JP2002246304A - 走査露光装置及び走査露光方法並びにデバイスの製造方法 - Google Patents

走査露光装置及び走査露光方法並びにデバイスの製造方法

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exposure
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scanning
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70216—Mask projection systems
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
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    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original

Abstract

(57)【要約】 【課題】移動標準偏差のばらつきを評価し、これを利用
する装置及び方法を提供する。 【解決手段】レチクルステージとウエハステージとを所
定の速度比率で移動させながらスリット状の露光光でレ
チクルパターンをウエハに転写する走査露光装置であっ
て、レチクルステージとウエハステージとの同期偏差を
計測する計測システム２１１と、計測システム２１１に
よって計測された複数の同期偏差に基づいて、ウエハ上
の複数の点に各々対応する複数の移動標準偏差（ＭＳ
Ｄ）のばらつきを演算する同期精度指標演算器２１６と
を有し、演算結果に基づいて露光ジョブを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査露光装置及び
走査露光方法並びにデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査露光中におけるレチクルとウエハと
の位置ずれが転写像に与える影響は、その相対ずれ量の
変動周期に依存する。露光対象のウエハ上の任意の一点
を露光スリット（スリット状の露光光）が通過する間に
おけるレチクルとウエハとの平均的なずれの成分は移動
平均(MA)と呼ばれ、所望の位置からのレチクル像の転写
位置のずれ量に相当する。一方、ウエハ上の任意の一点
を露光スリットが通過する間に振動した成分すなわち比
較的振動周期の短い成分は、偏差量の分散、或いは移動
標準偏差(MSD)の尺度で表現され、ステージ制御誤差に
起因するレチクルパターンの転写像の半影（ぼけ）量に
相当する。移動平均、移動標準偏差とも小さい方が望ま
しいが、これらの値を数値的な評価尺度として提供する
ことも重要なことである。
【０００３】従来は、ショット内の移動平均や移動標準
偏差をモニタし、プロダクションのロット不良要因を解
析する指標として利用していた。具体的には、ショット
ごとの移動平均絶対量の最悪値、及び、ショットごとの
移動標準偏差の最大値を露光結果のログとして保存し、
これを検査工程で不良とされたショットと対比すること
により、歩留まりの低下要因を追跡することができる。
また、移動平均や移動標準偏差の上限値を予め決めてお
き、走査露光時にこれを上まわる場合はそれ以上の不良
ロットを発生させる前に露光装置を停止させてオーバー
ホールすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３は、走査露光中の
移動標準偏差(MSD)とCD(Critical dimension)値との関
係をシミュレーションした結果を示すグラフである。MS
D=0の位置におけるCD値との差分がMSDに依存する線幅の
細りである。MSDが大きいと半影量が大きくなり、転写
線幅が細くなる。
【０００５】ウエハ上のレチクルパターン転写像の線幅
ばらつきは、集積回路の性能を表す重要なファクターで
ある。この線幅ばらつきは、移動標準偏差(MSD)のばら
つきに相当する。従来例としては、MSD及びMAの値を逐
次計算する方法があるが、MSDのばらつきを評価し、そ
の評価結果を利用する装置も方法も提案されていない。
【０００６】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、移動標準偏差のばらつきを評価し、
これを利用する装置及び方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面は、
原版を保持した原版ステージと基板を保持した基板ステ
ージとを所定の速度比率で移動させながらスリット状の
露光光で該原版のパターンを該基板に転写する走査露光
装置に関する。この走査露光装置は、前記原版ステージ
と前記基板ステージとの同期偏差を計測する計測手段
と、前記計測手段によって計測された複数の同期偏差に
基づいて、前記ウエハ上の複数の点に各々対応する複数
の移動標準偏差のばらつきを演算する演算手段と、前記
演算手段による演算結果に基づいて露光ジョブを制御す
る制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段によって演算された複数の移
動標準偏差のばらつきが所定基準を満たすか否かを判定
する判定手段を有し、前記判定手段による判定結果に基
づいて露光ジョブを制御することが好ましい。
【０００９】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
演算手段は、複数の移動標準偏差のばらつきとして、χ
２分布における所定の信頼限界値としての最大値及び最
小値を演算することが好ましい。ここで、前記制御手段
は、前記最大値及び最小値が各々対応する所定基準を満
たすか否かを判定する判定手段を有し、前記判定手段に
よる判定結果に基づいて露光ジョブを制御することが好
ましい。或いは、前記制御手段は、前記最大値と前記最
小値との差分が所定基準を満たすか否かを判定する判定
手段を有し、前記判定手段による判定結果に基づいて露
光ジョブを制御することが好ましい。前記制御手段は、
前記最大値と前記最小値との平均値が所定基準を満たす
か否かを判定する判定手段を有し、前記判定手段による
判定結果に基づいて露光ジョブを制御することが好まし
い。或いは、前記制御手段は、前記最大値と前記最小値
との差分及び前記最大値と前記最小値との平均値が各々
所定基準を満たすか否かを判定する判定手段を有し、前
記判定手段による判定結果に基づいて露光ジョブを制御
することが好ましい。
【００１０】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
演算手段は、複数の移動標準偏差のばらつきとして、前
記基板に転写された像のコントラスト値及びコントラス
ト変動の少なくとも一方を演算することが好ましい。
【００１１】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段によって演算された複数の移
動標準偏差のばらつきが所定基準を満たすように以降の
露光ジョブを制御することが好ましい。
【００１２】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、過去に得られた複数の移動標準偏差のばら
つきに基づいて、以降の露光ジョブにおいて複数の移動
標準偏差のばらつきが前記所定基準を満たすように該以
降の露光ジョブを制御することが好ましい。ここで、前
記制御手段は、前記原版ステージ及び前記基板ステージ
が加速された後、等速度走向を開始してから露光が開始
されるまでのセトリング時間を調整する調整手段を有
し、該セトリング時間を調整することにより、以降の露
光ジョブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記
所定基準を満たすように該以降の露光ジョブを制御する
ことが好ましい。或いは、前記制御手段は、前記原版ス
テージ及び前記基板ステージの移動速度を調整する調整
手段を有し、該移動速度を調整することにより、以降の
露光ジョブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前
記所定基準を満たすように該以降の露光ジョブを制御す
ることが好ましい。或いは、前記制御手段は、前記基板
の複数のショットの露光順序を調整する調整手段を有
し、該露光順序を調整することにより、以降の露光ジョ
ブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記所定基
準を満たすように該以降の露光ジョブを制御することが
好ましい。或いは、前記制御手段は、前記原版ステージ
及び前記基板ステージの少なくとも一方に振動を印可す
る印可手段と、該振動の振幅を調整する調整手段とを有
し、該振動の振幅を調整することにより、以降の露光ジ
ョブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記所定
基準を満たすように該以降の露光ジョブを制御すること
が好ましい。
【００１３】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
演算手段は、前記基板上の複数のショットごとに複数の
移動標準偏差のばらつきを演算することが好ましい。
【００１４】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段による演算結果に基づいて所
定のメッセージを出力する手段を有することが好まし
い。
【００１５】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段による演算結果及び／又は該
演算結果に基づく制御の履歴を記録する手段を有するこ
とが好ましい。
【００１６】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段による演算結果及び／又は該
演算結果に基づく制御の履歴を外部装置に転送する手段
を有することが好ましい。
【００１７】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、前記演算手段による演算結果に基づいて、
露光ジョブを停止させる手段を有することが好ましい。
【００１８】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御手段は、各基板の露光において、前記演算手段によ
る演算結果に基づいて不具合があったと判定されるショ
ットが所定数を上まわったか否かを判定する不具合ショ
ット数判定手段を有し、前記不具合ショット数判定手段
による判定結果に基づいて露光ジョブを制御することが
好ましい。
【００１９】本発明の第２の側面は、原版を保持した原
版ステージと基板を保持した基板ステージとを所定の速
度比率で移動させながらスリット状の露光光で該原版の
パターンを該基板に転写する走査露光方法に関する。こ
の走査露光方法は、前記原版ステージと前記基板ステー
ジとの同期偏差を計測する計測工程と、前記計測工程で
計測された複数の同期偏差に基づいて、前記ウエハ上の
複数の点に各々対応する複数の移動標準偏差のばらつき
を演算する演算工程と、前記演算工程で演算された算結
果に基づいて露光ジョブを制御する制御工程とを含むこ
とを特徴とする。
【００２０】本発明の第３の側面は、デバイスの製造方
法に係り、上記の走査露光装置を含む複数の半導体製造
装置を工場に設置する工程と、前記複数の半導体製造装
置を用いて半導体デバイスを製造する工程とを含むこと
を特徴とする。本発明の好適な実施の形態によれば、こ
の製造方法は、前記複数の半導体製造装置をローカルエ
リアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリ
アネットワークと前記工場外の外部ネットワークとを接
続する工程と、前記ローカルエリアネットワーク及び前
記外部ネットワークを利用して、前記外部ネットワーク
上のデータベースから前記走査露光装置に関する情報を
取得する工程と、取得した情報に基づいて前記走査露光
装置を制御する工程とを更に含むことが好ましい。
【００２１】本発明の第４の側面は、半導体製造工場に
係り、上記の走査露光装置を含む複数の半導体製造装置
と、前記複数の半導体製造装置を接続するローカルエリ
アネットワークと、前記ローカルエリアネットワークと
前記半導体製造工場外の外部ネットワークとを接続する
ゲートウェイとを備えることを特徴とする。
【００２２】本発明の第５の側面は、走査露光装置の保
守方法に係り、上記の走査露光装置が設置された工場外
の外部ネットワーク上に、該走査露光装置の保守に関す
る情報を蓄積するデータベースを準備する工程と、前記
工場内のローカルエリアネットワークに前記走査露光装
置を接続する工程と、前記外部ネットワーク及び前記ロ
ーカルエリアネットワークを利用して、前記データベー
スに蓄積された情報に基づいて前記走査露光装置を保守
する工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施の形態によれ
ば、１ショットの露光中のレチクルステージ（原版ステ
ージ）とウエハステージ（基板ステージ）との間の複数
の同期誤差データを演算処理することにより、ステージ
要因の線幅ばらつき量に相当する露光中の移動標準偏差
(MSD)のばらつき量を求める。そして、移動標準偏差(MS
D)のばらつき量が予め定められたレベル内に維持されて
いるか否かを監視し、移動標準偏差(MSD)のばらつき量
が該レベルを越えた場合に露光動作を停止させることに
より、規定量以上の線幅変動が発生する大量に発生する
ことを未然に防止する。また、本発明の好適な実施の形
態によれば、移動標準偏差(MSD)のばらつき量が大きい
ショットを複数のウエハについての観察し、ばらつきが
大きい位置のショットに関しては、例えば、スキャン速
度を遅くしたり、スキャン露光に移行する前のセトリン
グ時間（或いは、それに相当する走行距離）を延ばした
り、もしくは意図的な振動を加えることにより線幅ばら
つきの均一化を図る。
【００２４】以下、添付図面を参照しながら本発明の好
適な実施の形態をより詳細に説明する。
【００２５】図１は、本発明の好適な実施の形態の走査
露光装置の概略構成を示す図である。エキシマレーザー
等の光源から出力された露光光は、第一コンデンサレン
ズ群２を経由してスリット４に達する。スリット４は、
露光光をＺ軸方向に７mm程度の幅を有するスリット状の
ビームに絞る他、Ｚ軸方向に積分した照度がＸ軸方向の
所定範囲にわたって均一になるように調整する。マスキ
ングブレード１は、レチクルステージ（原版ステージ）
５とウエハステージ（基板ステージ）１６をスキャンさ
せて露光する際に、レチクル（原版）６のパターン描画
画角の端に追従して移動する。マスキングブレード１
は、レチクル６のパターンの転写が終了してレチクルス
テージ５が減速している間に、レチクル６の光透過部に
露光光が当たってウエハ（基板）２１上に投光されるこ
とを防止する。マスキングブレード１を通過した露光光
は、第二コンデンサレンズ群３を経由してレチクルステ
ージ５上のレチクル６に照射される。レチクル６のパタ
ーンを通過した露光光は、投影レンズ１１を経由して露
光スリット（スリット状の露光光）としてウエハ２１に
至り、該ウエハ２１の表面近傍にレチクルパターンの結
像面を形成する。投影レンズ１１内には、ＮＡ絞り１２
が設けられており、これにより露光時の照明モードを変
更することができる。
【００２６】１次元方向に移動可能なＴＴＬスコープ８
は、該ＴＴＬスコープの絶対位置基準を基準として、レ
チクル６上及びウエハ２１又はウエハステージ１６上の
基準マーク１９に形成されたアライメントマークのX,
Y, Z 軸方向の位置を計測する。リレーレンズ７は、Ｔ
ＴＬスコープ８のフォーカスを調整するために使用され
る。アライメントマークのフォーカスが最も合っている
状態でのリレーレンズ７の位置を参照することにより、
検出対象物のフォーカス（Ｚ軸方向の位置）を計測する
ことができる。図１では、作図の便宜上、２基のＴＴＬ
スコープ８がＹ方向に沿って配置されているが、実際に
はこれらのＸ方向にも更に１基のＴＴＬスコープが配置
されている。この配置により、レチクルアライメントマ
ークとウエハ２１上又はウエハステージ１６上の基準マ
ーク１９との間のωx,ωy 方向の傾きを計測することが
できる。図１中に記載されたＴＴＬスコープ８は、画角
中心方向（Ｙ軸方向）への駆動が可能である。
【００２７】レチクルステージ５は、３つのレチクルレ
ーザー干渉計１０によってＸ、Ｙ、θ方向に制御され
る。図１では、１つのレチクルレーザー干渉計１０のみ
が記載されているが、実際には、Ｙ軸に沿って２つ、そ
れらのＸ軸方向に１つのレーザー干渉計１０が配置され
ている。レチクルステージ５は、鏡筒定盤１３上に設け
られたガイドに沿ってＸ、Ｙ、θ方向に移動可能であ
る。レチクルステージ５は、Ｙ軸に関しては、ウエハス
テージ１６と同期して移動しながらスキャン露光を実行
する長ストロークにわたって移動可能であり、Ｘ、θ軸
に関しては、レチクルステージ５にレチクル６を吸着さ
せた際の誤差を解消できれば十分なため、微少範囲での
み移動可能である。この露光装置は、レチクルステージ
５を駆動した際の反力がベースプレート１８と剛につな
がっている不図示の反力吸収装置に逃がされる構造を有
し、駆動の反動による鏡筒定盤１３の揺れは発生しな
い。レチクルステージ５上にはレチクル基準プレート９
が搭載されており、ＴＴＬスコープ８によって観察でき
るマークがプレート上に描画されている。
【００２８】フォーカス検出器１４は、投影レンズ１１
を介することなく、ウエハステージ１６上に搭載された
ウエハ２１又は基準マーク１９のＺ、ωx、ωy 方向の
位置をマークの有無にかかわらず、高速に計測する。レ
チクルステージ５とウエハステージ１６を同期スキャン
させながら露光を行う際のフォーカス計測にはこのフォ
ーカス検出器１４が用いられる。フォーカス計測器１４
は、計測精度の長期安定性を保証するために、ウエハス
テージ１６上の基準マーク１９をＴＴＬスコープ８によ
って計測した結果と、フォーカス計測器１４で計測した
結果とを比較することにより自己キャリブレーションを
行う。
【００２９】オフアクシススコープ２０は、一眼による
フォーカス計測機能とＸＹ方向のアライメント誤差計測
機能を持っている。通常の量産ジョブにおいてウエハを
アライメントする際には、このオフアクシススコープ２
０においてグローバルチルト計測兼グローバルアライメ
ント計測を行う。グローバルチルト補正量とグローバル
アライメント補正量は、ウエハの露光エリアが投影レン
ズ１１の下に位置するようにウエハステージ１６をステ
ップさせる際に一括して行われる。
【００３０】鏡筒定盤１３は、この露光装置の高精度な
計測器を取り付ける基台になっている。鏡筒定盤１３
は、床の上に直接置かれたベースプレート１８に対し微
少量上方に浮上した状態で位置決めされている。先に説
明したフォーカス検出器１４及びＴＴＬスコープ８は鏡
筒定盤１３に取り付けられているので、これらの計測器
の計測値は結果的に鏡筒定盤からの相対的な距離を計測
していることになる。定盤間干渉計１５は、鏡筒定盤１
３とステージ定盤１７との相対的な位置関係を計測す
る。この実施の形態では、定盤間干渉計１５による計測
結果とウエハステージ１６に実装されている不図示の３
軸のＺセンサーによる計測結果の和が、上位シーケンス
から指令される目標値に一致するように制御を行うこと
により、ウエハステージ１６上のウエハ２１が、鏡筒定
盤１３に対して、フォーカス方向において上位シーケン
スから指定される目標値に一致するように維持される。
ウエハステージ干渉計２２は、レチクルステージ５につ
いての干渉計と同様に３つ配置され、ウエハステージ１
６のＸ、Ｙ、θ方向の制御に利用される。
【００３１】ステージ定盤１７は、ベースプレート１８
から、鏡筒定盤１３と同様に、微少量浮上して位置決め
されている。ステージ定盤１７は、床からベースプレー
ト１８を経由してウエハステージ１６に伝達される振動
を取り除く機能と、ウエハステージ１６を駆動したとき
の反力をなまらせてベースプレート１８に逃がす機能を
兼ねている。ウエハステージ１６は、ステージ定盤１７
の上に微少距離浮上して搭載されている。
【００３２】図２は、図１に示す走査露光装置のウエハ
ステージ１６及びレチクルステージ５を制御するコント
ローラの構成、並びに、計測結果及び演算結果等に関す
る数値情報の流れを示すブロック図である。図２に示す
演算処理は、露光装置の制御システム（不図示）の基準
クロック（サーボクロック）の各サイクルで繰り返して
実行される。このような機構は、例えば、タイマー割り
込みによって起動されるハンドラルーチンにこれらの処
理を組み込むことによって実現され得る。
【００３３】レチクルステージ５の座標は、Ｘ、Ｙ、θ
軸に関してレチクルレーザー干渉計１０によって計測さ
れ、計測結果である測長信号は、レチクル測長ユニット
２０１において、積算された位置信号としてカウントさ
れる。レチクルステージプロファイラ２０２は、レチク
ルステージ５をスキャン駆動する際の目標位置を一定サ
ーボクロック間隔で生成する。この目標位置と現在位置
であるレチクル測長ユニット２０１の出力との差分が差
分演算器２０９によって演算され、レチクルステージ５
の位置とその目標位置とのずれを示すレチクル偏差２１
３として出力される。レチクル偏差２１３は、レチクル
ステージ制御補償器２０３によってサーボ演算されてレ
チクルステージ５の駆動ユニット（不図示）に提供する
操作量２０７となる。
【００３４】ウエハステージ１６の座標は、Ｘ、Ｙ、θ
軸及びωｘ、ωｙ軸に関してレーザー干渉計１１によっ
て計測され、計測結果である測長信号は、ウエハ測長ユ
ニット２０４において、積算された位置信号としてカウ
ントされる。ウエハステージプロファイラ２０５は、ウ
エハステージ１６をスキャン駆動する際の目標位置を一
定サーボクロック間隔で生成する。レチクルステージ５
とウエハステージ１６とを同期スキャンする際にレチク
ルステージプロファイラ２０２とウエハステージプロフ
ァイラ２０５が生成する走査方向に関する駆動目標値の
速度比率は、投影レンズ１１の投影比率に一致する。ウ
エハステージプロファイラ２０５が生成する目標位置と
現在位置であるウエハ測長ユニット２０４の出力との差
分が差分演算器２１０によって演算され、ウエハステー
ジ１６とその目標位置とのずれを示すウエハ偏差２１４
として出力される。
【００３５】レチクル偏差２１３とウエハ偏差２１４
は、さらに差分演算器２１１でその差分を演算され、レ
チクルステージ５とウエハステージ１６との同期偏差２
１２として出力される。ウエハ偏差２１４は、ウエハス
テージ制御補償器２０６によってサーボ演算され、ウエ
ハステージ１６の駆動ユニット（不図示）の操作量２０
８となる。同期偏差２１２は、レチクル像がウエハ上に
投影される際の所望の位置からのずれ量に相当する。同
期偏差を極力解消するために、レチクルステージ制御補
償器２０３は、ウエハステージ１６に比較して質量の低
いレチクルステージ５を補正駆動する。同期偏差２１２
は、サーボクロックのサイクルごとに検出することが可
能であり、走査露光中の同期偏差２１２に対して、逐
次、スリット幅内で、平均化処理や変動量の２乗平均処
理を実行することにより、移動平均(MA)及び移動標準偏
差(MSD)を算出することができる。露光中の任意のスリ
ット位置における移動平均(MA)及び移動標準偏差(MSD)
は、第１同期精度指標演算器２１５において後述の計算
式に従って露光中のサーボクロック数（N）だけ演算さ
れる。ウエハ中の１ショット又は複数ショットの露光期
間中の複数点(N)の同期偏差又はそれらの標準偏差は、
該当ショットの露光処理が終了した後に第２同期精度指
標演算器２１４に転送されて、ここで移動標準偏差(MS
D)のばらつきが演算され、例えば３σに相当する99.7%
の尤度で判断した信頼限界値としての上限(MSDU)及び下
限(MSDL)が出力される。
【００３６】走査露光中の同期精度は、露光スリットが
ウエハ上のある一点を通過する間の同期偏差の平均値で
ある移動平均(MA)と、当該通過する間の同期偏差の標準
偏差(MSD)で表現することが一般的である。MAとMSDの値
は、露光中にサーボクロックのサイクルごとに検出する
ことが可能であり、結果として１ショットを走査露光す
る事によって複数個の計測結果が得られる。この計測結
果は、例えばサーボクロックが4[kHz]で、210[mm/sec]
で26×33mmの画角をスキャンした場合で約140サンプル
となり、従来は、これらの数値に最大・最小値検出や平
均化などの処理を施した結果を装置性能の評価尺度とし
て用いている。ステッパーの評価方法を承継した慣例的
な評価方法においては、装置性能は、ショット内におけ
る同期偏差の標準偏差(3σ)と移動平均(MA)の最悪値(m)
との和(m+3σ)で評価されている。しかし、この従来の
評価方法は、最悪ケースでの重ね合わせ精度を保証する
指標であるものの、装置性能を示す指標として十分では
ない。例えば、移動平均(MA)が大きいときは、偏差分布
はMA近傍にあるが故に、-(m+3σ)近傍にはほとんど偏差
は分布しないことから、装置の性能を必要以上に低く見
込んでいることになる。また、スキャナーに関して、MA
/ MSD の最大値を規格値とする評価方法がある。しか
し、この評価方法では、試料ウエハの局所的な汚れやウ
エハ端面における厚み変動が原因で異常値を発生するこ
とがあり、このような比較的希な現象のために規格値を
絞ることができないという欠点がある。
【００３７】スキャン露光中における同期誤差の分布
は、おおよそ正規分布に近い分布形状をとることが実験
的に観察されている。正規分布であることを前提とする
ことで求められた移動標準偏差(MSD)は、露光中のステ
ージ要因の半影領域の幅を表し、線幅の細りを示す尺度
となっている。MSDは、ステージの加速が終わってから
スキャン露光に移行するまでのセトリング時間が短いと
悪化し、セトリング時間はその直前のステージの駆動プ
ロファイルの形状の影響を受ける。すなわち、ショット
レイアウトや露光順序が変更されることによってMSDの
値は変動する可能性がある。また、スキャン露光中は、
フォーカスとチルト（ωｘ、ωｙ）方向のウエハ表面追
従が行われ、これにより外乱が入り、同期精度を悪化さ
せる。すなわち、ウエハやウエハチャックの表面状態は
MSDを悪化もしくは変動させる要因となっている。
【００３８】MSDの変動は、ステージ制御要因の露光線
幅のばらつきに相当する。露光線幅ばらつきは、生産す
る半導体素子の性能、ひいては歩留まりを左右する重要
なファクターである。これを抑えることが重要な課題で
あり、数値的な指標で表現する方法が必要とされてい
る。従って、MSDのばらつきは、走査露光装置で絶対的
な精度指標として追求するべき重要な評価尺度となる。
この尺度を得るには「ショット内の移動標準偏差(MSD)
の平均値とばらつき」を数値で表現する方法が必要であ
る。そのような表現方法は、移動標準偏差に関する装置
の基本性能を表すためのより的確な評価指標と言える。
【００３９】スリット内移動平均(MA)及びスリット内移
動標準偏差(MSD)は、次の関係式で制御システムのサー
ボクロックのサンプルレートで求められる。1ショット
の露光で得られるMA及びMSDの値は、スキャン速度に依
存するが、210[mm/sec]のスキャン速度でY方向33[mm]の
ショットを露光した場合で約760対のデータが得られ
る。移動平均(MA)は、露光スリットによる露光中のレチ
クル像の転写位置のずれ量を表す指標となる。ここで、
各ステージには積分制御がかかっているので、１ショッ
ト分程度の時間内の複数点の移動平均(MA)の平均は概ね
０である。移動標準偏差(MSD)は、レチクル転写像のス
テージ要因による半影量（ぼけ）を示す指標であり、二
乗平均の平方根であることから常に正の値をとる。
【００４０】
【数１】 ε(y):走査位置y(=Y-D/2+kVT)における偏差量 MA(Y):走査位置Yにおける移動平均値 Y:走査位置 D:スリット幅(一般的に7.5[mm]程度) V:走査速度 T:サンプルクロックレート(ここでは、250[μsec/sampl
e]) N =int( D / VT ):スリット内のサンプルクロック数 目的である「ショット内の移動標準偏差の平均値とばら
つき」を求めるには、移動標準偏差MSD(Y)の標本群の分
布形を求めることが必要である。移動標準偏差MSD(Y)の
ばらつきは、「複数個（Ｎ）の同期誤差（ε（Ｙ−Ｄ／
２＋ｋＶＴ）−ＭＡ（Ｙ））の２乗平均の平方根」の分
布を意味する。この分布は正規分布ではない特殊な分布
形を呈するため、サンプル数分の移動標準偏差(MSD)の
標準偏差を求めてその3σからショット内移動標準偏差
のばらつきを求めることは誤りである。そこで、いまま
で慣習的に用いられてきた3σの意味するところの99.7%
の上下方向の信頼限界量を独自に推定する必要がある。
【００４１】正規分布をする標本群から複数個のサンプ
ルを抽出すると、そのサンプルの２乗和の確率密度分布
はχ2（カイ２乗）分布と呼ばれる分布を呈することが
知られている。このχ2分布のプロファイルに移動標準
偏差MSD(Y)の分布を適合させることによって移動標準偏
差MSD(Y)のばらつき幅を推定することができる。
【００４２】移動標準偏差MSD(Y)の分布は、厳密にはχ
2分布とはならない。しかし、次の２点の割り切りをお
こなうことで、これをχ2分布とみなして検討を進める
ことができる。 （１）MA(Y)= 0、すなわち移動標準偏差の演算に用いる
移動平均値は常に０である。 （２）ε(y) は、露光スリット内の連続したサンプル点
の集合ではなく、露光ショット内の任意の点からの無作
為抽出(==εk)である。
【００４３】どちらの前提も移動標準偏差MSD(Y)のばら
つきを大きい方向に見積もる要素であるので安全な方向
である。上記割り切りによって、移動標準偏差MSD(Y)
は、Ｙの関数ではなくなり次のように簡素化される。
【００４４】
【数２】 また、各ステージの同期偏差の確率分布は正規分布であ
るという前提から、次のように表現される。
【００４５】
【数３】 確率変数zを式(5)のように定義すると、確率密度分布PN
(z)はχ2分布に従う。μ０はショット内の偏差量の平均
なので、通常の露光を行っている際には低周波成分の偏
差はほぼ0になるので、これを0とみなす。
【００４６】
【数４】 規格化された正規分布N(0,1)に属するN個の標本の二乗
和はχ2分布に従い、そのプロファイルは(6)式の関係で
表現される。χ2分布の平均値はN（自由度）であり、N
が大きいほど分布のピークはNに近くなる。
【００４７】
【数５】 PN(z)は、自由度Nに依存してプロファイル形状が異な
る。Nはウエハ上の１点を露光スリットが通過する間の
偏差標本数に相当し、スキャン速度が異なると偏差標本
数も異なることから、PN(Z)の形状もスキャン速度に応
じて変化することを意味する。自由度が240以上の場
合、long書式の浮動小数点表現(10-308〜 103 08)ではオ
ーバーフローしてプロファイルが求められないので、比
較的大きな自由度の場合には漸化式を使ってプロファイ
ルを求める。ガンマ関数は(7)式の性質を持っているこ
とから(6)式を変形して漸化式を求める。
【００４８】
【数６】 式(8)から、P239(z),P240(z)を予め求めておくことによ
って、それ以降の自由度のプロファイルを段階的に求め
ていくことができる。すなわち、Nが奇数の場合はP
239(z)からPN(z)を順次求めることができ、Nが偶数の場
合はP240(z)からPN(z)を順次求めることができる。P
N(z)の形状から、χ2分布におけるzに関して3σのレー
トに匹敵する99.73%の標本が分布する領域の上限と下限
を求めるには、実際に(9)式、(10)式における定積分を
行って積分を開始する値を探索していけばよい。
【００４９】χ2分布(N=300)は、図４のような形状を示
す。ここで、99.73%尤度で仕切られる上方の信頼限界を
(MSDU=) N*kuとし、下方の信頼限界値を(MSDL=) N*kdと
定義すると、上方限界(N*ku)から無限大の積分値と０か
ら下方限界(N*kd)までの積分値の和は0.27%になるはず
である。確率密度分布は厳密には左右対称ではないが、
上方限界及び下方限界より先の部分に均等な確率を割り
振るものとする。
【００５０】上記のような条件をまとめると、以下(9)
(10)の関係式を満たす必要がある。
【００５１】
【数７】 図５は、上記定積分を満たすku, kdを自由度Nを変数と
して様々な自由度で求めたものである。自由度が大きく
なると二乗和の分布するレンジが狭くなる傾向があるこ
とが分かる。また、ショット内の標準偏差が同じでサー
ボクロックレートが高いと、Nが大きいのでku,kdは小さ
い方向に見積もられる。
【００５２】一方、求めるべき移動標準偏差(MSD)とzの
値の関係を確認すると、次のような関係になる。
【００５３】
【数８】 (10)式の関係よりzをku,kdに読み替えることによって、
ショット全体における同期偏差εkの標準偏差からMSDの
信頼限界値の上限下限を求めることができる。図６は、
この関係から走査速度ごとの移動標準偏差(MSD)のばら
つきの割合を求めてプロットしたものである。
【００５４】図６のグラフ形状から、同じMSDの値に対
して走査速度が大きい（この場合、スリット内サンプル
数が少ない）とMSDのばらつきが大きく、走査速度が低
いとMSDのばらつきが小さいことが分かる。図６の関係
は、規格化N(0,1)されたステージの位置偏差標本に対す
るものなので、上記走査速度VとFku(V)=sqrt(ku(V)),Ff
d(V)=sqrt(kd(V))の値の関係を予め計算されたテーブル
として保持する事によって使い回すことができる。すな
わち、入力として露光スリット内のサーボクロックのサ
ンプル数、及び、ショット内の複数点でサンプリングさ
れた同期偏差の標準偏差値があれば、ショット内におけ
る移動標準偏差(MSD)の分布の上限（最大値）と下限
（最小値）は、図６からku,kdの値を読みとることによ
って簡単に求めることができる。例えば、走査速度300
[mm/Sec]でスキャン露光したときのショット内の全体に
おける同期偏差の標準偏差が20 [nm] であった場合、N=
100となり、移動標準偏差(MSD)は、(MSDL=) sqrt(kd)*2
0 = 15.82 [nm] から(MSDU=)sqrt(ku)*20 = 24.32 [nm]
の間に 99.7% が分布している。
【００５５】ショット内の全体の複数点でサンプリング
された同期偏差の標準偏差とFku(V), Fkd(V)に基づいて
移動標準偏差(MSD)の分布の上限と下限を求める演算
は、１ショットごと若しくは複数ショットごと又は１ウ
エハ内のイベントに従って行えばよい。この演算は、図
２に示す第２同期精度指標演算器２１４で行われる。第
２同期精度指標演算器２１４には、図６に示す関数が保
持されている。なお、第１同期精度指標演算器２１３
は、前述のように、サーボクロックごとに演算を行う。
【００５６】図７は、本発明の好適な実施の形態に係る
図１に示す走査露光装置における１枚あたりのウエハの
処理に関する露光シーケンスの一例である。露光ジョブ
が開始されると、まず、ステップＳ７０１で、ウエハを
ウエハステージ１６上にロードし、アライメント計測工
程を実行する。次いで、ステップＳ７０２で、露光ジョ
ブの中で指定された順番に従って、アライメント計測結
果に対応するアライメント補正量でステージ送り位置を
補正しながら露光対象の１ショットを露光する。この
際、図２に示すコントローラのデバイス２０１〜２０
６、２０９〜２１１等によりウエハステージ１６及びレ
チクルステージ５が制御されると共に、第１同期精度指
標演算器２１５により当該ショット内の複数点について
移動平均(MA)及び移動標準偏差(MSD)がサーボクロック
のサンプルレートで演算される。また、当該ショットの
露光期間中の複数点の同期偏差又はそれらの標準偏差
は、当該ショットの露光処理が終了した後に第２同期精
度指標演算器２１４に転送される。
【００５７】次いで、ステップＳ７０３で、第２同期精
度指標演算器２１６は、当該ショットの露光期間中の複
数点の同期偏差の標準偏差を演算しその演算結果に基づ
いて、又は、第１同期精度指標演算器２１５から転送さ
れた標準偏差に基づいて、当該ショットにおける移動標
準偏差(MSD)のばらつきとして、移動標準偏差(MSD)の上
限値(MSDU)と下限値(MSDL)を演算する。この工程で、移
動標準偏差(MSD)の最悪値や平均値も併せて演算しても
よい。ここで、半導体生産工程の歩留まりの解析のため
に、上記値を表示するかもしくはオンラインデータとし
て不図示のホストコンピュータに転送したりログファイ
ルに残したりすることが好ましい。
【００５８】次いで、ステップＳ７０４で、第２同期精
度指標演算器２１６で演算されたMSDU及びMSDLが予め設
定された判定基準（許容値）を満たしているか否かを判
断し、満たしていればステップＳ７０９に進み、満たし
ていなければステップＳ７０５に進む。ここで、判定基
準（許容値）としては、例えば、１）移動標準偏差の下
限値及び上限値そのものを採用してもよいし、２）設計
上のコントラスト値(MSDU+MSDL)/2)及び線幅変動（すな
わちコントラスト変動）の許容値（MSDU-MSDL）の少な
くとも一方を採用してもよい。この場合、第２同期精度
指標演算器２１６で演算されたMSDU及びMSDLに基づいて
コントラスト値及び／又はコントラスト変動とを演算
し、これらを判定基準としてのコントラスト値及び／又
はコントラスト変動と比較すればよい。この方法は、直
感的な理解が容易であるという利点がある。
【００５９】ステップＳ７０９では、全ショットの露光
を終えたか否かを判断し、未露光のショットがあればス
テップＳ７０２に戻り、全ショットの露光を終えていれ
ば一連の処理を終了する。
【００６０】ステップＳ７０４においてMSDU及びMSDLが
予め設定された判定基準（許容値）を満たしていないと
判断した場合（すなわちエラーが発生したと判断した場
合）、ステップＳ７０５で、線幅変動が所定基準を満た
していない旨の警告メッセージを不図示のマンマシンイ
ンターフェースに表示する。このとき、露光ジョブを停
止させてマニュアルオペレーション待ちにしても構わな
いが、外部振動やウエハ表面の汚れなどの影響すなわち
プロセスや環境要因により移動標準偏差(MSD)のばらつ
きが判定基準（許容値）を満たしていない場合もあり得
るので、これらの要因と装置要因とを切り分けるために
はエラーが複数回発生したか否かで判定することが好ま
しい。そこで、この実施の形態では、ステップＳ７０６
で、エラーの発生回数が許容回数であるか否かを判定
し、エラーの発生回数が許容回数内であればステップＳ
７０９に進んで、露光ジョブを継続する。一方、エラー
の発生回数が許容回数を越えた場合には、ステップＳ７
０７で、オーバホールを要求するメッセージを不図示の
マンマシンインターフェースに表示し、ステップＳ７０
８で、マニュアルアシスト状態に移行する。
【００６１】同期精度（例えば、ＭＳＤのばらつき等で
評価される）を悪化させる要因としては、例えば、以下
のようなものが考えられる。 （要因１）露光前のセトリング時間の不足 ウエハステージ１６が停止した状態からスキャン露光の
ためにウエハステージ１６を加速させる際に、ウエハス
テージ１６には大きな加速による外力が印加される。加
速が終わってウエハステージ１６が一定速度で駆動され
る状態になった後、適切なセトリング時間が経過してか
ら露光動作に移行しないとスキャン露光開始時の移動標
準偏差(MSD)が悪化する。 （要因２）ショットレイアウトに起因したセトリング時
間の変動 該当ショットのスキャン露光に移行する前にどの位置の
ショットを露光するための位置からウエハステージ１６
がステップ移動してきたかによってスキャン露光前にウ
エハステージ１６に印可される外力の大きさが異なり、
それに対応してセトリング時間が異なる。したがって、
移動標準偏差(MSD)のばらつきは、ショットの位置やレ
イアウトによって異なる。これは、特にスキャン方向以
外の方向へウエハステージ１６がステップ移動した場合
に顕著である。 （要因３）スキャン中のチルト追従制御によるＸＹ方向
同期精度への影響 スキャン中にチルト成分の制御を行うと、チルト軸の回
転中心からウエハ表面までの距離と回転量の積に相当す
る量がＸＹ方向の外乱となる。ウエハステージ１６のＸ
Ｙステージ（不図示）の制御剛性が十分に確保できない
状態であると、この外乱を完全に排除することができな
い。 （要因４）外部からの振動 床からの振動のうちステージ定盤１７で吸収できない成
分がＸＹ方向の同期精度の悪化要因として加わる。 （要因５）制御パラメータの調整不良、可動部品と精密
計測部品との接触 露光装置本体やステージを構成する部品のメカ剛性によ
って決まる共振点を避けた帰還を行うためのウエハステ
ージ１６、レチクルステージ５の制御補償器２０６、２
０３に設定したノッチフィルターのターゲットが露光装
置の不適切な設置などの要因でずれた場合に同期精度が
悪化する。また、ウエハステージ干渉系１１の計測ヘッ
ドにケーブルが接触しているなどの実装上のトラブルが
発生した場合にも同期精度が悪化し得る。
【００６２】上記の要因のうち（要因１）、（要因２）
に関しては、問題を起こしたショットに関してスキャン
露光の開始前のセトリング時間（或いは、それに相当す
る走行距離）を長くすることにより解決することができ
る。図１０に、これを説明するためのウエハステージ１
６とレチクルステージ５との同期偏差の収束波形と露光
区間の関係を示す。露光区間Ｂは同期偏差が十分収束し
ない時点でスキャン露光を開始しているためにショット
の露光開始時点でのスリット移動標準偏差のばらつきが
大きくなる。これによって露光開始位置とそれ以降の部
分でスリット移動標準偏差の値の開き(MSDU-MSDL)が大
きくなり、ひいてはショット内のコントラスト変動が大
きくなる。これに対してセトリング時間を露光区間Ｂよ
りも長くとった露光区間Ａでは、同期偏差が十分小さく
なったところで露光を開始しているため、(MSDU-MSDL)
の値すなわちショット内の線幅ばらつきが小さくなる。
【００６３】また、（要因２）に関しては、スキャン露
光ショットの露光順番やスキャン方向を変更することに
より改善することができる。すなわち、可能な限り隣り
合ったショットを順番に露光するように露光順番を決定
することにより、長ストローク駆動による大きな加速度
の印可が抑えられ、同期精度が改善される可能性があ
る。
【００６４】また、（要因３）に関しては、スキャン速
度を遅くすることで、チルト方向にウエハステージ１６
を傾ける振れ方が緩やかになるために、ＸＹステージが
この傾きによる外乱を十分に抑制することができるよう
になる。
【００６５】また、（要因４）に関しては、散発的にし
か起こらない場合には、判定基準を満たさないショット
及びそれを多数含んだウエハをリワーク処理に回すべき
である。
【００６６】また、（要因５）に関しては、露光装置の
動作を停止させてオーバーホールするべきである。
【００６７】上記の露光順番や方向を変更する方法は、
通常のレイアウトではほぼ最適なレイアウトになってお
り、露光順序を改善する余地はそれほど残っていない。
他方、セトリング時間（或いは、それに相当する走行距
離）を長くしたり、スキャン速度を遅くする方法は、確
実に同期精度を向上させる手段ではあるが、いずれも露
光装置の単位時間あたりの生産性（スループット）を落
とすことになるため、適用する対象は最小限にするべき
である。従って、同一ロット内において、同じ場所のシ
ョットで移動標準偏差MSDのばらつきが大きい場合に
は、以降のウエハについては当該場所のショットを露光
する際のセトリング時間（或いは、それに相当する走行
距離）を長くしたり、スキャン速度を遅くすることが望
ましい。他の方法としては、例えば、同一ロット内の１
枚のウエハの露光において、ステップＳ７０６でエラー
と判定された場合に、その次の処理（当該ウエハの残り
のショット、及び、他のウエハ）以降はセトリング時間
（或いは、それに相当する走行距離）を長くしたり、ス
キャン速度を遅くする方法がある。
【００６８】図８は、本発明の好適な実施の形態に係る
図１に示す走査露光装置における１枚あたりのウエハの
処理に関する露光シーケンスの他の例である。この例
は、図７に示す露光シーケンスに対して自動処理機能を
付加したものである。図７に示す露光シーケンスと共通
の処理には共通の番号を付して説明を省略する。
【００６９】まず、ステップＳ８０１で、ウエハロード
及びアライメント計測を行った後に対象ウエハのリワー
ク要求フラグをクリアする。ステップＳ８０２で、同一
ロット内の先に露光したウエハの複数ショットのうち露
光対象ウエハの露光対象ショットに対応するショットに
ついてのスリット移動標準偏差の最大値MSDU及び最小値
MSDLに基づいて決定された同期精度調整値を取得する。
ここで、同期精度調整値とは、MSDU及びMSDLが判定基準
（許容値）を満たすようにスキャン露光を行うための露
光条件パラメータであり、上記の（要因１）〜（要因
３）に対する対策として説明したセトリング時間（或い
は、それに相当する走行距離）やスキャン速度の調整の
ためのパラメータがこれに該当する。セトリング時間
（或いは、それに相当する走行距離）を長くしたり、ス
キャン速度を遅くすることは、MSDUとMSDLとの差を小さ
くして同期精度そのものを向上させる効果があるが、ウ
エハ処理時間を増大させるというデメリットがある。ま
た、この調整値は、特開平２０００−２１７１６号にお
いて開示されているように、走査投影露光中に意図的に
振動を加えて所定の同期偏差を発生させる場合に印可す
る振動の振幅を示すパラメータであってもよい。この振
幅を調整する方法によれば、スループットを低下させる
ことなく、ウエハ上の任意の位置でスリット移動標準偏
差を制御することができる。
【００７０】ステップＳ７０４において判定基準（許容
値）を満たさなかったショットは、ステップＳ８０３に
おいて、判定基準からの逸脱量（許容値オーバー量）と
ショットナンバーがメモリに記録される。複数のウエハ
の露光処理を通して、判定基準からの逸脱量とショット
ナンバーは、複数のウエハについてメモリに記録され
る。従って、このメモリに記録された逸脱量とショット
ナンバーとに基づいて、同一位置のショットで繰り返し
発生するエラー（判定基準を満たさないこと）を特定
し、当該位置のショットにおけるMSDUとMSDLとの差を小
さくするための同期精度調整値を決定することができ
る。
【００７１】ここで、ウエハを実際に露光する代わり
に、複数枚のウエハを実際に露光する前に、露光光源を
発光させない状態でダミー露光を行って上記の同期精度
調整値を求め、その調整値を実際の露光時のショットご
との同期精度調整値として利用してもよい。
【００７２】ステップＳ７０６においてエラーの発生回
数が許容回数を越えたと判定した場合には、ステップＳ
８０４で、その旨のエラーメッセージを表示すると共に
オンラインホストマシン（不図示）に通知する。また、
このとき、リワーク要求フラグをセットする。
【００７３】最終ショットの露光が終わったら（ステッ
プＳ７０９において”ＹＥＳ”）、ステップＳ８０５で
リワーク要求フラグの状態を確認し、リワーク要求フラ
グがセットされていれば、ステップＳ８０６でそのウエ
ハをリワーク処理に回して処理を終了する。
【００７４】図９は、本発明の好適な実施の形態に係る
図１に示す走査露光装置を含む各種の製造装置の制御シ
ステムの構成図である。ホストマシン９０１は、各種の
露光装置（図１に示す走査露光装置９００を含む）やＣ
Ｄ機等を制御する。ホストマシン９０１と走査露光装置
内９００のコンソール９０３とは、ネットワーク９０２
で結合されている。コンソール９０３は、走査露光装置
９００のマンマシンインターフェースを含み、図７及び
図８において説明した際のエラーや警告の表示やショッ
トごとに得られたＭＳＤＵ及びＭＳＤＬの値に基づいて
線幅ばらつき値を演算してそれの表示やロギング（メモ
リへの記録）を行う。また、コンソール９０３は、処理
したウエハの同期精度に関する情報（ＭＳＤのばらつき
等）及び上記エラーや警告の発生履歴などの処理結果を
ホストマシン９０１に転送する。シーケンスコントロー
ラ９０４は、図７及び図８において示したフローチャー
トに示す制御を実行する。リアルタイムコントローラ９
０５は、ウエハステージ１６やレチクルステージ５のサ
ーボ制御やリアルタイムの補正を行うプロセッサであ
る。例えば、図２における点線から上の構成は、リアル
タイム制御コントローラ９０５に組み込まれ、該点線か
ら下の構成は、シーケンスコントローラ９０４に組み込
まれ得る。
【００７５】本発明の好適な実施の形態によれば、走査
露光装置におけるステージ要因のショット内の線幅ばら
つきを数値的な指標(MSDU,MSDL)で表現し、これを監視
することによって、線幅ばらつき異常による不良ロット
の発生を最小限に抑えることができる。また、この線幅
ばらつきの指標(MSDU,MSDL)は、半導体製造工程におけ
る歩留まりを向上させる目的で不良要因を分析するため
に有効である。
【００７６】また、同期精度異常(例えば、判定基準か
らのMSDU,MSDLの逸脱)があった場合に、スキャン速度を
遅くしたり、セトリング時間（或いは、それに相当する
走行距離）を長くして異常を回避したり、意図的に振動
を与えてスリット移動標準偏差を一定に維持することに
より、装置要因による半導体素子の線幅ばらつきを所望
の値以下に抑えることができる。
【００７７】次に、上記の走査露光装置を用いた半導体
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生
産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設
置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、
あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造
工場外のコンピュータネットワークを利用して行うもの
である。
【００７８】図１１は全体システムをある側面から切り
出して表現したものである。図中、1010は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置（図１の走査露光装置を含
む）、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラ
フィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後
工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定してい
る。事業所101内には、製造装置の保守データベースを
提供するホスト管理システム1080、複数の操作端末コン
ピュータ1100、これらを結ぶんでイントラネットを構築
するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）1090を備え
る。ホスト管理システム1080は、ＬＡＮ1090を事業所の
外部ネットワークであるインターネット1050に接続する
ためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限する
セキュリティ機能を備える。
【００７９】一方、1020〜1040は、製造装置のユーザー
としての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工
場1020〜1040は、互いに異なるメーカーに属する工場で
あっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場1020〜1040内には、夫々、複数の製造装置10
60と、それらを結んでイントラネットを構築するローカ
ルエリアネットワーク（ＬＡＮ）1110と、各製造装置10
60の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理シス
テム1070とが設けられている。各工場1020〜1040に設け
られたホスト管理システム1070は、各工場内のＬＡＮ11
10を工場の外部ネットワークであるインターネット1050
に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各
工場のＬＡＮ1110からインターネット1050を介してベン
ダー1010側のホスト管理システム1080にアクセスが可能
となる。ここで、典型的には、ホスト管理システム1080
のセキュリティ機能によって、限られたユーザーだけが
ホスト管理システム1080に対するアクセスが許可され
る。
【００８０】このシステムでは、インターネット1050を
介して、各製造装置1060の稼動状況を示すステータス情
報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工
場側からベンダー側に通知し、その通知に対応する応答
情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情
報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフト
ウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から工
場側に送信することができる。各工場1020〜1040とベン
ダー1010との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ11
10でのデータ通信には、典型的には、インターネットで
一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／Ｉ
Ｐ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークと
してインターネットを利用する代わりに、第三者がアク
セスすることができない、セキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに
限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベー
スへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００８１】さて、図１２は本実施形態の全体システム
を図１１とは別の側面から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムと
を外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを
介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の
情報をデータ通信するものであった。これに対し本例
は、複数のベンダーの複数の製造装置を備えた工場と、
該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システム
とを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置
の保守情報をデータ通信するものである。図中、2010は
製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製
造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行
う製造装置、ここでは例として露光装置2020、レジスト
処理装置2030、成膜処理装置2040が導入されている。な
お図１４では製造工場2010は1つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ2060で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム2050で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカー2100、レジ
スト処理装置メーカー2200、成膜装置メーカー2300など
ベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞ
れ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理シ
ステム2110,2210,2310を備え、これらは上述したように
保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを
備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム2050と、各装置のベンダーの管理システ
ム2110,2210, 2310とは、外部ネットワーク2000である
インターネットもしくは専用線ネットワークによって接
続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一
連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造
ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機
器のベンダーからインターネット2000を介した遠隔保守
を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止
を最小限に抑えることができる。
【００８２】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１３に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置
を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装
置の機種（4010）、シリアルナンバー（4020）、トラブ
ルの件名（4030）、発生日（4040）、緊急度（4050）、
症状（4060）、対処法（4070）、経過（4080）等の情報
を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はイン
ターネットを介して保守データベースに送信され、その
結果の適切な保守情報が保守データベースから返信され
ディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提
供するユーザーインターフェースはさらに図示のごとく
ハイパーリンク機能（4100〜4120）を実現し、オペレー
タは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダ
ーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使
用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工
場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情
報）を引出したりすることができる。
【００８３】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１４は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ2（マスク作製）では設計した回路
パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ
3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ7）する。例えば、
前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行われても
よく、この場合、これらの工場毎に上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされる。また前工程工場と
後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネ
ットワークを介して生産管理や装置保守のための情報が
データ通信されてもよい。
【００８４】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜
を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電
極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込
み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジ
スト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16
（露光）では上記説明した露光装置によって回路パター
ンをウエハに転写する。ステップ17（現像）では露光し
たウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされているので、トラブル
を未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な
復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を
向上させることができる。
【００８５】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、移動標準偏差
のばらつきを評価し、これを利用する装置及び方法を提
供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態の走査露光装置の概
略構成を示す図である。
【図２】図１に示す走査露光装置のウエハステージ１６
及びレチクルステージ５を制御するコントローラの構
成、並びに、計測結果及び演算結果等に関する数値情報
の流れを示すブロック図である。
【図３】走査露光中の移動標準偏差(MSD)とCD(Critical
dimension)値との関係をシミュレーションした結果を
示すグラフである。
【図４】自由度（Ｎ）を３００としてχ2分布を示す図
である。
【図５】信頼限界値と自由度（Ｎ）の関係を示す図であ
る。
【図６】走査速度ごとのMSDのばらつきの割合を示す図
である。
【図７】本発明の好適な実施の形態に係る図１に示す走
査露光装置における１枚あたりのウエハの処理に関する
露光シーケンスの一例を示す図である。
【図８】本発明の好適な実施の形態に係る図１に示す走
査露光装置における１枚あたりのウエハの処理に関する
露光シーケンスの他の例を示す図である。
【図９】本発明の好適な実施の形態に係る図１に示す走
査露光装置を含む各種の製造装置の制御システムの構成
図である。
【図１０】ウエハステージとレチクルステージとの同期
偏差の収束波形と露光区間との関係を説明する図であ
る。
【図１１】半導体デバイス生産システムの例をある角度
から見た概念図である。
【図１２】半導体デバイス生産システムの例を別の角度
から見た概念図である。
【図１３】ディスプレイ上のユーザーインターフェース
を示す図である。
【図１４】半導体デバイスの製造プロセスのフローを説
明する図である。
【図１５】ウエハプロセスの詳細を説明する図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１８

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原版を保持した原版ステージと基板を保
    持した基板ステージとを所定の速度比率で移動させなが
    らスリット状の露光光で該原版のパターンを該基板に転
    写する走査露光装置であって、 前記原版ステージと前記基板ステージとの同期偏差を計
    測する計測手段と、 前記計測手段によって計測された複数の同期偏差に基づ
    いて、前記ウエハ上の複数の点に各々対応する複数の移
    動標準偏差のばらつきを演算する演算手段と、 前記演算手段による演算結果に基づいて露光ジョブを制
    御する制御手段と、 を備えることを特徴とする走査露光装置。
  2. 【請求項２】 前記制御手段は、前記演算手段によって
    演算された複数の移動標準偏差のばらつきが所定基準を
    満たすか否かを判定する判定手段を有し、前記判定手段
    による判定結果に基づいて露光ジョブを制御することを
    特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。
  3. 【請求項３】 前記演算手段は、複数の移動標準偏差の
    ばらつきとして、χ ２分布における所定の信頼限界値と
    しての最大値及び最小値を演算することを特徴とする請
    求項１に記載の走査露光装置。
  4. 【請求項４】 前記制御手段は、前記最大値及び最小値
    が各々対応する所定基準を満たすか否かを判定する判定
    手段を有し、前記判定手段による判定結果に基づいて露
    光ジョブを制御することを特徴とする請求項３に記載の
    走査露光装置。
  5. 【請求項５】 前記制御手段は、前記最大値と前記最小
    値との差分が所定基準を満たすか否かを判定する判定手
    段を有し、前記判定手段による判定結果に基づいて露光
    ジョブを制御することを特徴とする請求項３に記載の走
    査露光装置。
  6. 【請求項６】 前記制御手段は、前記最大値と前記最小
    値との平均値が所定基準を満たすか否かを判定する判定
    手段を有し、前記判定手段による判定結果に基づいて露
    光ジョブを制御することを特徴とする請求項３に記載の
    走査露光装置。
  7. 【請求項７】 前記制御手段は、前記最大値と前記最小
    値との差分及び前記最大値と前記最小値との平均値が各
    々所定基準を満たすか否かを判定する判定手段を有し、
    前記判定手段による判定結果に基づいて露光ジョブを制
    御することを特徴とする請求項３に記載の走査露光装
    置。
  8. 【請求項８】 前記演算手段は、複数の移動標準偏差の
    ばらつきとして、前記基板に転写された像のコントラス
    ト値及びコントラスト変動の少なくとも一方を演算する
    ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の走査露
    光装置。
  9. 【請求項９】 前記制御手段は、前記演算手段によって
    演算された複数の移動標準偏差のばらつきが所定基準を
    満たすように以降の露光ジョブを制御することを特徴と
    する請求項１に記載の走査露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記制御手段は、過去に得られた複数
    の移動標準偏差のばらつきに基づいて、以降の露光ジョ
    ブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記所定基
    準を満たすように該以降の露光ジョブを制御することを
    特徴とする請求項２乃至請求項８のいずれか１項に記載
    の走査露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記制御手段は、前記原版ステージ及
    び前記基板ステージが加速された後、等速度走向を開始
    してから露光が開始されるまでのセトリング時間を調整
    する調整手段を有し、該セトリング時間を調整すること
    により、以降の露光ジョブにおいて複数の移動標準偏差
    のばらつきが前記所定基準を満たすように該以降の露光
    ジョブを制御することを特徴とする請求項１０に記載の
    走査露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記制御手段は、前記原版ステージ及
    び前記基板ステージの移動速度を調整する調整手段を有
    し、該移動速度を調整することにより、以降の露光ジョ
    ブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記所定基
    準を満たすように該以降の露光ジョブを制御することを
    特徴とする請求項１０に記載の走査露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記制御手段は、前記基板の複数のシ
    ョットの露光順序を調整する調整手段を有し、該露光順
    序を調整することにより、以降の露光ジョブにおいて複
    数の移動標準偏差のばらつきが前記所定基準を満たすよ
    うに該以降の露光ジョブを制御することを特徴とする請
    求項１０に記載の走査露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記制御手段は、前記原版ステージ及
    び前記基板ステージの少なくとも一方に振動を印可する
    印可手段と、該振動の振幅を調整する調整手段とを有
    し、該振動の振幅を調整することにより、以降の露光ジ
    ョブにおいて複数の移動標準偏差のばらつきが前記所定
    基準を満たすように該以降の露光ジョブを制御すること
    を特徴とする請求項１０に記載の走査露光装置。
  15. 【請求項１５】 前記演算手段は、前記基板上の複数の
    ショットごとに複数の移動標準偏差のばらつきを演算す
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項１４に記載の走
    査露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果に基づいて所定のメッセージを出力する手段を
    有することを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいず
    れか１項に記載の走査露光装置。
  17. 【請求項１７】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果を記録する手段を有することを特徴とする請求
    項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の走査露光装
    置。
  18. 【請求項１８】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果及び該演算結果に基づく制御の履歴を記録する
    手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１６
    のいずれか１項に記載の走査露光装置。
  19. 【請求項１９】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果を外部装置に転送する手段を有することを特徴
    とする請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の
    走査露光装置。
  20. 【請求項２０】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果及び該演算結果に基づく制御の履歴を外部装置
    に転送する手段を有することを特徴とする請求項１乃至
    請求項１８のいずれか１項に記載の走査露光装置。
  21. 【請求項２１】 前記制御手段は、前記演算手段による
    演算結果に基づいて、露光ジョブを停止させる手段を有
    することを特徴とする請求項１乃至請求項２０のいずれ
    か１項に記載の走査露光装置。
  22. 【請求項２２】 前記制御手段は、各基板の露光におい
    て、前記演算手段による演算結果に基づいて不具合があ
    ったと判定されるショットが所定数を上まわったか否か
    を判定する不具合ショット数判定手段を有し、前記不具
    合ショット数判定手段による判定結果に基づいて露光ジ
    ョブを制御することを特徴とする請求項１５に記載の走
    査露光装置。
  23. 【請求項２３】 原版を保持した原版ステージと基板を
    保持した基板ステージとを所定の速度比率で移動させな
    がらスリット状の露光光で該原版のパターンを該基板に
    転写する走査露光方法であって、 前記原版ステージと前記基板ステージとの同期偏差を計
    測する計測工程と、 前記計測工程で計測された複数の同期偏差に基づいて、
    前記ウエハ上の複数の点に各々対応する複数の移動標準
    偏差のばらつきを演算する演算工程と、 前記演算工程で演算された算結果に基づいて露光ジョブ
    を制御する制御工程と、 を含むことを特徴とする走査露光方法。
  24. 【請求項２４】 デバイスの製造方法であって、 請求項１に記載の走査露光装置を含む複数の半導体製造
    装置を工場に設置する工程と、 前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製
    造する工程と、 を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記複数の半導体製造装置をローカル
    エリアネットワークで接続する工程と、 前記ローカルエリアネットワークと前記工場外の外部ネ
    ットワークとを接続する工程と、 前記ローカルエリアネットワーク及び前記外部ネットワ
    ークを利用して、前記外部ネットワーク上のデータベー
    スから前記走査露光装置に関する情報を取得する工程
    と、 取得した情報に基づいて前記走査露光装置を制御する工
    程と、 を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載の走査露
    光装置。
  26. 【請求項２６】 半導体製造工場であって、 請求項１に記載の走査露光装置を含む複数の半導体製造
    装置と、 前記複数の半導体製造装置を接続するローカルエリアネ
    ットワークと、 前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場
    外の外部ネットワークとを接続するゲートウェイとを備
    えることを特徴とする半導体製造工場。
  27. 【請求項２７】 走査露光装置の保守方法であって、 請求項１に記載の走査露光装置が設置された工場外の外
    部ネットワーク上に、該走査露光装置の保守に関する情
    報を蓄積するデータベースを準備する工程と、 前記工場内のローカルエリアネットワークに前記走査露
    光装置を接続する工程と、 前記外部ネットワーク及び前記ローカルエリアネットワ
    ークを利用して、前記データベースに蓄積された情報に
    基づいて前記走査露光装置を保守する工程とを含むこと
    を特徴とする走査露光装置の保守方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243887A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp リソグラフィ装置の製造方法
JP2006250636A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 移動装置
US7692760B2 (en) 2004-08-05 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
JP2011142319A (ja) * 2009-12-18 2011-07-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置における動的位置決め誤差の性質を測定する方法、データ処理装置、およびコンピュータプログラム製品
JP2015115540A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社日立国際電気 管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252161A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Hitachi Ltd 半導体製造システム
JP3982270B2 (ja) * 2002-01-29 2007-09-26 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法および半導体ウエーハ製造の受注方法ならびに半導体ウエーハ製造の受注システム
JP2005129674A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法
CN100498540C (zh) * 2005-11-17 2009-06-10 中国科学院电工研究所 步进扫描光刻机晶片台掩模台同步控制系统
US20080126014A1 (en) * 2006-08-22 2008-05-29 Yuanting Cui Statistical method and automated system for detection of particulate matter on wafer processing chucks
US7917244B2 (en) * 2007-03-14 2011-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for reducing critical dimension side-to-side tilting error
NL2004256A (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Asml Netherlands Bv Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture.
JP5574749B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-20 キヤノン株式会社 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置
JP5864977B2 (ja) * 2011-09-16 2016-02-17 キヤノン株式会社 走査光学系の製造方法および走査光学系の検査装置
CN102621909A (zh) * 2012-04-06 2012-08-01 中国科学院上海应用物理研究所 一种压弯机构运动控制系统
CN102621910A (zh) * 2012-04-16 2012-08-01 中国科学院上海应用物理研究所 一种基于epics的四刀狭缝控制系统及其控制方法
CN105629886B (zh) * 2015-12-31 2019-01-29 福建睿能科技股份有限公司 机控设备、纺织设备及其控制系统、控制装置
US20220157448A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Heartware, Inc. Detection of abnormal changes in flow pulsatility clinically correlated with adverse events using logfile data

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69126719T2 (de) 1990-03-09 1997-11-06 Canon Kk Belichtungsvorrichtung
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JP3513973B2 (ja) * 1995-04-28 2004-03-31 株式会社ニコン 走査露光方法および該方法を用いた回路素子製造方法
JP3391940B2 (ja) 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JPH09129550A (ja) 1995-08-30 1997-05-16 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5883701A (en) 1995-09-21 1999-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Scanning projection exposure method and apparatus
JPH09115799A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Nikon Corp 走査型露光装置
US5936710A (en) * 1996-01-05 1999-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Scanning type exposure apparatus, position control apparatus, and method therefor
JP3459742B2 (ja) 1996-01-17 2003-10-27 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6049372A (en) * 1996-06-25 2000-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6195155B1 (en) * 1997-04-18 2001-02-27 Nikon Corporation Scanning type exposure method
US6509953B1 (en) * 1998-02-09 2003-01-21 Nikon Corporation Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning
US6260282B1 (en) * 1998-03-27 2001-07-17 Nikon Corporation Stage control with reduced synchronization error and settling time
JP2000021716A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイスの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243887A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp リソグラフィ装置の製造方法
US7692760B2 (en) 2004-08-05 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
JP2006250636A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 移動装置
JP2011142319A (ja) * 2009-12-18 2011-07-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置における動的位置決め誤差の性質を測定する方法、データ処理装置、およびコンピュータプログラム製品
US8554510B2 (en) 2009-12-18 2013-10-08 Asml Netherlands B.V. Method of measuring properties of dynamic positioning errors in a lithographic apparatus, data processing apparatus, and computer program product
JP2015115540A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社日立国際電気 管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体

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