測ビームをウエハ面と同じ高さで
移動鏡48AXに照射するのは困難である。そこで、X
方向の位置計測に関しては、Z方向に離れた2軸の計測
ビームを供給して、Y軸の回りの回転角(ローリング
量)を計測し、この計測値に基づいてローリング量に起
因するアッベ誤差の補正を行うようにしている。
【0177】また、図23の構成例では、ウエハ干渉計
161Aから投影光学系PLの参照鏡162Aに供給さ
れる参照ビームは、AFセンサの照射部152Aの周囲
を通過しているため、アライメントセンサ27A、ウエ
ハ干渉計161A、及びAFセンサを極めて小さい配置
面積で設置できる利点がある。図24(a)は図23の
Y軸の移動鏡48AY、図24(b)は図23のX軸の
移動鏡48AXを示し、図23の構成例では、図24
(a)に示すように、アライメントセンサ27A,27
Bを基準としたY方向の位置計測用として、それぞれ1
軸の計測ビームLBB,LBCが移動鏡48AYにウエ
ハ面WSと同じ高さで供給される。この場合、本例はダ
ブルパス方式であるため、各計測ビームLBB,LBC
はそれぞれ2本のビームより構成されている。これは以
下の計測ビームも同様である。そして、投影光学系PL
を基準としたY方向の位置計測用として、3軸(ダブル
パス方式で6本)の計測ビームLBAが移動鏡48AY
に供給され、最小限で1軸の参照ビームLBRCが投影
光学系PLの参照鏡162Cに供給されている。なお、
参照鏡162Cは、図21の反射ユニット176Aと同
じ光学系であり、計測ビームLBAの内の2軸はウエハ
面WSと同じ高さである。
【0178】また、図24(b)に示すように、投影光
学系PLを基準としたX方向の位置計測用として、3軸
(ダブルパス方式で6本)の計測ビームLBDが移動鏡
48AXに供給され、最小限で1軸の参照ビームLBR
Aが投影光学系PLの参照鏡162Aに供給されてい
る。なお、図23の参照鏡162Aは2軸分であるが、
図24(b)の参照鏡162Aは、最小限必要な1軸分
で表している。X軸の計測ビームLBDは何れもウエハ
面WSよりも低い高さで照射されている。更に、本例で
は図22の第2のウエハステージ40BのX軸の移動鏡
48BXに対しても3軸の計測ビームが照射される。ま
た、レーザ干渉計の光路上のパージガスの屈折率の計測
用に1軸分の計測ビームを使用するものとすると、ウエ
ハ干渉計の全体としては、参照ビームを除いて、以下の
ように12軸分の計測ビームが必要である。
【0179】アライメントセンサ用の2軸+投影光学系
用の3軸×3+屈折率計測用の1軸=12軸 次に、図22の実施の形態の変形例につき図25〜図2
9を参照して説明する。この図25〜図29において、
図22に対応する部分には同一符号を付してその詳細説
明を省略する。
【0180】図25は、この変形例の要部を示し、この
図25において、投影光学系PLの下端に取り付けられ
たセンサ取り付け板160にアライメントセンサ27A
が設置され、アライメントセンサ27AにX軸のウエハ
干渉計201が一体的に装着され、投影光学系PLの側
面に図22の反射ユニット176Aと同じX軸の固定鏡
208(図29(a)参照)が設置されている。更に、
アライメントセンサ27Aには、偏光ビームスプリッタ
202、平面ミラーよりなる参照鏡203,205A、
光電検出器よりなるレシーバ204,212、1/4波
長板205B,205C、及びレーザビームの光路を9
0°折り曲げるミラー部材206が設置されている。ま
た、センサ取り付け板160の−X方向の端部に、レー
ザビームの光路をX方向で反転する2つの2面反射鏡2
07A及び207Bが設置され、ウエハステージ40A
の−X方向の端部にX軸の移動鏡48AXが固定されて
いる。本例の2面反射鏡207A,207Bの頂点は、
Z方向にDZ1だけずれている。
【0181】本例において、不図示のレーザ光源から入
射した2つの偏光成分(直交する直線偏光)を含むレー
ザビームLFは、ウエハ干渉計201内で実線で示す第
1ビームLF1と点線で示す第2ビームLG1とに分か
れる。そして、第1ビームLF1の第1の偏光成分(参
照ビーム)は、偏光ビームスプリッタ202で反射され
て、1/4波長板205Bを介して参照鏡203で反射
された後、偏光ビームスプリッタ202を透過してレシ
ーバ204に入射する。更に、第1ビームLF1の第2
の偏光成分(計測ビーム)は、偏光ビームスプリッタ2
02、1/4波長板205C、ミラー部材206、2面
反射鏡207Aを経て投影光学系PLの固定鏡208に
入射し、固定鏡208で反射されたその第2の偏光成分
は、2面反射鏡207A、ミラー部材206を介して参
照鏡205Aで反射されて再び固定鏡208に戻され
る。固定鏡208に戻された第1ビームLF1の第2の
偏光成分は、2面反射鏡207A、ミラー部材206、
1/4波長板205C、偏光ビームスプリッタ202を
経て、上記の第1の偏光成分と合成されてレシーバ20
4に入射する。このレシーバ204の検出信号より、ダ
ブルパス方式で投影光学系PLの固定鏡208のX座標
を計測することができる。
【0182】一方、第2ビームLG1については、ウエ
ハ干渉計201中にダブルパス方式で検出を行うための
光学ユニット(図28参照)が組み込まれており、その
第2ビームLG1の第1の偏光成分(参照ビーム)は不
図示の参照鏡で反射されてレシーバ212に入射する。
また、第2ビームLG1の第2の偏光成分(計測ビー
ム)は、偏光ビームスプリッタ202、1/4波長板2
05C、ミラー部材206、及び2面反射鏡207Bを
経てウエハステージ40Aの移動鏡48AXに入射す
る。そして、移動鏡48AXで反射されたその第2の偏
光成分は、2面反射鏡207B、ミラー部206、1/
4波長板205C、偏光ビームスプリッタ202を経て
ウエハ干渉計201中の不図示の光学ユニットで光路が
シフトするように反射された後、再び偏光ビームスプリ
ッタ202、1/4波長板205C、ミラー部材20
6、及び2面反射鏡207Bと移動鏡48AXとの間を
往復してウエハ干渉計201内に戻され、戻されたその
第2の偏光成分は、上記の第1の偏光成分と合成されて
レシーバ212に入射する。この検出信号より、ダブル
パス方式でウエハステージ40Aの移動鏡48AXのX
座標を計測することができる。そして、ウエハステージ
40Aの移動鏡48AXのX座標から投影光学系PLの
固定鏡208のX座標を減算することによって、投影光
学系PLを基準としたウエハステージ40AのX座標
(相対座標)を求めることができる。
【0183】図25の例において、アライメントセンサ
27Aに固定されたミラー部材206の反射面と、2面
反射鏡207A,207Bの反射面とのX方向の間隔D
X1が変動してもウエハステージ40Aの相対座標は変
化しない。これに対して、ミラー部材206の反射面
と、投影光学系PLの固定鏡208の反射面との間のX
方向の間隔DX2が振動等によって変動すると、この変
動量はそのままウエハステージ40Aの相対座標の変
動、ひいてはアライメント誤差となる。従って、その間
隔DX2はできるだけ短く設定することが望ましい。
【0184】また、2つの2面反射鏡207A,207
Bの頂点のZ方向の間隔DZ1が0で無い場合には、振
動等によってセンサ取り付け板160が僅かに傾斜して
2面反射鏡207A,207Bが傾くと、その傾斜角を
θ(rad)として、ウエハステージ40Aの相対座標
にはほぼθ・DZ1の誤差(いわゆるサイン誤差)が発
生する。従って、そのサイン誤差の発生を防止するため
には、2面反射鏡207A,207Bの頂点を合わせる
か、又は2面反射鏡207の頂点をX軸に平行な軸上に
配置して、その間隔DZ1を0とすることが望ましい。
【0185】ここで、2つの2面反射鏡207A,20
7の頂点がずれている場合の計測誤差について図26及
び図27を参照して説明する。図26(a)は、仮想的
に図25の2面反射鏡207A,207Bと、これらに
対応する2面反射鏡よりなる参照鏡216A,216B
とを一体的な光学ブロック220で表したものであり、
この図26(a)において、2面反射鏡207A,20
7Bの頂点の間隔をLとする。この場合、第1ビームL
F1によって2面反射鏡207Aと参照鏡216Aとの
間隔の変動量が計測され、第2ビームLG1によって2
面反射鏡207Bと参照鏡216Bとの間隔の変動量が
計測されるため、仮に振動等によって2点鎖線のブロッ
ク220Aで示すように、2面反射鏡207Bと参照鏡
216Bとの間隔が縮んで、2面反射鏡207A,20
7Bの頂点を結ぶ直線が角度θ(rad)だけ傾斜した
状態になると、第1ビームLF1及び第2ビームLG1
の光路はそれぞれ点線で示す光路LF1A及びLG1A
にシフトする。そして、ほぼL・θの計測誤差が生じる
ことになる。
【0186】また、図26(b)の2点鎖線のブロック
220Bで示すように、光学ブロック220が一体的に
角度θだけ傾斜した場合にも、同様にほぼL・θの計測
誤差が生じる。これに対して、図27は、図25の2面
反射鏡207A,207Bと参照鏡216A,216B
とを仮想的に一体的な光学ブロック220で表している
点は図26(a)と同様であるが、図27の例では、第
1ビームLF1及び第2ビームLG1は、それぞれ光学
ブロック220内の面221上で2つのビームに分岐さ
れている点が図26(a)とは異なっている。この場合
に2点鎖線のブロック220Cで示すように光学ブロッ
ク220が一体的に回転しても、計測誤差は生じない。
【0187】次に、図25の実施の形態の変形例につき
図28、図29を参照して説明する。この図28、図2
9において、図25に対応する部分には同一符号を付し
てその詳細説明を省略する。図28は、この変形例の要
部を示し、この図28において、投影光学系PLの下端
に取り付けられたセンサ取り付け板160にアライメン
トセンサ27Aが設置され、アライメントセンサ27A
にX軸のウエハ干渉計201Aが一体的に装着され、投
影光学系PLの−X方向の側面にX軸の固定鏡208
(図29(a)参照)が設置され、アライメントセンサ
27Aの−X方向の側面にもX軸の固定鏡209が設置
され、ウエハステージ40Aの側面に移動鏡48AXが
設置されている。アライメントセンサ27Aは、例えば
広帯域の照明光ALのもとで被検マークの像を形成する
レンズ系210及び211を備えている。
【0188】図29(a)は、アライメントセンサ27
Aの近傍の領域を示す平面図であり、この図29(a)
に示すように、固定鏡209は、固定鏡208と同様に
入射するレーザビームを所定間隔を隔てて往復させる機
能を備えており、固定鏡209の幅は、固定鏡208の
幅よりも狭く設定されている。また、図29(b)は図
29(a)の側面図であり、図29(b)に示すよう
に、固定鏡209によって第3ビームLH1が反射さ
れ、固定鏡208によって第1ビームLF1が反射され
る(詳細後述)。
【0189】図28に戻り、ウエハ干渉計201A中に
は、固定鏡208,209用の偏光ビームスプリッタ2
13Aと、移動鏡48AX用の偏光ビームスプリッタ2
13Bとが配置されている。そして、前者の偏光ビーム
スプリッタ213Aには、1/4波長板214A,21
7A、参照鏡215A,217A、及び2面反射鏡21
6Aが設置され、後者の偏光ビームスプリッタ213B
には、1/4波長板214B,217B、参照鏡215
B、及び2面反射鏡216Bが配置され、ウエハ干渉計
201A中には3個のレシーバ212,204F,20
4H、及び2つの偏光ビームスプリッタ213A,21
3Bからのレーザビームを90°折り曲げるための共通
のミラー部材206も配置されている。また、センサ取
り付け板160の−X方向の端部に2つの2面反射鏡2
07A,207Bが、頂点の高さがZ方向で同じ高さに
なるように設置されている。
【0190】図28の構成例において、不図示のレーザ
光源からウエハ干渉計201Aに対して、それぞれ2つ
の偏光成分(直交する直線偏光)を含む第1ビームLF
1、第2ビームLG1、及び第3ビームLH1が供給さ
れている。そして、第1ビームLF1の第1の偏光成分
(参照ビーム)は、偏光ビームスプリッタ213Aで反
射されて1/4波長板214A、参照鏡215Aを往復
した後、2面反射鏡216A及び偏光ビームスプリッタ
213Aを経てレシーバ204Fに入射する。更に、第
1ビームLF1の第2の偏光成分(計測ビーム)は、偏
光ビームスプリッタ213A、1/4波長板217A、
ミラー部材206、2面反射鏡207Aを経て投影光学
系PLの固定鏡208に入射し、固定鏡208で反射さ
れたその第2の偏光成分は、2面反射鏡207A、ミラ
ー部材206を介して参照鏡218Aで反射されて再び
固定鏡208に戻される。固定鏡208に戻された第1
ビームLF1の第2の偏光成分は、2面反射鏡207
A、ミラー部材206、1/4波長板217Aを経て偏
光ビームスプリッタ213Aで反射されて、2面反射鏡
216Aを経て上記の第1の偏光成分と合成されてレシ
ーバ204Fに入射する。このレシーバ204Fの検出
信号より、ダブルパス方式で投影光学系PLの固定鏡2
08のX座標を計測することができる。
【0191】同様に、第3ビームLH1もほぼ第1ビー
ムLF1と同様に偏光ビームスプリッタ213Aを通過
するが、第2ビームLH1は、アライメントセンサ27
Aの側面の固定鏡209によって反射されると共に、2
つの偏光成分(参照ビーム及び計測ビーム)が合成され
てレシーバ204Hに入射する点が異なっている。この
レシーバ204Hの検出信号より、ダブルパス方式でア
ライメントセンサ27Aの固定鏡209のX座標を計測
することができる。
【0192】一方、第2ビームLG1の第1の偏光成分
(参照ビーム)は、偏光ビームスプリッタ213Bで反
射されて1/4波長板214B、参照鏡215Bを往復
した後、2面反射鏡216B、偏光ビームスプリッタ2
13B、及び1/4波長板214Bを経て参照鏡215
Bに入射し、参照鏡215Bで反射されたその第1の偏
光成分は偏光ビームスプリッタ213Bで反射されてレ
シーバ212に入射する。更に、第2ビームLG1の第
2の偏光成分(計測ビーム)は、偏光ビームスプリッタ
213B、1/4波長板217B、ミラー部材206、
2面反射鏡207Bを経てウエハステージ40Aの移動
鏡48AXに入射する。移動鏡48AXで反射されたそ
の第2の偏光成分は、2面反射鏡207B、ミラー部材
206、1/4波長板217Bを経て偏光ビームスプリ
ッタ213Bで反射された後、2面反射鏡216Bを経
て偏光ビームスプリッタ213Bで反射されて、ミラー
部材206、2面反射鏡207Bを経て移動鏡48AX
に戻る。そして、移動鏡48AXで反射されたその第2
の偏光成分は、2面反射鏡207B、ミラー部材20
6、1/4波長板217B、及び偏光ビームスプリッタ
213Bを経て上記の第1の偏光成分と合成されてレシ
ーバ212に入射する。このレシーバ212の検出信号
より、ダブルパス方式でウエハステージ40Aの移動鏡
48AXのX座標を計測することができる。
【0193】このように図28の構成例では、ウエハス
テージ40A(移動鏡48AX)のX座標XW1、アラ
イメントセンサ27A(固定鏡209)のX座標XA
1、及び投影光学系PL(固定鏡208)のX座標XP
L1を計測するための3軸の干渉計が設けられている。
従って、露光時に投影光学系PLを基準としてウエハス
テージ40AのX方向の位置を計測する場合には、上記
のウエハステージ40AのX座標XW1から投影光学系
PLのX座標XPL1を差し引いた後の値(=XW1−
XPL1)をウエハステージ40Aの新たなX座標とす
ればよい。
【0194】一方、ウエハW1のアライメント時に、ア
ライメントセンサ27Aを基準としてウエハステージ4
0AのX方向の位置を計測する場合には、第1の方法と
して上記の値(=XW1−XPL1)をそのまま使用す
ればよい。そして、アライメントセンサ27Aと投影光
学系PLとの間隔の変動量を補正して更に高精度にウエ
ハステージ40AのX方向の位置を計測するためには、
先ず投影光学系PLのX座標XPL1からアライメント
センサ27AのX座標XA1を差し引いて、アライメン
トセンサ27Aと投影光学系PLとのX方向の間隔DX
2(=XPL1−XA1)を求める。次に、上記のウエ
ハステージ40AのX座標XW1からその間隔DX2を
差し引いた値(=XW1−DX2)をウエハステージ4
0Aの新たなX座標とすることによって、振動等で間隔
DX2が変動する場合にも、アライメントセンサ27A
を基準として高精度にウエハステージ40AのX方向の
位置を計測することができる。
【0195】また、図28の構成例では、2つの2面反
射鏡207A,207Bの頂点のZ方向の高さが同一で
あるため、センサ取り付け板160が傾斜したような場
合でも固定鏡208,209のX座標の計測値と、移動
鏡48AXのX座標の計測値との間には傾斜角θの2次
の誤差(いわゆるコサイン誤差)が生ずるのみで、ウエ
ハステージ40Aの位置の計測精度が高く維持される。
更に、図28の構成例では、アライメントセンサ27A
とセンサ取り付け板160(干渉計の架台)とが一体と
して傾いた場合でも、アライメントセンサ27Aの傾斜
角(テレセントリシティの崩れ量)とウエハ干渉計20
1Aの傾斜角とが同じであるため、計測誤差は生じな
い。
【0196】なお、上記の実施の形態のレチクルステー
ジ系RST、及びウエハステージ系WSTは、ダブル・
ホルダ方式又はダブル・ステージ方式であり、高いスル
ープットが得られる。しかしながら、例えば露光装置を
より小型化したいような場合には、レチクルステージ系
及びウエハステージ系の少なくとも一方をシングル・ホ
ルダ方式のシングル・ステージとしてもよく、この場合
にも本発明が適用できる。
【0197】また、本発明のフレーム機構は図1の構成
に限られるものではなく、投影光学系PLが設置される
コラム33とウエハベース39とを、防振台31A〜3
1Dで支持される定盤32に設ける代わりに、例えば、
コラム33とウエハベース39とを異なる防振台でそれ
ぞれ支持するように構成してもよい。また、前述の実施
形態ではウエハベース39をコラム33から分離して配
置するものとしたが、例えば防振台36を介してウエハ
ベース39をコラム33で支持する、或いは支持部材な
どを介して支持板37に対してウエハベース39を吊り
下げるように構成してもよい。このとき、定盤32を支
持する防振台31A〜31Dを設けなくてもよいし、こ
れに加えて、或いは単独で、防振台36で支持されるウ
エハベース39と投影光学系PLが固定される支持板3
7との間に防振機構を設けるようにしてもよい。
【0198】さらに、レチクルステージ24のうち微動
ステージのみを支持板35上に配置し、粗動ステージは
コラム33と異なる別のベース部材に設けるようにして
もよい。また、前述の実施形態では露光光ILが通る光
路のほぼ全域をパージガスで満たすようにしたが、露光
波長によってはその一部のみ、例えば投影光学系と照明
光学系のみをパージガスで満たすだけでもよいし、ある
いはそのパージガスを回収する機構を設けなくてもよ
い。さらに、レチクル室23やウエハ室38は気密室と
したが、その内部にパージガスを供給しないときは単な
る筐体でも構わない。
【0199】次に、上記の実施の形態の投影露光装置を
使用した半導体デバイスの製造工程の一例につき図30
を参照して説明する。図30は、半導体デバイスの製造
工程の一例を示し、この図20において、まずシリコン
半導体等からウエハWが製造される。その後、ウエハW
上にフォトレジストを塗布し(ステップS10)、次の
ステップS12において、図1のレチクルR1を照明領
域の下方に移動して、レチクルR1のパターン(符号A
で表す)をウエハW上の全部のショット領域SEに走査
露光する。なお、ウエハWは例えば直径300mmのウ
エハ(12インチウエハ)であり、ショット領域SEの
大きさは一例として非走査方向の幅が25mmで走査方
向の幅が33mmの矩形領域である。次に、ステップS
14において、現像及びエッチングやイオン注入等を行
うことにより、ウエハWの各ショット領域SEに所定の
パターンが形成される。
【0200】次に、ステップS16において、ウエハW
上にフォトレジストを塗布し、その後ステップS18に
おいて、図1のレチクルR1の代わりにレチクルR2を
照明領域の下方に移動して、レチクルR2のパターン
(符号Bで表す)をウエハW上の各ショット領域SEに
走査露光する。そして、ステップS20において、ウエ
ハWの現像及びエッチングやイオン注入等を行うことに
より、ウエハWの各ショット領域に所定のパターンが形
成される。
【0201】以上の露光工程〜パターン形成工程(ステ
ップS16〜ステップS20)は所望の半導体デバイス
を製造するのに必要な回数だけ繰り返される。そして、
ウエハW上の各チップCPを1つ1つ切り離すダイシン
グ工程(ステップS22)や、ボンディング工程、及び
パッケージング工程等(ステップS24)を経ることに
よって、製品としての半導体デバイスSPが製造され
る。
【0202】また、上記の実施の形態では、走査露光方
式の投影露光装置に本発明を適用したが、本発明はこれ
に限られず、ステップ・アンド・リピート方式等の一括
露光型(静止露光型)の投影露光装置、プロキシミティ
方式の露光装置、あるいは、X線等のEUV光を露光ビ
ームとする露光装置や電子線やイオンビーム(エネルギ
線)を光源(エネルギ源)とする荷電粒子線露光装置で
あっても同様に適用することができる。
【0203】なお、露光装置の用途としては半導体素子
製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型
のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくは
プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装
置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン、薄膜磁
気ヘッド、又はDNAチップ等の各種デバイスを製造す
るための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明
は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク
(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工
程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適
用することができる。
【0204】また、ウエハステージ系やレチクルステー
ジ系にリニアモータを用いる場合は、エアーベアリング
を用いたエアー浮上型、又は磁気浮上型等の何れの方式
で可動ステージを保持してもよい。なお、本発明は上述
の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【0205】
【発明の効果】本発明の第1、第2の露光方法及び第1
の露光装置によれば、ステージ系をモジュール方式で組
み立てる場合にも、ステージ系に対して第1物体又は第
2物体を正確な位置関係で受け渡すことができる。従っ
て、ステージ系の組立調整が容易であると共に、露光装
置全体の組立調整を容易に、かつ迅速に行うことができ
る。
【0206】そして、ステージ室と搬送室との間を覆う
被覆部材を設けた場合には、そのステージ室の内部に露
光ビームを透過する気体を供給する場合に、その気体を
有効利用して、その光路でのその気体の濃度を高く維持
できる。また、本発明の第3の露光方法、及び第2の露
光装置によれば、搬送途中で第1物体又は第2物体の位
置合わせを行っているため、ステージ系に対する位置合
わせ精度が向上する。従って、ステージ系をモジュール
方式で構成することができ、露光装置全体の組立調整を
容易に、かつ迅速に行うことができる。
【0207】また、本発明の第4の露光方法、及び第
3、第4の露光装置によれば、ステージ系、又は計測系
を小型化できるため、モジュール方式を採用してステー
ジ系等を組み立てる場合に、露光装置の設置面積を小さ
くできる。また、本発明の第5〜第7の露光装置によれ
ば、ステージ系を例えばモジュール方式で容易に組み立
てることができると共に、ステージ系と投影系との位置
関係を高精度に計測できる利点がある。
【0208】更に本発明のデバイス製造方法によれば、
本発明の露光方法を用いて低コストで、又は高いスルー
プットで各種デバイスを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態の一例の投影露光装置を
示す一部を切り欠いた概略構成図である。
【図2】 図1の投影露光装置の一部を切り欠いた右側
面図である。
【図3】 図2のウエハ室38及びウエハローダ室70
の内部のウエハステージ系及びウエハローダ系を示す一
部を切り欠いた平面図である。
【図4】 図3のウエハ室38及びウエハローダ室70
の外観を示す平面図である。
【図5】 図3のウエハ室38及びウエハローダ室70
に対するパージガスの吹き出し口及び排気口等を示す平
面図である。
【図6】 図2(図3)の投影光学系PL、ウエハ室3
8、及びウエハローダ室70の組立調整時の状態を示す
斜視図である。
【図7】 (a)は投影光学系PLとウエハ室との間の
軟性シールド部材18Dを示す図、(b)は搬送口52
A,74Aの間の軟性シールド部材18Fを示す図であ
る。
【図8】 (a)は図3中のウエハローダ室70の左半
面の内部を示す一部を切り欠いた平面図、(b)は図8
(a)の一部を切り欠いた正面図である。
【図9】 図3のスライドアーム77Aによるウエハの
搬送動作の説明図である。
【図10】 (a)は実施の形態の一例のプリアライメ
ント機構92Aのロードアーム116を示す平面図、
(b)はその正面図、(c)は図10(b)のCC線に
沿う断面図である。
【図11】 (a)はそのプリアライメント機構92A
のロードアーム116及びアンロードアーム124を示
す平面図、(b)はその正面図である。
【図12】 ロードアーム116によってウエハステー
ジ上にウエハをロードする際の動作説明図である。
【図13】 (a)は実施の形態の一例のウエハホルダ
を示す平面図、(b)は図13(a)に対応するウエハ
ステージの部分を正面から見た断面図、(c)は図13
(b)からウエハW1を上昇させた状態を示す図、
(d)は図13(c)から更にウエハホルダ128を上
昇させる状態を示す図である。
【図14】 本発明の実施の形態の他の例のウエハの搬
出動作を示す説明図である。
【図15】 本発明の実施の形態の他の例のウエハの搬
送機構を示す図である。
【図16】 本発明の実施の形態の他の例のウエハステ
ージ系を示す平面図である。
【図17】 図16のウエハステージ系を示す斜視図で
ある。
【図18】 図16のウエハステージ系の変形例を示す
平面図である。
【図19】 図18のウエハステージ系を示す斜視図で
ある。
【図20】 本発明の実施の形態の更に別の例の投影露
光装置を示す一部を切り欠いた正面図である。
【図21】 (a)は図20の投影露光装置に使用でき
るウエハ干渉計の一例を示す平面図、(b)はその正面
図である。
【図22】 (a)は図20の投影露光装置の変形例の
要部を示す正面図、(b)は図22(a)のアライメン
トセンサ27A及びこの周囲の部材の構成を拡大して示
す正面図である。
【図23】 (a)は図22のウエハ干渉計の変形例を
示す平面図、(b)はその正面図である。
【図24】 図23のウエハ干渉計の計測軸の説明図で
ある。
【図25】 図22の実施の形態の変形例の要部を示す
構成図である。
【図26】 図25の実施の形態における計測誤差の説
明図である。
【図27】 図26の構成における計測誤差を解消する
ための構成例を示す図である。
【図28】 図25の実施の形態の変形例の要部を示す
構成図である。
【図29】 (a)は図28の固定鏡208,209を
示す平面図、(b)は図29(a)のビームLF1,L
H1を側面から見た図である。
【図30】 本発明の実施の形態の一例の投影露光装置
を用いた半導体デバイスの製造工程の一例を示す図であ
る。
【符号の説明】
3…露光光源、4…回収装置、5…給気装置、9,19
…サブチャンバ、IS1…第1照明系、IS2…第2照
明系、18A〜18G…軟性シールド部材、23…レチ
クル室、RST…レチクルステージ系、24…レチクル
ステージ、R1,R2…レチクル、25X,25Y…レ
チクル干渉計、PL…投影光学系、38…ウエハ室、W
ST…ウエハステージ系、40A,40B…ウエハステ
ージ、W1,W2…ウエハ、49AX,49BX,50
AY…ウエハ干渉計、54X,54Y,57AX,57
BX,57Y…干渉計ユニット、55A〜55C,58
A〜58C…干渉計ユニット、70…ウエハローダ室、
72A,72B…待機室、73…予備室、WLDA,W
LDB…ウエハローダ系、71…インターフェース・コ
ラム、116…ロードアーム、124…アンロードアー

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光ビームで第1物体を介して第2物体
    を露光する露光方法において、 所定の気密性を有するステージ室内に前記第1物体又は
    第2物体よりなる被露光体を移動する可動ステージを配
    置しておき、 前記被露光体を前記ステージ室内に搬入した後、前記可
    動ステージに対する前記被露光体の位置合わせを行い、 前記被露光体を前記可動ステージに設置した後、前記被
    露光体の露光位置に対する位置合わせを行うことを特徴
    とする露光方法。
  2. 【請求項2】 前記被露光体を前記ステージ室内に搬入
    する搬送系が所定の気密室を有する搬送室内に配置さ
    れ、 前記ステージ室と前記搬送室との間の空間が外気から実
    質的に隔離され、 前記ステージ室及び前記搬送室内に前記露光ビームを透
    過する気体が供給され、 前記ステージ室内に比べて前記搬送室内での前記気体に
    対する不純物の濃度の許容値が高くなるように管理され
    ることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
  3. 【請求項3】 露光ビームで被露光体を露光する露光方
    法において、 前記被露光体を搬送する途中で外形基準で前記被露光体
    の搬送系に対する位置合わせを行い、 その後に位置決め用の可動ステージ上に前記被露光体を
    載置する際に、外形基準で前記被露光体の前記可動ステ
    ージに対する位置合わせを行い、 その後に前記可動ステージ上の前記被露光体に対して、
    前記被露光体上の位置合わせ用マークを基準として位置
    合わせを行うことを特徴とする露光方法。
  4. 【請求項4】 前記被露光体はマスクパターンが転写さ
    れる基板であり、 前記被露光体の前記搬送系に対する位置合わせと、前記
    被露光体の前記可動ステージに対する位置合わせとの間
    に、前記被露光体の温度調整を行うことを特徴とする請
    求項3記載の露光方法。
  5. 【請求項5】 露光ビームで第1物体を介して第2物体
    を露光する露光装置において、 前記第1物体又は前記第2物体よりなる被露光体を移動
    する可動ステージと、該可動ステージを収納するステー
    ジ室と、 該ステージ室内に前記被露光体を搬送する搬送系と、 前記ステージ室内で前記可動ステージに対する前記被露
    光体の位置合わせを行う第1アライメント系と、 前記可動ステージに設置された前記被露光体の露光位置
    への位置合わせを行う第2アライメント系とを有するこ
    とを特徴とする露光装置。
  6. 【請求項6】 前記第1アライメント系は、前記被露光
    体の外形の位置情報を検出する外形検出系を含み、 前記第2アライメント系は、前記被露光体上の位置合わ
    せ用マークの位置情報を検出するマーク検出系を含むこ
    とを特徴とする請求項5記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記搬送系は、外形基準で前記被露光体
    の位置合わせを行う第3アライメント系を含むことを特
    徴とする請求項5又は6記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記搬送系による前記被露光体の搬送経
    路上に前記被露光体の温度制御を行う温度制御系を配置
    したことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記第1アライメント系は、搬入用の第
    1アームと搬出用の第2アームとを更に備え、 前記第1及び第2アームは、それぞれ前記可動ステージ
    の移動方向にスライド自在な保持部を有することを特徴
    とする請求項5、6、又は7記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 前記可動ステージは、前記被露光体と
    しての第1基板を移動する第1可動ステージと、前記被
    露光体としての第2基板を移動する第2可動ステージと
    を有し、 前記第1及び第2アライメント系はそれぞれ前記第1及
    び第2可動ステージに対応して2組設けられたことを特
    徴とする請求項5又は6記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 前記搬送系を収納する搬送室と、 前記ステージ室と前記搬送室との間の空間を外気から実
    質的に隔離する可撓性を有する被覆部材と、 前記ステージ室及び前記搬送室内に前記露光ビームを透
    過する気体を供給する気体供給装置とを有することを特
    徴とする請求項5〜10の何れか一項記載の露光装置。
  12. 【請求項12】 露光ビームで第1物体を介して第2物
    体を露光する露光方法において、 位置決め用の可動ステージ上に前記第2物体を搬送する
    途中で、前記第2物体の搬送系に対する位置決めを行う
    ことを特徴とする露光方法。
  13. 【請求項13】 露光ビームで第1物体を介して第2物
    体を露光する露光装置において、 前記第2物体の位置決めを行う可動ステージと、 該可動ステージ上に前記第2物体を搬送する搬送系とを
    有し、 前記搬送系は、 外部から前記第2物体を取り込むために2以上の変位の
    自由度を有するハンドリング機構と、 該ハンドリング機構に保持されている前記第2物体の外
    形の位置情報を検出する外形検出系と、 前記ハンドリング機構から受け渡された前記第2物体を
    前記可動ステージの方向に向けて搬送するために1以上
    の変位の自由度を有するアーム機構とを有することを特
    徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 前記ハンドリング機構は、回転台と、
    該回転台上に回転自在に固定された第1ハンド部材と、
    該第1ハンド部材の先端部に回転自在に設けられて先端
    部に前記第2物体が保持される第2ハンド部材とを有
    し、 前記アーム機構は、前記第2物体を保持するアーム部材
    と、該アーム部材を前記可動ステージの方向に駆動する
    駆動装置とを有することを特徴とする請求項13記載の
    露光装置。
  15. 【請求項15】 前記ハンドリング機構から受け渡され
    た前記第2物体の温度調整を行う温度制御系を更に設け
    たことを特徴とする請求項13又は14記載の露光装
    置。
  16. 【請求項16】 前記可動ステージを気密性を有するス
    テージ室内に収納し、前記ハンドリング機構を気密性を
    有する第1搬送室内に収納し、前記アーム機構を気密性
    を有する第2搬送室内に収納し、 前記第1搬送室と前記第2物体の搬送ラインとの間、前
    記第1搬送室と前記第2搬送室との間、及び前記第2搬
    送室と前記ステージ室との間にそれぞれ開閉自在の開口
    を設けたことを特徴とする請求項13、14、又は15
    記載の露光装置。
  17. 【請求項17】 露光ビームで第1物体を介して第2物
    体を露光する露光方法において、 露光位置を含む第1領域で前記第2物体としての第1基
    板の位置計測及び露光を行うのと並行して、アライメン
    ト位置を含む第2領域で前記第2物体としての第2基板
    の位置計測を行った後、 前記第1基板と前記第2基板とを交換するように前記第
    1領域に前記第2基板を移動して、該第2基板の位置計
    測及び露光を行うことを特徴とする露光方法。
  18. 【請求項18】 露光ビームで第1物体を介して第2物
    体を露光する露光装置において、 前記第2物体としての第1基板が載置される第1可動ス
    テージと、 前記第2物体としての第2基板が載置される第2可動ス
    テージと、 露光位置を含む第1領域で前記第1可動ステージ又は前
    記第2可動ステージの位置計測を行う第1計測系と、 前記第1領域で前記第1可動ステージ又は前記第2可動
    ステージの駆動を行う第1駆動系と、 アライメント位置を含む第2領域で前記第1可動ステー
    ジ又は前記第2可動ステージの位置計測を行う第2計測
    系と、 前記第2領域で前記第1可動ステージ又は前記第2可動
    ステージの駆動を行う第2駆動系と、 前記第1駆動系と前記第2駆動系との間で前記第1可動
    ステージの少なくとも一部と前記第2可動ステージの少
    なくとも一部との交換を行うステージ交換系とを有する
    ことを特徴とする露光装置。
  19. 【請求項19】 前記第1物体のパターンの像を前記第
    2物体上に投影する投影系と、前記第2物体上の位置合
    わせ用マークの位置を検出するマーク検出系とを備え、 前記第1計測系は前記投影系を基準として計測対象の可
    動ステージの位置計測を行い、 前記第2計測系は前記マーク検出系を基準として計測対
    象の可動ステージの位置計測を行うことを特徴とする請
    求項18記載の露光装置。
  20. 【請求項20】 前記第2計測系は、前記投影系と前記
    マーク検出系との間から計測対象の可動ステージに計測
    ビームを照射する干渉計を含むことを特徴とする請求項
    19記載の露光装置。
  21. 【請求項21】 露光ビームで第1物体を介して第2物
    体を露光する露光装置において、 前記第2物体の位置決めを行う可動ステージと、 前記第1物体のパターンの像を前記第2物体上に投影す
    る投影系と、 前記第2物体上の位置合わせ用マークの位置を検出する
    マーク検出系と、 該マーク検出系に一体的に配置されて、所定の参照部材
    を基準として前記可動ステージの所定方向の位置を計測
    する第1計測系とを有することを特徴とする露光装置。
  22. 【請求項22】 前記所定の参照部材は前記投影系であ
    り、 前記マーク検出系に一体的に配置されて、前記マーク検
    出系を基準として前記所定方向に交差する方向の前記可
    動ステージの位置を計測する第2計測系が設けられたこ
    とを特徴とする請求項21記載の露光装置。
  23. 【請求項23】 前記可動ステージは、前記第2物体と
    しての第1基板を移動する第1可動ステージと、前記第
    2物体としての第2基板を移動する第2可動ステージと
    を有し、 前記マーク検出系及び前記第1計測系はそれぞれ前記第
    1及び第2可動ステージに対応して2組設けられたこと
    を特徴とする請求項21又は22記載の露光装置。
  24. 【請求項24】 露光ビームで第1物体及び投影系を介
    して第2物体を露光する露光装置において、 1個又は複数個の防振台を介して支持されるベース部材
    と、 該ベース部材上に移動自在に載置されて前記第1物体を
    駆動する可動ステージと、 該可動ステージのガイド面と前記投影系との相対変位を
    検出する検出系とを有し、前記検出系の検出結果に基づ
    いて前記防振台を制御することを特徴とする露光装置。
  25. 【請求項25】 露光ビームで第1物体及び投影系を介
    して第2物体を露光する露光装置において、 ベース部材と、 該ベース部材上に移動自在に載置されて前記第2物体を
    駆動する可動ステージと、 該可動ステージを収納するステージ室と、 前記ベース部材上に1個又は複数個の防振台を介して配
    置されて前記投影系を支持する支持板と、 該ステージ室と前記投影系との相対変位を検出する検出
    系とを有し、前記検出系の検出結果に基づいて前記防振
    台を制御することを特徴とする露光装置。
  26. 【請求項26】 露光ビームで第1物体及び投影系を介
    して第2物体を露光する露光装置において、 前記第1物体又は前記第2物体を駆動する可動ステージ
    と、 前記可動ステージを収納する気密室と、 該気密室に少なくとも一部が設けられ、前記可動ステー
    ジの位置情報又は速度情報を検出する第1干渉計と、 該第1干渉計の前記気密室に設けられた部分と前記投影
    系との変位を検出する第2干渉計とを有することを特徴
    とする露光装置。
  27. 【請求項27】 請求項1〜4、12、17の何れか一
    項記載の露光方法を用いてマスクパターンをワークピー
    ス上に転写する工程を含むデバイス製造方法。
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TW090103337A TW495837B (en) 2000-02-15 2001-02-15 Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device by using photolithography to form pattern
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280283A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Canon Inc 基板処理装置
JP2009016820A (ja) * 2007-06-21 2009-01-22 Asml Netherlands Bv 制御システム、リソグラフィ投影装置、支持構造体を制御する方法、およびコンピュータプログラム製品
JP2010114463A (ja) * 2005-03-03 2010-05-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
US8174671B2 (en) 2007-06-21 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure
US8547522B2 (en) 2005-03-03 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
JP2017108036A (ja) * 2015-12-11 2017-06-15 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
JP2019117404A (ja) * 2019-03-22 2019-07-18 株式会社ニコン 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法
US10409174B2 (en) 2014-06-16 2019-09-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6421365B1 (en) * 1999-11-18 2002-07-16 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6553050B1 (en) 1999-11-18 2003-04-22 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
JP2002134396A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置
US20050175497A1 (en) * 2002-08-29 2005-08-11 Nikon Corporation Temperature control method and apparatus and exposure method and apparatus
JP2004110970A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Tdk Corp ディスク状記録媒体の製造方法
WO2004027520A1 (ja) * 2002-09-19 2004-04-01 Tdk Corporation 電子線照射装置、電子線照射方法、ディスク状体の製造装置及びディスク状体の製造方法
CN101424883B (zh) * 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
DE10304711B4 (de) * 2003-02-06 2007-10-18 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Steuerung eines Elektromagnetventils, insbesondere für ein Automatikgetriebe eines Kraftfahrzeugs
US7384149B2 (en) * 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
KR101343720B1 (ko) * 2003-07-28 2013-12-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법
JP4315427B2 (ja) * 2003-08-07 2009-08-19 キヤノン株式会社 位置測定方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7379190B2 (en) * 2004-01-05 2008-05-27 Zygo Corporation Stage alignment in lithography tools
JP2005317916A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR20060048937A (ko) * 2004-08-03 2006-05-18 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 레이저 결정화 장치
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
JP3919782B2 (ja) * 2004-10-08 2007-05-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006287119A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Canon Inc 露光システム及び露光方法
US7880217B2 (en) 2005-07-30 2011-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Programmable non-volatile memory (PNVM) device
KR101388345B1 (ko) * 2005-09-09 2014-04-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
CN100417196C (zh) * 2005-12-15 2008-09-03 普立尔科技股份有限公司 数码相机
WO2007077925A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
US8953148B2 (en) * 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
EP2752714B8 (en) * 2006-01-19 2015-10-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR100724579B1 (ko) * 2006-02-01 2007-06-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 프리 얼라인먼트 유니트를 갖는 노광설비 및 이를이용한 웨이퍼 프리 얼라인먼트 방법
WO2007107983A2 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Shlomo Shmuelov Storage and purge system for semiconductor wafers
JP2007294594A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
KR101824374B1 (ko) * 2006-08-31 2018-01-31 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI590005B (zh) 2006-08-31 2017-07-01 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101556493B1 (ko) * 2006-08-31 2015-10-01 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
TW201610608A (zh) 2006-09-01 2016-03-16 尼康股份有限公司 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、以及元件製造方法
CN102360169B (zh) 2006-09-01 2014-01-22 株式会社尼康 移动体驱动方法及移动体驱动系统、图案形成方法及装置、曝光方法及装置、组件制造方法、以及校正方法
EP1921502B1 (de) 2006-11-08 2011-02-02 Integrated Dynamics Engineering GmbH Kombiniertes Motion-Control-System
KR101549709B1 (ko) * 2006-11-09 2015-09-11 가부시키가이샤 니콘 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR100781971B1 (ko) * 2006-11-28 2007-12-06 삼성전자주식회사 트윈 스캔 노광설비의 웨이퍼 스테이지 모듈 및 그의제어방법
WO2008069110A1 (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Japan Science And Technology Agency スピン偏極イオンビーム発生装置及びそのスピン偏極イオンビームを用いた散乱分光装置並びに試料加工装置
US7755764B2 (en) * 2007-01-26 2010-07-13 Kla-Tencor Corporation Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry
US8582113B2 (en) 2007-02-13 2013-11-12 Kla-Tencor Mie Gmbh Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device
DE102007049133A1 (de) * 2007-02-13 2008-08-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung
TWI514090B (zh) * 2007-07-13 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統及用於支撐晶圓的晶圓台
DE102007033619B4 (de) * 2007-07-17 2009-12-24 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Ermittlung von Korrekturwerten für Messwerte der Position von Strukturen auf einem Substrat
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
US8294878B2 (en) * 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2011016255A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2011016254A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8544317B2 (en) * 2009-10-09 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing apparatus with simultaneously movable stages
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8841065B2 (en) * 2010-02-12 2014-09-23 Nikon Corporation Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method
EP2423749B1 (en) 2010-08-24 2013-09-11 ASML Netherlands BV A lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102819195B (zh) * 2011-06-10 2015-01-07 恩斯克科技有限公司 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法
JP5689047B2 (ja) * 2011-10-12 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 基体処理システム用の基体搬送装置
US9360778B2 (en) * 2012-03-02 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for lithography patterning
US20130258339A1 (en) 2012-03-28 2013-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment mark scheme
US9640487B2 (en) * 2012-03-28 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment mark scheme
KR101890099B1 (ko) * 2012-09-14 2018-08-20 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2014067802A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
JP6170694B2 (ja) * 2013-03-06 2017-07-26 株式会社荏原製作所 測長計の設置構造
CN108942205B (zh) * 2013-03-26 2020-11-27 株式会社尼康 处理装置及自动处理方法
JP6338386B2 (ja) 2014-01-31 2018-06-06 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2015146341A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP6496017B2 (ja) 2014-11-13 2019-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
DE102016107101A1 (de) * 2016-04-18 2017-10-19 Status Pro Maschinenmesstechnik Gmbh Rotationslaser
CN109565144B (zh) * 2016-09-27 2021-10-15 极光先进雷射株式会社 激光装置
TWI818915B (zh) * 2017-07-14 2023-10-21 荷蘭商Asml荷蘭公司 度量衡裝置及基板載物台處置器系統
JP7030497B2 (ja) * 2017-12-13 2022-03-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
KR102575649B1 (ko) * 2018-04-24 2023-09-06 삼성전자주식회사 투시형 디스플레이 장치
JP7290988B2 (ja) * 2019-04-26 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法
CN112147849B (zh) * 2019-06-28 2022-02-18 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种曝光装置、光刻设备及曝光方法
JP2022125560A (ja) * 2021-02-17 2022-08-29 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、成膜システム及び膜厚測定方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3006395A1 (de) 1979-02-27 1980-09-11 Optimetrix Corp X/y-stufe
US4980896A (en) * 1986-04-15 1990-12-25 Hampshire Instruments, Inc. X-ray lithography system
US4999671A (en) * 1986-07-11 1991-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Reticle conveying device
US4776745A (en) * 1987-01-27 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Substrate handling system
US4846626A (en) 1987-02-09 1989-07-11 The Perkin-Elmer Corporation Wafer handling system
JP2550974B2 (ja) * 1987-03-13 1996-11-06 株式会社ニコン 露光装置
JP2794587B2 (ja) 1989-01-30 1998-09-10 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH03212925A (ja) 1990-01-18 1991-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5197089A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Hampshire Instruments, Inc. Pin chuck for lithography system
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JPH081923B2 (ja) * 1991-06-24 1996-01-10 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
US6473157B2 (en) * 1992-02-07 2002-10-29 Nikon Corporation Method of manufacturing exposure apparatus and method for exposing a pattern on a mask onto a substrate
US5498118A (en) * 1992-02-07 1996-03-12 Nikon Corporation Apparatus for and method of carrying a substrate
US6136168A (en) * 1993-01-21 2000-10-24 Tdk Corporation Clean transfer method and apparatus therefor
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3412193B2 (ja) * 1993-06-29 2003-06-03 株式会社ニコン 露光装置
US5696623A (en) * 1993-08-05 1997-12-09 Fujitsu Limited UV exposure with elongated service lifetime
JP3276477B2 (ja) 1993-09-03 2002-04-22 キヤノン株式会社 基板処理装置
JPH07240366A (ja) 1994-03-02 1995-09-12 Nikon Corp 露光装置
JP3734095B2 (ja) * 1994-09-12 2006-01-11 株式会社ニコン 基板処理装置
US5677758A (en) * 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US5825470A (en) * 1995-03-14 1998-10-20 Nikon Corporation Exposure apparatus
TW315504B (ja) * 1995-03-20 1997-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
GB2333606B (en) 1995-04-14 1999-10-06 Nikon Corp Exposure apparatus
US5648854A (en) * 1995-04-19 1997-07-15 Nikon Corporation Alignment system with large area search for wafer edge and global marks
US5508518A (en) * 1995-05-03 1996-04-16 International Business Machines Corporation Lithography tool with vibration isolation
US5812420A (en) * 1995-09-05 1998-09-22 Nikon Corporation Vibration-preventive apparatus and exposure apparatus
JPH09297408A (ja) 1996-05-08 1997-11-18 Nikon Corp プリアライメント装置
JPH1055944A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Toshiba Corp パターン転写装置
JPH1055954A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JPH10163094A (ja) 1996-12-03 1998-06-19 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びに搬送装置
US6262796B1 (en) 1997-03-10 2001-07-17 Asm Lithography B.V. Positioning device having two object holders
US6490025B1 (en) 1997-03-17 2002-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH10270535A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
JPH11204396A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造システムおよびデバイス製造方法
AU3167299A (en) 1998-04-09 1999-11-01 Nikon Corporation Vibration eliminating device and exposure system
AU2325900A (en) * 1999-03-12 2000-10-04 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP4410871B2 (ja) * 1999-03-25 2010-02-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
US6707545B1 (en) * 1999-09-07 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Optical signal routing method and apparatus providing multiple inspection collection points on semiconductor manufacturing systems
US6351684B1 (en) * 2000-09-19 2002-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Mask identification database server

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280283A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Canon Inc 基板処理装置
JP2010135815A (ja) * 2005-03-03 2010-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
JP2010114463A (ja) * 2005-03-03 2010-05-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
JP2010135816A (ja) * 2005-03-03 2010-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
JP2010135814A (ja) * 2005-03-03 2010-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
JP2010135817A (ja) * 2005-03-03 2010-06-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の専用計量ステージ
US8547522B2 (en) 2005-03-03 2013-10-01 Asml Netherlands B.V. Dedicated metrology stage for lithography applications
JP2009016820A (ja) * 2007-06-21 2009-01-22 Asml Netherlands Bv 制御システム、リソグラフィ投影装置、支持構造体を制御する方法、およびコンピュータプログラム製品
US8174671B2 (en) 2007-06-21 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure
US10409174B2 (en) 2014-06-16 2019-09-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
US10916453B2 (en) 2014-06-16 2021-02-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
JP2017108036A (ja) * 2015-12-11 2017-06-15 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
JP2019117404A (ja) * 2019-03-22 2019-07-18 株式会社ニコン 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW495837B (en) 2002-07-21
US20010028456A1 (en) 2001-10-11
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US7126689B2 (en) 2006-10-24

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