JP3304917B2 - 走査型露光装置及び走査露光方法 - Google Patents
走査型露光装置及び走査露光方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，走査型露光装置及
び走査露光方法において，露光することによってウェハ
上に塗布されたレジストを半導体回路パターンにしたが
って溶解させる走査型露光装置及び走査露光方法であっ
て，特に，パターン線幅のばらつきを低減させる走査型
露光装置及び走査露光方法に関する。
び走査露光方法において，露光することによってウェハ
上に塗布されたレジストを半導体回路パターンにしたが
って溶解させる走査型露光装置及び走査露光方法であっ
て，特に，パターン線幅のばらつきを低減させる走査型
露光装置及び走査露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では，ＬＳＩ半導体デバイスの高集
積化が加速度を増して来ており，これに伴う半導体ウェ
ハの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術と
してレチクルの回路パターン像を投影光学系により感光
基板上に形成し，感光基板をステップ・アンド・スキャ
ン方式で露光する縮小投影露光装置（スキャナー）が半
導体製造工程で用いられている。このスキャナーにおい
ては，レチクル上の回路パターンを所定の縮小倍率を持
った投影光学系を介してウェハ面上の所定の位置に縮小
投影して転写を行い，露光はレチクルとウェハとを走査
することにより行っている。１回の投影転写終了後，ウ
ェハが載ったステージを所定距離移動して再び転写を行
うステップを繰り返して，ウェハ全面の露光を行ってい
る。
積化が加速度を増して来ており，これに伴う半導体ウェ
ハの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術と
してレチクルの回路パターン像を投影光学系により感光
基板上に形成し，感光基板をステップ・アンド・スキャ
ン方式で露光する縮小投影露光装置（スキャナー）が半
導体製造工程で用いられている。このスキャナーにおい
ては，レチクル上の回路パターンを所定の縮小倍率を持
った投影光学系を介してウェハ面上の所定の位置に縮小
投影して転写を行い，露光はレチクルとウェハとを走査
することにより行っている。１回の投影転写終了後，ウ
ェハが載ったステージを所定距離移動して再び転写を行
うステップを繰り返して，ウェハ全面の露光を行ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年，解像の精度が上
がるに従い，同一像でも光の走査方向と，その走査方向
と直交する光の非走査方向の違いにより，本来同一寸法
であるはずの線幅が異なってしまうことが，問題になっ
て来ている。パターンの線幅が位置によって異なること
は，例えばロジック回路にとっては単位時間あたりの情
報処理量の低下を意味し，デバイスの価値を落とす原因
となる。
がるに従い，同一像でも光の走査方向と，その走査方向
と直交する光の非走査方向の違いにより，本来同一寸法
であるはずの線幅が異なってしまうことが，問題になっ
て来ている。パターンの線幅が位置によって異なること
は，例えばロジック回路にとっては単位時間あたりの情
報処理量の低下を意味し，デバイスの価値を落とす原因
となる。
【０００４】より詳しくは，走査型露光装置は原理的に
光源からの光の走査方向では，露光パターン寸法が等し
くなるが，光源からの光の走査方向と垂直な非走査方向
では，露光パターン寸法が等しくはならず，ある平均の
長さを中心としてばらつきを生じてしまう。これらのば
らつきが生じる原因は，主にレンズの収差に依存し，こ
のレンズの収差は原理的に取り除くことは不可能であ
る。光源からの光の走査方向と垂直な非走査方向での露
光パターン寸法のある平均の長さを中心としたばらつき
は，図８のようになる。このようにパターン寸法が目標
値から１０％程度の誤差を生じてしまう場合がある。
光源からの光の走査方向では，露光パターン寸法が等し
くなるが，光源からの光の走査方向と垂直な非走査方向
では，露光パターン寸法が等しくはならず，ある平均の
長さを中心としてばらつきを生じてしまう。これらのば
らつきが生じる原因は，主にレンズの収差に依存し，こ
のレンズの収差は原理的に取り除くことは不可能であ
る。光源からの光の走査方向と垂直な非走査方向での露
光パターン寸法のある平均の長さを中心としたばらつき
は，図８のようになる。このようにパターン寸法が目標
値から１０％程度の誤差を生じてしまう場合がある。
【０００５】更に，先端的なロジックデバイスに適用さ
れるような微細な孤立パターンを走査型露光装置を用い
て露光する際にも，特に露光パターンが孤立パターンの
場合で孤立パターンの線幅のばらつきが大きくなってし
まう。
れるような微細な孤立パターンを走査型露光装置を用い
て露光する際にも，特に露光パターンが孤立パターンの
場合で孤立パターンの線幅のばらつきが大きくなってし
まう。
【０００６】以上の従来技術における問題に鑑み，本発
明は，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向で
のパターン寸法のばらつきを低減させ，半導体回路製品
の歩留りを向上することができる走査型露光装置及び走
査露光方法を提供することを目的とする。
明は，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向で
のパターン寸法のばらつきを低減させ，半導体回路製品
の歩留りを向上することができる走査型露光装置及び走
査露光方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本出
願第１の発明の走査型露光装置は，光源からの光の走査
方向と直交する非走査方向に光の透過率が変化せしめら
れ，光源からの光の走査方向に光の透過率が一定値にさ
れる光学フィルターをレチクル面への光の入射側の所定
の位置に設けられて成ることを特徴とする。また，本出
願第２の発明の走査型露光装置は，本出願第１の発明の
走査型露光装置において，光源と，ウェハに転写する回
路パターンが描かれているレチクルを装着する部分と，
光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光の透
過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に光の
透過率が一定値にされる光学フィルターをレチクル面へ
の光の入射側の所定の位置に設けられることを特徴とす
る。
願第１の発明の走査型露光装置は，光源からの光の走査
方向と直交する非走査方向に光の透過率が変化せしめら
れ，光源からの光の走査方向に光の透過率が一定値にさ
れる光学フィルターをレチクル面への光の入射側の所定
の位置に設けられて成ることを特徴とする。また，本出
願第２の発明の走査型露光装置は，本出願第１の発明の
走査型露光装置において，光源と，ウェハに転写する回
路パターンが描かれているレチクルを装着する部分と，
光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光の透
過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に光の
透過率が一定値にされる光学フィルターをレチクル面へ
の光の入射側の所定の位置に設けられることを特徴とす
る。
【０００８】したがって，本出願第１又は本出願第２の
発明の走査型露光装置によれば，光源からの光の走査方
向と直交する非走査方向での光の透過率の高低により，
パターン寸法の目標値のばらつきが発生する場所に照射
される光の照度を調節することができ，ウェハ上に形成
されるパターン線のパターン寸法を増減して調整するこ
とが可能になる。これによって，パターン線のパターン
寸法は，より目標値に近づくことができ，半導体回路製
品の歩留りを向上することができる。ここに，所定の位
置とは，レチクルが設置される面に光源から光が入射す
る方向でレンズの焦点により定まるレチクルが設置され
る面の所定の近隣位置又は，前記レチクルが設置される
面の所定の近隣位置とウェハ面に関して光学的に共役な
位置のことを示す。
発明の走査型露光装置によれば，光源からの光の走査方
向と直交する非走査方向での光の透過率の高低により，
パターン寸法の目標値のばらつきが発生する場所に照射
される光の照度を調節することができ，ウェハ上に形成
されるパターン線のパターン寸法を増減して調整するこ
とが可能になる。これによって，パターン線のパターン
寸法は，より目標値に近づくことができ，半導体回路製
品の歩留りを向上することができる。ここに，所定の位
置とは，レチクルが設置される面に光源から光が入射す
る方向でレンズの焦点により定まるレチクルが設置され
る面の所定の近隣位置又は，前記レチクルが設置される
面の所定の近隣位置とウェハ面に関して光学的に共役な
位置のことを示す。
【０００９】本出願第３の発明の走査型露光装置は，本
出願第１又は本出願第２の発明の走査型露光装置におい
て，前記光学フィルターは，光源からの光の走査方向と
直交する非走査方向では，光の透過率がＮ（Ｎは２以上
の自然数を示す）段階の異なる所望の透過率部分から形
成され，光源からの光の走査方向に，光源からの光が通
る位置に依らず光の透過率が一定値である透過率部分か
ら形成されていることを特徴とする。
出願第１又は本出願第２の発明の走査型露光装置におい
て，前記光学フィルターは，光源からの光の走査方向と
直交する非走査方向では，光の透過率がＮ（Ｎは２以上
の自然数を示す）段階の異なる所望の透過率部分から形
成され，光源からの光の走査方向に，光源からの光が通
る位置に依らず光の透過率が一定値である透過率部分か
ら形成されていることを特徴とする。
【００１０】したがって，本出願第３の発明の走査型露
光装置によれば，パターン線のパターン寸法にばらつき
を生じる光源からの光の走査方向と直交する非走査方向
で，レジストに照射される光量が変化することにより感
光されるレジストのパターン寸法の値を調節することが
でき，更に光量をＮ段階に調節できるので，パターン寸
法のばらつきをＮ分の１に低減することが可能となる。
光装置によれば，パターン線のパターン寸法にばらつき
を生じる光源からの光の走査方向と直交する非走査方向
で，レジストに照射される光量が変化することにより感
光されるレジストのパターン寸法の値を調節することが
でき，更に光量をＮ段階に調節できるので，パターン寸
法のばらつきをＮ分の１に低減することが可能となる。
【００１１】本出願第４の発明は，本出願第１〜本出願
第３の発明の走査型露光装置において，ウェハ上のレジ
ストの露光特性の違いにより，所定の値に設定する光学
フィルターの透過率を変化させることを特徴とする。
第３の発明の走査型露光装置において，ウェハ上のレジ
ストの露光特性の違いにより，所定の値に設定する光学
フィルターの透過率を変化させることを特徴とする。
【００１２】したがって，本出願第４の発明の走査型露
光装置によれば，レジストに照射される光量により感光
するパターン寸法を使用しているレジストに合わせ，所
望のパターン寸法にレジストを感光させることが可能に
なる。
光装置によれば，レジストに照射される光量により感光
するパターン寸法を使用しているレジストに合わせ，所
望のパターン寸法にレジストを感光させることが可能に
なる。
【００１３】本出願第５の発明の走査型露光装置は，本
出願第４の発明の走査型露光装置において，前記レジス
トとしてポジ型レジストを用いる場合は，パターン寸法
が所望の値に等しくなるウェハ上の領域に照射する光が
通る前記光学フィルター部分の透過率よりも前記光学フ
ィルターの透過率が小さい値をもつ部分を通過した光
が，パターン寸法が所望の値より小さくなるウェハ上の
領域に照射されるように前記光学フィルターの透過率部
分を配置して成ることを特徴とする。また，本出願第６
の発明の走査型露光装置は，本出願第４の発明の走査型
露光装置において，前記レジストとしてネガ型レジスト
を用いる場合は，パターン寸法が所望の値に等しくなる
ウェハ上の領域に照射する光が通る前記光学フィルター
部分の透過率よりも前記光学フィルターの透過率が小さ
い値をもつ部分を通過した光が，パターン寸法が所望の
値より大きくなるウェハ上の領域に照射されるように前
記光学フィルターの透過率部分を配置して成ることを特
徴とする。
出願第４の発明の走査型露光装置において，前記レジス
トとしてポジ型レジストを用いる場合は，パターン寸法
が所望の値に等しくなるウェハ上の領域に照射する光が
通る前記光学フィルター部分の透過率よりも前記光学フ
ィルターの透過率が小さい値をもつ部分を通過した光
が，パターン寸法が所望の値より小さくなるウェハ上の
領域に照射されるように前記光学フィルターの透過率部
分を配置して成ることを特徴とする。また，本出願第６
の発明の走査型露光装置は，本出願第４の発明の走査型
露光装置において，前記レジストとしてネガ型レジスト
を用いる場合は，パターン寸法が所望の値に等しくなる
ウェハ上の領域に照射する光が通る前記光学フィルター
部分の透過率よりも前記光学フィルターの透過率が小さ
い値をもつ部分を通過した光が，パターン寸法が所望の
値より大きくなるウェハ上の領域に照射されるように前
記光学フィルターの透過率部分を配置して成ることを特
徴とする。
【００１４】したがって，本出願第５の発明の走査型露
光装置によれば，レジストとしてポジ型レジストを用い
る場合において，パターン寸法が目標値より小さな場合
は，光学フィルターの透過率が小さい値をもつ部分を通
過する光をそのパターン寸法の位置に合わせて照射する
ことによって，パターン寸法を大きくして目標値に近づ
けることが可能になる。同様に，本出願第６の発明の走
査型露光装置によれば，レジストとしてネガ型レジスト
を用いる場合において，パターン寸法が目標値より大き
な場合は，光学フィルターの透過率が小さい値をもつ部
分を通過する光をそのパターン寸法の位置に合わせて照
射することによって，パターン寸法を小さくして目標値
に近づけることが可能になる。
光装置によれば，レジストとしてポジ型レジストを用い
る場合において，パターン寸法が目標値より小さな場合
は，光学フィルターの透過率が小さい値をもつ部分を通
過する光をそのパターン寸法の位置に合わせて照射する
ことによって，パターン寸法を大きくして目標値に近づ
けることが可能になる。同様に，本出願第６の発明の走
査型露光装置によれば，レジストとしてネガ型レジスト
を用いる場合において，パターン寸法が目標値より大き
な場合は，光学フィルターの透過率が小さい値をもつ部
分を通過する光をそのパターン寸法の位置に合わせて照
射することによって，パターン寸法を小さくして目標値
に近づけることが可能になる。
【００１５】本出願第７の発明の走査露光方法は，光源
から光を発生して，レチクル面への光の入射側の所定の
位置に設けられ，光源からの光の走査方向と直交する非
走査方向に光の透過率が変化せしめられ，光源からの光
の走査方向に光の透過率が一定値にされる光学フィルタ
ーの所定位置に光源からの光を通過させ，光学フィルタ
ーを通過した光をレチクル面に照射することにより，レ
チクル面に描かれている半導体回路パターンをウェハに
転写することを特徴とする。
から光を発生して，レチクル面への光の入射側の所定の
位置に設けられ，光源からの光の走査方向と直交する非
走査方向に光の透過率が変化せしめられ，光源からの光
の走査方向に光の透過率が一定値にされる光学フィルタ
ーの所定位置に光源からの光を通過させ，光学フィルタ
ーを通過した光をレチクル面に照射することにより，レ
チクル面に描かれている半導体回路パターンをウェハに
転写することを特徴とする。
【００１６】したがって，本出願第７の発明の走査露光
方法によれば，光源からの光の走査方向と直交する非走
査方向では，パターン寸法にばらつきのあるパターン線
のパターン寸法を目標値に近づくようにすることが可能
になり，一方，原理的にパターン寸法にばらつきのでな
い光源からの光の走査方向でも，レジストに照射される
光量は一定となるので，パターン寸法にばらつきは生じ
ないようにすることが可能になる。これによって，パタ
ーン線のパターン寸法は，より目標値に近づくことがで
き，半導体回路製品の歩留りを向上することができる。
方法によれば，光源からの光の走査方向と直交する非走
査方向では，パターン寸法にばらつきのあるパターン線
のパターン寸法を目標値に近づくようにすることが可能
になり，一方，原理的にパターン寸法にばらつきのでな
い光源からの光の走査方向でも，レジストに照射される
光量は一定となるので，パターン寸法にばらつきは生じ
ないようにすることが可能になる。これによって，パタ
ーン線のパターン寸法は，より目標値に近づくことがで
き，半導体回路製品の歩留りを向上することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 本発明における第１の実施の形態の走査型露光装置及び
走査露光方法を図１〜図５を参照して説明する。また本
明細書では，同一又は同等のものには同一符号を付して
説明する。本実施の形態に係る走査型露光装置は，レチ
クル８側とウェハ１０側にスキャンニングステージを設
け，双方を動かす（ステップ・アンド・スキャン方式）
ことにより，光学フィルター４をリレーレンズ３とリレ
ーレンズ５の間又は，この位置とウェハ１０面に関し光
学的に共役な位置に設置すること以外は，ウェハ１０面
を露光する一般的な従来の露光装置と同様の構成を備え
て成る。すなわち，本実施の形態に係る走査型露光装置
は，ある波長の光を発生する光源１が設置されている。
この光源１は，ｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎ
ｍ），又はｈ線（４０７ｎｍ）等の光を出力する水銀ラ
ンプ等又は，水銀ランプ以外にＫｒＦレーザー，ＡｒＦ
レーザー，あるいはＦ２レーザ等を用いる。複数のレン
ズ素子から構成され，射出側面には多数の一次光源の像
（二次光源）が形成されるフライアイ２が設置されてい
る。このフライアイ２を通過した光源１からの光を光学
フィルター４に入射するリレーレンズ３と，この光学フ
ィルター４を通過した光源１からの光を折り曲げミラー
６に入射するリレーレンズ５とが設置されている。ここ
に，折り曲げミラー６は，露光するウェハ１０上に照射
する方向に光源１からリレーレンズ５を通過してきた光
の向きを変更するように設置されている。また，折り曲
げミラー６からの光を集光しレチクル８に照射するコン
デンサーレンズ７と，ウェハ１０上に転写する半導体回
路パターンが描かれているレチクル８と，レチクル８を
装着するレチクル装着部１１と，が設置されている。更
に，レチクル８に描かれている半導体パターンをウェハ
１０面に投影する投影レンズ９が設置されている。これ
によって，光源１から発生する光を上記の装置を通過さ
せることにより，レチクル８に描かれた半導体パターン
をウェハ１０上に転写することができる。ここで，光学
フィルター４とレチクル８は光学的に共役な位置関係に
なっており，レチクル８とウェハ１０とも光学的に共役
な関係になっている。
走査露光方法を図１〜図５を参照して説明する。また本
明細書では，同一又は同等のものには同一符号を付して
説明する。本実施の形態に係る走査型露光装置は，レチ
クル８側とウェハ１０側にスキャンニングステージを設
け，双方を動かす（ステップ・アンド・スキャン方式）
ことにより，光学フィルター４をリレーレンズ３とリレ
ーレンズ５の間又は，この位置とウェハ１０面に関し光
学的に共役な位置に設置すること以外は，ウェハ１０面
を露光する一般的な従来の露光装置と同様の構成を備え
て成る。すなわち，本実施の形態に係る走査型露光装置
は，ある波長の光を発生する光源１が設置されている。
この光源１は，ｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎ
ｍ），又はｈ線（４０７ｎｍ）等の光を出力する水銀ラ
ンプ等又は，水銀ランプ以外にＫｒＦレーザー，ＡｒＦ
レーザー，あるいはＦ２レーザ等を用いる。複数のレン
ズ素子から構成され，射出側面には多数の一次光源の像
（二次光源）が形成されるフライアイ２が設置されてい
る。このフライアイ２を通過した光源１からの光を光学
フィルター４に入射するリレーレンズ３と，この光学フ
ィルター４を通過した光源１からの光を折り曲げミラー
６に入射するリレーレンズ５とが設置されている。ここ
に，折り曲げミラー６は，露光するウェハ１０上に照射
する方向に光源１からリレーレンズ５を通過してきた光
の向きを変更するように設置されている。また，折り曲
げミラー６からの光を集光しレチクル８に照射するコン
デンサーレンズ７と，ウェハ１０上に転写する半導体回
路パターンが描かれているレチクル８と，レチクル８を
装着するレチクル装着部１１と，が設置されている。更
に，レチクル８に描かれている半導体パターンをウェハ
１０面に投影する投影レンズ９が設置されている。これ
によって，光源１から発生する光を上記の装置を通過さ
せることにより，レチクル８に描かれた半導体パターン
をウェハ１０上に転写することができる。ここで，光学
フィルター４とレチクル８は光学的に共役な位置関係に
なっており，レチクル８とウェハ１０とも光学的に共役
な関係になっている。
【００１８】つぎに，光学フィルター４を設け，光源１
からの光を光学フィルター４に通すことによる本実施の
形態に係る走査型露光装置の動作を図１〜図５を参照し
て説明する。また，本実施の形態では，ウェハ１０上に
塗布されているレジストが，ポジ型レジストである場合
についての走査型露光装置及び走査露光方法を説明す
る。
からの光を光学フィルター４に通すことによる本実施の
形態に係る走査型露光装置の動作を図１〜図５を参照し
て説明する。また，本実施の形態では，ウェハ１０上に
塗布されているレジストが，ポジ型レジストである場合
についての走査型露光装置及び走査露光方法を説明す
る。
【００１９】このステップ・アンド・スキャン方式の露
光装置ではスリット状の露光領域を有し，光がレチクル
８とウェハ１０とを走査することにより露光を行ってい
る。そして１つのショットの走査露光が終了すると，ウ
ェハ１０は次のショットにステップし，次のショットの
露光を開始している。これを繰り返してウェハ１０全体
の露光を行っている。また，レチクル８を走査方向に所
定の速度でスキャン（走査）すると同時に，投影レンズ
９の結像倍率に応じた所定の速度でウェハステージを走
査方向にスキャンすることによってレクチル８上の回路
パターン全体をウェハ１０上に転写するようにしてい
る。更に，スキャンによってレチクル８上の回路パター
ン全体をウェハ１０の所定の位置に転写した後は，ウェ
ハステージを所定の量だけ移動（ステップ）してウェハ
１０上の異なる位置に上記と同様の方法で改めて回路パ
ターンの転写を繰り返す。
光装置ではスリット状の露光領域を有し，光がレチクル
８とウェハ１０とを走査することにより露光を行ってい
る。そして１つのショットの走査露光が終了すると，ウ
ェハ１０は次のショットにステップし，次のショットの
露光を開始している。これを繰り返してウェハ１０全体
の露光を行っている。また，レチクル８を走査方向に所
定の速度でスキャン（走査）すると同時に，投影レンズ
９の結像倍率に応じた所定の速度でウェハステージを走
査方向にスキャンすることによってレクチル８上の回路
パターン全体をウェハ１０上に転写するようにしてい
る。更に，スキャンによってレチクル８上の回路パター
ン全体をウェハ１０の所定の位置に転写した後は，ウェ
ハステージを所定の量だけ移動（ステップ）してウェハ
１０上の異なる位置に上記と同様の方法で改めて回路パ
ターンの転写を繰り返す。
【００２０】図８に示すような従来の光学フィルター４
を設置しない場合のパターン線幅のばらつきをもつ走査
型露光装置の場合は，非走査方向位置のどの場所におい
てパターン寸法が目標値からどの程度ずれているか正確
にわかるので，パターン寸法が目標値よりも小さい値を
もつ非走査方向位置とそこでのパターン寸法を確認して
おくことができる。パターン寸法が目標値よりも小さい
値をもつ非走査方向位置では，光学フィルター４の透過
率を目標値である非走査方向位置での透過率よりも小さ
く設定する。すなわち，光学フィルター４は，非走査方
向の位置に応じて，光源１から来る光の透過率を変化さ
せる機構を有する。これによって，ウェハ１０上のポジ
型レジストの露光量を適切に制御することになる。
を設置しない場合のパターン線幅のばらつきをもつ走査
型露光装置の場合は，非走査方向位置のどの場所におい
てパターン寸法が目標値からどの程度ずれているか正確
にわかるので，パターン寸法が目標値よりも小さい値を
もつ非走査方向位置とそこでのパターン寸法を確認して
おくことができる。パターン寸法が目標値よりも小さい
値をもつ非走査方向位置では，光学フィルター４の透過
率を目標値である非走査方向位置での透過率よりも小さ
く設定する。すなわち，光学フィルター４は，非走査方
向の位置に応じて，光源１から来る光の透過率を変化さ
せる機構を有する。これによって，ウェハ１０上のポジ
型レジストの露光量を適切に制御することになる。
【００２１】具体的には，図５に示すように光学フィル
ター４の非走査方向の透過率を設定する。すなわち，光
学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透過率
が１００％である場合の非走査位置でのパターン寸法が
１３５ｎｍから１５０ｎｍになる非走査位置での光学フ
ィルター４上の透過率を９５％に設定し，光学フィルタ
ー４上の光が通過するすべての領域で透過率が１００％
である場合の非走査位置でのパターン寸法が１５０ｎｍ
から１６５ｎｍになる非走査位置での光学フィルター４
上の透過率を１００％に設定する。なお，光学フィルタ
ー４の走査方向については，ある位置での非走査方向で
の透過率の値と等しい値に設定しておき，その位置での
走査方向の透過率は常に一定に設定しておく。すなわち
本実施の形態では，光学フィルター４上の光が通過する
すべての領域で透過率が１００％である場合のパターン
寸法が１３５ｎｍから１５０ｎｍになる非走査位置での
走査方向ではすべての透過率を９５％に設定し，その他
の光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透
過率が１００％である場合のパターン寸法が１５０ｎｍ
から１６５ｎｍになる非走査位置での走査方向ではすべ
ての透過率を１００％に設定する。これによって，パタ
ーン寸法のばらつきが１５０ｎｍから１６５ｎｍの間の
みになり，光学フィルター４を設けない場合のパターン
寸法のばらつきである１３５ｎｍから１６５ｎｍの間に
比較して２分の１にパターン寸法のばらつきが小さくな
る。
ター４の非走査方向の透過率を設定する。すなわち，光
学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透過率
が１００％である場合の非走査位置でのパターン寸法が
１３５ｎｍから１５０ｎｍになる非走査位置での光学フ
ィルター４上の透過率を９５％に設定し，光学フィルタ
ー４上の光が通過するすべての領域で透過率が１００％
である場合の非走査位置でのパターン寸法が１５０ｎｍ
から１６５ｎｍになる非走査位置での光学フィルター４
上の透過率を１００％に設定する。なお，光学フィルタ
ー４の走査方向については，ある位置での非走査方向で
の透過率の値と等しい値に設定しておき，その位置での
走査方向の透過率は常に一定に設定しておく。すなわち
本実施の形態では，光学フィルター４上の光が通過する
すべての領域で透過率が１００％である場合のパターン
寸法が１３５ｎｍから１５０ｎｍになる非走査位置での
走査方向ではすべての透過率を９５％に設定し，その他
の光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透
過率が１００％である場合のパターン寸法が１５０ｎｍ
から１６５ｎｍになる非走査位置での走査方向ではすべ
ての透過率を１００％に設定する。これによって，パタ
ーン寸法のばらつきが１５０ｎｍから１６５ｎｍの間の
みになり，光学フィルター４を設けない場合のパターン
寸法のばらつきである１３５ｎｍから１６５ｎｍの間に
比較して２分の１にパターン寸法のばらつきが小さくな
る。
【００２２】このように，光学フィルター４により非走
査方向の透過率を非走査方向の位置に応じて設定するこ
とにより，ウェハ１０上に露光する光源１からの光の露
光量を非走査方向の場所に応じて設定することができ，
パターン寸法は露光量に応じて変化するので，光学フィ
ルター４の透過率を光学フィルター４上の位置に応じて
変化させることにより，レジストのパターン寸法を制御
することが可能になる。例えば，あるポジ型レジストの
場合の露光量に対するパターン寸法は，図３のようにな
る。なお，この直線の傾きとある露光量でのパターン寸
法の値は，レジストの性質に依存する。
査方向の透過率を非走査方向の位置に応じて設定するこ
とにより，ウェハ１０上に露光する光源１からの光の露
光量を非走査方向の場所に応じて設定することができ，
パターン寸法は露光量に応じて変化するので，光学フィ
ルター４の透過率を光学フィルター４上の位置に応じて
変化させることにより，レジストのパターン寸法を制御
することが可能になる。例えば，あるポジ型レジストの
場合の露光量に対するパターン寸法は，図３のようにな
る。なお，この直線の傾きとある露光量でのパターン寸
法の値は，レジストの性質に依存する。
【００２３】本発明は，ライン部分とスペース部分の寸
法が等しいライン・アンド・スペースのパターンでも，
隣接する領域にパターンが存在しない孤立ラインのパタ
ーンでも，同様に上記の効果を有するが，孤立ラインの
パターンは，図４に示すようにデフォーカスの０付近の
変化に対して，ライン・アンド・スペースと比較して，
パターン寸法が急激に変化してしまい，所望のパターン
寸法をウェハ１０上に描くことは，ライン・アンド・ス
ペースのパターン寸法をウェハ１０上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
法が等しいライン・アンド・スペースのパターンでも，
隣接する領域にパターンが存在しない孤立ラインのパタ
ーンでも，同様に上記の効果を有するが，孤立ラインの
パターンは，図４に示すようにデフォーカスの０付近の
変化に対して，ライン・アンド・スペースと比較して，
パターン寸法が急激に変化してしまい，所望のパターン
寸法をウェハ１０上に描くことは，ライン・アンド・ス
ペースのパターン寸法をウェハ１０上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
【００２４】また，光学フィルターとしては，ドットパ
ターンの疎密により透過率を変化させるガラス，異なる
膜厚により透過率を変化させる金属薄膜等があるが，こ
れに限定することはなく，光源に対し上記の透過率を実
現することができる材質であればよい。
ターンの疎密により透過率を変化させるガラス，異なる
膜厚により透過率を変化させる金属薄膜等があるが，こ
れに限定することはなく，光源に対し上記の透過率を実
現することができる材質であればよい。
【００２５】以上の本発明の第１の実施の形態の査型露
光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに転
写する半導体回路パターンが描かれているレチクルと，
光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光の透
過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に光の
透過率が一定値にされる透過率が２段階の異なる透過率
部分から形成されている光学フィルターであって，レチ
クル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光学フ
ィルターと，を有して成ることにより，光源からの光の
走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高低に
より，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する場所
に照射される光の照度を調節することができ，ウェハ上
に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して調整
することが可能になる。これによって，パターン線のパ
ターン寸法は，パターン寸法のばらつきが２分の１に低
減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路製品
の歩留りを向上することができる。
光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに転
写する半導体回路パターンが描かれているレチクルと，
光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光の透
過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に光の
透過率が一定値にされる透過率が２段階の異なる透過率
部分から形成されている光学フィルターであって，レチ
クル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光学フ
ィルターと，を有して成ることにより，光源からの光の
走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高低に
より，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する場所
に照射される光の照度を調節することができ，ウェハ上
に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して調整
することが可能になる。これによって，パターン線のパ
ターン寸法は，パターン寸法のばらつきが２分の１に低
減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路製品
の歩留りを向上することができる。
【００２６】第２の実施の形態 本発明における第２の実施の形態の走査型露光装置及び
走査露光方法を図６を参照して説明する。本実施の形態
に係る走査型露光装置は，第１の実施の形態の走査型露
光装置と光学フィルター４の透過率が３段階の異なる透
過率部分から形成されていること以外は，同様の構成を
備えて成る。本実施の形態に係る走査型露光装置と第１
の実施の形態の走査型露光装置の具体的な違いは，図６
に示すように光学フィルター４の非走査方向の透過率の
設定を更に詳細にする点である。すなわち，第１の実施
の形態の走査型露光装置では，光学フィルター４上の光
の透過率の値を２種類（９５％，１００％）設けていた
のに対し，本実施の形態の走査型露光装置では，光学フ
ィルター４上の光の透過率の値を３種類（９０％，９５
％，１００％）設定する。光学フィルター４上の光が通
過するすべての領域で透過率が１００％である場合の非
走査位置でのパターン寸法が１３０ｎｍから１４０ｎｍ
になる非走査位置での光学フィルター４上の透過率を９
０％に設定し，光学フィルター４上の光が通過するすべ
ての領域で透過率が１００％である場合の非走査位置で
のパターン寸法が１４０ｎｍから１５０ｎｍになる非走
査位置での光学フィルター４上の透過率を９５％に設定
し，光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で
透過率が１００％である場合の非走査位置でのパターン
寸法が１５０ｎｍから１６０ｎｍになる非走査位置での
光学フィルター４上の透過率を１００％に設定する。な
お，光学フィルター４の走査方向については，第１の実
施の形態と同様に，ある位置での非走査方向での透過率
の値と等しい値に設定しておき，その位置での走査方向
の透過率は常に一定に設定しておく。
走査露光方法を図６を参照して説明する。本実施の形態
に係る走査型露光装置は，第１の実施の形態の走査型露
光装置と光学フィルター４の透過率が３段階の異なる透
過率部分から形成されていること以外は，同様の構成を
備えて成る。本実施の形態に係る走査型露光装置と第１
の実施の形態の走査型露光装置の具体的な違いは，図６
に示すように光学フィルター４の非走査方向の透過率の
設定を更に詳細にする点である。すなわち，第１の実施
の形態の走査型露光装置では，光学フィルター４上の光
の透過率の値を２種類（９５％，１００％）設けていた
のに対し，本実施の形態の走査型露光装置では，光学フ
ィルター４上の光の透過率の値を３種類（９０％，９５
％，１００％）設定する。光学フィルター４上の光が通
過するすべての領域で透過率が１００％である場合の非
走査位置でのパターン寸法が１３０ｎｍから１４０ｎｍ
になる非走査位置での光学フィルター４上の透過率を９
０％に設定し，光学フィルター４上の光が通過するすべ
ての領域で透過率が１００％である場合の非走査位置で
のパターン寸法が１４０ｎｍから１５０ｎｍになる非走
査位置での光学フィルター４上の透過率を９５％に設定
し，光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で
透過率が１００％である場合の非走査位置でのパターン
寸法が１５０ｎｍから１６０ｎｍになる非走査位置での
光学フィルター４上の透過率を１００％に設定する。な
お，光学フィルター４の走査方向については，第１の実
施の形態と同様に，ある位置での非走査方向での透過率
の値と等しい値に設定しておき，その位置での走査方向
の透過率は常に一定に設定しておく。
【００２７】これによって，パターン寸法のばらつきが
１５０ｎｍから１６０ｎｍの間のみになり，光学フィル
ター４を設けない場合のパターン寸法のばらつきである
１３０ｎｍから１６０ｎｍの間に比較して３分の１にパ
ターン寸法のばらつきが小さくなる。また，本実施の形
態では３段階の異なる透過率部分から形成されている光
学フィルターを有しているが，Ｎ段階の異なる透過率部
分から形成されている光学フィルターを有している場合
では，本実施の形態と同様にして，一般にＮ分の１にパ
ターン寸法のばらつきが小さくなる。
１５０ｎｍから１６０ｎｍの間のみになり，光学フィル
ター４を設けない場合のパターン寸法のばらつきである
１３０ｎｍから１６０ｎｍの間に比較して３分の１にパ
ターン寸法のばらつきが小さくなる。また，本実施の形
態では３段階の異なる透過率部分から形成されている光
学フィルターを有しているが，Ｎ段階の異なる透過率部
分から形成されている光学フィルターを有している場合
では，本実施の形態と同様にして，一般にＮ分の１にパ
ターン寸法のばらつきが小さくなる。
【００２８】このように，第１の実施の形態と同様に，
光学フィルター４により非走査方向の透過率を非走査方
向の位置に応じて設定することにより，ウェハ１０上に
露光する光源からの光の露光量を非走査方向の場所に応
じて設定することができ，パターン寸法は露光量に応じ
て変化するので，光学フィルター４の透過率を光学フィ
ルター４上の位置に応じて変化させることにより，レジ
ストのパターン寸法を制御することが可能になる。例え
ば，あるポジ型レジストの場合の露光量に対するパター
ン寸法は，図３のようになる。なお，この直線の傾きと
ある露光量でのパターン寸法の値は，レジストの性質に
依存する。
光学フィルター４により非走査方向の透過率を非走査方
向の位置に応じて設定することにより，ウェハ１０上に
露光する光源からの光の露光量を非走査方向の場所に応
じて設定することができ，パターン寸法は露光量に応じ
て変化するので，光学フィルター４の透過率を光学フィ
ルター４上の位置に応じて変化させることにより，レジ
ストのパターン寸法を制御することが可能になる。例え
ば，あるポジ型レジストの場合の露光量に対するパター
ン寸法は，図３のようになる。なお，この直線の傾きと
ある露光量でのパターン寸法の値は，レジストの性質に
依存する。
【００２９】本実施の形態も第１の実施の形態と同様
に，ライン・アンド・スペースのパターンでも，孤立ラ
インのパターンでも，同様に上記の効果を有するが，孤
立ラインのパターンは，図４に示すようにデフォーカス
の０付近の変化に対して，ライン・アンド・スペースと
比較して，パターン寸法が急激に変化してしまい，所望
のパターン寸法をウェハ上に描くことはライン・アンド
・スペースのパターン寸法をウェハ上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
に，ライン・アンド・スペースのパターンでも，孤立ラ
インのパターンでも，同様に上記の効果を有するが，孤
立ラインのパターンは，図４に示すようにデフォーカス
の０付近の変化に対して，ライン・アンド・スペースと
比較して，パターン寸法が急激に変化してしまい，所望
のパターン寸法をウェハ上に描くことはライン・アンド
・スペースのパターン寸法をウェハ上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
【００３０】以上の本発明の第２の実施の形態の走査型
露光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに
転写する半導体回路パターンが描かれているレチクル
と，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光
の透過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に
光の透過率が一定値にされる透過率が３段階の異なる透
過率部分から形成されている光学フィルターであって，
レチクル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光
学フィルターと，を有して成ることにより，光源からの
光の走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高
低により，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する
場所に照射される光の照度を調節することができ，ウェ
ハ上に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して
調整することが可能になる。これによって，パターン線
のパターン寸法は，パターン寸法のばらつきが３分の１
に低減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路
製品の歩留りを向上することができる。
露光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに
転写する半導体回路パターンが描かれているレチクル
と，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光
の透過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に
光の透過率が一定値にされる透過率が３段階の異なる透
過率部分から形成されている光学フィルターであって，
レチクル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光
学フィルターと，を有して成ることにより，光源からの
光の走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高
低により，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する
場所に照射される光の照度を調節することができ，ウェ
ハ上に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して
調整することが可能になる。これによって，パターン線
のパターン寸法は，パターン寸法のばらつきが３分の１
に低減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路
製品の歩留りを向上することができる。
【００３１】第３の実施の形態 本発明における第３の実施の形態の走査型露光装置及び
走査露光方法を図７を参照して説明する。本実施の形態
に係る走査型露光装置は，第１の実施の形態の走査型露
光装置とレジストがネガ型レジストであること以外は，
同様の構成を備えて成る。本実施の形態に係る走査型露
光装置と第１の実施の形態の走査型露光装置の具体的な
違いは，第１の実施の形態の走査型露光装置では，光学
フィルター４上の光の透過率の値の低い（９５％）部分
をパターン寸法を大きくすべき位置に対応するように設
けていたのに対し，本実施の形態の走査型露光装置で
は，光学フィルター４上の光の透過率の値の低い（９５
％）部分をパターン寸法を小さくすべき位置に設けたこ
とである。光学フィルター４上の光が通過するすべての
領域で透過率が１００％である場合の非走査位置でのパ
ターン寸法が１４５ｎｍから１６０ｎｍになる非走査位
置での光学フィルター４上の透過率を９５％に設定し，
光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透過
率が１００％である場合の非走査位置でのパターン寸法
が１３０ｎｍから１４５ｎｍになる非走査位置での光学
フィルター４上の透過率を１００％に設定する。なお，
光学フィルター４の走査方向については，第１の実施の
形態と同様に，ある位置での非走査方向での透過率の値
と等しい値に設定しておき，その位置での走査方向の透
過率は常に一定に設定しておく。
走査露光方法を図７を参照して説明する。本実施の形態
に係る走査型露光装置は，第１の実施の形態の走査型露
光装置とレジストがネガ型レジストであること以外は，
同様の構成を備えて成る。本実施の形態に係る走査型露
光装置と第１の実施の形態の走査型露光装置の具体的な
違いは，第１の実施の形態の走査型露光装置では，光学
フィルター４上の光の透過率の値の低い（９５％）部分
をパターン寸法を大きくすべき位置に対応するように設
けていたのに対し，本実施の形態の走査型露光装置で
は，光学フィルター４上の光の透過率の値の低い（９５
％）部分をパターン寸法を小さくすべき位置に設けたこ
とである。光学フィルター４上の光が通過するすべての
領域で透過率が１００％である場合の非走査位置でのパ
ターン寸法が１４５ｎｍから１６０ｎｍになる非走査位
置での光学フィルター４上の透過率を９５％に設定し，
光学フィルター４上の光が通過するすべての領域で透過
率が１００％である場合の非走査位置でのパターン寸法
が１３０ｎｍから１４５ｎｍになる非走査位置での光学
フィルター４上の透過率を１００％に設定する。なお，
光学フィルター４の走査方向については，第１の実施の
形態と同様に，ある位置での非走査方向での透過率の値
と等しい値に設定しておき，その位置での走査方向の透
過率は常に一定に設定しておく。
【００３２】これによって，パターン寸法のばらつきが
１３０ｎｍから１４５ｎｍの間のみになり，光学フィル
ター４を設けない場合のパターン寸法のばらつきである
１３０ｎｍから１６０ｎｍの間に比較して，第１の実施
の形態でのポジ型レジストの場合と同様に，２分の１に
パターン寸法のばらつきが小さくなる。
１３０ｎｍから１４５ｎｍの間のみになり，光学フィル
ター４を設けない場合のパターン寸法のばらつきである
１３０ｎｍから１６０ｎｍの間に比較して，第１の実施
の形態でのポジ型レジストの場合と同様に，２分の１に
パターン寸法のばらつきが小さくなる。
【００３３】このように，レジストがネガ型レジストで
ある場合についても第１の実施の形態と同様に，光学フ
ィルター４により非走査方向の透過率を非走査方向の位
置に応じて設定することにより，ウェハ１０上に露光す
る光源からの光の露光量を非走査方向の場所に応じて設
定することができ，パターン寸法は露光量に応じて変化
するので，光学フィルター４の透過率を光学フィルター
４上の位置に応じて変化させることにより，レジストの
パターン寸法を制御することが可能になる。例えば，あ
るポジ型レジストの場合の露光量に対するパターン寸法
は，図３のようになる。なお，この直線の傾きとある露
光量でのパターン寸法の値は，レジストの性質に依存す
る。
ある場合についても第１の実施の形態と同様に，光学フ
ィルター４により非走査方向の透過率を非走査方向の位
置に応じて設定することにより，ウェハ１０上に露光す
る光源からの光の露光量を非走査方向の場所に応じて設
定することができ，パターン寸法は露光量に応じて変化
するので，光学フィルター４の透過率を光学フィルター
４上の位置に応じて変化させることにより，レジストの
パターン寸法を制御することが可能になる。例えば，あ
るポジ型レジストの場合の露光量に対するパターン寸法
は，図３のようになる。なお，この直線の傾きとある露
光量でのパターン寸法の値は，レジストの性質に依存す
る。
【００３４】本実施の形態も第１の実施の形態と同様
に，ライン・アンド・スペースのパターンでも，孤立ラ
インのパターンでも，同様に上記の効果を有するが，孤
立ラインのパターンは，図４に示すようにデフォーカス
の０付近の変化に対して，ライン・アンド・スペースと
比較して，パターン寸法が急激に変化してしまい，所望
のパターン寸法をウェハ上に描くことはライン・アンド
・スペースのパターン寸法をウェハ上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
に，ライン・アンド・スペースのパターンでも，孤立ラ
インのパターンでも，同様に上記の効果を有するが，孤
立ラインのパターンは，図４に示すようにデフォーカス
の０付近の変化に対して，ライン・アンド・スペースと
比較して，パターン寸法が急激に変化してしまい，所望
のパターン寸法をウェハ上に描くことはライン・アンド
・スペースのパターン寸法をウェハ上に描く場合よりも
難しい。この意味において，孤立ラインのパターンを本
発明に適用すれば，その有する効果は大きい。
【００３５】以上の本発明の第３の実施の形態の走査型
露光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに
転写する半導体回路パターンが描かれているレチクル
と，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光
の透過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に
光の透過率が一定値にされる透過率が２段階の異なる透
過率部分から形成されている光学フィルターであって，
レチクル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光
学フィルターと，を有して成ることにより，光源からの
光の走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高
低により，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する
場所に照射される光の照度を調節することができ，ウェ
ハ上に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して
調整することが可能になる。これによって，パターン線
のパターン寸法は，パターン寸法のばらつきが２分の１
に低減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路
製品の歩留りを向上することができる。
露光装置及び走査露光方法によれば，光源と，ウェハに
転写する半導体回路パターンが描かれているレチクル
と，光源からの光の走査方向と直交する非走査方向に光
の透過率が変化せしめられ，光源からの光の走査方向に
光の透過率が一定値にされる透過率が２段階の異なる透
過率部分から形成されている光学フィルターであって，
レチクル面への光の入射側の所定の位置に設けられる光
学フィルターと，を有して成ることにより，光源からの
光の走査方向と直交する非走査方向での光の透過率の高
低により，パターン寸法の目標値のばらつきが発生する
場所に照射される光の照度を調節することができ，ウェ
ハ上に形成されるパターン線のパターン寸法を増減して
調整することが可能になる。これによって，パターン線
のパターン寸法は，パターン寸法のばらつきが２分の１
に低減し，より目標値に近づくことができ，半導体回路
製品の歩留りを向上することができる。
【図１】 本発明における実施の形態の走査型露光装置
の側面図である。
の側面図である。
【図２】 本発明における実施の形態の走査型露光装置
の模式図である。
の模式図である。
【図３】 レジスト上に露光される露光量に対するレジ
スト上に形成されるパターン寸法を示した図である。
スト上に形成されるパターン寸法を示した図である。
【図４】 デフォーカス値に対するレジスト上に形成さ
れるパターン寸法を示した図である。
れるパターン寸法を示した図である。
【図５】 本発明における第１の実施の形態の走査型露
光装置及び走査露光方法を示した図である。
光装置及び走査露光方法を示した図である。
【図６】 本発明における第２の実施の形態の走査型露
光装置及び走査露光方法を示した図である。
光装置及び走査露光方法を示した図である。
【図７】 本発明における第３の実施の形態の走査型露
光装置及び走査露光方法を示した図である。
光装置及び走査露光方法を示した図である。
【図８】 従来のウェハ上の非走査方向位置とパターン
寸法を示した図である。
寸法を示した図である。
１ 光源 ２ フライアイ ３ リレーレンズ ４ 光学フィルター ５ リレーレンズ ６ 折り曲げミラー ７ コンデンサーレンズ ８ レチクル ９ 投影レンズ １０ ウェハ １１ レチクル装着部
Claims (7)
- 【請求項１】 光源からの光の走査方向と直交する非走
査方向に光の透過率が変化せしめられ，光源からの光の
走査方向に光の透過率が一定値にされる光学フィルター
をレチクル面への光の入射側の所定の位置に設けられて
成ることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 光源と，ウェハに転写する回路パターン
が描かれているレチクルを装着する部分と，光源からの
光の走査方向と直交する非走査方向に光の透過率が変化
せしめられ，光源からの光の走査方向に光の透過率が一
定値にされる光学フィルターであって，レチクル面への
光の入射側の所定の位置に設けられる光学フィルター
と，を有して成ることを特徴とする請求項１に記載の走
査型露光装置。 - 【請求項３】 前記光学フィルターは，光源からの光の
走査方向と直交する非走査方向では，光の透過率がＮ
（Ｎは２以上の自然数を示す）段階の異なる所望の透過
率部分から形成され，光源からの光の走査方向に，光源
からの光が通る位置に依らず光の透過率が一定値である
透過率部分から形成されていることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の走査型露光装置。 - 【請求項４】 ウェハ上のレジストの露光特性の違いに
より，所定の値に設定する光学フィルターの透過率を変
化させることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれ
か一に記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記レジストとしてポジ型レジストを用
いる場合は，パターン寸法が所望の値に等しくなるウェ
ハ上の領域に照射する光が通る前記光学フィルター部分
の透過率よりも前記光学フィルターの透過率が小さい値
をもつ部分を通過した光が，パターン寸法が所望の値よ
り小さくなるウェハ上の領域に照射されるように前記光
学フィルターの透過率部分を配置して成ることを特徴と
する請求項４に記載の走査型露光装置。 - 【請求項６】 前記レジストとしてネガ型レジストを用
いる場合は，パターン寸法が所望の値に等しくなるウェ
ハ上の領域に照射する光が通る前記光学フィルター部分
の透過率よりも前記光学フィルターの透過率が小さい値
をもつ部分を通過した光が，パターン寸法が所望の値よ
り大きくなるウェハ上の領域に照射されるように前記光
学フィルターの透過率部分を配置して成ることを特徴と
する請求項４に記載の走査型露光装置。 - 【請求項７】 光源から光を発生して，レチクル面への
光の入射側の所定の位置に設けられ，光源からの光の走
査方向と直交する非走査方向に光の透過率が変化せしめ
られ，光源からの光の走査方向に光の透過率が一定値に
される光学フィルターの所定位置に光源からの光を通過
させ，光学フィルターを通過した光をレチクル面に照射
することにより，レチクル面に描かれている回路パター
ンをウェハに転写することを特徴とする走査露光方法。
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|---|---|---|---|
| JP10950699A JP3304917B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10950699A JP3304917B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
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|---|---|
| JP2000299279A JP2000299279A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3304917B2 true JP3304917B2 (ja) | 2002-07-22 |
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ID=14512002
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10950699A Expired - Fee Related JP3304917B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
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| JP (1) | JP3304917B2 (ja) |
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-
1999
- 1999-04-16 JP JP10950699A patent/JP3304917B2/ja not_active Expired - Fee Related
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