WO2007077925A1 - パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007077925A1
WO2007077925A1 PCT/JP2006/326248 JP2006326248W WO2007077925A1 WO 2007077925 A1 WO2007077925 A1 WO 2007077925A1 JP 2006326248 W JP2006326248 W JP 2006326248W WO 2007077925 A1 WO2007077925 A1 WO 2007077925A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pattern
pattern forming
mark
detection
forming apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/326248
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuichi Shibazaki
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to EP06843626A priority Critical patent/EP1975981A1/en
Priority to CN2006800412912A priority patent/CN101300662B/zh
Priority to JP2007552985A priority patent/JP5182557B2/ja
Publication of WO2007077925A1 publication Critical patent/WO2007077925A1/ja
Priority to KR1020087011529A priority patent/KR101275416B1/ko
Priority to IL192123A priority patent/IL192123A0/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method, a pattern forming apparatus, and a device manufacturing method. More specifically, the pattern forming method and pattern forming apparatus for forming a pattern on an object, and the pattern forming method and the pattern forming apparatus are used. The present invention relates to a device manufacturing method.
  • a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as “reticle”) is passed through a projection optical system.
  • reticle a pattern formed on a mask or reticle
  • an exposure apparatus is used which transfers onto a substrate coated with a resist or the like, for example, a photosensitive object such as a wafer or a glass plate (hereinafter collectively referred to as “wafer”).
  • a semiconductor element or the like is formed by overlapping a plurality of patterns on a wafer. For this reason, in the exposure apparatus, an operation (alignment) is required in which the pattern already formed on the wafer and the pattern formed on the reticle are in an optimum relative positional relationship.
  • the EGA (enhanced global alignment) method is mainly used as the method of this arrangement. In this EGA method, a plurality of specific shot areas (also called sample shot areas or alignment shot areas) in a wafer are selected in advance, and alignment marks (samples) attached to these sample shot areas are selected. The position information of the mark is measured sequentially.
  • twin stage type stage apparatus that improves the throughput of the entire exposure process has been developed and adopted in the exposure apparatus.
  • twin stage since the twin stage is expensive, it is desired to develop a technique that suppresses the decrease in throughput due to the alignment operation without using the twin stage.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-44429
  • the present invention has been made under the circumstances described above. From the first viewpoint, the present invention provides a pattern forming method for forming a pattern on an object, while the object is moved. A first step of detecting a mark on the object while moving at least a part of the mark detection system; and a second step of forming a pattern on the object using the detection result of the mark. A first pattern forming method.
  • the mark detection is performed while the moving body moves from the loading position where at least the object is held by the moving body that holds the object to the position where pattern formation for the object starts. It may be performed at least after the start of pattern formation on the object (at least during pattern formation processing (for example, during exposure processing)).
  • a pattern forming method for forming a pattern on an object, wherein the detection area of the mark detection system is moved while the object is being moved.
  • a first step of detecting a mark of the object; and using the detection result of the mark, the object And a second step of forming a pattern on the second pattern forming method.
  • a pattern forming method for forming a pattern on an object, wherein a mark on the object is detected by a mark detection system, and a pattern for the object is detected using the detection result.
  • the mark on the object is detected by the mark detection system even after the pattern formation is started, and the detection result is used in the pattern formation.
  • a pattern forming method for forming a pattern on an object, wherein the object is moved in a first direction and positioned with respect to a second direction orthogonal to the first direction.
  • a plurality of mark detection systems having different detection areas respectively detect a plurality of marks having different positions with respect to the first direction on the object, and information on the surface shape of the object by a detection system different from the mark detection system And a pattern is formed on the object using the two detection results.
  • a no-turn forming apparatus for forming a pattern on an object held by a moving body, wherein at least a part of the mark detecting system is movable; A control device that moves at least a part of the mark detection system so that a mark on the object is detected by the mark detection system during movement of the body.
  • control device detects a mark on the object by the mark detection system while moving at least a part of the mark detection system while the moving body is moving. Therefore, the overall throughput of the pattern forming process can be improved.
  • control device is configured so that the mark is detected while the moving body moves to the exposure start position of the object, at least the loading position force that holds the object on the moving body. It is also possible to control at least a part of the movement, or to detect the mark at least after the start of pattern formation on the object (at least during pattern formation processing (for example, during exposure processing)). It is also possible to control the movement of at least a part of.
  • a no-turn forming apparatus for forming a pattern on an object held by a moving body, wherein at least a part of the mark detecting system is movable; and movement of the moving body And a control device that controls movement of a detection area of the mark detection system so that a mark on the object is detected by the mark detection system.
  • the control device moves the detection area of the mark detection system while the moving body is moving, and detects the mark on the object by the mark detection system, so the mark is detected while the moving body is moving.
  • mark detection it is possible to shorten the time required for mark detection, and thus improve the throughput of the entire pattern forming process.
  • a pattern forming apparatus for forming a pattern on an object held by a moving body, the mark detecting system for detecting a mark on the object; and the mark And a control device that controls the detection of the mark on the object and the pattern formation on the object, and the control device detects the mark on the object with the mark detection system.
  • the pattern formation for the object is started using the detection result, and the mark detection system detects the mark on the object even after the pattern formation starts, and the third pattern formation using the detection result in the pattern formation Device.
  • the control device detects the mark on the object in parallel with the pattern formation even after starting the pattern formation on the object using the detection result of the mark on the object, and the detection result Since the pattern is formed using the, it is possible to increase the number of marks to be detected while maintaining the throughput. This makes it possible to realize highly accurate pattern formation while maintaining throughput.
  • a pattern forming apparatus that forms a pattern on an object held by a moving body, and has a detection region whose position is different with respect to a second direction orthogonal to the first direction.
  • a plurality of marks having different positions with respect to the first direction are detected above, information on the surface shape of the object is detected using the detection device, and a pattern is formed on the object using the two detection results.
  • a control device for forming the fourth pattern forming device is provided.
  • the control device uses each of the plurality of mark detection systems having detection regions having different positions with respect to the second direction orthogonal to the first direction while moving the object in the first direction, Since a plurality of marks having different positions in the first direction on the object are detected, the time required for mark detection can be reduced. In addition, since the pattern is formed on the object using the information regarding the mark detection result and the surface shape of the object, it is possible to form a pattern with high accuracy.
  • the present invention provides a pattern transfer process onto a sensitive object using the first to fourth pattern forming methods of the present invention and the first to fourth pattern forming apparatuses of the present invention. It can be said that this is a device manufacturing method including
  • FIG. 1 is a schematic view showing an exposure apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the stage apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an alignment stage device.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the configuration of an alignment interferometer system.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing a part of the alignment interferometer system.
  • FIG. 6 is a block diagram showing a control system of the exposure apparatus according to the first embodiment.
  • FIGS. 7 (A) and 7 (B) are diagrams (part 1) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage.
  • FIGS. 8A and 8B are diagrams (part 2) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage.
  • FIGS. 9A and 9B are diagrams (part 3) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage.
  • FIGS. 10 (A) and 10 (B) are diagrams (part 4) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage.
  • FIG. 11 is a graph showing the moving speed of the wafer stage and alignment system.
  • FIGS. 12A and 12B are views (No. 1) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage according to the second embodiment.
  • FIGS. 13A and 13B are views (part 2) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage according to the second embodiment.
  • FIGS. 14A and 14B are views (No. 3) for explaining the parallel processing operation by the wafer stage and the measurement stage according to the second embodiment.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment.
  • This exposure apparatus 100 is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanner.
  • Exposure apparatus 100 includes an illumination system ILS that irradiates exposure illumination light (hereinafter referred to as illumination light or exposure light) IL to illumination area IAR on reticle R, reticle stage R ST that holds reticle R, and reticle.
  • illumination light or exposure light exposure illumination light
  • Projection optical system PL that projects illumination light IL emitted from R onto wafer W
  • Main controller 50 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 6) and the like.
  • the Z axis is taken along the direction parallel to the optical axis ⁇ of the projection optical system PL (the vertical direction in the drawing in FIG.
  • the Y-axis is along the predetermined scanning direction (left and right in the page in Fig. 1) that is synchronously moved
  • the X-axis is along the non-scanning direction (direction perpendicular to the page in Fig. 1) perpendicular to the scanning direction.
  • the rotation (tilt) directions around the X, Y, and Z axes are the ⁇ X direction, ⁇ y direction, and ⁇ z direction, respectively.
  • exposure apparatus 100 is an immersion exposure apparatus that exposes wafer W with illumination light IL through projection optical system PL and liquid Lq.
  • an optical member disposed opposite to the wafer W and emitting illumination light IL that is, an optical element disposed closest to the image plane of the projection optical system PL (hereinafter referred to as a terminal optical element, hereinafter).
  • the liquid immersion device 132 includes a liquid supply device 138 for supplying the liquid Lq to the liquid immersion space via the nozzle unit, and a liquid recovery device 139 for recovering the liquid Lq in the liquid immersion space via the nozzle unit (both in FIG. (Not shown, see FIG. 6) and controlled by the main controller 50.
  • the nozzle unit may be an annular member that surrounds the lower end portion of the projection optical system PL and has a liquid flow path therein.
  • the nozzle unit includes a liquid supply nozzle 131A and a liquid recovery nozzle 131B.
  • a pattern is formed in each of a plurality of shot areas arranged in a matrix on wafer W, and alignment marks are also formed in a predetermined positional relationship with the pattern for each shot area.
  • the alignment mark is a two-dimensional mark. For example, two one-dimensional patterns that are periodically arranged in the X-axis and Y-axis directions are used. And a street line (scribe line) that divides a plurality of shot areas on the wafer w. Also, the arrangement information of shot areas (including alignment marks) on the wafer W is stored in the memory of the main controller 50 as shot map data.
  • the wafer W on the wafer stage WST has orthogonal street lines that substantially coincide with the X-axis and Y-axis directions, respectively, and a photosensitive layer (photoresist layer) is formed on the surface thereof.
  • a photosensitive material having liquid repellency may be used, or a protective top coat film may be formed on the photosensitive layer.
  • the illumination system ILS includes a light source and an illumination optical system.
  • the light source for example, an ArF excimer laser light source (output wavelength: 193 nm) is used.
  • the illumination optical system includes, for example, a beam shaping optical system, an energy coarse adjuster, an optical integrator (unifomizer or homogenizer), an illumination system aperture stop plate, a beam splitter, Includes relay lenses, reticle blinds, mirrors for bending optical paths, and condenser lenses (all not shown).
  • the configuration of the illumination system ILS, the function of each optical member, and the like are disclosed in, for example, International Publication No. 2002Z103766 Pamphlet (and corresponding US Patent Application Publication No. 2003Z0098959).
  • Reticle stage RST On reticle stage RST, reticle R on which a circuit pattern or the like is formed on its pattern surface (the lower surface in FIG. 1) is fixed, for example, by vacuum suction.
  • Reticle stage RST can be driven at least in the XY plane by a reticle stage drive system 55 including a linear motor, for example, and at a scanning speed specified in the scanning direction (Y-axis direction). It becomes possible!
  • Position information of reticle stage RST (including at least position information in the X-axis direction, Y-axis direction, and 0-z direction) is moved by reticle laser interferometer (hereinafter referred to as “reticle interferometer”) 53.
  • reticle interferometer reticle laser interferometer
  • Via mirror 65 (actually, a Y moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the Y-axis direction and an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction) are provided, for example, 0.5 It is always detected with a resolution of ⁇ lnm.
  • the measured value of this reticle interferometer 53 is The main controller 50 controls the position (and speed) of the reticle stage RST via the reticle stage drive system 55 based on the measurement value of the reticle interferometer 53.
  • the movable mirror 65 may include not only a plane mirror but also a corner cube type mirror (retro reflector). Instead of fixing the movable mirror 65 to the reticle stage RST, for example, the end surface (side surface) of the reticle stage RST is used. A reflective surface formed by mirror finishing may be used.
  • the projection unit PU is arranged below the reticle stage RST in FIG. 1, and the body (for example, three or four each provided with an anti-vibration unit is provided on the floor (or the base plate)). (Including a holding mechanism in which the base member is supported by one support column) This is inserted into the opening BDa formed in the BD and supported by the body BD via the flange FLG.
  • the projection unit PU includes a lens barrel 140 and a projection optical system PL having a plurality of optical elements held in the lens barrel 140 in a predetermined positional relationship.
  • the projection optical system PL for example, a refractive optical system including a plurality of lenses (lens elements) arranged along the optical axis AX is used.
  • the projection optical system PL is, for example, both-side telecentric and has a predetermined projection magnification (for example, 1Z4 times, 1Z5 times, or 1Z8 times). Therefore, when the illumination area IAR on the reticle R is illuminated by the illumination light IL having the illumination system ILS power, the illumination light IL that has passed through the reticle R passes through the projection optical system PL (projection unit PU).
  • Exposure area Area Reduced image of reticle R circuit pattern (reduced image of part of circuit pattern) in IAR Area on the wafer W coated with resist on the surface of the illumination area IAR conjugate with the IAR (hereinafter “exposure area”) (Also called “projection region”) IA.
  • the projection unit PU is placed on the body BD.
  • the projection unit PU is placed on the body BD.
  • Projection unit PU can be supported by hanging it from the main frame placed in!
  • one on wafer W including exposure area IA irradiated with illumination light IL via projection unit PU by liquid immersion apparatus 132 is used.
  • An immersion area that is larger than the exposure area IA and smaller than the wafer W is locally formed in the area.
  • a nozzle unit that constitutes a part of the liquid immersion device 132 that is, a liquid supply nozzle 131A and a liquid recovery nozzle 131B.
  • the liquid supply nozzle 131A is connected to the other end of a supply pipe (not shown) whose one end is connected to a liquid supply device 138 (see FIG. 6).
  • the liquid recovery nozzle 131B is connected to the other end of a recovery pipe (not shown) whose one end is connected to a liquid recovery device 139 (see FIG. 6).
  • Main controller 50 supplies liquid (for example, pure water) Lq between the lowermost optical element (lens and the like) of projection optical system PL and wafer W via liquid supply nozzle 131A. Then, the liquid Lq is recovered through the liquid recovery nozzle 131B. At this time, the main controller 50 determines that the amount of the liquid Lq supplied by the liquid supply nozzle 131A is always equal to the amount of the liquid Lq recovered via the liquid recovery nozzle 131B. And the liquid recovery device 1 39 is controlled. Therefore, a certain amount of liquid Lq (see FIG. 1) is held on the wafer W. In this case, the liquid Lq held on the wafer W is constantly changing.
  • liquid Lq for example, pure water
  • the measurement stage MST is positioned below the projection unit PU, it is possible to fill the liquid Lq between the measurement table MTB and the projection unit PU, that is, to form a liquid immersion area, as described above. Is possible.
  • at least the nozzle unit of the liquid immersion device 132 is provided on the body BD.
  • the nozzle mute may be provided on a frame supported by being suspended from the main frame independently of the projection mute PU.
  • the stage device 150 includes a wafer stage WST disposed on the base board 112 and, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400. (Measured International Publication No. 1999Z23692 Pamphlet), JP 2000-164504 Gazette (corresponding US Pat. No. 6,897,963), etc., and a measurement stage MST having measurement members (reference marks, sensors, etc.)
  • An interferometer system 118 (see Fig. 6) that measures the position (position information) of these stages WST (wafer W) and MST
  • a stage drive system 124 (see Fig. 6) that drives the stages WST and MST. Including.
  • the base board 112 is arranged on the floor surface (or a base plate or the like) via, for example, four vibration isolation units.
  • Wafer stage WST and measurement stage On the bottom surface of MST, non-contact bearings (not shown), for example, air bearings (also called air pads) are provided at a plurality of locations. With these air bearings, wafer stage WST and measurement stage are measured.
  • the stage MST is supported with respect to the upper surface of the base board 112 through a clearance of about several zm.
  • the stages WST and MST are driven independently of each other (including ⁇ z rotation) in the XY plane by the stage drive system 124.
  • the wafer stage WST has a wafer stage main body 91 in which the air bearing is provided on the bottom surface, and the wafer stage main body 91 is not shown on the wafer stage main body 91. It is mounted via the Z tilt mechanism (configured to include an actuator such as a voice coil motor), and is finely driven in the Z axis direction, ⁇ direction, and 0 y direction with respect to the wafer stage main body 91 Wafer table WTB.
  • the Z tilt mechanism configured to include an actuator such as a voice coil motor
  • an auxiliary plate (liquid repellent plate) 128 having a substantially rectangular shape and a circular opening having an inner diameter slightly larger than that of wafer W is provided at the center thereof.
  • a wafer holder (not shown) that holds the wafer W by vacuum suction or the like is provided inside the circular opening.
  • the auxiliary plate 128 has a surface (liquid repellent surface) that has been subjected to liquid repellency treatment with respect to the liquid Lq, and the surface thereof is substantially flush with the wafers W and W held by the wafer holder. Is set.
  • the auxiliary plate 128 is made of a material having a low coefficient of thermal expansion, such as glass or ceramics (Shot Zero Zero (trade name), Al O
  • fluorine resin material for example, fluorine resin material, fluorine resin material such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)), acrylic resin material, or silicon
  • fluorine resin material such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)
  • acrylic resin material for example, acrylic resin material, or silicon
  • silicon A liquid repellent film is formed of a system resin material or the like.
  • the measurement stage MST includes a measurement stage main body 92 having the air bearing provided on the bottom surface thereof, and a measurement table mounted on the measurement stage main body 92 via a not-shown tilt / tilt mechanism. Including spears!
  • Various measurement members are provided on the measurement table ⁇ (and the measurement stage main body 92).
  • this measuring member for example, a fiducial mark member FM in which a plurality of fiducial marks disclosed in JP-A-5-21314 (corresponding US Pat. No. 5,243,195) is formed is used.
  • a sensor that receives the illumination light IL via the projection optical system PL Etc. are included.
  • this sensor for example, an illuminance monitor disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-16816 (corresponding US Patent Application Publication No. 2002Z0061469), for example, Japanese Patent Laid-Open No. 57-117238 (corresponding US Patent No.
  • Non-uniform illumination sensor disclosed in Japanese Patent No. 4,465,368) for example, an aerial image measuring instrument disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-14005 (corresponding to US Patent Application Publication No. 2002Z0041377), and international publication, for example. At least one of the Shack-Hartman wavefront aberration measuring instruments disclosed in the 2003/065428 pamphlet is adopted.
  • each sensor may be mounted on the measurement table MTB (and the measurement stage main body 92), for example, only part of the optical system, or the entire sensor is arranged on the measurement table MTB (and the measurement stage main body 92). May be.
  • the surface of the measurement table M TB (which may include the aforementioned measurement member! ⁇ ) is also covered with a liquid repellent film (water repellent film)! / Speak.
  • a pair of Y-axis stators 86 and 87 extending in the Y-axis direction are arranged on the + X side and the ⁇ X side of the base board 112, respectively.
  • These Y-axis stators 86 and 87 are constituted by armature units having a plurality of coils therein.
  • a pair of Y-axis movers 82 and 83 provided at one end and the other end of the X-axis stator 80 extending in the X-axis direction are engaged with the Y-axis stators 86 and 87, respectively. Yes.
  • a pair of Y-axis movers 84 and 85 provided respectively at one end and the other end of the X-axis stator 81 extending in the X-axis direction are engaged with the Y-axis stators 86 and 87, respectively.
  • Each of the Y-axis movers 82, 84, 83, and 85 is constituted by a magnetic pole unit having a plurality of permanent magnets.
  • Y-axis stator 86 and Y-axis mover 82 constitutes four Y-axis linear motors of the moving magnet type that drive the Y-axis movers 82 to 85 in the Y-axis direction.
  • each of the above four Y-axis linear motors is Using the same reference numerals as those of the Y-axis movers 82 to 85, the Y-axis linear motors 82 to 85 will be appropriately referred to.
  • a moving coil linear motor may be used as the Y-axis linear motor.
  • two Y-axis linear motors 82 and 83 drive the measurement stage MST in the Y-axis direction integrally with the X-axis stator 80, and the remaining two Y-axis linear motors.
  • Wafer stage WST is driven in the Y-axis direction integrally with X-axis stator 81 by motors 84 and 85.
  • Stages MST and WST are each finely driven in the ⁇ z direction by two Y-axis linear motors.
  • Each of the X-axis stators 80 and 81 is configured by an armature unit including, for example, armature coils arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • X-axis stator 81 is inserted into an opening (not shown) formed in wafer stage main body 91 (see FIG. 1) constituting wafer stage WST. Inside the opening of the wafer stage main body 91, for example, an X-axis movable element (not shown) composed of a magnetic pole unit is provided. That is, the X-axis stator 81 and the X-axis mover constitute a moving magnet type X-axis linear motor that drives wafer stage WST in the X-axis direction.
  • this X-axis linear motor will be appropriately referred to as an X-axis linear motor 81 using the same reference numerals as the X-axis stator 81 that is the stator.
  • the X-axis stator 80 is inserted into an opening (not shown) formed in the measurement stage main body 92 (see FIG. 1) constituting the measurement stage MST.
  • An X-axis movable element (not shown) made up of a magnetic pole unit is provided inside the opening of the measurement stage main body 92.
  • the X-axis stator 80 and the X-axis mover constitute a moving magnet type X-axis linear motor that drives the measurement stage MST in the X-axis direction.
  • this X-axis linear motor will be appropriately referred to as an X-axis linear motor 80 using the same reference numerals as those of the X-axis stator 80 that is the stator.
  • moving coil type linear motors may be employed as the X-axis linear motors 80 and 81.
  • the Y axis linear motors 82 to 85, the X axis linear motors 80 and 81, and the Z ⁇ tilt mechanism of each of the Ueno, stage WST, and measurement stage MST each provide a stage drive system shown in FIG. 124 is configured.
  • This stage drive system 124 is configured.
  • Each linear motor force formed is controlled by the main controller 50 shown in FIG.
  • a loading position WEP to which the wafer W is transferred by a transfer device (wafer loader) (not shown) is set on the opposite side (+ Y side) of the measurement stage MST with respect to the projection optical system PL. !
  • Wafer stage WST moves to this loading position WEP, and after placing wafer W, it moves toward directly under projection optical system PL (the exposure area described above). Then, after the exposure processing for wafer W is completed, wafer stage WST moves to the unloading position (in this embodiment, the same position as the loading position). The wafer to be exposed is loaded (wafer replacement).
  • Position information of wafer stage WST (wafer W) and measurement stage MST is obtained by interferometer system 118 in FIG. 6 via the side surfaces (reflected surfaces mirror-finished) of wafer table WTB and measurement table MTB.
  • the interferometer system 118 includes a Y interferometer 16 for detecting the position of the wafer stage WST in the Y-axis direction (including the position in the ⁇ z direction) shown in FIG.
  • the measurement value of the interferometer system 118 is sent to the main control device 50, and the main control device 50 is based on the measurement value of the interferometer system 118! /, Each stage WST, MST via the stage drive system 124. (And control the position of each table WTB, MTB). Instead of mirroring the side surface of each table, a movable mirror may be provided on each table. Also, the position of each stage may be detected together with or instead of the interferometer system, for example, by a linear encoder.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment has detection areas between the aforementioned loading position WEP and the exposure start position of the wafer W, respectively, and is a predetermined perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • Off-axis alignment systems ALG1 and ALG2 are provided in which the position of the detection area is independently variable in the plane (XY plane). These alignment ALG1 and ALG2 are used to move the detection area within the predetermined plane.
  • At least a part of the device 160 for example, a part excluding the light source (including the objective optical system and the light receiving element) is movable.
  • the detection area has a predetermined positional relationship with the mark on the wafer stage WST (such as the alignment mark on the wafer W). This makes it possible to detect marks while the wafer stage WST is moving.
  • alignment systems ALG1 and ALG2 are image processing methods, a part of alignment systems ALG1 and ALG2 is used so that the mark does not deviate from the detection area force during movement of Ueno and stage WST. Moving. For this reason, it is preferable to move a part of the alignment systems ALG1 and ALG2 so that the relative speed between the mark and the detection area becomes substantially zero at least during a predetermined time during which mark detection (imaging) is performed.
  • the alignment system ALG1, ALG2 detects a plurality of alignment marks on the wafer W at least while the wafer stage WST moves from the loading position WEP to the exposure start position of the wafer W.
  • the exposure start position of the wafer W in this embodiment is the wafer W (wafer when the first shot area to be exposed first on the wafer W is set as the scan start position (acceleration start position). Stage WST) position.
  • mark detection is performed by at least one of alignment systems ALG1 and ALG2 even after the exposure of wafer W (first shot area) is started, and all or part of the second and subsequent shot areas are detected.
  • the position information of the detected mark is used for scanning exposure.
  • surface shape detection device 125 may be provided on body BD that holds projection unit PU.
  • the surface shape detection device 125 receives, for example, an irradiation system that obliquely enters a linear beam longer than the diameter of the wafer W on the wafer W on the wafer stage WST, and reflected light of the beam irradiated by the irradiation system.
  • a light receiving system having a one-dimensional CCD sensor or a line sensor.
  • the linear beam irradiated from the irradiation system is actually a plurality of point-like ( (Or slit-shaped) laser beam, for example, is a beam formed by being arranged apart from each other with respect to the X-axis direction between the aforementioned loading position WEP and the exposure start position. It is a set of irradiation areas of point-like beams. Therefore, based on the same principle as the detection principle of the known multi-point AF system, a plurality of point-like irradiation areas are used as measurement points, and the Z position of the wafer W at each measurement point (the predetermined plane (XY plane on which the wafer W moves) ) And vertical position information about the Z-axis direction). Main controller 50 can detect information related to the surface shape of the exposure target surface of wafer W based on the measurement result.
  • point-like laser beam for example, is a beam formed by being arranged apart from each other with respect to the X-axis direction between the aforementioned loading position WEP and
  • the control device 50 calculates the distribution of the Z position information on the wafer surface based on the measurement value (wafer position) by the interferometer system 118 and the detection result by the detection device 125. Then, main controller 50 controls the position and orientation of wafer table WTB in the Z-axis direction based on the calculation result during the exposure operation.
  • the surface shape detection device 125 is performed in parallel with the mark detection operation (described later) by the alignment systems ALG1 and ALG2, so that exposure starts. It is possible to suppress a decrease in throughput due to detection of the previous Z position information. It should be noted that the irradiation area of the surface shape detection device 125 is approximately the same as the X-axis direction between the exposure area IA (liquid Lq immersion area) and the detection areas of the alignment systems ALG1 and ALG2 with respect to the Y-axis direction. It is preferable to arrange them in parallel.
  • the exposure apparatus 100 is configured to suspend and support the projection unit PU with respect to the main frame as described above, for example, the surface shape is detected in the measurement frame that is also supported by suspending the main frame force independently of the projection unit PU. At least a part of the device 125 may be provided.
  • the alignment stage device 160 includes a frame FR provided in a vibrationally separated manner from the body BD, and a fixed surface provided on the lower surface side of the frame FR.
  • Panels BS1 and BS2 (Fig. 1 shows surface plate BS2 not shown, see Fig. 3) and alignment ALG1, AL G2 are supported, and the bottom surfaces of surface plates BS1 and BS2 are used as the movement reference planes for the X and Y axes.
  • Alignment stage AST1, AST2 (refer to Figure 3 for alignment stage AST2) moving in the direction.
  • the frame FR is supported at its four corners by four support pillars erected from the floor surface (or a base plate or the like).
  • This frame FR has a reverse U-shaped member force in the YZ section, and the stator of the linear motor that drives the alignment stage AST1 and AST2, which will be described later, is fixed to the + Y side end and the Y side end. Yes.
  • Each of the surface plates BS1 and BS2 is made of a plate-like member processed with a very flat bottom surface (one Z side surface), and a plurality of (for example, three) prevention plates are formed from the frame FR. It is supported by suspension through a vibration mechanism 162.
  • This anti-vibration mechanism 162 has, for example, a piston and a cylinder, and supports the weight of the surface plate BS1 (or BS2) using the pressure of the gas in the gas chamber formed between the piston and the cylinder.
  • the alignment stage AST1 includes a Y stage 42 that can move in the Y-axis direction, and an X stage 40 that can move in the X-axis direction with respect to the Y stage 42. It is out.
  • the Y stage 42 has a substantially trapezoidal shape in plan view (when viewed from below), and is fixed to the Y-axis stator 46 fixed to the frame FR, and the + X side end of the Y stage 42. It is driven along the Y-axis by the Y-reduced motor YLM 1 including the Y-axis mover 48.
  • the X stage 40 includes a pair of X axis stators 52A and 52B, which are fixed to the lower surface (one Z side surface) of the Y stage 42, and the end of the X stage 40 on the + Y side. —Driven along the X axis by a pair of X linear motors XLM1, XLM2 including a pair of X axis movers 54A, 54B fixed to the Y side end.
  • a voice coil motor that causes the X stage 40 to apply a driving force in the Y-axis direction is also provided so that the X stage 40 can be driven minutely in the Y-axis direction. Is possible.
  • the tee 40 can be rotated in the ⁇ z direction. It has become.
  • the alignment system ALG1 includes an optical system including an objective lens and the like, an image sensor (for example, a CCD), and the like. Piping around which the liquid flows is provided around the CCD that forms part of the alignment system ALG1, and the CCD is cooled by the liquid flowing through the piping. As a result, the CCD can be placed close to the optical system including the objective lens and the like, so that the array system ALG1 can be downsized.
  • the alignment ALG1 light source is not moved by the alignment stage, but is provided outside the alignment stage and connected by an optical fiber or the like.
  • the present invention is not limited to this, and a relay optical system including a mirror that transmits a beam from a light source provided outside to the optical system of the alignment system ALG1 may be used.
  • the alignment ALG1 is not limited to the image processing method, and various types of sensors can also be used. For example, a sensor that detects diffracted light generated by alignment mark force by irradiation of a coherent laser beam may be used.
  • the cooling method of the CCD is not limited to liquid cooling, and may be air cooling.
  • various optical members constituting the alignment interferometer system 69 are arranged on the lower surface (one Z side surface) of the Y stage 42 and the X stage 40. It has been done.
  • the interferometer system 69 of the present embodiment adopts a double-pass method, and position information of the alignment stage AST1 (that is, alignment system ALG1) in the X-axis and Y-axis directions, and rotation in the ⁇ , ⁇ y, and ⁇ z directions Information is measured.
  • the interferometer system 69 includes a sensor head 68 shown in FIG. 4, first and second bending mirrors 72 and 73 provided on the Y stage 42, and two optical units 74 provided on the X stage 40. 75, X fixed mirror 70X, Y fixed mirror 70Y1, etc.
  • the X fixed mirror 70X has mirror surfaces on the + X side and X side to form a reflecting surface
  • the Y fixed mirror 70Y1 has a mirror surface on the ⁇ Y side to form a reflecting surface. Yes.
  • the sensor head unit 68, the X fixed mirror 70X, and the Y fixed mirror 70Y1 are fixed to the body BD that supports the projection unit PU.
  • the X fixed mirror 70X is suspended and supported by a support member 77 (see FIG. 3) connected to the body BD through an opening formed in a part of the frame FR.
  • the sensor head unit 68 includes a light source, an optical system, and a plurality of analyzers (polarized light). And a plurality of photoelectric conversion elements, a bending mirror, and the like.
  • Each of the first folding mirror part 72 and the second folding mirror part 73 includes a prism (or a mirror).
  • the prism (or mirror) has a reflecting surface that forms an angle of 45 ° with respect to the XZ plane and the YZ plane.
  • the first folding mirror unit 72 is composed of the beam BM1 output from the sensor head unit 68 (actually, the beam BM1 is composed of two beam forces separated in the vertical direction (Z-axis direction).
  • the second bending mirror 73 reflects the other beam BM2 (actually, the beam BM2 is also composed of two beamers spaced apart in the vertical direction (Z-axis direction)), and the optical unit 75 To enter.
  • the optical unit 74 on which the beam BM1 is incident includes a mirror 74a and an optical member 74b provided at a predetermined interval on the + Y side of the mirror 74a.
  • the optical member 74b includes a polarizing beam splitter (PBS) 49a, a corner cube mirror (retro reflector) 49b , a quarter-wave plate (e Z4 plate) 49c,
  • PBS polarizing beam splitter
  • corner cube mirror retro reflector
  • e Z4 plate quarter-wave plate
  • the beam BM1 reflected by the mirror 74a is incident on the polarization beam splitter 49a.
  • the beam BM1 incident on this polarization beam splitter 49a is a measurement comprising a reference beam RB X having a P-polarized component force transmitted through a separating surface, which is a multilayer film, and an S-polarized component reflected by the separating surface. Separated into beam MBX.
  • the measurement beam MBX reflected by the separation surface is transmitted through the ⁇ 4 plate 49c, converted into circularly polarized light, and reflected by the fixed mirror 70X.
  • the measurement beam reflected by the fixed mirror 70X passes through the ⁇ Z4 plate 49c again to become P-polarized light, passes through the separation surface, and is folded back by the corner cube mirror 49b. Then, the folded measurement beam MBX passes through the separation surface and the ⁇ 4 plate 49c, becomes circularly polarized and is reflected again by the fixed mirror 70X, and the reflected measurement beam passes through the ⁇ 4 plate 49c. Then, it becomes S-polarized light and is reflected by the separation surface, and returns to the sensor head portion 68 via the mirror 74a and the first bending mirror portion 72.
  • the reference beam (P-polarized component) transmitted through the separation surface is transmitted through the ⁇ ⁇ 4 plate 49d. It becomes circularly polarized light, is reflected by the reflecting surface of the mirror 49e, is transmitted again through the ⁇ Z4 plate 49d, becomes S-polarized light, is reflected by the separation surface, and is folded back by the corner cube mirror 49b.
  • the folded reference beam is reflected again by the separation surface, passes through the ⁇ 4 plate 49d, becomes circularly polarized light and is reflected by the mirror 49e, and the reflected reference beam is reflected by the ⁇ 4 plate 4 9d is transmitted as polarized light, transmitted through the separation surface, and coaxially combined with the return light (S-polarized light) of the measurement beam described above, and reflected by the mirror 74a and the first bending mirror 72. It passes through the analyzer of the detection unit in the sensor head 68.
  • interference light between the measurement beam MBX and the reference beam RBX is output from the analyzer, the interference light is received by the photoelectric conversion element, and the X-axis direction of the alignment stage AST1 with respect to the fixed mirror 70X as a reference.
  • Position information is sent to the main controller 50. Since the beam BM1 as described above is also configured with two beam forces separated in the Z-axis direction, the main controller 50 determines the alignment stage from the position information in the X-axis direction obtained by each of the two beams. Rotation information (rolling amount) in the ⁇ y direction is detected in addition to the position information in the X axis direction of AST1 (alignment type A LGl).
  • the optical unit 75 includes optical members 75a and 75b and bending mirrors 75c and 75d as shown in an enlarged view in FIG.
  • the optical member 75a includes a polarizing beam splitter 51a, a ⁇ 4 plate 51c provided on the + Y side surface of the polarizing beam splitter 51a, a half mirror 51b, and a mirror 51d.
  • the optical member 75b includes a polarizing beam splitter 52a, a quarter plate 52c provided on the polarizing beam splitter 52a, a mirror 52b, and a mirror 52d.
  • the beam BM2 reflected by the mirror 73 enters the half mirror 5 lb.
  • the first beam BM2a is separated into a measurement beam composed of a P-polarized component that is transmitted through the separation surface of the polarization beam splitter 5la and a reference beam composed of an S-polarized component that is reflected by the separation surface.
  • the measurement beam that has passed through the separation surface passes through the ⁇ 4 plate 51c, becomes circularly polarized light, and is reflected by the fixed mirror 70Y1, and then passes through the ⁇ 4 plate 51c and becomes S-polarized light. Face and Mi Reflected by Ra 51d. Then, the reflected measurement beam passes through the ⁇ ⁇ 4 plate 51c, becomes circularly polarized light, and is reflected again by the fixed mirror 70Y1, and then passes through the ⁇ 4 plate 51c to become ⁇ polarized light, which passes through the mirror 5 Id. Then, the light passes through the separation surface and returns to the sensor head 68 through the second folding mirror 73 shown in FIG.
  • the reference beam reflected by the separation surface is reflected by the polarization beam splitter 5 la and then returns to the sensor head unit 68 via the second bending mirror 73.
  • This reference beam is synthesized coaxially with the return beam (P-polarized light) of the measurement beam and passes through the analyzer of the detection unit in the sensor head unit 68.
  • interference light between the measurement beam and the reference beam is output as the analyzer force, the interference light is received by the photoelectric conversion element, and positional information in the Y-axis direction of the alignment stage AST1 with the fixed mirror 70Y1 as a reference is obtained. Sent to main controller 50.
  • the second beam BM2b transmitted through the half mirror 51b is reflected by the mirror 52b and transmitted through the separation surface of the polarization beam splitter 52a, and the measurement beam having the P-polarized component force is reflected by the separation surface S. It is separated into a reference beam which has a polarization component power.
  • the measurement beam that has passed through the polarizing beam splitter 52a passes through the ⁇ Z4 plate 52c, becomes circularly polarized light, is reflected by the fixed mirror 70Y1, and then passes through the ⁇ 4 plate 52c to become S polarized light. Reflected by the separation surface and the mirror 52d.
  • the reflected measurement beam passes through the ⁇ 4 plate 52c, becomes circularly polarized light, and is reflected again by the fixed mirror 70Y1, and then passes through the ⁇ 4 plate 52c to become ⁇ polarized light, which passes through the mirror 52d. Then, the light passes through the separation surface and returns to the sensor head 68 through the mirrors 75c and 75d and the second bending mirror 73 shown in FIG.
  • the reference beam reflected by the polarization beam splitter 52 a returns to the sensor head unit 68 via the mirrors 75 c and 75 d and the second bending mirror 73.
  • This reference beam is synthesized coaxially with the return beam (P-polarized light) of the measurement beam and passes through the analyzer of the detection unit in the sensor head unit 68.
  • interference light between the measurement beam and the reference beam is output from the analyzer, the interference light is received by the photoelectric conversion element, and positional information in the Y-axis direction of the alignment stage AST1 with respect to the fixed mirror 70Y1 Is sent to the main controller 50.
  • the main controller 50 determines the alignment system from the position information in the Y-axis direction obtained by each of the four beams.
  • Stage AST1 alignment type ALG1
  • Y-axis position Rotation information in the ⁇ Z direction (chowing amount) and rotation information in the ⁇ X direction (pitching amount) that are detected only by information are also detected.
  • the alignment stage AST2 that moves the other alignment system ALG2 has the same configuration as the force alignment system stage AST1 that is symmetrical.
  • the alignment stage AST2 includes a Y stage 142 that can move in the Y-axis direction, and an X stage 140 that can move in the X-axis direction with respect to the Y stage 142.
  • the Y stage 142 includes a Y axis stator 146 fixed to the frame FR and a Y axis mover 148 fixed to one end of the Y stage 14 2.
  • the X stage 140 is driven in the axial direction, and the X stage 140 includes a pair of X axis stators 152A and 152B whose longitudinal direction is the X axis direction fixed to the lower surface (the Z side surface) of the Y stage 142, -A pair of X-axis movers 154A and 154B fixed to the Y-side and + Y-side end faces are driven in the X-axis direction and driven to rotate in the 0z direction by a pair of X-linear motors XLM3 and XLM4.
  • the X linear motor XLM4 is also equipped with a voice coil motor in the same way as the X tee 40 described above, and the tee 140 can be finely driven in the Y-axis direction.
  • the alignment system ALG2 is an alignment system of an image processing system having the same configuration as the alignment system ALG1, and therefore description thereof is omitted here.
  • Various optical members constituting the alignment interferometer system 169 are arranged on the lower surface (one Z side surface) of the Y stage 142 and the X stage 140.
  • the alignment interferometer system 169 is a force that is symmetrical.
  • the alignment interferometer system 169 has the same configuration and function as the alignment interferometer system 69 described above. And various optical components provided on the X stage 140 and the Y stage 142.
  • the interferometer system 169 according to the present embodiment includes an alignment stage AST2 on the basis of a fixed mirror 70X (—X-side reflecting surface) and a fixed mirror 70Y2 (—Y-side reflecting surface) provided on the body BD. It is possible to detect position information in the X-axis and ⁇ -axis directions of (alignment system ALG2) and rotation information in the ⁇ ⁇ , ⁇ y and ⁇ z directions.
  • the surface plates BS1 and BS2 are each supported by the frame FR via the vibration isolation mechanism 162.
  • the vibration isolation mechanism is provided on the floor surface (or base plate or the like). It is only necessary to install the frame FR via 162 and fix the base plates BS1 and BS2 to the frame FR.
  • the alignment systems ALG1, ALG2 and the stage device 160 are provided on the frame FR! /, But as described above, the projection unit PU is supported by being suspended from the main frame of the exposure apparatus 100 force.
  • the alignment systems ALG1, ALG2 and the stage device 160 may be suspended and supported integrally with the projection unit PU, or a measurement frame supported by being suspended from the main frame independently of the projection unit PU. Alignment systems ALG1, ALG2 and stage device 160 may be provided. In addition, at least a part of the alignment interferometer systems 69 and 169 may be provided in the measurement frame together with the alignment systems ALG1 and ALG2. Further, the alignment systems ALG1, ALG2 and the nozzle unit described above may be provided in the same measurement frame or in different measurement frames.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the main configuration of the control system in exposure apparatus 100 of the present embodiment.
  • the control system in Fig. 6 consists of a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read-Only'Memory), RAM (Random Access'Memory), etc.! /, A so-called microcomputer (or workstation)
  • the main control unit 50 is configured around the main unit and controls the entire apparatus in a centralized manner.
  • FIG. 7 (A) to FIG. explain in detail. Note that the control of each part is omitted except for particularly necessary parts in order to avoid complicated explanation of the force performed by the main controller 50. Further, during the following operations, the main controller 50 controls the liquid supply operation and the recovery operation of the liquid immersion device 132, and the liquid Lq is always immersed below the lowermost optical element of the projection optical system PL. A region is formed.
  • the relationship between the coordinate system of alignment interferometer systems 69 and 169 that measure the positions of alignment systems ALG1 and ALG2 and the coordinate system of interferometer system 118 that measures the position of wafer stage WST is, for example, a measurement It shall be measured in advance using fiducial marks on stage MST. That is, the alignment system obtained from the interferometer systems 69 and 169 when detecting the fiducial marks of the measurement stage MST by the alignment systems ALG1 and ALG2 Based on the position of ALG1 and ALG2 and the position of measurement stage MST obtained from interferometer system 118 (in other words, detection of alignment systems ALG1 and ALG2 on the coordinate system of interferometer system 118) Find the center position.
  • the alignment systems ALG1 and ALG2 are moved based on the above relationship, the above-described shot map data (including alignment ship data), and the measurement values of the interferometer systems 69, 169, and 118. C Alignment marks on W are detected.
  • the baseline lines of alignment systems ALG1 and ALG2 (the positional relationship or distance between the projection position of the reticle pattern by the projection optical system PL and the detection center of alignment systems ALG1 and ALG2) have already been measured, and the main controller 50 Assume that the baseline is stored in the memory in association with the positions of the alignment systems ALG1 and ALG2 at the time of measurement.
  • a reticle alignment system (not shown) disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-176468 (corresponding US Pat. No. 5,646,413) and a reference mark of a measurement stage MST are used.
  • FIG. 7A shows the state of stage device 150 when the wafer on wafer stage WST is exchanged at the aforementioned loading position.
  • the position of wafer stage WST is measured by X interferometer 24 and Y interferometer 16.
  • the measurement stage MST is arranged directly below the projection optical system PL instead of the wafer stage WST, and various measurements such as aerial image measurement and wavefront aberration measurement are appropriately performed.
  • wafer stage WST moves in the + X direction.
  • the two beams from the Y interferometer 16 come into contact with the wafer stage WST, so the interferometer connection (corresponding to the two measured values in the Y interferometer 16) is executed.
  • the wafer stage WST further moves in the + X direction and is positioned at the position shown in FIG. 7B.
  • the first detection of the alignment mark formed on the wafer W is performed. Perform the action.
  • FIG. 11 is a graph showing the speed of wafer stage WST in the Y-axis direction
  • the stage WST is stopped (speed 0), and alignment systems ALG1 and ALG2 are also positioned at the prescribed positions and stopped (speed 0).
  • the first set of alignment marks on the wafer W is set in the detection areas of the alignment systems ALG1 and ALG2, and the position information of the wafer stage WST measured by the interferometers 16 and 24, and the alignment system interferometer
  • the first set of alignments based on the position information of alignment systems ALG1 and ALG2 measured by the systems 69 and 169 and the amount of deviation of the alignment marks detected by the alignment systems ALG1 and ALG2 from the detection center.
  • the position information (coordinate values) of the mark is detected.
  • search alignment using a search alignment mark may be executed before the first alignment mark detection operation.
  • wafer stage WST starts acceleration in the Y direction.
  • Alignment ALG1 and ALG2 also start accelerating simultaneously in the -Y direction with a smaller acceleration than wafer stage WS T, while alignment ALG1 starts moving in the + X direction and alignment ALG2 in one X direction.
  • the constant speed movement is started when the respective speeds of the wafer stage WST and the alignment systems ALG1 and ALG2 reach a predetermined speed (about 60 OmmZs (see FIG. 11)).
  • a predetermined speed about 60 OmmZs (see FIG. 11)
  • the second alignment mark detection operation (the state of EGA2 in Fig. 11) is performed while the constant velocity movement is continued.
  • wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 have the same speed, so the relative speed is zero. Therefore, mark detection can be performed under the same conditions as when wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 are stopped.
  • alignment systems ALG1 and ALG2 start decelerating, and after a predetermined time has elapsed, wafer stage WST starts decelerating. Then, as shown in FIG.
  • alignment system ALG1 moves in the + X direction
  • alignment system ALG2 moves in the X direction
  • alignment systems ALGl and ALG2 each have a third set of alignment marks on wafer W within their detection areas. Positioned as set. Then, the third alignment mark detection operation (EGA3 in FIG. 11) is executed with wafer stage WST and alignment systems ALGl and ALG2 stopped.
  • the fourth alignment mark detection operation (EGA4 in Fig. 11) is executed. Also in this case, since the relative speed between the wafer stage WST and the alignment systems ALGl and ALG2 is 0, alignment can be performed with the same accuracy as when each is stopped.
  • the fifth alignment mark detection operation (EGA5 in Fig. 11) is executed at the stage where the speed of wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 becomes zero. As described above, 10 alignment marks on the wafer W can be detected by the alignment systems ALG1 and ALG2.
  • wafer stage WST moves to the exposure start position for performing exposure on the first shot area on wafer W, and thus the movement is completed.
  • the alignment mark at the center of the wafer W is detected using the alignment system ALG2 at the stage or during the movement.
  • this embodiment is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-44429 (and corresponding US Pat. No. 4,780,617).
  • the EGA (enhanced global alignment) method is used, and the main controller 50 detects the alignment mark detection results (coordinate values on the orthogonal coordinate system XY defined by the interferometer system 118) and the shot area. And the statistical information by the least square method or the like, and all or a part of the shot area to be exposed on the wafer W (in this embodiment, the half on the Y side of the wafer W ( The array coordinates of the upper half) shot area) are calculated.
  • the alignment marks existing on the + Y side half (lower half) of the wafer W are moved while moving the alignment systems ALG1 and ALG2 in the same manner as described above. To detect. In this case, for example, eight alignment marks are detected during exposure of the half shot area on the Y side. Then, main controller 50 uses the detected alignment mark position information (coordinate values) to calculate the arrangement information of the shot area on the + Y side half (lower half) of wafer W by the EGA method.
  • the wafer stage WST moves to the loading position WEP described above, and the measurement stage MST moves following the movement of the wafer stage WST. Then liquid Lq is delivered. Then, the wafers are exchanged, and the alignment systems ALG1 and ALG2 are moved to the positions shown in FIG. 7 (B) until the wafer and stage WST on which the wafer to be exposed next is moved to the position shown in FIG. 7 (B). Return to the initial position shown in the inside and execute the process for the next wafer.
  • the force of wafer stage WST at the opening position is also shown in the exposure start position (Fig. 10 (A)).
  • the marks on the wafer are detected using the alignment systems ALG1 and ALG2.
  • high-precision alignment can be performed and high-precision exposure can be performed.
  • the first embodiment in a state where at least a part of the alignment systems ALG1 and ALG2 follow the wafer stage WST (the relative velocity between the detection area and the mark is substantially zero), A mark on the wafer is detected. For this reason, even when the wafer stage WST is moving, the mark can be detected with high accuracy using the alignment system. As a result, it is possible to shorten the mark detection time without lowering the mark detection accuracy, and thus improve the throughput of the entire exposure process.
  • the alignment mark on the wafer is detected using the two alignment systems ALG1 and ALG2, and therefore, the predetermined time is compared to the case where one alignment system is used. It is possible to detect many marks within.
  • alignment systems ALG1 and ALG2 are also moved in the X-axis direction. Therefore, even if wafer stage WST is moved only in the Y-axis direction, Any alignment mark present can be detected. Therefore, it is not necessary to limit the movement of the wafer stage even when the wafer stage movement and alignment operation are performed simultaneously.
  • alignment systems ALGl and ALG2 move using the lower surfaces of surface plates BS1 and BS2 supported by frame FR that is vibrationally separated from body BD as a reference plane. Therefore, it is possible to avoid the influence of the vibration on the exposure accuracy due to the movement of the alignment systems ALG1 and ALG2.
  • the fixed mirrors 70X, 70Y1, and 70Y2 that make up the interferometer system that measures the position of alignment systems ALGl and ALG2 are fixed to the body BD side, so the positions of alignment systems ALGl and ALG2 are detected based on the body BD. can do
  • a total of 19 alignment marks are detected.
  • the present invention is not limited to this, and 20 or more alignment marks are not detected. It may be detected.
  • measurement is performed because almost all alignment marks on the + Y side half of the wafer W can be detected by moving the alignment systems ALG1 and ALG2. Increasing the number of alignment marks does not affect throughput.
  • the alignment stage device 160 employs the configuration shown in Fig. 3, but is not limited to this, and one Y stage that moves in the Y-axis direction and the Y stage A configuration including two stages that move in the X-axis direction along the stage may be employed.
  • various configurations can be adopted as long as at least a part of the alignment systems ALG1 and ALG2, that is, the detection area can be moved two-dimensionally.
  • the position of the shot area of the half on the Y side of the wafer W is calculated using the position information of the 11 alignment marks detected before the start of the exposure operation. Force used to calculate the position of the shot area on the + Y side half of the wafer W using the position information of the above eight alignment marks detected after the start of the exposure operation.For example, it is detected before the start of the exposure operation. You can also use the position information of at least one alignment mark to calculate the position of the shot area on the + Y half of the wafer W! /.
  • the alignment mark detected before the start of the exposure operation The position of the shot area on the Y-side half of the wafer w is calculated using only the position information of the wafer w. Then, the position may be calculated using the position information of at least one alignment mark detected after the start of the exposure operation. In this case, in the second and subsequent different shot areas, the number of alignment mark position information detected after the start of the exposure operation may be varied. For example, the alignment mark position information detected after the start of the exposure operation is sequentially added to the alignment mark position information detected before the start of the exposure operation, and the positions of the second and subsequent shot areas are calculated. May be.
  • the exposure operation is started when the positions of at least the first shot area are calculated without having to calculate the positions of all the shot areas on the lower half of the wafer W before the exposure operation starts. May be.
  • the number of shot areas whose position is calculated before the start of the exposure operation and the number of shot areas whose position is calculated after the start of the exposure operation may not be the same.
  • the shot whose position is calculated before the start of the exposure operation The number of areas may be smaller than the number of shot areas whose positions are calculated after the start of the exposure operation.
  • move the wafer stage WST not only in the X axis direction but also in the X axis direction.
  • the configuration of the exposure apparatus is the same as that of the first embodiment, and only the detection sequence of the alignment mark on the wafer stage WST is different.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the explanation thereof is omitted.
  • FIG. 12A shows a state in which the first set of alignment marks is detected in the same manner as in the first embodiment (FIG. 7 in the first embodiment). Corresponding to B)).
  • Detection of the first set of alignment marks is completed in the state shown in Fig. 12 (A) (was the wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 stopped). Then, wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 start moving in the + Y direction. At this time, alignment systems ALG1 and ALG2 also start moving in the X-axis direction.
  • Alignment mark detection (second detection operation) is performed.
  • the second set of alignment marks is the first set of alignment marks in the Y-axis direction compared to the first embodiment (FIG. 8 (A)). It can be seen that the interval between and has increased.
  • wafer stage WST and alignment systems A LG1, ALG2 start decelerating in the same manner as in the first embodiment, and alignment systems A LG1, ALG2 Also start moving in the direction.
  • the wafer stage WST moves to the exposure start position shown in FIG. 14 (B). In this state, the alignment mark positioned almost at the center of the wafer W Is detected using the alignment system ALG2.
  • the main controller 50 statistically calculates the detection results of the 11 alignment marks and executes EGA alignment (that is, exposure on the wafer). The arrangement information of all shot areas to be processed is calculated).
  • alignment system ALG1, ALG2 is used while wafer stage WST moves from the loading position to the exposure start position.
  • the mark on the wafer is detected using the alignment systems ALG1 and ALG2 while moving a part of the wafer. For this reason, it is not necessary to provide the time for mark detection separately from the time for the wafer stage WST to move to the loading position force exposure start position as in the prior art. Therefore, the throughput in the entire exposure process can be improved. It becomes possible.
  • the detection of eleven alignment marks is performed.
  • the detection of ten or fewer alignment marks is performed. It is also good.
  • the wafer stage WST is stopped during the first, third, and fifth detection operations and during the eleventh alignment mark detection operation by the alignment system ALG2. Forced force These detection operations may be performed while the wafer stage WST is moving. In this case, the wafer stage WST may be moved so that the speeds in the X-axis and Y-axis directions do not become zero at the same time, and the 11 alignment marks may be detected during this movement.
  • the wafer stage WST is moving at a constant speed, for example, by controlling the alignment systems ALG1 and ALG2 in the order of deceleration ⁇ acceleration ⁇ constant speed, the Y-axis direction between the wafer and W and the alignment detection area It is possible to detect a plurality of alignment marks with different positions in the Y-axis direction on the wafer while changing the relative position of the position. Further, in each of the above embodiments, during the alignment mark detection operation, the positions of the detection areas of the alignment systems ALG1 and ALG2 in the Y-axis direction are made the same in the Y-axis direction of the detection areas of the alignment systems ALG1 and ALG2. The position may be different.
  • wafer stage WST moves along the Y-axis direction.
  • the force described for the case is not limited to this, and the wafer stage WST may be moved in the direction intersecting the X axis and the Y axis.
  • the alignment system may be moved in the direction intersecting the X axis and the Y axis so as to follow the movement of the wafer stage WST.
  • wafer stage WST may be moved only in the X-axis direction. In this case, it is preferable that the positions in the Y-axis direction of the plurality of alignment detection areas are different.
  • the alignment detection area of each alignment system is moved not only in the Y axis direction but also in the X axis direction.
  • the detection area of the system may be moved only in the Y-axis direction.
  • a plurality of alignment marks having the same position in the X-axis direction on the wafer, that is, different positions only in the Y-axis direction are detected by each alignment system.
  • the detection area of each alignment system moves only in the Y-axis direction.
  • the wafer stage WST moves not only in the Y-axis direction but also in the X-axis direction, or by providing three or more alignment systems.
  • the position and Z or number of alignment marks to be detected on the wafer can be arbitrarily set.
  • force mark detection when detecting a mark on wafer W during movement of wafer stage WST, force mark detection is performed so that wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2 are moved at a constant speed.
  • mark detection may be performed during acceleration or deceleration of wafer stage WST and alignment systems ALG1 and ALG2.
  • the relative speed between the detection area of the alignment ALG1 and ALG2 and the mark is almost zero. It should be noted that the detection area force of the alignment system during the detection of one mark may not be zero if the mark does not come off.
  • both the wafer stage WST and the alignment detection area are moved during detection of one mark.
  • the mark It is not necessary to move at least the alignment detection area during detection.
  • both the wafer stage WST and the alignment system detection area are not moved. Therefore, in order to detect a plurality of marks, the wafer stage WST is moved in the Y-axis direction. You can just step.
  • the alignment area of the alignment system and the Z or wafer stage WST may be moved in the X-axis direction when stepping the wafer stage WST in the Y-axis direction! /.
  • the wafer stage WST is moved along the Y axis after moving the loading position force parallel to the X axis, and then moved to the wafer exposure start position.
  • the movement path of the wafer stage WST from the loading position to the exposure start position is not limited to this.For example, the position of the loading stage WST moves to the exposure start position.
  • the mark on the wafer may be detected by the alignment system ALG1 or ALG2.
  • the alignment position is only during the movement to the loading position exposure start position and the wafer exposure operation, and in the second embodiment only during the movement from the loading position to the exposure start position. Marks on the wafer are detected by ALG1 and ALG2. 1S For example, mark detection may be performed only during the wafer exposure operation.
  • the rotation information of the alignment systems ALG1 and ALG2 is measured using the alignment system interferometer systems 69 and 169, and the rotation information of the alignment systems AL Gl and ALG2 is measured at the time of exposure.
  • the mark position information can be detected based on the position information and rotation information of the alignment systems ALG1 and ALG2 and the position information of the wafer W.
  • the detection area is moved by the movement of the alignment system ALG1 or ALG2 by the alignment system stage AST1 or AST2, instead of or in combination with the alignment system stage AST1 or AST2.
  • a mechanism for optically moving the detection region may be used.
  • the counter mass method may be applied to AST2.
  • mark detection may be performed while repeatedly moving along a uniaxial direction, or mark detection may be performed while moving a wafer stage along a uniaxial direction and a direction intersecting with the wafer stage. May be.
  • the detection target mark is in the alignment system detection field (detection area).
  • the next detection target mark is in the alignment system detection field.
  • the time to reach the state can be shortened. As a result, the number of marks that can be detected within a predetermined time can be increased, so that the exposure accuracy can be improved.
  • the liquid immersion device 132 is provided with one liquid supply nozzle and one liquid recovery nozzle as nozzle units.
  • the present invention is not limited to this.
  • the liquid immersion device 132 may have, for example, a mechanism that fills the space between the lowermost optical element and the adjacent optical element with the liquid.
  • any configuration may be used.
  • European Patent Application Publication No. 1420298 International Publication No. 2004Z055803 Pamphlet, International Publication No. 2004/0575 90 Pamphlet, International Publication No. 2005Z029559 (corresponding US Patent Application Publication No. 2006Z0231206)
  • An immersion apparatus can be used.
  • pure water water
  • the present invention is not limited to this.
  • a liquid it is chemically stable and the illumination light IL
  • a safe liquid having a high transmittance such as a fluorine-based inert liquid
  • a fluorinated inert liquid for example, Fluorinert (trade name of 3EM, USA) can be used.
  • This fluorine-based inert liquid is also excellent in terms of cooling effect.
  • a liquid having a refractive index with respect to the illumination light IL higher than that of pure water (with a refractive index of about 1.44), for example, 1.5 or more may be used.
  • the liquid examples include isopropanol having a refractive index of about 1.50, glycerol (glycerin) having a refractive index of about 1.61, a predetermined liquid having a C—H bond or an O—H bond, hexane, heptane, and the like.
  • Specific liquids (organic solvents) such as decane and decalin (Decalin: Decahydronaphthalene) having a refractive index of about 1.60.
  • any two or more of these predetermined liquids may be mixed, or the predetermined liquid may be added (mixed) to pure water.
  • pure water H +, Cs +, K +, Cl _, SO 2_
  • liquids include a projection optical system (tip optical material) with a small light absorption coefficient and low temperature dependency, and a photosensitive material (or protective film (topcoat) coated on the surface of Z or the wafer). Film) or antireflection film) is preferable. Also, F-lay
  • the recovered liquid may be reused.
  • a filter that removes impurities from the recovered liquid is provided in the liquid recovery device, the recovery pipe, or the like. It is desirable to keep it.
  • a part of the liquid immersion device 132 (for example, a liquid supply device and Z or a liquid recovery device) in which the exposure apparatus includes all of the liquid immersion devices 132 described above is exposed.
  • facilities such as a factory where an exposure apparatus is installed may be used instead of the apparatus.
  • the exposure apparatus provided with the projection optical system has been described as an example.
  • the present invention can be applied to an exposure apparatus that does not use the projection optical system. Even in an exposure apparatus that does not use a projection optical system, illumination light is irradiated onto a wafer via an optical member such as a lens, and a liquid immersion region is formed in a space between the optical member and the wafer.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to an exposure apparatus other than an immersion exposure apparatus, for example, a dry type exposure apparatus that exposes a wafer without using a liquid.
  • the present invention is adopted in an exposure apparatus having a stage apparatus including wafer stage WST and measurement stage MST has been described.
  • the present invention is not limited to this, and a single wafer is used.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus having a stage apparatus including a stage.
  • wafer stage WST does not decelerate between EGA2 and EGA4 in Fig. 11, and only alignment systems ALG1 and ALG2 are used. Adjust the relative positional relationship between wafer W and alignment ALG1, ALG2 by decelerating and accelerating.
  • an interferometer is used as a sensor for measuring the positions of alignment systems ALG1 and ALG2.
  • another sensor such as an encoder may be used.
  • the force is used to measure the position information of the reticle stage and wafer stage using an interferometer system.
  • a scale diffraction grating
  • An encoder system may be used.
  • the hybrid system includes both the interferometer system and the encoder system, and the measurement result of the encoder system is calibrated using the measurement result of the interferometer system.
  • the position of the stage may be controlled by switching between the interferometer system and the encoder system or using both.
  • the position in the height direction of the surface of the wafer W is measured using the surface shape detection device 125 while the wafer stage moves to the exposure start position.
  • the present invention is not limited to this, and it is also possible to use an oblique incidence type focal point position detection system as in the prior art.
  • magnification of the projection optical system in the exposure apparatus of each of the above embodiments may be not only a reduction system but also an equal magnification system and an enlargement system.
  • the projection optical system is not only a refraction system but also a reflection system and a reflection system.
  • Either a refractive system (catadioptric system) may be used, and the projected image may be an inverted image or an erect image.
  • illumination light is irradiated through the projection optical system.
  • the exposure area is an on-axis area including the optical axis within the field of view of the projection optical system. For example, as disclosed in WO 2004Z107011 (corresponding to US Patent Application Publication No. 2006Z0 121364), a plurality of exposure areas are used.
  • So-called inline-type catadioptric with a single optical axis and an optical system (reflective system or reflex system) that has a reflective surface and forms an intermediate image at least once. Similar to the system, an off-axis region that does not include the optical axis AX may be used.
  • the illumination light IL is not limited to ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), but also ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) and vacuum ultraviolet light such as F laser light (wavelength 157 nm).
  • a vacuum ultraviolet light a DFB semiconductor laser or a fiber laser force is oscillated and an infrared or visible single wavelength laser.
  • harmonics obtained by amplifying light with a single fiber amplifier doped with, for example, erbium (or both erbium and ytterbium) and converting the wavelength into the ultraviolet region using a nonlinear optical crystal may be used.
  • the illumination light IL of the exposure apparatus is not limited to light having a wavelength of lOOnm or more, but may be light having a wavelength of less than lOOnm.
  • EUV Extreme Ultraviolet
  • a soft X-ray region for example, a wavelength range of 5 to 15 nm
  • An EUV exposure system using an all-reflection reduction optical system designed under a wavelength (eg, 13.5 nm) and a reflective mask is being developed.
  • the present invention can be suitably applied to a powerful apparatus.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that uses charged particle beams such as electron beams or ion beams.
  • the present invention is applied to a scanning exposure apparatus such as a step 'and-scan' method.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this.
  • the invention may be applied.
  • the present invention can also be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus that synthesizes a shot area and a shot area.
  • force using a light transmission type mask (reticle) in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern “dimming pattern”) is formed on a light transmission substrate instead, as disclosed in, for example, US Pat. No.
  • an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed.
  • a variable shaping mask for example, DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator)
  • DMD Digital Micro-mirror Device
  • a deformable mask that can be applied, exposure is performed after the shot area exposed at the time of alignment mark detection among a plurality of divided areas on the wafer in consideration of the above-mentioned alignment mark detection result.
  • the relative position control between the wafer and the pattern image is performed by changing the transmission pattern or the reflection pattern to be formed based on the electronic data during the exposure of at least one other shot area. Also good.
  • an exposure apparatus (lithography system) that forms a line 'and' space pattern on a wafer by forming interference fringes on the wafer.
  • the present invention can also be applied.
  • JP-T-2004-519850 corresponding to US Pat. No. 6,611,316
  • two reticle patterns are synthesized on the wafer via the projection optical system.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of one shot area on a wafer almost simultaneously by one scan exposure.
  • the apparatus for forming a pattern on an object is not limited to the above-described exposure apparatus (lithography system), and the present invention can be applied to an apparatus for forming a pattern on an object by, for example, an ink jet method. .
  • an object in which the pattern is to be formed in the above embodiment is not limited to a wafer, such as a glass plate, a ceramic substrate, a master blank, or a film member. Other objects may be used.
  • the shape of the object The shape is not limited to a circle but may be other shapes such as a rectangle.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing.
  • an exposure apparatus for liquid crystal that transfers and forms a liquid crystal display element pattern on a square glass plate, an organic EL, a thin magnetic head, It can be widely applied to exposure devices for manufacturing image sensors (CCDs, etc.), micromachines, and DNA chips.
  • glass substrates or silicon wafers are used to manufacture reticles or masks used in optical exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc., which are made only with micro devices such as semiconductor elements.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
  • a semiconductor device has a function / performance design step of the device, a step of manufacturing a reticle based on this design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material,
  • the exposure method is manufactured through a lithography step for transferring a pattern formed on a reticle onto an object such as a wafer, a device assembly step (including a dicing step, a bonding step, a knocking step), an inspection step, and the like.
  • the exposure method of each of the above embodiments is executed in the lithography step and a device pattern is formed on the object, the productivity of a highly integrated device can be improved.
  • the exposure apparatus of each of the embodiments described above has various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application to maintain a predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy.
  • Manufactured by assembling In order to ensure these various accuracies, before and after this assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, For electrical systems, adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • Various subsystem powers The assembly process to the exposure equipment includes mechanical connections, electrical circuit wiring connections, and pneumatic circuit piping connections between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem prior to the assembly process to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustments are performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled. Industrial applicability
  • the pattern forming method and pattern forming apparatus of the present invention are suitable for forming a pattern on an object held by a moving body.
  • the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing micro devices.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

　ウエハステージ（ＷＳＴ）上にウエハ（Ｗ）を搬入するローディング位置からウエハ（Ｗ）に対する露光を開始する露光開始位置までウエハステージ（ＷＳＴ）が移動する間に、アライメント系（ＡＬＧ１，ＡＬＧ２）の少なくとも一部を移動させつつ、該アライメント系（ＡＬＧ１，ＡＬＧ２）を用いて、ウエハ（Ｗ）上の複数のマークを検出する。これにより、マーク検出に要する時間が短縮できるので、露光工程全体におけるスループットを向上することが可能となる。

Description

明 細 書
パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 技術分野
[0001] 本発明はパターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法に 係り、更に詳しくは、物体にパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成 装置、並びに前記パターン形成方法及びパターン形成装置を用いるデバイス製造 方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイス (電子デバイス)を製造するため のリソグラフイエ程では、マスク又はレチクル (以下「レチクル」と総称する）に形成され たパターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布された基板、例えばウェハ又はガ ラスプレート等の感光物体 (以下、「ウェハ」と総称する）上に転写する露光装置が用 いられている。
[0003] 半導体素子等は、ウェハ上に複数層のパターンを重ね合せて形成される。このた め、露光装置では、ウェハ上に既に形成されたパターンと、レチクルに形成されたパ ターンとを最適な相対位置関係にする操作 (ァライメント）が必要である。このァラィメ ントの方式として、 EGA (ェンハンスト ·グローバル ·ァライメント）方式が主として用い られている。この EGA方式では、ウェハ内の特定の複数のショット領域（サンプルショ ット領域又はァライメントショット領域とも呼ばれる）を予め選択しておき、それらのサン プルショット領域に付設されたァライメントマーク（サンプルマーク）の位置情報を順次 計測する。そして、この計測結果とショット領域の設計上の配列情報とを用いて、最小 自乗法等による統計演算を行なって、ウェハ上のショット領域の配列座標を求める。 そのため、 EGA方式では、高スループットで各ショット領域の配列座標を高精度に求 めることができる (例えば、特許文献 1参照)。
[0004] 上記のァライメントでは、複数のサンプルショット領域に付設されたァライメントマ一 クを計測するため、複数のァライメントマークがマーク検出系（ァライメント検出系）の 検出領域に順次位置付けられるような経路に沿って、ウェハを移動する必要がある。 従来、ウェハァライメント動作 (サンプルマークの計測動作）は、ウェハの露光開始に 先立って行われていたので、サンプルショット領域の数が増えると、計測に多大な時 間を要し、露光装置のスループットの低下を引き起こすおそれがある。
[0005] このため、最近においては、ウェハステージを 2つ用意し、一方のウェハステージで 露光を行って 、る間に他方のウェハステージでァライメントを行うと!、う、並行処理を 実行することで、露光工程全体のスループットを向上させようとする、いわゆるツイン ステージ方式のステージ装置が開発され、露光装置に採用されてきている。しかしな がら、ツインステージは高価であるため、ツインステージを用いずに、ァライメント動作 によるスループットの低下を抑制する技術の出現が望まれて 、る。
[0006] 特許文献 1 :特開昭 61— 44429号公報
発明の開示
課題を解決するための手段
[0007] 本発明は、上述した事情の下になされたものであり、第 1の観点力 すると、物体に パターンを形成するパターン形成方法であって、前記物体を移動させている間に、マ ーク検出系の少なくとも一部を移動させつつ、前記物体上のマークを検出する第 1ェ 程と；前記マークの検出結果を用いて、前記物体にパターンを形成する第 2工程と； を含む第 1のパターン形成方法である。
[0008] これによれば、物体を移動させている間に、マーク検出系の少なくとも一部を移動さ せつつ、物体上のマークを検出する。したがって、第 1工程及び第 2工程を含む全ェ 程のスループットを向上することが可能となる。
[0009] この場合において、マークの検出は、少なくとも物体を、該物体を保持して移動する 移動体に保持させるローデイング位置から物体に対するパターン形成を開始する位 置まで移動体が移動する間に行われることとしても良いし、少なくとも物体に対するパ ターン形成開始後（少なくともパターン形成処理中（例えば露光処理中））に行われる こととしても良い。
[0010] 本発明は、第 2の観点力 すると、物体にパターンを形成するパターン形成方法で あって、前記物体を移動させている間にマーク検出系の検出領域を移動させつつ前 記物体上のマークを検出する第 1工程と;前記マークの検出結果を用いて前記物体 にパターンを形成する第 2工程と；を含む第 2のパターン形成方法である。
[0011] これによれば、物体の移動中にマーク検出系の検出領域を移動させつつ物体上の マークを検出するので、物体の移動中にマーク検出を行うことで、マークの検出に要 する時間の短縮、ひいては全工程のスループットの向上を図ることが可能となる。
[0012] 本発明は、第 3の観点力 すると、物体にパターンを形成するパターン形成方法で あって、前記物体上のマークをマーク検出系で検出し、その検出結果を用いて前記 物体に対するパターン形成を開始するとともに、前記パターン形成開始後も前記マ ーク検出系で前記物体上のマークを検出し、前記パターン形成でその検出結果を用 V、る第 3のパターン形成方法である。
[0013] これによれば、物体上のマークの検出結果を用いて前記物体に対するパターン形 成を開始した後も、パターン形成と並行して物体上のマークを検出し、その検出結果 をパターン形成で用いるので、スループットを維持したまま、検出するマークの数を増 やすことが可能となる。これにより、スループットを維持したまま高精度なパターン形 成を実現することが可能となる。
[0014] 本発明は、第 4の観点力 すると、物体にパターンを形成するパターン形成方法で あって、前記物体を第 1方向に移動し、前記第 1方向と直交する第 2方向に関して位 置が異なる検出領域を有する複数のマーク検出系でそれぞれ、前記物体上で前記 第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出するとともに、前記マーク検出系 と異なる検出系によって前記物体の面形状に関する情報を検出し、前記 2つの検出 結果を用いて前記物体にパターンを形成する第 4のパターン形成方法である。
[0015] これによれば、物体を第 1方向に移動しつつ、第 1方向と直交する第 2方向に関し て位置が異なる検出領域を有する複数のマーク検出系それぞれで、物体上で第 1方 向に関して位置が異なる複数のマークを検出するので、マークの検出に要する時間 の短縮を図ることができる。また、マークの検出結果と物体の面形状に関する情報を 用いて物体にパターンを形成するので、高精度なパターン形成を行うことが可能とな る。
[0016] 本発明は、第 5の観点力 すると、移動体に保持された物体にパターンを形成する ノターン形成装置であって、少なくとも一部が移動可能なマーク検出系と;前記移動 体の移動中に、前記マーク検出系によって前記物体上のマークが検出されるように 前記マーク検出系の少なくとも一部を移動する制御装置と;を備える第 1のノターン 形成装置である。
[0017] これによれば、制御装置が、移動体の移動中に、マーク検出系の少なくとも一部を 移動させつつ、該マーク検出系により物体上のマークを検出する。したがって、パタ ーン形成工程全体のスループットを向上することが可能となる。
[0018] この場合において、制御装置は、マークの検出が、少なくとも物体を移動体に保持 させるローデイング位置力 物体の露光開始位置まで移動体が移動する間に行われ るように、マーク検出系の少なくとも一部の移動を制御することとしても良いし、マーク の検出が、少なくとも物体に対するパターン形成開始後 (少なくともパターン形成処 理中（例えば、露光処理中））に行われるように、マーク検出系の少なくとも一部の移 動を制御することとしても良 、。
[0019] 本発明は、第 6の観点力 すると、移動体に保持された物体にパターンを形成する ノターン形成装置であって、少なくとも一部が移動可能なマーク検出系と;前記移動 体の移動中に、前記マーク検出系によって前記物体上のマークが検出されるように、 前記マーク検出系の検出領域の移動を制御する制御装置と;を備える第 2のパター ン形成装置である。
[0020] これによれば、制御装置が、移動体の移動中にマーク検出系の検出領域を移動し て、該マーク検出系により物体上のマークを検出するので、移動体の移動中にマー ク検出を行うことにより、マークの検出に要する時間の短縮、ひいてはパターン形成 工程全体のスループットの向上を図ることが可能となる。
[0021] 本発明は、第 7の観点力 すると、移動体に保持された物体にパターンを形成する パターン形成装置であって、前記物体上のマークを検出するマーク検出系と；前記マ ーク検出系を用!、た前記物体上のマークの検出及び前記物体に対するパターン形 成を制御する制御装置と；を備え、前記制御装置は、前記物体上のマークをマーク 検出系で検出し、その検出結果を用いて前記物体に対するパターン形成を開始す るとともに、前記パターン形成開始後も前記マーク検出系で前記物体上のマークを 検出し、前記パターン形成でその検出結果を用いる第 3のパターン形成装置である。 [0022] これによれば、制御装置が、物体上のマークの検出結果を用いて物体に対するパ ターン形成を開始した後も、パターン形成と並行して物体上のマークを検出し、その 検出結果を用いてパターン形成を行うので、スループットを維持したまま、検出する マークの数を増やすことが可能となる。これにより、スループットを維持したまま高精 度なパターン形成を実現することが可能となる。
[0023] 本発明は、第 8の観点力 すると、移動体に保持された物体にパターンを形成する パターン形成装置であって、第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異なる検出 領域を有する複数のマーク検出系と;前記物体の面形状に関する情報を検出する検 出装置と;前記移動体を前記第 1方向に移動しつつ、前記複数のマーク検出系それ ぞれを用いて、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検 出するとともに、前記検出装置を用いて、前記物体の面形状に関する情報を検出し、 前記 2つの検出結果を用いて前記物体にパターンを形成する制御装置と；を備える 第 4のパターン形成装置である。
[0024] これによれば、制御装置が、物体を第 1方向に移動しつつ、第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異なる検出領域を有する複数のマーク検出系それぞれを用 、 て、物体上で第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出するので、マークの 検出に要する時間の短縮を図ることができる。また、マークの検出結果と物体の面形 状に関する情報を用いて物体にパターンを形成するので、高精度なパターン形成を 行うことが可能となる。
[0025] また、本発明の第 1〜第 4のパターン形成方法、本発明の第 1〜第 4のパターン形 成装置を用いて感応物体上にパターンを転写することにより、高集積度のマイクロデ バイスの生産性を向上することが可能である。従って、本発明は、更に別の観点から すると、本発明の第 1〜第 4のパターン形成方法、本発明の第 1〜第 4のパターン形 成装置を用いた感応物体上へのパターン転写工程を含むデバイス製造方法である とも言える。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1]第 1の実施形態に係る露光装置を示す概略図である。
[図 2]図 1のステージ装置を示す平面図である。 [図 3]ァライメント系ステージ装置の構成を示す図である。
[図 4]ァライメント系干渉計システムの構成を説明するための図である。
[図 5]ァライメント系干渉計システムの一部を拡大して示す図である。
[図 6]第 1の実施形態に係る露光装置の制御系を示すブロック図である。
[図 7]図 7 (A) ,図 7 (B)は、ウェハステージと計測ステージによる並行処理動作を説 明するための図（その 1)である。
[図 8]図 8 (A) ,図 8 (B)は、ウェハステージと計測ステージによる並行処理動作を説 明するための図（その 2)である。
[図 9]図 9 (A) ,図 9 (B)は、ウェハステージと計測ステージによる並行処理動作を説 明するための図（その 3)である。
[図 10]図 10 (A) ,図 10 (B)は、ウェハステージと計測ステージによる並行処理動作 を説明するための図（その 4)である。
[図 11]ウェハステージとァライメント系の移動速度を示すグラフである。
[図 12]図 12 (A) ,図 12 (B)は、第 2の実施形態にかかる、ウェハステージと計測ステ ージによる並行処理動作を説明するための図（その 1)である。
[図 13]図 13 (A) ,図 13 (B)は、第 2の実施形態にかかる、ウェハステージと計測ステ ージによる並行処理動作を説明するための図（その 2)である。
[図 14]図 14 (A) ,図 14 (B)は、第 2の実施形態にかかる、ウェハステージと計測ステ ージによる並行処理動作を説明するための図（その 3)である。
発明を実施するための最良の形態
[0027] 《第 1の実施形態》
以下、本発明の第 1の実施形態を図 1〜図 11に基づいて説明する。
[0028] 図 1には、第 1の実施形態に係る露光装置 100の構成が概略的に示されている。こ の露光装置 100は、ステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわ ゆるスキャナである。
[0029] 露光装置 100は、露光用照明光（以下、照明光又は露光光と呼ぶ) ILをレチクル R 上の照明領域 IARに照射する照明系 ILS、レチクル Rを保持するレチクルステージ R ST、レチクル Rから射出された照明光 ILをウェハ W上に投射する投影光学系 PLを 含む投影ユニット PU、ウェハ Wが載置されるウェハステージ WST及び露光のため の計測に用いられる計測ステージ MSTを含むステージ装置 150、ァライメント系 AL Gl、 ALG2 (ァライメント系 ALG2については図 3参照）、該ァライメント系 ALG1、 A LG2を 2次元面 (XY平面）内で移動するァクチユエータとしての駆動装置（以下、ァ ライメント系ステージ装置と呼ぶ） 160、及び露光装置全体の動作を統括制御する制 御系としての主制御装置 50 (図 1では不図示、図 6参照)等を含む。以下では、投影 光学系 PLの光軸 ΑΧと平行な方向（図 1では紙面内上下方向）に沿って Z軸を取り、 Z軸に垂直な平面内で走査露光時にレチクル Rとウェハ Wとが同期移動される所定 の走査方向（図 1では紙面内左右方向）に沿って Y軸を、その走査方向に直交する 非走査方向（図 1ではその紙面に垂直な方向）に沿って X軸を取って説明する。また 、 X軸、 Y軸、及び Z軸回りの回転 (傾斜)方向をそれぞれ θ X方向、 Θ y方向、及び Θ z方向とする。
[0030] また、露光装置 100は、投影光学系 PL及び液体 Lqを介して照明光 ILでウェハ W を露光する液浸露光装置である。本実施形態では、ウェハ Wが対向して配置され、 かつ照明光 ILを射出する光学部材、すなわち投影光学系 PLの、最も像面近くに配 置される光学素子 (以下では、終端光学素子、または最下端の光学素子とも呼ぶ）と ウェハ Wとの間の、照明光 ILの光路を含む液浸空間に液体 Lqを満たす局所液浸方 式を採用し、少なくとも一部（例えば、ノズルユニットなど）がボディ BDに設けられる液 浸装置 132を備える。液浸装置 132は、ノズルユニットを介して液浸空間に液体 Lqを 供給する液体供給装置 138、及びノズルユニットを介して液浸空間の液体 Lqを回収 する液体回収装置 139 (いずれも図 1では不図示、図 6参照）を含み、主制御装置 50 によって制御される。ノズルユニットは、投影光学系 PLの下端部を囲み、内部に液体 の流路を有する環状部材でもよいが、本実施形態では液体供給ノズル 131 A、及び 液体回収ノズル 131Bで構成される。
[0031] なお、ウェハ W上でマトリックス状に配列される複数のショット領域にはそれぞれパ ターンが形成され、かつショット領域毎にそのパターンと所定の位置関係でァライメン トマークも形成されている。本実施形態では、ァライメントマークは 2次元マークである 、例えば X軸及び Y軸方向にそれぞれ周期的に配列される 2つの 1次元パターンを 含み、かつウェハ w上で複数のショット領域を区画するストリートライン (スクライブライ ン）に形成されている。また、ウェハ W上のショット領域 (ァライメントマークを含む）の 配列情報はショットマップデータとして主制御装置 50のメモリに格納されて 、る。本 実施形態では前述の EGA方式を採用するので、ウェハ W上の複数のショット領域の うち、ァライメントマークを検出すべきショット領域の位置及び個数などに関する情報（ ァライメントショットデータ)も既に主制御装置 50に入力されている。また、ウェハステ ージ WST上のウェハ Wは、直交するストリートラインがそれぞれ X軸及び Y軸方向と ほぼ一致し、その表面に感光層（フォトレジスト層）が形成されている。本実施形態で は、撥液性を有する感光材料を用いてもよいし、あるいは感光層上に保護用のトップ コート膜を形成してもよい。
[0032] 照明系 ILSは、光源及び照明光学系を含む。前記光源としては、一例として ArFェ キシマレーザ光源（出力波長 193nm)が用いられている。また、照明光学系は、例え ば、所定の位置関係で配置された、ビーム整形光学系、エネルギ粗調器、ォプティ カル'インテグレータ（ュニフォマイザ、又はホモジナイザ）、照明系開口絞り板、ビー ムスプリッタ、リレーレンズ、レチクルブラインド、光路折り曲げ用のミラー及びコンデン サレンズ (いずれも不図示)等を含む。なお、照明系 ILSの構成、各光学部材の機能 などについては、例えば国際公開第 2002Z103766号パンフレット (及び対応米国 特許出願公開第 2003Z0098959号明細書）に開示されている。
[0033] 前記レチクノレステージ RST上には、回路パターンなどがそのパターン面（図 1にお ける下面）に形成されたレチクル Rが、例えば真空吸着により固定されている。レチク ルステージ RSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系 55によつ て、少なくとも XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向 (Y軸方向）に指 定された走査速度で駆動可能となって!/、る。
[0034] レチクルステージ RSTの位置情報（少なくとも X軸方向、 Y軸方向及び 0 z方向の 位置情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計 (以下、「レチクル干渉計」という） 53によ つて、移動鏡 65 (実際には、 Y軸方向に直交する反射面を有する Y移動鏡と X軸方 向に直交する反射面を有する X移動鏡とが設けられている）を介して、例えば 0. 5〜 lnm程度の分解能で常時検出される。このレチクル干渉計 53の計測値は主制御装 置 50に送られ、主制御装置 50は、このレチクル干渉計 53の計測値に基づいてレチ クルステージ駆動系 55を介してレチクルステージ RSTの位置 (及び速度）を制御す る。なお、移動鏡 65は平面鏡のみでなくコーナーキューブ型ミラー（レトロリフレクタ） を含むものとしてもよいし、移動鏡 65をレチクルステージ RSTに固設する代わりに、 例えばレチクルステージ RSTの端面 (側面）を鏡面加工して形成される反射面を用 いてもよい。
[0035] 前記投影ユニット PUは、図 1においてレチクルステージ RSTの下方に配置されて おり、床面 (又はベースプレートなど）上に配置されたボディ (例えば、防振ユニットが それぞれ設けられる 3つ又は 4つの支柱でベース部材が支持される保持機構を含む ) BDに形成された開口 BDaに挿入され、フランジ FLGを介してボディ BDによって支 持されている。投影ユニット PUは、鏡筒 140と、該鏡筒 140内に所定の位置関係で 保持された複数の光学素子を有する投影光学系 PLとを含む。投影光学系 PLとして は、例えば光軸 AXに沿って配列される複数のレンズ (レンズエレメント)から成る屈折 光学系が用いられている。この投影光学系 PLは、例えば両側テレセントリックで所定 の投影倍率 (例えば 1Z4倍、 1Z5倍又は 1Z8倍)を有する。このため、照明系 ILS 力もの照明光 ILによってレチクル R上の照明領域 IARが照明されると、このレチクル Rを通過した照明光 ILにより、投影光学系 PL (投影ユニット PU)を介してその照明領 域 IAR内のレチクル Rの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）力 表面にレジストが塗布されたウェハ W上の前記照明領域 IARに共役な領域 (以下、「 露光領域」又は「投影領域」とも呼ぶ) IAに形成される。なお、本実施形態では投影 ユニット PUをボディ BDに載置するものとした力 例えば国際公開第 2006Z03895 2号パンフレットに開示されているように、図 1中のボディ BDよりも上方（+Z側）に配 置されるメインフレームに対して投影ユニット PUを吊り下げ支持してもよ!/、。
[0036] また、本実施形態の露光装置 100では、少なくとも走査露光中、液浸装置 132によ つて、投影ユニット PUを介して照明光 ILが照射される露光領域 IAを含むウェハ W上 の一部に、露光領域 IAよりも大きくかつウェハ Wよりも小さい液浸領域を局所的に形 成する。投影ユニット PUの下端部近傍には、液浸装置 132の一部を構成するノズル ユニット、すなわち液体供給ノズル 131 Aと、液体回収ノズル 131Bとが設けられてい る。
[0037] 前記液体供給ノズル 131Aには、その一端が液体供給装置 138 (図 6参照）に接続 された不図示の供給管の他端が接続されている。また、前記液体回収ノズル 131B には、その一端が液体回収装置 139 (図 6参照）に接続された不図示の回収管の他 端が接続されている。
[0038] 主制御装置 50は、液体供給ノズル 131 Aを介して投影光学系 PLの最下端の光学 素子（レンズなど）とウェハ Wとの間に液体 (例えば、純水） Lqを供給するとともに、液 体回収ノズル 131Bを介して液体 Lqを回収する。このとき、主制御装置 50は、液体 供給ノズル 131 A力 供給される液体 Lqの量と、液体回収ノズル 131Bを介して回収 される液体 Lqの量とが常に等しくなるように、液体供給装置 138及び液体回収装置 1 39を制御している。従って、ウェハ W上には、一定量の液体 Lq (図 1参照）が保持さ れる。この場合、ウェハ W上で保持された液体 Lqは常に入れ替わつている。
[0039] なお、投影ユニット PU下方に計測ステージ MSTが位置する場合にも、上記と同様 に計測テーブル MTBと投影ユニット PUとの間に液体 Lqを満たす、すなわち液浸領 域を形成することが可能である。また、本実施形態では少なくとも液浸装置 132のノ ズルユニットをボディ BDに設けるものとした力 前述の如く露光装置 100がメインフレ ームに対して投影ユニット PUを吊り下げ支持する構成である場合、例えば投影ュ- ット PUとは独立にそのメインフレームから吊り下げ支持されるフレームにノズルュ-ッ トを設けてもよい。
[0040] 前記ステージ装置 150は、図 1、及びステージ装置 150の平面図である図 2に示さ れるように、ベース盤 112上に配置されたウェハステージ WST、及び例えば特開平 11— 135400号公報（対応国際公開第 1999Z23692号パンフレット）、特開 2000 — 164504号公報 (対応米国特許第 6,897,963号明細書)などに開示される、計測 用部材 (基準マーク、センサなど）を有する計測ステージ MSTと、これらのステージ W ST (ウェハ W)、 MSTの位置 (位置情報）を計測する干渉計システム 118 (図 6参照） と、ステージ WST、 MSTを駆動するステージ駆動系 124 (図 6参照）と、を含む。図 示していないが、ベース盤 112は、例えば 4つの防振ユニットを介して床面（又はべ ースプレートなど）上に配置されている。 [0041] ウェハステージ WST及び計測ステージ MSTの底面には、不図示の非接触軸受、 例えばエアベアリング (エアパッドとも呼ばれる）が複数ケ所に設けられており、これら のエアベアリングにより、ウェハステージ WST、計測ステージ MSTがベース盤 112 の上面に対して数/ z m程度のクリアランスを介して支持されている。また、各ステージ WST、 MSTは、ステージ駆動系 124によって、 XY平面内で互いに独立して駆動（ Θ z回転を含む）されるようになつている。
[0042] これを更に詳述すると、ウェハステージ WSTは、図 1に示されるように、上記エアべ ァリングがその底面に設けられたウェハステージ本体 91と、該ウェハステージ本体 9 1上に不図示の Z ·チルト機構（例えばボイスコイルモータなどのァクチユエ一タを含 んで構成される）を介して搭載され、ウェハステージ本体 91に対して Z軸方向、 θ χ方 向及び 0 y方向に微小駆動されるウェハテーブル WTBとを含んでいる。
[0043] ウェハテーブル WTB上には、ほぼ矩形で、その中央部にウェハ Wよりも僅かに大 きな内径の円形開口が形成された補助プレート (撥液プレート） 128が設けられてい る。また、円形開口の内部には、ウェハ Wを真空吸着等によって保持するウェハホル ダ (不図示）が設けられている。前記補助プレート 128は、液体 Lqに対して撥液ィ匕処 理された表面 (撥液面）を有し、その表面がウェハホルダによって吸着保持されたゥ エノ、 Wとほぼ面一となるように設定されている。なお、補助プレート 128は低熱膨張 率の材料、例えばガラス又はセラミックス（ショット社のゼロデュア（商品名）、 Al Oあ
2 3 るいは TiCなど)で形成され、その表面には、例えばフッ素榭脂材料、ポリ四フッ化工 チレン (テフロン (登録商標)）等のフッ素系榭脂材料、アクリル系榭脂材料、あるいは シリコン系榭脂材料などにより撥液膜が形成される。
[0044] 前記計測ステージ MSTは、上記エアベアリングがその底面に設けられた計測ステ ージ本体 92と、該計測ステージ本体 92上に不図示の Ζ ·チルト機構を介して搭載さ れた計測テーブル ΜΤΒとを含んで!/、る。
[0045] 前記計測テーブル ΜΤΒ (及び計測ステージ本体 92)には、各種計測用部材が設 けられている。この計測用部材としては、例えば、特開平 5— 21314号公報 (対応す る米国特許第 5, 243, 195号明細書)などに開示される複数の基準マークが形成さ れた基準マーク部材 FM、及び投影光学系 PLを介して照明光 ILを受光するセンサ などが含まれている。本実施形態ではこのセンサとして、例えば特開平 11— 16816 号公報 (対応米国特許出願公開第 2002Z0061469号明細書)などに開示される 照度モニタ、例えば特開昭 57— 117238号公報 (対応米国特許第 4,465,368号明 細書)などに開示される照度むらセンサ、例えば特開 2002— 14005号公報 (対応米 国特許出願公開第 2002Z0041377号明細書)などに開示される空間像計測器、 及び、例えば国際公開第 2003/065428号パンフレットなどに開示されるシャツク ハルトマン (Shack-Hartman)方式の波面収差計測器の少なくとも 1つが採用される
[0046] 本実施形態では、投影光学系 PLと液体 Lqとを介して照明光 ILによりウェハ Wを露 光する液浸露光が行われるのに対応して、照明光 ILを用いる計測に使用される上記 センサは、投影光学系 PL及び液体 Lqを介して照明光 ILを受光することとなる。また 、各センサは、例えば光学系などの一部だけが計測テーブル MTB (及び計測ステー ジ本体 92)に搭載されていても良いし、センサ全体が計測テーブル MTB (及び計測 ステージ本体 92)に配置されていても良い。なお、本実施形態では計測テーブル M TB (前述の計測用部材を含んでもよ!ヽ)の表面も撥液膜 (撥水膜)で覆われて！/ヽる。
[0047] 次に、ステージ駆動系 124について説明する。図 2の平面図に示されるように、ベ ース盤 112の +X側、—X側には、 Y軸方向に延びる一対の Y軸固定子 86、 87がそ れぞれ配置されている。これら Y軸固定子 86, 87はその内部に複数のコイルを有す る電機子ユニットによって構成されている。これら Y軸固定子 86、 87には、 X軸方向 に伸びる X軸固定子 80の長手方向の一端と他端とにそれぞれ設けられた一対の Y 軸可動子 82, 83がそれぞれ係合している。また、 Y軸固定子 86、 87には、 X軸方向 に伸びる X軸固定子 81の長手方向の一端と他端とにそれぞれ設けられた一対の Y 軸可動子 84, 85がそれぞれ係合している。 Y軸可動子 82、 84、 83、 85のそれぞれ は、複数の永久磁石を有する磁極ユニットによって構成されている。
[0048] すなわち、 Y軸固定子 86と Y軸可動子 82、 Y軸固定子 87と Y軸可動子 83、 Y軸固 定子 86と Y軸可動子 84、及び Y軸固定子 87と Y軸可動子 85によって、 Y軸可動子 8 2〜85を Y軸方向に駆動するムービングマグネット型の 4つの Y軸リニアモータがそ れぞれ構成されている。以下においては、上記 4つの Y軸リニアモータを、それぞれ の Y軸可動子 82〜85と同一の符号を用いて、適宜、 Y軸リニアモータ 82〜85と呼 ぶものとする。なお、 Y軸リニアモータとしては、ムービングコイル型のリニアモータを 採用することとしても良い。
[0049] 上記 4つの Y軸リニアモータのうち、 2つの Y軸リニアモータ 82、 83によって、 X軸固 定子 80と一体的に計測ステージ MSTが Y軸方向に駆動され、残り 2つの Y軸リニア モータ 84、 85によって、 X軸固定子 81と一体的にウェハステージ WSTが Y軸方向 に駆動される。また、ステージ MST、 WSTはそれぞれ 2つの Y軸リニアモータによつ て Θ z方向に微小駆動される。
[0050] 前記 X軸固定子 80, 81のそれぞれは、例えば X軸方向に沿って所定間隔で配置 された電機子コイルを内蔵する電機子ユニットによって構成されている。 X軸固定子 8 1は、ウェハステージ WSTを構成するウェハステージ本体 91 (図 1参照）に形成され た不図示の開口に挿入されている。ウェハステージ本体 91の上記開口の内部には、 例えば磁極ユニットから成る不図示の X軸可動子が設けられている。すなわち、 X軸 固定子 81と X軸可動子とによりウェハステージ WSTを X軸方向に駆動するムービン グマグネット型の X軸リニアモータが構成されている。以下では、適宜、この X軸リニア モータを、その固定子である X軸固定子 81と同一の符号を用いて、 X軸リニアモータ 81と呼ぶ。
[0051] また、 X軸固定子 80は、計測ステージ MSTを構成する計測ステージ本体 92 (図 1 参照）に形成された不図示の開口に挿入されている。この計測ステージ本体 92の上 記開口の内部には、磁極ユニットから成る不図示の X軸可動子が設けられている。す なわち、 X軸固定子 80と X軸可動子とによって、計測ステージ MSTを X軸方向に駆 動するムービングマグネット型の X軸リニアモータが構成されている。以下では、適宜 、この X軸リニアモータを、その固定子である X軸固定子 80と同一の符号を用いて、 X軸リニアモータ 80と呼ぶ。なお、 X軸リニアモータ 80、 81としては、ムービングコィ ル型のリニアモータを採用することとしても良い。
[0052] 本実施形態では、 Y軸リニアモータ 82〜85及び X軸リニアモータ 80, 81、並びに ウエノ、ステージ WST、計測ステージ MSTがそれぞれ有する Z ·チルト機構によって、 図 6に示されるステージ駆動系 124が構成されて 、る。このステージ駆動系 124を構 成する上記各リニアモータ力 図 6に示される主制御装置 50によって制御される。な お、本実施形態では投影光学系 PLに対して計測ステージ MSTと反対側（+Y側） に、不図示の搬送装置（ウェハローダ）によってウェハ Wが移送されるローデイング位 置 WEPが設定されて!、る。ウェハステージ WSTはこのローデイング位置 WEPまで 移動してウェハ Wを載置した後、投影光学系 PLの直下 (前述の露光領域）に向けて 移動する。そして、ウェハ Wの露光処理が終了した後、ウェハステージ WSTはアン口 ーデイング位置 (本実施形態ではローデイング位置と同じ位置とする）まで移動し、露 光処理済みのウェハ Wのアンロード、及び次に露光処理すべきウェハのロード（ゥェ ハの交換）が行われる。
[0053] ウェハステージ WST (ウェハ W)及び計測ステージ MSTの位置情報は、図 6の干 渉計システム 118によって、ウェハテーブル WTB及び計測テーブル MTBの側面（ 鏡面加工された反射面）を介して、例えば 0. 5〜： Lnm程度の分解能で常時検出され る。干渉計システム 118は、図 2に示されるウェハステージ WSTの Y軸方向の位置（ Θ z方向の位置を含む）を検出するための Y干渉計 16、計測ステージ MSTの Y軸方 向の位置（ Θ z方向の位置を含む）を検出するための Y干渉計 18、各ステージの X軸 方向の位置を検出するための X干渉計 24, 26、及びウェハテーブル WTBの Z軸方 向の位置（ θ X方向及び Θ y方向の位置を含む）を検出するための Z干渉計 (不図示 )等を含む。干渉計システム 118の計測値は、主制御装置 50に送られ、主制御装置 50は、この干渉計システム 118の計測値に基づ!/、てステージ駆動系 124を介して各 ステージ WST, MST (及び各テーブル WTB、 MTB)の位置などを制御する。なお 、各テーブルの側面を鏡面加工するのに代えて、各テーブルに移動鏡を設けることと しても良い。また、干渉計システムとともに、又はこれに代えて、例えばリニアェンコ一 ダ等により各ステージの位置を検出することとしても良い。
[0054] さらに、本実施形態の露光装置 100には、前述のローデイング位置 WEPとウェハ Wの露光開始位置との間にそれぞれ検出領域を有し、投影光学系 PLの光軸 AXと 垂直な所定面 (XY平面）内で独立にその検出領域の位置が可変であるオフ'ァクシ ス方式のァライメント系 ALG1、 ALG2が設けられている。このァライメント系 ALG1, ALG2は、上記所定面内で検出領域を移動させるために、ァライメント系ステージ装 置 160によってその少なくとも一部、例えば光源を除く一部（対物光学系及び受光素 子などを含む）が可動となっている。したがって、ウェハステージ WSTの移動中にァ ライメント系 ALG1, ALG2の一部をそれぞれ移動することにより、その検出領域がゥ ェハステージ WST上のマーク（ウェハ Wのァライメントマークなど）と所定の位置関係 で移動し、これによりウェハステージ WSTの移動中にマークの検出が可能となって いる。
[0055] なお、本実施形態では、ァライメント系 ALG1, ALG2が画像処理方式であるため、 ウエノ、ステージ WSTの移動中にマークが検出領域力 外れな 、ようにァライメント系 ALG1, ALG2の一部を移動する。このため、少なくともマーク検出（撮像）が行われ る所定時間中はマークと検出領域との相対速度がほぼ零となるようにァライメント系 A LG1, ALG2の一部を移動することが好ましい。また、本実施形態では少なくともゥェ ハステージ WSTが前述のローデイング位置 WEPからウェハ Wの露光開始位置まで 移動する間に、ァライメント系 ALG1, ALG2によってそれぞれウェハ W上の複数の ァライメントマークの検出が行われ、ウェハ W上で露光処理すべき M個のショット領域 の全部、あるいはその一部（例えば、第 n番目（l≤n≤M—lなる整数)までのショット 領域)を走査露光するために、その検出された複数のマークの位置情報が用いられ る。ここで、本実施形態におけるウェハ Wの露光開始位置は、ウェハ W上で最初に 露光処理すべき第 1番目のショット領域が走査開始位置 (加速開始位置）に設定され るときのウェハ W (ウェハステージ WST)の位置である。更に、本実施形態ではゥェ ハ W (第 1ショット領域）の露光開始後もァライメント系 ALG1, ALG2の少なくとも一 方によるマーク検出が行われ、第 2番目以降のショット領域の全部あるいはその一部 を走査露光するために、その検出されたマークの位置情報が用いられる。
[0056] また、本実施形態の露光装置 100では、投影ユニット PUを保持するボディ BDに面 形状検出装置 125 (図 6参照)を備えるようにしても良い。この面形状検出装置 125 は、ウェハステージ WST上のウェハ Wに対し、例えばウェハ Wの直径より長いライン 状のビームを斜入射させる照射系と、該照射系により照射されたビームの反射光を 受光する検出器、例えば 1次元 CCDセンサ又はラインセンサなどを有する受光系と を含む。ここで、照射系から照射されるライン状のビームは、実際には、複数の点状（ またはスリット状）のレーザ光が、例えば前述のローデイング位置 WEPと露光開始位 置との間で X軸方向に関して離れて並ぶことによって形成されたビームであり、照射 領域は、実際には、複数の点状のビームの照射領域の集合となっている。したがって 、公知の多点 AF系の検出原理と同じ原理で、複数の点状の照射領域を計測点とし て、各計測点でのウェハ Wの Z位置（ウェハ Wが移動する所定面 (XY平面）と垂直な Z軸方向に関する位置情報）を検出することができる。主制御装置 50では、この計測 結果に基づいて、ウェハ Wの露光対象面の面形状に関する情報を検出することがで きる。
[0057] したがって、露光開始前（例えば、前述のローデイング位置 WEP力 露光開始位 置までの移動時）に、この面形状検出装置 125の照射領域に対してウェハ Wを相対 的に移動し、主制御装置 50は、干渉計システム 118による計測値 (ウェハの位置）と 、該検出装置 125による検出結果とに基づいてウェハ表面の Z位置情報の分布を算 出する。そして、主制御装置 50は、露光動作の際に、前記算出結果に基づいて、ゥ ェハテーブル WTBの Z軸方向に関する位置、姿勢を制御することとしている。本実 施形態では、面形状検出装置 125によるウェハの Z位置情報の検出動作の少なくと も一部が、ァライメント系 ALG1, ALG2によるマーク検出動作 (後述）と並行して行わ れるので、露光開始前の Z位置情報の検出によるスループットの低下を抑えることが 可能となっている。なお、面形状検出装置 125の照射領域を、例えば Y軸方向に関 して露光領域 IA (液体 Lqの液浸領域）とァライメント系 ALG1, ALG2の検出領域と の間で、 X軸方向とほぼ平行に配置することが好ましい。この場合、ウェハステージ W STをローデイング位置 WEP力 露光開始位置まで移動して ヽる間に Z位置情報の 検出動作が全て行われるので、露光精度及びスループットの両方を向上させることが できる。また、前述の如く露光装置 100がメインフレームに対して投影ユニット PUを 吊り下げ支持する構成である場合、例えば投影ユニット PUとは独立にメインフレーム 力も吊り下げ支持される計測フレームに、面形状検出装置 125の少なくとも一部を設 けてもよい。
[0058] 前記ァライメント系ステージ装置 160は、図 1に示されるように、前記ボディ BDとは 振動的に分離して設けられたフレーム FRと、該フレーム FRの下面側に設けられた定 盤 BS1、 BS2 (図 1では定盤 BS2は不図示、図 3参照）と、ァライメント系 ALG1, AL G2を支持し、定盤 BS1、 BS2のそれぞれの下面を移動基準面として X軸及び Y軸方 向に移動するァライメント系ステージ AST1、 AST2 (ァライメント系ステージ AST2に ついては図 3参照）と、を含む。
[0059] 前記フレーム FRは、不図示ではあるが、その四隅部で、床面（又はベースプレート など）から立設された 4本の支持柱で支持されている。このフレーム FRは、 YZ断面が 逆 U字状の部材力 成り、その +Y側端部及び Y側端部に、後述するァライメント 系ステージ AST1、AST2を駆動するリニアモータの固定子が固定されている。
[0060] 前記定盤 BS1、 BS2のそれぞれは、その下面（一 Z側の面）の平坦度が非常に高く 加工された板状部材から成り、フレーム FRから、複数 (例えば 3つ）の防振機構 162 を介して吊り下げ支持されている。この防振機構 162は、例えば、ピストンとシリンダと を有し、定盤 BS1 (又は BS2)の自重を、ピストンとシリンダとの間に形成された気体 室内の気体の圧力を利用して支持する支持装置と、該支持装置のピストンを駆動す るボイスコイルモータとを含む。
[0061] 前記ァライメント系ステージ AST1は、図 3に示されるように、 Y軸方向に移動可能 な Yステージ 42と、該 Yステージ 42に対して X軸方向に移動可能な Xステージ 40とを 含んでいる。
[0062] 前記 Yステージ 42は、平面視（下方力 見て）略台形状の形状を有し、フレーム FR に固定された Y軸固定子 46と、 Yステージ 42の +X側端部に固定された Y軸可動子 48とを含む Yリユアモータ YLM 1により Y軸に沿つて駆動される。前記 X テージ 40 は、 Yステージ 42の下面（一 Z側面）に固定された X軸方向を長手方向とする一対の X軸固定子 52A、 52Bと、 X テージ 40の +Y側の端部及び—Y側の端部に固定さ れた一対の X軸可動子 54A, 54Bとを含む一対の Xリニアモータ XLM1、 XLM2に より、 X軸に沿って駆動される。
[0063] なお、一方の Xリニアモータ XLM2内には、 Xステージ 40に Y軸方向の駆動力を作 用させるボイスコイルモータも併設されており、 X テージ 40を Y軸方向に微小駆動 することが可能となっている。また、 Xリニアモータ XLM1, XLM2の X軸に沿った駆 動力を異ならせることにより、 テージ 40を Θ z方向に回転駆動させることが可能と なっている。
[0064] 前記ァライメント系 ALG1は、対物レンズ等を含む光学系、及び撮像素子 (例えば CCD)等を含んでいる。ァライメント系 ALG1の一部を構成する CCD周辺には液体 が流れる配管が設けられ、該配管を流れる液体により CCDが液冷される。これにより 、対物レンズ等を含む光学系に CCDを接近して配置することができるので、ァラィメ ント系 ALG1を小型化することが可能となっている。ここで、ァライメント系 ALG1の光 源については、ァライメント系ステージによって移動させず、ァライメント系ステージの 外部に設け、光ファイバ一などで接続することとしている。なお、これに限らず、外部 に設けられた光源からのビームをァライメント系 ALG1の光学系に伝送する、ミラーな どを含むリレー光学系を用いても良い。なお、ァライメント系 ALG1は画像処理方式 に限られるものではなぐその他、各種方式のセンサを用いることもできる。例えば、コ ヒーレントなレーザビームの照射によってァライメントマーク力 発生する回折光を検 出するセンサでもよい。また、 CCDの冷却方式は液冷に限られず空冷でも良い。
[0065] 図 3に示されるように、 Yステージ 42と X テージ 40の下面（一 Z側面）には、ァライ メント系干渉計システム 69 (図 6のみに図示）を構成する各種光学部材が配置されて いる。本実施形態の干渉計システム 69はダブルパス方式を採用し、ァライメント系ス テージ AST1 (すなわち、ァライメント系 ALG1)の X軸及び Y軸方向の位置情報と、 θ χ、 Θ y及び Θ z方向の回転情報とを計測するものである。
[0066] 以下、ァライメント系干渉計システム 69について図 4に基づいて説明する。この干 渉計システム 69は、図 4に示されるセンサヘッド部 68、 Yステージ 42に設けられた第 1、第 2の折り曲げミラー部 72、 73、 Xステージ 40に設けられた 2つの光学ユニット 74 、 75、及び X固定鏡 70X、 Y固定鏡 70Y1等を含んでいる。 X固定鏡 70Xは、 +X側 及び X側の側面がそれぞれ鏡面加工されて反射面が形成され、 Y固定鏡 70Y1は 、—Y側の側面が鏡面カ卩ェされて反射面が形成されている。センサヘッド部 68、 X固 定鏡 70X、及び Y固定鏡 70Y1は、投影ユニット PUを支持するボディ BDに固定され ている。なお、 X固定鏡 70Xは、フレーム FRの一部に形成された開口部を介してボ ディ BDに接続された支持部材 77 (図 3参照）に吊り下げ支持されている。
[0067] 前記センサヘッド部 68は、その内部に光源、光学系、並びに複数の検光子 (偏光 子)及び複数の光電変換素子、折り曲げミラー等を内蔵して 、る。
[0068] 前記第 1の折り曲げミラー部 72及び第 2の折り曲げミラー部 73は、それぞれプリズ ム（又はミラー）を含んでいる。プリズム（又はミラー）は、 XZ面及び YZ面に対して 45 ° の角度をなす反射面を有している。
[0069] 第 1の折り曲げミラー部 72は、センサヘッド部 68から出力されたビーム BM1 (実際 には、ビーム BM1は上下方向（Z軸方向）に離間した 2本のビーム力 構成されるが 、説明の煩雑ィ匕を避けるため、以下の説明では、 1本であるものとして説明する）を反 射し、前述の光学ユニット 74に入射させる。また、第 2の折り曲げミラー部 73は、他方 のビーム BM2 (実際には、ビーム BM2は上下方向（Z軸方向）に離間した 2本のビー ムカも構成される）を反射し、光学ユニット 75に入射させる。
[0070] 前記ビーム BM1が入射する光学ユニット 74は、ミラー 74aと、該ミラー 74aの +Y側 に所定間隔をあけて設けられた光学部材 74bとを含む。
[0071] 光学部材 74bは、図 5に拡大して示されるように、偏光ビームスプリッタ（PBS) 49a 、コーナーキューブ型ミラー（レトロリフレクタ) 49b、四分の一波長板（え Z4板) 49c,
49d、及び参照鏡 49e等が一体化されて構成されて 、る。
[0072] この光学部材 74bによると、ミラー 74aで反射したビーム BM1は、偏光ビームスプリ ッタ 49aに入射する。そして、この偏光ビームスプリッタ 49aに入射したビーム BM1は 、その内部の多層膜等力 なる分離面を透過する P偏光成分力 成る参照ビーム RB Xと、分離面で反射される S偏光成分から成る測定ビーム MBXとに分離される。
[0073] そして、上記分離面で反射された測定ビーム MBXは、 λ Ζ4板 49cを透過して円 偏光に変換されて固定鏡 70Xで反射される。
[0074] 上記固定鏡 70Xで反射された測定ビームは、 λ Z4板 49cを再度透過して P偏光と なり、上記分離面を透過してコーナーキューブ型ミラー 49bで折り返される。そして、 この折り返された測定ビーム MBXは、上記分離面及び λ Ζ4板 49cを透過し、円偏 光となって再度固定鏡 70Xで反射され、この反射された測定ビームは λ Ζ4板 49cを 透過して S偏光となって上記分離面で反射され、ミラー 74a、第 1の折り曲げミラー部 72を介して、センサヘッド部 68に戻る。
[0075] 一方、上記分離面を透過した参照ビーム（P偏光成分）は、 λ Ζ4板 49dを透過して 円偏光となり、ミラー 49eの反射面で反射されて λ Z4板 49dを再度透過し、 S偏光と なって上記分離面で反射されて、コーナーキューブ型ミラー 49bで折り返される。そし て、この折り返された参照ビームは、上記分離面で再度反射されて λ Ζ4板 49dを透 過し、円偏光となってミラー 49eで反射され、この反射された参照ビームは λ Ζ4板 4 9dを透過して Ρ偏光となって上記分離面を透過し、前述の測定ビームの戻り光（S偏 光）と同軸に合成され、ミラー 74a、及び第 1の折り曲げミラー部 72で反射されてセン サヘッド部 68内の検出ユニットの検光子を通過する。これにより、その検光子から測 定ビーム MBXと参照ビーム RBXとの干渉光が出力され、該干渉光が光電変換素子 で受光され、固定鏡 70Xを基準としたァライメント系ステージ AST1の X軸方向の位 置情報が主制御装置 50に送られる。前述の如ぐビーム BM1は Z軸方向に離間した 2本のビーム力も構成されるので、主制御装置 50はその 2本のビームによってそれぞ れ得られる X軸方向の位置情報から、ァライメント系ステージ AST1 (ァライメント系 A LGl)の X軸方向の位置情報だけでなぐ Θ y方向の回転情報（ローリング量)も検出 する。
[0076] 前記光学ユニット 75は、図 5に拡大して示されるように、光学部材 75a, 75bと、折り 曲げミラー 75c, 75dとを含んでいる。
[0077] 光学部材 75aは、偏光ビームスプリッタ 51aと、該偏光ビームスプリッタ 51aの +Y側 の側面に設けられた λ Ζ4板 51cと、ハーフミラー 51b及びミラー 51dとを含んでいる
。光学部材 75bは、偏光ビームスプリッタ 52aと、該偏光ビームスプリッタ 52aに設けら れたえ /4板 52cと、ミラー 52b、ミラー 52dとを含んで!/ヽる。
[0078] 光学部材 75aでは、ミラー 73で反射したビーム BM2が、ハーフミラー 5 lbに入射し
、該ハーフミラー 51bで反射する第 1ビーム BM2aとそのまま進行する第 2ビーム BM
2bとに分離される。
[0079] 第 1ビーム BM2aは、偏光ビームスプリッタ 5 laの分離面を透過する P偏光成分から なる測定ビームと、分離面で反射される S偏光成分からなる参照ビームとに分離され る。
[0080] 上記分離面を透過した測定ビームは、 λ Ζ4板 51cを透過して円偏光となって固定 鏡 70Y1で反射された後、 λ Ζ4板 51cを透過して S偏光となって上記分離面及びミ ラー 51dで反射される。そして、この反射された測定ビームは、 λ Ζ4板 51cを透過し て円偏光となって再度固定鏡 70Y1で反射された後、 λ Ζ4板 51cを透過して Ρ偏光 となり、ミラー 5 Idを介して上記分離面を透過し、図 4の第 2の折り曲げミラー部 73を 介してセンサヘッド部 68に戻る。
[0081] 一方で、上記分離面で反射された参照ビームは、偏光ビームスプリッタ 5 laで反射 された後、第 2の折り曲げミラー 73を介してセンサヘッド部 68に戻る。この参照ビーム は、測定ビームの戻り光 (P偏光）と同軸に合成されて、センサヘッド部 68内の検出ュ ニットの検光子を通過する。これにより、その検光子力も測定ビームと参照ビームとの 干渉光が出力され、該干渉光が光電変換素子で受光され、固定鏡 70Y1を基準とし たァライメント系ステージ AST1の Y軸方向の位置情報が主制御装置 50に送られる。
[0082] 一方、ハーフミラー 51bを透過した第 2ビーム BM2bは、ミラー 52bで反射され、偏 光ビームスプリッタ 52aの分離面を透過する P偏光成分力 なる測定ビームと、分離 面で反射される S偏光成分力 なる参照ビームとに分離される。
[0083] 上記偏光ビームスプリッタ 52aを透過した測定ビームは、 λ Z4板 52cを透過して円 偏光となって固定鏡 70Y1で反射された後、 λ Ζ4板 52cを透過して S偏光となって 上記分離面及びミラー 52dで反射される。そして、この反射された測定ビームは、 λ Ζ4板 52cを透過して円偏光となって再度固定鏡 70Y1で反射された後、 λ Ζ4板 5 2cを透過して Ρ偏光となり、ミラー 52dを介して上記分離面を透過し、ミラー 75c、 75d 及び図 4の第 2の折り曲げミラー部 73を介してセンサヘッド部 68に戻る。
[0084] 一方、偏光ビームスプリッタ 52aで反射された参照ビームは、ミラー 75c、 75d及び 第 2の折り曲げミラー 73を介してセンサヘッド部 68に戻る。この参照ビームは、測定 ビームの戻り光 (P偏光）と同軸に合成されて、センサヘッド部 68内の検出ユニットの 検光子を通過する。これにより、その検光子から測定ビームと参照ビームとの干渉光 が出力され、該干渉光が光電変換素子で受光され、固定鏡 70Y1を基準としたァライ メント系ステージ AST1の Y軸方向の位置情報が主制御装置 50に送られる。前述の 如くビーム BM2a、 BM2bはそれぞれ Z軸方向に離間した 2本のビーム力も構成され るので、主制御装置 50はその 4本のビームによってそれぞれ得られる Y軸方向の位 置情報から、ァライメント系ステージ AST1 (ァライメント系 ALG1)の Y軸方向の位置 情報だけでなぐ Θ Z方向の回転情報 (ョーイング量）、及び Θ X方向の回転情報 (ピッ チング量)も検出する。
[0085] 図 3に戻り、他方のァライメント系 ALG2を移動するァライメント系ステージ AST2も 左右対称ではある力 ァライメント系ステージ AST1と同様の構成となっている。
[0086] すなわち、ァライメント系ステージ AST2は、 Y軸方向に移動可能な Yステージ 142 と、該 Yステージ 142に対して X軸方向に移動可能な Xステージ 140とを含んでいる。
[0087] 前記 Yステージ 142は、フレーム FRに固定された Y軸固定子 146と、 Yステージ 14 2の一 X側端部に固定された Y軸可動子 148とを含む Yリニアモータ YLM2により Y 軸方向に駆動され、前記 Xステージ 140は、 Yステージ 142の下面（—Z側面）に固 定された X軸方向を長手方向とする一対の X軸固定子 152A、 152Bと、 Xステージ 1 40の— Y側及び + Y側端面に固定された一対の X軸可動子 154A, 154Bとを含む 一対の Xリニアモータ XLM3、 XLM4により、 X軸方向に駆動及び 0 z方向に回転駆 動される。なお、 Xリニアモータ XLM4には前述の X テージ 40と同様にボイスコイル モータが併設され、 テージ 140を Y軸方向に微小駆動することが可能となってい る。
[0088] 前記ァライメント系 ALG2は、ァライメント系 ALG1と全く同一構成の画像処理方式 のァライメント系であるので、ここではその説明を省略する。
[0089] また、 Yステージ 142と X テージ 140の下面（一 Z側面）には、ァライメント系干渉 計システム 169 (図 6のみに図示）を構成する各種光学部材が配置されている。
[0090] 前記ァライメント系干渉計システム 169は、左右対称ではある力 前述のァライメント 系干渉計システム 69と同様の構成、機能を有しており、ここでは説明を省略するが、 センサヘッド部 168と、 Xステージ 140、 Yステージ 142上に設けられた各種光学部 材とを含んでいる。本実施形態の干渉計システム 169は、ボディ BDに設けられた固 定鏡 70X(— X側の反射面)及び固定鏡 70Y2 (— Y側の反射面）を基準として、ァラ ィメント系ステージ AST2 (ァライメント系 ALG2)の X軸及び Υ軸方向の位置情報と、 θ χ、 Θ y及び Θ z方向の回転情報を検出することが可能となっている。
[0091] なお、本実施形態では定盤 BS1, BS2がそれぞれ防振機構 162を介してフレーム FRに支持されるものとしたが、例えば床面 (又はベースプレートなど）上に防振機構 162を介してフレーム FRを設置し、定盤 BS1, BS2はフレーム FRに固定するだけで も良い。また、本実施形態ではァライメント系 ALG1、 ALG2及びステージ装置 160 をフレーム FRに設けて!/、るが、前述の如く露光装置 100力メインフレームに対して投 影ユニット PUを吊り下げ支持する構成である場合、例えば投影ユニット PUと一体に ァライメント系 ALG1、 ALG2及びステージ装置 160を吊り下げ支持してもよいし、あ るいは投影ユニット PUとは独立にメインフレームから吊り下げ支持される計測フレー ムにァライメント系 ALG1、 ALG2及びステージ装置 160を設けてもよい。また、ァラ ィメント系干渉計システム 69、 169の少なくとも一部を、ァライメント系 ALG1、 ALG2 とともに計測フレームに設けてもよい。さらに、ァライメント系 ALG1、 ALG2と前述の ノズルユニットとを同一の計測フレームに設けてもよいし、あるいは異なる計測フレー ムに設けてもよい。
[0092] 図 6には、本実施形態の露光装置 100における、制御系の主要な構成がブロック 図にて示されている。この図 6の制御系は、 CPU (中央演算処理装置）、 ROM (リー ド ·オンリ'メモリ）、 RAM (ランダム ·アクセス 'メモリ）等から成る!/、わゆるマイクロコンビ ユータ (又はワークステーション）を含んで構成され装置全体を統括して制御する主 制御装置 50を中心として構成されている。
[0093] 次に、上記のように構成される露光装置 100におけるウェハステージ WSTと計測ス テージ MSTとを用いた並行処理動作にっ 、て、図 7 (A)〜図 11に基づ 、て詳細に 説明する。なお、各部の制御は主制御装置 50で行われる力 説明の煩雑を避けるた め、その説明は特に必要な部分を除き省略するものとする。また、以下の動作中、主 制御装置 50によって、液浸装置 132の液体の供給動作及び回収動作が制御され、 投影光学系 PLの最下端の光学素子の下側には常時液体 Lqの液浸領域が形成さ れている。
[0094] また、ァライメント系 ALG1、 ALG2の位置を計測するァライメント系干渉計システム 69、 169の座標系と、ウェハステージ WSTの位置を計測する干渉計システム 118の 座標系との関係は、例えば計測ステージ MST上の基準マーク等を用 、て事前に計 測されているものとする。すなわち、ァライメント系 ALG1、 ALG2による計測ステージ MSTの基準マークの検出時に、干渉計システム 69、 169から得られるァライメント系 ALG1、 ALG2の位置と、干渉計システム 118から得られる計測ステージ MSTの位 置とに基づいて、その関係 (換言すれば、干渉計システム 118の座標系上でのァライ メント系 ALG1、 ALG2の検出中心の位置）を求めておく。本実施形態では、上記関 係、前述のショットマップデータ（ァライメントシヨットデータを含む）、及び干渉計シス テム 69、 169、 118の計測値に基づいてァライメント系 ALG1、 ALG2を移動し、ゥェ ハ W上のァライメントマークの検出を行う。また、ァライメント系 ALG1、 ALG2のべ一 スライン (投影光学系 PLによるレチクルパターンの投影位置とァライメント系 ALG1、 ALG2の検出中心との位置関係、又は距離)の計測も既に行われ、主制御装置 50 はその計測時におけるァライメント系 ALG1、ALG2の位置と対応付けてベースライ ンをメモリに格納しているものとする。このベースライン計測では、例えば特開平 7—1 76468号公報 (対応米国特許第 5,646,413号明細書)などに開示される不図示の レチクルァライメント系、及び計測ステージ MSTの基準マークなどが用いられる。
[0095] 図 7 (A)には、前述のローデイング位置にてウェハステージ WST上のウェハを交換 しているときのステージ装置 150の状態が示されている。このとき、ウェハステージ W STの位置は、 X干渉計 24と Y干渉計 16とにより計測されている。ただし、ウェハステ ージ WSTには、 Y干渉計 16の 2本のビームのうちの 1本のビームのみが当たった状 態となつている。また、このウェハ交換の間、計測ステージ MSTがウェハステージ W STの代わりに投影光学系 PLの直下に配置され、空間像計測、波面収差計測などの 各種計測が適宜行われて 、る。
[0096] この状態から、ウェハステージ WST上のウェハ Wが不図示のウェハ交換機構によ り交換されると、ウェハステージ WSTは、 +X方向に移動する。この移動の間、 Y干 渉計 16の 2本のビームがウェハステージ WSTに当たるようになるので、干渉計繋ぎ（ Y干渉計 16における 2つの計測値の対応付け）を実行する。
[0097] その後、ウェハステージ WSTが更に +X方向に移動して、図 7 (B)に示される位置 に位置決めされた段階で、ウェハ W上に形成されたァライメントマークの第 1回目の 検出動作を実行する。
[0098] この場合、ウェハステージ WSTの Y軸方向に関する速度を示すグラフである図 11 に示されるように、第 1回目の検出動作 (EGA1で示される部分)の際には、ウェハス テージ WSTは停止しており（速度 0であり）、ァライメント系 ALG1、 ALG2も所定の位 置に位置決めされ、停止している（速度 0)。これにより、ウェハ W上の 1組目のァライ メントマークがそれぞれァライメント系 ALG1、 ALG2の検出領域内に設定され、干渉 計 16, 24により計測されるウェハステージ WSTの位置情報と、ァライメント系干渉計 システム 69, 169により計測されるァライメント系 ALG1、 ALG2の位置情報と、ァライ メント系 ALG1、 ALG2により検出されるァライメントマークの検出中心からのずれ量 とに基づいて、その 1組目のァライメントマークの位置情報 (座標値）がそれぞれ検出 されるようになつている。
[0099] なお、上記第 1回目のァライメントマークの検出動作の前に、サーチァライメントマー クを用いたサーチァライメントを実行することとしても良 、。
[0100] 次いで、上記第 1回目の検出動作が終了した段階で、ウェハステージ WSTは、 Y方向に加速を開始する。また、ァライメント系 ALG1、 ALG2も、ウェハステージ WS Tよりも小さな加速度で、—Y方向に同時に加速を開始するとともに、ァライメント系 A LG1が +X方向、ァライメント系 ALG2が一 X方向に移動を開始する。そして、ウェハ ステージ WSTとァライメント系 ALG1、 ALG2とのそれぞれの速度が所定速度（約 60 OmmZs (図 11参照)）となった段階で等速移動を開始する。なお、この等速移動段 階では、既にァライメント系 ALG1、 ALG2の X軸方向への移動は終了し、かつ図 8 ( A)に示されるように、ウエノ、 W上の 2組目のァライメントマークがそれぞれァライメント 系 ALGl, ALG2の検出領域内に設定されているものとする。上記の移動では、ゥェ ハステージ WSTとァライメント系 ALG1、 ALG2との加速度が異なっているため、ゥ エノ、 Wとァライメント系 ALGl, ALG2との Y軸方向に関する相対的な位置関係が、 図 7 (B)の場合と比較して所定距離 (図 11の面積 Sに相当する距離)変化するように なっている。
[0101] そして、 Y軸方向に関して、等速移動を開始した後、該等速移動を継続した状態で 第 2回目のァライメントマークの検出動作（図 11の EGA2の状態）を行う。この場合、 ウェハステージ WSTとァライメント系 ALG1、 ALG2とは速度が一致しているので、 相対的な速度は 0である。したがって、マーク検出を、ウェハステージ WSTとァライメ ント系 ALG1、 ALG2が停止しているときと同一の条件下で行うことが可能である。 [0102] その後、上記第 2回目の検出動作が終了した段階で、ァライメント系 ALG1、 ALG 2が減速を開始し、所定時間経過後に、ウェハステージ WSTが減速を開始する。そ して、図 8 (B)に示されるように、ウェハステージ WSTと計測ステージ MSTとが最接 近 (又は接触）した段階で、ウェハステージ WSTの速度が 0になるようにする。なお、 上記減速中に、ァライメント系 ALG1が +X方向、ァライメント系 ALG2がー X方向に 移動し、ァライメント系 ALGl, ALG2はその検出領域内にそれぞれウェハ W上の 3 組目のァライメントマークが設定されるように位置決めされる。そして、ウェハステージ WSTとァライメント系 ALGl, ALG2とが停止した状態で第 3回目のァライメントマ一 クの検出動作（図 11の EGA3)を実行する。
[0103] そして、第 3回目の検出動作が終了すると、第 1回目の計測動作と第 2回目の計測 動作の間と同様にして、ウェハステージ WST及びァライメント系 ALGl, ALG2のカロ 速を開始する。この場合、ウエノ、ステージ WSTと計測ステージ MSTとは接触した（ 又は微小間隔が維持された)状態で Y方向に駆動される (すなわち、計測ステージ MSTもウェハステージ WSTと同一の加速度で加速される）。また、これとともにァライ メント系 ALG1、 ALG2も +X、—X方向にそれぞれ僅かに駆動され、ウェハ W上の 4 組目のァライメントマークがそれぞれァライメント系 ALGl, ALG2の検出領域内に設 定される（図 9 (A) )。そして、ウェハステージ WST (及び計測ステージ MST)とァライ メント系 ALGl, ALG2が同一の速度になった段階で、第 4回目のァライメントマーク の検出動作（図 11の EGA4)を実行する。この場合にも、ウェハステージ WSTとァラ ィメント系 ALGl, ALG2との相対速度が 0であるので、それぞれが停止しているとき と同一の精度でァライメントを行うことが可能である。
[0104] その後、上記第 4回目の検出動作が終了した段階で、ァライメント系 ALG1、 ALG 2の減速を開始し、その後、ウェハステージ WST (計測ステージ MST)の減速を開始 する。なお、この減速中に、ウェハステージ WSTに X干渉計 24、 26の両方のビーム が当たるようになるので、ウェハステージ WSTとァライメント系 ALGl, ALG2の速度 力 SOになった段階で干渉計繋ぎ (X干渉計 24、 26の計測値の対応付け)を実行する 。また、図 9 (B)に示されるように、減速動作中に、液体 Lqがウェハステージ WST上 に受け渡され、ウェハ W上の 5組目のァライメントマークがそれぞれァライメント系 AL Gl, ALG2の検出領域内に設定される。
[0105] そして、ウェハステージ WSTとァライメント系 ALG1、 ALG2の速度が 0になった段 階で、第 5回目のァライメントマークの検出動作（図 11の EGA5)を実行する。以上の ようにして、ウェハ W上のァライメントマークをァライメント系 ALG1, ALG2により 10 個検出することができるようになって!/、る。
[0106] その後、図 10 (A)に示されるように、ウェハステージ WSTはウェハ W上の第 1番目 のショット領域に対する露光を実行するための露光開始位置に移動するので、その 移動が終了した段階で、あるいはその移動中に、ァライメント系 ALG2を用いて、ゥェ ハ W中央のァライメントマークを検出することとする。
[0107] このようにして合計 11個のァライメントマークを検出すると、本実施形態では、例え ば特開昭 61— 44429号公報 (及び対応米国特許第 4,780,617号明細書）に開示 されて ヽる EGA (ェンハンスト ·グローバル ·ァライメント）方式を採用し、主制御装置 5 0は、このァライメントマークの検出結果 (干渉計システム 118によって規定される直 交座標系 XY上での座標値)とショット領域の設計上の配列情報とを用いて、最小自 乗法等による統計演算を行なって、ウェハ W上で露光処理すべきショット領域の全部 あるいはその一部 (本実施形態ではウェハ Wの Y側半分 (上半分)のショット領域） の配列座標を算出する。そして、この算出した配列座標に基づいてウェハステージ WSTを移動することにより、ウェハ Wの Y側半分に対する露光動作を行うことが可 能となっている。なお、ここでの露光は、従来と同様のステップ'アンド'スキャン方式 の露光が行われるので、その詳細な説明は省略する。
[0108] そして、この— Y側半分のショット領域の露光動作中、上記と同様にァライメント系 A LG1、 ALG2を移動しつつ、ウェハ Wの +Y側半分（下半分）に存在するァライメント マークを検出する。この場合、 Y側半分のショット領域の露光を行っている間に、例 えば 8個のァライメントマークを検出するものとする。そして、主制御装置 50は、その 検出したァライメントマークの位置情報 (座標値)を用いて、 EGA方式によりウェハ W の + Y側半分 (下半分)のショット領域の配列情報を算出する。
[0109] その後、—Y側半分のショット領域の露光が終了した段階で、 +Y側半分のショット 領域の、 EGA方式によるァライメント (ショット領域の配列情報の算出）が終了すること となるので、 Y側半分のショット領域に対する露光動作が全て終了した後、 +Υ側 半分のショット領域に対する露光動作を開始することとしている。
[0110] 以上のようにして、ウェハ W全体への露光が終了した段階で、ウェハステージ WST が前述したローデイング位置 WEPまで移動するとともに、ウェハステージ WSTの移 動に追従して計測ステージ MSTが移動して液体 Lqが受け渡される。そして、ウェハ の交換が行なわれ、次に露光処理すべきウェハを載置したウエノ、ステージ WSTが 図 7 (B)中の位置に移動するまでに、ァライメント系 ALG1、 ALG2を図 7 (B)中に示 された初期位置に戻し、次のウェハに対する処理を実行する。
[0111] 以上詳細に説明したように、本第 1の実施形態によると、ウェハステージ WSTが口 ーデイング位置（図 7 (A)に示される位置)力も露光開始位置（図 10 (A)に示される 位置）まで移動する間に、ァライメント系 ALG1, ALG2の一部を移動させつつ、該ァ ライメント系 ALG1, ALG2を用いて、ウェハ上のマークを検出する。このため、従来 のように、マーク検出のための時間を、ウェハステージ WSTがローデイング位置から 露光開始位置に移動する時間とは別に設ける必要がない。したがって、ウェハの露 光処理に要する時間を短縮することができ、露光工程全体におけるスループットを向 上することが可能となる。また、従来に比べて多くのァライメントマークを計測できるの で、高精度なァライメントができ、高精度な露光を行うことが可能となる。
[0112] また、本第 1の実施形態によると、ァライメント系 ALG1, ALG2の少なくとも一部が ウェハステージ WSTに追従した状態 (前述の検出領域とマークとの相対速度がほぼ 零の状態）で、ウェハ上のマークを検出する。このため、ウェハステージ WSTの移動 中であっても、ァライメント系を用いてマークを精度良く検出することができる。これに より、マークの検出精度を低下させることなぐマークの検出時間の短縮、ひいては露 光工程全体のスループットを向上することが可能となる。
[0113] また、本第 1の実施形態では、 2つのァライメント系 ALG1, ALG2を用いて、ウェハ 上のァライメントマークを検出して 、るので、 1つのァライメント系を用いる場合に比べ 、所定時間内に多くのマークを検出することが可能となる。
[0114] また、本第 1の実施形態では、ァライメント系 ALG1, ALG2を X軸方向にも移動す ることとしているので、ウェハステージ WSTを Y軸方向にのみ移動しても、ウェハ上に 存在する任意のァライメントマークを検出することが可能である。したがって、ウェハス テージの移動とァライメント動作とを同時に行う場合であっても、ウェハステージの移 動を制限する必要が無い。
[0115] また、本第 1の実施形態では、ァライメント系 ALGl, ALG2が、ボディ BDとは振動 的に分離したフレーム FRに支持された定盤 BS1, BS2の下面を基準面として移動 する。したがって、ァライメント系 ALG1、 ALG2の移動による振動の露光精度への影 響を回避することができる。一方、ァライメント系 ALGl, ALG2の位置を計測する干 渉計システムを構成する固定鏡 70X, 70Y1, 70Y2がボディ BD側に固定されてい るので、ァライメント系 ALGl, ALG2の位置をボディ BD基準で検出することができる
[0116] なお、上記第 1の実施形態では、合計 19個のァライメントマークを検出することとし ているが、本発明がこれに限られるものではなぐ 20個以上又は 18個以下のァラィメ ントマークを検出することとしても良い。特に、ウェハ Wの Y側半分の露光を行って いる間、ァライメント系 ALG1、 ALG2の移動によって、ウェハ Wの +Y側半分に存在 するほぼ全てのァライメントマークが検出可能となるので、計測するァライメントマーク の数を増やしても、スループットへの影響等はない。
[0117] なお、上記第 1の実施形態では、ァライメント系ステージ装置 160として、図 3のよう な構成を採用したが、これに限らず、 Y軸方向に移動する 1つの Yステージと、該 Yス テージに沿って、 X軸方向に移動する 2つの テージとを備える構成を採用すること としても良い。要は、ァライメント系 ALGl, ALG2の少なくとも一部、すなわち検出領 域が 2次元移動可能であれば、種々の構成を採用することができる。
[0118] また、上記第 1の実施形態では、露光動作開始前に検出される上記 11個のァライ メントマークの位置情報を用いて、ウェハ Wの Y側半分のショット領域の位置を算 出し、露光動作開始後に検出される上記 8個のァライメントマークの位置情報を用い て、ウェハ Wの +Y側半分のショット領域の位置を算出するものとした力 例えば、露 光動作開始前に検出される少なくとも 1つのァライメントマークの位置情報も用いて、 ウェハ Wの +Y側半分のショット領域の位置を算出してもよ！/、。
[0119] さらに、上記第 1の実施形態では、露光動作開始前に検出されたァライメントマーク の位置情報のみを用いてウェハ wの Y側半分のショット領域の位置を算出するも のとしたが、例えば、ウェハ Wの Υ側半分のショット領域のうち、第 2番目以降のショ ット領域では、露光動作開始後に検出される少なくとも 1つのァライメントマークの位 置情報も用いてその位置を算出してもよい。この場合、第 2番目以降の異なるショット 領域において、その位置の算出で用いる、露光動作開始後に検出されるァライメント マークの位置情報の数を異ならせてもよい。例えば、露光動作開始後に検出される ァライメントマークの位置情報を順次、露光動作開始前に検出されたァライメントマ一 クの位置情報に追加していき、第 2番目以降のショット領域の位置を算出してもよい。
[0120] なお、露光動作開始前にウェハ Wの Υ側半分の全てのショット領域の位置を算 出しなくてもよぐ少なくとも第 1番目のショット領域の位置を算出した時点で露光動作 を開始してもよい。また、露光動作開始前に位置を算出するショット領域の個数と、露 光動作開始後に位置を算出するショット領域の個数とは同一でなくてもよぐ例えば 露光動作開始前に位置を算出するショット領域の個数を、露光動作開始後に位置を 算出するショット領域の個数よりも少なくしてもよい。この場合、上記第 1の実施形態と 比べて、露光動作開始前に検出するァライメントマークの個数を減らしてスループット を向上させることが可能となる。さらに、露光動作開始前のァライメントマークの検出 動作では、ウェハステージ WSTを Υ軸方向だけでなく X軸方向にも移動してょ 、。
[0121] なお、本発明は、上記第 1の実施形態で説明したシーケンスに限られるものではな ぐ例えば、以下に説明する第 2の実施形態のようなシーケンスを採用することも可能 である。
[0122] 《第 2の実施形態》
次に、本発明の第 2の実施形態について説明する。本第 2の実施形態は、露光装 置の構成等は、上記第 1の実施形態と同様であり、ウェハステージ WST上のァラィメ ントマークの検出シーケンスのみが異なっている。以下においては、説明の重複を避 けるため、第 1の実施形態と同一の部分については、同一の符号を付し、その説明を 省略するものとする。
[0123] 図 12 (A)には、第 1の実施形態と同様にして、 1組目のァライメントマークの検出を 行っている状態が示されている (第 1の実施形態の図 7 (B)に対応)。 [0124] この図 12 (A)に示される状態（ここではウェハステージ WSTもァライメント系 ALG1 、 ALG2も停止した状態)で 1組目のァライメントマークの検出（第 1回目の検出動作） が終了すると、ウェハステージ WSTとァライメント系 ALG1, ALG2は +Y方向への 移動を開始する。このとき、ァライメント系 ALG1, ALG2は、 X軸方向に関しても移動 を開始する。
[0125] そして、第 1の実施形態よりも、ウェハ Wを Y軸方向に長い距離移動した後（かつ、 等速移動の状態)で、図 12 (B)に示されるように、 2組目のァライメントマークの検出（ 第 2回目の検出動作)を実行する。この図 12 (B)に示されるように、その 2組目のァラ ィメントマークは、第 1の実施形態（図 8 (A) )よりも、 Y軸方向に関する 1組目のァライ メントマークとの間隔が広くなつていることがわかる。
[0126] その後、第 2回目の検出動作が終了すると、ウェハステージ WSTとァライメント系 A LG1、 ALG2は、第 1の実施形態と同様に減速を開始するとともに、ァライメント系 A LG1、 ALG2は X軸方向に関しても移動を開始する。そして、図 13 (A)に示されるよ うに、ウェハステージ WSTと計測ステージ MSTとが接触 (又は近接)した状態で、ゥ ェハステージ WSTが停止する。なお、この状態では、ァライメント系 ALG1、 ALG2も 停止しており、ァライメント系 ALG1、 ALG2により、 3組目のァライメントマークの検出 (第 3回目の検出動作)を実行する。
[0127] その後、第 3回目の検出動作が終了すると、第 1の実施形態と同様にして、ウェハ ステージ WST及びァライメント系 ALG1、 ALG2などの加速 (移動）を開始し、所定 速度で等速移動となった段階で、図 13 (B)に示されるように、 4組目のァライメントマ ークの検出 (第 4回目の検出動作)を実行する。該第 4回目の検出動作が終了した後 、ウェハステージ WST及びァライメント系 ALG1、 ALG2などの減速を行い、速度が 0となった時点で、図 14 (A)に示されるように、 5組目のァライメントマークの検出（第 5回目の検出動作)を実行する。
[0128] そして、第 5回目の検出動作が終了すると、図 14 (B)に示される露光開始位置にゥ ェハステージ WSTが移動するので、その状態で、ウェハ Wのほぼ中心に位置するァ ライメントマークを、ァライメント系 ALG2を用いて検出する。
[0129] 以上、ウェハステージ WSTがウェハ交換位置力 露光開始位置に移動する間に、 11個のァライメントマークの位置が検出されているので、主制御装置 50では、該 11 個のァライメントマークの検出結果を統計演算し、 EGA方式のァライメントを実行する (すなわち、ウェハ上で露光処理すべき全てのショット領域の配列情報を算出する)。
[0130] その後は、上記ァライメント結果に基づいて、ステップ'アンド'スキャン方式によるゥ エノ、 Wの露光動作を実行する。
[0131] 以上説明したように、本第 2の実施形態によると、第 1の実施形態と同様に、ウェハ ステージ WSTがローデイング位置カゝら露光開始位置まで移動する間に、ァライメント 系 ALG1, ALG2の一部を移動させつつ、該ァライメント系 ALG1, ALG2を用いて 、ウェハ上のマークを検出する。このため、従来のように、マーク検出のための時間を 、ウェハステージ WSTがローデイング位置力 露光開始位置に移動する時間とは別 に設ける必要がなぐしたがって、露光工程全体におけるスループットを向上すること が可能となる。
[0132] なお、上記第 2の実施形態では、一例として 11個のァライメントマークの検出を行う 場合について説明している力 10個以下、又は 12個以上のァライメントマークの検 出を行うこととしても良い。
[0133] なお、上記各実施形態では、第 1回目、第 3回目、第 5回目の検出動作時、及びァ ライメント系 ALG2による 11個目のァライメントマークの検出動作時にウェハステージ WSTを停止させるものとした力 これらの検出動作もウェハステージ WSTの移動中 に行ってもよい。この場合、 X軸及び Y軸方向の速度が同時に零とならないようにゥェ ハステージ WSTを移動し、この移動中に上記 11個のァライメントマークの検出を行 つてもよい。また、ウェハステージ WSTを等速移動している場合、例えばァライメント 系 ALG1、 ALG2を減速→加速→等速の順序で制御することによって、ウエノ、 Wとァ ライメント系の検出領域との Y軸方向に関する相対位置を変更しつつ、ウェハ上で少 なくとも Y軸方向に関して位置が異なる複数のァライメントマークの検出を行うことが できる。さらに、上記各実施形態では、ァライメントマークの検出動作中、 Y軸方向に 関してァライメント系 ALG1、 ALG2の検出領域の位置を同一とした力 ァライメント 系 ALG1、 ALG2の検出領域の Y軸方向の位置が異なっていてもよい。
[0134] なお、上記各実施形態では、ウェハステージ WSTが、 Y軸方向に沿って移動する 場合について説明した力 これに限らず、ウェハステージ WSTを X軸及び Y軸に交 差する方向に移動することとしても良い。この場合、ァライメント系もウェハステージ W STの移動に追従するように、 X軸及び Y軸に交差する方向に移動させれば良い。同 様に、ウェハステージ WSTを X軸方向のみに移動させてもよい。この場合、複数のァ ライメント系の検出領域の Y軸方向の位置を異ならせておくことが好ましい。
[0135] また、上記各実施形態では、複数のァライメントマークの検出動作中、各ァライメン ト系の検出領域を Y軸方向だけでなく X軸方向にも移動させるものとしたが、各ァライ メント系の検出領域を Y軸方向のみに移動させることとしてもよい。この場合、各ァライ メント系によってウェハ上で X軸方向に関して位置が同一である、すなわち Y軸方向 のみに関して位置が異なる複数のァライメントマークが検出される。また、各ァライメン ト系の検出領域は Y軸方向のみに移動し、例えばウェハステージ WSTを Y軸方向だ けでなく X軸方向にも移動する、あるいは 3つ以上のァライメント系を設けることにより
、上記各実施形態と同様に、ウェハ上で検出すべきァライメントマークの位置及び Z 又は個数を任意に設定できる。
[0136] また、上記各実施形態では、ウェハステージ WSTの移動中にウェハ W上のマーク の検出を行なう場合に、ウェハステージ WST及びァライメント系 ALG1、 ALG2を等 速移動させるものとした力 マーク検出時に必ずしも等速移動させなくても良い。すな わち、ウェハステージ WST及びァライメント系 ALG1、 ALG2の加速中または減速中 にマーク検出を行ってもよい。要は、ァライメント系 ALG1、 ALG2の検出領域とマー クとの相対速度がほぼ零となっていれば良い。なお、 1つのマークの検出中にァライ メント系の検出領域力 そのマークが外れなければ、検出領域とマークとの相対速度 が零でなくてもよい。また、上記各実施形態では、 1つのマークの検出中にウェハス テージ WSTとァライメント系の検出領域との両方を移動するものとしたが、例えばァラ ィメント系の検出方式などによっては、そのマークの検出中に少なくともァライメント系 の検出領域を移動しなくてもよい。さらに、上記各実施形態において、 1つのマーク の検出中はウェハステージ WSTとァライメント系の検出領域の両方を移動しな 、で、 複数のマークをそれぞれ検出するためにウェハステージ WSTを Y軸方向にステツピ ングさせるだけでもよい。この場合、 1つのァライメント系によって、ウェハ上で X軸方 向に関して位置が異なる複数のマークを検出するために、ウェハステージ WSTの Y 軸方向へのステッピング時に、そのァライメント系の検出領域、及び Z又はウェハス テージ WSTを X軸方向に移動してもよ!/、。
[0137] 更に、上記各実施形態では、ウェハステージ WSTをローデイング位置力も X軸と平 行に移動した後で、 Y軸に沿って移動してウェハの露光開始位置まで移動するもの としたが、ローデイング位置から露光開始位置までのウェハステージ WSTの移動経 路はこれに限られることなぐ例えばローデイング位置力 露光開始位置までの移動 時間が最短となる経路でウェハステージ WSTを移動し、この移動中にァライメント系 ALG1、 ALG2によってウェハ上のマークを検出しても良い。また、上記第 1実施形 態ではローデイング位置力 露光開始位置までの移動中、及びウェハの露光動作中 の両方で、上記第 2実施形態ではローデイング位置から露光開始位置までの移動中 のみ、ァライメント系 ALG1、 ALG2によってウェハ上のマークを検出するものとした 1S 例えばウェハの露光動作中のみ、マーク検出を行うようにしてもよい。
[0138] なお、上記各実施形態では、ァライメント系 ALG1, ALG2の回転情報を、ァラィメ ント系干渉計システム 69, 169を用いて計測し、露光に際して、このァライメント系 AL Gl, ALG2の回転情報を用いるようにすることができる。この場合、例えば、ァラィメ ント系 ALG1, ALG2の位置情報及び回転情報と、ウェハ Wの位置情報とに基づい て、マークの位置情報を検出するようにすることができる。
[0139] なお、上記各実施形態では、ァライメント系を 2つ備える場合について説明したが、 これに限らず、 1つ又は 3つ以上備えていても良い。また、上記各実施形態では、ァ ライメント系ステージ AST1, AST2によるァライメント系 ALG1, ALG2の移動によつ てその検出領域を移動させるものとした力 ァライメント系ステージ AST1, AST2の 代わりに、あるいはそれと組み合わせて、光学的に検出領域を移動する機構を用い ても良い。
[0140] また、上記各実施形態では別置きフレーム FRを用いた力 例えばステージ AST1
、 AST2に対してカウンタマス方式を適用しても良い。
[0141] また、上記各実施形態では、ウェハステージ WSTと計測ステージ MSTとを備える ステージ装置を有する露光装置に、本発明を採用した場合について説明したが、こ れに限らず、例えば特開平 10— 163099号公報及び特開平 10— 214783号公報（ 対応米国特許第 6, 590, 634号明細書）、特表 2000— 505958号公報 (対応米国 特許第 5,969,441号明細書)、米国特許第 6,208,407号明細書などに開示される 、ウェハステージを 2つ備えるツインステージタイプのステージ装置を有する露光装 置に採用することも可能である。この場合、一方のウェハステージ上のウェハに対す る露光動作と並行して、他方のウェハステージ上のウェハのマーク検出を行うことが できるので、単にウェハステージを一方向に移動してマーク検出を行う場合に限らず 、例えば、一軸方向に沿って反復移動させながらマーク検出を行っても良いし、ゥェ ハステージを一軸方向とこれに交差する方向とに沿って移動させながらマーク検出を 行っても良い。この場合、ァライメント系とウェハとのそれぞれを移動させることにより、 検出対象のマークがァライメント系の検出視野 (検出領域）に入っている状態力 次 の検出対象のマークがァライメント系の検出視野に入る状態となるまでの時間を短縮 することができる。これにより、所定時間内において検出可能なマークの数を増やす ことができるので、露光精度の向上を図ることが可能となる。
[0142] なお、上記各実施形態ではその説明を簡単にするため、液浸装置 132はノズルュ ニットとして液体供給ノズルと液体回収ノズルとがそれぞれ 1つずつ設けられるものと したが、これに限らず、例えば国際公開第 1999Z49504号パンフレットに開示され るように、多数のノズルを有する構成を採用することとしても良い。さらに、液浸装置 1 32は、例えば最下端の光学素子とそれに隣接する光学素子との間の空間をも液体 で満たす機構を有するものでも良い。要は、少なくとも投影光学系 PLを構成する最 下端の光学素子とウェハ Wとの間の空間に液体を供給することができるのであれば、 その構成はいかなるものであっても良い。例えば、欧州特許出願公開第 1420298 号明細書、国際公開第 2004Z055803号パンフレット、国際公開第 2004/0575 90号パンフレット、国際公開第 2005Z029559号パンフレット (対応米国特許出願 公開第 2006Z0231206号明細書)などに記載される液浸装置を用いることができ る。
[0143] なお、上記各実施形態では、液体として純水 (水）を用いるものとしたが、本発明が これに限定されないことは勿論である。液体としては、化学的に安定で、照明光 ILの 透過率が高く安全な液体、例えばフッ素系不活性液体を使用しても良い。このフッ素 系不活性液体としては、例えばフロリナート (米国スリーェム社の商品名）が使用でき る。このフッ素系不活性液体は冷却効果の点でも優れている。また、液体として、照 明光 ILに対する屈折率が、純水 (屈折率は 1. 44程度)よりも高い、例えば 1. 5以上 の液体を用いてもよい。この液体としては、例えば、屈折率が約 1. 50のイソプロパノ ール、屈折率が約 1. 61のグリセロール（グリセリン）といった C—H結合あるいは O— H結合を持つ所定液体、へキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体 (有機溶剤）、屈 折率が約 1. 60のデカリン (Decalin: Decahydronaphthalene)などが挙げられる。あるい は、これら所定液体のうち任意の 2種類以上の液体が混合されたものであってもょ ヽ し、純水に上記所定液体が添加（混合）されたものであってもよい。あるいは、液体と しては、純水に、 H+、 Cs+、 K+、 Cl_、 SO 2_、 PO 2_等の塩基又は酸を添加（混合）
4 4
したものであってもよい。更には、純水に A1酸ィ匕物等の微粒子を添加（混合)したもの であってもよい。これら液体は、 ArFエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体 としては、光の吸収係数が小さぐ温度依存性が少なぐ投影光学系（先端の光学部 材)、及び Z又はウェハの表面に塗布されている感光材 (又は保護膜 (トップコート膜 )あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。また、 Fレー
2 ザを光源とする場合は、フォンブリンオイルを選択すれば良 、。
[0144] また、上記各実施形態で、回収された液体を再利用するようにしても良ぐこの場合 は回収された液体から不純物を除去するフィルタを液体回収装置、又は回収管等に 設けておくことが望ましい。さらに、上記各実施形態では露光装置が前述した液浸装 置 132の全てを備えるものとした力 液浸装置 132の一部（例えば、液体供給装置及 び Z又は液体回収装置など）は、露光装置が備えている必要はなぐ例えば露光装 置が設置される工場等の設備を代用してもよい。また、上記各実施形態では投影光 学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系を用いない露光 装置に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない露光装置であっても、 照明光はレンズなどの光学部材を介してウェハに照射され、その光学部材とウェハと の間の空間に液浸領域が形成される。
[0145] なお、上記各実施形態では、本発明を液浸露光装置に適用した場合について説 明したが、これに限らず、液浸露光装置以外、例えば液体を介さずにウェハの露光 を行うドライタイプなどの露光装置に適用することも可能である。
[0146] なお、上記各実施形態では、ウェハステージ WSTと計測ステージ MSTとを備える ステージ装置を有する露光装置に、本発明を採用した場合について説明したが、こ れに限らず、単一のウェハステージを備えるステージ装置を有する露光装置にも本 発明を採用することが可能である。この場合、ウェハステージ WSTと計測ステージ M STとが接近した状態で移動するシーケンスがなくなるので、図 11における EGA2と E GA4との間でウェハステージ WSTは減速せず、ァライメント系 ALG1, ALG2のみ が減速、加速をすることによりウェハ Wとァライメント系 ALG1, ALG2との相対的な 位置関係を調整すれば良 、。
[0147] なお、上記各実施形態では、ァライメント系 ALG1, ALG2の位置を計測するセン サとして、干渉計を用いたが、例えばエンコーダ等、他のセンサを用いることとしても 良い。また、上記実施形態では干渉計システムを用いてレチクルステージ及びゥェ ハステージの位置情報を計測するものとした力 これに限らず、例えばウェハステー ジの上面に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて もよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシ ステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較 正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシス テムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いてステージの位置制御を行うよう にしてもよい。
[0148] なお、上記各実施形態では、ウェハ W表面の高さ方向の位置を、ウェハステージが ウェハ交換位置力も露光開始位置まで移動する間に、面形状検出装置 125を用い て計測する場合について説明したが、これに限らず、従来と同様、斜入射方式の焦 点位置検出系を用いることも可能である。
[0149] また、上記各実施形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみなら ず等倍系及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系は屈折系のみならず、反射 系及び反射屈折系（カタディ 'ォプトリック系）のいずれでも良いし、その投影像は倒 立像及び正立像のいずれでも良い。さらに、投影光学系を介して照明光が照射され る露光領域は、投影光学系の視野内で光軸を含むオンァクシス領域である力 例え ば国際公開第 2004Z107011号パンフレット (対応米国特許出願公開第 2006Z0 121364号明細書）に開示されるように、複数の反射面を有しかつ中間像を少なくと も 1回形成する光学系（反射系または反屈系）がその一部に設けられ、かつ単一の光 軸を有する、いわゆるインライン型の反射屈折系と同様に、光軸 AXを含まないオフ ァクシス領域でもよい。
[0150] また、照明光 ILは、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)に限らず、 KrFエキシマ レーザ光 (波長 248nm)などの紫外光、 Fレーザ光 (波長 157nm)などの真空紫外
2
光であっても良い。例えば国際公開第 1999Z46835号パンフレット（対応米国特許 7,023,610号明細書）に開示されているように、真空紫外光として DFB半導体レー ザ又はファイバーレーザ力 発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を 、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバ 一アンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外域に波長変換した高調波を用い ても良い。
[0151] また、上記各実施形態では、露光装置の照明光 ILとしては波長 lOOnm以上の光 に限らず、波長 lOOnm未満の光を用いても良いことは言うまでもない。例えば、近年 、 70nm以下のパターンを露光するために、 SOR又はプラズマレーザを光源として、 軟 X線領域（例えば 5〜15nmの波長域）の EUV (Extreme Ultraviolet)光を発生させ るとともに、その露光波長（例えば 13. 5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学 系、及び反射型マスクを用いた EUV露光装置の開発が行われている。この装置に おいては、円弧照明を用いてマスクとウェハを同期走査してスキャン露光する構成が 考えられるので、力かる装置にも本発明を好適に適用することができる。このほか、電 子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用 、る露光装置にも、本発明は適用でき る。
[0152] また、上記各実施形態では、ステップ'アンド'スキャン方式等の走査型露光装置に 本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステツパなどの静止型 露光装置に本発明を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するス テツプ ·アンド'スティツチ方式の露光装置にも本発明は適用することができる。 [0153] また、上記各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又 は位相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスク（レチクル)を用いた力 こ のレチクルに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号明細書に開示されているよ うに、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターンまたは反射パター ン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば 非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種である DMD (Digital Micro-mirror Device)などを含む）を用いても良い。力かる可変成形マスクを用いる場合には、前述 のァライメントマークの検出結果を考慮して、ウェハ上の複数の区画領域のうち、ァラ ィメントマーク検出時に露光していたショット領域より後に露光が行われる少なくとも一 つの別のショット領域の露光の際に、電子データに基づいて形成すべき、透過パタ ーン又は反射パターンを変化させることで、ウェハとパターン像との相対位置制御を 行っても良い。
[0154] また、例えば国際公開 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、干 渉縞をウェハ上に形成することによって、ウェハ上にライン 'アンド'スペースパターン を形成する露光装置 (リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
[0155] さらに、例えば特表 2004— 519850号公報（対応米国特許第 6, 611, 316号明 細書）に開示されているように、 2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウェハ 上で合成し、 1回のスキャン露光によってウェハ上の 1つのショット領域をほぼ同時に 二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
[0156] なお、本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令が許す限 りにおいて、上述した各種の公報、国際公開パンフレット、及び米国特許明細書にお ける開示を援用して、本明細書の記載の一部とする。
[0157] また、物体上にパターンを形成する装置は、前述の露光装置（リソグラフィシステム） に限られず、例えばインクジエツト方式にて物体上にパターンを形成する装置にも本 発明を適用することができる。
[0158] なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体 (エネルギビームが照射される露 光対象の物体）はウェハに限られるものではなぐガラスプレート、セラミック基板、マ スタブランクス、あるいはフィルム部材など、他の物体でも良い。また、その物体の形 状は円形のみならず、矩形など他の形状でもよい。
[0159] 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなぐ例えば、 角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写形成する液晶用の露光装置、 有機 EL、薄型磁気ヘッド、撮像素子 (CCD等）、マイクロマシン及び DNAチップなど を製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデ バイスだけでなぐ光露光装置、 EUV露光装置、 X線露光装置、及び電子線露光装 置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンゥ ェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
[0160] なお、半導体デバイスは、デバイスの機能 ·性能設計を行うステップ、この設計ステ ップに基づ 、たレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウェハを製作するステ ップ、上記実施形態の露光方法で、レチクルに形成されたパターンをウェハ等の物 体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、ボ ンデイング工程、ノ ッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場 合、リソグラフィステップで、上記各実施形態の露光方法が実行され、物体上にデバ イスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスの生産性を向上することが可能 である。
[0161] また、上記各実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素 を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つよ うに、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立て の前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械 系につ 、ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ 、ては電気的精 度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力 露光装置への組み立て 工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の 配管接続等が含まれる。この各種サブシステム力 露光装置への組み立て工程の前 に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシス テムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全 体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等 が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明のパターン形成方法及びパターン形成装置は、移動 体に保持された物体にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス 製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。

Claims

請求の範囲
[1] 物体にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記物体を移動させている間に、マーク検出系の少なくとも一部を移動させつつ、 前記物体上のマークを検出する第 1工程と；
前記マークの検出結果を用いて、前記物体にパターンを形成する第 2工程と；を含 むパターン形成方法。
[2] 請求項 1に記載のパターン形成方法にぉ 、て、
前記物体の移動は、該物体を保持する移動体の移動により行われるパターン形成 方法。
[3] 請求項 2に記載のパターン形成方法において、
前記マークの検出は、少なくとも前記物体を前記移動体に保持させるローデイング 位置力も前記物体に対するパターン形成を開始する位置まで前記移動体が移動す る間に行われるパターン形成方法。
[4] 請求項 1に記載のパターン形成方法にぉ 、て、
前記マークの検出は、少なくとも前記物体に対するパターン形成開始後に行われ るパターン形成方法。
[5] 請求項 4に記載のパターン形成方法にぉ 、て、
前記マークの検出は、前記物体に対するパターン形成開始前にも行われるパター ン形成方法。
[6] 請求項 1〜5のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記物体と前記マーク検出系の位置関係を変更しながら、複 数のマークを検出するパターン形成方法。
[7] 請求項 1〜6のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、マーク検出後、次のマークを検出するまでに、前記マーク検出 系の少なくとも一部を前記物体の移動方向と異なる方向に移動するパターン形成方 法。
[8] 請求項 1〜7のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記物体上のパターン形成対象の全ての区画領域にパターン を形成するのに必要なマークの一部を検出し、
前記第 2工程で、前記第 1工程でのマークの検出結果に基づいてパターンを形成 することが可能な区画領域に対してパターンを形成するのと並行して、前記全ての区 画領域にパターンを形成するのに必要なマークのうちの残りのマークを検出する第 3 工程を更に含むパターン形成方法。
請求項 1〜8のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターン形成に際して、前記マーク検出系の位置情報と前記物体の位置情報 とが用いられるパターン形成方法。
請求項 1〜9のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記マーク検出系の位置情報と前記物体の位置情報とに基づいて前記マークの 位置情報を検出するパターン形成方法。
請求項 1〜10のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターン形成に際して、前記マーク検出系の回転情報が用いられるパターン 形成方法。
請求項 1〜11の 、ずれか一項に記載のパターン形成方法にぉ ヽて、
前記マーク検出系の位置情報及び回転情報と前記物体の位置情報とに基づいて 前記マークの位置情報を検出するパターン形成方法。
請求項 1〜12のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記マーク検出系を複数用いて、複数のマークを計測するバタ ーン形成方法。
請求項 1〜13のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記物体と前記マーク検出系とが相対的に停止した状態で前 記マークを検出するパターン形成方法。
物体にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記物体を移動させている間にマーク検出系の検出領域を移動させつつ前記物 体上のマークを検出する第 1工程と；
前記マークの検出結果を用いて前記物体にパターンを形成する第 2工程と；を含む パターン形成方法。 [16] 請求項 15に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記物体上でパターンを形成すべき複数の区画領域が配列さ れる第 1方向に関して前記物体を移動するパターン形成方法。
[17] 請求項 16に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマー クが検出されるパターン形成方法。
[18] 請求項 16又は 17に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異なる検出領 域を有する複数のマーク検出系によって前記物体上のマークを検出するパターン形 成方法。
[19] 請求項 18に記載のパターン形成方法において、
前記第 1工程では、前記第 2方向に関する前記複数の検出領域の間隔を変更して 、前記物体上で前記第 2方向に関して位置が異なるマークを検出するパターン形成 方法。
[20] 請求項 15〜 19のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記第 2工程では、前記物体に対するパターン形成開始後の前記マーク検出系に よる前記物体上のマークの検出結果も用いられるパターン形成方法。
[21] 物体にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記物体上のマークをマーク検出系で検出し、その検出結果を用いて前記物体に 対するパターン形成を開始するとともに、
前記パターン形成開始後も前記マーク検出系で前記物体上のマークを検出し、前 記パターン形成でその検出結果を用いるパターン形成方法。
[22] 請求項 21に記載のパターン形成方法にぉ 、て、
前記物体上の複数の区画領域にそれぞれパターンが形成され、前記複数の区画 領域のうち、前記パターンが最初に形成される区画領域を含む第 1群の区画領域で は、前記パターン形成開始前の前記マークの検出結果が用いられ、前記第 1群の区 画領域と異なる第 2群の区画領域では、前記パターン形成開始後の前記マークの検 出結果が用いられるパターン形成方法。 [23] 請求項 22に記載のパターン形成方法において、
前記第 2群の区画領域では、前記パターン形成開始前の前記マークの検出結果も 用いられるパターン形成方法。
[24] 請求項 22又は 23に記載のパターン形成方法において、
前記第 2群の区画領域は、前記第 1群の区画領域よりも後に前記パターン形成が 行われるパターン形成方法。
[25] 請求項 21〜24のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターン形成開始前、前記物体を第 1方向に移動して、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出するパターン形成方法。
[26] 請求項 21〜25のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記パターン形成開始前、前記物体上でパターンを形成すべき複数の区画領域 が配列される第 1方向に関して前記物体を移動して、前記物体上で前記第 1方向に 関して位置が異なる複数のマークを検出するパターン形成方法。
[27] 請求項 25又は 26に記載のパターン形成方法において、
前記第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異なる検出領域を有する複数の マーク検出系によって前記物体上のマークを検出するパターン形成方法。
[28] 請求項 27に記載のパターン形成方法において、
前記第 2方向に関する前記複数の検出領域の間隔を変更して、前記物体上で前 記第 2方向に関して位置が異なるマークを検出するパターン形成方法。
[29] 請求項 21〜28のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記マークの検出は、前記物体の移動中に前記検出領域を移動しつつ行われる パターン形成方法。
[30] 請求項 1〜20、 25〜29のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、 前記マーク検出系と異なる検出系によって、前記移動中に前記物体の面形状に関 する情報を検出し、前記パターン形成でその検出結果を用いるパターン形成方法。
[31] 物体にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記物体を第 1方向に移動し、前記第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異 なる検出領域を有する複数のマーク検出系でそれぞれ、前記物体上で前記第 1方 向に関して位置が異なる複数のマークを検出するとともに、前記マーク検出系と異な る検出系によって前記物体の面形状に関する情報を検出し、
前記 2つの検出結果を用いて前記物体にパターンを形成するパターン形成方法。
[32] 請求項 31に記載のパターン形成方法にぉ 、て、
前記複数のマークは、前記第 2方向に関して位置が異なるマークを含み、前記複 数のマーク検出系はその検出領域が前記第 2方向に移動されるパターン形成方法。
[33] 請求項 31又は 32に記載のパターン形成方法において、
前記各マークの検出は、前記物体の移動中に前記検出領域を移動しつつ行われ るパターン形成方法。
[34] 請求項 31〜33のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記異なる検出系の検出領域は、前記第 1方向に関して前記パターン形成が行わ れる位置と前記マーク検出系の検出領域との間に配置されるパターン形成方法。
[35] 請求項 30〜34の 、ずれか一項に記載のパターン形成方法にぉ ヽて、
前記面形状に関する情報の検出動作の少なくとも一部は前記マークの検出動作と 並行して行われるパターン形成方法。
[36] 請求項 1〜35のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記物体を露光して、パターンを形成するパターン形成方法。
[37] 請求項 36に記載のパターン形成方法において、
前記物体は、液浸露光が行われるパターン形成方法。
[38] 請求項 1〜37のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて感応物体上に パターンを形成する工程を含むデバイス製造方法。
[39] 移動体に保持された物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、 少なくとも一部が移動可能なマーク検出系と；
前記移動体の移動中に、前記マーク検出系によって前記物体上のマークが検出さ れるように前記マーク検出系の少なくとも一部を移動する制御装置と；を備えるパター ン形成装置。
[40] 請求項 39に記載のパターン形成装置において、
前記マークの検出結果を用いて前記物体上にパターン形成するパターン形成装 置。
[41] 請求項 39又は 40に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出が、少なくとも前記物体を前記移動体に保持 させるローデイング位置力も前記物体に対するパターン形成を開始する位置まで前 記移動体が移動する間に行われるように、前記マーク検出系の少なくとも一部の移 動を制御するパターン形成装置。
[42] 請求項 39に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出が、少なくとも前記物体に対するパターン形成 を開始した後に行われるように、前記マーク検出系の少なくとも一部の移動を制御す るパターン形成装置。
[43] 請求項 42に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出が、前記物体に対するパターン形成開始前に も行われるように、前記マーク検出系の少なくとも一部の移動を制御するパターン形 成装置。
[44] 請求項 39〜43のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記物体上のマークを検出する際に、前記移動体の移動に追 従するように、前記マーク検出系の少なくとも一部の移動を制御するパターン形成装 置。
[45] 請求項 39〜44のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記物体と前記マーク検出系の位置関係を変更しつつ、前記物 体上の複数のマークを検出するパターン形成装置。
[46] 請求項 39〜45のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、マーク検出後、次のマークを検出するまでに、前記マーク検出系 の少なくとも一部を前記移動体の移動方向と異なる方向に移動するパターン形成装 置。
[47] 請求項 39〜46のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、
前記物体上のパターン形成対象の全ての区画領域にパターンを形成するのに必 要なマークの一部を検出するとともに、
前記必要なマークの一部の検出結果に基づいてパターンを形成することが可能な 区画領域に対してパターンを形成するのと並行して、前記全ての区画領域にパター ンを形成するのに必要なマークのうちの残りのマークを検出するパターン形成装置。
[48] 請求項 39〜47のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系は、受光素子と、該受光素子を冷却する冷却機構と、を有する パターン形成装置。
[49] 請求項 39〜48のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系の位置情報を検出するセンサを更に備え、
前記パターン形成に際して、前記マーク検出系の位置情報と前記物体の位置情報 とが用いられるパターン形成装置。
[50] 請求項 49に記載のパターン形成装置において、
前記センサにより検出されるマーク検出系の位置情報と前記物体の位置情報とに 基づいて前記マークの位置情報を検出するパターン形成装置。
[51] 請求項 49又は 50に記載のパターン形成装置において、
前記センサは、前記マーク検出系の回転情報も検出し、
前記パターン形成に際して、前記マーク検出系の回転情報が用いられるパターン 形成装置。
[52] 請求項 51に記載のパターン形成装置にぉ 、て、
前記センサにより検出される前記マーク検出系の位置情報及び回転情報と前記物 体の位置情報とに基づいて前記マークの位置情報を検出するパターン形成装置。
[53] 請求項 49〜52のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記センサは、干渉計を含むパターン形成装置。
[54] 移動体に保持された物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、 少なくとも一部が移動可能なマーク検出系と；
前記移動体の移動中に、前記マーク検出系によって前記物体上のマークが検出さ れるように、前記マーク検出系の検出領域の移動を制御する制御装置と；を備えるパ ターン形成装置。 [55] 請求項 54に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マーク検出系の検出領域を移動させるのと並行して、前記 物体上でパターンを形成すべき複数の区画領域が配列される第 1方向に関して、前 記移動体を移動させるパターン形成装置。
[56] 請求項 55に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系は、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマ ークを検出するパターン形成装置。
[57] 請求項 55又は 56に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系を複数備え、
前記各マーク検出系の検出領域は、前記第 1方向と直交する第 2方向に関して位 置が異なるパターン形成装置。
[58] 請求項 57に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記移動体の移動中に、前記マーク検出系によって前記物体 上のマークを検出する際に、前記複数の検出領域の前記第 2方向に関する間隔を 変更して、前記物体上で前記第 2方向に関して位置が異なるマークを検出するバタ ーン形成装置。
[59] 請求項 54〜58のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出結果を用いて前記物体にパターンを形成する パターン形成装置。
[60] 請求項 59に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記物体に対するパターン形成開始後の前記マーク検出系に よる前記物体上のマークの検出結果を用いるパターン形成装置。
[61] 移動体に保持された物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、 前記物体上のマークを検出するマーク検出系と；
前記マーク検出系を用 、た前記物体上のマークの検出及び前記物体に対するパ ターン形成を制御する制御装置と；を備え、
前記制御装置は、前記物体上のマークをマーク検出系で検出し、その検出結果を 用いて前記物体に対するパターン形成を開始するとともに、前記パターン形成開始 後も前記マーク検出系で前記物体上のマークを検出し、前記パターン形成でその検 出結果を用いるパターン形成装置。
[62] 請求項 61に記載のパターン形成装置にぉ 、て、
前記物体は、パターンを形成するための複数の区画領域を有し、
前記制御装置は、
前記複数の区画領域のうち、前記パターンが最初に形成される区画領域を含む第 1群の区画領域に対するパターン形成に際しては、前記パターン形成開始前の前記 マークの検出結果を用い、
前記第 1群の区画領域と異なる第 2群の区画領域に対するパターン形成に際して は、前記パターン形成開始後の前記マークの検出結果を用いるパターン形成装置。
[63] 請求項 62に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記第 2群の区画領域に対するパターン形成に際して、前記パ ターン形成開始前の前記マークの検出結果も用いるパターン形成装置。
[64] 請求項 62又は 63に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記第 2群の区画領域に対するパターン形成を、前記第 1群の 区画領域に対するパターン形成よりも後に行うパターン形成装置。
[65] 請求項 61〜64のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記パターン形成開始前に、前記移動体を第 1方向に移動して 、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出するパター ン形成装置。
[66] 請求項 61〜65のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記パターン形成開始前に、前記物体上でパターンを形成すベ き複数の区画領域が配列される第 1方向に関して前記移動体を移動して、前記物体 上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出するパターン形成装置
[67] 請求項 65又は 66に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系を複数備え、
前記各マーク検出系の検出領域は、前記第 1方向と直交する第 2方向に関して異 なるパターン形成装置。
[68] 請求項 67に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記第 2方向に関する前記複数の検出領域の間隔を変更して、 前記物体上で前記第 2方向に関して位置が異なるマークを検出するパターン形成装 置。
[69] 請求項 61〜68のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出を、前記移動体の移動中に前記検出領域を 移動しつつ行うパターン形成装置。
[70] 請求項 39〜69のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記物体を前記移動体に保持させるローデイング位置と前記物体に対するパター ン形成開始位置との間に配置される複数の計測点のそれぞれで、前記物体が移動 する所定面と垂直な方向に関する前記物体の位置情報を検出する検出装置を更に 備えるパターン形成装置。
[71] 請求項 70に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記物体の面形状に関 する情報を算出するパターン形成装置。
[72] 移動体に保持された物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、
第 1方向と直交する第 2方向に関して位置が異なる検出領域を有する複数のマーク 検出系と；
前記物体の面形状に関する情報を検出する検出装置と；
前記移動体を前記第 1方向に移動しつつ、前記複数のマーク検出系それぞれを用 いて、前記物体上で前記第 1方向に関して位置が異なる複数のマークを検出すると ともに、前記検出装置を用いて、前記物体の面形状に関する情報を検出し、前記 2 つの検出結果を用いて前記物体にパターンを形成する制御装置と；を備えるパター ン形成装置。
[73] 請求項 72に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマークは、前記第 2方向に関して位置が異なるマークを含み、 前記制御装置は、前記マーク検出の際に、前記複数のマーク検出系それぞれの検 出領域を前記第 2方向に移動するパターン形成装置。
[74] 請求項 72又は 73に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記各マークの検出の際には、前記移動体の移動中に前記検 出領域を移動するパターン形成装置。
[75] 請求項 72〜74の 、ずれか一項に記載のパターン形成装置にぉ ヽて、
前記検出装置の検出領域は、前記第 1方向に関して前記パターン形成が行われる 位置と前記マーク検出系の検出領域との間に配置されるパターン形成装置。
[76] 請求項 69〜75のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記検出装置による検出動作の少なくとも一部を、前記マークの 検出動作と並行して行うパターン形成装置。
[77] 請求項 39〜76のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記移動体とは独立して移動可能で、前記移動体上の物体を交換する間に、前記 パターン形成に必要な計測を行う計測用移動体を更に備えるパターン形成装置。
[78] 請求項 39〜77のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記移動体とは独立して移動可能で、前記移動体により保持された物体に対する パターン形成が行われている間に、前記マーク検出系によってマークの検出が行わ れる物体を保持する別の移動体を更に備えるパターン形成装置。
[79] 請求項 39〜78のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記物体に照明光を照射する光学系を更に備え、前記照明光で前記物体を露光 してパターンを形成するパターン形成装置。
[80] 請求項 79に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系は、前記光学系を支持するボディとは振動的に分離されている パターン形成装置。
[81] 請求項 79に記載のパターン形成装置において、
前記光学系は、前記物体上にパターンを投影する投影光学系を含み、少なくとも 前記投影光学系が前記ボディで支持されるパターン形成装置。
[82] 請求項 80又は 81に記載のパターン形成装置にぉ 、て、
前記ボディを基準として前記マーク検出系の位置情報を検出するセンサを更に備 えるパターン形成装置。
[83] 請求項 82に記載のパターン形成装置において、
前記センサは、干渉計を含み、
前記干渉計のうち、少なくとも参照ビームと計測ビームとに分岐する分岐光学系が 前記マーク検出系の少なくとも一部とともに移動し、前記計測ビームが入射する反射 面が前記ボディに設けられるパターン形成装置。
[84] 請求項 79〜83のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記光学系と前記物体との間に液体を供給する液体供給機構を更に備え、前記 光学系及び前記液体を介して前記照明光で前記物体を露光するパターン形成装置
[85] 請求項 39〜84の 、ずれか一項に記載のパターン形成装置を用いて感応物体上 にパターンを形成する工程を含むデバイス製造方法。
PCT/JP2006/326248 2005-12-28 2006-12-28 パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 WO2007077925A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06843626A EP1975981A1 (en) 2005-12-28 2006-12-28 Pattern formation method, pattern formation device, and device fabrication method
CN2006800412912A CN101300662B (zh) 2005-12-28 2006-12-28 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法
JP2007552985A JP5182557B2 (ja) 2005-12-28 2006-12-28 パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
KR1020087011529A KR101275416B1 (ko) 2005-12-28 2008-05-14 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조방법
IL192123A IL192123A0 (en) 2005-12-28 2008-06-12 Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005377706 2005-12-28
JP2005-377706 2005-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007077925A1 true WO2007077925A1 (ja) 2007-07-12

Family

ID=38228274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/326248 WO2007077925A1 (ja) 2005-12-28 2006-12-28 パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1975981A1 (ja)
JP (2) JP5182557B2 (ja)
KR (1) KR101275416B1 (ja)
CN (2) CN102681368B (ja)
IL (1) IL192123A0 (ja)
TW (1) TWI457977B (ja)
WO (1) WO2007077925A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2009-06-11 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011003873A (ja) * 2008-12-19 2011-01-06 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2016136268A (ja) * 2007-07-18 2016-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102681368B (zh) * 2005-12-28 2015-09-30 株式会社尼康 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法
CN104133347B (zh) * 2007-12-28 2016-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法
US8355116B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
CN102809903B (zh) * 2011-05-31 2014-12-17 上海微电子装备有限公司 二次预对准装置及对准方法
CN103246166B (zh) * 2012-02-02 2015-03-25 上海微电子装备有限公司 一种硅片预对准测量装置
DE102014205523A1 (de) * 2014-03-25 2015-10-01 Etel S.A. Positioniereinrichtung in Portalbauweise
CN107250915B (zh) 2015-02-23 2020-03-13 株式会社尼康 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
KR102552792B1 (ko) * 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
CN106483778B (zh) * 2015-08-31 2018-03-30 上海微电子装备（集团）股份有限公司 基于相对位置测量的对准系统、双工件台系统及测量系统
KR20180059813A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법
WO2018038071A1 (ja) 2016-08-24 2018-03-01 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
KR20240011232A (ko) * 2016-09-30 2024-01-25 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
KR102458052B1 (ko) * 2017-02-03 2022-10-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 노광 장치
JP6876470B2 (ja) * 2017-03-07 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 ワーク加工装置、ワーク加工方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US10910239B1 (en) * 2019-07-10 2021-02-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring micro devices and device transfer system

Citations (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPH01214021A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Nec Yamagata Ltd 目合わせ露光装置
JPH04120716A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Canon Inc 露光装置の位置決め方法と位置決め機構
JPH0521314A (ja) 1991-07-10 1993-01-29 Nikon Corp 投影露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH07176468A (ja) 1993-02-26 1995-07-14 Nikon Corp 投影露光方法
JPH0992593A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
JPH10163099A (ja) 1996-11-28 1998-06-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH10214783A (ja) 1996-11-28 1998-08-11 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH10270348A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
WO1999023692A1 (fr) 1997-10-31 1999-05-14 Nikon Corporation Aligneur et procede d'exposition
WO1999046835A1 (fr) 1998-03-11 1999-09-16 Nikon Corporation Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US5969441A (en) 1996-12-24 1999-10-19 Asm Lithography Bv Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP2000164504A (ja) 1998-11-30 2000-06-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2002103766A1 (fr) 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
US6590634B1 (en) 1996-11-28 2003-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
WO2003065428A1 (fr) 2002-01-29 2003-08-07 Nikon Corporation Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
JP2003241396A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 露光装置及び露光方法
EP1420298A2 (en) 2002-11-12 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6778257B2 (en) 2001-07-24 2004-08-17 Asml Netherlands B.V. Imaging apparatus
WO2004107011A1 (ja) 2003-05-06 2004-12-09 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置及び露光方法
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
WO2006038952A2 (en) 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corporation Projection optical device and exposure apparatus
US20060121364A1 (en) 2003-05-06 2006-06-08 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769680A (en) * 1987-10-22 1988-09-06 Mrs Technology, Inc. Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems
JPH07142325A (ja) * 1993-06-23 1995-06-02 Nikon Corp 位置合わせ装置
JPH10223528A (ja) * 1996-12-30 1998-08-21 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6924896B2 (en) * 2002-04-11 2005-08-02 Zygo Corporation Interferometry system error compensation in twin stage lithography tools
CN102681368B (zh) * 2005-12-28 2015-09-30 株式会社尼康 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法

Patent Citations (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
US4465368A (en) 1981-01-14 1984-08-14 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus for production of integrated circuit
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPH01214021A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Nec Yamagata Ltd 目合わせ露光装置
JPH04120716A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Canon Inc 露光装置の位置決め方法と位置決め機構
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0521314A (ja) 1991-07-10 1993-01-29 Nikon Corp 投影露光装置
US5646413A (en) 1993-02-26 1997-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method which synchronously moves the mask and the substrate to measure displacement
JPH07176468A (ja) 1993-02-26 1995-07-14 Nikon Corp 投影露光方法
JPH0992593A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
US6590634B1 (en) 1996-11-28 2003-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JPH10214783A (ja) 1996-11-28 1998-08-11 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH10163099A (ja) 1996-11-28 1998-06-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
US5969441A (en) 1996-12-24 1999-10-19 Asm Lithography Bv Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
JPH10270348A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US20020061469A1 (en) 1997-06-25 2002-05-23 Nikon Corporation Projection apparatus, method of manufacturing the apparatus,method of exposure using the apparatus, and method of manufacturing circuit devices by using the apparatus
WO1999023692A1 (fr) 1997-10-31 1999-05-14 Nikon Corporation Aligneur et procede d'exposition
JPH11135400A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Nikon Corp 露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO1999046835A1 (fr) 1998-03-11 1999-09-16 Nikon Corporation Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet
US7023610B2 (en) 1998-03-11 2006-04-04 Nikon Corporation Ultraviolet laser apparatus and exposure apparatus using same
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000164504A (ja) 1998-11-30 2000-06-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
JP2004519850A (ja) 2001-02-27 2004-07-02 エイエスエムエル ユーエス， インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
WO2002103766A1 (fr) 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
US20030098959A1 (en) 2001-06-13 2003-05-29 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus, light source unit and adjustment method of light source unit, and device manufacturing method
US6778257B2 (en) 2001-07-24 2004-08-17 Asml Netherlands B.V. Imaging apparatus
WO2003065428A1 (fr) 2002-01-29 2003-08-07 Nikon Corporation Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information
JP2003241396A (ja) * 2002-02-19 2003-08-27 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 露光装置及び露光方法
EP1420298A2 (en) 2002-11-12 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
WO2004107011A1 (ja) 2003-05-06 2004-12-09 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置及び露光方法
US20060121364A1 (en) 2003-05-06 2006-06-08 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US20060231206A1 (en) 2003-09-19 2006-10-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2006038952A2 (en) 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corporation Projection optical device and exposure apparatus

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014150285A (ja) * 2006-01-19 2014-08-21 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2011014915A (ja) * 2006-01-19 2011-01-20 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2015166882A (ja) * 2006-01-19 2015-09-24 株式会社ニコン 液浸露光装置及び液浸露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2009-06-11 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2015109461A (ja) * 2006-01-19 2015-06-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2016136268A (ja) * 2007-07-18 2016-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013239746A (ja) * 2008-12-19 2013-11-28 Nikon Corp 露光装置
JP2014195104A (ja) * 2008-12-19 2014-10-09 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20110110197A (ko) * 2008-12-19 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
KR101634839B1 (ko) 2008-12-19 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP2011003873A (ja) * 2008-12-19 2011-01-06 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9535339B2 (en) 2008-12-19 2017-01-03 Nikon Coporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9857701B2 (en) 2008-12-19 2018-01-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10254662B2 (en) 2008-12-19 2019-04-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080087784A (ko) 2008-10-01
JP5472331B2 (ja) 2014-04-16
IL192123A0 (en) 2008-12-29
JPWO2007077925A1 (ja) 2009-06-11
JP2012099850A (ja) 2012-05-24
EP1975981A1 (en) 2008-10-01
TW200741813A (en) 2007-11-01
CN101300662B (zh) 2012-05-09
KR101275416B1 (ko) 2013-06-14
CN102681368B (zh) 2015-09-30
CN101300662A (zh) 2008-11-05
JP5182557B2 (ja) 2013-04-17
TWI457977B (zh) 2014-10-21
CN102681368A (zh) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5182557B2 (ja) パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
JP6512252B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5534262B2 (ja) 保持装置、位置検出装置及び露光装置、移動方法、位置検出方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
US7589823B2 (en) Stage device, exposure apparatus, and method of manufacturing device
US8411271B2 (en) Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
EP2443515B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20090225288A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2008038752A1 (fr) système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D&#39;EXPOSITION, PROCÉDÉ D&#39;EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
JP2007258695A (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法およびデバイス製造方法
WO2005048325A1 (ja) ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP5455166B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2005276932A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2004075268A1 (ja) 移動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002343706A (ja) ステージ装置及びステージの駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス及びその製造方法
JP2006203137A (ja) 位置決め方法、ステージ装置及び露光装置
NL2019468A (en) Positioning system and lithographic apparatus
JP2006100817A (ja) 製造方法、調整方法及びデバイス製造方法
JP2005032812A (ja) ステージ装置及び露光装置
JP2009218325A (ja) ステージ装置及び露光装置
JP2006190832A (ja) 制御方法、露光方法、デバイスの製造方法、ステージ装置及び露光装置
JP2006120964A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680041291.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087011529

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007552985

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2763/KOLNP/2008

Country of ref document: IN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006843626

Country of ref document: EP