JP7005183B2 - 露光方法、露光装置および、物品製造方法 - Google Patents
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Description
〔第1実施形態〕
〔第2実施形態〕
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等や微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。例えば、物品として、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
110 照明光学系
120 レチクルステージ
130 投影光学系
140 ウエハステージ
150 制御部
Claims (9)
- 原版に形成されているパターンを照明して、基板上の複数の露光領域を露光する露光方法であって、
前記複数の露光領域のいずれかの領域の露光を開始して終了するまでの期間に前記基板を移動させる工程を含み、
前記期間において前記領域の露光を終了する前に前記基板を移動させるタイミングが、前記基板上に形成されるパターンの、前記基板の面における第1方向の幅と、前記第1方向に対して垂直の方向である、前記基板の面における第2方向の幅と、の差分に基づいて決定される、
ことを特徴とする露光方法。 - 前記基板を移動させる方向は、前記差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記基板を移動させる量は、前記差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項1または2に記載の露光方法。
- 前記いずれかの領域の露光を開始するタイミングは、前記差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記いずれかの領域の露光を開始するタイミングは、前記いずれかの領域を露光する位置まで前記基板を移動させている過程で生じる前記基板の振動量に基づいて決定されることを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
- 前記差分に基づいて、前記原版を照明する光学系の有効光源分布を調整することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記差分は、前記基板上の複数の露光領域のそれぞれに形成されるパターンについて求められることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光方法。
- 原版に形成されているパターンを照明して、基板上の複数の露光領域を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の露光領域のうちいずれかの領域の露光を開始して終了するまでの期間に前記ステージを移動させ、
前記期間において前記領域の露光を終了する前に前記ステージを移動させるタイミングを、前記基板上に形成されるパターンの、前記基板の面における第1方向の幅と、前記第1方向に対して垂直の方向である、前記基板の面における第2方向の幅と、の差分に基づいて決定する、
ことを特徴とする露光装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光方法または請求項8に記載の露光装置を用いて基板を露光する露光工程と、
前記露光工程で前記露光された前記基板を現像する現像工程と、
前記現像工程で前記現像された基板から物品を製造する製造工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017119613A JP7005183B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
TW107117700A TWI676084B (zh) | 2017-06-19 | 2018-05-24 | 曝光方法、曝光裝置及製造物品的方法 |
US16/003,824 US10459349B2 (en) | 2017-06-19 | 2018-06-08 | Exposure method, exposure apparatus and method of manufacturing article |
CN201810604128.7A CN109143788B (zh) | 2017-06-19 | 2018-06-13 | 曝光方法、曝光装置和制造物品的方法 |
KR1020180068546A KR102417815B1 (ko) | 2017-06-19 | 2018-06-15 | 노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017119613A JP7005183B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019003136A JP2019003136A (ja) | 2019-01-10 |
JP2019003136A5 JP2019003136A5 (ja) | 2020-08-06 |
JP7005183B2 true JP7005183B2 (ja) | 2022-01-21 |
Family
ID=64658010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017119613A Active JP7005183B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10459349B2 (ja) |
JP (1) | JP7005183B2 (ja) |
KR (1) | KR102417815B1 (ja) |
CN (1) | CN109143788B (ja) |
TW (1) | TWI676084B (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2013258283A (ja) | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (10)
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JP5312058B2 (ja) | 2009-01-19 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015079807A (ja) | 2013-10-16 | 2015-04-23 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び露光条件計算装置 |
-
2017
- 2017-06-19 JP JP2017119613A patent/JP7005183B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-24 TW TW107117700A patent/TWI676084B/zh active
- 2018-06-08 US US16/003,824 patent/US10459349B2/en active Active
- 2018-06-13 CN CN201810604128.7A patent/CN109143788B/zh active Active
- 2018-06-15 KR KR1020180068546A patent/KR102417815B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013258283A (ja) | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109143788B (zh) | 2021-06-22 |
JP2019003136A (ja) | 2019-01-10 |
KR102417815B1 (ko) | 2022-07-06 |
CN109143788A (zh) | 2019-01-04 |
KR20180138154A (ko) | 2018-12-28 |
TWI676084B (zh) | 2019-11-01 |
US10459349B2 (en) | 2019-10-29 |
US20180364607A1 (en) | 2018-12-20 |
TW201905600A (zh) | 2019-02-01 |
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