JP3316704B2 - 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 - Google Patents
投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される投影露光方法及び装置に関し、特に、スリ
ット状の照明領域に対してマスク及び感光基板を同期し
て走査することによりそのマスクのパターンを逐次感光
基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影
露光方法及び装置に関する。
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される投影露光方法及び装置に関し、特に、スリ
ット状の照明領域に対してマスク及び感光基板を同期し
て走査することによりそのマスクのパターンを逐次感光
基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影
露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ等の半導体素子又は液晶表示素
子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォト
マスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）
のパターンを投影光学系を介して感光材が塗布された基
板（ウエハ、ガラスプレート等）上に露光する投影露光
装置が使用されている。半導体素子を例に取ると、従来
の投影露光装置としては、ステップ・アンド・リピート
方式でレチクルのパターン像を順次ウエハの各ショット
領域にそれぞれ一括転写するステッパーが主流であった
が、最近は、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光
装置が注目されるようになってきた。
子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォト
マスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）
のパターンを投影光学系を介して感光材が塗布された基
板（ウエハ、ガラスプレート等）上に露光する投影露光
装置が使用されている。半導体素子を例に取ると、従来
の投影露光装置としては、ステップ・アンド・リピート
方式でレチクルのパターン像を順次ウエハの各ショット
領域にそれぞれ一括転写するステッパーが主流であった
が、最近は、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光
装置が注目されるようになってきた。
【０００３】このスリットスキャン露光方式の投影露光
装置は、投影光学系の投影倍率をβとして、細長い矩
形、円弧状又は六角形状等（以下、「スリット状」とい
う）の照明領域に対して所定の走査方向にレチクルを速
度Ｖで走査し、その照明領域と投影光学系に関して共役
な露光領域に対してその走査方向と共役な方向にウエハ
を速度β・Ｖで走査することにより、レチクルのパター
ン像を逐次ウエハ上の露光フィールド（ショット領域）
に転写露光するものである。このようなスリットスキャ
ン露光方式が注目されている理由は、以下のようなもの
である。
装置は、投影光学系の投影倍率をβとして、細長い矩
形、円弧状又は六角形状等（以下、「スリット状」とい
う）の照明領域に対して所定の走査方向にレチクルを速
度Ｖで走査し、その照明領域と投影光学系に関して共役
な露光領域に対してその走査方向と共役な方向にウエハ
を速度β・Ｖで走査することにより、レチクルのパター
ン像を逐次ウエハ上の露光フィールド（ショット領域）
に転写露光するものである。このようなスリットスキャ
ン露光方式が注目されている理由は、以下のようなもの
である。
【０００４】第１の理由は、最近益々半導体デバイスの
パターンの微細化及びデバイスサイズの拡大が同時に進
み、ステッパーによってパターンを形成しようとすると
巨大な投影光学系が必要となり、装置の製造コストが巨
額となると共に装置サイズも極めて大きなものになり、
実用性に乏しくなるからである。また、第２の理由は、
投影光学系の投影像の歪み、像面の平坦度及び非点収差
等がデバイスパターンの微細化と共に限界にまで達し、
必要な性能が得にくくなっているからである。これに関
して、スリットスキャン露光方式においては、投影光学
系による投影領域の内のスリット状の露光領域のみを用
いて露光するので、同一の投影光学系を用いたステッパ
ーに比べてフィールドサイズが２1/2 倍まで拡大でき
る。逆にスリットスキャン露光方式でステッパーと同一
のフィールドサイズを持つためには、投影光学系として
はフィールドサイズが１／２1/2 倍の小型の光学系を使
用できるため、レンズ性能の改善がステッパーに比べて
容易になる。
パターンの微細化及びデバイスサイズの拡大が同時に進
み、ステッパーによってパターンを形成しようとすると
巨大な投影光学系が必要となり、装置の製造コストが巨
額となると共に装置サイズも極めて大きなものになり、
実用性に乏しくなるからである。また、第２の理由は、
投影光学系の投影像の歪み、像面の平坦度及び非点収差
等がデバイスパターンの微細化と共に限界にまで達し、
必要な性能が得にくくなっているからである。これに関
して、スリットスキャン露光方式においては、投影光学
系による投影領域の内のスリット状の露光領域のみを用
いて露光するので、同一の投影光学系を用いたステッパ
ーに比べてフィールドサイズが２1/2 倍まで拡大でき
る。逆にスリットスキャン露光方式でステッパーと同一
のフィールドサイズを持つためには、投影光学系として
はフィールドサイズが１／２1/2 倍の小型の光学系を使
用できるため、レンズ性能の改善がステッパーに比べて
容易になる。
【０００５】また、他の理由として、投影光学系として
例えば凹面反射鏡を有する反射屈折系を使用する場合に
は、露光フィールドの内で良好な特性が得られる領域
が、円弧状の狭い領域に限られるため、レチクルのパタ
ーン全体をウエハ上に露光するためには、スリットスキ
ャン露光方式が必要になる。一般に、投影露光装置にお
いては、ウエハに塗布されたフォトレジスト等の感度に
より適正な露光量（露光エネルギー）が定められている
ため、例えばステッパーでは露光光として連続光を使用
する場合には露光光の照射時間、又はパルス光を使用す
る場合には照射するパルス数により露光量制御を行って
いた。同様に、スリットスキャン露光方式の場合でも露
光量制御を行う必要があり、露光光として連続光を使用
する場合には、スリット状の照明領域の走査方向の幅を
一定として、レチクル及びウエハの走査速度及び露光光
の減光率等の調整によりウエハ上の各点での露光量を適
正露光量に制御していた。
例えば凹面反射鏡を有する反射屈折系を使用する場合に
は、露光フィールドの内で良好な特性が得られる領域
が、円弧状の狭い領域に限られるため、レチクルのパタ
ーン全体をウエハ上に露光するためには、スリットスキ
ャン露光方式が必要になる。一般に、投影露光装置にお
いては、ウエハに塗布されたフォトレジスト等の感度に
より適正な露光量（露光エネルギー）が定められている
ため、例えばステッパーでは露光光として連続光を使用
する場合には露光光の照射時間、又はパルス光を使用す
る場合には照射するパルス数により露光量制御を行って
いた。同様に、スリットスキャン露光方式の場合でも露
光量制御を行う必要があり、露光光として連続光を使用
する場合には、スリット状の照明領域の走査方向の幅を
一定として、レチクル及びウエハの走査速度及び露光光
の減光率等の調整によりウエハ上の各点での露光量を適
正露光量に制御していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、そのスリッ
トスキャン露光方式の投影露光装置において、露光光の
光源としてエキシマレーザ等のパルス光源を用いる場合
には、パルス光毎のエネルギーのばらつきが大きいた
め、ウエハ上の各点に対して露光されるパルス数を少な
くしつつ、パルス露光毎のエネルギーの積算値を適正露
光量に対して許容できるばらつきの範囲内に収めること
は従来は困難であった。
トスキャン露光方式の投影露光装置において、露光光の
光源としてエキシマレーザ等のパルス光源を用いる場合
には、パルス光毎のエネルギーのばらつきが大きいた
め、ウエハ上の各点に対して露光されるパルス数を少な
くしつつ、パルス露光毎のエネルギーの積算値を適正露
光量に対して許容できるばらつきの範囲内に収めること
は従来は困難であった。
【０００７】図８（ａ）は、ウエハ上で走査方向をｘ方
向とした場合の或る時点での位置ｘにおける積算露光量
分布Ｅ（ｘ）の一例を示し、積算露光量分布Ｅ（ｘ）が
図８（ａ）であるときの、ウエハ上の走査方向の位置ｘ
におけるスリット状の露光領域の露光量分布Ｉ（ｘ）の
一例を図８（ｂ）に示す。図８（ａ）及び（ｂ）では便
宜上、ウエハが静止していて、その上をｘ軸の正の方向
にスリット状の露光領域が移動していくものとして表し
ている。図８（ｂ）において、露光量分布Ｉ（ｘ）は走
査方向に台形状をなしており、ｘ21≦ｘ＜ｘ22の区間で
Ｉ21（ｘ）のように立ち上がり、ｘ22≦ｘ＜ｘ23の区間
でＩ22（ｘ）のように一定値Ａ0 をとり、ｘ23≦ｘ＜ｘ
24の区間でＩ27（ｘ）のように立ち下がる。台形の両側
の幅Ｗ1及びＷ3 の傾斜部の間に幅Ｗ2 の平坦な部分が
ある。スリット状の露光領域がｘ軸上の値の小さな位置
から次第に正の方向に走査され、露光量分布Ｉ（ｘ）が
図８（ｂ）のような状態のときに、積算露光量分布Ｅ
（ｘ）は図８（ａ）のようになっている。
向とした場合の或る時点での位置ｘにおける積算露光量
分布Ｅ（ｘ）の一例を示し、積算露光量分布Ｅ（ｘ）が
図８（ａ）であるときの、ウエハ上の走査方向の位置ｘ
におけるスリット状の露光領域の露光量分布Ｉ（ｘ）の
一例を図８（ｂ）に示す。図８（ａ）及び（ｂ）では便
宜上、ウエハが静止していて、その上をｘ軸の正の方向
にスリット状の露光領域が移動していくものとして表し
ている。図８（ｂ）において、露光量分布Ｉ（ｘ）は走
査方向に台形状をなしており、ｘ21≦ｘ＜ｘ22の区間で
Ｉ21（ｘ）のように立ち上がり、ｘ22≦ｘ＜ｘ23の区間
でＩ22（ｘ）のように一定値Ａ0 をとり、ｘ23≦ｘ＜ｘ
24の区間でＩ27（ｘ）のように立ち下がる。台形の両側
の幅Ｗ1及びＷ3 の傾斜部の間に幅Ｗ2 の平坦な部分が
ある。スリット状の露光領域がｘ軸上の値の小さな位置
から次第に正の方向に走査され、露光量分布Ｉ（ｘ）が
図８（ｂ）のような状態のときに、積算露光量分布Ｅ
（ｘ）は図８（ａ）のようになっている。
【０００８】図８（ａ）において、ｘ＜ｘ21の部分では
露光が終了し、積算露光量は理想的には一定値Ｅ0 とな
り、ｘ21≦ｘ＜ｘ22の区間ではＥ21（ｘ）のようにな
り、ｘ 22≦ｘ＜ｘ23の区間ではＥ22（ｘ）のようにな
り、ｘ23≦ｘ＜ｘ24の区間ではＥ 23（ｘ）で表される。
露光が一定の走査速度で行われ、各パルス発光毎の露光
エネルギー（パルスエネルギー）が一定時間毎に一定の
値に設定できる場合には、図８（ａ）のように理想的な
積算露光量が得られるようにできる。しかしながら、実
際に光源としてエキシマレーザ光源を用いる場合には、
パルスエネルギーがパルス毎にばらつき、積算パルス数
を少なくした露光では所定の積算露光量が得られない。
露光が終了し、積算露光量は理想的には一定値Ｅ0 とな
り、ｘ21≦ｘ＜ｘ22の区間ではＥ21（ｘ）のようにな
り、ｘ 22≦ｘ＜ｘ23の区間ではＥ22（ｘ）のようにな
り、ｘ23≦ｘ＜ｘ24の区間ではＥ 23（ｘ）で表される。
露光が一定の走査速度で行われ、各パルス発光毎の露光
エネルギー（パルスエネルギー）が一定時間毎に一定の
値に設定できる場合には、図８（ａ）のように理想的な
積算露光量が得られるようにできる。しかしながら、実
際に光源としてエキシマレーザ光源を用いる場合には、
パルスエネルギーがパルス毎にばらつき、積算パルス数
を少なくした露光では所定の積算露光量が得られない。
【０００９】具体的に、図８（ｂ）において或るパルス
発光では露光量分布がＩ21（ｘ），Ｉ22（ｘ），Ｉ
23（ｘ）のようになって、平坦な部分が理想的な露光量
Ａ0 になっても、次のパルス発光では、露光量分布がＩ
25（ｘ），Ｉ26（ｘ），Ｉ27（ｘ）となり、平坦な部分
の露光量がＡ0 と異なってしまう。例えばパルスエネル
ギーのばらつきが、±７％あった場合、ウエハ上の各露
光点に対する積算パルス数を５０パルス以上にしない
と、露光量制御精度を±１％以内にすることはできな
い。そのため、レジスト感度を高くしたり、光源のパル
スエネルギー又は光学系での光の伝達効率を改善するこ
とにより、ウエハの露光面でのパルス毎の露光エネルギ
ー密度を上げても、パルス数に下限があることにより、
露光時のレチクル及びウエハの走査速度を上げることが
できない。
発光では露光量分布がＩ21（ｘ），Ｉ22（ｘ），Ｉ
23（ｘ）のようになって、平坦な部分が理想的な露光量
Ａ0 になっても、次のパルス発光では、露光量分布がＩ
25（ｘ），Ｉ26（ｘ），Ｉ27（ｘ）となり、平坦な部分
の露光量がＡ0 と異なってしまう。例えばパルスエネル
ギーのばらつきが、±７％あった場合、ウエハ上の各露
光点に対する積算パルス数を５０パルス以上にしない
と、露光量制御精度を±１％以内にすることはできな
い。そのため、レジスト感度を高くしたり、光源のパル
スエネルギー又は光学系での光の伝達効率を改善するこ
とにより、ウエハの露光面でのパルス毎の露光エネルギ
ー密度を上げても、パルス数に下限があることにより、
露光時のレチクル及びウエハの走査速度を上げることが
できない。
【００１０】一方、走査速度を一定とした場合に、エキ
シマレーザ光源のメンテナンス費用を下げるために露光
パルス数を減らそうとしても、パルス数に下限がある場
合には、パルス数を減少させることができない。本発明
は斯かる点に鑑み、スリットスキャン露光方式の投影露
光を行う際に、積算露光量の制御精度を高めることを目
的とする。また、本発明は、スリットスキャン露光方式
で露光を行う際に、露光光としてパルス発光毎のエネル
ギーのばらつきの大きいパルス光源を使用する場合に、
少ないパルス数で必要な露光量制御精度を得ることがで
きるようにすることを目的とする。
シマレーザ光源のメンテナンス費用を下げるために露光
パルス数を減らそうとしても、パルス数に下限がある場
合には、パルス数を減少させることができない。本発明
は斯かる点に鑑み、スリットスキャン露光方式の投影露
光を行う際に、積算露光量の制御精度を高めることを目
的とする。また、本発明は、スリットスキャン露光方式
で露光を行う際に、露光光としてパルス発光毎のエネル
ギーのばらつきの大きいパルス光源を使用する場合に、
少ないパルス数で必要な露光量制御精度を得ることがで
きるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の投影
露光装置は、例えば図１及び図４に示すように、マスク
（Ｒ）上の照明領域内のパターンの像を投影光学系（Ｐ
Ｌ）を介して基板（Ｗ）上に投影し、その照明領域に対
してマスク（Ｒ）を所定方向に走査するのと同期して、
その照明領域と共役な露光領域に対して基板（Ｗ）を所
定方向に走査することにより、マスク（Ｒ）のパターン
の像を逐次基板（Ｗ）上に露光する走査型の投影露光装
置において、パルス光源（１）と、パルス光源（１）か
らのパルス光でマスク（Ｒ）を照明する照明光学系
（３，５，７，１１，１３）と、その照明光学系による
マスク（Ｒ）上の照明領域を所定形状（２７）に制限す
ると共に、所定形状の照明領域（２７）のマスク（Ｒ）
の走査方向の一方又は両側のエッジ部の位置を所定の範
囲で任意の位置に設定する可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）
とを有する。
露光装置は、例えば図１及び図４に示すように、マスク
（Ｒ）上の照明領域内のパターンの像を投影光学系（Ｐ
Ｌ）を介して基板（Ｗ）上に投影し、その照明領域に対
してマスク（Ｒ）を所定方向に走査するのと同期して、
その照明領域と共役な露光領域に対して基板（Ｗ）を所
定方向に走査することにより、マスク（Ｒ）のパターン
の像を逐次基板（Ｗ）上に露光する走査型の投影露光装
置において、パルス光源（１）と、パルス光源（１）か
らのパルス光でマスク（Ｒ）を照明する照明光学系
（３，５，７，１１，１３）と、その照明光学系による
マスク（Ｒ）上の照明領域を所定形状（２７）に制限す
ると共に、所定形状の照明領域（２７）のマスク（Ｒ）
の走査方向の一方又は両側のエッジ部の位置を所定の範
囲で任意の位置に設定する可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）
とを有する。
【００１２】更に本発明は、そのパルス光毎のエネルギ
ーを検出する露光エネルギー検出手段（６，２５，２
６）と、この露光エネルギー検出手段の検出信号より、
基板（Ｗ）上の露光領域を基板（Ｗ）の走査方向に所定
間隔で区分した一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ
3,…）毎の積算露光量を算出する積算露光量演算手段
（１０）と、基板（Ｗ）の目標積算露光量とその積算露
光量演算手段により算出されたそれら一連の積算露光量
算出区間の各々の積算露光量との差に応じて、可変視野
絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して所定形状の照明領域（２
７）のマスク（Ｒ）の走査方向の一方又は両側のエッジ
部の位置を露光中に変化させる制御手段（２４）とを有
するものである。
ーを検出する露光エネルギー検出手段（６，２５，２
６）と、この露光エネルギー検出手段の検出信号より、
基板（Ｗ）上の露光領域を基板（Ｗ）の走査方向に所定
間隔で区分した一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ
3,…）毎の積算露光量を算出する積算露光量演算手段
（１０）と、基板（Ｗ）の目標積算露光量とその積算露
光量演算手段により算出されたそれら一連の積算露光量
算出区間の各々の積算露光量との差に応じて、可変視野
絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して所定形状の照明領域（２
７）のマスク（Ｒ）の走査方向の一方又は両側のエッジ
部の位置を露光中に変化させる制御手段（２４）とを有
するものである。
【００１３】この場合、その制御手段（２４）は、基板
（Ｗ）の目標積算露光量とその積算露光量演算手段によ
り算出されたそれら一連の積算露光量算出区間の各々の
積算露光量との差に応じて、可変視野絞り（８Ａ，８
Ｂ）を介して所定形状の照明領域（２７）のマスク
（Ｒ）の走査方向に対して後側のエッジ部（エッジ部２
８ｂの共役像）の位置を露光中に変化させることが望ま
しい。また、本発明による第２の投影露光装置は、露光
ビームに対してマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを移動する
ことによって、マスク（Ｒ）のパターンを用いて基板
（Ｗ）を走査露光する投影露光装置であって、基板
（Ｗ）上に照射される露光ビームの照射領域（２８）を
設定する設定手段（８Ａ，８Ｂ）と、基板（Ｗ）を露光
ビームで露光するために、露光ビームに対して基板
（Ｗ）を所定方向に移動する移動手段と、露光ビームの
エネルギー情報を検出する検出手段（６，２５，２６）
と、基板（Ｗ）上の一つの露光フィールドの走査露光中
に、その検出手段で検出されるエネルギー情報に基づい
て設定手段（８Ａ，８Ｂ）を制御する制御手段（２４）
とを備えるようにしたものである。また、本発明の第３
の投影露光装置は、露光ビームに対してマスク（Ｒ）と
基板（Ｗ）とを移動することによって、マスク（Ｒ）の
パターンを用いて基板（Ｗ）を走査露光する投影露光装
置であって、その露光ビームをパルス発振するビーム源
（１）と、そのビーム源からパルス発振された露光ビー
ムの照射領域のその基板の移動方向のエッジ位置を設定
する設定手段（８Ａ，８Ｂ）と、そのビーム源の露光ビ
ームのパルス発振に同期してその設定手段を制御する制
御手段（２４）とを備えたものである。さらに、本発明
の第４の投影露光装置は、露光ビームに対してマスク
（Ｒ）と基板（Ｗ）とを移動することによって、マスク
（Ｒ）のパターンを用いて基板（Ｗ）を走査露光する投
影露光装置であって、露光ビームをパルス発振するビー
ム源（１）と、基板（Ｗ）を移動するための移動手段
（１８，２１）と、基板（Ｗ）上での露光ビームの照射
領域（２８）を規定し、かつマスク（Ｒ）のパターンの
形成面の共役面からずれて配置された光学部材を有する
設定手段（８Ａ，８Ｂ，２４）とを備え、その光学部材
の共役面からのずれ量を調整可能にしたもので ある。次
に、本発明の第１の走査露光方法は、露光ビームに対し
て基板を所定方向に移動することによってその基板を走
査露光する走査露光方法において、その基板の移動中に
露光ビームのエネルギー情報を検出し、この検出された
エネルギー情報に基づいて、その後に発射される露光ビ
ームの照射領域を変更するものである。また、本発明の
第２の走査露光方法は、露光ビームに対して基板を所定
方向に移動することによって、その基板を走査露光する
走査露光方法において、その露光ビームはその所定方向
の強度分布の端に傾斜部を有し、この傾斜部の幅を可変
としたものである。次に、本発明の素子製造方法は、本
発明のいずれかの投影露光装置を用いて基板を露光する
リソグラフィ工程を含むものである。
（Ｗ）の目標積算露光量とその積算露光量演算手段によ
り算出されたそれら一連の積算露光量算出区間の各々の
積算露光量との差に応じて、可変視野絞り（８Ａ，８
Ｂ）を介して所定形状の照明領域（２７）のマスク
（Ｒ）の走査方向に対して後側のエッジ部（エッジ部２
８ｂの共役像）の位置を露光中に変化させることが望ま
しい。また、本発明による第２の投影露光装置は、露光
ビームに対してマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを移動する
ことによって、マスク（Ｒ）のパターンを用いて基板
（Ｗ）を走査露光する投影露光装置であって、基板
（Ｗ）上に照射される露光ビームの照射領域（２８）を
設定する設定手段（８Ａ，８Ｂ）と、基板（Ｗ）を露光
ビームで露光するために、露光ビームに対して基板
（Ｗ）を所定方向に移動する移動手段と、露光ビームの
エネルギー情報を検出する検出手段（６，２５，２６）
と、基板（Ｗ）上の一つの露光フィールドの走査露光中
に、その検出手段で検出されるエネルギー情報に基づい
て設定手段（８Ａ，８Ｂ）を制御する制御手段（２４）
とを備えるようにしたものである。また、本発明の第３
の投影露光装置は、露光ビームに対してマスク（Ｒ）と
基板（Ｗ）とを移動することによって、マスク（Ｒ）の
パターンを用いて基板（Ｗ）を走査露光する投影露光装
置であって、その露光ビームをパルス発振するビーム源
（１）と、そのビーム源からパルス発振された露光ビー
ムの照射領域のその基板の移動方向のエッジ位置を設定
する設定手段（８Ａ，８Ｂ）と、そのビーム源の露光ビ
ームのパルス発振に同期してその設定手段を制御する制
御手段（２４）とを備えたものである。さらに、本発明
の第４の投影露光装置は、露光ビームに対してマスク
（Ｒ）と基板（Ｗ）とを移動することによって、マスク
（Ｒ）のパターンを用いて基板（Ｗ）を走査露光する投
影露光装置であって、露光ビームをパルス発振するビー
ム源（１）と、基板（Ｗ）を移動するための移動手段
（１８，２１）と、基板（Ｗ）上での露光ビームの照射
領域（２８）を規定し、かつマスク（Ｒ）のパターンの
形成面の共役面からずれて配置された光学部材を有する
設定手段（８Ａ，８Ｂ，２４）とを備え、その光学部材
の共役面からのずれ量を調整可能にしたもので ある。次
に、本発明の第１の走査露光方法は、露光ビームに対し
て基板を所定方向に移動することによってその基板を走
査露光する走査露光方法において、その基板の移動中に
露光ビームのエネルギー情報を検出し、この検出された
エネルギー情報に基づいて、その後に発射される露光ビ
ームの照射領域を変更するものである。また、本発明の
第２の走査露光方法は、露光ビームに対して基板を所定
方向に移動することによって、その基板を走査露光する
走査露光方法において、その露光ビームはその所定方向
の強度分布の端に傾斜部を有し、この傾斜部の幅を可変
としたものである。次に、本発明の素子製造方法は、本
発明のいずれかの投影露光装置を用いて基板を露光する
リソグラフィ工程を含むものである。
【００１４】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば図４に示すよう
に、基板（Ｗ）が静止している座標系で考えると、所定
形状の照明領域（２７）と共役な基板（Ｗ）上の露光領
域（２８）がパルス発光毎に順次走査方向（ｘ方向）に
ずれていく。パルス毎の露光領域（２８）の移動量をｄ
とすると、基板（Ｗ）上の領域を例えば走査方向にそれ
ぞれ幅ｄの一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ3,
…）に分割し、露光エネルギー検出手段（６，２５，２
６）の検出信号を露光領域（２８）内で積算することに
より、一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ3,…）毎
にパルス発光毎のそれまでの積算露光量を算出する。
に、基板（Ｗ）が静止している座標系で考えると、所定
形状の照明領域（２７）と共役な基板（Ｗ）上の露光領
域（２８）がパルス発光毎に順次走査方向（ｘ方向）に
ずれていく。パルス毎の露光領域（２８）の移動量をｄ
とすると、基板（Ｗ）上の領域を例えば走査方向にそれ
ぞれ幅ｄの一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ3,
…）に分割し、露光エネルギー検出手段（６，２５，２
６）の検出信号を露光領域（２８）内で積算することに
より、一連の積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ3,…）毎
にパルス発光毎のそれまでの積算露光量を算出する。
【００１５】そして、積算露光量算出区間（Ｓ1,Ｓ2,Ｓ
3,…）毎に、それぞれ露光領域（２８）による露光が終
了してしまう前に、そのときの積算露光量と目標とする
積算露光量との差を求め、この差が設計値より大きいと
きには、可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して露光領域
（２８）の走査方向の後側のエッジ部（２８ｂ）の位置
を開くようにする。一方、そのときの積算露光量と目標
とする積算露光量との差が設計値より小さいときには、
可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して露光領域（２８）
の走査方向の例えば後側のエッジ部（２８ｂ）の位置を
閉じるようにする。これにより、パルス発光毎のパルス
エネルギーがばらついても、基板（Ｗ）上の各露光点で
の積算露光量を少ないパルス数で目標とする積算露光量
に対して許容範囲内に収めることができる。
3,…）毎に、それぞれ露光領域（２８）による露光が終
了してしまう前に、そのときの積算露光量と目標とする
積算露光量との差を求め、この差が設計値より大きいと
きには、可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して露光領域
（２８）の走査方向の後側のエッジ部（２８ｂ）の位置
を開くようにする。一方、そのときの積算露光量と目標
とする積算露光量との差が設計値より小さいときには、
可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）を介して露光領域（２８）
の走査方向の例えば後側のエッジ部（２８ｂ）の位置を
閉じるようにする。これにより、パルス発光毎のパルス
エネルギーがばらついても、基板（Ｗ）上の各露光点で
の積算露光量を少ないパルス数で目標とする積算露光量
に対して許容範囲内に収めることができる。
【００１６】また、可変視野絞り（８Ａ，８Ｂ）を介し
て露光領域（２８）の走査方向の両側のエッジ部（２８
ａ，２８ｂ）の位置を変える、即ち露光領域（２８）の
幅を変えることによっても、積算露光量を制御すること
ができる。但し、露光領域（２８）の走査方向に対して
後側のエッジ部（２８ｂ）の位置を変える方が、制御は
容易である。
て露光領域（２８）の走査方向の両側のエッジ部（２８
ａ，２８ｂ）の位置を変える、即ち露光領域（２８）の
幅を変えることによっても、積算露光量を制御すること
ができる。但し、露光領域（２８）の走査方向に対して
後側のエッジ部（２８ｂ）の位置を変える方が、制御は
容易である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図７を
参照して説明する。本実施例は、露光光の光源としてエ
キシマレーザ光源よりなるパルス光源を使用する、スリ
ットスキャン露光方式の投影露光装置に本発明を適用し
たものである。
参照して説明する。本実施例は、露光光の光源としてエ
キシマレーザ光源よりなるパルス光源を使用する、スリ
ットスキャン露光方式の投影露光装置に本発明を適用し
たものである。
【００１８】図１は本実施例の投影露光装置の構成を示
し、この図１において、エキシマレーザ光源１は、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長：２４８ｎｍ）を発生すると
共に、発振スペクトルの幅を狭帯化し、スペクトルの中
心を一定値に安定化する機構を備えている。エキシマレ
ーザ光源１は、露光制御系１０からの制御指令により、
パルスレーザ光を発生すると共に、パルス光毎の出力エ
ネルギーの平均値を指定されたレベルに設定する。エキ
シマレーザ光源１から出力されたパルスレーザ光ＩＬ
は、ミラー２で反射されてビーム整形光学系３に入射
し、ビーム整形光学系３によりビームの断面形状が細長
い矩形から正方形に近い形に変えられる。
し、この図１において、エキシマレーザ光源１は、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長：２４８ｎｍ）を発生すると
共に、発振スペクトルの幅を狭帯化し、スペクトルの中
心を一定値に安定化する機構を備えている。エキシマレ
ーザ光源１は、露光制御系１０からの制御指令により、
パルスレーザ光を発生すると共に、パルス光毎の出力エ
ネルギーの平均値を指定されたレベルに設定する。エキ
シマレーザ光源１から出力されたパルスレーザ光ＩＬ
は、ミラー２で反射されてビーム整形光学系３に入射
し、ビーム整形光学系３によりビームの断面形状が細長
い矩形から正方形に近い形に変えられる。
【００１９】ビーム整形光学系３から射出されたパルス
レーザ光ＩＬは、ミラー４で反射されてビーム一様化光
学系５に入射する。ビーム一様化光学系５は、フライア
イレンズや振動ミラー等を組み合わせた公知の光学系に
より構成され、入射するレーザ光の強度分布を一様にす
ると共に、レーザ光の干渉縞による照度むらを平均化に
より打ち消す機能を持っている。ビーム一様化光学系５
から射出されたパルスレーザ光は、反射率の低いビーム
スプリッター６に入射し、ビームスプリッター６を透過
したパルスレーザ光は、リレーレンズ６を経て１対のそ
れぞれ平板状のレチクルブラインド８Ａ及び８Ｂに一様
な強度で入射する。
レーザ光ＩＬは、ミラー４で反射されてビーム一様化光
学系５に入射する。ビーム一様化光学系５は、フライア
イレンズや振動ミラー等を組み合わせた公知の光学系に
より構成され、入射するレーザ光の強度分布を一様にす
ると共に、レーザ光の干渉縞による照度むらを平均化に
より打ち消す機能を持っている。ビーム一様化光学系５
から射出されたパルスレーザ光は、反射率の低いビーム
スプリッター６に入射し、ビームスプリッター６を透過
したパルスレーザ光は、リレーレンズ６を経て１対のそ
れぞれ平板状のレチクルブラインド８Ａ及び８Ｂに一様
な強度で入射する。
【００２０】また、図１の紙面に垂直な方向にも１対の
それぞれ平板状のレチクルブラインドが配置されている
が、この１対のレチクルブラインドについては後述す
る。それら２枚のレチクルブラインド８Ａ，８Ｂで挟ま
れたスリット状の細長い領域の像が、リレーレンズ１
１、ミラー１２及びメインコンデンサーレンズ１３を介
して、レチクルＲ上に投影される。レチクルブラインド
８Ａ，８ＢによりレチクルＲ上に設定されるスリット状
に細長い形状の照明領域２７の長手方向は、図１の紙面
に垂直な方向である。その照明領域２７内のレチクルＲ
のパターンにパルスレーザ光ＩＬが均一な照度分布で照
射される。
それぞれ平板状のレチクルブラインドが配置されている
が、この１対のレチクルブラインドについては後述す
る。それら２枚のレチクルブラインド８Ａ，８Ｂで挟ま
れたスリット状の細長い領域の像が、リレーレンズ１
１、ミラー１２及びメインコンデンサーレンズ１３を介
して、レチクルＲ上に投影される。レチクルブラインド
８Ａ，８ＢによりレチクルＲ上に設定されるスリット状
に細長い形状の照明領域２７の長手方向は、図１の紙面
に垂直な方向である。その照明領域２７内のレチクルＲ
のパターンにパルスレーザ光ＩＬが均一な照度分布で照
射される。
【００２１】この場合、レチクルブラインド８Ａ，８Ｂ
で挟まれた領域のレチクルＲ上への投影は１以下の投影
倍率で行うことが望ましい。また、レチクルＲ上でレチ
クルブラインド８Ａ及び８Ｂのエッジの像に所定のぼけ
幅を与えるように、レチクルブラインド８Ａ，８Ｂの配
置面は、レチクルＲのパターン形成面（下面）の共役面
から所定量だけデフォーカスされており、そのデフォー
カス量を図示省略されて調整機構により変化できるよう
になっている。また、レチクルブラインド８Ａ及び８Ｂ
は、それぞれ駆動部９Ａ及び９Ｂにより照明光学系の光
軸方向に出し入れできるようになっている。露光制御系
１０が駆動部９Ａ及び９Ｂの動作を制御する。
で挟まれた領域のレチクルＲ上への投影は１以下の投影
倍率で行うことが望ましい。また、レチクルＲ上でレチ
クルブラインド８Ａ及び８Ｂのエッジの像に所定のぼけ
幅を与えるように、レチクルブラインド８Ａ，８Ｂの配
置面は、レチクルＲのパターン形成面（下面）の共役面
から所定量だけデフォーカスされており、そのデフォー
カス量を図示省略されて調整機構により変化できるよう
になっている。また、レチクルブラインド８Ａ及び８Ｂ
は、それぞれ駆動部９Ａ及び９Ｂにより照明光学系の光
軸方向に出し入れできるようになっている。露光制御系
１０が駆動部９Ａ及び９Ｂの動作を制御する。
【００２２】また、ビームスプリッター６で反射された
光は集光レンズ２５により光電検出器２６の受光面に集
められて、光電変換される。光電検出器２６の出力信号
は露光制御系１０に供給される。光電検出器２６の出力
信号は、ウエハＷ上に入射するパルスレーザ光毎の露光
エネルギーに比例した値を持っているため、露光制御系
１０では、その光電検出器２６の出力信号を積算するこ
とにより、ウエハＷ上での積算露光量を算出することが
できる。
光は集光レンズ２５により光電検出器２６の受光面に集
められて、光電変換される。光電検出器２６の出力信号
は露光制御系１０に供給される。光電検出器２６の出力
信号は、ウエハＷ上に入射するパルスレーザ光毎の露光
エネルギーに比例した値を持っているため、露光制御系
１０では、その光電検出器２６の出力信号を積算するこ
とにより、ウエハＷ上での積算露光量を算出することが
できる。
【００２３】レチクルＲはレチクルステージ１４上に真
空吸着又は他の機械的手段により固定され、レチクルス
テージ１４は、レチクルガイド１５上を投影光学系ＰＬ
の光軸ＡＸに垂直で図１の紙面に平行なｘ方向に１次元
的に走査される。レチクルステージ１４上の一端に移動
鏡１６が固定され、外部のレチクル側レーザ干渉計１７
からのレーザビームが移動鏡１６で反射され、レーザ干
渉計１７はレチクルステージ１４のｘ方向の位置を常時
モニターしている。レーザ干渉計１７で検出された座標
位置はステージ制御系１８に供給され、ステージ制御系
１８は、レチクルステージ１８の走査速度及び走査のタ
イミングを制御する。前述のレチクルブラインド８Ａ，
８Ｂは、レチクルＲの走査方向に垂直なエッジの像を作
るレチクルブラインドである。すなわち、レチクルブラ
インド８Ａ，８Ｂは走査方向に垂直な方向と共役な方向
に延びた直線状のエッジを有する。
空吸着又は他の機械的手段により固定され、レチクルス
テージ１４は、レチクルガイド１５上を投影光学系ＰＬ
の光軸ＡＸに垂直で図１の紙面に平行なｘ方向に１次元
的に走査される。レチクルステージ１４上の一端に移動
鏡１６が固定され、外部のレチクル側レーザ干渉計１７
からのレーザビームが移動鏡１６で反射され、レーザ干
渉計１７はレチクルステージ１４のｘ方向の位置を常時
モニターしている。レーザ干渉計１７で検出された座標
位置はステージ制御系１８に供給され、ステージ制御系
１８は、レチクルステージ１８の走査速度及び走査のタ
イミングを制御する。前述のレチクルブラインド８Ａ，
８Ｂは、レチクルＲの走査方向に垂直なエッジの像を作
るレチクルブラインドである。すなわち、レチクルブラ
インド８Ａ，８Ｂは走査方向に垂直な方向と共役な方向
に延びた直線状のエッジを有する。
【００２４】レチクルＲ上の照明領域２７内のパターン
の像は投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の露光フィー
ルド（ショット領域）内に投影される。スリット状の照
明領域２７と投影光学系ＰＬに関して共役なウエハＷ上
の領域がスリット状の露光領域２８である。ウエハＷは
ウエハホルダー１９上に真空吸着等で固定され、ウエハ
ホルダー１９は、ウエハＷを投影光学系ＰＬの光軸に平
行なｚ方向に位置決めするＺステージ２０上に載置さ
れ、Ｚステージ２０は、ウエハＷを投影光学系ＰＬの光
軸に垂直な２次元平面（この平面の座標系をｘ軸及びｙ
軸とする）内で位置決めするＸＹステージ２１上に載置
されている。ＸＹステージ２１は、スリットスキャン露
光時にウエハＷをｘ方向に走査し、Ｚステージ２０はウ
エハＷのフォーカシングを行う。また、図示省略する
も、ウエハＷの傾斜角を調整するレベリングステージ、
及びウエハＷの表面のｚ方向の位置（フォーカス位置）
や傾斜角を計測するためのセンサーが設けられている。
また、レチクルＲとウエハＷとの位置関係を検出するア
ライメントセンサーも存在するが、本実施例の説明とは
あまり関係が無いため図示省略している。
の像は投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の露光フィー
ルド（ショット領域）内に投影される。スリット状の照
明領域２７と投影光学系ＰＬに関して共役なウエハＷ上
の領域がスリット状の露光領域２８である。ウエハＷは
ウエハホルダー１９上に真空吸着等で固定され、ウエハ
ホルダー１９は、ウエハＷを投影光学系ＰＬの光軸に平
行なｚ方向に位置決めするＺステージ２０上に載置さ
れ、Ｚステージ２０は、ウエハＷを投影光学系ＰＬの光
軸に垂直な２次元平面（この平面の座標系をｘ軸及びｙ
軸とする）内で位置決めするＸＹステージ２１上に載置
されている。ＸＹステージ２１は、スリットスキャン露
光時にウエハＷをｘ方向に走査し、Ｚステージ２０はウ
エハＷのフォーカシングを行う。また、図示省略する
も、ウエハＷの傾斜角を調整するレベリングステージ、
及びウエハＷの表面のｚ方向の位置（フォーカス位置）
や傾斜角を計測するためのセンサーが設けられている。
また、レチクルＲとウエハＷとの位置関係を検出するア
ライメントセンサーも存在するが、本実施例の説明とは
あまり関係が無いため図示省略している。
【００２５】また、Ｚステージ２０上の一端に移動鏡２
２が固定され、外部のウエハ側レーザ干渉計２３からの
レーザビームが移動鏡２２で反射され、レーザ干渉計２
３はＺステージ２０（ウエハＷ）のｘ方向及びｙ方向の
位置を常時モニターしている。レーザ干渉計２３で検出
された座標位置はステージ制御系１８に供給され、ステ
ージ制御系１８は、ＸＹステージ２１の走査速度及び走
査のタイミングを制御する。また、装置全体の動作を制
御する主制御系２４が、露光制御系１０及びステージ制
御系１８の動作を制御する。
２が固定され、外部のウエハ側レーザ干渉計２３からの
レーザビームが移動鏡２２で反射され、レーザ干渉計２
３はＺステージ２０（ウエハＷ）のｘ方向及びｙ方向の
位置を常時モニターしている。レーザ干渉計２３で検出
された座標位置はステージ制御系１８に供給され、ステ
ージ制御系１８は、ＸＹステージ２１の走査速度及び走
査のタイミングを制御する。また、装置全体の動作を制
御する主制御系２４が、露光制御系１０及びステージ制
御系１８の動作を制御する。
【００２６】スリットスキャン露光方式でレチクルＲ上
のパターン像を逐次ウエハＷ上の感光材に投影するに
は、投影光学系ＰＬの投影倍率をβとして（βは例えば
１／４）、レチクルステージ１４をｘ方向に沿ったＤＲ
方向に速度Ｖで等速走査するのと同期して、ウエハＷが
載置されたＺステージ２０を、−ｘ方向に沿ったＤＷ方
向に速度β・Ｖで等速走査する。また、レチクルＲを−
ｘ方向に走査するときには、ウエハＷはｘ方向に走査さ
れる。このように、レチクルＲとウエハＷとを反対向き
に完全に同期してそれぞれ等速で走査しつつ、エキシマ
レーザ光源１を一定時間間隔で発光させると、ウエハＷ
上の感光材にレチクルＲのパターン像が逐次投影され
る。
のパターン像を逐次ウエハＷ上の感光材に投影するに
は、投影光学系ＰＬの投影倍率をβとして（βは例えば
１／４）、レチクルステージ１４をｘ方向に沿ったＤＲ
方向に速度Ｖで等速走査するのと同期して、ウエハＷが
載置されたＺステージ２０を、−ｘ方向に沿ったＤＷ方
向に速度β・Ｖで等速走査する。また、レチクルＲを−
ｘ方向に走査するときには、ウエハＷはｘ方向に走査さ
れる。このように、レチクルＲとウエハＷとを反対向き
に完全に同期してそれぞれ等速で走査しつつ、エキシマ
レーザ光源１を一定時間間隔で発光させると、ウエハＷ
上の感光材にレチクルＲのパターン像が逐次投影され
る。
【００２７】レチクルステージ１４及びウエハ側のＺス
テージ２０の同期した定速走査を可能とするため、レー
ザ干渉計１７及び２３の計測データが使用される。ま
た、それぞれのステージとしては、例えばリニアモータ
駆動とエアガイドとの組み合わせのような定速走査が容
易な機構が用いられている。レチクルステージ１４とウ
エハ側のＺステージ２０とは、主制御系２４から発生さ
れてステージ制御系１８を経た制御信号によりそれぞれ
位置及び速度が制御される。また、露光制御系１０は光
電検出器２６の検出信号を積算し、主制御系２４の指示
によりエキシマレーザ光源１にパルス出力のトリガー及
び平均パルスエネルギーの設定値を供給する演算により
算出された位置（詳細後述）に設定する。
テージ２０の同期した定速走査を可能とするため、レー
ザ干渉計１７及び２３の計測データが使用される。ま
た、それぞれのステージとしては、例えばリニアモータ
駆動とエアガイドとの組み合わせのような定速走査が容
易な機構が用いられている。レチクルステージ１４とウ
エハ側のＺステージ２０とは、主制御系２４から発生さ
れてステージ制御系１８を経た制御信号によりそれぞれ
位置及び速度が制御される。また、露光制御系１０は光
電検出器２６の検出信号を積算し、主制御系２４の指示
によりエキシマレーザ光源１にパルス出力のトリガー及
び平均パルスエネルギーの設定値を供給する演算により
算出された位置（詳細後述）に設定する。
【００２８】以下では、スリットスキャン露光方式で露
光を行う際に、レチクルＲを照明領域２７に対してＤＲ
方向（ｘ方向）に走査し、ウエハＷをＤＷ方向（−ｘ方
向）に走査するものとして説明する。この場合、本例で
は露光中に下側のレチクルブラインド８Ｂの位置を光軸
に垂直なａ方向に所定範囲内で移動させる。これによ
り、レチクルＲ上の照明領域２７は、走査方向の後側の
エッジ部がｘ方向に沿ったｂ方向に移動し、ウエハＷ上
の露光領域２８は、ウエハＷの走査方向（ＤＷ方向）の
後側のエッジ部がｘ方向にΔｘだけ移動する。このよう
な露光領域２８の走査方向の後側のエッジ部の移動によ
り、少ないパルス数でウエハＷ上の積算露光量を目標露
光量に設定する。また、本例ではウエハＷがｘ方向に間
隔ｄだけ移動する毎にエキシマレーザ光源１のパルス発
光が行われるように、パルス発光の周期を設定する。
光を行う際に、レチクルＲを照明領域２７に対してＤＲ
方向（ｘ方向）に走査し、ウエハＷをＤＷ方向（−ｘ方
向）に走査するものとして説明する。この場合、本例で
は露光中に下側のレチクルブラインド８Ｂの位置を光軸
に垂直なａ方向に所定範囲内で移動させる。これによ
り、レチクルＲ上の照明領域２７は、走査方向の後側の
エッジ部がｘ方向に沿ったｂ方向に移動し、ウエハＷ上
の露光領域２８は、ウエハＷの走査方向（ＤＷ方向）の
後側のエッジ部がｘ方向にΔｘだけ移動する。このよう
な露光領域２８の走査方向の後側のエッジ部の移動によ
り、少ないパルス数でウエハＷ上の積算露光量を目標露
光量に設定する。また、本例ではウエハＷがｘ方向に間
隔ｄだけ移動する毎にエキシマレーザ光源１のパルス発
光が行われるように、パルス発光の周期を設定する。
【００２９】次に、ウエハＷ上での露光領域２８に対す
る走査方向はｘ方向であるため、露光中におけるウエハ
Ｗ上での位置ｘにおける積算露光量Ｅ（ｘ）の分布は、
理想的な状態では図２（ａ）の分布関数Ｅ21（ｘ），Ｅ
22（ｘ）及びＥ23（ｘ）のようになり、露光が終了した
領域での積算露光量は目標露光量Ｅ0 となる。また、積
算露光量の分布が図２（ａ）の場合の、１パルス分の位
置ｘにおける露光量Ｉ（ｘ）の分布は、図２（ｂ）の分
布関数Ｉ21（ｘ），Ｉ22（ｘ）及びＩ23（ｘ）のように
走査方向に台形状になる。この場合、ウエハＷが静止し
ており、その上を図１の露光領域２８がｘ方向に次第に
移動（走査）していくものとして図示している。ｘ21≦
ｘ＜ｘ22の範囲である露光量Ｉ（ｘ）の立ち上がり領域
においては、積算露光量Ｅ（ｘ）はＥ21（ｘ）のように
なり曲線のように見えるが、詳細に見ると滑らかな曲線
ではない。
る走査方向はｘ方向であるため、露光中におけるウエハ
Ｗ上での位置ｘにおける積算露光量Ｅ（ｘ）の分布は、
理想的な状態では図２（ａ）の分布関数Ｅ21（ｘ），Ｅ
22（ｘ）及びＥ23（ｘ）のようになり、露光が終了した
領域での積算露光量は目標露光量Ｅ0 となる。また、積
算露光量の分布が図２（ａ）の場合の、１パルス分の位
置ｘにおける露光量Ｉ（ｘ）の分布は、図２（ｂ）の分
布関数Ｉ21（ｘ），Ｉ22（ｘ）及びＩ23（ｘ）のように
走査方向に台形状になる。この場合、ウエハＷが静止し
ており、その上を図１の露光領域２８がｘ方向に次第に
移動（走査）していくものとして図示している。ｘ21≦
ｘ＜ｘ22の範囲である露光量Ｉ（ｘ）の立ち上がり領域
においては、積算露光量Ｅ（ｘ）はＥ21（ｘ）のように
なり曲線のように見えるが、詳細に見ると滑らかな曲線
ではない。
【００３０】図３は、位置ｘが図２の位置ｘ21の付近で
の積算露光量Ｅ（ｘ）の詳細な分布を示しており、−ｘ
方向に間隔ｄだけウエハ側のＺステージ２０が移動する
（即ち、ｘ方向に露光領域２８が間隔ｄだけ移動する）
毎にパルス露光がなされるので、間隔ｄ毎に積算露光量
Ｅ（ｘ）の分布が折れ曲がる。具体的に、積算露光量Ｅ
（ｘ）は、位置ｘ21まではＥk-1(ｘ）であり、位置ｘ21
から間隔ｄだけ変化する毎に、Ｅk(ｘ），Ｅk+1(ｘ），
Ｅk+2(ｘ），…のように変化する。
の積算露光量Ｅ（ｘ）の詳細な分布を示しており、−ｘ
方向に間隔ｄだけウエハ側のＺステージ２０が移動する
（即ち、ｘ方向に露光領域２８が間隔ｄだけ移動する）
毎にパルス露光がなされるので、間隔ｄ毎に積算露光量
Ｅ（ｘ）の分布が折れ曲がる。具体的に、積算露光量Ｅ
（ｘ）は、位置ｘ21まではＥk-1(ｘ）であり、位置ｘ21
から間隔ｄだけ変化する毎に、Ｅk(ｘ），Ｅk+1(ｘ），
Ｅk+2(ｘ），…のように変化する。
【００３１】図４は、ウエハＷ上での露光領域２８の移
動の様子を示し、この図４において、１つの露光フィー
ルドＥＡ内には、普通は少なくとも１個のＬＳＩが含ま
れる。ウエハＷが静止した座標系では、スリットスキャ
ン露光時に露光領域２８はｘ軸の正の方向に進むので、
露光フィールドＥＡ内で最初に露光領域２８による露光
が終了した領域を第１の積算露光量算出区間Ｓ1 とす
る。この場合、露光領域２８がｘ方向に間隔ｄずつ移動
する毎にパルス発光が行われるため、第１の積算露光量
算出区間Ｓ1 から露光領域２８をほぼ間隔ｄ毎に区切っ
た積算露光量算出区間Ｓ2,Ｓ3,Ｓ4,…の順に、次第に露
光が終了する。
動の様子を示し、この図４において、１つの露光フィー
ルドＥＡ内には、普通は少なくとも１個のＬＳＩが含ま
れる。ウエハＷが静止した座標系では、スリットスキャ
ン露光時に露光領域２８はｘ軸の正の方向に進むので、
露光フィールドＥＡ内で最初に露光領域２８による露光
が終了した領域を第１の積算露光量算出区間Ｓ1 とす
る。この場合、露光領域２８がｘ方向に間隔ｄずつ移動
する毎にパルス発光が行われるため、第１の積算露光量
算出区間Ｓ1 から露光領域２８をほぼ間隔ｄ毎に区切っ
た積算露光量算出区間Ｓ2,Ｓ3,Ｓ4,…の順に、次第に露
光が終了する。
【００３２】スリット状の露光領域２８の走査方向の幅
を間隔ｄのＭ倍（Ｍは例えば２０程度の整数）とする
と、露光領域２８は、或るパルス発光の時点には、ほぼ
Ｍ個の積算露光量算出区間Ｓi-M 〜Ｓi-1 の露光区間に
またがっており、次のパルス発光の時点には、ほぼ積算
露光量算出区間Ｓi-M+1 〜Ｓi の露光区間３２にまたが
る。
を間隔ｄのＭ倍（Ｍは例えば２０程度の整数）とする
と、露光領域２８は、或るパルス発光の時点には、ほぼ
Ｍ個の積算露光量算出区間Ｓi-M 〜Ｓi-1 の露光区間に
またがっており、次のパルス発光の時点には、ほぼ積算
露光量算出区間Ｓi-M+1 〜Ｓi の露光区間３２にまたが
る。
【００３３】露光後は露光フィールドＥＡ内の積算露光
量分布をできるだけ一様にするが、その為に、図１のレ
チクルブラインド８Ａ，８Ｂによる露光領域２８では、
露光フィールドＥＡより走査方向に広い領域を照明し、
図１のレチクルＲ上に配置したレチクルＲと同期して移
動する遮光板（図示省略）により、レチクルＲ上の転写
対象とする回路パターン以外の領域を遮蔽するようにし
ても良い。即ち、レチクルブラインド８Ａ，８Ｂとは別
のレチクルブラインドにて、露光領域２８による露光部
を制限するようにしても良い。別のレチクルブラインド
のタイプとしては、レチクルＲの上面又は下面に近接し
て設置するプロキシミティブラインドやレンズ系で投影
する投影型ブラインドが考えられる。投影型ブラインド
の場合はレチクルブラインド８Ａ，８Ｂの近くに置か
れ、レチクルＲのパターン形成面に対して厳密に共役な
面に設定される。レチクルブラインド８Ａ，８Ｂはこの
共役関係から少しずらせて、レチクルＲのパターン形成
面での投影像がぼけるような位置に配置される。本例で
は、走査露光中において露光が始まる側（走査方向の前
側）の露光領域２８のエッジ部２８ａに対応したレチク
ルブラインド８Ａの位置は走査中は動かないが、露光が
終了する側（走査方向の後側）の露光領域２８のエッジ
部２８ｂに対応するレチクルブラインド８Ｂはパルス毎
に位置を変えて、これにより露光後のウエハＷ上の走査
方向の積算露光量を一様化する。
量分布をできるだけ一様にするが、その為に、図１のレ
チクルブラインド８Ａ，８Ｂによる露光領域２８では、
露光フィールドＥＡより走査方向に広い領域を照明し、
図１のレチクルＲ上に配置したレチクルＲと同期して移
動する遮光板（図示省略）により、レチクルＲ上の転写
対象とする回路パターン以外の領域を遮蔽するようにし
ても良い。即ち、レチクルブラインド８Ａ，８Ｂとは別
のレチクルブラインドにて、露光領域２８による露光部
を制限するようにしても良い。別のレチクルブラインド
のタイプとしては、レチクルＲの上面又は下面に近接し
て設置するプロキシミティブラインドやレンズ系で投影
する投影型ブラインドが考えられる。投影型ブラインド
の場合はレチクルブラインド８Ａ，８Ｂの近くに置か
れ、レチクルＲのパターン形成面に対して厳密に共役な
面に設定される。レチクルブラインド８Ａ，８Ｂはこの
共役関係から少しずらせて、レチクルＲのパターン形成
面での投影像がぼけるような位置に配置される。本例で
は、走査露光中において露光が始まる側（走査方向の前
側）の露光領域２８のエッジ部２８ａに対応したレチク
ルブラインド８Ａの位置は走査中は動かないが、露光が
終了する側（走査方向の後側）の露光領域２８のエッジ
部２８ｂに対応するレチクルブラインド８Ｂはパルス毎
に位置を変えて、これにより露光後のウエハＷ上の走査
方向の積算露光量を一様化する。
【００３４】次に、本実施例による露光量制御の動作の
一例を図７のフローチャートを用いて説明する。ウエハ
Ｗ上の１つの露光フィールドＥＡにスリットスキャン露
光方式でレチクルＲのパターン像を露光するには、先ず
図７のステップ１０１において、図１のレチクルステー
ジ１４及びウエハ側のＺステージ２０の位置をそれぞ
れ、所定の露光領域に対応した位置に対して走査の助走
分だけ離れた位置に設定してから、助走の走査を始め
る。その後、ステップ１０２でエキシマレーザ光源１の
パルス発光を開始させ、パルスエネルギーを安定させ
て、ステップ１０３でパルス発光毎のパルスエネルギー
の平均値を目標とする平均パルスエネルギーに設定す
る。
一例を図７のフローチャートを用いて説明する。ウエハ
Ｗ上の１つの露光フィールドＥＡにスリットスキャン露
光方式でレチクルＲのパターン像を露光するには、先ず
図７のステップ１０１において、図１のレチクルステー
ジ１４及びウエハ側のＺステージ２０の位置をそれぞ
れ、所定の露光領域に対応した位置に対して走査の助走
分だけ離れた位置に設定してから、助走の走査を始め
る。その後、ステップ１０２でエキシマレーザ光源１の
パルス発光を開始させ、パルスエネルギーを安定させ
て、ステップ１０３でパルス発光毎のパルスエネルギー
の平均値を目標とする平均パルスエネルギーに設定す
る。
【００３５】この場合、エキシマレーザ光源１のパルス
エネルギー出力を一定値に設定するようにするだけでも
よいし、レーザ光のパワーを減光フィルターにより減衰
させて、パルスエネルギーの平均値を所定の値に設定し
てもよい。このパルスエネルギーの設定値は、ウエハＷ
上の一点を露光するときの目標パルス数Ｍ0 と、ウエハ
Ｗ上の感光材への目標積算露光エネルギーの密度をレー
ザのパルスエネルギーの積算露光量に換算した値Ｅ0 と
を用いて、Ｅ0 ／Ｍ0 により求められる。
エネルギー出力を一定値に設定するようにするだけでも
よいし、レーザ光のパワーを減光フィルターにより減衰
させて、パルスエネルギーの平均値を所定の値に設定し
てもよい。このパルスエネルギーの設定値は、ウエハＷ
上の一点を露光するときの目標パルス数Ｍ0 と、ウエハ
Ｗ上の感光材への目標積算露光エネルギーの密度をレー
ザのパルスエネルギーの積算露光量に換算した値Ｅ0 と
を用いて、Ｅ0 ／Ｍ0 により求められる。
【００３６】その後、ステップ１０４で、ウエハ側のＺ
ステージ２０とレチクルステージ１４とが所定の位置関
係でそれぞれ安定した走査速度で同期して走査されるよ
うになる。この場合、本例の露光制御系１０は、図４に
示すウエハＷ上の露光フィールドＥＡを、パルス発光毎
に露光領域２８が相対的に移動する間隔ｄで走査方向に
分割した積算露光量算出区間Ｓ1 〜ＳQ に対応したアド
レスを有するメモリを備えている。
ステージ２０とレチクルステージ１４とが所定の位置関
係でそれぞれ安定した走査速度で同期して走査されるよ
うになる。この場合、本例の露光制御系１０は、図４に
示すウエハＷ上の露光フィールドＥＡを、パルス発光毎
に露光領域２８が相対的に移動する間隔ｄで走査方向に
分割した積算露光量算出区間Ｓ1 〜ＳQ に対応したアド
レスを有するメモリを備えている。
【００３７】そのメモリには、ｊ番目の積算露光量算出
区間Ｓj （ｊ＝１〜Ｑ）毎にそれぞれ積算露光量Ｅ
（ｊ）が記憶される。積算露光量Ｅ（ｊ）は厳密には１
つの区間で一定値ではないが、その区間の中央部の値、
端部の値又は平均値等を代表値として用いる。また、そ
のメモリには、ｊ番目の積算露光量算出区間Ｓj の露光
が終わるときのレチクルブラインド８Ｂの目標位置ａ
（ｊ）を記憶できるだけの容量もある。これらの積算露
光量算出区間の数Ｑは、図４の露光フィールドＥＡの走
査方向の長さＬ1 と１パルス当たりに走査される間隔ｄ
とを用いて、次式により表される。但し、［Ａ］は数Ａ
を超えない整数を表す。
区間Ｓj （ｊ＝１〜Ｑ）毎にそれぞれ積算露光量Ｅ
（ｊ）が記憶される。積算露光量Ｅ（ｊ）は厳密には１
つの区間で一定値ではないが、その区間の中央部の値、
端部の値又は平均値等を代表値として用いる。また、そ
のメモリには、ｊ番目の積算露光量算出区間Ｓj の露光
が終わるときのレチクルブラインド８Ｂの目標位置ａ
（ｊ）を記憶できるだけの容量もある。これらの積算露
光量算出区間の数Ｑは、図４の露光フィールドＥＡの走
査方向の長さＬ1 と１パルス当たりに走査される間隔ｄ
とを用いて、次式により表される。但し、［Ａ］は数Ａ
を超えない整数を表す。
【００３８】Ｑ＝［Ｌ1 ／ｄ］＋１ （１） なお、既に露光が終わった積算露光量算出区間のデータ
を捨てるようにすれば、実際に必要な積算露光量算出区
間は露光領域２８内に含まれている区間であるため、露
光制御系１０内のメモリで記憶するべき積算露光量算出
区間の個数Ｑは、図４の露光領域２８の走査方向の幅を
Ｌ2 として、次式でも良い。
を捨てるようにすれば、実際に必要な積算露光量算出区
間は露光領域２８内に含まれている区間であるため、露
光制御系１０内のメモリで記憶するべき積算露光量算出
区間の個数Ｑは、図４の露光領域２８の走査方向の幅を
Ｌ2 として、次式でも良い。
【００３９】Ｑ＝［Ｌ2 ／ｄ］＋１ （２） レチクルブラインド８Ｂの目標位置ａ（ｊ）は標準値か
らの偏差であり、初期には標準値に設定するので、ステ
ップ１０５において、パルス数カウンタ中の変数ｉをリ
セット（ｉ＝０）すると共に、全ての目標位置ａ（ｊ）
を０とする。同時に全ての積算露光量Ｅ（ｊ）の初期値
も０とする（ｊ＝１〜Ｑ）。次に、ステップ１０６で、
図４の露光領域２８がウエハＷ上の露光フィールドＥＡ
内に入る。
らの偏差であり、初期には標準値に設定するので、ステ
ップ１０５において、パルス数カウンタ中の変数ｉをリ
セット（ｉ＝０）すると共に、全ての目標位置ａ（ｊ）
を０とする。同時に全ての積算露光量Ｅ（ｊ）の初期値
も０とする（ｊ＝１〜Ｑ）。次に、ステップ１０６で、
図４の露光領域２８がウエハＷ上の露光フィールドＥＡ
内に入る。
【００４０】そこで、ステップ１０７で、直前のパルス
発光位置からウエハＷがｘ方向に間隔ｄだけ移動した時
点で１パルスの発光を行う。そして、図１の光電検出器
２６の光電変換信号を露光制御系１０に供給し、露光制
御系１０ではその光電変換信号からパルスエネルギーｐ
i を算出する。その次のステップ１０８では、パルス数
カウンタで変数ｉの値を１つ増加させる。
発光位置からウエハＷがｘ方向に間隔ｄだけ移動した時
点で１パルスの発光を行う。そして、図１の光電検出器
２６の光電変換信号を露光制御系１０に供給し、露光制
御系１０ではその光電変換信号からパルスエネルギーｐ
i を算出する。その次のステップ１０８では、パルス数
カウンタで変数ｉの値を１つ増加させる。
【００４１】そして、ステップ１０９では変数ｉが上限
値Ｑになっているかどうかを判断し、上限値Ｑになって
いなければステップ１１０に進み、上限値Ｑになってい
ればステップ１１７に進む。ステップ１１０では、ｉ番
目までのウエハＷ上の積算露光量算出区間Ｓ1 〜Ｓi に
対する積算露光量Ｅ（ｊ）を計算する。ここで、１パル
ス分の露光における露光領域２８の走査方向の露光量分
布に対応した定数の組Ａ（ｋ）を導入する。その定数の
組Ａ（ｋ）（ｋ＝１，２，３，…，Ｍ）は、図６の曲線
３５〜３７に示すように台形状をなし、その幅はＭであ
り、これが１パルス露光での露光領域２８の走査方向の
幅に相当する。この定数の組みＡ（ｋ）は露光領域２８
内の照度分布を予め測定しておいて設定することもでき
るし、ウエハＷと同一面又は共役な面に強度分布のモニ
ターを設けてその出力から得ることもできる。１パルス
露光における実際の露光量分布はパルスエネルギーｐi
に比例するので、ｐi・Ａ（ｉ＋ｊ−１）と表され、積算
露光量Ｅ（ｊ）は、それ以前の積算露光量Ｅ（ｊ）にこ
の値を加えた値となる。
値Ｑになっているかどうかを判断し、上限値Ｑになって
いなければステップ１１０に進み、上限値Ｑになってい
ればステップ１１７に進む。ステップ１１０では、ｉ番
目までのウエハＷ上の積算露光量算出区間Ｓ1 〜Ｓi に
対する積算露光量Ｅ（ｊ）を計算する。ここで、１パル
ス分の露光における露光領域２８の走査方向の露光量分
布に対応した定数の組Ａ（ｋ）を導入する。その定数の
組Ａ（ｋ）（ｋ＝１，２，３，…，Ｍ）は、図６の曲線
３５〜３７に示すように台形状をなし、その幅はＭであ
り、これが１パルス露光での露光領域２８の走査方向の
幅に相当する。この定数の組みＡ（ｋ）は露光領域２８
内の照度分布を予め測定しておいて設定することもでき
るし、ウエハＷと同一面又は共役な面に強度分布のモニ
ターを設けてその出力から得ることもできる。１パルス
露光における実際の露光量分布はパルスエネルギーｐi
に比例するので、ｐi・Ａ（ｉ＋ｊ−１）と表され、積算
露光量Ｅ（ｊ）は、それ以前の積算露光量Ｅ（ｊ）にこ
の値を加えた値となる。
【００４２】次のステップ１１１では、走査方向の後側
のレチクルブラインド８Ｂの位置を位置ａ（ｉ＋１）に
設定するように、露光制御系１０より駆動部９Ｂに指令
を出し、次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂ
の移動を完了させる。レチクルブラインド８Ｂは、パル
ス発光と次のパルス発光との間に移動しなければならな
いので、ピエゾ素子又はモータ等の駆動部とリニアエン
コーダ等の位置センサーとを用いて高速で駆動される。
のレチクルブラインド８Ｂの位置を位置ａ（ｉ＋１）に
設定するように、露光制御系１０より駆動部９Ｂに指令
を出し、次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂ
の移動を完了させる。レチクルブラインド８Ｂは、パル
ス発光と次のパルス発光との間に移動しなければならな
いので、ピエゾ素子又はモータ等の駆動部とリニアエン
コーダ等の位置センサーとを用いて高速で駆動される。
【００４３】次のステップ１１２では、パルス数カウン
タの変数ｉが（Ｍ−ｍ2 ）より小さいかどうか判断され
る。ここで数ｍ1 とｍ2 とについて説明する。図５は積
算露光量Ｅ（ｊ）を示し、図５において、ウエハＷ上の
ｉ番目の積算露光量算出区間Ｓi のｉ番目の露光が行わ
れるとき、１パルス分の露光幅に対応した数Ｍだけ前の
（ｉ−Ｍ）番目の積算露光量算出区間以前の区間では積
算露光が終了している。また、露光が始まり、まだ露光
が終了していない積算露光量算出区間は、（ｉ−Ｍ）番
目からｉ番目までであり、積算露光量Ｅ（ｊ）は折れ線
３４に示すように右下がりになっている。
タの変数ｉが（Ｍ−ｍ2 ）より小さいかどうか判断され
る。ここで数ｍ1 とｍ2 とについて説明する。図５は積
算露光量Ｅ（ｊ）を示し、図５において、ウエハＷ上の
ｉ番目の積算露光量算出区間Ｓi のｉ番目の露光が行わ
れるとき、１パルス分の露光幅に対応した数Ｍだけ前の
（ｉ−Ｍ）番目の積算露光量算出区間以前の区間では積
算露光が終了している。また、露光が始まり、まだ露光
が終了していない積算露光量算出区間は、（ｉ−Ｍ）番
目からｉ番目までであり、積算露光量Ｅ（ｊ）は折れ線
３４に示すように右下がりになっている。
【００４４】露光が終了する（ｉ−Ｍ）番目の積算露光
量算出区間より右側の区間で、露光が終了する区間を基
準としてｍ1 番目からｍ2 番目の積算露光量算出区間に
おける積算露光量Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ1 ），Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ
1 ＋１），…，Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ2 ）が、目標とする積算
露光量α0 からどれだけ離れているかによりレチクルブ
ラインド８Ｂの位置ａ（ｊ＋１）を決定する。
量算出区間より右側の区間で、露光が終了する区間を基
準としてｍ1 番目からｍ2 番目の積算露光量算出区間に
おける積算露光量Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ1 ），Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ
1 ＋１），…，Ｅ（ｉ−Ｍ＋ｍ2 ）が、目標とする積算
露光量α0 からどれだけ離れているかによりレチクルブ
ラインド８Ｂの位置ａ（ｊ＋１）を決定する。
【００４５】再び図７のフローチャートに戻って説明す
る。ステップ１１２で、（ｉ＜Ｍ−ｍ2 ）の場合は、積
算パルス数がまだ少なく、レチクルブラインド８Ｂの位
置ａ（ｉ＋１）を初期値から変えないことを意味してお
り、ステップ１１５に進む。一方、ステップ１１２で
（Ｍ−ｍ2 ≦ｉ）と判断された場合、積算露光量に応じ
てレチクルブラインド８Ｂの位置ａ（ｉ＋１）を初期値
より変更するだけパルス数が重なったことを意味し、ス
テップ１１３に進む。
る。ステップ１１２で、（ｉ＜Ｍ−ｍ2 ）の場合は、積
算パルス数がまだ少なく、レチクルブラインド８Ｂの位
置ａ（ｉ＋１）を初期値から変えないことを意味してお
り、ステップ１１５に進む。一方、ステップ１１２で
（Ｍ−ｍ2 ≦ｉ）と判断された場合、積算露光量に応じ
てレチクルブラインド８Ｂの位置ａ（ｉ＋１）を初期値
より変更するだけパルス数が重なったことを意味し、ス
テップ１１３に進む。
【００４６】ステップ１１３では、（ｉ−Ｍ＋ｍ1 ）番
目から（ｉ−Ｍ＋ｍ2 ）番目の積算露光量算出区間の平
均の積算露光量を平均した値を求めてαとし、これと目
標値α0 との差に比例定数Ｋを掛けた値より、レチクル
ブラインド８Ｂの目標位置ａ（ｉ＋ｍ1 ）を計算する。
即ち、次式が成立する。 ａ（ｉ＋ｍ1 ）＝Ｋ（α−α0) （３） この比例定数Ｋは、露光むらが最小になるように、計算
又は経験により定められる。これにより、例えば図２
（ｂ）において、その前のパルス発光の平坦部の露光量
がレベルＡ1 に低下して、図２（ａ）の積算露光量が曲
線３１Ａで示すように設計値よりも低下している場合に
は、次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂを移
動させて、図２（ｂ）においてパルス発光毎の露光量分
布の走査方向の後側のエッジをａＡ方向に開いて露光を
行う。逆に、その前のパルス発光の平坦部の露光量がレ
ベルＡ2 に上昇して、図２（ａ）の積算露光量が曲線３
１Ｂで示すように設計値よりも上昇している場合には、
次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂを移動さ
せて、図２（ｂ）においてパルス発光毎の露光量分布の
走査方向の後側のエッジをａＢ方向に閉じて露光を行
う。これにより、パルスエネルギーがばらついても、積
算露光量が均一化される。
目から（ｉ−Ｍ＋ｍ2 ）番目の積算露光量算出区間の平
均の積算露光量を平均した値を求めてαとし、これと目
標値α0 との差に比例定数Ｋを掛けた値より、レチクル
ブラインド８Ｂの目標位置ａ（ｉ＋ｍ1 ）を計算する。
即ち、次式が成立する。 ａ（ｉ＋ｍ1 ）＝Ｋ（α−α0) （３） この比例定数Ｋは、露光むらが最小になるように、計算
又は経験により定められる。これにより、例えば図２
（ｂ）において、その前のパルス発光の平坦部の露光量
がレベルＡ1 に低下して、図２（ａ）の積算露光量が曲
線３１Ａで示すように設計値よりも低下している場合に
は、次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂを移
動させて、図２（ｂ）においてパルス発光毎の露光量分
布の走査方向の後側のエッジをａＡ方向に開いて露光を
行う。逆に、その前のパルス発光の平坦部の露光量がレ
ベルＡ2 に上昇して、図２（ａ）の積算露光量が曲線３
１Ｂで示すように設計値よりも上昇している場合には、
次のパルス発光までにレチクルブラインド８Ｂを移動さ
せて、図２（ｂ）においてパルス発光毎の露光量分布の
走査方向の後側のエッジをａＢ方向に閉じて露光を行
う。これにより、パルスエネルギーがばらついても、積
算露光量が均一化される。
【００４７】次のステップ１１５ではパルス発光の時間
間隔だけ時間が経過したかどうかを判断し、経過してい
ればステップ１０７に戻る。経過していなければステッ
プ１１６で時間待ちを行ってステップ１１５に戻る。一
方、ステップ１０９で、（ｉ＝Ｑ）となった場合、ステ
ップ１１７へ進むが、ステップ１１７では露光制御系１
０より主制御系２４を介してステージ制御系１８に指令
を送り、ウエハ側のＺステージ２０とレチクルステージ
１４との動作を停止させる。それに続くステップ１１８
では、ウエハＷ上の１つの露光フィールド分の走査露光
が終了し、積算露光量の各値は露光制御系１０から主制
御系２４に送られて記憶され、目標とする積算露光量に
対する差分が算出され、必要とする制御精度又は一様性
を越える場合は警告又はエラーの出力を投影露光装置の
表示部に出力する。１つの露光フィールド分の露光が終
了すると次の露光フィールドへの露光を行うべく、次の
動作が始まる。
間隔だけ時間が経過したかどうかを判断し、経過してい
ればステップ１０７に戻る。経過していなければステッ
プ１１６で時間待ちを行ってステップ１１５に戻る。一
方、ステップ１０９で、（ｉ＝Ｑ）となった場合、ステ
ップ１１７へ進むが、ステップ１１７では露光制御系１
０より主制御系２４を介してステージ制御系１８に指令
を送り、ウエハ側のＺステージ２０とレチクルステージ
１４との動作を停止させる。それに続くステップ１１８
では、ウエハＷ上の１つの露光フィールド分の走査露光
が終了し、積算露光量の各値は露光制御系１０から主制
御系２４に送られて記憶され、目標とする積算露光量に
対する差分が算出され、必要とする制御精度又は一様性
を越える場合は警告又はエラーの出力を投影露光装置の
表示部に出力する。１つの露光フィールド分の露光が終
了すると次の露光フィールドへの露光を行うべく、次の
動作が始まる。
【００４８】以上の実施例においてはスリットスキャン
露光方式の走査を一つの方向のみとしたが、逆向きの走
査も行う。その場合は、レチクルブラインド８Ｂは標準
位置に固定したままで、他方のレチクルブラインド８Ａ
の位置を制御する。また、以上の実施例において、図４
の露光フィールドＥＡの端部の境界部では、レチクルブ
ラインド８Ａ，８Ｂとは別のレチクルブラインドで露光
対象とするパターン以外の領域を覆うものとした。その
他に、レチクルブラインド８Ａ又は８Ｂを露光フィール
ドＥＡの境界部でレチクルの走査と同期して、レチクル
の走査方向と反対向きにレチクルの走査速度と同じ速さ
で移動すると、ウエハＷ上ではレチクルブラインド８Ａ
又は８Ｂの像が静止するので、これをもって露光領域を
制限してもよい。
露光方式の走査を一つの方向のみとしたが、逆向きの走
査も行う。その場合は、レチクルブラインド８Ｂは標準
位置に固定したままで、他方のレチクルブラインド８Ａ
の位置を制御する。また、以上の実施例において、図４
の露光フィールドＥＡの端部の境界部では、レチクルブ
ラインド８Ａ，８Ｂとは別のレチクルブラインドで露光
対象とするパターン以外の領域を覆うものとした。その
他に、レチクルブラインド８Ａ又は８Ｂを露光フィール
ドＥＡの境界部でレチクルの走査と同期して、レチクル
の走査方向と反対向きにレチクルの走査速度と同じ速さ
で移動すると、ウエハＷ上ではレチクルブラインド８Ａ
又は８Ｂの像が静止するので、これをもって露光領域を
制限してもよい。
【００４９】以上の実施例の説明においては、走査方向
に垂直なエッジの影を作るレチクルブラインド８Ａ，８
Ｂのみについて述べたが、走査方向に平行なエッジの影
を作るレチクルブラインドがあった方が望ましい。しか
し、後者のレチクルブラインドはパルス発光毎に移動す
る必要がなく、ウエハ上の露光フィールドの走査方向と
直交する方向の幅や位置を変えた場合にのみ、位置が調
整できれば良い。従って、それら走査方向に平行なエッ
ジの影を作るためのレチクルブラインドの位置は、図１
のレチクルブラインド８Ａ，８Ｂの付近で、レチクルＲ
のパターン形成面に対して共役な位置に設定することが
望ましい。このようなレチクルブラインドを用いること
により、レチクルＲの露光領域周辺の遮光帯幅を狭く
し、レチクルＲの遮光帯の製作が容易になる。
に垂直なエッジの影を作るレチクルブラインド８Ａ，８
Ｂのみについて述べたが、走査方向に平行なエッジの影
を作るレチクルブラインドがあった方が望ましい。しか
し、後者のレチクルブラインドはパルス発光毎に移動す
る必要がなく、ウエハ上の露光フィールドの走査方向と
直交する方向の幅や位置を変えた場合にのみ、位置が調
整できれば良い。従って、それら走査方向に平行なエッ
ジの影を作るためのレチクルブラインドの位置は、図１
のレチクルブラインド８Ａ，８Ｂの付近で、レチクルＲ
のパターン形成面に対して共役な位置に設定することが
望ましい。このようなレチクルブラインドを用いること
により、レチクルＲの露光領域周辺の遮光帯幅を狭く
し、レチクルＲの遮光帯の製作が容易になる。
【００５０】また、以上の実施例においては、レチクル
ブラインド８Ａ，８Ｂは投影型としたが、例えばレチク
ルＲの上面又は下面に近接して配置した可動の遮光板よ
りなるプロキシミティ型のレチクルブラインドを、それ
ら投影型のレチクルブラインドの代わりに使用しても良
い。また、本発明はエネルギー変動のあるパルス光源を
用いたスリットスキャン露光方式の露光装置に対して適
用すると最も効果を発揮するが、水銀ランプのような連
続発光型であっても、強度変動の大きな光源がある場合
には、そのような連続発光型の光源を用いたスリットス
キャン露光方式の投影露光装置にも本発明を同様に適用
することができる。この場合、一定パルス間隔というパ
ラメータはなくなり、一定時間毎の走査幅で区切られた
露光区間で図４のパルス毎の積算露光量算出区間Ｓ1,Ｓ
2,…を置き換えれば良い。
ブラインド８Ａ，８Ｂは投影型としたが、例えばレチク
ルＲの上面又は下面に近接して配置した可動の遮光板よ
りなるプロキシミティ型のレチクルブラインドを、それ
ら投影型のレチクルブラインドの代わりに使用しても良
い。また、本発明はエネルギー変動のあるパルス光源を
用いたスリットスキャン露光方式の露光装置に対して適
用すると最も効果を発揮するが、水銀ランプのような連
続発光型であっても、強度変動の大きな光源がある場合
には、そのような連続発光型の光源を用いたスリットス
キャン露光方式の投影露光装置にも本発明を同様に適用
することができる。この場合、一定パルス間隔というパ
ラメータはなくなり、一定時間毎の走査幅で区切られた
露光区間で図４のパルス毎の積算露光量算出区間Ｓ1,Ｓ
2,…を置き換えれば良い。
【００５１】また、パルス光源を使用した上記の実施例
において、パルス毎に進む露光領域毎の積算露光量算出
区間に対応した積算露光量のメモリーを持つものとした
が、複数のパルスに対応した区間に対して積算露光量を
設定するようにしてもよい。このように、本発明は上述
実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の構成を取り得ることは勿論である。
において、パルス毎に進む露光領域毎の積算露光量算出
区間に対応した積算露光量のメモリーを持つものとした
が、複数のパルスに対応した区間に対して積算露光量を
設定するようにしてもよい。このように、本発明は上述
実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、スリットスキャン露光
方式で露光を行う場合においても積算露光量の制御精度
を高めることができる。特に、パルス光源を用いる場合
には、スリットスキャン露光方式の投影露光装置におい
て、露光領域を制限する可変視野絞りの走査方向に対応
する方向の位置を露光中の積算露光量に基づいて制御す
るようにしているため、少ないパルス数で積算露光量の
制御精度を高めることができる。また、本発明によれ
ば、パルス光源を用いる場合に、露光領域の可変機構を
パルス発振に同期して動作させるようにしているので、
高精度に露光領域を規定することができ、積算露光量の
制御精度を高めることができる。また、本発明によれ
ば、露光領域のエッジのぼけ幅が調整可能となっている
ため、特にパルス光源を用いる場合には最適なぼけ幅調
整を行うことで積算露光量の制御精度を向上させること
ができる。
方式で露光を行う場合においても積算露光量の制御精度
を高めることができる。特に、パルス光源を用いる場合
には、スリットスキャン露光方式の投影露光装置におい
て、露光領域を制限する可変視野絞りの走査方向に対応
する方向の位置を露光中の積算露光量に基づいて制御す
るようにしているため、少ないパルス数で積算露光量の
制御精度を高めることができる。また、本発明によれ
ば、パルス光源を用いる場合に、露光領域の可変機構を
パルス発振に同期して動作させるようにしているので、
高精度に露光領域を規定することができ、積算露光量の
制御精度を高めることができる。また、本発明によれ
ば、露光領域のエッジのぼけ幅が調整可能となっている
ため、特にパルス光源を用いる場合には最適なぼけ幅調
整を行うことで積算露光量の制御精度を向上させること
ができる。
【００５３】また、可変視野絞りを介して所定形状の照
明領域のマスクの走査方向に対して後側のエッジ部の位
置を露光中に変化させる場合には、制御が容易である。
明領域のマスクの走査方向に対して後側のエッジ部の位
置を露光中に変化させる場合には、制御が容易である。
【図１】本発明による投影露光装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図２】（ａ）はウエハ上での理想的な積算露光量分布
を示す図、（ｂ）はウエハ上での１パルス当たりの露光
量分布を示す図である。
を示す図、（ｂ）はウエハ上での１パルス当たりの露光
量分布を示す図である。
【図３】図２（ａ）の位置ｘ21付近での積算露光量分布
を示す拡大図である。
を示す拡大図である。
【図４】ウエハの露光フィールドＥＡ上のパルス発光毎
の積算露光量算出区間及び１パルス当たりのスリット状
の露光領域２８を示す平面図である。
の積算露光量算出区間及び１パルス当たりのスリット状
の露光領域２８を示す平面図である。
【図５】積算露光量算出区間に対する積算露光量の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】１パルス当たりの露光量分布に対応して露光制
御系１０内に記憶されている定数の組Ａ（ｋ）を示す図
である。
御系１０内に記憶されている定数の組Ａ（ｋ）を示す図
である。
【図７】実施例でスリットスキャン露光方式で露光を行
う場合の動作の一例を示すフローチャートである。
う場合の動作の一例を示すフローチャートである。
【図８】（ａ）は従来技術でウエハ上での理想的な積算
露光量分布を示す図、（ｂ）は従来技術でウエハ上での
１パルス当たりの露光量分布を示す図である。
露光量分布を示す図、（ｂ）は従来技術でウエハ上での
１パルス当たりの露光量分布を示す図である。
１ エキシマレーザ光源 ３ ビーム整形光学系 ５ ビーム一様化光学系 ８Ａ，８Ｂ レチクルブラインド Ｒ レチクル ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ １０ 露光制御系 １４ レチクルステージ １８ ステージ制御系 ２０ ウエハのＺステージ ２１ ＸＹステージ ２３ 主制御系 ２６ 光電検出器 ２７ スリット状の照明領域 ２８ スリット状の露光領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−196513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−277612（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65222（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−280619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−158449（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−298719（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−175730（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−193125（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (29)
- 【請求項１】 マスク上の照明領域内のパターンの像を
投影光学系を介して基板上に投影し、前記照明領域に対
して前記マスクを所定方向に走査するのと同期して、前
記照明領域と共役な露光領域に対して前記基板を所定方
向に走査することにより、前記マスクのパターンの像を
逐次前記基板上に露光する走査型の投影露光装置におい
て、 パルス光源と、 該パルス光源からのパルス光で前記マスクを照明する照
明光学系と、 前記照明光学系による前記マスク上の照明領域を所定形
状に制限すると共に、該所定形状の照明領域の前記マス
クの走査方向にほぼ垂直な２つのエッジの像を形成する
２つのエッジ部の一方又は両側のエッジ部の位置を所定
の範囲で任意の位置に設定する可変視野絞りと、 前記パルス光毎のエネルギーを検出する露光エネルギー
検出手段と、 該露光エネルギー検出手段の検出信号より、前記基板上
の露光領域を前記基板の走査方向に所定間隔で区分した
一連の積算露光量算出区間毎の積算露光量を算出する積
算露光量演算手段と、 前記基板の目標積算露光量と前記積算露光量演算手段に
より算出された前記一連の積算露光量算出区間の各々の
積算露光量との差に応じて、前記可変視野絞りを介して
前記所定形状の照明領域の前記２つのエッジ部の一方又
は両側のエッジ部の位置を露光中に変化させる制御手段
と を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記基板の目標積算露
光量と前記積算露光量演算手段により算出された前記一
連の積算露光量算出区間の各々の積算露光量との差に応
じて、前記可変視野絞りを介して前記所定形状の照明領
域の前記マスクの走査方向に対して後側のエッジ部の位
置を露光中に変化させることを特徴とする請求項１に記
載の投影露光装置。 - 【請求項３】 露光ビームに対してマスクと基板とを移
動することによって、前記マスクのパターンを用いて前
記基板を走査露光する投影露光装置において、前記基板
上に照射される前記露光ビームの照射領域を設定する設
定手段と、 前記基板を前記露光ビームで露光するために、前記露光
ビームに対して前記基板を所定方向に移動する移動手段
と、 前記露光ビームのエネルギー情報を検出する検出手段
と、 前記基板上の一つの露光フィールドの走査露光中に、前
記検出手段で検出されるエネルギー情報に基づいて前記
設定手段を制御する制御手段と を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記走査露光後の前記
基板の積算露光量を一様化するために、前記検出手段で
検出されるエネルギー情報に基づいて前記設定手段を制
御することを特徴とする請求項３に記載の投影露光装
置。 - 【請求項５】 前記設定手段の前記エッジを規定する部
材は、前記マスクのパターン面の共役面から所定量だけ
ずれて配置されることを特徴とする請求項３又は４に記
載の投影露光装置。 - 【請求項６】 前記基板上における前記露光ビームの前
記基板の移動方向の強度分布は、その端部に傾斜部を有
することを特徴とする請求項３又は４に記載の投影露光
装置。 - 【請求項７】 前記強度分布はほぼ台形状であることを
特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。 - 【請求項８】 前記露光ビームをパルス発振するビーム
源をさらに備え、 前記検出手段はパルス発振毎に前記露光ビームのエネル
ギー情報を検出し、 前記制御手段は、前記検出手段で検出されるエネルギー
情報の積算を行い、 該積算されたエネルギー情報に基づいて、前記設定手段
の制御を行うことを特徴とする請求項３〜７のいずれか
一項に記載の投影露光装置。 - 【請求項９】 前記制御手段は、前記基板の移動方向に
沿って規定された前記基板上の複数の部分領域毎に、前
記検出手段の検出結果に基づいて積算露光量を算出し、
その算出結果に基づいて前記設定手段を制御することを
特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。 - 【請求項１０】 前記複数の部分領域は、前記ビーム源
のパルス発振毎の前記基板の移動距離に基づいて規定さ
れることを特徴とする請求項９に記載の投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記複数の部分領域は、前記露光ビー
ムの照射領域内に整数個だけ規定されることを特徴とす
る請求項９に記載の投影露光装置。 - 【請求項１２】 前記制御手段は、前記複数の部分領域
の各々に対応する積算エネルギーを記憶するためのメモ
リ手段を備えたことを特徴とする請求項９に記載の投影
露光装置。 - 【請求項１３】 前記制御手段は、前記設定手段を制御
することによって、前記基板の移動方向における前記照
射領域の幅を変更することを特徴とする請求項３〜１２
のいずれか一項に記載の投影露光装置。 - 【請求項１４】 露光ビームに対してマスクと基板とを
移動することによって、前記マスクのパターンを用いて
前記基板を走査露光する投影露光装置において、 前記露光ビームをパルス発振するビーム源と、 前記ビーム源からパルス発振された露光ビームの照射領
域の前記基板の移動方向のエッジ位置を設定する設定手
段と、 前記ビーム源の露光ビームのパルス発振に同期して前記
設定手段を制御する制御手段と を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１５】 前記設定手段は、前記照射領域の前記
基板の移動方向のエッジを規定する可動部材を有し、 該可動部材の配置面は、前記マスクのパターンの形成面
の共役面からずれていることを特徴とする請求項１４に
記載の投影露光装置。 - 【請求項１６】 前記基板上における前記露光ビームの
前記基板の移動方向に関する強度分布はほぼ台形状であ
ることを特徴とする請求項１４に記載の投影露光装置。 - 【請求項１７】 前記ビーム源は、前記基板上の一つの
露光フィールドを走査露光するために前記基板が移動を
開始した後であって、かつ前記露光フィールドの露光が
開始される前に、前記露光ビームのパルス発振を開始す
ることを特徴とする請求項１４に記載の投影露光装置。 - 【請求項１８】 露光ビームに対してマスクと基板とを
移動することによって、前記マスクのパターンを用いて
前記基板を走査露光する投影露光装置において、 前記露光ビームをパルス発振するビーム源と、 前記基板を移動するための移動手段と、 前記基板上での露光ビームの照射領域を規定し、かつ前
記マスクのパターンの形成面の共役面からずれて配置さ
れた光学部材を有する設定手段とを備え、 前記光学部材の前記共役面からのずれ量は調整可能であ
ることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１９】 前記基板上における前記露光ビームの
前記基板の移動方向に関する強度分布はほぼ台形状であ
ることを特徴とする請求項１８に記載の投影露光装置。 - 【請求項２０】 前記ビーム源は、前記基板上の一つの
露光フィールドを走査露光するために前記基板が移動を
開始した後であって、かつ前記露光フィールドの露光が
開始される前に、前記露光ビームのパルス発振を開始す
ることを特徴とする請求項１９に記載の投影露光装置。 - 【請求項２１】 前記ビーム源は露光ビームのエネルギ
ーを安定させるために前記露光フィールドの露光開始前
にパルス発振を開始することを特徴とする請求項２０に
記載の投影露光装置。 - 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれか一項に記載
の投影露光装置を用いて基板を露光するリソグラフィ工
程を含む素子製造方法。 - 【請求項２３】 露光ビームに対して基板を所定方向に
移動することによって前記基板を走査露光する走査露光
方法において、 前記基板の移動中に露光ビームのエネルギー情報を検出
し、 該検出されたエネルギー情報に基づいて、その後に発射
される露光ビームの照射領域を変更することを特徴とす
る走査露光方法。 - 【請求項２４】 露光ビームに対して基板を所定方向に
移動することによって、前記基板を走査露光する走査露
光方法において、 前記露光ビームは前記所定方向の強度分布の端に傾斜部
を有し、 該傾斜部の幅は可変であることを特徴とする走査露光方
法。 - 【請求項２５】 前記露光ビームを発生するビーム源を
備え、 該ビーム源は、前記基板の移動中、かつ前記基板の露光
開始前に、前記露光ビームのパルス発振を開始すること
を特徴とする請求項２４に記載の走査露光方法。 - 【請求項２６】 前記ビーム源は、露光ビームのエネル
ギーを安定させるために、前記露光ビームのパルス発振
を開始することを特徴とする請求項２５に記載の走査露
光方法。 - 【請求項２７】 前記基板の移動中かつ前記基板の露光
開始前に、前記露光ビームのエネルギー設定を行うこと
を特徴とする請求項２５又は２６に記載の走査露光方
法。 - 【請求項２８】 前記基板の移動中かつ前記基板の露光
開始前に、前記基板の移動速度を所定の走査速度に設定
することを特徴とする請求項２５、２６、又は２７に記
載の走査露光方法。 - 【請求項２９】 前記基板の走査露光開始後に、前記ビ
ーム源からパルス発振される露光ビームのエネルギー情
報を検出し、 その検出結果に基づいて、前記露光ビームの照射領域の
変更を行うことを特徴とする請求項２５〜２８のいずれ
か一項に記載の走査露光方法。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP13848993A JP3316704B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| KR1019940013274A KR100296777B1 (ko) | 1993-06-10 | 1994-06-10 | 노광장치,노광방법및소자제조방법 |
| US08/409,935 US5663784A (en) | 1993-06-10 | 1995-03-23 | Slit-scanning type light exposure apparatus |
| US08/834,851 US5831716A (en) | 1993-06-10 | 1997-04-10 | Slit-scanning type light exposure apparatus |
| KR1019990037838A KR100311431B1 (ko) | 1993-06-10 | 1999-09-07 | 주사형 노광장치, 주사노광방법 및 소자제조방법 |
| KR1019990037833A KR100297269B1 (ko) | 1993-06-10 | 1999-09-07 | 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 |
| US10/207,832 US6713747B2 (en) | 1993-06-10 | 2002-07-31 | Light exposure apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13848993A JP3316704B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000174499A Division JP3316759B2 (ja) | 1993-06-10 | 2000-06-09 | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH06347921A JPH06347921A (ja) | 1994-12-22 |
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Family
ID=15223302
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13848993A Expired - Fee Related JP3316704B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
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|---|---|
| US (3) | US5663784A (ja) |
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| KR (3) | KR100296777B1 (ja) |
Families Citing this family (29)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3316704B2 (ja) | 1993-06-10 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| JP3360760B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 露光量むらの計測方法、並びに露光方法及び露光装置 |
| JP3630807B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び当該走査露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
| JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 2005-11-02 | 株式会社ニコン | 走査露光装置 |
| JPH09129550A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-05-16 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3647121B2 (ja) * | 1996-01-04 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および方法、ならびにデバイス製造方法 |
| JP3647120B2 (ja) * | 1996-01-04 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置および方法、ならびにデバイス製造方法 |
| JP3813635B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2006-08-23 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | リソグラフィ走査露光投影装置 |
| US5767950A (en) * | 1996-04-15 | 1998-06-16 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for calibrating iris of photographic printer |
| US5972567A (en) * | 1996-12-20 | 1999-10-26 | Intel Corporation | Method and apparatus for performing a double shift print on a substrate |
| DE69933903T2 (de) | 1998-04-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
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