JP3564833B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3564833B2 JP3564833B2 JP29236195A JP29236195A JP3564833B2 JP 3564833 B2 JP3564833 B2 JP 3564833B2 JP 29236195 A JP29236195 A JP 29236195A JP 29236195 A JP29236195 A JP 29236195A JP 3564833 B2 JP3564833 B2 JP 3564833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- scanning
- start position
- positioning
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程でマスク上のパターンを感光性の基板上に露光するための露光方法に関し、特に、マスク上のパターンの一部を感光性の基板上に投射した状態でマスク及び感光性の基板を同期して走査することにより、マスク上のパターンをその基板上の各ショット領域に逐次転写露光する、所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光装置の露光方法に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体素子等をフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際に、マスクとしてのレチクルのパターンの投影光学系を介した像をフォトレジスト等が塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に露光するステッパー等の一括露光型の投影露光装置が使用されている。これに対して最近、半導体素子等の1個のチップサイズが大型化する傾向にあり、投影露光装置においてはレチクル上のより大きな面積のパターンをウエハ上に露光する大面積化が求められている。しかしながら、このために単に投影光学系の露光フィールドを大きくしようとすると、広い露光フィールドの全面で諸収差を許容範囲内に収めるために投影光学系が複雑化して製造コストが高くなると共に、投影光学系が大型化して装置全体が大きくなり過ぎてしまう。
【0003】
そこで、投影光学系の露光フィールドをあまり大型化することなく、被転写パターンの大面積化の要求に応えるために、レチクルのパターンの一部を投影光学系を介してウエハ上に投射した状態で、その投影光学系に対してレチクル及びウエハを同期して走査することによって、レチクル上のパターンを逐次ウエハ上の各ショット領域に転写露光する、所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置が注目されている。そのステップ・アンド・スキャン方式は、従来より知られているように、マスクパターンを1回の走査でウエハの全面に露光するスリットスキャン方式を発展させたものである。
【0004】
ところで、例えば半導体素子はウエハ上に何層もの回路を精密に重ね合わせることにより製造される。このため、投影露光装置にはレチクル及びウエハを所定の位置に移動して位置決めするためのレチクルステージやウエハステージ等のステージ機構、アライメント系及び可動の視野絞り(可動ブラインド)等が設けられている。近年、ICの高集積化に伴って各機構では更に高い位置決め精度を必要としている。一方で高いスループット(生産性)を得るために、工程時間を更に短縮するための技術も求められており、位置合わせの精度と生産性とを共に向上させる技術が要求されている。
【0005】
今日一般的に使用されている投影露光装置では、レチクルのパターンがウエハ上の複数のショット領域へ転写される。そのため、露光対象のショット領域を露光フィールド付近へ移動するステッピング動作と、そのショット領域とレチクルとを位置合わせするアライメント動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰り返される。特に走査露光型の投影露光装置においては、次のショット領域の走査開始位置までステッピングし、その位置で精密に位置決めし、露光開始位置で所定の走査速度になるように加速した後、レチクルステージとウエハステージとの相対位置を精密な位置決め精度で調整し、可動ブラインド等の駆動系も同期させた状態で制御しながら、所定の走査速度でレチクルステージ及びウエハステージを駆動して走査露光を行うという一連の動作が繰り返される。この場合、従来は、走査開始位置での位置決め精度と、露光開始位置及び走査露光時の位置決め精度との間に差はなく、同じ位置決め精度で位置決めが行われていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
以上の従来技術によれば、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、直ぐに前後左右の次のショット領域へ直線的に最短距離でステッピングし、そのショット領域での精密な位置決めが行われた後、その位置決めされた位置で露光が行われる。これに対して、走査露光型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、ウエハステージは暫くの間減速して、次のショット領域の走査開始位置へステッピングし、走査開始位置で精密な位置決めが行われた後、例えば走査方向を反転して走査露光が行われる。このように、走査露光型の投影露光装置では、ウエハステージは投影光学系の露光中心に対して蛇行した後、次のショット領域の走査開始位置へ位置決めされるという動作が繰り返される。そのため、走査露光型では、一括露光型の投影露光装置に比較してスループットを高めにくいという不都合があった。
【0007】
本発明は斯かる点に鑑み、走査露光型の露光装置で露光を行う際に、露光時の位置合わせ精度を従来通り高く維持したまま、スループットを向上できる露光方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による露光方法は、露光光(IL)のもとでマスク(R)上のパターンの一部を感光性の基板(W)上に投射した状態で、そのマスク(R)とその基板(W)とを同期走査することによりそのパターンをその基板(W)上の各ショット領域に逐次転写露光する露光方法において、その基板(W)上の各ショット領域の走査開始位置への位置決め精度を露光時の位置決め精度より(例えば5倍〜200倍程度に)緩くするものである。斯かる本発明の露光方法によれば、走査開始位置への位置決めを露光時の位置決め精度より緩い位置決め精度で行うため、走査開始位置における位置決め時間が短縮される。また、露光時の位置決め精度は緩めないため、露光時の位置合わせ精度を高く維持したまま、スループット(生産性)の向上が計れる。
【0009】
この場合、その基板(W)上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に補正することが好ましい。これにより、走査開始位置における位置決め精度を緩めたことにより発生する位置決め誤差が露光開始位置迄に補正されるため、露光時の位置合わせ精度が低下しない。
また、走査開始位置への位置決め精度の許容範囲は、露光時の位置決め精度の許容範囲の約5倍から200倍程度に設定されていれば実用的であり、さらに約10倍から100倍程度に設定されていることが好ましい。また、走査開始位置から露光開始位置までの加速区間の幅、及び加速度によってに走査開始位置への位置決め精度の許容範囲が設定されることが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、レチクル及びウエハを投影光学系に対して同期して走査することにより、レチクル上のパターンをそのウエハ上の各ショット領域に逐次転写露光する、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用したものである。
【0011】
図1は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図1において、光源及びウエハW上の照度を調節する減光部等を含む光源系1から射出された照明光ILは、フライアイレンズ4に入射する。光源系1は主制御系13により制御されており、主制御系13は光源系1の光源及び減光部を制御してウエハW上の照明光ILの照度を調節する。照明光ILとしては、例えばKrFエキシマレーザ光やArFエキシマレーザ光、銅蒸気レーザやYAGレーザの高調波、あるいは超高圧水銀ランプの紫外域の輝線(g線、i線等)等が用いられる。フライアイレンズ4は、レチクルRを均一な照度分布で照明するために多数の2次光源を形成する。フライアイレンズ4の射出面には照明系の開口絞り5が配置され、その開口絞り5内の2次光源から射出される照明光ILは、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッター6に入射し、ビームスプリッター6を透過した照明光ILは、第1リレーレンズ7Aを経て可動の視野絞り(以下、「可動ブラインド」という)8の開口部を通過する。
【0012】
本例の可動ブラインド8は、レチクルのパターン面に対する共役面に配置され、且つその可動ブラインド8の長方形の開口部の走査方向の幅及び位置がブラインド駆動系8aにより連続的に変化できるように構成されている。ブラインド駆動系8aは主制御系13により制御されており、主制御系13からの指令によりブラインド駆動系8aを介して可動ブラインド8を開閉することにより照明光ILの照明領域を連続的に調整して、ショット領域以外の部分への露光を防止する。可動ブラインド8を通過した照明光ILは、第2リレーレンズ7B、光路折り曲げ用のミラー9及びメインコンデンサーレンズ10を経て、レチクルR上のスリット状の照明領域24を均一な照度分布で照明し、レチクルR上の照明領域24内のパターンを投影光学系15を介して投影倍率β(βは例えば1/4)で反転縮小した像をウエハW上のスリット状の露光領域24Wに投影露光する。以下、投影光学系15の光軸に平行にZ軸をとり、その光軸に垂直な平面内でスリット状の照明領域24に対するレチクルRの走査方向(即ち、図1の紙面に平行な方向)をX方向、その走査方向に垂直な非走査方向をY方向として説明する。
【0013】
レチクルRは、不図示のレチクルホルダを介してレチクルステージ11上に載置されている。レチクルステージ11は投影光学系15の光軸に垂直な平面(XY平面)内で2次元的に微動してレチクルRを位置決めすると共に、走査方向(X方向)に所定の走査速度で移動可能となっている。また、レチクルステージ11は走査方向にレチクルRの全面が少なくとも照明領域24を横切ることができるだけのストロークを有している。レチクルステージ11の−X方向の端部には、外部のレーザ干渉計22aからのレーザビームを反射する移動鏡22bが固定されており、レチクルステージ11の位置は、レーザ干渉計22aにより常時モニタされている。レーザ干渉計22aからのレチクルステージ11の位置情報はレチクルステージ制御系27に送られ、その位置情報はレチクルステージ制御系27を介して主制御系13にも供給されている。主制御系13はその位置情報に基づき、レチクルステージ制御系27を介してレチクルステージ11の位置及び速度を制御している。
【0014】
一方、ウエハWは不図示のウエハホルダを介してZチルトステージ16上に載置され、Zチルトステージ16はウエハステージ制御系28を介してX方向及びY方向に駆動されるXYステージ17上に載置されている。XYステージ17によりウエハW上の各ショット領域へスキャン露光する動作と、次の露光開始位置までステッピングする動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。ウエハWはZチルトステージ16によりZ方向への移動、及びXY平面に対する傾斜が可能に構成されている。
【0015】
また、Zチルトステージ16の端部には外部のレーザ干渉計23aからのレーザビームを反射する移動鏡23bが固定されており、Zチルトステージ16(ウエハW)の位置はレーザ干渉計23aにより、常時モニタされている。レーザ干渉計23aからのZチルトステージ16の位置情報はウエハステージ制御系28に送られており、その位置情報は更にウエハステージ制御系28を介して主制御系13にも供給されている。主制御系13はその位置情報に基づいてウエハステージ制御系28を介してウエハWの位置及び速度を制御している。
【0016】
本例では走査露光時に、レチクルRが+X方向(又は−X方向)へ、例えば速度VR でスキャンされるのと同期してウエハWが−X方向(又は+X方向)に速度VW でスキャンされる。走査速度VR と速度VW との比(VW /VR )は投影光学系15の縮小倍率βに正確に一致したものになっており、これによってレチクルR上のパターンがウエハWの各ショット領域に正確に転写される。
【0017】
また、ビームスプリッター6で反射された照明光は、集光レンズ19を介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ20で受光され、インテグレータセンサ20の光電変換信号が主制御系13に供給されている。インテグレータセンサ20の光電変換信号とウエハWの露光面上での照明光の照度との関係は予め求められており、この光電変換信号に基づいてウエハW上の露光量の制御が行われる。また、図1の装置には不図示であるが、ウエハWの面位置及び傾斜角を検出するための斜入射方式の焦点位置検出系、及びレチクルRとウエハWの各ショット領域との位置合わせのための複数のアライメントセンサが配置されている。
【0018】
次に、本例の露光動作の一例につき主に図2〜図4を参照して説明する。前述のように走査露光型の投影露光装置では、各ステージ系及び可動ブラインド等の駆動系が精密な同期性を保つことによりレチクルRのパターンがウエハW上の各ショット領域に転写される。走査露光型の投影露光装置では、走査露光中は一定の速度で走査が行われるため、助走を経て一旦露光開始位置で各駆動系の同期を取った後、走査露光が行われる。本例は、走査開始位置でのXYステージ17の位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩めることにより、走査開始位置に位置決めするための時間を短縮し、露光精度を維持しながらスループットの向上を計るものであり、以下ではXYステージ17の動作を例に取り、具体的に説明する。
【0019】
図2は、図1のXYステージ17の動作に伴うウエハWのステッピング及び走査の様子を示し、この図2において実際には投影光学系15は固定されてウエハWが移動するが、説明の都合上、ウエハWが静止してその上を投影光学系15の光軸AXが矢印で示す軌跡33に沿って移動するように表現する。この例では、投影光学系15の光軸AXは軌跡33に沿って、前のショット領域31を−X方向に走査した後、XYステージ17の動作によって、ステッピング区間34に沿って次に露光すべきショット領域32の下方に移動する。そして、投影光学系15の光軸AXは次のショット領域32の走査開始位置35に緩い位置決め精度で位置決めされた後、加速区間36の間に加速され、露光開始位置37に達する迄に所定の走査速度になり、その走査速度でショット領域32の中央部の露光区間38を移動する。
【0020】
図3は、本例におけるXYステージ17の位置決め状態を表し、この図3において横軸は時間t、縦軸はXYステージ17の非走査方向(Y方向)の位置yを表す。この図3において、曲線41に示すようにショット領域31への露光が終了した時刻t1に、XYステージ17は位置y1から直ぐに次のショット領域32への移動を開始する。走査開始位置35に近付くと、XYステージ17は減速され、時刻t2において速度がほぼ0近くになり、XYステージ17のY方向の位置yは走査開始位置35となる目標位置y2付近で振動しながらその目標位置y2に収束していく。そして、その位置yの振動の振幅が収束し、位置決め完了と判断された時刻t3から次のショット領域32のための助走が開始される。この場合、XYステージ17の位置yは一定のサンプリング周期で計測されるが、所定数以上のサンプリング回数(又はある時間以上)における位置yの目標位置y2からの誤差が位置決め誤差の許容範囲εS 内(±εS /2以内)に連続して存在するときに位置決め完了と判断される。
【0021】
XYステージ17の位置決めに必要な時間は、時刻t1から時刻t2までの間の移動時間TR と、時刻t2から時刻t3までの間の整定時間TS と、の合計時間TT (=TR +TS )である。そして、この整定時間TS は、XYステージ17の移動時の加速度及び速度、並びに位置決めの許容範囲に関係する。即ち、移動時の加速度や速度が大きければ整定時間TS は長くなり、位置決めの許容範囲が小さいほど位置決め完了までの時間も長くなる。このことを逆に言えば、許容範囲が緩くても良い場合には位置決め時間を短縮することが可能である。
【0022】
通常、投影露光装置における一般的な位置決め誤差の許容範囲は露光のための位置決め時と同じく数10nm程度である。走査露光中の位置決め誤差の許容範囲においても同様の精度が求められる。しかし、走査露光方式においては露光時(走査露光時)にのみ厳格な位置決め精度が達成されればよく、それ以外の位置決め、特に走査開始位置での位置決め時には、露光時と同等の位置決め精度を必要としない。本例はその点を利用したものであり、この場合、走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲を緩くした結果生じる位置誤差分は、走査開始後、露光が開始されるまでの加速及び同期制御を行う間に露光に必要とされる許容範囲εE まで追い込むことにより補正することが可能である。
【0023】
図3に示すように、本例では走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲として、走査露光時の位置決め誤差の許容範囲εE に対して大きな許容範囲εS を設定している。具体的には、例えば走査露光時の許容範囲εE が数10nmとすれば、走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲εS は数100nm〜数μmとする。即ち、走査開始位置での許容範囲εS として、走査露光時の許容範囲εE の約10倍〜100倍程度の許容範囲を設定することが可能である。また、実用的には許容範囲εS は許容範囲εE の5倍〜200倍程度が可能である。許容範囲εS が許容範囲εE の5倍より小さいと、スループット改善の効果が小さく、許容範囲εE の200倍を超えると、露光開始時に位置決め誤差を許容範囲εE の範囲に収めるのが困難となる。この許容範囲εS の設定に当たっては、加速区間36の間に位置決め誤差が許容範囲εE 内に入るように、走査開始位置35から露光開始位置37の加速区間36の幅及び加速度が考慮される。
【0024】
図4は、本例における露光工程のフローチャートの一部を示し、この図4に示すように、ウエハW上の複数のショット領域に対して、ステップ101〜103が繰り返される。即ち、ステップ101においてショット領域間の移動(ステッピング)及び走査開始位置(スタート位置)への位置決めが行われた後、ステップ102においてXYステージ17が加速されると同時に主制御系13により各駆動系との同期が取られる。そして、ステップ103において走査露光が行われ、走査露光が終了すると再びステップ101に戻り、次のショット領域へのステッピング及び位置決めが行われるという工程が複数のショット領域に対して繰り返される。この場合、ステップ101における走査開始位置への位置決め誤差は、露光時の許容範囲εE より緩やかな許容範囲εS に設定し、ステップ102の加速時には、急速に位置決め精度を高め、露光開始位置では位置決め誤差を小さな許容範囲εE 内に収め、ステップ103においてはその小さな許容範囲εE 内で走査露光が行われるように各ステップにおける位置決め誤差の許容範囲を設定する。
【0025】
以上のように、ステップ101での位置決め誤差の許容範囲を大幅に緩めることにより走査開始位置での位置決め時間が短縮される。この動作は複数のショット領域に対して繰り返し行われるため、大幅に露光時間が短縮される。また、露光開始位置及び走査露光時の位置決め精度は従来と同様であるため、露光精度を維持したまま、スループットの大幅な向上が計れる。
【0026】
なお、本発明はステージ系に限らず、可動ブラインド等の同期制御される駆動系に対しても同様に適用できる。
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0027】
【発明の効果】
本発明による露光方法によれば、走査開始位置での位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩く設定するため、走査開始位置での位置決め時間を短縮することができる。また、露光時の位置決め精度に変わりはないため、位置合わせの精度を維持したまま、スループットが向上する利点がある。
【0028】
また、基板上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に補正する場合には、走査開始位置での位置決め精度を緩めたことにより発生する位置決め誤差が露光時には補正されているため、位置合わせ精度が高精度に維持される利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光方法の実施の形態の一例で使用される投影露光装置の全体を示す概略構成図である。
【図2】本発明の実施の形態において、XYステージ17(又は投影光学系15)の移動経路の説明に供するウエハの平面図である。
【図3】図1のXYステージ17の位置変化及び振動状態を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態における露光動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1 光源系
IL 照明光
R レチクル
11 レチクルステージ
13 主制御系
15 投影光学系
W ウエハ
17 XYステージ
31,32 ショット領域
34 移動区間
35 走査開始位置
36 加速区間
37 露光開始位置
38 露光区間
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程でマスク上のパターンを感光性の基板上に露光するための露光方法に関し、特に、マスク上のパターンの一部を感光性の基板上に投射した状態でマスク及び感光性の基板を同期して走査することにより、マスク上のパターンをその基板上の各ショット領域に逐次転写露光する、所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光装置の露光方法に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体素子等をフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際に、マスクとしてのレチクルのパターンの投影光学系を介した像をフォトレジスト等が塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に露光するステッパー等の一括露光型の投影露光装置が使用されている。これに対して最近、半導体素子等の1個のチップサイズが大型化する傾向にあり、投影露光装置においてはレチクル上のより大きな面積のパターンをウエハ上に露光する大面積化が求められている。しかしながら、このために単に投影光学系の露光フィールドを大きくしようとすると、広い露光フィールドの全面で諸収差を許容範囲内に収めるために投影光学系が複雑化して製造コストが高くなると共に、投影光学系が大型化して装置全体が大きくなり過ぎてしまう。
【0003】
そこで、投影光学系の露光フィールドをあまり大型化することなく、被転写パターンの大面積化の要求に応えるために、レチクルのパターンの一部を投影光学系を介してウエハ上に投射した状態で、その投影光学系に対してレチクル及びウエハを同期して走査することによって、レチクル上のパターンを逐次ウエハ上の各ショット領域に転写露光する、所謂ステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置が注目されている。そのステップ・アンド・スキャン方式は、従来より知られているように、マスクパターンを1回の走査でウエハの全面に露光するスリットスキャン方式を発展させたものである。
【0004】
ところで、例えば半導体素子はウエハ上に何層もの回路を精密に重ね合わせることにより製造される。このため、投影露光装置にはレチクル及びウエハを所定の位置に移動して位置決めするためのレチクルステージやウエハステージ等のステージ機構、アライメント系及び可動の視野絞り(可動ブラインド)等が設けられている。近年、ICの高集積化に伴って各機構では更に高い位置決め精度を必要としている。一方で高いスループット(生産性)を得るために、工程時間を更に短縮するための技術も求められており、位置合わせの精度と生産性とを共に向上させる技術が要求されている。
【0005】
今日一般的に使用されている投影露光装置では、レチクルのパターンがウエハ上の複数のショット領域へ転写される。そのため、露光対象のショット領域を露光フィールド付近へ移動するステッピング動作と、そのショット領域とレチクルとを位置合わせするアライメント動作と、そのショット領域へ露光する動作とが繰り返される。特に走査露光型の投影露光装置においては、次のショット領域の走査開始位置までステッピングし、その位置で精密に位置決めし、露光開始位置で所定の走査速度になるように加速した後、レチクルステージとウエハステージとの相対位置を精密な位置決め精度で調整し、可動ブラインド等の駆動系も同期させた状態で制御しながら、所定の走査速度でレチクルステージ及びウエハステージを駆動して走査露光を行うという一連の動作が繰り返される。この場合、従来は、走査開始位置での位置決め精度と、露光開始位置及び走査露光時の位置決め精度との間に差はなく、同じ位置決め精度で位置決めが行われていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
以上の従来技術によれば、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、直ぐに前後左右の次のショット領域へ直線的に最短距離でステッピングし、そのショット領域での精密な位置決めが行われた後、その位置決めされた位置で露光が行われる。これに対して、走査露光型の投影露光装置ではショット領域の露光終了後、ウエハステージは暫くの間減速して、次のショット領域の走査開始位置へステッピングし、走査開始位置で精密な位置決めが行われた後、例えば走査方向を反転して走査露光が行われる。このように、走査露光型の投影露光装置では、ウエハステージは投影光学系の露光中心に対して蛇行した後、次のショット領域の走査開始位置へ位置決めされるという動作が繰り返される。そのため、走査露光型では、一括露光型の投影露光装置に比較してスループットを高めにくいという不都合があった。
【0007】
本発明は斯かる点に鑑み、走査露光型の露光装置で露光を行う際に、露光時の位置合わせ精度を従来通り高く維持したまま、スループットを向上できる露光方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による露光方法は、露光光(IL)のもとでマスク(R)上のパターンの一部を感光性の基板(W)上に投射した状態で、そのマスク(R)とその基板(W)とを同期走査することによりそのパターンをその基板(W)上の各ショット領域に逐次転写露光する露光方法において、その基板(W)上の各ショット領域の走査開始位置への位置決め精度を露光時の位置決め精度より(例えば5倍〜200倍程度に)緩くするものである。斯かる本発明の露光方法によれば、走査開始位置への位置決めを露光時の位置決め精度より緩い位置決め精度で行うため、走査開始位置における位置決め時間が短縮される。また、露光時の位置決め精度は緩めないため、露光時の位置合わせ精度を高く維持したまま、スループット(生産性)の向上が計れる。
【0009】
この場合、その基板(W)上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に補正することが好ましい。これにより、走査開始位置における位置決め精度を緩めたことにより発生する位置決め誤差が露光開始位置迄に補正されるため、露光時の位置合わせ精度が低下しない。
また、走査開始位置への位置決め精度の許容範囲は、露光時の位置決め精度の許容範囲の約5倍から200倍程度に設定されていれば実用的であり、さらに約10倍から100倍程度に設定されていることが好ましい。また、走査開始位置から露光開始位置までの加速区間の幅、及び加速度によってに走査開始位置への位置決め精度の許容範囲が設定されることが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、レチクル及びウエハを投影光学系に対して同期して走査することにより、レチクル上のパターンをそのウエハ上の各ショット領域に逐次転写露光する、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置で露光する場合に本発明を適用したものである。
【0011】
図1は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図1において、光源及びウエハW上の照度を調節する減光部等を含む光源系1から射出された照明光ILは、フライアイレンズ4に入射する。光源系1は主制御系13により制御されており、主制御系13は光源系1の光源及び減光部を制御してウエハW上の照明光ILの照度を調節する。照明光ILとしては、例えばKrFエキシマレーザ光やArFエキシマレーザ光、銅蒸気レーザやYAGレーザの高調波、あるいは超高圧水銀ランプの紫外域の輝線(g線、i線等)等が用いられる。フライアイレンズ4は、レチクルRを均一な照度分布で照明するために多数の2次光源を形成する。フライアイレンズ4の射出面には照明系の開口絞り5が配置され、その開口絞り5内の2次光源から射出される照明光ILは、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッター6に入射し、ビームスプリッター6を透過した照明光ILは、第1リレーレンズ7Aを経て可動の視野絞り(以下、「可動ブラインド」という)8の開口部を通過する。
【0012】
本例の可動ブラインド8は、レチクルのパターン面に対する共役面に配置され、且つその可動ブラインド8の長方形の開口部の走査方向の幅及び位置がブラインド駆動系8aにより連続的に変化できるように構成されている。ブラインド駆動系8aは主制御系13により制御されており、主制御系13からの指令によりブラインド駆動系8aを介して可動ブラインド8を開閉することにより照明光ILの照明領域を連続的に調整して、ショット領域以外の部分への露光を防止する。可動ブラインド8を通過した照明光ILは、第2リレーレンズ7B、光路折り曲げ用のミラー9及びメインコンデンサーレンズ10を経て、レチクルR上のスリット状の照明領域24を均一な照度分布で照明し、レチクルR上の照明領域24内のパターンを投影光学系15を介して投影倍率β(βは例えば1/4)で反転縮小した像をウエハW上のスリット状の露光領域24Wに投影露光する。以下、投影光学系15の光軸に平行にZ軸をとり、その光軸に垂直な平面内でスリット状の照明領域24に対するレチクルRの走査方向(即ち、図1の紙面に平行な方向)をX方向、その走査方向に垂直な非走査方向をY方向として説明する。
【0013】
レチクルRは、不図示のレチクルホルダを介してレチクルステージ11上に載置されている。レチクルステージ11は投影光学系15の光軸に垂直な平面(XY平面)内で2次元的に微動してレチクルRを位置決めすると共に、走査方向(X方向)に所定の走査速度で移動可能となっている。また、レチクルステージ11は走査方向にレチクルRの全面が少なくとも照明領域24を横切ることができるだけのストロークを有している。レチクルステージ11の−X方向の端部には、外部のレーザ干渉計22aからのレーザビームを反射する移動鏡22bが固定されており、レチクルステージ11の位置は、レーザ干渉計22aにより常時モニタされている。レーザ干渉計22aからのレチクルステージ11の位置情報はレチクルステージ制御系27に送られ、その位置情報はレチクルステージ制御系27を介して主制御系13にも供給されている。主制御系13はその位置情報に基づき、レチクルステージ制御系27を介してレチクルステージ11の位置及び速度を制御している。
【0014】
一方、ウエハWは不図示のウエハホルダを介してZチルトステージ16上に載置され、Zチルトステージ16はウエハステージ制御系28を介してX方向及びY方向に駆動されるXYステージ17上に載置されている。XYステージ17によりウエハW上の各ショット領域へスキャン露光する動作と、次の露光開始位置までステッピングする動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が行われる。ウエハWはZチルトステージ16によりZ方向への移動、及びXY平面に対する傾斜が可能に構成されている。
【0015】
また、Zチルトステージ16の端部には外部のレーザ干渉計23aからのレーザビームを反射する移動鏡23bが固定されており、Zチルトステージ16(ウエハW)の位置はレーザ干渉計23aにより、常時モニタされている。レーザ干渉計23aからのZチルトステージ16の位置情報はウエハステージ制御系28に送られており、その位置情報は更にウエハステージ制御系28を介して主制御系13にも供給されている。主制御系13はその位置情報に基づいてウエハステージ制御系28を介してウエハWの位置及び速度を制御している。
【0016】
本例では走査露光時に、レチクルRが+X方向(又は−X方向)へ、例えば速度VR でスキャンされるのと同期してウエハWが−X方向(又は+X方向)に速度VW でスキャンされる。走査速度VR と速度VW との比(VW /VR )は投影光学系15の縮小倍率βに正確に一致したものになっており、これによってレチクルR上のパターンがウエハWの各ショット領域に正確に転写される。
【0017】
また、ビームスプリッター6で反射された照明光は、集光レンズ19を介して光電変換素子よりなるインテグレータセンサ20で受光され、インテグレータセンサ20の光電変換信号が主制御系13に供給されている。インテグレータセンサ20の光電変換信号とウエハWの露光面上での照明光の照度との関係は予め求められており、この光電変換信号に基づいてウエハW上の露光量の制御が行われる。また、図1の装置には不図示であるが、ウエハWの面位置及び傾斜角を検出するための斜入射方式の焦点位置検出系、及びレチクルRとウエハWの各ショット領域との位置合わせのための複数のアライメントセンサが配置されている。
【0018】
次に、本例の露光動作の一例につき主に図2〜図4を参照して説明する。前述のように走査露光型の投影露光装置では、各ステージ系及び可動ブラインド等の駆動系が精密な同期性を保つことによりレチクルRのパターンがウエハW上の各ショット領域に転写される。走査露光型の投影露光装置では、走査露光中は一定の速度で走査が行われるため、助走を経て一旦露光開始位置で各駆動系の同期を取った後、走査露光が行われる。本例は、走査開始位置でのXYステージ17の位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩めることにより、走査開始位置に位置決めするための時間を短縮し、露光精度を維持しながらスループットの向上を計るものであり、以下ではXYステージ17の動作を例に取り、具体的に説明する。
【0019】
図2は、図1のXYステージ17の動作に伴うウエハWのステッピング及び走査の様子を示し、この図2において実際には投影光学系15は固定されてウエハWが移動するが、説明の都合上、ウエハWが静止してその上を投影光学系15の光軸AXが矢印で示す軌跡33に沿って移動するように表現する。この例では、投影光学系15の光軸AXは軌跡33に沿って、前のショット領域31を−X方向に走査した後、XYステージ17の動作によって、ステッピング区間34に沿って次に露光すべきショット領域32の下方に移動する。そして、投影光学系15の光軸AXは次のショット領域32の走査開始位置35に緩い位置決め精度で位置決めされた後、加速区間36の間に加速され、露光開始位置37に達する迄に所定の走査速度になり、その走査速度でショット領域32の中央部の露光区間38を移動する。
【0020】
図3は、本例におけるXYステージ17の位置決め状態を表し、この図3において横軸は時間t、縦軸はXYステージ17の非走査方向(Y方向)の位置yを表す。この図3において、曲線41に示すようにショット領域31への露光が終了した時刻t1に、XYステージ17は位置y1から直ぐに次のショット領域32への移動を開始する。走査開始位置35に近付くと、XYステージ17は減速され、時刻t2において速度がほぼ0近くになり、XYステージ17のY方向の位置yは走査開始位置35となる目標位置y2付近で振動しながらその目標位置y2に収束していく。そして、その位置yの振動の振幅が収束し、位置決め完了と判断された時刻t3から次のショット領域32のための助走が開始される。この場合、XYステージ17の位置yは一定のサンプリング周期で計測されるが、所定数以上のサンプリング回数(又はある時間以上)における位置yの目標位置y2からの誤差が位置決め誤差の許容範囲εS 内(±εS /2以内)に連続して存在するときに位置決め完了と判断される。
【0021】
XYステージ17の位置決めに必要な時間は、時刻t1から時刻t2までの間の移動時間TR と、時刻t2から時刻t3までの間の整定時間TS と、の合計時間TT (=TR +TS )である。そして、この整定時間TS は、XYステージ17の移動時の加速度及び速度、並びに位置決めの許容範囲に関係する。即ち、移動時の加速度や速度が大きければ整定時間TS は長くなり、位置決めの許容範囲が小さいほど位置決め完了までの時間も長くなる。このことを逆に言えば、許容範囲が緩くても良い場合には位置決め時間を短縮することが可能である。
【0022】
通常、投影露光装置における一般的な位置決め誤差の許容範囲は露光のための位置決め時と同じく数10nm程度である。走査露光中の位置決め誤差の許容範囲においても同様の精度が求められる。しかし、走査露光方式においては露光時(走査露光時)にのみ厳格な位置決め精度が達成されればよく、それ以外の位置決め、特に走査開始位置での位置決め時には、露光時と同等の位置決め精度を必要としない。本例はその点を利用したものであり、この場合、走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲を緩くした結果生じる位置誤差分は、走査開始後、露光が開始されるまでの加速及び同期制御を行う間に露光に必要とされる許容範囲εE まで追い込むことにより補正することが可能である。
【0023】
図3に示すように、本例では走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲として、走査露光時の位置決め誤差の許容範囲εE に対して大きな許容範囲εS を設定している。具体的には、例えば走査露光時の許容範囲εE が数10nmとすれば、走査開始位置35での位置決め誤差の許容範囲εS は数100nm〜数μmとする。即ち、走査開始位置での許容範囲εS として、走査露光時の許容範囲εE の約10倍〜100倍程度の許容範囲を設定することが可能である。また、実用的には許容範囲εS は許容範囲εE の5倍〜200倍程度が可能である。許容範囲εS が許容範囲εE の5倍より小さいと、スループット改善の効果が小さく、許容範囲εE の200倍を超えると、露光開始時に位置決め誤差を許容範囲εE の範囲に収めるのが困難となる。この許容範囲εS の設定に当たっては、加速区間36の間に位置決め誤差が許容範囲εE 内に入るように、走査開始位置35から露光開始位置37の加速区間36の幅及び加速度が考慮される。
【0024】
図4は、本例における露光工程のフローチャートの一部を示し、この図4に示すように、ウエハW上の複数のショット領域に対して、ステップ101〜103が繰り返される。即ち、ステップ101においてショット領域間の移動(ステッピング)及び走査開始位置(スタート位置)への位置決めが行われた後、ステップ102においてXYステージ17が加速されると同時に主制御系13により各駆動系との同期が取られる。そして、ステップ103において走査露光が行われ、走査露光が終了すると再びステップ101に戻り、次のショット領域へのステッピング及び位置決めが行われるという工程が複数のショット領域に対して繰り返される。この場合、ステップ101における走査開始位置への位置決め誤差は、露光時の許容範囲εE より緩やかな許容範囲εS に設定し、ステップ102の加速時には、急速に位置決め精度を高め、露光開始位置では位置決め誤差を小さな許容範囲εE 内に収め、ステップ103においてはその小さな許容範囲εE 内で走査露光が行われるように各ステップにおける位置決め誤差の許容範囲を設定する。
【0025】
以上のように、ステップ101での位置決め誤差の許容範囲を大幅に緩めることにより走査開始位置での位置決め時間が短縮される。この動作は複数のショット領域に対して繰り返し行われるため、大幅に露光時間が短縮される。また、露光開始位置及び走査露光時の位置決め精度は従来と同様であるため、露光精度を維持したまま、スループットの大幅な向上が計れる。
【0026】
なお、本発明はステージ系に限らず、可動ブラインド等の同期制御される駆動系に対しても同様に適用できる。
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0027】
【発明の効果】
本発明による露光方法によれば、走査開始位置での位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩く設定するため、走査開始位置での位置決め時間を短縮することができる。また、露光時の位置決め精度に変わりはないため、位置合わせの精度を維持したまま、スループットが向上する利点がある。
【0028】
また、基板上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に補正する場合には、走査開始位置での位置決め精度を緩めたことにより発生する位置決め誤差が露光時には補正されているため、位置合わせ精度が高精度に維持される利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光方法の実施の形態の一例で使用される投影露光装置の全体を示す概略構成図である。
【図2】本発明の実施の形態において、XYステージ17(又は投影光学系15)の移動経路の説明に供するウエハの平面図である。
【図3】図1のXYステージ17の位置変化及び振動状態を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態における露光動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1 光源系
IL 照明光
R レチクル
11 レチクルステージ
13 主制御系
15 投影光学系
W ウエハ
17 XYステージ
31,32 ショット領域
34 移動区間
35 走査開始位置
36 加速区間
37 露光開始位置
38 露光区間
Claims (5)
- 露光光のもとでマスク上のパターンの一部を感光性の基板上に投射した状態で、前記マスクと前記基板とを同期走査することにより前記パターンを前記基板上の各ショット領域に逐次転写露光する露光方法において、
前記基板上の各ショット領域の走査開始位置への位置決め精度を露光時の位置決め精度より緩くすることを特徴とする露光方法。 - 請求項1記載の露光方法であって、
前記基板上の各ショット領域の走査開始位置の位置決め誤差を走査開始から露光開始までの間に補正することを特徴とする露光方法。 - 請求項1又は2に記載の露光方法であって、
前記走査開始位置への位置決め精度の許容範囲は、前記露光時の位置決め精度の許容範囲の約5倍から200倍程度に設定されていることを特徴とする露光方法。 - 請求項3に記載の露光方法であって、
前記走査開始位置への位置決め精度の許容範囲は、前記露光時の位置決め精度の許容範囲の約10倍から100倍程度に設定されていることを特徴とする露光方法。 - 請求項1〜4の何れか一項に記載の露光方法であって、
走査開始位置から露光開始位置までの加速区間の幅、及び加速度によって前記走査開始位置への位置決め精度の許容範囲が設定されることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29236195A JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
KR1019960052198A KR100481756B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-10-31 | 주사노광방법및주사형노광장치 |
US09/195,902 US6172739B1 (en) | 1995-11-10 | 1998-11-19 | Exposure apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29236195A JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09134864A JPH09134864A (ja) | 1997-05-20 |
JP3564833B2 true JP3564833B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=17780815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29236195A Expired - Fee Related JP3564833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 露光方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6172739B1 (ja) |
JP (1) | JP3564833B2 (ja) |
KR (1) | KR100481756B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6646715B1 (en) | 1997-01-14 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus and method with run-up distance control |
JP3745167B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2006-02-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびにステージ駆動方法 |
TWI242112B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and method of operating a lithographic projection apparatus |
JP4732623B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-07-27 | セイコーインスツル株式会社 | 超音波モータ、及び超音波モータを備えた電子機器 |
KR100870666B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6066592B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2017-01-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP7005183B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置および、物品製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2041639B (en) * | 1979-02-02 | 1983-09-07 | Smith K | Electron beam lithography |
US4669867A (en) | 1984-02-20 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
US4937618A (en) | 1984-10-18 | 1990-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits |
JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
US4924257A (en) | 1988-10-05 | 1990-05-08 | Kantilal Jain | Scan and repeat high resolution projection lithography system |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP3362416B2 (ja) | 1992-10-15 | 2003-01-07 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、走査型露光装置及び前記方法を使用する素子の製造方法 |
US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
US5978071A (en) * | 1993-01-07 | 1999-11-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage |
JP3365567B2 (ja) | 1993-06-14 | 2003-01-14 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JP3362454B2 (ja) | 1993-06-16 | 2003-01-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
US5699145A (en) | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
EP0772800B1 (en) | 1995-05-30 | 2000-05-10 | Asm Lithography B.V. | Lithographic device with a three-dimensionally positionable mask holder |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP29236195A patent/JP3564833B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-31 KR KR1019960052198A patent/KR100481756B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-11-19 US US09/195,902 patent/US6172739B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970028863A (ko) | 1997-06-24 |
JPH09134864A (ja) | 1997-05-20 |
KR100481756B1 (ko) | 2005-10-21 |
US6172739B1 (en) | 2001-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5739899A (en) | Projection exposure apparatus correcting tilt of telecentricity | |
US6396071B1 (en) | Scanning exposure method and apparatus | |
KR0139309B1 (ko) | 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법 | |
US5677754A (en) | Scanning exposure apparatus | |
JPH09162106A (ja) | 走査型露光装置 | |
JPH11111601A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JPH0794388A (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
JPH06260391A (ja) | 露光方法 | |
JPH08316123A (ja) | 投影露光装置 | |
JP2002033272A (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
US20040157143A1 (en) | Exposure method and lithography system, exposure apparatus and method of making the apparatus, and method of manufacturing device | |
US5963324A (en) | Exposure apparatus and method responsive to light beam wavelength variation | |
JPH0992593A (ja) | 投影露光装置 | |
JP3564833B2 (ja) | 露光方法 | |
KR100482019B1 (ko) | 주사형노광장치및방법 | |
US7130024B2 (en) | Exposure apparatus | |
JPH0757991A (ja) | 走査型投影露光装置 | |
US6195155B1 (en) | Scanning type exposure method | |
JP3710321B2 (ja) | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP3371406B2 (ja) | 走査露光方法 | |
JPH0917718A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
JPH09162107A (ja) | 投影露光方法 | |
JP2000114164A (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JPH11168043A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP3500620B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040518 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |