JPH09219361A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH09219361A
JPH09219361A JP8048115A JP4811596A JPH09219361A JP H09219361 A JPH09219361 A JP H09219361A JP 8048115 A JP8048115 A JP 8048115A JP 4811596 A JP4811596 A JP 4811596A JP H09219361 A JPH09219361 A JP H09219361A
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JP
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stage
vibration
substrate
mask
measuring means
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Application number
JP8048115A
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Tsuneo Miyai
恒夫 宮井
Nobutaka Umagome
伸貴 馬込
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを低下させることなく、且つ基
板ステージの振動を十分に抑制する。 【解決手段】 例えば基板ステージ20Xが露光位置に
位置決めされる際に、その位置決めが整定するまでの間
のステージ20Xの2次元方向の振動が干渉計30によ
って計測され、制御手段(図1では図示せず)により干
渉計30の計測値とマスクステージ22B及びステージ
20X相互間の所定の伝達関数とに基づいてステージ2
0Xの振動を打ち消すように振動励起手段32が制御さ
れる。これにより励起手段32によってステージ20X
の振動を打ち消すようなステージ22Bの2次元方向の
振動が励起され、この振動が架台16を介してステージ
20Xに伝達され、ステージ20Xの2次元方向の振動
が直ちに除去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に係り、更
に詳しくは、半導体素子等の製造のためのフォトリソグ
ラフィ工程で使用される、マスクのパターンを感光基板
上に転写する露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等の製造のためのフォ
トリソグラフィ工程では、表面にフォトレジストが塗布
されたウエハ等の基板(感光基板)を投影光学系の露光
フィールド内に順次位置決めし、マスク又はレチクル
(以下、レチクルの総称する)に形成されたパターンを
投影光学系を介して順次感光基板上に転写する、逐次移
動型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパー)が主と
して用いられている。この縮小投影露光装置では、ウエ
ハの重ね合わせ用アライメントマーク測定時のウエハス
テージの振動対策として、ウエハステージにダンパーを
取り付けて振動を制御したり、ある閾値以下に振動が減
衰するまで待ってアライメントマークの測定を開始した
りしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術のダンパーを取り付けて振動を制御する手
法、すなわちダンパーにより振動を減衰させるというよ
うな消極的な振動制御方法では、益々微細化、高精度化
が進んでいく半導体製造工程の中で、もはや十分な程度
にまで振動を抑制することが困難となってきた。すなわ
ち、アライメントマーク測定時におけるウエハステージ
からの振動の影響が測定結果の誤差成分の中に占める割
合が無視できなくなってきた。特に、スループットの向
上に伴い、ウエハステージのステッピングの際の加減速
が急激となり、この急激な加減速が位置決め位置でのウ
エハステージの振動を惹起し、結果的にアライメント精
度を低下させるおそれが生じて来た。
【0004】また、上記のような事情の下では、ある閾
値以下に振動が減衰するまで待って測定を開始するとい
う手法では、その閾値をますます低く設定する必要があ
るため、待ち時間が長くなり、これが却ってスループッ
トを低下させる要因になるという不都合があった。
【0005】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、その目的は、スループットを
低下させることなく、且つ基板ステージの振動を十分に
抑制することができる露光装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、感光基板を露光位置に順次位置決めしつつ、マスク
に形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上
に順次転写する露光装置であって、前記感光基板を載置
して2次元方向に移動可能な基板ステージと;前記マス
クを保持して前記2次元方向に微小移動可能なマスクス
テージと;前記基板ステージ及びマスクステージが上下
方向に所定間隔を隔てて搭載された架台と;前記基板ス
テージの前記2次元方向の振動を計測する第1の振動計
測手段と;前記マスクステージの前記2次元方向の振動
を励起する振動励起手段と;前記第1の振動計測手段の
計測値と前記マスクステージ及び前記基板ステージ相互
間の所定の伝達関数とに基づいて前記基板ステージの振
動を打ち消すように前記振動励起手段を制御する制御手
段とを有する。
【0007】これによれば、例えば基板ステージが露光
位置に位置決めされる際に、その位置決めが整定するま
での間の基板ステージの2次元方向の振動が第1の振動
計測手段によって計測され、制御手段により第1の振動
計測手段の計測値とマスクステージ及び基板ステージ相
互間の所定の伝達関数とに基づいて基板ステージの振動
を打ち消すように振動励起手段が制御される。これによ
り励起手段によって基板ステージの振動を打ち消すよう
なマスクステージの2次元方向の振動が励起され、この
振動が架台を介して基板ステージに伝達され、基板ステ
ージの2次元方向の振動が直ちに除去される。このた
め、基板ステージの位置決め整定時間が短縮される。
【0008】ここで、基板ステージに振動が生じた場合
には、上記の位置決め位置での整定時に限らず、いつで
もこれを相殺するようなマスクステージの振動を励起す
るように制御手段によって振動励起手段が制御される。
【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の露光装置において、前記マスクステージの振動を計測
する第2の振動計測手段と、前記第1の振動計測手段の
計測結果と前記第2の振動計測手段の計測結果とを用い
て前記伝達関数を演算する演算手段を更に有する。
【0010】これによれば、演算手段によりマスクステ
ージ及び基板ステージ相互間の所定の伝達関数の演算
が、第1の振動計測手段の計測結果と第2の振動計測手
段の計測結果とを用いて行なわれるので、別の計測装
置、演算装置等を用いて伝達関数を求める必要がなくな
ると共に、演算手段により非常に高速な演算処理が可能
な場合には、基板ステージ、マスクステージの振動をそ
れぞれ第1、第2の振動計測手段で計測しつつ、その場
で伝達関数を演算することも可能になる。
【0011】上記請求項1又は2に記載の露光装置にお
いて、第1及び第2の振動計測手段の一方又は両方を、
請求項3に記載の発明のように、各ステージの位置を計
測するレーザ干渉計により構成しても良く、あるいは、
請求項4に記載の発明のように加速度センサにより構成
しても良い。振動計測手段をレーザ干渉計により構成す
る場合には、例えば各ステージの位置、従ってこれを2
階微分した加速度を高精度に検出することができる。ま
た、振動計測手段を加速度センサにより構成する場合に
は、取り扱いが容易で、取り付け場所に殆ど制約を受け
ないという利点がある。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図2に
基づいて説明する。
【0013】図1には、一実施例に係る露光装置10の
概略構成が示されている。この露光装置10は、感光基
板としてのウエハWを露光位置に順次位置決めしつつ、
マスクとしてのレチクルRに形成されたパターンを投影
光学系PLを介してウエハW上に順次転写する、ステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置(いわゆるステッ
パー)である。
【0014】この露光装置10は、床面に置かれた防振
台12と、この防振台12上に水平に載置された定盤1
4と、この定盤14上に載置された第1架台16及び第
2架台18と、第1架台16上に搭載されたウエハステ
ージ20及びレチクルステージ22と、第2架台18に
保持された投影光学系PL及び照明光学系24と、TT
L(スルーザレンズ)方式のアライメントセンサ26と
を備えている。
【0015】ウエハステージ20は、第1架台16の底
板部から構成されるベース16a上に搭載され、レチク
ルステージ22は、第1架台16の天板部16b上に搭
載されている。ウエハステージ20は、ベース16a上
を図1における紙面直交方向(Y軸方向)に往復移動可
能なYステージ20Yと、このYステージ20Y上を図
1における紙面方向(X軸方向)に往復移動可能なXス
テージ20Xとを有している。これらYステージ20
Y、Xステージ20Xは、駆動系40(図1では図示せ
ず、図2参照)により駆動されるようになっている。
【0016】従って、Xステージ20Xはベース16a
上でX軸方向、Y軸方向に2次元移動できるようになっ
ており、このXステージ20X上に不図示のウエハホル
ダを介して感光基板としてのウエハWが載置されてい
る。すなわち、Xステージ20XによりウエハWを載置
して2次元移動可能な基板ステージが構成されている。
また、このXステージ20Xの2次元方向の位置座標
は、レーザ干渉計30X、30Y(但し、図1ではこれ
らを代表的にレーザ干渉計30として図示)によって常
時計測されるようになっている。
【0017】レチクルステージ22は、天板16b上を
Y軸方向に微小移動可能な第1ステージ22Aと、この
第1ステージ22A上をX軸方向に微小移動可能な第2
ステージ22Bとを有している。これらの第1ステージ
22A、第2ステージ22Bは、それぞれの方向の駆動
機構32X、32Y(但し、図1ではこれらを代表的に
駆動機構32として図示)によって、Y軸方向、X軸方
向にそれぞれ微小駆動される。ここで、この駆動機構3
2を構成するアクチュエータとしては、ピエゾ素子等の
高精度で、周波数特性の高いアクチュエータが用いられ
ている。
【0018】従って、ウエハステージ20側と同様第2
ステージ22Bは天板部16b上でX軸方向、Y軸方向
に2次元方向に微小移動できるようになっており、この
第2ステージ22B上にマスクとしてのレチクルRが保
持されている。すなわち、第2ステージ22Bによって
レチクルRを保持して2次元移動可能なマスクステージ
が構成されている。また、この第2ステージ22Bの2
次元方向の位置座標は、レーザ干渉計34X、34Y
(但し、図1ではこれらを代表的にレーザ干渉計34と
して図示)によって常時計測されるようになっている。
【0019】前記投影光学系PLは、その光軸方向をX
Y平面に直交する鉛直軸(Z軸)方向として第2架台1
8に保持されており、この投影光学系PLとしては、両
側テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば1/5)
のものが使用されている。また、前記ウエハステージ2
0上のウエハWの表面とレチクルステージ22に保持さ
れたレチクルRのパターン面とが、この投影光学系PL
に関して共役になるように設定されている。従って、レ
チクルRとウエハWのアライメントが行なわれた状態
で、照明光学系24からの照明光によってレチクルRが
照明されると、レチクルRのパターンが投影光学系PL
を介して所定の縮小倍率で投影され、ウエハW上の所定
領域にパターンの縮小像が結像するようになっている。
【0020】図2には、この露光装置10のレチクルR
とウエハWのアライメントに関連する制御系の構成が概
略的に示されている。この制御系は、CPU、ROM、
RAM等を含んで構成されるマイクロコンピュータ(又
はミニコンピュータ)から成る主制御装置50を中心に
構成されている。この主制御装置50の入力側には、4
つのレーザ干渉計30X,30Y,34X,34Yとア
ライメントセンサ26とが接続され、この制御装置50
の出力側には、ウエハステージ20の駆動系40と、レ
チクルステージ22の駆動機構32X、32Yとが接続
されている。
【0021】ここで、主制御装置50内の不図示のメモ
リには、レチクルステージ22(第2ステージ22B)
からウエハステージ20(Xステージ20X)への振動
の伝達関数G(s)(より正確には、X軸方向の伝達関
数GX (s)とY軸方向の伝達GY (s))が予め格納
されている。
【0022】この伝達関数G(s)は、次のようにして
求められる。すなわち、主制御装置50では駆動系40
を介してXステージ20X、Yステージ20Yを駆動し
て、Xステージ20Xを任意の位置へ2次元移動させ
る。このXステージ20Xの移動が完了すると(この時
点では、未だ位置決め位置での整定は完了しておらず、
Xステージ20Xは2次元方向に振動している)、主制
御装置50では干渉計30X、30Yの出力と干渉計3
4X、34Yとの出力(の時間変動)をXステージ20
Xの振動が停止するまでの間取り込む。
【0023】そして、主制御装置50では、干渉計30
の出力より得られるウエハステージ20(Xステージ2
0X)の振動w(t)と、そのときの干渉計34の出力
より得られるレチクルステージ22(第2ステージ22
B)の振動r(t)と、第1架台16の材質、形状等の
データをもとに、有限要素法等の方法で構造解析を行な
い、その結果より、次のようなレチクルステージ22か
らウエハステージ20への振動の伝達関数G(s)を求
める。
【0024】
【数1】 G(s)=W(s)/R(s) ………(1) ここで、W(s)は振動w(t)のラプラス変換であ
り、R(s)は振動r(t)のラプラス変換であり、s
は複素周波数である上記のような伝達関数の演算をX軸
方向、Y軸方向のそれぞれの方向について別々に行なっ
て得られた伝達関数GX (s)及び伝達関数GY (s)
が、メモリ内に格納されている。なお、これらの伝達関
数は、実験的にインパルス応答より求めても良い。
【0025】次に、上述のようにして構成された露光装
置10のレチクルRとウエハWのアライメント時の動作
について説明する。
【0026】前提として、ウエハW上には、前回までの
露光により既に複数のショット領域が形成されており、
また、各ショット領域の設計上の位置データは不図示の
メモリ内に格納されているものとする。
【0027】まず、主制御装置50では、干渉計30
X、30Yの出力をモニタしつつ設計上の位置データに
基づいてウエハW上の所定のショット領域が露光位置
(投影光学系PLのイメージフィールド内)に位置決め
されるように、駆動系40を制御してXステージ20
X、Yステージ20Yを駆動する。Xステージ20X、
Yステージ20Yの移動が完了すると、主制御装置50
では干渉計30X、30Yの出力を取り込みながら、こ
の出力より得られるウエハステージ20の振動f(t)
を相殺するための、レチクルステージ22の振動i
(t)を後述するようにして演算し、この演算結果に基
づいて、レチクルステージ22に振動i(t)が励起さ
れるように、レーザ干渉計34X、34Yの出力をモニ
タしつつ駆動機構32X、32Yをフィードバック制御
する。これにより、レチクルステージ22を構成する第
1ステージ22A、第2ステージ22Bの振動が励起さ
れ、この振動が第1架台16を介してウエハステージ2
0に伝達され、これによりXステージ20Xの2次元方
向の振動が直ちに除去(相殺)される。
【0028】ここで、上記のウエハステージ20の振動
f(t)を相殺するための、レチクルステージ22の振
動i(t)の演算方法について詳述する。ここでは、レ
チクルステージ22の振動によりウエハステージ20の
振動を相殺するのであるから、レチクルステージ22の
振動i(t)を入力信号、そのラプラス変換をI(s)
とすると、このレチクルステージ22の振動i(t)は
第1架台16を介してウエハステージ20には、次式
(2)のように伝達される。
【0029】
【数2】 O(s)=G(s)・I(s) ………(2) ここで、G(s)は、先に述べた伝達関数であり、O
(s)は出力である振動のラプラス変換である。以下、
O(s)を単に出力という。
【0030】この出力O(s)がウエハステージ20の
振動F(s)(F(s)はf(t)のラプラス変換であ
る)を相殺すればよいので、次のような関係が成立すれ
ばよい。
【0031】
【数3】 F(s)=−O(s) ………(3) 式(2)を変形すると、
【数4】 I(s)=O(s)/G(s) ………(2)’ 式(2)’に式(3)を代入すると、
【数5】 I(s)=−F(s)/G(s) ………(4)
【0032】従って、主制御装置50では、式(4)の
演算を行なって、レチクルステージ22に振動i(t)
(i(t)はI(s)の逆ラプラス変換)が励起される
ようにレーザ干渉計34X、34Yの出力をモニタしつ
つ駆動機構32X、32Yをフィードバック制御するの
である。なお、式(4)の演算は、実際には、X軸方
向、Y軸方向のそれぞれについて行なわれる。
【0033】上述のようにして、レチクルステージ22
の振動によりウエハステージ20(より正確には、Xス
テージ20X)の2次元方向の振動を除去した状態でア
ライメントセンサ26によりウエハW上の当該所定のシ
ョット領域に付設されたアライメントマークを検出し、
この検出結果に基づいて駆動系40を介して不図示のθ
ステージ、Xステージ20X、Yステージ20Yを微小
駆動してレチクルRとウエハWのアライメント(位置合
わせ)を行なう。
【0034】この露光装置10では、ウエハW上のショ
ット領域が順次露光位置に位置決めされるようにXステ
ージ20Xのステップ移動を繰り返し、各ショット領域
の位置決め位置毎に上述したアライメント及びそのアラ
イメント後の照明光学系24からの露光光(照明光)に
よるレチクルパターンの各ショット領域への露光を繰り
返し、このようにしてステップ・アンド・リピート方式
の露光を実行する。
【0035】これまでの説明から明らかなように、本実
施例では、レーザ干渉計30X、30Yによって第1の
振動計測手段が構成され、レーザ干渉計34X、34Y
によって第2の振動計測手段が構成されている。また、
駆動機構32X、32Yによって振動励起手段が構成さ
れ、主制御装置50によって制御手段及び演算手段が構
成されている。
【0036】以上説明したように、本実施例では、ステ
ップ・アンド・リピート方式の露光中の基板ステージと
してのXステージ20Xのステップ移動の際に位置決め
位置で生じる当該Xステージ20Xの2次元方向の振動
(及びXステージ20X、Yステージ20Yの移動に起
因するボディの振動の影響も含む)をレチクルステージ
22の2次元方向の振動(より正確には、第1ステージ
22AのY軸方向の振動及び第2ステージ22BのX軸
方向の振動)により速やかに除去することができるの
で、スループットの低下を防止しつつアライメント精度
悪化の要因の一つを取り除くことができ、アライメント
精度の向上、ひいては重ね合わせ露光精度の向上を図る
ことができる。
【0037】なお、上記実施例中の説明では、基板ステ
ージのステッピングの際の位置決め位置での振動を抑制
する場合について説明したが、基板ステージに振動が生
じた場合には、上記の位置決め位置での整定時に限ら
ず、いつでもこれを相殺するようなマスクステージの振
動を励起するように主制御装置50によって駆動機構3
2X、32Yが制御され、基板ステージの振動が除去さ
れる。
【0038】また、上記実施例では、レチクルステージ
22からウエハステージ20への振動の伝達関数G
(s)を予め求めてメモリに記憶しておき、ショット領
域のアライメントの際には、干渉計30の出力から得ら
れるウエハステージ20の振動のみを計測し、この計測
値と伝達関数G(s)とに基づいて、ウエハステージ2
0の振動を除去するためのレチクルステージ22の振動
量を演算しつつ、レチクルステージ22に振動を励起す
る場合について例示したが、例えば、主制御装置50が
非常に高速な演算処理能力を有するコンピュータにより
構成される場合には、前述した有限要素法等による構造
計算に基づく伝達関数の演算をも、ショット領域のアラ
イメントの際に行なうことは、理論上は可能である。し
かしながら、いくら高速な演算処理能力を有するコンピ
ュータと言えども、演算時間の分の遅れがでるので、上
記実施例で例示したように予め伝達関数を求めておく方
が現実的には好ましい。
【0039】なお、式(4)から明らかなように、伝達
関数としては、レチクルステージ22からウエハステー
ジ20への振動の伝達関数G(s)でなく、ウエハステ
ージ20からレチクルステージ22への振動の伝達関数
=1/G(s)を求めても良いことは勿論である。
【0040】また、上記実施例では、TTLアライメン
トセンサを用いてウエハW上の各ショット領域のアライ
メント(ファインアライメント)を行なう露光装置に本
発明が適用された場合を例示したが、本発明の適用範囲
がこれに限定されるものではない。すなわち、ウエハ上
の任意の複数ショットのアライメントマークを例えばオ
フアクシスアライメントセンサ等により検出し、このア
ライメントマークの位置と、設計上のアライメントマー
クの位置座標データ、ショット領域の配列の設計データ
等を用いていわゆる最小二乗法を用いた統計的手法によ
りウエハ上の全てのショット領域の配列座標を決定する
いわゆるエンハンスト・グローバル・アライメント(E
GA)計測を行なう露光装置にも本発明は、好適に適用
できるものである。このような露光装置の場合にも、E
GA計測の際に、各EGAショットのアライメントマー
クの計測の際に、ウエハステージの振動が除去されれ
ば、スループットの低下を防止しつつ、アライメント精
度悪化の要因の一つを取り除くことができ、アライメン
ト精度の向上が期待できる。
【0041】さらに、上記実施例では、ウエハステー
ジ、レチクルステージの振動を計測する第1、第2の振
動計測手段がレーザ干渉計により構成される場合を例示
したが、これに代えて加速度センサによりこれらの振動
計測手段を構成しても良く、あるいは、一方の計測手段
をレーザ干渉計により構成し、他方を加速度センサによ
り構成しても良い。このように振動計測手段として、加
速度センサを用いる場合には、複数の地点に加速度セン
サを設置して、より細かいステージの振舞いを観測する
ようにしても良い。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スループットを低下させることなく、且つ基板ステージ
の振動を十分に抑制することができるという従来にない
優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例に係る露光装置の構成を概略的に示す
図である。
【図2】図1の装置のレチクルとウエハのアライメント
に関連する制御系の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
10 露光装置 16 第1架台(架台) 20X Xステージ(基板ステージ) 22B 第2ステージ(マスクステージ) 30X レーザ干渉計(第1の振動計測手段) 30Y レーザ干渉計(第1の振動計測手段) 32X 駆動機構(振動励起手段) 32Y 駆動機構(振動励起手段) 34X レーザ干渉計(第2の振動計測手段) 34Y レーザ干渉計(第2の振動計測手段) 50 主制御装置(制御手段、演算手段) W ウエハ(感光基板) R レチクル(マスク) PL 投影光学系

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光基板を露光位置に順次位置決めしつ
    つ、マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して
    感光基板上に順次転写する露光装置であって、 前記感光基板を載置して2次元方向に移動可能な基板ス
    テージと;前記マスクを保持して前記2次元方向に微小
    移動可能なマスクステージと;前記基板ステージ及びマ
    スクステージが上下方向に所定間隔を隔てて搭載された
    架台と;前記基板ステージの前記2次元方向の振動を計
    測する第1の振動計測手段と;前記マスクステージの前
    記2次元方向の振動を励起する振動励起手段と;前記第
    1の振動計測手段の計測値と前記マスクステージ及び前
    記基板ステージ相互間の所定の伝達関数とに基づいて前
    記基板ステージの振動を打ち消すように前記振動励起手
    段を制御する制御手段とを有する露光装置。
  2. 【請求項2】 前記マスクステージの振動を計測する第
    2の振動計測手段と、前記第1の振動計測手段の計測結
    果と前記第2の振動計測手段の計測結果とを用いて前記
    伝達関数を演算する演算手段を更に有する請求項1に記
    載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記第1及び第2の振動計測手段の内の
    少なくとも一方が、前記各ステージの位置を計測するレ
    ーザ干渉計であることを特徴とする請求項1又は2に記
    載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1及び第2の振動計測手段の内の
    少なくとも一方が、加速度センサであることを特徴とす
    る請求項1又は2に記載の露光装置。
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