JP6899813B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
<1.基板処理装置の全体構成・全体動作の概要の一例>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を概略的に示す平面図である。なお以下で参照する各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また各図において、各構成の位置関係を説明するために、XYZ直交座標系が適宜に示される。ここでは、Z軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置され、X軸およびY軸は水平面に沿って配置される。以下では、X軸方向における一方側を+X側とも呼び、他方側を−X側とも呼ぶ。Y軸およびZ軸も同様である。なお以下では、+Z側は鉛直上側を意味する。
塗布装置2は基板導入部21と処理装置本体22と基板待機部23とを含んでいる。基板導入部21は基板Wを受け取る。例えば基板導入部21には、2枚の基板Wが一括して搬入される。処理装置本体22は、基板導入部21から搬送される基板Wを順次に受け取り、この基板Wを搬送方向に沿って搬送させる。ここでは、処理装置本体22における搬送方向はX軸方向であり、その搬送方向の上流側は−X側であり、搬送方向の下流側は+X側である。なお、塗布装置2は減圧乾燥装置3の上流側(−X側)に位置する上流処理部である。
図3は、塗布装置2および搬送ロボット4の構成の一例を概略的に示す側面図である。図3の例では、基板導入部21は例えばコロコンベアを含んでいる。このコロコンベアは複数の回転軸211Aと複数の回転軸211Bと複数のコロ212Aと複数のコロ212Bとを含んでいる。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々はその中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。複数の回転軸211AはX軸方向において間隔を隔てて並んでおり、複数の回転軸211Bは、複数の回転軸211Aよりも下流側において、X軸方向において間隔を隔てて並んでいる。また回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに略同じ高さ位置に設けられている。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。
処理装置本体22は、順次に基板Wを搬送しつつ、その基板Wに対して順次に塗布処理を行う。図1および図3の例では、この処理装置本体22は移載ユニット221と浮上ステージ222と基板搬送部223とノズル224とを含んでいる。
図3の例では、移載ユニット221は複数のコロ2211と入口浮上ステージ2212と複数のリフトピン2213とを含んでいる。複数のコロ2211は、基板導入部21のコロと同様の構成を有しており、X軸方向において間隔を空けて並んでいる。コロ2211の回転は制御部6によって制御される。コロ2211は、自身の回転により、基板導入部21から搬送された基板Wを受け取って+X側へと搬送する。
浮上ステージ222は、入口浮上ステージ2212よりも+X側に設けられている。浮上ステージ222の上面にも、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。
図1の例では、基板搬送部223は基板チャック部2231と進退機構2232とを含んでいる。基板チャック部2231は、基板WのY軸方向の両側の端面を保持する。図1の例では、基板Wに対してY軸方向の両側において、それぞれ一対の基板チャック部2231が設けられている。一対の基板チャック部2231はX軸方向において間隔を隔てて設けられている。各基板チャック部2231は、基板Wの下面のうちY軸方向における端部を支持する支持部を有している。この支持部の上面には、例えば吸着口が形成されており、その吸着口は支持部の内部の吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。吸着口から気体が吸引されることにより、基板チャック部2231は基板Wを吸着して保持することができる。
ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。ノズル224の下端には、基板Wの塗布領域R1に対応した吐出口が形成されている。このノズル224はその吐出口がY軸方向に長い長尺ノズルである。吐出口の長さ(Y軸方向に沿う長さ)は塗布領域R1の長さ(Y軸方向に沿う長さ)と略一致する。
基板待機部23は、処理装置本体22によって処理された基板Wを順次に受け入れる。基板待機部23は2枚の基板Wを待機させることができる。この基板待機部23は第1待機部231と第2待機部232とを含んでいる。第1待機部231は1枚の基板Wを待機させることができ、第2待機部232は1枚の基板Wを待機させることができる。
図3の例では、搬送ロボット4は基板待機部23よりも+X側に位置している。この搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して基板待機部23から取り出すことができる。また搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に基板待機部23から取り出すこともできる。
減圧乾燥装置3の乾燥部31は2枚の基板Wに対して一括して減圧乾燥処理を行うことができる。なお、減圧乾燥装置3は塗布装置2の下流側(+X側)に位置する下流処理部である。
受け渡しユニット5は、減圧乾燥装置3と加熱処理装置7との間での基板Wの受け渡しを中継するユニットである。例えば受け渡しユニット5は、搬送ロボット4と加熱処理装置7との間に位置している。より具体的な一例として、受け渡しユニット5は乾燥部31cの+Z側に設けられていてもよい。つまり、乾燥部31cの+Z側に、受け渡しユニット5が積層されていてもよい。
図1の例では、加熱処理装置7も示されている。加熱処理装置7は加熱ユニット71と搬送ロボット72とを含んでいる。搬送ロボット72は搬送ロボット4と同様の構成を有しており、受け渡しユニット5から第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して取り出す。搬送ロボット72は第1基板W1および第2基板W2を一括して加熱ユニット71へと搬送する。
上述のように、処理装置本体22(上流処理部)は基板Wを搬送しつつ、基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。つまり、第1基板W1に対する塗布処理が終了した後に、その次の第2基板W2に対して塗布処理が行われる。塗布処理が終了した基板Wは時間の経過と共に自然乾燥するので、先に塗布処理が終了する第1基板W1の乾燥状態は、後に塗布処理が処理する第2基板W2の乾燥状態と相違し得る。この乾燥状態の差異の程度は例えば、基板上に形成された塗膜の厚さ(膜厚)に依存する。
上述の例では、第1基板W1が第1待機部231へと搬送されると、第1上昇機構234は第1基板W1を上昇させる。よって、同時搬送において、第2基板W2は、第1上昇機構234が第1基板W1を上昇させた状態で、基板搬送部223から第2待機部232へと搬送される。言い換えれば、第1基板W1はリフトピン2341によって支持された状態で、第2基板W2、あるいは、搬送ロボット4を待っている。
第2の実施の形態にかかる基板処理装置1の構成の一例は第1の実施の形態と同様である。ただし、第2の実施の形態にかかる基板処理装置1は塗布装置2に替えて、塗布装置2Aを含んでいる。
3 下流処理部(減圧乾燥装置)
4 搬送ロボット
22 上流処理部(処理装置本体)
31,31a〜31c 乾燥部
223 搬送部(基板搬送部)
231 第1待機部
232 第2待機部
234 第1上昇機構
235 第2上昇機構
Claims (4)
- 複数の基板を1枚ずつ順次に処理する上流処理部と、
前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、
前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、
前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、
前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットと
を備え、
前記第1待機部は前記第1基板を上昇させる第1上昇機構を有し、
前記第2待機部は前記第2基板を上昇させる第2上昇機構を有し、
前記第1上昇機構および前記第2上昇機構は互いに独立して駆動される、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を1枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、
前記第1待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、
前記第2待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第1待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第1基板を前記第1待機部へと搬送する機能も有し、
前記第1基板が前記第2待機部から前記第1待機部へ搬送されると、前記第1上昇機構が前記第1基板を上昇させ、
前記第2基板は、第1上昇機構が前記第1基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第2待機部へと搬送される、基板処理装置。 - 複数の基板を1枚ずつ順次に処理する上流処理部と、
前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、
前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、
前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、
前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットと
を備え、
前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、
前記搬送ロボットは、
前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送し、
前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する、基板処理装置。 - 複数の基板を1枚ずつ順次に処理する第1工程と、
前記第1工程で処理された基板である第1基板を待機させる第2工程と、
前記第1工程で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第3工程と、
前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板と前記第2基板との両方、前記第1基板のみ、および、第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットが、前記第1基板を、2枚を同時に処理可能な下流側処理部に含まれた複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送する第4工程と、
前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記搬送ロボットが前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する第5工程と
を備える、基板処理方法。
Priority Applications (4)
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