JP4932866B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲットに付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造で使用することができる。そのような場合には、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、1つまたは複数のダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)の層へ像を形成することによっている。一般に、単一基板は、連続してパターニングされた網の目のような一面の隣り合うターゲット部分を含む。従来のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナがあり、ステッパでは、ターゲット部分にパターン全体を一度に露光することによって各ターゲット部分に光が当てられ、スキャナでは、放射ビームによってパターンを所定の方向(「スキャン」方向)にスキャンしながら同時にその方向に対して平行または逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分に光が当てられる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
[0003] リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置内の特定の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータを備えることがある。例えば、位置決めシステムは、パターニングデバイスを保持するように構成されたサポートを位置決めするためにアクチュエータを備えることがあり、および/または、基板を保持するように構成された基板テーブルを位置決めするために使用されることがある。位置決めシステムは、伸長構造、例えば、アクチュエータの力をサポートおよび/または物体テーブルに伝えるように構成された、いわゆるはり(ビーム)を備えることがある。伸長構造は、振動に敏感であり、位置決めシステムの誤りおよび/または駆動装置のある特定の部分が故障する可能性があるという危険をもたらすことがある。
[0004] リソグラフィ装置の一部を位置決めするための位置決めシステムを改善することが望ましい。本発明の一実施形態によれば、放射ビームを条件付けするように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニング付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニング付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、伸長構造を介してリソグラフィ装置の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータとを含むリソグラフィ装置が提供され、伸長構造は、その伸長構造中の振動を減衰させるように構成された振動ダンパを備えている。
[0005] 本発明のさらなる態様によればデバイス製造方法が提供され、本方法は、放射感応性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を基板テーブル上に供給するステップと、パターニングデバイスをサポート上に供給するステップと、パターニング付き放射ビームを放射感応性材料の層の上へ投影するステップと、伸長構造を介してアクチュエータを用いて基板テーブルおよび/またはサポートに力を加えるステップと、振動ダンパを用いて伸長構造内の振動を実質的に抑制するステップとを含む。本方法は、基板上の感応性材料の層を現像するステップと、現像された基板からデバイスを製造するステップとをさらに含むことができる。
[0006] これから本発明の実施形態が、添付の模式的な図面を参照して、ただ例として説明され、図面では、対応する参照符号は対応する部分を示している。
[0007]本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。 [0008]本発明の実施形態に従ったH駆動モータを示す平面図である。 [0009]Xビームの振動によって生じることがあるZ方向の変位を示す図である。 [0010]本発明の実施形態に従った振動ダンパを示す模式図である。 [0011]図4の振動ダンパの減衰を示す図である。 [0012]本発明の実施形態に従った質量ダンパを示す図である。 [0013]本発明の実施形態に従った振動ダンパを備えるXビームを示す図である。 [0014]Xビームが本発明の実施形態に従った振動ダンパを備えた後のZ方向の変位を示す図である。
[0015] 図1は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームB(例えば、UV放射または任意の他の適切な放射)を条件付けするように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTを含む。本装置は、また、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTすなわち「基板サポート」を含む。本装置は、さらに、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のチップを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSを含む。
[0016] 照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型または他の型の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々な型の光学コンポーネントを含むことがある。
[0017] パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件に依存したやり方で、パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械技術、真空技術、静電技術または他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは、必要に応じて固定されてもよく、または可動であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
[0018] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作るためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分の所望のパターンに必ずしも対応していないことに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する。
[0019] パターニングデバイスは透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、および、プログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られており、マスクには、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトのようなマスクの型、ならびに様々なハイブリッドマスクの型がある。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、この小さなミラーの各々は、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができる。傾いたミラーが、ミラーマトリックスで反射された放射ビームにパターンを与える。
[0020] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射または、液浸液の使用または真空の使用のような他の要素に適切であるような、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型および静電型の光学システム、またはこれらの任意の組合せを含めて投影システムの任意の型を含むものとして広く解釈されるべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
[0021] ここで示すように、本装置は透過型である(例えば、透過マスクを使用する)。あるいは、本装置は反射型であってもよい(例えば、上で言及したような型のプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する)。
[0022] リソグラフィ装置は、2個(デュアルステージ)またはそれ以上の基板テーブルすなわち「基板サポート」(および/または2個またはそれ以上のマスクテーブルすなわち「マスクサポート」)を備える型であってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルすなわちサポートは並列に使用することができ、または、1つまたは複数のテーブルすなわちサポートが露光に使用されている間に、1つまたは複数の他のテーブすなわちサポートで準備ステップを行うことができる。
[0023] リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板の間のスペースを満たすように比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部が覆われることがある型のものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間にも利用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を高めるために使用することができる。本明細書で使用されるような「液浸」という用語は、基板などの構造物が液体中に沈められなければならないことを意味するのではなく、それどころか、露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するだけである。
[0024] 図1を参照して、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザであるとき、別個の実体であってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の部分を形成しているとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含んだビームデリバリシステムBDを使用して、放射源SOからイルミネータILに送られる。他の場合には、例えば放射源がすい便ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体化部分であることがある。放射源SOおよびイルミネータILは、必要な場合にはビームデリバリシステムBDと一緒にして、放射システムと呼ばれることがある。
[0025] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、σ−outerおよびσ−innerとそれぞれ呼ばれる)を調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の均一性および強度分布を持つように放射ビームを条件付けすることができる。
[0026] 放射ビームBは、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTに保持されたパターニングデバイス(例えば、マスク)MAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを通り抜けた放射ビームBは、投影システムPSを通過し、この投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる。第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ)を使って、例えば放射ビームBの経路中に異なるターゲット部分Cを位置決めするために、基板テーブルWTを正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMおよび他の位置センサ(図1に明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って実現することができる。同様に、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」の移動は、第2ポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ(スキャナに対して)の場合には、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTは、ショートストローク用アクチュエータだけに接続されてもよく、または、固定されてもよい。パターニングデバイス(例えば、マスク)MAと基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めるが、これらの専用ターゲット部分は、ターゲット部分とターゲット部分の間のスペースに位置付けすることができる(これらの専用ターゲット部分は、スクライブレーンアライメントマークとして知られている)。同様に、2つ以上のチップがパターニングデバイス(例えば、マスク)MAに設けられている状況では、マスクアライメントマークはチップ間に位置付けされることがある。
[0027] 図示の装置は、下記のモードのうちの少なくとも1つで使用することができる。
[0028] 1.ステップモードでは、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」および基板テーブルWTすなわち「基板サポート」は基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一静止露光)。次に、異なるターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」はX方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0029] 2.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」および基板テーブルWTすなわち「基板サポート」は同期してスキャンされる(すなわち、単一動的露光)。パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」に対する基板テーブルWTすなわち「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定されることがある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の(非スキャン方向の)幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の(スキャン方向の)縦幅が決定される。
[0030] 3.他のモードでは、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」は、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」は、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、動かされるか、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
[0031] 上述の使用モードの組合せおよび/または変形、または全く異なる使用モードを使用することもできる。
[0032] 図2に示される位置決めシステム10は、平衡フレーム2の中または上に配置され、この平衡フレーム2は、実質的に摩擦の無い軸受によって案内面4上に支持されている。位置決めシステム10および平衡フレーム2は、位置決めシステム10の反力が平衡フレーム2および位置決めシステム10の動きによって打ち消されるように案内面4の上を動くことができる。位置決めシステム10は、XおよびY方向の比較的大きな移動範囲にわたって基板テーブルの大きな移動を可能にする。位置決めシステム10の質量中心は、Z方向で、平衡フレーム2の質量中心にできるだけ近いことが望ましい。特に、2つの質量中心の垂直方向の隔たりが、実質的に約100mm未満、理想的にはゼロであることが好ましい。弾性支柱または緩衝器5は、平衡フレーム2の移動を制限して、平衡フレーム2が案内面4から出るのを防ぐ。
[0033] 位置決めシステム10は、H駆動装置と呼ばれることがある。H駆動装置10は、伸長構造、例えば、端または端近くがそれぞれのスライダ12a、12bに取り付けられているXビーム11を含む。スライダ12a、12bは、長方形平衡フレーム2の長辺2a、2bに取り付けられた細長い磁石軌道13a、13bと協働して、Xビーム11にY方向の力を加えるアクチュエータとして作用するリニアモータのアーマチュアを担持する。位置決めされるべき物体、この場合にはウェーハテーブルWTは、Xビーム11上に位置付けされたさらに他のスライダ14によって、XY平面内で駆動される。スライダ12a、12bと同様に、スライダ14は、Xビーム11中に取り付けられた磁石軌道15に逆らって作用してスライダ14をXビームに沿って平行移動させ、したがってウェーハテーブルWTのX方向の位置決めを行うリニアモータのアーマチュアを担持している。スライダ12a、12bの位置を独立に制御することで、Xビーム11と平衡フレームの間の角度を変えることができるようになり、したがって、ウェーハテーブルWTのRz(Z軸のまわりの回転)位置をある範囲内で制御して平衡フレームのどのような偏揺れ移動も補償することができるようになる。この理由のために、また平衡フレームに対して結果的に生じる力のせん断成分によって引き起こされた平衡フレームの歪みのせいで、駆動装置が力を加えるXおよびY方向は、必ずしも正確に直交していない可能性があることが理解されよう。この構成によって、YおよびRz方向の反力は、平衡フレーム2に直接伝えられる。また、スライダ12a、12bは空気軸受16a、16bを担持し、空気軸受16a、16bは、平衡フレーム2に設けられた直立壁21a、21bにもたれて作用して平衡フレーム2にX方向の反力を伝える。X方向の力を伝える一対のスラスト軸受16a、16bの代わりに、例えば、単一予備荷重軸受または対向パッド軸受が、2つの側の一方で使用されることがあるが、これによって、Xビーム11が平衡フレーム2に対して垂直でないときコサイン短縮に関係した問題が回避されるので好ましいことが多い。
[0034] 図示のように、位置決めシステムは、平衡フレームによって、Z方向で、さらにRx、Ry回転に対して支持されている。また、この機能は、位置決めシステムの全体または一部(例えば、ウェーハテーブルWT)に対して案内面4によって、またはベースフレームに対して固定された別個の1つまたは複数の表面によって、またはこれらの組合せによって行われてもよい。
[0035] 細長い磁石軌道13a、13bと共に作用してウェーハテーブルWTをY方向に動かすスライダ12a、12bのリニアモータのアーマチュアによって、Xビーム11は、Y方向に動かされる。リニアモータ、スライダ14およびXビーム11の質量中心点は同じ位置にないので、ウェーハテーブルWTを動かすことで、Xビーム11に振動が生じることがある。この振動は、全ての方向にあることがある。
[0036] 図3は、線AがXビーム11のZ方向の振動を示し、線BがXビーム11の上を滑動するスライダ14の振動を示す。Z方向の振動は、ウェーハテーブルWTを動かすことによって生じる。例えば、50Hzのあたりに、振動に対する感度がある可能性がある。振動は、WTの位置決めの誤りにつながる可能性があり、Xビームをスライダ12a、12bに接続する板バネの摩損を引き起こす可能性があり、および/またはスライダ14へのウェーハテーブルWTの接続の摩損を引き起こす可能性がある。
[0037] 図4は、振動ダンパ、例えば、バネkおよびダンパcで質量Mに接続された質量mを含む同調質量ダンパを示す。Kは、地面に対するXビームのZ方向のスチフネスを表し、MはXビームのモード質量を表す。質量mは、質量Mの振動を減衰させる。
[0038] 図5は、同調質量ダンパによる振動減衰のない状態でのXビームの伝達関数を示す(線Dを参照されたい)。図5は、0.6Kgの質量mの場合、質量Mの50Hzでの振動の大きさ(線Eを参照されたい)が1e−6の質量mの場合(線Dを参照されたい)よりも小さいこと、および0.6Kgの質量mの場合の位相変化が1e−6の質量mの場合に比べてずっと急激でないことを示している。同調質量ダンパは、バネ定数kを変えることによって、ある振動に対して敏感であるように調整することができ、さらに、Xビーム11の振動を減衰させるために使用することができる。50Hzに、Xビームの非常に僅かな減衰固有周波数がある。同調質量ダンパを追加することによって、2つの減衰共振ピークが、この僅かな減衰共振ピークに取って代わる(線Eを参照されたい)。質量比μ=m/Mが振幅減少を決定する。この比が大きいほど、可能な振幅減少は大きくなる可能性がある。しかし、同調質量減衰定数cおよび同調質量ダンパ周波数fが最適であるときにしか、大きな振幅減少は実現されない。この最適周波数は、fopt=1/(1+μ)*fXbeamに等しい。この周波数は、周波数fXbeamでのバネ定数kおよび選ばれた質量mを変えることによって調整することができる(f=1/(2π)√(k/m)。最適減衰は、βopt=√(3μ/(8(1+μ))に等しい。減衰は、周波数fXbeamでの減衰定数cおよび選ばれたmを変えることによって調整することができる(c=2βoptm(2πfXbeam)。
[0039] 図6は、本発明の実施形態に従った、接続65を介して2つの質量63をビームに接続する2つの板バネ61を備える振動ダンパ60、例えば同調質量ダンパを示す。板バネ61は、弾性材料、例えばDu Pont(商標)によって作られたViton(登録商標)の層67を含む。弾性材料の層67は、2つの鋼の層の間にサンドイッチ状に挟まれている。鋼層の厚さおよび長さが、同調質量ダンパの固有周波数をほとんど決定する。Viton(登録商標)の量が減衰を決定し、質量63の振動エネルギーを吸収する。2つの質量63を接続する板バネ61を備える質量ダンパ60の利点は、複数の振動モードが可能であり、各モードが特定の周波数の振動を抑制する特定の最適条件を持っていることである。例えば、両方の質量63がXビーム11と同相で動く48.6Hzの振動モードが可能であり、49.6Hzの他のモードでは、1つの質量がXビーム11と同相で動き、その一方で他方の質量が逆位相で動き、また、両方の質量63がXビーム11と逆位相で動いているモードが52.5Hzで可能である。2つの(または、それ以上の)質量63を接続する板バネ61を備える同調質量ダンパ60の他の利点は、質量の固有周波数に僅かに外れて合わせることで、より広い周波数範囲にわたってXビーム振幅を減少させることができることである。また、同調質量ダンパの固有周波数は、減衰に無関係に調整することができる。鋼層の厚さおよび長さが、固有周波数を決定し、さらに粘弾性材料の量が減衰を決定する。
[0040] 図7は、Xビーム11に取り付けられた質量ダンパ60を示す。質量ダンパ60は、質量63がZ方向で自由に動いてZ方向の振動を吸収することができるように取り付けられる。図8は、ダンパがXビーム11に取り付けられた後のZ方向の振動を示す。スライダ14のZ方向の変位F、およびXビーム11のZ方向の変位Gが示されている。ダンパは、Xビーム11およびスライダ14の振動を8分の1に抑制している(図3を図8と比較)。
[0041] この明細書では、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することがあるが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド、その他の製造などの他の用途がある可能性があることは理解すべきである。当業者は理解することであろうが、そのような他の用途の背景では、本明細書での用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はどれも、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えることができる。本明細書で参照される基板は、例えばトラック(一般にレジスト層を基板に塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで、露光前または後に処理されることがある。応用可能な場合、本明細書の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに利用されることがある。さらに、基板は、例えば多層ICを作るために2回以上処理されることがあるので、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層をすでに含む基板も意味することができる。
[0042] 光リソグラフィの背景で本発明の実施形態の使用について特に上述したかもしれないが、理解されることであろうが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、背景が許す場合、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジスト層の中に押し込まれることがあり、それから、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストから外に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンが残る。
[0043] 本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外線(UV)放射(例えば、または約365、248、193、157または126nmの波長を持っている)および極端紫外線(EUV)放射(例えば、5〜20nmの範囲の波長を持っている)、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めて全ての種類の電磁放射を包含する。
[0044] 用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学コンポーネントを含めて様々な種類の光学コンポーネントのどれか1つまたは組合せを意味することができる。
[0045] 本発明の特定の実施形態を上で説明したが、理解されることであろうが、本発明は説明されたのと違ったやり方で実施される可能性がある。例えば、本発明は、先に開示されたような方法を記述する機械読取可能命令の1つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されたデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク)の形を取ることがある。
[0046] 上述の説明は、例示であり制限しない意図である。したがって、当業者には明らかなことであろうが、以下で明らかにされる特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明されたような本発明に修正が加えられることがある。

Claims (10)

  1. 放射ビームを条件付けするように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターニング付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記パターニング付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    はりを介してリソグラフィ装置の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータと
    を備え、
    前記はりが、当該はり中の振動を減衰させるように構成され且つ板バネおよび該板バネに接続された弾性材料からなるダンパを介して前記はりに取り付けられた質量を備える振動ダンパを含
    前記弾性材料が、前記板バネの2つの鋼板の間に挟まれている、
    リソグラフィ装置。
  2. 前記一部が、前記サポートまたは前記基板テーブルである、
    請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記アクチュエータが、前記はりを介して前記一部に力を加えるように構成されたリニアモータを備える、
    請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記弾性材料が、Viton(登録商標)を備える、
    請求項1乃至3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記振動ダンパが、前記質量を少なくとも2つ備える、
    請求項1乃至4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記少なくとも2つの質量は、一方の質量および他方の質量の両方が前記はりと同位相で動く振動モード、前記一方の質量が前記はりと同位相で動き且つ前記他方の質量が前記はりと逆位相で動く振動モード、および、前記一方の質量および前記他方の質量の両方が前記はりと逆位相で動く振動モードを有する、
    請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  7. 放射感応性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を基板テーブル上に供給するステップと、
    パターニングデバイスをサポート上に供給するステップと、
    パターニング付き放射ビームを放射感応性材料の前記層の上へ投影するステップと、
    はりを介してアクチュエータを用いて前記基板テーブル、前記サポートまたは両方に力を加えるステップと、
    前記はり中の振動を減衰させるように構成され且つ板バネおよび該板バネに接続された弾性材料からなるダンパを介して前記はりに取り付けられた質量を備える振動ダンパを用いて前記はりの振動を実質的に抑制するステップと
    を含
    前記弾性材料を、前記板バネの2つの鋼板の間に挟んで用いる、
    デバイス製造方法。
  8. 前記基板上の感応性材料の前記層を現像するステップと、
    前記現像された基板からデバイスを製造するステップと
    を含む、
    請求項に記載の方法。
  9. 前記振動ダンパとして、前記質量を少なくとも2つ備えるものを用いる、
    請求項7または8に記載の方法。
  10. 前記少なくとも2つの質量を、一方の質量および他方の質量の両方が前記はりと同位相で動く振動モード、前記一方の質量が前記はりと同位相で動き且つ前記他方の質量が前記はりと逆位相で動く振動モード、および、前記一方の質量および前記他方の質量の両方が前記はりと逆位相で動く振動モードのうちのいずれかの振動モードで振動させる、
    請求項9に記載の方法。
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