JPH03212925A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH03212925A
JPH03212925A JP2008650A JP865090A JPH03212925A JP H03212925 A JPH03212925 A JP H03212925A JP 2008650 A JP2008650 A JP 2008650A JP 865090 A JP865090 A JP 865090A JP H03212925 A JPH03212925 A JP H03212925A
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JP
Japan
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wafer
exposure
stage
reticle
exposure apparatus
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Application number
JP2008650A
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English (en)
Inventor
Yoshito Nakanishi
淑人 中西
Takeo Sato
佐藤 健夫
Nobuaki Furuya
古谷 伸昭
Takeo Miyata
宮田 威男
Shinichi Mizuguchi
水口 信一
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE69127479T priority patent/DE69127479T2/de
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Priority to US07/641,944 priority patent/US5227838A/en
Publication of JPH03212925A publication Critical patent/JPH03212925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体等の微細パターンの焼付は露光に用いら
れる高精密な位置合わせ全有する露光装置に関するもの
である。
従来の技術 最近、超LSIの高集積化に伴い、ノ・−フミクロンサ
イズのパターン形成が要求されており、その製造のため
には、高速で、超精密位置決めが行える露光装置が大き
な鍵を握っている。
この露光装置は、例えば特開昭60−186845号公
報に記載された構成が一般的に知られている。以下第4
図を参照して従来の露光装置について説明する。第4図
において、28は投影レンズ、21はレクチル20を保
持するレクチルステージ、22はウェハー 26はウェ
ハー22を回転させるウェハーホルダー 24.25は
回転誤差検出手段である。
以上のような構成において第1パターンを備えたレクチ
ル20を保持するためのレクチルステージ2】と、その
第1パターンと整合し得る第2パターンが所定の配列座
標に沿って複数形成されたウェハー22を保持するとと
もに、このウェハー22を2次元的に移動するだめのウ
エノ・−ステージ23と第1パターンと第2パターンの
相対的な回転誤差(△θ)を検出する回転誤差検出手段
(24,25)とその回転誤差が補正されるようにレク
チル20とウェハー22のいずれか一方を回転させるウ
ェハーホルダー26と、その回転補正されたレクチル2
0と第2パターンの各々とを順次位置合わせするように
ウエノ・−ステージ23を制御するプロセッサにより両
者の高精度な位置合わせを行ない投影レンズ28により
パターン露光を行なうものである。
上記方法によって、ウェハー22上のアライメントマー
クを計測後、計測データを基に位置合わせ中心を算出し
、レーザー干渉計等によりウエノ・−ステージ23を位
置決めし、その後停止状態でウェハー22上のホトレジ
ストにパターンを露光するものである。すなわち目標位
置からの差を算出し、それに応じて適切な速度指令をフ
ィードバックシステムを持つステージ駆動サーボ系に出
力し、目標位置からの誤差量が所定の条件を満たしたな
らばステージを停止させ露光を行うものである。
上記した位置合わせ方法の一例として、例えば超精密位
置決め技術専門委員会前刷集(研究例会No89−03
.精密工学会 、2(1頁から37頁、1989年)に
掲載されている方法がある。
この位置決め方法によれば、位置決めに要する時間とス
テージの移動速度との関係を第5図に示す。
第5図において、ウェハーステージは、移動開始後約0
.1秒で最高速度100mm/sに達し、目標位置の手
前約5mmで急激な減速にはいる。この際機械要素の非
線形性を考慮してウエノ・−ステージを最適に移動させ
ても、残留振動が励起され、位置決めに要する時間の中
でこの残留振動を含めウェハーステージが停止するまで
の時間が大きな役割を占めている。
発明が解決しようとする課題 しかし、以上のような構成では、ウエノ・−ステージを
サーボにより停止させているものの微視的に見ればレー
ザー測長値のゆらぎ、及び外部振動から励起される振動
によりステージ停止状態といっても数10nmのオーダ
ーでステージは揺らいでおり完全な停止状態とは言えな
い。このため従来の方法では重ね合わせ精度は前記揺ら
ぎ量の誤差を持つうえ、さらに停止までの時間が必要な
ため処理能力の向上には限界があシ、次世代の半導体製
造に要求される位置決め精度及び処理能力に十分対応で
きないという課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、高精度のウェハーレチクル車
ね合わせ及び高処理能力を実現する露光装置を提供する
ものである。
課題を解決するだめの手段 本発明は、外部からのトリガー信号により発光し、複数
の発光により所定の露光量を与えるパルス発光光源と、
アライメントマークを含んだ露光されるパターンが描か
れたレチクルと、そのレチクルのパターンを縮小投影す
るレンズと、位置決めされるアライメントマークを有し
、前記レチクル上のアライメントマークとレチクル上の
パターンが投影露光されるウエノ・−と、ウエノ・−を
載置シ揺動可能なウェハーステージと、ウエノ・−ステ
ージの位置計測を行うレーザ干渉計と、露光位置でウェ
ハーとレチクルとの重ね合わせ状態を検出するアライメ
ント手段を設けたものである。
作    用 本発明は、上記構成により、ウエノ・−ステージ全正規
の位置で完全に停止させて露光するのではなく、停止に
推移する間のウニへ゛−ステージの残留振動、停止後の
外部振動、レーザ干渉計の揺らぎによる停止位置の微動
、あるいはウェハーステージの強制揺動を積極的に利用
し、ウェハーのアライメントマークが正規の位置を横切
る瞬間、すなわちウェハーとレチクルの重ね合わせ誤差
ゼロとなるタイミングをアライメント手段によって検出
又は予測し、この信号をパルス発光光源のトリガー信号
に用いてウェハーステージが正規の位置にある瞬間のみ
、くシ返し露光を行う。このとき露光時間がウェハース
テージの揺動周波数に対して十分短かければ、露光中ウ
ェハーステージは、正規の位置で静止していると見なす
ことができるため、重ね合わせ精度が高く、ステージが
完全に停止していない状態から露光が開始できるため高
処理能力金もつ露光が行なえる。
実施例 以下、第1図から第3図を参照して本発明の一実施例に
おける露光装置について説明する。第1図は露光装置全
体の概略構成図、第2図は露光装置のアライメント手段
から得られるビート信号を示す波形図、並びに第3図は
ウェハーを揺動した時のアライメント手段から得られる
時間に対するビート信号の変化の関係を示す波形図であ
る。第1図において、1は外部トリガーにより発光のタ
イミング制御可能なエキシマレーザであり、叫。
7.8は全体で照明光学系を構成し、それぞれ14は、
集光光学系、7は光路変換ミラー、8はコンデンサーレ
ンズである。2は、直線回折格子から成るアライメント
マークと転写パターンが描かれたレチクルであシ、投影
レンズ3の物像面上に配置されている。4は露光される
ウェハー16を載せるウェハーステージであり、このウ
ェハーステージ4は、ステップ露光に対応するX、Y方
向の大ストローク移動機構5と水平面内で数μm〜数1
0μmの範囲で強制揺動を与えるアクチュエータを2軸
具備した微動X、Yステージにより構成されている。9
は、ウエノ・−ステージ上のウニ/・−16を露光位置
で高精度にアライメントするTTL(スルー・ザ・レン
ズ)ホログラフィ−アライメント手段であり、投影レン
ズ3の露光エリア内のアライメントマークとレチクール
2上のアライメントマークのいずれ全露光位置にて検出
するもので、ウェハー16、及びレチクル2に設けられ
たアライメントマークが合致した瞬聞全アライメント信
号により判断し、エキシマレーザ1にトリガー信号を送
る。
ウェハーステージ4は、レーザー干渉計10より現在位
置を読み取シ、目標位1uとの差をもとに駆動手段1■
により目標位置へ移動する。その後、駆動手段12によ
り水平方向に微動X、Yステシロを用いて、微小揺動が
印加される。
以上のような第1図の構成において、以下その動作につ
いて第2図、及び第3図とともに説明する。まず、機械
的精度範囲内でプリアライメントされ、ウェハーステー
ジ4上に載置されたウエノ1−16内の複数のアライメ
ントマークを計測し、各露光ショットの中心座標を算出
し、その座標を基に露光ショッ゛トを投影レンズ3の正
規の露光位置へレーザー干渉計10の計測値を基にウェ
ハーステージ4を移動する。ステージ停止位置が目標位
置に対し回折格子ピッチの1/4以下(±2μm)に入
った領域から微動X、Yステージ6の駆動手段12を駆
動させ約200Hzで微動X、 Yステージ6を揺動さ
せる。次に、TTLアライメント手段9はゼーマンレー
ザ15を用いた光ヘテロダイン検出によるレチクル2と
ウェハー16の位置ずれ検出方式を用いている。次に、
このTTLアライメント手段9から得られる1軸方向の
位置検出信号を第2図に示す。第2図においては、横軸
はステージ移動量、縦軸はレチクル2からのビート信号
とディテクタ13から得られるウェハー16からのビー
ト信号との位相差である。レチクル2、およびウェハー
16上に形成されている直線回折格子からなるアライメ
ントマークの格子ピッチの1/2の周期で変化する信号
が検出される。位相差ゼロの時がレチクル2とウェハー
の重ね合わせ誤差がゼロであり、この瞬間にパルス光源
にトリガー信号を送る。つまり、アライメント手段9か
らは、ウェハー16上のアライメントマーク、及びレチ
クル2上のアライメントマークの重ね合わせ状態に応じ
て、第3図に示す信号が得られ、ゼロクロス点Aがレチ
クル2とウェハー16が完全に重ね合わさった状態を示
す。このゼロクス点において、アライメント手段9から
発せられるトリガー信号17により、エキシマレーザ1
に20n se cのパルス発光をさせる。
露光はホトレジストの感度にもよるが、通常は約1秒(
レーザ発光200回)で露光エリアが露光完了となる。
パルス光源がパルス光を発光するまでの遅延時間μSe
eを考慮しても、パルス光の発光時間は、ステージの揺
動速度に比べて極めて短いため、パルス光の発光時間中
はウェハースチー)4は正規の位置で静止していると見
なすことができる。
つまりウェハーステージ4を完全に停止させないため、
高処理能力が実現でき、ウェハーが正規の位置にいる瞬
間のみに露光を行うため、高い重ね合わせ精度で露光を
行うことができる。
以上、実施例では、発光時間が20nsecのエキシマ
レーザを用いているが発光時間はステージの移動時間と
比較して十分短ければよく、露光位置近傍のウェハース
テージの移動速度は、10mm/see以下であるため
パルス発光光源は10μsec以下のものであればステ
ージ移動に伴う露光パターンのボケは011μm以下と
なり十分な解像性能が得られる。
発明の効果 以上のように本発明は、レチクルとウェハーの重ね合わ
せ誤差がゼロとなる位置を通過させるようにウェハース
テージに揺動させ、重ね合わせ誤差ゼロとなる瞬間にア
ライメント手段から発せられるトリガー信号によりパル
ス発光光源を発光させ、露光することにより、ウェハー
ステージを停止させることなく、重ね合わせ誤差を生じ
ない状態、つまりレーザ干渉計の揺らぎ、外部振動の影
響を受けない状態で露光を行うことができ、その結果、
高処理能力をもつ高精度な重ね合わせ露光が可能となる
【図面の簡単な説明】
第1肉から第3図は本発明の一実施例における露光装置
に関するものであり、第1図は露光装置概略構成図、第
2図はアライメント手段→から得らノするビート信号と
時間の関係を示す波形図、第4図は従来の露光装置の概
略構成図、第5図は同従東の露光装置のウェハーステー
ジを位置決めする場合のウェハーステージの速度と位置
決めに要する時間の関係全示す波形図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部からのトリガー信号により発光し、複数の発
    光により所定の露光量を与えるパルス発光光源と、アラ
    イメントマークと露光用パターンが描かれたレクチルと
    、前記レクチルのパターンを縮小投影する投影レンズと
    位置決めされるアライメントマークを有し、前記レクチ
    ル上のアライメントマークとパターンが投影露光される
    ウェハーと、前記ウェハーを載置し揺動可能なウェハー
    ステージと、前記ウェハーステージの位置計測を行うレ
    ーザ干渉計と、露光位置で前記ウェハーと前記レクチル
    との重ね合わせ状態を検出するアライメント手段を具備
    してなる露光装置。
  2. (2)ウェハーステージを垂直面上で直交2方向に一定
    の周期で揺動可能とする移動手段を具備した請求項1記
    載の露光装置。
  3. (3)アライメント手段は、TTL方式である請求項1
    記載の露光装置。
  4. (4)トリガー信号は、アライメント手段から発せられ
    る信号、又はアライメント手段の検出信号の変化から予
    測される重ね合わせ誤差がゼロの時間に発生させること
    を特徴とする請求項1記載の露光装置。
  5. (5)パルス発光光源は、10μsec以下の発光時間
    である請求項1記載の露光装置。
  6. (6)パルス発光光源がエキシマレーザーである請求項
    1、又は5記載の露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008160085A (ja) * 2006-12-01 2008-07-10 Asml Holding Nv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010267963A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法におけるアライメントの改良

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592259A (en) * 1991-08-09 1997-01-07 Nikon Corporation Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus
US5684856A (en) * 1991-09-18 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Stage device and pattern transfer system using the same
US5285236A (en) * 1992-09-30 1994-02-08 Kanti Jain Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3477838B2 (ja) 1993-11-11 2003-12-10 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
USRE37762E1 (en) 1994-04-12 2002-06-25 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus and exposure method
US6556949B1 (en) * 1999-05-18 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing techniques
JP2001060544A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Oki Electric Ind Co Ltd 被処理体の位置合わせ方法及び被処理体の位置合わせシステム
JP2001308003A (ja) 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002353099A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US6950194B2 (en) 2001-12-07 2005-09-27 Micronic Laser Systems Ab Alignment sensor
US7615424B2 (en) * 2004-03-25 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the laser irradiation apparatus
US8610986B2 (en) * 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
JP5523207B2 (ja) * 2010-06-01 2014-06-18 株式会社トプコン 露光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1516152A (fr) * 1967-01-25 1968-03-08 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux bancs photographiques répétiteurs
US4669867A (en) * 1984-02-20 1987-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure apparatus
JPH0616479B2 (ja) * 1984-03-06 1994-03-02 株式会社ニコン 露光装置の位置合せ装置
US4699515A (en) * 1984-02-28 1987-10-13 Nippon Kogaku K. K. Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween
US4843563A (en) * 1985-03-25 1989-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Step-and-repeat alignment and exposure method and apparatus
JP2650895B2 (ja) * 1986-07-02 1997-09-10 松下電器産業株式会社 露光装置および露光方法
JPH07123103B2 (ja) * 1986-11-26 1995-12-25 株式会社ニコン 位置合わせ装置
US4884101A (en) * 1987-02-03 1989-11-28 Nikon Corporation Apparatus capable of adjusting the light amount
JP2694868B2 (ja) * 1987-08-31 1997-12-24 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008160085A (ja) * 2006-12-01 2008-07-10 Asml Holding Nv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010267963A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法におけるアライメントの改良
US9195128B2 (en) 2009-05-13 2015-11-24 Asml Netherlands B.V. Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
EP0439052B1 (en) 1997-09-03
EP0439052A1 (en) 1991-07-31
DE69127479D1 (de) 1997-10-09
US5227838A (en) 1993-07-13
DE69127479T2 (de) 1998-01-08

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