JPS6022319A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPS6022319A JPS6022319A JP58129391A JP12939183A JPS6022319A JP S6022319 A JPS6022319 A JP S6022319A JP 58129391 A JP58129391 A JP 58129391A JP 12939183 A JP12939183 A JP 12939183A JP S6022319 A JPS6022319 A JP S6022319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- air
- reticle
- servo valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体露光装置、特に投影露光方式の半導体
露光装置に関する。
露光装置に関する。
近年、 ＬＳＩ素子、超ＬＳＩ素子等の回路パターンの
微細化、高集積化が進むに伴い、フォトマスク又はレチ
クルに形式された回路パターンを、投影光学系を用いて
ウェハに投影露光して焼付けを行なう、所謂投影型の露
光装置が提案されている。
微細化、高集積化が進むに伴い、フォトマスク又はレチ
クルに形式された回路パターンを、投影光学系を用いて
ウェハに投影露光して焼付けを行なう、所謂投影型の露
光装置が提案されている。
この方式の露光装置としては、ｌ−数個のマスクパター
ンを有するレチクルを、レンズによりある縮小率でウェ
ハ上に投影し、それをステップ・アンド・リピート（繰
り返し露光）して、全ウェハ上にパターンを配列して焼
付ける縮小投影方式のものや、またフォトマスク保持具
によって保持されたフォトマスクの一部の像を、固定ミ
ラー結像光学系によってウェハ保持具により保持された
ウェハ上に投影露光し、露光中にミラー結像光学系に対
し、前記フォトマスク保持具及びウェハ保持具を一体的
に移動させ、フォトマスク全体をウェハ全面に焼付ける
反射投影方式のものがあるが、この種の露光装置に具備
すべき重要な性能の１つとして、フォトマスク又はレチ
クルの像をウニ八面上に忠実に投影する際に必要な分解
能がある。分解能とは、フォトマスク又はレチクルのパ
ターンをウニ八面上に投影する際、どれだけ噸細なパタ
ーンか投影可能であるかという装置の解像能力である。
ンを有するレチクルを、レンズによりある縮小率でウェ
ハ上に投影し、それをステップ・アンド・リピート（繰
り返し露光）して、全ウェハ上にパターンを配列して焼
付ける縮小投影方式のものや、またフォトマスク保持具
によって保持されたフォトマスクの一部の像を、固定ミ
ラー結像光学系によってウェハ保持具により保持された
ウェハ上に投影露光し、露光中にミラー結像光学系に対
し、前記フォトマスク保持具及びウェハ保持具を一体的
に移動させ、フォトマスク全体をウェハ全面に焼付ける
反射投影方式のものがあるが、この種の露光装置に具備
すべき重要な性能の１つとして、フォトマスク又はレチ
クルの像をウニ八面上に忠実に投影する際に必要な分解
能がある。分解能とは、フォトマスク又はレチクルのパ
ターンをウニ八面上に投影する際、どれだけ噸細なパタ
ーンか投影可能であるかという装置の解像能力である。
投影露光装置の分解性能を決定する大きな要因としては
、先ず有効Ｆナンバ（Ｆｅ）や開口数（ＮＡ）などの投
影光学系の基本性能があり、またレンズ又はミラー等の
光学部品の加工精度や組立精度があるが、更にフォトマ
スク又はレチクルとウェハ間の光学系を含めた焦点距離
の安定化がある。一般に投影光学系の焦点深度は数−程
度であるので、結電な焦点合わせ（ｆａｃｕｓｉｎｇ）
が要求されている。また投影光学系の性能の他に、ウェ
ハには厚さのバラつきあるいは表面平担度の乱れがある
のでウニ八全面の焦点合わせが重要である。
、先ず有効Ｆナンバ（Ｆｅ）や開口数（ＮＡ）などの投
影光学系の基本性能があり、またレンズ又はミラー等の
光学部品の加工精度や組立精度があるが、更にフォトマ
スク又はレチクルとウェハ間の光学系を含めた焦点距離
の安定化がある。一般に投影光学系の焦点深度は数−程
度であるので、結電な焦点合わせ（ｆａｃｕｓｉｎｇ）
が要求されている。また投影光学系の性能の他に、ウェ
ハには厚さのバラつきあるいは表面平担度の乱れがある
のでウニ八全面の焦点合わせが重要である。
従来この種の装置の焦点合わせは、背面矯正能力のある
超平面プレート（ウェハチャック）により平面矯正され
たウェハの上面を、フォトマスクとの距離が一定な参照
面（ウェハディスク）にある３筒所のツメに、突き当て
ることによって行なっていた。その為、ウェハ面上に塗
布されている粘着性のあるレジストが、参照面（ウェハ
ディスク）に耐着され、数多くのウェハを処理した場合
、レジスト耐着により焦点ボケ（Ｄｅｆｏｃｕｓ）の大
きな原因となっていた。又ウェハに突き当っている参照
面の３筒所のツメ部分は、フォトマスク像が投影されず
半導体素子の収益率が減少する大きな要因でもあった。
超平面プレート（ウェハチャック）により平面矯正され
たウェハの上面を、フォトマスクとの距離が一定な参照
面（ウェハディスク）にある３筒所のツメに、突き当て
ることによって行なっていた。その為、ウェハ面上に塗
布されている粘着性のあるレジストが、参照面（ウェハ
ディスク）に耐着され、数多くのウェハを処理した場合
、レジスト耐着により焦点ボケ（Ｄｅｆｏｃｕｓ）の大
きな原因となっていた。又ウェハに突き当っている参照
面の３筒所のツメ部分は、フォトマスク像が投影されず
半導体素子の収益率が減少する大きな要因でもあった。
また、ウェハを参照面に接触させないで焦点合わせを行
う方法としては、変位ゲージにより、基準面からウェハ
までの距離を測定し、この測定値と設定値との差分だけ
ウェハを基準面から移動する（特開昭５７−１０００号
公報）ものがあるが、しかしながらこの方式では、ウェ
ハを移動する機構をウェハチャック内に配置しなければ
ならず、ウェハチャックの構造が複雑になるという欠点
がある。更にスルーブツト（処理量）を向上するために
、ターンテーブル等の移動機構上に複数個のウェハチャ
ックを配置し、１つのウェハの露光焼付けを行なってい
る間に、他のウェハの搬出入、位置合わせ等を行う方式
の露光装置の場合には、該複数のウェハチャックにそれ
ぞれ上記の焦点合わせ機構を組み込まなければならず、
コスト上昇の要因となってしまう。
う方法としては、変位ゲージにより、基準面からウェハ
までの距離を測定し、この測定値と設定値との差分だけ
ウェハを基準面から移動する（特開昭５７−１０００号
公報）ものがあるが、しかしながらこの方式では、ウェ
ハを移動する機構をウェハチャック内に配置しなければ
ならず、ウェハチャックの構造が複雑になるという欠点
がある。更にスルーブツト（処理量）を向上するために
、ターンテーブル等の移動機構上に複数個のウェハチャ
ックを配置し、１つのウェハの露光焼付けを行なってい
る間に、他のウェハの搬出入、位置合わせ等を行う方式
の露光装置の場合には、該複数のウェハチャックにそれ
ぞれ上記の焦点合わせ機構を組み込まなければならず、
コスト上昇の要因となってしまう。
本発明の目的は、上記従来例の欠点の除去にある。
以−１、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例の構成図である。
フォトマスクｌは、フォトマスクチャック２上に真空な
どにより保持され、マスクチャック２は少なくとも３個
のベロース様の空気圧作動器５上に保持されている。空
気圧作動器５は、それぞれ流量制御タイプのサーボ弁６
に接続されており。
どにより保持され、マスクチャック２は少なくとも３個
のベロース様の空気圧作動器５上に保持されている。空
気圧作動器５は、それぞれ流量制御タイプのサーボ弁６
に接続されており。
サーボ弁６は、不図示の空気圧源に接続されて、その空
気圧は後述するサーボ弁の駆動装置１７により制御され
る。空気圧作動器５は、サーボ弁６を介した空気圧によ
り、その上部が高精度（１μのオーダ）で上下する。空
気圧作動器５は、マスクステージ４上に固定されており
、またステージ４上には、１スクｌの下面に形成された
不図示の回路パターンと、ステージ４の下面の参照面４
ａとの距離を測定するためのエアマイクロメータのノズ
ル３が、少なくとも３個配置されている。エアマイクロ
メータ３と空気圧作動器５は、マスクステージ４上で半
径方向の同一線上に配置される。
気圧は後述するサーボ弁の駆動装置１７により制御され
る。空気圧作動器５は、サーボ弁６を介した空気圧によ
り、その上部が高精度（１μのオーダ）で上下する。空
気圧作動器５は、マスクステージ４上に固定されており
、またステージ４上には、１スクｌの下面に形成された
不図示の回路パターンと、ステージ４の下面の参照面４
ａとの距離を測定するためのエアマイクロメータのノズ
ル３が、少なくとも３個配置されている。エアマイクロ
メータ３と空気圧作動器５は、マスクステージ４上で半
径方向の同一線上に配置される。
尚エアマイクロメータ３は、空気等のカスを噴出し、そ
の反射するガスの圧力を検知して離隔距離を高精度で検
出する。
の反射するガスの圧力を検知して離隔距離を高精度で検
出する。
マスクステージ４とウェハステージ７は、インバーなと
で作られた低膨張の連結棒８により連結されており、マ
スクステージ４の参照面４ａとウェハステージ７の下面
の参照面７ｄとは平行に維持されている。
で作られた低膨張の連結棒８により連結されており、マ
スクステージ４の参照面４ａとウェハステージ７の下面
の参照面７ｄとは平行に維持されている。
ウェハステージ７の参照面７ａ下には、少なくとも３個
のエアマイクロメータのノズル１２が配設され、このエ
アマイクロメータのノズル１２は、同しく参照面７ａ下
に固定されたシリンダ１３により軸受１４を介して半径
方向に移動１丁能である。参照面７ａにはまた、少なく
とも３個の吸着ゴム１１が固定されている。尚、１５は
、縮小投影光学系又はミラー投影光学系の結像光学系で
あり、図では略示してある。エアマイクロメータのノズ
ル１２は、エアマイクロメータのノズル３及び空気圧作
動器５と半径方向に対応して設けられるが、結像光学系
１５がミラー光学系であって、マスクｌのパターンがウ
ェハ９上に光軸に対して左右反転して投影される場合に
は、エアマイクロメータのノズル１２は、それぞれ対応
するエアマイクロメータのノズル３及び空気圧作動器５
とは光軸と反対側に設けられる。尚エアマイクロメータ
のノズル３，１２及び空気圧作動器５は、数が多ければ
装置の焦点合わせ精度が向上することは勿論である。
のエアマイクロメータのノズル１２が配設され、このエ
アマイクロメータのノズル１２は、同しく参照面７ａ下
に固定されたシリンダ１３により軸受１４を介して半径
方向に移動１丁能である。参照面７ａにはまた、少なく
とも３個の吸着ゴム１１が固定されている。尚、１５は
、縮小投影光学系又はミラー投影光学系の結像光学系で
あり、図では略示してある。エアマイクロメータのノズ
ル１２は、エアマイクロメータのノズル３及び空気圧作
動器５と半径方向に対応して設けられるが、結像光学系
１５がミラー光学系であって、マスクｌのパターンがウ
ェハ９上に光軸に対して左右反転して投影される場合に
は、エアマイクロメータのノズル１２は、それぞれ対応
するエアマイクロメータのノズル３及び空気圧作動器５
とは光軸と反対側に設けられる。尚エアマイクロメータ
のノズル３，１２及び空気圧作動器５は、数が多ければ
装置の焦点合わせ精度が向上することは勿論である。
ウェハステージ７の下方には、ウェハチャックＩＯ上に
真空などで背面矯正されて保持されたウェハ９が、ター
ンテーブル等の移動機構（不図示）などによりマスクｌ
のパターンと位置合、わせされて配置される。このウェ
ハ移動機構としては、ターンテーブルに複数個のウェハ
チャックを配置した従来のものが使用できる。
真空などで背面矯正されて保持されたウェハ９が、ター
ンテーブル等の移動機構（不図示）などによりマスクｌ
のパターンと位置合、わせされて配置される。このウェ
ハ移動機構としては、ターンテーブルに複数個のウェハ
チャックを配置した従来のものが使用できる。
尚、マスクチャック２の上面、マスクステージ４の上面
及び下面（参照面） ４ａ、ウェハステージ７の下面（
参照面） ？ａ、並びにウニｌ−チャック１０の上面は
、超平面（通常は１Ｉｉａ以下の面精度）に加工される
。
及び下面（参照面） ４ａ、ウェハステージ７の下面（
参照面） ？ａ、並びにウニｌ−チャック１０の上面は
、超平面（通常は１Ｉｉａ以下の面精度）に加工される
。
マオコン等の演算装置１６には、投影光学系１５の焦点
深度内にある所定の距！！ｔ＆（例えば物像間隔）が記
憶されており、また演算装置１６は、この記憶された値
と、各エアマイクロメータ１２の出力信号とを比較演算
して差分を算出し、サーボ弁、の駆動装置１７に出力す
る。駆動装置１７は、演算装置１Ｂからの信号に応じて
サーボ弁６を開き、接続されている空気圧作動器５に空
気を供給する。
深度内にある所定の距！！ｔ＆（例えば物像間隔）が記
憶されており、また演算装置１６は、この記憶された値
と、各エアマイクロメータ１２の出力信号とを比較演算
して差分を算出し、サーボ弁、の駆動装置１７に出力す
る。駆動装置１７は、演算装置１Ｂからの信号に応じて
サーボ弁６を開き、接続されている空気圧作動器５に空
気を供給する。
上記構成について作用を説明すると、まずウェハ９は、
ウェハチャック１０により背面から空気などで平面矯正
されて、結像光学系１５の真下に配置される。このよう
にウェハ９を保持したウェハチャック１０は、参照面７
ａの吸着ゴム１１により吸着され、参照面７ａに突き当
てられて位置決めされる。次に各エアマイクロメータ１
２により、参照面７ａからウェハ９の上面までの距離が
測定される。
ウェハチャック１０により背面から空気などで平面矯正
されて、結像光学系１５の真下に配置される。このよう
にウェハ９を保持したウェハチャック１０は、参照面７
ａの吸着ゴム１１により吸着され、参照面７ａに突き当
てられて位置決めされる。次に各エアマイクロメータ１
２により、参照面７ａからウェハ９の上面までの距離が
測定される。
ここでウェハ９の厚さにばらつきがあったり、またウェ
ハ９の曲がりが完全に矯正されていない場合には、エア
マイクロメータ１２はそれぞれ異なる値を出力する。そ
の測定値は、演算装置１６により記憶された値と比較さ
れ、その差分が電流値としてそれぞれ対応するサーボ弁
駆動装置１７に印加され、サーボ弁６は駆動装置１７に
よりその電流値相当分の圧力の空気を、空気圧作動器５
に供給する。このようにウェハ９の上面の光軸方向のズ
レかマスクｌを光軸方向に上下することにより焦点合わ
せかなされるが、マスクｌの正確な制御は。
ハ９の曲がりが完全に矯正されていない場合には、エア
マイクロメータ１２はそれぞれ異なる値を出力する。そ
の測定値は、演算装置１６により記憶された値と比較さ
れ、その差分が電流値としてそれぞれ対応するサーボ弁
駆動装置１７に印加され、サーボ弁６は駆動装置１７に
よりその電流値相当分の圧力の空気を、空気圧作動器５
に供給する。このようにウェハ９の上面の光軸方向のズ
レかマスクｌを光軸方向に上下することにより焦点合わ
せかなされるが、マスクｌの正確な制御は。
エアマイクロメータ３により、マスクｌの下面（パター
ン面）と参照面４ａとの距離をモニタしながら、サーボ
弁６を制御する。投影型露光装置では、マスクとウェハ
の距離が一定であれば、それぞれ光学系との絶対位置が
多少変動しても、焦点ホケ（［１２ｊｏｃｕｓ）の原因
とはならない。尚マスクｌの移動量は、等倍投影方式の
反射型露光装置ではウェハ９のズレ量に等しく、また縮
小投影型の装置では、縮小率をＭ、ウェハ９のズレ量を
輌とすれば抽／ Ｍ ２である。
ン面）と参照面４ａとの距離をモニタしながら、サーボ
弁６を制御する。投影型露光装置では、マスクとウェハ
の距離が一定であれば、それぞれ光学系との絶対位置が
多少変動しても、焦点ホケ（［１２ｊｏｃｕｓ）の原因
とはならない。尚マスクｌの移動量は、等倍投影方式の
反射型露光装置ではウェハ９のズレ量に等しく、また縮
小投影型の装置では、縮小率をＭ、ウェハ９のズレ量を
輌とすれば抽／ Ｍ ２である。
尚、マスクエの上部に配置される、位置合わせ観察用の
顕微鏡（不図示）の対物レンズ１８は、マスクｌの移動
に応して光軸方向に移動され、顕微鏡の焦点合わせが行
なわれる。
顕微鏡（不図示）の対物レンズ１８は、マスクｌの移動
に応して光軸方向に移動され、顕微鏡の焦点合わせが行
なわれる。
上記の如く焦点合わせが完了すると、ウェハ９用のマイ
クロメータ１２は、シリング１３により半径方向の外方
に移動して投影野外に退避し、マスクｌの上ブｊから光
りで照明され、マスク、ｌのパターンが投影光学系１５
を介してウェハ９ヒに露光される。
クロメータ１２は、シリング１３により半径方向の外方
に移動して投影野外に退避し、マスクｌの上ブｊから光
りで照明され、マスク、ｌのパターンが投影光学系１５
を介してウェハ９ヒに露光される。
上記実施例では、マスクｌの移動量及びウェハ９のズレ
量をエアマイクロメータにより検知しているが、空気の
誘電率及び測定面積により、距離を検出する容量型の電
気マイクロメータを用いてもよく、いずれの場合にも非
接触方式のためマスク及びウェハにキズを発生させたり
、またウェハのフォトレジストが耐着することがない。
量をエアマイクロメータにより検知しているが、空気の
誘電率及び測定面積により、距離を検出する容量型の電
気マイクロメータを用いてもよく、いずれの場合にも非
接触方式のためマスク及びウェハにキズを発生させたり
、またウェハのフォトレジストが耐着することがない。
またマスクを駆動する方法としては、空気圧作動器の代
りにパルスモータによるネジ送りでもよく、高精度な焦
点合わせが可能である。
りにパルスモータによるネジ送りでもよく、高精度な焦
点合わせが可能である。
以上説明したように、ウェハに起因する焦点ボケ（Ｄｅ
ｆｏｃｕｓ）を、マスク又はレチクルを移動することに
より焦点合わせするようにしたので、ウェハチャックに
複雑な機構を組み込む必要がなくなり、更に複数のウェ
ハチャックを備えた真先装置に特に効果がある。尚、ウ
ェハの位置検知手段は、非接触であるのでレジストが参
照面に耐着して焦点ボケ（Ｄｅｆｏｃｕｓ）の要因とな
ることが・なく、またウニへ位置検知手段は露光時には
投影野外に退避するので効率のよい半導体生産が可能と
なる。
ｆｏｃｕｓ）を、マスク又はレチクルを移動することに
より焦点合わせするようにしたので、ウェハチャックに
複雑な機構を組み込む必要がなくなり、更に複数のウェ
ハチャックを備えた真先装置に特に効果がある。尚、ウ
ェハの位置検知手段は、非接触であるのでレジストが参
照面に耐着して焦点ボケ（Ｄｅｆｏｃｕｓ）の要因とな
ることが・なく、またウニへ位置検知手段は露光時には
投影野外に退避するので効率のよい半導体生産が可能と
なる。
第１図は、本発明の一実施例の構成図である。
ｌ・・・マスク、 ２・・・マスクチャック、３．１２
・・・エアマイクロメータ、 ４ａ・・・マスク用参照面、５・・・空気圧作動器、６
・・・サーボ弁、 ７ａ・・・ウェハ用参照面、９・・
・つ、Ｚ／、、１０・・・ウェハチャック。
・・・エアマイクロメータ、 ４ａ・・・マスク用参照面、５・・・空気圧作動器、６
・・・サーボ弁、 ７ａ・・・ウェハ用参照面、９・・
・つ、Ｚ／、、１０・・・ウェハチャック。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク又はレチクルの像を投影光学系を介してウェハ上
に転写する半導体露光装置において、ウェハの位置を検
知する手段と、 前記投影光学系の焦点深度内の所定の値を記憶し、この
所定値と前記ウニ／入位置検知手段により検知された値
との差を算出する演算装置と、マスク又はレチクルを移
動する手段とを含み。 前記演算装置の差に対応してマスク又はレチクルを移動
することにより、マスク又は、レチクルの像をウェハ上
に焦点合わせするようにしたことを特徴とする半導体露
光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129391A JPS6022319A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体露光装置 |
| US06/630,107 US4601560A (en) | 1983-07-18 | 1984-07-12 | Focus adjustment in an alignment and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129391A JPS6022319A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022319A true JPS6022319A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15008414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129391A Pending JPS6022319A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 半導体露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4601560A (ja) |
| JP (1) | JPS6022319A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183928A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| US4714331A (en) * | 1985-03-25 | 1987-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for automatic focusing |
| US4734988A (en) * | 1986-02-25 | 1988-04-05 | General Electric Company | Method of aligning a collimator to a linear array X-ray detector |
| JPH03198320A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH03276463A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オーディオビデオシステム |
| US5459546A (en) * | 1992-08-28 | 1995-10-17 | Penn; Randy J. | Method and apparatus for accurate alignment of semiconductor wafers in photo printers |
| US5378298A (en) * | 1993-06-01 | 1995-01-03 | Motorola, Inc. | Radiation sensitive adhesive composition and method of photoimagingsame |
| JP3308063B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
| JP3445546B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2003-09-08 | ペンタックス株式会社 | レンズの偏心調整装置 |
| JP4700819B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4118869A (en) * | 1977-03-02 | 1978-10-10 | Jenoptik Jena G.M.B.H. | Device for positioning an object |
| US4344160A (en) * | 1980-05-02 | 1982-08-10 | The Perkin-Elmer Corporation | Automatic wafer focusing and flattening system |
| JPS57192929A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Hitachi Ltd | Projector provided with automatic focusing function |
| US4431304A (en) * | 1981-11-25 | 1984-02-14 | Mayer Herbert E | Apparatus for the projection copying of mask patterns on a workpiece |
| US4444492A (en) * | 1982-05-15 | 1984-04-24 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58129391A patent/JPS6022319A/ja active Pending
-
1984
- 1984-07-12 US US06/630,107 patent/US4601560A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4601560A (en) | 1986-07-22 |
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