JPH05259018A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05259018A JPH05259018A JP4052634A JP5263492A JPH05259018A JP H05259018 A JPH05259018 A JP H05259018A JP 4052634 A JP4052634 A JP 4052634A JP 5263492 A JP5263492 A JP 5263492A JP H05259018 A JPH05259018 A JP H05259018A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- exposed
- exposure
- mask
- line width
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光光学系によって決定される最小パターン
以下の矩形性のすぐれた微細なレジストパターンを得
る。 【構成】 露光光学系によって決定される限界解像度以
上のコントラストのよいレジストパターンを露光する第
１の工程と、必要な線幅だけが露光されない位置までＸ
Ｙステージを動かし、第１の工程で露光したレジストパ
ターン上に重ね露光して微細なレジストパターンを形成
する第２の工程を含む。
以下の矩形性のすぐれた微細なレジストパターンを得
る。 【構成】 露光光学系によって決定される限界解像度以
上のコントラストのよいレジストパターンを露光する第
１の工程と、必要な線幅だけが露光されない位置までＸ
Ｙステージを動かし、第１の工程で露光したレジストパ
ターン上に重ね露光して微細なレジストパターンを形成
する第２の工程を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、感光剤を塗布した半
導体基板上に微細なレジストパターンを形成するレジス
トパターン形成方法に関するものである。
導体基板上に微細なレジストパターンを形成するレジス
トパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に投影式露光装置における限界解像
度は、限界解像度＝ｋ1 λ／ＮＡ（ｋ1：比例定数、
λ：露光波長、ＮＡ：投影レンズの開口数）で与えら
れ、比例定数ｋ1が一定であれば、露光光学系の波長及
び投影レンズの開口数によって決まってしまう。この比
例定数ｋ1は、実質的に使用するレジストやレジストの
処理プロセスによって決まる。
度は、限界解像度＝ｋ1 λ／ＮＡ（ｋ1：比例定数、
λ：露光波長、ＮＡ：投影レンズの開口数）で与えら
れ、比例定数ｋ1が一定であれば、露光光学系の波長及
び投影レンズの開口数によって決まってしまう。この比
例定数ｋ1は、実質的に使用するレジストやレジストの
処理プロセスによって決まる。
【０００３】この比例定数ｋ1の値は実用的には０.６程
度である。そこで、今、λ＝0.365μｍ（水銀ランプか
らのｉ線）、ＮＡ＝０.４５とするならば、限界解像度
は０.５μｍとなる。従って、図６(a)に示すように、遮
光部の幅０.８μｍ、０.５μｍ、０.２μｍを有するマ
スク１を含む一つの露光光学系を用いてパターン転写し
ようとした場合、このときの限界解像度０.５μｍ、即
ち遮光部の幅０.５μｍ以下、例えば遮光部の幅０.２μ
ｍによるパターンにおいては、図６(b)からもわかるよ
うに、遮光部の幅０.８μｍに対応する光学像強度の最
大値と最小値の差に対して、遮光部の幅０.２μｍに対
応する光学像強度の最大値と最小値の差は小さく、つま
り、遮光部の幅０.８μｍの場合に対して遮光部の幅０.
２μｍの場合はコントラストが悪くなり、その結果図６
(c)からもわかるように、現像後に得られるレジストパ
ターン２の形状の角が光の回折により丸くなり、矩形で
なくなってしまう。
度である。そこで、今、λ＝0.365μｍ（水銀ランプか
らのｉ線）、ＮＡ＝０.４５とするならば、限界解像度
は０.５μｍとなる。従って、図６(a)に示すように、遮
光部の幅０.８μｍ、０.５μｍ、０.２μｍを有するマ
スク１を含む一つの露光光学系を用いてパターン転写し
ようとした場合、このときの限界解像度０.５μｍ、即
ち遮光部の幅０.５μｍ以下、例えば遮光部の幅０.２μ
ｍによるパターンにおいては、図６(b)からもわかるよ
うに、遮光部の幅０.８μｍに対応する光学像強度の最
大値と最小値の差に対して、遮光部の幅０.２μｍに対
応する光学像強度の最大値と最小値の差は小さく、つま
り、遮光部の幅０.８μｍの場合に対して遮光部の幅０.
２μｍの場合はコントラストが悪くなり、その結果図６
(c)からもわかるように、現像後に得られるレジストパ
ターン２の形状の角が光の回折により丸くなり、矩形で
なくなってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のレジストパター
ン形成方法は以上のように行われ、投影式露光装置にお
ける限界解像度が露光波長、投影レンズの開口数及びレ
ジストやその処理プロセスで決定されていたので、矩形
状の微細なレジストパターンを形成することが困難であ
るという問題点があった。
ン形成方法は以上のように行われ、投影式露光装置にお
ける限界解像度が露光波長、投影レンズの開口数及びレ
ジストやその処理プロセスで決定されていたので、矩形
状の微細なレジストパターンを形成することが困難であ
るという問題点があった。
【０００５】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、投影式露光装置の露光光学系によ
って決まる限界解像度以下の微細なレジストパターンを
形成することができるレジストパターン形成方法を得る
ことを目的とする。
めになされたもので、投影式露光装置の露光光学系によ
って決まる限界解像度以下の微細なレジストパターンを
形成することができるレジストパターン形成方法を得る
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
パターン形成方法は、露光光学系によって決定される限
界解像度以上のレジストパターンを露光する第１の工程
と、必要な線幅が残る位置までＸＹステージを移動さ
せ、上記第１の工程で露光されたレジストパターン上に
重ね露光して微細なレジストパターンを形成する第２の
工程を含むものである。
パターン形成方法は、露光光学系によって決定される限
界解像度以上のレジストパターンを露光する第１の工程
と、必要な線幅が残る位置までＸＹステージを移動さ
せ、上記第１の工程で露光されたレジストパターン上に
重ね露光して微細なレジストパターンを形成する第２の
工程を含むものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、ＸＹステージの動きを積
極的に利用しているので、露光光学系によって得られる
レジストパターン以上の矩形状の微細なレジストパター
ンを得ることができる。
極的に利用しているので、露光光学系によって得られる
レジストパターン以上の矩形状の微細なレジストパター
ンを得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の諸実施例を図について説明
する。 実施例１．図１及び図２はこの発明の一実施例を示す平
面図及び断面図である。図において、１１はマスク、１
２は半導体基板（図示せず）上に設けられたフォトレジ
スト、１３はフォトレジスト１２中の未露光領域、１４
はフォトレジスト１２中の露光領域、１５は現像後に得
られるレジストパターンである。
する。 実施例１．図１及び図２はこの発明の一実施例を示す平
面図及び断面図である。図において、１１はマスク、１
２は半導体基板（図示せず）上に設けられたフォトレジ
スト、１３はフォトレジスト１２中の未露光領域、１４
はフォトレジスト１２中の露光領域、１５は現像後に得
られるレジストパターンである。
【０００９】次に、本実施例によるレジストパターン形
成方法について説明する。まず、図１に示すように、マ
スク１１を用いて、例えば水銀ランプからの露光光で通
常通りフォトレジスト１２に対して露光を行う。これに
より、フォトレジスト１２中に露光領域１３と未露光領
域１４が形成される。次に、図２(a)に示すように、必
要とされる線幅△Ｗを残しレーザ干渉計（図示せず）で
その位置決め精度を０.０５μｍ以下に制御されたＸＹ
ステージ（図示せず）を△ｘだけ動かし、１回目に露光
されたフォトレジスト１２に対して２回目の露光を行
う。これにより、図２(b)に示すように、遮光されてい
る線幅△Ｗの部分を残し、１回目の未露光部分は露光さ
れているので、現像すれば、図２(c)に示すような所望
の微細なレジストパターン１５が得られる。この得られ
たレジストパターン１５はコントラストのよい光学像の
エッジによって形成されたので矩形性のすぐれたものと
なる。
成方法について説明する。まず、図１に示すように、マ
スク１１を用いて、例えば水銀ランプからの露光光で通
常通りフォトレジスト１２に対して露光を行う。これに
より、フォトレジスト１２中に露光領域１３と未露光領
域１４が形成される。次に、図２(a)に示すように、必
要とされる線幅△Ｗを残しレーザ干渉計（図示せず）で
その位置決め精度を０.０５μｍ以下に制御されたＸＹ
ステージ（図示せず）を△ｘだけ動かし、１回目に露光
されたフォトレジスト１２に対して２回目の露光を行
う。これにより、図２(b)に示すように、遮光されてい
る線幅△Ｗの部分を残し、１回目の未露光部分は露光さ
れているので、現像すれば、図２(c)に示すような所望
の微細なレジストパターン１５が得られる。この得られ
たレジストパターン１５はコントラストのよい光学像の
エッジによって形成されたので矩形性のすぐれたものと
なる。
【００１０】実施例２．図３はこの発明の他の実施例を
示す平面図である。通常、図３(a)に示すようなマスク
１１を用いて露光，現像して得られるレジストパターン
１５は、図３(b)に示すように端の部分で光の回折によ
り角が丸くなる。
示す平面図である。通常、図３(a)に示すようなマスク
１１を用いて露光，現像して得られるレジストパターン
１５は、図３(b)に示すように端の部分で光の回折によ
り角が丸くなる。
【００１１】そこで、本実施例では、マスク内に図３
(a)に示すマスク１１とは別の位置に図３(c)に示すよう
なマスク１１Ａを入れておく。そして、先ず、マスク１
１を用いて露光したのち、ＸＹステージを動かして図３
(c)に示すように、マスク１１Ａをマスク１１によって
露光されて、パターンの上に移動させ露光する。この
時、角が丸くなる△ｅの部分のみ露光されるようにマス
ク１１Ａを作っておけば、図３(d)に示すように、角が
丸くない矩形状のレジストパターン１５を得ることがで
きる。
(a)に示すマスク１１とは別の位置に図３(c)に示すよう
なマスク１１Ａを入れておく。そして、先ず、マスク１
１を用いて露光したのち、ＸＹステージを動かして図３
(c)に示すように、マスク１１Ａをマスク１１によって
露光されて、パターンの上に移動させ露光する。この
時、角が丸くなる△ｅの部分のみ露光されるようにマス
ク１１Ａを作っておけば、図３(d)に示すように、角が
丸くない矩形状のレジストパターン１５を得ることがで
きる。
【００１２】実施例３．図４はこの発明のさらに他の実
施例を示す平面図である。先ず、図４(a)に示すよう
に、上記実施例１と同様の方法により線幅△Ｗの部分を
露光する。次にＹ方向の同様のマスクを用いて同様の線
幅△Ｙの部分の露光を行えば、交叉した、部分に図４
(b)に示すように、矩形状の微細なレジストパターン１
５を得ることができる。
施例を示す平面図である。先ず、図４(a)に示すよう
に、上記実施例１と同様の方法により線幅△Ｗの部分を
露光する。次にＹ方向の同様のマスクを用いて同様の線
幅△Ｙの部分の露光を行えば、交叉した、部分に図４
(b)に示すように、矩形状の微細なレジストパターン１
５を得ることができる。
【００１３】実施例４．図５はこの発明のまたさらに他
の実施例を示す平面図である。実施例３と同様の、図５
(a)，(b)に示す矩形状のマスク１１を用いて露光を行え
ば、その交叉した部分に矩形状の微細なレジストパター
ン（図示せず）を形成することができる。
の実施例を示す平面図である。実施例３と同様の、図５
(a)，(b)に示す矩形状のマスク１１を用いて露光を行え
ば、その交叉した部分に矩形状の微細なレジストパター
ン（図示せず）を形成することができる。
【００１４】実施例５．なお、上記実施例１〜４におい
ては、ポジ型のフォトレジストを用いて微細なレジスト
パターン（残しパターン）を形成する場合に付いて説明
したが、ネガ型のフォトレジストを用いてもよく、この
場合も同様に微細なレジストパターン（抜きパターン）
を形成することができる。
ては、ポジ型のフォトレジストを用いて微細なレジスト
パターン（残しパターン）を形成する場合に付いて説明
したが、ネガ型のフォトレジストを用いてもよく、この
場合も同様に微細なレジストパターン（抜きパターン）
を形成することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、露光光
学系によって決定される限界解像度以上のレジストパタ
ーンを露光する第１の工程と、必要な線幅が残る位置ま
でＸＹステージを移動させ、上記第１の工程で露光され
たレジストパターン上に重ね露光して微細なレジストパ
ターンを形成する第２の工程を含むので、露光光学系で
決まる限界解像度以下の微細レジストパターンを矩形性
を保ったまま得ることができるという効果がある。
学系によって決定される限界解像度以上のレジストパタ
ーンを露光する第１の工程と、必要な線幅が残る位置ま
でＸＹステージを移動させ、上記第１の工程で露光され
たレジストパターン上に重ね露光して微細なレジストパ
ターンを形成する第２の工程を含むので、露光光学系で
決まる限界解像度以下の微細レジストパターンを矩形性
を保ったまま得ることができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図及び側断面図
である。
である。
【図２】この発明の一実施例を示す平面図及び側断面図
である。
である。
【図３】この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図４】この発明のさらに他の実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図５】この発明のまたさらに他の実施例を示す平面図
である。
である。
【図６】従来法を示す図である。
１１ マスク １２ フォトレジスト １３ フォトレジストの未露光領域 １４ フォトレジストの露光領域 １５ 現像後のレジストパターン
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】そこで、本実施例では、マスク内に図３
(a)に示すマスク１１とは別の位置に図３(c)に示すよう
なマスク１１Ａを入れておく。そして、先ず、マスク１
１を用いて露光したのち、ＸＹステージを動かして図３
(c)に示すように、マスク１１Ａをマスク１１によって
露光されて、パターンの上に移動させ露光する。この
時、角が丸くなる△Ｌの部分のみ露光されるようにマス
ク１１Ａを作っておけば、図３(d)に示すように、角が
丸くない矩形状のレジストパターン１５を得ることがで
きる。
(a)に示すマスク１１とは別の位置に図３(c)に示すよう
なマスク１１Ａを入れておく。そして、先ず、マスク１
１を用いて露光したのち、ＸＹステージを動かして図３
(c)に示すように、マスク１１Ａをマスク１１によって
露光されて、パターンの上に移動させ露光する。この
時、角が丸くなる△Ｌの部分のみ露光されるようにマス
ク１１Ａを作っておけば、図３(d)に示すように、角が
丸くない矩形状のレジストパターン１５を得ることがで
きる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】実施例３．図４はこの発明のさらに他の実
施例を示す平面図である。先ず、図４(a)に示すよう
に、上記実施例１と同様の方法により線幅△Ｗの部分を
残して露光する。次にＹ方向に同様のマスクを用いて同
様の線幅△Ｙの部分を残して露光を行えば、交叉した、
部分に図４(b)に示すように、矩形状の微細なレジスト
パターン１５を得ることができる。
施例を示す平面図である。先ず、図４(a)に示すよう
に、上記実施例１と同様の方法により線幅△Ｗの部分を
残して露光する。次にＹ方向に同様のマスクを用いて同
様の線幅△Ｙの部分を残して露光を行えば、交叉した、
部分に図４(b)に示すように、矩形状の微細なレジスト
パターン１５を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (1)
- 【請求項１】 露光光学系によって決定される限界解像
度以上のレジストパターンを露光する第１の工程と、 必要な線幅が残る位置までＸＹステージを移動させ、上
記第１の工程で露光されたレジストパターン上に重ね露
光して微細なレジストパターンを形成する第２の工程を
含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4052634A JPH05259018A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4052634A JPH05259018A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259018A true JPH05259018A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12920257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4052634A Pending JPH05259018A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259018A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395456B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device achieving higher integration, method of manufacturing thereof, and method of forming resist pattern used therefor |
| KR100516747B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
| WO2021085072A1 (ja) * | 2019-10-28 | 2021-05-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感光性樹脂組成物、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP4052634A patent/JPH05259018A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516747B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
| US6395456B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device achieving higher integration, method of manufacturing thereof, and method of forming resist pattern used therefor |
| WO2021085072A1 (ja) * | 2019-10-28 | 2021-05-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感光性樹脂組成物、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2021085072A1 (ja) * | 2019-10-28 | 2021-05-06 |
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