JP2650895B2 - 露光装置および露光方法 - Google Patents
露光装置および露光方法Info
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- JP2650895B2 JP2650895B2 JP61155346A JP15534686A JP2650895B2 JP 2650895 B2 JP2650895 B2 JP 2650895B2 JP 61155346 A JP61155346 A JP 61155346A JP 15534686 A JP15534686 A JP 15534686A JP 2650895 B2 JP2650895 B2 JP 2650895B2
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- Japan
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- light
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- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子製造に用いる光学露光装置およ
び露光方法に関するものである。
び露光方法に関するものである。
さらに詳しくは、半導体素子製造におけるホトリソグ
ラフィー工程の超微細加工を実現するために発明された
縮小投影型エキシマー露光技術に関するものである。
ラフィー工程の超微細加工を実現するために発明された
縮小投影型エキシマー露光技術に関するものである。
従来の技術 従来、すでに半導体素子、特にLSI,VLSI等の微細加工
用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小投影型露
光装置（ステッパー）が市販されている。しかしなが
ら、従来のステッパーは露光用の光として超高圧水銀灯
のｇ線（435nm）やｉ線（365nm）を用いているため、解
像度はｇ線で1.2μm,i線で0.8μｍ程度が限界であっ
た。これらの波長では、今後4MbitRAMや16MbitRAM製造
に必要とされる0.5μｍの解像度を得ることは不可能に
近い。
用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小投影型露
光装置（ステッパー）が市販されている。しかしなが
ら、従来のステッパーは露光用の光として超高圧水銀灯
のｇ線（435nm）やｉ線（365nm）を用いているため、解
像度はｇ線で1.2μm,i線で0.8μｍ程度が限界であっ
た。これらの波長では、今後4MbitRAMや16MbitRAM製造
に必要とされる0.5μｍの解像度を得ることは不可能に
近い。
そこで、近年ｇ線やｉ線に比べより波長の短いXeCl
（308nm）やKrF（249nm）やArF（193nm）等のエキシマ
ー光源を用いたサブミクロンパターン形成用の露光装置
の開発が検討されるようになってきた。
（308nm）やKrF（249nm）やArF（193nm）等のエキシマ
ー光源を用いたサブミクロンパターン形成用の露光装置
の開発が検討されるようになってきた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、エキシマレーザーを用いた縮小投影露
光においては次に掲げる２点の問題がある。
光においては次に掲げる２点の問題がある。
１）エキシマレーザー光の発振する光の波長分布の半値
幅と縮小投影レンズの色消しの問題（スペックルと解像
度の関係）。
幅と縮小投影レンズの色消しの問題（スペックルと解像
度の関係）。
２）アライメント波長の選択の問題 １）は、エキシマレーザー光の横モードを乱しつつ、
かつ縦モードを整える光学系にすることにより解決でき
る可能性はあるが、２）のアライメント光の選択の問題
においては、アライメント精度を高めるために、露光波
長と同じ光を用いて縮小投影レンズを通過してレテク
ル，マスク）とウェハーのマークで直接アライメントす
る方法（スルーザレンズ方式；以下TTL方式という）を
採用することが好ましく、レンズ設計が容易になるメリ
ットがある。ところが、露光波長と同じ波長の光を用い
てアライメントを行うと、アライメント中にアライメン
トキー部のレジストが露光されてしまい、その後のプロ
セスでアライメントキーがつぶされてしまう欠点があ
る。そこで、一般には、TTL方式を用いたアライメント
では、アライメント光と露光波長は異った領域、例えば
従来は、超高圧水銀灯のｇ線又はｉ線の露光波長に対
し、アライメント光はｄ線（577nm）又はｅ線（546n
m）,Arレーザー（515nm）が用いられるのが一般的であ
った。
かつ縦モードを整える光学系にすることにより解決でき
る可能性はあるが、２）のアライメント光の選択の問題
においては、アライメント精度を高めるために、露光波
長と同じ光を用いて縮小投影レンズを通過してレテク
ル，マスク）とウェハーのマークで直接アライメントす
る方法（スルーザレンズ方式；以下TTL方式という）を
採用することが好ましく、レンズ設計が容易になるメリ
ットがある。ところが、露光波長と同じ波長の光を用い
てアライメントを行うと、アライメント中にアライメン
トキー部のレジストが露光されてしまい、その後のプロ
セスでアライメントキーがつぶされてしまう欠点があ
る。そこで、一般には、TTL方式を用いたアライメント
では、アライメント光と露光波長は異った領域、例えば
従来は、超高圧水銀灯のｇ線又はｉ線の露光波長に対
し、アライメント光はｄ線（577nm）又はｅ線（546n
m）,Arレーザー（515nm）が用いられるのが一般的であ
った。
ところが、露光波長にKrF（248nm）エキシマー光等を
用いると、縮小レンズ系に用いるレンズ材料が制約され
（具体的には、合成石英や蛍石に限定される）、露光波
長とあまり波長の異ったアライメント光を用いると色収
差補正が完全に行なえず、解像度が大幅に劣化し、アラ
イメントが行なえなくなる欠点があった。すなわち、露
光波長248nmのエキシマー光に対し、超高圧水銀灯のｄ
線（577nm）やｅ線（546nm）やArレーザー（515nm）は
露光波長とのズレが大きすぎてアライメントに利用でき
ないことが発見された。
用いると、縮小レンズ系に用いるレンズ材料が制約され
（具体的には、合成石英や蛍石に限定される）、露光波
長とあまり波長の異ったアライメント光を用いると色収
差補正が完全に行なえず、解像度が大幅に劣化し、アラ
イメントが行なえなくなる欠点があった。すなわち、露
光波長248nmのエキシマー光に対し、超高圧水銀灯のｄ
線（577nm）やｅ線（546nm）やArレーザー（515nm）は
露光波長とのズレが大きすぎてアライメントに利用でき
ないことが発見された。
一方、KrFエキシマー光源と同じ波長の光をアライメ
ント光として用いる方法は、前述の理由により欠点が大
きすぎる。
ント光として用いる方法は、前述の理由により欠点が大
きすぎる。
問題点を解決するための手段 そこで、本発明の露光装置は、上記の問題点を解決す
るために、エキシマーレーザー光源と、レチクルステー
ジと、縮小投影レンズと、XYウエハーステージと、アラ
イムント光学系を有し、248nmまたは193nmの波長を有す
るエキシマーレーザー光に感応で300〜400nmの波長を有
する光に不感応なレジストの露光を行う半導体素子製造
用光学露光装置において、露光用の光として248nmまた
は193nmの波長を有するエキシマーレーザー光を用い、
アライメント光学系に使用する光として300〜400nmの波
長を用い、ウエハーから反射されたアライメント光を認
識するカメラを有する構成となっている。また、本発明
の露光方法は、248nmまたは193nmの波長を有するエキシ
マーレーザー光に感応し、かつ300〜400nmの波長を有す
る光に不感応なレジストを塗布し、300〜400nmの波長を
有する光をウエハに照射してウエハーからの反射光をカ
メラにより認識してウエハーの位置合わせを行った後、
エキシマーレーザー光によりレジストを露光する構成と
なっている。
るために、エキシマーレーザー光源と、レチクルステー
ジと、縮小投影レンズと、XYウエハーステージと、アラ
イムント光学系を有し、248nmまたは193nmの波長を有す
るエキシマーレーザー光に感応で300〜400nmの波長を有
する光に不感応なレジストの露光を行う半導体素子製造
用光学露光装置において、露光用の光として248nmまた
は193nmの波長を有するエキシマーレーザー光を用い、
アライメント光学系に使用する光として300〜400nmの波
長を用い、ウエハーから反射されたアライメント光を認
識するカメラを有する構成となっている。また、本発明
の露光方法は、248nmまたは193nmの波長を有するエキシ
マーレーザー光に感応し、かつ300〜400nmの波長を有す
る光に不感応なレジストを塗布し、300〜400nmの波長を
有する光をウエハに照射してウエハーからの反射光をカ
メラにより認識してウエハーの位置合わせを行った後、
エキシマーレーザー光によりレジストを露光する構成と
なっている。
作用 従って、本発明は、露光用の光にたとえばKrF（248n
m）エキシマー光を用いアライメント光にたとえばｉ線
またはｊ線を用いアライメント光をIITで変換した後、
たとえばCCDでアライメントキーを読みとることによ
り、レチクルとウェハーのアライメントを直接TTL方式
にてアライメント可能とする露光装置を提供するもので
あり、超微細な露光パターン（例えば0.5〜0.3μｍの焼
付けレジストパターン）が形成可能となり、さらに、高
精度アライメント（例えば0.1〜0.05μｍ）が達成され
る。
m）エキシマー光を用いアライメント光にたとえばｉ線
またはｊ線を用いアライメント光をIITで変換した後、
たとえばCCDでアライメントキーを読みとることによ
り、レチクルとウェハーのアライメントを直接TTL方式
にてアライメント可能とする露光装置を提供するもので
あり、超微細な露光パターン（例えば0.5〜0.3μｍの焼
付けレジストパターン）が形成可能となり、さらに、高
精度アライメント（例えば0.1〜0.05μｍ）が達成され
る。
実施例 以下、本発明の一実施例の露光装置を図を用いて説明
する。第１図において光源部は、KrFエキシマー光源１
と、エキシマー光源１より発射されたレーザー光を分散
放射するインテグレーター２と、さらに分散放射された
光を集光するコンデンサーレンズ３、光軸の向きを変え
るミラー４よりなる。
する。第１図において光源部は、KrFエキシマー光源１
と、エキシマー光源１より発射されたレーザー光を分散
放射するインテグレーター２と、さらに分散放射された
光を集光するコンデンサーレンズ３、光軸の向きを変え
るミラー４よりなる。
一方、縮小投影部は、レチクルステージ５に固定され
たレチクル６と、縮小投影レンズ７と、XYウェハーステ
ージ８に固定されたウェハー（半導体基板）９よりな
る。ウェハー９上にはレジスト30が塗布されアライメン
トキー12が形成されている。
たレチクル６と、縮小投影レンズ７と、XYウェハーステ
ージ８に固定されたウェハー（半導体基板）９よりな
る。ウェハー９上にはレジスト30が塗布されアライメン
トキー12が形成されている。
従って、光源部を出たエキシマー光を用い、レチクル
上のパターンをウェハー上に焼付ける構成を取る。
上のパターンをウェハー上に焼付ける構成を取る。
さらに、露光装置としては、アライメント光学系とア
ライメントキーを認識し、画像処理を加え、XYウェハー
ステージ８を制御する制御用コンピュータ10が必要とな
る。すなわち、レチクル上のアライメントキー11と、ウ
ェハー上のアライメントキー12を位置合わせする必要が
ある。本装置の場合アライメント光学系はアライメント
用光源13として、HeCdレーザーや超高圧水銀灯を用い、
集光レンズ14で集光した後、超高圧水銀灯ではフィルタ
ー15（又は、モノクロメーター）で、アライメントに必
要な光、例えば、ｉ線又はｊ線のみを取り出しHeCdレー
ザーでは、そのまま利用して、アライメント用ビームス
プリッター16を用いて、アライメント光路にアライメン
ト光を導入する。さらに、プリズム又はミラー17等で、
光軸を折り曲げた後、露光用の光（KrFエキシマー光248
nm）と、HeCdレーザー光,i線又はｊ線の色収差および光
路長補正用のアライメント用レンズ18を用いて、レチク
ル６上のアライメントキー部11にのみ選択的に入射させ
る。さらにアライメントキー部11,12に入射された光が
反射されて返ってくる光を画像として認識するために結
像用レンズ19と、光軸上にCCDカメラ20を設置してお
く。なお、このとき、アライメントキー11,12より画像
として返ってくる光は、HeCdレーザー光,i線またはｊ線
のみのの波長の光であるため、IIT21を用いCCDに感度の
ある550nm程度の光に変換するとともに1000〜10000倍程
度増幅する構成とする。
ライメントキーを認識し、画像処理を加え、XYウェハー
ステージ８を制御する制御用コンピュータ10が必要とな
る。すなわち、レチクル上のアライメントキー11と、ウ
ェハー上のアライメントキー12を位置合わせする必要が
ある。本装置の場合アライメント光学系はアライメント
用光源13として、HeCdレーザーや超高圧水銀灯を用い、
集光レンズ14で集光した後、超高圧水銀灯ではフィルタ
ー15（又は、モノクロメーター）で、アライメントに必
要な光、例えば、ｉ線又はｊ線のみを取り出しHeCdレー
ザーでは、そのまま利用して、アライメント用ビームス
プリッター16を用いて、アライメント光路にアライメン
ト光を導入する。さらに、プリズム又はミラー17等で、
光軸を折り曲げた後、露光用の光（KrFエキシマー光248
nm）と、HeCdレーザー光,i線又はｊ線の色収差および光
路長補正用のアライメント用レンズ18を用いて、レチク
ル６上のアライメントキー部11にのみ選択的に入射させ
る。さらにアライメントキー部11,12に入射された光が
反射されて返ってくる光を画像として認識するために結
像用レンズ19と、光軸上にCCDカメラ20を設置してお
く。なお、このとき、アライメントキー11,12より画像
として返ってくる光は、HeCdレーザー光,i線またはｊ線
のみのの波長の光であるため、IIT21を用いCCDに感度の
ある550nm程度の光に変換するとともに1000〜10000倍程
度増幅する構成とする。
なお、この波長すなわちHeCdレーザー光,j線やｉ線の
IITに用いるマイクロチャンネルプレートはたとえばF12
17（浜松ホトニクス製）等が使用可能である。
IITに用いるマイクロチャンネルプレートはたとえばF12
17（浜松ホトニクス製）等が使用可能である。
また、ウェハー９上に塗布されて露光されパターン形
成されるレジストとしては、ノボラック系のポジレジス
トを一部改良することで対処できる。
成されるレジストとしては、ノボラック系のポジレジス
トを一部改良することで対処できる。
例えば、ｉ線アライメント用としては、ノボラック系
のベースポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式Ｉに
示す）を用いれば、露光用の248nmの光に感度を有し365
nm付近で吸収の非常に少ないポジレジストが製造でき
る。（分光特性を第２図に示す） ｊ線アライメント用としては、ノボラック系のベース
ポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式IIに示す）を
用いれば、248nmに感度を有し313nm付近で吸収の非常に
少ないポジレジストが製造できる。（分光特性を第３図
に示す。） また、ｉ線,j線、さらにHeCdレーザーをアライメント
光として用いる場合には、ベースポリマーに、５−ジア
ゾメルドラム酸または、その誘導体（次の式IIIに示
す）を用いれば、248nmに感度を有しｉ線,j線、HeCdレ
ーザー光、全てに渡り非常に吸収の少ないポジレジスト
が製造できる。（分光特性を第４図に示す。） なお、ノボラック系のベースポリマーの分光特性は、
第５図に示すものが市販されている。第５図により300
〜400nmの光を十分透過することができる。
のベースポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式Ｉに
示す）を用いれば、露光用の248nmの光に感度を有し365
nm付近で吸収の非常に少ないポジレジストが製造でき
る。（分光特性を第２図に示す） ｊ線アライメント用としては、ノボラック系のベース
ポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式IIに示す）を
用いれば、248nmに感度を有し313nm付近で吸収の非常に
少ないポジレジストが製造できる。（分光特性を第３図
に示す。） また、ｉ線,j線、さらにHeCdレーザーをアライメント
光として用いる場合には、ベースポリマーに、５−ジア
ゾメルドラム酸または、その誘導体（次の式IIIに示
す）を用いれば、248nmに感度を有しｉ線,j線、HeCdレ
ーザー光、全てに渡り非常に吸収の少ないポジレジスト
が製造できる。（分光特性を第４図に示す。） なお、ノボラック系のベースポリマーの分光特性は、
第５図に示すものが市販されている。第５図により300
〜400nmの光を十分透過することができる。
従って、本発明の露光装置において、露光波長として
KrFエキシマー光の248nmを用い、アライメント光とし
て、HeCdレーザー光または超高圧水銀灯のｉ線またはｊ
線を用いることが可能となる。
KrFエキシマー光の248nmを用い、アライメント光とし
て、HeCdレーザー光または超高圧水銀灯のｉ線またはｊ
線を用いることが可能となる。
なお、本発明の露光装置を用いて、ウェハー上に露光
パターンを得る方法は、あらかじめ、ホトレジスト（例
えば、ノボラック系ポジレジスト）をコートしたウェハ
ー９を、XYウェハーステージ８上に固定し、アライメン
ト光としてHeCdレーザー光,iまたはｊ線を用いてXYウェ
ハーステージを制御してアライメントキー11とアライメ
ントキー12の位置合せを行なった後、エキシマー光源を
作動させて、ウェハー上のレジストにレチクルパターン
を焼付ければ良い。
パターンを得る方法は、あらかじめ、ホトレジスト（例
えば、ノボラック系ポジレジスト）をコートしたウェハ
ー９を、XYウェハーステージ８上に固定し、アライメン
ト光としてHeCdレーザー光,iまたはｊ線を用いてXYウェ
ハーステージを制御してアライメントキー11とアライメ
ントキー12の位置合せを行なった後、エキシマー光源を
作動させて、ウェハー上のレジストにレチクルパターン
を焼付ければ良い。
発明の効果 本発明の露光装置により、露光波長としてKrFエキシ
マー光を用いても、アライメント精度が0.1〜0.05μｍ
程度の高精度TTL方式アライメントが可能となり、さら
に解像度も実用レベルで0.4μｍ〜0.5μｍ程度のレジス
トパターンの形成を十分クリヤーできることが確認され
る。
マー光を用いても、アライメント精度が0.1〜0.05μｍ
程度の高精度TTL方式アライメントが可能となり、さら
に解像度も実用レベルで0.4μｍ〜0.5μｍ程度のレジス
トパターンの形成を十分クリヤーできることが確認され
る。
従って、本発明は今後、超々LS1製造例えば16MDRAM,6
4MDRMA等の製造上、効果大なるものである。
4MDRMA等の製造上、効果大なるものである。
第１図は本発明のエキシマー光源を用いた露光装置の概
念を説明するための概念図、第２図，第３図，第４図は
それぞれｉ線,j線,HeCdレーザー光アライメント用ポジ
レジストに用いることが可能な光分解性試薬の分光特性
を示す図、第５図はノボラック系のベースポリマーの分
光特性を示す図である。 １……エキシマー光源、５……レチクルステージ、７…
…縮小投影レンズ、８……XYウェハーステージ、11〜21
……アライメント光学系。
念を説明するための概念図、第２図，第３図，第４図は
それぞれｉ線,j線,HeCdレーザー光アライメント用ポジ
レジストに用いることが可能な光分解性試薬の分光特性
を示す図、第５図はノボラック系のベースポリマーの分
光特性を示す図である。 １……エキシマー光源、５……レチクルステージ、７…
…縮小投影レンズ、８……XYウェハーステージ、11〜21
……アライメント光学系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 政孝 門真市大字門真1006番地 松下電器産業 株式会社内 (72)発明者 石原 健 門真市大字門真1006番地 松下電器産業 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−165915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−222862（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188316（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】エキシマーレーザー光源と、レチクルステ
ージと、縮小投影レンズと、XYウエハーステージと、ア
ライメント光学系を有し、248nmまたは193nmの波長を有
するエキシマーレーザー光に感応で300〜400nmの波長を
有する光に不感応なレジストの露光を行う半導体素子製
造用光学露光装置において、露光用の光として248nmま
たは193nmの波長を有するエキシマーレーザー光を用
い、アライメント光学系に使用する光として300〜400nm
の波長を用い、ウエハーから反射されたアライメント光
を認識するカメラを有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】300〜400nmの波長の光として、超高圧水銀
灯のｉ線またはｊ線またはHeCdレーザー光を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - 【請求項３】アライメント光と露光用の光の光軸が、互
いにズレていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
〜第２項いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項４】ウエハーから返ってくる光をCCDに感度の
ある波長に変換する手段を付加したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - 【請求項５】248nmまたは193nmの波長を有するエキシマ
ーレーザー光に感応し、かつ300〜400nmの波長を有する
光に不感応なレジストを塗布し、前記300〜400nmの波長
を有する光をウエハに照射してウエハーからの反射光を
カメラにより認識して前記ウエハーの位置合わせを行っ
た後、前記エキシマーレーザー光により前記レジストを
露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155346A JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
| US07/067,122 US4812880A (en) | 1986-07-02 | 1987-06-29 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155346A JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310520A JPS6310520A (ja) | 1988-01-18 |
| JP2650895B2 true JP2650895B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15603880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155346A Expired - Lifetime JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4812880A (ja) |
| JP (1) | JP2650895B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937619A (en) * | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
| US5039596A (en) * | 1989-06-29 | 1991-08-13 | Hoechst Celanese Corporation | Deep u.v. photoresist process utilizing compositions containing polycyclic cyclopentane 2-diazo-1,3-dione |
| JPH03212925A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
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1986
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1987
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Also Published As
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|---|---|
| US4812880A (en) | 1989-03-14 |
| JPS6310520A (ja) | 1988-01-18 |
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