JPS6310520A - 露光装置および露光方法 - Google Patents
露光装置および露光方法Info
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- JPS6310520A JPS6310520A JP61155346A JP15534686A JPS6310520A JP S6310520 A JPS6310520 A JP S6310520A JP 61155346 A JP61155346 A JP 61155346A JP 15534686 A JP15534686 A JP 15534686A JP S6310520 A JPS6310520 A JP S6310520A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子製造に用いる光学露光装置および
露光方法に関するものである。
露光方法に関するものである。
さらに詳しくは、半導体素子製造におけるホトリングラ
フイ一工程の超微細加工を実現するために発明された縮
小投影型エキ７マー露光技術に関するものである。
フイ一工程の超微細加工を実現するために発明された縮
小投影型エキ７マー露光技術に関するものである。
従来の技術
従来、すでに半導体素子Ｊ特にＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の微
細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小投
影型露光装置（ステッパー）が市販されている。しかし
ながら、従来のステッパーは露光用の光として超高圧水
銀灯のｇ線（４３５ｎｍ）やｉｌｊｌ（３６６ｎｍ）を
用いているため、解像１度はｇ線で１．２μｍ、ｉ線で
０．８μｍ程度が限界であった。これらの波長では、今
後４ Ｍ ｂｉｔ Ｒ人Ｍや１６Ｍｂ工ｔＲＡＭ 製
造に必要とされる０、５μｍの解像度を得ることは不可
能に近い。
細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小投
影型露光装置（ステッパー）が市販されている。しかし
ながら、従来のステッパーは露光用の光として超高圧水
銀灯のｇ線（４３５ｎｍ）やｉｌｊｌ（３６６ｎｍ）を
用いているため、解像１度はｇ線で１．２μｍ、ｉ線で
０．８μｍ程度が限界であった。これらの波長では、今
後４ Ｍ ｂｉｔ Ｒ人Ｍや１６Ｍｂ工ｔＲＡＭ 製
造に必要とされる０、５μｍの解像度を得ることは不可
能に近い。
そこで、近年ｇ線やｉ線に比べより波長の短いＸａＣｄ
（３０８ｎｍ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ）やムｒＦ（１ｓ
３ｎｍ） 等のエキシマ−光源を用いたサブミクロン
パターン形成用の露光装置の開発が検討されるようにな
ってきた。
（３０８ｎｍ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ）やムｒＦ（１ｓ
３ｎｍ） 等のエキシマ−光源を用いたサブミクロン
パターン形成用の露光装置の開発が検討されるようにな
ってきた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、エキシマレーザ−を用いた縮小投影露光
においては次に掲げる２点の問題がある。
においては次に掲げる２点の問題がある。
１）エキシマレーザ−光の発振する光の波長分布の半値
幅と縮小投影レンズの色消しの問題（スペックルと解像
度の関係）。
幅と縮小投影レンズの色消しの問題（スペックルと解像
度の関係）。
２）アライメント波長の選択の問題
１）は、エキシマレーザー光の横モードを乱しつつ、か
つ縦モードを整える光学系にすることにより解決できる
可能性はあるが、２ンのアライメント光の選択の問題に
おいては、アライメント精度を高めるために、露光波長
と同じ光を用いて縮小投影レンズを通過してレチクル、
マスク）とウェハーのマークで直接アライメントする方
法（スルーザレンズ方式：以下ＴＴＬ方式という）を採
用することが好ましく、レンズ設計が容易になるメリッ
トがある。ところが、露光波長と同じ波長の光を用いて
アライメントを行うと、アライメント中にアライメント
キ一部のレジストが露光されてしまい、その後のプロセ
スでアライメントキーがつぶされてしまう欠点がある。
つ縦モードを整える光学系にすることにより解決できる
可能性はあるが、２ンのアライメント光の選択の問題に
おいては、アライメント精度を高めるために、露光波長
と同じ光を用いて縮小投影レンズを通過してレチクル、
マスク）とウェハーのマークで直接アライメントする方
法（スルーザレンズ方式：以下ＴＴＬ方式という）を採
用することが好ましく、レンズ設計が容易になるメリッ
トがある。ところが、露光波長と同じ波長の光を用いて
アライメントを行うと、アライメント中にアライメント
キ一部のレジストが露光されてしまい、その後のプロセ
スでアライメントキーがつぶされてしまう欠点がある。
そこで、一般には、ＴＴＬ方式を用いたアライメントで
は、アライメント光と露光波長は異った領域、例えば従
来は、超高圧水銀灯のｇ線又は１線の露光波長に対し、
アライメント光はｄ線（５了アｎｍ）又はｅ線（５４６
ｎｍ）、人ｒレーザー（５１ｓｎｍ）が用いられるのが
一般的であった。
は、アライメント光と露光波長は異った領域、例えば従
来は、超高圧水銀灯のｇ線又は１線の露光波長に対し、
アライメント光はｄ線（５了アｎｍ）又はｅ線（５４６
ｎｍ）、人ｒレーザー（５１ｓｎｍ）が用いられるのが
一般的であった。
ところが、露光波長にＫｒＦ（２４８ｎｍ） エキシ
マ−光等を用いると、縮小レンズ系に用いるレンズ材料
が制約され（具体的には、合成石英や蛍石に限定される
）、露光波長とあまり波長の異つたアライメント光を用
いると色収差補正が完全に行なえず、解像度が大幅に劣
化し、アライメントが行なえなくなる欠点があった。す
なわち、露光波長２４８ｎｍのエキシマ−光に対し、超
高圧水銀灯のｄ線（５７７ｎｍ）やｅ線（６４６ｎｍ）
やムｒレーザー（６１５ｎｍ）は露光波長とのズレが大
きすぎてアライメントに利用できないことが発見された
。
マ−光等を用いると、縮小レンズ系に用いるレンズ材料
が制約され（具体的には、合成石英や蛍石に限定される
）、露光波長とあまり波長の異つたアライメント光を用
いると色収差補正が完全に行なえず、解像度が大幅に劣
化し、アライメントが行なえなくなる欠点があった。す
なわち、露光波長２４８ｎｍのエキシマ−光に対し、超
高圧水銀灯のｄ線（５７７ｎｍ）やｅ線（６４６ｎｍ）
やムｒレーザー（６１５ｎｍ）は露光波長とのズレが大
きすぎてアライメントに利用できないことが発見された
。
一方、ＫｒＦ エキシマ−光源と同じ波長の光をアラ
イメント光として用いる方法は、前述の理由によシ欠点
が大きすぎる。
イメント光として用いる方法は、前述の理由によシ欠点
が大きすぎる。
問題点を解決するための手段
そこで、本発明は３００〜４００ｎｍの光に不感応で２
００〜３００ｎｍのエキシマ−光に感応する露光用のレ
ジストを用い、露光波長にたとえばＫｒＦエキシマ−光
（すなわち２４８ｎｍ）を用い、アライメント光として
３００〜４００ｎｍの光、すなわち、たとえば超高圧水
銀灯の１線ク メント系の光学解像度をそれ程劣化させずにＴＴＬアラ
イメントが可能となることが発見された。
００〜３００ｎｍのエキシマ−光に感応する露光用のレ
ジストを用い、露光波長にたとえばＫｒＦエキシマ−光
（すなわち２４８ｎｍ）を用い、アライメント光として
３００〜４００ｎｍの光、すなわち、たとえば超高圧水
銀灯の１線ク メント系の光学解像度をそれ程劣化させずにＴＴＬアラ
イメントが可能となることが発見された。
本発明では、たとえばエキシマ−縮小露光装置において
、アライメント光に露光波長と異る光を用いてもＴＴＬ
方式でのアライメントが可能とする方法を提供するもの
である。なお、アライメント光に３００〜４００ ｎｍ
の光を用いる場合、アライメントキーすなわち画像認識
用のビデオカメラ（ｃａｎカメラ）がこの波長の光に感
度を有しないときは、カメラ前面にイメージインテンシ
ッフイヤー（以下１１Ｔという）を入れて、３００〜４
００ｎｍの波長の光を６５０ｎｍ付近の光に変換すると
ともに、１０００〜１００００倍程度増幅してやれば、
大幅にアライメント精度を向上できる。
、アライメント光に露光波長と異る光を用いてもＴＴＬ
方式でのアライメントが可能とする方法を提供するもの
である。なお、アライメント光に３００〜４００ ｎｍ
の光を用いる場合、アライメントキーすなわち画像認識
用のビデオカメラ（ｃａｎカメラ）がこの波長の光に感
度を有しないときは、カメラ前面にイメージインテンシ
ッフイヤー（以下１１Ｔという）を入れて、３００〜４
００ｎｍの波長の光を６５０ｎｍ付近の光に変換すると
ともに、１０００〜１００００倍程度増幅してやれば、
大幅にアライメント精度を向上できる。
作用
従って、本発明は、露光用の光にたとえばＫｒＦ（２４
ｓｎｍ）エキシマ−光を用いアライメント光ンてたとえ
ば１線またはｊ線を用いアライメント光をに工Ｔで変換
した後、たとえばＣＣＤでアライメントキーを読みとる
ことｌこより、レチクルとウェハーのアライメントヲ直
接ＴＴＬ方式にてアライメント可能とする露光装置を提
供するものであり、超微細な露光パター７（例えば０．
６〜０．３ｎｍの焼付はレジストパターン）が形成可能
となり、さらに、高精度アライメント（例えば０．１〜
ｏ、ｏｒμｍ）が達成される。
ｓｎｍ）エキシマ−光を用いアライメント光ンてたとえ
ば１線またはｊ線を用いアライメント光をに工Ｔで変換
した後、たとえばＣＣＤでアライメントキーを読みとる
ことｌこより、レチクルとウェハーのアライメントヲ直
接ＴＴＬ方式にてアライメント可能とする露光装置を提
供するものであり、超微細な露光パター７（例えば０．
６〜０．３ｎｍの焼付はレジストパターン）が形成可能
となり、さらに、高精度アライメント（例えば０．１〜
ｏ、ｏｒμｍ）が達成される。
実施例
以下、本発明の一実施例の露光装置を図を用いて説明す
る。第１７１でおいて光源部は、ＫｒＦ エキシマ−
光源１と、エキシマ−光源１より発射されたレーザー光
を分散放射するインチグレーター２と、さらに分散放射
された光を集光するコンデンサーレンズ３、光軸の向き
を変えるミラー４よりなる。
る。第１７１でおいて光源部は、ＫｒＦ エキシマ−
光源１と、エキシマ−光源１より発射されたレーザー光
を分散放射するインチグレーター２と、さらに分散放射
された光を集光するコンデンサーレンズ３、光軸の向き
を変えるミラー４よりなる。
一方、縮小投影部は、レチクルステージ５に固定された
レチクル６と、縮小投影レンズ７と、ＸＹウェハーステ
ージ８に固定されたウェハー（半導体基板）９よりなる
。ウェハー９上にはレジスト３０が塗布されアライメン
トキー１２が形成されている。
レチクル６と、縮小投影レンズ７と、ＸＹウェハーステ
ージ８に固定されたウェハー（半導体基板）９よりなる
。ウェハー９上にはレジスト３０が塗布されアライメン
トキー１２が形成されている。
従って、光源部を出たエキシマ−光を用い、レチクル上
のパターンをウェハー上１こ焼付ける構成を取る。
のパターンをウェハー上１こ焼付ける構成を取る。
さらに、露光装置としては、アライメント元学系とアラ
イメントキーを認識し、画像処理を加え、ＸＹウェハー
ステージ８を制御する制御用コンピュータ１ｏが必要と
なる。すなわち、レチクル上のアライメントキー１１と
、ウェハー上のアライメントキー１２を位置会わせする
必要う：あ己。水装置の場合アライメント光学系・はア
ライメント用光源１３として、ＨｅＣｄレーザーや超高
圧水銀灯を用い、集光レンズ１４で集光した後、超高圧
水銀灯ではフィルター１５（又は、モノクロメータ−）
で、アライメントに必要な光、例えば、１線又はｊ線の
みを取り出しＨｅＣ：ｄレーザーでは、そのまま利用し
て、アライメント用ビームスプリッタ−１６を用いて、
アライメント光路にアライメント光を導入する。さらに
、プリズム又はミラー１７等で、光軸を折り曲げた後、
露光用の光（ＫｒＦｘキシ−ｑ−光２４８ｎｍ）と、Ｈ
ｅＣｄｖ−ザー光、ｉ線又はｊ線の色収差および光路長
補正用のアライメント用レンズ１８を用いて、レチクル
６上のアライメントキ一部１１にのみ選択的に入射させ
る。さらにアライメントキ一部１１゜１２に入射された
光が反射されて返ってくる光を画像として認識するため
に結像用レンズ１９と、光軸上にＣＯＤカメラ２ｏを設
置しておく。なお、このとき、アライメントキー１１．
１２より画像として返ってくる光は、ＨｅＣｄレーザー
光、ｊ線またはｊ線のみの波長の光であるため、ＩＩＴ
２１を用いＣＯＤに感度のあるｓｓｏｎｍ程度の光に変
換するとともに１ｏＯｏ〜１００００倍程度増幅する構
成とする。
イメントキーを認識し、画像処理を加え、ＸＹウェハー
ステージ８を制御する制御用コンピュータ１ｏが必要と
なる。すなわち、レチクル上のアライメントキー１１と
、ウェハー上のアライメントキー１２を位置会わせする
必要う：あ己。水装置の場合アライメント光学系・はア
ライメント用光源１３として、ＨｅＣｄレーザーや超高
圧水銀灯を用い、集光レンズ１４で集光した後、超高圧
水銀灯ではフィルター１５（又は、モノクロメータ−）
で、アライメントに必要な光、例えば、１線又はｊ線の
みを取り出しＨｅＣ：ｄレーザーでは、そのまま利用し
て、アライメント用ビームスプリッタ−１６を用いて、
アライメント光路にアライメント光を導入する。さらに
、プリズム又はミラー１７等で、光軸を折り曲げた後、
露光用の光（ＫｒＦｘキシ−ｑ−光２４８ｎｍ）と、Ｈ
ｅＣｄｖ−ザー光、ｉ線又はｊ線の色収差および光路長
補正用のアライメント用レンズ１８を用いて、レチクル
６上のアライメントキ一部１１にのみ選択的に入射させ
る。さらにアライメントキ一部１１゜１２に入射された
光が反射されて返ってくる光を画像として認識するため
に結像用レンズ１９と、光軸上にＣＯＤカメラ２ｏを設
置しておく。なお、このとき、アライメントキー１１．
１２より画像として返ってくる光は、ＨｅＣｄレーザー
光、ｊ線またはｊ線のみの波長の光であるため、ＩＩＴ
２１を用いＣＯＤに感度のあるｓｓｏｎｍ程度の光に変
換するとともに１ｏＯｏ〜１００００倍程度増幅する構
成とする。
なお、この波長すなわちＨｅＣｄレーザー光、ｊ線や１
線用のＩＩＴに用いるマイクロチャンネルプレートはた
とえばＦｌ ２１７（浜松ホトニクスｍ＞等が使用可能
である。
線用のＩＩＴに用いるマイクロチャンネルプレートはた
とえばＦｌ ２１７（浜松ホトニクスｍ＞等が使用可能
である。
また、ウェハー９上に塗布されて露光されパターン形成
されるレジストとしては、ノボラック系のポジレジスト
を一部改良することで対処できる。
されるレジストとしては、ノボラック系のポジレジスト
を一部改良することで対処できる。
例えば、ｉ線アライメント用としては、ノボラック系の
ペースポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式Ｉに示
す）を用いれば、露光用の２４８ｎｍの光に感度を有し
３６５ ｎｍ付近で吸収の非常に少ないポジレジストが
製造できる。（分光特性を第２図に示す） ｏ２Ｃ１ ｊ線アライメント用としては、ノボラック系のベースポ
リマーに、ナフトキノン誘導体（次の式■に示す）を用
いれば、２４８ ｎｍに感度を有し３１３ｎｍ付近で吸
収の非常に少ないポジレジストが製造できる。（分光特
性を第３図に示す。） −Ｎ ｏ２Ｃｄ また、ｉ線、ｊ線、さらにＨｅ Ｃｄンーザーをアライ
メント光として用いる場合には、ペースポリマーに、６
−ジアシメルドラム酸または、その誘導体（次の式■に
示す）を用いれば、２４８ｎｍに感度を有しｉ線、ｊ線
、Ｈｅ Ｃｄレーザー光、全てに渡り非常に吸収の少な
いポジレジストが製造できる。（分光特性を第４図に示
す。）なお、ノボラック系のペースポリマーの分光特性
は、第５図に示すものが市販されている。第５図により
３００〜４００ｎｍの光を十分透過することができる。
ペースポリマーに、ナフトキノン誘導体（次の式Ｉに示
す）を用いれば、露光用の２４８ｎｍの光に感度を有し
３６５ ｎｍ付近で吸収の非常に少ないポジレジストが
製造できる。（分光特性を第２図に示す） ｏ２Ｃ１ ｊ線アライメント用としては、ノボラック系のベースポ
リマーに、ナフトキノン誘導体（次の式■に示す）を用
いれば、２４８ ｎｍに感度を有し３１３ｎｍ付近で吸
収の非常に少ないポジレジストが製造できる。（分光特
性を第３図に示す。） −Ｎ ｏ２Ｃｄ また、ｉ線、ｊ線、さらにＨｅ Ｃｄンーザーをアライ
メント光として用いる場合には、ペースポリマーに、６
−ジアシメルドラム酸または、その誘導体（次の式■に
示す）を用いれば、２４８ｎｍに感度を有しｉ線、ｊ線
、Ｈｅ Ｃｄレーザー光、全てに渡り非常に吸収の少な
いポジレジストが製造できる。（分光特性を第４図に示
す。）なお、ノボラック系のペースポリマーの分光特性
は、第５図に示すものが市販されている。第５図により
３００〜４００ｎｍの光を十分透過することができる。
従って、本発明の露光装置において、露光波長としてＫ
ｒＦエキシマ−光の２４８ ｎｍを用い、アライメント
光として、Ｈａｎｄレーザー光または超高圧水銀灯のｉ
線またはｊ線を用いることが可能となる。
ｒＦエキシマ−光の２４８ ｎｍを用い、アライメント
光として、Ｈａｎｄレーザー光または超高圧水銀灯のｉ
線またはｊ線を用いることが可能となる。
なお、本発明の露光装置を用いて、ウェハー上に露光パ
ターンを得る方法は、あらかじめ、ホトレジスト（例え
ば、ノボラック系ポジレジスト）をコートしたウェハー
９を、ＸＹウェハーステージ８上に固定し７、アラーｆ
メント元としてＭｅ Ｃｄレーザー光、ｉまたは３線を
用いてＸＹウェハーステージを制御してアライメントキ
ー１１とアライメントキー１２の位置合せを行なった後
、エキシマ−光源を作動させて、ウェハー上のレジスト
ｌ′こレチクルパターンを焼付ければ良い。
ターンを得る方法は、あらかじめ、ホトレジスト（例え
ば、ノボラック系ポジレジスト）をコートしたウェハー
９を、ＸＹウェハーステージ８上に固定し７、アラーｆ
メント元としてＭｅ Ｃｄレーザー光、ｉまたは３線を
用いてＸＹウェハーステージを制御してアライメントキ
ー１１とアライメントキー１２の位置合せを行なった後
、エキシマ−光源を作動させて、ウェハー上のレジスト
ｌ′こレチクルパターンを焼付ければ良い。
発明の効果
本発明の露光装置により、露光波長としてＫｒＦエキシ
マ−光を用いても、アライメント精度が０．１〜０．０
５μ口程度の高精度ＴＴＬ方式アライメントが可能とな
り、さらに解像度も実用レベルで０．４μｍ〜０．５μ
ｍ程度のレジストパターンの形成を十分クリヤーできる
ことが確認される。
マ−光を用いても、アライメント精度が０．１〜０．０
５μ口程度の高精度ＴＴＬ方式アライメントが可能とな
り、さらに解像度も実用レベルで０．４μｍ〜０．５μ
ｍ程度のレジストパターンの形成を十分クリヤーできる
ことが確認される。
従って、本発明は今後、超々ＬＳ１製造例えば１６ＭＤ
ＲＡＭ 、６４ＭＤＲＡＭ等の製造上、効果大なるもの
である。
ＲＡＭ 、６４ＭＤＲＡＭ等の製造上、効果大なるもの
である。
第１図は本発明のエキシマ−光源を用いた露光装置の概
念を説明するための概念図、第２図、第３図、第４図は
それぞれｉ線、ｊ線、Ｈｅｅｄレーザー光アライメント
用ポジレジストに用いることが可能な光分解性試薬の分
光特性を示す図、第６図はノボラック系のペースポリマ
ーの分光特性を示す図である。 １・・・・・・エキシマ−光源、６・・・・・・レチク
ルステージ、了・・・・・・縮小投影レンズ、８・・・
・・・ＸＹウェハーステージ、１１〜２１・・・・・・
アライメント光学系。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名富
２ 図 πリ ３００ 匈ｏ
５θθ濠景（Ｖす 第３図 液 表 （気帆） 第４図
念を説明するための概念図、第２図、第３図、第４図は
それぞれｉ線、ｊ線、Ｈｅｅｄレーザー光アライメント
用ポジレジストに用いることが可能な光分解性試薬の分
光特性を示す図、第６図はノボラック系のペースポリマ
ーの分光特性を示す図である。 １・・・・・・エキシマ−光源、６・・・・・・レチク
ルステージ、了・・・・・・縮小投影レンズ、８・・・
・・・ＸＹウェハーステージ、１１〜２１・・・・・・
アライメント光学系。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名富
２ 図 πリ ３００ 匈ｏ
５θθ濠景（Ｖす 第３図 液 表 （気帆） 第４図
Claims (5)
- （１）エキシマー光源と、レチクルステージと、縮小投
影レンズと、ＸＹウェハーステージと、アライメント光
学系を含む半導体素子製造用光学露光装置において、露
光用の光としてエキシマー光を用い、アライメント光学
系に使用する光として３００〜４００ｎｍの波長を用い
ることを特徴とした露光装置。 - （２）エキシマー光として、ＫｒＦエキシマー光を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。 - （３）３００〜４００ｎｍの波長の光として、超高圧水
銀灯のｉ線またはｊ線またはＨｅＣｄレーザー光を用い
ることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。 - （４）アライメント光と露光用の光の光軸が、互いにズ
レていることを特徴とした特許請求の範囲第１項〜第３
項いずれかに記載の露光装置。 - （５）あらかじめ、ｉ線またはｊ線またはＨｅＣｄレー
ザーの光を用い、レチクル上のアライメントキーとウェ
ハー上のアライメントキーの位置合せを行った後、Ｋｒ
Ｆエキシマー光で露光することを特徴とした露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155346A JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
| US07/067,122 US4812880A (en) | 1986-07-02 | 1987-06-29 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155346A JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310520A true JPS6310520A (ja) | 1988-01-18 |
| JP2650895B2 JP2650895B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15603880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155346A Expired - Lifetime JP2650895B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 露光装置および露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4812880A (ja) |
| JP (1) | JP2650895B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05225796A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| US5465234A (en) * | 1993-11-26 | 1995-11-07 | Nec Corporation | Semiconductor memory device having shifting circuit connected between data bus lines and data buffer circuits for changing connections therebetween |
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|---|---|---|---|---|
| US4937619A (en) * | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
| US5039596A (en) * | 1989-06-29 | 1991-08-13 | Hoechst Celanese Corporation | Deep u.v. photoresist process utilizing compositions containing polycyclic cyclopentane 2-diazo-1,3-dione |
| JPH03212925A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
| JP2712700B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1998-02-16 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| DE4134526A1 (de) * | 1990-10-18 | 1992-05-14 | Toyo Gosei Kogyo Kk | Positive photoresist-zusammensetzung und mustererzeugungsverfahren unter verwendung dieser zusammensetzung |
| US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
| US5370974A (en) * | 1992-06-26 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Laser exposure of photosensitive polyimide for pattern formation |
| JPH06177012A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nikon Corp | アライメント装置 |
| JP2002353099A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60222862A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS62188316A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4458994A (en) * | 1981-05-29 | 1984-07-10 | International Business Machines Corporation | High resolution optical lithography method and apparatus having excimer laser light source and stimulated Raman shifting |
| US4653903A (en) * | 1984-01-24 | 1987-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4667109A (en) * | 1984-03-09 | 1987-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment device |
| WO1986000427A1 (en) * | 1984-06-21 | 1986-01-16 | American Telephone & Telegraph Company | Deep-uv lithography |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61155346A patent/JP2650895B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-29 US US07/067,122 patent/US4812880A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60222862A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS62188316A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05225796A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| US5465234A (en) * | 1993-11-26 | 1995-11-07 | Nec Corporation | Semiconductor memory device having shifting circuit connected between data bus lines and data buffer circuits for changing connections therebetween |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2650895B2 (ja) | 1997-09-10 |
| US4812880A (en) | 1989-03-14 |
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