JP7157786B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本願は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

複数の処理装置を有するコータ／デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のコータ／デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、および、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。

このコータ／デベロッパ装置には、次の２つのタイプの処理装置が混在する。即ち、順次処理装置と同時処理装置とが混在する。順次処理装置は基板を順次に一方向に搬送して基板に対して１枚ずつ処理を行う。この順次処理装置としては、洗浄装置および現像装置が例示される。同時処理装置には複数枚の基板が一括して搬入される。同時処理装置は、複数枚の基板に対して一括して処理を行う。この同時処理装置としては、例えば脱水ベーク装置が例示される。この脱水ベーク装置では複数の処理部として加熱部および冷却部が設けられる。

特開２０２０－１７６０４号公報

基板処理装置における処理が適切に行われているか否かを確認するために、順次処理装置および同時処理装置の各々には、処理に関するパラメータを測定するセンサが設けられ得る。例えば、脱水ベーク装置では、当該パラメータとして、基板の温度を測定する温度センサが設けられ得る。

基板処理装置は、各センサによって測定されたパラメータを基板に対応付けて収集し得る。言い換えれば、基板処理装置は、パラメータを基板ごとに収集してもよい。基板処理装置が各基板に対する処理のパラメータを操作者に報知することにより、操作者は各基板に対する処理のパラメータを確認することができる。

しかしながら、必ずしもパラメータを基板ごとに収集することが最適であるとは限らない。例えば、測定したパラメータを各基板に個別に対応付けて収集すると、収集データのデータ量が大きくなる。

そこで、本願は、より適切にパラメータを収集することができる技術を提供することを目的とする。

基板処理装置の第１の態様は、Ｎ（Ｎは２以上の整数）枚の基板を一括して処理可能である同時処理部と、前記同時処理部にＮ枚以下の基板を一括して搬送する搬送部と、前記同時処理部に設けられ、前記同時処理部による処理に関する第１パラメータを測定する第１センサと、Ｎ枚の基板を一括して搬入可能である基板導入部を含み、前記基板導入部から当該基板を順次に搬送しつつ、当該基板に対して順次に処理を行う順次処理部と、前記順次処理部に設けられ、前記順次処理部による処理に関する第２パラメータを測定する第２センサと、前記同時処理部に前記搬送部からＮ枚の基板が搬入された場合、当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、当該Ｎ枚の基板に対応付けて、同時収集データとして記憶し、前記同時処理部に前記搬送部からＭ（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）枚の基板が搬入された場合、当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、当該Ｍ枚の基板に対応付けて、前記同時収集データとして記憶する制御部とを備え、前記制御部は、前記順次処理部の処理中に前記第２センサによって検出された前記第２パラメータを、当該基板に個別に対応付けて、当該基板ごとの順次収集データとして記憶し、前記同時収集データは、Ｎ枚の基板をグループ単位としたグループを識別するグループ識別情報と、グループにおける基板構成を示す基板有無情報と、前記第１パラメータを示す第１処理情報とを含み、前記順次収集データは、対応する基板が属するグループを示す前記グループ識別情報と、対応する基板のグループ内の搬送方向の位置を示す位置情報と、前記第２パラメータを示す第２処理情報とを含む。

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記搬送部は、Ｎ枚の基板を水平方向に並べた状態で保持可能なハンドを含み、前記同時処理部は、前記Ｎ枚の基板を水平方向に並べた状態で保持可能な基板保持部を含む。
基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、カセットが搬入されるロードポートを備え、前記カセットは、各々が前記Ｎ枚の基板を水平方向に並べて収納可能な複数のスロットを有し、前記スロット内の基板がグループ単位として前記同時処理部または前記順次処理部に搬送される。

基板処理方法は、Ｎ（Ｎは２以上の整数）枚の基板を一括して同時処理部に搬入する工程と、前記同時処理部が当該Ｎ枚の基板に対して一括して処理を行う工程と、当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に、前記同時処理部による処理に関する第１パラメータを第１センサによって測定する工程と、前記同時処理部から当該Ｎ枚の基板を取り出す工程と、Ｍ（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）枚の基板を一括して前記同時処理部に搬入する工程と、前記同時処理部が当該Ｍ枚の基板に対して一括して処理を行う工程と、当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１パラメータを前記第１センサによって測定する工程と、前記同時処理部から当該Ｍ枚の基板を取り出す工程と、当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、同時収集データとして、当該Ｎ枚の基板に対応付けて記憶し、当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、前記同時収集データとして、当該Ｍ枚の基板に対応付けて記憶する工程と、順次処理部が、搬入されたＮ枚以下の基板を順次に搬送しつつ、当該基板に対して順次に処理を行う工程と、前記順次処理部の処理中に、前記順次処理部による処理に関する第２パラメータを第２センサによって測定する工程と、前記順次処理部の処理中に前記第２センサによって検出された前記第２パラメータを、当該基板に個別に対応付けて、当該基板ごとの順次収集データとして記憶する工程とを備え、前記同時収集データは、Ｎ枚の基板をグループ単位としたグループを識別するグループ識別情報と、グループにおける基板構成を示す基板有無情報と、前記第１パラメータを示す第１処理情報とを含み、前記順次収集データは、対応する基板が属するグループを示す前記グループ識別情報と、対応する基板のグループ内の搬送方向の位置を示す位置情報と、前記第２パラメータを示す第２処理情報とを含む。

基板処理装置の第１の態様および基板処理方法によれば、同時処理部はＮ枚の基板を一括して処理可能である。同時処理部が複数の基板を一括して処理する場合、異なる処理タイミングで基板が処理される場合に比べて、第１パラメータの基板間のばらつきは小さく、例えばほぼ同じである。

同時処理部にＮ枚の基板が搬入されると、第１パラメータがＮ枚の基板に対応付けて記憶され、同時処理部にＭ枚の基板が搬入されると、第１パラメータがＭ枚の基板に対応付けて記憶される。つまり、第１パラメータは各基板に個別に対応付けられずに、同時処理部に搬入された基板のグループに対して対応付けられて記憶される。これによれば、基板の枚数の変動に対応することができつつも、第１パラメータを各基板に個別に対応付けて記憶する場合に比して、より少ないデータ量で適切に第１パラメータを収集することができる。

しかも、順次処理部においては基板が順次に搬送しつつ基板に対して順次に処理が行われる。よって、基板には、互いに異なるタイミングで処理が行われる。よって、第２パラメータの基板間のばらつきは比較的に大きい。このような第２パラメータは基板に個別に対応付けて記憶されるので、基板間のばらつきの情報を消失することなく、第２パラメータを収集できる。

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 順次処理装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。 同時処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 制御部の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。 順次収集データの一例を模式的に示す図である。 順次収集データの一例を模式的に示す図である。 同時収集データの一例を模式的に示す図である。 カセットにおいて複数の基板が収容される態様を模式的に示す図である。 カセットにおいて複数の基板が収容される態様を模式的に示す図である。 同時処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 同時収集データの一例を模式的に示す図である。 同時収集データの一例を模式的に示す図である。 同時処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

＜１．基板処理装置の全体構成・全体動作＞
図１は、基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す図である。図１の例では、基板処理装置１はコータ／デベロッパ装置であり、主として、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５、現像装置１７およびポストベーク装置１８の各処理装置を備える。また、基板処理装置１の一方側には、基板処理装置１に対して基板を搬入、搬出するインデクサ部１１が配置される。さらに基板処理装置１の他方側に図示しないインターフェイス部を介して露光装置１６が配置される。

インデクサ部１１から露光装置１６までの行きラインには、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４およびプリベーク装置１５がこの順で配置される。露光装置１６からインデクサ部１１までの帰りラインには、現像装置１７およびポストベーク装置１８がこの順で配置される。

インデクサ部１１には複数の基板を収納する複数のカセット（図示省略）が載置される。基板は、例えば液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス基板である。インデクサ部１１には、基板を搬送する搬送部の一例たるインデクサロボット（図示省略）が配置されている。インデクサロボットはカセットから基板を取り出し、この基板を洗浄装置１２へと搬送する。洗浄装置１２においては、基板に洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われた基板は、脱水ベーク装置１３に搬送される。脱水ベーク装置１３においては、加熱により脱水処理（脱水ベーク処理）が行われる。脱水ベーク処理が行われた基板は、塗布関連装置１４に搬送され、レジストの塗布処理を含む各種の処理が行われる。この処理が行われた基板は、プリベーク装置１５に搬送され、加熱処理が行われる。加熱処理が行われた基板は、露光装置１６に搬送され、露光処理が行われる。

これらの処理が行われた基板は、現像装置１７に搬送され、現像処理が行われる。現像処理が行われた基板は、ポストベーク装置１８に搬送され、加熱処理が行われる。その後、該基板は、インデクサロボットによってインデクサ部１１に載置されるカセットに収容される。これらの一連の処理により、基板の表面にはレジストのパターンが形成される。

以下では第１の処理が第２の処理に先だって行われるとき、第１の処理を行う装置は第２の処理を行う装置の「上流」にあると説明され、第２の処理を行う装置は第１の処理を行う装置の「下流」にあると説明される。インデクサ部１１は洗浄装置１２に対して上流にあり、かつポストベーク装置１８に対して下流にある。「上流」「下流」という用語は装置や当該装置を構成する諸要素に対してのみならず、搬送される基板の位置関係を説明する場合にも採用される。

＜２．処理装置のタイプ＞
この基板処理装置１では、処理装置のタイプとして次の２つのタイプの処理装置が混在している。すなわち、基板を順次に一方向に搬送しつつ当該基板に対して１枚ずつ処理を行う順次処理装置（平流し処理装置）と、Ｎ（２以上の整数）枚の基板に対して一括して同時に処理可能な同時処理装置とが混在する。なお同時処理装置によるＮ枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。順次処理装置としては、洗浄装置１２および現像装置１７が例示され、同時処理装置としては、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５およびポストベーク装置１８が例示される。

順次処理装置は基板処理装置１の一部分である順次処理部であるとみることができる。同時処理装置は基板処理装置１の一部分である同時処理部であるとみることができる。

＜２－１．順次処理装置＞
図２は、順次処理装置３０の構成の一例を概略的に示す図である。順次処理装置３０は処理装置本体３２と基板導出部３３とを備えており、順次処理装置３０の直前には、基板導入部（受入部）３１が設けられている。基板導入部３１は上流の装置から搬送される複数（Ｎ枚）の基板Ｗを一括的に受け入れる。処理装置本体３２は基板導入部３１から搬送される複数の基板Ｗを１枚ずつ順次に受け取り、この基板Ｗを一方向（搬送方向：図２においては左側から右側へ向かう方向）に沿って搬送させつつ、基板Ｗに対して各種の処理を行う。処理後の基板Ｗは処理装置本体３２から基板導出部３３へと搬送される。基板導出部３３は処理装置本体３２から搬送された複数の基板Ｗを順次に受け取る。基板導出部３３は順次に受け取った基板Ｗを複数（Ｎ枚）保持することができる。複数の基板Ｗは基板導出部３３から一括して取り出されて、下流の装置へと搬送される。なお基板導入部３１は順次処理装置３０に含まれている、とみなしても構わない。基板導入部３１は順次処理装置３０の入口部として機能でき、基板導出部３３は順次処理装置３０の出口部として機能できる。以下ではＮ＝２の場合が例示される。

＜２－１－１．基板導入部３１＞
基板導入部３１は搬送機構としての複数のローラ３１１および複数のローラ３１３と、センサ３１４，３１５を有している。ローラ３１１，３１３の断面は円形状を有しており、ローラ３１１，３１３は、その中心軸が基板Ｗの搬送方向に略垂直かつ略水平となるように設けられる。ここでいう搬送方向とは、順次処理装置３０における基板Ｗの搬送方向である。複数のローラ３１１は搬送方向に沿って間隔を空けて並んで設けられる。各ローラ３１１は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ３１１の中心軸における両端は、それぞれ支持板（不図示）に回転可能に固定される。この一対の支持板は搬送方向に沿って延びる板状部材であり、床面に設けられた所定の架台３１２に固定される。複数のローラ３１３は搬送方向に沿って間隔を空けて並んで設けられる。ローラ３１３はローラ３１１よりも下流側に位置しており、ローラ３１１と同じ高さに設けられている。各ローラ３１３は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ３１３の中心軸における両端は、それぞれ支持板に回転可能に固定される。

複数のローラ３１１は駆動部（不図示）によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転（同期回転）する。駆動部はモータを有している。複数のローラ３１１の上には、基板Ｗが載置される。基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向（図２においては上下方向）に沿うように載置される。この状態で、複数のローラ３１１が同じ方向に同期回転することにより、基板Ｗはローラ３１１の上を搬送方向に沿って処理装置本体３２へと移動する。複数のローラ３１３も駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。ローラ３１１，３１３は互いに異なる駆動部によって駆動されるので、互いに独立して制御される。

ローラ３１１，３１３の上には、１枚ずつ基板Ｗが載置される。例えばインデクサ部１１から２枚の基板Ｗがローラ３１１，３１３の上に載置されてもよい。この状態でローラ３１３のみが同期回転することにより、ローラ３１３上の基板Ｗを処理装置本体３２へと搬送できる。次にローラ３１１，３１３の両方が同期回転することにより、ローラ３１３上の基板Ｗを処理装置本体３２へと搬送できる。

センサ３１４はローラ３１１上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３１５はローラ３１３上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３１４，３１５は例えば光学式のセンサであって、基板Ｗからの反射光を受光したときに、基板Ｗを検出する。センサ３１４，３１５の検出結果は制御部６０へと出力される。

以下では、２枚の基板Ｗの一方を基板Ｗ１とも呼び、他方を基板Ｗ２とも呼ぶ。ここでは、基板Ｗ１は基板Ｗ２よりも上流側に位置するものとする。

＜２－１－２．基板導出部３３＞
基板導出部３３は、処理装置本体３２から順次に搬送される基板Ｗの複数（Ｎ枚）を保持することができる。基板導出部３３が保持可能な基板Ｗの枚数は、次の同時処理装置４０（例えば順次処理装置３０が洗浄装置１２であれば、脱水ベーク装置１３）で処理可能な基板Ｗの枚数と同じである。ここでは、一例として、基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持し、同時処理装置４０は２枚の基板Ｗに対して同時に処理を行うものとする。

基板導出部３３は、搬送機構としての複数のローラ３３１および複数のローラ３３２と、センサ３３４，３３５とを備えている。ローラ３３１，３３２の断面は円形状を有している。ローラ３３１は、その中心軸が基板Ｗの搬送方向に垂直かつ水平となるように搬送方向に沿って間隔を空けて配置される。ローラ３３２はローラ３３１よりも下流側に配置される。ローラ３３２はローラ３３１と同様の姿勢で搬送方向に沿って間隔を空けて配置される。各ローラ３３１，３３２の中心軸における両端は、それぞれ支持板（不図示）に回転可能に固定される。複数のローラ３３１は駆動部(不図示)によって同期回転し、複数のローラ３３２は駆動部（不図示）によって同期回転する。ローラ３３１およびローラ３３２は互いに異なる駆動部によって駆動されるので、互いに独立して制御可能である。各駆動部は例えばモータを有する。

ローラ３３１，３３２は、互いに同じ高さに設けられている。基板Ｗは処理装置本体３２からローラ３３１へと搬送され、適宜にローラ３３１からローラ３３２へと搬送される。後に説明するように、ローラ３３１の上には１枚の基板Ｗが停止し、ローラ３３２の上には１枚の基板Ｗが停止する。これにより、基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持することができる。

センサ３３４はローラ３３１上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３３５はローラ３３２上の停止位置に基板Ｗが存在しているか否かを検出する。センサ３３４，３３５は例えば光学式のセンサであって、基板Ｗからの反射光を受光したときに、基板Ｗを検出する。センサ３３４，３３５の検出結果は制御部６０へと出力される。

基板導出部３３は処理装置本体３２から２枚の基板Ｗを順次に受け取り、これらを保持することができる。以下ではまず、簡単のために２枚の基板Ｗが一括して処理される場合について説明する。Ｎ枚の基板Ｗが一括されずに処理される場合については、後に詳述される。

まず１枚目の基板Ｗはローラ３３１，３３２が同期回転することで、ローラ３３２の上の停止位置まで搬送される。具体的には、センサ３３４，３３５の両方が基板Ｗを検出していないときに、ローラ３３１，３３２を同期回転させて、処理装置本体３２からの基板Ｗを基板導出部３３へと搬送する。そしてセンサ３３５が基板Ｗを検出したときにローラ３３２の同期回転を停止する。これにより、１枚目の基板Ｗ（下流側の基板Ｗ２）はローラ３３２上で停止して支持される。２枚目の基板Ｗ（上流側の基板Ｗ１）に対しては、ローラ３３２を回転させず、ローラ３３１を同期回転させることにより、ローラ３３１の停止位置まで当該基板Ｗを搬送する。具体的にはセンサ３３４が基板Ｗを検出したときにローラ３３１の同期回転を停止する。つまり、センサ３３４，３３５の両方が基板Ｗを検出しているときに、ローラ３３１の同期回転を停止する。これにより、２枚目の基板Ｗはローラ３３１上で停止して支持される。このように基板導出部３３は２枚の基板Ｗを保持することができる。

＜２－１－３．処理装置本体３２＞
処理装置本体３２は搬送機構としての複数のローラ３２１を有している。複数のローラ３２１はローラ３１１と同様の形状を有しており、ローラ３１１と同様の姿勢で配置される。ローラ３２１の中心軸における両端は、それぞれ支持板（不図示）に回転可能に固定される。複数のローラ３２１は搬送方向に沿って間隔を空けて並んでいる。複数のローラ３２１は基板導入部３１のローラ３１１と同じ高さに設けられており、基板Ｗはローラ３１１からローラ３１３，３２１，３３１をこの順に介してローラ３３２へと移動することができる。

処理装置本体３２は、ローラ３２１の上を流れる基板Ｗに対して、その搬送方向の各位置において適宜に処理を行う。ここでは、順次処理装置３０として洗浄装置１２を例に挙げて説明する。例えば処理装置本体３２は、薬液部３４、水洗部３５および水切り部３６を有している。薬液部３４、水洗部３５および水切り部３６は上流から下流へ向かってこの順で直列に設けられている。また複数のローラ３２１は薬液部３４、水洗部３５および水切り部３６に亘って設けられている。複数のローラ３２１は駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。これにより、基板Ｗを搬送方向に沿って搬送して、薬液部３４、水洗部３５および水切り部３６をこの順で通過させることができる。

薬液部３４は、ローラ３２１上の基板Ｗへと薬液を供給して基板Ｗを洗浄する装置である。薬液部３４は、薬液を吐出する複数のノズル３４１と、薬液を貯留する薬液槽３４２と、薬液槽３４２およびノズル３４１を繋ぐ供給管３４３と、供給管３４３を経由して薬液をノズル３４１へ供給するポンプ３４４とを備えている。ノズル３４１は鉛直方向において基板Ｗの両側に設けられており、基板Ｗの両面へと薬液を供給する。供給管３４３には流量センサ３４５が設けられ、供給される薬液の量の制御に寄与する。薬液部３４は、基板Ｗをブラッシングするためのブラシ（不図示）などを有していてもよい。薬液を基板Ｗに供給しながらブラッシングを行うことにより、洗浄効果を高めることができる。基板Ｗに供給された薬液は主として基板Ｗの周縁から落ちて、薬液槽３４２へと回収される。

水洗部３５は、基板Ｗに対して洗浄水を供給することで基板Ｗに残留した薬液を洗い流す装置である。水洗部３５は洗浄水を貯留する第１水槽３５５および第２水槽３５６を有している。また水洗部３５は上流から下流に向かってこの順で配置される低圧水供給部３５１、高圧水供給部３５２、超音波洗浄水供給部３５３および純水供給部３５４を有している。各部３５１～３５４は薬液部３４と同様に、基板Ｗに液を吐出するノズルと、当該ノズルに連結された供給管と、当該供給管を経由して当該ノズルに液を供給するポンプとを備えている。

低圧水供給部３５１のポンプ３５ｔは低圧ポンプであって、低い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、低圧水供給部３５１は低圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。低圧水供給部３５１にはスリットノズル（液ナイフとも呼ぶ）３５ａが設けられ、液ナイフ３５ａからも洗浄水が基板Ｗに供給される。低圧水供給部３５１に供給される洗浄水の圧力は圧力センサ３５７によって測定される。

高圧水供給部３５２のポンプ３５ｒは高圧ポンプであって、高い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、高圧水供給部３５２は高圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。高圧水供給部３５２に供給される洗浄水の圧力は圧力センサ３５８によって測定される。低圧水供給部３５１および高圧水供給部３５２によって供給された洗浄水は主として基板Ｗの周縁から落ちて第１水槽３５５へと回収される。

超音波洗浄水供給部３５３のノズル３５ｂには、第２水槽３５６からの洗浄水に超音波振動を付与する超音波振動子が設けられている。ノズル３５ｂは液ナイフとして機能する。超音波洗浄水供給部３５３のポンプ３５ｓは、第２水槽３５６から洗浄水を汲み上げてノズル３５ｂに供給する。ノズル３５ｂの超音波振動子が振動することで、超音波洗浄水供給部３５３はノズル３５ｂから振動状態の洗浄水を基板Ｗへと供給する。超音波洗浄水供給部３５３によって供給された洗浄水は主として第２水槽３５６へ回収される。ノズル３５ｂへ供給される洗浄水の流量は流量センサ３５９によって測定される。

純水供給部３５４のノズルは、純水供給源３６５から供給される純水を基板Ｗに向けて供給する。純水供給源３６５は例えば工場設備（ユーティリティ）として設けられる。この純水は主として第２水槽３５６へ回収される。

水切り部３６は基板Ｗへと高圧の気流を流すことで基板Ｗから水を吹き飛ばす装置である。水切り部３６は、基板Ｗに気体を噴射する噴射部（乾燥エアーナイフ）３６１と、気体を供給する気体供給源３６２と、噴射部３６１および気体供給源３６２を連結する管路３６３とを有している。管路３６３には当該気体の流量を測定する流量センサ３６４が設けられる。気体供給源３６２は工場設備（ユーティリティ）として設けられた気体源である。

以上のように、処理装置本体３２において基板Ｗは搬送方向に沿って搬送されて、各位置において各種の処理が行われる。処理装置本体３２によって全ての処理が行われた基板Ｗは基板導出部３３へと搬送される。

＜３．同時処理装置４０＞
図３は、同時処理装置４０の構成の一例を概略的に示す図である。ここでは同時処理装置４０として脱水ベーク装置１３を例に挙げて説明する。図３は、脱水ベーク装置１３の構成の一例を鉛直下向きに沿って見て示す概略的な図である。

＜３－１．脱水ベーク装置１３＞
脱水ベーク装置１３は加熱部８２および冷却部８３を備えている。この脱水ベーク装置１３は、（順次処理装置３０である）洗浄装置１２によって洗浄処理が行われた基板Ｗを搬送ロボット（搬送部）８１から受け取り、受け取った基板Ｗに対して同時に処理を行う。脱水ベーク装置１３は複数枚（Ｎ枚）の基板Ｗについて同時に処理を行うことができる。以下ではまず、簡単のために２枚の基板Ｗが一括して処理される場合について説明する。Ｎ枚の基板Ｗが一括されずに処理される場合については、後に詳述される。

＜３－１－１．搬送ロボット８１＞
搬送ロボット８１はハンドＨ１と移動機構５１と昇降機構５２と回転機構５３とを有している。移動機構５１はハンドＨ１を水平面内で移動させることができる。例えば移動機構５１は一対のアーム（不図示）を有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンドＨ１に連結され、他端は昇降機構５２に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンドＨ１を水平面内で移動させることができる。昇降機構５２はアームを鉛直方向に沿って昇降させることで、ハンドＨ１を昇降させる。昇降機構５２は例えばボールねじ機構を有している。回転機構５３は鉛直方向に沿う回転軸を中心として昇降機構５２を回転させることができる。これにより、ハンドＨ１は周方向に沿って回動する。この回動により、ハンドＨ１の向きを変えることができる。回転機構５３は例えばモータを有している。

ハンドＨ１には、２枚の基板Ｗが水平な一方向（図３において左右方向）において並んだ状態で載置される。ハンドＨ１は例えば複数本の指状部材Ｆ１と、指状部材Ｆ１の基端同士を連結する基端部材Ｐ１を有している。この基端部材Ｐ１には上述されたアームの一端が連結される。指状部材Ｆ１は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Ｗが載置される。この２枚の基板Ｗは指状部材Ｆ１の長手方向（図３において左右方向）に沿って並んで載置される。よって、指状部材Ｆ１の長手方向の長さは、基板Ｗの２枚分の長さと、基板Ｗの間の間隔とに応じて設定される。

搬送ロボット８１はハンドＨ１を適宜に移動および回転させることで、ハンドＨ１を加熱部８２、冷却部８３、洗浄装置１２の基板導出部３３および次工程の塗布関連装置１４（図３において不図示）の各々へと移動させることができる。搬送ロボット８１は２枚の基板Ｗを一括して基板導出部３３、加熱部８２および冷却部８３の各々から取り出したり、あるいは、２枚の基板Ｗを一括して加熱部８２、冷却部８３および塗布関連装置１４の各々へ渡したりすることができる。

例えば搬送ロボット８１は次のように基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。すなわち、搬送ロボット８１は、基板導出部３３で保持された２枚の基板Ｗの下方にハンドＨ１を位置させるべく、ハンドＨ１を基板導出部３３へと移動させる。

なおローラ３３１，３３２は、搬送ロボット８１のハンドＨ１との衝突を避けるように構成されている。そして搬送ロボット８１はハンドＨ１を鉛直上方へと上昇させることで、２枚の基板ＷをハンドＨ１によって持ち上げることができる。これにより、２枚の基板Ｗはそれぞれローラ３３１，３３２から離れる。２枚の基板ＷはハンドＨ１の上において、その長手方向に沿って間隔を空けて並んで載置されることになる。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢でハンドＨ１の上に載置される。

２枚の基板ＷはハンドＨ１の上において、その横手方向（短手方向）に沿って間隔を空けて並んで載置されてもよい。このような載置は、例えばターンテーブルを設けて基板Ｗを９０度回転させることによって実現される。

次に搬送ロボット８１はハンドＨ１を基板導出部３３から遠ざけるように移動させることで、基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。

なお指状部材Ｆ１の上面（基板Ｗが載置される面）には、複数の吸引口が形成されていても構わない。この吸引口は２枚の基板Ｗと対向する位置に設けられており、当該吸引口から空気が引き抜かれて基板Ｗを吸引する。これにより、基板Ｗを保持するための保持力を向上できる。

搬送ロボット８１は上記動作と同様の動作によって加熱部８２および冷却部８３の各々から２枚の基板Ｗを一括して取り出す。一方、搬送ロボット８１は上記動作とは逆の手順で、加熱部８２、冷却部８３および塗布関連装置１４の各々（以下、各部と呼ぶ）へと２枚の基板Ｗを一括して渡す。つまり、搬送ロボット８１は２枚の基板Ｗが載置されたハンドＨ１を各部の内部へと移動させ、ハンドＨ１を下降させて各部の基板保持部の上面に２枚の基板Ｗを一括して載置する。なお、各部の基板保持部は２枚の基板Ｗの搬出入の際にハンドＨ１と衝突しないように構成されている。そして搬送ロボット８１はハンドＨ１を各部の内部から外部へと移動させる。これにより、２枚の基板Ｗが各部に一括して渡される。

以上のように、搬送ロボット８１は、順次処理装置である洗浄装置１２により処理された複数の基板ＷのうちＮ枚（２枚）の基板Ｗを水平な一方向に並べて保持しつつ、このＮ枚（２枚）の基板Ｗを一括して同時処理装置である脱水ベーク装置１３へ搬送することができる。複数枚の基板Ｗを一括して搬送することにより、基板Ｗを１枚ずつ搬送する場合に比べて、搬送動作のスループットを向上することができる。

＜３－１－２．加熱部８２＞
加熱部８２には、搬送ロボット８１から２枚の基板Ｗが一括して渡される。この加熱部８２は、この２枚の基板Ｗを水平方向に並べて保持する基板保持部９１と、この２枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行う加熱手段９２とを備えている。換言すれば、加熱部８２は、２枚の基板Ｗに対して同時に加熱処理を行う。

基板保持部９１は２枚の基板Ｗの下面を支持する部材を有している。２枚の基板Ｗはこの部材の上に載置されることによって保持される。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。例えば基板保持部９１は複数のリフトピン(不図示)を備える。この複数のリフトピンは、基板保持部９１の上面より、その先端を突出させた上位置と、上面より下に退避した下位置との間で昇降する。搬送ロボット８１は上方に突出した複数のリフトピンに２枚の基板Ｗを渡した後、加熱部８２から退避する。複数のリフトピンは２枚の基板Ｗを支持した状態で下降し、基板保持部９１の上面に２枚の基板Ｗを載置する。

加熱手段９２は例えばヒータなどであり、基板保持部９１によって保持された２枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行う。この加熱処理により、例えば基板Ｗに残留した純水を蒸発させることができる（脱水処理）。複数枚の基板Ｗに対して一括して同時に加熱処理を行うことにより、基板Ｗに対して１枚ずつ加熱処理を行う場合に比べて、加熱処理のスループットを向上することができる。

加熱手段９２は例えば基板保持部９１に内蔵されてもよい。また、加熱部８２には、複数の加熱手段９２が設けられてもよい。複数の加熱手段９２は平面視において互いに隣り合って配置され、互いに独立して制御されてもよい。２枚の基板Ｗは例えば複数の加熱手段９２と鉛直方向において向かい合う位置に載置される。この場合、２枚の基板Ｗの平面視における複数の領域における温度を当該領域ごとに調整することができる。基板Ｗの平面視のサイズが大きくなると、単一の加熱手段９２で均一に基板Ｗを加熱することは困難であるところ、複数の加熱手段９２が設けられることにより、基板Ｗをより均一に加熱することができる。

加熱部８２は、基板Ｗの温度を測定する温度センサ９５をさらに含んでいる。加熱部８２には、複数の温度センサ９５が設けられてもよい。各温度センサ９５は平面視において互いに異なる領域の温度を測定する。例えば温度センサ９５は加熱手段９２と一対一で設けられてもよい。この場合、温度センサ９５は、対応する加熱手段９２の加熱対象領域の温度を測定する。

温度センサ９５によって測定された温度は制御部６０に出力される。制御部６０は、例えば、温度センサ９５によって測定された測定温度に基づいて、加熱手段９２を制御してもよい。これにより、基板Ｗの温度をより均一に目標値に近づけることができる。

＜３－１－３．冷却部８３＞
冷却部８３には、加熱部８２によって加熱された２枚の基板Ｗが搬送ロボット８１から一括して渡される。つまり、搬送ロボット８１は、順次処理装置たる洗浄装置１２によって処理された後に加熱部８２によって処理された２枚の基板Ｗを、水平な一方向に並べて保持しつつ、当該２枚の基板Ｗを一括して冷却部８３へと搬送する。この冷却部８３は、この２枚の基板Ｗを水平方向に並べて保持する基板保持部９３と、この２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う冷却手段９４とを備えている。換言すれば、冷却部８３は、２枚の基板Ｗに対して同時に冷却処理を行う。

この基板保持部９３は２枚の基板Ｗの下面を支持する部材（不図示）を有している。２枚の基板Ｗはこの部材の上に載置されることによって保持される。２枚の基板Ｗはその主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢で載置される。基板保持部９３の構造は基板保持部９１と同様である。

冷却手段９４は例えば金属板の内部に形成された液路に冷水を流す冷却板などであり、基板保持部９３に保持された２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う。冷却手段９４は制御部６０によって制御される。この冷却処理により、２枚の基板Ｗが冷却され、２枚の基板Ｗの温度を下流側の処理装置（塗布関連装置１４）に適した温度とすることができる。２枚の基板Ｗに対して一括して同時に冷却処理を行うことにより、基板Ｗに対して１枚ずつ冷却処理を行う場合に比べて、冷却処理のスループットを向上することができる。

冷却手段９４は例えば基板保持部９３に内蔵されてもよい。また、冷却部８３には、複数の冷却手段９４が設けられてもよい。複数の冷却手段９４は平面視において互いに隣り合って配置され、互いに独立して制御されてもよい。２枚の基板Ｗは例えば複数の冷却手段９４と鉛直方向において向かい合う位置に載置される。この場合、基板Ｗの平面視における複数の領域における温度を当該領域ごとに調整することができる。基板Ｗの平面視のサイズが大きくなると、単一の冷却手段９４で均一に基板Ｗを加熱することは困難であるところ、複数の冷却手段９４が設けられることにより、基板Ｗをより均一に冷却することができる。

冷却部８３は、基板Ｗの温度を測定する温度センサ９６をさらに含んでいる。冷却部８３には、複数の温度センサ９６が設けられてもよい。各温度センサ９６は平面視において互いに異なる領域の温度を検出する。例えば温度センサ９６は冷却手段９４と一対一で設けられてもよい。この場合、温度センサ９６は、対応する冷却手段９４の冷却象領域の温度を測定する。

温度センサ９６によって測定された温度は制御部６０に出力される。制御部６０は、例えば、温度センサ９６によって測定された測定温度に基づいて、冷却手段９４を制御してもよい。これにより、基板Ｗの温度をより均一に目標値に近づけることができる。

なお冷却部８３は自然冷却により２枚の基板Ｗを冷却してもよい。自然冷却とは、加熱された基板Ｗに対して動力（電力）を用いた冷却を行わずに、基板Ｗを放置して冷却することである。この場合、冷却板などの構成としての冷却手段９４は不要である。

＜３－１－４．脱水ベーク装置の一連の処理＞
次に脱水ベーク装置１３による一連の処理を簡単に説明する。搬送ロボット８１は上流側の洗浄装置１２の基板導出部３３から２枚の基板Ｗを一括して取り出して、この２枚の基板Ｗを一括して加熱部８２へと渡す。この加熱部８２でも、２枚の基板Ｗは水平方向に並んだ状態で保持される。加熱部８２はこの２枚の基板Ｗに対して一括して加熱処理を行う。加熱処理後の２枚の基板Ｗは搬送ロボット８１によって一括して取り出され、冷却部８３へと一括して渡される。冷却部８３でも、２枚の基板Ｗは水平方向に並んだ状態で保持される。冷却部８３はこの２枚の基板Ｗに対して一括して冷却処理を行う。冷却処理が行われた２枚の基板Ｗは搬送ロボット８１によって一括して取り出されて、塗布関連装置１４へと一括して搬送される。

＜４．制御部＞
図１に例示するように、基板処理装置１は、各処理装置での処理および基板の搬送を制御する制御部６０を有している。図４は、制御部６０の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。

制御部６０は制御回路であって、図４に示されるように、例えば、ＣＰＵ(Central Processing Unit)６１、ＲＯＭ(Read Only Memory)６２、ＲＡＭ(Random Access Memory)６３および記憶装置６４等が、バスライン６５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ６２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ６３はＣＰＵ６１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置６４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また、制御部６０では、入力部６６、表示部６７、通信部６８もバスライン６５に接続されている。入力部６６は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部６７は、液晶表示装置およびランプ等により構成されており、ＣＰＵ６１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部６８は、ＬＡＮ(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。

また、制御部６０には、各ロボット（インデクサロボット等の搬送ロボットなど）および上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部６０は基板Ｗの搬送を制御する搬送制御部として機能できる。

制御部６０の記憶装置６４には、基板処理装置１を構成する各装置を制御するための処理プログラムＰが格納されている。制御部６０のＣＰＵ６１が処理プログラムＰを実行することによって、基板の搬送動作および処理動作が制御される。また、処理プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部６０（コンピュータ）に処理プログラムＰをインストールすることができる。また制御部６０が実行する機能の一部または全部は必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

制御部６０は複数階層構造を有していてもよい。例えば、制御部６０は、主制御部と、複数の末端制御部とを含んでもよい。末端制御部は、例えば、インデクサ部１１、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５、露光装置１６、現像装置１７およびポストベーク装置１８の各処理装置に設けられる。主制御部は基板処理装置１に設けられ、複数の末端制御部と通信する。主制御部は基板処理装置１の全体の動作を管理し、末端制御部は対応する各装置の動作を制御する。

複数の末端制御部は相互に通信可能である。例えば、末端制御部の間で、基板Ｗに関するデータが送受信される。基板Ｗに関するデータは、例えば、グループ単位での基板Ｗのデータを示し、基板Ｗの処理の内容を示す情報が当該データに含まれている。末端制御部は、一つ上流側の末端制御部から受け取った基板Ｗのデータに基づいて、対応する装置を制御し、基板Ｗを処理する。例えば、洗浄装置１２の末端制御部は、インデクサ部１１の末端制御部から基板Ｗのデータを受け取るとともに、洗浄装置１２に基板Ｗがグループ単位で搬入される。洗浄装置１２の末端制御部は、受け取った基板のデータに基づいて洗浄装置１２を制御して、搬入された基板Ｗに対する洗浄処理を行う。そして、基板Ｗの処理終了後に基板Ｗがグループ単位で脱水ベーク装置１３に搬送されつつ、洗浄装置１２の末端制御部から脱水ベーク装置１３の末端装置に基板Ｗのデータが伝達される。以下、同様にして処理が行われる。

＜５．処理パラメータの収集＞
上述のように、基板処理装置１には各種のセンサ（例えば流量センサ３４５，３５９，３６４、圧力センサ３５７，３５８および温度センサ９５，９６）が設けられる。これらのセンサは、処理に関するパラメータを測定するセンサであるといえる。以下では、同時処理装置４０（例えば脱水ベーク装置１３）に設けられたセンサを第１センサとも呼ぶことがあり、順次処理装置３０（例えば洗浄装置１２）に設けられたセンサを第２センサと呼ぶことがある。

第１センサとしては、温度センサ９５，９６が例示される。温度センサ９５，９６は、処理に関するパラメータ（第１パラメータ）として、基板Ｗの温度を測定する。第２センサとしては、流量センサ３４５，３５９，３６４および圧力センサ３５７，３５８が例示される。流量センサ３４５，３５９，３６４は、処理に関するパラメータ（第２パラメータ）として、基板Ｗに供給する流体の流量を測定する。圧力センサ３５７，３５８は、処理に関するパラメータ（第２パラメータ）として、基板Ｗに供給する流体の圧力を測定する。

制御部６０は、第１センサおよび第２センサの各々によって測定されたパラメータを、基板Ｗに対応付けて、不揮発性の記憶媒体（例えば記憶装置６４）に記憶する。以下、順次処理装置３０と同時処理装置４０とに分けてパラメータの収集について説明する。以下では、一例として、２枚の基板Ｗを含むグループごとに搬送および処理される場合について説明する。

＜５－１．順次処理装置３０におけるパラメータの収集＞
上述のように、順次処理装置３０の基板導入部３１には、一つのグループに属する２枚の基板Ｗが一括して搬入される。順次処理装置３０は、搬入された２枚の基板Ｗを１枚ずつ順次に搬送しつつ各基板Ｗに対して順次に処理を行う。具体的には、まず、２枚の基板Ｗのうち下流側の基板Ｗ２が搬送されて、処理装置本体３２によって基板Ｗ２に対する処理が行われつつ、続けて上流側の基板Ｗ１が搬送されて、処理装置本体３２によって基板Ｗ１に対する処理が行われる。以下では、代表的に基板Ｗ２について説明する。

薬液部３４では、ノズル３４１から基板Ｗ２に薬液が供給される。これにより、基板Ｗ２には薬液に応じた処理が行われる。基板Ｗ２に供給される薬液の流量は流量センサ３４５によって測定されて、その測定値を示す測定信号が流量センサ３４５から制御部６０に出力される。

次に基板Ｗ２は水洗部３５に搬送される。水洗部３５では、基板Ｗ２はまず低圧水供給部３５１に搬送されて、液ナイフ３５ａから基板Ｗ２に洗浄水が供給される。基板Ｗ２に供給される洗浄水の圧力は圧力センサ３５７によって測定され、その測定信号が圧力センサ３５７から制御部６０に出力される。

次に基板Ｗ２は高圧水供給部３５２に搬送され、高圧水供給部３５２のノズルから基板Ｗ２に洗浄水が供給される。基板Ｗ２に供給される洗浄水の圧力は圧力センサ３５８によって測定されて、その測定信号が圧力センサ３５８から制御部６０に出力される。

次に基板Ｗ２は超音波洗浄水供給部３５３に搬送され、ノズル３５ｂから基板Ｗ２に洗浄水が供給される。基板Ｗ２に供給される洗浄水の圧力は流量センサ３５９によって測定されて、その測定信号が流量センサ３５９から制御部６０に出力される。

次に基板Ｗ２は純水供給部３５４に搬送され、純水供給部３５４のノズルから基板Ｗ２に純水が供給される。純水供給部３５４には、基板Ｗ２に供給される純水の流量を検出する流量センサが設けられてもよく、この場合、その測定信号が当該流量センサから制御部６０に出力される。

以上のように、水洗部３５では基板Ｗ２に洗浄水および純水が順次に供給され、基板Ｗ２が洗浄される。

次に基板Ｗ２は水切り部３６に搬送され、水切り部３６の噴射部３６１から基板Ｗ２に気体が供給される。これにより、基板Ｗ２に付着した液が吹き飛ばされる。基板Ｗ２に供給される気体の流量は流量センサ３６４によって測定され、その測定信号が流量センサ３６４から制御部６０に出力される。

制御部６０は、流量センサ３４５，３５９，３６４によって測定された流量および圧力センサ３５７，３５８によって測定された圧力を基板Ｗ２に対応付けて、順次収集データとして例えば記憶装置６４に記憶する。つまり、制御部６０は、基板Ｗ２に対する順次処理装置３０の処理中に第２センサによって測定されたパラメータを、基板Ｗ２に対応付けて記憶装置６４に記憶する。

図５は、基板Ｗ２についての順次収集データの一例を模式的に示す図である。図５の例では、順次収集データは、グループ識別情報Ｄａ１と、位置情報Ｄｂ１と、処理情報Ｄｄ１とを含んでいる。グループ識別情報Ｄａ１および位置情報Ｄｂ１は、基板Ｗを識別するための情報であり、後に詳述する。処理情報Ｄｄ１は、各第２センサによって測定されたパラメータの測定値（いわゆる実測値）を示す情報である。図５の例では、順次収集データには、洗浄装置１２における流量センサ３４５，３５９，３６４および圧力センサ３５７，３５８に応じて、５つの処理情報Ｄｄ１が含まれている。図５の例では、測定値は「****」で模式的に示されている。

上述の例では、基板Ｗ２について述べたが、基板Ｗ１でも同様である。つまり、制御部６０は、基板Ｗ１に対する順次処理装置３０の処理中に第２センサによって測定されたパラメータを、基板Ｗ１に対応付けて例えば記憶装置６４に記憶する。図６は、基板Ｗ１についての順次収集データの一例を模式的に示す図である。図６の例でも、基板Ｗ１についての順次収集データは、グループ識別情報Ｄａ１と、位置情報Ｄｂ１と、処理情報Ｄｄ１とを含んでいる。

グループ識別情報Ｄａ１は、基板Ｗのグループを識別する情報である。グループは例えばＮ枚（ここでは２枚）の基板Ｗ１，Ｗ２によって構成される。ここでは基板Ｗ１，Ｗ２は同一グループに属しているので、基板Ｗ１，Ｗ２のグループ識別情報Ｄａ１は互いに同一である。図５および図６の例では、グループ識別情報Ｄａ１として「ペア番号ｋ」が示されている。例えばグループ識別情報Ｄａ１は「ｋ」の値が大きくなるほど、グループは上流側にあることを示す。位置情報Ｄｂ１は、基板Ｗのグループ内の位置を示す情報である。ここでは、基板Ｗ２は基板Ｗ１よりも下流側に位置しているので、基板Ｗ２の位置情報Ｄｂ１（図５参照）は「下流」を示しており、基板Ｗ１の位置情報Ｄｂ１（図６参照）は「上流」を示している。グループ識別情報Ｄａ１および位置情報Ｄｂ１によって基板Ｗを個別に識別することができる。

上述の例では、順次処理装置３０として洗浄装置１２が説明されたが、他の順次処理装置３０でも同様である。他の順次処理装置３０でも、処理に関するパラメータを測定する第２センサが設けられる。制御部６０は、基板Ｗ２の処理中に第２センサによって測定されたパラメータを、基板Ｗ２に対応付けて例えば記憶装置６４に記憶する。具体的には、制御部６０は、他の順次処理装置３０の第２センサによって測定されたパラメータの測定値を示す処理情報Ｄｄ１を、基板Ｗ２の順次収集データに付加する。基板Ｗ１も同様である。図５および図６では、他の順次処理装置３０に対応した処理情報Ｄｄ１の存在を、縦方向に並ぶ黒丸で模式的に示している。

以上のように、順次処理装置３０には、基板Ｗがグループ単位で搬入されるものの、順次処理装置３０は、当該グループに属する基板Ｗ１，Ｗ２を１枚ずつ搬送し、基板Ｗ１，Ｗ２を１枚ずつ処理する。つまり、基板Ｗ１，Ｗ２には互いに異なるタイミングで個別に処理が行われる。例えば基板Ｗ２には、基板Ｗ１に先立って、薬液部３４のノズル３４１から薬液が供給され、その後、基板Ｗ１にノズル３４１から薬液が供給される。ノズル３４１から吐出される薬液の流量は時間の経過とともに変動し得るので、基板Ｗ１，Ｗ２に供給される薬液の流量は互いに相違し得る。つまり、たとえ同一グループに属する基板Ｗ１，Ｗ２であっても順次処理装置３０におけるパラメータは互いに相違し得る。そこで、制御部６０は、順次処理装置３０において測定されるパラメータを基板Ｗ１，Ｗ２に個別に対応付けて記憶している。

＜５－２．同時処理装置４０におけるパラメータの収集＞
上述のように、同時処理装置４０にも、基板Ｗがグループ単位で一括して搬入される。つまり、一グループに属する２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が一括して同時処理装置４０に搬入される。そして、同時処理装置４０は、搬入された２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して処理する。

例えば加熱部８２には、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が一括して搬入され、加熱部８２は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して加熱する。第１センサの一例である温度センサ９５は基板Ｗ１，Ｗ２の温度を測定し、その測定信号を制御部６０に出力する。制御部６０は、温度センサ９５によって測定された基板Ｗ１，Ｗ２の温度と、加熱温度の目標値とに基づいて、加熱手段９２を制御してもよい。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２の温度を加熱温度の目標値に近づけることができる。基板Ｗ１，Ｗ２の温度は互いにほぼ同一の値となるように制御される。

冷却部８３にも、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が一括して搬入される。冷却部８３は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して冷却する。第１センサの一例である温度センサ９６は基板Ｗ１，Ｗ２の温度を測定し、その測定信号を制御部６０に出力する。制御部６０は温度センサ９６によって測定された基板Ｗ１，Ｗ２の温度と、冷却温度の目標値とに基づいて、冷却手段９４を制御してもよい。これにより、基板Ｗ１，Ｗ２の温度を冷却温度の目標値に近づけることができる。基板Ｗ１，Ｗ２の温度は互いにほぼ同一の値となるように制御される。

制御部６０は、基板Ｗ１，Ｗ２に対する加熱部８２の加熱処理中に温度センサ９５によって測定された温度を基板Ｗ１，Ｗ２のグループに対応付けて、同時収集データとして、例えば記憶装置６４に記憶する。同様に、制御部６０は、基板Ｗ１，Ｗ２に対する冷却部８３の冷却処理中に温度センサ９６によって測定された温度を基板Ｗ１，Ｗ２のグループに対応付けて、同時収集データとして、例えば記憶装置６４に記憶する。

図７は、同時収集データの一例を模式的に示す図である。図７の例では、同時収集データは、グループ識別情報Ｄａ１と、基板有無情報Ｄｅ１と、目標情報Ｄｆ１と、処理情報Ｄｄ１とを含んでいる。基板有無情報Ｄｅ１は、グループの基板構成を示す情報である。ここでは、基板Ｗ１，Ｗ２の両方がグループを構成するので、図７の例では、基板有無情報Ｄｅ１は、基板Ｗ１，Ｗ２の両方を示す「両基板」を示している。

目標情報Ｄｆ１は、処理に関するパラメータについての目標値である。より具体的な一例として、目標情報Ｄｆ１は、加熱部８２における基板Ｗの目標温度、および、冷却部８３における基板Ｗの目標温度の各々を示す。図７の例では、加熱部８２における目標情報Ｄｆ１および温度センサ９５に対する処理情報Ｄｄ１は上下に隣接して示されており、冷却部８３における目標情報Ｄｆ１および温度センサ９６に対する処理情報Ｄｄ１も上下に隣接して示されている。図７の例では、測定値および目標値は「****」で模式的に示されている。

上述の例では、同時処理装置４０として加熱部８２および冷却部８３が説明されたが、他の同時処理装置４０でも同様である。他の同時処理装置４０でも、処理に関するパラメータを測定する第１センサが設けられる。制御部６０は、基板Ｗ１，Ｗ２に対する同時処理装置４０の処理中に第１センサによって測定されたパラメータを、基板Ｗ１，Ｗ２のグループに対応付けて例えば記憶装置６４に記憶する。具体的には、制御部６０は、他の同時処理装置４０の第１センサによって測定されたパラメータの測定値を示す処理情報Ｄｄ１を、基板Ｗ１，Ｗ２の同時収集データに付加する。また、他の同時処理装置４０の目標情報Ｄｆ１も同時収集データに付加してもよい。図７の例では、他の同時処理装置４０に対応した処理情報Ｄｄ１および目標情報Ｄｆ１の存在を、縦方向に並ぶ黒丸で模式的に示している。

以上のように、同時処理装置４０には、基板Ｗがグループ単位で搬入される。そして、同時処理装置４０は基板Ｗをグループ単位で一括して処理する。ここでは、同時処理装置４０は基板Ｗ１，Ｗ２を一括して処理する。よって、異なるタイミングで処理される順次処理装置３０に比べて、同時処理装置４０における基板Ｗ１，Ｗ２のパラメータ（例えば温度）のばらつきは小さく、互いにほぼ同じである。そこで、制御部６０は、同時処理装置４０において測定されるパラメータを基板Ｗ１，Ｗ２のグループに個別に対応付けて記憶している。これにより、当該パラメータを基板Ｗ１，Ｗ２に個別に対応付ける場合に比して、より少ない記憶容量で同時処理装置４０におけるパラメータを収集することができる。

＜６．基板の欠如＞
上述の例では、一グループに２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の両方が含まれる場合を説明した。しかしながら、複数のグループの少なくともいずれかにおいて、基板Ｗ１，Ｗ２の一方が欠如する場合がある。以下では、具体的な一例として、基板処理装置１に搬入されるカセットの内部において、基板Ｗ１，Ｗ２の一方が欠如している場合について説明する。

図８および図９は、カセット１０において複数の基板Ｗがグループごとに収容される態様を模式的に示す図である。このカセット１０はインデクサ部１１に搬入される。複数の基板Ｗはカセット１０においてグループごとに互いに異なる収容位置（スロット）に収容される。図８および９において異なるスロットは図において上下に位置する。

図８の例では、各スロットには、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が左右方向に並んで格納されている。インデクサ部１１のインデクサロボットは、カセット１０の各スロットから基板Ｗ１，Ｗ２を一括して取り出して、洗浄装置１２に搬入する。よって、各スロットがグループに対応する。図８の例では、全てのスロットにおいて基板Ｗ１，Ｗ２が格納されているので、インデクサロボットはいずれのスロットからも２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して取り出す。この場合、全てのグループが２枚の基板Ｗ１，Ｗ２によって構成される。

一方で、図９の例では、２枚の基板Ｗが格納されたスロットと、１枚の基板Ｗのみが格納されたスロットが混在している。具体的には、図９の例では、上から２番目のスロットには、左側のみに基板Ｗ１が格納されており、上から５番目のスロットには、右側のみに基板Ｗ２が格納されている。これら以外のスロットには、２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が左右方向に並んで格納されている。この場合、インデクサロボットによってカセット１０から取り出される基板Ｗの枚数はスロットによって相違する。

インデクサロボットは例えば上から順にカセット１０のスロットから基板Ｗを取り出してもよい。この場合、インデクサロボットは、まず１番上のスロットから基板Ｗ１，Ｗ２を一括して取り出して洗浄装置１２に搬送する。このグループは基板Ｗ１，Ｗ２によって構成される。次に、インデクサロボットは２番目のスロットから１枚の基板Ｗ１を取り出して洗浄装置１２に搬送する。このグループは基板Ｗ１のみによって構成される。以後、同様にして、インデクサロボットはカセット１０の各スロットから基板Ｗを取り出して洗浄装置１２に搬送する。なお、インデクサロボットは、Ｎ枚（ここでは２枚）以下の基板Ｗを搬送する搬送部であるといえる。

基板Ｗ１，Ｗ２の両方を取り出した場合には、その一グループは基板Ｗ１，Ｗ２によって構成される。基板Ｗ１のみを取り出した場合、その一グループは基板Ｗ１のみによって構成される。つまり、この一グループでは、基板Ｗ２が欠如する。また、基板Ｗ２のみを取り出した場合、その一グループは基板Ｗ２のみによって構成される。つまり、この一グループでは、基板Ｗ１が欠如する。

インデクサロボットはカセット１０の基板Ｗをスロットごとに順次に取り出し、その都度、洗浄装置１２に搬送するので、洗浄装置１２には、基板Ｗ１，Ｗ２が一括して搬入されたり、基板Ｗ１のみが搬入されたり、基板Ｗ２のみが搬入されたりする。

制御部６０は、カセット１０内の基板Ｗの格納態様を了知することができる。例えば、カセット１０の各スロットの各位置における基板Ｗの存否を示す格納情報が制御部６０に入力される。制御部６０は当該格納情報に基づいて、各グループの基板構成を了知することができる。格納情報は、例えば、操作者による入力部６６を用いた入力により、制御部６０に入力されてもよく、あるいは、基板処理装置１よりも上流側の装置から制御部６０に送信されてもよく、あるいは、カセット１０における基板Ｗの存否を検出するセンサが基板処理装置１に設けられてもよい。

制御部６０は、格納情報により、各グループの基板構成（各基板Ｗ１，Ｗ２の有無）を了知できるので、格納情報に基づいて基板処理装置１を制御することにより、グループごとに基板Ｗの搬送および処理を管理することができる。なお、制御部６０は、洗浄装置１２の基板導入部３１のセンサ３１４，３１５の検出結果を用いて、グループの基板構成を了知してもよい。あるいは、インデクサロボットのハンドに基板Ｗの存否を検出するセンサが設けられる場合には、制御部６０は当該センサの検出結果に基づいて、グループの基板構成を了知してもよい。

基板Ｗ１，Ｗ２の両方を含むグループに対する搬送および処理は上述の通りである。つまり、洗浄装置１２は基板Ｗ１，Ｗ２を順次に搬送しつつ基板Ｗ１，Ｗ２に対して順次に処理を行う。そして、搬送ロボット８１は、基板Ｗ１，Ｗ２の両方が基板導出部３３に搬送されたときに、基板Ｗ１，Ｗ２を一括して脱水ベーク装置１３に搬送する。脱水ベーク装置１３は基板Ｗ１，Ｗ２を一括して処理する。具体的には、加熱部８２は、搬入された基板Ｗ１，Ｗ２に対して一括して加熱処理を行う。加熱処理が終了すると、基板Ｗ１，Ｗ２は搬送ロボット８１によって冷却部８３に一括して搬送される。冷却部８３は、搬入された基板Ｗ１，Ｗ２に対して冷却処理を行う。冷却処理が終了すると、基板Ｗ１，Ｗ２は搬送ロボット８１によって下流側の装置に搬送される。以後、当該グループでは、基板Ｗ１，Ｗ２が他の同時処理装置４０および他の順次処理装置３０に搬送されて、他の同時処理装置４０および他の順次処理装置３０で処理が行われる。

一方、例えば基板Ｗ２のみを含むグループでは、インデクサロボットは洗浄装置１２の基板導入部３１に基板Ｗ２のみを搬入する。この基板Ｗ２は基板導入部３１のローラ３１３上に載置され、センサ３１５によって検出される。なお、基板導入部３１は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して搬入可能である一方で、１枚の基板Ｗも搬入可能である。

制御部６０はローラ３１３を同期回転させて、基板Ｗ２を処理装置本体３２に搬送させる。この基板Ｗ２は処理装置本体３２において各種の処理を受け、基板導出部３３のローラ３３２まで搬送される。基板Ｗ２は基板導出部３３のセンサ３３５によって検出される。このグループでは基板Ｗ１が欠如しているので、搬送ロボット８１は基板導出部３３のセンサ３３４による基板Ｗ１の検出を待つことなく、基板導出部３３から基板Ｗ２を取り出し、基板Ｗ２を脱水ベーク装置１３（加熱部８２）に搬送する。なお、搬送ロボット８１も、Ｎ枚（ここでは２枚）以下の基板Ｗを搬送する搬送部であるといえる。

図１０は、脱水ベーク装置１３の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１０の例では、加熱部８２には基板Ｗ２のみが搬入されている。加熱部８２は、搬入された基板Ｗ２のみに対して加熱処理を行う。加熱処理が終了すると、基板Ｗ２は搬送ロボット８１によって冷却部８３に搬送される。冷却部８３は、搬入された基板Ｗ２のみに対して冷却処理を行う。冷却処理が終了すると、基板Ｗ２は搬送ロボット８１によって下流側の装置に搬送される。以後、当該グループでは、基板Ｗ２のみが他の同時処理装置４０および他の順次処理装置３０に搬送されて、他の同時処理装置４０および他の順次処理装置３０で処理が行われる。基板Ｗ１のみを含むグループも同様である。

＜６－１．パラメータの収集＞
次に、１枚の基板Ｗのみを含むグループについてのパラメータの収集について述べる。以下では、代表的に基板Ｗ２のみを含むグループについて説明する。

上述のように、基板Ｗ２のみが洗浄装置１２の基板導入部３１に搬入されると、洗浄装置１２は、搬入された基板Ｗ２を搬送しつつ処理を行う。当該処理中において、第２センサ（流量センサ３４５，３５９，３６４および圧力センサ３５７，３５８）がパラメータを測定し、その測定信号を制御部６０に出力する。制御部６０は、第２センサによって測定されたパラメータを基板Ｗ２に対応付けて、順次収集データとして例えば記憶装置６４に記憶する。基板Ｗ２についての順次収集データは図５と同様である。

基板Ｗ２が基板導出部３３に到着すると、つまり、基板導出部３３のセンサ３３５が基板Ｗ２を検出すると、搬送ロボット８１はこの１枚の基板Ｗ２を基板導出部３３から取り出し、加熱部８２に搬送する。

加熱部８２は、搬入された１枚の基板Ｗ２のみに対して加熱処理を行う（図１０参照）。当該処理中において、温度センサ９５が基板Ｗ２の温度を測定し、その測定信号を制御部６０に出力する。この場合、制御部６０は、温度センサ９５によって測定された温度を１枚の基板Ｗ２に対応付けて、同時収集データとして例えば記憶装置６４に記憶する。図１１は、基板Ｗ２のみを含むグループについての同時収集データの一例を模式的に示す図である。図１１の例では、基板有無情報Ｄｅ１は、グループにおいて下流側の基板Ｗ２のみが存在していることを示す「下流基板」を示している。図１１の例でも、加熱温度の目標情報Ｄｆ１と、温度センサ９５によって測定された温度を示す処理情報Ｄｄ１とが隣接して示されている。

加熱部８２の加熱処理が終了すると、搬送ロボット８１は加熱部８２から１枚の基板Ｗ２を取り出して、冷却部８３に搬送する。冷却部８３は、搬入された１枚の基板Ｗ２に対して冷却処理を行う。当該処理中において、第１センサ（温度センサ９６）が基板Ｗ２の温度を測定し、その測定信号を制御部６０に出力する。この場合、制御部６０は、温度センサ９６によって測定された温度を１枚の基板Ｗ２に対応付けて、同時収集データとして例えば記憶装置６４に記憶する。図１１の例でも、冷却温度の目標情報Ｄｆ１と、温度センサ９６によって測定された温度を示す処理情報Ｄｄ１とが隣接して示されている。

上述の例では、基板Ｗ２のみがグループを構成する場合について述べたものの、基板Ｗ１のみがグループを構成する場合についても同様である。すなわち、順次処理装置３０（例えば洗浄装置１２）において測定されたパラメータは基板Ｗ１に対応付けられて、順次収集データとして例えば記憶装置６４に記憶される。基板Ｗ１についての順次収集データは図６と同様である。

同時処理装置４０（例えば脱水ベーク装置１３）において測定されたパラメータは１枚の基板Ｗ１に対応付けられて、同時収集データとして例えば記憶装置６４に記憶される。図１２は、基板Ｗ１のみを含むグループについての同時収集データの一例を模式的に示す図である。図１２の例では、基板有無情報Ｄｅ１は、上流側の基板Ｗ１のみが存在していることを示す「上流基板」を示している。図１２の例でも、加熱温度の目標情報Ｄｆ１と、温度センサ９５によって測定された温度を示す処理情報Ｄｄ１とが隣接して示され、冷却温度の目標情報Ｄｆ１と、温度センサ９６によって測定された温度を示す処理情報Ｄｄ１とが隣接して示されている。

なお、上述の例では、基板Ｗの欠如として、カセット１０内の各スロットに空きがある場合について説明した。しかるに、基板処理装置１における基板Ｗの処理中に異常が生じた場合に、その異常が生じた基板Ｗが基板処理装置１から取り除かれる場合もある。当該異常の種類は特に制限されないものの、当該異常として基板Ｗの割れを例示できる。基板処理装置１は異常が生じたときに動作を中断してもよい。そして、操作者は、異常が生じた基板Ｗを手動で基板処理装置１から取り除く。このとき、操作者は、どの基板Ｗを取り除いたのかを示す情報を入力部６６に入力する。これにより、制御部６０は、どの基板Ｗが除去されたのかを了知できる。

＜６－２．フローチャート＞
ここで、図９に示されるカセット１０において、１番上のスロットの基板Ｗ１，Ｗ２と、２番目のスロットの基板Ｗ１とに対する基板処理装置１の動作を、同時処理装置４０に着目して説明する。まず、１番上のスロットの２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が取り出されて処理され、次に２番目のスロットの１枚の基板Ｗ１が取り出されて処理される。図１３は、同時処理装置４０の動作の一例を示すフローチャートである。ここでは、同時処理装置４０として脱水ベーク装置１３の加熱部８２を例に挙げる。

カセット１０の一番上のスロットに格納されていた基板Ｗ１，Ｗ２に対する洗浄装置１２の処理が終了すると、搬送ロボット８１は洗浄装置１２の基板導出部３３から２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を取り出して、同時処理装置４０の一例たる加熱部８２に一括して搬入する（ステップＳ１）。

次に、加熱部８２が２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して加熱処理する（ステップＳ２）。この加熱処理と並行して、温度センサ９５が基板Ｗ１，Ｗ２の温度を測定する（ステップＳ３）。つまり、温度センサ９５は２枚の基板Ｗ１，Ｗ２に対する加熱部８２の処理中に基板Ｗ１，Ｗ２の温度を測定する。加熱処理が終了すると、搬送ロボット８１は加熱部８２から２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を一括して取り出し、基板Ｗ１，Ｗ２を冷却部８３に搬送する（ステップＳ４）。

次に、カセット１０の２番目のスロットに格納されていた基板Ｗ１に対する洗浄装置１２の処理が終了すると、搬送ロボット８１は洗浄装置１２の基板導出部３３から１枚の基板Ｗ１を取り出して、加熱部８２に搬入する（ステップＳ５）。

次に、加熱部８２が１枚の基板Ｗ１を加熱処理する（ステップＳ６）。この加熱処理と並行して、温度センサ９５が基板Ｗ１の温度を測定する（ステップＳ７）。つまり、温度センサ９５は１枚の基板Ｗ１に対する加熱部８２の処理中に基板Ｗ１の温度を測定する。加熱処理が終了すると、搬送ロボット８１は加熱部８２から１枚の基板Ｗ１を取り出し、基板Ｗ１を冷却部８３に搬送する（ステップＳ８）。

次に、制御部６０は、ステップＳ３で測定された第１パラメータをステップＳ２で処理された２枚の基板Ｗ１，Ｗ２に対応付けて記憶し、ステップＳ７で測定された第１パラメータをステップＳ６で処理された１枚の基板Ｗ１に対応付けて記憶する（ステップＳ９）。なお、制御部６０は、ステップＳ２の加熱処理に終了に応答して、ステップＳ３で測定された第１パラメータをステップＳ２で処理された２枚の基板Ｗ１，Ｗ２に対応付けて記憶してもよい。

＜７．作用効果＞
以上のように、本実施の形態では、同時処理装置４０の第１センサによって測定されたパラメータはグループに対応付けられて、制御部６０によって記憶される。

さて、同時処理装置４０では、上述のように、各基板Ｗに対する処理のタイミングは実質的に同一である。よって、同一グループに属する基板Ｗについてのパラメータのばらつきは小さく、ほぼ同一である。このようなパラメータを基板Ｗに個別に対応付けて記憶すると、収集データのデータ量が大きくなり、記憶装置６４における記憶容量を大きく消費する。

これに対して、本実施の形態では、同時処理装置４０の第１センサによって測定されたパラメータはグループに対応付けられて、制御部６０によって記憶される。よって、より小さいデータ量でパラメータを収集することができる。

しかも、グループを構成する基板Ｗの枚数が変動する場合、同時処理装置４０の第１センサによって測定されたパラメータは、その基板Ｗの枚数の変動に応じて収集される。具体的には、２枚の基板Ｗが同時処理装置４０に一括して搬入される場合には、制御部６０は、第１センサによって測定されたパラメータを２枚の基板Ｗに対応付けて記憶し（図７参照）、１枚の基板Ｗが同時処理装置４０に一括して搬入される場合には、制御部６０は、第１センサによって測定されたパラメータを１枚の基板Ｗに対応付けて記憶する（図１１および図１２参照）。

より一般的に説明すると、Ｎ枚の基板Ｗが同時処理装置４０に一括して搬入される場合には、制御部６０は、Ｎ枚の基板Ｗに対する同時処理装置４０の処理中に第１センサによって測定されたパラメータを、当該Ｎ枚の基板Ｗのグループに対応付けて記憶し、Ｍ（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）枚の基板Ｗが同時処理装置４０に一括して搬入される場合には、制御部６０は、Ｍ枚の基板Ｗに対する同時処理装置４０の処理中に第１センサによって測定されたパラメータを、当該Ｍ枚の基板Ｗのグループに対応付けて記憶する。

これによれば、グループを構成する基板Ｗの枚数が変動しても、その変動後の基板Ｗの枚数に応じてパラメータが収集される。よって、基板Ｗの枚数の変動に応じて、適切にパラメータを収集することができる。

また上述の例では、順次処理装置３０の第２センサによって測定されたパラメータはグループではなく、基板Ｗに個別に対応付けられて、制御部６０によって記憶される。順次処理装置３０においては、各基板Ｗに対する処理のタイミングは互いに相違するので、順次処理装置３０の第２センサによって測定されるパラメータは、たとえ同一グループであっても、基板Ｗごとにばらつく。特に流体を基板Ｗに供給する洗浄装置１２等の順次処理装置３０では、その流体の流量および圧力は時間に応じて変動しやすいので、パラメータのばらつきは比較的に大きくなる。

上述の例では、順次処理装置３０の第２センサによって測定されたパラメータはグループではなく、基板Ｗに個別に対応付けられて、制御部６０によって記憶される。よって、パラメータの基板Ｗ間のばらつきについての情報を消失すること無く、パラメータを適切に収集することができる。

＜８．処理パラメータの報知＞
操作者は収集データ（順次収集データおよび同時収集データ）を確認したいときに、入力部６６に収集データの報知の指示を入力する。制御部６０は当該入力に応答して、例えば記憶装置６４に記憶された順次収集データおよび同時収集データを操作者に報知する。例えば制御部６０は順次収集データおよび同時収集データを表示部６７に表示させる。これにより、操作者は基板Ｗについての第１パラメータおよび第２パラメータを確認することができ、基板Ｗの処理の適否を確認することができる。

例えば操作者は、基板Ｗ１，Ｗ２の両方を含むグループについての同時収集データ（図７参照）と、基板Ｗ１，Ｗ２の一方のみを含むグループについての同時収集データ（図１１および図１２参照）とを比較することで、これらの差異を確認することができる。例えば、基板Ｗ１，Ｗ２の一方のみを含むグループについての温度センサ９５の測定温度が、基板Ｗ１，Ｗ２の両方を含むグループについての温度センサ９５の測定温度よりも高くなる場合がある。これは、基板Ｗの枚数が少ないほど、加熱部８２において基板Ｗの温度が上昇しやすいからである。この場合、測定温度がより加熱温度の目標値に近づくように、基板Ｗ１，Ｗ２の一方のみを処理するときの加熱温度の目標値をより小さい値に更新してもよい。このような更新は、例えば、基板Ｗ１，Ｗ２の一方のみが処理されるときの新たな目標値を、操作者が入力部６６に入力することにより、制御部６０に入力してもよい。

また、操作者は各基板Ｗについての順次収集データどうしを比較することで、これらの差異を確認することができる。操作者は、当該差異が許容値よりも大きい場合には、当該差異を、例えば、洗浄装置１２の各配管上のバルブ（不図示）の調整要否の判断に用いたり、配管上のフィルタ（不図示）の交換要否の判断に用いたり、ポンプの駆動方式の変更要否の判断に用いたりすることができる。

＜９．変形例＞
上述の例では、制御部６０は、処理中に測定されたパラメータを適宜に基板Ｗに対応付けて収集している。この収集の対象となるパラメータの測定タイミングは特に制限されない。制御部６０は処理中に適切なタイミングで測定されたパラメータを記憶すればよい。各基板Ｗに対する処理開始から測定タイミングまでの期間の長さは、複数の基板Ｗの間で共通の長さであってもよく、若干の相違があってもよい。また基板Ｗの処理中にセンサが繰り返しパラメータを測定する場合には、制御部６０はパラメータの時間的な統計値（例えば平均値）を算出し、その統計値を基板Ｗについてのパラメータとして記憶してもよい。

また同じパラメータを測定する複数のセンサ（例えば複数の温度センサ９５）が設けられる場合には、制御部６０は複数のセンサによって測定された複数のパラメータの少なくともいずれか一つを記憶すればよい。あるいは、制御部６０は当該複数のパラメータの統計値（例えば平均値）を記憶してもよい。

以上、基板処理装置の実施の形態について説明したが、この実施の形態はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上述した各種の実施の形態および変形例は適宜に組み合わせて実施することができる。

例えば、基板Ｗ１，Ｗ２の大きさは互いに異なっていてもよい。また、制御部６０は複数階層構造を有していてもよい。例えば、制御部６０は、主制御部と、複数の末端制御部とを含んでもよい。末端制御部は、例えば、インデクサ部１１、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、塗布関連装置１４、プリベーク装置１５、露光装置１６、現像装置１７およびポストベーク装置１８の各処理装置に設けられる。主制御部は基板処理装置１に設けられ、複数の末端制御部と通信する。複数の基板処理装置１が設けられる場合には、これらの基板処理装置１を集中的に管理する中央制御部が設けられてもよい。中央制御部は複数の基板処理装置１の主制御部と通信する。各装置におけるセンサの測定信号は末端制御部に伝達されて収集される。その収集データは末端制御部から、より上位の主制御部および中央制御部に伝達されるとよい。これにより、中央制御部において、複数の基板処理装置１の収集データを管理することができる。

１ 基板処理装置
３０ 順次処理部（順次処理装置）
４０ 同時処理部（同時処理装置）
６０ 制御部
８１ 搬送部（搬送ロボット）
９５，９６ 第１センサ（温度センサ）
３４５，３５９，３６４ 第２センサ（流量センサ）
３５７，３５８ 第２センサ（圧力センサ）
Ｗ 基板

Claims (4)

1. Ｎ（Ｎは２以上の整数）枚の基板を一括して処理可能である同時処理部と、
   前記同時処理部にＮ枚以下の基板を一括して搬送する搬送部と、
   前記同時処理部に設けられ、前記同時処理部による処理に関する第１パラメータを測定する第１センサと、
   Ｎ枚の基板を一括して搬入可能である基板導入部を含み、前記基板導入部から当該基板を順次に搬送しつつ、当該基板に対して順次に処理を行う順次処理部と、
   前記順次処理部に設けられ、前記順次処理部による処理に関する第２パラメータを測定する第２センサと、
   前記同時処理部に前記搬送部からＮ枚の基板が搬入された場合、当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、当該Ｎ枚の基板に対応付けて、同時収集データとして記憶し、前記同時処理部に前記搬送部からＭ（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）枚の基板が搬入された場合、当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、当該Ｍ枚の基板に対応付けて、前記同時収集データとして記憶する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、前記順次処理部の処理中に前記第２センサによって検出された前記第２パラメータを、当該基板に個別に対応付けて、当該基板ごとの順次収集データとして記憶し、
   前記同時収集データは、Ｎ枚の基板をグループ単位としたグループを識別するグループ識別情報と、グループにおける基板構成を示す基板有無情報と、前記第１パラメータを示す第１処理情報とを含み、
   前記順次収集データは、対応する基板が属するグループを示す前記グループ識別情報と、対応する基板のグループ内の搬送方向の位置を示す位置情報と、前記第２パラメータを示す第２処理情報とを含む、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記搬送部は、Ｎ枚の基板を水平方向に並べた状態で保持可能なハンドを含み、
   前記同時処理部は、前記Ｎ枚の基板を水平方向に並べた状態で保持可能な基板保持部を含む、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   カセットが搬入されるロードポートを備え、
   前記カセットは、各々が前記Ｎ枚の基板を水平方向に並べて収納可能な複数のスロットを有し、
   前記スロット内の基板がグループ単位として前記同時処理部または前記順次処理部に搬送される、基板処理装置。
4. Ｎ（Ｎは２以上の整数）枚の基板を一括して同時処理部に搬入する工程と、
   前記同時処理部が当該Ｎ枚の基板に対して一括して処理を行う工程と、
   当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に、前記同時処理部による処理に関する第１パラメータを第１センサによって測定する工程と、
   前記同時処理部から当該Ｎ枚の基板を取り出す工程と、
   Ｍ（Ｍは１以上Ｎ未満の整数）枚の基板を一括して前記同時処理部に搬入する工程と、
   前記同時処理部が当該Ｍ枚の基板に対して一括して処理を行う工程と、
   当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１パラメータを前記第１センサによって測定する工程と、
   前記同時処理部から当該Ｍ枚の基板を取り出す工程と、
   当該Ｎ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、同時収集データとして、当該Ｎ枚の基板に対応付けて記憶し、当該Ｍ枚の基板に対する前記同時処理部の処理中に前記第１センサによって測定された前記第１パラメータを、前記同時収集データとして、当該Ｍ枚の基板に対応付けて記憶する工程と、
   順次処理部が、搬入されたＮ枚以下の基板を順次に搬送しつつ、当該基板に対して順次に処理を行う工程と、
   前記順次処理部の処理中に、前記順次処理部による処理に関する第２パラメータを第２センサによって測定する工程と、
   前記順次処理部の処理中に前記第２センサによって検出された前記第２パラメータを、当該基板に個別に対応付けて、当該基板ごとの順次収集データとして記憶する工程と
   を備え、
   前記同時収集データは、Ｎ枚の基板をグループ単位としたグループを識別するグループ識別情報と、グループにおける基板構成を示す基板有無情報と、前記第１パラメータを示す第１処理情報とを含み、
   前記順次収集データは、対応する基板が属するグループを示す前記グループ識別情報と、対応する基板のグループ内の搬送方向の位置を示す位置情報と、前記第２パラメータを示す第２処理情報とを含む、基板処理方法。

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