JP2013258283A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 露光精度とスループットとの両立が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 基板をショット領域毎に露光する露光装置は、基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの振動を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、第１の基板のショット領域の露光期間における前記計測器により計測された前記ステージの振動が許容範囲の外にある場合には、前記第１の基板の後に露光される第２の基板で前記第１の基板の前記ショット領域と同一位置のショット領域を露光するときの制御パラメータを露光精度が向上するように変更する。
【選択図】図５

Description

本発明は、原版（マスク）を介して基板を露光する露光装置、及び、その露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。

半導体露光装置（ステッパ、スキャナ）が備える基板ステージ（ウエハステージとも言う）は、駆動後に微小ではあるが振動する。基板ステージを如何に剛に造ろうとも、基板ステージに力を印加したときは必ず基板ステージに振動が発生してしまう。近年のナノメートルオーダーの高精度が求められる状況の中、微小とはいえ基板ステージの振動が露光精度に与える影響は無視できるものでは無い。

基板ステージの振動による露光精度の影響を低減させるために、露光装置は、基板ステージに加えて、基板ステージの振動を計測する計測器を備えている。基板ステージが駆動した後、露光装置の制御部が、計測器を用いて、振動が露光精度に影響を与えない範囲に収まったことを確認した後、露光処理を開始すなわち露光光の照射を開始するという露光方法が広く一般的に採用されている。この場合、振動がある程度収まる、又は収まる傾向を確認した後に露光処理が開始されるので、振動が露光精度に与える影響は大きく低減される。

露光装置に高精度、高微細化が求められると同時に、基板を露光処理する時間の短縮化も求められている。１つの基板に対して原版（マスク）が転写される回数は、基板の用途によって様々だが、多い場合には１００回となる場合がある。このため、基板ステージの駆動を開始してから露光処理を開始すなわち露光光の照射を開始するまでの時間を短くすることが要求されている。

基板ステージの駆動後、露光処理を開始するまでの時間を短縮するために、基板ステージの振動の収まりを露光処理の開始のトリガとするのでは無く、振動が収まるであろう時刻を予測して露光を開始する技術が存在する（特許文献１）。この場合、振動の収まりを確認する処理（時間）の削除と、制御部から露光開始命令を出す処理（時間）を従来の技術よりも前倒しすることが可能であり、基板ステージの駆動から露光処理を開始するまでの時間を短縮することができる。

特開平９−１３４８６４号公報

しかし、基板ステージの振動の収まりを予想して露光処理を開始する露光方法では、振動が実際に収まっているか分からないため、露光精度への影響が現れている可能性がある。その結果、スループットは向上されるものの、ユーザーが求める露光精度が達成されていない事態が発生しうる。

本発明は、露光精度とスループットとの両立が可能な露光装置を提供することを目的とする。

本発明は、基板をショット領域毎に露光する露光装置であって、基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの振動を計測する計測器と、第１の基板のショット領域の露光期間における前記計測器により計測された前記ステージの振動が許容範囲の外にある場合には、前記第１の基板の後に露光される第２の基板で前記第１の基板の前記ショット領域と同一位置のショット領域を露光するときの制御パラメータを露光精度が向上するように変更する制御部と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、露光精度とスループットとの両立が可能な露光装置を提供することが可能となる。

本発明に係る露光装置を示す図である。 基板ステージを駆動した後の基板ステージの振動の状態を表す波形図 ショットに露光処理を繰り返すことを表した図 ショットに付与される情報を示した図 露光処理のフローチャート ２つのショットに対する露光処理のシーケンス図 振動情報を表す図 振幅のトレランスによって精度の判定を行うフローチャート 振幅の平均値によって精度の判定を行うフローチャート 振動及び光量分布によって精度の判定を行うフローチャート 振動と光量の時間推移を示す図 区間毎に振幅のトレランスによって精度の判定を行うフローチャート 露光時間帯を複数の区間に区分することを示す図 区間毎に振幅の平均値によって精度の判定を行うフローチャート 区間毎に振動及び光量分布によって精度の判定を行うフローチャート図 区間毎の振動と光量の時間推移を示す分布図 精度向上対策として露光開始時期の変更を行うフローチャート 精度向上対策として基板ステージの速度の変更を行うフローチャート 精度向上対策として基板ステージの位置、姿勢の補正を行うフローチャート ＴＰ向上対策の設定処理のフローチャート 事例１で発生した基板ステージの振動情報の図 事例２で発生した基板ステージの振動情報の図 事例３で発生した基板ステージの振動情報の図 事例４で発生した基板ステージの振動情報と光量分布を表した図 事例５で発生した基板ステージの振動情報の図 事例５でＴＰ向上対策を行った後の基板ステージの振動情報の図

図１は本発明に係る基板をショット領域毎に露光する露光装置を示す。光源１から出力された露光光ＩＬは、均一な照度で設定させた照明領域でマスク（原板、レチクルともいう）２を照射する。マスク２はマスクステージ３に配置される。マスクステージ３上には移動鏡２０が設けられている。また、移動鏡２０にレーザビームを当ててその反射光を受光することによってマスクステージ３の位置を検出する干渉計２１が設けられている。スキャン露光を行う場合、マスクステージ３は図中左右方向（ｙ軸方向）にスキャン駆動される。

マスクステージ３の下方には投影光学系４が配置されており、投影光学系４はマスク２上の回路パターンを所定の縮小率で感光基板としての基板（ウエハ）５に縮小投影する。基板５は基板搭載部１０に搭載される。光センサ６は露光光ＩＬの光量を計測することができる。ステージ（基板ステージ）３０は、基板５を保持して移動可能である。基板ステージ３０に搭載された移動鏡１２にレーザビームを照射して得られる反射光を干渉計１３が計測することによって基板ステージ３０のｘ、ｙ軸に対する位置と振動を検出することができる。干渉計１３は基板ステージ３０の上部にも取り付けられ、基板ステージ３０のｚ軸方向における位置と振動を検出することができる。干渉計１３は、基板ステージ３０の振動を計測する計測器を構成している。

図２の（ａ）〜（ｃ）は、基板ステージ３０の駆動後、ｘ、ｙ、ｚ軸に発生する振動をそれぞれ模式的に表した図である。縦軸が発生する振動の振幅Ｆｘ〜Ｆｚを表わし、各軸中心をＯとし、上方向をプラス、下方向をマイナス側の振動であるとする。横軸は時刻Ｔを表し、右方向に従って時間が経過することを表す。一般的な物質の原理に従い、時間が経過していくことで基板ステージ３０の振幅（振動）は収束する。背景技術で紹介したように従来の露光方法の場合では、制御部４０が図２のような振動を露光精度に影響のないとされる箇所までレーザ干渉計１３を用いて計測し、光源１に露光光の射出を命令する。

基板搭載部１０は支持体１４によって支えられている。基板搭載部１０と支持体１４とを合わせて基板ステージ３０と呼ぶ。不図示であるが、基板ステージ３０の駆動部１５の上面には鉛直方向の空気ばねによるアクチュエータが備えられており、基板ステージ３０をｘ、ｙ、ｚ方向に対して自由に駆動させることができる。スキャン露光を行う場合、マスクステージ３と同様に、基板ステージ３０は図中左右方向（ｙ軸方向）にスキャン駆動される。なお、スキャン露光動作は基板ステージ３０およびマスクステージ３は互いに逆方向にスキャン駆動される。静止露光の場合には、マスクステージ３、基板ステージ３０共に露光中は駆動されない。

図３はマスク２上のデザイン（回路図）を基板５上に転写する様子を上面から見た図である。マスク２上に描かれているデザイン（回路図）を基板５のショット領域（ショット）に対し転写を行う。通常１つのショットを露光した後、図２の矢印のように、基板ステージ３０をｘ軸、ｙ軸にステップ駆動させ繰返し露光を行っていく。露光処理の開始（露光光ＩＬの出力）や、基板ステージ３０及びマスクステージ３の駆動はＣＰＵを搭載したＰＣで構成される制御部４０からＬＡＮ等のケーブルを介して行われる。マスクステージ３と基板ステージ３０の位置、または振動の計測値もレーザ干渉計から全て制御部４０に集約される。集められたデータ(情報)はメモリ等で構成される記憶部４１に保存される。

露光精度がユーザーの求める条件を満たすかどうかの条件値（振動の振幅の許容範囲値（図２２のｆ１）等）も記憶部４１に記憶されている。上記条件値は露光精度そのものではないが、条件値を満たすこと露光精度を保証することとなりうる値のことを指す。また、スループット（ＴＰ）向上が可能であるかを判定するトレランス値（図２２のｐ）と露光開始時刻Ｓからトレランス値ｐの調査終了時刻Ｐまでの時間（図２２のＳ−Ｐ）（合わせてＴＰ短縮可能かの条件情報と称する）も記憶部４１に記憶されている。ＴＰ短縮可能かの条件情報は、基板ステージ３０の振動の発生が小さい場合に、ＴＰをさらに向上するために用いられる。図１７〜１９のフローチャートで用いる精度向上に有効である前提条件も記憶部４１に記憶されている。制御部４０に対し、ユーザーはコンソール部４２を介して駆動命令を送る。コンソール部には装置の稼動状況やエラー(異常)が発生した情報が表示される。

図４は、ショットに付加されている情報を仮想的に表した図である。ショットの情報領域５０のうち、ショットの状態を表すメモリ領域５１には、ショットが精度向上の対象であるか、ＴＰ向上の対象であるか、それら以外であるか区別する情報が保存される。精度向上の対象ショットとは、従来の露光処理方法ではユーザーの求める露光精度が保証されないと判定されたショットで、精度向上対策の実施が必要とされるショットである。精度向上対策は、露光のときの制御パラメータを露光精度が向上するように変更する対策である。ＴＰ向上の対象ショットとは、ＴＰ向上が可能であると判定されたショットで、ＴＰ向上対策を実施してもユーザーの求める露光精度を満たすことが保証されたショットである。ＴＰ向上対策は、露光の開始を早める対策である。

基板ステージ３０の駆動速度（加速度）と駆動座標を表すショットのメモリ領域５２には、ショットの駆動速度及び加速度と、どの座標に駆動されて露光処理が開始されるかの情報とが記憶される。後述の実施例において、精度向上対策を実施するための補正値又は補正式が算出された場合、メモリ領域５２の駆動位置（座標）に補正値の加算、減算が実施される。メモリ領域５３には、対象のショットがどの露光処理方法で露光が行われるか、また振動が収束されると思われる予想時刻の情報が記憶される。メモリ領域５４には、メモリ領域５１のショットの状態が、どういった理由においてそのように定められたのかを示す情報が記憶されている。メモリ領域５５には、ショットが露光処理中に発生した振動情報が保存される。

［実施例］
本発明の露光装置において、基板５のショットに露光処理を行い、露光処理において基板ステージ３０の振動が許容範囲の内にあるか否かを判定する。基板ステージ３０の振動が許容範囲の外にあると判定された場合に行う精度向上対策の設定処理を図５から図１９を用いて説明する。また基板ステージ３０の振動による露光性能の影響を捉え、ＴＰが向上可能である場合に行うＴＰ向上対策の設定処理を図５と図２０とを用いて説明する。図５から図２０のフロ−チャートの処理、及び、フロ−チャート内に記載のアクチュエータ部(マスクステージ３、基板ステージ３０)の操作指示(命令)は全て制御部４０が実施する。

図５のフローチャートは、１つのショットに対し露光処理の開始（Ｓ１０１）から終了（Ｓ１０８）までの処理を表している。露光を行う前のＳ１０２で、制御部４０は、露光対象ショットが、精度向上対策を行うショット（精度向上ショット）であるか、ＴＰ向上対策を行うショット（ＴＰ向上ショット）であるか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせる。そして、制御部４０は、図４のショットの状態を表すメモリ領域５１の情報を取得する。Ｓ１０２で、それ以外のショットであると判断された場合には、制御部４０は、Ｓ１０５で、記憶部４１のメモリ領域５２に格納された基板ステージ３０の位置、姿勢、速度、加速度等に従って基板ステージ３０の駆動を行う。基板ステージ３０の駆動後、制御部４０は、Ｓ１０６で、記憶部４１のメモリ領域５３に保存された露光方法、振動が収束する予想時刻の情報に従い、露光光を照射して露光処理を行う。続いて、制御部４０は、Ｓ１０７で、露光中に基板ステージ３０の振動が露光精度に与えた影響の判定処理を行う。Ｓ１０７の詳細は図１５から図１７のフローチャートで説明する。「それ以外のショット」は、通常の露光において、正常に露光処理が行え、露光精度に問題がないショットを意味する。

Ｓ１０２で精度向上ショットと判断された場合には、制御部４０は、Ｓ１０３で、精度向上対策の設定処理を行い、対象ショットの露光処理の制御パラメータの変更を行って、メモリ領域５２、５３の変更を行うことがある。露光処理の制御パラメータは、基板ステージ３０の位置、姿勢、速度、加速度、露光の開始時刻等を含む。制御部４０は、Ｓ１０３で変更されたメモリ領域５２、５３の制御パラメータの情報に従って、Ｓ１０５で基板ステージの動作処理を行い、Ｓ１０６で露光処理を行う。続いて、制御部４０は、Ｓ１０７で、露光中に基板ステージ３０の振動が露光精度に与えた影響の判定処理を行う。Ｓ１０３の精度向上対策の詳細は、図１５から図１７のフローチャートで説明する。Ｓ１０３の処理により、メモリ領域５２における基板ステージ３０の位置、姿勢、速度、加速度、メモリ領域５３における露光の開始時刻が変更される。Ｓ１０３のこのような変更により、基板ステージ３０の振動そのものを抑えたり、振動が収まった後に露光処理を実施したりすることが可能となる。その結果、振動の影響の少ない露光処理が可能となり、精度の向上に繋がる。

Ｓ１０２でＴＰ向上ショットと判断された場合には、制御部４０は、Ｓ１０４で、ＴＰ向上対策の設定処理を行い、露光開始時刻の変更を行って、メモリ領域５３の変更を行う。その後、制御部４０は、Ｓ１０５で基板ステージの動作処理を行い、Ｓ１０６で露光処理を行い、Ｓ１０７で振動が露光精度に与える影響の判定処理を行う。Ｓ１０４のＴＰ向上対策の詳細は、図１８のフローチャートで説明する。Ｓ１０４でメモリ領域５３の露光の開始時刻を早めることにより、露光開始までの時間が短縮され、ＴＰの向上に繋がる。

図６は２つのショットに露光処理が実施される処理内容を示したシーケンスを示した図である。このシーケンスでは、解説の容易さから、静止露光とした。矢印が１つのショットの露光処理の開始から終了までを表す。前処理６０は、図５のＳ１０２〜Ｓ１０４の処理を示す。この前処理によって、Ｓ１０５における基板ステージ３０の駆動や、Ｓ１０６における露光処理の制御パラメータが定まる。基板ステージの駆動６１は、図５のフローチャートＳ１０５に対応する。制御部４０は、メモリ領域５２の内容である基板ステージ３０の位置、姿勢、速度、加速度等に従って基板ステージ３０の駆動を行う。

基板ステージ３０の位置の計測６１’は基板ステージ３０の駆動６１と並行して実施される。基板ステージ３０の位置の計測６１’は、レーザ干渉計１３を用いて行われる。露光処理６２は、図５のフローチャートのＳ１０６に対応する。露光光の射出が開始され、マスク２のパターン（回路図）が基板５上に塗布されている不図示のレジストに感光されるまで露光光の照射が続けられる。レジストの感光に必要な露光量は、レジストの感光性、スキャン露光か静止露光であるか、または光源自体の強弱、波長幅、または基板ステージ３０の振動状態によって変化する。基板５に与える露光量は過剰であっても、過少であっても露光精度に影響を与える。一定の露光光が照射された後、露光光の射出が停止される。

露光光の射出から停止までの（露光処理６２）間、基板ステージ３０の振動の計測６３が並行して行われる。基板ステージ３０の振動を取得するため、レーザ干渉計１３が基板ステージ３０の計測を行う。スキャン露光では、露光処理６２中も基板ステージ３０はマスクステージ３と同期を取って駆動を行うが、基板ステージ３０の振動の状態を並行して計測することに変りは無く、本発明を適用することが可能である。本発明では、干渉計１３により取得された基板ステージ３０の振動の計測値を波形に変換し、更に露光が開始された時刻Ｓ、露光が終了した時刻Ｅを図７のようにまとめた情報を振動情報と称する。

後処理６４は、図５のＳ１０７に対応する。後処理６４で、制御部４０は、露光したショットの振動の状況に基づいて露光精度の解析を行う。図８から図１６のフローチャートでは、振動が露光精度に与えた影響の判定処理を行うフローチャートを説明する。図８から図１６のフローチャートでは、制御部４０は、基板ステージ３０の振動の指標が許容範囲（トレランス）の内に収まっているか否かでユーザーの求める露光精度を達成しているかを判定する。以下に示す事例１〜事例４において、制御部４０は、図８から図１６のフローチャートの1つ以上を選択して、精度への影響を判定する。
・図８のフローチャートでは、振動の指標としてショットの露光期間における基板ステージ３０の振動の振幅の最大値を用いる。
・図９のフローチャートでは、振動の指標としてショットの露光期間における基板ステージ３０の振動の振幅のピークの平均値を用いる。
・図１０のフローチャートでは、振動の指標としてショットの露光期間における基板ステージ３０の振動の振幅が所定の値以下である期間における累積露光量の露光期間における累積露光量に対する割合を用いる。
・図１２のフローチャートでは、ショットの露光期間を複数の分割期間に分割し、振動の指標として各分割期間における基板ステージ３０の振動の振幅の最大値を用いる。
・図１４のフローチャートでは、振動の指標として各分割期間における基板ステージ３０の振動の振幅のピークの平均値を用いる。
・図１５のフローチャートでは、振動の指標として各分割期間における基板ステージ３０の振動の振幅が所定の値以下である期間における累積露光量の露光期間における累積露光量に対する割合を用いる。

＜振動が露光精度に与えた影響の判定処理＞
振動の最大値による判定
図８のフローチャートでは、制御部４０は、基板ステージ３０の振動が露光中、振動の振幅の最大値が定めたトレランス内に収まっているかどうかで露光精度を満たすかを判定する。以降、図８のフローチャートの判定処理を、「振動の最大値による判定」と呼ぶ。Ｓ２０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ２０２で、制御部４０は、トレランスの条件である振動の振幅の最大値の許容範囲の値を記憶部４１から取得する。Ｓ２０３で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ２０４で、制御部４０は、取得した基板ステージ３０の振動の振幅の最大値が、露光中、定めたトレランス内に収まっているかどうかで露光精度を満たすかを判定する。基板ステージ３０の振動がトレランス内に収まっている場合には、Ｓ２０５で、制御部４０は、更にＴＰ向上が可能かの条件の取得を記憶部４１から行う。

Ｓ２０６で、制御部４０は、Ｓ２０３で取得した基板ステージ３０の振動情報とＳ２０５で取得した条件に従い、ＴＰ向上が可能かどうかを判定する。具体的には図２２のように、露光開始Ｓから装置固有でもつＴＰの調査時点Ｐまでの間に、基板ステージ３０の振動のピーク値が、ＴＰ向上が可能かを判定するトレランス幅（範囲値）ｐに収まっていれば、制御部４０は、ＴＰ向上が可能であると判定する。振動のピーク値は、露光開始時刻Ｓから調査時刻Ｐまでの間、ＴＰ向上が可能かを判定するトレランス幅ｐ内に常に収まっていなくてもよい。振動のピーク値は、調査時点Ｐでトレランス幅ｐに収まっていれば良い。ＴＰ向上が可能であると判定した場合には、Ｓ２０７で制御部４０は、該当のショットとＳ２０３で取得した振動情報を記憶部４１に保存する。Ｓ２０８で、制御部４０は、これ以降に搬送、露光処理される他の基板の同一座標のショットを、ＴＰ向上が可能なショットであると記憶部４１のメモリ領域５１に記憶、設定する。Ｓ２０８の設定処理後、Ｓ２１２で、制御部４０は、露光精度への影響の判定処理を終了する。

Ｓ２０６の判定において、ＴＰ向上が可能でないと判定された場合には、制御部４０は、Ｓ２１２に進み、露光精度の影響への判定処理を終了する。Ｓ２０４で基板ステージ３０の振動がトレランス内に収まっていないと判定された場合には、制御部４０は、Ｓ２１０で、ユーザーの求める露光精度を満たしていないと判定し、コンソール部４２に『精度に異常発生』とエラー（異常）を報告する。続いて、Ｓ２１１で、制御部４０は、該当のショットの振動情報、どの判定条件によって露光精度をみたしていないと判定したかを記憶部４１のメモリ領域５４、５５に保存する。図８のフローチャートの場合であれば、制御部４０は、「振動の最大値による判定」という条件を記憶部４１に保存する。Ｓ２１１で、制御部４０は、これ以降に搬送、露光処理される他の基板の同一座標のショットも、精度向上対策を行うショット（精度向上ショット）と設定し、その判定条件、ショットの振動情報を記憶部４１のメモリ領域５１、５４、５５に記憶する。基板ステージ３０の振動がトレランス内に収まっているか否かを判定した基板が「第１の基板」を構成する。そして、当該「第１の基板」の判定結果に基づいて精度向上ショットと設定される他の基板が「第２の基板」を構成する。Ｓ２１１の設定処理後、制御部４０は、Ｓ２１２で、露光精度への影響の判定処理を終了する。

Ｓ２１０の処理において、制御部４０は露光精度を満たさなかった条件を記憶部４１に保存したが、図９以降の露光精度を判定するフローチャートにおいても同様の処理を行う。露光精度を満たさなかった条件は、図１７〜１９の精度を復旧する対策を実施する際に、復旧対策が精度を満たさない条件（原因）に有効かどうかを判定するために使用される。

Ｓ２０８、Ｓ２１１の設定処理において、ＴＰ向上対策、精度向上対策を行うショットを他の基板の同一座標のショットと定める理由は、基板ステージ３０の駆動条件からショットの同一座標における振動の発生はほぼ同じであるという特性があるためである。Ｓ２０８、Ｓ２１１の設定処理において、基板ステージ３０の特性を利用し、ＴＰ向上対策、精度向上対策を行うショットに隣接するショットに対しても、ＴＰ向上対策、精度向上対策を行うショットとすることも可能である。

また、精度判定の異常が連続で発生した場合、基板ステージ３０自体に異常が発生したとして、基板ステージ３０に搭載されている基板の全ショットに対し精度向上対策を行うショットとすることも可能である。精度向上対策を行うショットを、他の基板の同一同座標のショットに定めるか、隣接するショットに定めるか、全ショットに定めるかは、記憶部４１に予め記憶（設定）されている。制御部４０は、前記設定に従って精度向上対策を行うショットを定める。なお、本実施例では、他の基板の同一座標のショットに対して精度向上対策を行うものとした。

振動の平均値による判定
図９のフローチャートでは、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報から振動の振幅のピークの平均値を算出、これが規定とする平均値を満たしているかどうかで露光精度を満たすか判定する。生産ロットの露光を繰り返す場合において、１つのショットにかかる露光時間にぶれは少なく、また基板ステージ３０の振動の状況も通常であれば同じ基板５内のショットと変らない。しかし、基板ステージ３０に異常が発生した場合などに振動の状態にぶれが大きくなるに伴い、振幅のピーク値が大きくなり、振動の平均値が大きくなる。これが露光精度の低下に繋がる。

以降、図９のフローチャートの判定を、「振動の平均値による判定」と呼ぶ。Ｓ３０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ３０２で、制御部４０は、規定の条件である振動の平均値の許容範囲の値を記憶部４１から取得する。Ｓ３０３で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ３０４で、制御部４０は、基板ステージ３０に発生した振動の振幅の全ピークの絶対値の和を求め、それをピークの数で割ることによって、平均値の計算を行う。Ｓ３０５で、制御部４０は、Ｓ３０４で求めた平均値がＳ３０２で取得した規定値を満たしているかを判定する。Ｓ３０４で求めた平均値が規定値を満たしている場合、制御部４０は、Ｓ３０６からＳ３０９の処理において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同処理を行って、ＴＰ向上がさらに可能かどうかを判定し、Ｓ３１４で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ３０５で平均値が規定値を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていないと判定し、Ｓ３１０からＳ３１２の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ３１２の処理後、制御部４０は、Ｓ３１４で露光精度への影響の判定処理を終了する。

露光量の分布による判定
図１０のフローチャートでは、制御部４０は、振動が小さい時間帯における累積露光量を求め、露光期間全体における累積露光量に対して、振動が小さい時間帯の累積露光量の割合が規定値を満たしているかどうかで露光精度を判定する。振動の区分は定めるトレランス値（図１１のｑ１）内に振幅のピークが収まった事をトリガに行う。図１１の（ａ）は、露光の開始時刻Ｓから終了時刻Ｅまでの間に発生する露光量の分布を示し、（ｂ）は、基板ステージ３０の振動の状況を示す。（ａ）、（ｂ）とも横軸は、時刻Ｔを表す。（ａ）からも分かるように、露光の開始から最高露光量を出すまでには時間がかかる。また振動も減衰していく傾向にある。制御部４０は、まず、振動がトレランス値ｑ１内の小さい時間帯（ＱからＥ）の累積露光量を積分で算出する。そして、制御部４０は、露光期間全体（時刻Ｓから時刻Ｅ）に対し、振動の小さい時間帯の割合が一定条件（規定％よりも多い）を満たしている場合、精度を満たす露光が実施されたと判定する。

仮に振動が一度トレランスｑ１内に収まった後、再度トレランスｑ１外に振幅のピークが発生したとする。その場合、振動が一度トレランスｑ１内に収まってから再度トレランスｑ１外に振幅のピークが発生するまでの部分の露光量の面積は、振動の小さい時間帯の露光量の分布としては含ませない。解説の便宜上、トレランスｑ１内に収まった分布をＱからＥとするが、Ｅが必ず終わりと言うわけではない。

以降、図１０のフローチャートの判定を、「露光量の分布による判定」と呼ぶ。Ｓ４０１で、精度判定の処理を開始する。Ｓ４０２で、制御部４０は、振動の区分を定めるトレランス値ｑ１の取得を行う。Ｓ４０３で、制御部４０は、規定の条件となる、露光量の規定(割合)値を記憶部４１から取得する。Ｓ４０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ４０５で、制御部４０は、露光量の分布の作成のため、光量センサ６から露光の開始から終了までの露光量を取得する。Ｓ４０６で、制御部４０は、露光量の分布の作成を行う。このとき、制御部４０は、Ｓ４０２で取得したトレランス値に振幅のピークが収まった箇所を区切りとし、図１１のような露光量の分布を作成する。制御部４０は、振幅のふり幅が小さい時間帯（ＱからＥ）で露光量の分布を積分して振動が小さい時間帯における露光量の面積を算出し、それの露光期間全体の露光量に対する割合を求める。Ｓ４０７で、制御部４０は、算出された割合値がＳ４０２で取得した規定を満たしているか判定する。規定内である場合、制御部４０は、Ｓ４０８からＳ４１１の処理において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行うことで、更にＴＰ向上可能かどうかを判定し、Ｓ４１６で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ４０７で規定を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ４１２からＳ４１４の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ４１４の処理後、制御部４０は、Ｓ４１５で露光精度への影響の判定処理を終了する。

複数の振幅の最大値による判定
図１２のフローチャートでは、図１３のように露光光の射出開始時刻Ｓから停止時刻Ｅまでの露光期間を、一定時間毎、もしくは不特定の時間で、複数の期間（分割期間）に分割けする。図１３では、露光期間Ｓ−Ｅを、時刻Ａ、Ｂの仕切りで、Ｓ−Ａ、Ａ−Ｂ、Ｂ−Ｅの３つの分割期間に分割している。そして、時間経過と共に厳しいトレランス値となる条件を規定とし、分割期間毎にその規定を満たすかをどうかで露光精度を満たすかを判定する。以降、図１２のフローチャートの判定を、「複数の振幅の最大値による判定」と呼ぶ。Ｓ５０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ５０２で、制御部４０は、まず露光期間の分割するため、分割を定義する時刻情報を記憶部４１から取得する。Ｓ５０３で、制御部４０は、規定の条件となる、分割期間毎に満たすべきトレランス値を記憶部４１から取得する。Ｓ５０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ５０５で、制御部４０は、露光中、基板ステージ３０の振動がＳ５０２で取得したトレランス内に収まっているか判定する。規定値を満たしている場合、制御部４０は、Ｓ５０６からＳ５０９の処理において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行い、更にＴＰ向上が可能かどうかを判定し、Ｓ５１３で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ５０５において規定値を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ５１０からＳ５１２の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ５１２の処理後、制御部４０は、Ｓ５１３で露光精度への影響の判定処理を終了する。

複数の振動の平均値による判定
図１４のフローチャートでは、図１２と同様、露光期間の分割を行い、基板ステージ３０の振動情報から分割期間毎に振動の平均値を求め、これが規定とする分割期間毎の規定値を満たしているかどうかで露光精度を満たすかを判定する。以降、図１４のフローチャートの判定を、「複数の振動の平均値による判定」と呼ぶ。Ｓ６０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ６０２で、制御部４０は、まず露光期間の分割するため、分割を定義する時刻情報を記憶部４１から取得する。Ｓ６０３で、制御部４０は、規定の条件となる、分割期間毎に満たすべき振動の平均値の許容範囲を記憶部４１から取得する。Ｓ６０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ６０５で、制御部４０は、分割期間毎に基板ステージ３０に発生した振動の振幅の各ピークの絶対値の和を求め、更にピークの数で割り、平均値の計算を行う。Ｓ６０６で、制御部４０は、Ｓ６０５で求めた平均値がＳ６０１で取得した規定値を全て満たしているかを判定する。規定値を満たしている場合、制御部４０は、Ｓ６０７からＳ６１０において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行い更にＴＰ向上可能かどうかを判定し、Ｓ６１４で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ６０６の処理において規定値を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ６１１からＳ６１３において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ６１４の処理後、制御部４０は、Ｓ６１４で露光精度への影響の判定処理を終了する。

複数の露光量の分布による判定
図１５のフローチャートでは、複数の異なる振動のトレランス値（図１６のｑ１〜ｑ３）によって露光期間の分割を行い、分割期間毎に、振動が小さい時間帯の露光量の割合が規定を満たしているかで露光精度を判定する。図１５のフローチャートは、露光期間が複数の分割期間に分割されている点で、図１０のフローチャートと異なる。分割期間は定めるトレランス値（図１６のｑ１、ｑ２、ｑ３）に振幅のピーク値が収まった事で分ける。ピーク値がｑ２のトレランス内に収まったピークの箇所が、ｑ１とｑ２との切れ目となり、ｑ３のトレランス内に収まったピークの箇所がｑ２とｑ３とを分ける。ｑ１のトレランスは露光開始Ｓをトリガに、ｑ２のトレランスはピークがｑ１のトレランス内に入るのをトリガに、ｑ３のトレランスはピークがｑ２のトレランス内に入るのをトリガに計測を開始する。図１６の（ａ）は露光の開始時刻Ｓから終了時刻Ｅまでの間の露光量の分布を示し、（ｂ）は基板ステージ３０の振動の状況を示す。トレランス(ｑ１、ｑ２、ｑ３)の分け方に従い、露光期間を、Ｓ−Ｑ１、Ｑ１−Ｑ２、Ｑ２−Ｑ３、Ｑ３−Ｅの４分割期間に分ける。図１１と異なる点は、分割した各分割期間で露光量の割合を求める点にある。

以降、図１５のフローチャートの判定を、「複数の露光量の分布による判定」と呼ぶ。Ｓ７０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ７０２で、制御部４０は、振動の区分を定めるトレランス値（図１４のｑ１〜ｑ３）の取得を行う。Ｓ７０３で、制御部４０は、規定の条件となる、各規定の割合値を記憶部４１から取得する。Ｓ７０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。制御部４０は、Ｓ７０５で、露光量の分布作成のため、光量センサ６から露光開始から終了までの露光量を取得し、Ｓ７０６で、露光量の分布の作成を行う。このとき、制御部４０は、Ｓ７０２で取得したトレランス値に振幅のピークが収まった箇所を区切りとし、分布を作成する(図１６)。制御部４０は、各分割期間（Ｓ−Ｑ１、Ｑ１−Ｑ２、Ｑ２−Ｑ３、Ｑ３−Ｅ）で振動が小さい時間帯の露光量の面積を算出し、露光量全体に対する割合を求める。Ｓ７０７で、制御部４０は、各分割期間で算出された割合値がＳ７０２で取得した規定を満たしているか判定する。制御部４０は、算出された割合値が規定内である場合は、Ｓ７０８からＳ７１１において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行い、更にＴＰ向上可能かどうかを判定し、Ｓ７１６で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ７０７において、規定を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ７１２からＳ７１４の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ７１４の処理後、制御部４０は、Ｓ７１５で露光精度への影響の判定処理を終了する。

図８から図１６までのフローチャートを用いて露光精度の判定処理を行ってきたが、規定値の適用方法を変更することで、ＴＰ短縮が可能かを判定するという応用もある。例えば、図８の精度判定のトレランス値をＴＰ短縮が可能かを判定するトレランス値ｐに変更すれば、ＴＰ短縮が可能かを判定できる。また図９、図１０のフローチャートの規定をＴＰ短縮可能とする、より厳しい値で判定することで、ＴＰ短縮が可能かを判定しうる。図１２のフローチャートも、規定値をＴＰ短縮が可能かを判定するトレランス値ｐに変更することでＴＰ短縮が可能かを判定するフローチャートに変更し得る。図１４、１５のフローチャートも同様である。露光中の振動の状態を計測することと、本発明者が提案するフローチャート(アルゴリズム)を適用することにより、露光精度の状態を判定することに加え、ＴＰ短縮が可能かの判定を行うことができる。

＜精度向上対策の設定処理＞
図１７から図１９までのフローチャートは図５のＳ１０３の精度向上対策の設定処理の詳細である。
・図１７のフローチャートでは、露光の開始時期を変更することにより精度を向上する。
・図１８のフローチャートでは、基板ステージ３０の速度（加速度）を変更することにより精度を向上する。
・図１９のフローチャートでは、ショットの振動情報から、補正値、補正式を算出し、これに基づいて基板ステージ３０の位置、姿勢を補正することにより精度を向上する。

制御部４０は精度の判定を行うフローチャートと同様、図１７から図１９のフローチャートの１つを用いて精度を向上することも可能であるし、同時に複数のフローチャートを用いて複合して精度を向上することも可能である。本発明では、以下に記載の事例１から事例４において、制御部４０は、図１７から図１９までのフローチャートの少なくとも１つを選択して、精度向上対策の設定処理を行う。

露光の開始時期の変更による精度向上
図１７のフローチャートでは、露光の開始時期を変更することで露光精度の向上を行う。露光の開始時期を変更するとは、具体的には背景技術で紹介したように、基板ステージ３０の振動が露光精度に影響を与えない範囲に収まったのを確認した後に、露光の開始を行う。Ｓ８０１で、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始する。Ｓ８０２で、制御部４０は、図５のＳ１０２で精度向上ショットが、図８から図１６までのどの精度判定条件によって精度向上ショットと設定されたかを記憶部４１のメモリ領域５４から取得する。Ｓ８０３で、制御部４０は、露光の開始時期の変更が精度向上に有効であるという場合の前提条件を記憶部４１から取得する。露光の開始時期の変更が精度向上に有効であるという場合の前提条件は、記憶部４１に保持されている。Ｓ８０４で、制御部４０は、Ｓ８０２で取得した精度判定条件が、Ｓ８０３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する。

例えば、Ｓ８０２で、精度向上の対象ショットは「振動の最大値による判定」で精度向上ショットと設定されたことが、記憶部４１から取得されたとする。次に、Ｓ８０３で、露光の開始時期の変更が精度向上に有効である場合の前提条件は、「振動の最大値による判定」又は「振動の平均値による判定」で精度向上ショットと設定されたものであること、と記憶部４１から取得されたとする。この場合、Ｓ８０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ８０３で取得した前提条件と一致する。そのため、制御部４０は、Ｓ８０５で、露光の開始時期を変更すると決定し、この決定を記憶部４１のメモリ領域５３に保存し、Ｓ８０６で、精度向上対策の設定処理を終了する。仮にＳ８０２で取得した精度判定の条件が、「露光量の分布による判定」であった場合は、Ｓ８０３で取得した前提条件に当て嵌まらない。そのため、Ｓ８０５の露光の開始時期の変更は実施されず、Ｓ８０６で精度向上の設定処理は終了する。

基板ステージの速度(加速度)の変更による精度向上
図１８のフローチャートでは、露光前又は露光中に基板ステージ３０の速度（加速度）を変更することで、露光精度の向上を行う。Ｓ９０１で、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始する。Ｓ９０２で、制御部４０は、図１７のＳ８０２同様、精度向上ショットが、図８から図１６までのどの精度判定条件で精度向上ショットと設定されたのかを記憶部４１のメモリ領域５４から取得する。Ｓ９０３で、制御部４０は、基板ステージ３０の速度（加速度）の変更が精度向上に有効であるという場合の前提条件を記憶部４１から取得する。Ｓ９０４で、制御部４０は、Ｓ９０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ９０３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する。制御部４０は、Ｓ９０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ９０３で取得した前提条件と一致した場合は、基板ステージ３０の速度（加速度）の変更を行うと決定し、これを記憶部４１のメモリ領域５２に保存して、Ｓ９０６で、精度向上対策の設定処理を終了する。Ｓ９０４において、Ｓ９０２で取得した精度判定の条件がＳ９０３で取得した前提条件に当て嵌まらない場合、制御部４０は、基板ステージ３０の速度、加速度を変更することなく、Ｓ９０６で精度向上対策の設定処理を終了する。

基板ステージの位置、姿勢の補正による精度向上
図１９のフローチャートでは、振動の情報から、露光前又は露光中の基板ステージ３０の位置、姿勢の補正を行い、露光精度の向上を行う。Ｓ１００１で、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始する。Ｓ１００２で、制御部４０は、図１７のＳ８０２同様、精度向上ショットが、図８から図１６までのどの精度判定条件で精度向上ショットと設定されたのかを記憶部４１のメモリ領域５４から取得する。Ｓ１００３で、制御部４０は、基板ステージ３０の位置、姿勢の補正が精度向上に有効であるという場合の前提条件を記憶部４１から取得する。Ｓ１００４で、制御部４０は、Ｓ１００２で取得した精度判定の条件が、Ｓ１００３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する。制御部４０は、Ｓ１００２で取得した精度判定の条件がＳ１００３で取得した前提条件と一致した場合、Ｓ１００５で、ショットの振動情報を図４のメモリ領域５５から取得する。Ｓ１００６で、制御部４０は、取得した振動情報から基板ステージ３０の位置、姿勢を補正するための補正式、補正値を算出する。補正式、補正値の算出方法は振動波形から得られる基板ステージ３０の傾き(Tilt値)を算出する方法でも良いし、これ以外でも良い。Ｓ１００７で、制御部４０は、Ｓ１００６で算出した補正式、補正値を記憶部４１に保存する。Ｓ１００８で、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を終了する。Ｓ１００２で取得した精度判定の条件がＳ１００３で取得した前提条件が当て嵌まらない場合、制御部４０は、基板ステージ３０の位置、姿勢を補正することなく、Ｓ１００８で精度向上対策の設定処理を終了する。

＜ＴＰ向上対策の設定処理＞
図２０のフローチャートは、図５のＳ１０４に対応するＴＰ向上対策の設定処理の詳細である。Ｓ１１０１で、制御部４０は、ＴＰ向上対策の設定処理を開始する。Ｓ１１０２で、制御部４０は、図５のＳ１０２でＴＰ向上を実施するとされたＴＰ向上ショットの振動情報を図４のメモリ領域５５から取得する。Ｓ１１０３で、制御部４０は、Ｓ１００２で取得した振動情報からＴＰの短縮可能な時間を算出する。Ｓ１００４で、制御部４０は、求めた時間だけＴＰ向上対策を実行するよう、記憶部４１に実行するＴＰ向上対策と短縮可能な時間とを記憶する。本実施例でのＴＰの短縮時間は、ＴＰ短縮の調査時刻Ｐと、ＴＰ短縮が可能かを判定するトレランス値ｐ内に基板ステージ３０の振幅のピークの値が収まった時刻との差とする。本実施例でのＴＰの短縮時間は、図２５中でＵとして示される。制御部４０は、Ｓ１１０４で、露光光ＩＬの照射を開始する時刻をＳ１１０３で求めたＴＰ短縮時間Ｕだけ前倒して露光処理を行うＴＰ向上対策の内容を設定し、Ｓ１１０５で、ＴＰ向上対策の設定処理を終了する。

以下、図２１〜２５に示される、基板ステージ３０の振動状態が互いに異なる５つの事例を用いて本発明を説明する。
［事例１］
事例１では、基板ステージ３０が駆動後、露光処理中、図２１のような振動状態であったとする。図２１で、横軸が時刻Ｔを表し、縦軸が基板ステージ３０の振動の振幅Ｆｚを示す。以降の実施例においてｚ軸を対象に説明を行うが、ｘ軸、ｙ軸についても同様である。Ｓは露光光ＩＬの照射が開始される時刻を表し、Ｅは露光光ＩＬの照射が終了される時刻を表す。ｆ１は露光精度のトレランス(許容範囲)を表す。ｐは、ＴＰ向上が可能かを判定するトレランス（許容範囲）を表し、Ｐはトレランスｐの調査の終了時刻を表す。本事例例で露光されるショットはロットの１枚目の基板のショットであり、ロットの２枚目以降の基板の精度向上やＴＰ向上を行うショットではない。また、露光精度の判定処理は図８と図９のフローチャートの処理を行う。図８と図９のフローチャートの情報は、予め記憶部４１に保存されている。図８のフローチャートで使用する規定値ｆ１、図９のフローチャートで使用する振動の規定の平均値は２.５以下と記憶部４１に保存されている。

図５のフローチャートにおけるＳ１０１で、露光処理が開始される。Ｓ１０２で、制御部４０は、露光処理を実行するショットが、精度向上ショットであるか、ＴＰ向上ショットであるか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う。この事例では、対象ショットは、ロットの１枚目の基板のショットであるため、精度向上ショットでもＴＰ向上ショットでもなく、それ以外のショットである。そのため、制御部４０は、Ｓ１０５で基板ステージ３０の駆動を開始し、Ｓ１０６で露光を開始する。Ｓ１０７で、制御部は、図８、図９のフローチャートに示される露光精度への影響の判定処理に処理を移す。

図８のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要なｆ１を記憶部４１から取得し(Ｓ２０２)、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２１の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ２０３）。次いで、制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｆ１に収まっているか判定を行う（Ｓ２０４）。本事例では露光開始後の基板ステージ３０の振動はトレランス値ｆ１以下に収まっている。そのため、制御部４０は、ＴＰ短縮条件のトレランス値ｐ、調査終了時刻Ｐを記憶部４１から取得する（Ｓ２０５）。制御部４０は、Ｓ２０６で、基板ステージ３０の振動がＴＰ短縮条件のトレランス値ｐに収まっているか判定を行う。本事例では、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｐ以下に収まっていないため、制御部４０は、図８のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ２１２)。

図９のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要な規定とする振動の平均値が２.５以下という条件値を記憶部４１から取得し（Ｓ３０２）、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図１９の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ３０３）。次いで、制御部４０は、Ｓ３０３で取得した振動情報から振動の平均値を算出する（Ｓ３０４）。図２１に示される露光期間中（Ｓ−Ｅ間）の振幅の１０個のピーク値を６、−４、４、−２、２、−１、０.５、−０.５、０.３、−０.２とする。制御部４０は、これらの値から平均値２.０５を算出する(Ｓ３０４)。続いて、制御部４０は、算出した平均値２．０５が規定の平均値２．５内であるか判定する（Ｓ３０５）。本事例では規定を満たしているため、制御部４０は、ＴＰ短縮条件の取得処理であるＳ３０６に処理を移す。以降の処理は図８のフローチャートと同じ処理であるため説明は割愛する。

図８、９のフローチャートより、本事例のショットは振動が露光精度に与える影響は問題が無く、かつ、ＴＰ向上対策は実施しないショット、すなわち、その他のショットとなる。続いて図５のフローチャートに処理が戻り、露光対象のショットの露光処理が終了となる（Ｓ１０８）。

［事例２］
事例２では、基板ステージ３０が駆動後、露光処理中、図２２のような振動状態であったとする。図２２上に表示されているものは全て図２１と同等である。本事例で最初に露光されるショットはロットの１枚目の基板のショットであり、ロットの２枚目以降の基板の精度向上やＴＰ向上を行うショットではないとする。露光精度の判定処理は、図８と図９のフローチャートの処理を行い、精度向上対策の処理は図１７、図１８のフローチャートの処理を行う。事例１と同様、図８のフローチャートの規定値ｆ１、図９の規定値とする振動の平均値は２.５以下と記憶部４１に保存されている。

図５のフローチャートに従って、露光処理が開始される（Ｓ１０１）と、制御部４０は、露光処理を実行するショットが、精度向上ショットであるか、ＴＰ向上ショットであるか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。本事例では、対象ショットは、それ以外のショットであるため、制御部４０は、基板ステージ３０の駆動を開始し（Ｓ１０５）、露光を開始する（Ｓ１０６）。続いて、制御部４０は、露光精度への影響の判定処理（Ｓ１０７）である図８と図９のフローチャートに処理を移す。

図８のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要なｆ１を記憶部４１から取得し(Ｓ２０２)、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２２の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ２０３）。次いで、制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｆ１に収まっているか判定を行う（Ｓ２０４）。本事例では基板ステージ３０の振動はトレランス値ｆ１に収まっていない。そのため、制御部４０は、コンソール部４２に「精度に異常発生」を表示し（Ｓ２０９）、該当のショット、振動情報、精度判定を行った条件（振動の最大値による判定）を記憶部４１に記録する（Ｓ２１０）。続いて、制御部４０は、以降に露光される基板の同一位置のショットを、その露光精度を確保するため、精度向上対策を行うショットに設定し、その設定を記憶部４１に保存する（Ｓ２１１）。制御部４０は、精度向上ショットを設定した後（Ｓ２１１）、図８のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ２１２)。

図９のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要な規定とする振動の平均値の条件（２.５以下）を記憶部４１から取得し（Ｓ３０２）、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２２の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ３０３）。次いで、制御部４０は、Ｓ３０３で取得した振動情報と露光時間から振動の平均値を算出する(Ｓ３０４)。図２２に示される露光期間中（Ｓ−Ｅ間）の振幅の１０個のピーク値を６、−５、４、−４、２、−１、０.５、−０.５、０.３、−０.２とする。制御部４０は、これらの値から振動の平均値２.３５を算出する(Ｓ３０４)。続いて、制御部４０は、算出した平均値２．３５が規定の平均値２．５内であるか判定する（Ｓ３０５）。本事例では規定を満たしているため、制御部４０は、ＴＰ短縮条件のトレランス値ｐ、調査終了時刻Ｐを記憶部４１から取得する（Ｓ３０６）。制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｐに収まっているか判定を行う(Ｓ３０７)。本事例では、調査終了時刻Ｐにおいて基板ステージ３０の振動はトレランス値ｐに収まっていないため、制御部４０は、図９のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ３１３)。

前記事例のように、精度判定の条件の違いにより、ある精度判定では精度を満たしていないとされても、他の精度判定では精度を満たしていると判断されることがある。本実施形態では、露光装置の精度を確保するため、精度向上ショットと一度設定されたショットは、他の精度判定では精度を満たしていると判断されても、精度向上ショットであるとする。図８、９のフローチャートの終了後、最初に露光する基板のショットに対する露光処理は終了となる（Ｓ１０８）。

引き続き、図８のＳ２１１の処理で精度向上ショットに設定された２枚目以降の基板の同一座標のショットの露光処理について説明する。図５のフローチャートに従って、精度向上ショットの露光処理が開始される(Ｓ１０１)。制御部４０は、実行するショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。本事例では、対象ショットは精度向上ショットであるため、制御部４０は、図１７、図１８のフローチャートに処理を移す。

図１７のフローチャートでは、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始し（Ｓ８０１）、ショットがどの精度判定条件により精度向上ショットと定められたのかを記憶部４１に問い合わせる（Ｓ８０２）。本事例の場合の精度判定条件は「振動の最大値による判定」である。次に、制御部４０は、露光の開始時期の変更が精度向上に有効である場合の前提条件である「振動の平均値による判定」を取得する(Ｓ８０３)。続いて、制御部４０は、Ｓ８０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ８０３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する（Ｓ８０４）。本事例では条件が一致しないため、図１７のフローチャートは終了（Ｓ８０５）となる。

図１８のフローチャートでは、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始し（Ｓ９０１）、ショットが精度向上ショットと定められた条件である「振動の最大値による判定」を取得する（Ｓ９０２）。次に、制御部４０は、基板ステージ３０の速度の変更が精度向上に有効である場合の前提条件である「振動の最大値による判定」、「露光量の分布による判定」を取得する(Ｓ９０３)。続いて、制御部４０は、Ｓ９０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ９０３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する（Ｓ９０４）。本事例では条件が一致するため、制御部４０は、基板ステージ３０の速度の変更を記憶部４１のメモリ領域５２に保存し(Ｓ９０５)、図１８のフローチャートを終了する（Ｓ９０６）。

図１７、図１８のフローチャートの終了後、図５のフローチャートに処理を移し、図１７、図１８で設定した処理に従って、基板ステージ３０を駆動し(Ｓ１０５)、露光を開始する(Ｓ１０６)。図１７、図１８の精度向上対策を行ったショットの露光中の振動波形は、図２１になるとする。次に露光精度の判定処理（Ｓ１０７）に移るが、以降の処理は事例１と同処理になるため、説明を省略する。

［事例３］
事例３では、基板ステージ３０が駆動後、露光処理中、図２３のような振動状態であったとする。時刻Ｓは露光光ＩＬの照射の開始時刻を表し、時刻Ｅは露光光ＩＬの照射の終了時刻を表す。時刻Ａ、Ｂは、露光期間Ｓ−Ｅを分割する時刻である。分割期間Ｓ−Ａ内で露光精度の規定を満たすかを時刻Ａで判断する。分割期間Ａ−Ｂ内で露光精度の規定を満たすかを時刻Ｂで判断する。分割期間Ｂ−Ｅ内で露光精度の規定を満たすかを時刻Ｅで判断する。ｆ１は分割期間Ｓ−Ａ内で使用するトレランス(許容範囲)値を表す。同様にｆ２は分割期間Ａ−Ｂ内で使用するトレランス(許容範囲)値を、ｆ３は分割期間Ｂ−Ｅ内で使用するトレランス(許容範囲)値を表す。図９の規定値とする振動の平均値は、分割期間Ｓ−Ａでは６以下、分割期間Ａ−Ｂでは２.５以下、分割期間Ｂ−Ｅでは１以下であるとそれぞれ記憶部４１に保存されている。

本事例で露光されるショットは露光装置に初めて露光されるものであり、精度向上ショットやＴＰ向上ショットではない。また、露光精度の判定処理は図１２と図１４のフローチャートの処理を行い、精度向上対策の処理は図１９のフローチャート処理を行う。

図５のフローチャートに従って、制御部４０は、露光処理を開始し（Ｓ１０１）、対象ショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。本事例では、対象ショットがそれ以外のショットであるため、制御部４０は、基板ステージ３０の駆動を開始し（Ｓ１０５）、露光を開始する（Ｓ１０６）。続いて、制御部４０は、Ｓ１０７の露光精度への影響の判定処理を行う図１２と図１４のフローチャートに処理を移す。

図１２のフローチャートでは、制御部４０は、露光期間を分割するための時刻情報ＡとＢの取得を行い(Ｓ５０２)、精度判定に必要なトレランス値ｆ１〜ｆ３を記憶部４１から取得する(Ｓ５０３)。次に、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２０の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ５０４）。制御部４０は、基板ステージ３０の振動が各分割期間でトレランス値ｆ１、ｆ２、ｆ３に収まっているかの判定を行う（Ｓ５０５）。本事例では分割期間Ｓ−Ａの振動がトレランス値ｆ１に収まっていない。そのため、制御部４０は、コンソール部４２に「精度に異常発生」を表示し（Ｓ５１０）、該当のショット、振動情報、精度判定を行った条件（複数の振動の最大値による判定）を記憶部４１に記録する（Ｓ５１１）。

続いて、制御部４０は、以降に露光される基板の同一座標のショットを、その露光精度を確保するため、精度向上対策を行うショットと設定し、その設定を記憶部４１に保存する（Ｓ５１２）。精度向上ショットを設定したら、制御部４０は、図１２のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ５１３)。

図１４のフローチャートでは、制御部４０は、露光期間を分割するための時刻情報Ａ、Ｂの取得を行う(Ｓ６０２)。次いで、制御部４０は、精度判定に必要な規定となる分割期間毎の振動の平均値（分割期間Ｓ−Ａでは５以下、分割期間Ａ−Ｂでは２.５以下、分割期間Ｂ−Ｅでは１以下）を記憶部４１から取得する（Ｓ６０３）。次に、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２３の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ６０４）。制御部４０は、Ｓ６０４で取得した振動情報と、Ｓ６０２で取得した時刻情報ＡとＢから各分割期間の振動の平均値を算出する（Ｓ６０５）。分割期間Ｓ−Ａのピーク値が４、−６、分割期間Ａ−Ｂのピーク値が３、−４.５、２.５、−２.５、１、分割期間Ｂ−Ｅのピークが０.５、−０.５、０.５、−０.５であったとする。制御部４０は、これらのピークの値から分割期間毎の平均値５、２.７、０.５を算出する（Ｓ６０５）。

制御部４０は、算出した値が全て規定の平均値内であるか判定する（Ｓ６０６）。本事例では算出された値の一部が規定を満たしていない。そのため、制御部４０は、コンソール部４２に「精度に異常発生」を表示し（Ｓ６１１）、該当のショット、振動情報、精度判定を行った条件（複数の振動の平均値による判定）を記憶部４１に記録する（Ｓ６１２）。続いて、制御部４０は、以降に露光される基板の同一座標のショットを、その露光精度を確保するため、精度向上対策を行うショットと設定し、記憶部４１に保存する（Ｓ６１３）。精度向上対策を行うショットと設定した後、制御部４０は、図１４のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ６１４)。図１２と図１４のフローチャートが終了したら、本事例で最初に露光するショットの露光処理は終了となる（Ｓ１０８）。

引き続き図１２のＳ５１２、図１４のＳ６１３により精度向上対策の対象となった精度向上ショットについての露光処理について説明する。図５のフローチャートに従って、精度向上ショットの露光処理が開始される(Ｓ１０１)。制御部４０は、露光処理の対象ショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。対象ショットは精度向上ショットであるため、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を規定する図１９のフローチャートに処理を移す。

図１９のフローチャートでは、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始する（Ｓ１００１）。次いで、制御部４０は、ショットがどの精度判定条件により精度向上対策を行うと定められたのかを記憶部４１に問い合わせ、「複数の振動の最大値による判定」、「複数の振動の平均値による判定」との回答を取得する（Ｓ１００２）。次に、制御部４０は、ステージの位置、姿勢の補正を行う対策が精度向上に有効である場合の前提条件である「複数の振動の最大値による判定」、「複数の振動の平均値による判定」を取得する(Ｓ１００３)。続いて、制御部４０は、Ｓ１００２で取得した精度判定の条件が、Ｓ１００３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する（Ｓ１００４）。本事例では条件が一致するため、ステージの位置、姿勢の補正を行うため、まず露光精度に問題ありとなったショットの振動情報を取得する(Ｓ１００５)。

次に制御部４０は、振動情報から、ステージの位置を補正するための補正式、補正値を算出する。本事例では、図２３に示されるように、振動のピークが、波形の最大振幅マイナス方向にトレランス外に飛び出している。そこで、制御部４０は、ステージ駆動の際のステージのｚ軸方向の位置にプラス方向のオフセットＨを入れることを算出する(Ｓ１００６)。制御部４０は、Ｓ１００６で求めた補正値（オフセットＨ）を基板ステージ３０の駆動に反映するよう、記憶部４１のメモリ領域５２の値にオフセットＨを加算して保存し(Ｓ１００７)、図１９のフローチャートを終了する（Ｓ１００８）。Ｓ１００６の処理において、補正値Ｈを求める方法は、どのような方法であっても適用可能である。また、補正値ではなく、補正式を算出し、算出された補正式から補正値Ｈが導かれる方法を適用しても良い。

図５のフローチャートでは、ステージの駆動完了後に露光を開始するように説明されているが、露光中も基板ステージ３０を駆動させることができる。Ｓ１００６で算出した補正値、補正式を適用し、露光中に基板ステージ３０の駆動を行うことで精度向上対策を実施することも可能である。図１９のフローチャート終了後、制御部４０は、図５のフローチャートに処理を移し、図１９の設定処理に従って、基板ステージ３０を駆動し(Ｓ１０５)、露光を開始する(Ｓ１０６)。図１９の精度向上対策を行ったショットの露光中の振動波形は、図２１になる。次に露光精度の判定処理（Ｓ１０７）に移るが、以降の処理は事例１と同じ処理になるため、説明を省略する。

［事例４］
事例４では、基板ステージ３０が駆動後、露光処理中、図２４のような振動状態、露光量で露光が実施されたものとする。本事例で露光されるショットは露光装置に初めて露光されるものとする。また、露光精度の判定処理は図１０のフローチャートに従って行い、精度向上対策の処理は図１７のフローチャートに従って行う。図１０の規定値(条件)とするとする割合の値は７０%〜１００％とする。

図５のフローチャートに従って、露光処理が開始される（Ｓ１０１）。制御部４０は、実行するショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。本事例では、対象ショットはそれ以外のショットである。制御部４０は、基板ステージ３０の駆動を行い（Ｓ１０５）、露光を開始する（Ｓ１０６）。次いで、制御部４０は、露光精度への影響判定処理Ｓ１０７を図１０のフローチャートに従って実行する。

図１０のフローチャートでは、制御部４０は、まず振動のトレランス値（図２４のｑ１）の取得を行い(Ｓ４０２)、精度判定に必要な規定値（７０％〜１００％）を記憶部４１から取得する（Ｓ４０３）。制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２４の（ｂ））をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ４０４）。制御部４０は、露光量の分布の作成のため、光量センサ６から露光開始から終了までの露光量を取得し(Ｓ４０５)、Ｓ４０２で取得したトレランス値内に振幅のピークが収まった箇所Ｑを区切りとし、露光量の分布(図２４の（ａ）)を作成する(Ｓ４０６)。制御部４０は、振動の振幅のふり幅が小さい分割期間Ｑ−Ｅで露光量の面積を算出し、露光期間全体の露光量に対する割合を求める。本事例で算出された割合の値は６０％であるとする。制御部４０は、算出された割合値（６０％）がＳ４０２で取得した規定の７０〜１００％を満たしているか判断する(Ｓ４０７)。

本事例では算出された割合の値が規定を満たしていない。そこで、制御部４０は、コンソール部４２に「精度に異常発生」を表示し（Ｓ４１２）、該当のショット、振動情報、精度判定を行った条件（露光量の分布による判定）を記憶部４１に記録する（Ｓ４１３）。続いて、制御部４０は、以降に露光される基板の同一座標のショットを、その露光精度を確保するため精度向上対策を行うショットと設定し、記憶部４１に保存する（Ｓ４１４）。精度向上対策を行うショットを設定したら、図１０のフローチャートの判定処理は終了する(Ｓ６１４)。図１０のフローチャートが終了したら、本事例で最初に露光するショットの露光処理は終了となる（Ｓ１０８）。

引き続き、図１０のＳ４１４で精度向上対策の対象と設定されたショットの露光処理について説明する。図５のフローチャートに従って、精度向上ショットの露光処理が開始される(Ｓ１０１)。制御部４０は、露光処理の対象ショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。露光処理の対象ショットは精度向上ショットであるため、制御部４０は、Ｓ１０３で精度向上対策の設定処理を示す図１７のフローチャートに処理を移す。

図１７のフローチャートでは、制御部４０は、精度向上対策の設定処理を開始し（Ｓ８０１）、ショットがどの精度判定条件により精度向上対策を行うと定められたのかを記憶部４１に問い合わせ、「露光量の分布による判定」との回答を取得する（Ｓ８０２）。次に、制御部４０は、露光の開始時期の変更が精度向上に有効である場合の前提条件である「露光量の分布による判定」を取得する(Ｓ８０３)。続いて、制御部４０は、Ｓ８０２で取得した精度判定の条件が、Ｓ８０３で取得した前提条件と一致するか否かを判断する（Ｓ８０４）。本事例では条件が一致するため、露光の開始時期の変更が実施されてメモリ領域５３に記憶され(Ｓ８０５)、図１７のフローチャートが終了する（Ｓ８０６）。

図１７のフローチャート終了後、図５のフローチャートに処理を移し、制御部４０は、図１７で設定した処理に従って、基板ステージ３０を駆動し(Ｓ１０５)、露光を開始する(Ｓ１０６)。図１７の対策を行ったショットの露光中の振動波形は、図２１になるとする。次に露光精度の判定処理（Ｓ１０７）に移るが、以降の処理は事例１と同じ処理になるため、説明を省略する。

図１５のフローチャートの処理内容は、図１０のフローチャートの処理内容と類似しており、算出方法等に大きな差異は無いため、図１５のフローチャートの説明は省略する。

［事例５］
事例５では、基板ステージ３０が駆動後、露光処理中、図２５のような振動状態であったとする。本事例で露光されるショットは露光装置に初めて露光されるものとする。また、露光精度の判定処理は図８のフローチャートに従って行う。図５のフローチャートに従って、露光処理の開始が行われる（Ｓ１０１）。制御部４０は、露光処理の対象ショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットであるか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。対象ショットはそれ以外のショットであるため、制御部４０は、基板ステージ３０の駆動を行い（Ｓ１０５）、露光を開始する（Ｓ１０６）。制御部４０は、Ｓ１０７で、露光精度への影響の判定処理を示す図８のフローチャートに処理を移す。

図８のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要なｆ１を記憶部４１から取得し(Ｓ２０２)、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２５の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ２０３）。制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｆ１に収まっているか判定を行う（Ｓ２０４）。本事例ではトレランス値ｆ１に収まっている。制御部４０は、ＴＰ短縮条件のトレランス値ｐ、調査時刻Ｐを記憶部４１から取得する（Ｓ２０５）。制御部４０は、基板ステージ３０の振動が調査時刻Ｐでトレランス値ｐに収まっているか判定を行う(Ｓ２０６)。本事例ではトレランス値ｐに収まっているため、制御部４０は、該当のショットと振動情報を記憶部４１に記録する（Ｓ２０７）。続いて、制御部４０は、ＴＰ向上対策を行うショットを設定する処理を行う（Ｓ２０８）。本事例ではＳ２０８の設定処理の対象ショットは次の基板の同一座標のショットとする。ＴＰ向上対策を行うショットを設定したら、制御部４０は、図８のフローチャートの判定処理を終了する(Ｓ２１２)。

引き続き、図８のＳ２０８の設定処理によりＴＰ向上対策を行う対象となったショットについての露光処理について説明する。図５のフローチャートに従って、精度向上ショットの露光処理が開始される(Ｓ１０１)。制御部４０は、対象ショットが、精度向上ショットか、ＴＰ向上ショットか、それ以外のショットであるかを記憶部４１に対し問い合わせを行う（Ｓ１０２）。本事例では、対象ショットはＴＰ向上ショットであるため、制御部４０は、Ｓ１０４で、ＴＰ向上対策の設定処理を示す図１８のフローチャートに処理を移す。図１８のフローチャートに基づいて、ＴＰ向上対策の設定処理が開始され（Ｓ１１０１）、制御部４０は、ＴＰ向上ショットの振動情報を取得する（Ｓ１１０２）。制御部４０は、振動情報からＴＰ向上が短縮できる可能な時間を算出する（Ｓ１１０３）。本事例の場合、基板ステージ３０の振動のピークがＴＰ短縮条件のトレランスｐ内に入り始めた時刻から逆位相のピークがトレランスｐ内に入る時刻までの時間ＵだけＴＰを短縮しうる（図２５参照）。ＴＰの短縮可能時間を求める方法は前記以外の方法でも適用可能である。制御部４０は、ＴＰ向上対策として、予め定められていた露光光ＩＬの照射開始時刻ＳをＳ１１０３で求めたＴＰ短縮可能時間Ｕだけ前倒しし、ＴＰ向上対策を記憶部４１に記録する（Ｓ１１０４）。ＴＰ向上対策の設定が完了したら、図１８のフローチャートが終了となり（Ｓ１００５）、図５のフローチャートに処理が戻る。

図５のフローチャートにより基板ステージ３０の駆動が行われ（Ｓ１０５）、露光光ＩＬの照射が開始される（Ｓ１０６）。この露光光ＩＬの開始時刻は、図１４のＳ１１０４で算出したＵだけ前倒しされる。Ｓ１０７で、露光精度への影響の判定処理を示す図８のフローチャートに処理が移る。

図８のフローチャートに従って、制御部４０は、精度判定に必要なｆ１を記憶部４１から取得し(Ｓ２０２)、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ２０３）。取得される振動情報は図２６であるとする。制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｆ１に収まっているか判定を行う（Ｓ２０４）。図２６の振動はトレランス値ｆ１に収まっているため、制御部４０は、ＴＰ短縮条件のトレランス値ｐ、調査時刻Ｐを記憶部４１から取得する（Ｓ２０５）。制御部４０は、基板ステージ３０の振動がトレランス値ｐに収まっているか判定を行う(Ｓ２０６)。図２６の振動では、時刻Ｐより前に、ＴＰ短縮条件のトレランスｐ内に入ったピークがあるものの、その逆位相のピークがトレランスｐ内に入ることを確認できないため、振動がトレランス値ｐに収まったとすることができない。そのため、制御部４０は、図８のフローチャートの判定処理を終了し(Ｓ２１２)、図５のフローチャートに処理を戻す。図５のフローチャートでは露光精度への影響を判定するＳ１０７の完了を受け、ＴＰ向上ショットに対する露光処理が終了となる（Ｓ１０８）。

図２６に、ＴＰ向上対策前の露光光ＩＬの照射開始時刻Ｓ１、終了時刻Ｅ１と、ＴＰ向上対策後の露光光ＩＬの照射開始時刻Ｓ、終了時刻Ｅを示した。露光光ＩＬの照射開始時刻Ｓ１、Ｓは、Ｓ＝Ｓ１−Ｕの関係を示し、露光光ＩＬの照射終了時刻Ｅ１、Ｅは、Ｅ＝Ｅ１−Ｕの関係を示す。すなわち、露光終了時刻ＥがＴＰ短縮可能時間Ｕだけ前倒しされ、ＴＰが短縮されたことが分かる。

〔デバイスの製造〕
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造方法を例に説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。なお、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Claims (9)

1. 基板をショット領域毎に露光する露光装置であって、
   基板を保持して移動可能なステージと、
   前記ステージの振動を計測する計測器と、
   第１の基板のショット領域の露光期間における前記計測器により計測された前記ステージの振動が許容範囲の外にある場合には、前記第１の基板の後に露光される第２の基板で前記第１の基板の前記ショット領域と同一位置のショット領域を露光するときの制御パラメータを露光精度が向上するように変更する制御部と、
   を備えることを特徴とする露光装置。
2. 前記ステージの振動が前記許容範囲の外にあるか否かを判定するための指標は、前記露光期間における前記ステージの振動の振幅の最大値、前記露光期間における前記ステージの振動の振幅のピークの平均値、又は、前記露光期間のうちで前記ステージの振動の振幅が所定の値以下である期間における累積露光量の前記露光期間における累積露光量に対する割合を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記ステージの振動が前記許容範囲の外にあるか否かを判定するための指標は、前記露光期間を複数に分割した分割期間のそれぞれにおける前記ステージの振動の振幅の最大値を含み、前記制御部は、前記複数の分割期間における最大値の少なくとも１つが前記分割期間毎に設定された許容範囲の外にある場合には前記制御パラメータを変更することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
4. 前記ステージの振動が前記許容範囲の外にあるか否かを判定するための指標は、前記露光期間を複数に分割した分割期間のそれぞれにおける前記ステージの振動の振幅のピークの平均値を含み、前記制御部は、前記複数の分割期間における平均値の少なくとも１つが前記分割期間毎に設定された許容範囲の外にある場合には前記制御パラメータを変更することを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の露光装置。
5. 前記ステージの振動が前記許容範囲の外にあるか否かを判定するための指標は、前記露光期間を複数に分割した分割期間のそれぞれのうちで前記ステージの振動の振幅が所定の値以下である期間における累積露光量の各分割期間における累積露光量に対する割合を含み、前記制御部は、前記複数の分割期間における割合の少なくとも１つが前記分割期間毎に設定された許容範囲の外にある場合には前記制御パラメータを変更することを特徴とする請求項１、請求項３及び請求項４のいずれか1項に記載の露光装置。
6. 前記制御パラメータは、露光の開始時刻、前記露光期間における前記ステージの位置、姿勢、速度及び加速度の少なくともいずれかを含むことを含む請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
7. 前記第１の基板のショット領域の露光期間における前記ステージの振動が前記許容範囲の内に収まっており、かつ、前記ショット領域の露光の開始から所定の時間が経過した時点での前記ステージの振動の振幅が所定の値より小さい場合には、前記制御部は、前記第２の基板で前記第１の基板の前記ショット領域と同一位置のショット領域に対する露光の開始を早めることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の露光装置。
8. 前記第１の基板のショット領域の露光期間における前記ステージの振動が前記許容範囲の内に収まっている場合には、前記制御部は、前記第２の基板で前記第１の基板の前記ショット領域と同一位置のショット領域を露光するときの前記制御パラメータを変更しないことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の露光装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて複数の基板をショット領域毎に露光する工程と、
   前記工程で露光された複数の基板を現像する工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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