JP4908771B2

JP4908771B2 - 処理装置システム

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Publication number: JP4908771B2
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Authority: JP
Inventors: 寛石田; 徹本間
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Priority date: 2005-04-27
Filing date: 2005-04-27
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Description

本発明は、処理装置システムに関し、更に詳しくは、被処理体の処理効率を高め、省スペース化を促進することができる処理装置システムに関する。

従来の処理装置システムは、例えば図１７の（ａ）に示すように、搬送路１に沿って配列された複数の処理装置２と、複数の処理装置２とで搬送路１を挟むように配列された複数のカセット３と、処理装置２とカセット３との間で基板を受け渡す第１受け渡し機構４と、を備えている。処理装置２は、基板を処理する処理室２Ａと、処理室２Ａと真空予備室（ロードロック室）２Ｂとの間で基板を受け渡す第２受け渡し機構２Ｃが配置された搬送室２Ｄとを備えている。カセット３と処理室２Ａとの間で基板を受け渡す場合には、第１受け渡し機構４が大気中で駆動してカセット３から基板を取り出し、ロードロック室２Ｂ内に搬送する。その後、ロードロック室２Ｂ内を搬送室２Ｄに近い真空雰囲気に調整した後、これら両者間のゲートバルブが開き、真空下で第２受け渡し機構２Ｃが駆動してロードロック室２Ｂ内の基板を一旦搬送室２Ｄ内に搬入し、ゲートバルブを閉じ、搬送室２Ｄ内の基板を処理室２Ａ内に搬送し、処理室２Ａのゲートバルブを閉じて、基板に対して所定の処理を施す。基板の処理後には、第１、第２受け渡し機構４、２Ｃを介して逆の経路を辿って基板をカセット３内に戻す。尚、同図では一つの処理装置２の第２受け渡し機構２Ｃのみを図示してあるが、他の処理装置２も同一の受け渡し機構を有している。

また、図１７の（ｂ）は、処理装置２がマルチチャンバータイプの処理装置として構成されている。そして、複数の処理室２Ａが搬送室２Ｄの三側面に連結され、残りに一側面にロードロック室２Ｂが連結されている。このマルチチャンバータイプの処理装置２の場合も、同図の（ａ）に示す処理装置２と同様に大気中で駆動する第１受け渡し機構４と、真空下で駆動する第２受け渡し機構２Ｃと、を備え、第１、第２受け渡し機構４、２Ｃを介してカセット３と処理室２Ａとの間で基板の受け渡しを行う。例えば特許文献１にはこのような処理装置システムと類似した技術が提案されている。特許文献１の技術の場合には、図１７の（ｂ）の処理装置システムと異なり、第１、第２受け渡し機構が上下二段の搬送アームを有し、大気下で第１受け渡し機構を介して２枚の基板を同時にロードロック室内に搬送し、真空下で第２受け渡し機構を介して未処理の基板と処理済の基板をロードロック室と処理室との間で受け渡し、処理効率を高める工夫がなされている。

特許文献２には搬送室を兼ねたロードロック室を有する半導体製造装置が提案されている。このロードロック室は、真空処理室の側方に隣接し、基板（ウエハ）を搬送するための搬送アームと、上下２段の棚状のウエハ支持機構を有している。この場合には、ロードロック室が搬送室を兼ねるため、半導体製造装置の設置スペースを削減し、設備コストを低減することができる。

特許文献３にはワークの処理方法及びその処理装置が提案されている。この処理方法では、搬送装置の搬送経路外に処理を行う作業装置を複数配置し、搬送装置から複数のワークを順次取り出して作業待ちの状態にある作業装置に受け渡し、作業が完了した作業装置から搬送装置へワークを戻すようにしている。このように搬送経路からワークを取り出して作業装置による処理を行うため、処理中のワークの支持に関して搬送装置の制約を受けず、各種のサイズのワークをそれぞれ適切な条件で支持して処理することができる。

特許文献４には半導体装置の生産システムが提案されている。このシステムの場合には、一つの工程の処理装置に対して、前の工程におけるアンローダから処理装置を経て次の工程のローダを結ぶループ状のキャリア搬送ラインが設けられている。キャリア搬送ラインにおいては、処理装置によって処理される半導体ウエハを搭載したキャリアを前の工程から搬送するキャリア搬送ラインと、処理装置において処理された半導体ウエハを搭載したキャリアを次の工程へ搬送するキャリア搬送ラインとが設けられている。このキャリア搬送ラインは、複数の処理装置に対して共通であり、略並行に設けられている。このような構成により、キャリアを滞留させず、キャリア搬送ラインの占有面積の低減が図られる。

特開２００１−１６０５８４号公報特開平０５−１９８６６０号公報特開２００４−０７９６１４号公報特開２００３−１５２０４７号公報

しかしながら、図１７の（ａ）、（ｂ）及び特許文献１の処理装置は、いずれもカセットと真空処理室との間でロードロック室を介して基板を受け渡すために、カセットとロードロック室との間で基板を受け渡す第１受け渡し機構と、ロードロック室と処理室との間で基板を受け渡す第２受け渡し機構が必要であり、しかも第２受け渡し機構は処理室に近い真空度に調整されているため、基板を搬出入する度にロードロック室を搬送室と同程度の真空度と大気圧との間での繰り返し圧力調整をしなくてはならず、基板の受け渡しに多くに時間を要して処理効率を高めことができず、また、搬送室以外にロードロック室を設けなくてはならず、スペース的にも問題があった。

また、特許文献２の半導体製造装置は、搬送室内の受け渡し機構を用いてカセットと処理室との間で基板を受け渡すようにしているため、特許文献１の場合と比較してロードロック室及び大気中で使用する受け渡し機構を省略して、基板の処理効率を高めると共に省スペース化を実現しているが、半導体製造装置とカセットとが一対一で対応しているため、更に基板の処理効率を高めるために半導体製造装置を複数配列する場合には装置毎にカセット及びその昇降装置（インデクサ）が必要で、設備が煩雑でコスト高になり、しかも他の工程と連携して基板を処理する場合にも処理前後の基板を一旦カセット内に収納しなくてはならず、処理効率を高めるにも限界があった。処理装置とカセットとを一対一で対応させて基板を処理する点では特許文献４に記載の技術においても同様である。

更に、特許文献３の処理方法及び処理装置の場合には、一つの移送装置（受け渡し機構に相当する）に対して複数の作業装置（処理装置に相当する）が対応し、移送装置でいずれか一つの空いている作業装置に基板を移載するため、作業装置に基板を移載する際に、空いている作業装置を探さなくてはならず、その分だけ作業効率が低下する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、搬送ラインと複数の処理装置との間の被処理体の受け渡しを短縮して、一枚当たりの被処理体に要する処理時間を短縮することができ、もって被処理体の処理効率を高め、また他工程と連携させて複数の工程での被処理体の処理効率を高めることができ、しかも省スペース化を実現することができる処理装置システムを提供することを目的としている。

本発明の請求項１に記載の処理装置システムは、被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインに沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置との間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載の処理装置システムは、被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、上記複数の真空予備室の上流側から下流側の順で上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載の処理装置システムは、被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、上記複数の真空予備室の任意の順番で上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載の処理装置システムは、大気中で被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、上記真空予備室の第１受け渡し機構と大気中の上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載の処理装置システムは、請求項５に記載の発明において、上記被処理体は矩形状に形成されており、上記真空予備室の幅は、上記被処理体を回転させるために必要とされる幅よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のものである。

また、本発明の請求項６に記載の処理装置システムは、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記第１、第２搬送ブロックそれぞれの複数の回転ローラは、それぞれの搬送、停止がブロック単位で制御可能に構成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項７に記載の処理装置システムは、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発明において、上記搬送ラインは、第１、第２搬送ブロックを複数ずつ有し、上記第１搬送ブロックでの上記被処理体の受け渡し時に、上記第２搬送ブロックが複数の回転ローラを停止させて上記被処理体を待機させるバッファ機能を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項８に記載の処理装置システムは、請求項５に記載の発明において、上記被処理体は、ＦＰＤ用のガラス基板であることを特徴とするものである。

本発明によれば、搬送ラインと複数の処理装置との間の被処理体の受け渡しを短縮して、一枚当たりの被処理体に要する処理時間を短縮することができ、もって被処理体の処理効率を高め、また他工程と連携させて複数の工程での被処理体の処理効率を高めることができ、しかも簡素な構造で省スペース化を実現することができる処理装置システムを提供することができる。

以下、図１〜図１６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本発明の処理装置システム１０は、例えば図１、図２に示すように、被処理体、例えばフラットディスプレイパネル（ＦＤＰ）用のガラス基板（以下、単に「ガラス基板」と称す。）Ｓを搬送する搬送ライン１１と、この搬送ライン１１に沿って配置された複数の処理装置１２と、これらの処理装置１２と搬送ライン１１との間でガラス基板Ｓを受け渡す第１受け渡し機構１３と、を備え、制御装置（図示せず）の制御下で処理装置１２においてガラス基板Ｓに対してドライエッチング処理等の真空処理を施すように構成されている。第１受け渡し機構１３は、処理装置１２に連結されたロードロック室１４内に設けられ、複数の処理装置１２に対して一対一で対応している。ロードロック室１４は、処理装置１２に対してゲートバルブ１２Ａを介して連結され、また、搬送ライン１１側の側面にはゲートバルブ１４Ａが取り付けられ、内部を大気圧と真空圧に切り換えられるようになっている。

而して、搬送ライン１１は、図１、図２に示すように、基台１１Ａと、基台１１Ａ上にガラス基板Ｓの搬送方向に沿って互いに平行に配置された一対の支持部材１１Ｂ、１１Ｂと、これらの支持部材１１Ｂ、１１Ｂ上にこれらと直交しガラス基板Ｓの搬送方向に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の回転ローラ１１Ｃとを備えている。そして、支持部材１１Ｂは、基台１１Ａに立設された支柱１１Ｄによって水平に支持されている。また、搬送ライン１１は、例えば二種類の第１、第２搬送ブロック１１１、１１２が交互に連続して配置されている。第１搬送ブロック１１１は、回転制御可能な複数の回転ローラ１１Ｃを有し、ロードロック室１４の正面に配置され、第１受け渡し機構１３との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を受け渡す機構を備えている。第２搬送ブロック１１２は、回転制御可能な複数の回転ローラ１１Ｃを有し、ロードロック室１４の間に配置され、処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を一時的に待機させるバッファ機能を備えている。そして、第１、第２搬送ブロック１１１、１１２は、それぞれの複数の回転ローラ１１Ｃをブロック毎に個別に制御できるように構成されている。

第１搬送ブロック１１１には、図１、図２に示すように、第２受け渡し機構１５が設けられている。第２受け渡し機構１５は、図２に示すように、搬送ブロックの周縁に沿って設けられた複数の第１昇降ピン１５Ａと、第１昇降ピン１５Ａの外側で搬送ブロックの上流側と下流側に設けられた複数の第２昇降ピン１５Ｂとを有し、第１、第２昇降ピン１５Ａ、１５Ｂを介して未処理のガラス基板Ｓまたは処理済のガラス基板Ｓ’の周囲をそれぞれ支持して昇降するように構成されている。第２昇降ピン１５Ｂは、上端に受け部材１５Ｃを有し、回転可能に構成されている。また、第２昇降ピン１５Ｂは、本実施形態に制限されるものでなく、例えば図３に示すように、回転してガラス基板Ｓを跳ね上げる、跳ね上げ式の支持体１５Ｂ’であっても良い。後述するように、搬送ライン１１と処理装置１２との間で未処理のガラス基板Ｓと処理済のガラス基板Ｓ’を受け渡す時に、第１昇降ピン１５Ａは未処理のガラス基板Ｓを所定の高さまで持ち上げて第２昇降ピン１５Ｂへ引き渡し、第２昇降ピン１５Ｂで未処理のガラス基板Ｓを支持している間に第１昇降ピン１５Ａで処理済のガラス基板Ｓ’を受け取るように構成されている。尚、図１には第２昇降ピン１５Ｂは省略されている。

上述したように第１搬送ブロック１１１と対峙するロードロック室１４内には第１受け渡し機構１３が設けられている。第１受け渡し機構１３は、図２〜図５に示すように、ゲートバルブ１４Ａを開放した状態で第１搬送ブロック１１１の第２受け渡し機構１５との間でガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行い、ゲートバルブ１４Ａを閉じ、ゲートバルブ１２Ａを開放した状態で処理装置１２との間でガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行うようにしてある。また、図２、図４に示すようにロードロック室１４には真空ポンプ１４Ｂ及びガス供給部１４Ｃが接続され、ゲートバルブ１２Ａ、１４Ａを閉じた状態で真空ポンプ１４Ｂが駆動して室内を減圧すると共に室内に不活性ガス(例えば、Ｎ_２ガス)を供給して不活性ガス雰囲気を形成できるようにしてある。

第１受け渡し機構１３は、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板Ｓ、Ｓ’を支持するハンド部１３Ａと、ハンド部１３Ａの基端に連結された屈伸アーム部１３Ｂと、屈伸アーム部１３Ｂの基端に連結された回転可能な軸１３Ｃと駆動部１３Ｄと、を有し、ハンド部１３Ａ及び屈伸アーム部１３Ｂが軸１３Ｃを中心に回転するように構成されている。そして、第１受け渡し機構１３は、図２に示すように、ハンド部１３Ａが屈伸アーム部１３Ｂを折り畳んだ状態で先端を搬送ライン１１または処理装置１２に向け、この状態で屈伸アーム部１３Ｂが伸びて搬送ライン１１または処理装置１２に向けて進出する。

また、図５の（ａ）に示すように、ロードロック室１４内にはガラス基板Ｓ、Ｓ’を支持する支持機構１６が昇降可能に設けられ、支持機構１６はガラス基板Ｓ、Ｓ’を水平に支持する平板またはピン状の受け部１６Ａを有する昇降ピンとして構成されている。そして、第１受け渡し機構１３は、ガラス基板Ｓ、Ｓ’を支持機構１６へ引渡し、１８０°回転した後、再び支持機構１６からガラス基板Ｓ、Ｓ’を受け取って搬送ライン１１または処理装置１２へガラス基板Ｓ、Ｓ’を搬送する。支持機構１６は、図５の（ａ）に示すように昇降可能になっている。

従って、ガラス基板Ｓ、Ｓ’は、その受け渡し時にもロードロック室１４内では回転しないため、ロードロック室１４の平面の面積を小さくすることができ、延いては処理装置システム１０のフットプリントを削減することができ、しかも室内の容量が小さいため大気と真空の切り替え時間を短縮することができ、ガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し時間を短縮することが可能となり、スループットを向上させることができる。

更に、図２、図４に示すように、処理装置１２には真空ポンプ１８及びガス供給部１９が接続され、ゲートバルブ１２Ａを閉じた状態で真空ポンプ１８が駆動して室内を所定の真空度まで減圧すると共に室内にプロセスガスを供給してガラス基板Ｓの所定の真空処理を施すようにしてある。

即ち、処理装置１２内には図４、図６に示すようにガラス基板Ｓを載置する載置台１２Ｂが配設され、この載置台１２Ｂ上でガラス基板Ｓにドライエッチング処理等の真空処理を施すようにしてある。即ち、例えば処理装置１２の載置台１２Ｂには下部電極１２Ｃが組み込まれ、この下部電極１２Ｃの上方にはこれと平行な上部電極（図示せず）が配設されている。そして、下部電極１２Ｃにはマッチング回路を介して高周波電源（共に図示せず）が接続され、この高周波電源から下部電極１２Ｃに高周波電力を印加するようにしてある。また、上部電極はプロセスガスの供給部を兼ね、下部電極１２Ｃ上のガラス基板Ｓ全面にシャワー状のプロセスガスを供給するようにしてある。従って、処理装置１２内を所定の真空度に保持した状態で下部電極１２Ｃに高周波電力を印加し、プロセスガスをプラズマ化することでガラス基板Ｓ表面にドライエッチング処理等の真空処理を施すようにしてある。尚、１２Ｄは下部電極１２Ｃを囲むシールドリングである。

載置台１２Ｂには第３受け渡し機構２０が付設されている。この第３受け渡し機構２０は、図６に示すように、下部電極１２Ｃの両側縁部の４箇所に昇降可能に配設され且つ載置台１２の上方でガラス基板Ｓを受け渡す第１受け渡し部材２０Ａと、第１受け渡し部材２０Ａに対応してシールドリング１２Ｄの複数箇所に昇降可能に配設され且つ第１受け渡し部材２０Ａよりも高い位置でガラス基板Ｓを保持することができる第２受け渡し部材２０Ｂとを備えている。第１受け渡し部材２０Ａは図６に示すようにピンとして形成され、ガラス基板Ｓの受け渡しを行う場合にはピンの上端が下部電極１２Ｃの側縁部に形成された孔（図示せず）の内部から受け渡し位置まで上昇し、その他の場合にはピンの上端が孔内に収まるようにしてある。

第２受け渡し部材２０Ｂは、例えば９０°だけ正逆回転するピン２０Ｃと、このピン２０Ｃの上端に取り付けられた矩形状の受け部材２０Ｄとを備えている。そして、ガラス基板Ｓの受け渡しを行う場合には、図４、図６に示すように受け部材２０Ｄがシールドリング１２Ｄ内に形成された孔（図示せず）から、下部電極１２Ｃと受け渡し位置（第１受け渡し部材２０Ａの受け渡し位置と同じ位置）との中間位置まで一旦上昇し、受け部材２０Ｄの向きを９０°変えた後、更に保持位置まで上昇する。その他の場合にはシールドリング１２Ｄ内に形成された孔（図示せず）に収納されている。本実施形態では、第２受け渡し部材２０Ｂは、シールドリング１２Ｄ内部に収納される機構として構成されているが、シールドリング１２Ｄの外側の空間に配置される機構であっても良く、下部電極１２Ｃの外側に配置されていれば良い。

ところで、図１は本実施形態の処理装置システム１０の要部を示した図であるが、処理装置システム１０は、全体が例えば図７に示すように構成されている。即ち、図１に示す搬送ライン１１の最上流には未処理のガラス基板Ｓを複数枚収納する第１カセット２１が隣接して配置され、最下流には処理済みのガラス基板Ｓ’を複数の収納する第２カセット２２が隣接して配置されている。そして、第１カセット２１から搬送ライン１１へ未処理のガラス基板Ｓを一枚ずつ供給し、搬送ライン１１から第２カセット２２へ処理済みのガラス基板Ｓ’を収納するようにしてある。

次に、処理装置システム１０の動作について図８、図９をも参照しながら説明する。まず、制御装置の制御下で、処理装置システム１０が駆動して、処理装置１２においてガラス基板Ｓに対して所定の真空処理を施している。この時既にロードロック室１４内で第１受け渡し機構１３が処理済のガラス基板Ｓ’を保持して待機していると共に、図８の（ａ）に示すように搬送ライン１１の第１搬送ブロック１１１では第２受け渡し機構１５の第２昇降ピン１５Ｂの受け部材１５Ｃで未処理のガラス基板Ｓを回転ローラ１１Ｃから持ち上げて待機している。また、上流側の第２搬送ブロック１１２では回転ローラ１１Ｃが回転を停止して後続の未処理のガラス基板Ｓを待機させている。

そして、ロードロック室１４では室内にＮ_２ガスを供給して真空状態から大気圧に戻し、ゲートバルブ１４Ａを開放した後、図８の（ｂ）に示すように第１受け渡し機構１３のハンド部１３Ａが屈伸アーム部１３Ｂを伸ばしてロードロック室１４内から第１搬送ブロック１１１へ処理済のガラス基板Ｓ’を搬出する。この時、ハンド部１３Ａで支持された処理済みのガラス基板Ｓ’は回転ローラ１１Ｃと第２昇降ピン１５Ｂによって支持された未処理のガラス基板Ｓとの間に位置する。次いで、第２受け渡し機構１５の第１昇降ピン１５Ａが駆動して回転ローラ１１Ｃから突出して、同図の（ｃ）に矢印で示すように処理済みのガラス基板Ｓ’をハンド部１３Ａから持ち上げる。引き続き、第１受け渡し機構１３が駆動してハンド部１３Ａが第１搬送ブロック１１１からロードロック室１４内へ退避すると、第１昇降ピン１５Ａが同図（ｄ）に示す状態から（ｅ）に示すよう状態まで下降して回転ローラ１１Ｃ上に処理済のガラス基板Ｓ’を引き渡す。

然る後、図８の（ｆ）に示すようにロードロック室１４内の第１受け渡し機構１３が駆動してハンド部１３Ａが進出して第１搬送ブロック１１１上へ停止すると共に、同図に矢印で示すように第２受け渡し機構１５の第２昇降ピン１５Ｂが下降する。そして、第２昇降ピン１５Ｂが同図の（ｇ）に矢印で示すように更に下降して未処理のガラス基板Ｓをハンド部１３Ａに引き渡した後、第１受け渡し機構１３がハンド部１３Ａで未処理のガラス基板Ｓを受け取ると、ハンド部１３Ａを第１搬送ブロック１１１からロードロック室１４内へ退出させて未処理のガラス基板Ｓをロードロック室１４内へ搬入する。この動作と同期して、第２昇降ピン１５Ｂが同図の（ｈ）に矢印で示すように回転して回転ローラ１１Ｃで支持された処理済みのガラス基板Ｓ’から受け部材１５Ｃを退避させた後、回転ローラ１１Ｃの下側へ下降する。

第１受け渡し機構１３は、未処理のガラス基板Ｓをロードロック室１４内に搬入した後、ロードロック室１４のゲートバルブ１４Ａを閉じる。ロードロック室１４では真空ポンプ１４Ｂが駆動して室内を減圧すると共に、ガス供給部１４ＣからＮ_２ガスを供給して空気をＮ_２ガスと置換して室内をＮ_２ガス雰囲気にした後、Ｎ_２ガスの供給を止めて真空ポンプ１４Ｂで処理装置１２内の真空度に状態まで室内を減圧する。この間、ロードロック室１４内では、図５の（ａ）に示すように支持機構１６が駆動して第１受け渡し機構１３から未処理のガラス基板Ｓを受け取ってハンド部１３Ａの上方に持ち上げると、第１受け渡し機構１３のハンド部１３Ａを１８０°旋回させて先端を処理装置１２に向ける。その後、支持機構１６が駆動して未処理のガラス基板Ｓを再びハンド部１３Ａに引き渡すと、処理装置１２のゲートバルブ１２Ａが開くと共に、第１受け渡し機構１３が駆動してハンド部１３Ａを処理装置１２内に進出して未処理のガラス基板Ｓを処理装置１２内に搬入する。

第１受け渡し機構１３が処理装置１２内へ未処理のガラス基板Ｓを搬入すると、図６に示すように第２受け部材２０Ｄがシールドリング１２Ｄ内に形成された孔（図示せず）から、下部電極１２Ｃと受け渡し位置（第１受け渡し部材２０Ａの受け渡し位置と同じ位置）との中間位置まで一旦上昇し、第２受け渡し部材２０Ｄの向きを９０°変えた後、更に上昇することにより、第１受け渡し機構１３のハンド部１３Ａからガラス基板Ｓを受け取り、保持位置にて保持する。その後、第１受け渡し機構１３は、ハンド部１３Ａを処理装置１２から一旦後退させ、処理装置１２内で第１受け渡し部材２０Ａが処理済みのガラス基板Ｓ’を受け渡し位置まで持ち上げるのを待って、再度、処理装置１２へハンド部１３Ａを進入させる。第１受け渡し部材２０Ａが受け渡し位置から下降することにより、処理済みのガラス基板Ｓ’は、第１受け渡し機構１３のハンド部１３Ａに引き渡され、処理装置１２からロードロック室１４内へ搬出される。その後、ゲートバルブ１２Ａを閉じる。

処理装置１２では再度、第１受け部材２０Ａが受け渡し位置まで上昇した後、未処理のガラス基板Ｓを保持した第２受け部材２０Ｄが中間位置まで下降することにより、未処理のガラス基板Ｓは第１受け部材２０Ａに保持される。第２受け部材２０Ｄは、中間位置において向きを９０°変えた後、シールドリング１２Ｄ内に収まる。第１受け部材２０Ａも受け渡し位置から下降し、下部電極１２Ｃ内に収まることにより、未処理のガラス基板Ｓを下部電極１２Ｃ上に載置し、未処理のガラス基板Ｓに対して所定の真空処理が施される。

一方、ロードロック室１４内では第１受け渡し機構１３によって処理装置１２から搬出した処理済みのガラス基板Ｓ’を一旦支持機構１６へ引渡し、支持機構１６において処理済みのガラス基板Ｓ’を一時的に保持する。第１受け渡し機構１３は、軸１３Ｃを介して１８０°旋回してハンド１３Ａの先端を搬送ライン１１側に向ける。そして、支持機構１６が下降して処理済みのガラス基板Ｓ’をハンド部１３Ａへ引き渡す。この間に、ガス供給部１４ＣからＮ_２ガスを供給して、室内を大気圧に戻す。そして、ゲートバルブ１４Ａを開き、第１受け渡し機構１３は図８の（ａ）に示すように処理済みのガラス基板Ｓ’を第１搬送ブロック１１１へ引き渡す態勢に入る。

ロードロック室１４と処理装置１２との間でガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行っている間に、搬送ライン１１では図９の（ａ）に示すように第１搬送ブロック１１１の回転ローラ１１Ｃ及びその上下流側の第２搬送ブロック１１２の回転ローラ１１Ｃが同期して回転し、第１搬送ブロック１１１上の処理済みのガラス基板Ｓ’を下流側の第２搬送ブロック１１２へ移送すると共に上流側の第２搬送ブロック１１２上の未処理のガラス基板Ｓを第１搬送ブロック１１１へ移送する。

上述の移動動作が終了すると、第１搬送ブロック１１１では第２受け渡し機構１５が駆動して図９の（ｂ）に示すように第１昇降ピン１５Ａを上昇させて未処理のガラス基板Ｓを回転ローラ１１Ｃから持ち上げると共に第２昇降ピン１５Ｂが上昇する。引き続き、第２昇降ピン１５Ｂが同図の（ｃ）に矢印で示すように受け部材１５Ｄを９０°回転させた後、同図の（ｄ）に示すように第１昇降ピン１５Ａから未処理のガラス基板Ｓを受け取ると共に、第１昇降ピン１５Ａが下降する。この間にロードロック室１４内では第１受け渡し機構１３が駆動して処理済みのガラス基板Ｓ’を第１搬送ブロック１１１へ引き渡すために待機する。後は、上述した一連の動作を繰り返す。

これまでの説明は、一つの処理装置１２においてガラス基板Ｓを処理する場合について説明したが、本実施形態では、例えば図１０の（ａ）に示すように搬送ライン１１に沿って配列された複数（図７では４つ）の処理装置１２が同時に稼動するように処理装置システム１０を制御装置によって制御する。この場合には、４つの処理装置１２に対応する第１受け渡し機構１３がそれぞれのロードロック室１４内において同時に駆動して、図１０の（ａ）に示すＬのタイミングで図８の（ｂ）に示すように搬送ライン１１から未処理のガラス基板Ｓを同時に受け取り、ロードロック室１４内に未処理のガラス基板Ｓを同時に搬入する。そして、各ロードロック室１４のゲートバルブ１４Ａを閉じて、所定の真空状態に調整する。この間、各ロードロック室１４内では第１受け渡し機構１３が未処理のガラス基板Ｓを支持機構１６に引き渡し、ハンド部１３Ａの向きを処理装置１２側に向けて支持機構１６から未処理のガラス基板Ｓを受け取る。

その後、各ロードロック室１４に対応する処理装置１２のゲートバルブ１２Ａが開くと、各処理装置１２の第１受け渡し機構１３がハンド部１３Ａを処理装置１２内へ進出させて未処理のガラス基板Ｓを処理装置１２内の第２受け渡し部材２０Ｂに引き渡した後、一旦ハンド部１３Ａを処理装置１２から退避させ、再度処理装置１２内へハンド部１３Ａを進出させて第１受け部材２０Ａから処理済のガラス基板Ｓ’を受け取って処理装置１２から搬出する。処理装置１２ではゲートバルブ１２Ａを閉じ、未処理のガラス基板Ｓに対して所定の真空処理を施す。そして、各第１受け渡し機構１３は、それぞれの処理済みのガラス基板Ｓ’をそれぞれのロードロック室１４内に搬入した後、支持機構１６へ処理済みのガラス基板Ｓ’を一旦引き渡し、ハンド１３Ａの向きを１８０°を変えた後処理済みのガラス基板Ｓ’を受け取る。引き続き、ロードロック室１４がゲートバルブ１４Ａを開くと、図１０の（ａ）に示すＵＬのタイミングで図８の（ｂ）に示すように各第１受け渡し機構１３がそれぞれのハンド部１３Ａを介して処理済みのガラス基板Ｓ’をそれぞれのロードロック室１４から搬送ライン１１上へ同時に搬出した後、第２受け渡し機構１５が駆動し、図８の（ｃ）、（ｄ）に示すようにハンド部１３Ａから第１昇降ピン１５Ａにそれぞれの処理済のガラス基板Ｓ’を同時に引き渡す。全ての処理済のガラス基板Ｓ’を搬送ライン１１の下流側に位置する第２カセット２２へ移動させると同時に、搬送ライン１１の上流側に位置する第１カセット２１から未処理のガラス基板Ｓを各処理装置１２のロードロック室１４の前に位置する第１搬送ブロック１１１へ移動させる。その後、第１、第２昇降ピン１５Ａ、１５Ｂが協働して同図の（ｅ）〜（ｈ）に示すように搬送ライン１１から未処理のガラス基板Ｓを受けって、上述の動作を繰り返す。この場合には、４つの処理装置１２を並行して稼動することができ、処理効率を高めることができる。尚、図１０の（ａ）に示すタイミングＬからタイミングＵＬまでの時間が一枚のガラス基板Ｓを搬送し、所定の真空処理を施すために必要な作業時間となる。

また、図１０の（ｂ）、（ｃ）に示すように４つの第１受け渡し機構１３からそれぞれの処理装置１２へ未処理のガラス基板Ｓを供給する際に、未処理のガラス基板Ｓを供給するタイミングを上流側の処理装置１２から下流側の処理装置１２へ所定時間ずつずらしている。この場合にも、同図の（ａ）に示す場合と同様に４つの処理装置１２が並行して稼動する。同図の（ｂ）は、未処理のガラス基板Ｓの作業時間が同図の（ａ）に示す場合と略同一の時間であるが、同図の（ｃ）は、同図の（ａ）、（ｂ）に示す場合よりガラス基板Ｓの作業時間が短い。この場合においても、複数の処理装置１２のうち、幾つかの処理装置１２が並行して稼動し、その他の処理装置１２は第１受け渡し機構１３によるガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行っている。

以上説明したように本実施形態によれば、大気中で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を搬送する搬送ライン１１と、この搬送ライン１１に沿って配置され且つ未処理のガラス基板Ｓに真空処理を施す複数の処理装置１２と、これらの処理装置１２と搬送ライン１１との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を受け渡す第１受け渡し機構１３と、を備え、第１受け渡し機構１３は、大気中の搬送ライン１１と各処理装置１２との間でガラス基板Ｓ、Ｓ’を直接受け渡すように構成されているため、搬送ライン１１とロードロック室１４との間での処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し時間を短縮することができ、それだけガラス基板Ｓの処理効率を高めることができる。また、本実施形態では搬送ライン１１と複数の処理装置１２との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を同時に、あるいは上流側の処理装置１２から下流側の処理装置１２へと所定時間ずつずらせて受け渡しできるようにしたため、各処理装置１２を停止させることなく効率良く稼動させることができ、ガラス基板Ｓの処理効率を格段に高めることができる。また、ロードロック室１４が従来の搬送室を兼ねているため、処理装置システム１０のフットプリントを削減して省スペース化することができ、設備コストを削減することができる。

また、本実施形態によれば、ロードロック室１４内にガラス基板Ｓ、Ｓ’を支持する支持機構１６を設けたため、ロードロック室１４内で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を回転させることなくロードロック室１４と処理装置１２との間で受け渡しでき、ロードロック室１４のフットプリントを削減することができる。また、搬送ライン１１は、搬送、停止を個別に制御可能な第１、第２搬送ブロック１１１、１１２を複数有し、それぞれの回転ローラ１１Ｃが回転制御可能になっているため、第１搬送ブロック１１１をガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し専用として使用し、第２搬送ブロック１１２をガラス基板Ｓ、Ｓ’を待機させるバッファ専用として使用することができる。

また、本発明の処理装置システムは、図１１〜図１３に示すように配置することもできる。図１１に示す処理装置システム１０Ａは、搬送ライン１１を挟んで複数の処理装置１２を交互に対向させて配置した以外は上記実施形態と同様に構成されている。また、図１２に示す処理装置システム１０Ｂは、図７に示す処理装置システム１０の複数の処理装置１２それぞれと対向する処理装置１２を付加した以外は図７に示す場合と同様に構成されている。この場合には搬送ライン１１を挟んで対向する二つの第１受け渡し機構１３でのガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しのタイミングが干渉しない限り、受け渡しのタイミングを任意に設定することができ、ガラス基板Ｓの処理効率を更に高めることができる。また、図１３に示す処理装置システム１０Ｃは、未処理のガラス基板Ｓ専用の搬送ライン１１’と、処理済のガラス基板Ｓ’専用の搬送ライン１１”と、複数の処理装置１２それぞれに搬入専用の受け渡し機構１３’と、搬出専用の受け渡し機構１３”とを設けたものである。

また、図１４、図１５の（ａ）に示す処理装置システム１０Ｄは、上記各実施形態の搬送ライン１１の構造を異にする以外は、図１に示す処理装置システム１０に準じて構成されている。従って、上記各実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態の処理装置システム１０Ｄについて説明する。

即ち、本実施形態の処理装置システム１０Ｄは、図１４、図１５の（ａ）に示すように、搬送ライン１１、処理装置１２、第１受け渡し機構１３、ロードロック室１４及び第１、第２カセット２１、２２を備えて構成されている。処理装置１２、第１受け渡し機構１３及びロードロック室１４は、上記各実施形態と同様に一体となって、搬送ライン１１の一方の側面に沿って所定の間隔を空けて複数配列され、第１受け渡し機構１３を介して搬送ライン１１と処理装置１２との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行うように構成されている。

本実施形態における搬送ライン１１は、図１４に示すように、搬送路３１と、搬送路３１に沿って往復移動する自走搬送装置３２と、を有している。搬送路３１にはガイドレール（図示せず）が設けられ、自走搬送装置３２がガイドレールに従って搬送路３１上を往復移動して処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を搬送する。

自走搬送装置３２は、図１４に示すように、支持台３２Ａと、支持台３２Ａ上に互いに所定間隔を空けて複数配列された回転ローラ３２Ｂと、第２受け渡し機構３２Ｃと、支持台３２Ａと走行駆動部（図示せず）を連結する連結柱３２Ｄとを備えている。複数の回転ローラ３２Ｂは、支持台３２Ａの上面においてガラス基板Ｓの流れる方向と平行して配列され、第１、第２カセット２１、２２との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を受け渡す時に回転駆動する。従って、支持台３２に設けられた複数の回転ローラ３２Ｂ及び第２受け渡し機構３２Ｃは、回転ローラ３２Ｂの配列方向が９０°回転させた状態になっている以外は、図１に示す第１搬送ブロック１１１に準じて構成されている。

また、第１、第２カセット２１、２２は、図１４に示すように複数の回転ローラ２１Ａ、２２Ａを備えている。これらの回転ローラ２１Ａ、２２Ａは、いずれも自走搬送装置３２の複数の回転ローラ３２Ｂと同一向きに配列され、これらの回転ローラ３２Ｂと同期して駆動する。

次に、動作について説明する。第１カセット２１から処理装置１２へ未処理のガラス基板Ｓを供給する場合には、自走搬送装置３２が搬送路３１に従って移動して第１カセット２１の正面で停止する。次いで、第１カセット２１及び自走搬送装置３２それぞれの回転ローラ２１Ａ、３２Ｂが同期して駆動し、第１カセット２１から自走搬送装置３２へ未処理のガラス基板Ｓを供給する。自走搬送装置３２は、未処理のガラス基板Ｓを受け取ると、図１４に示すように搬送路３１に従って所定のロードロック室１４の正面で停止する。引き続き、自走搬送装置３２がロードロック室１４の正面へ移動し始めると共に、自走搬送装置３２の第２受け渡し機構３２Ｃが駆動し始め、未処理のガラス基板Ｓを持ち上げ始める。ロードロック室１４への受け渡し準備ができると、ロードロック室１４の第１受け渡し機構１３が駆動してハンド部１３Ａを伸ばして未処理のガラス基板Ｓを受け取る。この際、第１受け渡し機構１３が処理済みのガラス基板Ｓ’を保持している場合には、第１、第２受け渡し機構１３、３２Ｃは、実質的に図８、図９に示す場合と同様に駆動して処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行う。その後、処理装置システム１０は、図１に示す処理装置システム１０と同様に稼動して未処理のガラス基板Ｓを真空処理し、処理後のガラス基板Ｓ’の受け渡しを行う。

また、図１６に示すように、図１４に示す処理装置システム１０Ｄにおいて第１、第２カセット２１、２２が搬送ライン１１の上流端と下流端に位置する場合には、自動搬送装置３２の支持台３２Ａを９０°回転させる機構を付設し、各カセット２１、２２との受け渡し時に、支持台３２Ａを回転するようにすれば良い。

本実施形態では、自走搬送装置３２が搬送路３１に従って移動し、処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を複数同時に受け渡すことができないが、図１０の（ｂ）、（ｃ）に示すように上流側の処理装置１２から下流側の処理装置１２へ順次供給するように各ロードロック室１４内の第１受け渡し機構１３の受け渡しのタイミングに合わせて自走搬送装置３２を移動させることができる他、未処理のガラス基板Ｓと処理済みのガラス基板Ｓ’の受け渡しタイミングが干渉しない限り、各処理装置１２へ任意のタイミングにてガラス基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行うことができるため、複数の処理装置１２を停止させることなく稼動させてガラス基板Ｓの処理効率を高めることができる。

本実施形態によれば、自走搬送装置３２は、第１受け渡し機構１３との受け渡しのタイミングに合わせて移動することができるため、複数の処理装置１２を停止させることなくガラス基板Ｓを処理することができ、その処理効率を高めることができる。自走搬送装置３２は、回転制御可能は回転ローラ３２Ｂを複数有するため、カセット２１、２２との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’の搬出入を円滑に行うことができる。また、自走搬送装置３２は、処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を受け渡すための第２受け渡し機構３２Ｃを有するため、第１受け渡し機構１３との間で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を円滑に受け渡すことができる。また、その他、本実施形態においても上記各実施形態に準じた作用効果を期することができる。

尚、上記各実施形態では、大気下で処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を搬送する搬送ライン１１と真空処理装置１２との間で第１、第２受け渡し機構１３、１５を用いて処理前後のガラス基板Ｓ、Ｓ’を直接受け渡す処理装置システム１０について説明したが、本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではなく、例えば、搬送ライン１１に具備される第２受け渡し機構１５が第１昇降ピン１５Ａだけの形態でも良く、また、処理装置１２に具備される第１受け渡し機構１３が屈伸アームではなく、一つまたは複数のスライド機構により伸縮するスライドアームであっても良い。処理装置システムにおいて搬送ラインと複数の処理装置との間で被処理体を複数の被処理体を枚葉単位で同時にあるいは時間差をつけて受け渡しを行う処理装置システムであれば、本発明に包含される。また、第１受け渡し機構による受け渡しのタイミングは、任意に設定することもできる。ロードロック室１４内には支持機構１６を設けた場合について説明したが、支持機構は少なくとも一つあれば良く、また、処理装置１２もドライエッチング装置に制限されるものではなく、成膜処理装置等他の処理装置であっても良い。更に、被処理体もＦＤＰ用のガラス基板に制限されるものでもない。

本発明は、ＦＤＰ用のガラス基板等の被処理体を処理する処理装置システムとして好適に利用することができる。

本発明の処理装置システムの一実施形態を示す斜視図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１に示す処理装置システムの一部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその搬送ラインを示す側面図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す処理装置システムの搬送ラインの変形例を示す図２の（ａ）、（ｂ）に相当する図ある。図１に示す処理装置システムの要部を示す断面図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図４に示すロードロック室を示す図で、（ａ）は図４と直交する方向の断面図、（ｂ）はその内部の受け渡し機構を示す斜視図である。図４に示す処理装置の内部を示す斜視図である。図１に示す処理装置システム全体のレイアウトを示す模式図である。（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ図１に示す搬送ラインの第２受け渡し機構の動作を説明する説明図である。（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示す搬送ラインの第２受け渡し機構の動作を説明する説明図である。（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１に示す処理装置システムの各処理装置におけるタイミングチャートを示す図である。本発明の処理装置システムの他の実施形態を示す図７に相当する模式図である。本発明の処理装置システムの更に他の実施形態のレイアウトを模式図である。本発明の処理装置システムの更に他の実施形態のレイアウトを模式図である。本発明の処理装置システムの更に他の実施形態を示す斜視図である。図１４に示す処理装置システムのレイアウトを示す模式図である。図１４に示す処理装置システムの変形例のレイアウトを示す模式図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の処理装置システムのレイアウトを示す模式図である。

符号の説明

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ処理装置システム
１１搬送ライン
１２処理装置
１３第１受け渡し機構
１４ロードロック室（真空予備室）
１５第２受け渡し機構
１６第１支持機構
１７第２支持機構
１１１、１１２搬送ブロック
Ｓ、Ｓ’ ガラス基板（被処理体）

Claims

被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインに沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、
上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、
上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置との間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、
上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、
上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されている
ことを特徴とする処理装置システム。
被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、
上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、
上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、
上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、
上記複数の真空予備室の上流側から下流側の順で上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されている
ことを特徴とする処理装置システム。
被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、
上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、
上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、
上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、
上記複数の真空予備室の任意の順番で上記真空予備室の第１受け渡し機構と上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されている
ことを特徴とする処理装置システム。
大気中で被処理体を搬送する第１、第２搬送ブロックを有する搬送ラインと、この搬送ラインの上流側から下流側に沿って配置された複数の真空予備室と、これらの真空予備室の上記搬送ラインとは反対側でそれぞれ連結され且つ上記被処理体を処理する複数の処理装置と、これらの処理装置それぞれに連結された上記真空予備室と上記搬送ラインの上記第１搬送ブロックとの間で上記被処理体を受け渡す受け渡し機構と、を備え、上記第１、第２搬送ブロックはそれぞれ上記被処理体を搬送する複数の回転ローラを有する処理装置システムであって、
上記受け渡し機構は、上記真空予備室内に設けられた第１受け渡し機構と、上記第１搬送ブロックに設けられた第２受け渡し機構と、を備え、
上記第１受け渡し機構は、上記第１搬送ブロックと上記処理装置の間で上記被処理体を搬送するハンド部と、上記ハンド部との間で上記被処理体を受け渡す昇降可能な支持機構と、を有し、
上記第２受け渡し機構は、上記被処理体を上記ハンド部から受け取るために上記第１搬送ブロックの外周縁部に沿って所定間隔を空けて複数設けられた昇降ピンと、上記被処理体を上記ハンド部に渡すために上記被処理体をその両縁部で支持して昇降させる昇降機構と、を有し、
上記真空予備室の第１受け渡し機構と大気中の上記搬送ラインの第２受け渡し機構との間で処理前後の上記被処理体を交互に連続して受け渡すように構成されている
ことを特徴とする処理装置システム。
上記被処理体は矩形状に形成されており、上記真空予備室の幅は、上記被処理体を回転させるために必要とされる幅よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の処理装置システム。
上記第１、第２搬送ブロックそれぞれの複数の回転ローラは、それぞれの搬送、停止がブロック単位で制御可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の処理装置システム。
上記搬送ラインは、第１、第２搬送ブロックを複数ずつ有し、上記第１搬送ブロックでの上記被処理体の受け渡し時に、上記第２搬送ブロックが複数の回転ローラを停止させて上記被処理体を待機させるバッファ機能を有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の処理装置システム。
上記被処理体は、ＦＰＤ用のガラス基板であることを特徴とする請求項５に記載の処理装置システム。