JP2962257B2 - 走査型投影露光方法及び装置 - Google Patents
走査型投影露光方法及び装置Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型投影露光方法
及び装置に関し、特に、半導体集積回路等をリソグラフ
ィ技術で製造する際に用いられる走査型投影露光方法及
び装置に関する。
及び装置に関し、特に、半導体集積回路等をリソグラフ
ィ技術で製造する際に用いられる走査型投影露光方法及
び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程で
は、半導体基板（以下、ウェハという）上のレジストに
パターン形成するために露光装置が用いられる。近年、
広面積を有する半導体集積回路については、マスク及び
ウェハを同期して走査することによりマスクのパターン
をウェハ上に投影露光する走査型投影露光装置が用いら
れている。
は、半導体基板（以下、ウェハという）上のレジストに
パターン形成するために露光装置が用いられる。近年、
広面積を有する半導体集積回路については、マスク及び
ウェハを同期して走査することによりマスクのパターン
をウェハ上に投影露光する走査型投影露光装置が用いら
れている。
【０００３】従来の走査型投影露光装置としては、例え
ば、特開平６ー１４０３０５号公報、特開平８ー２２２
４９５号公報及び１９９６年ＳＰＩＥVol2726で鈴木氏
等により発表された「高ＮＡ投影レンズを用いたＫｒＦ
ステップ・アンド・スキャン露光装置」等に開示されて
いる。
ば、特開平６ー１４０３０５号公報、特開平８ー２２２
４９５号公報及び１９９６年ＳＰＩＥVol2726で鈴木氏
等により発表された「高ＮＡ投影レンズを用いたＫｒＦ
ステップ・アンド・スキャン露光装置」等に開示されて
いる。
【０００４】図３は従来の走査型投影露光装置を概略的
に示す構成図である。図３に示すように、従来の走査型
投影露光装置は、ＫｒＦエキシマレーザやＡｇＦエキシ
マレーザ等の露光光３１を出射する光源３２、その光源
３２から出射される露光光３１を直角方向（図面では右
側方向）に反射させる反射鏡３３、フライアイレンズ３
４、アパーチャー絞り３５、レチクルパターンの露光範
囲外を遮光するためのレチクルブラインド３６、レチク
ルブラインド３６から出射される露光光３１を直角方向
（図面では下側方向）に反射させる反射鏡３７、コンデ
ンサレンズ３８、パターン像が形成されたフォトマスク
であるレチクル３９、レチクル３９を移動させ露光位置
に位置決めするためのレチクルステージ４０、レチクル
３９上に描画されたパターンをウェハＷ上に投影露光す
るための縮小投影レンズ４２、ウェハＷを露光位置に移
動させ位置決めするためのウェハステージ４３を有す
る。
に示す構成図である。図３に示すように、従来の走査型
投影露光装置は、ＫｒＦエキシマレーザやＡｇＦエキシ
マレーザ等の露光光３１を出射する光源３２、その光源
３２から出射される露光光３１を直角方向（図面では右
側方向）に反射させる反射鏡３３、フライアイレンズ３
４、アパーチャー絞り３５、レチクルパターンの露光範
囲外を遮光するためのレチクルブラインド３６、レチク
ルブラインド３６から出射される露光光３１を直角方向
（図面では下側方向）に反射させる反射鏡３７、コンデ
ンサレンズ３８、パターン像が形成されたフォトマスク
であるレチクル３９、レチクル３９を移動させ露光位置
に位置決めするためのレチクルステージ４０、レチクル
３９上に描画されたパターンをウェハＷ上に投影露光す
るための縮小投影レンズ４２、ウェハＷを露光位置に移
動させ位置決めするためのウェハステージ４３を有す
る。
【０００５】従来の走査型投影露光装置によれば、露光
光３１は、光源３２から反射鏡３３、フライアイレンズ
３４、アパーチャー絞り３５、レチクルブラインド３
６、反射鏡３７、コンデンサレンズ３８、レチクル３
９、縮小投影レンズ４２を通ってウェハステージ４３上
のウェハＷに所望の露光量だけ照射される。
光３１は、光源３２から反射鏡３３、フライアイレンズ
３４、アパーチャー絞り３５、レチクルブラインド３
６、反射鏡３７、コンデンサレンズ３８、レチクル３
９、縮小投影レンズ４２を通ってウェハステージ４３上
のウェハＷに所望の露光量だけ照射される。
【０００６】このとき、露光視野としては２５×８ｍｍ
程度のスリット形状であり、レチクルブラインド３６、
レチクルステージ４０およびウェハステージ４３をそれ
ぞれ移動させるレチクルステージ移動機構４４とウェハ
ステージ移動機構４５を同期走査することにより、最大
２５×３０ｍｍ程度の領域のウェハＷ上にレチクル３９
のパターンを形成する。そして、図４に示すように、往
復同期走査させることにより、ウェハＷ全面にレチクル
３９上のパターンが繰り返し露光される。
程度のスリット形状であり、レチクルブラインド３６、
レチクルステージ４０およびウェハステージ４３をそれ
ぞれ移動させるレチクルステージ移動機構４４とウェハ
ステージ移動機構４５を同期走査することにより、最大
２５×３０ｍｍ程度の領域のウェハＷ上にレチクル３９
のパターンを形成する。そして、図４に示すように、往
復同期走査させることにより、ウェハＷ全面にレチクル
３９上のパターンが繰り返し露光される。
【０００７】レチクルステージ４０の端部には、レーザ
干渉計４６からのレーザビームを反射する移動鏡４０ａ
が固定されている。レーザ干渉計４６は、移動鏡４０ａ
からのレーザビームを光電変換することにより、レチク
ルステージ４０の位置を検出する。ウェハステージ４３
の端部には、レーザ干渉計４７からのレーザビームを反
射する移動鏡４３ａが固定されている。そして、レーザ
干渉計４７は、移動鏡４３ａからのレーザビームを光電
変換することにより、ウェハステージ４３の位置を検出
する。
干渉計４６からのレーザビームを反射する移動鏡４０ａ
が固定されている。レーザ干渉計４６は、移動鏡４０ａ
からのレーザビームを光電変換することにより、レチク
ルステージ４０の位置を検出する。ウェハステージ４３
の端部には、レーザ干渉計４７からのレーザビームを反
射する移動鏡４３ａが固定されている。そして、レーザ
干渉計４７は、移動鏡４３ａからのレーザビームを光電
変換することにより、ウェハステージ４３の位置を検出
する。
【０００８】同期制御はレーザ干渉計４６、４７により
各ステージ４０、４３の位置を検出し、制御部４８によ
りレチクルステージ移動機構４４およびウェハステージ
移動機構４５を制御することにより行われている。
各ステージ４０、４３の位置を検出し、制御部４８によ
りレチクルステージ移動機構４４およびウェハステージ
移動機構４５を制御することにより行われている。
【０００９】例えば、ウェハステージ４３の走査速度が
８０ｍｍ／ｓｅｃであり、このとき、縮小投影倍率は１
/４でレチクルステージ４０の走査速度が３２０ｍｍ／
ｓｅｃの場合、ウェハＷ上の１点が８ｍｍのスリットを
通過する時間は０．１ｓｅｃである。この０．１ｓｅｃ
の間、各ステージ４０、４３に設置されたレーザ干渉計
４６、４７により計測される各ステージ４０、４３の位
置から算出される差分がウェハステージ４３とレチクル
ステージ４０の同期制御精度となる。同期走査露光を行
う際の同期制御精度は、結像性能に大きな影響を与え
る。０．１ｓｅｃ間の差分の内、平均値はパターンの結
像位置を決定する。また、差分の振幅はパターンの結像
のボケ、つまり解像力の低下や焦点深度の低下につなが
る。この差分、つまり同期制御精度は走査速度にほぼ比
例する。
８０ｍｍ／ｓｅｃであり、このとき、縮小投影倍率は１
/４でレチクルステージ４０の走査速度が３２０ｍｍ／
ｓｅｃの場合、ウェハＷ上の１点が８ｍｍのスリットを
通過する時間は０．１ｓｅｃである。この０．１ｓｅｃ
の間、各ステージ４０、４３に設置されたレーザ干渉計
４６、４７により計測される各ステージ４０、４３の位
置から算出される差分がウェハステージ４３とレチクル
ステージ４０の同期制御精度となる。同期走査露光を行
う際の同期制御精度は、結像性能に大きな影響を与え
る。０．１ｓｅｃ間の差分の内、平均値はパターンの結
像位置を決定する。また、差分の振幅はパターンの結像
のボケ、つまり解像力の低下や焦点深度の低下につなが
る。この差分、つまり同期制御精度は走査速度にほぼ比
例する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図５は、ウェハステー
ジ走査速度と、ウェハステージとレチクルステージ間の
位置の差分の最大振幅との関係を示すグラフである。最
大振幅の許容値は露光波長、投影レンズのＮＡ、パター
ンの種類や線幅により異なる。図５では、例えば、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ露光光により、ＮＡ＝０．６の投影レ
ンズを用い、０．２５μｍＬ／Ｓを形成する場合を示し
ており、この場合の最大振幅の許容値は５０ｎｍ程度で
ある。ウェハステージ４３の走査最大速度は最大振幅が
最大許容振幅を上回らないように決定される。
ジ走査速度と、ウェハステージとレチクルステージ間の
位置の差分の最大振幅との関係を示すグラフである。最
大振幅の許容値は露光波長、投影レンズのＮＡ、パター
ンの種類や線幅により異なる。図５では、例えば、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ露光光により、ＮＡ＝０．６の投影レ
ンズを用い、０．２５μｍＬ／Ｓを形成する場合を示し
ており、この場合の最大振幅の許容値は５０ｎｍ程度で
ある。ウェハステージ４３の走査最大速度は最大振幅が
最大許容振幅を上回らないように決定される。
【００１１】露光装置の機械的特性等により最大振幅は
走査方向により異なるが、従来の走査型投影露光装置に
おいては、ウェハステージの走査最大速度は、往復の両
方向Ａ，Ｂとも最大振幅が許容値以下であることを満た
すように決定される。すなわち、ウェハステージの走査
最大速度は同期制御精度の最大振幅が大きい方の走査方
向に合わせて決定されている。例えば、図５に示すよう
に、最大振幅が５０ｎｍにおける走査方向Ａは約１２５
ｍｍ／ｓｅｃ、走査方向Ｂは約７５ｍｍ／ｓｅｃである
場合には、ウェハステージの走査最大速度は、同期制御
精度の最大振幅が大きい方の走査方向、すなわち走査方
向Ｂのウェハステージ走査最大速度である７５ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定される。
走査方向により異なるが、従来の走査型投影露光装置に
おいては、ウェハステージの走査最大速度は、往復の両
方向Ａ，Ｂとも最大振幅が許容値以下であることを満た
すように決定される。すなわち、ウェハステージの走査
最大速度は同期制御精度の最大振幅が大きい方の走査方
向に合わせて決定されている。例えば、図５に示すよう
に、最大振幅が５０ｎｍにおける走査方向Ａは約１２５
ｍｍ／ｓｅｃ、走査方向Ｂは約７５ｍｍ／ｓｅｃである
場合には、ウェハステージの走査最大速度は、同期制御
精度の最大振幅が大きい方の走査方向、すなわち走査方
向Ｂのウェハステージ走査最大速度である７５ｍｍ／ｓ
ｅｃに設定される。
【００１２】このように、従来の走査型投影露光装置に
おいては、ウェハステージの走査最大速度が同期制御精
度の最大振幅が大きい方の走査方向に合わせて決定され
ているので、走査方向に関係なく、遅い走査速度により
露光することになる。その結果、走査最大速度が遅くな
る分露光処理時間が長くなり、生産性が低下するという
問題点があった。
おいては、ウェハステージの走査最大速度が同期制御精
度の最大振幅が大きい方の走査方向に合わせて決定され
ているので、走査方向に関係なく、遅い走査速度により
露光することになる。その結果、走査最大速度が遅くな
る分露光処理時間が長くなり、生産性が低下するという
問題点があった。
【００１３】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光
を行うことにより露光処理時間を短縮化し生産性を向上
させる走査型投影露光方法及び装置を提供することを目
的とする。
のであり、走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光
を行うことにより露光処理時間を短縮化し生産性を向上
させる走査型投影露光方法及び装置を提供することを目
的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型投影露光
方法は、転写用のパターンが形成されたマスクと感光性
の基板とを往復同期走査することによりマスクのパター
ンを基板に露光する走査型投影露光方法において、往復
の走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光を行うこ
とを特徴とするものである。
方法は、転写用のパターンが形成されたマスクと感光性
の基板とを往復同期走査することによりマスクのパター
ンを基板に露光する走査型投影露光方法において、往復
の走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光を行うこ
とを特徴とするものである。
【００１５】往復の走査方向毎に設定される走査最高速
度は、マスクと感光性の基板との同期制御精度を確保で
きる範囲内にそれぞれ設定される。
度は、マスクと感光性の基板との同期制御精度を確保で
きる範囲内にそれぞれ設定される。
【００１６】本発明の走査型投影露光方法は又、同期制
御精度の変化を認識し、変化した同期制御精度に応じて
往復の走査方向毎の走査最高速度を調整するようにして
もよい。
御精度の変化を認識し、変化した同期制御精度に応じて
往復の走査方向毎の走査最高速度を調整するようにして
もよい。
【００１７】本発明の走査型投影露光装置は、転写用の
パターンが形成されたマスクと感光性の基板とを往復同
期走査することによりマスクのパターンを基板に露光す
る走査型投影露光装置において、往復の走査方向毎に走
査最高速度を変化させて露光を行うことを特徴とするも
のである。
パターンが形成されたマスクと感光性の基板とを往復同
期走査することによりマスクのパターンを基板に露光す
る走査型投影露光装置において、往復の走査方向毎に走
査最高速度を変化させて露光を行うことを特徴とするも
のである。
【００１８】本発明の走査型投影露光装置は、往復の走
査方向毎に設定される走査最高速度を、マスクと感光性
の基板との同期制御精度を確保できる範囲内にそれぞれ
設定する設定手段を有してもよい。
査方向毎に設定される走査最高速度を、マスクと感光性
の基板との同期制御精度を確保できる範囲内にそれぞれ
設定する設定手段を有してもよい。
【００１９】本発明の走査型投影露光装置は又、同期制
御精度の変化を認識し、変化した同期制御精度に応じて
往復の走査方向毎の走査最高速度を調整する制御手段を
有してもよい。
御精度の変化を認識し、変化した同期制御精度に応じて
往復の走査方向毎の走査最高速度を調整する制御手段を
有してもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の走査型投影
露光装置を概略的に示す構成図である。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の走査型投影
露光装置を概略的に示す構成図である。
【００２１】図１に示すように、本発明の走査型投影露
光装置は、ＫｒＦエキシマレーザやＡｇＦエキシマレー
ザ等の露光光１を出射する光源２、その光源２から出射
される露光光１を直角方向（図面では右側方向）に反射
させる反射鏡３、フライアイレンズ４、アパーチャー絞
り５、レチクルパターンの露光範囲外を遮光するための
レチクルブラインド６、レチクルブラインド６から出射
される露光光１を直角方向（図面では下側方向）に反射
させる反射鏡７、コンデンサレンズ８、パターン像が形
成されたフォトマスクであるレチクル９、レチクル９を
移動させ露光位置に位置決めするためのレチクルステー
ジ１０、レチクル９上に描画されたパターンをウェハＷ
上に投影露光するための縮小投影レンズ１１、ウェハＷ
を露光位置に移動させ位置決めするためのウェハステー
ジ１２を有する。
光装置は、ＫｒＦエキシマレーザやＡｇＦエキシマレー
ザ等の露光光１を出射する光源２、その光源２から出射
される露光光１を直角方向（図面では右側方向）に反射
させる反射鏡３、フライアイレンズ４、アパーチャー絞
り５、レチクルパターンの露光範囲外を遮光するための
レチクルブラインド６、レチクルブラインド６から出射
される露光光１を直角方向（図面では下側方向）に反射
させる反射鏡７、コンデンサレンズ８、パターン像が形
成されたフォトマスクであるレチクル９、レチクル９を
移動させ露光位置に位置決めするためのレチクルステー
ジ１０、レチクル９上に描画されたパターンをウェハＷ
上に投影露光するための縮小投影レンズ１１、ウェハＷ
を露光位置に移動させ位置決めするためのウェハステー
ジ１２を有する。
【００２２】本発明の走査型投影露光装置によれば、露
光光１は、光源２から反射鏡３、フライアイレンズ４、
アパーチャー絞り５、レチクルブラインド６、反射鏡
７、コンデンサレンズ８、レチクル９、縮小投影レンズ
１１を通ってウェハステージ１２上のウェハＷに所望の
露光量だけ照射される。
光光１は、光源２から反射鏡３、フライアイレンズ４、
アパーチャー絞り５、レチクルブラインド６、反射鏡
７、コンデンサレンズ８、レチクル９、縮小投影レンズ
１１を通ってウェハステージ１２上のウェハＷに所望の
露光量だけ照射される。
【００２３】このとき、露光視野としては２５×８ｍｍ
m程度のスリット形状であり、レチクルブラインド６、
レチクルステージ１０およびウェハステージ１２をそれ
ぞれ移動させるレチクルステージ移動機構１３とウェハ
ステージ移動機構１４を同期走査することにより、最大
２５×３０ｍｍ程度の領域のウェハＷ上にレチクル９上
のパターンを形成する。そして、図４に示すように、往
復同期走査させることにより、ウェハＷ全面にレチクル
９上のパターンが繰り返し露光される。
m程度のスリット形状であり、レチクルブラインド６、
レチクルステージ１０およびウェハステージ１２をそれ
ぞれ移動させるレチクルステージ移動機構１３とウェハ
ステージ移動機構１４を同期走査することにより、最大
２５×３０ｍｍ程度の領域のウェハＷ上にレチクル９上
のパターンを形成する。そして、図４に示すように、往
復同期走査させることにより、ウェハＷ全面にレチクル
９上のパターンが繰り返し露光される。
【００２４】レチクルステージ１０の端部には、レーザ
干渉計１６からのレーザビームを反射する移動鏡１０ａ
が固定されている。レーザ干渉計１６は、移動鏡１０ａ
からのレーザビームを光電変換することにより、レチク
ルステージ１０の位置を検出する。ウェハステージ１２
の端部には、レーザ干渉計１７からのレーザビームを反
射する移動鏡１２ａが固定されている。そして、レーザ
干渉計１７は、移動鏡１２ａからのレーザビームを光電
変換することにより、ウェハステージ１２の位置を検出
する。
干渉計１６からのレーザビームを反射する移動鏡１０ａ
が固定されている。レーザ干渉計１６は、移動鏡１０ａ
からのレーザビームを光電変換することにより、レチク
ルステージ１０の位置を検出する。ウェハステージ１２
の端部には、レーザ干渉計１７からのレーザビームを反
射する移動鏡１２ａが固定されている。そして、レーザ
干渉計１７は、移動鏡１２ａからのレーザビームを光電
変換することにより、ウェハステージ１２の位置を検出
する。
【００２５】同期制御はレーザ干渉計１６、１７により
各ステージ１０、１２の位置を検出し、制御部１８によ
りレチクルステージ移動機構１３およびウェハステージ
移動機構１４を制御することにより行われている。
各ステージ１０、１２の位置を検出し、制御部１８によ
りレチクルステージ移動機構１３およびウェハステージ
移動機構１４を制御することにより行われている。
【００２６】本発明の走査型投影露光装置においては、
同期制御精度に基づいてウェハステージ１２の走査方向
毎の走査最大速度が決定される。図２は、ウェハステー
ジ走査速度と、ウェハステージ１２とレチクルステージ
１０間の位置の差分の最大振幅との関係を示すグラフで
ある。図２に示すように、最大振幅は走査方向により異
なっており、例えば、最大振幅の許容値を５０ｎｍとし
た場合、走査方向Ａについてはウェハステージ走査最大
速度を約１２５ｍｍ／ｓｅｃに、走査方向Ｂについては
ウェハステージ走査最大速度を約７５ｍｍ／ｓｅｃに設
定される。
同期制御精度に基づいてウェハステージ１２の走査方向
毎の走査最大速度が決定される。図２は、ウェハステー
ジ走査速度と、ウェハステージ１２とレチクルステージ
１０間の位置の差分の最大振幅との関係を示すグラフで
ある。図２に示すように、最大振幅は走査方向により異
なっており、例えば、最大振幅の許容値を５０ｎｍとし
た場合、走査方向Ａについてはウェハステージ走査最大
速度を約１２５ｍｍ／ｓｅｃに、走査方向Ｂについては
ウェハステージ走査最大速度を約７５ｍｍ／ｓｅｃに設
定される。
【００２７】本実施の形態では、同期制御精度を基に走
査方向毎に走査最大速度を決定するため、同期制御精度
を確保した状態でかつ最大のスループットでのウェハ露
光処理が可能である。従って、従来の技術に比べ、走査
方向Ａの場合の走査露光時間が約４０％短縮でき、１枚
のウェハＷでは２０〜３０％の走査露光時間の短縮が可
能となり、生産性を向上させることができる。
査方向毎に走査最大速度を決定するため、同期制御精度
を確保した状態でかつ最大のスループットでのウェハ露
光処理が可能である。従って、従来の技術に比べ、走査
方向Ａの場合の走査露光時間が約４０％短縮でき、１枚
のウェハＷでは２０〜３０％の走査露光時間の短縮が可
能となり、生産性を向上させることができる。
【００２８】本発明の走査型投影露光装置では設置環
境、特に、振動環境が変化した場合、同期制御精度もそ
れに応じて変化する場合がある。そこで、制御部１８に
おいて同期制御精度の変化を認識し、同期制御精度の変
化に応じて、同期制御精度が許容値にはいるように走査
最大速度を走査方向毎に自動的に調整するのが好まし
い。この場合、装置の設置環境が変化しても、その変化
に対応することが可能となる。
境、特に、振動環境が変化した場合、同期制御精度もそ
れに応じて変化する場合がある。そこで、制御部１８に
おいて同期制御精度の変化を認識し、同期制御精度の変
化に応じて、同期制御精度が許容値にはいるように走査
最大速度を走査方向毎に自動的に調整するのが好まし
い。この場合、装置の設置環境が変化しても、その変化
に対応することが可能となる。
【００２９】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、同期制御精度を基に走
査方向毎に走査最大速度を決定するため、同期制御精度
を確保した状態でかつ最大のスループットでのウェハ露
光処理が可能である。従って、従来の技術に比べ、走査
露光時間を大幅に短縮化でき、生産性を向上させること
ができる。
査方向毎に走査最大速度を決定するため、同期制御精度
を確保した状態でかつ最大のスループットでのウェハ露
光処理が可能である。従って、従来の技術に比べ、走査
露光時間を大幅に短縮化でき、生産性を向上させること
ができる。
【図１】本発明の走査型投影露光装置を概略的に示す構
成図である。
成図である。
【図２】ウェハステージ走査速度と、ウェハステージと
レチクルステージ間の位置の差分の最大振幅との関係、
及び本発明の走査型投影露光装置における走査最高速度
の設定を説明するためのグラフである。
レチクルステージ間の位置の差分の最大振幅との関係、
及び本発明の走査型投影露光装置における走査最高速度
の設定を説明するためのグラフである。
【図３】従来の走査型投影露光装置を概略的に示す構成
図である。
図である。
【図４】ウェハの走査露光の例を示す説明図である。
【図５】ウェハステージ走査速度と、ウェハステージと
レチクルステージ間の位置の差分の最大振幅との関係、
及び従来の走査型投影露光装置における走査最高速度の
設定を説明するためのグラフである。
レチクルステージ間の位置の差分の最大振幅との関係、
及び従来の走査型投影露光装置における走査最高速度の
設定を説明するためのグラフである。
Ｗ：ウェハ １：露光光 ２：光源 ３：反射鏡 ４：フライアイレンズ ５：アパーチャー絞り ６：レチクルブラインド ７：反射鏡 ８：コンデンサレンズ ９：レチクル １０：レチクルステージ １１：縮小投影レンズ １２：ウェハステージ １３：レチクルステージ移動機構 １４：ウェハステージ移動機構 １６：レーザ干渉計 １７：レーザ干渉計 １８：制御部
Claims (6)
- 【請求項１】転写用のパターンが形成されたマスクと感
光性の基板とを往復同期走査することにより前記マスク
のパターンを基板に露光する走査型投影露光方法におい
て、 往復の走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光を行
うことを特徴とする走査型投影露光方法。 - 【請求項２】往復の走査方向毎に設定される走査最高速
度は、マスクと感光性の基板との同期制御精度を確保で
きる範囲内にそれぞれ設定されることを特徴とする請求
項１に記載の走査型投影露光方法。 - 【請求項３】前記同期制御精度の変化を認識し、変化し
た同期制御精度に応じて往復の走査方向毎の走査最高速
度を調整することを特徴とする請求項１又は２に記載の
走査型投影露光方法。 - 【請求項４】転写用のパターンが形成されたマスクと感
光性の基板とを往復同期走査することにより前記マスク
のパターンを基板に露光する走査型投影露光装置におい
て、 往復の走査方向毎に走査最高速度を変化させて露光を行
うことを特徴とする走査型投影露光装置。 - 【請求項５】往復の走査方向毎に設定される走査最高速
度を、マスクと感光性の基板との同期制御精度を確保で
きる範囲内にそれぞれ設定する設定手段を有することを
特徴とする請求項４に記載の走査型投影露光装置。 - 【請求項６】前記同期制御精度の変化を認識し、変化し
た同期制御精度に応じて往復の走査方向毎の走査最高速
度を調整する制御手段を有することを特徴とする請求項
４又は５に記載の走査型投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9018542A JP2962257B2 (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 走査型投影露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9018542A JP2962257B2 (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 走査型投影露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214776A JPH10214776A (ja) | 1998-08-11 |
| JP2962257B2 true JP2962257B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=11974533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9018542A Expired - Fee Related JP2962257B2 (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 走査型投影露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962257B2 (ja) |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP9018542A patent/JP2962257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10214776A (ja) | 1998-08-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |