TWI442189B - 用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法 - Google Patents

用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI442189B
TWI442189B TW100136626A TW100136626A TWI442189B TW I442189 B TWI442189 B TW I442189B TW 100136626 A TW100136626 A TW 100136626A TW 100136626 A TW100136626 A TW 100136626A TW I442189 B TWI442189 B TW I442189B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
frame
support frame
sensor output
support
lithography apparatus
Prior art date
Application number
TW100136626A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201219998A (en
Inventor
Hans Butler
Nijhuis Marco Hendrikus Hermanus Oude
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201219998A publication Critical patent/TW201219998A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI442189B publication Critical patent/TWI442189B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)

Description

用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法
本發明係關於一種用於將圖案自圖案化器件轉印至基板上之微影裝置，及一種用於阻尼此裝置之第一框架之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
微影裝置通常包含藉由基座經由振動隔離系統予以支撐之支撐框架，及經配置以將圖案自圖案化器件轉印至基板之目標部分上之投影系統，其中投影系統包含藉由支撐框架予以彈簧支撐之第一框架。在此內容背景中之彈簧支撐指代可或者被稱作彈簧安裝且無需彈簧之實際存在的彈性支撐。具有彈性或類彈簧行為之任何元件(諸如，氣墊式避震器)可形成如本申請案中所提及之彈簧支撐件。
所提及之振動隔離系統用以使支撐框架與基座中之振動隔離，且因此可使用具有彈性或類彈簧行為之元件。因此，可使用振動隔離系統使一質量塊(mass)藉由另一質量塊予以彈簧支撐，振動隔離系統配置於兩個質量塊之間，或換言之，振動隔離系統可形成彈簧支撐件。振動隔離系統及彈簧支撐件為熟習此項技術者所熟知，且因此將不予以更詳細地描述。
第一框架可與投影系統之其他部件(諸如，光學元件(例如，透鏡元件、鏡面，等等))相互作用。由於投影系統之光學元件在微影裝置之成像效能方面具決定性，故需要使第一框架與光學元件之間的相互作用最小地干擾光學元件。然而，已發現，第一框架移動造成光學元件之干擾。此等移動可起源於支撐框架之移動，支撐框架之移動又可由藉由支撐框架支撐之其他質量塊之移動造成，使得(例如)投影系統之第二框架之移動激發第一框架之移動。此效應可因第一框架之諧振頻率可接近於經由支撐框架而連接至第一框架之質量塊之其他諧振頻率的事實而惡化。結果，微影裝置之成像效能不令人滿意。
另外，第一框架之移動可誘發該框架之變形。由於第一框架通常用以支撐量測光學元件位置之感測器，故此等框架變形可在光學元件中誘發位置誤差，從而再次導致微影裝置之退化成像效能。
需要提供一種改良型微影裝置，尤其是一種具有改良型成像效能之裝置。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一支撐框架，其係藉由一基座經由一振動隔離系統予以支撐；一投影系統，其經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上，其中該投影系統包含藉由該支撐框架予以彈簧支撐之一第一框架；及一主動阻尼系統，其經組態以阻尼該第一框架之移動，該主動阻尼系統包含：一第一感測器系統，其經組態以提供表示該第一框架之絕對移動的一第一感測器輸出；一第一致動器系統，其經配置以將一力施加於該第一框架與該支撐框架之間；及一控制器，其經組態以基於該第一感測器輸出而將一驅動信號提供至該第一致動器。
根據本發明之另一實施例，提供一種用於阻尼一微影裝置之一第一框架之移動之方法，其中該第一框架係藉由一支撐框架予以彈簧支撐，該支撐框架又係藉由一基座經由一振動隔離系統予以支撐，該方法包含：a)量測該第一框架之絕對移動；b)基於該第一框架之該經量測移動而將一力施加於該第一框架與該支撐框架之間。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；圖案化器件支撐件或光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、塑形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件(例如，光罩)與投影系統之間的空間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在圖1之實施例中，投影系統PS係藉由支撐框架SF支撐，支撐框架SF又係藉由基座BA支撐。參看圖2展示支撐組態之更詳細示意圖。
圖2示意性地更詳細地描繪根據一實施例的圖1之微影裝置之部分。展示投影系統之第一框架1F、支撐框架SF及基座BA。基座BA可為地面，但亦可為基座框架，基座框架係藉由地面予以彈簧支撐，但歸因於其相對高質量及藉由地面之低頻支撐而充當藉由基座框架支撐的微影裝置之部件的地面。
支撐框架SF係藉由基座BA予以彈簧支撐，其或者可被稱作彈性地安裝至或彈簧安裝至該基座。在一實施例中，支撐框架係藉由基座經由振動隔離系統予以低頻支撐。經由彈簧K2示意性地指示彈簧支撐件，但實務上，彈簧支撐件可為具有彈性或類彈簧行為之任何結構元件。支撐框架相對於基座之低頻行為是小有效彈簧常數結合支撐框架之相對高質量的結果。
投影系統PS之第一框架1F係藉由支撐框架SF予以彈簧支撐(如藉由彈簧K1示意性地指示)，但實務上，通常將具有比該支撐框架之諧振頻率高至少一階的諧振頻率。
圖2描繪在一維情形中之第一框架及支撐框架，在一維情形中，第一框架及支撐框架僅能夠在Z方向上移動。應瞭解，成為本發明之基礎的原理亦可應用於或延伸至多自由度情形。
投影系統PS為微影裝置之決定性元件，且尤其判定微影裝置之成像效能。需要使投影系統經受最小干擾。歸因於圖2所示之支撐結構，干擾可經由支撐框架及/或基座而進入投影系統，且可激發諧振模式。在一實施例中，微影裝置包含用以藉由阻尼第一框架之移動來最小化干擾的主動阻尼系統或阻尼器。
主動阻尼系統包含：第一感測器系統，其經組態以提供表示第一框架之絕對移動的第一感測器輸出；第一致動器系統，其經配置以將力施加於第一框架與支撐框架之間；及控制系統或控制器CS，其用以基於第一感測器輸出而將驅動信號提供至第一致動器系統。
在此實施例中，第一感測器系統係藉由第一感測器SE1形成。此第一感測器SE1能夠偵測在Z方向上第一框架1F之移動，且提供表示該移動之第一感測器信號S1。第一感測器信號S1因此形成第一感測器輸出。
將第一感測器輸出S1輸入至控制系統CS，控制系統CS對第一感測器輸出S1執行操作且輸出表示需要施加於第一框架與支撐框架之間以阻尼移動之力的驅動信號D1。在一另外實施例中，第一感測器系統可包含複數個感測器。
在此實施例中，第一致動器系統係藉由經組態以取決於驅動信號D1而施加力F1之第一致動器AC1形成。因此將驅動信號D1施加至第一致動器AC1，以便閉合藉由第一感測器系統、控制系統及第一致動器系統形成之回饋迴路。在一另外實施例中，第一致動器系統可包含複數個致動器。
此處應注意，根據本發明，絕對地量測第一框架之移動，而相對於支撐框架施加藉由第一致動器系統產生之力，此情形引起改良型阻尼效能。
根據本發明之一實施例的主動地阻尼第一框架之益處為：相比於相對地量測移動且相對地施加力之主動阻尼系統(常用阻尼系統)，針對較高頻率之傳輸率較好，亦即，更多地抑制高頻振動，此係因為支撐框架之振動係藉由所謂-2斜率而非-1斜率阻擋。
另一益處為：相比於絕對地量測移動且亦絕對地施加力之主動阻尼系統(另一常用阻尼系統)，根據本發明之一實施例的主動阻尼系統之低頻效能已改良，此係因為支撐框架之低頻振動(規則地發生)未藉由對第一框架施加大絕對力而抵銷，其將需要傳遞通過彈簧K1以減小支撐框架之移動。
額外益處可為：以絕對方式將力施加至第一框架1F(因此，施加於第一框架與可藉由基座或分離(較佳地，自由移動)反應質量塊形成之固定領域(fixed world)之間)可能不為實務的，此係因為基座可能不在附近。另外，分離反應質量塊亦可能不為實務的，此係因為其通常需要相對重且低頻耦接至第一框架，此情形可在使用中引起反應質量塊之大移動，因此需要許多空間。藉由以相對方式施加力，既不需要至基座之結構連接，亦不需要反應質量塊。
圖3描繪根據本發明之另一實施例的裝置之部分，其中該裝置類似於圖1之微影裝置。
圖3展示投影系統PS，投影系統PS具有光學元件，例如，透鏡元件LE。投影系統經配置以將圖案化物自圖案化器件(圖中未繪示)轉印至基板(圖中未繪示)上。光學元件LE係藉由投影系統PS之第一框架1F予以彈簧支撐(如藉由彈簧K7示意性地指示)，且可在Z方向上藉由致動器系統(此處以第七致動器AC7之形式予以體現)定位，第七致動器AC7經組態以將力F7施加於第一框架1F與光學元件LE之間。藉由感測器系統(此處以第七感測器SE7之形式予以體現)偵測光學元件LE之位置。第七感測器SE7提供表示光學元件LE相對於投影系統PS之第二框架2F之位置的輸出。第一框架1F與第二框架2F係彼此獨立地藉由支撐框架SF予以彈簧支撐，如藉由各別彈簧K1、K2及K3、K4示意性地指示。支撐框架SF又係藉由基座BA予以彈簧支撐，如藉由彈簧K5、K6示意性地指示。示意性彈簧K1至K6中任一者可為振動隔離系統之部件或形成振動隔離系統。
在圖3之實施例中，第一框架、第二框架及支撐框架具有兩個自由度，即，在Z方向上之平移及在φ方向上之旋轉。此為每框架使用兩個彈簧以指示彈簧懸掛之原因。實務上，第一框架及第二框架之諧振模式可彼此相對地接近，使得該等框架中之一者之移動可容易地經由支撐框架而激發另一框架之模式。實務上，圖3中之每一組件可具有六個自由度。然而，為了更好地解釋圖3之實施例，在此實施例中將自由度之數目限於兩個。
該裝置包含經組態以阻尼第一框架之移動且在此實施例中亦阻尼第二框架之移動的主動阻尼系統。主動阻尼系統包含用以量測第一框架之絕對移動的第一感測器系統。第一感測器系統包含兩個感測器SE1、SE2，感測器SE1、SE2各自量測在Z方向上第一框架之移動，藉此亦獲得關於φ方向之資訊。每一感測器SE1、SE2輸出感測器信號S1、S2，感測器信號S1、S2一起界定表示第一框架1F之移動的第一感測器系統之第一感測器輸出。
主動阻尼系統進一步包含類似於第一感測器系統的包含兩個感測器SE3、SE4之第二感測器系統。分別來自感測器SE3、SE4之感測器信號S3、S4因此界定表示第二框架2F之移動的第二感測器輸出。
主動阻尼系統亦包含類似於第一感測器系統的包含兩個感測器SE5、SE6之支撐框架感測器系統。分別來自感測器SE5、SE6之感測器信號S5、S6因此界定表示支撐框架SF之移動的支撐框架感測器輸出。
主動阻尼系統包含第一致動器系統，第一致動器系統包含能夠將各別力F1、F2施加於第一框架1F與支撐框架之間的兩個致動器AC1、AC2。因此，此實施例使用與圖2之實施例之原理相同的原理，其中絕對地量測移動，且相對地施加阻尼力。
圖3之主動阻尼系統進一步包含第二致動器系統，第二致動器系統包含能夠將各別力F3、F4施加於第二框架2F與支撐框架之間的兩個致動器AC3、AC4。因此，此實施例亦將圖2之原理應用於投影系統之第二框架。
除了第一致動器系統及第二致動器系統以外，主動阻尼系統亦包含支撐框架致動器系統，支撐框架致動器系統包含能夠將各別力F5、F6施加於支撐框架與基座之間的兩個致動器AC5、AC6。作為一替代例，可將力F5、F6施加於支撐框架與分離反應質量塊(例如，自由移動反應質量塊)之間。
將感測器信號S1至S6提供至主動阻尼系統之控制系統CS。出於簡單性原因，省略各別感測器與控制系統之間的示意性連接。應理解，感測器信號Sn連接至控制系統之各別輸入Sn，其中n=1、2、…、6。在此實施例中，控制系統經組態以將第一感測器輸出、第二感測器輸出及支撐框架感測器輸出(亦即，感測器信號S1至S6)解耦成第一框架、第二框架及支撐框架之諧振模式。此實施例中所提及之諧振模式為框架之相互作用系統之剛體模式。如熟習此項技術者所知，藉由對感測器信號執行變換T1來進行解耦。
變換T1之輸出為表示系統之六個諧振模式的六個信號。藉由模態解耦獲得變換運算子T1。藉由控制器C對諧振模式執行控制操作，控制器C由六個個別控制器組成，每一控制器使T1之一個輸出與T2之一個輸入有關。隨後，需要將受控制諧振模式變換成表示各別致動器系統之致動器AC1至AC6之個別力F1至F6的驅動信號。藉由變換運算子T2進行此變換，再次藉由模態解耦獲得變換運算子T2。控制系統之輸出為六個驅動信號D1至D6。出於簡單性原因，省略驅動信號至其各別致動器之示意性連接。藉由將驅動信號D1至D6提供至致動器，阻尼系統能夠阻尼第一框架及第二框架之移動。
亦可應用模態控制之相同原理作為對圖2之實施例之延伸，其中提供支撐框架感測器系統以提供表示支撐框架SF之移動的支撐框架感測器輸出，且其中控制系統CS經組態以將第一感測器輸出及支撐框架感測器輸出解耦成第一框架1F及支撐框架SF之諧振模式，且基於第一框架1F及支撐框架SF之經解耦模式而將驅動信號D1提供至第一致動器系統AC1。
當將模態控制用於比如圖2之實施例(如以上段落中所描述)中時，亦有可能改變第一致動器系統，使得其將力提供於支撐框架與基座或反應質量塊之間，而非提供於第一框架與支撐框架之間。
圖4描繪根據本發明之另一實施例的裝置之部分，其中該裝置類似於圖1之微影裝置。示意性地，圖4之實施例與圖3之實施例有許多共同之處。為了描述包括第一框架1F及第二框架2F以及第一感測器系統及第二感測器系統之投影系統PS，參看圖3。
支撐框架SF包含兩個界面質量塊IF1、IF2，兩個界面質量塊IF1、IF2被彈簧安裝至支撐框架SF之其餘部分SFa，如藉由彈簧K8、K9示意性地指示。支撐框架SF之部分SFa係藉由基座BA予以彈簧支撐，如藉由彈簧K5、K6指示。
提供包含兩個感測器SE5、SE6之支撐框架感測器系統，兩個感測器SE5、SE6各自提供表示各別界面質量塊IF1、IF2之絕對移動的各別感測器信號S5、S6。包括彈簧K8、K9之界面質量塊以機械方式將動態過濾器提供於支撐框架感測器系統與支撐框架之其餘部分SFa之間。此情形具有如下益處：支撐框架之其餘部分SFa中具有高於彈簧K8、K9之截止頻率之頻率的振動(例如，內部諧振)衰減，且因此具有對主動阻尼系統之較少影響。
亦提供包含兩個致動器AC5、AC6之支撐框架致動器系統，兩個致動器AC5、AC6各自將各別力F5、F6提供於界面質量塊IF1、IF2與基座或分離反應質量塊之間。此組態之益處為：力F5、F6中具有高於彈簧K8、K9之截止頻率之頻率的干擾衰減，且因此具有對支撐框架之其餘部分SFa的較少影響。
可選擇彈簧K8、K9之硬度及界面質量塊IF1、IF2之質量以將截止頻率設定於預定位準。在一實施例中，選擇截止頻率，使得對主動阻尼系統之干擾及/或轉移至支撐框架之干擾最小。在一實施例中，界面質量塊被高頻耦接至支撐框架之其餘部分SFa，其中高頻意謂高於第一框架、第二框架及支撐框架之待阻尼諧振模式且低於將被認為寄生(亦即，無需被阻尼，但負面地影響主動阻尼系統)之諧振模式之頻率的頻率。
圖4之控制系統進一步類似於圖3之控制系統CS，惟如下情形除外：變換T2不向六個不同致動器提供六個驅動信號，而是僅提供分別表示待藉由支撐框架致動器系統施加之力F5、F6的兩個驅動信號D5、D6。變換T1及T2可被定義為藉由模態解耦原理獲得之矩陣。變換矩陣T1具有6×6個元素之大小，且變換矩陣T2在此狀況下為具有2×6個元素之大小的矩陣。然而，藉由控制器C阻尼藉由全矩陣T1計算的三個框架之所有六個諧振模式，從而僅使用致動器AC5及AC6。
圖4之實施例不允許全模態控制，此係因為僅兩個致動器用以阻尼六個諧振模式。此意謂自一模態輸入至另一模態輸出之交叉項不再為零且全解耦係不可能的。然而，對於諧振模式之主動阻尼，此等交叉項沒有問題，使得仍可藉由主動阻尼系統達成充分阻尼。
使用界面質量塊以與支撐框架通信之原理可用於其他情形(例如，圖3之實施例)中，以及改良效能。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1F．．．第一框架
2F．．．第二框架
AC1．．．第一致動器系統
AC2．．．致動器
AC3．．．致動器
AC4．．．致動器
AC5．．．致動器
AC6．．．致動器
AC7．．．第七致動器
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BA．．．基座
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分(圖1)/控制器(圖3及圖4)
CO．．．聚光器
CS．．．控制器/控制系統
D1．．．驅動信號
D2．．．驅動信號
D3．．．驅動信號
D4．．．驅動信號
D5．．．驅動信號
D6．．．驅動信號
F1．．．力
F2．．．力
F3．．．力
F4．．．力
F5．．．力
F6．．．力
F7．．．力
IF．．．位置感測器
IF1．．．界面質量塊
IF2．．．界面質量塊
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
K1．．．彈簧
K2．．．彈簧
K3．．．彈簧
K4．．．彈簧
K5．．．彈簧
K6．．．彈簧
K7．．．彈簧
K8．．．彈簧
K9．．．彈簧
LE．．．透鏡元件/光學元件
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．光罩支撐結構/圖案化器件支撐件
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器件
S1．．．第一感測器信號/第一感測器輸出
S2．．．感測器信號
S3．．．感測器信號
S4．．．感測器信號
S5．．．感測器信號
S6．．．感測器信號
SE1．．．第一感測器
SE2．．．感測器
SE3．．．感測器
SE4．．．感測器
SE5．．．感測器
SE6．．．感測器
SE7．．．第七感測器
SF．．．支撐框架
SFa．．．支撐框架之其餘部分
SO．．．輻射源
T1．．．變換/變換運算子/變換矩陣
T2．．．變換運算子/變換矩陣
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的圖1之微影裝置之部分；
圖3示意性地描繪根據本發明之另一實施例的微影裝置之部分；及
圖4示意性地描繪根據本發明之一另外實施例的微影裝置之部分。
1F．．．第一框架
AC1．．．第一致動器系統
BA．．．基座
CS．．．控制器/控制系統
D1．．．驅動信號
F1．．．力
K1．．．彈簧
K2．．．彈簧
S1．．．第一感測器信號/第一感測器輸出
SE1．．．第一感測器
SF．．．支撐框架

Claims (15)

  1. 一種微影裝置，其包含：一支撐框架，其係藉由一基座經由一振動隔離系統予以支撐；一投影系統，其經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上，其中該投影系統包含藉由該支撐框架予以彈簧支撐之一第一框架；及一主動阻尼系統，其經組態以阻尼該第一框架之移動，該主動阻尼系統包含：一第一感測器系統，其經組態以提供表示該第一框架之一絕對移動的一第一感測器輸出；一第一致動器系統，其經配置以將一力施加於該第一框架與該支撐框架之間；及一控制器，其經組態以基於該第一感測器輸出而將一驅動信號提供至該第一致動器系統。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該主動阻尼系統進一步包含一支撐框架感測器系統，該支撐框架感測器系統經組態以提供表示該支撐框架之一移動的一支撐框架感測器輸出，且其中該控制系統經組態以基於該第一感測器輸出及該支撐框架感測器輸出而將一驅動信號提供至該第一致動器系統。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該控制系統經組態以將該第一感測器輸出及該支撐框架感測器輸出解耦成該第一框架及該支撐框架之諧振模式，且基於該第一框架及該支撐框架之該等經解耦模式而將一驅動信號提供至該第一致動器系統。
  4. 如請求項2之微影裝置，其中該第一致動器系統經組態以將一力施加於該支撐框架與該基座或一分離反應質量塊之間。
  5. 如請求項2之微影裝置，其中該主動阻尼系統進一步包含一支撐框架致動器系統，該支撐框架致動器系統經配置以將一力施加於該支撐框架與該基座或一分離反應質量塊之間，且其中該控制器經組態以基於該第一感測器輸出及該支撐框架感測器輸出而將一驅動信號提供至該支撐框架致動器系統。
  6. 如請求項1之微影裝置，其包含一第二框架，該第二框架係與該第一框架並行地藉由該支撐框架予以彈簧支撐，且其中該主動阻尼系統進一步包含：一第二感測器系統，其經組態以提供表示該第二框架之絕對移動的一第二感測器輸出；一第二致動器系統，其經配置以將一力施加於該第二框架與該支撐框架之間；且其中該控制器經組態以基於該第一感測器輸出及該第二感測器輸出而將一各別驅動信號提供至該第一致動器系統及該第二致動器系統。
  7. 如請求項2或6之微影裝置，其中該等各別驅動信號係基於該第一感測器輸出、該第二感測器輸出及該支撐框架感測器輸出。
  8. 如請求項2或6之微影裝置，其中該控制器經組態以將該第一感測器輸出、該第二感測器輸出及該支撐框架感測器輸出解耦成該第一框架、該第二框架及該支撐框架之諧振模式，且其中該控制器經組態以基於該等經解耦模式而將該等各別驅動信號提供至該第一致動器系統及該第二致動器系統。
  9. 如請求項4之微影裝置，其包含一第二框架，該第二框架係與該第一框架並行地藉由該支撐框架予以彈簧支撐，且其中該主動阻尼系統進一步包含一第二感測器系統，該第二感測器系統經組態以提供表示該第二框架之絕對移動的一第二感測器輸出，且其中該控制器經組態以基於該第一感測器輸出及該第二感測器輸出而將一驅動信號提供至該第一致動器系統。
  10. 如請求項2或6之微影裝置，其中該主動阻尼系統進一步包含一支撐框架致動器系統，該支撐框架致動器系統經配置以將一力施加於該支撐框架與該基座或一反應質量塊之間，且其中該控制系統經組態以基於該第一感測器輸出、該第二感測器輸出及該支撐框架感測器輸出而將一各別驅動信號提供至該支撐框架致動器系統。
  11. 如請求項5之微影裝置，其中該支撐框架具有被高頻耦接至該支撐框架之其餘部分的一界面質量塊，且其中該支撐框架感測器輸出表示該界面質量塊之移動，且其中該支撐框架致動器系統經組態以將一力施加於該界面質量塊與該基座或一分離反應質量塊之間。
  12. 如請求項4之微影裝置，其中該支撐框架具有被高頻耦接至該支撐框架之其餘部分的一界面質量塊，且其中該支撐框架感測器輸出表示該界面質量塊之移動，且其中該第一致動器系統經組態以將一力施加於該界面質量塊與該基座或一分離反應質量塊之間。
  13. 一種用於阻尼一微影裝置之一第一框架之移動之方法，其中該第一框架係藉由一支撐框架予以彈簧支撐，該支撐框架又係藉由一基座經由一振動隔離系統予以支撐，該方法包含：a)量測該第一框架之絕對移動；b)基於該第一框架之該經量測移動而將一力施加於該第一框架與該支撐框架之間。
  14. 如請求項13之方法，其包含：量測該支撐框架之移動；將該第一框架及該支撐框架之該等經量測移動解耦成該第一框架及該支撐框架之諧振模式，其中藉由基於該第一框架及該支撐框架之該等經解耦模式而將一力施加於該第一框架與該支撐框架之間來替換b)。
  15. 如請求項13之方法，其中藉由基於該第一框架及該支撐框架之該等經解耦模式而將一力施加於該支撐框架與該基座或一分離反應質量塊之間來替換b)。
TW100136626A 2010-10-27 2011-10-07 用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法 TWI442189B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US40731910P 2010-10-27 2010-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201219998A TW201219998A (en) 2012-05-16
TWI442189B true TWI442189B (zh) 2014-06-21

Family

ID=44674568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100136626A TWI442189B (zh) 2010-10-27 2011-10-07 用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8730451B2 (zh)
EP (1) EP2447777B1 (zh)
JP (1) JP5323160B2 (zh)
KR (1) KR101363540B1 (zh)
CN (1) CN102455607B (zh)
SG (2) SG180091A1 (zh)
TW (1) TWI442189B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2469340B1 (en) * 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5963600B2 (ja) * 2011-08-09 2016-08-03 キヤノン株式会社 除振装置
DE102012110385A1 (de) * 2012-10-30 2014-04-30 Von Ardenne Gmbh Lagerung für eine stoßempfindliche Substratbehandlungsapparatur
CN103856735B (zh) * 2012-11-30 2017-01-25 光宝电子(广州)有限公司 影像投影方法以及微机电投影装置
US9958793B2 (en) 2013-07-02 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, positioning system for use in a lithographic apparatus and method
DE102014204523A1 (de) 2014-03-12 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Schwingungskompensiertes optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren
WO2017092815A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with actively adjustable metrology support units
DE102017002542A1 (de) * 2017-03-16 2018-09-20 Applied Materials, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Vorrichtung zum Halten, Positionieren und/oder Bewegen eines Objekts
JP7285217B2 (ja) * 2017-04-20 2023-06-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 支持構造、方法、及びリソグラフィ装置
WO2019134775A1 (en) * 2018-01-04 2019-07-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP3961305A3 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
EP3964893A1 (de) * 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660255A (en) * 1994-04-04 1997-08-26 Applied Power, Inc. Stiff actuator active vibration isolation system
DE29612349U1 (de) 1996-07-16 1997-11-20 Heiland, Peter, 65375 Oestrich-Winkel Aktives Schwingungsdämpfungs- und Schwingungsisolationssystem
US6378672B1 (en) 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
US6770572B1 (en) 1999-01-26 2004-08-03 Alliedsignal Inc. Use of multifunctional si-based oligomer/polymer for the surface modification of nanoporous silica films
JP3961311B2 (ja) * 2001-01-19 2007-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
TWI298427B (en) 2001-02-13 2008-07-01 Asml Netherlands Bv Damped mount for use in lithographic projection apparatus
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1380899B1 (en) * 2002-07-11 2014-09-03 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110083B2 (en) 2003-11-19 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1711724A1 (en) 2004-01-26 2006-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Actuator arrangement for active vibration isolation using a payload as an inertial reference mass
US7817243B2 (en) * 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
US7726452B2 (en) * 2005-06-02 2010-06-01 Technical Manufacturing Corporation Systems and methods for active vibration damping
JP4714611B2 (ja) * 2006-03-17 2011-06-29 日本航空電子工業株式会社 アクティブ除振装置
JP4802839B2 (ja) * 2006-04-18 2011-10-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 アクティブ制振装置及びアクティブ制振装置の制御方法
EP2045664B1 (en) 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
US8164737B2 (en) 2007-10-23 2012-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an active damping subassembly
NL1036160A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly.
NL1036167A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036161A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and an active damping system, and a lithographic apparatus.
US7989756B2 (en) * 2008-03-18 2011-08-02 Nikon Corporation Active-isolation mounts for optical elements
DE102008026077B4 (de) 2008-05-30 2017-11-09 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Lithographiesystem
NL2003772A (en) * 2008-12-11 2010-06-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus.
EP2202426A3 (en) 2008-12-23 2017-05-03 ASML Netherlands B.V. A method for damping an object, an active damping system, and a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201219998A (en) 2012-05-16
SG180091A1 (en) 2012-05-30
KR20120044252A (ko) 2012-05-07
CN102455607A (zh) 2012-05-16
JP5323160B2 (ja) 2013-10-23
KR101363540B1 (ko) 2014-02-14
US8730451B2 (en) 2014-05-20
EP2447777A2 (en) 2012-05-02
SG10201401876PA (en) 2014-10-30
CN102455607B (zh) 2014-07-09
EP2447777A3 (en) 2015-05-27
JP2012094864A (ja) 2012-05-17
EP2447777B1 (en) 2019-08-07
US20120105819A1 (en) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI442189B (zh) 用於將圖案從圖案化器件轉印到基板的微影裝置及阻尼方法
US7903866B2 (en) Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
TWI440982B (zh) 度量工具、包含一微影設備及一度量工具的系統及用於測定一基材之參數的方法
TWI474124B (zh) 微影裝置，投影組件及主動阻尼
TWI395889B (zh) 阻尼物件之方法、主動阻尼系統及微影裝置
TWI640836B (zh) 微影裝置及元件製造方法
JP4881215B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI649637B (zh) 微影裝置、微影投影裝置及器件製造方法
JP5162417B2 (ja) リソグラフィ装置およびその振動制御方法
JP6741739B2 (ja) 粒子ビーム装置
JP6563600B2 (ja) 振動絶縁デバイス、リソグラフィ装置、および振動絶縁システムを調節する方法
JP6316973B2 (ja) ステージ位置決めシステムおよびリソグラフィ装置
JP2005109441A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2020517980A (ja) 支持構造、方法、及びリソグラフィ装置
JP2009239280A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US20190294057A1 (en) Stage system, lithographic apparatus and device manufacturing method