KR101494924B1 - 감압건조장치 및 감압건조방법 - Google Patents

감압건조장치 및 감압건조방법 Download PDF

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Abstract

굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 임의의 두께의 핀으로 기판을 지지하면서 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 억제한다.
이 감압 건조 유닛(12)은, 피처리기판(G)의 평류 반송을 행하는 굴림대 반송로(38B)를 챔버(40) 내로 끌어들여, 기판 리프트 기구(60)에 의해 챔버(40) 내에서 기판(G)을 리프트 핀(62)으로 오르내린다. 그리고, 리프트 핀(62)의 핀 끝부분보다 다소(통상 10mm 이하) 낮은 위치에 차폐판(100)을 수평으로 마련하고, 이 차폐판 (100)의 높이 위치를 차폐판 승강기구(102)에 의해 가변할 수 있도록 하고 있다.

Description

감압건조장치 및 감압건조방법{Decompression Drying Apparatus and Decompression Drying Method}
본 발명은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막(도포막)에 감압 상태로 건조 처리를 가하는 감압건조장치 및 감압건조방법에 관한 것이다.
예를 들면 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조의 포토리소그래피 공정에서는, 유리 기판 등의 피처리기판상에 도포한 레지스트액의 도포막을 프리베이킹에 앞서 적절히 건조시키기 위해서 감압건조장치가 이용되고 있다.
종래의 대표적인 감압건조장치는, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 낮은 용기형태의 하부 챔버와, 이 하부 챔버의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버를 가지고 있다. 하부 챔버 안에는 스테이지가 배치되어 있으며, 이 스테이지상에 기판을 수평으로 얹어놓고 나서, 챔버를 닫아(상부 챔버를 하부 챔버에 밀착시켜) 감압건조처리를 행하도록 하고 있다.
그러나, 이러한 스테이지형의 감압건조장치는, 기판의 반출입을 행하기 위해서 반송 로봇이나 대규모의 상부 챔버 개폐 기구를 필요로 한다는 불리한 점이 기판의 대형화에 따라서 드러나고 있다.
이러한 문제점을 감안하여, 본 출원인은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 핀 끝부분의 직경이 0.8mm 이하인 특수한 극세 리프트 핀으로 기판을 지지함으로써, 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 최소한으로 억제하도록 한 감압건조장치를 개발하여, 이것을 특허문헌 2에 개시하고 있다.
또한, 감압건조장치에서는, 감압 건조(진공 배기) 중에는 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(통상적으로는 상온)로부터 급격하게 내려가고, 감압 건조(진공 배기)를 정지하고 챔버 내를 질소 가스 등으로 퍼징하면 이번에는 분위기 온도가 초기 온도보다도 월등하게 넘는 온도까지 대폭 상승하고, 퍼징을 정지하면 분위기 온도가 상온을 향하여 저하한다. 이러한 챔버 내의 분위기 온도의 변동에 따라서, 기판을 지지하는 핀의 온도도 변화하고, 이에 따라 레지스트막에 지지 핀의 전사 흔적(막두께 변동의 일종)이 남는 것이 문제시되고 있다.
상기의 문제점을 감안하여, 본 출원인은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 지지 핀을 선단부가 폐색하고, 또한 측벽에 통기구멍이 형성된 속이 빈 통체로 구성하여, 지지 핀의 내부에 온도 조절용의 가스를 흐르게 함으로써, 지지 핀이 주위 또는 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 온도 보상하고, 나아가서는 기판이 지지 핀으로부터 받는 열적 영향을 적게 한 감압건조장치를 개발하여, 이것을 특허문헌 3에서 개시하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 공개특허 2000-181079 공보 [특허문헌 2] 일본 공개특허 2008-124366 공보 [특허문헌 3] 일본 공개특허 2009-38231 공보
본 출원인은, 상기 특허문헌 2, 3에서 개시한 감압건조장치와는 별도로, 온도조절기구가 부착되지 않은 보통의 염가의 지지 핀을 이용하여도, 기판상의 도포막이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향(특히 핀 전사 흔적)이 가급적으로 억제되는 감압건조장치를 개발한 결과, 그 성과의 하나로서 본 발명이 이루어졌다.
즉, 본 발명은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 임의의 굵기의 핀(리프트 핀 또는 지지 핀)으로 기판을 지지하면서 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 억제하도록 한 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 감압건조처리의 개시로부터 퍼징 종료까지의 전체 처리 공정 시간을 통하여 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 작게 하여, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향을 저감하고, 도포막의 품질을 향상시키도록 한 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.
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본 발명의 제1의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 감압 건조 처리를 위해서, 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 진공 배기하는 배기기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적(離散的)으로 배치된 복수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 퍼징 가스 분출부를 가지고, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 수평으로 분출하는 퍼징 기구를 가진다.
본 발명의 제1의 관점에서의 감압건조방법은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조방법으로서, 상기 기판을 감압 가능한 챔버 내에 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반입하는 제1 공정과, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 복수의 지지 핀으로 수평으로 지지하여 상기 굴림대 반송로의 상방으로 들어올리는 제2 공정과, 상기 감압 건조 처리를 행하기 위해서, 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 진공 배기하는 제3 공정과, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서, 상기 기판을 상기 복수의 지지 핀상으로부터 상기 굴림대 반송로상으로 옮겨서, 상기 챔버 내의 상기 굴림대 반송로의 양측에 마련되는 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 수평으로 분출하는 제4 공정과, 상기 퍼징의 종료 후에, 상기 기판을 상기 챔버의 바깥으로 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반출하는 제5 공정을 가진다.
상기와 같은 감압건조장치에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 챔버 내에서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하고, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징용 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 수준까지 상승한다.
상기 제1의 관점에 의하면, 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송방향으로 연장되는 퍼징 기구의 퍼징 가스 분출부가, 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 수평으로 분출함으로써, 챔버의 천정과 기판과의 사이의 공간에 퍼징용 가스가 보내지고, 퍼징용 가스는 이 공간을 빠르게 널리 퍼져나가서 기판의 전후의 빈틈을 하방으로 빠져도 챔버 바닥부의 배기구를 향하여 흐른다. 이것에 의해, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되어, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.
본 발명의 제2의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 감압 건조 처리를 위해서, 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 진공 배기하는 배기기구와, 상기 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 퍼징 가스 분출부를 가지고, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 분출하는 퍼징 기구와, 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적(離散的)으로 배치된 복수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와, 상기 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서 상기 굴림대 반송로 근방에 상기 기판 아래를 덮도록 설치되며, 상기 지지 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는 차폐판을 구비하고, 상기 퍼징 가스 분출부로부터 분출된 상기 퍼징용 가스가, 상기 챔버의 천정과 상기 기판과의 사이의 최상부 공간, 상기 기판과 상기 차폐판과의 사이의 중간 공간 및 상기 차폐판과 상기 챔버의 바닥면과의 사이의 최하부 공간으로 나뉘어 흐른다.
본 발명의 제2 관점에서의 감압건조방법은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조방법으로서, 상기 기판을 감압 가능한 챔버 내에 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반입하는 제1 공정과, 상기 챔버 내에서 상기 기판을 복수의 지지 핀으로 수평으로 지지하여 상기 굴림대 반송로의 상방으로 들어올리는 제2 공정과, 상기 감압 건조 처리를 행하기 위해서, 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 진공 배기하는 제3 공정과, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서, 상기 기판을 상기 복수의 지지 핀상으로부터 상기 굴림대 반송로상으로 옮겨서, 상기 챔버 내에 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 분출하는 제4 공정과, 상기 퍼징의 종료 후에, 상기 기판을 상기 챔버의 바깥으로 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반출하는 제5 공정을 가지고, 상기 제4 공정에서, 상기 가스 분출부로부터 분출된 상기 퍼징용 가스가, 상기 챔버의 천정과 상기 기판과의 사이의 최상부 공간, 상기 기판과 상기 굴림대 반송로의 근방에서 상기 기판의 아래를 덮도록 설치되며, 상기 지지 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는 차폐판과의 사이의 중간 공간 및 상기 차폐판과 상기 챔버의 바닥면과의 사이의 최하부 공간으로 나뉘어 흐른다.
상기와 같은 감압건조장치에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하고, 기판 리프트 기구가 챔버 내에서 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하고, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징용 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 수준까지 상승한다.
상기 제2의 관점에 의하면, 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송방향으로 연장되는 퍼징 기구의 퍼징 가스 분출부가, 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 분출함으로써, 상기 가스 분출구로부터 분출된 퍼징용 가스가, 챔버의 천정과 기판과의 사이의 공간, 기판과 굴림대 반송로의 근방에서 기판의 아래를 덮도록 마련되며, 지지 핀을 승강 가능하게 관통하기 위한 제1 개구와, 굴림대 반송대와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는 차폐판과의 사이의 중간 공간, 및 이 차폐판과 챔버의 바닥면과의 사이의 최하부 공간에 나뉘어 흐른다.
최상부 공간에 보내진 퍼징 가스는, 이 공간을 빠르게 널리 퍼져나가서 기판의 전후의 빈틈을 하방으로 빠져서, 챔버 바닥부의 배기구를 향하여 흐른다. 중간 공간에 보내진 퍼징 가스는, 이 공간 내에 확산하면서, 여기저기의 차폐판의 제1 및 제2 개구를 통하여 빠지거나, 혹은 기판의 전후의 빈틈을 하방으로 빠져서, 최하부 공간으로 흘러내린다. 그리고, 최하부 공간에 보내진 퍼징용 가스, 및 중간 공간에서 차폐판의 제1 및 제2 개구를 통해 빠져서 최하부 공간으로 내려온 퍼징 가스는, 최하부 공간 내에서 굴림대의 각부에 충돌하면서 챔버 바닥부의 배기구를 향해 흐른다. 이것에 의해, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되어, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.
본 발명의 제3의 관점에서의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서, 상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와, 상기 감압 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구와, 상기 감압 건조 처리 및 상기 퍼징 중의 상기 챔버 내의 분위기 온도를 작게 하기 위해서, 상기 기판 아래를 덮도록 설치되는 차폐판과, 상기 감압 건조 처리 중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판 상에 이산적으로 설치되는 복수의 지지 핀과, 상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가진다.
상기와 같은 감압건조장치에서는, 반송기구가 기판의 반출입을 굴림대 반송으로 행하여, 차폐판 승강기구가 기류차폐판과 지지 핀을 통하여 기판을 굴림대 반송로의 반송면과 그것보다 높은 감압건조처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내린다. 감압건조처리 중에는, 배기기구의 진공 배기에 의해 챔버 내에서 기류가 발생하고, 기판상의 도포막으로부터 액체(용제)가 휘발하여, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도(예를 들면 상온)보다 낮아진다. 그리고, 감압건조처리를 종료시키기 위해서, 퍼징 기구로부터 퍼징 가스가 챔버 내에 공급되면, 챔버 내에서 퍼징 가스가 흘러, 챔버 내의 분위기 온도가 초기 온도를 넘는 수준까지 상승한다. 상기 제3의 관점에 의하면, 굴림대 반송로의 근방에 기판 아래를 덮도록 차폐판을 배치하고 있으므로, 차폐판에 의해 챔버 내의 기류가 제어되어, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 감소한다. 이로부터, 기판이 지지 핀을 통해서 받는 열적 영향이 저감되고, 기판상의 도포막의 막질이 향상한다.
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본 발명의 감압건조장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하여, 감압 건조 처리중에 임의의 두께의 핀(리프트 핀 또는 지지 핀)으로 기판을 지지하면서 기판상의 도포막에 기판 접촉부의 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 감압건조장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 굴림대 반송에 의해 기판의 반출입을 효율적으로 안전하고 원활하게 행하는 동시에, 감압건조처리의 개시로부터 퍼징 종료까지의 전체 처리 공정 시간을 통하여 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 작게 하여, 지지 핀 내지 기판에 미치는 열적 영향을 저감하여, 처리 품질을 향상시킬 수 있다.
[도 1] 본 발명의 하나의 실시형태에서의 감압 건조 유닛(감압건조장치)을 조립해 넣은 레지스트 도포 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 2] 상기 감압 건조 유닛내의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 3] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 4] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 5] 실시형태에서의 차폐판의 구성을 나타내는 부분 확대 사시도이다.
[도 6] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 7] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 8] 실시형태에서 감압 건조 처리중에 기판과 차폐판의 사이에 형성되는 클리어런스의 사이즈와 핀 전사 흔적의 발생의 유무와의 관계를 나타내는 사진이다.
[도 9] 제2 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 10] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 11A] 제3 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 11B] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 12] 본 발명의 제4 실시형태에서의 감압 건조 유닛(감압건조장치)내의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 13] 상기 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 14] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압 건조 처리중의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 15] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압건조처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 16] 상기 감압 건조 유닛에서의 퍼징중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
[도 17] 제4 실시형태 및 비교예에서 챔버 내의 분위기 온도의 측정을 위해서 선택된 대표 측정점의 위치를 나타내는 개략 평면도이다.
[도 18] 제4 실시형태의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 19] 제1 변형예의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 20] 제2 변형예의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 플롯도이다.
[도 21] 비교예(종래 기술)의 구성에서, 감압건조처리 및 퍼징중에 챔버 내의 분위기 온도 및 압력이 변화하는 특성을 나타내는 도면이다.
[도 22] 감압건조처리/퍼징 공정을 다수회 반복했을 때의 감압건조처리 직전의 리프트 핀 온도의 변화를 나타내는 도면이다.
[도 23] 제5 실시형태의 감압 건조 유닛에서의 기판이 반출입할 때의 각 부의 상태를 나타내는 정면 종단면도이다.
[도 24] 상기 감압 건조 유닛에서의 감압건조처리중의 각 부의 상태를 나타내는 부분 측면 종단면도이다.
이하에, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
도 1에, 본 발명의 감압건조장치를 적용할 수 있는 FPD 제조용의 레지스트 도포장치의 하나의 구성예를 나타낸다.
이 레지스트 도포장치는, 평류(平流) 방식의 레지스트 도포 유닛(10) 및 감압 건조 유닛(12)을 동일한 기판 반송 방향(X방향)으로 나열하여 병설하고 있다. 먼저, 레지스트 도포 유닛(10)의 구성 및 작용에 대하여 설명한다.
레지스트 도포 유닛(10)은, 피처리기판 예를 들어 유리 기판(G)을 공기의 압력으로 부상시켜 수평으로 지지하는 부상식의 스테이지(14)와, 이 부상 스테이지(14) 상에서 수평으로 떠 있는 기판(G)을 스테이지의 긴 방향(X방향)으로 반송하는 기판 반송기구(16)와, 부상 스테이지(14) 상에서 반송되는 기판(G)의 상면에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(18)과, 도포 처리의 중간에 레지스트 노즐(18)을 리프레시하는 노즐 리프레시부(20)를 가지고 있다.
부상 스테이지(14)의 상면에는 소정의 가스(예를 들면 에어)를 상방으로 분사하는 다수의 가스 분사구(22)가 설치되어 있으며, 그들 가스 분사구(22)로부터 분사되는 가스의 압력에 의해서 기판(G)이 스테이지 상면으로부터 일정한 높이로 부상하도록 구성되어 있다.
기판 반송기구(16)는, 부상 스테이지(14)를 사이에 두고 X방향으로 이어지는 한 쌍의 가이드 레일(24A,24B)과, 이들 가이드 레일(24A,24B)을 따라서 왕복이동 가능한 슬라이더(26)와, 부상 스테이지(14)상에서 기판(G)의 양측 단부를 탈착 가능하게 유지하도록 슬라이더(26)에 설치된 흡착 패드 등의 기판 유지 부재(도시하지 않음)를 구비하고 있으며, 직진 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 슬라이더(26)를 반송 방향(X방향)으로 이동시키는 것에 의해서, 부상 스테이지(14) 상에서 기판(G)의 부상 반송을 행하도록 구성되어 있다.
레지스트 노즐(18)은, 부상 스테이지(14)의 상방을 반송 방향(X방향)과 직교하는 수평방향(Y방향)으로 횡단하여 이어지는 장척형 노즐이며, 소정의 도포 위치에서 그 바로 아래를 통과하는 기판(G)의 상면에 대해서 슬릿 형상의 토출구로부터 레지스트액을 띠 형상으로 토출하도록 되어 있다. 또한, 레지스트 노즐(18)은, 이 노즐을 지지하는 노즐 지지 부재(28)와 일체로 X방향으로 이동 가능하도록, 또한 연직 방향(Z방향)으로 승강 가능하도록 구성되어 있으며, 상기 도포 위치와 노즐 리프레시부(20) 사이에서 이동할 수 있도록 되어 있다.
노즐 리프레시부(20)는, 부상 스테이지(14)의 상방의 소정 위치에서 지주 부재(30)에 유지되고 있으며, 도포 처리를 위한 사전 준비로서 레지스트 노즐(18)에 레지스트액을 토출시키기 위한 프라이밍 처리부(32)와, 레지스트 노즐(18)의 레지스트 토출구를 건조 방지의 목적으로부터 용제 증기의 분위기중에 유지하기 위한 노즐 배스(34)와, 레지스트 노즐(18)의 레지스트 토출구 근방에 부착한 레지스트를 제거하기 위한 노즐 세정기구(36)를 구비하고 있다.
다음에, 레지스트 도포 유닛(10)에서의 주요 동작을 설명한다. 먼저, 전단의 처리부(도시하지 않음)로부터, 예를 들면 굴림대 반송으로 보내져 온 기판(G)이 스테이지(14) 상의 전단측에 설정된 반입부에 반입되고, 거기서 대기하고 있던 슬라이더(26)가 기판(G)을 유지하여 받아들인다. 부상 스테이지(14)상에서 기판(G)은 가스 분사구(22)로부터 분사되는 가스(에어)의 압력을 받아 대략 수평인 자세로 부상 상태를 유지한다.
그리고, 슬라이더(26)가 기판을 유지하면서 감압 건조 유닛(12)측을 향하여 반송 방향(X방향)으로 이동하고, 기판(G)이 레지스트 노즐(18) 아래를 통과할 때에, 레지스트 노즐(18)이 기판(G)의 상면을 향하여 레지스트액을 띠 형상으로 토출하는 것에 의해, 기판(G) 상에 기판 전단으로부터 후단을 향하여 융단이 깔리듯이 레지스트액의 액막이 한 면에 형성된다. 이렇게 해서 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 그 후에도 슬라이더(26)에 의해서 부상 스테이지(14) 상을 부상 반송되어, 부상 스테이지(14)의 후단을 넘어 후술하는 굴림대 반송로(38)로 옮겨 타고, 거기서 슬라이더(26)에 의한 유지가 해제된다. 굴림대 반송로(38)로 옮겨 탄 기판(G)은 거기서부터 앞쪽은, 후술하는 바와 같이 굴림대 반송로(38) 상을 굴림대 반송으로 이동하여 후단의 감압 건조 유닛(12)에 반입된다.
도포 처리가 끝난 기판(G)을 상기와 같이 하여 감압 건조 유닛(12)측으로 보낸 후, 슬라이더(26)는 다음 기판(G)을 받아들이기 위해서 부상 스테이지(14)의 전단측의 반입부로 돌아온다. 또한, 레지스트 노즐(18)은, 1회 또는 복수회의 도포 처리를 끝내면, 도포 위치(레지스트액 토출 위치)로부터 노즐 리프레시부(20)로 이동하고, 거기서 노즐 세정이나 프라이밍 처리 등의 리프레시 내지 사전 준비를 하고 나서 도포 위치로 돌아온다.
레지스트 도포 유닛(10)의 부상 스테이지(14)의 연장상(반송 방향의 하류측)에는, 굴림대 반송로(38)가 부설되어 있다. 이 굴림대 반송로(38)는, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40) 안과 바깥(전후)에서 연속하여 부설되고 있다.
아래에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성 및 작용을 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 유닛(12) 둘레의 굴림대 반송로(38)는, 챔버(40)의 반송 상류측, 즉 반입측에 부설되어 있는 반입측 굴림대 반송로(38A)와, 챔버(40) 내에 부설되어 있는 내부 굴림대 반송로(38B)와, 챔버(40)의 반송 하류측, 즉 반출측에 부설되어 있는 반출측 굴림대 반송로(38C)로 구성되어 있다.
각 부의 굴림대 반송로(38A,38B,38C)는, 반송 방향(X방향)으로 각각 적당한 간격으로 배치된 복수개의 굴림대(42A,42B,42C)를 각각 독립 또는 공통의 반송 구동부에 의해 회전시켜, 기판(G)을 굴림대 반송으로 반송 방향(X방향)으로 보내도록 되어 있다. 여기서, 반입측 굴림대 반송로(38A)는, 레지스트 도포 유닛(10)의 부상 스테이지(14)로부터 부상 반송의 연장으로 반출된 기판(G)을 받아 들여, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40) 내에 굴림대 반송으로 보내도록 기능한다. 내부 굴림대 반송로(38B)는, 반입측 굴림대 반송로(38A)로부터 굴림대 반송으로 보내져 오는 기판(G)을 동일 속도의 굴림대 반송으로 챔버(40) 내로 끌어 들이는 동시에, 챔버(40) 내에서 감압건조처리가 끝난 기판(G)을 챔버(40)의 바깥(후단)으로 굴림대 반송으로 보내도록 기능한다. 반출측 굴림대 반송로(38C)는, 챔버(40) 내의 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 보내져 오는 처리가 끝난 기판(G)을 동일 속도의 굴림대 반송으로 끌어내어 후단의 처리부(도시하지 않음)로 보내도록 기능한다.
도 1∼도 4에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)는, 비교적 편평한 직방체로 형성되고, 그 안에 기판(G)을 수평으로 수용할 수 있는 공간을 가지고 있다. 이 챔버(40)의 반송 방향(X방향)에서 서로 마주보는 한 쌍(상류측 및 하류측)의 챔버 측벽에는, 기판(G)이 평류로 겨우 통과할 수 있는 크기로 형성된 슬릿 형상의 반입구(44) 및 반출구(46)가 각각 마련되어 있다. 또한, 이들 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 개폐하기 위한 게이트 기구(48,50)가 챔버(40)의 외벽에 부착되어 있다. 챔버(40)의 상부 벽부 또는 상부 덮개(52)는, 메인터넌스용으로 떼어낼 수 있도록 되어 있다.
각 게이트 기구(48,50)는, 도시는 생략하지만, 슬릿 형상의 반입·반출구 (44,46)를 기밀하게 폐색할 수 있는 덮개체 또는 밸브체와, 이 덮개체를 반입·반출구(44, 46)와 수평으로 대향하는 연직 왕동(往動)위치와 그것보다 낮은 연직 복동(復動)위치의 사이에서 승강 이동시키는 제1 실린더(도시하지 않음)와, 덮개체를 반입·반출구(44, 46)에 대해서 기밀하게 밀착하는 수평 왕동위치와 이간 분리하는 수평 복동위치의 사이에서 수평 이동시키는 제2 실린더(도시하지 않음)를 구비하고 있다.
챔버(40) 내에서, 내부 굴림대 반송로(38B)를 구성하는 굴림대(42B)는, 반입·반출구(44,46)에 대응하는 높이 위치에서 반송 방향(X방향)으로 적당한 간격을 두고 일렬로 배치되어 있으며, 일부 또는 전부의 굴림대(42B)가 챔버(40)의 외부에 설치되어 있는 모터 등의 회전 구동원(54)에 적당한 전동기구의 회전축(56)을 통하여 접속되어 있다. 각 굴림대(42B)는, 비교적 가느다란 샤프트(43)에 소정의 간격을 두고 복수의 두꺼운 지름의 링 또는 롤러(45)를 고착하고 있으며, 샤프트(43)의 양단부가 챔버(40)의 좌우 양 측벽 또는 그 부근에 설치된 베어링(58)에 회전할 수 있도록 지지되어 있다.
반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대(42A)도, 내부 굴림대 반송로(38B)의 굴림대(42B)와 동일한 구성을 가지고 있으므로 도시를 생략하지만, 그 양단부가 프레임 등에 고정된 베어링에 회전 가능하도록 지지되어, 상기 내부 굴림대 반송로 (38B)용의 회전 구동원(54)과 공통 또는 별개의 회전 구동원에 의해 회전 구동되도록 되어 있다. 반출측 굴림대 반송로(38C)의 굴림대(42C)도 동일하다.
이 감압 건조 유닛(12)은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 수평으로 지지하며 오르내리기 위한 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있다. 이 기판 리프트 기구(60)는, 챔버(40) 내에 소정의 배치 패턴으로(예를 들면 매트릭스 형상으로) 이산적으로 배치된 복수개(바람직하게는 20개 이상)의 리프트 핀(지지 핀)(62)과, 이들 리프트 핀(62)을 소정의 조 또는 그룹마다 내부 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치에서 지지하는 복수의 수평봉 또는 수평판의 핀 베이스(64)와, 각 핀 베이스(64)를 승강 이동시키기 위해서 챔버(40)의 외부(아래)에 배치된 1대 또는 복수대의 승강 구동원, 예컨대 실린더(66)를 가지고 있다.
보다 상세하게는, 서로 인접하는 2개의 굴림대(42B,42B)의 빈틈에 굴림대 (42B)와 평행하게(Y방향으로) 일정 간격으로 복수개(바람직하게는 3개 이상)의 리프트 핀(62)을 연직으로 세워 일렬로 배치하고, 이러한 리프트 핀열을 반송 방향(X방향)으로 적당한 간격을 두고 복수열(바람직하게는 6열 이상) 마련하고, 각 핀 베이스(64)에 1조 또는 복수조(도시의 예는 2조)의 리프트 핀열을 지지시킨다. 그리고, 시일부재(68)를 사이에 끼워 챔버(40)의 바닥벽을 기밀하게 관통하는 승강 지지축(70)의 상단을 각 핀 베이스(64)의 하면에 결합하고, 챔버(40)의 외부(아래)에서 각 핀 베이스(64)의 하단을 공통의 수평 지지판(72)을 사이에 끼워 승강 구동원 (66)에 접속하고 있다.
이러한 구성의 기판 리프트 기구(60)에서는, 승강 구동원(66)에 일정 스트로크의 전진(상승) 또는 후퇴(하강) 구동을 행하게 함으로써, 승강 지지축(70) 및 핀 베이스(64)를 통하여 전체 리프트 핀(62)을 핀 선단의 높이를 가지런히 하여, 도 3 및 도 7에 나타내는 바와 같이 핀 선단이 굴림대 반송로(38B)보다 낮아지는 복동(하강)위치와, 도 4 및 도 6에 나타내는 바와 같이 핀 선단이 굴림대 반송로(38B)보다 높아지는 왕동(상승)위치의 사이에서 승강 이동시킬 수 있도록 되어 있다.
바람직한 하나의 실시예로서, 리프트 핀(62)은, 공랭 가스를 빠져나가게 하는 온도조절 기구가 부착된 타입도 아니고, 특수한 극세 타입도 아니며, 예를 들면 스테인리스강(SUS)으로 이루어진 강체의 중공관으로 핀 끝부분의 직경이, 예를 들면 2mm 정도인 보통의 염가의 핀 구조를 가지고 있다. 이와 같이, 리프트 핀(62)이 비교적 굵고 강성이기 때문에, 기판 리프트 기구(60)가 기판(G)의 오르내림을 안정적이고 원활하게 행하는 데에 필요한 리프트 핀(62)의 개수는 특수 극세 타입의 것보다 현격히 적어도 된다. 무엇보다, 리프트 핀(62)에 상기 온도조절 기구 부착 타입 혹은 상기 특수 극세 타입의 지지 핀을 사용하는 것도 가능하다.
챔버(40)의 바닥벽에는 1개소 또는 복수개소에 배기구(74)가 형성되어 있다. 이들 배기구(74)에는 배기관(76)을 사이에 두고 진공 배기 장치(78)가 접속되어 있다. 각 진공 배기 장치(78)는, 챔버(40) 내를 대기압 상태로부터 진공 흡인하여 소정 진공도의 감압 상태를 유지하기 위한 진공 펌프를 가지고 있다. 한편, 그들 복수의 진공 배기 장치(78)의 배기 능력의 격차를 평균화하기 위해서, 각각의 배기관 (76)끼리를 접속관(도시하지 않음)으로 연결해도 좋다.
챔버(40) 내의 양단부, 즉 반입구(44) 및 반출구(46)의 근방에서 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(또는 높은 위치)에, Y방향으로 이어지는 원통 형상의 퍼징 가스 분출부(80)가 마련되어 있다. 이들 퍼징 가스 분출부(80)는, 예를 들면 금속 분말을 소결하여 이루어지는 다공질의 중공관으로 이루어지고, 배관(82)(도 2)을 사이에 두고 퍼징 가스 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 감압 건조 처리가 종료한 후에 챔버(40)를 밀폐한 채로 감압 상태로부터 대기압 상태로 되돌릴 때에, 이들 퍼징 가스 분출부(80)가 관의 전체둘레면으로부터 퍼징 가스를 분출하도록 되어 있다.
이 감압 건조 유닛(12)은, 상기와 같이 기판(G)의 평류 반송을 행하는 굴림대 반송로(38)를 챔버(40) 내로 끌어들여, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 리프트 핀 (62)으로 오르내리는 기판 리프트 기구(60)를 구비한 장치 구성에 있어서, 리프트 핀(62)의 핀 선단부보다도 다소(통상 10mm 이하) 낮은 위치에 차폐판(100)을 수평으로 마련하고, 이 차폐판(100)의 높이 위치를 차폐판 승강기구(102)에 의해 가변할 수 있도록 하고 있다.
차폐판(100)은, 임의의 재질 예를 들면 알루미늄판 또는 수지로 이루어지고, 기판(G)보다 한둘레 큰 면적을 가지고 있으며(도 1, 도 2), 리프트 핀(62)을 승강 가능하게 관통시키기 위한 원형의 개구(100a)와, 내부 굴림대 반송로(38B)의 롤러 (42B)와의 간섭을 피하기 위한 사각형의 개구(100b)를 가지고 있다(도 4 내지 도 6).
차폐판 승강기구(102)는, 챔버(40)의 외부(아래)에 배치된 1대 또는 복수대의 승강 구동원 예를 들면 실린더(104)를 수평 지지판(106) 및 승강 지지축(108)을 사이에 끼워 차폐판(100)에 접속하고 있다. 승강 지지축(108)은, 챔버(40)의 바닥벽을 시일부재(110)를 사이에 끼워 기밀하게 관통하고, 그 상단이 차폐판(100)의 하면에 결합되고 있다.
다음에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 작용을 설명한다.
상기한 바와 같이, 상류측에 인접한 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 평류로 부상 스테이지(14) 상의 부상 반송로로부터 반입측 굴림대 반송로(38A)로 옮겨탄다. 그 후, 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 반입측 굴림대 반송로(38A) 상을 굴림대 반송으로 이동하고, 이윽고 감압 건조 유닛 (12)의 챔버(40) 안에 그 반입구(44)로부터 진입한다. 이 때, 게이트 기구(48)는 반입구(44)를 열어 둔다.
내부 굴림대 반송로(38B)도, 회전 구동원(54)의 회전 구동에 의해, 반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대 반송 동작과 타이밍을 맞춘 동일 반송 속도의 굴림대 반송 동작을 행하여, 도 3에 나타내는 바와 같이, 반입구(44)로부터 들어온 기판 (G)을 굴림대 반송으로 챔버(40)의 안쪽으로 끌어들인다. 이 때, 기판 리프트 기구 (60)는, 전체 리프트 핀(62)을 각 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 복동(하강)위치에 대기시켜 둔다. 그리고, 기판(G)이 챔버(40) 내의 대략 중심의 소정 위치에 도착하면, 거기서 내부 굴림대 반송로(38B)의 굴림대 반송 동작이 정지한다. 이와 동시 또는 직전에 반입측 굴림대 반송로(38A)의 굴림대 반송 동작도 정지해도 좋다.
한편, 상기와 같이 전단 또는 상류측에 인접한 레지스트 도포 유닛(10)으로부터 감압건조처리를 받아야 할 기판(G)이 챔버(40)에 반입될 때, 이와 동시(또는 직전)에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 챔버(40) 내에서 감압건조처리를 막 받은 선행 기판(G)이 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C) 상의 연속된 등속도의 굴림대 반송으로 반출구(46)로부터 챔버(40)의 바깥으로 나와 그대로 후단 또는 하류측에 인접한 처리부로 평류로 보내진다.
상기와 같이 하여, 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포되어 온 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)에 반입된다. 이 직후에, 게이트 기구(48,50)가 작동하여, 그때까지 열려 있던 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 폐색하여, 챔버(40)를 밀폐한다.
이어서, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 상승시키고, 챔버(40) 내에서 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면을 넘는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 상승시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 왕동(상승) 동작에 의해, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 수평 자세인 채로 리프트 핀(62)의 핀 끝에 옮겨 실려, 그대로 내부 굴림대 반송로(38B)의 상방으로 들어 올려진다.
또한, 기판 리프트 기구(60)가 상기와 같이 리프트 핀(62)을 상승 이동시키는 것과 동시 또는 그 직후에, 차폐판 승강기구(102)가 차폐판(100)을 소정 스트로크만큼 상승시킨다.
이렇게 해서, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 실려 있는 기판 (G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52)의 사이에 제1의 소망(예를 들면 4∼15mm)의 클리어런스(C1)이 형성되는 동시에, 상기 기판(G)의 하면과 왕동위치로 상승한 차폐판 (100)의 사이에 제2의 소망(예를 들면 2∼10mm)의 클리어런스(C2)가 형성된다(도 6).
한편, 챔버(40)가 밀폐된 직후부터 진공 배기 장치(78)가 작동하여, 챔버 (40) 내의 진공 배기가 개시된다. 이 진공 배기에 의해서 챔버(40) 내에 잔류하고 있던 가스(대부분이 공기)가 챔버(40)의 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흘러, 챔버(40) 내의 각부에서 기류가 발생한다. 여기서 문제는, 챔버(40) 내에는 굴림대 반송로(38B)나 기판 리프트 기구(60)의 다양한 부재가 설치되어 있으며, 그들 부재에 기류가 닿아 난류가 되기 쉬운 점이다. 특히, 리프트 핀(62)의 주위에서 기류가 감겨 올라가기 쉽고, 이것이 기판(G)의 하면에 닿는 것이 기판상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 주원인이었다.
이 실시형태에서는, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 지지되어 감압건조처리를 받고 있는 기판(G)의 바로 아래에 차폐판(100)이 배치되어 있기 때문에, 리프트 핀(62)의 주위에서 기류가 감겨 올라가도 차폐판(100)에 의해서 그 난기류가 차단되어 기판(G)의 하면에 닿는 경우는 없다.
이와 같이, 감압 건조 처리중에 기판(G)의 하방에서, 특히 리프트 핀(62)의 주위에서, 난기류가 발생하더라도, 기판(G)의 하면에 난기류가 위쪽에 닿는 경우가 없기 때문에, 기판(G) 내지 레지스트 도포막에 대한 난기류의 영향이 방지되며, 나아가서는 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 남는 것을 방지할 수 있다.
한편, 기판(G)과 차폐판(100) 사이의 빈틈으로 기류가 흘러도, 거기의 클리어런스(C2)가 좁기 때문에(바람직하게는 10mm 이하), 기판(G)의 하면에 위쪽에 닿는 난기류가 이 빈틈에서 발생하는 경우는 없다.
또한, 도시한 예에서는, 감압건조처리중에 차폐판(100)의 높이 위치가 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 높아지고 있다. 그러나, 차폐판(100)의 높이 위치가 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아서, 굴림대(42B)의 롤러(45)가 차폐판(100)의 개구(100b) 상에 일부 튀어 나와 있어도, 특별히 지장은 없다. 즉, 롤러(45)와 기판(G) 사이에 충분한(바람직하게는 20mm 이상의) 이간 간격이 확보되고 있는 한, 굴림대(42B)의 롤러(45)가 차폐판(100)의 개구(100b) 상에 일부는 튀어 나와 있지 않아도, 롤러(45)측으로부터 기판(G)에의 기류의 영향은 대부분 무시할 수 있다.
감압 건조 처리중에는, 감압 상태하에서 기판(G)상의 레지스트액 막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 이 기화열에 의해서 기판(G)의 온도는 상온보다 상당히 낮은 온도(예를 들어 약 10℃)까지 저하한다.
이 감압 건조 처리는 일정 시간을 경과하면 종료하고, 진공 배기 장치(78)가 진공 배기 동작을 정지한다. 이것과 교대하여, 질소 가스 분출부(80)가 챔버(40) 내에 질소 가스를 흘려 넣는다. 그리고, 실내의 압력이 대기압까지 오르고 나서, 게이트 기구(48,50)가 작동하여 반입구(44) 및 반출구(46)를 개방한다. 이와 전후하여, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 복동시키고, 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 하강시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 복동(하강) 동작에 의해, 기판(G)은 수평 자세로 리프트 핀(62)의 핀 끝으로부터 내부굴림대 반송로(38B)로 옮겨 실린다.
또한, 기판 리프트 기구(60)가 리프트 핀(62)을 하강시키는 동시에, 또는 그 직전에, 차폐판 승강기구(102)가 차폐판(100)을 하강시켜 본래의 높이 위치로 되돌려 둔다.
상기한 바와 같이 기판(G)이 내부 굴림대 반송로(38B)에 옮겨 실린 직후에, 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C)상에서 굴림대 반송 동작이 개시되어 감압 처리를 막 받은 상기 기판(G)은 반출구(46)로부터 굴림대 반송에 의해서 반출되어 그대로 후단의 처리부로 평류로 보내진다. 이 처리가 끝난 기판(G)의 반출 동작과 동시에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)으로부터의 후속의 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 반입구(44)로부터 챔버(40) 내로 반입된다.
상기한 바와 같이, 이 감압 건조 유닛(12)은, 챔버(40) 내에서 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 차폐판(100)을 구비하고 있으므로, 기판 리프트 기구(60)로 보통 염가의 리프트 핀(62)을 사용함에도 불구하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.
본 발명에서는, 차폐판(100)이 핀 전사 흔적을 방지하는 기류 차폐 효과를 발휘하는 데에, 기판(G)과 차폐판(100) 사이에 형성되는 빈틈 또는 클리어런스(C2)의 사이즈는 중요하다.
본 발명자가, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)으로 실험을 행한 바, 상기 클리어런스(C2)를 5mm로 한 경우는, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이 프리베이킹 처리후의 레지스트 막에 핀 전사 흔적이 그다지 남지 않았다. 그러나, 상기 클리어런스(C2)를 20mm로 한 경우는, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이 프리베이킹 처리후의 레지스트막에 핀 전사 흔적을 육안으로 볼 수 있는 크기로 명백히 나타났다.
요컨대, 상기 클리어런스(C2)가 20mm 정도로 크면, 진공 배기중에 리프트 핀(62)의 주위에 난기류가 발생하기 쉬워져, 이것이 기판(G)의 하면에 닿는 것에 의해서 기판상의 레지스트 도포막이 국소적인 열영향을 받고, 따라서 핀 전사 흔적(막두께 변동)이 발생하는 것으로 생각된다.
한편, 이 감압 건조 유닛(12)에서, 리프트 핀(62)의 핀 끝에서 지지되는 기판(G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52) 사이에 형성되는 클리어런스(C1)는, 감압 건조 처리의 중요한 프로세스 파라미터이며, 레지스트 도포의 사양이나 다른 조건과의 관계에서 여러가지 값으로 조절된다. 이 실시형태에서는, 리프트 핀(62) 및 차폐판 (100)을 기판 리프트 기구(60) 및 차폐판 승강기구(102)에 의해 개별적으로 승강 이동시키므로, 양 클리어런스(C1,C2)를 동시(각각 개별)에 최적화할 수 있다.
도 9 및 도 10에, 제2 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제2 실시형태는, 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 차폐판(100)의 상면에 고정의 지지 핀(112)을 이산적(예를 들어 매트릭스 형상)으로 다수개 부착하고 있다. 차폐판 승강기구(102)는, 건조 처리를 행할 때는 지지 핀 (112)의 선단을 굴림대 반송로(38B)보다 높게 하여 지지 핀(112)에 의한 기판(G)의 지지를 가능하게 하고(도 10), 기판(G)의 반출입을 행할 때는 지지 핀(112)의 핀 선단을 굴림대 반송로(38B)보다 낮게 하여 굴림대 반송기구에 의한 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록(도 9), 차폐판(100)의 승강 이동(오르내리기)을 행한다. 이 경우, 상기 클리어런스(C2)는, 지지 핀(112)의 높이(길이)에 의해서 정해져, 상기 제1 실시형태와 같이 바람직하게는 2∼10mm의 범위내로 설정되어도 좋다.
이 제2 실시형태에서도, 굴림대 반송에 의한 기판(G)의 반출입을 가능하게 하면서, 차폐판 승강기구(102)에 의해 챔버(40) 내에서 기판(G)을 굴림대 반송로(38)의 반송면과 그것보다 높은 건조 처리용의 높이 위치의 사이에서 오르내릴 수 있는 동시에, 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 차폐판(100)에 의해 방지하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.
도 11A 및 도 11B에, 제3 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 실시형태는, 차폐판(100) 및 차폐판 승강기구(102)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 각 리프트 핀(62)의 핀 선단보다 소정 거리(바람직하게는 2∼10mm)만큼 낮은 부위로부터 주위를 향하여 날밑 형상으로 이어지는 기류 차폐 부재(114)를 구비하고 있다. 이 경우, 상기 클리어런스(C2)는 리프트 핀(62)에서의 기류 차폐 부재 (114)의 부착 위치에 의해서 정해진다.
이 제3 실시형태에서도, 굴림대 반송에 의한 기판(G)의 반출입을 가능하게 하면서, 기판 리프트 기구(60)에 의해 챔버(40) 내에서 기판(G)을 굴림대 반송로 (38)의 반송면과 그것보다 높은 건조 처리용의 높이 위치의 사이에 오르내릴 수 있는 동시에, 건조 처리중에 진공 배기에 의해 기판(G)의 하방에 발생하는 기류가 기판(G)에 영향을 미치는 것을 기류 차폐 부재(114)에 의해 방지하고, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 가급적으로 방지 또는 억제할 수 있다.
한편, 도 12 내지 도 16에, 제4 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제4 실시형태는, 차폐판 승강기구(102)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 챔버(40) 내에서 내부 굴림대 반송로(38B)의 좌우 양측에는, 챔버 측벽을 따라서 반송 방향(X방향)으로 이어지는 한 쌍의 퍼징 가스 분출부(80)가 설치되어 있다.
이 실시형태에서의 특징중 하나로서 퍼징 가스 분출부(80)는, 내부 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 설치되고, 굴림대 반송면보다 높은 위치에서 퍼징 가스를 수평(또는 상방)으로 분출하도록 되어 있다. 바람직하게는, 퍼징 가스 분출부 (80)의 가스 분출구가 굴림대 반송로의 반송면보다 10mm 이상(보다 바람직하게는 20mm∼30mm) 높은 위치에 설치된다.
이 감압 건조 유닛(12)은, 상기와 같이 기판(G)의 평류 반송을 행하는 굴림대 반송로(38)를 챔버(40) 내로 끌어들여, 챔버(40) 내에서 기판(G)을 리프트 핀 (62)으로 오르내림하는 기판 리프트 기구(60)를 구비한 장치 구성에 있어서, 챔버 (40) 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서, 굴림대 반송로 근방에 기판 (G) 아래를 덮도록 배치되는 차폐판(100)을 설치하고 있다.
바람직한 하나의 실시예로서 차폐판(100)은, 예를 들면 챔버(40)의 저면으로부터 수직 상방으로 이어지는 다수의 지지봉(103)에 의해서 일정한 높이 위치, 즉 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치에서, 수평으로 지지된다.
이 실시형태의 굴림대 반송로는, 도 12∼도 14에 나타내는 바와 같이, 반입구(44), 반출구(46)의 통로 하면(또는 그 근방)에, 내부 굴림대 반송로(38B)와 외부(반입측·반출측) 굴림대 반송로(38A,38C)를 밀접하게 연결하기 위한 롤러식 굴림대(47,49)를 각각 설치하고 있다.
다음에, 이 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 작용을 설명한다.
상기 제1 실시형태에서와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)에서 레지스트액이 도포되어 온 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B)상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)에 반입된다. 이 직후에, 게이트 기구(48,50)가 작동하여, 그때까지 열려 있던 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 폐색하여, 챔버(40)를 밀폐한다.
이어서, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)를 상승시키고, 챔버(40) 내에서 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면을 넘는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 상승시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 왕동(상승) 동작에 의해, 도 15에 나타내는 바와 같이, 기판(G)은 내부 굴림대 반송로(38B)로부터 수평 자세인 채로 리프트 핀(62)의 핀 끝에 옮겨 실려, 그대로 내부 굴림대 반송로(38B)의 상방으로 들어 올려진다.
이렇게 해서, 왕동위치로 상승한 리프트 핀(62)의 핀 끝에 실려 있는 기판 (G)의 상면과 챔버(40)의 천정(52)의 사이에 소망(예를 들면 4∼15mm)의 클리어런스(H)가 형성된다(도 15).
한편, 챔버(40)가 밀폐된 직후에 진공 배기 장치(78)가 작동하여, 챔버(40) 내의 진공 배기가 개시된다. 이 진공 배기에 의해, 챔버(40) 내의 압력이 지금까지의 대기압(101325Pa)으로부터 진공 압력이 되며, 이 감압 상태의 분위기하에서 기판(G)상의 레지스트액막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 이 기화열에 의해서 챔버 (40) 내의 분위기 온도가 지금까지의 상온(약 25℃)으로부터 급격하게 저하한다.
이 진공 배기중(특히 감압 건조 개시 직후)의 챔버 내의 분위기 온도의 하강 변동폭은, 장소에 따라서 다르고, 상당한 격차가 있다. 후술하는 바와 같이, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도가, 종래에는 약 -15℃까지 내려가는 경우도 있었지만(도 21), 이 실시형태에서는 가장 낮아도 영℃ 정도까지 밖에 내리지 않게 되어 있다(도 18).
진공 배기중에는, 챔버(40) 내에 잔류하고 있는 가스(대부분이 공기)가 챔버 (40)의 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흘러, 챔버(40) 내의 각 부에서 기류가 발생한다(도 15). 이 실시형태에서는, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다 높은 위치에 차폐판(100)이 설치되어 있기 때문에, 샤프트(43)나 핀 베이스(64) 등의 주위에서 기류가 감겨 올라가도 차폐판(100)에 의해서 그 난기류가 차단되어 기판(G)의 하면에 닿는 경우는 없다.
감압 건조(진공 배기)를 개시하고 나서 일정시간이 경과한 후에, 혹은 챔버(40) 내의 진공 압력이 설정치(예를 들어 약 30Pa)에 도달한 시점에서, 타이머 또는 압력 센서(도시하지 않음)의 출력 신호에 따라 작동하여 감압건조처리를 종료시킨다. 이 때문에, 기판 리프트 기구(60)가 승강 실린더(66)을 하강시키고, 전체 리프트 핀(62)의 핀 선단이 내부 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 낮아지는 소정의 높이 위치까지 전체 핀 베이스(64)를 일제히 소정 스트로크만큼 하강시킨다. 이 기판 리프트 기구(60)의 복동(하강) 동작에 의해, 기판(G)은 수평 자세로 리프트 핀(62)의 핀 끝으로부터 내부 굴림대 반송로(38B)로 옮겨 실린다. 그리고, 퍼징 기구가 작동하여, 퍼징 가스 분출부(80)로부터 챔버(40) 내에 퍼징 가스를 소정의 유량으로 공급한다. 이 실시형태에서는, 퍼징 가스 분출부(80)가, 굴림대 반송로 (38B)의 반송면보다 20∼30mm 높은 위치에서 퍼징 가스를 대략 수평으로 분출한다. 진공 배기 장치(78)의 배기 동작은, 퍼징의 개시와 동시에 정지하여도 좋지만, 소정 시간이 경과한 후에 정지하여도 된다.
퍼징 가스 분출부(80)로부터 대략 수평으로 분출된 퍼징 가스는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 챔버(40)의 천정(52)과 기판(G) 사이의 최상부 공간(SP1), 기판 (G)과 차폐판(100) 사이의 중간 공간(SP2), 및 차폐판(100)과 챔버(40) 바닥면 사이의 최하부 공간(SP3)으로 나뉘어 보내진다.
최상부 공간(SP1)으로 보내진 퍼징 가스는, 이 공간(SP1)에 신속하게 널리 퍼지고 나서 기판(G) 전후의 빈틈을 하방으로 빠져나가, 챔버(40) 바닥부의 배기구 (74)를 향하여 흐른다.
중간 공간(SP2)으로 보내진 퍼징 가스는, 이 공간(SP2) 내에 확산하면서, 여기저기의 차폐판(100)의 개구(100a,100b)를 빠져나가거나, 혹은 기판(G)의 전후의 빈틈을 하방으로 빠져나가, 최하부 공간(SP3)으로 흘러내린다.
최하부 공간(SP3)으로 보내진 퍼징 가스, 및 중간 공간(SP2)으로부터 차폐판 (100)의 개구(100a,100b)를 빠져나가 최하부 공간(SP3)으로 내려온 퍼징 가스는, 최하부 공간(SP3) 내에서, 굴림대(42B)의 샤프트(43)나 핀 베이스(64) 등의 부재에 충돌하면서 챔버(40) 바닥부의 배기구(74)를 향하여 흐른다.
이 퍼징에 의해서, 챔버(40) 내의 압력은 설정치 또는 최저치(약 30Pa)로부터 대기압을 향하여 단번에 상승하고, 그에 따라 챔버 내의 분위기 온도도 감압건조처리전의 온도(실온)를 훨씬 넘는 온도까지 급상승한다.
이 퍼징에 의한 챔버 내의 분위기 온도의 상승 변동폭은, 장소에 따라서 다르고, 상당한 격차가 있다. 후술하는 바와 같이, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도가, 종래에는 약 50℃를 넘는 경우도 있었지만(도 21), 이 실시형태에서는 가장 높아도 약 32℃까지 밖에 오르지 않게 되어 있다(도 18).
이렇게 해서, 퍼징에 의해서 챔버(40) 내의 압력이 상승하고, 이윽고 대기압에 이르면, 압력 센서에 따라 작동하여, 이 타이밍(시점 Te)에서 퍼징 가스 분출부 (80)가 퍼징 가스의 공급을 정지한다. 챔버(40) 내에 퍼징 가스가 흐르지 않게 되면, 챔버 내의 분위기 온도가 챔버 내에 충만하고 있는 퍼징 가스의 온도(통상 실온과 대략 동일 온도)와 같아지도록 저하한다.
그리고, 퍼징 가스의 공급을 정지하고 나서 소정 시간이 경과한 후에 게이트 기구(48,50)가 작동하여 반입구(44) 및 반출구(46)를 개방한다. 이어서, 내부 굴림대 반송로(38B) 및 반출측 굴림대 반송로(38C) 상에서 굴림대 반송 동작이 개시되어 감압건조처리를 막 받은 상기 기판(G)은 반출구(46)로부터 굴림대 반송에 의해서 반출되어, 그대로 후단의 처리부로 평류로 보내진다. 이 처리가 끝난 기판(G)의 반출 동작과 동시에, 도 13에 나타내는 바와 같이, 레지스트 도포 유닛(10)으로부터의 후속의 기판(G)이, 반입측 굴림대 반송로(38A) 및 내부 굴림대 반송로(38B) 상의 연속적인 굴림대 반송에 의해서 반입구(44)로부터 챔버(40) 내에 반입된다.
상기한 바와 같이, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)은, 굴림대 반송로의 근방에 기판(G) 아래를 덮는 위치에, 바람직하게는 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치에, 차폐판(100)을 수평으로 설치하고 있다. 이 차폐판(100)은, 챔버(40) 내에 기판(G)이 체재하고 있는 기간 중에는 물론, 챔버(40) 내에 기판(G)이 존재하고 있지 않은 기간중에도, 굴림대 반송로(38B)의 반송면보다 약간 낮은 일정한 높이 위치에서 챔버(40) 내의 공간을 상하로 분리하고 있다. 여기서 상하로 분리된 중간 공간(SP2)과 하부 공간 (SP3)은, 차폐판(100)의 개구(100a,100b) 및 차폐판(100)의 주위의 빈틈을 통하여 연이어 통하고 있다.
또한, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)은, 챔버(40)의 측벽 부근에 배치되는 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38)보다도 높은 위치(가장 바람직하게는 굴림대 반송면보다 20∼30mm 높은 위치)에 설치하고 있다. 이에 따라, 퍼징 가스 분출부(80)로부터 분출된 퍼징 가스는, 챔버(40)의 천정(52)과 기판(G) 사이의 상부 공간(SP1), 기판(G)과 차폐판(100)의 사이의 중간 공간(SP2), 및 차폐판(100)과 챔버(40)의 바닥면의 사이의 하부 공간(SP3)으로 나누어져 흐르게 되어 있다.
이러한 구성에 의하면, 진공 배기중 및 퍼징중에 챔버(40) 내를 흐르는 기류가 기판(G)과 차폐판(100)에 의해서 격리된 최상부 공간(SP1), 중간 공간(SP2), 최하부 공간(SP3)의 각각으로 개별적으로 제어되어, 챔버 내의 분위기 온도의 변동이 현저하게 저감된다.
본 발명자는, 이 실시형태의 감압 건조 유닛(12)에서, 도 17에 나타내는 바와 같이 챔버(40) 내의 중심부, 중간부 및 주변부에 걸쳐서 분포하는 13개소의 대표 측정점(ch1∼ch13)을 선택하여, 동일한 조건으로 하기 4가지의 방법의 구성 A, B, C, D별로 감압건조처리 및 퍼징을 실험하였다. 이 실험 중에, 각 대표점에서의 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도와 압력을 측정하여, 13개소(ch1∼ch13) 분의 분위기 온도 특성 J1∼J13 중에서, 최대 온도 Max를 기록한 특성(Ji)과 최저 온도 Min를 기록한 특성(Jj)의 2개를 추출하여 플롯한 바, 도 18∼도 21에 나타낸 결과를 얻을 수 있었다. 한편, 이 실험에서는, 각 대표 측정점 ch1∼ch13의 측정 높이 위치를 챔버(40)의 바닥면으로부터 120mm의 위치에 선택하여, 열전대인 온도 센서를 이용했다.
A: [차폐판 있음, 반송로 위 퍼지] …도 18
상기 실시형태와 같이, 차폐판(100)을 마련하여, 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 마련하는 구성이다.
B: [차폐판 있음, 반송로 아래 퍼지] …도 19
상기 실시형태와 마찬가지로 차폐판(100)을 마련하지만, 퍼징 가스 분출부 (80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(반송면보다 약 100mm 낮은 위치)에 마련하는 구성이다. 상기 실시형태중 하나의 변형예(제1 변형예)이다.
C: [차폐판 없음, 반송로 위 퍼지] …도 20
상기 차폐판(100)을 마련하지 않지만, 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 높은 위치에 마련하는 구성이다. 이것도, 상기 실시형태중 하나의 변형예(제2 변형예)이다.
D: [차폐판 없음, 반송로 아래 퍼지] …도 21
상기 차폐판(100)을 마련하지 않고, 게다가 퍼징 가스 분출부(80)의 가스 분출구를 굴림대 반송로(38B)보다 낮은 위치(반송면보다 약 100mm 낮은 위치)에 마련하는 구성이다. 이것은, 종래 기술의 구성에 상당한다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 상기 A의 구성(실시형태)에서는, 진공 배기중의 챔버내 분위기온도의 최저치는 -0.2℃이고, 퍼징 중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 32℃이며, 최대 변동폭은 32.2℃이었다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 상기 B의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -2.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 39.0℃이며, 최대 변동폭은 41.0℃이었다.
도 20에 나타내는 바와 같이, 상기 C의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -15.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 36.7℃이며, 최대 변동폭은 51.7℃이었다.
도 21에 나타내는 바와 같이, 상기 D의 구성에서는, 진공 배기중의 챔버 내의 분위기 온도의 최저치는 -16.0℃이고, 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 최고치는 49.3℃이며, 최대 변동폭은 65.3℃이었다.
이와 같이, 상기 A(실시형태)의 구성에 의하면, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 반감하는 것이 가능하다. 상기 B(제1 변형예)의 구성에서도, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 약 60%로 저감할 수 있다. 또한, 상기 C(제2 변형예)의 구성에서도, 상기 D(종래 기술)의 구성에 비하여, 챔버 내의 분위기 온도의 최대 변동폭을 약 78%로 저감할 수 있다.
본 발명자는, 상기 실험의 연장으로서, 상기 구성 A, B, C, D별로, 동일 조건으로의 감압건조처리/퍼징의 공정을 일정한 주기에 복수회(9회) 반복하여, 각 회의 감압건조처리를 개시하기 직전의 리프트 핀(62)의 온도를 측정하여 플롯한 바, 도 22에 나타내는 특성을 얻을 수 있었다.
도시한 바와 같이, 상기 A(실시형태)의 구성에 의하면, 첫회는 상온(약 25℃)의 리프트 핀 온도를 2회째부터는 상온보다 약간만 높은 26℃∼27℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.
또한, 상기 B(제1 변형예)의 구성에서는, 리프트 핀 온도를 2회째에 26℃∼27℃의 범위에 멈추고, 3회째 이후에는 27℃∼28℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.
또한, 상기 C(제2 변형예)의 구성에서는, 리프트 핀 온도를 2회째부터 27℃∼28℃의 범위로 안정화시킬 수 있다.
한편, 상기 D(종래 기술)의 구성에서는, 감압건조처리/퍼징 공정을 반복할 때마다 리프트 핀 온도가 점점 높아져, 안정화할 때까지 당분간 걸린다. 물론, 안정화(포화)할 무렵의 온도는 상당히 높아져, 30℃ 가까이가 된다.
이와 같이, 상기 실시형태 및 그 변형예에 의하면, 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 변동폭을 저감할 수 있으므로, 리프트 기구(60)의 각 리프트 핀(62)이 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 적게 하고, 나아가서는 기판(G)이 리프트 핀(62)으로부터 받는 열적 영향을 적게 하여, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 기판(G)상의 레지스트 도포막의 막질을 향상시킬 수 있다.
도 23 및 도 24에, 제5 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 구성을 나타낸다. 이 제5 실시형태는, 제2 실시형태와 같이, 기판 리프트 기구(60)를 구비하고 있지는 않고, 대신에 차폐판(100)의 상면에 고정의 지지 핀(112)를 이산적(예를 들어 매트릭스 형상으로)으로 다수개 부착하고 있다. 상기 클리어런스(H)는, 지지 핀(112)의 높이(길이)에 의해서 정해진다. 차폐판(100)의 복동(하한) 높이 위치는, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다는 높고 롤러(45)의 정수리면(굴림대 반송면)보다는 낮은 위치로 설정된다.
이 제5 실시형태에서도, 제4 실시형태와 같이, 감압건조처리 및 퍼징중의 챔버 내의 분위기 온도의 변동폭을 저감하는 것이 가능하고, 차폐판(100) 상의 각 지지 핀(112)이 분위기 온도로부터 받는 열적 영향을 적게 하고, 나아가서는 기판(G)이 지지 핀(112)으로부터 받는 열적 영향을 적게 하여, 기판(G) 상의 레지스트 도포막에 핀 전사 흔적이 남는 것을 억제할 수 있다.
상기한 실시형태에서는, 차폐판(100)의 고정(또는 하한) 높이 위치를 굴림대 (42B)의 샤프트(43)보다 높은 위치로 설정하였다. 그러나, 차폐판(100)의 작용 효과가 어느 정도 감소하게 되지만, 굴림대(42B)의 샤프트(43)보다 조금 낮은 위치에 차폐판(100)의 고정(또는 하한) 높이 위치를 설정하는 것도 가능하다.
상기한 실시형태에서의 감압 건조 유닛(12)의 챔버(40)는, 반송 방향(X방향)으로 서로 마주 보는 한 쌍의 챔버 측벽에 반입구(44) 및 반출구(46)를 각각 마련하고, 기판(G)이 챔버(40)를 빠져나가는 구성으로 되어 있다. 그러나, 챔버(40)의 한 측벽에 마련한 1개의 반출입구로 반입구와 반출구를 겸용시키는 구성도 가능하고, 그 경우는 반입측 굴림대 반송로(38A)와 반출측 굴림대 반송로(38C)의 공용화도 도모할 수 있다.
본 발명에서의 피처리기판은 LCD용의 유리 기판에 한정하는 것이 아니고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 감압건조처리 대상의 도포액도 레지스트액에 한정하지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액도 가능하다.

Claims (19)

  1. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서,
    상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
    상기 감압 건조 처리를 위해서, 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 진공 배기하는 배기기구와,
    상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적(離散的)으로 배치된 복수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와,
    상기 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 퍼징 가스 분출부를 가지고, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 수평으로 분출하는 퍼징 기구를 가지는 감압건조장치.
  2. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서,
    상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
    상기 감압 건조 처리를 위해서, 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 진공 배기하는 배기기구와,
    상기 챔버 내에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 퍼징 가스 분출부를 가지고, 상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에 마련된 상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 분출하는 퍼징 기구와,
    상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하며 오르내리기 위해서 상기 챔버의 안에 이산적(離散的)으로 배치된 복수의 지지 핀을 가지며, 상기 감압 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 기판을 지지하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하는 기판 리프트 기구와,
    상기 챔버 내의 분위기 온도의 변동을 저감시키기 위해서 상기 굴림대 반송로 근방에 상기 기판 아래를 덮도록 설치되며, 상기 지지 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는 차폐판을 구비하고,
    상기 퍼징 가스 분출부로부터 분출된 상기 퍼징용 가스가, 상기 챔버의 천정과 상기 기판과의 사이의 최상부 공간, 상기 기판과 상기 차폐판과의 사이의 중간 공간 및 상기 차폐판과 상기 챔버의 바닥면과의 사이의 최하부 공간으로 나뉘어 흐르는 감압건조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 차폐판이 일정한 높이 위치에 고정되어 설치되는 감압건조장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 퍼징 가스 분출부의 가스 분출구가, 상기 굴림대 반송로의 반송면보다 20mm∼30mm 높은 위치에 설치되는 감압건조장치.
  5. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조장치로서,
    상기 기판을 수평 상태로 수용하기 위한 공간을 가지는 감압 가능한 챔버와,
    상기 챔버의 바깥과 안에서 연속하는 굴림대 반송로를 가지며, 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송으로 상기 기판을 상기 챔버에 반입하거나, 또는 상기 챔버로부터 반출하는 반송기구와,
    상기 감압 건조 처리를 위해서 상기 챔버 내를 밀폐 상태로 진공 배기하는 배기기구와,
    상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서 상기 챔버 내에 퍼징용 가스를 공급하는 퍼징 기구와,
    상기 감압 건조 처리 및 상기 퍼징 중의 상기 챔버 내의 분위기 온도를 작게 하기 위해서, 상기 기판 아래를 덮도록 설치되는 차폐판과,
    상기 감압 건조 처리 중에 상기 기판을 핀 선단에서 수평으로 지지하기 위해서 상기 차폐판 상에 이산적으로 설치되는 복수의 지지 핀과,
    상기 차폐판에 결합되어, 상기 건조 처리를 행할 때는 상기 지지 핀의 선단을 상기 굴림대 반송로보다 높게 하여 상기 지지 핀에 의한 상기 기판의 지지를 가능하게 하고, 상기 기판의 반출입을 행할 때는 상기 지지 핀의 핀 선단을 상기 굴림대 반송로보다 낮게 하여 상기 반송기구에 의한 상기 기판의 굴림대 반송을 가능하게 하도록, 상기 차폐판을 승강 이동시키는 차폐판 승강기구를 가지는 감압건조장치.
  6. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조방법으로서,
    상기 기판을 감압 가능한 챔버 내에 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반입하는 제1 공정과,
    상기 챔버 내에서 상기 기판을 복수의 지지 핀으로 수평으로 지지하여 상기 굴림대 반송로의 상방으로 들어올리는 제2 공정과,
    상기 감압 건조 처리를 행하기 위해서, 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 진공 배기하는 제3 공정과,
    상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서, 상기 기판을 상기 복수의 지지 핀상으로부터 상기 굴림대 반송로상으로 옮겨서, 상기 챔버 내의 상기 굴림대 반송로의 양측에 마련되는 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치의 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 수평으로 분출하는 제4 공정과,
    상기 퍼징의 종료 후에, 상기 기판을 상기 챔버의 바깥으로 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반출하는 제5 공정을 가지는 감압건조방법.
  7. 피처리기판상에 형성된 도포액의 막에 감압 건조 처리를 실시하는 감압건조방법으로서,
    상기 기판을 감압 가능한 챔버 내에 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반입하는 제1 공정과,
    상기 챔버 내에서 상기 기판을 복수의 지지 핀으로 수평으로 지지하여 상기 굴림대 반송로의 상방으로 들어올리는 제2 공정과,
    상기 감압 건조 처리를 행하기 위해서, 밀폐 상태의 상기 챔버 내를 상기 챔버의 바닥벽에 형성된 배기구를 통하여 진공 배기하는 제3 공정과,
    상기 감압 건조 처리를 종료시키기 위해서, 상기 기판을 상기 복수의 지지 핀상으로부터 상기 굴림대 반송로상으로 옮겨서, 상기 챔버 내에 상기 굴림대 반송로보다도 높은 위치에서 챔버 측벽을 따라 반송 방향으로 연장되는 가스 분출구로부터 퍼징용 가스를 상기 굴림대 반송로상의 상기 기판을 향하여 분출하는 제4 공정과,
    상기 퍼징의 종료 후에, 상기 기판을 상기 챔버의 바깥으로 상기 굴림대 반송로상의 굴림대 반송에 의해 반출하는 제5 공정을 가지고,
    상기 제4 공정에서, 상기 가스 분출부로부터 분출된 상기 퍼징용 가스가, 상기 챔버의 천정과 상기 기판과의 사이의 최상부 공간, 상기 기판과 상기 굴림대 반송로의 근방에서 상기 기판의 아래를 덮도록 설치되며, 상기 지지 핀을 승강 가능하게 관통시키기 위한 제1 개구와, 상기 굴림대 반송로와의 간섭을 피하기 위한 제2 개구를 가지는 차폐판과의 사이의 중간 공간 및 상기 차폐판과 상기 챔버의 바닥면과의 사이의 최하부 공간으로 나뉘어 흐르는 감압건조방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104296520A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 上海和辉光电有限公司 真空干燥腔室排气系统及方法
JP6596371B2 (ja) * 2016-03-18 2019-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
CN106054541B (zh) * 2016-08-12 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 预烘烤设备
CN106873203A (zh) * 2017-04-21 2017-06-20 武汉华星光电技术有限公司 玻璃基板顶针及真空干燥装置
CN107413603B (zh) * 2017-07-20 2021-01-29 武汉华星光电技术有限公司 真空减压干燥设备
CN107741686B (zh) * 2017-10-25 2020-06-09 武汉华星光电技术有限公司 一种显影机及其传动装置
JP7061489B2 (ja) * 2018-03-20 2022-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 減圧乾燥装置、基板処理装置および減圧乾燥方法
JP6899813B2 (ja) * 2018-11-27 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047582A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Hirata Corp 基板処理装置
JP2008124366A (ja) 2006-11-15 2008-05-29 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置
JP2009038231A (ja) 2007-08-02 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004047582A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Hirata Corp 基板処理装置
JP2008124366A (ja) 2006-11-15 2008-05-29 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置
JP2009038231A (ja) 2007-08-02 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置

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