WO2014115643A1 - 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体 - Google Patents

基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体 Download PDF

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Abstract

基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、を備えるように基板処理装置の異常判定方法を構成する。

Description

基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体
  本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置の異常を判定する異常判定装置や、上記基板処理装置及び異常判定装置を含む基板処理システム並びに記録媒体に関するものである。
  例えば半導体製造分野では、半導体製造のための基板処理を行う基板処理装置において、基板処理装置の処理室内に基板を搬入し、成膜等の基板表面処理を行った後、基板を搬出するといった一連の工程を含む基板処理工程が繰り返し行われる。例えば、縦型半導体製造装置においては、ボートへの基板の装填、基板を装填したボートの処理室内への搬入、処理室内の減圧、処理室内の温度上昇、基板の成膜処理、処理室内の温度下降、処理室内の大気圧への復帰、ボートの処理室内からの搬出、ボートからの基板の取出といった一連の工程が、１回の基板処理工程として行われる。例えば、この基板処理工程は、ボート上の複数の基板を同時に一括処理するバッチ処理として行われ、このバッチ処理が繰り返し行われる。
  このような基板処理工程において、基板処理装置の稼働状態に関する各種装置データがモニタ（監視）され、モニタデータとして管理装置に蓄積される。モニタデータは、例えば、ヒータ温度実測値やヒータパワーや処理室内の圧力や圧力調整バルブの開度などであり、多種のモニタデータが存在する。そして、蓄積したモニタデータを使用して、その装置が異常であるか否かが判断される。異常と判断された場合には、その異常内容をアラーム情報として、当該基板処理装置等に表示して装置担当者へ通知するようにしている。こうして、基板処理装置が完全に故障する前の段階で、装置異常を検出してメンテナンスを行うようにしている。
  異常検知には、モニタデータを統計的に解析する手法ＳＰＣ（Statistical Process
Control）が使用されている。これは、過去の異常時におけるモニタデータを統計的に解析し、該解析結果に基づき作成した異常監視コンテンツにより、刻々と発生するモニタデータの異常有無を監視するものである。  例えば、特許文献１には、異常を監視するコンテンツを作成する仕組みについて開示されている。そして、各基板処理工程におけるモニタデータの統計値を、作成された異常監視コンテンツと比較することにより、異常発生を検知することが記載されている。
  しかしながら、このような監視コンテンツを適切な内容で作成するためには、監視対象のモニタデータ、使用する統計量（平均値や最大値や最小値等）、異常判定のルール等を指定し組み合わせる必要がある。そのため、経験と知識を備えた人でも、適切な内容の監視コンテンツの作成は容易ではない。例えば、基板処理工程の各ステップ（工程）のそれぞれに対し、適切な内容の監視コンテンツを作成することは容易ではない。
特開２０１２-１８６２１３号公報
  本発明の目的は、監視対象として選択されたモニタデータを適切に監視することができる技術を提供することにある。
  本発明の一態様によれば、基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、 
前記上下限値設定工程後に受信した前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定方法が提供される。
  本発明の他の態様によれば、  基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の異常を判定する異常判定装置であって、  前記基板処理装置から受信した当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定部で設定された上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える異常判定装置が提供される。
  本発明の更に他の態様によれば、  基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置と、該基板処理装置の異常を判定する異常判定装置とを備える基板処理システムであって、  前記基板処理装置は、当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを前記異常判定装置へ送信する制御部を備え、  前記異常判定装置は、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定部で設定された上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える基板処理システムが提供される。
  本発明の他の態様によれば、  基板を処理する基板処理工程を実行する基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信し、受信した前記モニタデータの上限値又は下限値を設定する上下限値設定工程と、前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、を備える異常判定プログラムを記録した記録媒体。
  上記の構成によれば、監視対象とするモニタデータを適切に監視することができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の制御部及びその周辺の構成例である。 本発明の実施形態に係る基板処理工程の一例である。 本発明の実施形態に係る管理装置の構成例である。 本発明の実施形態に係る安定型モニタデータと変動型モニタデータを示す図である。 本発明の実施形態に係る安定型上下限値の算出例である。 本発明の実施形態に係る安定型モニタデータの一例である。 本発明の実施形態に係る変動型モニタデータの一例である。 本発明の実施形態に係る変動型モニタデータの他の例である。 本発明の実施形態に係る変動型モニタデータの他の例である。 本発明の実施形態に係る管理装置のモニタデータ記憶部の一例である。
（１）基板処理装置の構成  以下、図面を参照して、本発明の実施形態における基板処理装置を説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置を適用した場合について述べる。図１は、本実施形態における基板処理装置の透視図であり、斜視図として示されている。また、図２は、図１に示す基板処理装置の側面透視図である。
  図１や図２に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納するウエハキャリアとしてポッド１１０を使用し、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口１１２が、筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ１１３によって開閉される。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、ロードポート１１４が設置されており、ロードポート１１４は、ポッド１１０を載置する。ポッド１１０は、ロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
  筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚１０５が設置されており、回転棚１０５は、支柱１１６を中心に回転し、棚板１１７に複数個のポッド１１０を保管する。  図２に示すように、筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転棚１０５との間には、ポッド搬送装置１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ１１８ａと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構１１８ｂとで構成されており、ロードポート１１４、回転棚１０５、ポッドオープナ１２１との間で、ポッド１１０を搬送する。
  図２に示すように、筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１２０が１対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には１対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。  ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉する。載置台１２２は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。
  図２に示すように、サブ筐体１１９は、ポッド搬送装置１１８や回転棚１０５の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域には、ウエハ移載機構１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００をツイーザ１２５ｃに載置して水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置１２５ａ、およびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ボート２１７に対して、ウエハ２００を装填および脱装する。
  図１に示すように、移載室１２４内には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。  図２に示すように、ボート２１７の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２は、内部に基板処理室（不図示、以下、処理室）を備え、該処理室の周囲には、処理室内を加熱するヒータ（不図示）を備える。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ１４７により開閉される。
  図１に示すように、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５に連結されたアーム１２８には、シールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。  ボート２１７は、複数本の保持部材を備えた基板保持具であり、複数枚（例えば、５０枚～１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
（２）基板処理装置の制御部及びその周辺の構成  次に、図３を参照して、基板処理装置の制御部及びその周辺の構成について説明する。図３は、本実施形態に係る基板処理装置の制御部及びその周辺の構成例である。  図３に示すように、制御部１０は、主制御部１１と、温度制御部１２と、ガス流量制御部１３と、圧力制御部１４と、搬送制御部１５とを備えている。主制御部１１には、温度制御部１２、ガス流量制御部１３、圧力制御部１４、搬送制御部１５、オペレータ（操作者）からの指示を受け付ける操作部３１、操作画面や各種データ等の情報を表示する表示部３２、記憶部２０、外部の管理装置等と通信するための通信部３３等、基板処理装置１００を構成する構成部が電気的に接続されている。なお、操作部３１と表示部３２は、例えばタッチパネル等の場合は、一体的に構成することができる。
  温度制御部１２は、反応炉２０２を加熱するヒータの温度を制御するもので、処理炉２０２内の温度を計測する温度センサから温度データを受信し、主制御部１１に送信する。また、温度制御部１２は、主制御部１１から、例えば処理炉２０２内の温度を上昇させるヒータの加熱温度指示を受信し、指示された温度になるようヒータを加熱する。
  ガス流量制御部１３は、例えば、処理炉２０２内へ処理ガスを供給する処理ガス供給管に設けられたＭＦＣ（流量制御装置）からガスの流量データを受信し、主制御部１１に送信する。また、主制御部１１から、例えば、処理ガス供給管に設けられた開閉バルブへのバルブ開閉指示やポンプ駆動指示等のガス制御指示を受信し、該指示に従いガス流量制御を行う。
  圧力制御部１４は、処理炉２０２内からガスを排気する排気管に設けられた圧力センサから、処理炉２０２内の圧力情報を受信し、主制御部１１に送信する。また、主制御部１１から、上記排気管に設けられた圧力調整バルブやポンプ等へのバルブ開度指示やポンプ駆動指示等を受信し、該指示に従い処理炉２０２内圧力の制御を行う。こうして、制御部１０は、圧力センサにより検出された圧力に基づいて、圧力調整装置により処理室内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御する
  搬送制御部１５は、ポッド搬送装置１１８やウエハ移載機構１２５やボートエレベータ１１５等の位置を制御するもので、搬送制御部１５には、フォトセンサ（不図示）等が電気的に接続され、これらのセンサから、例えば、ウエハ２００を収容するポッド１１０の有無や位置等のデータを受信し、主制御部１１に送信する。また、搬送制御部１５は、主制御部１１から、例えばポッド１１０やボート２１７やウエハ２００の搬送指示を受信し、指示された場所や位置にポッド１１０やボート２１７やウエハ２００を搬送する。
  主制御部１１は、ハードウエア構成としては、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と主制御部１１の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、ＣＰＵは、例えば操作部３１からの操作者に指示に基づき、この動作プログラムに従って、記憶部２０に記憶しているレシピを上記メモリへダウンロードして実行するように動作する。このとき、主制御部１１は、温度制御部１２、ガス流量制御部１３、圧力制御部１４、搬送制御部１５等の各副制御部に対して、処理室内の温度や圧力、ガス流量等を測定させ、この測定データに基づいて、上記各副制御部に対して制御信号を出力し、上記各副制御部がレシピに従い動作するように制御する。
  また、主制御部１１は、基板処理工程を構成する各ステップで生成されたモニタデータを、通信部３３を介して、管理装置４０へ送信する。モニタデータは、各ステップで生成される都度送信するようにしてもよいし、ある程度まとめて、例えば、ある基板処理工程で生成されたモニタデータを、当該基板処理工程の終了後にまとめて送信するようにしてもよい。
  また、主制御部１１は、操作者から操作部３１を介して入力された各基板処理工程ごとの基板処理が正常か否かを示す基板処理結果、例えば成膜結果を、記憶部２０に記憶させるとともに、通信部３３を介して管理装置４０へ送信する。この基板処理結果は、例えば、処理後のウエハ２００の処理具合を検査する基板処理結果検査装置（不図示）による検査結果である。基板処理結果検査装置は、基板処理装置１００内に設けてもよいし、基板処理装置１００外に設けてもよい。なお、基板処理装置１００を介することなく、基板処理結果を、基板処理結果検査装置から管理装置４０へ送信するよう構成することも可能である。
  記憶部２０は、ファイル記憶部２１を備える。ファイル記憶部２１は、基板表面処理を行うためのプロセスレシピを含む複数種類のレシピ、例えば、膜厚Ａの成膜をウエハ２００表面に行うためのプロセスレシピや、ウエハ２００を搬送するための搬送レシピ等を記憶する。また、ファイル記憶部２１は、主制御部１１で動作する各種プログラムファイルや、温度、圧力等を定義する各種パラメータファイル等を記憶する。  なお、記憶部２０は、各基板処理工程の基板処理が正常か否かを示す基板処理結果を記憶する。
  記憶部２０は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、上記ＣＰＵの動作プログラムを記憶する記憶媒体や、レシピを記憶する記憶媒体をも含む。記憶部２０に記憶された動作プログラムは、例えば基板処理装置の立ち上がり時において、主制御部１１のメモリに転送され動作する。
（３）基板処理装置の動作  次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、基板処理装置の制御部１０により制御される。  図１、図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ポッド搬入搬出口１１２から搬入される。  搬入されたポッド１１０は、回転棚１０５の指定された棚板１１７へ、ポッド搬送装置１１８によって、自動的に搬送されて受け渡される。
  ポッド１１０は回転棚１０５で一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは、ロードポート１１４から直接、ポッドオープナ１２１に搬送されて、載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０は、キャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。
  図２に示すように、載置台１２２に載置されたポッド１１０は、そのキャップが、キャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。また、ウエハ２００は、ポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａによってピックアップされ、ボート２１７へ移載されて装填される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
  この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５ａによるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には、回転棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
  予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、処理炉２０２の下端部が炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が、処理炉２０２内の処理室へ搬入されて行く。  ローディング後は、処理室内でウエハ２００に所定の処理が実施される。こうして、ボート２１７に搭載された複数枚のウエハ２００は、処理炉２０２内において、同時に一括処理、つまりバッチ処理される。  処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、その後は、概上述の逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
（４）基板処理工程  次に、ウエハ２００に所定の処理を施す基板処理工程について説明する。この基板処理工程は、半導体装置の製造工程の一工程として実施され、ウエハ２００に所定の処理を施すプロセスレシピ等のレシピに基づいて実行される。１回の基板処理工程は、１回のバッチ処理として実行される。ウエハ２００を入れ替えてバッチ処理が繰り返し実行されることにより、多数のウエハ２００が処理される。本実施形態においては、複数のステップを含むレシピに基づく基板処理工程の一例として、ＣＶＤ法によりウエハ２００表面上に薄膜を形成する成膜処理を行う基板処理工程について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態の基板処理工程の一例である。
  図４に示すように、本実施形態の基板処理工程は、基板装填ステップＳ１から基板取出ステップＳ１０までの１０ステップを有する。図４において、横軸は時間、つまり各ステップの順番を示し、縦軸はモニタデータの例として処理炉２０２内の温度を示す。基板処理装置１００は、各ステップにおける全てのモニタデータ値、例えば処理炉２０２内の温度を、管理装置４０へ送信する。また、基板処理装置１００は、各基板処理工程の基板処理結果、例えば成膜結果が正常であったか否かを、管理装置４０へ送信する。以下、ステップＳ１から順に説明する。なお、この基板処理工程において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、制御部１０により制御される。
（基板装填ステップＳ１）  載置台１２２に載置されたポッド１１０から、所定枚数のウエハ２００を、ウエハ移載機構１２５により、処理炉２０２の下方のボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。このとき、処理炉２０２下端の炉口は炉口シャッタ１４７により塞がれているが、処理炉２０２内の圧力は略大気圧であり、温度は約１５０℃である。
（ボート上昇ステップＳ２）  所定枚数のウエハ２００をボート２１７に装填した後、炉口シャッタ１４７を開けて、該ボート２１７を、ボートエレベータ１１５により上昇させて、処理炉２０２内に搬入する（ボートローディング）。このとき、処理炉２０２下部の炉口が開放されるため、処理炉２０２内の温度が若干低下する。
（真空引きステップＳ３）  ボート２１７を処理炉２０２内に搬入した後、処理炉２０２下端がシールキャップ２１９により密閉された状態で、処理炉２０２内を真空引きし、所定の圧力になるよう減圧する。このとき、処理炉２０２内の圧力を検出する圧力センサが検出した圧力値に基づき、圧力調整バルブの開度をフィードバック制御する。この真空引きステップＳ３においては、処理炉２０２内の温度は約１５０℃である。
（リークチェックステップＳ４）  処理炉２０２内を所定の圧力まで真空引きした後、処理炉２０２内が気密状態に保たれていることを確認するリークチェックを行う。リークチェックは、処理炉２０２内への不活性ガス供給、処理炉２０２内のガス排出のいずれも停止した状態で、所定時間内の圧力上昇が所定の範囲内であることを確認する。このリークチェックステップＳ４においては、処理炉２０２内の温度は約１５０℃である。
（昇温ステップＳ５）  リークチェックした後、処理炉２０２内を加熱するヒータへの電力供給を増加し、処理炉２０２内を加熱して、所定の温度まで上昇させる。例えば図４に示すように、処理炉２０２内の温度を、約１５０℃から約７００℃まで、所定の温度勾配で上昇させる。このとき、処理炉２０２内の温度を検出する温度センサが検出した温度値に基づき、ヒータへの通電量がフィードバック制御される。
（温度安定ステップＳ６）  処理炉２０２内の温度を上昇させた後、処理炉２０２内の温度を、所定の温度、例えば約７００℃で安定した状態にする。
（成膜ステップＳ７）  処理炉２０２内の温度を安定状態にした後、処理炉２０２内へ処理ガスを供給し、所定の時間、ウエハ２００に成膜処理を施す。例えば、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積される。所定の時間が経過後、処理炉２０２内への処理ガスの供給を停止する。成膜ステップＳ７において、処理炉２０２内の温度は約７００℃に保たれている。
（降温ステップＳ８）  成膜ステップの後、不活性ガスを供給し処理炉２０２内を不活性ガスで置換するとともに、処理炉２０２内を加熱するヒータへの電力供給を減少し、処理炉２０２内の温度を、所定の温度まで降下させる。例えば図４に示すように、処理炉２０２内の温度を、約７００℃から約１５０℃まで、所定の温度勾配で降下させる。また、このとき併行して、処理炉２０２内の圧力が略大気圧となるように、圧力調整バルブの開度をフィードバック制御する。
（ボート下降ステップＳ９）  処理炉２０２内の温度を所定の温度（約１５０℃）まで降下させ、処理炉２０２内の圧力を略大気圧とした後、ボート２１７を、ボートエレベータ１１５により下降させて、処理炉２０２内から搬出する（ボートアンローディング）。そして、ボート２１７を処理炉２０２内から搬出した後、炉口シャッタ１４７を閉じる。ボート２１７降下中は処理炉２０２内の温度が所定の温度（約１５０℃）より若干低下するが、炉口シャッタ１４７を閉じた後、処理炉２０２内は所定の温度に戻る。
（基板取出ステップＳ１０）  処理炉２０２下方に下降させたボート２１７から、処理済のウエハ２００を、ウエハ移載機構１２５により取り出し、載置台１２２に載置されたポッド１１０内へ格納する（ウエハディスチャージ）。このとき、処理炉２０２下端の炉口は炉口シャッタ１４７により塞がれており、処理炉２０２内の温度は約１５０℃である。
  以上説明した基板処理工程の各ステップにおいて、基板処理装置１００の稼働状態を示す多種のモニタデータが、所定時間ごとに、管理装置４０へ送信される。モニタデータとしては、例えば、処理炉２０２を加熱するヒータ温度の実測値、ヒータへ供給される電力値であるヒータパワー値、処理炉２０２内の温度実測値、処理炉２０２内の圧力実測値、圧力調整バルブの開度データ等が挙げられる。さらに、処理炉２０２のヒータは、上から順に例えば４つのヒータに分割されており、各分割ヒータの温度実測値、ヒータパワー値等が、それぞれモニタデータとして管理装置４０へ送信される。  また、ボート２１７から取り出された処理済のウエハ２００は、処理が正常か否かを検査され、基板処理が正常か否かを示す基板処理結果が、管理装置４０へ送信される。
（５）管理装置  次に、管理装置について説明する。管理装置は、例えばＬＡＮ等のネットワークを介して基板処理装置１００と信号接続され、基板処理装置１００から受信した基板処理装置１００の稼働状態を示すモニタデータを蓄積し、また、基板処理工程ごとの基板処理結果を記憶する。そして、蓄積したモニタデータと基板処理結果を用いて、基板処理装置１００の異常判定を行い、基板処理装置１００の健全性（異常のないこと）を確認し、また、異常判定のための設定値を更新する。すなわち、管理装置は、異常判定装置として機能する。また、管理装置は、基板処理装置１００の生産履歴や稼働状態を閲覧可能とするよう構成することもでき、このように構成すると、基板処理の効率向上を図ることができる。
  図５は、本実施形態における管理装置の構成図である。図５に示すように、管理装置４０は、制御部４１と、記憶部４２と、操作部４３と、表示部４４と、通信部４５とを備える。操作部４３は、キーボード等を有し、操作者からの指示やデータ入力を受け付ける。表示部４４は、ディスプレイ装置等を有し、各種データを表示する。通信部４５は、ネットワーク等を介して、基板処理装置１００との間で、各種データを交信する。
（制御部）  制御部４１は、ＣＰＵとメモリを内蔵し、管理装置４０の上記各構成部と接続されており、管理装置４０及び上記各構成部を制御する。制御部４１は、メモリに格納されているモニタデータ監視プログラムを実行すると、図５に示すように、モニタデータ格納部４１ａ、型判定部４１ｂ、安定型上下限値算出部４１ｃ、安定型上下限判定部４１ｄ、メンテ上限判定部４１ｅ、乖離上限判定部４１ｆ、変動上限判定部４１ｇの機能を実現する。そして、制御部４１は、モニタデータ監視プログラムを実行することにより、モニタデータの健全性を監視する。また、モニタデータの設定値の妥当性も監視し、設定値の更新を行うように構成されている。
（モニタデータ格納部４１ａ）  制御部４１のモニタデータ格納部４１ａは、通信部４５が基板処理装置１００から受信したモニタデータを、そのモニタデータが生成されたバッチ処理を示すバッチ特定情報と対応付けて、記憶部４２（後述のモニタデータ記憶部４２ａ）に記憶し蓄積させる。バッチ特定情報としては、例えば、バッチ処理順を示すバッチ番号（バッチＮｏ.）を用いることができる。  また、モニタデータ格納部４１ａは、通信部４５が基板処理装置１００から受信した各バッチ処理の基板処理結果、つまり各バッチ処理の結果が正常であったか異常であったかを示す基板処理結果を、バッチ特定情報と対応付けて記憶部４２（後述の処理結果情報記憶部４２ｂ）に記憶させる。基板処理結果は、例えば、基板に成膜された膜厚が所定の範囲の厚さであるか否か等を示す成膜結果である。
（型判定部４１ｂ）  また、制御部４１の型判定部４１ｂは、各モニタデータが安定型であるか変動型であるかを判定する。図６は、本発明の実施形態に係る安定型モニタデータと変動型モニタデータを示す図であり、図６（ａ）は安定型モニタデータであり、図６（ｂ）は変動型モニタデータである。図６（ａ），（ｂ）の横軸は、時間、つまりバッチ処理の順番であり、縦軸は、あるステップにおけるモニタデータの値（例えば処理炉２０２内の温度）である。
  安定型とは、あるステップにおけるモニタデータの値が、各バッチ処理において一定の変動傾向（増加傾向又は減少傾向）を示すことなく一定の範囲内に収まるものである。言い換えると、バッチ処理を重ねても各バッチ処理のモニタデータの平均値が略一定となるものである。図６（ａ）においては、各バッチ処理Ｎｏ．ａ１、ａ２、ａ３、・・・のモニタデータの値が、増減はあるものの一定の範囲内に収まっている。  変動型とは、あるステップにおけるモニタデータの値が、各バッチ処理において一定の変動傾向（増加傾向又は減少傾向）を示すものである。言い換えると、バッチ処理を重ねると、各バッチ処理のモニタデータの平均値が、増加傾向又は減少傾向となるものである。図６（ｂ）においては、各バッチ処理Ｎｏ．ｂ１、ｂ２、ｂ３、・・・のモニタデータの値が、増減しながらも一定の変動傾向、この場合は増加傾向を示している。
（安定型上下限値算出部４１ｃ）  また、制御部４１の安定型上下限値算出部４１ｃは、記憶部４２に蓄積した過去の複数のバッチ処理における安定型モニタデータに基づき、装置異常を検知するための設定値として、複数のバッチ処理における各ステップの安定型上限値と安定型下限値を算出する。例えば、あるステップの安定型上限値と安定型下限値については、成膜異常がなかった過去２０バッチ分のモニタデータのうち最大値と最小値を、それぞれ安定型上限値と安定型下限値として算出する。具体的には、レシピの全ステップを対象に、過去(２０バッチ分)のモニタデータから各ステップの最大値及び最小値を抽出し、これら最大値及び最小値を自動的に上下限値に設定する。このように、安定型上下限値算出部４１ｃは、装置異常を検知するための設定値を設定する設定部として構成される。  安定型上下限値算出部４１ｃは、このような安定型上限値と安定型下限値を、全モニタデータに対し、ステップごとに、（各ステップに少なくとも１つ）算出し、記憶部４２（後述の安定型上下限値記憶部４２ｄ）に記憶させる。
  図７は、本発明の実施形態に係る安定型上下限値の算出例であり、成膜ステップＳ７におけるヒータ温度のモニタデータである。図７の例では、成膜ステップＳ７における過去２０バッチ（バッチＮｏ.１～２０）分のヒータ温度のモニタデータのうち、最小値であるバッチＮｏ.２の６９９℃を安定型下限値とし、最大値であるバッチＮｏ.１９の７１０℃を安定型上限値としている。  このように、安定型上限値と安定型下限値の算出では、過去２０バッチ分のばらつきが考慮されるため、最適な上下限値に近づけることができる。なお、本実施形態においては、２０バッチ分のモニタデータのばらつきにより、上限値と下限値を決定したが、バッチ数の制限は特になく、１０バッチ分でもよい。また、毎回のバッチのモニタデータで更新してもよい。
  なお、昇温ステップＳ５のように、ヒータ温度のモニタデータが１５０℃から７００℃に変動するような場合は、当該ステップ内の所定のタイミングにおけるモニタデータに対し、安定型上限値と安定型下限値を設定するのが好ましい。より好ましくは、当該ステップ内の所定の複数のタイミングにおけるモニタデータに対し、それぞれ、安定型上限値と安定型下限値を設定する。例えば、昇温ステップＳ５内のタイミングｔ１とタイミングｔ２におけるモニタデータに対し、それぞれ、安定型上限値と安定型下限値を設定する。なお、タイミングｔ１とタイミングｔ２のうち、どちらか一方について、安定型上限値と安定型下限値を設定するようにしてもよい。少なくともタイミングｔ２に設定しておくと、次のステップ（温度安定ステップＳ６）へ移行する際のステップ時間の短縮が期待できる。
（安定型上下限判定部４１ｄ）  また、制御部４１の安定型上下限判定部４１ｄは、安定型のモニタデータに対し、あるステップのモニタデータの各バッチ処理における値が、安定型上下限値算出部４１ｃで算出した安定型上限値と安定型下限値の間に収まるか否かを判定する。つまり、安定型上下限判定部４１ｄは、モニタデータの各バッチ処理における値が、安定型上下限値算出部４１ｃで算出した安定型上限値を上回るか、又は安定型下限値を下回るかを、監視し判定する。安定型上下限判定部４１ｄは、各バッチ処理におけるモニタデータ値が、安定型上限値と安定型下限値の間に収まらない場合は、成膜異常の可能性、つまり装置異常の可能性があると判断する。
  図８は、本発明の実施形態に係る安定型のモニタデータの一例である。図８の横軸は、時間、つまりバッチ処理の順番であり、縦軸は、あるステップにおけるモニタデータの値である。図８の例では、バッチ処理Ｎｏ．２７において、あるステップにおけるモニタデータ値が、安定型上限値を上回っているので、安定型上下限判定部４１ｄは、成膜異常の可能性があると判断し、安定型上下限値異常警報を表示部４４に表示させ、装置担当者に通知する。装置担当者は、安定型上下限値異常を示すバッチ処理の成膜結果を確認し、成膜異常であるか否かを示す成膜異常当否情報を、操作部４３から入力する。成膜異常である場合は、装置担当者は、基板処理装置１００のメンテナンス等の異常処理を行う。
  安定型上下限判定部４１ｄは、操作部４３から入力された成膜異常当否情報が成膜異常を示す場合は、安定型上限値を第１の所定値分だけ小さくなるように更新する。成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合は、安定型上限値異常を示したバッチ処理（図８の例では、バッチ処理Ｎｏ．２７）のモニタデータ値を、新たな安定型上限値にするよう更新する。なお、安定型上下限判定部４１ｄは、成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合に、安定型上限値を第２の所定値分だけ大きくなるように更新するように構成することもできる。第１の所定値及び第２の所定値は、例えば、過去のモニタデータに基づき、操作部４３を介して操作者から設定される。第１の所定値及び第２の所定値は、同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、第１の所定値は０（ゼロ）であってもよいのは言うまでもない。
  以上の構成により、安定型モニタデータの上限値は、次第に適切な値に近づき収斂されていく。図８の例では、安定型上限値についてのみ説明したが、安定型下限値についても上限値と同様に更新される。
（メンテ上限判定部４１ｅ）  図９は、本発明の実施形態に係る変動型のモニタデータの一例である。図９の横軸は、時間、つまりバッチ処理の順番であり、縦軸は、あるステップにおけるモニタデータの値である。変動型のモニタデータは、図９に示すように、メンテナンス（保守作業）実施後に、値が戻る。基板処理装置１００は、例えばバッチ処理を所定回数行った後に、メンテナンスを実施するよう設定されている。
  図９の例では、バッチ処理を３０回行った後に、メンテナンスを実施するよう設定されている。そして、最初のＮｏ．１のバッチ処理からＮｏ．３０のバッチ処理まで、バッチ処理を繰り返し実施した後、制御部４１は、基板処理装置１００を停止させる。そして、装置担当者が１回目のメンテナンスを実施した後、Ｎｏ．３１のバッチ処理からＮｏ．５５のバッチ処理まで、バッチ処理を繰り返し実施したところで、Ｎｏ．５５のバッチ処理のモニタデータ値がメンテ上限値を超えているので、制御部４１は、メンテ適性時期と判断し基板処理装置１００を停止させる。そして、装置担当者が２回目のメンテナンスを実施した後、Ｎｏ．５６以降のバッチ処理を実施している。
  例えば、圧力調整バルブは、バッチ処理を重ねるにつれて徐々に内部に副生成物が付着するので、同じ圧力値を保つために、バッチ処理を重ねるにつれて徐々にバルブ開度を大きくする。メンテナンスを実施すると、圧力調整バルブが交換、又は副生成物が除去されるので、バルブ開度の値が最初のバッチ処理の値に戻る。図９の例では、Ｎｏ．３０やＮｏ．５５のバッチ処理を実施後に、メンテナンスを実施している。したがって、メンテナンス実施直後のＮｏ．３１のバッチ処理やＮｏ．５６のバッチ処理におけるモニタデータの値は、最初のＮｏ．１のバッチ処理の値に近い値に戻っている。
  制御部４１のメンテ上限判定部４１ｅは、このような変動型のモニタデータに対し、該モニタデータの各バッチ処理における値が、メンテ上限値以下に収まるか否かを判定する。図９の例では、Ｎｏ．５５のバッチ処理のモニタデータが、メンテ上限値を超えているので、メンテ上限判定部４１ｅは、成膜異常の可能性があると判断し、モニタデータがメンテ上限値を超えていることを示すメンテ上限値異常警報を、表示部４４に表示させ装置担当者に通知する。装置担当者は、メンテ上限値異常を示すバッチ処理の成膜結果を確認し、成膜異常であるか否かを示す成膜異常当否情報を、操作部４３から入力する。成膜異常である場合は、装置担当者は、基板処理装置１００のメンテナンス等の異常処理を行う。
  メンテ上限判定部４１ｅは、操作部４３から入力された成膜異常当否情報が成膜異常を示す場合は、メンテ上限値を第３の所定値分だけ小さくなるように更新する。成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合は、メンテ上限値異常を示したバッチ処理（図９の例では、バッチ処理Ｎｏ．５５）のモニタデータを、新たなメンテ上限値にするよう更新する。なお、メンテ上限判定部４１ｅは、成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合に、メンテ上限値を第４の所定値分だけ大きくなるように更新するように構成することもできる。第３の所定値及び第４の所定値は、例えば、過去のモニタデータに基づき、操作部４３を介して操作者から設定される。第３の所定値及び第４の所定値は、同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、第３の所定値は０（ゼロ）であってもよいのは言うまでもない。
  メンテ上限値の初期値は、例えば、過去のモニタデータを参照し、操作部４３を介して操作者から設定される。あるいは、メンテ上限判定部４１ｅが、過去のモニタデータを参照し、例えば、メンテナンスを実施する直前のバッチ処理のモニタデータのうち最小値を、メンテ上限値の初期値として設定することができる。  また、メンテ上限判定部４１ｅは、上記した最初のＮｏ．１のバッチ処理におけるモニタデータを、メンテ下限値の初期値として設定する。
  なお、上記した最初のＮｏ．１のバッチ処理は、任意のメンテナンスを実施した直後に行われるバッチ処理とすることができる。つまり、１回のメンテナンスと複数回のバッチ処理とを組み合わせた処理を繰り返し行う際に、任意のメンテナンスを実施した直後に行われるバッチ処理を、上記した最初のバッチ処理とすることができる。ただし、最初のバッチ処理は、通常レベルのメンテナンスよりも程度の高い高レベルのメンテナンス直後のバッチ処理とすることが好ましい。例えば、圧力調整バルブの場合は、圧力調整バルブ内部の副生成物除去が通常レベルのメンテナンスであり、圧力調整バルブの交換が高レベルのメンテナンスである。したがって、圧力調整バルブの交換直後に行われるバッチ処理を、最初のＮｏ．１のバッチ処理とすることが好ましい。このようにすると、メンテ下限値を、より適切な値に初期設定することができる。
（乖離上限判定部４１ｆ）  図１０は、本発明の実施形態に係る変動型のモニタデータの他の例である。図１０の横軸は、時間、つまりバッチ処理の順番であり、縦軸は、あるステップにおけるモニタデータの値である。図１０の例でも図９の例と同様に、基板処理装置１００は、バッチ処理を３０回行った後にメンテナンスを実施するよう設定されている。そして、最初のＮｏ．１のバッチ処理からＮｏ．３０のバッチ処理まで、バッチ処理を繰り返し実施した後、制御部４１は、基板処理装置１００の動作を停止させる。そして、装置担当者が１回目のメンテナンスを実施し、次に、Ｎｏ．３１のバッチ処理からＮｏ．６０のバッチ処理まで、バッチ処理を繰り返し実施した後、制御部４１は、基板処理装置１００の動作を停止させる。そして、装置担当者が２回目のメンテナンスを実施した後、Ｎｏ．６１のバッチ処理からＮｏ．９０のバッチ処理まで、バッチ処理を繰り返し実施し、その後、制御部４１は、基板処理装置１００の動作を停止させる。そして、装置担当者が３回目のメンテナンスを実施している。
  制御部４１の乖離上限判定部４１ｆは、第１のバッチ処理（例えばＮｏ．９０）直後の第２のバッチ処理（例えばＮｏ．９１）において、変動型のモニタデータの値が、所定値以上に下方に大きく変動した場合は、第１のバッチ処理と第２のバッチ処理との間で、つまり第２のバッチ処理の直前にメンテナンスが実施されたものと判定する。第２のバッチ処理の直前にメンテナンスを実施したと判定した場合は、第２のバッチ処理におけるモニタデータの値と、メンテ下限値との差である乖離値Ｂを算出する。そして、この乖離値Ｂが、乖離上限値Ａを超えているか否かを判定する。乖離上限値Ａは、例えば、１回目のメンテナンス実施直後のバッチ処理（例えばＮｏ．３１）におけるモニタデータの値であるメンテ下限値と、２回目のメンテナンス実施直後のバッチ処理（例えばＮｏ．６１）におけるモニタデータの値との差として、乖離上限判定部４１ｆにより算出される。  なお、乖離上限判定部４１ｆは、バッチ処理を所定回数、例えば３０回行った後にメンテナンスを実施するよう設定されている場合は、正常に連続してバッチ処理した回数に基づいて、メンテナンスが実施されたものと判定することも可能である。
  乖離値Ｂが乖離上限値Ａを超えている場合は、メンテナンスを実施したにも拘わらず、基板処理装置１００が最初の状態に戻っていない、つまり、メンテナンスした内容が妥当でない可能性があると考えられるので、乖離上限判定部４１ｆは、乖離値異常警報を表示部４４に表示させ、装置担当者に通知する。装置担当者は、乖離値異常を示したバッチ処理の成膜結果を確認し、成膜結果が異常か否かを示す成膜異常当否情報を、操作部４３から入力する。
  乖離上限判定部４１ｆは、操作部４３から入力された成膜異常当否情報が成膜異常を示す場合は、乖離上限値Ａを第５の所定値分だけ小さくするように更新する。成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合は、乖離値異常を示したバッチ処理（図１０の例では、バッチ処理Ｎｏ．９１）の乖離値Ｂを、新たな乖離上限値Ａにするよう更新する。なお、乖離上限判定部４１ｆは、成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合に、乖離上限値Ａを第６の所定値分だけ大きくするように更新するように構成することもできる。第５の所定値及び第６の所定値は、例えば、過去のモニタデータに基づき、操作部４３を介して操作者から設定される。第５の所定値及び第６の所定値は、同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、第５の所定値は０（ゼロ）であってもよいのは言うまでもない。
（変動上限判定部４１ｇ）  図１１は、本発明の実施形態に係る変動型のモニタデータの他の例であり、変動上限判定部４１ｇを説明する図である。図１１の横軸は、時間、つまりバッチ処理の順番であり、縦軸は、あるステップにおけるモニタデータの値である。図１１の例では、連続して行われた２０回の正常なバッチ処理（Ｎｏ．１～２０）のうち、連続する２回のバッチ処理間のモニタデータ値の差である変動値Ｄが最大であるのは、Ｎｏ．７のバッチ処理とＮｏ．８のバッチ処理の間である。変動上限判定部４１ｇは、このＮｏ．７とＮｏ．８のバッチ処理間のモニタデータ値の差を、変動上限値Ｃとして設定する。そして、その後行われた連続する２回のバッチ処理間の変動値Ｄが、変動上限値Ｃを超えるか否かを監視し、変動上限値Ｃを超えた場合は、何らかの装置異常が発生した可能性があると判断する。図１１の例では、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６のバッチ処理間の変動値Ｄが、変動上限値Ｃを超えているので、変動上限判定部４１ｇは、Ｎｏ．２５とＮｏ．２６のバッチ処理のいずれか一方又は両方において、何らかの装置異常が発生した可能性があると判断する。
  このように、制御部４１の変動上限判定部４１ｇは、連続して行われた複数の正常なバッチ処理、例えば２０回のバッチ処理のうち、連続する２回のバッチ処理のモニタデータ値の差、つまり該２回のバッチ処理間のモニタデータの変動値Ｄが最大の値を、変動上限値Ｃとして設定する。そして、変動上限判定部４１ｇは、その後行われた連続する２回のバッチ処理間の変動値Ｄが、変動上限値Ｃを超えるか否かを監視し、変動上限値Ｃを超えた場合は、成膜異常が発生した可能性があると判断し、変動値異常警報を、表示部４４に表示させ装置担当者に通知する。装置担当者は、変動値異常を示したバッチ処理の成膜結果を確認し、成膜異常であるか否かを示す成膜異常当否情報を、操作部４３から入力する。成膜異常である場合は、装置担当者は、メンテナンス等の異常処理を行う。
  変動上限判定部４１ｇは、操作部４３から入力された成膜異常当否情報が成膜異常を示す場合は、変動上限値Ｃを第７の所定値分だけ小さくなるように更新する。成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合は、変動値異常を示したバッチ処理間（図１１の例では、バッチ処理Ｎｏ．２５とＮｏ．２６間）の変動値Ｄを、新たな変動上限値Ｃにするよう更新する。なお、変動上限判定部４１ｇは、成膜異常当否情報が成膜正常を示す場合に、変動上限値Ｃを第８の所定値分だけ大きくするように更新するように構成することもできる。第７の所定値及び第８の所定値は、例えば、過去のモニタデータに基づき、操作部４３を介して操作者から設定される。第７の所定値及び第８の所定値は、同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、第７の所定値は０（ゼロ）であってもよいのは言うまでもない。
（記憶部）  記憶部４２は、図５に示すように、モニタデータ記憶部４２ａ、処理結果情報記憶部４２ｂ、型情報記憶部４２ｃ、安定型上下限値記憶部４２ｄ、メンテ上下限値記憶部４２ｅ、乖離上限値記憶部４２ｆ、変動上限値記憶部４２ｇを有する。  図１２は、モニタデータ記憶部４２ａの一例であり、あるステップ、例えば昇温ステップＳ５におけるモニタデータを記憶している。モニタデータ記憶部４２ａには、全てのステップにおけるモニタデータが、図１２に示すように記憶される。図１２において、ＩＤＮｏ．は、モニタデータを特定するモニタデータ特定情報である。型情報は、そのモニタデータが安定型であるか変動型であるかを示す。バッチＮｏ．１～Ｎｏ．６０は、それぞれ、バッチ処理Ｎｏ．１～Ｎｏ．６０を特定するバッチ特定情報である。
  このように、モニタデータ記憶部４２ａには、基板処理装置１００から受信した基板処理装置１００の稼働状態を示すモニタデータが、モニタデータ格納部４１ａにより、そのモニタデータが生成されたバッチ処理を示すバッチ特定情報と対応付けて、記憶され蓄積される。図１２の例では、バッチ処理Ｎｏ．１～Ｎｏ．６０の昇温ステップＳ５におけるモニタデータが、それぞれ、バッチ特定情報（バッチＮｏ. １～Ｎｏ．６０）と対応付けて記憶される。  処理結果情報記憶部４２ｂには、基板処理装置１００から受信した各バッチ処理の基板処理結果が、モニタデータ格納部４１ａにより、バッチ特定情報と対応付けて記憶される。例えば、成膜結果が異常であるか否かが、各バッチ処理のバッチ処理Ｎｏ．と対応付けて記憶される。
  型情報記憶部４２ｃには、全てのモニタデータについて、型判定部４１ｂが判定した、各モニタデータが安定型であるか変動型であるかを特定する型情報が、各モニタデータを特定するモニタデータ特定情報と対応付けて記憶される。図１２の例では、モニタデータ特定情報であるＩＤＮｏ．１～４やＩＤＮｏ．８９９は安定型、ＩＤＮｏ．９００のＡＰＣバルブ開度は変動型である。
  安定型上下限値記憶部４２ｄには、全ての安定型のモニタデータに対し、安定型上下限値算出部４１ｃが算出した安定型上限値と安定型下限値とが、モニタデータ特定情報と対応付けて記憶される。  メンテ上下限値記憶部４２ｅには、操作者又はメンテ上限判定部４１ｅにより設定又は更新されたメンテ上限値とメンテ下限値とが、モニタデータ特定情報と対応付けて記憶される。  乖離上限値記憶部４２ｆには、乖離上限判定部４１ｆにより設定又は更新された乖離上限値Ａが、モニタデータ特定情報と対応付けて記憶される。  変動上限値記憶部４２ｇには、変動上限判定部４１ｇにより設定又は更新された変動上限値Ｃが、モニタデータ特定情報と対応付けて記憶される。
  以上説明したように、管理装置４０は、基板処理装置１００の異常を判定する異常判定装置であって、基板処理装置１００の状態を示すモニタデータを記憶する記憶部４２及びモニタデータの上限値又は下限値とを設定する設定部と、基板処理装置１００から受信した第１の基板処理工程のモニタデータが、設定された上限値又は下限値を超えた場合に、第１の基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、処理結果判断部において第１の基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部とを備える。上述の設定部、処理結果判断部及び更新部は、管理装置４０の制御部４１を構成する。
（第１実施例：安定型上下限値の更新）  安定型のモニタデータを監視する本実施形態の第１実施例について説明する。  管理装置４０の制御部４１は、基板処理装置１００から受信した全てのモニタデータを、例えば図１２に示すように、モニタデータ記憶部４２ａに記憶させる。そして、所定の複数バッチ、例えば２０バッチ（Ｎｏ．１～２０）分のモニタデータを記憶させた段階で、各モニタデータが安定型か変動型かを判定し、該判定結果を、型情報記憶部４２ｃに記憶させる。
  次に、制御部４１は、安定型の全てのモニタデータについて、それぞれ、成膜結果が正常であった所定の複数バッチ、例えば２０バッチ（Ｎｏ．１～２０）における上下限値を算出し、安定型上下限値記憶部４２ｄに記憶させる。そして、その上下限値を、その後のバッチ処理（Ｎｏ．２１）以降のモニタデータが超えるか否かを、バッチ処理を行うごとに判定する。例えば、成膜ステップＳ７の温度のモニタデータが上下限値を、超えるか否かを判定する。この上下限値の判定を、安定型の全てのモニタデータについて行う。
  制御部４１は、モニタデータが安定型上下限値を超えた場合は、成膜異常の可能性があるので、安定型上下限値異常警報を表示部４４に表示させる。装置担当者が、安定型上下限値異常を示したバッチ処理の成膜結果を点検し、成膜異常であった場合は、安定型上限値（下限値）を所定値分だけ小さく（大きく）なるように更新する。つまり、成膜異常であった場合において、安定型上限値異常であった場合は、安定型上限値を所定値分だけ小さくなるように更新し、安定型下限値異常であった場合は、安定型下限値を所定値分だけ大きくなるように更新する。成膜異常でなかった場合は、安定型上下限値異常を示したバッチ処理のモニタデータ値を、新たな安定型上下限値にするよう更新する。このようにして、安定型のモニタデータの上下限値は、次第に適切な値に近づき収斂されていく。  なお、成膜異常であった場合は安定型上下限値を更新せず、成膜異常でなかった場合にのみ安定型上下限値を更新するよう構成することも可能である。このようにしても、安定型のモニタデータの上下限値を、ある程度適切な値に収斂することができる。
（第２実施例：メンテ上限値の更新）  変動型のモニタデータを監視する本実施形態の第２実施例について説明する。  管理装置４０の制御部４１は、第１実施例と同様に、基板処理装置１００から受信した全てのモニタデータを、モニタデータ記憶部４２ａに記憶させる。そして、所定の複数バッチ、例えば２０バッチ（Ｎｏ．１～２０）分のモニタデータを記憶させた段階で、各モニタデータが安定型か変動型かを判定し、該判定結果を、型情報記憶部４２ｃに記憶させる。
  次に、制御部４１は、変動型の全てのモニタデータについて、それぞれ、モニタデータの各バッチ処理における値が、メンテ上限値以下に収まるか否かを判定する。モニタデータがメンテ上限値を超えている場合は、成膜異常の可能性があるので、メンテ上限値異常警報を表示部４４に表示させる。装置担当者が、メンテ上限値異常を示したバッチ処理の成膜結果を点検し、成膜異常であった場合は、メンテ上限値を所定値分だけ小さくなるように更新する。成膜異常でなかった場合は、メンテ上限値異常を示したバッチ処理のモニタデータ値を、新たなメンテ上限値にするよう更新する。このようにして、変動型のモニタデータのメンテ上限値は、次第に適切な値に近づき収斂されていく。  なお、成膜異常であった場合はメンテ上限値を更新せず、成膜異常でなかった場合にのみメンテ上限値を更新するよう構成することも可能である。このようにしても、変動型のモニタデータのメンテ上限値を、ある程度適切な値に収斂することができる。
（第３実施例：乖離上限値の更新）  変動型のモニタデータを監視する本実施形態の第３実施例について説明する。  管理装置４０の制御部４１は、第１実施例と同様に、基板処理装置１００から受信した全てのモニタデータを、モニタデータ記憶部４２ａに記憶させる。そして、所定の複数バッチ、例えば２０バッチ（Ｎｏ．１～２０）分のモニタデータを記憶させた段階で、各モニタデータが安定型か変動型かを判定し、該判定結果を、型情報記憶部４２ｃに記憶させる。
  次に、制御部４１は、変動型の全てのモニタデータについて、それぞれ、第１のバッチ処理直後の第２のバッチ処理において、変動型のモニタデータの値が、所定値以上に下方に大きく変動した場合は、第１のバッチ処理と第２のバッチ処理との間でメンテナンスが実施されたものと判定し、第２のバッチ処理におけるモニタデータの値と、メンテ下限値との差である乖離値を算出する。そして、この乖離値が、乖離上限値を超えているか否かを判定する。
  乖離値が乖離上限値を超えている場合は、メンテナンスした内容が妥当でない可能性があるので、乖離値異常警報を表示部４４に表示させる。装置担当者が、乖離値異常を示したバッチ処理の成膜結果を点検し、成膜異常であった場合は、乖離上限値を所定値分だけ小さくするように更新する。成膜異常でなかった場合は、乖離値異常を示したバッチ処理の乖離値を、新たな乖離上限値にするよう更新する。このようにして、変動型のモニタデータの乖離上限値は、次第に適切な値に近づき収斂されていく。  なお、成膜異常であった場合は乖離上限値を更新せず、成膜異常でなかった場合にのみ乖離上限値を更新するよう構成することも可能である。このようにしても、変動型のモニタデータの乖離上限値を、ある程度適切な値に収斂することができる。
（第４実施例：変動上限値の更新）  変動型のモニタデータを監視する本実施形態の第４実施例について説明する。  管理装置４０の制御部４１は、第１実施例と同様に、基板処理装置１００から受信した全てのモニタデータを、モニタデータ記憶部４２ａに記憶させる。そして、所定の複数バッチ、例えば２０バッチ（Ｎｏ．１～２０）分のモニタデータを記憶させた段階で、各モニタデータが安定型か変動型かを判定し、該判定結果を、型情報記憶部４２ｃに記憶させる。
  次に、制御部４１は、変動型の全てのモニタデータについて、それぞれ、連続して行われた例えば２０回の正常なバッチ処理（Ｎｏ．１～２０）のうち、連続する２回のバッチ処理間のモニタデータの差が最大である変動値を、変動上限値として設定する。そして、その後行われた連続する２回のバッチ処理間の変動値が変動上限値を超えた場合は、何らかの装置異常が発生した可能性があるので、変動値異常警報を表示部４４に表示させる。装置担当者が、変動値異常を示したバッチ処理の成膜結果を点検し、成膜異常であった場合は、変動上限値を所定値分だけ小さくなるように更新する。成膜異常でなかった場合は、変動値異常を示したバッチ処理間の変動値を、新たな変動上限値にするよう更新する。このようにして、変動型のモニタデータの変動上限値は、次第に適切な値に近づき収斂されていく。  なお、成膜異常であった場合は変動上限値を更新せず、成膜異常でなかった場合にのみ変動上限値を更新するよう構成することも可能である。このようにしても、変動型のモニタデータの変動上限値を、ある程度適切な値に収斂することができる。
  以上説明した実施形態によれば、少なくとも次の（１）～（５）のうち少なくとも一つ以上の効果を得ることができる。  （１）バッチ処理のモニタデータ値が異常監視用の設定値（上限値又は下限値）から外れた場合において、基板処理異常（成膜異常）がなかった場合に、設定値を、設定値から外れたバッチ処理のモニタデータ値で更新するので、従来例のように複雑な監視コンテンツを作成する必要がない。また、個別の基板処理装置に応じた設定値とすることが容易にできる。  （２）安定型のモニタデータについて、所定の正常な複数バッチにおける安定型上下限値を算出し、モニタデータが安定型上下限値を超えた場合において、基板処理異常（成膜異常）がなかったときに、安定型上下限値異常を示したバッチ処理のモニタデータ値を、新たな安定型上下限値にするよう更新するので、安定型モニタデータの上下限値を、適切な値に収斂させることができる。また、基板処理異常（成膜異常）があったときに、安定型上限値（下限値）を所定値分だけ小さく（大きく）なるように更新すると、さらに、安定型モニタデータの上下限値を、適切な値に収斂させることができる。  （３）変動型のモニタデータについて、モニタデータの各バッチ処理における値がメンテ上限値を超えている場合において、基板処理異常（成膜異常）がなかったときに、メンテ上限値異常を示したバッチ処理のモニタデータ値を、新たなメンテ上限値にするよう更新するので、変動型のモニタデータのメンテ上限値を、適切な値に収斂させることができる。また、基板処理異常（成膜異常）があったときに、メンテ上限値を所定値分だけ小さくなるように更新すると、さらに、変動型のモニタデータのメンテ上限値を、適切な値に収斂させることができる。  （４）第１のバッチ処理と第２のバッチ処理との間でメンテナンスが実施され、第２のバッチ処理における変動型のモニタデータの値と、メンテ下限値との差である乖離値が、乖離上限値を超えている場合において、基板処理異常（成膜異常）がなかったときに、乖離値異常を示したバッチ処理の乖離値を、新たな乖離上限値にするよう更新するので、変動型のモニタデータの乖離上限値を、適切な値に収斂させることができる。また、基板処理異常（成膜異常）があったときに、乖離上限値を所定値分だけ小さくするように更新すると、さらに、変動型のモニタデータの乖離上限値を、適切な値に収斂させることができる。  （５）連続して行われた正常な複数回のバッチ処理のうち、連続する２回のバッチ処理間の変動型のモニタデータの差が最大である変動値を変動上限値として設定し、その後行われた連続する２回のバッチ処理間の変動値が変動上限値を超えた場合において、基板処理異常（成膜異常）がなかったときに、変動値異常を示したバッチ処理間の変動値を、新たな変動上限値にするよう更新するので、変動型のモニタデータの変動上限値を、適切な値に収斂させることができる。また、基板処理異常（成膜異常）があったときに、変動上限値を所定値分だけ小さくなるように更新すると、さらに、変動型のモニタデータの変動上限値を、適切な値に収斂させることができる。
  本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。  前記実施形態では、管理装置の制御部４１が、モニタデータ格納部４１ａ、型判定部４１ｂ、安定型上下限値算出部４１ｃ、安定型上下限判定部４１ｄ、メンテ上限判定部４１ｅ、乖離上限判定部４１ｆ、変動上限判定部４１ｇの全てを備えるように構成したが、必ずしも全てを備える必要はない。例えば、監視すべきモニタデータが安定型だけの場合は、モニタデータ格納部４１ａ、型判定部４１ｂ、安定型上下限値算出部４１ｃ、安定型上下限判定部４１ｄを備えればよく、監視すべきモニタデータが変動型だけの場合は、モニタデータ格納部４１ａ、型判定部４１ｂ、メンテ上限判定部４１ｅ、乖離上限判定部４１ｆ、変動上限判定部４１ｇを備えればよい。
  また、管理装置４０は、前記実施形態で説明した第１～第４実施例を、適宜、組み合わせて実施することができる。
  また、前記第１～第４実施例では、異常検出した場合に異常警報を表示させ、装置担当者が成膜結果を点検して成膜異常当否情報を入力し、該成膜異常当否情報に基づき管理装置の制御部４１が、安定型の上下限値、変動型のメンテ上下限値、乖離上限値、変動上限値を更新するように構成したが、異常検出した場合に管理装置の制御部４１が、記憶部４２に記憶されている基板処理結果（成膜結果）を参照し、安定型の上下限値、変動型のメンテ上下限値、乖離上限値、変動上限値を更新するように構成することもできる。
  また、前記実施形態では、安定型の上下限値、変動型のメンテ上下限値、乖離上限値、変動上限値を、全てのモニタデータについて求めるように説明したが、常に全てのモニタデータについて求める必要はなく、安定型の上下限値、変動型のメンテ上下限値、乖離上限値、変動上限値を求めるモニタデータを、適宜、選択し絞り込むようにしてもよい。
  また、前記実施形態では、モニタデータが安定型か変動型かについて、制御部４１が判断するように構成したが、操作者が操作部４３から入力するように構成することも可能である。この場合は、型判定部４１ｂを制御部４１が備える必要はない。
  前記実施形態で述べた基板処理装置の制御部や操作部や表示部や記憶部、及び管理装置の制御部や操作部や表示部や記憶部は、それぞれ、基板処理装置や管理装置に専用のものでなくてもよく、例えばパソコン（パーソナルコンピュータ）等の一般的なコンピュータシステムを用いて実現することができる。例えば、汎用コンピュータに、上述した処理を実行するためのプログラム（前記実施形態ではモニタデータ監視プログラム）を格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ-ＲＯＭ、ＵＳＢメモリ等）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部や操作部や表示部や記憶部を構成することができる。
  また、上述の処理を実行するプログラム（モニタデータ監視プログラム）を供給するための手段は、任意に選択できる。上述のように所定の記録媒体を介して供給するほか、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給することができる。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、ネットワークを介して供給してもよい。そして、このようにして提供されたプログラムを起動し、基板処理装置や管理装置のＯＳ（Operating System）の制御下、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
  前記実施形態では、管理装置を、基板処理装置とは別に設けたが、基板処理装置内に設けるように構成することも可能である。例えば、記憶部４２を各基板処理装置に設け、制御部４１を各基板処理装置の制御部１０内に構築するように構成する。また、管理装置と基板処理装置は、それぞれ１台ずつでもよく、あるいは、それぞれ複数台であってもよい。また、管理装置は、基板処理装置と同じフロア（クリーンルーム）に配置する必要はなく、例えば、基板処理装置とＬＡＮ接続し、クリーンルーム外の事務所に配置してもよい。
  また、管理装置において、装置データ等のデータベースを構成する記憶部、制御部、操作部、表示部を一体構成する必要はなく、それぞれ別体にして、例えば、クリーンルーム内に配置されたデータベース（記憶部）内のデータを、クリーンルーム外の事務所に配置された操作部や表示部（端末装置）により、遠隔操作で解析を行えるように構成してもよい。
  また、前記実施形態では、バッチ式縦型半導体製造装置を例にとり説明したが、バッチ式装置や縦型装置に限られるものではなく、例えば、バッチ処理でない基板処理工程を行う枚葉式の基板処理装置であってもよい。
  本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、エピタキシャル成長膜、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、露光処理、リソグラフィ、塗布処理、モールド処理、現像処理、ダイシング処理、ワイヤボンディング処理、検査処理等であってもよい。
(本発明の好ましい態様)  以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記１)  本発明の一態様によれば、  基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、 
前記上下限値設定工程後に受信した前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定方法が提供される。
(付記２)  前記付記１の異常判定方法において、好ましくは、  前記更新工程において、前記処理結果判断工程において前記第１の基板処理工程の基板処理結果が異常であると判断された場合に、前記設定された上限値に対し所定の値を加算して新たな上限値とするか、又は前記設定された下限値に対し所定の値を減算して新たな下限値とする。
(付記３)  前記付記１又は前記付記２の異常判定方法において、好ましくは、  前記更新工程において、前記処理結果判断工程において前記第１の基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを新たな上限値又は下限値とする代わりに、前記設定された上限値に対し所定の値を減算して新たな上限値とするか、又は前記設定された下限値に対し所定の値を加算して新たな下限値とする。
(付記４)  前記付記１乃至前記付記３の異常判定方法において、好ましくは、  前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねても増加傾向又は減少傾向を示すことのない安定型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値又は下限値は、それぞれ、基板処理結果が正常であった複数の基板処理工程のモニタデータの最大値又は最小値である。
(付記５)  前記付記１乃至前記付記３の異常判定方法において、好ましくは、  前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、メンテナンス実施要否を判断するためのメンテ上限値である。
(付記６)  前記付記１乃至前記付記３の異常判定方法において、好ましくは、  前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、メンテナンスした内容が妥当であったか否かを判断するための乖離上限値である。
(付記７)  前記付記１乃至前記付記３の異常判定方法において、好ましくは、  前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、基板処理結果が正常であった連続する２回の基板処理工程のモニタデータの差が最大である変動上限値である。
(付記８)  本発明の他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、  前記基板処理装置で複数のステップを実行して基板を処理する基板処理工程と、 
前記上下限値設定工程後に受信した前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理方法が提供される。
(付記９)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板処理装置で基板を処理して該基板上に半導体装置を形成する基板処理工程と、  前記基板処理工程で前記基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、 
前記上下限値設定工程後に受信した前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える半導体装置の製造方法が提供される。
(付記１０)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の異常を判定する異常判定装置であって、  前記基板処理装置から受信した当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定された上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える異常判定装置が提供される。
(付記１１)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置と、該基板処理装置の異常を判定する異常判定装置とを備える基板処理システムであって、  前記基板処理装置は、当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを前記異常判定装置へ送信する制御部を備え、  前記異常判定装置は、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定された上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える基板処理システムが提供される。
(付記１２)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行い、基板処理に関するモニタデータを生成する基板処理装置であって、  前記モニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える基板処理装置が提供される。
(付記１３)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置であって、当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを生成する基板処理装置と、  前記モニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、前記基板処理装置で生成された前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断手段と、前記処理結果判断手段において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新手段と、を有する管理装置と、  を備える基板処理システムが提供される。
(付記１４)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の異常を判定する管理装置であって、  前記基板処理装置から受信した当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、設定された上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える管理装置が提供される。
(付記１５)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、 
前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、  前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定プログラムが提供される。
(付記１６)  本発明の更に他の態様によれば、 
基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、 
前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、  前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定プログラムを記録した記録媒体が提供される。
尚、この出願は、２０１３年１月２５日に出願された日本出願特願２０１３－０１１９５８を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
　基板を処理する基板処理工程を行う際に生成されるデータを適切に管理する技術に係り、特に、基板に所定の処理を施す基板処理装置、また、この基板処理装置を管理する管理装置、若しくは基板処理装置と管理装置を含む基板処理システムに適用可能である。
  １０…制御部、１１…主制御部、１２…温度制御部、１３…ガス流量制御部、１４…圧力制御部、１５…搬送制御部、２０…記憶部、２１…ファイル記憶部、３１…操作部、３２…表示部、３３…通信部、４０…管理装置（異常判定装置）、４１…制御部、４１ａ…モニタデータ格納部、４１ｂ…型判定部、４１ｃ…安定型上下限値算出部(設定部)、４１ｄ…安定型上下限判定部、４１ｅ…メンテ上限判定部、４１ｆ…乖離上限判定部、４１ｇ…変動上限判定部、４２…記憶部、４２ａ…モニタデータ記憶部、４２ｂ…処理結果情報記憶部、４２ｃ…型情報記憶部、４２ｄ…安定型上下限値記憶部、４２ｅ…メンテ上下限値記憶部、４２ｆ…乖離上限値記憶部、４２ｇ…変動上限値記憶部、４３…操作部、４４…表示部、４５…通信部、１００…基板処理装置、１０５…回転棚、１１０…ポッド、１１１…筐体、１１１ａ…正面壁、１１２…ポッド搬入搬出口、１１３…フロントシャッタ、１１４…ロードポート、１１５…ボートエレベータ、１１６…支柱、１１７…棚板、１１８…ポッド搬送装置、１１９…サブ筐体、１２０…ウエハ搬入搬出口、１２１…ポッドオープナ、１２２…載置台、１２３…キャップ着脱機構、１２４…移載室、１２５…ウエハ移載機構、１２８…アーム、１３３…クリーンエア、１３４…クリーンユニット、１４２…ウエハ搬入搬出開口、１４７…炉口シャッタ、２００…ウエハ（基板）、２０２…処理炉、２１７…ボート（基板保持具）、２１９…シールキャップ。

Claims (10)

  1. 基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する上下限値設定工程と、 
    前記上下限値設定工程後に受信した前記基板処理工程のモニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定方法。
  2. 基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の異常を判定する異常判定装置であって、  前記基板処理装置から受信した当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定部で設定した上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える異常判定装置。
  3. 基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置と、該基板処理装置の異常を判定する異常判定装置とを備える基板処理システムであって、  前記基板処理装置は、当該基板処理装置の状態を示すモニタデータを前記異常判定装置へ送信する制御部を備え、  前記異常判定装置は、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータを記憶する記憶部と、前記モニタデータの上限値又は下限値をそれぞれ設定する設定部と、  前記基板処理装置から受信した前記モニタデータが、前記設定部で設定した上限値又は下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断部と、  前記処理結果判断部において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新部と、  を備える基板処理システム。
  4. 基板を処理する基板処理工程を行う基板処理装置の状態を示すモニタデータを受信して蓄積する蓄積工程と、  前記モニタデータの上限値又は下限値を設定する上下限値設定工程と、 
    前記モニタデータが、設定された前記上限値又は前記下限値を超えた場合に、前記基板処理工程の基板処理結果が正常であるか否かを判断する処理結果判断工程と、  前記処理結果判断工程において前記基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、設定された前記上限値又は前記下限値を超えたモニタデータを、新たな上限値又は下限値とする更新工程と、  を備える基板処理装置の異常判定プログラムを記録した記録媒体
  5. 前記更新工程において、前記処理結果判断工程において前記第１の基板処理工程の基板処理結果が異常であると判断された場合に、前記設定された上限値に対し所定の値を加算して新たな上限値とするか、又は前記設定された下限値に対し所定の値を減算して新たな下限値とする請求項１の異常判定方法。
  6. 前記更新工程において、前記処理結果判断工程において前記第１の基板処理工程の基板処理結果が正常であると判断された場合に、前記設定された上限値又は下限値を超えたモニタデータを新たな上限値又は下限値とする代わりに、前記設定された上限値に対し所定の値を減算して新たな上限値とするか、又は前記設定された下限値に対し所定の値を加算して新たな下限値とする請求項１の異常判定方法。
  7. 前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねても増加傾向又は減少傾向を示すことのない安定型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値又は下限値は、それぞれ、基板処理結果が正常であった複数の基板処理工程のモニタデータの最大値又は最小値である請求項１の異常判定方法。
  8. 前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、メンテナンス実施要否を判断するためのメンテ上限値である請求項１の異常判定方法。
  9. 前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、メンテナンスした内容が妥当であったか否かを判断するための乖離上限値である請求項１の異常判定方法。
  10. 前記モニタデータは、その値が複数のバッチ処理を重ねると増加傾向又は減少傾向を示す変動型のモニタデータであり、  前記上下限値設定工程で設定される上限値は、基板処理結果が正常であった連続する２回の基板処理工程のモニタデータの差が最大である変動上限値である請求項１の異常判定方法。 
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