JP4296701B2 - 投影光学系,該投影光学系を備えた露光装置,及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,第1物体の像を第2物体上に投影するための投影光学系,この投影光学系を備え,半導体素子,または液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程中でマスクパターンを基板上に転写する際に使用される露光装置,及びこの露光装置を用いたデバイス(半導体素子,撮像素子,液晶表示素子,薄膜磁気ヘッド,CCD素子等)の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子を製造する際に,マスクとしてのレチクルのパターンの像を投影光学系を介して,レジストが塗布されたウエハ(またはガラスプレート等)上に転写する一括露光型(ステッパー等),またはステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光装置が使用されている。転写される半導体集積回路等のパターンの微細化が進むに従い,その種の露光装置に備えられている投影光学系に対して特に解像力の向上が望まれている。投影光学系の解像力を向上させるには,露光波長をより短くするか,あるいは開口数(NA)を大きくすることが考えられる。
【0003】
そこで近年,露光光については,水銀ランプのg線(波長436nm)からi線(波長365nm)が用いられ,さらに最近ではより短波長の光を有する光源,例えばKrF(波長248nm),さらにはArF(波長193nm)等のエキシマレーザが用いられ,露光光の短波長化が進められている。また,開口数(NA)についても,高NA化が進められ,NAが0.6を超える投影光学系も提案されてきている。
【0004】
さらに,転写パターンの微細化が進むにつれて,投影光学系においては解像力の向上とともに像歪の低減要求も一段と厳しくなってきている。ここで,像歪とは,投影光学系に起因するディストーション(歪曲収差)によるものの他,投影光学系の像側で焼き付けられるウエハの反り等によるものがある。ウエハの反りによる像歪への影響を少なくするためには,投影光学系の像側での射出瞳位置を遠くに位置させた光学系,いわゆる像側テレセントリック光学系が従来用いられてきた。像側テレセントリック投影光学系の中でも,高NAを確保しつつディストーションを良好に補正した例としては,特開平8−166540号公報,特開平8−190047号公報等に開示されたのものがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,開口数(NA)が大きくなると,瞳収差の量が無視できないほど大きくなり,1つの開口絞りだけでは,実質的に露光領域内で像側テレセントリックを得ることができなくなっていた。さらに,投影光学系の開口数(NA)を可変とするため,可変開口絞りを設けた場合,この可変開口絞りにより開口数(NA)を変化させると,瞳収差によって露光領域内で像側テレセントリックが得られなくなっていた。
【0006】
瞳収差の中でも,瞳の像面湾曲が像側テレセントリックを悪化させることに対する試みは既に提案されており,開口絞りを光軸方向に移動させて最適化する案が特開平11−195607号公報に開示されている。しかし,瞳収差の中で,瞳のコマ収差によって像側テレセントリックが悪化することは避けられない問題となっていた。そのため,開口数(NA)を変化させた際に,露光領域全面において,テレセントリック性の悪化や像面上での照度均一性の悪化が生じ,投影領域をあまり広くできないという不都合があった。
【0007】
本発明は,このような問題に鑑みてなされたものであり,露光領域全面で,射出瞳の中心を通過する光線が第2物体に対し垂直になる,所謂像側テレセントリックを達成し,十分大きな開口数(NA)と広い露光領域とを確保しつつ諸収差を極めて良好に補正し得るコンパクトで高性能な投影光学系を提供することを目的としている。さらに,本発明は,上記のような投影光学系を備えた露光装置,及びこの露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明は,請求項1に記載のように,第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系であって,前記投影光学系内の複数の位置に開口数を決定するための開口絞りが設けられ,前記複数の位置に設けられた開口絞りは第2物体側にテレセントリックとなるように配置されていることを特徴とする投影光学系を提供する。複数の位置に開口絞りを配置することにより,瞳のコマ収差による第2物体側のテレセントリック性の悪化を最小限に抑えることが可能となり,露光領域全面で第2物体側のテレセントリックを達成し,十分大きな開口数(NA)と広い露光領域とを確保することができる。また,瞳収差の補正を極限まで求める必要が無いため,光学系の長大化を招くことも無く,諸収差を極めて良好に補正でき,コンパクトで高性能な投影光学系を提供できる。
【0009】
本発明は,請求項2に記載のように,第2物体側の開口数をNAとするとき,NA>0.6の条件を満足するような投影光学系に好適である。このような光学系では瞳収差が無視できない量となっているため,特に有効である。また,請求項3に記載のように,第2物体上の露光領域内に到達する光束の開口数の差をΔNAとするとき,ΔNA<0.007の条件を満足するよう構成されていることが好ましい。この条件を満たさないと,露光領域全面で像側テレセントリックが得られず,ウエハの反りによる像歪が増大する。また,開口数の差が大きいと,基板に投影されるパターンの線幅の均一性が得られなくなるからである。さらに,請求項4に記載のように,前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも1つは開口部の大きさが変更可能であるよう構成することが好ましく,これにより開口数(NA)が可変な投影光学系を実現できる。
【0010】
本発明の別の観点によれば,請求項5に記載のように,第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系であって,前記投影光学系内の複数の位置に開口数を決定するための開口絞りが設けられ,前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも1つは開口部の大きさが変更可能であり,開口部の大きさを変化させたときに第2物体側にテレセントリックとなるように前記開口絞りのうち少なくとも1つは光軸方向に位置を変更可能であることを特徴とする投影光学系が提供される。かかる構成によれば,開口数(NA)を変化させた場合に,開口絞りを光軸に沿って移動させて,像側テレセントリック性が最適になるようにすることができる。特に,瞳の湾曲収差が存在する場合に,開口数(NA)の変化に伴ないその湾曲した瞳面に沿って開口絞りの位置を変更できるため,有効である。
【0011】
なお,請求項6に記載のように,前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも2つは同一部材からなるように構成してもよい。かかる構成によれば,1つの部材で複数の開口絞りの機能を持たせることが可能になり,部品点数を少なくできるので,組立が容易であり,コスト削減につながる。
【0012】
本発明の別の観点によれば,請求項7に記載のように,前記の投影光学系と,前記第1物体としてのマスク,及び前記第2物体としての基板を位置決めするステージ系と,前記マスクを照明する照明光学系と,を具備し,前記照明光学系からの露光エネルギービームのもとで,前記マスクのパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影することを特徴とする露光装置が提供される。前記投影光学系は大きな開口数(NA)で像側テレセントリックを達成しているため,高い解像度が得られると共に,基板の反りが生じても投影倍率が変化しない。また,広い露光領域が得られるため,大きなチップパターンを一度に露光できる。
【0013】
さらに本発明の別の観点によれば,請求項8に記載のように,前記露光装置を用いたデバイスの製造方法であって,前記基板上に感光材料を塗布する第1工程と,前記基板上に前記投影光学系を介して前記マスクのパターンの像を投影する第2工程と,前記基板上の前記感光材料を現像する第3工程と,該現像後の感光材料をマスクとして前記基板上に所定の回路パターンを形成する第4工程と,を有することを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。かかる構成によれば,基板上に高い解像度でデバイス用の回路パターンを形成でき,良好なデバイスを製造することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下,図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお,以下の説明及び添付図面において,略同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一符号を付すことにより,重複説明を省略する。
【0015】
本例は,投影露光装置の投影光学系に本発明を適用したものである。図1は,本例の投影光学系PLを備えた投影露光装置を示す。図1において,投影光学系PLの物体面には所定の回路パターンが形成された投影原版としてのレチクルR(第1物体)が配置され,投影光学系PLの像面には,基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハW(第2物体)が配置されている。レチクルRはレチクルステージRS上に保持され,ウエハWはウエハステージWS上に保持され,レチクルRの上方には,レチクルRを均一に照明するための照明光学装置ISが配置されている。
【0016】
投影光学系PLは,瞳位置近傍の2つの位置にそれぞれ開口数(NA)を決定する開口絞りAS1,AS2を有すると共に,レチクルR側及びウエハW側において,実質的にテレセントリックとなっている。そして,照明光学装置ISは,KrFエキシマレーザ(波長248nm)からなる露光光源,この露光光の照度分布を均一化するためのフライアイレンズ,照明系開口絞り,可変視野絞り(レチクルブラインド),及びコンデンサレンズ系等から構成されている。
【0017】
照明光学装置ISから供給される露光光は,レチクルRを照明し,投影光学系PLの瞳位置には照明光学装置IS中の光源の像が形成され,所謂ケーラー照明が行われる。そして,ケーラー照明されたレチクルRのパターンの像が,投影光学系PLを介して投影倍率で縮小されてウエハW上に露光され,転写される。
【0018】
次に実施の形態である投影光学系PLの構成を詳細に説明する。図2は,投影光学系PLのレンズ断面図である。図2に示すように,投影光学系PLは,瞳位置近傍の2つの位置にNAを決定する2つの開口絞りAS1,AS2を有する。開口絞りAS1,AS2は,ともに開口部の大きさが変更可能な可変開口絞りであり,光軸方向に移動可能である。そして,2つの開口絞りAS1,AS2によって,射出瞳の中心を通過する光線が,第2物体としてのウエハWに対し垂直になるように,すなわち,投影光学系PLは像側テレセントリックになるように構成されている。
【0019】
図3及び図4は,投影光学系PLのレンズデータである。なお,図4は図3の続きを示しており,両者を合わせて一連のレンズデータとする。図3,図4において,1番から56番までの連番は各レンズの面を示す番号である。連番は第1物体であるレチクルR側から第2物体であるウエハW側へ向けた順に振ってある。rは各レンズ面の曲率半径,dは各レンズ面間の距離で硝材は全て石英である。光源の波長248nmにおける石英の屈折率は1.50839である。またこの投影光学系PLにおいて,開口数(NA)の最大は0.75,レチクルRから連番の1番の面までの距離である投影距離d0は71.397mm,倍率βは1/4,連番の56番の面からウエハWまでの距離であるバック焦点距離Bfは12.000mm,第2物体のウエハWにおける露光領域は直径27.44mmの円である。
【0020】
レンズデータにおいて,10番の面と32番の面は非球面を使用し,0.75という高NAを実現している。図5はその非球面形状を下記の式で定義した場合の各係数の値である。
非球面の定義式
【0021】
【数1】
【0022】
ここで,Z:光軸に対する平行面のサグ
c:面頂点での曲率
κ:円錐係数(κ=0:球面)
h:光軸からの距離
【0023】
2つの開口絞りAS1,AS2は,連番の42番の面と43番の面の間に設けられている。以下に,これら2つの開口絞りAS1,AS2の作用,効果について説明する。物体面の光軸上から,最大開口数(NA)を有するように光線追跡した時の光線をLoとする。物体面の最大高の位置から,最大開口数(NA)を有するように光線追跡した時の上側の光線と下側の光線をそれぞれLpu,Lplとする。Lpuが上コマ側,Lplが下コマ側の光線にあたる。上記したように,倍率βが1/4,露光領域が直径27.44mmの円であるから,物体高の最大値は54.88mmである。
【0024】
そして,Lo,Lpu,Lplの光線の高さをそれぞれho,hpu,hplとする。ここで,光線の高さとは,光軸からの距離のことである。図6は,最大開口数(NA)0.75における,開口絞り前後の面での各光線の高さを示したものである。開口絞りの前後の面とは,連番の42番の面と43番の面において,光軸上で接し光軸に垂直な接平面のことである。図7は,図6の各光線の高さをグラフ化したものであり,横軸が42面からの距離,縦軸が光線高である。
【0025】
一般的に,開口絞りは主光線が光軸を切る位置に置くことが理想的であるが,比較的大きい開口数(NA)を有する投影光学系においては,物体面の光軸上から,最大開口数(NA)を有するように光線追跡した時の光線Loと,物体面の最大高の位置から,最大開口数(NA)を有するように光線追跡した時の上コマ側と下コマ側の光線Lpu,Lplとが同じ高さになる位置で開口数(NA)を決定することが望ましい。すなわち,図7において,ho,hpu,hplとして描かれた3つの線分が交わる位置で開口数を決定することが望ましい。しかしながら,図7を見ると,これら3つの線分は1点で交わっていない。これは瞳収差の為である。これを解消する為に,瞳収差補正を敢えて求めようとすれば,光学系の巨大化や製造コストの上昇を招き,好ましくない。
【0026】
そこで,複数の位置に開口数(NA)を決定する開口絞りを配置する。これにより,瞳のコマ収差による像側テレセントリック性の悪化を最小限に抑えることができる。図7に示す場合において,最適な開口絞りを設定するとすれば,hoとhpuの交点,hoとhplの交点の位置に,各光線高に応じた大きさの開口絞りを配置することが好ましい。すなわち,連番の42番の面から第2物体側に18.582mmの位置に直径240.15mmの開口絞りAS1,連番の42番の面から第2物体側に44.444mmの位置に直径246.24mmの開口絞りAS2,の2つの開口絞りを配置する。図8は,このように開口絞りを配置した時の開口絞り前後の光路図である。図8において,S42,S43はそれぞれ42番の面の接平面,43番の面の接平面である。
【0027】
上記のように2つの開口絞りを配置した時に,第2物体に対して垂直な光線,すなわち主光線に対して,上下の最周辺光線で決定される第2物体側の開口数をそれぞれNApuとNAplとする。このNApuとNAplを,第2物体側の露光領域全域で算出したものが図9である。図9を参照すると,露光領域全域における開口数は0.75に等しいか極めて近い値である。図9より,露光領域内の任意の点に到達する光束の開口数を考え,その差をΔNAとすると,ΔNAが非常に小さく抑えられていること,つまり開口数のばらつきが極めて小さいことが理解できる。このことは第2物体側で良好なテレセントリックな光学系を構成していると言い換えることもできる。このように,複数の開口絞りを配置することにより,露光領域全面での開口数(NA)の差の最小化が可能となる。
【0028】
次に,開口絞りの開口部の大きさを小さくして,開口数(NA)0.5とした場合について,上記の開口数(NA)0.75の場合と同様に調べてみる。図10は開口数(NA)0.5における,開口絞り前後の面での各光線の高さを示したものである。図11は,図10の各光線の高さをグラフ化したものであり,横軸が42面からの距離,縦軸が光線高である。この場合もLo,Lpu,Lpl,ho,hpu,hplの定義は上述の開口数(NA)0.75の場合と同じであり,開口数(NA)のみ0.5に置き換えて考えればよい。
【0029】
図11に示すように,瞳収差の為にho,hpu,hplとして描かれた3つの線分は1点で交わっていない。そこで,最適な開口絞りを設定するとすれば,開口数(NA)0.75の場合と同様に考えて,以下のように設定できる。hoとhpuの交点から,連番の42番の面から第2物体側に6.418mmの位置に直径150.7mmの開口絞りAS1を配置し,hoとhplの交点から,連番の42番の面から第2物体側に24.397mmの位置に直径152.9mmの開口絞りAS2を配置する。図12は,このように開口絞りを配置した時の開口絞り前後の光路図である。図12において,S42,S43はそれぞれ42番の面の接平面,43番の面の接平面である。
【0030】
上記のように2つの開口絞りを配置した時に,第2物体に対して垂直な光線,すなわち主光線に対して,上下の最周辺光線で決定される第2物体側の開口数をそれぞれNApuとNAplとする。このNApuとNAplを,第2物体側の露光領域全域で算出したものが図13である。図13を参照すると,露光領域全域における開口数は0.5に等しいか極めて近い値である。図13より,露光領域内の任意の点に到達する光束の開口数を考え,その差をΔNAとすると,ΔNAが非常に小さく抑えられていること,つまり開口数のばらつきが極めて小さいことが理解できる。このことは第2物体側で良好なテレセントリックな光学系を構成していると言い換えることもできる。このように,複数の開口絞りを配置することにより,露光領域全面での開口数(NA)の差の最小化が可能となる。
【0031】
上記や図8,図12からわかるように,開口数(NA)が0.5の場合に比べ0.75の場合では,2つの開口絞りの間隔と直径の差が広がっている。これは開口数が大きいほうが瞳収差が大きいからである。よって,開口数(NA)が大きい投影光学系では,複数の開口絞りを有することが特に有効となる。
【0032】
上記では,開口絞りAS1,AS2ともに可変開口絞りである場合について述べたが,2つの開口絞りのうち少なくとも1つが可変開口絞り機構を有することで,開口数(NA)が可変な投影光学系が実現できる。1つの開口絞りしか可変開口絞り機構を持たない場合は,上記の例では,瞳の像面湾曲を考慮して,第1物体側に近い開口絞りAS1に可変機構を適用することが望ましい。このように開口数(NA)が可変な投影光学系においては,開口数(NA)を変化させると同時に,像側テレセントリック性が最適になるように,開口絞りを光軸に沿って移動できるよう構成されていることが望ましい。なお,必ずしもAS1,AS2ともに光軸方向に移動可能である必要は無く,投影光学系の特性に応じて,2つの開口絞りのうち1つが光軸方向に移動可能であるように構成されていてもよい。
【0033】
上記のような複数の開口絞りを配置する代わりに,第1物体側と第2物体側で,異なる開口を有する光軸方向に厚い1枚の開口絞りを配置しても等価の効果が得られる。図14にその一例を示す。開口絞りAS3は,リング形状をしており,厚みHを有し,その内径は直径D1からD2に変化するテーパー形状になっている。ここで,D1,D2を上述の開口絞りAS1,AS2の直径と等しく,Hをこれら2つの開口絞りの間隔と等しくなるように製作すれば,1つの部材で2箇所の開口絞り機能を持たせることができる。なお,開口絞りAS3の内径は必ずしもテーパー形状になっている必要は無く,必要な光線を遮断しない形状になっていればよい。
【0034】
次に,上記の実施の形態の投影露光装置を用いてウエハ上に所定の回路パターンを形成する際の動作の一例について図15を参照して説明する。まず,図15のステップ101において,1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ102において,その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後,ステップの103において,図2の投影光学系PLを備えた図1の露光装置を利用して,レチクルR上のパターンの像が投影光学系PLを介して,その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後,ステップ104において,その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像を行う。その後,ステップ105において,1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって,レチクルR上のパターンに対応する回路パターンが,各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後,さらに上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって,半導体素子等のデバイスが製造される。
【0035】
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかる好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0036】
例えば,上記例では開口絞りを設ける位置を2つとした場合について説明したが,これに限定するものではなく,投影光学系の特性に応じてさらに多数の位置に設けるようにしてもよい。その際には,図14に示した開口絞りに,さらに多数箇所の開口絞り機能を持たせるようにしてもよい。また,上記例では照明光学装置ISの光源としてKrFエキシマレーザ(波長248nm)を用いた例を説明したが,これに限定するものではない。光源としては,ArFエキシマレーザ(波長193nm),あるいはF2レーザ(波長158nm),YAGレーザの高調波,水銀ランプのi線(波長365nm)等を用いることもできる。
【0037】
【発明の効果】
以上,詳細に説明したように本発明によれば,第2物体側にテレセントリックとなるように複数の位置に開口数(NA)を決定する開口絞りを配置することにより,露光領域全面で第2物体側のテレセントリックを達成でき,ウエハに反りが生じても投影倍率が変化しない。また,十分大きな開口数(NA)と広い露光領域とを確保することができるので,高い解像度で大きなチップパターンを一度に露光できる。さらに,瞳収差の補正を極限まで求める必要が無いため,光学系の長大化を招くことも無く,諸収差を極めて良好に補正でき,コンパクトで高性能な投影光学系を提供できる。
【0038】
また,本発明の別の観点によれば,開口数(NA)が可変な投影光学系を実現でき,その際に,開口絞りを光軸に沿って移動させて,像側テレセントリック性が最適になるようにすることができる。さらにまた,本発明の別の観点によれば,基板に反りがある場合でも投影倍率が変化することなく,基板上に高い解像度でマスクパターン像を転写可能な露光装置を提供でき,極めて微細な回路パターンを基板上の広い露光領域に形成可能なデバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態に係る露光装置の概略構成図である。
【図2】 本発明の実施の形態に係る投影光学系のレンズ断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態に係る投影光学系のレンズデータの実例を数値で示す図である。
【図4】 図3のレンズデータの続きを示す図である。
【図5】 図4の非球面の各非球面係数の値を示す図である。
【図6】 本発明の実施の形態に係る投影光学系の開口数(NA)0.75における,開口絞り前後の面での光線の高さを示す図である。
【図7】 図6の各光線の高さをグラフ化した図である。
【図8】 本発明の実施の形態に係る開口絞りを配置した時の開口絞り前後の光路図である。
【図9】 本発明の実施の形態に係る投影光学系の露光領域全域における開口数を示す図である。
【図10】 本発明の実施の形態に係る投影光学系の開口数(NA)0.5における,開口絞り前後の面での光線の高さを示す図である。
【図11】 図10の各光線の高さをグラフ化した図である。
【図12】 本発明の実施の形態に係る開口絞りを配置した時の開口絞り前後の光路図である。
【図13】 本発明の実施の形態に係る投影光学系の露光領域全域における開口数を示す図である。
【図14】 本発明の実施の形態に係る開口絞りの一例である。
【図15】 本発明の実施の形態の露光装置を用いて回路パターンを形成する動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
AS1,AS2,AS3 開口絞り
IS 照明光学装置
PL 投影光学系
R レチクル
W ウエハ
Claims (8)
- 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系であって,
前記投影光学系内の複数の位置に開口数を決定するための開口絞りが設けられ,
前記複数の位置に設けられた開口絞りは,物体面の光軸上から最大開口数を有するように光線追跡した時の光線と,物体面の最大高の位置から最大開口数を有するように光線追跡した時の上コマ側と下コマ側の光線とが同じ高さになるように配置されていることを特徴とする投影光学系。 - 前記第2物体側の開口数をNAとするとき,NA>0.6の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。
- 前記第2物体上の露光領域内に到達する光束の開口数の差をΔNAとするとき,ΔNA<0.007の条件を満足することを特徴とする請求項1または2に記載の投影光学系。
- 前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも1つは開口部の大きさが変更可能であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系であって,
前記投影光学系内の複数の位置に開口数を決定するための開口絞りが設けられ,
前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも1つは開口部の大きさが変更可能であり,
開口部の大きさを変化させたときに,物体面の光軸上から最大開口数を有するように光線追跡した時の光線と,物体面の最大高の位置から最大開口数を有するように光線追跡した時の上コマ側と下コマ側の光線とが同じ高さになるように前記開口絞りのうち少なくとも1つは光軸方向に位置を変更可能であることを特徴とする投影光学系。 - 前記複数の位置に設けられた開口絞りのうち少なくとも2つは同一部材からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の投影光学系と,
前記第1物体としてのマスク,及び前記第2物体としての基板を位置決めするステージ系と,
前記マスクを照明する照明光学系と,
を具備し,
前記照明光学系からの露光エネルギービームのもとで,前記マスクのパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影することを特徴とする露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置を用いたデバイスの製造方法であって,
前記基板上に感光材料を塗布する第1工程と,
前記基板上に前記投影光学系を介して前記マスクのパターンの像を投影する第2工程と,
前記基板上の前記感光材料を現像する第3工程と,
該現像後の感光材料をマスクとして前記基板上に所定の回路パターンを形成する第4工程と,
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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