JP2000164498A - 走査型投影露光装置 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感光基板上に露光転写されるパターンにおけ
る走査方向と非走査方向での加工寸法の変動発生を抑制
し、露光時に高い露光精度を得る。 【解決手段】 マスク搭載用のステージ３および基板搭
載用のステージ５を同期して走査するとともに、光源６
からの光束をアパーチャー９で絞ってレチクルＭのパタ
ーンに照射し、この照射されたパターンを投影光学系４
によってウエハＷのレジスト上に露光転写する走査型投
影露光装置１において、アパーチャー９の開口形状は、
両ステージ３，５の走査方向および非走査方向での同期
誤差を検出し、この検出結果に基づいて決定されている
構成としてある。
る走査方向と非走査方向での加工寸法の変動発生を抑制
し、露光時に高い露光精度を得る。 【解決手段】 マスク搭載用のステージ３および基板搭
載用のステージ５を同期して走査するとともに、光源６
からの光束をアパーチャー９で絞ってレチクルＭのパタ
ーンに照射し、この照射されたパターンを投影光学系４
によってウエハＷのレジスト上に露光転写する走査型投
影露光装置１において、アパーチャー９の開口形状は、
両ステージ３，５の走査方向および非走査方向での同期
誤差を検出し、この検出結果に基づいて決定されている
構成としてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＵＬＳＩの
半導体デバイスを製造する場合に使用して好適な走査型
投影露光装置に関する。
半導体デバイスを製造する場合に使用して好適な走査型
投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ等の半導体デバイスにおける
高集積化に伴い、半導体ウエハの微細加工技術が発達し
てきている。この微細加工技術を用いる半導体デバイス
の製造プロセスにおいては、マスクのパターン像を感光
基板上に投影露光する投影露光装置が用いられる。
高集積化に伴い、半導体ウエハの微細加工技術が発達し
てきている。この微細加工技術を用いる半導体デバイス
の製造プロセスにおいては、マスクのパターン像を感光
基板上に投影露光する投影露光装置が用いられる。
【０００３】従来、この種の投影露光装置としては、光
源からのスリット光束によってレチクル（マスク）上の
パターンを照明し、この照明されたパターンを投影光学
系によってウエハ上のレジストに露光転写する走査型縮
小投影露光装置が採用されている。
源からのスリット光束によってレチクル（マスク）上の
パターンを照明し、この照明されたパターンを投影光学
系によってウエハ上のレジストに露光転写する走査型縮
小投影露光装置が採用されている。
【０００４】この走査型縮小投影露光装置につき、図６
を用いて説明すると、同図において、符号５１で示す走
査型縮小投影露光装置は、照明系５２と、レチクルステ
ージ５３と、投影光学系５４およびウエハステージ５５
とを備えている。
を用いて説明すると、同図において、符号５１で示す走
査型縮小投影露光装置は、照明系５２と、レチクルステ
ージ５３と、投影光学系５４およびウエハステージ５５
とを備えている。
【０００５】照明系５２は、レチクルステージ５３上に
おけるレチクルＭのパターンを照射する光源（図示せ
ず）を有している。レチクルステージ５３は、照明系５
２と投影光学系５４との間に配設されており、第一駆動
装置（図示せず）によって矢印Ｘ１方向に走査される。
おけるレチクルＭのパターンを照射する光源（図示せ
ず）を有している。レチクルステージ５３は、照明系５
２と投影光学系５４との間に配設されており、第一駆動
装置（図示せず）によって矢印Ｘ１方向に走査される。
【０００６】投影光学系５４は、レチクルＭ上のパター
ンをウエハステージ５５上におけるウエハＷのレジスト
に露光転写する。ウエハステージ５５は、投影光学系５
４の下方に配設されており、第二駆動装置（図示せず）
によって矢印Ｘ２方向に走査される。
ンをウエハステージ５５上におけるウエハＷのレジスト
に露光転写する。ウエハステージ５５は、投影光学系５
４の下方に配設されており、第二駆動装置（図示せず）
によって矢印Ｘ２方向に走査される。
【０００７】なお、ウエハステージ５５およびレチクル
ステージ５３は、それぞれがステージ位置検出センサ
（図示せず）を有し、ステージ駆動（走査）制御用のコ
ントローラ（図示せず）によってそれぞれ矢印Ｘ１，Ｘ
２方向（各ステージ走査方向）に同期して移動する。ま
た、照明系５２からの光束Ｒは、アパーチャーによって
絞られてレチクル上のパターンを照明する。
ステージ５３は、それぞれがステージ位置検出センサ
（図示せず）を有し、ステージ駆動（走査）制御用のコ
ントローラ（図示せず）によってそれぞれ矢印Ｘ１，Ｘ
２方向（各ステージ走査方向）に同期して移動する。ま
た、照明系５２からの光束Ｒは、アパーチャーによって
絞られてレチクル上のパターンを照明する。
【０００８】このように構成された走査型縮小投影露光
装置において、ウエハＷ上のレジストに投影露光するに
は、レチクルステージ５３およびウエハステージ５５を
同期して走査するとともに、照明系５２からの光束をア
パーチャーで絞ってレチクルのパターンに照射し、この
照射されたパターンを投影光学系５４によってウエハＷ
のレジスト上に露光転写することにより行う。
装置において、ウエハＷ上のレジストに投影露光するに
は、レチクルステージ５３およびウエハステージ５５を
同期して走査するとともに、照明系５２からの光束をア
パーチャーで絞ってレチクルのパターンに照射し、この
照射されたパターンを投影光学系５４によってウエハＷ
のレジスト上に露光転写することにより行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の走査型
投影露光装置においては、アパーチャーの開口形状が図
７に示すように軸対称な照明形状（真円の照明形状）と
なるような開口形状であるため、ウエハステージ５５お
よびレチクルステージ５３の同期精度（同期誤差）が走
査方向と非走査方向で同じであれば、ウエハＷのレジス
ト上に露光転写されるパターンの走査方向寸法と非走査
方向寸法との間に加工寸法差が生じないが、ステージ走
査時の振動・ぶれ等によってウエハステージ５５および
レチクルステージ５３の走査方向と非走査方向での同期
精度が異なると、パターンの走査方向寸法と非走査方向
寸法との間に加工寸法差が生じ、露光時に高い露光精度
を得ることができないという問題があった。
投影露光装置においては、アパーチャーの開口形状が図
７に示すように軸対称な照明形状（真円の照明形状）と
なるような開口形状であるため、ウエハステージ５５お
よびレチクルステージ５３の同期精度（同期誤差）が走
査方向と非走査方向で同じであれば、ウエハＷのレジス
ト上に露光転写されるパターンの走査方向寸法と非走査
方向寸法との間に加工寸法差が生じないが、ステージ走
査時の振動・ぶれ等によってウエハステージ５５および
レチクルステージ５３の走査方向と非走査方向での同期
精度が異なると、パターンの走査方向寸法と非走査方向
寸法との間に加工寸法差が生じ、露光時に高い露光精度
を得ることができないという問題があった。
【００１０】この場合、両ステージ５３，５５の同期誤
差に起因するパターンの走査方向寸法と非走査方向寸法
間の加工寸法差は、ウエハＷ上のレジストに露光転写さ
れる加工パターンが微細パターンになればなるほど大き
くなる。
差に起因するパターンの走査方向寸法と非走査方向寸法
間の加工寸法差は、ウエハＷ上のレジストに露光転写さ
れる加工パターンが微細パターンになればなるほど大き
くなる。
【００１１】例えば、ＮＡ＝０．６のＫｒＦエキシマ露
光で０．１８μｍの孤立線をウエハＷ上のレジストに露
光転写しようとする場合、走査方向および非走査方向の
同期精度がそれぞれ４０ｎｍと２０ｎｍ程度であるとす
ると、加工寸法差が０．０１５μｍとなることが図８か
ら理解されよう。
光で０．１８μｍの孤立線をウエハＷ上のレジストに露
光転写しようとする場合、走査方向および非走査方向の
同期精度がそれぞれ４０ｎｍと２０ｎｍ程度であるとす
ると、加工寸法差が０．０１５μｍとなることが図８か
ら理解されよう。
【００１２】なお、特開平９−１６７７３６号公報およ
び特開平９―２３２２２８号公報に「走査型露光装置及
びそれを用いたデバイス製造方法」として先行技術が開
示されているが、前述した課題は解決されていない。
び特開平９―２３２２２８号公報に「走査型露光装置及
びそれを用いたデバイス製造方法」として先行技術が開
示されているが、前述した課題は解決されていない。
【００１３】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ステージ位置検出センサによってマスク搭載用
ステージおよび基板搭載用ステージの位置が検出可能で
あることに着目し、これらステージ位置から両ステージ
の走査方向と非走査方向における同期誤差を算出し、こ
の算出結果に基づいてアパーチャーの開口形状を決定す
ることにより、両ステージの同期誤差に起因するパター
ンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差の発
生を抑制することができ、もって露光時に高い露光精度
を得ることができる走査型投影露光装置の提供を目的と
する。
もので、ステージ位置検出センサによってマスク搭載用
ステージおよび基板搭載用ステージの位置が検出可能で
あることに着目し、これらステージ位置から両ステージ
の走査方向と非走査方向における同期誤差を算出し、こ
の算出結果に基づいてアパーチャーの開口形状を決定す
ることにより、両ステージの同期誤差に起因するパター
ンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差の発
生を抑制することができ、もって露光時に高い露光精度
を得ることができる走査型投影露光装置の提供を目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載の走査型投影露光装置は、マ
スク搭載用のステージおよび基板搭載用のステージを同
期して走査するとともに、光源からの光束をアパーチャ
ーで絞ってマスクのパターンに照射し、この照射された
パターンを投影光学系によって感光基板上に露光転写す
る走査型投影露光装置において、アパーチャーの開口形
状は、両ステージの走査方向および非走査方向での同期
誤差を検出し、この検出結果に基づいて決定されている
構成としてある。したがって、感光基板上に露光転写さ
れるパターンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工
寸法差がアパーチャーによって補正される。
に、本発明の請求項１記載の走査型投影露光装置は、マ
スク搭載用のステージおよび基板搭載用のステージを同
期して走査するとともに、光源からの光束をアパーチャ
ーで絞ってマスクのパターンに照射し、この照射された
パターンを投影光学系によって感光基板上に露光転写す
る走査型投影露光装置において、アパーチャーの開口形
状は、両ステージの走査方向および非走査方向での同期
誤差を検出し、この検出結果に基づいて決定されている
構成としてある。したがって、感光基板上に露光転写さ
れるパターンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工
寸法差がアパーチャーによって補正される。
【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の走
査型投影露光装置において、マスクがレチクルからなる
構成としてある。したがって、光源からの光束がアパー
チャーを介してレチクルのパターンに照射される。
査型投影露光装置において、マスクがレチクルからなる
構成としてある。したがって、光源からの光束がアパー
チャーを介してレチクルのパターンに照射される。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の走査型投影露光装置において、アパーチャーの開
口部が、走査方向と非走査方向の寸法が互いに異なる照
明形状となるような開口形状とする構成としてある。し
たがって、照明形状における走査方向と非走査方向の寸
法がアパーチャーの開口形状によって互いに異なる。
記載の走査型投影露光装置において、アパーチャーの開
口部が、走査方向と非走査方向の寸法が互いに異なる照
明形状となるような開口形状とする構成としてある。し
たがって、照明形状における走査方向と非走査方向の寸
法がアパーチャーの開口形状によって互いに異なる。
【００１７】請求項４記載の発明は、請求項１，２また
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、楕円照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって楕円形状となる。
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、楕円照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって楕円形状となる。
【００１８】請求項５記載の発明は、請求項１，２また
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、輪帯照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって輪帯形状となる。
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、輪帯照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって輪帯形状となる。
【００１９】請求項６記載の発明は、請求項１，２また
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、四点照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって四点形状となる。
は３記載の走査型投影露光装置において、アパーチャー
の開口形状が、四点照明となるような形状である構成と
してある。したがって、光源からの光束による照明形状
がアパーチャーの開口形状によって四点形状となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実施形態
に係る走査型投影露光装置の概略を示す光路図、図２は
同じく本発明の第一実施形態に係る走査型露光装置のア
パーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図であ
る。図１〜図３において、符号１で示す走査型投影縮小
露光装置は、照明系２と、マスク搭載用のステージ３
と、投影光学系４および基板搭載用のステージ５とを備
え、例えばＵＬＳＩの半導体デバイスを製造する工程
（リソグラフィー工程）において使用される。
図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実施形態
に係る走査型投影露光装置の概略を示す光路図、図２は
同じく本発明の第一実施形態に係る走査型露光装置のア
パーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図であ
る。図１〜図３において、符号１で示す走査型投影縮小
露光装置は、照明系２と、マスク搭載用のステージ３
と、投影光学系４および基板搭載用のステージ５とを備
え、例えばＵＬＳＩの半導体デバイスを製造する工程
（リソグラフィー工程）において使用される。
【００２１】照明系２は、光源６と、第一反射鏡７と、
第一レンズ８と、アパーチャー９と、マスクブラインド
１０と、第二反射鏡１１および第二レンズ１２とを有し
ている。光源６は、基板搭載用のステージ５上における
ウエハＷのレジスト（図示せず）に露光するための光束
Ｒを第一反射鏡７に向かって照射する。
第一レンズ８と、アパーチャー９と、マスクブラインド
１０と、第二反射鏡１１および第二レンズ１２とを有し
ている。光源６は、基板搭載用のステージ５上における
ウエハＷのレジスト（図示せず）に露光するための光束
Ｒを第一反射鏡７に向かって照射する。
【００２２】第一反射鏡７は、光源６からの光束Ｒを第
一レンズ８に向かって反射させる４５°ミラーからな
り、光源６と第一レンズ８間の光路中に配置されてい
る。第一レンズ８は、光源６からの光束Ｒを均一化する
フライアイレンズによって形成されている。
一レンズ８に向かって反射させる４５°ミラーからな
り、光源６と第一レンズ８間の光路中に配置されてい
る。第一レンズ８は、光源６からの光束Ｒを均一化する
フライアイレンズによって形成されている。
【００２３】アパーチャー９は、二次光源照明光を形成
するための照明絞りからなり、第一レンズ８の透過側に
配置されている。そして、アパーチャー９は、走査方向
寸法および非走査方向寸法が図２に示すようにそれぞれ
互いに大小異なる例えば楕円照明形状（走査方向および
非走査方向をそれぞれ短径と長径とする）となるような
開口部９ａを有している。
するための照明絞りからなり、第一レンズ８の透過側に
配置されている。そして、アパーチャー９は、走査方向
寸法および非走査方向寸法が図２に示すようにそれぞれ
互いに大小異なる例えば楕円照明形状（走査方向および
非走査方向をそれぞれ短径と長径とする）となるような
開口部９ａを有している。
【００２４】アパーチャー９の開口形状は、両ステージ
３，５の走査方向および非走査方向における同期誤差を
算出し、この算出結果に基づいて決定されている。この
場合、両ステージ３，５の同期誤差は、各ステージ位置
検出センサ（図示せず）による両ステージ３，５の位置
を検出し、これらステージ位置から算出によって求めら
れる。これにより、パーシャルコヒーレンシー（照明Ｎ
Ａ／レンズＮＡ）の値が走査方向と非走査方向で変わ
り、ウエハＷ上のレジストに露光転写されるパターンの
走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差が補正さ
れる。
３，５の走査方向および非走査方向における同期誤差を
算出し、この算出結果に基づいて決定されている。この
場合、両ステージ３，５の同期誤差は、各ステージ位置
検出センサ（図示せず）による両ステージ３，５の位置
を検出し、これらステージ位置から算出によって求めら
れる。これにより、パーシャルコヒーレンシー（照明Ｎ
Ａ／レンズＮＡ）の値が走査方向と非走査方向で変わ
り、ウエハＷ上のレジストに露光転写されるパターンの
走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差が補正さ
れる。
【００２５】マスクブラインド１０は、アパーチャー９
を経由した光源６からの光束Ｒをマスク搭載用のステー
ジ３におけるマスク（レチクル）上の照明範囲を決定す
るレチクルブラインドからなり、アパーチャー９と第二
反射鏡１１間の光路中に配置されている。
を経由した光源６からの光束Ｒをマスク搭載用のステー
ジ３におけるマスク（レチクル）上の照明範囲を決定す
るレチクルブラインドからなり、アパーチャー９と第二
反射鏡１１間の光路中に配置されている。
【００２６】第二反射鏡１１は、マスクブラインド１０
からの光束Ｒを第二レンズ１２に向かって反射させる４
５°ミラーからなり、マスクブラインド１０と第二レン
ズ１２との間の光路中に配置されている。第二レンズ１
２は、第二反射鏡１１からの光束Ｒをレチクル上のパタ
ーンに照射するためのコンデンサレンズによって形成さ
れている。
からの光束Ｒを第二レンズ１２に向かって反射させる４
５°ミラーからなり、マスクブラインド１０と第二レン
ズ１２との間の光路中に配置されている。第二レンズ１
２は、第二反射鏡１１からの光束Ｒをレチクル上のパタ
ーンに照射するためのコンデンサレンズによって形成さ
れている。
【００２７】マスク搭載用のステージ３は、レチクルＭ
を搭載するレチクルステージからなり、照明系２と投影
光学系４との間に配設されており、第一駆動装置（図示
せず）によって矢印Ｘ１方向に走査される。投影光学系
４は、レチクルＭ上のパターンを基板搭載用のステージ
５上におけるウエハＷのレジストに露光転写する縮小投
影レンズを有している。基板搭載用のステージ５は、投
影光学系４の下方に配設されており、第二駆動装置（図
示せず）によって矢印Ｘ２方向に走査される。
を搭載するレチクルステージからなり、照明系２と投影
光学系４との間に配設されており、第一駆動装置（図示
せず）によって矢印Ｘ１方向に走査される。投影光学系
４は、レチクルＭ上のパターンを基板搭載用のステージ
５上におけるウエハＷのレジストに露光転写する縮小投
影レンズを有している。基板搭載用のステージ５は、投
影光学系４の下方に配設されており、第二駆動装置（図
示せず）によって矢印Ｘ２方向に走査される。
【００２８】なお、マスク搭載用のステージ３および基
板搭載用のステージ５は、従来におけるレチクルステー
ジ５３とウエハステージ５５と同様に、それぞれがステ
ージ位置検出センサを有し、ステージ駆動制御用のコン
トローラによってそれぞれ矢印Ｘ１，Ｘ２方向（各走査
方向）に同期して移動する。
板搭載用のステージ５は、従来におけるレチクルステー
ジ５３とウエハステージ５５と同様に、それぞれがステ
ージ位置検出センサを有し、ステージ駆動制御用のコン
トローラによってそれぞれ矢印Ｘ１，Ｘ２方向（各走査
方向）に同期して移動する。
【００２９】このように構成された走査型縮小投影露光
装置において、ウエハＷ上のレジストに投影露光するに
は、従来と同様に、マスク搭載用のステージ３および基
板搭載用のステージ５を同期して走査するとともに、照
明系２からの光束をアパーチャー９で絞ってレチクルＭ
のパターンに照射し、この照射されたパターンを投影光
学系４によってウエハＷのレジスト上に露光転写するこ
とにより行う。
装置において、ウエハＷ上のレジストに投影露光するに
は、従来と同様に、マスク搭載用のステージ３および基
板搭載用のステージ５を同期して走査するとともに、照
明系２からの光束をアパーチャー９で絞ってレチクルＭ
のパターンに照射し、この照射されたパターンを投影光
学系４によってウエハＷのレジスト上に露光転写するこ
とにより行う。
【００３０】この場合、アパーチャー９の開口形状が、
両ステージ３，５の走査方向および非走査方向での同期
誤差を算出し、この算出結果に基づいて決定されている
から、パーシャルコヒーレンシーσ（σ＝照明ＮＡ／レ
ンズＮＡ）の値を走査方向と非走査方向で変えることが
できる。ここで、例えばウエハＷのレジスト上に０．１
８μｍの孤立線を露光転写するには、図３に示すように
パーシャルコヒーレンシーσをσ＝０．７とする。
両ステージ３，５の走査方向および非走査方向での同期
誤差を算出し、この算出結果に基づいて決定されている
から、パーシャルコヒーレンシーσ（σ＝照明ＮＡ／レ
ンズＮＡ）の値を走査方向と非走査方向で変えることが
できる。ここで、例えばウエハＷのレジスト上に０．１
８μｍの孤立線を露光転写するには、図３に示すように
パーシャルコヒーレンシーσをσ＝０．７とする。
【００３１】したがって、本実施形態においては、ウエ
ハＷのレジスト上に露光転写されるパターンの走査方向
寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差を補正することが
できるから、両ステージ３，５の走査方向および非走査
方向での同期精度が異なっても、走査方向寸法と非走査
方向寸法間のパターン加工寸法差の発生を抑制すること
ができる。
ハＷのレジスト上に露光転写されるパターンの走査方向
寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差を補正することが
できるから、両ステージ３，５の走査方向および非走査
方向での同期精度が異なっても、走査方向寸法と非走査
方向寸法間のパターン加工寸法差の発生を抑制すること
ができる。
【００３２】なお、本実施形態においては、アパーチャ
ーの開口形状が楕円照明となるような形状である場合に
ついて示したが、本発明はこれに限定されず、高解像手
法に用いられる例えば図４（第二実施形態）に示すよう
な輪帯照明あるいは図５（第三実施形態）に示すような
四点照明となるような形状であっても差し支えない。
ーの開口形状が楕円照明となるような形状である場合に
ついて示したが、本発明はこれに限定されず、高解像手
法に用いられる例えば図４（第二実施形態）に示すよう
な輪帯照明あるいは図５（第三実施形態）に示すような
四点照明となるような形状であっても差し支えない。
【００３３】また、本実施形態においては、ＵＬＳＩの
半導体デバイスの製造工程で使用する場合について説明
したが、本発明はこれに限定されず、ＩＣ，ＬＳＩ，Ｃ
ＣＤあるいは磁気ヘッド等の半導体デバイスの製造工程
でも実施形態と同様に使用可能である。
半導体デバイスの製造工程で使用する場合について説明
したが、本発明はこれに限定されず、ＩＣ，ＬＳＩ，Ｃ
ＣＤあるいは磁気ヘッド等の半導体デバイスの製造工程
でも実施形態と同様に使用可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
パーチャーの開口形状は、両ステージの走査方向および
非走査方向での同期誤差を算出し、この算出結果に基づ
いて決定されているので、パーシャルコヒーレンシーの
値を走査方向と非走査方向で変えることができる。
パーチャーの開口形状は、両ステージの走査方向および
非走査方向での同期誤差を算出し、この算出結果に基づ
いて決定されているので、パーシャルコヒーレンシーの
値を走査方向と非走査方向で変えることができる。
【００３５】したがって、感光基板上に転写露光される
パターンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法
差を補正することができるから、両ステージの走査方向
と非走査方向での同期精度が異なっても、パターンにお
ける走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差の発
生を抑制することができ、露光時に高い露光精度を得る
ことができる。
パターンの走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法
差を補正することができるから、両ステージの走査方向
と非走査方向での同期精度が異なっても、パターンにお
ける走査方向寸法と非走査方向寸法間の加工寸法差の発
生を抑制することができ、露光時に高い露光精度を得る
ことができる。
【図１】図１は本発明の第一実施形態に係る走査型投影
露光装置の概略を示す光路図である。
露光装置の概略を示す光路図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る走査型投影露光装
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
【図３】感光基板上におけるパターンの加工寸法とパー
シャルコヒーレンシーとの関係を示す図である。
シャルコヒーレンシーとの関係を示す図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係る走査型投影露光装
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
【図５】本発明の第三実施形態に係る走査型投影露光装
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
置のアパーチャーを透過した後の照明形状を示す平面図
である。
【図６】従来における走査型投影露光装置の概略を示す
光路図である。
光路図である。
【図７】従来における走査型露光装置のアパーチャーを
透過した後の照明形状を示す平面図である。
透過した後の照明形状を示す平面図である。
【図８】感光基板上におけるパターンの加工寸法とステ
ージ同期精度との関係を示す図である。
ージ同期精度との関係を示す図である。
１ 走査型投影露光装置 ２ 照明系 ３ マスク搭載用のステージ ４ 投影光学系 ５ 基板搭載用のステージ ６ 光源 ７ 第一反射鏡 ８ 第一レンズ ９ アパーチャー ９ａ 開口部 １０ マスクブラインド １１ 第二反射鏡 １２ 第二レンズ Ｍ レチクル Ｒ 光束 Ｗ ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 マスク搭載用のステージおよび基板搭載
用のステージを同期して走査するとともに、光源からの
光束をアパーチャーで絞ってマスクのパターンに照射
し、この照射されたパターンを投影光学系によって感光
基板上に露光転写する走査型投影露光装置において、 前記アパーチャーの開口形状は、前記両ステージの走査
方向と非走査方向での同期誤差を算出し、この算出結果
に基づいて決定されていることを特徴とする走査型投影
露光装置。 - 【請求項２】 前記マスクがレチクルからなることを特
徴とする請求項１記載の走査型投影露光装置。 - 【請求項３】 前記アパーチャーの開口部が、走査方向
と非走査方向の寸法が互いに異なる照明形状となるよう
な開口形状とすることを特徴とする請求項１または２記
載の走査型投影露光装置。 - 【請求項４】 前記アパーチャーの開口形状が、楕円照
明となるような形状であることを特徴とする請求項１，
２または３記載の走査型投影露光装置。 - 【請求項５】 前記アパーチャーの開口形状が、輪帯照
明となるような形状であることを特徴とする請求項１，
２または３記載の走査型投影露光装置。 - 【請求項６】 前記アパーチャーの開口形状が、四点照
明となるような形状であることを特徴とする請求項１，
２または３記載の走査型投影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10336359A JP2000164498A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 走査型投影露光装置 |
| KR1019990052743A KR100362022B1 (ko) | 1998-11-26 | 1999-11-25 | 패턴의 변형을 억제하기 위한 타원형 애퍼처가 구비된주사형 투영 얼라이너 |
| GB9928116A GB2347517B (en) | 1998-11-26 | 1999-11-26 | Scanning projection aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10336359A JP2000164498A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 走査型投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164498A true JP2000164498A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18298326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10336359A Pending JP2000164498A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 走査型投影露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164498A (ja) |
| KR (1) | KR100362022B1 (ja) |
| GB (1) | GB2347517B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095811A1 (fr) * | 2001-05-23 | 2002-11-28 | Nikon Corporation | Dispositif optique eclairant, systeme d'exposition et procede de production de microdispositif |
| US6876437B2 (en) | 2002-07-31 | 2005-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system, exposure method and apparatus using the same |
| JP2007311794A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 照射系およびフォトリソグラフィ装置 |
| JP2019003136A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
| JP2021039243A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および、物品の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100819646B1 (ko) * | 2002-06-17 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 노광장치 |
| DE102005031084A1 (de) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens |
| JPWO2011065374A1 (ja) | 2009-11-24 | 2013-04-18 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3316704B2 (ja) * | 1993-06-10 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| JPH08250402A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
| KR960042227A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10336359A patent/JP2000164498A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-25 KR KR1019990052743A patent/KR100362022B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-26 GB GB9928116A patent/GB2347517B/en not_active Expired - Fee Related
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| WO2002095811A1 (fr) * | 2001-05-23 | 2002-11-28 | Nikon Corporation | Dispositif optique eclairant, systeme d'exposition et procede de production de microdispositif |
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| JP2007311794A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 照射系およびフォトリソグラフィ装置 |
| JP2019003136A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
| JP7005183B2 (ja) | 2017-06-19 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
| JP2021039243A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および、物品の製造方法 |
| JP7446068B2 (ja) | 2019-09-03 | 2024-03-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および、物品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100362022B1 (ko) | 2002-11-22 |
| GB2347517A (en) | 2000-09-06 |
| GB2347517B (en) | 2003-02-26 |
| KR20000047725A (ko) | 2000-07-25 |
| GB9928116D0 (en) | 2000-01-26 |
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