JP5323160B2 - パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、および制振方法 - Google Patents

パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、および制振方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5323160B2
JP5323160B2 JP2011230460A JP2011230460A JP5323160B2 JP 5323160 B2 JP5323160 B2 JP 5323160B2 JP 2011230460 A JP2011230460 A JP 2011230460A JP 2011230460 A JP2011230460 A JP 2011230460A JP 5323160 B2 JP5323160 B2 JP 5323160B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
support frame
sensor output
lithographic apparatus
actuator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011230460A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012094864A (ja
Inventor
バトラー,ハンズ
ニホイス,マルコ,ヘンドリカス,ヘルマヌス オーデ
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2012094864A publication Critical patent/JP2012094864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5323160B2 publication Critical patent/JP5323160B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • H01L21/0275Photolithographic processes using lasers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)

Description

[0001] 本発明は、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、およびこのような装置の第1のフレームを制振する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用することができる。そのような場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ICの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上の(例えばダイの一部、1つのダイ、またはいくつかのダイを含む)ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料(レジスト)の層上に結像することによって行なわれる。一般に、単一の基板は、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになり、これらのターゲット部分が次々とパターニングされる。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向(「スキャン」方向)にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
[0003] リソグラフィ装置は、一般に、振動絶縁システムを介してベースによって支持されたサポートフレームと、パターンをパターニングデバイスから基板のターゲット部分上に転写するように構成された投影システムとを備え、投影システムは、サポートフレームによってばね支持された第1のフレームを備える。この文脈では、「ばね支持された」という表現は、あるいはばね取付けとも称され得る弾性サポートを指し、実際にばねの存在を必要とするわけではない。エアマウントなどの弾性またはばねのような挙動を有するあらゆるエレメントが、本出願で言及するばね支持を形成することができる。
[0004] 前述の振動絶縁システムは、サポートフレームをベースの振動から絶縁するのに使用され、したがって弾性またはばねのような挙動を有するエレメントを使用してよい。したがって、2つのマスの間に配置された振動絶縁システムを使用して一方のマスを他方のマスでばね支持することができ、換言すれば、振動絶縁システムはばね支持を形成することができる。振動絶縁システムおよびばね支持は当業者に周知であり、したがって、より詳細には説明しない。
[0005] 第1のフレームは、例えばレンズエレメント、ミラーなどの光学エレメントなど、投影システムの他の部分と相互作用する可能性がある。投影システムの光学エレメントは、リソグラフィ装置の結像性能において重要であるので、第1のフレームと光学エレメントの間の相互作用が光学エレメントを乱すのを最小限にすることが望まれる。しかし、第1のフレームの運動が光学エレメントの外乱をもたらすことが判明している。これらの運動はサポートフレームの運動から生じる可能性があり、また、サポートフレームの運動はサポートフレームによって支持された他のマスの運動によって引き起こされる可能性があり、その結果、例えば投影システムの第2のフレームの運動が第1のフレームの運動を励起する。この影響は、サポートフレームを介して第1のフレームに結合されたマスの他の共振周波数が第1のフレームの共振周波数に近いことがあるという事実によって悪化する恐れがある。その結果、リソグラフィ装置の結像性能が不満足なものになる。
[0006] さらに、第1のフレームの運動がフレームの変形を誘起する可能性がある。第1のフレームは、光学エレメントの位置を測定するセンサを支持するように共通して使用されるので、これらのフレーム変形が光学エレメントの位置誤差を誘起する可能性があり、これもリソグラフィ装置の結像性能の劣化をもたらす。
[0007] 改善されたリソグラフィ装置、具体的には改善された結像性能を有する装置を提供することが望ましい。
[0008] 本発明の一実施形態によれば、振動絶縁システムを介してベースによって支持されたサポートフレームと、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成された投影システムであって、サポートフレームによってばね支持された第1のフレームを備える投影システムと、第1のフレームの運動を減衰するように構成された能動制振システムであって、第1のフレームの絶対的な運動を表す第1のセンサ出力を供給するように構成された第1のセンサシステム、第1のフレームとサポートフレームの間に力を加えるように配置された第1のアクチュエータシステム、および第1のセンサ出力に基づいて第1のアクチュエータに駆動信号を供給するように構成されたコントローラを備える能動制振システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0009] 本発明の別の実施形態によれば、リソグラフィ装置の第1のフレームの運動を減衰する方法が提供され、第1のフレームはサポートフレームによってばね支持され、また、サポートフレームは振動絶縁システムを介してベースによって支持されており、この方法は、a)第1のフレームの絶対的な運動を測定する工程と、b)測定された第1のフレームの運動に基づいて第1のフレームとサポートフレームの間に力を加える工程とを含む。
[0010] 次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。
[0011]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0012]本発明の一実施形態による図1のリソグラフィ装置の一部分を示す概略図である。 [0013]本発明の別の実施形態によるリソグラフィ装置の一部分を示す概略図である。 [0014]本発明のさらなる実施形態によるリソグラフィ装置の一部分を示す概略図である。
[0015] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB(例えば紫外線または任意の他の適切な放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに連結される、パターニングデバイスサポートまたはマスクサポート構造体(例えばマスクテーブル)MTとを備える。また、この装置は、基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに連結される基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTまたは「基板サポート」を備える。さらに、この装置は、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSを備える。
[0016] この照明システムは、放射を導くか、整形するか、あるいは制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式、または他のタイプの光学コンポーネントなど様々なタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
[0017] パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用してパターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を用いることがあれば、それは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
[0018] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広義に解釈されたい。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意されたい。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に相当することになる。
[0019] パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
[0020] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用する露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
[0021] 本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ(例えば透過性マスクを使用するタイプ)である。あるいは、装置は反射タイプ(例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ)でよい。
[0022] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブルまたは「基板サポート」(および/または2つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」)を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加のテーブルまたはサポートを同時に使用することができ、あるいは、1つまたは複数の他のテーブルまたはサポートが露光用に使用されている間に、1つまたは複数のテーブルまたはサポート上で準備工程を実施することができる。
[0023] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプとすることもできる。リソグラフィ装置内の他のスペース、パターニングデバイス(例えばマスク)と投影システムとの間にも液浸液が適用されてよい。液浸技法を使用して投影システムの開口数を増加させることができる。本明細書で使用されるような「液浸」という用語は、基板などの構造体が液体中に沈められなければならないことを意味せず、むしろ液体が露光中投影システムと基板との間に置かれていることを単に意味する。
[0024] 図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源SOからイルミネータILまで、例えば適当な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを用いて渡される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
[0025] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを含んでよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内の強度分布の外側および/または内側半径範囲(一般にそれぞれσ-outer、σ-innerと呼ばれる)は調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および強度分布を有するように調節するのに使用されてよい。
[0026] 放射ビームBは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MT上に保持されるパターニングデバイス(例えばマスク)MA上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBは、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを横切って、基板Wのターゲット部分C上にビームを集中させる投影システムPSを通過する。基板テーブルWTは、第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ)を用いて、例えば放射ビームBの経路内へ個別のターゲット部分Cを位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMおよび別の位置センサ(図1には明示されていない)は、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス(例えばマスク)MAを正確に位置決めするのに使用することができる。一般に、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTの動作は、第1の位置決めデバイスPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の動作は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には(スキャナとは対照的に)、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、あるいは固定されてよい。パターニングデバイス(例えばマスク)MAおよび基板Wは、パターニングデバイスのアライメントマークM1、M2および基板のアライメントマークP1、P2を使用して整列させることができる。図示された基板アライメントマーク(スクライブレーンアライメントマークとして既知である)は、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、パターニングデバイス(例えばマスク)MA上に複数のダイが与えられる状況では、パターニングデバイスのアライメントマークはダイ間に配置されてよい。
[0027] 図示される装置は、以下のモードの少なくとも1つにおいて使用することが可能である。
1.ステップモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度にターゲット部分C上に投影される(すなわち単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、別のターゲット部分Cを露光することが可能となるようにX方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向の)幅が制限されるが、スキャン移動の長さによって、ターゲット部分の(スキャン方向の)縦幅が決定される。
3.別のモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」が、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルWTまたは「基板サポート」が、移動され、またはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。
[0028] 前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてよい。
[0029] 投影システムPSは、図1の実施形態ではサポートフレームSFによって支持され、また、サポートフレームSFはベースBAによって支持されている。サポート構成のより詳細な概略図が、図2に関連して示される。
[0030] 図2は、本発明の一実施形態による図1のリソグラフィ装置の一部分をより詳細に示す概略図である。投影システムの第1のフレーム1F、サポートフレームSFおよびベースBAが示されている。ベースBAは基礎でよいが、基礎によってばね支持されたベースフレームでもよく、ベースフレームは、比較的大きなマスと、基礎による低周波のサポートとにより、リソグラフィ装置のベースフレームによって支持されている部分に対して基礎として働く。
[0031] サポートフレームSFはベースBAによってばね支持されており、あるいは、ベースへ弾性的に取り付けられている、またはばね取付けされている、と称されてもよい。一実施形態では、サポートフレームは、振動絶縁システムを介してベースによって低周波で支持されている。ばね支持は、ばねK2によって概略的に示されているが、実際には、弾性またはばねのような挙動を有する任意の構造エレメントであり得る。ベースに対するサポートフレームの低周波の挙動は、サポートフレームの比較的大きなマスと組み合わせた小さな実効ばね定数の結果である。
[0032] 投影システムPSの第1のフレーム1Fは、ばねK1によって概略的に示されるようにサポートフレームSFによってばね支持されており、実際には、サポートフレームの共振周波数より少なくとも1桁上の共振周波数を有する。
[0033] 図2は、第1のフレームおよびサポートフレームがZ方向にのみ移動することができる1次元の状況における第1のフレームおよびサポートフレームを示す。本発明の基をなす原理を多自由度の状況に適用するかまたは拡張することができることが理解されよう。
[0034] 投影システムPSはリソグラフィ装置の重要なエレメントであり、他の何よりもリソグラフィ装置の結像性能を決定する。投影システムがさらされる外乱が最小限になるのが望ましい。図2に示されるように、サポート構造により、サポートフレームおよび/またはベースを介して外乱が投影システムに入る可能性があり、共振モードを励起することがある。一実施形態では、リソグラフィ装置は、第1のフレームの運動を減衰することにより外乱を最小限にするための能動制振システムまたはダンパを備える。
[0035] 能動制振システムは、第1のフレームの絶対的な運動を表す第1のセンサ出力を供給するように構成された第1のセンサシステムと、第1のフレームとサポートフレームの間に力を加えるように配置された第1のアクチュエータシステムと、第1のセンサ出力に基づいて第1のアクチュエータシステムに駆動信号を供給するためのコントロールシステムまたはコントローラCSとを備える。
[0036] この実施形態では、第1のセンサシステムは第1のセンサSE1によって形成される。この第1のセンサSE1は、第1のフレーム1FのZ方向の運動を検出することができ、その運動を表す第1のセンサの信号S1を供給する。第1のセンサ信号S1は、このように第1のセンサ出力を形成する。
[0037] 第1のセンサ出力S1はコントロールシステムCSに入力され、コントロールシステムCSは、第1のセンサ出力S1に対する動作を遂行して、運動を減衰するために第1のフレームとサポートフレームの間に加える必要がある力を表す駆動信号D1を出力する。さらなる実施形態では、第1のセンサシステムは複数のセンサを備えてよい。
[0038] 第1のアクチュエータシステムは、この実施形態では、駆動信号D1に応じて力F1を加えるように構成された第1のアクチュエータAC1によって形成される。このように、駆動信号D1は、第1のセンサシステム、コントロールシステムおよび第1のアクチュエータシステムによって形成されるフィードバックループを閉じるために、第1のアクチュエータAC1に加えられる。さらなる実施形態では、第1のアクチュエータシステムは複数のアクチュエータを備えてよい。
[0039] ここで、本発明によれば、第1のフレームの絶対的な運動が測定される一方で、第1のアクチュエータシステムによって発生される力がサポートフレームに対して加えられ、その結果、減衰性能が改善されることに留意されたい。
[0040] 本発明の一実施形態によって第1のフレームを能動制振する利益は、運動が相対的に測定されて力が相対的に加えられる能動制振システム(一般に使用される制振システム)と比較して、サポートフレームの振動がいわゆる−1の傾斜でなく、−2の傾斜で阻止されるので、より高い周波数に対する伝達率がより優れていて、すなわち高周波の振動がより抑制されることである。
[0041] 別の利益に、絶対的な運動が測定されて力も絶対的に加えられる能動制振システム(別の一般に使用される制振システム)と比較して、第1のフレームに大きな絶対力(サポートフレームの運動を低減するためにばねK1を通過する必要があることになる)を加えることによってサポートフレームの低周波の振動(規則的に生じる)が打ち消されることがないので、本発明の一実施形態による能動制振システムの低周波性能が改善する。
[0042] さらなる利益は、第1のフレームと固定された世界(ベースまたは個別の、好ましくは自由に移動する反作用マスによって形成され得る)の間で、第1のフレーム1Fに絶対的なやり方で力を加えるのは、ベースが近くに存在しないこともあるので、実用的でない可能性があり得ることである。さらに、個別の反作用マスは、通常、比較的重くして低周波で第1のフレームに結合する必要があり、これによって、使用するとき反作用マスの大きな運動が生じることになり、したがって大きな空間が必要となるので、実用的ではない可能性もある。相対的なやり方で力を加えることにより、ベースに対する構造的結合も反作用マスも不要である。
[0043] 図3は、図1のリソグラフィ装置に類似した本発明の別の実施形態による装置の一部分を示す。
[0044] 図3に示される投影システムPSは、光学エレメント、例えばレンズエレメントLEを有する。この投影システムは、パターニングデバイス(図示せず)から基板(図示せず)上にパターニングを転写するように配置される。光学エレメントLEは、ばねK7によって概略的に示されるように、投影システムPSの第1のフレーム1Fによってばね支持されており、ここでは第7のアクチュエータAC7の形で実施されているアクチュエータシステムによってZ方向に位置決めすることができ、第7のアクチュエータAC7は、第1のフレーム1Fと光学エレメントLEの間に力F7を加えるように構成されている。光学エレメントLEの位置は、ここでは第7のセンサSE7の形で実施されているセンサシステムで検出される。第7のセンサSE7は、投影システムPSの第2のフレーム2Fに対する光学エレメントLEの位置を表す出力を供給する。第1のフレーム1Fと第2のフレーム2Fは、それぞれのばねK1、K2およびK3、K4によって概略的に示されるように、サポートフレームSFによって互いに独立してばね支持されている。また、サポートフレームSFは、ばねK5、K6によって概略的に示されるように、ベースBAによってばね支持されている。図示のばねK1〜K6のいずれも、振動絶縁システムの一部分でよく、あるいは振動絶縁システムを形成してよい。
[0045] 図3の実施形態では、第1のフレーム、第2のフレームおよびサポートフレームは、2自由度、すなわちZ方向の並進およびφ方向の回転を有する。ばねサスペンションを示すのに1つのフレームにつき2つのばねが使用されているのは、このためである。実際には、第1および第2のフレームの共振モードが互いに比較的近いことがあり、その結果、フレームのうち一方の運動が、サポートフレームを介して他方のフレームのモードを容易に励起する可能性がある。実際には、図3の各コンポーネントは6自由度を有してよい。しかし、図3の実施形態についてよりよく説明するために、この実施形態では自由度数は2自由度に限定されている。
[0046] この装置は、第1のフレームの運動およびこの実施形態では第2のフレームの運動も減衰するように構成された能動制振システムを備える。能動制振システムは、第1のフレームの絶対的な運動を測定するために第1のセンサシステムを備える。第1のセンサシステムは2つのセンサSE1、SE2を備え、それぞれが第1のフレームのZ方向の運動を測定することにより、φ方向に関する情報も得る。各センサSE1、SE2がセンサ信号S1、S2を出力し、両信号がともに第1のフレーム1Fの運動を表す第1のセンサシステムの第1のセンサ出力を定義する。
[0047] この能動制振システムは、第1のセンサシステムと同様に2つのセンサSE3、SE4を備える第2のセンサシステムをさらに備える。したがって、センサSE3、SE4からのそれぞれのセンサ信号S3、S4は、第2のフレーム2Fの運動を表す第2のセンサ出力を定義する。
[0048] この能動制振システムは、第1のセンサシステムと同様に2つのセンサSE5、SE6を備えるサポートフレームのセンサシステムも備える。したがって、センサSE5、SE6からのそれぞれのセンサ信号S5、S6は、サポートフレームSFの運動を表すサポートフレームのセンサ出力を定義する。
[0049] この能動制振システムは、第1のフレーム1Fとサポートフレームの間にそれぞれの力F1、F2を加えることができる2つのアクチュエータAC1、AC2を備える第1のアクチュエータシステムを備える。したがって、この実施形態は、絶対的な運動が測定され、また、減衰力が相対的に加えられるという、図2の実施形態と同一の原理を用いる。
[0050] 図3の能動制振システムは、第2のフレーム2Fとサポートフレームの間にそれぞれの力F3、F4を加えることができる2つのアクチュエータAC3、AC4を備える第2のアクチュエータシステムをさらに備える。したがって、この実施形態は、投影システムの第2のフレームに対して図2の原理も適用する。
[0051] 第1および第2のアクチュエータシステムに加えて、この能動制振システムは、サポートフレームとベースの間にそれぞれの力F5、F6を加えることができる2つのアクチュエータAC5、AC6を備えるサポートフレームのアクチュエータシステムを備える。代替として、力F5、F6は、サポートフレームと個別の反作用マス、例えば自由運動する反作用マスとの間に加えられてよい。
[0052] センサ信号S1〜S6は、能動制振システムのコントロールシステムCSに供給される。話を簡単にするために、それぞれのセンサとコントロールシステムの間の図解の接続は省略されている。センサ信号Snがコントロールシステムのそれぞれの入力Snに接続されることが理解されよう。ここでn=1、2、...、6である。この実施形態では、コントロールシステムは、第1のセンサ出力、第2のセンサ出力およびサポートフレームのセンサ出力をデカップリングするように構成され、すなわち第1のフレーム、第2のフレームおよびサポートフレームの共振モードにセンサ信号S1〜S6をデカップリングするように構成される。この実施形態で言及される共振モードは、諸フレームが相互作用するシステムの剛体モードである。デカップリングは、当業者に既知のように、センサ信号に対する変換T1を遂行することにより行なわれる。
[0053] 変換T1の出力は、システムの6つの共振モードを表す6つの信号である。変換演算子T1は、モードデカップリングによって得られる。それぞれがT1の1つの出力をT2の1つの入力に関連づける6つの個々のコントローラから成るコントローラCが、共振モードに対する制御演算を遂行する。続いて、制御された共振モードを、それぞれのアクチュエータシステムのアクチュエータAC1〜AC6の個々の力F1〜F6を表す駆動信号に変換する必要がある。この変換は、これもモードデカップリングによって得られる変換演算子T2によって行なわれる。コントロールシステムの出力は、6つの駆動信号D1〜D6である。話を簡単にするために、それぞれのアクチュエータへの駆動信号の図解の接続は省略されている。アクチュエータに駆動信号D1〜D6を供給することにより、制振システムは、第1および第2のフレームの運動を減衰することができる。
[0054] モード制御の同一の原理を、図2の実施形態に対する拡張として適用することもでき、サポートフレームSFの運動を表すサポートフレームのセンサ出力を供給するためにサポートフレームのセンサシステムが設けられ、コントロールシステムCSは、第1のセンサ出力およびサポートフレームのセンサ出力を第1のフレーム1FおよびサポートフレームSFの共振モードにデカップリングし、第1のフレーム1FおよびサポートフレームSFのデカップリングされたモードに基づいて、第1のアクチュエータシステムAC1に駆動信号D1を供給するように構成される。
[0055] 上の段落で説明された図2のような実施形態のモード制御を用いるとき、第1のアクチュエータシステムが、第1のフレームとサポートフレームの間ではなく、サポートフレームとベースまたは反作用マスとの間に力を与えるように、第1のアクチュエータシステムを変更することも可能である。
[0056] 図4は、図1のリソグラフィ装置に類似した本発明の別の実施形態による装置の一部分を示す。図では、図4の実施形態には図3の実施形態と多くの共通点がある。第1のフレーム1Fおよび第2のフレーム2F、ならびに第1および第2のセンサシステムを含む投影システムPSを説明するために、図3を参照する。
[0057] サポートフレームSFは、ばねK8、K9によって概略的に示されるように、サポートフレームSFの残りSFaにばね取付けされた2つのインターフェースマスIF1、IF2を備える。サポートフレームSFの一部分SFaは、ばねK5、K6によって示されるように、ベースBAによってばね支持されている。
[0058] それぞれのインターフェースマスIF1、IF2の絶対的な運動を表すそれぞれのセンサ信号S5、S6をそれぞれ供給する2つのセンサSE5、SE6を備えるサポートフレームのセンサシステムが設けられている。ばねK8、K9を含むインターフェースマスは、サポートフレームセンサシステムとサポートフレームの残りSFaの間に機械的なやり方で動的フィルタをもたらす。これには、ばねK8、K9の遮断周波数より高い周波数を有するサポートフレームSFaの残りの振動、例えば内部共振が減衰され、したがって、能動制振システムに対する影響がより小さくなるという利益がある。
[0059] 2つのアクチュエータAC5、AC6を備えるサポートフレームのアクチュエータシステムも設けられており、これらのアクチュエータは、それぞれインターフェースマスIF1、IF2とベースまたは個別の反作用マスとの間にそれぞれの力F5、F6を与える。この構成の利益は、ばねK8、K9の遮断周波数より高い周波数を有する力F5、F6の外乱が減衰され、したがってサポートフレームの残りSFaに対する影響がより小さいことである。
[0060] ばねK8、K9の剛性およびインターフェースマスIF1、IF2の質量は、遮断周波数を所定のレベルに設定するように選択することができる。一実施形態では、遮断周波数は、能動制振システムに対する外乱および/またはサポートフレームに伝達される外乱が最小限になるように選択される。一実施形態では、インターフェースマスは、サポートフレームの残りSFaに高周波結合され、ここで、高周波とは、第1のフレーム、第2のフレームおよびサポートフレームの減衰されるべき共振モードの周波数より高く、寄生共振モードと見なされるべき共振モード、すなわち減衰させる必要はないが能動制振システムに悪影響を及ぼす共振モードの周波数より低い周波数を意味する。
[0061] 図4のコントロールシステムは、変換T2が、6つの別々のアクチュエータに対して6つの駆動信号を供給するのではなく、サポートフレームのアクチュエータシステムによって加えられる2つの力F5、F6をそれぞれ表す2つの駆動信号D5、D6だけを供給するという点を除けば、図3のコントロールシステムCSにさらに類似である。変換T1およびT2は、モードデカップリングの原理によって得られる行列と定義することができる。変換行列T1は6×6要素のサイズを有し、変換行列T2は、この場合2×6要素のサイズを有する行列である。全行列T1によって計算された3つのフレームの6つの共振モードのすべてがコントローラCによって減衰されるが、使用されるのはアクチュエータAC5およびAC6のみである。
[0062] 6つの共振モードを減衰するのに2つのアクチュエータしか使用されないので、図4の実施形態では全モード制御は不可能である。これは、あるモードの入力から別のモードの出力へのクロス項がもはやゼロではなく、全デカップリングは不可能であることを意味する。しかし、共振モードの能動制振については、これらのクロス項は問題ではなく、その結果、依然として能動制振システムによって十分な減衰が達成され得る。
[0063] インターフェースマスをサポートフレームと連通するように使用することの原理は、他の状況、例えば図3の実施形態でも、性能を改善するために同様に用いることができる。
[0064] 本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。それらのような代替の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語は、いずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてよいことが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(一般に基板にレジストの層を塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ICを作製するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理済の層を含む基板も意味してよい。
[0065] 本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に作製されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。
[0066] 本明細書で用いられる用語「放射」および「ビーム」は、紫外線(UV)放射(例えば、365、248、193、157、もしくは126nmの波長、またはほぼこれらの波長を有する)および極端紫外線(EUV)放射(例えば5〜20nmの範囲の波長を有する)ならびにイオンビーム、電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。
[0067] 「レンズ」という語は、文脈により可能な場合、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの中の任意の1つまたは組合せを意味し得る。
[0068] 上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施され得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示されている方法を記述する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形態をとることができる。
[0069] 上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものである。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。

Claims (15)

  1. 振動絶縁システムを介してベースによって支持されたサポートフレームと、
    パターンをパターニングデバイスから基板上に転写するように構成された投影システムであって、前記サポートフレームによってばね支持された第1のフレームと、前記第1のフレームによってばね支持された光学エレメントとを備える投影システムと、
    前記投影システムの前記第1のフレームの運動を減衰するように構成された能動制振システムとを備え、前記能動制振システムが、
    前記第1のフレームの絶対的な運動を表す第1のセンサ出力を供給するように構成された第1のセンサシステムと、
    前記第1のフレームと前記サポートフレームとの間に力を加えるように配置された第1のアクチュエータシステムと、
    前記第1のセンサ出力に基づいて前記第1のアクチュエータシステムに駆動信号を供給するように構成されたコントローラと
    を備える、リソグラフィ装置。
  2. 前記能動制振システムが、前記サポートフレームの運動を表すサポートフレームのセンサ出力を供給するように構成されたサポートフレームのセンサシステムを備え、前記コントローが、前記第1のセンサ出力および前記サポートフレームのセンサ出力に基づいて前記第1のアクチュエータシステムに駆動信号を供給するように構成される請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記コントローが、前記第1のセンサ出力および前記サポートフレームのセンサ出力を前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの共振モードにデカップリングし、前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの前記デカップリングされたモードに基づいて、前記第1のアクチュエータシステムに駆動信号を供給するように構成される請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記第1のアクチュエータシステムが、前記サポートフレームと前記ベースまたは個別の反作用マスとの間に力を加えるように構成される請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記能動制振システムが、前記サポートフレームと前記ベースまたは個別の反作用マスとの間に力を加えるように配置されたサポートフレームのアクチュエータシステムをさらに備え、前記コントローラが、前記第1のセンサ出力および前記サポートフレームのセンサ出力に基づいて前記サポートフレームのアクチュエータシステムに駆動信号を供給するように構成される請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記サポートフレームによって前記第1のフレームと平行にばね支持された第2のフレームを備えるリソグラフィ装置であって、前記能動制振システムが、
    前記第2のフレームの絶対的な運動を表す第2のセンサ出力を供給するように構成された第2のセンサシステムと、
    前記第2のフレームと前記サポートフレームとの間に力を加えるように配置された第2のアクチュエータシステムとをさらに備え、
    前記コントローラが、前記第1のセンサ出力および前記第2のセンサ出力に基づいて前記第1および第2のアクチュエータシステムにそれぞれの駆動信号を供給するように構成される請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記それぞれの駆動信号が、前記第1のセンサ出力、前記第2のセンサ出力、および前記サポートフレームのセンサ出力に基づくものである請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記コントローラが、前記第1のセンサ出力、前記第2のセンサ出力、および前記サポートフレームのセンサ出力を、前記第1のフレーム、前記第2のフレーム、および前記サポートフレームの共振モードにデカップリングするように構成され、前記コントローラが、前記第1および第2のアクチュエータシステムに、前記デカップリングされたモードに基づいてそれぞれの駆動信号を供給するように構成される請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記サポートフレームによって前記第1のフレームと平行にばね支持された第2のフレームを備えるリソグラフィ装置であって、前記能動制振システムが、前記第2のフレームの絶対的な運動を表す第2のセンサ出力を供給するように構成された第2のセンサシステムをさらに備え、前記コントローラが、前記第1のセンサ出力および前記第2のセンサ出力に基づいて前記第1のアクチュエータシステムに駆動信号を供給するように構成される請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記能動制振システムが、前記サポートフレームと前記ベースまたは反作用マスとの間に力を加えるように配置されたサポートフレームのアクチュエータシステムをさらに備え、前記コントロールシステムが、前記第1のセンサ出力、前記第2のセンサ出力、および前記サポートフレームのセンサ出力に基づいて、前記サポートフレームのアクチュエータシステム、前記第1のアクチュエータシステム、および前記第2のアクチュエータシステムにそれぞれの駆動信号を供給するように構成される請求項6に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記サポートフレームが、前記サポートフレームの残りに高周波結合されたインターフェースマスを有し、前記サポートフレームのセンサ出力が前記インターフェースマスの運動を表し、前記サポートフレームのアクチュエータシステムが、前記インターフェースマスと前記ベースまたは個別の反作用マスとの間に力を加えるように構成される請求項5または10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記サポートフレームが、前記サポートフレームの残りに高周波結合されたインターフェースマスを有し、前記サポートフレームのセンサ出力が前記インターフェースマスの運動を表し、前記第1のアクチュエータシステムが、前記インターフェースマスと前記ベースまたは個別の反作用マスとの間に力を加えるように構成される請求項4に記載のリソグラフィ装置。
  13. リソグラフィ装置の投影システムに含まれる第1のフレームの運動を減衰する方法であって、前記第1のフレームがサポートフレームによってばね支持され、前記サポートフレームが振動絶縁システムを介してベースによって支持され、前記投影システムに含まれる光学エレメントが前記第1のフレームによってばね支持されている、方法において、
    a)前記投影システムの前記第1のフレームの絶対的な運動を測定する工程と、
    b)前記測定された前記第1のフレームの運動に基づいて前記第1のフレームと前記サポートフレームの間に力を加える工程とを含む方法。
  14. 前記サポートフレームの前記運動を測定する工程と、
    前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの前記測定された運動を前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの共振モードにデカップリングする工程とを含む方法であって、
    工程b)が、前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの前記デカップリングされたモードに基づいて前記第1のフレームと前記サポートフレームの間に力を加える工程で置換される請求項13に記載の方法。
  15. 工程b)が、前記第1のフレームおよび前記サポートフレームの前記デカップリングされたモードに基づいて前記サポートフレームと前記ベースまたは個別の反作用マスとの間に力を加える工程で置換される請求項13に記載の方法。
JP2011230460A 2010-10-27 2011-10-20 パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、および制振方法 Active JP5323160B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US40731910P 2010-10-27 2010-10-27
US61/407,319 2010-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012094864A JP2012094864A (ja) 2012-05-17
JP5323160B2 true JP5323160B2 (ja) 2013-10-23

Family

ID=44674568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011230460A Active JP5323160B2 (ja) 2010-10-27 2011-10-20 パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、および制振方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8730451B2 (ja)
EP (1) EP2447777B1 (ja)
JP (1) JP5323160B2 (ja)
KR (1) KR101363540B1 (ja)
CN (1) CN102455607B (ja)
SG (2) SG180091A1 (ja)
TW (1) TWI442189B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5963600B2 (ja) * 2011-08-09 2016-08-03 キヤノン株式会社 除振装置
CN103856735B (zh) * 2012-11-30 2017-01-25 光宝电子(广州)有限公司 影像投影方法以及微机电投影装置
US9958793B2 (en) 2013-07-02 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, positioning system for use in a lithographic apparatus and method
DE102014204523A1 (de) 2014-03-12 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Schwingungskompensiertes optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102015211286A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildungssystem und verfahren
CN108292099B (zh) * 2015-12-03 2021-07-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 具有主动可调整的度量支撑单元的光学成像布置
DE102017002542A1 (de) * 2017-03-16 2018-09-20 Applied Materials, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Vorrichtung zum Halten, Positionieren und/oder Bewegen eines Objekts
WO2018192759A1 (en) * 2017-04-20 2018-10-25 Asml Netherlands B.V. Support structure, method and lithographic apparatus
US11543756B2 (en) * 2018-01-04 2023-01-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP3961305A3 (de) 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung
EP3964893A1 (de) * 2020-06-29 2022-03-09 Carl Zeiss SMT GmbH Kompensation von kriecheffekten in einer abbildungseinrichtung

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660255A (en) * 1994-04-04 1997-08-26 Applied Power, Inc. Stiff actuator active vibration isolation system
DE29612349U1 (de) 1996-07-16 1997-11-20 Heiland Peter Aktives Schwingungsdämpfungs- und Schwingungsisolationssystem
US6378672B1 (en) 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
US6770572B1 (en) 1999-01-26 2004-08-03 Alliedsignal Inc. Use of multifunctional si-based oligomer/polymer for the surface modification of nanoporous silica films
JP3961311B2 (ja) * 2001-01-19 2007-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法
TWI298427B (en) 2001-02-13 2008-07-01 Asml Netherlands Bv Damped mount for use in lithographic projection apparatus
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
EP1345082A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-17 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1380899B1 (en) * 2002-07-11 2014-09-03 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110083B2 (en) * 2003-11-19 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005073592A1 (en) 2004-01-26 2005-08-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Actuator arrangement for active vibration isolation using a payload as an inertial reference mass
US7817243B2 (en) * 2004-04-12 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation system
US7726452B2 (en) * 2005-06-02 2010-06-01 Technical Manufacturing Corporation Systems and methods for active vibration damping
JP4714611B2 (ja) * 2006-03-17 2011-06-29 日本航空電子工業株式会社 アクティブ除振装置
JP4802839B2 (ja) * 2006-04-18 2011-10-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 アクティブ制振装置及びアクティブ制振装置の制御方法
EP2045664B1 (en) 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
US8164737B2 (en) 2007-10-23 2012-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an active damping subassembly
NL1036167A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL1036160A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly.
NL1036161A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and an active damping system, and a lithographic apparatus.
US7989756B2 (en) * 2008-03-18 2011-08-02 Nikon Corporation Active-isolation mounts for optical elements
DE102008026077B4 (de) 2008-05-30 2017-11-09 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Lithographiesystem
NL2003772A (en) * 2008-12-11 2010-06-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus.
EP2202426A3 (en) 2008-12-23 2017-05-03 ASML Netherlands B.V. A method for damping an object, an active damping system, and a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
SG180091A1 (en) 2012-05-30
CN102455607B (zh) 2014-07-09
TWI442189B (zh) 2014-06-21
KR20120044252A (ko) 2012-05-07
US20120105819A1 (en) 2012-05-03
CN102455607A (zh) 2012-05-16
US8730451B2 (en) 2014-05-20
JP2012094864A (ja) 2012-05-17
EP2447777A3 (en) 2015-05-27
TW201219998A (en) 2012-05-16
EP2447777A2 (en) 2012-05-02
KR101363540B1 (ko) 2014-02-14
SG10201401876PA (en) 2014-10-30
EP2447777B1 (en) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5323160B2 (ja) パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのリソグラフィ装置、および制振方法
US7903866B2 (en) Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
KR101428619B1 (ko) 리소그래피 장치, 투영 조립체 및 능동 감쇠
JP4881215B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN109564392B (zh) 光刻设备、光刻投影设备和器件制造方法
US7248339B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009127861A (ja) 構造物と2以上の能動減衰システムの組合せ、リソグラフィ装置、および投影アセンブリ
JP4824054B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US20200124991A1 (en) Support Structure, Method and Lithographic Apparatus
JP6741739B2 (ja) 粒子ビーム装置
JP4932866B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP6644891B2 (ja) アクティブベースフレームサポートを有するリソグラフィ装置
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130619

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5323160

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250