JPH11233433A - 走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法Info
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- JPH11233433A JPH11233433A JP10051563A JP5156398A JPH11233433A JP H11233433 A JPH11233433 A JP H11233433A JP 10051563 A JP10051563 A JP 10051563A JP 5156398 A JP5156398 A JP 5156398A JP H11233433 A JPH11233433 A JP H11233433A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の次の区画領域の露光を開始するまで
に確実に基板の区画領域間の非走査方向の移動を終了さ
せ、しかもスループットの向上を図る。 【解決手段】 基板Ｗ上に非走査方向に並んだ第１領域
（例えばＣ）と第２領域(例えばＤ)とに連続してパター
ンを転写するに際し、基板Ｗ上の第１領域に対するパタ
ーン転写の終了後に、基板Ｗの走査方向（Ｙ方向）の減
速及び非走査方向（Ｘ方向）の移動が開始され、基板Ｗ
の位置がＸ方向の移動終了位置に対しＸ方向の距離が所
定の閾値距離内となったときに第２領域のパターン転写
のための基板ＷのＹ方向の加速を開始する。このため、
基板ＷのＹ方向の加速が開始された時点では、基板Ｗの
Ｘ方向の領域間の移動距離の大小にかかわらず必ず基板
ＷのＸ方向の移動が終了しており、しかも基板ＷのＸ方
向の領域間の移動中にＹ方向の加速が開始される。
に確実に基板の区画領域間の非走査方向の移動を終了さ
せ、しかもスループットの向上を図る。 【解決手段】 基板Ｗ上に非走査方向に並んだ第１領域
（例えばＣ）と第２領域(例えばＤ)とに連続してパター
ンを転写するに際し、基板Ｗ上の第１領域に対するパタ
ーン転写の終了後に、基板Ｗの走査方向（Ｙ方向）の減
速及び非走査方向（Ｘ方向）の移動が開始され、基板Ｗ
の位置がＸ方向の移動終了位置に対しＸ方向の距離が所
定の閾値距離内となったときに第２領域のパターン転写
のための基板ＷのＹ方向の加速を開始する。このため、
基板ＷのＹ方向の加速が開始された時点では、基板Ｗの
Ｘ方向の領域間の移動距離の大小にかかわらず必ず基板
ＷのＸ方向の移動が終了しており、しかも基板ＷのＸ方
向の領域間の移動中にＹ方向の加速が開始される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型露光装置及
び走査露光方法並びにデバイス製造方法に係り、更に詳
しくは、半導体素子、液晶表示素子等の製造に際しリソ
グラフィ工程で用いられる走査型露光装置及び走査露光
方法、並びにこれらを用いたデバイス製造方法に関す
る。
び走査露光方法並びにデバイス製造方法に係り、更に詳
しくは、半導体素子、液晶表示素子等の製造に際しリソ
グラフィ工程で用いられる走査型露光装置及び走査露光
方法、並びにこれらを用いたデバイス製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子又は液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマ
スク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）の
パターンを、投影光学系を介して表面にフォトレジスト
等の感光剤が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の
基板上に転写する投影露光装置、例えば所謂ステップ・
アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるス
テッパ）が用いられている。このステッパは、各ショッ
ト領域の露光がレチクルと基板とを静止させた状態で行
われるため、静止型露光装置とも呼ばれる。
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマ
スク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）の
パターンを、投影光学系を介して表面にフォトレジスト
等の感光剤が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の
基板上に転写する投影露光装置、例えば所謂ステップ・
アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるス
テッパ）が用いられている。このステッパは、各ショッ
ト領域の露光がレチクルと基板とを静止させた状態で行
われるため、静止型露光装置とも呼ばれる。
【０００３】しかるに、集積回路等は年々高集積化して
おり、これに伴って回路パターンの最小線幅（デバイス
ルール）も年々微細化の傾向を強め、重ね合わせ精度を
含む露光精度に対する要求も厳しくなってきた。かかる
背景の下、近年では、矩形又は円弧状の照明光によりレ
チクルを照明し、レチクル及び基板を投影光学系に対し
て１次元方向に同期走査することにより、レチクルパタ
ーンを投影光学系を介して基板上に逐次転写する所謂ス
リット・スキャン方式、あるいは、所謂ステップ・アン
ド・スキャン方式などの走査型露光装置が開発され、現
在ではこの走査型露光装置が主流になりつつある。かか
る走査型露光装置によれば、収差の最も少ない投影光学
系の有効露光フィールドの一部（中央部）のみを使用し
てレチクルパターンの転写が可能となるため、静止型露
光装置に比べてより微細なパターンをより高精度に露光
することが可能になる。また、走査型露光装置によれ
ば、走査方向には投影光学系の制限を受けずに露光フィ
ールドを拡大することができるので、大面積露光が可能
であり、また、投影光学系に対してレチクル及びウエハ
を相対走査することで平均化効果があり、ディストーシ
ョンや焦点深度の向上が期待出来る等のメリットがあ
る。
おり、これに伴って回路パターンの最小線幅（デバイス
ルール）も年々微細化の傾向を強め、重ね合わせ精度を
含む露光精度に対する要求も厳しくなってきた。かかる
背景の下、近年では、矩形又は円弧状の照明光によりレ
チクルを照明し、レチクル及び基板を投影光学系に対し
て１次元方向に同期走査することにより、レチクルパタ
ーンを投影光学系を介して基板上に逐次転写する所謂ス
リット・スキャン方式、あるいは、所謂ステップ・アン
ド・スキャン方式などの走査型露光装置が開発され、現
在ではこの走査型露光装置が主流になりつつある。かか
る走査型露光装置によれば、収差の最も少ない投影光学
系の有効露光フィールドの一部（中央部）のみを使用し
てレチクルパターンの転写が可能となるため、静止型露
光装置に比べてより微細なパターンをより高精度に露光
することが可能になる。また、走査型露光装置によれ
ば、走査方向には投影光学系の制限を受けずに露光フィ
ールドを拡大することができるので、大面積露光が可能
であり、また、投影光学系に対してレチクル及びウエハ
を相対走査することで平均化効果があり、ディストーシ
ョンや焦点深度の向上が期待出来る等のメリットがあ
る。
【０００４】従来の走査型露光装置では、基板上に走査
方向（スキャン方向）に直交する非走査方向（非スキャ
ン方向）に隣接するショット領域、例えばショット領域
Ｓ１とＳ２に対して連続して露光を行う際には、前記レ
チクル上の照明光が照射される領域に共役な投影領域
（ここでは矩形領域とする）ＩＡの軌跡は図１４に示さ
れるようになっていた。なお、実際には、投影領域ＩＡ
が固定で基板（各ショット領域）の方が移動するのであ
るが、説明をわかりやすくするため図１４においては、
基板が固定で投影領域ＩＡ（中心Ｏ）の方が移動するも
のとして図示されている。
方向（スキャン方向）に直交する非走査方向（非スキャ
ン方向）に隣接するショット領域、例えばショット領域
Ｓ１とＳ２に対して連続して露光を行う際には、前記レ
チクル上の照明光が照射される領域に共役な投影領域
（ここでは矩形領域とする）ＩＡの軌跡は図１４に示さ
れるようになっていた。なお、実際には、投影領域ＩＡ
が固定で基板（各ショット領域）の方が移動するのであ
るが、説明をわかりやすくするため図１４においては、
基板が固定で投影領域ＩＡ（中心Ｏ）の方が移動するも
のとして図示されている。
【０００５】すなわち、投影領域ＩＡは図１４中のＩＡ
1 の位置からＩＡ2 の位置まで−Ｙ方向に基板上を相対
走査してショット領域Ｓ１の露光を行った後、走査方向
（−Ｙ方向）の減速と非走査方向（＋Ｘ方向）の移動を
行う。そして、投影領域ＩＡはショット領域Ｓ２の露光
のための加速開始位置ＩＡ3 に一旦位置決めされた後、
ショット領域Ｓ２の露光のための走査方向（＋Ｙ方向）
の加速が開始されていた。このときの、基板（すなわ
ち、基板を保持する基板ステージ）のＸ方向、Ｙ方向の
速度の時間変化は図９のようになる。図９においては、
Ｙ方向については基板の移動方向が＋Ｙ方向であるとき
速度が正であるものとし、またＸ方向については基板の
移動方向−Ｘ方向であるときに速度が正であるものとし
ている。
1 の位置からＩＡ2 の位置まで−Ｙ方向に基板上を相対
走査してショット領域Ｓ１の露光を行った後、走査方向
（−Ｙ方向）の減速と非走査方向（＋Ｘ方向）の移動を
行う。そして、投影領域ＩＡはショット領域Ｓ２の露光
のための加速開始位置ＩＡ3 に一旦位置決めされた後、
ショット領域Ｓ２の露光のための走査方向（＋Ｙ方向）
の加速が開始されていた。このときの、基板（すなわ
ち、基板を保持する基板ステージ）のＸ方向、Ｙ方向の
速度の時間変化は図９のようになる。図９においては、
Ｙ方向については基板の移動方向が＋Ｙ方向であるとき
速度が正であるものとし、またＸ方向については基板の
移動方向−Ｘ方向であるときに速度が正であるものとし
ている。
【０００６】また、基板Ｗの周辺ショットであって投影
領域ＩＡが基板の外側から内側に走査されるショット
（例えば図１６のショットＳ２）の露光に際しては、図
１６に示されるように、投影領域内にあるフォーカスセ
ンサの検出点ｐの選択（オートフォーカス制御に用いる
検出点の選択）を最適化していた。すなわち、図１４と
同様の移動軌跡を想定した際に、投影領域ＩＡのショッ
ト間移動中（ステッピング中）にその選択された検出点
ｐが基板Ｗ上に掛かる位置における投影領域ＩＡの中心
点ＯのＹ座標Ｙ１（実際には基板ステージのＹ座標）を
予め設定しておいて、実際のショット間移動中にそのＹ
座標位置に基板ステージが来たときにオートフォーカス
制御を開始するシーケンスとなっていた。
領域ＩＡが基板の外側から内側に走査されるショット
（例えば図１６のショットＳ２）の露光に際しては、図
１６に示されるように、投影領域内にあるフォーカスセ
ンサの検出点ｐの選択（オートフォーカス制御に用いる
検出点の選択）を最適化していた。すなわち、図１４と
同様の移動軌跡を想定した際に、投影領域ＩＡのショッ
ト間移動中（ステッピング中）にその選択された検出点
ｐが基板Ｗ上に掛かる位置における投影領域ＩＡの中心
点ＯのＹ座標Ｙ１（実際には基板ステージのＹ座標）を
予め設定しておいて、実際のショット間移動中にそのＹ
座標位置に基板ステージが来たときにオートフォーカス
制御を開始するシーケンスとなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の基板のショット間移動方法にあっては、前ショ
ット（ショットＳ１）の露光後の非走査方向のステッピ
ングが終了した後に、次ショット（ショットＳ２）の露
光のための走査方向の加速が開始されるため、今後ショ
ット領域が大きくなるにつれステッピング時間が長くな
り、十分なスループットを維持できないおそれがある。
た従来の基板のショット間移動方法にあっては、前ショ
ット（ショットＳ１）の露光後の非走査方向のステッピ
ングが終了した後に、次ショット（ショットＳ２）の露
光のための走査方向の加速が開始されるため、今後ショ
ット領域が大きくなるにつれステッピング時間が長くな
り、十分なスループットを維持できないおそれがある。
【０００８】かかる不都合を改善する方法として、図１
５に示されるように、ショット間の投影領域ＩＡ（中心
Ｏ）の移動軌跡を、ＩＡ4 →ＩＡ5 のように放物線状
（あるいはＵ字状）に変更することが考えられる。この
場合、基板の非走査方向の位置決めが完了する前に、基
板のショットＳ２の露光のための走査方向の加速が開始
されるので、非走査方向の移動時間と走査方向の加速時
間とを一部オーバーラップさせることができ、その分ス
ループットの向上が期待できる。
５に示されるように、ショット間の投影領域ＩＡ（中心
Ｏ）の移動軌跡を、ＩＡ4 →ＩＡ5 のように放物線状
（あるいはＵ字状）に変更することが考えられる。この
場合、基板の非走査方向の位置決めが完了する前に、基
板のショットＳ２の露光のための走査方向の加速が開始
されるので、非走査方向の移動時間と走査方向の加速時
間とを一部オーバーラップさせることができ、その分ス
ループットの向上が期待できる。
【０００９】この場合の基板（すなわち、基板を保持す
る基板ステージ）のＸ方向、Ｙ方向の速度の時間変化が
図１７に示されている。図１７において、Ｙ方向につい
ては基板の移動方向が＋Ｙ方向であるとき速度が正であ
るものとし、またＸ方向については基板の移動方向−Ｘ
方向であるときに速度が正であるものとしている。この
図１７に示されるように、ショット間移動の際に、基板
ステージはＹ方向（走査方向）について見ると停止時間
がほぼ零であり、前述した図９のような待ち時間が発生
しないことがわかる。
る基板ステージ）のＸ方向、Ｙ方向の速度の時間変化が
図１７に示されている。図１７において、Ｙ方向につい
ては基板の移動方向が＋Ｙ方向であるとき速度が正であ
るものとし、またＸ方向については基板の移動方向−Ｘ
方向であるときに速度が正であるものとしている。この
図１７に示されるように、ショット間移動の際に、基板
ステージはＹ方向（走査方向）について見ると停止時間
がほぼ零であり、前述した図９のような待ち時間が発生
しないことがわかる。
【００１０】しかしながら、図１５に示されるようなシ
ョット間移動時の基板ステージの位置制御を無条件に採
用したのでは、次のような不都合がある。
ョット間移動時の基板ステージの位置制御を無条件に採
用したのでは、次のような不都合がある。
【００１１】すなわち、非走査方向（Ｘ方向）のショ
ット間ステッピング距離が大きい場合には、基板ステー
ジが次ショット露光のための走査方向（Ｙ方向）の加速
が終了して露光が開始される時点で未だＸ方向のステッ
ピングが終了していない事態が想定される。また、走査
速度（スキャンスピード）は基板への必要露光量に依存
して定められるので、走査速度が小さく、基板ステージ
の走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオーバ
ースキャン時間）が短い場合も、上記と同様の事態が生
じ得る。
ット間ステッピング距離が大きい場合には、基板ステー
ジが次ショット露光のための走査方向（Ｙ方向）の加速
が終了して露光が開始される時点で未だＸ方向のステッ
ピングが終了していない事態が想定される。また、走査
速度（スキャンスピード）は基板への必要露光量に依存
して定められるので、走査速度が小さく、基板ステージ
の走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオーバ
ースキャン時間）が短い場合も、上記と同様の事態が生
じ得る。
【００１２】さらに、基板の周辺ショットであって投
影領域が基板の外側から内側に走査されるショット（例
えば図１６のショットＳ２）の露光に際しては、先に説
明したようにしてフォーカスセンサの検出点の選択の最
適化を行い、投影領域のショット間移動中（ステッピン
グ中）にその選択された検出点が基板上に掛かる位置に
おける基板ステージのＹ座標を予め設定しているが、図
１５に示されるような移動軌跡では、その設定されたＹ
座標位置を基板がショット間移動の間に２回通過するよ
うな事態が大いに考えられ、かかる場合に、そのＹ座標
を通過しても、基板上に検出点が乗っていないという不
都合が生じる可能性が高い。かかる不都合が生じるのを
未然に防止するため、基板の移動軌跡を予め定めるとと
もに、この移動軌跡と基板上のショット配列とに基づい
て、その選択された検出点が基板上に掛かる位置におけ
る基板ステージのＸＹ座標を計算により予め求めること
も理論上は考えられる。しかしながら、このようにする
と、非常に複雑な演算が必要となるという不都合があ
る。
影領域が基板の外側から内側に走査されるショット（例
えば図１６のショットＳ２）の露光に際しては、先に説
明したようにしてフォーカスセンサの検出点の選択の最
適化を行い、投影領域のショット間移動中（ステッピン
グ中）にその選択された検出点が基板上に掛かる位置に
おける基板ステージのＹ座標を予め設定しているが、図
１５に示されるような移動軌跡では、その設定されたＹ
座標位置を基板がショット間移動の間に２回通過するよ
うな事態が大いに考えられ、かかる場合に、そのＹ座標
を通過しても、基板上に検出点が乗っていないという不
都合が生じる可能性が高い。かかる不都合が生じるのを
未然に防止するため、基板の移動軌跡を予め定めるとと
もに、この移動軌跡と基板上のショット配列とに基づい
て、その選択された検出点が基板上に掛かる位置におけ
る基板ステージのＸＹ座標を計算により予め求めること
も理論上は考えられる。しかしながら、このようにする
と、非常に複雑な演算が必要となるという不都合があ
る。
【００１３】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その第１の目的は、基板上の次の区画領域の露光を
開始するまでに確実に基板の区画領域間の非走査方向の
移動を終了させ、しかもスループットの向上を図ること
が可能な走査型露光装置及び走査露光方法を提供するこ
とにある。
で、その第１の目的は、基板上の次の区画領域の露光を
開始するまでに確実に基板の区画領域間の非走査方向の
移動を終了させ、しかもスループットの向上を図ること
が可能な走査型露光装置及び走査露光方法を提供するこ
とにある。
【００１４】また、本発明の第２の目的は、スループッ
トの向上を図りつつ、露光精度の低下を防止することが
できる走査型露光装置及び走査露光方法を提供すること
にある。
トの向上を図りつつ、露光精度の低下を防止することが
できる走査型露光装置及び走査露光方法を提供すること
にある。
【００１５】さらに、本発明の第３の目的は、高集積度
のマイクロデバイスを低コストに製造することができる
デバイス製造方法を提供することにある。
のマイクロデバイスを低コストに製造することができる
デバイス製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マスク(Ｒ）と基板（Ｗ）のそれぞれを所定の走査
方向に同期移動して前記マスクに形成されたパターンを
前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写する走査
型露光装置であって、前記基板を保持して前記走査方向
及びこれに直交する非走査方向に２次元移動する基板ス
テージ（１８）と；前記基板ステージを駆動する駆動装
置（１２、１６、１９、２０、２１）とを備え、前記基
板上に非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域
とに連続して前記パターンを転写するに際し、前記駆動
装置が、前記基板上の第１区画領域に対するパターン転
写の終了後に、前記基板ステージの走査方向の減速及び
非走査方向の移動を開始し、前記基板ステージの位置が
前記非走査方向の移動終了位置に対し非走査方向の距離
が所定の閾値距離（Ｌ）内となったときに前記第２区画
領域のパターン転写のための前記基板ステージの前記走
査方向の加速を開始することを特徴とする。
は、マスク(Ｒ）と基板（Ｗ）のそれぞれを所定の走査
方向に同期移動して前記マスクに形成されたパターンを
前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写する走査
型露光装置であって、前記基板を保持して前記走査方向
及びこれに直交する非走査方向に２次元移動する基板ス
テージ（１８）と；前記基板ステージを駆動する駆動装
置（１２、１６、１９、２０、２１）とを備え、前記基
板上に非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域
とに連続して前記パターンを転写するに際し、前記駆動
装置が、前記基板上の第１区画領域に対するパターン転
写の終了後に、前記基板ステージの走査方向の減速及び
非走査方向の移動を開始し、前記基板ステージの位置が
前記非走査方向の移動終了位置に対し非走査方向の距離
が所定の閾値距離（Ｌ）内となったときに前記第２区画
領域のパターン転写のための前記基板ステージの前記走
査方向の加速を開始することを特徴とする。
【００１７】これによれば、基板上に非走査方向に並ん
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、駆動装置により、基板上の第１区画領
域に対するパターン転写の終了後に、基板ステージの走
査方向の減速及び非走査方向の移動が開始され、基板ス
テージの位置が非走査方向の移動終了位置に対し非走査
方向の距離が所定の閾値距離内となったときに第２区画
領域のパターン転写のための基板ステージの走査方向の
加速が開始される。ここで、所定の閾値距離は、例えば
予め定めた基板ステージの走査方向及び非走査方向の速
度制御マップに基づいて、走査方向の助走時間（加速開
始位置から加速終了位置までの時間）よりその移動に要
する時間が短くなるという条件を少なくとも満足する非
走査方向の距離が定められる（後述する請求項５におい
て同じ）。
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、駆動装置により、基板上の第１区画領
域に対するパターン転写の終了後に、基板ステージの走
査方向の減速及び非走査方向の移動が開始され、基板ス
テージの位置が非走査方向の移動終了位置に対し非走査
方向の距離が所定の閾値距離内となったときに第２区画
領域のパターン転写のための基板ステージの走査方向の
加速が開始される。ここで、所定の閾値距離は、例えば
予め定めた基板ステージの走査方向及び非走査方向の速
度制御マップに基づいて、走査方向の助走時間（加速開
始位置から加速終了位置までの時間）よりその移動に要
する時間が短くなるという条件を少なくとも満足する非
走査方向の距離が定められる（後述する請求項５におい
て同じ）。
【００１８】このため、第２区画領域のパターン転写の
ための基板ステージの走査方向の加速が終了した時点で
は、基板ステージの非走査方向の区画領域間の移動距離
の大小にかかわらず必ず基板ステージの非走査方向の移
動が終了しており、しかも基板ステージの非走査方向の
区画領域間の移動中に走査方向の加速が開始されるの
で、基板ステージの非走査方向の移動終了後に走査方向
の移動が開始されていた従来例に比べて明らかにスルー
プットを向上させることができる。走査速度が小さく、
基板ステージの走査方向の加減速時間（プリスキャン時
間及びオーバースキャン時間）が短い場合も同様であ
る。
ための基板ステージの走査方向の加速が終了した時点で
は、基板ステージの非走査方向の区画領域間の移動距離
の大小にかかわらず必ず基板ステージの非走査方向の移
動が終了しており、しかも基板ステージの非走査方向の
区画領域間の移動中に走査方向の加速が開始されるの
で、基板ステージの非走査方向の移動終了後に走査方向
の移動が開始されていた従来例に比べて明らかにスルー
プットを向上させることができる。走査速度が小さく、
基板ステージの走査方向の加減速時間（プリスキャン時
間及びオーバースキャン時間）が短い場合も同様であ
る。
【００１９】この場合において、請求項２に記載の発明
の如く、前記駆動装置（１２、１６、１９、２０、２
１）は、前記非走査方向の閾値距離を、前記パターン転
写時の前記基板ステージ（１８）の目標走査速度に応じ
て変更するようにしても良い。これは、走査方向の加速
開始後、露光が開始されるまでの時間は目標走査速度
（スキャンスピード）に依存するため、この閾値を目標
走査速度応じて変更することにより、目標走査速度が変
更されても支障なく、かつスループットを可能な限り高
い状態で維持できるからである。
の如く、前記駆動装置（１２、１６、１９、２０、２
１）は、前記非走査方向の閾値距離を、前記パターン転
写時の前記基板ステージ（１８）の目標走査速度に応じ
て変更するようにしても良い。これは、走査方向の加速
開始後、露光が開始されるまでの時間は目標走査速度
（スキャンスピード）に依存するため、この閾値を目標
走査速度応じて変更することにより、目標走査速度が変
更されても支障なく、かつスループットを可能な限り高
い状態で維持できるからである。
【００２０】請求項３に記載の発明は、マスク（Ｒ）と
基板（Ｗ）とを同期移動して前記マスクに形成されたパ
ターンを前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写
する走査型露光装置であって、前記マスクを照明光（Ｉ
Ｌ）で照明する照明光学系（２、３、５〜７）と；前記
マスクから出射される前記照明光を前記基板上に投射す
る投影光学系（ＰＬ）と；前記基板を保持して前記走査
方向及びこれに直交する非走査方向に２次元移動する基
板ステージ（１８）と；前記基板上の前記照明光の投射
領域内に複数の検出点（ｓ11〜ｓ77）を有し、当該各検
出点の位置毎に前記基板の前記投影光学系の光軸方向の
位置を検出する位置検出系（４０、４２）と；前記基板
を前記光軸方向及び傾斜方向に駆動する駆動機構（２
１）と；前記基板ステージを駆動する駆動装置（１２、
１６、１９、２０、２１）とを備え、前記基板上に非走
査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域とに連続し
て前記パターンを転写するに際し、前記駆動装置が、前
記第１区画領域と第２区画領域との基板上の位置に応じ
て、前記第２区画領域のパターン転写のための走査方向
の加速開始時点で前記検出点のいずれかが前記基板上に
位置するように、前記第１区画領域のパターン転写の終
了後の前記基板ステージの移動軌跡を変更することを特
徴とする。
基板（Ｗ）とを同期移動して前記マスクに形成されたパ
ターンを前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写
する走査型露光装置であって、前記マスクを照明光（Ｉ
Ｌ）で照明する照明光学系（２、３、５〜７）と；前記
マスクから出射される前記照明光を前記基板上に投射す
る投影光学系（ＰＬ）と；前記基板を保持して前記走査
方向及びこれに直交する非走査方向に２次元移動する基
板ステージ（１８）と；前記基板上の前記照明光の投射
領域内に複数の検出点（ｓ11〜ｓ77）を有し、当該各検
出点の位置毎に前記基板の前記投影光学系の光軸方向の
位置を検出する位置検出系（４０、４２）と；前記基板
を前記光軸方向及び傾斜方向に駆動する駆動機構（２
１）と；前記基板ステージを駆動する駆動装置（１２、
１６、１９、２０、２１）とを備え、前記基板上に非走
査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域とに連続し
て前記パターンを転写するに際し、前記駆動装置が、前
記第１区画領域と第２区画領域との基板上の位置に応じ
て、前記第２区画領域のパターン転写のための走査方向
の加速開始時点で前記検出点のいずれかが前記基板上に
位置するように、前記第１区画領域のパターン転写の終
了後の前記基板ステージの移動軌跡を変更することを特
徴とする。
【００２１】これによれば、基板上に非走査方向に並ん
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、駆動装置により、第１区画領域と第２
区画領域との基板上の位置に応じて、例えば基板上の特
定の周辺領域かそれ以外かによって第２区画領域のパタ
ーン転写のための走査方向の加速開始時点で、位置検出
系の検出点のいずれかが基板上に位置するように、第１
区画領域のパターン転写の終了後の基板ステージの移動
軌跡が変更される。このため、上記特定の周辺領域以外
の基板上の領域のパターン転写の際には位置検出系の検
出点が基板から外れることがないので、第１区画領域の
パターン転写の終了後の基板ステージの移動軌跡をスル
ープットを優先した移動軌跡に変更するとともに、上記
特定の周辺領域の場合には多少スループットを犠牲にし
ても走査方向の加速開始時点以後少なくとも１つの検出
点において基板の投影光学系の光軸方向の位置の検出が
可能になるように第１区画領域のパターン転写の終了後
の基板ステージの移動軌跡に変更することにより、その
検出結果に基づいて駆動機構を介して基板の光軸方向位
置の制御（フォーカス制御）を行うようにすることが可
能になる。従って、フォーカス制御の遅れに起因するデ
フォーカス等による露光精度の低下を防止するとともに
最大限スループットを向上させるようなことが可能にな
る。
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、駆動装置により、第１区画領域と第２
区画領域との基板上の位置に応じて、例えば基板上の特
定の周辺領域かそれ以外かによって第２区画領域のパタ
ーン転写のための走査方向の加速開始時点で、位置検出
系の検出点のいずれかが基板上に位置するように、第１
区画領域のパターン転写の終了後の基板ステージの移動
軌跡が変更される。このため、上記特定の周辺領域以外
の基板上の領域のパターン転写の際には位置検出系の検
出点が基板から外れることがないので、第１区画領域の
パターン転写の終了後の基板ステージの移動軌跡をスル
ープットを優先した移動軌跡に変更するとともに、上記
特定の周辺領域の場合には多少スループットを犠牲にし
ても走査方向の加速開始時点以後少なくとも１つの検出
点において基板の投影光学系の光軸方向の位置の検出が
可能になるように第１区画領域のパターン転写の終了後
の基板ステージの移動軌跡に変更することにより、その
検出結果に基づいて駆動機構を介して基板の光軸方向位
置の制御（フォーカス制御）を行うようにすることが可
能になる。従って、フォーカス制御の遅れに起因するデ
フォーカス等による露光精度の低下を防止するとともに
最大限スループットを向上させるようなことが可能にな
る。
【００２２】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）が、前記基
板（Ｗ）上の投射領域（ＩＡ）内の全域に渡ってほぼ均
一に配置され、前記駆動装置（１２、１６、１９、２
０、２１）は、前記第１区画領域のパターン転写の終
了位置で、前記投射領域の少なくとも一部が前記基板外
に位置し、前記非走査方向に沿って見て第２区画領域
が第１区画領域の基板中心側に位置し、かつ前記第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速開始位
置で前記投射領域の少なくとも一部が基板上に掛かると
いう〜の条件が満たされる場合には、前記基板ステ
ージ（１８）の前記第２区画領域のパターン転写のため
の走査方向の加速を前記基板ステージの非走査方向の移
動が終了した時点で開始し、前記いずれかの条件が満た
されない場合には、前記基板ステージの前記第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速を前記基板ス
テージの非走査方向の移動終了前に開始することを特徴
とする。
の発明において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）が、前記基
板（Ｗ）上の投射領域（ＩＡ）内の全域に渡ってほぼ均
一に配置され、前記駆動装置（１２、１６、１９、２
０、２１）は、前記第１区画領域のパターン転写の終
了位置で、前記投射領域の少なくとも一部が前記基板外
に位置し、前記非走査方向に沿って見て第２区画領域
が第１区画領域の基板中心側に位置し、かつ前記第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速開始位
置で前記投射領域の少なくとも一部が基板上に掛かると
いう〜の条件が満たされる場合には、前記基板ステ
ージ（１８）の前記第２区画領域のパターン転写のため
の走査方向の加速を前記基板ステージの非走査方向の移
動が終了した時点で開始し、前記いずれかの条件が満た
されない場合には、前記基板ステージの前記第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速を前記基板ス
テージの非走査方向の移動終了前に開始することを特徴
とする。
【００２３】ここで、上記の条件、すなわち前記第１
区画領域のパターン転写の終了位置で、前記投射領域の
少なくとも一部が前記基板外に位置するとは、第１区画
領域が基板の非走査方向の周辺領域であり、その区画領
域の露光終了後に投射領域、すなわち前記検出点の少な
くとも一部が基板から外れるという条件である。また、
上記の条件、すなわち前記非走査方向に沿って見て第
２区画領域が第１区画領域の基板中心側に位置しとは、
第１区画領域のパターン転写の終了後、第２区画領域の
パターン転写の開始までに行われる基板ステージの非走
査方向の移動方向は、投射領域が基板の中心に向かって
移動する方向であるという条件である。また、上記の
条件、すなわち前記第２区画領域のパターン転写のため
の走査方向の加速開始位置で前記投射領域の少なくとも
一部が基板上に掛かるとは、第２区画領域のパターン転
写のための走査方向の加速開始位置で前記投射領域、す
なわち前記検出点の少なくとも一部が基板上に掛かると
いう条件である。従って、上記〜の条件の全てを満
足する場合には、基板ステージの非走査方向の移動中に
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を
開始するためには、前述した非常に複雑な演算をして検
出点の選択を最適化しない限り、フォーカス制御の開始
点を定められない。そこで、このような場合には、基板
ステージの第２区画領域のパターン転写のための走査方
向の加速を基板ステージの非走査方向の移動が終了した
時点で開始することとして、多少スループットを犠牲に
しても簡易な同じ計算方法を用いてフォーカス制御を行
うようにする。
区画領域のパターン転写の終了位置で、前記投射領域の
少なくとも一部が前記基板外に位置するとは、第１区画
領域が基板の非走査方向の周辺領域であり、その区画領
域の露光終了後に投射領域、すなわち前記検出点の少な
くとも一部が基板から外れるという条件である。また、
上記の条件、すなわち前記非走査方向に沿って見て第
２区画領域が第１区画領域の基板中心側に位置しとは、
第１区画領域のパターン転写の終了後、第２区画領域の
パターン転写の開始までに行われる基板ステージの非走
査方向の移動方向は、投射領域が基板の中心に向かって
移動する方向であるという条件である。また、上記の
条件、すなわち前記第２区画領域のパターン転写のため
の走査方向の加速開始位置で前記投射領域の少なくとも
一部が基板上に掛かるとは、第２区画領域のパターン転
写のための走査方向の加速開始位置で前記投射領域、す
なわち前記検出点の少なくとも一部が基板上に掛かると
いう条件である。従って、上記〜の条件の全てを満
足する場合には、基板ステージの非走査方向の移動中に
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を
開始するためには、前述した非常に複雑な演算をして検
出点の選択を最適化しない限り、フォーカス制御の開始
点を定められない。そこで、このような場合には、基板
ステージの第２区画領域のパターン転写のための走査方
向の加速を基板ステージの非走査方向の移動が終了した
時点で開始することとして、多少スループットを犠牲に
しても簡易な同じ計算方法を用いてフォーカス制御を行
うようにする。
【００２４】一方、〜の条件のいずれかが満たされ
ない場合とは、ａ．第１区画領域が基板の内部にある、
あるいはｂ．区画領域間の基板ステージの非走査方向の
移動方向が投射領域が基板中心から外側に移動する方向
である、あるいはｃ．第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速開始位置で前記検出点が基板上にな
いのいずれかである。すなわち、〜の条件のいずれ
かが満たされない場合とは、第１区画領域、第２区画領
域がともに、複雑な計算を行うことなく、第２区画領域
の走査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制
御を行うことができる基板内部の区画領域であるか、第
２区画領域が移動軌跡を変更しても走査開始点からフォ
ーカス制御を行うことができない基板周辺の区画領域で
あるかのいずれかであることを意味する。そこで、この
ような場合には、スループットを最優先して基板ステー
ジの第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加
速を基板ステージの非走査方向の移動終了前に開始す
る。なお、第２区画領域が走査開始点からフォーカス制
御を行うことができない基板周辺の区画領域である場合
には、走査開始後検出点が基板上に掛かった段階から位
置検出系の検出結果に基づいて駆動機構を介して基板の
光軸方向位置の制御（フォーカス制御）又は基板の光軸
方向位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制
御）が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生
じることはない。
ない場合とは、ａ．第１区画領域が基板の内部にある、
あるいはｂ．区画領域間の基板ステージの非走査方向の
移動方向が投射領域が基板中心から外側に移動する方向
である、あるいはｃ．第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速開始位置で前記検出点が基板上にな
いのいずれかである。すなわち、〜の条件のいずれ
かが満たされない場合とは、第１区画領域、第２区画領
域がともに、複雑な計算を行うことなく、第２区画領域
の走査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制
御を行うことができる基板内部の区画領域であるか、第
２区画領域が移動軌跡を変更しても走査開始点からフォ
ーカス制御を行うことができない基板周辺の区画領域で
あるかのいずれかであることを意味する。そこで、この
ような場合には、スループットを最優先して基板ステー
ジの第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加
速を基板ステージの非走査方向の移動終了前に開始す
る。なお、第２区画領域が走査開始点からフォーカス制
御を行うことができない基板周辺の区画領域である場合
には、走査開始後検出点が基板上に掛かった段階から位
置検出系の検出結果に基づいて駆動機構を介して基板の
光軸方向位置の制御（フォーカス制御）又は基板の光軸
方向位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制
御）が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生
じることはない。
【００２５】請求項５に記載の発明は、請求項３に記載
の走査型露光装置において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板上の投射領域（ＩＡ）内の全域に渡ってほ
ぼ均一に配置され、前記駆動装置（１２、１６、１９、
２０、２１）は、第２区画領域の露光開始位置から走
査方向に加速距離分、非走査に所定の閾値距離（Ｌ）分
離れた判断位置で前記投射領域の少なくとも一部が前記
基板（Ｗ）外に位置し、前記判断位置が基板の非走査
方向の中心線より非走査方向の基板ステージ（１８）の
移動方向に対して反対側にあり、かつ第２区画領域の
パターン転写のための加速中に前記投射領域が前記基板
のエッジに掛かるという〜の条件が満たされる場合
には、前記基板ステージの前記第２区画領域のパターン
転写のための走査方向の加速を前記基板ステージの非走
査方向の移動が終了した時点で開始し、前記いずれかの
条件が満たされない場合には、前記基板ステージの前記
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を
前記基板ステージの非走査方向の移動終了前に開始する
ことを特徴とする。
の走査型露光装置において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板上の投射領域（ＩＡ）内の全域に渡ってほ
ぼ均一に配置され、前記駆動装置（１２、１６、１９、
２０、２１）は、第２区画領域の露光開始位置から走
査方向に加速距離分、非走査に所定の閾値距離（Ｌ）分
離れた判断位置で前記投射領域の少なくとも一部が前記
基板（Ｗ）外に位置し、前記判断位置が基板の非走査
方向の中心線より非走査方向の基板ステージ（１８）の
移動方向に対して反対側にあり、かつ第２区画領域の
パターン転写のための加速中に前記投射領域が前記基板
のエッジに掛かるという〜の条件が満たされる場合
には、前記基板ステージの前記第２区画領域のパターン
転写のための走査方向の加速を前記基板ステージの非走
査方向の移動が終了した時点で開始し、前記いずれかの
条件が満たされない場合には、前記基板ステージの前記
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を
前記基板ステージの非走査方向の移動終了前に開始する
ことを特徴とする。
【００２６】ここで、上記の条件、すなわち第２区画
領域の露光開始位置から走査方向に加速距離分、非走査
方向に所定の閾値距離分離れた判断位置で前記投射領域
の少なくとも一部が前記基板外に位置しとは、第１区画
領域が基板の周辺領域であり、基板ステージの第２区画
領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板ステ
ージの非走査方向の移動終了前に開始する放物線状（又
はＵ字状）の移動軌跡を採用した場合の走査方向の減速
終了位置、かつ非走査方向に所定の閾値距離分離れた判
断位置で投射領域、すなわち検出点の少なくとも一部が
基板外に位置するという条件である。また、前記判断
位置が基板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板
ステージの移動方向に対して反対側にありとは、第１区
画領域のパターン転写の終了後、第２区画領域のパター
ン転写の開始までに行われる基板ステージの移動方向は
投射領域が基板中心に向かって移動する方向であるとい
う条件である。また、第２区画領域のパターン転写の
ための加速中に投射領域が基板のエッジに掛かるとは、
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速開
始点から露光開始点までのいずれかの時点で投射領域、
すなわち検出点のいずれかが基板のエッジに掛かるとい
う条件である。
領域の露光開始位置から走査方向に加速距離分、非走査
方向に所定の閾値距離分離れた判断位置で前記投射領域
の少なくとも一部が前記基板外に位置しとは、第１区画
領域が基板の周辺領域であり、基板ステージの第２区画
領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板ステ
ージの非走査方向の移動終了前に開始する放物線状（又
はＵ字状）の移動軌跡を採用した場合の走査方向の減速
終了位置、かつ非走査方向に所定の閾値距離分離れた判
断位置で投射領域、すなわち検出点の少なくとも一部が
基板外に位置するという条件である。また、前記判断
位置が基板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板
ステージの移動方向に対して反対側にありとは、第１区
画領域のパターン転写の終了後、第２区画領域のパター
ン転写の開始までに行われる基板ステージの移動方向は
投射領域が基板中心に向かって移動する方向であるとい
う条件である。また、第２区画領域のパターン転写の
ための加速中に投射領域が基板のエッジに掛かるとは、
第２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速開
始点から露光開始点までのいずれかの時点で投射領域、
すなわち検出点のいずれかが基板のエッジに掛かるとい
う条件である。
【００２７】従って、上記〜の条件の全てを満足す
る場合には、基板ステージの非走査方向の移動中に第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を開始
するためには、前述した非常に複雑な演算をして検出点
の選択を最適化しない限り、フォーカス制御の開始点を
定められない。そこで、このような場合には、基板ステ
ージの第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を基板ステージの非走査方向の移動が終了した時点
で開始することとして、多少スループットを犠牲にして
も簡易な計算方法を用いてフォーカス制御を行うように
する。
る場合には、基板ステージの非走査方向の移動中に第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を開始
するためには、前述した非常に複雑な演算をして検出点
の選択を最適化しない限り、フォーカス制御の開始点を
定められない。そこで、このような場合には、基板ステ
ージの第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を基板ステージの非走査方向の移動が終了した時点
で開始することとして、多少スループットを犠牲にして
も簡易な計算方法を用いてフォーカス制御を行うように
する。
【００２８】一方、〜の条件のいずれかが満たされ
ない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでない
（上記判断位置で全ての検出点が基板上にある）、ある
いはｂ．基板ステージの非走査方向の移動方向は投射領
域が基板中心から外側に向かって移動する方向である、
あるいはｃ．加速開始点で検出点の全てが基板上にある
か加速終了後に検出点のいずれかが基板のエッジに掛か
る場合である。従って、ａ．の場合には、放物線状（又
はＵ字状）の軌跡をとっても複雑な計算を行うことな
く、第２区画領域の走査開始位置から全ての検出点を用
いてフォーカス制御を行うことができ、ｂ．の場合に
は、第２区画領域が基板上の周辺領域である場合には軌
跡を変更しても走査開始点からフォーカス制御を行うこ
とができず、ｃ．の内、加速開始点で検出点の全てが基
板上にある場合には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡を
とっても複雑な計算を行うことなく、第２区画領域の走
査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制御を
行うことができ、加速終了後に検出点のいずれかが基板
のエッジに掛かる場合には軌跡を変更しても走査開始点
からフォーカス制御を行うことができないが、検出点が
基板上に掛かった段階から位置検出系の検出結果に基づ
いて駆動機構を介して基板の光軸方向位置の制御（フォ
ーカス制御）が開始され、フォーカス制御の開始座標に
ずれを生じることはない。
ない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでない
（上記判断位置で全ての検出点が基板上にある）、ある
いはｂ．基板ステージの非走査方向の移動方向は投射領
域が基板中心から外側に向かって移動する方向である、
あるいはｃ．加速開始点で検出点の全てが基板上にある
か加速終了後に検出点のいずれかが基板のエッジに掛か
る場合である。従って、ａ．の場合には、放物線状（又
はＵ字状）の軌跡をとっても複雑な計算を行うことな
く、第２区画領域の走査開始位置から全ての検出点を用
いてフォーカス制御を行うことができ、ｂ．の場合に
は、第２区画領域が基板上の周辺領域である場合には軌
跡を変更しても走査開始点からフォーカス制御を行うこ
とができず、ｃ．の内、加速開始点で検出点の全てが基
板上にある場合には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡を
とっても複雑な計算を行うことなく、第２区画領域の走
査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制御を
行うことができ、加速終了後に検出点のいずれかが基板
のエッジに掛かる場合には軌跡を変更しても走査開始点
からフォーカス制御を行うことができないが、検出点が
基板上に掛かった段階から位置検出系の検出結果に基づ
いて駆動機構を介して基板の光軸方向位置の制御（フォ
ーカス制御）が開始され、フォーカス制御の開始座標に
ずれを生じることはない。
【００２９】そこで、このような場合には、スループッ
トを最優先して基板ステージの第２区画領域のパターン
転写のための走査方向の加速を基板ステージの非走査方
向の移動終了前に開始する。
トを最優先して基板ステージの第２区画領域のパターン
転写のための走査方向の加速を基板ステージの非走査方
向の移動終了前に開始する。
【００３０】請求項６に記載の発明に係るデバイス製造
方法は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の走査型露
光装置を用いて露光を行う露光工程を含むことを特徴と
する。
方法は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の走査型露
光装置を用いて露光を行う露光工程を含むことを特徴と
する。
【００３１】請求項７に記載の発明は、マスク（Ｒ）と
基板（Ｗ）とを同期移動して前記マスクに形成されたパ
ターンを前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写
する走査露光方法であって、前記基板上に走査方向に直
交する非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域
とに連続して前記パターンを転写するに際し、前記基板
上の第１区画領域に対するパターン転写の終了後に、前
記基板の走査方向の減速及び非走査方向の移動を開始
し、前記基板の位置が前記非走査方向の移動終了位置に
対し非走査方向の距離が所定の閾値距離（Ｌ）内となっ
たときに前記第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速を開始することを特徴とする。
基板（Ｗ）とを同期移動して前記マスクに形成されたパ
ターンを前記基板上の複数の区画領域（Ｓ）に順次転写
する走査露光方法であって、前記基板上に走査方向に直
交する非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区画領域
とに連続して前記パターンを転写するに際し、前記基板
上の第１区画領域に対するパターン転写の終了後に、前
記基板の走査方向の減速及び非走査方向の移動を開始
し、前記基板の位置が前記非走査方向の移動終了位置に
対し非走査方向の距離が所定の閾値距離（Ｌ）内となっ
たときに前記第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速を開始することを特徴とする。
【００３２】これによれば、基板上に非走査方向に並ん
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、基板上の第１区画領域に対するパター
ン転写の終了後に、基板ステージの走査方向の減速及び
非走査方向の移動が開始され、基板の位置が非走査方向
の移動終了位置に対し非走査方向の距離が所定の閾値距
離内となったときに第２区画領域のパターン転写のため
の基板ステージの走査方向の加速が開始される。
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、基板上の第１区画領域に対するパター
ン転写の終了後に、基板ステージの走査方向の減速及び
非走査方向の移動が開始され、基板の位置が非走査方向
の移動終了位置に対し非走査方向の距離が所定の閾値距
離内となったときに第２区画領域のパターン転写のため
の基板ステージの走査方向の加速が開始される。
【００３３】このため、第２区画領域のパターン転写の
ための基板ステージの走査方向の加速が終了した時点で
は、基板ステージの非走査方向の区画領域間の移動距離
の大小にかかわらず必ず基板ステージの移動が終了して
おり、しかも基板ステージの非走査方向の区画領域間の
移動中に走査方向の加速が開始されるので、基板ステー
ジの非走査方向の移動終了後に走査方向の移動が開始さ
れていた従来例に比べて明らかにスループットを向上さ
せることができる。走査速度が小さく、基板ステージの
走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオーバー
スキャン時間）が短い場合も同様である。
ための基板ステージの走査方向の加速が終了した時点で
は、基板ステージの非走査方向の区画領域間の移動距離
の大小にかかわらず必ず基板ステージの移動が終了して
おり、しかも基板ステージの非走査方向の区画領域間の
移動中に走査方向の加速が開始されるので、基板ステー
ジの非走査方向の移動終了後に走査方向の移動が開始さ
れていた従来例に比べて明らかにスループットを向上さ
せることができる。走査速度が小さく、基板ステージの
走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオーバー
スキャン時間）が短い場合も同様である。
【００３４】この場合において、請求項８に記載の発明
の如く、前記非走査方向の閾値距離（Ｌ）は、前記パタ
ーン転写時の前記基板（Ｗ）の目標走査速度に応じて設
定されても良い。これは、走査方向の加速開始後、露光
が開始されるまでの時間は目標走査速度（スキャンスピ
ード）に依存するため、閾値距離が目標走査速度応じて
設定されることにより、目標走査速度の大小にかかわら
ず、スループットを可能な限り高い状態で維持できる。
の如く、前記非走査方向の閾値距離（Ｌ）は、前記パタ
ーン転写時の前記基板（Ｗ）の目標走査速度に応じて設
定されても良い。これは、走査方向の加速開始後、露光
が開始されるまでの時間は目標走査速度（スキャンスピ
ード）に依存するため、閾値距離が目標走査速度応じて
設定されることにより、目標走査速度の大小にかかわら
ず、スループットを可能な限り高い状態で維持できる。
【００３５】請求項９に記載の発明は、マスク（Ｒ）と
基板（Ｗ）とを投影光学系（ＰＬ）に対して所定の走査
方向に同期移動するとともに、前記基板上の照明領域
（ＩＡ）内に配置された複数の検出点（ｓ11〜ｓ77）毎
に検出される前記基板の前記投影光学系の光軸方向の位
置に基づき前記基板の前記光軸方向位置及び傾斜を調整
しながら、前記マスクに形成されたパターンを前記投影
光学系を介して前記基板上に逐次転写する走査露光方法
において、前記基板上に走査方向に直交する非走査方向
に並んだ第１区画領域と第２区画領域とに連続して前記
パターンを転写するに際し、前記第１区画領域と第２区
画領域との基板上の位置に応じて、前記第２区画領域の
パターン転写のための走査方向の加速開始時点でいずれ
かの前記検出点が前記基板上に配置されるように、前記
第１区画領域のパターン転写終了後の前記基板の移動軌
跡を設定することを特徴とする。
基板（Ｗ）とを投影光学系（ＰＬ）に対して所定の走査
方向に同期移動するとともに、前記基板上の照明領域
（ＩＡ）内に配置された複数の検出点（ｓ11〜ｓ77）毎
に検出される前記基板の前記投影光学系の光軸方向の位
置に基づき前記基板の前記光軸方向位置及び傾斜を調整
しながら、前記マスクに形成されたパターンを前記投影
光学系を介して前記基板上に逐次転写する走査露光方法
において、前記基板上に走査方向に直交する非走査方向
に並んだ第１区画領域と第２区画領域とに連続して前記
パターンを転写するに際し、前記第１区画領域と第２区
画領域との基板上の位置に応じて、前記第２区画領域の
パターン転写のための走査方向の加速開始時点でいずれ
かの前記検出点が前記基板上に配置されるように、前記
第１区画領域のパターン転写終了後の前記基板の移動軌
跡を設定することを特徴とする。
【００３６】これによれば、基板上に非走査方向に並ん
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、第１区画領域と第２区画領域との基板
上の位置に応じて、例えば基板上の特定の周辺領域かそ
れ以外かによって第２区画領域のパターン転写のための
走査方向の加速開始時点で、位置検出系の検出点のいず
れかが基板上に位置するように、第１区画領域のパター
ン転写の終了後の基板ステージの移動軌跡が変更され
る。このため、上記特定の基板の内部領域のパターン転
写の際には検出点が基板から外れることがないので、第
１区画領域のパターン転写の終了後の基板の移動軌跡を
スループットを優先した移動軌跡に変更するとともに、
上記特定の周辺領域の場合には多少スループットを犠牲
にしても走査方向の加速開始時点以後少なくとも１つの
検出点において基板の投影光学系の光軸方向の位置の検
出が可能になるように第１区画領域のパターン転写の終
了後の基板の移動軌跡に変更することにより、その検出
結果に基づいて基板の光軸方向位置の制御（フォーカス
制御）を行うようにすることが可能になる。従って、フ
ォーカス制御の遅れに起因するデフォーカス等による露
光精度の低下を防止するとともに最大限スループットを
向上させるようなことが可能になる。
だ第１区画領域と第２区画領域とに連続してパターンを
転写するに際し、第１区画領域と第２区画領域との基板
上の位置に応じて、例えば基板上の特定の周辺領域かそ
れ以外かによって第２区画領域のパターン転写のための
走査方向の加速開始時点で、位置検出系の検出点のいず
れかが基板上に位置するように、第１区画領域のパター
ン転写の終了後の基板ステージの移動軌跡が変更され
る。このため、上記特定の基板の内部領域のパターン転
写の際には検出点が基板から外れることがないので、第
１区画領域のパターン転写の終了後の基板の移動軌跡を
スループットを優先した移動軌跡に変更するとともに、
上記特定の周辺領域の場合には多少スループットを犠牲
にしても走査方向の加速開始時点以後少なくとも１つの
検出点において基板の投影光学系の光軸方向の位置の検
出が可能になるように第１区画領域のパターン転写の終
了後の基板の移動軌跡に変更することにより、その検出
結果に基づいて基板の光軸方向位置の制御（フォーカス
制御）を行うようにすることが可能になる。従って、フ
ォーカス制御の遅れに起因するデフォーカス等による露
光精度の低下を防止するとともに最大限スループットを
向上させるようなことが可能になる。
【００３７】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載の走査露光方法において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板（Ｗ）上の前記照明領域（ＩＡ）内の全域
に渡ってほぼ均一に配置され、前記第１区画領域のパタ
ーン転写の終了位置で、前記照明領域の少なくとも一部
が前記基板外に位置する第１条件と、前記非走査方向に
沿って見て第２区画領域が第１区画領域の基板中心側に
位置する第２条件と、前記第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速開始位置で照明領域の少なくと
も一部が基板上に掛かるという第３条件とが満たされる
か否かを判断し、前記全ての条件が満たされた場合に、
前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走
査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動が終了した
時点で開始し、前記いずれかの条件が満たされない場合
には、前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動終了
前に開始することを特徴とする。
載の走査露光方法において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板（Ｗ）上の前記照明領域（ＩＡ）内の全域
に渡ってほぼ均一に配置され、前記第１区画領域のパタ
ーン転写の終了位置で、前記照明領域の少なくとも一部
が前記基板外に位置する第１条件と、前記非走査方向に
沿って見て第２区画領域が第１区画領域の基板中心側に
位置する第２条件と、前記第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速開始位置で照明領域の少なくと
も一部が基板上に掛かるという第３条件とが満たされる
か否かを判断し、前記全ての条件が満たされた場合に、
前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走
査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動が終了した
時点で開始し、前記いずれかの条件が満たされない場合
には、前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動終了
前に開始することを特徴とする。
【００３８】ここで、第１の条件、すなわち第１区画領
域のパターン転写の終了位置で、照明領域の少なくとも
一部が基板外に位置するとは、第１区画領域が基板の非
走査方向の周辺領域であり、その区画領域の露光終了後
に照明領域、すなわち前記検出点の少なくとも一部が基
板から外れるという条件である。また、第２の条件、す
なわち非走査方向に沿って見て第２区画領域が第１区画
領域の基板中心側に位置するとは、第１区画領域のパタ
ーン転写の終了後、第２区画領域のパターン転写の開始
までに行われる基板ステージの移動方向が基板の中心に
向かう方向であるという条件である。また、第３の条
件、すなわち第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速開始位置で照明領域の少なくとも一部が基板
上に掛かるとは、第２区画領域のパターン転写のための
走査方向の加速開始位置で照明領域、すなわち検出点の
少なくとも一部が基板上に掛かるという条件である。従
って、上記第１〜第３条件の全てを満足する場合には、
基板ステージの非走査方向の移動中に第２区画領域のパ
ターン転写のための走査方向の加速を開始するために
は、前述した非常に複雑な演算をして検出点の選択を最
適化しない限り、フォーカス制御の開始点を定められな
い。そこで、このような場合には、基板ステージの第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板
ステージの非走査方向の移動が終了した時点で開始する
こととして、多少スループットを犠牲にしても簡易な計
算方法を用いてフォーカス制御を行うようにする。
域のパターン転写の終了位置で、照明領域の少なくとも
一部が基板外に位置するとは、第１区画領域が基板の非
走査方向の周辺領域であり、その区画領域の露光終了後
に照明領域、すなわち前記検出点の少なくとも一部が基
板から外れるという条件である。また、第２の条件、す
なわち非走査方向に沿って見て第２区画領域が第１区画
領域の基板中心側に位置するとは、第１区画領域のパタ
ーン転写の終了後、第２区画領域のパターン転写の開始
までに行われる基板ステージの移動方向が基板の中心に
向かう方向であるという条件である。また、第３の条
件、すなわち第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速開始位置で照明領域の少なくとも一部が基板
上に掛かるとは、第２区画領域のパターン転写のための
走査方向の加速開始位置で照明領域、すなわち検出点の
少なくとも一部が基板上に掛かるという条件である。従
って、上記第１〜第３条件の全てを満足する場合には、
基板ステージの非走査方向の移動中に第２区画領域のパ
ターン転写のための走査方向の加速を開始するために
は、前述した非常に複雑な演算をして検出点の選択を最
適化しない限り、フォーカス制御の開始点を定められな
い。そこで、このような場合には、基板ステージの第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板
ステージの非走査方向の移動が終了した時点で開始する
こととして、多少スループットを犠牲にしても簡易な計
算方法を用いてフォーカス制御を行うようにする。
【００３９】一方、第１〜第３条件のいずれかが満たさ
れない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでな
い、あるいはｂ．区画領域間の基板の非走査方向の移動
方向が中心から外側に向かう、あるいはｃ．第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速開始位置で前
記検出点が基板上にないのいずれかである。すなわち、
第１〜第３条件のいずれかが満たされない場合とは、第
１区画領域、第２区画領域がともに、複雑な計算を行う
ことなく、第２区画領域の走査開始位置から全ての検出
点を用いてフォーカス制御を行うことができる基板内部
の区画領域であるか、第２区画領域がもともと走査開始
点からフォーカス制御を行うことができない基板周辺の
区画領域であるかのいずれかであることを意味する。そ
こで、このような場合には、スループットを最優先して
基板の第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を基板の非走査方向の移動終了前に開始する。な
お、第２区画領域が走査開始点からフォーカス制御を行
うことができない基板周辺の区画領域である場合には、
走査開始後検出点が基板上に掛かった段階から基板の光
軸方向位置の制御（フォーカス制御）又は基板の光軸方
向位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制
御）が開始される。
れない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでな
い、あるいはｂ．区画領域間の基板の非走査方向の移動
方向が中心から外側に向かう、あるいはｃ．第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速開始位置で前
記検出点が基板上にないのいずれかである。すなわち、
第１〜第３条件のいずれかが満たされない場合とは、第
１区画領域、第２区画領域がともに、複雑な計算を行う
ことなく、第２区画領域の走査開始位置から全ての検出
点を用いてフォーカス制御を行うことができる基板内部
の区画領域であるか、第２区画領域がもともと走査開始
点からフォーカス制御を行うことができない基板周辺の
区画領域であるかのいずれかであることを意味する。そ
こで、このような場合には、スループットを最優先して
基板の第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を基板の非走査方向の移動終了前に開始する。な
お、第２区画領域が走査開始点からフォーカス制御を行
うことができない基板周辺の区画領域である場合には、
走査開始後検出点が基板上に掛かった段階から基板の光
軸方向位置の制御（フォーカス制御）又は基板の光軸方
向位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制
御）が開始される。
【００４０】請求項１１に記載の発明は、請求項９に記
載の走査露光方法において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板（Ｗ）上の照明領域（ＩＡ）内の全域に渡
ってほぼ均一に配置され、前記第２区画領域の露光開始
位置から走査方向に加速距離分、非走査に所定の閾値距
離（Ｌ）分離れた判断位置で前記照明領域の少なくとも
一部が前記基板外に位置する第１条件と、前記判断位置
が基板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板の移
動方向に対して反対側にある第２条件と、前記第２区画
領域のパターン転写のための加速中に前記照明領域が前
記基板のエッジに掛かるという第３条件が満たされるか
否かを判断し、前記全ての条件が満たされた場合に、前
記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速を前記の非走査方向の移動が終了した時点で
開始し、前記いずれかの条件が満たされない場合には、
前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走
査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動終了前に開
始することを特徴とする。
載の走査露光方法において、前記検出点（ｓ11〜ｓ77）
が、前記基板（Ｗ）上の照明領域（ＩＡ）内の全域に渡
ってほぼ均一に配置され、前記第２区画領域の露光開始
位置から走査方向に加速距離分、非走査に所定の閾値距
離（Ｌ）分離れた判断位置で前記照明領域の少なくとも
一部が前記基板外に位置する第１条件と、前記判断位置
が基板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板の移
動方向に対して反対側にある第２条件と、前記第２区画
領域のパターン転写のための加速中に前記照明領域が前
記基板のエッジに掛かるという第３条件が満たされるか
否かを判断し、前記全ての条件が満たされた場合に、前
記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走査
方向の加速を前記の非走査方向の移動が終了した時点で
開始し、前記いずれかの条件が満たされない場合には、
前記基板の前記第２区画領域のパターン転写のための走
査方向の加速を前記基板の非走査方向の移動終了前に開
始することを特徴とする。
【００４１】ここで、第１条件、すなわち第２区画領域
の露光開始位置から走査方向に加速距離分、非走査方向
に所定の閾値距離分離れた判断位置で照明領域の少なく
とも一部が基板外に位置するとは、第１区画領域が基板
の周辺領域であり、基板の第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速を基板の非走査方向の移動終了
前に開始する放物線状（又はＵ字状）の移動軌跡を採用
した場合の走査方向の減速終了位置、かつ非走査方向に
所定の閾値距離分離れた判断位置で照明領域、すなわち
検出点の少なくとも一部が基板外に位置するという条件
である。また、第２条件、すなわち、前記判断位置が基
板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板の移動方
向に対して反対側にあるとは、第１区画領域のパターン
転写の終了後、第２区画領域のパターン転写の開始まで
に行われる基板の移動方向が基板の中心に向かう方向で
あるという条件である。また、第３条件、すなわち第２
区画領域のパターン転写のための加速中に照明領域が基
板のエッジに掛かるとは、第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速開始点から露光開始点までのい
ずれかの時点で照明領域、すなわち検出点のいずれかが
基板のエッジに掛かるという条件である。
の露光開始位置から走査方向に加速距離分、非走査方向
に所定の閾値距離分離れた判断位置で照明領域の少なく
とも一部が基板外に位置するとは、第１区画領域が基板
の周辺領域であり、基板の第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速を基板の非走査方向の移動終了
前に開始する放物線状（又はＵ字状）の移動軌跡を採用
した場合の走査方向の減速終了位置、かつ非走査方向に
所定の閾値距離分離れた判断位置で照明領域、すなわち
検出点の少なくとも一部が基板外に位置するという条件
である。また、第２条件、すなわち、前記判断位置が基
板の非走査方向の中心線より非走査方向の基板の移動方
向に対して反対側にあるとは、第１区画領域のパターン
転写の終了後、第２区画領域のパターン転写の開始まで
に行われる基板の移動方向が基板の中心に向かう方向で
あるという条件である。また、第３条件、すなわち第２
区画領域のパターン転写のための加速中に照明領域が基
板のエッジに掛かるとは、第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速開始点から露光開始点までのい
ずれかの時点で照明領域、すなわち検出点のいずれかが
基板のエッジに掛かるという条件である。
【００４２】従って、上記第１〜第３条件の全てを満足
する場合には、基板の非走査方向の移動中に第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速を開始するた
めには、前述した非常に複雑な演算をして検出点の選択
を最適化しない限り、フォーカス制御の開始点を定めら
れない。そこで、このような場合には、基板の第２区画
領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板の非
走査方向の移動が終了した時点で開始することとして、
多少スループットを犠牲にしても簡易な計算方法を用い
てフォーカス制御を行うようにした。
する場合には、基板の非走査方向の移動中に第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速を開始するた
めには、前述した非常に複雑な演算をして検出点の選択
を最適化しない限り、フォーカス制御の開始点を定めら
れない。そこで、このような場合には、基板の第２区画
領域のパターン転写のための走査方向の加速を基板の非
走査方向の移動が終了した時点で開始することとして、
多少スループットを犠牲にしても簡易な計算方法を用い
てフォーカス制御を行うようにした。
【００４３】一方、第１〜第３条件のいずれかが満たさ
れない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでな
いか、又は上記判断位置で全ての検出点が基板上にあ
る、あるいはｂ．区画領域間の基板の非走査方向の移動
方向が中心から外側に向かう、あるいはｃ．加速開始点
で検出点の全てが基板上にあるか、加速終了後に検出点
のいずれかが基板のエッジに掛かる場合である。従っ
て、ａ．の場合には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡を
とっても複雑な計算を行うことなく、第２区画領域の走
査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制御を
行うことができ、ｂ．の場合には、第２区画領域が基板
上の周辺領域である場合には軌跡を変更しても走査開始
点からフォーカス制御を行うことができず、ｃ．の場合
には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡をとっても複雑な
計算を行うことなく、第２区画領域の走査開始位置から
全ての検出点を用いてフォーカス制御を行うことができ
るか、第２区画領域が基板上の周辺領域である場合には
軌跡を変更しても走査開始点からフォーカス制御を行う
ことができない。
れない場合とは、ａ．第１区画領域が周辺ショットでな
いか、又は上記判断位置で全ての検出点が基板上にあ
る、あるいはｂ．区画領域間の基板の非走査方向の移動
方向が中心から外側に向かう、あるいはｃ．加速開始点
で検出点の全てが基板上にあるか、加速終了後に検出点
のいずれかが基板のエッジに掛かる場合である。従っ
て、ａ．の場合には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡を
とっても複雑な計算を行うことなく、第２区画領域の走
査開始位置から全ての検出点を用いてフォーカス制御を
行うことができ、ｂ．の場合には、第２区画領域が基板
上の周辺領域である場合には軌跡を変更しても走査開始
点からフォーカス制御を行うことができず、ｃ．の場合
には、放物線状（又はＵ字状）の軌跡をとっても複雑な
計算を行うことなく、第２区画領域の走査開始位置から
全ての検出点を用いてフォーカス制御を行うことができ
るか、第２区画領域が基板上の周辺領域である場合には
軌跡を変更しても走査開始点からフォーカス制御を行う
ことができない。
【００４４】そこで、このような場合には、スループッ
トを最優先して基板の第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速を基板の非走査方向の移動終了前に
開始することとしたものである。
トを最優先して基板の第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速を基板の非走査方向の移動終了前に
開始することとしたものである。
【００４５】請求項１２に記載の発明は、マスク（Ｒ）
と基板（Ｗ）のそれぞれを所定の走査方向へ同期移動し
て前記マスクに形成されたパターンを前記基板上の複数
の区画領域（Ｓ）に順次転写する走査露光方法であっ
て、前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに前記
マスクのパターンを順次転写するときに、前記第１区画
領域および前記第２区画領域の前記基板上での位置に応
じて、前記第１区画領域のパターン転写の終了後の前記
基板の移動軌跡を設定することを特徴とする。
と基板（Ｗ）のそれぞれを所定の走査方向へ同期移動し
て前記マスクに形成されたパターンを前記基板上の複数
の区画領域（Ｓ）に順次転写する走査露光方法であっ
て、前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに前記
マスクのパターンを順次転写するときに、前記第１区画
領域および前記第２区画領域の前記基板上での位置に応
じて、前記第１区画領域のパターン転写の終了後の前記
基板の移動軌跡を設定することを特徴とする。
【００４６】これによれば、第１区画領域および第２区
画領域の基板上での位置に応じて第１区画領域のパター
ン転写の終了後の前記基板の移動軌跡が設定されるの
で、例えば第１区画領域および第２区画領域が基板上の
特定の周辺領域であるかそれ以外の領域であるかによっ
て、基板の移動軌跡をそれぞれ設定することが可能にな
る。従って、例えば、特定の周辺領域の場合にはフォー
カス制御等の露光精度を優先し、それ以外の領域の場合
にはスループットを優先するようなことが可能になる。
画領域の基板上での位置に応じて第１区画領域のパター
ン転写の終了後の前記基板の移動軌跡が設定されるの
で、例えば第１区画領域および第２区画領域が基板上の
特定の周辺領域であるかそれ以外の領域であるかによっ
て、基板の移動軌跡をそれぞれ設定することが可能にな
る。従って、例えば、特定の周辺領域の場合にはフォー
カス制御等の露光精度を優先し、それ以外の領域の場合
にはスループットを優先するようなことが可能になる。
【００４７】この場合において、請求項１３に記載の発
明の如く、前記基板（Ｗ）の走査方向と直交する非走査
方向に並んだ前記基板上の第１区画領域と第２区画領域
と第３区画領域の各々に前記マスクのパターンを順次転
写するときに、前記第１区画領域のパターン転写終了後
の前記基板の移動軌跡と前記第２区画領域のパターン転
写終了後の前記基板の移動軌跡が異なっていてもよい。
明の如く、前記基板（Ｗ）の走査方向と直交する非走査
方向に並んだ前記基板上の第１区画領域と第２区画領域
と第３区画領域の各々に前記マスクのパターンを順次転
写するときに、前記第１区画領域のパターン転写終了後
の前記基板の移動軌跡と前記第２区画領域のパターン転
写終了後の前記基板の移動軌跡が異なっていてもよい。
【００４８】上記請求項１２又は１３に記載の走査露光
方法において、請求項１４に記載の発明の如く、前記第
１区画領域は前記基板（Ｗ）の周縁部に位置していても
良い。
方法において、請求項１４に記載の発明の如く、前記第
１区画領域は前記基板（Ｗ）の周縁部に位置していても
良い。
【００４９】請求項１２に記載の走査露光方法におい
て、請求項１５に記載の発明の如く、前記走査方向とほ
ぼ直交する非走査方向に並んだ前記第１区画領域及び前
記第２区画領域の前記基板（Ｗ）上での位置に応じて、
前記第２区画領域のパターン転写のための前記非走査方
向への前記基板の移動中に前記走査方向への前記基板の
加速が開始されるような移動軌跡と、前記第２区画領域
のパターン転写のための前記非走査方向への前記基板の
移動終了後に前記走査方向への前記基板の加速が開始さ
れるような移動軌跡とのいずれか一方が、前記第１区画
領域のパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡として
設定されるようにしてもよい。
て、請求項１５に記載の発明の如く、前記走査方向とほ
ぼ直交する非走査方向に並んだ前記第１区画領域及び前
記第２区画領域の前記基板（Ｗ）上での位置に応じて、
前記第２区画領域のパターン転写のための前記非走査方
向への前記基板の移動中に前記走査方向への前記基板の
加速が開始されるような移動軌跡と、前記第２区画領域
のパターン転写のための前記非走査方向への前記基板の
移動終了後に前記走査方向への前記基板の加速が開始さ
れるような移動軌跡とのいずれか一方が、前記第１区画
領域のパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡として
設定されるようにしてもよい。
【００５０】請求項１６に記載の発明は、マスクと基板
とを投影光学系に対して所定の走査方向へそれぞれ同期
移動するとともに、前記投影光学系の光軸方向に関する
前記基板の位置を複数の検出点で検出して、前記マスク
に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記基
板上の複数の区画領域に順次転写する走査露光方法にお
いて、前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに連
続的に前記マスクのパターンを転写するときに、前記第
１区画領域に対するパターン転写の終了後の前記検出点
と前記基板との位置関係に基づいて前記第１区画領域に
対するパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を設定
することを特徴とする。
とを投影光学系に対して所定の走査方向へそれぞれ同期
移動するとともに、前記投影光学系の光軸方向に関する
前記基板の位置を複数の検出点で検出して、前記マスク
に形成されたパターンを前記投影光学系を介して前記基
板上の複数の区画領域に順次転写する走査露光方法にお
いて、前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに連
続的に前記マスクのパターンを転写するときに、前記第
１区画領域に対するパターン転写の終了後の前記検出点
と前記基板との位置関係に基づいて前記第１区画領域に
対するパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を設定
することを特徴とする。
【００５１】これによれば、基板上の第１区画領域と第
２区画領域とに連続的に前記マスクのパターンを転写す
るときに、第１区画領域に対するパターン転写の終了後
の検出点と基板との位置関係に基づいて第１区画領域に
対するパターン転写終了後の基板の移動軌跡が設定され
る。このため、例えば、スループットを向上させるた
め、前述した放物線状の移動軌跡を想定しても第２区画
領域の走査開始位置〜露光開始位置手前所定距離の範囲
のいずれかの時点で複数の検出点の一部が基板上に位置
するような場合には、放物線状の軌跡を設定し、前記い
ずれの時点でも検出点の一部が基板上に位置しない場合
には、基板の非走査方向の移動が終了した後、第２区画
領域のパターン転写のための基板の走査方向加速が開始
されるような移動軌跡を設定することによりフォーカス
制御の遅れに起因する露光精度の低下を抑制することが
できる。
２区画領域とに連続的に前記マスクのパターンを転写す
るときに、第１区画領域に対するパターン転写の終了後
の検出点と基板との位置関係に基づいて第１区画領域に
対するパターン転写終了後の基板の移動軌跡が設定され
る。このため、例えば、スループットを向上させるた
め、前述した放物線状の移動軌跡を想定しても第２区画
領域の走査開始位置〜露光開始位置手前所定距離の範囲
のいずれかの時点で複数の検出点の一部が基板上に位置
するような場合には、放物線状の軌跡を設定し、前記い
ずれの時点でも検出点の一部が基板上に位置しない場合
には、基板の非走査方向の移動が終了した後、第２区画
領域のパターン転写のための基板の走査方向加速が開始
されるような移動軌跡を設定することによりフォーカス
制御の遅れに起因する露光精度の低下を抑制することが
できる。
【００５２】上記請求項１６に記載の走査露光方法にお
いて、請求項１７に記載の発明の如く、前記第２区画領
域に対するパターン転写のための前記基板の加速移動
中、前記投影光学系を介して形成される露光フィールド
に対して前記第２区画領域が前記基板の走査方向に所定
距離だけ離れているときに前記複数の検出点の内の所定
の検出点が前記基板上に位置するよう、前記第１区画領
域に対するパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を
設定しても良い。
いて、請求項１７に記載の発明の如く、前記第２区画領
域に対するパターン転写のための前記基板の加速移動
中、前記投影光学系を介して形成される露光フィールド
に対して前記第２区画領域が前記基板の走査方向に所定
距離だけ離れているときに前記複数の検出点の内の所定
の検出点が前記基板上に位置するよう、前記第１区画領
域に対するパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を
設定しても良い。
【００５３】また、上記請求項１６又は１７に記載の走
査露光方法において、請求項１８に記載の発明の如く、
前記第１区画領域と前記第２区画領域は、前記基板の走
査方向とほぼ直交する方向に並んでおり、前記第１区画
領域は前記基板の周縁部に位置していても良い。
査露光方法において、請求項１８に記載の発明の如く、
前記第１区画領域と前記第２区画領域は、前記基板の走
査方向とほぼ直交する方向に並んでおり、前記第１区画
領域は前記基板の周縁部に位置していても良い。
【００５４】請求項１６又は１７に記載の走査露光方法
において、請求項１９に記載の発明の如く、前記第１区
画領域と前記第２区画領域は、前記基板の走査方向とほ
ぼ直交する方向に並んで形成されるとともに、前記基板
の中心に対して前記第１区画領域が前記第２区画領域よ
りも離れて形成されており、前記第１区画領域に対する
パターン転写終了時に前記検出点の少なくとも一部が前
記基板上から外れる場合には、前記第２区画領域のパタ
ーン転写のための前記走査方向と直交する非走査方向へ
の前記基板の移動終了後に前記走査方向への前記基板の
加速が開始されるように前記基板の移動軌跡を設定する
ようにしても良い。
において、請求項１９に記載の発明の如く、前記第１区
画領域と前記第２区画領域は、前記基板の走査方向とほ
ぼ直交する方向に並んで形成されるとともに、前記基板
の中心に対して前記第１区画領域が前記第２区画領域よ
りも離れて形成されており、前記第１区画領域に対する
パターン転写終了時に前記検出点の少なくとも一部が前
記基板上から外れる場合には、前記第２区画領域のパタ
ーン転写のための前記走査方向と直交する非走査方向へ
の前記基板の移動終了後に前記走査方向への前記基板の
加速が開始されるように前記基板の移動軌跡を設定する
ようにしても良い。
【００５５】請求項２０に記載の発明は、マスクと基板
のそれぞれを所定の走査方向へ同期移動して前記マスク
に形成されたパターンを前記基板上の複数の区画領域に
順次転写する走査露光方法であって、前記基板上の第１
区画領域と第２区画領域とに前記マスクのパターンを順
次転写するときに、前記第１区画領域および前記第２区
画領域の前記基板上での位置に応じて、前記第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速開始のタイミ
ングを変更することを特徴とする。
のそれぞれを所定の走査方向へ同期移動して前記マスク
に形成されたパターンを前記基板上の複数の区画領域に
順次転写する走査露光方法であって、前記基板上の第１
区画領域と第２区画領域とに前記マスクのパターンを順
次転写するときに、前記第１区画領域および前記第２区
画領域の前記基板上での位置に応じて、前記第２区画領
域のパターン転写のための走査方向の加速開始のタイミ
ングを変更することを特徴とする。
【００５６】請求項２１に記載の発明に係るデバイス製
造方法は、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の走査
露光方法を用いることを特徴とする。
造方法は、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の走査
露光方法を用いることを特徴とする。
【００５７】
【発明の実施の形態】《第１の実施形態》以下、本発明
の第１の実施形態を図１ないし図１０に基づいて説明す
る。
の第１の実施形態を図１ないし図１０に基づいて説明す
る。
【００５８】図１には、一実施形態に係る走査型露光装
置１００の概略的な構成が示されている。この走査型露
光装置１００は、いわゆるステップ・アンド・スキャン
露光方式の投影露光装置である。
置１００の概略的な構成が示されている。この走査型露
光装置１００は、いわゆるステップ・アンド・スキャン
露光方式の投影露光装置である。
【００５９】この走査型露光装置１００は、光源１及び
照明光学系（２、３、５〜７）を含む照明系、マスクと
してのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、
投影光学系ＰＬ、基板としてのウエハＷを保持してＸＹ
平面内をＸＹ２次元方向に移動する基板ステージとして
の基板テーブル１８を備えたＸＹステージ装置１４、及
びこれらを制御する制御系等を備えている。
照明光学系（２、３、５〜７）を含む照明系、マスクと
してのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、
投影光学系ＰＬ、基板としてのウエハＷを保持してＸＹ
平面内をＸＹ２次元方向に移動する基板ステージとして
の基板テーブル１８を備えたＸＹステージ装置１４、及
びこれらを制御する制御系等を備えている。
【００６０】前記照明系は、光源１、コリメータレン
ズ、フライアイレンズ等（いずれも図示せず）からなる
照度均一化光学系２、リレーレンズ３、レチクルブライ
ンド５、リレーレンズ６及び折り曲げミラー７等を含ん
で構成されている。
ズ、フライアイレンズ等（いずれも図示せず）からなる
照度均一化光学系２、リレーレンズ３、レチクルブライ
ンド５、リレーレンズ６及び折り曲げミラー７等を含ん
で構成されている。
【００６１】ここで、この照明系の構成各部についてそ
の作用とともに説明すると、光源１で発生した露光光と
しての照明光ＩＬは不図示のシャッターを通過した後、
照度均一化光学系２により照度分布がほぼ均一な光束に
変換される。照明光ＩＬとしては、例えばＫｒＦエキシ
マレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光あるいはＦ2 エキ
シマレーザ光（波長：１５７ｎｍ）等のエキシマレーザ
光、銅蒸気レーザやＹＡＧレーザの高調波、あるいは超
高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）等
が用いられる。
の作用とともに説明すると、光源１で発生した露光光と
しての照明光ＩＬは不図示のシャッターを通過した後、
照度均一化光学系２により照度分布がほぼ均一な光束に
変換される。照明光ＩＬとしては、例えばＫｒＦエキシ
マレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光あるいはＦ2 エキ
シマレーザ光（波長：１５７ｎｍ）等のエキシマレーザ
光、銅蒸気レーザやＹＡＧレーザの高調波、あるいは超
高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）等
が用いられる。
【００６２】照度均一化光学系２から水平に射出された
光束は、リレーレンズ３を介して、レチクルブラインド
５に達する。このレチクルブラインド５は、２枚の可動
ブレード４５Ａ、４５Ｂを有する可動ブラインド（以
下、この可動ブラインドを適宜「可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂ」と称する）と、この可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂの近傍に配置された開口形状が固定された固
定ブラインド４６とから構成される。可動ブラインド４
５Ａ、４５Ｂの配置面は、レチクルＲのパターン面と共
役となっている。固定ブラインド４６は、例えば４個の
ナイフエッジにより矩形の開口を囲んだ視野絞りであ
り、その矩形開口の上下方向の幅が可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂによって規定されるようになっており、これ
によりレチクルＲを照明するスリット状の照明領域ＩＡ
Ｒ（図２参照）のレチクルＲの走査方向の幅を所望の大
きさに設定できるようになっている。可動ブレード４５
Ａ、４５Ｂは、可動ブラインド駆動機構４３Ａ、４３Ｂ
によって開閉方向に駆動されるようになっており、この
駆動機構４３Ａ、４３Ｂの動作が不図示のメモリに格納
されたプロセスプログラムと呼ばれるファイル内のマス
キング情報に応じて主制御装置２０によって制御される
ようになっている。
光束は、リレーレンズ３を介して、レチクルブラインド
５に達する。このレチクルブラインド５は、２枚の可動
ブレード４５Ａ、４５Ｂを有する可動ブラインド（以
下、この可動ブラインドを適宜「可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂ」と称する）と、この可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂの近傍に配置された開口形状が固定された固
定ブラインド４６とから構成される。可動ブラインド４
５Ａ、４５Ｂの配置面は、レチクルＲのパターン面と共
役となっている。固定ブラインド４６は、例えば４個の
ナイフエッジにより矩形の開口を囲んだ視野絞りであ
り、その矩形開口の上下方向の幅が可動ブラインド４５
Ａ、４５Ｂによって規定されるようになっており、これ
によりレチクルＲを照明するスリット状の照明領域ＩＡ
Ｒ（図２参照）のレチクルＲの走査方向の幅を所望の大
きさに設定できるようになっている。可動ブレード４５
Ａ、４５Ｂは、可動ブラインド駆動機構４３Ａ、４３Ｂ
によって開閉方向に駆動されるようになっており、この
駆動機構４３Ａ、４３Ｂの動作が不図示のメモリに格納
されたプロセスプログラムと呼ばれるファイル内のマス
キング情報に応じて主制御装置２０によって制御される
ようになっている。
【００６３】レチクルブラインド５を通過した光束は、
リレーレンズ６を通過して折り曲げミラー７に至り、こ
こで鉛直下方に折り曲げられて回路パターン等が描かれ
たレチクルＲの照明領域ＩＡＲ部分を照明する。
リレーレンズ６を通過して折り曲げミラー７に至り、こ
こで鉛直下方に折り曲げられて回路パターン等が描かれ
たレチクルＲの照明領域ＩＡＲ部分を照明する。
【００６４】前記レチクルステージＲＳＴ上にはレチク
ルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチク
ルステージＲＳＴは、レチクルＲの位置決めのため、照
明光学系の光軸ＩＸ（後述する投影光学系ＰＬの光軸Ａ
Ｘに一致）に垂直な平面内で２次元的に（Ｘ軸方向及び
これに直交するＹ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回
りの回転方向に）微少駆動可能に構成されている。
ルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチク
ルステージＲＳＴは、レチクルＲの位置決めのため、照
明光学系の光軸ＩＸ（後述する投影光学系ＰＬの光軸Ａ
Ｘに一致）に垂直な平面内で２次元的に（Ｘ軸方向及び
これに直交するＹ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回
りの回転方向に）微少駆動可能に構成されている。
【００６５】また、このレチクルステージＲＳＴは、不
図示のレチクルベース上をリニアモータ等で構成された
レチクル駆動部（図示省略）により、所定の走査方向
（ここではＹ軸方向とする）に指定された走査速度で移
動可能となっている。このレチクルステージＲＳＴは、
レチクルＲの全面が少なくとも照明光学系の光軸ＩＸを
横切ることができるだけの移動ストロークを有してい
る。
図示のレチクルベース上をリニアモータ等で構成された
レチクル駆動部（図示省略）により、所定の走査方向
（ここではＹ軸方向とする）に指定された走査速度で移
動可能となっている。このレチクルステージＲＳＴは、
レチクルＲの全面が少なくとも照明光学系の光軸ＩＸを
横切ることができるだけの移動ストロークを有してい
る。
【００６６】レチクルステージＲＳＴ上には、レチクル
レーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１３
からのレーザビームを反射する移動鏡１５が固定されて
おり、レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位
置はレチクル干渉計１３によって、例えば０．５〜１ｎ
ｍ程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、
レチクルステージＲＳＴ上には走査方向（Ｙ軸方向）に
直交する反射面を有する移動鏡と非走査方向（Ｘ軸方
向）に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、レ
チクル干渉計１３は走査方向に１軸、非走査方向には２
軸設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡
１５、レチクル干渉計１３として示されている。
レーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１３
からのレーザビームを反射する移動鏡１５が固定されて
おり、レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位
置はレチクル干渉計１３によって、例えば０．５〜１ｎ
ｍ程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、
レチクルステージＲＳＴ上には走査方向（Ｙ軸方向）に
直交する反射面を有する移動鏡と非走査方向（Ｘ軸方
向）に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、レ
チクル干渉計１３は走査方向に１軸、非走査方向には２
軸設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡
１５、レチクル干渉計１３として示されている。
【００６７】レチクル干渉計１３からのレチクルステー
ジＲＳＴの位置情報はステージ制御系１９及びこれを介
して主制御装置２０に送られ、ステージ制御系１９では
主制御装置２０からの指示に応じてレチクルステージＲ
ＳＴの位置情報に基づいてレチクル駆動部（図示省略）
を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。
ジＲＳＴの位置情報はステージ制御系１９及びこれを介
して主制御装置２０に送られ、ステージ制御系１９では
主制御装置２０からの指示に応じてレチクルステージＲ
ＳＴの位置情報に基づいてレチクル駆動部（図示省略）
を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。
【００６８】なお、不図示のレチクルアライメント系に
より所定の基準位置にレチクルＲが精度良く位置決めさ
れるように、レチクルステージＲＳＴの初期位置が決定
されるため、移動鏡１５の位置をレチクル干渉計１３で
測定するだけでレチクルＲの位置を十分高精度に測定し
たことになる。
より所定の基準位置にレチクルＲが精度良く位置決めさ
れるように、レチクルステージＲＳＴの初期位置が決定
されるため、移動鏡１５の位置をレチクル干渉計１３で
測定するだけでレチクルＲの位置を十分高精度に測定し
たことになる。
【００６９】前記投影光学系ＰＬは、レチクルステージ
ＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸ
（照明光学系の光軸ＩＸに一致）の方向がＺ軸方向とさ
れ、ここでは両側テレセントリックな光学配置となるよ
うに光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複数枚
のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されてい
る。この投影光学系ＰＬは所定の投影倍率、例えば１／
５（あるいは１／４）を有する縮小光学系である。この
ため、照明光学系からの照明光ＩＬによってレチクルＲ
の照明領域ＩＡＲが照明されると、このレチクルＲを通
過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその
照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像
（部分倒立像）が表面にフォトレジストが塗布されたウ
エハＷ上に形成される。
ＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸ
（照明光学系の光軸ＩＸに一致）の方向がＺ軸方向とさ
れ、ここでは両側テレセントリックな光学配置となるよ
うに光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複数枚
のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されてい
る。この投影光学系ＰＬは所定の投影倍率、例えば１／
５（あるいは１／４）を有する縮小光学系である。この
ため、照明光学系からの照明光ＩＬによってレチクルＲ
の照明領域ＩＡＲが照明されると、このレチクルＲを通
過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその
照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像
（部分倒立像）が表面にフォトレジストが塗布されたウ
エハＷ上に形成される。
【００７０】前記ＸＹステージ装置１４は、不図示のベ
ース上を走査方向であるＹ軸方向（図１における左右方
向）に往復移動可能なＹステージ１６と、このＹステー
ジ１６上をＹ軸方向に直交するＸ軸方向（図１における
紙面直交方向）に往復移動可能なＸステージ１２と、こ
のＸステージ１２上に設けられた基板テーブル１８とを
有している。また、基板テーブル１８上に、ウエハホル
ダ２５が載置され、このウエハホルダ２５によって基板
としてのウエハＷが真空吸着によって保持されている。
ース上を走査方向であるＹ軸方向（図１における左右方
向）に往復移動可能なＹステージ１６と、このＹステー
ジ１６上をＹ軸方向に直交するＸ軸方向（図１における
紙面直交方向）に往復移動可能なＸステージ１２と、こ
のＸステージ１２上に設けられた基板テーブル１８とを
有している。また、基板テーブル１８上に、ウエハホル
ダ２５が載置され、このウエハホルダ２５によって基板
としてのウエハＷが真空吸着によって保持されている。
【００７１】基板テーブル１８は、Ｘステージ１２上に
ＸＹ方向に位置決めされ、かつＺ軸方向の移動及び傾斜
が許容された状態で取り付けられている。そして、この
基板テーブル１８は、異なる３点の支持点で不図示の３
本の軸によって支持されており、これら３本の軸が駆動
機構としてのウエハ駆動装置２１によって独立してＺ軸
方向に駆動され、これによって基板テーブル１８上に保
持されたウエハＷの面位置（Ｚ軸方向位置及びＸＹ平面
に対する傾斜）が所望の状態に設定されるようになって
いる。
ＸＹ方向に位置決めされ、かつＺ軸方向の移動及び傾斜
が許容された状態で取り付けられている。そして、この
基板テーブル１８は、異なる３点の支持点で不図示の３
本の軸によって支持されており、これら３本の軸が駆動
機構としてのウエハ駆動装置２１によって独立してＺ軸
方向に駆動され、これによって基板テーブル１８上に保
持されたウエハＷの面位置（Ｚ軸方向位置及びＸＹ平面
に対する傾斜）が所望の状態に設定されるようになって
いる。
【００７２】基板テーブル１８上にはウエハレーザ干渉
計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１からのレーザ
ビームを反射する移動鏡２７が固定され、外部に配置さ
れたウエハ干渉計３１により、基板テーブル１８のＸＹ
面内での位置が例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常
時検出されている。
計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１からのレーザ
ビームを反射する移動鏡２７が固定され、外部に配置さ
れたウエハ干渉計３１により、基板テーブル１８のＸＹ
面内での位置が例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常
時検出されている。
【００７３】ここで、実際には、基板テーブル１８上に
は走査方向であるＹ軸方向に直交する反射面を有する移
動鏡と非走査方向であるＸ軸方向に直交する反射面を有
する移動鏡とが設けられ、ウエハ干渉計１８は走査方向
に１軸、非走査方向には２軸設けられているが、図１で
はこれらが代表的に移動鏡２７、ウエハ干渉計３１とし
て示されている。基板テーブル１８の位置情報（又は速
度情報）はステージ制御系１９及びこれを介して主制御
装置２０に送られ、ステージ制御系１９では主制御装置
２０からの指示に応じて前記位置情報（又は速度情報）
に基づいてウエハ駆動装置２１（これは、Ｘステージ１
２、Ｙステージ１６の駆動系及び基板テーブル１８の駆
動系の全てを含む）を介してＹステージ１６、Ｘステー
ジ１２を制御する。
は走査方向であるＹ軸方向に直交する反射面を有する移
動鏡と非走査方向であるＸ軸方向に直交する反射面を有
する移動鏡とが設けられ、ウエハ干渉計１８は走査方向
に１軸、非走査方向には２軸設けられているが、図１で
はこれらが代表的に移動鏡２７、ウエハ干渉計３１とし
て示されている。基板テーブル１８の位置情報（又は速
度情報）はステージ制御系１９及びこれを介して主制御
装置２０に送られ、ステージ制御系１９では主制御装置
２０からの指示に応じて前記位置情報（又は速度情報）
に基づいてウエハ駆動装置２１（これは、Ｘステージ１
２、Ｙステージ１６の駆動系及び基板テーブル１８の駆
動系の全てを含む）を介してＹステージ１６、Ｘステー
ジ１２を制御する。
【００７４】また、基板テーブル１８上には、不図示の
オフアクシス方式のアライメント検出系の検出中心から
投影光学系ＰＬの光軸までの距離を計測するベースライ
ン計測等のための各種基準マークが形成された基準マー
ク板ＦＭが固定されている。
オフアクシス方式のアライメント検出系の検出中心から
投影光学系ＰＬの光軸までの距離を計測するベースライ
ン計測等のための各種基準マークが形成された基準マー
ク板ＦＭが固定されている。
【００７５】本実施形態の走査型露光装置１００におい
ては、図２に示されるように、レチクルＲの走査方向
（Ｙ軸方向）に対して垂直な方向に長手方向を有する長
方形（スリット状）の照明領域ＩＡＲでレチクルＲが照
明され、レチクルＲは露光時に−Ｙ方向に速度ＶR で走
査（スキャン）される。照明領域ＩＡＲ（中心は光軸Ｉ
Ｘとほぼ一致）は投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に
投影され、照明領域ＩＡＲに共役なスリット状の投影領
域、すなわち露光領域ＩＡが形成される。ウエハＷはレ
チクルＲとは倒立結像関係にあるため、ウエハＷは速度
ＶR の方向とは反対方向（＋Ｙ方向）にレチクルＲに同
期して速度ＶW で走査され、ウエハＷ上の区画領域とし
てのショット領域Ｓの全面が露光可能となっている。走
査速度の比ＶW ／ＶR は正確に投影光学系ＰＬの縮小倍
率に応じたものになっており、レチクルＲのパターン領
域ＰＡのパターンがウエハＷ上のショット領域Ｓ上に正
確に縮小転写される。照明領域ＩＡＲの長手方向の幅
は、固定ブラインド４６によって、レチクルＲ上のパタ
ーン領域ＰＡよりも広く、遮光領域ＳＴの最大幅よりも
狭くなるように設定され、レチクルＲを走査（スキャ
ン）することによりパターン領域ＰＡ全面が照明される
ようになっている。
ては、図２に示されるように、レチクルＲの走査方向
（Ｙ軸方向）に対して垂直な方向に長手方向を有する長
方形（スリット状）の照明領域ＩＡＲでレチクルＲが照
明され、レチクルＲは露光時に−Ｙ方向に速度ＶR で走
査（スキャン）される。照明領域ＩＡＲ（中心は光軸Ｉ
Ｘとほぼ一致）は投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に
投影され、照明領域ＩＡＲに共役なスリット状の投影領
域、すなわち露光領域ＩＡが形成される。ウエハＷはレ
チクルＲとは倒立結像関係にあるため、ウエハＷは速度
ＶR の方向とは反対方向（＋Ｙ方向）にレチクルＲに同
期して速度ＶW で走査され、ウエハＷ上の区画領域とし
てのショット領域Ｓの全面が露光可能となっている。走
査速度の比ＶW ／ＶR は正確に投影光学系ＰＬの縮小倍
率に応じたものになっており、レチクルＲのパターン領
域ＰＡのパターンがウエハＷ上のショット領域Ｓ上に正
確に縮小転写される。照明領域ＩＡＲの長手方向の幅
は、固定ブラインド４６によって、レチクルＲ上のパタ
ーン領域ＰＡよりも広く、遮光領域ＳＴの最大幅よりも
狭くなるように設定され、レチクルＲを走査（スキャ
ン）することによりパターン領域ＰＡ全面が照明される
ようになっている。
【００７６】この走査型露光装置１００では、上記の走
査露光の際に、不図示のアライメント検出系の検出信号
に基づいて主制御装置２０によりステージ制御系１９及
びウエハ駆動装置２１等を介してレチクルＲとウエハＷ
との位置合わせ（アライメント）が行われ、また、後述
する多点フォーカス位置検出系の検出信号に基づいて、
レチクルＲのパターン面とウエハＷ表面とが投影光学系
ＰＬに関して共役となるように、かつ投影光学系ＰＬの
結像面とウエハＷ表面とが一致する（ウエハ表面が投影
光学系ＰＬの最良結像面の焦点深度の範囲内に入る）よ
うに、主制御装置２０によりステージ制御系１９及びウ
エハ駆動装置２１を介して基板テーブル１８がＺ軸方向
及び傾斜方向に駆動制御されて面位置の調整が行われ
る。
査露光の際に、不図示のアライメント検出系の検出信号
に基づいて主制御装置２０によりステージ制御系１９及
びウエハ駆動装置２１等を介してレチクルＲとウエハＷ
との位置合わせ（アライメント）が行われ、また、後述
する多点フォーカス位置検出系の検出信号に基づいて、
レチクルＲのパターン面とウエハＷ表面とが投影光学系
ＰＬに関して共役となるように、かつ投影光学系ＰＬの
結像面とウエハＷ表面とが一致する（ウエハ表面が投影
光学系ＰＬの最良結像面の焦点深度の範囲内に入る）よ
うに、主制御装置２０によりステージ制御系１９及びウ
エハ駆動装置２１を介して基板テーブル１８がＺ軸方向
及び傾斜方向に駆動制御されて面位置の調整が行われ
る。
【００７７】本実施形態の走査型露光装置１００では、
上記のようなウエハＷ上のショット領域に対する走査露
光によるレチクルパターンの転写と、次ショット領域の
走査開始位置へのステッピング動作とを繰り返し行うこ
とにより、ステップ・アンド・スキャン方式の露光が行
われ、ウエハＷ上の全ショット領域にレチクルパターン
が転写されるようになっている。
上記のようなウエハＷ上のショット領域に対する走査露
光によるレチクルパターンの転写と、次ショット領域の
走査開始位置へのステッピング動作とを繰り返し行うこ
とにより、ステップ・アンド・スキャン方式の露光が行
われ、ウエハＷ上の全ショット領域にレチクルパターン
が転写されるようになっている。
【００７８】更に、本実施形態では、ウエハＷ表面の前
記露光領域ＩＡ内部分及びその近傍の領域のＺ方向（光
軸ＡＸ方向）の位置を検出するための斜入射光式のフォ
ーカス検出系（焦点検出系）の一つである位置検出系と
しての多点フォーカス位置検出系が設けられている。こ
の多点フォーカス位置検出系は、図１に示されるよう
に、光ファイバ束８１、集光レンズ８２、パターン形成
板８３、レンズ８４、ミラー８５及び照射対物レンズ８
６から成る照射光学系４０と、集光対物レンズ８７、回
転方向振動板８８、結像レンズ８９、受光用スリット板
９８及び多数のフォトセンサを有する受光器９０から成
る受光光学系４２とから構成されている。
記露光領域ＩＡ内部分及びその近傍の領域のＺ方向（光
軸ＡＸ方向）の位置を検出するための斜入射光式のフォ
ーカス検出系（焦点検出系）の一つである位置検出系と
しての多点フォーカス位置検出系が設けられている。こ
の多点フォーカス位置検出系は、図１に示されるよう
に、光ファイバ束８１、集光レンズ８２、パターン形成
板８３、レンズ８４、ミラー８５及び照射対物レンズ８
６から成る照射光学系４０と、集光対物レンズ８７、回
転方向振動板８８、結像レンズ８９、受光用スリット板
９８及び多数のフォトセンサを有する受光器９０から成
る受光光学系４２とから構成されている。
【００７９】ここで、この多点フォーカス位置検出系
（４０、４２）の構成各部について、その作用とともに
説明する。露光光とは異なるウエハＷ上のフォトレジス
トを感光させない波長の照明光が、図示しない照明光源
から光ファイバ束８１を介して導かれている。光ファイ
バ束８１から射出された照明光は、集光レンズ８２を経
てパターン形成板８３を照明する。
（４０、４２）の構成各部について、その作用とともに
説明する。露光光とは異なるウエハＷ上のフォトレジス
トを感光させない波長の照明光が、図示しない照明光源
から光ファイバ束８１を介して導かれている。光ファイ
バ束８１から射出された照明光は、集光レンズ８２を経
てパターン形成板８３を照明する。
【００８０】このパターン形成板８３上には不図示の４
９個のスリット状の開口パターンが７行７列のマトリッ
クス状配置で形成されており、パターン形成板８３の各
スリット状の開口パターンを透過した照明光（開口パタ
ーンの像光束）はレンズ８４、ミラー８５及び照射対物
レンズ８６を経てウエハＷの露光面に投影され、ウエハ
Ｗの露光面にはパターン形成板８３上の７×７＝合計４
９個のスリット状の開口パターンの像が投影結像され
る。ここで、実際には、照射光学系４０からの開口パタ
ーンの像光束は、ＹＺ平面、ＸＺ平面に対し４５度を成
す平面内で光軸ＡＸに対して所定角度α傾斜した方向か
らウエハＷ面（又は基準マーク板ＦＭ表面）に照射され
る。
９個のスリット状の開口パターンが７行７列のマトリッ
クス状配置で形成されており、パターン形成板８３の各
スリット状の開口パターンを透過した照明光（開口パタ
ーンの像光束）はレンズ８４、ミラー８５及び照射対物
レンズ８６を経てウエハＷの露光面に投影され、ウエハ
Ｗの露光面にはパターン形成板８３上の７×７＝合計４
９個のスリット状の開口パターンの像が投影結像され
る。ここで、実際には、照射光学系４０からの開口パタ
ーンの像光束は、ＹＺ平面、ＸＺ平面に対し４５度を成
す平面内で光軸ＡＸに対して所定角度α傾斜した方向か
らウエハＷ面（又は基準マーク板ＦＭ表面）に照射され
る。
【００８１】このため、ウエハＷ表面の露光領域ＩＡ近
傍には、図３に示されるように、７行７列のマトリクス
状配置で７×７、合計４９個のＸ軸、Ｙ軸に対して４５
度傾斜したスリット状の開口パターンの像（以下、適宜
「スリット像」という）ｓ11〜ｓ77が、Ｘ軸、Ｙ軸方向
に沿ってほぼ等間隔で形成される。これらのスリット像
ｓ11〜ｓ77の光束のウエハＷ面からの反射光束が、光軸
ＡＸに対して前記照射光学系４０からの像光束と対称に
所定角度α傾斜した方向に進んで、集光対物レンズ８
７、回転方向振動板８８及び結像レンズ８９を経て受光
器９０の手前側に配置された受光用スリット板９８上に
再結像される。
傍には、図３に示されるように、７行７列のマトリクス
状配置で７×７、合計４９個のＸ軸、Ｙ軸に対して４５
度傾斜したスリット状の開口パターンの像（以下、適宜
「スリット像」という）ｓ11〜ｓ77が、Ｘ軸、Ｙ軸方向
に沿ってほぼ等間隔で形成される。これらのスリット像
ｓ11〜ｓ77の光束のウエハＷ面からの反射光束が、光軸
ＡＸに対して前記照射光学系４０からの像光束と対称に
所定角度α傾斜した方向に進んで、集光対物レンズ８
７、回転方向振動板８８及び結像レンズ８９を経て受光
器９０の手前側に配置された受光用スリット板９８上に
再結像される。
【００８２】これを更に詳述すると、受光器９０上には
スリット像ｓ11〜ｓ77に対応して７行７列のマトリクス
状に４９個のフォトセンサＤ11〜Ｄ77（図４参照）が配
列されており、この受光器９０の前面（図１における下
面）に配置された受光用スリット板９８には各フォトセ
ンサＤに対向してスリットがそれぞれ形成されており、
これらのスリット上にそれぞれ図３に示されるスリット
像ｓ11〜ｓ77がそれぞれ再結像される。
スリット像ｓ11〜ｓ77に対応して７行７列のマトリクス
状に４９個のフォトセンサＤ11〜Ｄ77（図４参照）が配
列されており、この受光器９０の前面（図１における下
面）に配置された受光用スリット板９８には各フォトセ
ンサＤに対向してスリットがそれぞれ形成されており、
これらのスリット上にそれぞれ図３に示されるスリット
像ｓ11〜ｓ77がそれぞれ再結像される。
【００８３】ここで、主制御装置２０には発振器（ＯＳ
Ｃ．）が内蔵されており、主制御装置２０によりＯＳ
Ｃ．からの駆動信号でドライブされる加振装置９２を介
して回転方向振動板８８に所定の振動が与えられると、
受光用スリット板９８上では再結像された各像の位置が
所定方向（スリット板９８の各スリットの長手方向と直
交する方向）に振動する。これにより、各フォトセンサ
Ｄ11〜Ｄ77の検出信号がセンサ選択回路９３を介して信
号処理装置９１により、回転振動周波数の信号で同期検
波される。そして、この信号処理装置９１により同期検
波して得られた多数のフォーカス信号が主制御装置２０
に供給される。なお、センサ選択回路９３及び信号処理
装置９１については後述する。なお、結像レンズ８９と
スリット板９８との間に、スリット板９８上のスリット
とウエハＷからの反射スリット像の振動中心との相対関
係を、スリット板９８の各スリットの長手方向と直交す
る方向）にシフトさせるプレーンパラレルを配置しても
良い。
Ｃ．）が内蔵されており、主制御装置２０によりＯＳ
Ｃ．からの駆動信号でドライブされる加振装置９２を介
して回転方向振動板８８に所定の振動が与えられると、
受光用スリット板９８上では再結像された各像の位置が
所定方向（スリット板９８の各スリットの長手方向と直
交する方向）に振動する。これにより、各フォトセンサ
Ｄ11〜Ｄ77の検出信号がセンサ選択回路９３を介して信
号処理装置９１により、回転振動周波数の信号で同期検
波される。そして、この信号処理装置９１により同期検
波して得られた多数のフォーカス信号が主制御装置２０
に供給される。なお、センサ選択回路９３及び信号処理
装置９１については後述する。なお、結像レンズ８９と
スリット板９８との間に、スリット板９８上のスリット
とウエハＷからの反射スリット像の振動中心との相対関
係を、スリット板９８の各スリットの長手方向と直交す
る方向）にシフトさせるプレーンパラレルを配置しても
良い。
【００８４】以上の説明から明らかなように、本実施形
態の場合、ウエハＷ上の検出点である各スリット像ｓ11
〜ｓ77と受光器９０上の各フォトセンサＤ11〜Ｄ77とは
１対１で対応し、各スリット像の位置のウエハ表面のＺ
位置の情報（フォーカス情報）が各フォトセンサＤから
の出力であるフォーカス信号に基づいて得られるので、
以下の説明では便宜上スリット像ｓ11〜ｓ77を特別に必
要のない限りフォーカスセンサと呼ぶものとする。
態の場合、ウエハＷ上の検出点である各スリット像ｓ11
〜ｓ77と受光器９０上の各フォトセンサＤ11〜Ｄ77とは
１対１で対応し、各スリット像の位置のウエハ表面のＺ
位置の情報（フォーカス情報）が各フォトセンサＤから
の出力であるフォーカス信号に基づいて得られるので、
以下の説明では便宜上スリット像ｓ11〜ｓ77を特別に必
要のない限りフォーカスセンサと呼ぶものとする。
【００８５】そして、フォーカスセンサｓ11〜ｓ77の
内、図３における露光領域ＩＡ内に位置する第３行のフ
ォーカスセンサｓ31〜ｓ37、第４行のフォーカスセンサ
ｓ41〜ｓ47及び第５行のフォーカスセンサｓ51〜ｓ57の
出力は、露光領域ＩＡ内の面位置設定のため基板テーブ
ル１８の追従制御に用いられるので、これら３行のフォ
ーカスセンサをそれぞれ追従センサ１０３ａ、１０３
ｂ、１０３ｃと呼ぶ。また、これら３行のフォーカスセ
ンサ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃをまとめて追従セン
サ１０３と呼ぶ。
内、図３における露光領域ＩＡ内に位置する第３行のフ
ォーカスセンサｓ31〜ｓ37、第４行のフォーカスセンサ
ｓ41〜ｓ47及び第５行のフォーカスセンサｓ51〜ｓ57の
出力は、露光領域ＩＡ内の面位置設定のため基板テーブ
ル１８の追従制御に用いられるので、これら３行のフォ
ーカスセンサをそれぞれ追従センサ１０３ａ、１０３
ｂ、１０３ｃと呼ぶ。また、これら３行のフォーカスセ
ンサ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃをまとめて追従セン
サ１０３と呼ぶ。
【００８６】また、本実施形態では、露光領域ＩＡの外
側に所定距離離れた位置に配置された第１行のフォーカ
スセンサｓ11〜ｓ17、第７行のフォーカスセンサｓ71〜
ｓ77の出力は、次のフォーカス状態を予測するため、す
なわちウエハＷ表面が＋Ｚ方向又は−Ｚ方向のいずれの
方向に変化するかの予測のためにのみ用いられるので、
これら２行のフォーカスセンサをそれぞれ先読みセンサ
１０２ａ、１０２ｂと呼ぶ。なお、各先読みセンサ１０
２ａ、１０２ｂを、追従センサ１０３と同様にそれぞれ
複数行のセンサ列で構成しても良く、このようにした場
合は、レベリングに関する予測も可能になる。例えば、
本実施形態では使用しない第２行のフォーカスセンサｓ
21〜ｓ27、第６行のフォーカスセンサｓ61〜ｓ67の出力
をそれぞれ各先読みセンサ１０２ａ、１０２ｂとして併
用するようにしても良い。
側に所定距離離れた位置に配置された第１行のフォーカ
スセンサｓ11〜ｓ17、第７行のフォーカスセンサｓ71〜
ｓ77の出力は、次のフォーカス状態を予測するため、す
なわちウエハＷ表面が＋Ｚ方向又は−Ｚ方向のいずれの
方向に変化するかの予測のためにのみ用いられるので、
これら２行のフォーカスセンサをそれぞれ先読みセンサ
１０２ａ、１０２ｂと呼ぶ。なお、各先読みセンサ１０
２ａ、１０２ｂを、追従センサ１０３と同様にそれぞれ
複数行のセンサ列で構成しても良く、このようにした場
合は、レベリングに関する予測も可能になる。例えば、
本実施形態では使用しない第２行のフォーカスセンサｓ
21〜ｓ27、第６行のフォーカスセンサｓ61〜ｓ67の出力
をそれぞれ各先読みセンサ１０２ａ、１０２ｂとして併
用するようにしても良い。
【００８７】次に、センサ選択回路９３及び信号処理装
置９１の構成について、図４に基づいて説明する。この
図４には、センサ選択回路９３と信号処理装置９１とが
受光器９０とともに概略的に示されている。この内、セ
ンサ選択回路９３は、スイッチ部ＡS と、レジスタ部Ｒ
S とから成り、スイッチ部ＡS 内には逆バイアス電圧が
印加されたフォトセンサ（ここではフォトダイオード）
Ｄ11、Ｄ12、……Ｄ77のＰ側に一方の固定接点がそれぞ
れ接続された切替スイッチＳＡ1 〜ＳＡ49と、各切替ス
イッチＳＡ1 〜ＳＡ49の可動接点（共通接点）とｎ本の
出力線Ｏ1 〜Ｏn との間に設けられた（４９×ｎ）個の
開閉スイッチＳＢ1-1 、ＳＢ1-2 、ＳＢ1-3 、……、Ｓ
Ｂ49-nとが配置されている。各切替スイッチＳＡ1 〜Ｓ
Ａ49の他方の固定接点は接地されている。また、フォト
センサＤ11〜Ｄ77のＮ側は不図示の電源回路に接続され
ている。また、ｎ本の光電変換信号の出力線Ｏ1 〜Ｏn
のそれぞれは、これらの出力線に対応して設けられた信
号処理回路９４1 〜９４nにそれぞれ接続されている。
置９１の構成について、図４に基づいて説明する。この
図４には、センサ選択回路９３と信号処理装置９１とが
受光器９０とともに概略的に示されている。この内、セ
ンサ選択回路９３は、スイッチ部ＡS と、レジスタ部Ｒ
S とから成り、スイッチ部ＡS 内には逆バイアス電圧が
印加されたフォトセンサ（ここではフォトダイオード）
Ｄ11、Ｄ12、……Ｄ77のＰ側に一方の固定接点がそれぞ
れ接続された切替スイッチＳＡ1 〜ＳＡ49と、各切替ス
イッチＳＡ1 〜ＳＡ49の可動接点（共通接点）とｎ本の
出力線Ｏ1 〜Ｏn との間に設けられた（４９×ｎ）個の
開閉スイッチＳＢ1-1 、ＳＢ1-2 、ＳＢ1-3 、……、Ｓ
Ｂ49-nとが配置されている。各切替スイッチＳＡ1 〜Ｓ
Ａ49の他方の固定接点は接地されている。また、フォト
センサＤ11〜Ｄ77のＮ側は不図示の電源回路に接続され
ている。また、ｎ本の光電変換信号の出力線Ｏ1 〜Ｏn
のそれぞれは、これらの出力線に対応して設けられた信
号処理回路９４1 〜９４nにそれぞれ接続されている。
【００８８】このため、例えば、切替スイッチＳＡ1 を
フォトセンサＤ11側に切り替え、開閉スイッチＳＢ1-1
をオンにすると、フォトセンサＤ11が受光する光の強さ
に比例した強さの逆電流（光電流、すなわち光電変換信
号）が、フォトセンサＤ11→スイッチＳＡ1 →スイッチ
ＳＢ1-1 の順に閉回路内を流れ、この電流が信号処理回
路９４1 によって検出され、デジタル信号に変換されて
信号出力回路９５に送出される。また、例えば、切替ス
イッチＳＡ49をフォトセンサＤ77側に切り替え、開閉ス
イッチＳＢ49-nをオンにすると、フォトセンサＤ77が受
光する光の強さに比例した強さの逆電流（光電流）が、
フォトセンサＤ77→スイッチＳＡ49→スイッチＳＢ49-n
の順に閉回路内を流れ、この電流が信号処理回路９４n
によって検出され、デジタル信号に変換されて、信号出
力回路９５に送出される。このように、本実施形態で
は、切替スイッチＳＡと開閉スイッチＳＢとの任意の組
み合わせをオンにすることにより、任意のフォトセンサ
Ｄの受光する光の強さに応じた光電流を所望の出力線Ｏ
を介して取り出すことが可能になっている。
フォトセンサＤ11側に切り替え、開閉スイッチＳＢ1-1
をオンにすると、フォトセンサＤ11が受光する光の強さ
に比例した強さの逆電流（光電流、すなわち光電変換信
号）が、フォトセンサＤ11→スイッチＳＡ1 →スイッチ
ＳＢ1-1 の順に閉回路内を流れ、この電流が信号処理回
路９４1 によって検出され、デジタル信号に変換されて
信号出力回路９５に送出される。また、例えば、切替ス
イッチＳＡ49をフォトセンサＤ77側に切り替え、開閉ス
イッチＳＢ49-nをオンにすると、フォトセンサＤ77が受
光する光の強さに比例した強さの逆電流（光電流）が、
フォトセンサＤ77→スイッチＳＡ49→スイッチＳＢ49-n
の順に閉回路内を流れ、この電流が信号処理回路９４n
によって検出され、デジタル信号に変換されて、信号出
力回路９５に送出される。このように、本実施形態で
は、切替スイッチＳＡと開閉スイッチＳＢとの任意の組
み合わせをオンにすることにより、任意のフォトセンサ
Ｄの受光する光の強さに応じた光電流を所望の出力線Ｏ
を介して取り出すことが可能になっている。
【００８９】レジスタ部Ｒｓ内には、切替スイッチＳＡ
1 〜ＳＡ49にそれぞれ対応して設けられた４９個の第１
レジスタＲＳ1 〜ＲＳ49と、開閉スイッチＳＢ1-1 〜Ｓ
Ｂ49 -nに対応してｎ個ずつ４９組設けられた第２レジス
タＲＳＳ1-1 〜ＲＳＳ49-nとが配置されている。第１レ
ジスタＲＳ1 〜ＲＳ49は、同一のラインＬ1 に共通に接
続され、第２レジスタＲＳＳ1-1 〜ＲＳＳ49-nは、同一
のラインＬ2 に共通に接続されている。従って、例え
ば、フォトセンサＤ11の出力を出力線Ｏ1 に出力させる
には、ラインＬ1 にデータ（Ｄａｔａ）１（「１，０，
０，………，０」）を入力し、ラインＬ2 にデータ（Ｄ
ａｔａ）２（「１，０，０，０，０，０，０、０，０，
０，０，０，０，０、………、０，０，０，０，０，
０，０」）を入力すれば良い。これにより、第１レジス
タＲＳ1 と第２レジスタＲＳＳ1-1 とが「１」で、その
他のレジスタは０となり、切替スイッチＳＡ1 がフォト
センサＤ11側に切り替えられ、開閉スイッチＳＢ1-1 が
オンとなって、フォトセンサＤ11の出力が出力線Ｏ1 に
出力される。このように、本実施例では、主制御装置４
４からラインＬ1 、ラインＬ2 を介してレジスタ部Ｒｓ
内に入力されるデータ１，データ２の内容によって、所
望のフォトセンサＤの出力を所望の出力線Ｏ、すなわち
これに対応する信号処理回路９４に出力させることがで
きる。従って、例えばｎ＝４９である場合には、各フォ
トセンサＤを各別に信号処理回路９４1 〜９４n にそれ
ぞれ独立して接続することにより主制御装置４４では露
光領域ＩＡ及びその前後の検出領域内の個々の検出点で
あるフォーカスセンサ位置の光軸方向位置を演算するこ
とができる。
1 〜ＳＡ49にそれぞれ対応して設けられた４９個の第１
レジスタＲＳ1 〜ＲＳ49と、開閉スイッチＳＢ1-1 〜Ｓ
Ｂ49 -nに対応してｎ個ずつ４９組設けられた第２レジス
タＲＳＳ1-1 〜ＲＳＳ49-nとが配置されている。第１レ
ジスタＲＳ1 〜ＲＳ49は、同一のラインＬ1 に共通に接
続され、第２レジスタＲＳＳ1-1 〜ＲＳＳ49-nは、同一
のラインＬ2 に共通に接続されている。従って、例え
ば、フォトセンサＤ11の出力を出力線Ｏ1 に出力させる
には、ラインＬ1 にデータ（Ｄａｔａ）１（「１，０，
０，………，０」）を入力し、ラインＬ2 にデータ（Ｄ
ａｔａ）２（「１，０，０，０，０，０，０、０，０，
０，０，０，０，０、………、０，０，０，０，０，
０，０」）を入力すれば良い。これにより、第１レジス
タＲＳ1 と第２レジスタＲＳＳ1-1 とが「１」で、その
他のレジスタは０となり、切替スイッチＳＡ1 がフォト
センサＤ11側に切り替えられ、開閉スイッチＳＢ1-1 が
オンとなって、フォトセンサＤ11の出力が出力線Ｏ1 に
出力される。このように、本実施例では、主制御装置４
４からラインＬ1 、ラインＬ2 を介してレジスタ部Ｒｓ
内に入力されるデータ１，データ２の内容によって、所
望のフォトセンサＤの出力を所望の出力線Ｏ、すなわち
これに対応する信号処理回路９４に出力させることがで
きる。従って、例えばｎ＝４９である場合には、各フォ
トセンサＤを各別に信号処理回路９４1 〜９４n にそれ
ぞれ独立して接続することにより主制御装置４４では露
光領域ＩＡ及びその前後の検出領域内の個々の検出点で
あるフォーカスセンサ位置の光軸方向位置を演算するこ
とができる。
【００９０】信号処理装置９１は、出力線Ｏ1 〜Ｏn に
それぞれ接続されたｎ個の信号処理回路９４1 〜９４n
を備えている。各信号処理回路９４には同期検波回路
（ＰＳＤ）が内蔵されており、このＰＳＤにはＯＳＣ．
からの駆動信号と同じ位相の交流信号が入力されてい
る。そして、各信号処理回路９４では、各出力線からの
信号を上記の交流信号の位相を基準としてそれぞれ同期
整流（同期検波）を行い、ウエハＷ上の各スリット像ｓ
11〜ｓ77の場所のＺ軸方向位置（フォーカス位置）に対
応する焦点位置検出信号（フォーカス信号）ＦＳを生成
する。そして、信号処理回路９４1 〜９４n からのフォ
ーカス信号ＦＳは、出力回路９５によりデジタル変換さ
れ、シリアルデータとして主制御装置２０に出力される
ようになっている。
それぞれ接続されたｎ個の信号処理回路９４1 〜９４n
を備えている。各信号処理回路９４には同期検波回路
（ＰＳＤ）が内蔵されており、このＰＳＤにはＯＳＣ．
からの駆動信号と同じ位相の交流信号が入力されてい
る。そして、各信号処理回路９４では、各出力線からの
信号を上記の交流信号の位相を基準としてそれぞれ同期
整流（同期検波）を行い、ウエハＷ上の各スリット像ｓ
11〜ｓ77の場所のＺ軸方向位置（フォーカス位置）に対
応する焦点位置検出信号（フォーカス信号）ＦＳを生成
する。そして、信号処理回路９４1 〜９４n からのフォ
ーカス信号ＦＳは、出力回路９５によりデジタル変換さ
れ、シリアルデータとして主制御装置２０に出力される
ようになっている。
【００９１】ところで、各フォーカス信号ＦＳは、いわ
ゆるＳカーブ信号と呼ばれ、受光用スリット板９８のス
リット中心とウエハＷからの反射スリット像の振動中心
とが一致したときに零レベルとなり、ウエハＷがその状
態から上方に変位しているときは正のレベル、ウエハＷ
が下方に変位しているときは負のレベルになる信号であ
る。従って、各フォーカス信号ＦＳにオフセットが加え
られていない状態では、主制御装置４４によって、各フ
ォーカス信号ＦＳが零レベルになるウエハＷの高さ位置
（光軸方向位置）が合焦点としてそれぞれ検出されるこ
とになる。
ゆるＳカーブ信号と呼ばれ、受光用スリット板９８のス
リット中心とウエハＷからの反射スリット像の振動中心
とが一致したときに零レベルとなり、ウエハＷがその状
態から上方に変位しているときは正のレベル、ウエハＷ
が下方に変位しているときは負のレベルになる信号であ
る。従って、各フォーカス信号ＦＳにオフセットが加え
られていない状態では、主制御装置４４によって、各フ
ォーカス信号ＦＳが零レベルになるウエハＷの高さ位置
（光軸方向位置）が合焦点としてそれぞれ検出されるこ
とになる。
【００９２】前述したように、本実施形態においては、
所望のフォトセンサＤの出力を所望の出力線Ｏ、すなわ
ちこれに対応する信号処理回路９４に出力させることが
でき、例えば、複数のフォトセンサＤが同一出力先に設
定された場合には、その出力先として指定された（選択
された）信号処理回路９４ではフォトセンサ出力の合成
信号を回転振動周波数の信号で同期検波し、その複数の
フォトセンサの出力の合成信号に対応するフォーカス信
号のデジタル変換データが主制御装置２０に出力され
る。
所望のフォトセンサＤの出力を所望の出力線Ｏ、すなわ
ちこれに対応する信号処理回路９４に出力させることが
でき、例えば、複数のフォトセンサＤが同一出力先に設
定された場合には、その出力先として指定された（選択
された）信号処理回路９４ではフォトセンサ出力の合成
信号を回転振動周波数の信号で同期検波し、その複数の
フォトセンサの出力の合成信号に対応するフォーカス信
号のデジタル変換データが主制御装置２０に出力され
る。
【００９３】次に、上述のようにして構成された本実施
形態の走査型露光装置１００におけるウエハＷ上の複数
のショット領域にレチクルパターンの露光を行う場合の
動作について、主制御装置２０内のＣＰＵの制御アルゴ
リズムを示す図５、図６のフローチャートに基づいて説
明する。
形態の走査型露光装置１００におけるウエハＷ上の複数
のショット領域にレチクルパターンの露光を行う場合の
動作について、主制御装置２０内のＣＰＵの制御アルゴ
リズムを示す図５、図６のフローチャートに基づいて説
明する。
【００９４】前提条件として、先に述べた通り、先読み
センサ１０２ａ、１０２ｂは、次のフォーカス状態を予
測するためにのみ用いられているので、先読みセンサ１
０２ａの各フォーカスセンサに対応するフォトセンサＤ
11〜Ｄ17、先読みセンサ１０２ｂの各フォーカスセンサ
に対応するフォトセンサＤ71〜Ｄ77は、ぞれぞれ同一出
力先である出力線Ｏ1 、出力線Ｏn に接続され、また、
追従センサ１０３を構成する各フォーカスセンサに対応
するフォトセンサＤ31〜Ｄ37、Ｄ41〜Ｄ47、Ｄ51〜Ｄ57
はそれぞれ異なる出力線Ｏ2〜Ｏｎ-1 （ｎ≧２３）に個
別に接続されているものとする。更に、図３から明らか
なように第２行目のフォーカスセンサｓ21〜ｓ27及び第
６行目のフォーカスセンサｓ61〜ｓ67は使用されないの
で、これらに対応するフォトセンサＤ21〜Ｄ27及びフォ
トセンサＤ61〜Ｄ67はいずれの出力線にも接続されてい
ないものとする。
センサ１０２ａ、１０２ｂは、次のフォーカス状態を予
測するためにのみ用いられているので、先読みセンサ１
０２ａの各フォーカスセンサに対応するフォトセンサＤ
11〜Ｄ17、先読みセンサ１０２ｂの各フォーカスセンサ
に対応するフォトセンサＤ71〜Ｄ77は、ぞれぞれ同一出
力先である出力線Ｏ1 、出力線Ｏn に接続され、また、
追従センサ１０３を構成する各フォーカスセンサに対応
するフォトセンサＤ31〜Ｄ37、Ｄ41〜Ｄ47、Ｄ51〜Ｄ57
はそれぞれ異なる出力線Ｏ2〜Ｏｎ-1 （ｎ≧２３）に個
別に接続されているものとする。更に、図３から明らか
なように第２行目のフォーカスセンサｓ21〜ｓ27及び第
６行目のフォーカスセンサｓ61〜ｓ67は使用されないの
で、これらに対応するフォトセンサＤ21〜Ｄ27及びフォ
トセンサＤ61〜Ｄ67はいずれの出力線にも接続されてい
ないものとする。
【００９５】また、オペレータにより不図示のコンソー
ル等から入力されたショット配列、ショットサイズ、各
ショットの露光順序その他の必要なデータに基づいて、
予めショットマップデータ（各ショット領域の露光順序
と走査方向とを定めたデータ）が作成され、不図示のメ
モリ内に格納されているものとする。
ル等から入力されたショット配列、ショットサイズ、各
ショットの露光順序その他の必要なデータに基づいて、
予めショットマップデータ（各ショット領域の露光順序
と走査方向とを定めたデータ）が作成され、不図示のメ
モリ内に格納されているものとする。
【００９６】さらに、以下の説明において、「特定エッ
ジショット」とは、走査露光中のいずれかの時点で、露
光領域ＩＡの一部（従ってこの場合には追従センサ１０
３のいずれか）がウエハＷの有効領域から外れるような
ウエハＷ周辺部のショット領域の内、ウエハＷに対して
露光領域ＩＡが内側から外側に相対走査される（従っ
て、ウエハＷは露光領域に対して反対向きに走査され
る）いわゆる内スキャンが行われるショット領域を意味
をする。また、ウエハＷの周辺部は通常テーパ状になっ
ていて露光に適さないパターン禁止帯が設けられてお
り、このパターン禁止帯の外縁をウエハの「エッジ」と
言い、その内部を「ウエハＷの有効領域」と呼ぶものと
する。
ジショット」とは、走査露光中のいずれかの時点で、露
光領域ＩＡの一部（従ってこの場合には追従センサ１０
３のいずれか）がウエハＷの有効領域から外れるような
ウエハＷ周辺部のショット領域の内、ウエハＷに対して
露光領域ＩＡが内側から外側に相対走査される（従っ
て、ウエハＷは露光領域に対して反対向きに走査され
る）いわゆる内スキャンが行われるショット領域を意味
をする。また、ウエハＷの周辺部は通常テーパ状になっ
ていて露光に適さないパターン禁止帯が設けられてお
り、このパターン禁止帯の外縁をウエハの「エッジ」と
言い、その内部を「ウエハＷの有効領域」と呼ぶものと
する。
【００９７】この図５の制御アルゴリズムがスタートす
るのは、ウエハ交換、レチクルアライメント等の準備作
業が終了し、ウエハ上の第１番目のショット領域（ファ
ーストショット）に対する露光（レチクルパターンの転
写）のための、レチクルステージＲＳＴ及び基板テーブ
ル１８の加速（助走：プリスキャン）が終了しレチクル
ステージＲＳＴと基板テーブル１８とが等速同期状態に
達した時点であるものとする。
るのは、ウエハ交換、レチクルアライメント等の準備作
業が終了し、ウエハ上の第１番目のショット領域（ファ
ーストショット）に対する露光（レチクルパターンの転
写）のための、レチクルステージＲＳＴ及び基板テーブ
ル１８の加速（助走：プリスキャン）が終了しレチクル
ステージＲＳＴと基板テーブル１８とが等速同期状態に
達した時点であるものとする。
【００９８】まず、ステップ１００でファーストショッ
トの走査露光を開始した後、ステップ１０１で当該露光
対象のショット領域（この場合ファーストショット）が
特定エッジショットであるか否かを判断する。このステ
ップ１０１における判断は、予め作成されメモリ内に格
納されたショットマップデータ（ウエハＷ内の複数のシ
ョット領域を順次露光処理する際に、予めショット配
列、露光順序、走査方向等が決定されたデータ）及び前
記フォーカスセンサの位置情報に基づいて、当該露光対
象のショット領域の露光終了位置（パターン転写の終了
位置）で、前記露光領域ＩＡの少なくとも一部、すなわ
ち追従センサ１０３のいずれかが前記ウエハの有効領域
外に位置するか否かを判断することにより行われる。
トの走査露光を開始した後、ステップ１０１で当該露光
対象のショット領域（この場合ファーストショット）が
特定エッジショットであるか否かを判断する。このステ
ップ１０１における判断は、予め作成されメモリ内に格
納されたショットマップデータ（ウエハＷ内の複数のシ
ョット領域を順次露光処理する際に、予めショット配
列、露光順序、走査方向等が決定されたデータ）及び前
記フォーカスセンサの位置情報に基づいて、当該露光対
象のショット領域の露光終了位置（パターン転写の終了
位置）で、前記露光領域ＩＡの少なくとも一部、すなわ
ち追従センサ１０３のいずれかが前記ウエハの有効領域
外に位置するか否かを判断することにより行われる。
【００９９】そして、このステップ１０１における判断
が否定された場合には、ステップ１１０に移行して、前
述した図１５のような放物線状（又はＵ字状）の移動軌
跡（以下、適宜「第１の移動軌跡」と呼ぶ）を設定し、
その移動軌跡に従って基板テーブル１８を制御するため
のデータをメモリ内の所定領域に格納する。
が否定された場合には、ステップ１１０に移行して、前
述した図１５のような放物線状（又はＵ字状）の移動軌
跡（以下、適宜「第１の移動軌跡」と呼ぶ）を設定し、
その移動軌跡に従って基板テーブル１８を制御するため
のデータをメモリ内の所定領域に格納する。
【０１００】一方、ステップ１０１における判断が肯定
された場合には、次のステップ１０２へ進んで同一行の
次ショットがあるか否かを判断する。ここで、同一行の
次ショットとは、非走査方向の隣接ショットを意味す
る。このステップ１０２における判断は、メモリ内に格
納されたショットマップデータに基づいて行われる。そ
して、このステップ１０２における判断が肯定された場
合には、次のステップ１０４に進んで当該露光対象のシ
ョット領域の露光終了後に行われるステッピング方向
（非走査方向のショット間移動方向）が中心に向かう方
向か否かを判断する。ここで、ステッピング方向が中心
に向かう方向とは、ウエハＷを固定して考えた場合に、
この固定のウエハＷ上を露光領域ＩＡが外側から中心に
向かって移動する場合（実際には、固定の露光領域ＩＡ
に対してウエハＷが中心側から外側に移動される場合）
を意味し、この反対の場合をステッピング方向が中心か
ら外側と呼ぶものとする。このステップ１０４における
判断は、メモリ内のショットマップデータに基づいて、
非走査方向に沿って見て次ショットが当該露光ショット
のウエハＷの中心側に位置するか否かを判断することに
よりなされる。そして、このステップ１０４における判
断が否定された場合には、ステップ１１０に移行する。
された場合には、次のステップ１０２へ進んで同一行の
次ショットがあるか否かを判断する。ここで、同一行の
次ショットとは、非走査方向の隣接ショットを意味す
る。このステップ１０２における判断は、メモリ内に格
納されたショットマップデータに基づいて行われる。そ
して、このステップ１０２における判断が肯定された場
合には、次のステップ１０４に進んで当該露光対象のシ
ョット領域の露光終了後に行われるステッピング方向
（非走査方向のショット間移動方向）が中心に向かう方
向か否かを判断する。ここで、ステッピング方向が中心
に向かう方向とは、ウエハＷを固定して考えた場合に、
この固定のウエハＷ上を露光領域ＩＡが外側から中心に
向かって移動する場合（実際には、固定の露光領域ＩＡ
に対してウエハＷが中心側から外側に移動される場合）
を意味し、この反対の場合をステッピング方向が中心か
ら外側と呼ぶものとする。このステップ１０４における
判断は、メモリ内のショットマップデータに基づいて、
非走査方向に沿って見て次ショットが当該露光ショット
のウエハＷの中心側に位置するか否かを判断することに
よりなされる。そして、このステップ１０４における判
断が否定された場合には、ステップ１１０に移行する。
【０１０１】一方、上記ステップ１０４における判断が
肯定された場合には、ステップ１０６に進んで次ショッ
トの露光のための基板テーブル１８の走査方向の加速開
始位置（走査開始位置）で露光領域ＩＡ（又は追従セン
サ１０３）の少なくとも一部がウエハＷの有効領域内に
位置するか否かを判断する。ここで、次ショットの露光
のための基板テーブル１８の走査方向の加速開始位置と
は、前述した図１４に示されるような移動軌跡を露光領
域ＩＡがとったときの次ショットの露光のための走査開
始位置を意味する。このステップ１０６における判断
も、メモリ内に格納されたショットマップデータ及びフ
ォーカスセンサの位置情報に基づいて行われる。そし
て、このステップ１０６における判断が否定された場合
には、ステップ１１０に移行する。
肯定された場合には、ステップ１０６に進んで次ショッ
トの露光のための基板テーブル１８の走査方向の加速開
始位置（走査開始位置）で露光領域ＩＡ（又は追従セン
サ１０３）の少なくとも一部がウエハＷの有効領域内に
位置するか否かを判断する。ここで、次ショットの露光
のための基板テーブル１８の走査方向の加速開始位置と
は、前述した図１４に示されるような移動軌跡を露光領
域ＩＡがとったときの次ショットの露光のための走査開
始位置を意味する。このステップ１０６における判断
も、メモリ内に格納されたショットマップデータ及びフ
ォーカスセンサの位置情報に基づいて行われる。そし
て、このステップ１０６における判断が否定された場合
には、ステップ１１０に移行する。
【０１０２】一方、上記ステップ１０６における判断が
肯定された場合には、ステップ１０８に進んで、前述し
た図１４と同様の移動軌跡（以下、適宜「第２の移動軌
跡」と呼ぶ）を設定し、その移動軌跡に従って基板テー
ブル１８を制御するためのデータをメモリ内の所定領域
に格納する。
肯定された場合には、ステップ１０８に進んで、前述し
た図１４と同様の移動軌跡（以下、適宜「第２の移動軌
跡」と呼ぶ）を設定し、その移動軌跡に従って基板テー
ブル１８を制御するためのデータをメモリ内の所定領域
に格納する。
【０１０３】この一方、前述したステップ１０２におけ
る判断が否定された場合には、ステップ１０５に移行し
て次行のショットがあるか否かを判断する。ここで、次
行とは走査方向の隣接行を意味する。このステップ１０
５における判断はメモリ内に格納されたショットマップ
データに基づいて行われる。そして、このステップ１０
５における判断が肯定された場合には、ステップ１０７
に移行して次行の第１番目のショット領域の露光（レチ
クルパターン転写）のための走査方向の走査開始位置へ
の移動軌跡（以下、適宜「第３の移動軌跡」と呼ぶ）を
設定し、その移動軌跡に従って基板テーブル１８を制御
するためのデータをメモリ内の所定領域に格納する。
る判断が否定された場合には、ステップ１０５に移行し
て次行のショットがあるか否かを判断する。ここで、次
行とは走査方向の隣接行を意味する。このステップ１０
５における判断はメモリ内に格納されたショットマップ
データに基づいて行われる。そして、このステップ１０
５における判断が肯定された場合には、ステップ１０７
に移行して次行の第１番目のショット領域の露光（レチ
クルパターン転写）のための走査方向の走査開始位置へ
の移動軌跡（以下、適宜「第３の移動軌跡」と呼ぶ）を
設定し、その移動軌跡に従って基板テーブル１８を制御
するためのデータをメモリ内の所定領域に格納する。
【０１０４】一方、上記ステップ１０５における判断が
否定された場合には、ステップ１０９に移行してその露
光対象ショット（この場合、最終ショット）の露光が終
了するのを待ち、該露光が終了すると、本ルーチンの一
連の動作を終了する。
否定された場合には、ステップ１０９に移行してその露
光対象ショット（この場合、最終ショット）の露光が終
了するのを待ち、該露光が終了すると、本ルーチンの一
連の動作を終了する。
【０１０５】これと異なり、第１の移動軌跡を設定した
場合（ステップ１１０）、第２の移動軌跡を設定した場
合（ステップ１０８）及び第３の移動軌跡を設定した場
合（ステップ１０７）のいずれの場合にも、ステップ１
１２に進んで当該露光対象ショットの露光が終了するの
を待つ。そして、露光が終了すると、ステップ１１４の
「ショットマップデータ及びメモリ内のデータに従っ
て、ショット間移動を行う」サブルーチンに移行する。
場合（ステップ１１０）、第２の移動軌跡を設定した場
合（ステップ１０８）及び第３の移動軌跡を設定した場
合（ステップ１０７）のいずれの場合にも、ステップ１
１２に進んで当該露光対象ショットの露光が終了するの
を待つ。そして、露光が終了すると、ステップ１１４の
「ショットマップデータ及びメモリ内のデータに従っ
て、ショット間移動を行う」サブルーチンに移行する。
【０１０６】図６には、ステップ１１４のサブルーチン
の内容が示されている。このサブルーチンでは、まず、
ステップ１２０においてメモリ内の所定領域のデータに
基づき、第１の移動軌跡が設定されているか否かを判断
する。そして、この判断が肯定された場合には、ステッ
プ１２２に進んでＹ方向（走査方向）の減速及びＸ方向
（非走査方向）のステッピングを開始する。
の内容が示されている。このサブルーチンでは、まず、
ステップ１２０においてメモリ内の所定領域のデータに
基づき、第１の移動軌跡が設定されているか否かを判断
する。そして、この判断が肯定された場合には、ステッ
プ１２２に進んでＹ方向（走査方向）の減速及びＸ方向
（非走査方向）のステッピングを開始する。
【０１０７】図７には、ショット間の移動軌跡として第
１の移動軌跡が設定された場合のウエハＷ上にＸ方向に
隣接する２ショットを連続して露光する場合の基板テー
ブル１８の速度制御マップが示されている。この図７の
上側は基板テーブル１８のＹ方向速度（すなわちＹステ
ージ１６の速度）を示し、下側は基板テーブル１８のＸ
方向速度（すなわちＸステージ１２の速度）を示す。こ
の図７においてＹ方向については、＋Ｙ方向に基板テー
ブル１８が移動するとき速度を正とし、Ｘ方向について
は基板テーブル１８が−Ｘ方向に移動するときを正とし
ている。また、横軸は時間を示す。上記ステップ１２２
では、図７のａ点以後に示されるような速度制御マップ
に従って基板テーブル１８の移動制御が行われる。
１の移動軌跡が設定された場合のウエハＷ上にＸ方向に
隣接する２ショットを連続して露光する場合の基板テー
ブル１８の速度制御マップが示されている。この図７の
上側は基板テーブル１８のＹ方向速度（すなわちＹステ
ージ１６の速度）を示し、下側は基板テーブル１８のＸ
方向速度（すなわちＸステージ１２の速度）を示す。こ
の図７においてＹ方向については、＋Ｙ方向に基板テー
ブル１８が移動するとき速度を正とし、Ｘ方向について
は基板テーブル１８が−Ｘ方向に移動するときを正とし
ている。また、横軸は時間を示す。上記ステップ１２２
では、図７のａ点以後に示されるような速度制御マップ
に従って基板テーブル１８の移動制御が行われる。
【０１０８】図６のステップ１２４では基板テーブル１
８のＸ方向位置がステッピング終了位置から閾値距離Ｌ
内の位置に達するのを待つ。この場合、閾値距離Ｌは図
７の斜線部の面積に相当する距離が定められており、従
って、ステップ１２４ではウエハ干渉計３１の計測値を
モニタしつつ図７の速度制御マップに従って時間ａ−ｂ
間に進む距離だけステッピング開始位置からＸ方向に移
動するのを待つことになる。
８のＸ方向位置がステッピング終了位置から閾値距離Ｌ
内の位置に達するのを待つ。この場合、閾値距離Ｌは図
７の斜線部の面積に相当する距離が定められており、従
って、ステップ１２４ではウエハ干渉計３１の計測値を
モニタしつつ図７の速度制御マップに従って時間ａ−ｂ
間に進む距離だけステッピング開始位置からＸ方向に移
動するのを待つことになる。
【０１０９】そして、基板テーブル１８のＸ方向位置が
ステッピング終了位置から閾値距離内の位置に達する
と、ステップ１３０に進み、次ショットの露光のための
Ｙ方向（走査方向）の加速を開始し（図７参照）、メイ
ンルーチンのステップ１１６にリターンする。その後、
図７のｂ点以後の速度制御マップに従って基板テーブル
１８のＹ方向、Ｘ方向の速度制御が行われる。
ステッピング終了位置から閾値距離内の位置に達する
と、ステップ１３０に進み、次ショットの露光のための
Ｙ方向（走査方向）の加速を開始し（図７参照）、メイ
ンルーチンのステップ１１６にリターンする。その後、
図７のｂ点以後の速度制御マップに従って基板テーブル
１８のＹ方向、Ｘ方向の速度制御が行われる。
【０１１０】一方、上記ステップ１２０における判断が
否定された場合には、ステップ１２１に進んでメモリ内
の所定領域のデータに基づき、第２の移動軌跡が設定さ
れているか否かを判断する。そして、この判断が肯定さ
れた場合には、ステップ１２６に進んでＹ方向（走査方
向）の減速及びＸ方向（非走査方向）のステッピングを
開始する。
否定された場合には、ステップ１２１に進んでメモリ内
の所定領域のデータに基づき、第２の移動軌跡が設定さ
れているか否かを判断する。そして、この判断が肯定さ
れた場合には、ステップ１２６に進んでＹ方向（走査方
向）の減速及びＸ方向（非走査方向）のステッピングを
開始する。
【０１１１】図９には、ショット間の移動軌跡として第
２の移動軌跡が設定された場合のウエハＷ上にＸ方向に
隣接する２ショットを連続して露光する場合の基板テー
ブル１８の速度制御マップが示されている。この図９の
上側は基板テーブル１８のＹ方向速度（すなわちＹステ
ージ１６の速度）を示し、下側は基板テーブル１８のＸ
方向速度（すなわちＸステージ１２の速度）を示す。こ
の図９において、Ｙ方向については＋Ｙ方向に基板テー
ブル１８が移動するときを正とし、Ｘ方向については−
Ｘ方向に基板テーブル１８が移動するときを正としてい
る。また、横軸は時間を示す。上記ステップ１２６で
は、図９のｅ点以後に示されるような速度制御マップに
従って基板テーブル１８の移動制御が行われる。
２の移動軌跡が設定された場合のウエハＷ上にＸ方向に
隣接する２ショットを連続して露光する場合の基板テー
ブル１８の速度制御マップが示されている。この図９の
上側は基板テーブル１８のＹ方向速度（すなわちＹステ
ージ１６の速度）を示し、下側は基板テーブル１８のＸ
方向速度（すなわちＸステージ１２の速度）を示す。こ
の図９において、Ｙ方向については＋Ｙ方向に基板テー
ブル１８が移動するときを正とし、Ｘ方向については−
Ｘ方向に基板テーブル１８が移動するときを正としてい
る。また、横軸は時間を示す。上記ステップ１２６で
は、図９のｅ点以後に示されるような速度制御マップに
従って基板テーブル１８の移動制御が行われる。
【０１１２】図６のステップ１２８では基板テーブル１
８のＸ方向のステッピングが終了するのを待つ。すなわ
ち、ステップ１２８ではウエハ干渉計３１の計測値をモ
ニタしつつ図９の速度制御マップに従って時間ｅ−ｆ間
に進む距離（隣接ショット間隔に相当）だけステッピン
グ開始位置からＸ方向に移動するのを待つことになる。
８のＸ方向のステッピングが終了するのを待つ。すなわ
ち、ステップ１２８ではウエハ干渉計３１の計測値をモ
ニタしつつ図９の速度制御マップに従って時間ｅ−ｆ間
に進む距離（隣接ショット間隔に相当）だけステッピン
グ開始位置からＸ方向に移動するのを待つことになる。
【０１１３】そして、基板テーブル１８のＸ方向のステ
ッピングが終了すると、ステップ１３０に進み、次ショ
ットの露光のためのＹ方向（走査方向）の加速を開始し
（図９参照）、メインルーチンのステップ１１６にリタ
ーンする。その後、図９のｆ点以後の速度制御マップに
従って基板テーブル１８のＹ方向の速度制御が行われ
る。
ッピングが終了すると、ステップ１３０に進み、次ショ
ットの露光のためのＹ方向（走査方向）の加速を開始し
（図９参照）、メインルーチンのステップ１１６にリタ
ーンする。その後、図９のｆ点以後の速度制御マップに
従って基板テーブル１８のＹ方向の速度制御が行われ
る。
【０１１４】この一方、上記ステップ１２１における判
断が否定された場合、すなわち前述したステップ１０７
においてメモリ内に第３の移動軌跡のデータが格納され
ている場合には、ステップ１２３に進んでその移動軌跡
のデータに従って基板テーブル１８を次行の第１番目の
ショットの走査開始位置へ移動を開始する。そして、ス
テップ１２５でその移動が終了するのを待ち、基板テー
ブル１８が次行の第１番目のショットの走査開始位置へ
移動すると、ステップ１３０に進み、次ショットの露光
のためのＹ方向（走査方向）の加速を開始し、メインル
ーチンのステップ１１６にリターンする。
断が否定された場合、すなわち前述したステップ１０７
においてメモリ内に第３の移動軌跡のデータが格納され
ている場合には、ステップ１２３に進んでその移動軌跡
のデータに従って基板テーブル１８を次行の第１番目の
ショットの走査開始位置へ移動を開始する。そして、ス
テップ１２５でその移動が終了するのを待ち、基板テー
ブル１８が次行の第１番目のショットの走査開始位置へ
移動すると、ステップ１３０に進み、次ショットの露光
のためのＹ方向（走査方向）の加速を開始し、メインル
ーチンのステップ１１６にリターンする。
【０１１５】図５に戻り、ステップ１１６では、走査方
向（Ｙ方向）の加速が終了するのを待ち、基板テーブル
１８が目標走査速度（スキャン速度）ＶW まで加速され
ると、ステップ１００に戻って露光を開始し、以後上述
した処理・判断を繰り返す。
向（Ｙ方向）の加速が終了するのを待ち、基板テーブル
１８が目標走査速度（スキャン速度）ＶW まで加速され
ると、ステップ１００に戻って露光を開始し、以後上述
した処理・判断を繰り返す。
【０１１６】図１０には、上で説明したフローチャート
に従った露光シーケンスにおける基板テーブル１８の移
動軌跡の一例が示されている。なお、この図１０におい
ては、説明を分かり易くするため及び図示の便宜上から
ウエハＷを固定として露光領域ＩＡが移動するものとし
て、基板テーブル１８の移動軌跡に変えて露光領域ＩＡ
の中心Ｏの軌跡が示されているが、実際には、露光領域
ＩＡが固定であり、基板テーブル１８が移動するので、
実質的には、この図１０は基板テーブル１８の移動軌跡
を示したものに他ならない。
に従った露光シーケンスにおける基板テーブル１８の移
動軌跡の一例が示されている。なお、この図１０におい
ては、説明を分かり易くするため及び図示の便宜上から
ウエハＷを固定として露光領域ＩＡが移動するものとし
て、基板テーブル１８の移動軌跡に変えて露光領域ＩＡ
の中心Ｏの軌跡が示されているが、実際には、露光領域
ＩＡが固定であり、基板テーブル１８が移動するので、
実質的には、この図１０は基板テーブル１８の移動軌跡
を示したものに他ならない。
【０１１７】ここでは、ショット領域（以下、「ショッ
ト」という）Ａをファーストショットとして、以後、シ
ョットＢ→ショットＣの順序で、いわゆる完全交互スキ
ャンにより、露光処理が行われる場合について説明す
る。まず、ショット領域Ａの露光が開始されると（図５
のステップ１００）、当該ショットＡが特定エッジショ
ットであるか否かが前述の如くして判断される（図５の
ステップ１０１）。この場合、図１０中に露光領域Ｉ
Ａ’（中心Ｏ’）として示されるように、ショットＡの
露光終了位置で露光領域ＩＡの一部がウエハＷの有効領
域外に位置するので、ショットＡは特定エッジショット
であるから、次いで同一行の次ショットがあるか否かが
判断される（図５のステップ１０２）。この場合、次シ
ョットＢがあるので、次いでステッピング方向が中心に
向かうか否かが判断される（ステップ１０４）。この場
合、次ショットＢがショットＡの非走査方向に沿って見
てウエハＷの中心側に位置するので、次いで走査開始位
置で露光領域ＩＡの一部（又は全部）がウエハＷ上に位
置するか否かが判断される（図５のステップ１０６）。
この場合、図１０中の露光領域ＩＡで示されるように、
ショットＢの走査開始位置で露光領域ＩＡがウエハＷ上
に位置するので、第２の移動軌跡、すなわち図１４の従
来例と同様の基板テーブル１８のショット間移動軌跡の
データが設定される（図５のステップ１０８）。この結
果、ショットＡの露光が終了すると（図５のステップ１
１２）、前述した図９の速度制御マップに従って、ショ
ットＡ、Ｂ間のステッピングが行われ、ステッピング完
了と同時にショットＢの露光のための走査（加速）が開
始される。このときの移動軌跡は図１０の通りである。
ト」という）Ａをファーストショットとして、以後、シ
ョットＢ→ショットＣの順序で、いわゆる完全交互スキ
ャンにより、露光処理が行われる場合について説明す
る。まず、ショット領域Ａの露光が開始されると（図５
のステップ１００）、当該ショットＡが特定エッジショ
ットであるか否かが前述の如くして判断される（図５の
ステップ１０１）。この場合、図１０中に露光領域Ｉ
Ａ’（中心Ｏ’）として示されるように、ショットＡの
露光終了位置で露光領域ＩＡの一部がウエハＷの有効領
域外に位置するので、ショットＡは特定エッジショット
であるから、次いで同一行の次ショットがあるか否かが
判断される（図５のステップ１０２）。この場合、次シ
ョットＢがあるので、次いでステッピング方向が中心に
向かうか否かが判断される（ステップ１０４）。この場
合、次ショットＢがショットＡの非走査方向に沿って見
てウエハＷの中心側に位置するので、次いで走査開始位
置で露光領域ＩＡの一部（又は全部）がウエハＷ上に位
置するか否かが判断される（図５のステップ１０６）。
この場合、図１０中の露光領域ＩＡで示されるように、
ショットＢの走査開始位置で露光領域ＩＡがウエハＷ上
に位置するので、第２の移動軌跡、すなわち図１４の従
来例と同様の基板テーブル１８のショット間移動軌跡の
データが設定される（図５のステップ１０８）。この結
果、ショットＡの露光が終了すると（図５のステップ１
１２）、前述した図９の速度制御マップに従って、ショ
ットＡ、Ｂ間のステッピングが行われ、ステッピング完
了と同時にショットＢの露光のための走査（加速）が開
始される。このときの移動軌跡は図１０の通りである。
【０１１８】ここで、上記ステップ１０１、１０４、１
０６の全ての条件を満足する２ショット（例えば、ショ
ットＡ、Ｂ）間の移動軌跡を第２の移動軌跡とするの
は、次のような理由による。
０６の全ての条件を満足する２ショット（例えば、ショ
ットＡ、Ｂ）間の移動軌跡を第２の移動軌跡とするの
は、次のような理由による。
【０１１９】すなわち、ショットＡのような特定エッジ
ショットにおいては、完全交互スキャンの場合、次ショ
ットでは露光領域ＩＡがウエハＷの外側から内側へ走査
されるようなスキャン（外スキャン）が行われるが、か
かる外スキャン中にフォーカスの制御を高精度に行うた
めには、フォーカス制御に用いられるフォーカスセンサ
の選択を最適化するとともにそのセンサ出力に基づくフ
ォーカス制御（又はフォーカス・レベリング制御）の開
始点を定める必要があり、特にステッピング中に露光領
域ＩＡがウエハエッジに掛かるようなショットでは、各
フォーカスセンサの配置とウエハＷのショット間移動軌
跡とを考慮してフォーカス制御が可能となる基板テーブ
ル１８の（Ｘ、Ｙ座標位置）を求めるため、非常に複雑
な演算を行う必要があるが、このようなことは現実的な
選択となり得ない。
ショットにおいては、完全交互スキャンの場合、次ショ
ットでは露光領域ＩＡがウエハＷの外側から内側へ走査
されるようなスキャン（外スキャン）が行われるが、か
かる外スキャン中にフォーカスの制御を高精度に行うた
めには、フォーカス制御に用いられるフォーカスセンサ
の選択を最適化するとともにそのセンサ出力に基づくフ
ォーカス制御（又はフォーカス・レベリング制御）の開
始点を定める必要があり、特にステッピング中に露光領
域ＩＡがウエハエッジに掛かるようなショットでは、各
フォーカスセンサの配置とウエハＷのショット間移動軌
跡とを考慮してフォーカス制御が可能となる基板テーブ
ル１８の（Ｘ、Ｙ座標位置）を求めるため、非常に複雑
な演算を行う必要があるが、このようなことは現実的な
選択となり得ない。
【０１２０】しかるに、従来の図１４のようなシーケン
スであれば、先にも説明したように、フォーカスセンサ
の選択を最適化するとともにＸ座標を固定した状態でそ
のセンサがステッピング中にウエハＷに乗るＹ座標をウ
エハ外径に基づいて計算しておくだけで、そのＹ座標位
置に基板テーブル１８が達した時点からフォーカス制御
を開始することができるようになっていた。
スであれば、先にも説明したように、フォーカスセンサ
の選択を最適化するとともにＸ座標を固定した状態でそ
のセンサがステッピング中にウエハＷに乗るＹ座標をウ
エハ外径に基づいて計算しておくだけで、そのＹ座標位
置に基板テーブル１８が達した時点からフォーカス制御
を開始することができるようになっていた。
【０１２１】そこで、ステッピング中にウエハエッジに
掛かるようなショットの内、移動軌跡の設定の仕方によ
り走査開始点からフォーカス制御を、従来と同様の簡単
な演算により開始できるショットについては、スループ
ットを多少犠牲にしてもそのようにすることとしたもの
である。
掛かるようなショットの内、移動軌跡の設定の仕方によ
り走査開始点からフォーカス制御を、従来と同様の簡単
な演算により開始できるショットについては、スループ
ットを多少犠牲にしてもそのようにすることとしたもの
である。
【０１２２】ショットＢの露光のための加速が開始され
ると、この加速時点でウエハＷの有効領域内にあるフォ
ーカスセンサを用いてフォーカス制御が開始される。そ
して、ショットＢの露光のための加速が終了すると（ス
テップ１１６）、ショットＢの露光が開始される。そし
て、ショットＢが特定エッジショットであるか否かが判
断されるが、ショットＢは特定エッジショットでないの
で、露光中に第１の移動軌跡が設定される（ステップ１
１０）。このショットＢの露光中のフォーカス・レベリ
ング制御は、先に走査開始時点で用いられたフォーカス
センサのみをずっと用いて行っても良いが、加速中にウ
エハ有効領域内となったフォーカスセンサを徐々に増や
して用いるようにしても良い。このようなことは、主制
御装置２０がセンサ選択回路９３を介して制御に用いる
フォーカスセンサを追加選択することにより容易に行う
ことができる。
ると、この加速時点でウエハＷの有効領域内にあるフォ
ーカスセンサを用いてフォーカス制御が開始される。そ
して、ショットＢの露光のための加速が終了すると（ス
テップ１１６）、ショットＢの露光が開始される。そし
て、ショットＢが特定エッジショットであるか否かが判
断されるが、ショットＢは特定エッジショットでないの
で、露光中に第１の移動軌跡が設定される（ステップ１
１０）。このショットＢの露光中のフォーカス・レベリ
ング制御は、先に走査開始時点で用いられたフォーカス
センサのみをずっと用いて行っても良いが、加速中にウ
エハ有効領域内となったフォーカスセンサを徐々に増や
して用いるようにしても良い。このようなことは、主制
御装置２０がセンサ選択回路９３を介して制御に用いる
フォーカスセンサを追加選択することにより容易に行う
ことができる。
【０１２３】そして、ショットＢの露光が終了すると
（ステップ１１２）、前述した図７の速度制御マップに
従って、ショットＢ、Ｃ間のステッピングが行われる。
この場合、図７から明らかなように、ステッピング中に
ショットＢの露光のための走査（加速）が開始される。
このときの移動軌跡は図１０の通りである。従って、ス
テッピング時間とプリスキャン時間とを一部オーバーラ
ップすることができるので、その分スループットの向上
が可能である。
（ステップ１１２）、前述した図７の速度制御マップに
従って、ショットＢ、Ｃ間のステッピングが行われる。
この場合、図７から明らかなように、ステッピング中に
ショットＢの露光のための走査（加速）が開始される。
このときの移動軌跡は図１０の通りである。従って、ス
テッピング時間とプリスキャン時間とを一部オーバーラ
ップすることができるので、その分スループットの向上
が可能である。
【０１２４】ここで、非走査方向のショット間隔が大き
く（すなわちショットサイズが大きく）Ｘ方向のステッ
ピング距離が大きい場合を考えてみる。この場合の基板
テーブル１８の速度制御マップの一例が図８に示されて
いる。この場合も、閾値距離Ｌが定められているので、
必ず加速終了時点（ｄ点）ではＸ方向のステッピングが
終了しているとともに、その閾値距離Ｌに対応する時間
ｂ−ｃだけステッピング時間とプリスキャン時間とをオ
ーバーラップさせることができるので、スループットの
向上が可能である。走査速度が小さく、基板テーブル１
８の走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオー
バースキャン時間）が短い場合も同様である。また、数
ショットおきにステッピングを行うような場合にも、上
記の閾値距離Ｌを定めれば、同様にステッピング時間と
プリスキャン時間とを一部オーバーラップさせることが
できる。
く（すなわちショットサイズが大きく）Ｘ方向のステッ
ピング距離が大きい場合を考えてみる。この場合の基板
テーブル１８の速度制御マップの一例が図８に示されて
いる。この場合も、閾値距離Ｌが定められているので、
必ず加速終了時点（ｄ点）ではＸ方向のステッピングが
終了しているとともに、その閾値距離Ｌに対応する時間
ｂ−ｃだけステッピング時間とプリスキャン時間とをオ
ーバーラップさせることができるので、スループットの
向上が可能である。走査速度が小さく、基板テーブル１
８の走査方向の加減速時間（プリスキャン時間及びオー
バースキャン時間）が短い場合も同様である。また、数
ショットおきにステッピングを行うような場合にも、上
記の閾値距離Ｌを定めれば、同様にステッピング時間と
プリスキャン時間とを一部オーバーラップさせることが
できる。
【０１２５】ところで、所定の閾値距離Ｌは、例えば予
め定めた基板テーブル１８の非走査方向の速度制御マッ
プと走査方向の速度制御マップとに基づいて、走査方向
の助走時間（加速開始位置から加速終了位置までの時
間）よりその移動に要する時間が短くなるという条件を
少なくとも満足する非走査方向の距離が定められる。
め定めた基板テーブル１８の非走査方向の速度制御マッ
プと走査方向の速度制御マップとに基づいて、走査方向
の助走時間（加速開始位置から加速終了位置までの時
間）よりその移動に要する時間が短くなるという条件を
少なくとも満足する非走査方向の距離が定められる。
【０１２６】しかし、通常、基板テーブル１８の走査方
向の加速度はほぼ最大加速度に設定されるため、目標走
査速度（スキャン速度）により加速時間（プリスキャン
時間）が変わるため、主制御装置２０は、非走査方向の
閾値距離Ｌを、パターン転写時の基板テーブル１８の目
標走査速度に応じて変更するようにすることが望まし
い。例えば、スキャン速度が小さい時、加速時間も小さ
くなるので、閾値距離Ｌも小さくする。例えば、スキャ
ンスピードに比例した値を閾値距離Ｌとしても良い。こ
れにより、目標走査速度が変更されても支障なく、かつ
スループットを可能な限り高い状態で維持できる。
向の加速度はほぼ最大加速度に設定されるため、目標走
査速度（スキャン速度）により加速時間（プリスキャン
時間）が変わるため、主制御装置２０は、非走査方向の
閾値距離Ｌを、パターン転写時の基板テーブル１８の目
標走査速度に応じて変更するようにすることが望まし
い。例えば、スキャン速度が小さい時、加速時間も小さ
くなるので、閾値距離Ｌも小さくする。例えば、スキャ
ンスピードに比例した値を閾値距離Ｌとしても良い。こ
れにより、目標走査速度が変更されても支障なく、かつ
スループットを可能な限り高い状態で維持できる。
【０１２７】以後、上記と同様にして、ショットＣ以降
の露光動作及びショット間移動動作が図５のフローチャ
ートに沿って行われる。図１０のショットマップにおい
て、露光中に上記ステップ１０１の判断が肯定されるの
は、ショットＡの他に、ショットＩ，Ｋがあるが、その
内、ショットＫの露光の際には、ステップ１０４の判断
が否定され、残りのショットＩの露光の際にはステップ
１０６の判断が否定されるので、結論としてこれらのシ
ョットＩ、Ｋとそれぞれの次ショットＪ、Ｌとの間で
は、スループットを優先した第１の移動軌跡（放物線状
軌跡）に従って基板テーブル１８の移動が行われる。こ
れは、これらのショット間では、ショット間の移動軌跡
を変更しても次ショットＪ、Ｋの走査開始点からフォー
カス制御を行うことができないため、各次ショットＪ、
Ｋのパターン転写に際しては、スループットを最優先し
て基板テーブルび走査方向の加速を基板テーブル１８の
非走査方向の移動終了前に開始することとしたものであ
る。これらのショットＪ、Ｋのように、走査開始点から
フォーカス制御を行うことができないウエハ周辺の区画
領域では、走査開始後フォーカスセンサがウエハＷ上に
掛かった段階からそのフォーカスセンサの検出結果に基
づいてウエハ駆動装置２１を介してウエハＷの光軸方向
位置の制御（フォーカス制御）又はウエハＷの光軸方向
位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制御）
が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生じる
ことはない。なお、ショットＧはウエハＷ上にないので
ダミーのショットである。
の露光動作及びショット間移動動作が図５のフローチャ
ートに沿って行われる。図１０のショットマップにおい
て、露光中に上記ステップ１０１の判断が肯定されるの
は、ショットＡの他に、ショットＩ，Ｋがあるが、その
内、ショットＫの露光の際には、ステップ１０４の判断
が否定され、残りのショットＩの露光の際にはステップ
１０６の判断が否定されるので、結論としてこれらのシ
ョットＩ、Ｋとそれぞれの次ショットＪ、Ｌとの間で
は、スループットを優先した第１の移動軌跡（放物線状
軌跡）に従って基板テーブル１８の移動が行われる。こ
れは、これらのショット間では、ショット間の移動軌跡
を変更しても次ショットＪ、Ｋの走査開始点からフォー
カス制御を行うことができないため、各次ショットＪ、
Ｋのパターン転写に際しては、スループットを最優先し
て基板テーブルび走査方向の加速を基板テーブル１８の
非走査方向の移動終了前に開始することとしたものであ
る。これらのショットＪ、Ｋのように、走査開始点から
フォーカス制御を行うことができないウエハ周辺の区画
領域では、走査開始後フォーカスセンサがウエハＷ上に
掛かった段階からそのフォーカスセンサの検出結果に基
づいてウエハ駆動装置２１を介してウエハＷの光軸方向
位置の制御（フォーカス制御）又はウエハＷの光軸方向
位置制御及び傾斜制御（フォーカス・レベリング制御）
が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生じる
ことはない。なお、ショットＧはウエハＷ上にないので
ダミーのショットである。
【０１２８】これまでの説明から明らかなように、本第
１の実施形態では、Ｘステージ１２、Ｙステージ１６、
ウエハ駆動装置２１、ステージ制御系１９及び主制御装
置２０によって、基板ステージを駆動する駆動装置が構
成されている。
１の実施形態では、Ｘステージ１２、Ｙステージ１６、
ウエハ駆動装置２１、ステージ制御系１９及び主制御装
置２０によって、基板ステージを駆動する駆動装置が構
成されている。
【０１２９】以上詳細に説明したように、本第１の実施
形態に係る走査型露光装置１００及びその走査露光方法
によると、各ショットのスキャン露光の開始までにショ
ット間ステッピング動作が確実に終わるようにするとと
もに、複雑な計算を行うことなく、フォーカス制御遅れ
に起因するデフォーカスの発生を可能な限り抑制して露
光精度低下を極力防止しつつ、最大限スループットの向
上を図ることができるという効果がある。
形態に係る走査型露光装置１００及びその走査露光方法
によると、各ショットのスキャン露光の開始までにショ
ット間ステッピング動作が確実に終わるようにするとと
もに、複雑な計算を行うことなく、フォーカス制御遅れ
に起因するデフォーカスの発生を可能な限り抑制して露
光精度低下を極力防止しつつ、最大限スループットの向
上を図ることができるという効果がある。
【０１３０】《第２の実施形態》次に、本発明の第２の
実施形態に係る走査型露光装置及びその露光方法につい
て図１１及び図１０に基づいて説明する。ここで、前述
した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分につ
いては同一の符号を用いるとともに、その説明を省略す
る。
実施形態に係る走査型露光装置及びその露光方法につい
て図１１及び図１０に基づいて説明する。ここで、前述
した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分につ
いては同一の符号を用いるとともに、その説明を省略す
る。
【０１３１】本第２の実施形態の装置は、前述した第１
の実施形態と比べて、ウエハＷ上の複数のショット領域
にレチクルパターンの露光を行う場合の主制御装置２０
内ＣＰＵの制御アルゴリズムが僅かに異なるのみであ
り、その他の構成等は第１の実施形態と同じである。そ
こで、以下においては、この異なる点を中心に説明す
る。図１１には、この第２の実施形態の装置の主制御装
置２０内のＣＰＵの制御アルゴリズムを示すメインルー
チンのフローチャートが示されている。
の実施形態と比べて、ウエハＷ上の複数のショット領域
にレチクルパターンの露光を行う場合の主制御装置２０
内ＣＰＵの制御アルゴリズムが僅かに異なるのみであ
り、その他の構成等は第１の実施形態と同じである。そ
こで、以下においては、この異なる点を中心に説明す
る。図１１には、この第２の実施形態の装置の主制御装
置２０内のＣＰＵの制御アルゴリズムを示すメインルー
チンのフローチャートが示されている。
【０１３２】この図１１と前述した図５との違いは、前
記ステップ１０１、１０４、１０６にそれぞれ代えてス
テップ１０１’、１０４’、１０６’の判断ステップが
それぞれ設けられた点のみである。
記ステップ１０１、１０４、１０６にそれぞれ代えてス
テップ１０１’、１０４’、１０６’の判断ステップが
それぞれ設けられた点のみである。
【０１３３】ステップ１０１’では、次ショットが第２
の特定エッジショットであるか否かを判断する。ここで
「第２の特定エッジショット」とは、走査露光中のいず
れかの時点で、露光領域ＩＡの一部（従ってこの場合に
は追従センサ１０３のいずれか）がウエハＷの有効領域
から外れるようなウエハＷ周辺部のショット領域の内、
ウエハＷに対して露光領域ＩＡが外側から内側に相対走
査される（従って、ウエハＷは露光領域に対して反対向
きに走査される）いわゆる外スキャンが行われるショッ
ト領域を意味をする。このステップ１０１’における判
断は、メモリ内のショットマップデータとフォーカスセ
ンサの位置データとに基づいて、当該露光対象のショッ
ト領域の次ショット領域の露光開始位置から走査方向
（Ｙ方向）に加速距離分、非走査方向（Ｘ方向）に前述
した所定の閾値距離Ｌ分離れた判断位置（図１０のＯ”
参照）に露光領域ＩＡの中心があるときに露光領域ＩＡ
の少なくとも一部、すなわち追従センサ１０３のいずれ
かがウエハＷの有効領域外に位置するか否かを判断する
ことにより行われる。ここで、判断位置とは、図１５あ
るいは図１０に示されるような放物線状（又はＵ字状）
の移動軌跡を採用した場合の走査方向の減速終了位置、
かつ非走査方向に所定の閾値距離分離れた位置を意味す
る。
の特定エッジショットであるか否かを判断する。ここで
「第２の特定エッジショット」とは、走査露光中のいず
れかの時点で、露光領域ＩＡの一部（従ってこの場合に
は追従センサ１０３のいずれか）がウエハＷの有効領域
から外れるようなウエハＷ周辺部のショット領域の内、
ウエハＷに対して露光領域ＩＡが外側から内側に相対走
査される（従って、ウエハＷは露光領域に対して反対向
きに走査される）いわゆる外スキャンが行われるショッ
ト領域を意味をする。このステップ１０１’における判
断は、メモリ内のショットマップデータとフォーカスセ
ンサの位置データとに基づいて、当該露光対象のショッ
ト領域の次ショット領域の露光開始位置から走査方向
（Ｙ方向）に加速距離分、非走査方向（Ｘ方向）に前述
した所定の閾値距離Ｌ分離れた判断位置（図１０のＯ”
参照）に露光領域ＩＡの中心があるときに露光領域ＩＡ
の少なくとも一部、すなわち追従センサ１０３のいずれ
かがウエハＷの有効領域外に位置するか否かを判断する
ことにより行われる。ここで、判断位置とは、図１５あ
るいは図１０に示されるような放物線状（又はＵ字状）
の移動軌跡を採用した場合の走査方向の減速終了位置、
かつ非走査方向に所定の閾値距離分離れた位置を意味す
る。
【０１３４】また、ステップ１０４’では、前述したス
テップ１０４と同様に、次ショットに対するステッピン
グ方向が中心に向かうか否かを判断するが、その判断基
準が異なる。すなわち、このステップ１０４’ではメモ
リ内のショットマップデータに基づいて、前述した判断
位置がウエハＷの非走査方向の中心線より非走査方向の
基板テーブル１８の移動方向に対して反対側にあるか否
かにより判断する。
テップ１０４と同様に、次ショットに対するステッピン
グ方向が中心に向かうか否かを判断するが、その判断基
準が異なる。すなわち、このステップ１０４’ではメモ
リ内のショットマップデータに基づいて、前述した判断
位置がウエハＷの非走査方向の中心線より非走査方向の
基板テーブル１８の移動方向に対して反対側にあるか否
かにより判断する。
【０１３５】また、ステップ１０６’では、次ショット
の露光（パターン転写）のための走査方向の加速中に露
光領域ＩＡが、ウエハエッジと交差するか否かを判断す
る。すなわち、次ショットのパターン転写のための走査
方向の加速開始点から露光開始点までのいずれかの時点
で露光領域、すなわちフォーカスセンサのいずれかがウ
エハＷのエッジに掛かるか否かを、メモリ内に格納され
たショットマップデータ及び前記フォーカスセンサの位
置情報に基づいて判断する。これは、次のような理由に
よる。
の露光（パターン転写）のための走査方向の加速中に露
光領域ＩＡが、ウエハエッジと交差するか否かを判断す
る。すなわち、次ショットのパターン転写のための走査
方向の加速開始点から露光開始点までのいずれかの時点
で露光領域、すなわちフォーカスセンサのいずれかがウ
エハＷのエッジに掛かるか否かを、メモリ内に格納され
たショットマップデータ及び前記フォーカスセンサの位
置情報に基づいて判断する。これは、次のような理由に
よる。
【０１３６】もし、スキャン露光を開始した後であれ
ば、非スキャン方向の位置決めは既に終わっていること
になり、フォーカス制御の開始座標にずれを生じること
はないし、逆に加速開始位置でウエハＷ内に露光領域Ｉ
Ａが完全に入っている場合には、エッジショットでなく
内部ショットであるから、ステップ１０１の判断が否定
される筈だからである。その他のステップは、前述した
図５のフローチャートと同一である。
ば、非スキャン方向の位置決めは既に終わっていること
になり、フォーカス制御の開始座標にずれを生じること
はないし、逆に加速開始位置でウエハＷ内に露光領域Ｉ
Ａが完全に入っている場合には、エッジショットでなく
内部ショットであるから、ステップ１０１の判断が否定
される筈だからである。その他のステップは、前述した
図５のフローチャートと同一である。
【０１３７】以上説明した図１１の制御アルゴリズムに
よっても、図１０のショットマップの場合、第２の移動
軌跡が設定されるのは、ショットＡ、Ｂ間だけである。
よっても、図１０のショットマップの場合、第２の移動
軌跡が設定されるのは、ショットＡ、Ｂ間だけである。
【０１３８】すなわち、上記ステップ１０１’の判断結
果が肯定的となる次ショットとしては、ショットＢ、
Ｆ，Ｈ，Ｊ，Ｌがあるが、その内、ショットＦ、Ｌの前
ショットであるショットＥ、Ｋの露光の際には、ステッ
プ１０４’の判断が否定され、残りのショットＨ，Ｊに
ついてはステップ１０６’の判断が否定されるので、結
論としてショットＥ，Ｆ間、Ｇ，Ｈ間，Ｉ，Ｊ間、Ｋ，
Ｌ間では、スループットを優先した第１の移動軌跡（放
物線状軌跡）に従って基板テーブル１８のショット間移
動が行われる。これは、ショットＦ，Ｈ，Ｊ，Ｌは、シ
ョット間の移動軌跡を変更しても走査開始点からフォー
カス制御を行うことができない基板周辺のショット領域
であるため、スループットを最優先して基板テーブル１
８の該各ショットのパターン転写に際しては、基板テー
ブル１８の走査方向の加速を非走査方向の移動終了前に
開始することとしたものである。これらのショットのよ
うに、走査開始点からフォーカス制御を行うことができ
ないウエハ周辺のショットでは、前述の如く、走査開始
後フォーカスセンサがウエハＷ上に掛かった段階からフ
ォーカスセンサの検出結果に基づいてウエハ駆動装置２
１を介してフォーカス制御又はフォーカス・レベリング
制御が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生
じることはない。
果が肯定的となる次ショットとしては、ショットＢ、
Ｆ，Ｈ，Ｊ，Ｌがあるが、その内、ショットＦ、Ｌの前
ショットであるショットＥ、Ｋの露光の際には、ステッ
プ１０４’の判断が否定され、残りのショットＨ，Ｊに
ついてはステップ１０６’の判断が否定されるので、結
論としてショットＥ，Ｆ間、Ｇ，Ｈ間，Ｉ，Ｊ間、Ｋ，
Ｌ間では、スループットを優先した第１の移動軌跡（放
物線状軌跡）に従って基板テーブル１８のショット間移
動が行われる。これは、ショットＦ，Ｈ，Ｊ，Ｌは、シ
ョット間の移動軌跡を変更しても走査開始点からフォー
カス制御を行うことができない基板周辺のショット領域
であるため、スループットを最優先して基板テーブル１
８の該各ショットのパターン転写に際しては、基板テー
ブル１８の走査方向の加速を非走査方向の移動終了前に
開始することとしたものである。これらのショットのよ
うに、走査開始点からフォーカス制御を行うことができ
ないウエハ周辺のショットでは、前述の如く、走査開始
後フォーカスセンサがウエハＷ上に掛かった段階からフ
ォーカスセンサの検出結果に基づいてウエハ駆動装置２
１を介してフォーカス制御又はフォーカス・レベリング
制御が開始され、フォーカス制御の開始座標にずれを生
じることはない。
【０１３９】従って、本第２の実施形態によっても、前
述した第１の実施形態と同等の効果を得ることができ
る。
述した第１の実施形態と同等の効果を得ることができ
る。
【０１４０】なお、上記各実施形態では、ウエハＷ上の
各ショット領域のスキャン露光中に、図５又は図１１の
制御アルゴリズムに従ってショット間の基板テーブル１
８の移動軌跡を設定又は変更する場合について説明した
が、本発明に係る走査型露光装置及び走査露光方法がこ
れに限定されることはなく、露光開始時より相当前に露
光処理プログラムを作成する際に、上記制御アルゴリズ
ムと同様の手順でショット間移動軌跡を決定しておき、
これをショットマップデータと関連付けてメモリ内に格
納しておき、実際の各ショットの露光に際しては、単に
これらのデータに従って走査露光及びフォーカス・レベ
リング制御を行うようにしても良い。この場合であって
も、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
各ショット領域のスキャン露光中に、図５又は図１１の
制御アルゴリズムに従ってショット間の基板テーブル１
８の移動軌跡を設定又は変更する場合について説明した
が、本発明に係る走査型露光装置及び走査露光方法がこ
れに限定されることはなく、露光開始時より相当前に露
光処理プログラムを作成する際に、上記制御アルゴリズ
ムと同様の手順でショット間移動軌跡を決定しておき、
これをショットマップデータと関連付けてメモリ内に格
納しておき、実際の各ショットの露光に際しては、単に
これらのデータに従って走査露光及びフォーカス・レベ
リング制御を行うようにしても良い。この場合であって
も、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
【０１４１】また、上記各実施形態ではそれぞれ３つの
判断基準により基板テーブル１８のショット間移動軌跡
を変更する場合について説明したが、これに限らず、ウ
エハＷ上の第１区画領域（ショット領域）と第２区画領
域とにレチクルＲのパターンを順次転写するときに、前
記第１区画領域および第２区画領域のウエハＷ上での位
置に応じて、第１区画領域のパターン転写の終了後のウ
エハの移動軌跡を設定するようにしても良い。かかる場
合であっても、第１区画領域および第２区画領域のウエ
ハＷ上での位置に応じて第１区画領域のパターン転写の
終了後のウエハＷの移動軌跡が設定されるので、例えば
第１区画領域および第２区画領域が基板上の特定の周辺
領域であるかそれ以外の領域であるかによって、基板の
移動軌跡をそれぞれ設定することが可能になる。従っ
て、例えば、特定の周辺領域の場合にはフォーカス制御
等の露光精度を優先し、それ以外の領域の場合にはスル
ープットを優先するようなことが可能になる。この場合
において、第１区画領域に対するパターン転写の終了後
のスリット像ｓとウエハＷとの位置関係に基づいて第１
区画領域に対するパターン転写終了後の前記基板の移動
軌跡を設定しても良い。
判断基準により基板テーブル１８のショット間移動軌跡
を変更する場合について説明したが、これに限らず、ウ
エハＷ上の第１区画領域（ショット領域）と第２区画領
域とにレチクルＲのパターンを順次転写するときに、前
記第１区画領域および第２区画領域のウエハＷ上での位
置に応じて、第１区画領域のパターン転写の終了後のウ
エハの移動軌跡を設定するようにしても良い。かかる場
合であっても、第１区画領域および第２区画領域のウエ
ハＷ上での位置に応じて第１区画領域のパターン転写の
終了後のウエハＷの移動軌跡が設定されるので、例えば
第１区画領域および第２区画領域が基板上の特定の周辺
領域であるかそれ以外の領域であるかによって、基板の
移動軌跡をそれぞれ設定することが可能になる。従っ
て、例えば、特定の周辺領域の場合にはフォーカス制御
等の露光精度を優先し、それ以外の領域の場合にはスル
ープットを優先するようなことが可能になる。この場合
において、第１区画領域に対するパターン転写の終了後
のスリット像ｓとウエハＷとの位置関係に基づいて第１
区画領域に対するパターン転写終了後の前記基板の移動
軌跡を設定しても良い。
【０１４２】かかる場合にも、例えば、スループットを
向上させるため、前述した放物線状の移動軌跡を想定し
ても第２区画領域の走査開始位置〜露光開始位置手前所
定距離の範囲のいずれかの時点で複数の検出点の一部が
基板上に位置するような場合には、放物線状の軌跡を設
定し、前記いずれの時点でも検出点（前述した追従セン
サのみでなく先読みセンサを含む）の一部が基板上に位
置しない場合には、基板の非走査方向の移動が終了した
後、第２区画領域のパターン転写のための基板の走査方
向加速が開始されるような移動軌跡を設定することによ
り先読みセンサを含むフォーカスセンサのいずれかを用
いて可能な限り速やかにフォーカス制御を開始すること
により、フォーカス制御に遅れに起因するデフォーカス
の発生を抑制することが可能となる。
向上させるため、前述した放物線状の移動軌跡を想定し
ても第２区画領域の走査開始位置〜露光開始位置手前所
定距離の範囲のいずれかの時点で複数の検出点の一部が
基板上に位置するような場合には、放物線状の軌跡を設
定し、前記いずれの時点でも検出点（前述した追従セン
サのみでなく先読みセンサを含む）の一部が基板上に位
置しない場合には、基板の非走査方向の移動が終了した
後、第２区画領域のパターン転写のための基板の走査方
向加速が開始されるような移動軌跡を設定することによ
り先読みセンサを含むフォーカスセンサのいずれかを用
いて可能な限り速やかにフォーカス制御を開始すること
により、フォーカス制御に遅れに起因するデフォーカス
の発生を抑制することが可能となる。
【０１４３】《デバイス製造方法》次に、上述した走査
型露光装置及び走査露光方法をリソグラフィ工程で使用
したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
型露光装置及び走査露光方法をリソグラフィ工程で使用
したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【０１４４】図１２には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示され
ている。図１２に示されるように、まず、ステップ２０
１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設
計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、そ
の機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続
き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示され
ている。図１２に示されるように、まず、ステップ２０
１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設
計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、そ
の機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続
き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【０１４５】次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステッ
プ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステッ
プ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用
いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダ
イシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング
工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
プ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立ステッ
プ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用
いてデバイス組立を行う。このステップ２０５には、ダ
イシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング
工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１４６】最後に、ステップ２０６（検査ステップ）
において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工
程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
において、ステップ２０５で作製されたデバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工
程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１４７】図１３には、半導体デバイスの場合におけ
る、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されてい
る。図１３において、ステップ２１１（酸化ステップ）
においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２
（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形
成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）において
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２
１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオ
ンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４
それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成し
ており、各段階において必要な処理に応じて選択されて
実行される。
る、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されてい
る。図１３において、ステップ２１１（酸化ステップ）
においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２
（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形
成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）において
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２
１４（イオン打込みステップ）においてはウエハにイオ
ンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４
それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成し
ており、各段階において必要な処理に応じて選択されて
実行される。
【０１４８】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２
１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステッ
プ）において、上記説明した露光装置及び露光方法によ
ってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、
ステップ２１７（現像ステップ）においては露光された
ウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステッ
プ）において、レジストが残存している部分以外の部分
の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステ
ップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２
１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステッ
プ）において、上記説明した露光装置及び露光方法によ
ってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、
ステップ２１７（現像ステップ）においては露光された
ウエハを現像し、ステップ２１８（エッチングステッ
プ）において、レジストが残存している部分以外の部分
の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステ
ップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１４９】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。
【０１５０】以上説明した本実施形態のデバイス製造方
法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上
記の走査型露光装置１００及びその露光方法が用いられ
るので、高集積度のデバイスを低コストで生産すること
ができる。
法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上
記の走査型露光装置１００及びその露光方法が用いられ
るので、高集積度のデバイスを低コストで生産すること
ができる。
【０１５１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び２に
記載の各発明によれば、基板上の次の区画領域の露光を
開始するまでに確実に基板の区画領域間の非走査方向の
移動を終了させ、しかもスループットの向上を図ること
が可能な走査型露光装置を提供することができる。
記載の各発明によれば、基板上の次の区画領域の露光を
開始するまでに確実に基板の区画領域間の非走査方向の
移動を終了させ、しかもスループットの向上を図ること
が可能な走査型露光装置を提供することができる。
【０１５２】また、請求項３〜５に記載の各発明によれ
ば、スループットの向上を図りつつ、露光精度の低下を
防止することができる走査型露光装置を提供することが
できる。
ば、スループットの向上を図りつつ、露光精度の低下を
防止することができる走査型露光装置を提供することが
できる。
【０１５３】また、請求項７及び８に記載の各発明によ
れば、基板上の次の区画領域の露光を開始するまでに確
実に基板の区画領域間の非走査方向の移動を終了させ、
しかもスループットの向上を図ることが可能な走査露光
方法を提供することができる。
れば、基板上の次の区画領域の露光を開始するまでに確
実に基板の区画領域間の非走査方向の移動を終了させ、
しかもスループットの向上を図ることが可能な走査露光
方法を提供することができる。
【０１５４】また、請求項９〜２０に記載の各発明によ
れば、スループットの向上を図りつつ、露光精度の低下
を防止することができる走査露光方法を提供することが
できる。
れば、スループットの向上を図りつつ、露光精度の低下
を防止することができる走査露光方法を提供することが
できる。
【０１５５】さらに、請求項６及び２１に記載の発明に
よれば、高集積度のマイクロデバイスを低コストに製造
することができる。
よれば、高集積度のマイクロデバイスを低コストに製造
することができる。
【図１】第１の実施形態に係る走査型露光装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】図１の装置の走査露光の原理を説明するための
図である。
図である。
【図３】多点フォーカス検出系の各検出点であるスリッ
ト像の配置と露光領域との位置関係を示す図である。
ト像の配置と露光領域との位置関係を示す図である。
【図４】センサ選択回路と信号処理装置の概略構成を受
光器とともに示す図である。
光器とともに示す図である。
【図５】第１の実施形態の走査型露光装置におけるウエ
ハＷ上の複数のショット領域にレチクルパターンの露光
を行う場合の主制御装置内のＣＰＵの制御アルゴリズム
を示すフローチャートである。
ハＷ上の複数のショット領域にレチクルパターンの露光
を行う場合の主制御装置内のＣＰＵの制御アルゴリズム
を示すフローチャートである。
【図６】図５のステップ１１４のサブルーチンの内容を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図７】第１の移動軌跡に対応する基板ステージの速度
制御マップを示す図である。
制御マップを示す図である。
【図８】非走査方向のショット間移動距離が長い場合の
第１の移動軌跡に対応する基板ステージの速度制御マッ
プを示す図である。
第１の移動軌跡に対応する基板ステージの速度制御マッ
プを示す図である。
【図９】第２の移動軌跡に対応する基板ステージの速度
制御マップを示す図である。
制御マップを示す図である。
【図１０】図５のフローチャートに沿って行われる露光
シーケンスにおける基板ステージの移動軌跡の一例を説
明するための図である。
シーケンスにおける基板ステージの移動軌跡の一例を説
明するための図である。
【図１１】第２の実施形態の走査型露光装置におけるウ
エハＷ上の複数のショット領域にレチクルパターンの露
光を行う場合の主制御装置内のＣＰＵの制御アルゴリズ
ムを示すフローチャートである。
エハＷ上の複数のショット領域にレチクルパターンの露
光を行う場合の主制御装置内のＣＰＵの制御アルゴリズ
ムを示すフローチャートである。
【図１２】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を
説明するためのフローチャートである。
説明するためのフローチャートである。
【図１３】図１２のステップ２０４における処理を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１４】従来例を示す説明図である。
【図１５】発明が解決しようとする第１の課題を説明す
るための図であって、ショット間移動軌跡を放物線状に
した場合の一例を示す図である。
るための図であって、ショット間移動軌跡を放物線状に
した場合の一例を示す図である。
【図１６】発明が解決しようとする第２の課題を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１７】図１５に対応する基板の速度の時間変化の一
例を示す図である。
例を示す図である。
２ 照度均一化光学系（照明光学系の一部） ３、６ リレーレンズ（照明光学系の一部） ５ レチクルブラインド（照明光学系の一部） ７ ミラー（照明光学系の一部） １８ 基板テーブル（基板ステージ） ４０ 照射光学系（位置検出系の一部） ４２ 受光光学系（位置検出系の一部） １２ Ｘステージ（駆動装置の一部） １６ Ｙステージ（駆動装置の一部） １９ ステージ制御系（駆動装置の一部） ２０ 主制御装置（駆動装置の一部） ２１ ウエハ駆動装置（駆動機構） １００ 走査型露光装置 Ｒ レチクル（マスク） Ｗ ウエハ（基板） Ａ〜Ｌ ショット（区画領域） Ｓ ショット（区画領域） Ｌ 閾値距離 ＰＬ 投影光学系 ｓ11〜ｓ77 スリット像（検出点）
Claims (21)
- 【請求項１】 マスクと基板のそれぞれを所定の走査方
向に同期移動して前記マスクに形成されたパターンを前
記基板上の複数の区画領域に順次転写する走査型露光装
置であって、 前記基板を保持して前記走査方向及びこれに直交する非
走査方向に２次元移動する基板ステージと；前記基板ス
テージを駆動する駆動装置とを備え、 前記基板上に非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区
画領域とに連続して前記パターンを転写するに際し、前
記駆動装置が、前記基板上の第１区画領域に対するパタ
ーン転写の終了後に、前記基板ステージの走査方向の減
速及び非走査方向の移動を開始し、前記基板ステージの
位置が前記非走査方向の移動終了位置に対し非走査方向
の距離が所定の閾値距離内となったときに前記第２区画
領域のパターン転写のための前記基板ステージの前記走
査方向の加速を開始することを特徴とする走査型露光装
置。 - 【請求項２】 前記駆動装置は、前記非走査方向の閾値
距離を、前記パターン転写時の前記基板ステージの目標
走査速度に応じて変更することを特徴とする請求項１に
記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 マスクと基板とを同期移動して前記マス
クに形成されたパターンを前記基板上の複数の区画領域
に順次転写する走査型露光装置であって、 前記マスクを照明光で照明する照明光学系と；前記マス
クから出射される前記照明光を前記基板上に投射する投
影光学系と；前記基板を保持して前記走査方向及びこれ
に直交する非走査方向に２次元移動する基板ステージ
と；前記基板上の前記照明光の投射領域内に複数の検出
点を有し、当該各検出点の位置毎に前記基板の前記投影
光学系の光軸方向の位置を検出する位置検出系と；前記
基板を前記光軸方向及び傾斜方向に駆動する駆動機構
と；前記基板ステージを駆動する駆動装置とを備え、 前記基板上に非走査方向に並んだ第１区画領域と第２区
画領域とに連続して前記パターンを転写するに際し、前
記駆動装置が、前記第１区画領域と第２区画領域との基
板上の位置に応じて、前記第２区画領域のパターン転写
のための走査方向の加速開始時点で前記検出点のいずれ
かが前記基板上に位置するように、前記第１区画領域の
パターン転写の終了後の前記基板ステージの移動軌跡を
変更することを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記検出点が、前記基板上の投射領域内
の全域に渡ってほぼ均一に配置され、 前記駆動装置は、前記第１区画領域のパターン転写の終
了位置で、前記投射領域の少なくとも一部が前記基板外
に位置し、前記非走査方向に沿って見て第２区画領域が
第１区画領域の基板中心側に位置し、かつ前記第２区画
領域のパターン転写のための走査方向の加速開始位置で
前記投射領域の少なくとも一部が基板上に掛かるという
条件が満たされる場合には、前記基板ステージの前記第
２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を前
記基板ステージの非走査方向の移動が終了した時点で開
始し、前記いずれかの条件が満たされない場合には、前
記基板ステージの前記第２区画領域のパターン転写のた
めの走査方向の加速を前記基板ステージの非走査方向の
移動終了前に開始することを特徴とする請求項３に記載
の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記検出点が、前記基板上の投射領域内
の全域に渡ってほぼ均一に配置され、 前記駆動装置は、第２区画領域の露光開始位置から走査
方向に加速距離分、非走査に所定の閾値距離分離れた判
断位置で前記投射領域の少なくとも一部が前記基板外に
位置し、前記判断位置が基板の非走査方向の中心線より
非走査方向の基板ステージの移動方向に対して反対側に
あり、かつ第２区画領域のパターン転写のための加速中
に前記投射領域が前記基板のエッジに掛かるという条件
が満たされる場合には、前記基板ステージの前記第２区
画領域のパターン転写のための走査方向の加速を前記基
板ステージの非走査方向の移動が終了した時点で開始
し、前記いずれかの条件が満たされない場合には、前記
基板ステージの前記第２区画領域のパターン転写のため
の走査方向の加速を前記基板ステージの非走査方向の移
動終了前に開始することを特徴とする請求項３に記載の
走査型露光装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の走
査型露光装置を用いて露光を行う露光工程を含むことを
特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項７】 マスクと基板とを同期移動して前記マス
クに形成されたパターンを前記基板上の複数の区画領域
に順次転写する走査型露光方法であって、 前記基板上に走査方向に直交する非走査方向に並んだ第
１区画領域と第２区画領域とに連続して前記パターンを
転写するに際し、前記基板上の第１区画領域に対するパ
ターン転写の終了後に、前記基板の走査方向の減速及び
非走査方向の移動を開始し、前記基の位置が前記非走査
方向の移動終了位置に対し非走査方向の距離が所定の閾
値距離内となったときに前記第２区画領域のパターン転
写のための走査方向の加速を開始することを特徴とする
走査露光方法。 - 【請求項８】 前記非走査方向の閾値距離は、前記パタ
ーン転写時の前記基板の目標走査速度に応じて設定され
ることを特徴とする請求項７に記載の走査露光方法。 - 【請求項９】 マスクと基板とを投影光学系に対して所
定の走査方向に同期移動するとともに、前記基板上の照
明領域内に配置された複数の検出点毎に検出される前記
基板の前記投影光学系の光軸方向の位置に基づき前記基
板の前記光軸方向位置及び傾斜を調整しながら、前記マ
スクに形成されたパターンを前記投影光学系を介して前
記基板上に逐次転写する走査露光方法において、 前記基板上に走査方向に直交する非走査方向に並んだ第
１区画領域と第２区画領域とに連続して前記パターンを
転写するに際し、前記第１区画領域と第２区画領域との
基板上の位置に応じて、前記第２区画領域のパターン転
写のための走査方向の加速開始時点でいずれかの前記検
出点が前記基板上に配置されるように、前記第１区画領
域のパターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を設定す
ることを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項１０】 前記検出点が、前記基板上の前記照明
領域内の全域に渡ってほぼ均一に配置され、 前記第１区画領域のパターン転写の終了位置で、前記照
明領域の少なくとも一部が前記基板外に位置する第１条
件と、前記非走査方向に沿って見て第２区画領域が第１
区画領域の基板中心側に位置する第２条件と、前記第２
区画領域のパターン転写のための走査方向の加速開始位
置で前記投射領域の少なくとも一部が基板上に掛かると
いう第３条件とが満たされるか否かを判断し、 前記全ての条件が満たされた場合に、前記基板の前記第
２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を前
記基板の非走査方向の移動が終了した時点で開始し、 前記いずれかの条件が満たされない場合には、前記基板
の前記第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を前記基板の非走査方向の移動終了前に開始するこ
とを特徴とする請求項９に記載の走査露光方法。 - 【請求項１１】 前記検出点が、前記基板上の前記照明
領域内の全域に渡ってほぼ均一に配置され、 前記第２区画領域の露光開始位置から走査方向に加速距
離分、非走査に所定の閾値距離分離れた判断位置で前記
照明領域の少なくとも一部が前記基板外に位置する第１
条件と、前記判断位置が基板の非走査方向の中心線より
非走査方向の基板の移動方向に対して反対側にある第２
条件と、前記第２区画領域のパターン転写のための加速
中に前記照明領域が前記基板のエッジに掛かるという第
３条件が満たされるか否かを判断し、 前記全ての条件が満たされた場合に、前記基板の前記第
２区画領域のパターン転写のための走査方向の加速を前
記の非走査方向の移動が終了した時点で開始し、 前記いずれかの条件が満たされない場合には、前記基板
の前記第２区画領域のパターン転写のための走査方向の
加速を前記基板の非走査方向の移動終了前に開始するこ
とを特徴とする請求項９に記載の走査露光方法。 - 【請求項１２】 マスクと基板のそれぞれを所定の走査
方向へ同期移動して前記マスクに形成されたパターンを
前記基板上の複数の区画領域に順次転写する走査露光方
法であって、 前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに前記マス
クのパターンを順次転写するときに、前記第１区画領域
および前記第２区画領域の前記基板上での位置に応じ
て、前記第１区画領域のパターン転写の終了後の前記基
板の移動軌跡を設定することを特徴とする走査露光方
法。 - 【請求項１３】 前記基板の走査方向と直交する非走査
方向に並んだ前記基板上の第１区画領域と第２区画領域
と第３区画領域の各々に前記マスクのパターンを順次転
写するときに、前記第１区画領域のパターン転写終了後
の前記基板の移動軌跡と前記第２区画領域のパターン転
写終了後の前記基板の移動軌跡が異なることを特徴とす
る請求項１２の走査露光方法。 - 【請求項１４】 前記第１区画領域は前記基板の周縁部
に位置することを特徴とする請求項１２又は１３に記載
の走査露光方法。 - 【請求項１５】 前記走査方向とほぼ直交する非走査方
向に並んだ前記第１区画領域及び前記第２区画領域の前
記基板上での位置に応じて、前記第２区画領域のパター
ン転写のための前記非走査方向への前記基板の移動中に
前記走査方向への前記基板の加速が開始されるような移
動軌跡と、前記第２区画領域のパターン転写のための前
記非走査方向への前記基板の移動終了後に前記走査方向
への前記基板の加速が開始されるような移動軌跡とのい
ずれか一方が、前記第１区画領域のパターン転写終了後
の前記基板の移動軌跡として設定されることを特徴とす
る請求項１２に記載の走査露光方法。 - 【請求項１６】 マスクと基板とを投影光学系に対して
所定の走査方向へそれぞれ同期移動するとともに、前記
投影光学系の光軸方向に関する前記基板の位置を複数の
検出点で検出して、前記マスクに形成されたパターンを
前記投影光学系を介して前記基板上の複数の区画領域に
順次転写する走査露光方法において、 前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに連続的に
前記マスクのパターンを転写するときに、前記第１区画
領域に対するパターン転写の終了後の前記検出点と前記
基板との位置関係に基づいて前記第１区画領域に対する
パターン転写終了後の前記基板の移動軌跡を設定するこ
とを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項１７】 前記第２区画領域に対するパターン転
写のための前記基板の加速移動中、前記投影光学系を介
して形成される露光フィールドに対して前記第２区画領
域が前記基板の走査方向に所定距離だけ離れているとき
に前記複数の検出点の内の所定の検出点が前記基板上に
位置するよう、前記第１区画領域に対するパターン転写
終了後の前記基板の移動軌跡を設定することを特徴とす
る請求項１６に記載の走査露光方法。 - 【請求項１８】 前記第１区画領域と前記第２区画領域
は、前記基板の走査方向とほぼ直交する方向に並んでお
り、前記第１区画領域は前記基板の周縁部に位置するこ
とを特徴とする請求項１６又は１７に記載の走査露光方
法。 - 【請求項１９】 前記第１区画領域と前記第２区画領域
は、前記基板の走査方向とほぼ直交する方向に並んで形
成されるとともに、前記基板の中心に対して前記第１区
画領域が前記第２区画領域よりも離れて形成されてお
り、前記第１区画領域に対するパターン転写終了時に前
記検出点の少なくとも一部が前記基板上から外れる場合
には、前記第２区画領域のパターン転写のための前記走
査方向と直交する非走査方向への前記基板の移動終了後
に前記走査方向への前記基板の加速が開始されるように
前記基板の移動軌跡を設定することを特徴とする請求項
１６又は１７に記載の走査露光方法。 - 【請求項２０】 マスクと基板のそれぞれを所定の走査
方向へ同期移動して前記マスクに形成されたパターンを
前記基板上の複数の区画領域に順次転写する走査露光方
法であって、 前記基板上の第１区画領域と第２区画領域とに前記マス
クのパターンを順次転写するときに、前記第１区画領域
および前記第２区画領域の前記基板上での位置に応じ
て、前記第２区画領域のパターン転写のための走査方向
の加速開始のタイミングを変更することを特徴とする走
査露光方法。 - 【請求項２１】 請求項７〜１１のいずれか一項に記載
の走査露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051563A JPH11233433A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051563A JPH11233433A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233433A true JPH11233433A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12890450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051563A Pending JPH11233433A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 走査型露光装置及び走査露光方法並びにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233433A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230170A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Canon Inc | 走査露光装置及び走査露光方法 |
| JP2008060458A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2010147467A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および制御方法 |
| JP2014029956A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP10051563A patent/JPH11233433A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230170A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Canon Inc | 走査露光装置及び走査露光方法 |
| JP4579367B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び走査露光方法 |
| JP2008060458A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2010147467A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および制御方法 |
| US8570490B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and control method |
| JP2014029956A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
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