JP6741739B2 - 粒子ビーム装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 50
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 206010023230 Joint stiffness Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70766—Reaction force control means, e.g. countermass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
本出願は、2013年10月29日に出願された米国仮出願第61/897,072号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
Claims (15)
- ベースフレームと、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成され、前記放射ビームが粒子ビームである投影システムと、
前記基板テーブルを位置決めするよう構成され、前記ベースフレームによって支持されている位置決め装置と、
前記ベースフレームに及ぼされるトルクによって生じる振動を検知するよう構成されているセンサと、
検知された振動に応答して該振動を少なくとも部分的に減衰させるように前記ベースフレームに力を及ぼすよう構成されているアクチュエータと、を備え、
前記アクチュエータのリアクションマスは、移動可能に前記ベースフレームにより支持され、前記アクチュエータによって及ぼされる力は、前記ベースフレームに搭載されるインターフェイスマスを介して前記ベースフレームに適用される装置。 - 前記位置決め装置は、バランスマス構成を有し、前記トルクは、前記バランスマス構成によって生じる、請求項1に記載の装置。
- 前記センサは、前記アクチュエータによって及ぼされる力と実質的に一列に配設されている、請求項1または2に記載の装置。
- 前記アクチュエータと前記センサが実質的に同一場所に配置されている、請求項1から3のいずれかに記載の装置。
- 前記振動を検知するよう構成されている複数のセンサと、検知された振動に応答して前記ベースフレームに力を及ぼすよう構成されている対応する複数のアクチュエータと、を備える、請求項1から4のいずれかに記載の装置。
- 前記バランスマス構成のバランスマスは、前記アクチュエータの前記リアクションマスとして構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記バランスマスは、前記位置決め装置の磁石プレートを備え、前記磁石プレートは、永久磁石の二次元パターンを備える、請求項6に記載の装置。
- 前記バランスマスは、前記位置決め装置のコイルアセンブリを備え、前記コイルアセンブリは、コイルの二次元パターンを備える、請求項6に記載の装置。
- 前記アクチュエータは、第1水平方向に力を及ぼすよう構成されている第1アクチュエータと、第2水平方向に力を及ぼすよう構成されている第2アクチュエータと、を備え、第2水平方向は、第1水平方向に実質的に垂直である、請求項6から8のいずれかに記載の装置。
- 支持部を位置決めするための更なる位置決め装置を備え、前記更なる位置決め装置は、更なるバランスマス構成を有し、前記更なるバランスマス構成のバランスマスは、前記アクチュエータの前記リアクションマスとして構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記センサは、前記トルクによって生じる振動を、5Hzから30Hzの範囲において、検知するよう構成されている、請求項1から10のいずれかに記載の装置。
- 前記アクチュエータは、リラクタンスアクチュエータまたは永久磁石アクチュエータのような電磁アクチュエータを備える、請求項1から11のいずれかに記載の装置。
- 前記センサからセンサ信号を受信し、アクチュエータ制御信号を導出するよう前記センサ信号を処理し、前記アクチュエータを制御するようアクチュエータ制御信号を出力するよう構成されているコントローラをさらに備える、請求項1から12のいずれかに記載の装置。
- 前記コントローラの制御ループは、前記制御ループの安定性を改善するハイパスフィルタまたはローパスフィルタのような1つ又は複数のフィルタを備える、請求項13に記載の装置。
- 前記インターフェイスマスは、減衰部材、圧縮可能接続、または柔軟接続を介して前記ベースフレームに搭載される、請求項1から14のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361897072P | 2013-10-29 | 2013-10-29 | |
US61/897,072 | 2013-10-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016527191A Division JP6449875B2 (ja) | 2013-10-29 | 2014-10-22 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019049752A JP2019049752A (ja) | 2019-03-28 |
JP6741739B2 true JP6741739B2 (ja) | 2020-08-19 |
Family
ID=51846618
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016527191A Active JP6449875B2 (ja) | 2013-10-29 | 2014-10-22 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2018229051A Active JP6741739B2 (ja) | 2013-10-29 | 2018-12-06 | 粒子ビーム装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016527191A Active JP6449875B2 (ja) | 2013-10-29 | 2014-10-22 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10409175B2 (ja) |
JP (2) | JP6449875B2 (ja) |
NL (1) | NL2013666A (ja) |
WO (1) | WO2015062921A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6557403B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-08-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
CN111052296B (zh) * | 2017-09-04 | 2022-10-14 | Asml荷兰有限公司 | 电子束检查设备的台架定位 |
EP3670958A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Positioning device, stiffness reduction device and electron beam apparatus |
JP7531333B2 (ja) | 2020-06-30 | 2024-08-09 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置及び物品の製造方法 |
EP4215374A1 (en) * | 2022-01-20 | 2023-07-26 | Canon Production Printing Holding B.V. | Inkjet printing apparatus |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4133037C2 (de) | 1990-10-05 | 1999-07-22 | Canon Kk | Belichtungsvorrichtung |
JP2001304332A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-10-31 | Canon Inc | 能動制振装置 |
US7248339B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101433491B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2007120646A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Canon Inc | 制振装置およびそれを備えた露光装置 |
US7502103B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate |
US8164737B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an active damping subassembly |
NL1036161A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Combination of structure and an active damping system, and a lithographic apparatus. |
US20090153832A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Yosuke Tatsuzaki | Apparatus and method for isolating vibrations in a lithography machine using two active control units |
US8144310B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010080624A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
NL2003772A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-14 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus. |
JP5473575B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2469339B1 (en) * | 2010-12-21 | 2017-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5789153B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2015-10-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2014
- 2014-10-22 NL NL2013666A patent/NL2013666A/en not_active Application Discontinuation
- 2014-10-22 JP JP2016527191A patent/JP6449875B2/ja active Active
- 2014-10-22 WO PCT/EP2014/072590 patent/WO2015062921A1/en active Application Filing
- 2014-10-22 US US15/027,986 patent/US10409175B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-06 JP JP2018229051A patent/JP6741739B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6449875B2 (ja) | 2019-01-09 |
WO2015062921A1 (en) | 2015-05-07 |
JP2019049752A (ja) | 2019-03-28 |
US10409175B2 (en) | 2019-09-10 |
NL2013666A (en) | 2015-04-30 |
JP2016536638A (ja) | 2016-11-24 |
US20160238953A1 (en) | 2016-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181206 |
|
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