JP2001230170A

JP2001230170A - 走査露光装置及び走査露光方法

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Publication number: JP2001230170A
Application number: JP2000036209A
Authority: JP
Inventors: Toru Suzuki; 徹鈴木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-02-15
Filing date: 2000-02-15
Publication date: 2001-08-24
Anticipated expiration: 2020-02-15
Also published as: JP4579367B2

Abstract

(57)【要約】【課題】前ショット領域から次ショット領域へのステ
ップ移動に改行を伴う際、ステップ移動する移動距離を
短縮し、全体としてのスループットを向上できる走査露
光装置及び走査露光方法を提供する。【解決手段】転写用のパターンが形成されたレチクル
Ｒを移動するレチクルステージ６と、レチクルＲのパタ
ーンが露光されるウェハＷを移動するウェハステージ１
とを備え、レチクルＲ及びウェハＷをレチクルステージ
６及びウェハステージ１を介して同期走査することによ
り、ウェハＷの各ショット領域にレチクルＲのパターン
を逐次転写露光する場合、前ショット領域から次ショッ
ト領域への露光開始位置までのステップ移動に改行が伴
うか否かを検出する改行検出部２２と、改行検出部２２
の検出値から、次ショット領域の位置に応じてウェハス
テージ１を制御し、ウェハＷを露光位置へ移動させるス
テージ制御手段またはステージ制御工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程
で、原版上のパターンを感光性の基板上に露光するため
の走査露光方法、及び露光装置に関する。特に、原版上
のパターンの一部を感光性の基板上に投影した状態で、
その原版とその基板とを同期走査して、その原版のパタ
ーンをその基板上の各ショット領域に逐次転写するステ
ップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置、及び走査
露光方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子、
撮像素子（ＣＣＤ等）、または薄膜磁気ヘッド等を製造
するためのフォトリソグラフィ工程では、原版であるマ
スクとしてのレチクルに形成されたパターンを、感光性
の基板であるウェハ上に露光するステッパ等の一括露光
型の露光装置が使用されている。最近では、半導体素子
のチップが大型化する傾向があり、レチクル上のより大
きな面積のパターンをウェハ上に露光する必要から、レ
チクルとウェハとを同期して走査することで、投影光学
系の照野フィールド（静止状態でのパターンの露光領
域）より広い範囲の領域を露光することが可能な、ステ
ップ・アンド・スキャン方式の露光装置が多く利用され
ている。

【０００３】さて、一括露光型の走査露光装置では、露
光対象のショット領域を照野フィールドへステッピング
する動作と、そのショット領域とレチクルとを位置合わ
せする位置決め動作と、そのショット領域へ露光する動
作とが繰り返される。

【０００４】これに対して、ステップ・アンド・スキャ
ン方式のような走査型の走査露光装置においては、前の
ショット領域から次のショット領域の走査露光を開始す
る位置まで基板ステージであるウェハステージをステッ
プ移動して、ウェハステージ及び原版ステージであるレ
チクルステージの走査を開始する。そして、走査露光開
始位置で、それぞれ所定の走査速度になるように加速し
た後、レチクルステージとウェハステージとの相対位置
を高い位置決め精度で整定する。

【０００５】さらに、露光光の照射を開始して、所定の
走査速度でレチクルステージ、及びウェハステージを駆
動して走査露光を行う。走査露光が終了した後は、次シ
ョットへ向かって非走査軸方向へステップ移動を開始す
ると同時に、走査露光開始前にウェハステージを整定さ
せるために必要な距離だけ走査させて、その後減速す
る。そして、走査軸に対する走査が完了したならば、走
査方向を反転させ、次ショットの走査露光を開始すると
いう一連の動作が繰り返される。

【０００６】このように、次のショットの露光開始前に
必要となる整定に要する移動距離と加速に要する距離を
事前に進めることで、次ショットの走査開始位置へのス
テップ移動後は、スムーズに所定の走査速度まで加速で
きる。さらに、レチクルステージとウェハステージとの
相対位置を、高い位置決め精度で整定させることができ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の走
査露光型の走査露光装置においては、基板であるウェハ
上の一つのショット領域を露光する毎に、走査方向を反
転して露光を行うため、前ショット領域と次ショット領
域が隣り合っているショットレイアウトであれば、効率
よくステップ・アンド・スキャン方式の走査露光を行う
ことができる。しかし、次ショット領域へのステップ移
動に改行を伴うショットレイアウトの場合には、整定に
要する距離＋加速に要する距離＋ショット領域の露光サ
イズだけ、次ショット領域への走査開始位置より離れた
位置から走査を開始しなければならない場合も起こりう
る。これは、ショットレイアウトに依存するものであ
る。しかし、このような場合が発生した際は、通常より
次ショット領域へのステップ移動に時間を要するため、
スループットが低下するという問題点があった。

【０００８】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、走査露光型の露光方式において、前シ
ョット領域から次ショット領域へのステップ移動に改行
を伴う場合、ステップ移動する距離を短縮し、全体とし
てスループットを向上できる走査露光方法及び走査露光
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、本発明による走査露光装置は、転写用のパ
ターンが形成された原版を移動する原版ステージと、前
記原版のパターンが露光される基板を移動する基板ステ
ージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版ステー
ジ及び前記基板ステージを介して同期走査する同期走査
手段により、前記基板の各ショット領域に前記原版のパ
ターンを逐次転写露光する露光装置において、転写露光
中に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、
次ショット領域への露光を開始する位置までのステップ
移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出手段と、前
記改行検出手段の検出値により、次ショット領域の位置
に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光位
置へ移動するステージ制御手段とを具備することを特徴
とする。

【００１０】また、前記改行検出手段により次ショット
領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した
際、前記ステージ制御手段は前ショット領域の転写露光
終了後、直ちに減速を開始し、それと同時に次ショット
領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露
光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、
次ショット領域の走査露光を開始することが好ましい。

【００１１】本発明の走査露光方法においては、転写用
のパターンが形成された原版を移動する原版ステージ
と、前記原版のパターンが露光される基板を移動する基
板ステージとを備え、前記原版及び前記基板を前記原版
ステージ及び前記基板ステージを介して同期走査するこ
とにより、前記基板の各ショット領域に前記原版のパタ
ーンを逐次転写露光する露光方法において、転写露光中
に前記基板上に配置されたショット領域が変わる際、前
ショット領域から次ショット領域への露光を開始する位
置までのステップ移動に改行を伴うか否かを検出する改
行検出工程と、前記改行検出工程の検出値により、次シ
ョット領域の位置に応じて前記基板ステージを制御し、
前記基板を露光位置へ移動するステージ制御工程とを具
備することを特徴とする。

【００１２】また、前記改行検出工程により次ショット
領域への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した
際、前記ステージ制御工程は前ショット領域の転写露光
終了後、直ちに減速を開始し、それを同時に次ショット
領域への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露
光軸方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、
次ショット領域の走査露光を開始することが好ましい。

【００１３】これらの手段または手段により、次ショッ
ト領域への走査露光を開始する位置への移動に改行を伴
う場合、前ショット領域の走査露光が終了した直後にウ
ェハステージの減速を開始し、それと同時に次ショット
領域への非走査軸方向へのステップ移動を行い、前ショ
ット領域の走査軸方向の走査露光が完了した後に、走査
軸方向を反転させ、次ショット領域への走査露光を開始
することができるため、基板上の次ショット領域への移
動距離を短縮することができる。さらに、前記走査露光
装置または前記走査露光方法を用いてデバイスを製造す
ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。本実施形態は、原版であ
るレチクル及び基板であるウェハを投影光学系に対して
同期して走査することにより、レチクル上のパターンを
ウェハ上の各ショット領域に遂次転写露光する、ステッ
プ・アンド・スキャン方式の投影走査露光装置で露光す
る場合に本発明を適応したものである。

【００１５】図１は、本発明の一実施形態に係る投影露
光装置の概略構成を示す図である。図１において、照明
光学系ＳＬは、光源、照明光の形状を整形する可変の視
野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む。照明光学系Ｓ
Ｌから射出された照明光ＩＬは、レチクルＲ上のスリッ
ト上の照明領域を均一な照度分布で照明する。レチクル
Ｒ上の照明領域内のパターンを投影光学系ＵＬを介して
投影倍率α（例えばα＝１／４）で反転縮小し、その像
が、ウェハＷ上のスリット状の照野フィールドに投影露
光される。照明光ＩＬとしては、例えば、ＫｒＦエキシ
マレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光、あるいは超高圧
水銀ランプの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）が用いられ
る。

【００１６】以下、照明光ＩＬの光軸に平行にΖ軸をと
り、その光軸に垂直な平面内で紙面と平行な軸をＸ軸、
紙面に垂直な軸をＹ軸として説明する。レチクルＲは、
レチクルステージ６に載置されている。レチクルステー
ジ６は、投影光学系ＵＬの光軸に垂直な平面内で２次元
的に微動してレチクルＲを位置決めするとともに、ウェ
ハステージ１と同期を取りながら走査する。また、レチ
クルステージ６は、走査軸方向にレチクルＲのパターン
領域の全面が少なくとも照明領域を横切ることができる
だけのストロークを有している。

【００１７】レチクルステージ６の端部には、外部のレ
ーザ干渉計２６からのレーザビームを反射するバーミラ
ー７が固定されている。レチクルステージ６の位置は、
レーザ干渉計２６により常時モニタされている。レーザ
干渉計２６からのレチクルステージ６の位置情報は、制
御系２１に供給されている。制御系２１は、その位置情
報に基づいてレチクルステージ駆動部２４を介して、レ
チクルステージ６の位置及び速度を制御している。

【００１８】一方、ウェハＷは、ウェハステージ１上の
吸着版の上に載置される。ウェハステージ１により、ウ
ェハＷ上の各ショット領域ヘスキャンする動作とを繰り
返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。ま
た、Ζ方向への移動やチルト方向の移動についても、制
御系２１がウェハステージ１を制御することにより行っ
ている。

【００１９】また、ウェハステージ１の端部には、レー
ザ干渉計２５からのレーザビームを反射するためのバー
ミラー２が備え付けられている。ウェハステージ１の位
置は、レーザ干渉計２５により常時モニタされている。
レチクルステージ６の制御と同様に、ウェハステージ１
の位置及び速度は、その位置情報に基づいてウェハステ
ージ駆動部２３を介して、制御系２１によって制御され
ている。

【００２０】走査露光時にレチクルＲが＋Ｙ方向へ、例
えば、速度Ｖｒでスキャンされる。それと同期して、ウ
ェハＷが−Ｙ方向に速度Ｖｗでスキャンされる。走査速
度ＶｗとＶｒとの比（Ｖｗ／Ｖｒ）は、投影光学系ＵＬ
のレチクルＲからウェハＷへの投影倍率αに、正確に一
致したものになっている。これによって、レチクルＲ上
のパターンが、ウェハＷの各ショット領域に正確に転写
される。

【００２１】本実施形態の走査露光装置は、上記説明し
た図１において、ウェハ上の前ショット領域から次ショ
ット領域の露光開始位置へのステップ移動に改行が伴う
か否かを検出する改行検出手段である改行検出部２２を
備えている。また、改行を伴う次ショット領域の位置に
応じてウェハステージ１の動作を制御し、ウェハＷを露
光位置へ移動させるステージ制御手段（不図示）をも備
えている。改行検出部２２は、制御系２１から次ショッ
ト領域の露光中心座標とショット領域の露光サイズを取
得し、前ショット領域の露光中心座標と比較すること
で、次ショット領域が改行を伴うか否かを検出すること
ができる。

【００２２】また、ステージ制御手段により、次ショッ
ト領域が改行を伴う場合であれば、前ショット領域の露
光終了後、直ちにウェハステージ１の減速を開始する。
そして、整定に要する走査距離を考慮して、次ショット
領域への走査露光を開始する位置へ直ちにウェハステー
ジ１を移動させることができる。

【００２３】言い換えれば、ステージ制御手段により、
ウェハステージ１の減速開始と同時に次ショット領域へ
の非走査軸（Ｘ軸）方向へのステップ移動を行う。その
後、前ショット領域の走査軸（Ｙ軸）方向の走査が完了
した後に走査露光する方向を反転させ、次ショット領域
の走査露光を開始する。従って、本実施形態の第１の走
査露光方法を実施することが可能である。

【００２４】なお、図１において、３はウェハステージ
定盤、４は多点ＡＦセンサ、５は鏡筒定盤、８はレチク
ルステージガイド、９は外筒をそれぞれ示しており、２
２は後述する改行検出部を示している。

【００２５】次に、上記走査露光装置を用いて、転写露
光する走査露光について説明する。まず、転写露光と
は、露光に伴うウェハステージ１やレチクルステージ６
のステッピング、停止動作、位置決め動作、露光開始前
の整定に要する走査、減速や加速走査、光源の発光や停
止動作、及び走査露光動作等を表すものである。上記し
た転写露光のなかで、露光開始前の整定に要する走査
は、露光時のウェハステージ１とレチクルステージ６と
の同期精度や、実際の露光に影響を与える要素である。
この整定に要する走査とは、ウェハステージ１が露光開
始位置で所定の走査速度になるように加速する際に発生
した振動が、露光に支障がない状態におさまるまでに必
要な走査である。整定に要する距離は、ウェハステージ
１の性能で決まる整定時間と走査速度により決定され
る。

【００２６】図２は、走査露光を行った時の走査軸（Ｙ
軸）方向のウェハステージ１（図１）の速度と時間の関
係を示す図である。通常、走査露光を行う場合は、所定
の露光速度に達するまで加速する（区間Ｌ１）。その
後、整定に要する距離だけ等速度移動し（区間Ｌ２）、
ウェハステージ１が整定したら露光を開始する（区間Ｌ
３）。露光終了後は、次ショット領域への非走査軸（Ｘ
軸）方向へのステップ移動を行うのと同時に、露光を開
始する前に必要になった整定に要する距離だけ走査軸方
向に等速度移動（区間Ｌ４）した後に、減速を開始する
（区間Ｌ５）。走査軸方向の移動が完了したならば、走
査露光する方向を反転させ、次ショット領域への走査を
開始する。

【００２７】この動作を繰り返し行うことで、ウェハＷ
（図１）上に配置されたショット領域のレイアウトの順
番で露光が行われる。隣り合うショット領域を露光する
場合には、露光終了後に整定に要する距離だけ等速度移
動することで、次ショット領域の露光開始前に必要にな
る整定距離を予め進めることができる。さらに、ショッ
ト領域間の移動の際の走査を停止することなく、露光を
行うことが可能である。

【００２８】図３は、ウェハを露光するショットレイア
ウトと走査露光順序の一例を示す図である。例えば、図
３のように、ショット領域Ｓ１からＳ５を露光する場合
には、Ｐａｔｈ１からＰａｔｈ４の露光軌道を描きなが
ら、順次露光が行われる。本発明の走査露光では、例え
ば、図３のショット領域Ｓ４からＳ５の走査露光開始位
置への移動パターンのような場合（ＳＢ部分）に有効と
なるものである。

【００２９】次に、図４及び図５を用いて走査露光の説
明を行う。図４は、図３のＳＢ部分を拡大したもので、
ウェハ上の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の
従来のウェハステージのステップ移動の軌跡を示した図
である。まず、従来の走査露光方法では、ショット領域
Ｓ４の露光終了後、整定に要する距離ＤＬ２だけ等速度
移動した後に、減速を開始し停止する。減速して停止す
るまでに移動する距離がＤＬ１である。露光終了後、走
査軸（Ｙ軸）方向に走査しながら非走査軸（Ｘ軸）方向
に移動しているのは、露光終了後に次ショット領域であ
るＳ５への非走査軸へのステップ移動を開始しているた
めである。通常、ショット領域Ｓ４からＳ５のように次
ショット領域への移動に改行を伴うショットレイアウト
の場合でも、ショット領域Ｓ２からＳ３（図３）のよう
に隣り合うショットレイアウトの場合でも、露光終了後
は整定に要する距離だけ等速度移動した後に減速し、次
ショット領域の走査露光を開始する。

【００３０】もし仮に、ショット領域Ｓ２からＳ３（図
３）のような隣り合うショットレイアウトにおいて、シ
ョット領域Ｓ２の露光終了後、整定に要する距離を移動
せずに減速にかかる距離ＤＬ１だけ移動し、次ショット
領域の走査露光を開始する場合を考える。この場合、シ
ョット領域Ｓ３の露光開始前の整定に要する距離が確保
できないため、走査軸方向とは逆側に整定に要する距離
だけステップ移動してから、走査を開始しなければなら
ない。よって、この方法では、露光効率が悪くなってし
まう。

【００３１】これに対して、隣り合う改行を伴わないシ
ョットレイアウトでは、整定に要する距離だけ予め進
め、次ショット領域の走査露光をスムーズに行ってい
る。

【００３２】図５は、図４と同様に、図３のＳＢ部分を
拡大したもので、ウェハ上の次ショット領域への移動に
改行を伴う場合の本実施形態におけるウェハステージの
ステップ移動の軌跡を示した図である。図５に示される
ように、本実施形態の走査露光では、ショット領域Ｓ４
からＳ５（図３）のような改行を伴うショットレイアウ
トの場合、ショット領域Ｓ４の露光終了後、減速に要す
る距離ＤＬ３を走査した後にショット領域Ｓ５の走査露
光を開始する。このため、ショット領域Ｓ５の露光開始
前に整定に要する距離ＤＬ４を十分とることができる。
そのため、ショット領域Ｓ４の露光終了後の整定に要す
る距離の走査は行う必要がない。

【００３３】上記説明したように、本実施形態では、例
えばショット領域Ｓ４からＳ５（図３）のように改行を
伴うショット領域へ移動の際に、改行検出工程により改
行を検出し、ステージ制御工程により前ショット領域の
露光終了後の整定に要する距離の走査を行わない。これ
により、次ショット領域への移動距離を短縮し、スルー
プットの向上を可能とすることを目的とした走査露光を
提供する。

【００３４】［デバイス生産方法の実施形態］次に、上
記説明した走査露光装置または走査露光方法を利用した
デバイスの生産方法の実施形態を説明する。図６は、微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スのパターン設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は設計したパターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウェハ製造）ではシリコンやガラス等
の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
ェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経
て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）
される。

【００３５】図７は、上記ウェハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した走査露光装置及び
走査露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに
焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像し
たレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レ
ジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うこと
によって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施形態の生産方法を用いれば、従来は製造が難
しかった高集積度のデバイスを低コストに製造すること
ができる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、前ショット領域から次
ショット領域へのステップ移動に改行を伴う場合、前シ
ョット領域の走査露光が終了した直後に減速を開始し、
それと同時に次ショット領域に対する非走査軸方向のス
テップ移動を開始することで、走査露光後の走査距離が
短縮され、露光処理済ウェハの生産性すなわち全体とし
てのスループットの向上が図れる走査露光方法及び走査
露光装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る投影露光装置の概
略構成を示す図である。

【図２】走査露光を行った時の走査軸方向のウェハス
テージの速度と時間の関係を示す図である。

【図３】ウェハを露光するショットレイアウトと走査
露光順序の一例を示す図である。

【図４】図３のＳＢ部分を拡大したもので、ウェハ上
の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の従来のウ
ェハステージのステップ移動の軌跡を示す図である。

【図５】図３のＳＢ部分を拡大したもので、ウェハ上
の次ショット領域への移動に改行を伴う場合の本実施形
態におけるウェハステージのステップ移動の軌跡を示す
図である。

【図６】微小デバイスの製造のフローを示す図であ
る。

【図７】図６におけるウェハプロセスの詳細なフロー
を示す図である。

【符号の説明】

ＳＬ：照明光学系、ＩＬ：照明光、Ｒ：レチクル、Ｗ：
ウェハ（感光基板）、ＵＬ：投影光学系、１：ウェハス
テージ、２：バーミラー、３：ウェハステージ定盤、
４：多点ＡＦセンサ、５：鏡筒定盤、６：レチクルステ
ージ、７：バーミラー、８：レチクルステージガイド、
９：外筒、２１：制御系、２２：改行検出部、２３：ウ
ェハステージ駆動部、２４：レチクルステージ駆動部、
２５，２６：レーザ干渉計、Ｌ１：所定の露光速度に達
するまで加速する区間、Ｌ２：整定に要する距離だけ等
速度移動する区間、Ｌ３：露光を開始する区間、Ｌ４：
整定に要する距離だけ走査軸方向に等速度移動する区
間、Ｌ５：走査軸方向に減速する区間、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３，Ｓ４，Ｓ５：ショット領域、Ｐａｔｈ１，Ｐａｔｈ
２，Ｐａｔｈ３，Ｐａｔｈ４：露光する軌道、ＤＬ１：
整定に要する距離を移動せずに減速にかかる距離、ＤＬ
２：整定に要する距離（等速度移動する距離）、ＤＬ
３：減速に要する距離、ＤＬ４：整定に要する距離、Ｓ
Ｂ：図４及び図５への参照箇所。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】転写用のパターンが形成された原版を移
動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光され
る基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び
前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介
して同期走査する同期走査手段により、前記基板の各シ
ョット領域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露
光装置において、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変
わる際、次ショット領域への露光を開始する位置までの
ステップ移動に改行が伴うか否かを検出する改行検出手
段と、前記改行検出手段の検出値により、次ショット領域の位
置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光
位置へ移動するステージ制御手段とを具備することを特
徴とする走査露光装置。
【請求項２】前記改行検出手段により次ショット領域
への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、
前記ステージ制御手段は前ショット領域の転写露光終了
後、直ちに減速を開始し、それと同時に次ショット領域
への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸
方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次シ
ョット領域の走査露光を開始することを特徴とする請求
項２に記載の走査露光装置。
【請求項３】転写用のパターンが形成された原版を移
動する原版ステージと、前記原版のパターンが露光され
る基板を移動する基板ステージとを備え、前記原版及び
前記基板を前記原版ステージ及び前記基板ステージを介
して同期走査することにより、前記基板の各ショット領
域に前記原版のパターンを逐次転写露光する露光方法に
おいて、転写露光中に前記基板上に配置されたショット領域が変
わる際、前ショット領域から次ショット領域への露光を
開始する位置までのステップ移動に改行を伴うか否かを
検出する改行検出工程と、前記改行検出工程の検出値により、次ショット領域の位
置に応じて前記基板ステージを制御し、前記基板を露光
位置へ移動するステージ制御工程とを具備することを特
徴とする走査露光方法。
【請求項４】前記改行検出工程により次ショット領域
への前記ステップ移動に改行を伴うことを検出した際、
前記ステージ制御工程は前ショット領域の転写露光終了
後、直ちに減速を開始し、それを同時に次ショット領域
への非露光軸ステップを行い、前ショット領域の露光軸
方向の走査が完了した後に、走査方向を反転させ、次シ
ョット領域の走査露光を開始することを特徴とする請求
項３に記載の走査露光方法。
【請求項５】請求項１または２に記載の走査露光装置
または請求項３または４に記載の走査露光方法を用いて
デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方
法。