JP2015115540A - 管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】測定データの異常値を正しく判定できる管理装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる管理装置は、複数の基板処理装置を管理し、基板処理装置から出力され、測定の対象とされる測定データおよびその基準値を設定し、測定データを記憶し、測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出し、所定の期間において記憶された測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出し、測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定し、記憶された測定データの内、基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体ウエハなどを処理する基板処理装置の管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体に関する。

少なくとも一台の基板処理装置 (以下、半導体製造装置と称する場合がある)を管理する群管理システム(以下、管理装置と略す)において、半導体製造装置の健全性確認を目的に、装置から報告される圧力やガスなど実測値(以下モニタデータ)をデータベースに蓄積し、それを統計的に解析し半導体製造装置の異常を判断する異常検知を行っている。また統計的解析以外にノイズ発生数の増加傾向から異常を判断する異常検知もある。このノイズ監視は、固定的な閾値を設け、この閾値からの外れ数が規定数を超えた際に異常として判断する。
例えば、特許文献１は、基板処理装置の管理に用いられる測定値が急激に変化したときに生じるノイズおよびオーバーシュートを、この測定値の異常値と判断しないように構成された管理装置を開示する。
また、例えば、特許文献２は、基板処理装置のヒータの断線を検出し、ヒータの断線が検出されたときには基板処理を行わないようにした基板処理装置を開示する。

特開２０１２−２１６６９７号公報 特開２０１２− ４９４２９号公報

本発明の目的は、基板処理装置から送信される測定データの測定値が、ノイズ等の影響を受け異常値として判定されないように工夫された基板処理装置の管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体などを提供することである。

本発明の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置及びその管理方法であって、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定部と、前記測定データを記憶する記憶部と、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出部と、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出部と、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定する基準値判定部と、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定部とを有する管理装置及びその管理方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する管理装置と、を有する基板処理システムであって、前記管理装置は、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定部と、前記測定データを記憶する記憶部と、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出部と、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出部と、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定する基準値判定部と、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定部とを有する基板処理システムが提供される。

本発明の更に他の態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置のコンピュータに、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定ステップと、前記測定データを記憶する記憶ステップと、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出ステップと、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出ステップと、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定する基準値判定ステップと、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定ステップとを実行させるプログラムを記録した記録媒体が提供される。

本願発明によれば、本来、基板処理装置から送信される測定データの測定値が、ノイズ等の影響を受け異常値として判定されないように工夫された基板処理装置の管理装置、基板処理装置の管理方法および基板処理システム並びに記録媒体などを提供することができる。

本願発明が適用される基板処理システムの構成を例示する図である。 図１に示した基板処理装置の斜透視図である。 図１に示した基板処理装置の側面透視図である。 図１〜３に示した基板処理装置２の処理炉３の縦断面図である。 図４に示したヒータの抵抗値の経時的変化を例示する第１の図である。 図４に示したヒータの抵抗値の経時的変化を例示する第２の図である。 図１に示した管理サーバにおいて実行される異常値検出プログラムの構成を示す図である。 図６に示した異常値検出プログラムが、図１に示した入出力装置または操作端末に表示するＵＩ(User Interface)画像を例示する図である。 図４に示したヒータの抵抗値の経時的変化およびその異常値を検出する処理を例示する図である。 図２〜４に示した基板処理装置および図６に示した異常値検出プログラムの処理を示すフローチャートである。 図７（Ａ）に示した測定データの値が時間の経過により全体的に高くなった場合の異常値検出プログラムの動作を例示する図である。

［基板処理システム１］
以下、本願発明の実施形態を説明する。
また、以下の説明においては、基板処理装置２が、半導体ウエハなどの基板に成膜処理、酸化処理および拡散処理などを行なう縦型の装置である場合が具体例とされる。
図１は、本願発明が適用される基板処理システム１の構成を例示する図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、複数の基板処理装置２−１〜２−ｎ（ｎは２以上の整数）、１つ以上のおよび１つ以上の操作端末１４が、ＬＡＮなどの工場ネットワーク１０を介して相互に通信可能に接続されて構成される。
基板処理装置２は、これらの構成部品により、半導体のウエハなどの基板を処理する。
なお、以下、基板処理装置２−１〜２−ｎなど、複数ある構成部品のいずれかを特定せずに示す場合には、単に基板処理装置２とも記される。

管理サーバ１２は、ＣＰＵ／メモリ１２０、ＨＤＤおよびＣＤ／ＤＶＤ装置などの記憶装置１２２、基板処理装置２および管理サーバ１２との間で操作のためのデータおよび測定データなどを送受信するネットワークインターフェース（ＮＷ−ＩＦ）１２４および入出力装置１２６などの他の通信ノードと通信可能なコンピュータとしての構成部品を有する。
管理サーバ１２は、基板処理装置２それぞれのヒータなどの構成部品から測定データを受けて、基板処理装置２−１〜２−ｎおよびこれらの構成部品が正常に動作しているか否かを管理し、入出力装置１２６および管理サーバ１２を介して基板処理装置２の動作が正常であるか否かなどを管理者に表示する。
操作端末１４は、管理サーバ１２と同様にＣＰＵ／メモリ、記憶装置、基板処理装置およびＮＷ−ＩＦなど（図示せず）を有し、管理サーバ１２に対する操作、および、管理サーバ１２が検出した基板処理装置２の測定データの異常の表示などを行う。

［基板処理装置の構成］
以下、図１に示した基板処理装置２それぞれの構成を説明する。
図２は、図１に示した基板処理装置２の斜透視図である。
図３は、図１に示した基板処理装置２の側面透視図である。
なお、処理炉３の構成は、図４をさらに参照して後述される。

図２，図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置２は、耐圧容器として構成された筐体２０８を備える。
筐体２０８の正面壁２０８ａの正面前方には、メンテナンス可能に設けられた開口部として、正面メンテナンス口２０２が設けられる。
正面メンテナンス口２０２には、正面メンテナンス口２０２を開閉する正面メンテナンス扉２０４が設けられる。

シリコン（Ｓｉ）ウエハ２０などの基板を筐体２０８内外へ搬送するためには、複数のウエハ２０を収納するウエハキャリア（基板収容器）として、ポッド２０６が使用される。
筐体２０８の正面壁２０８ａには、ポッド搬入搬出口２１０が、筐体２０８内外を連通するように開設されている。
ポッド搬入搬出口２１０は、フロントシャッタ２１２によって開閉される。
ポッド搬入搬出口２１０の正面下方側には、ロードポート２１４が設置される。
ポッド２０６は、工程内搬送装置（図示せず）によって搬送され、ロードポート２１４上に載置されて位置合わせされる。

筐体２０８内におけるロードポート２１４の近傍には、ポッド搬送装置２２２が設置される。
筐体２０８内のポッド搬送装置２２２のさらに奥、筐体２０８内の前後方向のほぼ中央部の上方には、回転式ポッド棚２２６が設置されている。
回転式ポッド棚２２６の下方には、一対のポッドオープナ２３２が上下段にそれぞれ設置される。
ポッド搬送装置２２２は、ポッド２０６を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ２２２ａと、搬送機構としてのポッドエレベータ２２２ｂとで構成される。
ポッド搬送装置２２２は、ポッドエレベータ２２２ａとポッドエレベータ２２２ｂとの連続動作により、ロードポート２１４、回転式ポッド棚２２６、ポッドオープナ２３２の間で、ポッド２０６を相互に搬送する。

回転式ポッド棚２２６上には、複数個のポッド２０６が保管される。
回転式ポッド棚２２６は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱２１８と、上中下段の各位置において支柱２１８に放射状に支持された複数枚の棚板２２０とを備える。
複数枚の棚板２２０は、ポッド２０６を複数個それぞれ載置した状態で保持する。
ポッドオープナ２３２が配置される筐体２０８内の下部には、サブ筐体２２４が筐体２０８内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられる。
サブ筐体２２４の正面壁２２４ａには、ウエハ２０をサブ筐体２２４内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口２３０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられる。
ポッドオープナ２３２は、上下段のウエハ搬入搬出口２３０にそれぞれ設置される。

各ポッドオープナ２３２は、ポッド２０６を載置する一対の載置台２３４と、ポッド２０６のキャップを着脱するキャップ着脱機構２３６とを備える。
ポッドオープナ２３２は、載置台２３４上に載置されたポッド２０６のキャップをキャップ着脱機構２３６によって着脱することにより、ポッド２０６のウエハ出し入れ口を開閉する。
サブ筐体２２４内には、ポッド搬送装置２２２および回転式ポッド棚２２６などが設置された空間から流体的に隔絶された移載室２３８が構成される。
移載室２３８の前側領域にはウエハ移載機構２４０が設置される。
ウエハ移載機構２４０は、ウエハ２０を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載機構２４０ａと、ウエハ移載機構２４０ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ２４０ｂとで構成される。

図２に示すように、ウエハ移載装置エレベータ２４０ｂは、サブ筐体２２４の移載室２３８前方領域右端部と筐体２０８右側端部との間に設置される。
ウエハ移載機構２４０ａは、ウエハ２０の載置部としてツイーザ２４０ｃを備える。
ウエハ移載機構２４０ａを挟んでウエハ移載装置エレベータ２４０ｂとは反対の側には、ウエハ２０の円周方向の位置を合わせる基板整合装置としてノッチ合わせ装置（図示せず）が設置される。
ウエハ移載装置エレベータ２４０ｂおよびウエハ移載機構２４０ａの連続動作により、後述のボート３２２に対してウエハ２０が装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）される。
移載室２３８の後側領域には、ボート３２２を収容して待機させる待機部２４２が構成される。

待機部２４２の上方には、ウエハ２０を処理する処理炉３が設けられる。
処理炉３の下端部は、炉口シャッタ２５２により開閉されるように構成される。
図２に示すように、サブ筐体２２４の待機部２４２右端部と、筐体２０８右側端部との間には、ボート３２２を昇降させるためのボートエレベータ２２４が設置される。
図３に示すように、ボートエレベータ２２４の昇降台には、連結具としてアーム２４４が連結される。
アーム２４４には、炉口蓋体としてのシールキャップ３２４が水平に据え付けられている。シールキャップ３２４は、ボート３２２を垂直に支持し、処理炉３の下端部を閉塞可能とする。
ボート３２２は複数本の保持部材を備える。
ボート３２２は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２０を、中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持する。

図３に示すように、移載室２３８のウエハ移載装置エレベータ２４０ｂ側およびボートエレベータ２２４側と反対側の左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア３６４を供給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２４８が設置される。
クリーンユニット２４８から吹き出されたクリーンエア３６４は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載機構２４０ａおよび待機部２４２にあるボート３２２の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体２０８の外部に排気されるか、クリーンユニット２４８の吸い込み側の一次側（供給側）にまで循環されて、移載室２３８内に再び吹き出される。

［基板処理装置の動作］
次に、本実施形態に係る基板処理装置２の動作を説明する。
以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。
搬送レシピは、基板処理装置２内のウエハ２０の搬送に用いられ、例えば、基板処理を行うプロセスレシピと併用されて基板処理工程に適用される。
図２，図３に示すように、ポッド２０６がロードポート２１４に載置されると、ポッド搬入搬出口２１０がフロントシャッタ２１２によって開放される。
ロードポート２１４の上のポッド２０６は、ポッド搬送装置２２２によってポッド搬入搬出口２１０から筐体２０８内部へと搬入される。

筐体２０８内部へと搬入されたポッド２０６は、ポッド搬送装置２２２によって回転式ポッド棚２２６の棚板２２０上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板２２０上から一方のポッドオープナ２３２の載置台２３４上に移載される。
筐体２０８内部へと搬入されたポッド２０６は、ポッド搬送装置２２２によって直接ポッドオープナ２３２の載置台２３４上に移載されてもよい。
ポッドオープナ２３２のウエハ搬入搬出口２３０はキャップ着脱機構２３６によって閉じられており、移載室２３８内にはクリーンエア３６４が流通され、充満されている。
例えば、不活性ガスなどのクリーンエア３６４で移載室２３８内が充満されることにより、移載室２３８内の酸素濃度は、例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気となっている筐体２０８内の酸素濃度よりも遥かに低くなる。

載置台２３４上に載置されたポッド２０６は、その開口側端面がサブ筐体２２４の正面壁２２４ａに設けられたウエハ搬入搬出口２３０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、ポッド２０６のキャップがキャップ着脱機構２３６によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。
その後、ウエハ２０は、ウエハ移載機構２４０ａのツイーザ２４０ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド２０６内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、移載室２３８の後方にある待機部２４２内へ搬入され、ボート３２２内に装填（チャージング）される。
ボート３２２内にウエハ２０を装填したウエハ移載機構２４０ａは、ポッド２０６に戻り、次のウエハ２０をボート３２２内に装填する。

ウエハ移載機構２４０によって、一方（上段または下段）のポッドオープナ２３２からボート３２２へとウエハ２０を装填する間に、他方（下段または上段）のポッドオープナ２３２の載置台２３４上には、別のポッド２０６が回転式ポッド棚２２６上からポッド搬送装置２２２によって搬送されて移載され、上記ウエハ２０の装填作業と同時進行で、ポッドオープナ２３２によるポッド２０６の開放作業が行われる。
予め指定された枚数のウエハ２０がボート３２２に装填されると、炉口シャッタ２５２によって閉じられていた処理炉３の下端部が開放される。
続いて、ウエハ２０群を保持したボート３２２は、ボートエレベータ２２４によるシールキャップ３２４の上昇により、処理炉３内へ搬入（ボートローディング）される。

ローディング後は、処理炉３内にてウエハ２０に任意の処理が実施される。
処理後は、ノッチ合わせ装置によるウエハの位置合わせを除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２０を格納したボート３２２が処理炉３内より搬出され、処理後のウエハ２０を格納したポッド２０６が筐体２０８外へと搬出される。

［処理炉の構成］
続いて、本実施形態に係る処理炉３の構成を説明する。
図４は、図１〜３に示した基板処理装置２の処理炉３の縦断面図である。
図４に示すように、処理炉３は、反応管としてのプロセスチューブ３０２を備える。
プロセスチューブ３０２は、内部反応管としてのインナーチューブ３０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ３０６とを備える。
インナーチューブ３０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）などの耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成される。
インナーチューブ３０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２０を処理する処理室３００が形成されている。処理室３００内は、後述するボート３２２を収容可能なように構成される。
アウターチューブ３０６は、インナーチューブ３０４と同心円状に設けられる。
アウターチューブ３０６は、内径がインナーチューブ３０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成される。
アウターチューブ３０６は、例えば石英または炭化シリコンなどの耐熱性材料からなる。

プロセスチューブ３０２の外側には、プロセスチューブ３０２の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ３０８が設けられる。
ヒータ３０８は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３７２に支持されることにより垂直に据え付けられている。
プロセスチューブ３０２内には、温度検出器として温度センサ２８０が設置される。
ヒータ３０８と温度センサ２８０とには、温度制御部３９２が電気的に接続される。
温度制御部３９２は、温度センサ２８０により検出された温度情報に基づいて、処理室３００内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ３０８への通電具合を調整する。
ヒータ３０８またはヒータ３０８を構成する複数の発熱体それぞれには、抵抗値検出部３５０が取り付けられ、抵抗値検出部３５０は、例えば、ヒータ３０８または複数の発熱体それぞれに印加される電圧およびこれらを流れる電圧を計測し、これらの測定値に基づいてヒータ３０８の抵抗値を示す測定データを生成し、ヒータ制御部３９４に対して出力する。
ヒータ制御部３９４は、抵抗値検出部３５０により得られた測定データに基づいて、ヒータ３０８の温度を制御する。

アウターチューブ３０６の下方には、アウターチューブ３０６と同心円状になるように、マニホールド３１０が設けられる。
マニホールド３１０は、例えばステンレスなどからなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド３１０は、インナーチューブ３０４の下端部とアウターチューブ３０６の下端部とにそれぞれ係合し、これらを支持する。
なお、マニホールド３１０とアウターチューブ３０６との間には、シール部材としてＯリング３１０ａが設けられている。
マニホールド３１０がヒータベース３７２に支持されることにより、プロセスチューブ３０２は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ３０２とマニホールド３１０とにより反応容器が形成される。

マニホールド３１０の下方には、マニホールド３１０の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ３２４が設けられている。
シールキャップ３２４は、マニホールド３１０の下端に垂直方向下側から当接される。
シールキャップ３２４は、例えばステンレスなどの金属からなり、円盤状に形成される。
シールキャップ３２４の上面には、マニホールド３１０の下端と当接するシール部材としてＯリング３３０ｂが設けられる。
シールキャップ３２４は、プロセスチューブ３０２の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構として動作するボートエレベータ２２４により、垂直方向に昇降される。
シールキャップ３２４を昇降させることにより、ボート３２２を処理室３００内外へ搬送できる。

シールキャップ３２４の中心部付近であって、処理室３００と反対側には、ボート３２２を回転させる回転機構３７４が設置される。
回転機構３７４の回転軸３７６は、シールキャップ３２４を貫通してボート３２２を下方から支持する。
回転機構３７４は、ボート３２２を回転させることでウエハ２０を回転できる。
ボートエレベータ２２４および回転機構３７４には、搬送制御部３８６が電気的に接続される。
搬送制御部３８６は、回転機構３７４およびボートエレベータ２２４が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御する。
なお、搬送制御部３８６は、さらに、上述のポッドエレベータ２２２ａ、ポッドエレベータ２２２ｂ、ポッドオープナ２３２、ウエハ移載機構２４０ａおよびウエハ移載装置エレベータ２４０ｂなどに電気的に接続され、これら各部が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。
主に、ボートエレベータ２２４、回転機構３７４、ポッドエレベータ２２２ａ、ポッドエレベータ２２２ｂ、ポッドオープナ２３２、ウエハ移載機構２４０ａおよびウエハ移載装置エレベータ２４０ｂにより、基板処理装置２の搬送系が構成される。

ボート３２２は、基板保持具として、複数枚のウエハ２０を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する。
ボート３２２は、例えば石英や炭化シリコンなどの耐熱性材料からなる。ボート３２２の下部には、例えば石英や炭化シリコンなどの耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材として断熱板３２０が水平姿勢で多段に複数枚配置され、ヒータ３０８からの熱をマニホールド３１０側に伝わり難くする。

シールキャップ３２４には、ガス導入部としてのノズル３４０が処理室３００内に連通するように接続される。
ノズル３４０の上流端には、ガス供給管３４４の下流端が接続される。
ガス供給管３４４には、上流側から順に図示しない処理ガスや不活性ガスなどの１つまたは複数のガス供給源およびガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）３６２、図示しない複数のバルブが接続される。
ＭＦＣ３６２には、ガス流量制御部３９０が電気的に接続される。
ガス流量制御部３９０は、処理室３００内に供給するガスの流量を測定データとして得て、得られた測定データに基づいて、処理室３００内に供給するガスが所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ３６２を制御する。
主に、ノズル３４０、ガス供給管３４４および図示しない複数個のバルブ、ＭＦＣ３６２、ガス供給源により、基板処理装置２（処理炉３）におけるガス供給系が構成される。

マニホールド３１０には、処理室３００内の雰囲気を排気する排気管３４２の上流端が接続される。
排気管３４２は、インナーチューブ３０４とアウターチューブ３０６との隙間によって形成される筒状空間３７０の下端部に配置され、筒状空間３７０に連通する。
排気管３４２の下流側には、圧力検出器としてのセンサ３６６、圧力調整装置としてのＡＰＣ(Auto Pressure Controller)３６４、真空排気装置としての真空ポンプ３６８が上流側から順に接続されている。
ＡＰＣ３６４は弁を開閉して処理室３００内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能な開閉弁である。
ＡＰＣ３６４およびセンサ３６６には、圧力制御部３８８が電気的に接続されている。
圧力制御部３８８は、センサ３６６により検出された圧力値を測定データとして得て、得られた測定データに基づいて、処理室３００内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣ３６４を制御するよう構成されている。主に、排気管３４２、センサ３６６、ＡＰＣ３６４、真空ポンプ３６８により、本実施形態に係るガス排気系が構成される。

ガス流量制御部３９０、圧力制御部３８８、温度制御部３９２、搬送制御部３８６およびヒータ制御部３９４は、基板処理装置２全体を制御する基板処理制御部３８２に電気的に接続され、基板処理制御部３８２は、ＮＷ−ＩＦ３８４を介して基板処理装置２および操作端末１４と、管理サーバ１２および操作端末１４などからの操作を示す操作データを受信し、管理サーバ１２および操作端末１４に対して測定データを送信できるように接続される。
これら、搬送制御部３８６、圧力制御部３８８、ガス流量制御部３９０、温度制御部３９２、ヒータ制御部３９４、基板処理制御部３８２およびＮＷ−ＩＦ３８４は、基板処理装置用コントローラ３８０を構成する。

［処理炉の動作］
上記構成に係る処理炉３を用いた半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について説明する。
この基板処理工程は、ウエハ２０に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。
また、プロセスレシピには、複数のステップ（工程）、および、複数のステップの一区切りのステップの組み合わせが含まれることがある。
以下、基板処理装置２による複数のステップを含むプロセスレシピに基づく基板処理工程の一例として、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によりウエハ２０上に薄膜を形成する成膜処理工程を説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置２を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ３８０により制御される。

［基板搬入ステップ］
基板処理装置２は、まず、基板搬入ステップを行う。
つまり、複数枚のウエハ２０をボート３２２に装填（ウエハチャージ）し、複数枚のウエハ２０を保持したボート３２２を、ボートエレベータ２２４によって持ち上げて処理室３００内に搬入（ボートローディング）する。
この状態で、シールキャップ３２４はＯリング３３０ｂを介してマニホールド３１０の下端をシールした状態となる。

［成膜プロセス］
続いて、基板処理装置２は、以下の減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップを行い、ウエハ２０に対する成膜処理を行う。
減圧ステップから常圧復帰ステップまでの各ステップは、本実施形態におけるプロセスレシピである。なお、プロセスレシピが、上記の基板搬入ステップや、後述の基板搬出ステップを含む場合もある。

［減圧ステップ］
まず、処理室３００内が所望の圧力（真空度）となるように、基板処理装置２は、真空ポンプ３６８によって処理室３００内を真空排気する。
この際、センサ３６６において測定された圧力値に基づき、ＡＰＣ３６４の弁開度がフィードバック制御される。

［昇温ステップ］
次に、処理室３００内が所望の温度となるように、温度センサ２８０により測定された温度、および、温度値抵抗値検出部３５０によって測定されたヒータ３０８の抵抗値を示す測定データに基づくヒータ制御部３９４によるヒータ３０８に対するフィードバック制御が行われ、ヒータ３０８が発熱し、処理室３００内が所望のタイミングで所望の温度に加熱される。
回転機構３７４は、ボート３２２およびウエハ２０を回転させる。

［温度安定ステップ］
次に、温度安定ステップにおいて、基板処理装置２は、加熱された処理室３００内の温度を安定させる。

［成膜ステップ］
処理室３００内の温度が安定したら、基板処理装置２は、ガス供給管３４４が備えるバルブ（図示せず）を開き、ＭＦＣ３６２により流量制御しながら、ガス供給源から処理室３００内に処理ガスを供給する。
処理ガスは処理室３００内を上昇し、インナーチューブ３０４の上端開口から筒状空間３７０内に流出して排気管３４２から排気される。
処理ガスは、処理室３００内を通過する際にウエハ２０の表面と接触し、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２０の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
予め設定された処理時間が経過したら、基板処理装置２は、処理室３００内への処理ガスの供給を停止する。

［降温ステップ］
処理ガスの供給を停止したら、基板処理装置２は、ヒータ３０８への電力供給を停止し、ボート３２２およびウエハ２０を所定の温度にまで降下させる。

［常圧復帰ステップ］
ガス供給源から不活性ガスを供給し、処理室３００内を不活性ガスで置換するとともに、処理室３００内の圧力を常圧に復帰させる。
以上で、プロセスレシピに基づく成膜プロセスが終了する。

［基板搬出ステップ］
その後、基板処理装置２は、基板搬出ステップを行う。
つまり、ボートエレベータ２２４によりシールキャップ３２４を下降してマニホールド３１０の下端を開口し、処理済のウエハ２０を保持するボート３２２をマニホールド３１０の下端からプロセスチューブ３０２の外部へと搬出（ボートアンローディング）する。
処理済のウエハ２０をボート３２２より取り出し、ポッド２０６内へ格納する（ウエハディスチャージ）。
以上で、プロセスレシピに基づく成膜処理工程が終了する。

［管理サーバ１２の第１の動作］
以下、図１に示した基板処理システム１の管理サーバ１２の第１の動作を説明する。
図５Ａは、図４に示したヒータ３０８の抵抗値の経時的変化を例示する第１の図であり、図５Ａは、図４に示したヒータ３０８の抵抗値の経時的変化を例示する第２の図である。
なお、以下に例示する管理サーバ１２の動作においては、処理炉３（図４）において、ヒータ３０８の抵抗値が０．０４秒ごとに経時的に測定され、管理サーバ１２に測定データとして送られる場合が具体例とされるが、以下の具体例を適切に変更することにより、管理サーバ１２の管理対象を他の項目（ガス流量，処理室３００の温度，処理室３００内の圧力など）のいずれか、あるいはこれらの組み合わせとすることは、当業者にとって容易に想到できることは明らかである。

図５Ａに示すように、管理サーバ１２は、基板処理装置２の抵抗値検出部３５０（図２）により測定され、基板処理装置用コントローラ３８０の温度制御部３９２および工場ネットワーク１０を介して送られてきたヒータ３０８の抵抗値（単位Ω）の測定データを経時的に受ける。
例えば、管理サーバ１２が、図５Ａに例示した経時的な測定データを１秒ごとに解析すると、図５Ａに符号ａを付した部分で、測定データの値が３点で、図中に点線で示す固定値の閾値（図５Ａ，５Ｂには閾値＝６０Ωの場合が例示されている）を超える。
このように、測定データの値が閾値を超えても、測定データのピークの値が、閾値よりも予め決められた値（例えば１０Ω）大きい値以上とならなければ、図５Ａに符号ａを付して示した３点の値は、異常値と判定されない。

これに対して、ヒータ３０８の抵抗値が、基板処理装置２による処理が度重なる度に上昇する傾向にある場合に、管理サーバ１２が基板処理装置２から受けるヒータ３０８の抵抗値が、例えば、全く同じ波形を示しながら全体的に１０Ω上昇する場合を考える。
このような場合、図５Ｂに示したデータ値は、多くの部分で閾値を超えることになるが、それらのピークの値は、閾値よりも予め決められた値だけ大きい値以上にはならないので、異常値と判定されない。

［管理サーバ１２の第２の動作］
以下、図１に示した基板処理システム１の管理サーバ１２の第２の動作を説明する。
一方、図５Ｂに符号ａを付して示した３点における抵抗値のピーク値は、閾値よりも１０Ω以上、２０Ω程度も大きくなるので、異常値と判定されてしまう。
つまり、図５Ａ，５Ｂに例示した場合において、いずれも実質的な抵抗値の変動は同じであるにもかかわらず、図５Ａに例示した場合には点ａを付した部分は異常値と判定されず、図５Ｂに例示した場合には点ａを付した部分は異常値と判定されてしまう。
抵抗値が、単純に閾値を超えるか、閾値をどれだけ超えるかに加え、例えば、測定データ値が単位時間当たり何回閾値を超えたか、閾値を超えたデータ値の数が既定値を超えたかなどの統計的な解析を行って測定データ値の異常を判定することもできる。

しかしながら、単にこれらの方法を組み合わせただけでは、固定的な閾値を用いて時間の経過や作業の進捗に応じて、全体的な値が変化する測定データの異常値が発生する頻度自体が変化してしまっていることには変わりはないので、測定データの異常値の発生を適切に判定することはできない。
このような不具合に対して、例えば、固定的な閾値を用いて時間の経過や作業の進捗に応じて、全体的な値が変化する測定データの異常値を判定するためには、閾値および閾値をいくら超えたら異常値とするかといった事項を時間の経過や作業の進捗に応じて変更するという方法が考えられる。
しかしながら、このような閾値の見直しの実現には、手間がかかる上に、どのように、どれだけ閾値を変更するかを決めることが難しい。

［管理サーバ１２の第２の動作］
以下、図１に示した基板処理システム１の管理サーバ１２の第２の動作を説明する。
図６は、図１に示した管理サーバ１２において実行される異常値検出プログラム１６の構成を示す図である。
図７は、図６に示した異常値検出プログラム１６が、図１に示した入出力装置１２６または操作端末１４に表示するＵＩ(User Interface)画像を例示する図である。
図８は、図４に示したヒータ３０８の抵抗値の経時的変化およびその異常値を検出する処理を例示する図である。

図６に示すように、異常値検出プログラム１６は、上述した問題点を解消するように工夫されており、ＮＷ−ＩＦ１６０、測定値データベース（ＤＢ）１６２、平均値算出部１６４、差分算出部１６６、統計処理部１６８、異常検出部１７０および処理制御部１７２から構成される。
異常値検出プログラム１６は、例えば記憶媒体あるいはネットワークを介して操作端末１４に供給され、操作端末１４のメモリにロードされ、操作端末１４のハードウェア資源を具体的に利用して実行される。

異常値検出プログラム１６は、これらの構成により、固定的な閾値を用いても、基板処理装置２（処理炉３）から測定データを経時的に受信し、受信した測定データの値が時間経過に応じて全体的に変化が生じた場合であっても、適切に測定データの異常値を検出するように構成される。
また、異常値検出プログラム１６は、これらの構成により、閾値を超えた測定データに対して統計的解析を行い、さらに正確に測定データの異常値を検出する。

異常値検出プログラム１６において、ＮＷ−ＩＦ１６０は、基板処理装置２（処理炉３）から工場ネットワーク１０を介して測定データの値を受け入れ、測定値ＤＢ１６２に対して出力する。
また、ＮＷ−ＩＦ１６０は、入出力装置１２６および操作端末１４から、異常値検出プログラム１６に対する操作を、工場ネットワーク１０などを介して受け入れる。
測定値ＤＢ１６２は、例えば図８（Ａ）に例示するように、基板処理装置２それぞれから０．０４秒ごとにＮＷ−ＩＦ１６０に経時的に入力されたヒータ３０８の抵抗値を順次、記憶し、平均値算出部１６４、差分算出部１６６および統計処理部１６８の処理のために提供する。

平均値算出部１６４は、図８（Ｂ）に例示するように、例えばヒータ３０８の抵抗値の測定間隔と同じ０．０４秒間隔で、測定値ＤＢ１６２に記憶された基板処理装置２それぞれのヒータ３０８の抵抗値の５秒分の平均値（移動平均値）を、順次、算出し、差分算出部１６６に対して出力する。
平均値算出部１６４は、この５秒分の平均値を、例えば、ヒータ３０８の測定時刻を基準時刻とし、この基準時刻の前後２．５秒分ずつの測定データ値を平均することにより算出する。
あるいは、上記基準時刻の後の５秒分を平均したり、上記基準時刻の前の５秒分を平均することにより算出したり、あるいは、平均値を求める時間を長くしたり短くしたりするなど、平均値算出部１６４は、作業者の設定などにより、基板処理装置２（処理炉３）の構成および使用状況などに応じた様々な算出方法によりこの平均値を求める。

差分算出部１６６は、図８（Ｃ）に示すように、上記基準時刻におけるヒータ３０８の抵抗値(図８(Ａ)で示される測定データの実測値の時系列データ)と、平均値算出部１６４により上記基準時刻に対して算出された移動平均値(図８(Ｂ)で示される測定データの平均値の時系列データ)との各基準時刻それぞれにおける差分を、順次統計処理部１６８および異常検出部１７０に対して出力する。
統計処理部１６８は、例えば、測定データの値が単位時間当たりに閾値を超えた数を求めたり、閾値を超えた測定データの値の数が累積で既定値を超えたかを判定したりするなどの統計的な解析を行い、解析結果を順次、異常検出部１７０に対して出力する。
また、統計処理部１６８は、基板処理装置２がバッチなどの一区切りの処理(基板処理)を行うたびに、測定データの異常判定の対象となり、測定データを出力した基板処理装置２それぞれと、これら基板処理装置２それぞれから出力され、測定値ＤＢ１６２に記憶された測定データの値それぞれと、この測定データの値が異常値をとったと判定された回数の値とを対応付けた統計情報を作成し、処理制御部１７２に対して出力する。
なお、統計処理部１６８は、これら基板処理装置２それぞれから出力され、測定値ＤＢ１６２に記憶された測定データの値と、この測定データの値が異常値をとったと判定された回数に関して、２つ以上の基板処理装置２を対応付けて統計情報を作成してもよい。

異常検出部１７０は、例えば、差分算出部１６６から入力される差分値が、固定の閾値を超えたか、また、閾値をどれだけ超えたかを判定し、第１の判定結果とする。
また、異常検出部１７０は、統計処理部１６８から入力される統計解析結果が、測定データの値が閾値を単位時間当たり既定の回数以上、超えたことを示すか、また、閾値を超えたデータ値の数が累積で既定値を超えたかなどを判定し、第２の判定結果とし、処理制御部１７２および統計処理部１６８に対して出力する。

異常検出部１７０は、第１の判定結果が、所定の第１の条件、例えば、差分値の値が閾値を既定値以上、超えたなどの条件を満たしたときに、上記基準時刻におけるヒータ３０８の測定データに異常を検出する。
また、異常検出部１７０は、例えば、第２の判定結果が、所定の第１の条件、例えば、測定データ値が閾値を単位時間当たり既定の回数以上、超え、閾値を超えたデータ値の数が累積で既定値を超えたなどの条件を満たしたときに、上記基準時刻におけるヒータ３０８の測定データに異常を検出する。
なお、異常検出部１７０は、基板処理装置２（処理炉３）の構成、あるいは、作業者による設定に応じて、第１の条件および第２の条件の両方が満たされたときに測定データの異常を検出しても、第１の条件および第２の条件のいずれか満たされたときに測定データの異常を検出してもよい。
あるいは、異常検出部１７０は、 統計処理部１６８から入力された統計情報に含まれる１つ以上の値の経時的な変化が所定の規則を満たすときに、この測定データに異常が生じていると判定し、処理制御部１７２に対して通知する。

処理制御部１７２は、図７に示すＵＩ(User Interface)画像を、入出力装置１２６に表示し、あるいは、ＮＷ−ＩＦ１６０および工場ネットワーク１０を介して操作端末１４に表示する。
処理制御部１７２が表示するＵＩ画像は、例えば、測定データの管理の対象とする基板処理装置２（測定対象想到；装置番号＃１〜＃ｈ）、管理の対象とする測定値（測定対象値；ヒータ抵抗値，ヒータ温度,処理室温度，処理室圧力，ガス流量）、判定設定（移動平均値を求めるか否か、測定値と移動平均値との差分を求めるか否か、閾値を固定にするか、および、閾値を可変にするか）、各種値（測定値あるいは差分に適用される閾値，統計解析に用いられる数値など）、測定期間、測定間隔および平均値算出期間の選択または設定のための画像を含む。
また、このＵＩ画像は、上記画像に対して設定された基準値が健全であるか否か（基準値健全性）の判定およびバッチごとの結果表示をするか否かを指示するためのボタンを含む。
さらに、このＵＩ画像は、操作により選択された項目、および、操作により設定されたデータを追加し、削除し、クリアし、あるいは、操作を終了させるためのボタンを含む。

作業者が、入出力装置１２６あるいは操作端末１４に表示されたＵＩ画像（図７）に対してマウスおよびキーボードなどを用いて選択操作および数値の設定操作などを行うと、処理制御部１７２は、入出力装置１２６から直接、あるいは、工場ネットワーク１０およびＮＷ−ＩＦ１６０を介して操作端末１４から、これらの操作を受け入れる。
処理制御部１７２は、受け入れた操作が示す測定対象装置の測定対象値の異常値を、上記ＵＩ画像に対する操作に応じて受け入れた判定設定の指定に基づいて、また、受け入れた各種設定値を用いて判定するように、異常値検出プログラム１６の各構成部分を制御する。
また、処理制御部１７２は、統計処理部１６８から入力された統計情報、および、異常検出部１７０が判定した測定値の異常を、入出力装置１２６に表示し、あるいは、ＮＷ−ＩＦ１６０および工場ネットワーク１０を介して操作端末１４に表示する。

以下、管理サーバ１２（異常値検出プログラム１６）の第２の動作を説明する。
図９は、図２〜４に示した基板処理装置２および図６に示した異常値検出プログラム１６の処理を示すフローチャートである。
ステップ１００（Ｓ１００）において、基板処理装置２（処理炉３）のヒータ制御部３９４（図４）は、基板処理装置２（処理炉３）の基板処理装置用コントローラ３８０などに備えられたクロック（図示せず）から時刻情報を取得する。
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、ヒータ制御部３９４は、取得した時刻が、抵抗値検出部３５０によりヒータ３０８の抵抗値を測定する時刻（基準時刻）に達したか否か判断し、基準時刻となったときには、異常値検出プログラム１６はＳ１０４の処理に進み、これ以外の場合にはＳ１０２の処理に留まる。

ステップ１０４（Ｓ１０４）において、ヒータ制御部３９４は、抵抗値検出部３５０により測定されたヒータ３０８の抵抗値を取得する。
取得されたヒータ３０８の抵抗値を示す測定データは、基板処理制御部３８２、ＮＷ−ＩＦ３８４および工場ネットワーク１０を介して管理サーバ１２に対して送信される。
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、送信された測定データは、異常値検出プログラムより、順次、測定値ＤＢ１６２に蓄積される。また、異常値検出プログラム１６により、測定値ＤＢ１６２は、ＮＷ−ＩＦ１６０を介してヒータ３０８の抵抗値を、平均値算出部１６４、差分算出部１６６および統計処理部１６８の処理のために提供するように構成されている。

ステップ１０８（Ｓ１０８）において、平均値算出部１６４は、測定データの移動平均値を算出し、差分算出部１６６に対して出力する。
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、差分算出部１６６は、ヒータ３０８の抵抗値測定の時間間隔（例えば０．０４秒ごと）の測定データの値と、この測定データに対応する移動平均値との差分を所定の時刻毎に算出して統計処理部１６８および異常検出部１７０に対して出力する。

ステップ１１２（Ｓ１１２）において、統計処理部１６８は、Ｓ１１０の処理において算出された差分値と閾値とを比較する。
ステップ１１４（Ｓ１１４）において、統計処理部１６８は、Ｓ１１２において、差分値が閾値を超えたか否かを判断し、超えなかった場合には異常値検出プログラム１６はＳ１１６の処理に進み、これ以外の場合にはＳ１００の処理に戻る。
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、統計処理部１６８は、上述した統計解析処理を行う。
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、異常検出部１７０は、例えば、測定データの値が閾値を超えた回数が、基準値を超えたか否かを判断し、基準値を超えたときにはＳ１２０の処理に進み、これ以外のときにはＳ１００の処理に戻る。

ステップ１２０（Ｓ１２０）において、異常検出部１７０は、処理制御部１７２などを介して、測定データの値の異常を入出力装置１２６あるいは操作端末１４に、例えば図８（Ａ）〜（Ｃ）に示したグラフとともに表示する。
ステップ１２２（Ｓ１２２）において、異常検出部１７０は、測定データの異常値の表示がリセットされたか否かを判断し、リセットされた場合にはＳ１２４の処理に進み、これ以外のときにはＳ１２０，Ｓ１２２の処理に留まる。
ステップ１２４（Ｓ１２４）において、異常検出部１７０は、測定データの異常値の表示の停止、および、異常値検出プログラム１６の各構成部品の初期化などの処理を行い、Ｓ１００の処理に戻る。

図１０は、図８（Ａ）に示した測定データの値が時間の経過により全体的に高くなった場合の異常値検出プログラム１６の動作を例示する図である。
例えば、図１０（Ａ）に示すように、図８（Ａ）に示した測定データの値が、時間の経過により全体的に２０Ω程度、高くなった場合であっても、図１０（Ｂ）に示すように、異常値検出プログラム１６の処理によれば、時間の経過にかかわらず、閾値の変更なしに、有意に正しく測定データの値と閾値を比較することができる。
従って、異常値検出プログラム１６によれば、図５Ａ，５Ｂを参照して上述した不具合を回避することができる。

このように、本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

本実施形態によれば、異常値検出プログラムを実行することにより、ノイズ等の影響を受けずに、基板処理装置から送信された測定データの値を判定することができるので、測定データの正常値判定の精度が向上した。

また、本実施形態によれば、所定の期間における測定値の平均値(移動平均値)を利用して、判定する基準値を算出するようにしているので、経時的に変化する測定値の健全性を正確に判定できる。

また、本実施形態によれば、異常値検出プログラムを実行することにより、例えば、ヒータの抵抗値の経時的変化に応じて基準値を変更することができる。よって、基板処理装置からの測定データ(ヒータ抵抗値)の正常値判定の精度が向上した。

また、本実施形態によれば、対象となる測定データの健全性を精度よく判定できるので、無駄な装置停止を行うことが抑制され、装置稼働率の向上につながる。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

＜付記１＞
本発明の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置であって、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定手段と、前記測定データを記憶する記憶手段と、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出手段と、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出手段と、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定する基準値判定手段と、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定手段とを有する管理装置が提供される。

＜付記２＞
また、本発明の他の一態様によれば、前記設定手段は、前記基板処理装置が一区切りの処理を行うたびに、前記所定の期間ごとに前記基準外であると判定された測定データの数の経時的な変化に基づいて、前記経時的に記憶された測定データそれぞれが予期された健全な範囲内にあるか否かの判定をさらに行う付記１に記載の管理装置が提供される。

＜付記３＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、画像を表示し、前記表示された画像に対する操作を受け入れる入出力装置をさらに有し、前記設定手段は、測定の対象とされる前記基板処理装置、測定の対象とされる前記基板処理装置から出力される測定データ、前記測定の対象とされた測定データそれぞれの基準値および前記健全な範囲内にあるか否かの判定の実行の設定またはこれらの内の１つ以上に用いられる設定用画像を前記入出力装置に表示し、前記表示された設定用画像に対する操作に応じて、前記測定の対象とされる基板処理装置およびその測定データと、前記測定の対象とされる測定データそれぞれの基準値の設定を受け入れ、前記受け入れられた前記基板処理装置およびその測定データと前記基準値とを設定する付記２に記載の管理装置が提供される。

＜付記４＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、画像を表示し、前記表示された画像に対する操作を受け入れる入出力装置と、前記基板処理装置が一区切りの処理を行うたびに、測定の対象となった前記測定データを出力した前記基板処理装置、この基板処理装置から出力されて記憶された前記測定データの値、および、この測定データが前記基準外の値をとったと判定された数の値またはこれらの２つ以上を対応付けた統計情報を作成し、この統計情報に含まれる値の１つ以上を前記入出力手段に表示する統計情報作成手段とをさらに有する付記１または付記２に記載の管理装置が提供される。

＜付記５＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、前記統計情報作成手段は、前記統計情報を経時的に作成し、前記異常判定手段は、前記経時的な統計情報に含まれる前記１つ以上の値の経時的な変化が所定の規則を満たすときに、前記１つ以上の値に対応する前記測定データに異常が生じているとさらに判定する付記４に記載の管理装置が提供される。

＜付記６＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データの値を出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理方法であって、測定の対象とされる前記測定データの選択およびその測定データの基準値を設定し、前記測定データを取得し、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出し、前記所定の期間において前記測定データのそれぞれの値と、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出し、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定し、前記測定データの前記差分値の内、前記基準値外であると判定された回数が所定の数を超えたときに、前記測定データに異常が生じていると判定する基板処理装置の管理方法が提供される。

＜付記７＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置と、前記基板処理装置を管理する管理装置と、を有する基板処理システムであって、前記管理装置は、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データ取得の選択およびその測定データの基準値を設定する設定部と、前記測定データの値を記憶する記憶部と、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出部と、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出する差分算出部と、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定する基準値判定部と、前記測定データの前記差分値の内、前記基準値外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定部とを有する基板処理システムが提供される。

＜付記８＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置のコンピュータに、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定ステップと、前記測定データを経時的に記憶する記憶ステップと、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出ステップと、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、この測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出ステップと、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準外であるか否かを判定する基準値判定ステップと、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定ステップとを実行させるプログラムが提供される。

＜付記９＞
また、本発明のさらに他の一態様によれば、基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置のコンピュータに、前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データおよびその基準値を設定する設定ステップと、前記測定データを記憶する記憶ステップと、前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出ステップと、前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、前記測定データから得られた移動平均値との差分値を算出する差分算出ステップと、前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において記憶された測定データそれぞれの値が基準値外であるか否かを判定する基準値判定ステップと、前記記憶された測定データの内、前記基準外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定ステップとを実行させるプログラムを記録した記録媒体が提供される。

本発明は、基板処理装置の管理装置に利用することができる。

１・・・基板処理システム，
２・・・基板処理装置，
２０・・・ウエハ，
２０２・・・正面メンテナンス口，
２０４・・・正面メンテナンス扉，
２０８・・・筐体，
２１０・・・ポッド搬入搬出口，
２１２・・・フロントシャッタ，
２１４・・・ロードポート，
２２０・・・棚板，
２２２・・・ポッド搬送装置，
２２４・・・ボートエレベータ，
２２６・・・回転式ポッド棚，
２３０・・・ウエハ搬入搬出口，
２３２・・・ポッドオープナ，
２３４・・・載置台，
２３６・・・キャップ着脱機構，
２３８・・・移載室，
２４０・・・ウエハ移載機構，
２４２・・・待機部，
２４４・・・アーム，
２４８・・・クリーンユニット，
２５２・・・炉口シャッタ，
３・・・処理炉，
３０２・・・プロセスチューブ，
３０４・・・インナーチューブ，
３０６・・・アウターチューブ，
３０８・・・ヒータ，
３１０・・・マニホールド，
３２０・・・断熱板，
３２２・・・ボート，
３２４・・・シールキャップ，
３４０・・・ノズル，
３４２・・・排気管，
３４４・・・ガス供給管，
３４６・・・ＡＰＣ，
３５０・・・抵抗値検出部，
３６２・・・ＭＦＣ，
３６４・・・クリーンエア，
３６６・・・排気管，
３６８・・・真空ポンプ，
３７０・・・筒状空間，
３７２・・・ヒータベース，
３７４・・・回転機構，
３７６・・・回転軸，
３８０・・・基板処理装置用コントローラ，
３８２・・・基板処理制御部，
３８４・・・ＮＷ−ＩＦ，
３８６・・・搬送制御部，
３８８・・・圧力制御部，
３９０・・・ガス流量制御部，
３９２・・・温度制御部，
３９４・・・ヒータ制御部，
１２・・・管理サーバ，
１２０・・・ＣＰＵ／メモリ，
１２４・・・ＮＷ−ＩＦ，
１２６・・入出力装置，
１６・・・異常値検出プログラム，
１６０・・・ＮＷ−ＩＦ，
１６２・・・測定値ＤＢ，
１６６・・・差分算出部，
１６８・・・統計処理部，
１７０・・・異常検出部，
１７２・・・処理制御部，
１４・・・操作端末，

Claims (4)

1. 基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データの値を出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置であって、
   前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データの選択および前記測定データの基準値を設定する設定部と、
   前記測定データの値を記憶する記憶部と、
   前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出部と、
   前記所定の期間において前記測定データのそれぞれの値と、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出する差分算出部と、
   前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間における前記測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定する基準値判定部と、
   前記測定データの前記差分値の内、前記基準値外であると判定された回数が所定の数を超えたときに、前記測定データに異常が生じていると判定する異常判定部と
   を有する管理装置。
2. 基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データの値を出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理方法であって、
   測定の対象とされる前記測定データの選択およびその測定データの基準値を設定し、
   前記測定データを取得し、
   前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出し、
   前記所定の期間において前記測定データのそれぞれの値と、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出し、
   前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定し、
   前記測定データの前記差分値の内、前記基準値外であると判定された回数が所定の数を超えたときに、前記測定データに異常が生じていると判定する
   基板処理装置の管理方法。
3. 基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置と、
   前記基板処理装置を管理する管理装置と、を有する基板処理システムであって、
   前記管理装置は、
   前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データ取得の選択およびその測定データの基準値を設定する設定部と、
   前記測定データの値を記憶する記憶部と、
   前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出部と、
   前記所定の期間において記憶された前記測定データそれぞれと、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出する差分算出部と、
   前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定する基準値判定部と、
   前記測定データの前記差分値の内、前記基準値外であると判定された測定データの数が所定の数を超えたときに、この測定データに異常が生じていると判定する異常判定部と
   を有する基板処理システム。
4. 基板に対する処理に用いられ、測定の対象となりうる１つ以上の測定データを出力する複数の構成部分を含む１つ以上の基板処理装置を管理する管理装置のコンピュータに、
   前記基板処理装置から出力され、測定の対象とされる前記測定データの選択および前記測定データの基準値を設定する設定ステップと、
   前記測定データを取得する取得ステップと、
   前記測定データの所定の期間における平均値を、移動平均値として経時的に算出する平均値算出ステップと、
   前記所定の期間において前記測定データのそれぞれの値と、前記測定データから得られた前記移動平均値との差分値を算出する差分算出ステップと、
   前記測定データそれぞれに対応する基準値に基づいて、前記所定の期間において測定データそれぞれの前記差分値が基準値外であるか否かを判定する基準値判定ステップと、
   前記測定データの前記差分値の内、前記所定の期間において前記基準値外であると判定された回数が所定の数を超えたときに、前記測定データに異常が生じていると判定する異常判定ステップと
   を実行させるプログラムを記録した記録媒体。

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