KR101568050B1

KR101568050B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101568050B1
Application number: KR1020100096204A
Authority: KR
Inventors: 후미히꼬 이케다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2009-11-12
Filing date: 2010-10-04
Publication date: 2015-11-10
Also published as: JP2011103422A; KR20110052451A; JP4805384B2

Abstract

본 발명의 과제는 도포 처리 시에 피처리 기판 상으로부터 증발하는 가스의 회수를 순조롭게 행할 수 있는 동시에, 도포 처리 공간의 공간 절약화, 풋프린트의 축소, 공기 청정의 설비 및 소비 에너지의 절감을 실현하는 것이다.
레지스트 도포 유닛(COAT)(44)의 도포 처리부(84)는 부상 스테이지(96) 상에서 공중에 떠 있는 기판(G)을 스테이지 길이 방향으로 반송하면서, 장척형의 레지스트 노즐(100)로부터 레지스트액을 띠 형상으로 토출하여, 기판(G) 상에 레지스트액의 도포막을 형성한다. 레지스트 노즐(100)은 도포 처리실(80)의 반출구(80b)의 근방에 배치된다. 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)의 도포 처리실(80)과 기류 건조 유닛(KD)(46)의 건조 처리실(136)은 양 실의 경계에서 격벽(138)을 공유하고 있고, 도포 처리실(80)의 반출구(80b)가 건조 처리실(136)의 반입구(136a)로 되어 있다.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 스핀리스의 평류 방식으로 피처리 기판에 처리액을 도포하고 직후에 건조시키는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

LCD(액정 디스플레이) 패널의 제조에 있어서는, 포토리소그래피 공정 중에서 피처리 기판(글래스 기판) 상에 레지스트를 도포한 후에 레지스트 중의 잔존 용제를 증발시키는 프리베이킹의 가열 처리를 바로 행하면, 프리베이크 유닛 내에서 기판과 접촉하는 리프트 핀, 지지 핀 또는 배큐엄(Vacuum) 홈 등으로부터의 열적인 영향을 받아서 용제의 증발이 불균일해져, 레지스트의 막 두께에 불균일이 나타난다고 하는 문제가 있다. 따라서, 프리베이킹에 앞서, 기판 상에 도포된 직후의 레지스트액 중의 잔존 용제를 일정 단계까지 휘발시킴으로써 레지스트 도포막의 표면에 단단한 층(일종의 변질층)을 형성하는 건조 처리가 행해지고 있다. 이와 같이 레지스트 도포막의 내부 또는 벌크부를 액상으로 유지하면서 표층부만을 고화하는 건조법에 따르면, 프리베이킹 시에 벌크 레지스트의 유동을 억제하여 건조 불균일의 발생을 저감시킬 수 있을 뿐만 아니라, 현상 처리 시의 레지스트의 비용해성 또는 막 감소량을 적게 하여, 레지스트 해상도가 높아지는 효과도 얻어진다.

종래부터 상기와 같은 프리베이킹에 앞서는 건조 처리에는, 감압 분위기 하에서 레지스트 중의 용제를 휘발시키는 감압 건조법이 많이 사용되고 있다. 그러나, 스핀리스의 평류 방식을 채용하는 인라인의 도포 현상 처리 시스템에 있어서는, 적당한 기류의 부여 혹은 온도 제어에 의해 상압의 분위기 하에서 레지스트 중의 용제를 휘발시키는 상압 건조법도 적절하게 사용되고 있다(예를 들어, 특허 문헌 1).

도 8에, 평류 방식으로 레지스트 도포 처리 및 상압 건조 처리를 연속적으로 행하는 종래의 기판 처리 장치의 레이아웃 구성을 도시한다. 이 기판 처리 장치는 레지스트 도포 처리를 행하는 레지스트 도포 유닛(200)과, 상압 건조 처리를 행하는 상압 건조 유닛(202)을 평류의 반송 방향(X방향)으로 배열하여 배치한다.

레지스트 도포 유닛(200) 내에는 반입구(204)로부터 반출구(206)를 향해 반입부(208), 평류 반송부(210), 반출부(212)가 횡일렬로 배치되어 있다. 여기서, 평류 반송부(210)는 물론, 반입부(208) 및 반출부(212)도 기판(G)을 평류로 수평으로 이동시키는 반송 기구를 구비하고 있다.

반입부(208)는 반송 방향(X방향)에 있어서, 기판 1매분 이상의 사이즈를 갖고, 상류측 옆의 유닛(도시하지 않음)으로부터 반입구(204)로 수취한 기판(G)을 빠르게 평류 반송부(210)로 전달하도록 되어 있다.

평류 반송부(210)는 반송 방향(X방향)에 있어서, 기판 2매분 이상의 사이즈를 갖고, 반입부(208)로부터 수취한 기판(G)을 레지스트 노즐(214)의 레지스트 토출 동작과 동기한 소정의 타이밍으로, 또한 도포 주사용의 비교적 완만한 일정 속도로 이동시킨다. 여기서, 레지스트 노즐(214)은 장척형의 슬릿 노즐로 이루어지고, 평류 반송부(210)의 반송 방향(X방향) 중심부의 상방에 배치되어, 도포 처리 중에 슬릿 형상의 토출구로부터 띠 형상으로 레지스트액을 토출하도록 되어 있다.

반출부(212)는 반송 방향(X방향)에 있어서, 기판 1매분 이상의 사이즈를 갖고, 도포 처리를 종료한 직후, 즉 레지스트 노즐(214)을 완전히 빠져나간 기판(G)을 평류 반송부(210)로부터 수취하여, 수취한 기판(G)을 빠르게 상압 건조 유닛(202)의 평류 반송부(216)로 전달하도록 되어 있다.

레지스트 도포 유닛(200)의 천장에는 다수의 FFU(팬ㆍ필터ㆍ유닛)(218)가 설치되어, 이들 FFU(218)로부터 청정한 에어가 다운 플로우로 실내에 공급되도록 되어 있다. 또한, 레지스트 도포 유닛(200)의 바닥에는 1개 또는 복수의 배기구(220)가 형성되고, 예를 들어 블로어 팬을 갖는 배기 장치(222)에 의해 배기구(220)를 통해 실내가 배기되도록 되어 있다.

레지스트 도포 유닛(200)의 실내에는 도포 처리의 동안에 레지스트 노즐(214)을 리프레쉬하기 위한 노즐 리프레쉬부(224)도 설치되어 있다. 레지스트 노즐(214)은 1회(기판 1매분)의 도포 처리를 종료하면, 평류 반송부(210)에 근접한 도포 위치로부터 상방의 노즐 리프레쉬부(224)로 이동하여, 그곳에서 노즐 세정이나 프라이밍 처리 등의 리프레쉬 내지 사전 준비를 행하여, 다음 회의 도포 처리에 대비한다.

상압 건조 유닛(202)에 있어서는, 반입구(226)[즉, 레지스트 도포 유닛(200)의 반출구(206)]의 근처에서 평류 반송부(216)의 상방에 건조용 가스, 예를 들어 에어를 하향으로 분출하는 급기부(228)가 설치되는 동시에, 반출구(230)의 근처에서 평류 반송부(216)의 상방으로 건조 에어 및 기타의 기체를 흡입하는 배기부(232)가 설치되어 있다.

평류 반송부(216)에 의한 평류로 기판(G)이 실내를 이동하는 동안에, 기판(G) 상의 레지스트 도포막은 건조 에어의 기류에 노출되어, 레지스트 도포막으로부터 용매가 증발하여, 막의 표층부가 단단하게 변질된다. 상압 건조 유닛(202)을 빠져나간 기판(G)은, 다음 공정의 프리베이킹을 행하는 프리베이크 유닛(도시하지 않음)으로 보내진다.

일본 특허 출원 공개 제2009-76626

상기와 같은 종래의 기판 처리 장치(도 8)에는 개선의 여지가 몇 가지 있다.

첫번째, 레지스트 도포 유닛(200)의 실내에서 기판(G) 상의 레지스트 도포막으로부터 증발하는 용매의 회수가 어렵다. 즉, 레지스트 도포 유닛(200) 내에서 기판(G) 상으로부터 증발한 용매가 장치 외부로 누설되면 주위에 유기 냄새가 떠돌게 되므로, 최대한 외부로 누설되지 않도록 하고 있다. 그런데, 유기 냄새의 누설을 방지하기 위해, 레지스트 도포 유닛(200)의 실내를 음압으로 배기하면, 외부로부터 파티클이 실내로 들어가기 쉬워진다. 대신에, FFU(218)의 에어 급기량(유량)을 올리면, 실내에서 다운 플로우의 풍속이 증대하여, 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 액막에 도포 불균일 등의 악영향을 미칠 우려가 있다.

두번째, FFU(218)의 하향 분출하는 기류가 노즐 리프레쉬부(224)에 부딪쳐, 파티클이 말려 올라가, 기판으로의 부착이 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있다.

세번째, 반송 방향(X방향)에 있어서, 레지스트 도포 유닛(200)의 전체 길이 사이즈가 상당히 길기 때문에(통상, 기판의 4배 이상), 장치 전체의 풋프린트가 큰데다가, FFU(218)의 사용 대수 및 소비 에너지가 많다고 하는 문제가 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로, 도포 처리 시에 피처리 기판 상으로부터 증발하는 가스의 회수를 순조롭게 행할 수 있는 동시에, 도포 처리 공간의 공간 절약화, 풋프린트의 축소, 공기 청정의 설비 및 소비 에너지의 절감을 실현하는 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 기판 처리 장치는 상압의 분위기 하에서 피처리 기판 상에 소정의 처리액을 도포하기 위한 제1 처리실과, 상기 기판 상에 형성된 직후의 상기 처리액의 도포막을 상압의 분위기 하에서 건조시키기 위해, 상기 제1 처리실의 옆에 설치되는 제2 처리실과, 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실을 구획하는 격벽과, 상기 제1 및 제2 실을 종단하여 상기 기판을 수평한 평류로 반송하는 기판 반송부와, 상기 기판 반송부에 의한 평류 반송으로 상기 제1 처리실 내를 이동하는 상기 기판 상에 처리액을 공급하여 처리액의 도포막을 형성하기 위해, 상기 격벽에 근접하여 배치되는 노즐을 갖는다.

상기한 구성에 있어서는, 기판이 제1 처리실 내에서 평류 방식의 도포 처리를 받자마자, 기판 상에 막 형성된 처리액의 도포막은 즉시 제2 처리실로 들어가, 그곳에서 건조 처리를 받는다. 이 건조 처리에 의해 도포막으로부터 증발한 용제는 제1 처리실 내에서 확산되지 않고, 제2 처리실 내에서 회수된다.

이와 같이, 기판 상의 처리액의 도포막으로부터 증발하는 용제가 제1 처리실 내로 확산되지 않으므로, 제1 처리실로부터 실외의 주위로 유기 냄새가 누설될 우려가 없어, 제1 처리실 내의 배기를 약하게 할 수 있다. 따라서, 제1 처리실 내를 음압으로 배기하는 것으로 해도 대기압에 가까운 압력으로 설정할 수 있으므로, 외부로부터의 파티클의 진입을 방지할 수 있다. 또한, 제1 처리실 내에서는 환기용 가스의 급기 유량을 적게 할 수 있으므로, 공기 청정의 설비 및 소비 에너지의 절감을 실현할 수 있다. 또한, 제1 처리실 내에서는, 반송 방향에 있어서 도포 처리부의 전체 길이 사이즈를 대폭으로 단축할 수 있으므로, 공간 절약화와 풋프린트의 축소화도 실현할 수 있다.

본 발명의 기판 처리 장치에 따르면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 도포 처리 시에 피처리 기판 상으로부터 증발하는 가스의 회수를 순조롭게 행할 수 있는 동시에, 도포 처리 공간의 공간 절약화, 풋프린트의 축소, 공기 청정의 설비 및 소비 에너지의 절감을 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 일구성예로서의 도포 현상 처리 시스템의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치로서의 도포 프로세스부의 구성을 도시하는 평면도.
도 3은 상기 도포 프로세스부의 구성을 도시하는 측면도.
도 4는 상기 도포 프로세스부에 설치되는 노즐 리프레쉬부의 구성예를 도시하는 개략 단면도.
도 5는 상기 도포 프로세스부에 있어서의 도포 처리 중의 주요부의 구성을 도시하는 단면도.
도 6은 상기 도포 프로세스부에 있어서 레지스트 도포 유닛과 기류 건조 유닛의 경계 부근에 셔터를 구비하는 실시예(도포 처리 중의 상태)를 도시하는 단면도.
도 7은 상기 셔터를 구비하는 실시예의 도포 처리의 간극의 상태를 도시하는 단면도.
도 8은 평류 방식으로 레지스트 도포 처리 및 상압 건조 처리를 연속적으로 행하는 종래의 기판 처리 장치의 레이아웃 구성을 도시하는 측면도.

이하, 첨부도를 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태를 설명한다.

도 1에 본 발명의 기판 처리 장치를 적용할 수 있는 일구성예로서의 도포 현상 처리 시스템을 도시한다. 이 도포 현상 처리 시스템(10)은 클린룸 내에 설치되어, 예를 들어 글래스 기판을 피처리 기판(G)으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크 등의 일련의 처리를 행하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(12)에서 행해진다.

이 도포 현상 처리 시스템(10)은 중심부에 가로로 긴 프로세스 스테이션(P/S)(16)을 배치하고, 그 길이 방향(X방향) 양단부에 카세트 스테이션(C/S)(14)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)을 배치하고 있다.

카세트 스테이션(C/S)(14)은 시스템(10)의 카세트 반입출 포트로, 기판(G)을 다단으로 적층하도록 하여 복수매 수용 가능한 카세트(C)를 수평한 일방향(Y방향)으로 4개까지 배열하여 적재할 수 있는 카세트 스테이지(20)와, 이 스테이지(20) 상의 카세트(C)에 대해 기판(G)의 출입을 행하는 반송 기구(22)를 구비하고 있다. 반송 기구(22)는 기판(G)을 1매 단위로 보유 지지할 수 있는 반송 아암(22a)을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축에서 동작 가능하고, 인접하는 프로세스 스테이션(P/S)(16)측과 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다.

프로세스 스테이션(P/S)(16)은 수평한 시스템 길이 방향(X방향)으로 연장되는 평행하고 또한 역방향의 한 쌍의 라인(A, B)에 각 처리부를 프로세스 플로우 또는 공정의 순으로 배치하고 있다.

보다 상세하게는, 카세트 스테이션(C/S)(14)측으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측을 향하는 상류부의 프로세스 라인(A)에는 반입 유닛(IN PASS)(24), 세정 프로세스부(26), 제1 열적 처리부(28), 도포 프로세스부(30) 및 제2 열적 처리부(32)가 제1 기판 반송 라인(34)을 따라서 상류측으로부터 이 순서로 일렬로 배치되어 있다.

보다 상세하게는, 반입 유닛(IN PASS)(24)은 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송 기구(22)로부터 미처리의 기판(G)을 수취하여, 소정의 택트로 제1 기판 반송 라인(34)으로 투입하도록 구성되어 있다.

세정 프로세스부(26)는 제1 평류 반송로(34)를 따라서 상류측으로부터 차례로 엑시머 UV 조사 유닛(E-UV)(36) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(38)을 설치하고 있다. 제1 열적 처리부(28)는 상류측으로부터 순서대로 어드히젼 유닛(AD)(40) 및 냉각 유닛(COL)(42)을 설치하고 있다.

도포 프로세스부(30)는 상류측으로부터 순서대로 레지스트 도포 유닛(COAT)(44) 및 기류 건조 유닛(KD)(46)을 나란히 설치하고 있다. 제2 열적 처리부(32)는 상류측으로부터 순서대로 프리베이크 유닛(PRE-BAKE)(48) 및 냉각 유닛(COL)(50)을 설치하고 있다.

제2 열적 처리부(32)의 하류측 옆에 위치하는 제1 기판 반송 라인(34)의 종점에는 패스 유닛(PASS)(52)이 설치되어 있다. 제1 기판 반송 라인(34) 상을 평류로 반송되어 온 기판(G)은 이 종점의 패스 유닛(PASS)(52)으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)으로 전달되도록 되어 있다.

한편, 인터페이스 스테이션(I/F)(18)측으로부터 카세트 스테이션(C/S)(14)측을 향하는 하류부의 프로세스 라인(B)에는, 현상 유닛(DEV)(54), 포스트베이크 유닛(POST-BAKE)(56), 냉각 유닛(COL)(58), 검사 유닛(AP)(60) 및 반출 유닛(OUT-PASS)(62)이 제2 기판 반송 라인(64)을 따라서 상류측으로부터 이 순서로 일렬로 배치되어 있다. 여기서, 포스트베이크 유닛(POST-BAKE)(56) 및 냉각 유닛(COL)(58)은 제3 열적 처리부(66)를 구성한다. 반출 유닛(OUT PASS)(62)은 제2 평류 반송로(64)로부터 처리 완료된 기판(G)을 1매씩 수취하여, 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송 기구(22)로 전달하도록 구성되어 있다.

양 프로세스 라인(A, B) 사이에는 보조 반송 공간(68)이 형성되어 있고, 기판(G)을 1매 단위로 수평으로 적재 가능한 셔틀(70)이 도시하지 않은 구동 기구에 의해 프로세스 라인 방향(X방향)에서 양방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)은 상기 제1 및 제2 기판 반송 라인(34, 64)이나 인접하는 노광 장치(12)와 기판(G)의 교환을 행하기 위한 반송 장치(72)를 갖고, 이 반송 장치(72)의 주위에 로터리 스테이지(R/S)(74) 및 주변 장치(76)를 배치하고 있다. 로터리 스테이지(R/S)(74)는 기판(G)을 수평면 내에서 회전시키는 스테이지로, 노광 장치(12)와의 전달 시에 직사각형의 기판(G)의 방향을 변환하기 위해 사용된다. 주변 장치(76)는, 예를 들어 타이틀러(TITLER)나 주변 노광 장치(EE) 등을 제2 평류 반송로(64)에 접속하고 있다.

여기서, 이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서의 1매의 기판(G)에 대한 전체 공정의 처리 수순을 설명한다. 우선, 카세트 스테이션(C/S)(14)에 있어서, 반송 기구(22)가, 스테이지(20) 상의 어느 하나의 카세트(C)로부터 기판(G)을 1매 취출하고, 그 취출한 기판(G)을 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인(A)측의 반입 유닛(IN PASS)(24)으로 반입한다. 반입 유닛(IN PASS)(24)으로부터 기판(G)은 제1 기판 반송 라인(34) 상으로 이동 탑재 또는 투입된다.

제1 기판 반송 라인(34)에 투입된 기판(G)은, 처음에 세정 프로세스부(26)에 있어서 엑시머 UV 조사 유닛(E-UV)(36) 및 스크러버 세정 유닛(SCR)(38)에 의해 자외선 세정 처리 및 스크러빙 세정 처리가 순차적으로 실시된다. 스크러버 세정 유닛(SCR)(38)은 평류 반송로(34) 상을 수평으로 이동하는 기판(G)에 대해, 브러싱 세정이나 블로우 세정을 실시함으로써 기판 표면으로부터 입자상의 오염을 제거하고, 그 후에 린스 처리를 실시하고, 마지막으로 에어 나이프 등을 사용하여 기판(G)을 건조시킨다. 스크러버 세정 유닛(SCR)(38)에 있어서의 일련의 세정 처리를 종료하면, 기판(G)은 그대로 제1 평류 반송로(34)를 내려가 제1 열적 처리부(28)를 통과한다.

제1 열적 처리부(28)에 있어서, 기판(G)은 처음에 어드히젼 유닛(AD)(40)에서 증기 상태의 HMDS를 사용하는 어드히젼 처리가 실시되어, 피처리면이 소수화된다. 이 어드히젼 처리의 종료 후에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(42)에서 소정의 기판 온도까지 냉각된다. 이후에도, 기판(G)은 제1 평류 반송로(34)를 내려가 도포 프로세스부(30)로 반입된다.

도포 프로세스부(30)에 있어서, 기판(G)은 처음에 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)에서 슬릿 노즐을 사용하는 스핀리스의 평류 방식에 의해 기판 상면(피처리면)에 레지스트액이 도포되고, 직후에 하류측 옆의 기류 건조 유닛(KD)(46)에서 상압 분위기 하의 기류에 의한 건조 처리를 받는다.

도포 프로세스부(30)를 나온 기판(G)은 제1 기판 반송 라인(34)을 내려가 제2 열적 처리부(32)를 통과한다. 제2 열적 처리부(32)에 있어서, 기판(G)은 처음에 프리베이크 유닛(PRE-BAKE)(48)에서 레지스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리베이킹을 받는다. 이 프리베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막 중에 잔류되어 있던 용제가 증발하여 제거되어, 기판에 대한 레지스트막의 밀착성이 강화된다. 다음에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(50)에서 소정의 기판 온도까지 냉각된다. 그 후, 기판(G)은 제1 평류 반송로(34)의 종점의 패스 유닛(PASS)(52)으로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)의 반송 장치(72)에 인수된다.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은 로터리 스테이지(74)에서, 예를 들어 90도의 방향 변환을 받은 후 주변 장치(76)의 주변 노광 장치(EE)로 반입되고, 그곳에서 기판(G)의 주변부에 부착되는 레지스트를 현상 시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 이웃하는 노광 장치(12)로 보내진다.

노광 장치(12)에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로 패턴이 노광된다. 그리고, 패턴 노광을 종료한 기판(G)은 노광 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)으로 복귀되면, 우선 주변 장치(76)의 타이틀러(TITLER)로 반입되고, 그곳에서 기판 상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기재된다. 그 후, 기판(G)은 반송 장치(72)로부터 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 프로세스 라인(B)측에 부설되어 있는 제2 기판 반송 라인(64)의 현상 유닛(DEV)(54)의 시점으로 반입된다.

이와 같이 하여, 기판(G)은, 이번에는 제2 기판 반송 라인(64) 상을 프로세스 라인(B)의 하류측을 향해 반송된다. 최초의 현상 유닛(DEV)(54)에 있어서, 기판(G)은 평류로 반송되는 동안에 현상, 린스, 건조의 일련의 현상 처리가 실시된다.

현상 유닛(DEV)(54)에서 일련의 현상 처리를 종료한 기판(G)은, 그대로 제2 기판 반송 라인에 적재된 채 제3 열적 처리부(66) 및 검사 유닛(AP)(60)을 순차적으로 통과한다. 제3 열적 처리부(66)에 있어서, 기판(G)은 처음에 포스트베이크 유닛(POST-BAKE)(56)에서 현상 처리 후의 열처리로서 포스트베이킹을 받는다. 이 포스트베이킹에 의해, 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류되어 있던 현상액이나 세정액이 증발하여 제거되고, 기판에 대한 레지스트 패턴의 밀착성이 강화된다. 다음에, 기판(G)은 냉각 유닛(COL)(58)에서 소정의 기판 온도로 냉각된다. 검사 유닛(AP)(60)에서는 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉의 선폭 검사나 막질ㆍ막 두께 검사 등이 행해진다.

반출 유닛(OUT PASS)(62)은 제2 기판 반송 라인(64)으로부터 전체 공정의 처리가 종료되어 온 기판(G)을 수취하여, 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송 기구(22)로 전달한다. 카세트 스테이션(C/S)(14)측에서는, 반송 기구(22)가, 반출 유닛(OUT PASS)(62)으로부터 수취한 처리 완료된 기판(G)을 어느 하나(통상은 원래)의 카세트(C)에 수용한다.

이 도포 현상 처리 시스템(10)에 있어서는, 레지스트 도포 유닛(COAT)(44) 및 기류 건조 유닛(KD)(46)으로 이루어지는 도포 프로세스부(30)에 본 발명을 적용할 수 있다.

이하, 도 2 내지 도 7에 대해, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치로서의 도포 프로세스부(30)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.

도 2 및 도 3에, 본 실시 형태에 있어서의 도포 프로세스부(30)의 구성을 도시한다. 도 2는 개략 평면도, 도 3은 측면도이다.

이 도포 프로세스부(30)에 있어서, 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)은, 도 3에 도시한 바와 같이 반송 방향(X방향)과 마주 보는 한 쌍의 벽에 반입구(80a) 및 반출구(80b)를 각각 형성한 하우징형의 도포 처리실(80)을 갖고, 이 처리실(80) 내에 반입부(82)와 도포 처리부(84)를 횡일렬로 배치하고 있다.

반입부(82)는 반송 방향(X방향)에 있어서 대략 기판 1매분의 사이즈를 갖고, 상류측의 제1 열적 처리부(28)로부터 반입구(80a)를 통해 수취한 기판(G)을 빠르게 도포 처리부(84)로 전달하도록 구성되어 있다.

보다 상세하게는, 도 2에 도시한 바와 같이, 반입부(82)는 반입 스테이지(86)와 기판 반송 기구(88)를 구비하고 있다. 반입 스테이지(86)에는 반송 방향(X방향)으로 연장되는 띠 형상의 구멍부(90)가 횡폭 방향(Y방향)으로 소정의 간격을 두고 복수개, 예를 들어 3개 형성되어 있다. 또한, 반입 스테이지(86)에는 부상용 가스(예를 들어, 에어)를 분사하기 위한 가스 분사구(92)가 균일한 밀도로 이산적으로 다수 형성되어 있다. 이들 가스 분사구(92)로부터 분사되는 가스의 압력 또는 양력에 의해, 기판(G)이 반입 스테이지(86) 상에서 수평으로 뜨도록 되어 있다.

기판 반송 기구(88)는 반입 스테이지(86)의 상면에 형성된 띠 형상의 구멍부(90)를 이용하여 설치되어 있고, 기판(G)을 배큐엄으로 흡착 유지하는 척 부재(94)와, 이 척 부재(94)를 반송 방향(X방향)으로 왕복 이동시키는 슬라이더(도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 각 척 부재(94)는, 예를 들어 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 그 기판 흡착면(상면)이 반입 스테이지(86)의 표면으로부터 약간 돌출되어, 횡폭 방향(Y방향) 일렬로 나란히 각 띠 형상 구멍부(90)에 배치되어 있다.

도포 처리부(84)는 반송 방향(X방향)에 있어서 대략 기판 1매분의 사이즈를 갖고, 부상식 스테이지(96)와, 이 부상 스테이지(96) 상에서 공중에 떠 있는 기판(G)을 스테이지 길이 방향(X방향)으로 반송하는 기판 반송 기구(98)와, 부상 스테이지(96) 상을 반송되는 기판(G)의 상면(피처리면)에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(100)을 갖고 있다.

부상 스테이지(96)의 상면에는 부상용 가스(예를 들어, 에어)를 상방으로 분사하기 위한 가스 분사구(102)가 일정한 밀도로 다수 형성되어 있고, 그들 가스 분사구(102)로부터 분사되는 가스의 압력에 의해 기판(G)이 스테이지의 상면으로부터 일정한 높이로 부상하도록 구성되어 있다.

또한, 본 실시예에서는, 부상 스테이지(96)의 상면에 가스 분사구(102)와 혼재되어 가스를 흡인하는 흡인구(104)를 형성하고 있고, 가스 분사구(102)로부터의 수직 상향의 압력과 흡인구(104)로부터의 수직 하향의 압력의 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어하여, 도포용 부상량을 높은 정밀도로 설정치로 유지하도록 하고 있다.

기판 반송 기구(98)는 부상 스테이지(96)의 좌우 양측에서 반송 방향(X방향)으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(106)과, 이들 가이드 레일(106)을 따라서 왕복 이동 가능한 슬라이더(108)와, 부상 스테이지(96) 상에서 기판(G)의 양 측단부를 착탈 가능하게 보유 지지하도록 슬라이더(108)에 설치된 흡착 패드 등의 기판 보유 지지 부재(110)를 구비하고 있고, 예를 들어 리니어 모터를 갖는 직진 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 슬라이더(108)를 반송 방향(X방향)으로 이동시킴으로써, 부상 스테이지(96) 상에서 기판(G)의 부상 반송을 행하도록 구성되어 있다.

레지스트 노즐(100)은 반송 방향(X방향)과 직교하는 횡폭 방향(Y방향)으로 부상 스테이지(96)의 상방을 횡단하여 연장되는 장척형의 슬릿 노즐로, 도포 처리실(80)의 반출구(80b)의 근방에 설정된 도포 처리용 레지스트 토출 위치에서 그 바로 아래를 통과하는 기판(G)의 상면(피처리면)을 향해 슬릿 형상의 토출구로부터 레지스트액을 띠 형상으로 토출하도록 되어 있다.

또한, 레지스트 노즐(100)은, 예를 들어 볼 나사 기구나 가이드 부재 등을 포함하는 노즐 이동 기구(112)에 의해, 이 노즐을 지지하는 노즐 지지 부재(114)와 일체로 X방향으로 이동 가능하고, 또한 수직 방향(Z방향)으로 승강 가능하게 구성되어 있고, 상기 레지스트 토출 위치와 후술하는 노즐 리프레쉬부(116) 사이에서 이동할 수 있도록 되어 있다.

도포 처리실(80)의 천장에는 복수대의 FFU(118)가 설치되어, 이들 FFU(118)로부터 청정한 에어가 다운 플로우로 실내에 공급되도록 되어 있다. 또한, 도포 처리실(80)의 바닥에는 1개 또는 복수의 배기구(120)가 형성되고, 예를 들어 블로어 팬을 갖는 배기 장치(122)에 의해 배기구(120)를 통해 실내가 배기되도록 되어 있다.

도포 처리실(80)의 상부와 구획 없이 인접하여, 바람직하게는 기류 건조 유닛(KD)(46) 상에 노즐 리프레쉬부(116)를 저장하는 제3 실에 해당하는 대기실(124)이 설치되어 있다.

노즐 리프레쉬부(116)는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같은 구성이고, 다음 회의 도포 처리를 위한 사전 준비로서 레지스트 노즐(100)에 소량의 레지스트액을 토출시켜 프라이밍 롤러(125)에 권취하는 프라이밍 처리부(126)와, 레지스트 노즐(100)의 레지스트 토출구를 건조 방지의 목적으로부터 용제 증기의 분위기 중에 유지하기 위한 노즐 버스(128)와, 레지스트 노즐(100)의 레지스트 토출구 근방에 부착된 레지스트를 제거하기 위한 노즐 세정 기구(130)를 구비하고 있다.

레지스트 노즐(100)을 노즐 리프레쉬부(116)에 도착하게 할 때에는, 노즐 이동 기구(112)에 의해, 레지스트 노즐(100)을 도 3의 실선으로 나타내는 도포 처리용 토출 위치로부터 도 3의 점선으로 나타내는 상방의 위치까지 상승시키고, 계속해서 도 4의 점선으로 나타내는 바와 같이 대기실(124) 내의 노즐 리프레쉬부(116)로 이동시킨다. 혹은, 레지스트 노즐(100)을 도 3의 점선으로 나타내는 위치에서 멈추게 하고, 노즐 리프레쉬부(116)를 대기실(124)로부터 처리실(80)로 이동시키는 것도 가능하다.

또한, 레지스트액 용기나 송액 펌프 등으로 이루어지는 레지스트 공급부(132)가 도포 처리실(80)의 외부에 설치되어 있고, 도포 처리실(80) 내의 레지스트 노즐(100)은 레지스트 공급관(134)을 통해 레지스트 공급부(132)에 접속되어 있다.

이 도포 프로세스부(30)에 있어서, 기류 건조 유닛(KD)(46)은 하우징형의 건조 처리실(136)을 갖고, 도 3에 도시한 바와 같이 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)의 하류측 옆에 배치되어 있다. 본 실시예에서는, 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)의 도포 처리실(80)과 기류 건조 유닛(KD)(46)의 건조 처리실(136)이 양 실의 경계에서 격벽(138)을 공유하고 있고, 도포 처리실(80)의 반출구(80b)가 건조 처리실(136)의 반입구(136a)로 되어 있다.

건조 처리실(136) 내에는 반입구(136a)로부터 반출구(136b)까지 평류용 반송로, 예를 들어 롤러 반송로(140)가 부설되어 있다. 롤러 반송로(140)를 구성하는 롤러(142)는, 기어 또는 벨트 등의 전도 기구(도시하지 않음)를 통해 모터(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 도포 프로세스부(30)로부터 부상 반송의 평류로 보내져 오는 기판(G)을 동일한 이동 속도(도포 처리용 주사 속도) 및 반송면으로 수취하여, 수취한 기판(G)을 기류 건조에 적합한 일정한 속도로 롤러 반송하도록 되어 있다.

롤러 반송로(140)의 상방에는 반입구(136a)의 근처에 건조용 가스(예를 들어, 에어, 질소 가스 등)를 롤러 반송로(140) 상의 기판(G)을 향해 하향 분출하는 급기부(144)가 설치되는 동시에, 반출구(136b)의 근처에 롤러 반송로(140)측으로부터 건조용 가스나 용매를 포함하는 임의의 기체를 흡인하여 배기하는 배기부(146)가 설치되어 있다.

급기부(144)는 롤러 반송로(140)의 폭 방향(Y방향)으로 연장되는 장척형의 건조용 가스 분사구(148)와, 이 건조 가스 분사구(148)로 건조용 가스를 압송하는 급기원(150)을 구비하고 있다. 배기부(146)는 롤러 반송로(140)의 폭 방향(Y방향)으로 연장되는 장척형의 가스 흡입구(152)와, 이 가스 흡입구(152)에 배기관을 통해 접속되는 배기 팬 또는 진공 펌프를 갖는 배기 장치(154)를 구비하고 있다.

반입구(136a)와 건조용 가스 분사구(148)와 가스 흡입구(152) 사이에는, 롤러 반송로(140) 상을 평류로 이동하는 기판(G)의 상면(레지스트 도포막)이 효율적으로 건조용 가스의 기류에 노출되도록, 롤러 반송로(140)와 소정의 간격을 이격하여 상부 커버(158)가 설치되어 있다. 또한, 롤러 반송로(140)의 아래에도 기류 차단용 커버(도시하지 않음)를 설치해도 좋고, 혹은 건조 처리실(136)의 바닥 또는 측벽에 배기구(도시하지 않음)를 설치하는 것도 가능하다.

제어부(160)는 마이크로 컴퓨터 및 각종 인터페이스를 포함하여, 이 도포 프로세스부(30) 내의 각 부 및 전체의 동작을 제어한다.

다음에, 이 도포 프로세스부(30)에 있어서의 작용을 설명한다. 우선, 전단의 제1 열적 처리부(28)로부터, 예를 들어 롤러 반송의 평류로 보내져 온 기판(G)이, 레지스트 도포 유닛(COAT)(44)에 있어서 반입구(80a)로부터 반입부(82)로 반입된다.

반입부(82)는 제1 열적 처리부(28)로부터 보내져 온 기판(G)을 부상식 반입 스테이지(86) 상에 수취하여, 스테이지 상면의 띠 형상 구멍부(90)를 따라서 직진하는 반송 기구(88)의 평류 반송에 의해 기판(G)을 빠르게 도포 처리부(84)의 부상 스테이지(96) 상으로 반입한다.

도포 처리부(84)에서는 부상 스테이지(96) 상으로 반입된 기판(G)이 부상 상태로 일단 정지하고, 기판(G)의 전단부(기판 상의 도포 개시 위치)가 레지스트 노즐(100)의 바로 아래에 위치 결정된다.

계속해서, 소정의 타이밍으로, 즉 레지스트 노즐(100)로부터 레지스트액의 토출이 개시되는 것과 대략 동시에, 기판 반송 기구(98)가 기판(G)의 부상 반송을 개시하여, 도포 처리용의 일정한 주사 속도로 기판(G)을 반송 방향(X방향)으로 이동시킨다.

이와 같이 하여, 기판(G)이 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도로 이동하는 것과 동시에, 레지스트 노즐(100)이 바로 아래의 기판(G)을 향해 레지스트액을 소정의 압력으로 띠 형상으로 토출함으로써, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(G)의 전단부측으로부터 후단부측을 향해 레지스트액의 도포막(RM)이 형성되어 간다. 이 도포 처리 주사 중에, 기판(G)의 레지스트 노즐(100)보다도 하류측의 부분[레지스트 노즐(100) 바로 아래의 도포 위치를 통과한 부분]은, 즉시 도포 처리실(80)의 반출구(80b)를 빠져나가 건조 처리실(136)로 들어가고, 그곳에서 기류 건조 처리를 받는다.

즉, 기판(G)이 건조 처리실(136)로 들어가면, 기판 상의 레지스트 도포막(RM)은 급기부(144)의 건조용 가스 분사구(148)로부터 흘러 오는 건조용 가스에 노출되어, 레지스트 도포막(RM)으로부터 용제가 증발한다. 증발한 용제는, 건조용 가스 등과 함께 하류측으로 흘러가, 가스 흡입구(152)에 흡입된다. 이 기류 건조는 기판(G)이 건조 처리실(136) 내를 롤러 반송의 평류로 이동하고 있는 동안, 즉 가스 흡입구(152)를 빠져나갈 때까지 지속적으로 행해져, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)의 표층부를 적절하게 건조 고화시킨다.

본 실시 형태에서는, 상기와 같이 기판(G)이 도포 처리실(80) 내에서 평류 방식의 레지스트 도포 처리를 받자마자, 기판(G) 상에 형성된지 얼마 지나지 않은 레지스트액의 도포막(RM)은 즉시 건조 처리실(136)로 들어가고, 그곳에서 건조용 가스의 기류에 노출되어, 기류 건조 처리를 받는다. 기류 건조에 의해 레지스트 도포막(RM)으로부터 증발한 유기 용제는 도포 처리실(80) 내에서 확산되지 않고, 건조 처리실(136) 내에서 반송 방향(X방향)의 하류측으로 흘러 배기부(146)에 회수된다.

도 5에 도시한 바와 같이, 도포 처리용 레지스트 토출 위치에서 레지스트 노즐(100)이 격벽(138)과 반출구(80b)에 근접하고 있고, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)으로부터 증발하는 용제에 대해 레지스트 노즐(100)이 벽을 형성하여, 도포 처리실(80) 내에 유기 용제를 확산시키지 않도록 하고 있다.

이와 같이, 도포 처리실(80) 내에서는, 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)으로부터 증발하는 유기 용제가 확산되지 않으므로, 도포 처리실(80)로부터 실외의 주위로 유기 냄새가 누설될 우려가 없어, 실내의 배기를 약하게 할 수 있다. 따라서, 실내를 음압으로 하는 것으로 해도 대기압에 가까운 압력으로 설정할 수 있으므로, 파티클의 진입을 방지할 수 있다. 또한, FFU(118)의 에어 급기량을 적게 할 수 있으므로, FFU(118)의 설치 대수 및 소비 에너지를 절감할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 기판(G) 상에 형성되는 레지스트 도포막(RM)이 FFU(118)로부터의 다운 플로우의 영향을 받지 않도록 되어 있다. 또한, 노즐 리프레쉬부(116)가, FFU(118)로부터의 다운 플로우를 피하여 도포 처리실(80)과 인접하는 대기실(124) 내에 격납되므로, 파티클의 발생원으로 되는 경우도 없다. 대기실(124)은 건조 처리실(136) 상에 설치되므로, 스페이스 효율이 높은데다가, 레지스트 노즐(100)의 승강 위치에 가까우므로, 도포 처리용 레지스트 도포 위치와 노즐 리프레쉬부(116) 사이에서 레지스트 노즐(100)을 이동시키는 시간 또는 거리가 짧아진다고 하는 이점도 있다.

레지스트 도포 유닛(COAT)(44)에 있어서는, 반송 방향(X방향)에 있어서 도포 처리부(84)의 전체 길이 사이즈가 종래의 절반으로 단축하고 있을 뿐만 아니라, 도포 처리부(84)와 기류 건조 유닛(KD)(46) 사이에 반출부(212, 도 8)를 갖고 있지 않으므로, 도포 처리실(80)의 대폭적인 공간 절약화와 풋프린트의 대폭적인 축소화를 실현하고 있다. 물론, 도포 처리실(80)의 공간 절약화는 FFU(118)의 사용 대수의 절감으로도 연결된다.

또한, 도포 처리 중에는, 상기와 같이 레지스트 노즐(100)이 기판(G) 상의 레지스트 도포막(RM)을 도포 처리실(80) 내의 분위기, 특히 FFU(118)로부터 다운 플로우로 공급되는 에어의 기류로부터 차단한다. 이때, 레지스트 노즐(100)의 토출구를 경계로 하여 하류측[반출구(80b)]의 압력이 상류측(다운 플로우의 기류)의 압력보다도 낮아지면, 노즐 토출구로부터 띠 형상으로 나온 레지스트액이 기판(G) 상에 도포될 때의 액막 형성 메커니즘이 흐트러져, 레지스트 도포막(RM)의 막질이 악화될 우려가 있다.

본 실시 형태에서는, 레지스트 노즐(100)이 도포 처리용 레지스트 토출 위치에 있을 때와, 레지스트 노즐(100)이 도포 처리의 동안에 레지스트 토출 위치를 벗어나 있을 때에, 기류 건조 유닛(KD)(46)측에서 급기부(144)로부터 공급하는 건조용 가스의 유량을 제어부(160)의 제어 하에서 전환하도록 하고 있다. 특히, 상기와 같이, 도포 처리 중에 레지스트 노즐(100)의 토출구를 경계로 하여 하류측의 압력이 상류측의 압력보다도 낮아지는 경우에는, 급기부(144)의 건조용 가스 분사량을 한층 증가시켜, 레지스트 노즐(100)의 하류측의 압력이 상류측의 압력보다도 낮아지지 않도록 하고 있다. 이 압력 밸런스 제어를 위해, 압력 센서(도시하지 않음)를 사용하여 압력 피드백 제어를 행해도 좋다.

또한, 도포 처리 중에는 상기와 같이 레지스트 노즐(100)이 벽으로 되어 도포 처리실(80)의 분위기와 건조 처리실(136)의 분위기가 차단된다. 레지스트 노즐(100)이 도포 처리의 동안에 레지스트 토출 위치를 벗어나 있을 때라도, 도포 처리실(80)의 분위기와 건조 처리실(136)의 분위기를 차단하기 위해, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 격벽(138)에 인접하여 셔터(162)를 적절하게 설치할 수 있다.

이 셔터(162)는, 예를 들어 건조 처리실(136) 내에서 격벽(138)에 설치된 셔터 구동부(164)와, 이 셔터 구동부(164)의 승강 구동에 의해 건조 처리실(136)의 반입구(136a)의 개폐를 행하는 셔터판(166)을 구비하고 있다.

도포 처리 중에 기판(G)을 도포 처리실(80)로부터 건조 처리실(136)로 옮기는 동안은 셔터(162)가 셔터판(166)을 올려서 개방 상태로 되고(도 6), 레지스트 노즐(100)이 도포 처리의 동안에 레지스트 토출 위치를 벗어나 있는 동안은 셔터(162)가 셔터판(166)을 내려서 폐쇄 상태로 되어, 셔터판(166)에 의해 도포 처리실(80)의 분위기와 건조 처리실(136)의 분위기를 차단한다(도 7).

이상 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 기술적 사상의 범위 내에서 다른 실시 형태 혹은 다양한 변형이 가능하다.

예를 들어, 상기한 실시 형태에서는, 기류 건조 유닛(KD)(46) 내의 건조 처리에 오로지 건조용 가스의 기류를 사용하였지만, 히터에 의한 가열을 기류 건조와 병용하는 것도 가능하거나, 혹은 상압 분위기 하에서 기판을 평류로 이동시키면서 기판 상의 도포막을 기판의 이면측으로부터 상온보다도 낮은 온도로 차갑게 하면서 건조시키는 방법도 사용 가능해, 기본적으로는 평류 방식의 임의의 상압 건조법을 사용할 수 있다.

또한, 기류 건조 유닛(KD)(46) 대신에, 평류 방식의 감압 건조 유닛을 사용하는 것도 가능하다. 그 경우, 평류 반송으로 기판을 감압 건조 유닛 내로 반입했다면, 그곳에서 기판 반송을 정지한다. 그리고, 감압 건조 유닛의 처리실(챔버)을 밀폐하여 감압 건조를 실행하고, 감압 건조의 종료 후에 처리실(챔버)을 해방하여, 처리 완료된 기판을 평류 반송에 의해 반출하도록 해도 좋다.

기류 건조 유닛(KD)(46) 혹은 그 대용의 평류 방식의 건조 유닛에 있어서, 평류용 반송로는 롤러 반송로로 한정되지 않고, 예를 들어 부상 스테이지로 구성하는 것도 가능하다.

레지스트 도포 유닛(COAT)(44)의 도포 처리실(80)과 기류 건조 유닛(KD)(46)의 건조 처리실(136)이 간극 또는 스페이스를 두고 분리되어 있어도 좋다.

레지스트 도포 유닛(COAT)(44) 내의 각 부도 다양한 변형이 가능해, 예를 들어 반입부(82)와 도포 처리부(84) 사이에 격벽을 설치하거나, 혹은 각각 별도의 실로 설치하는 것도 가능하다.

또한, 기류 건조 유닛(KD)(46)과 프리베이크 유닛(PRE-BAKE)(48) 사이에, 감압 건조 유닛을 배치해도 좋다. 기류 건조 유닛(KD)(46)에서 레지스트액의 도포막(RM)이 어느 정도 건조되어 있으면, 감압 건조 유닛에서의 도포 불균일이 생기기 어려워진다. 또한, 기류 건조 유닛(KD)(46)에서의 처리에 이어서, 감압 건조 처리를 행하므로, 프로세스적인 마진을 가질 수 있다. 또한, 감압 건조 유닛을 배치하지 않은 경우와 비교하면, 프리베이크 유닛의 불균일이 생기지 않는 레벨까지 필요한 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 노즐 리프레쉬부(116)에는 팬 필터 유닛(FFU)(118)으로부터의 바람이 직접 닿지 않으므로, 노즐 리프레쉬부가 건조되어, 파티클의 발생의 원인으로 되는 경우도 없다. 또한, 도 3의 반입 스테이지(86)를 설치하지 않아도 좋고, 또한 도포 처리실(80)의 길이를 단축할 수 있고, 또한 장치의 풋프린트를 작게 할 수 있다. 또한, 셔터(162) 대신에, 에어 커튼을 사용해도 좋다. 또한, 셔터 구동부(164)를, 기판(G)을 반송하는 높이보다 하방에 배치해도 좋고, 이와 같이 배치함으로써, 셔터 구동부(164)에서 발생한 파티클이 기판(G)으로 낙하하여 영향을 미치는 경우는 없다. 또한, 도포 처리실(80) 내와 건조 처리실(136) 내의 기압을 비교하면, 도포 처리실(80)의 쪽이, 건조 처리실(136)보다 상대적으로 기압이 높아지도록 설정하는 것이 좋고, 이와 같이 설정함으로써, 도포 처리실(80)로부터 건조 처리실(136)을 향해 기류가 형성되어, 유기 용제 분위기가 도포 처리실(80)로부터 외부로 누설되는 경우가 없다.

본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD용 글래스 기판으로 한정되는 것은 아니고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 처리 대상의 도포액도 레지스트액으로 한정되지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액도 가능하다.

Claims

피처리 기판 상에 소정의 처리액을 도포하기 위한 제1 처리실과,
상기 기판 상에 형성된 직후의 상기 처리액의 도포막을 건조시키기 위해, 상기 제1 처리실의 옆에 설치되는 제2 처리실과,
상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실을 구획하는 격벽과,
상기 제1 처리실 및 제2 처리실을 종단하여 상기 기판을 수평한 평류로 반송하는 기판 반송부와,
상기 기판 반송부에 의한 평류 반송으로 상기 제1 처리실 내를 이동하는 상기 기판 상에 처리액을 공급하여 처리액의 도포막을 형성하기 위해, 상기 격벽에 근접하여 배치되는 노즐을 갖고,
상기 기판 반송부가, 상기 제1 처리실 내에 부설되는 제1 평류 반송로와, 상기 제2 처리실 내에 부설되는 제2 평류 반송로를 갖고,
상기 기판 반송부가, 상기 제1 평류 반송로 상에서 상기 기판을 반송하기 위한 제1 반송 기구와, 상기 제2 평류 반송로 상에서 상기 기판을 반송하기 위한 제2 반송 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 제1 처리실에 청정한 공기를 다운 플로우로 공급하는 제1 급기부와, 상기 제1 처리실 내를 배기하는 제1 배기부를 갖는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 처리실 내에서 상기 기판 상의 처리액의 도포막을 상압의 분위기 하에서 기류에 노출시켜 건조시키는 기류 건조부를 갖는, 기판 처리 장치.
제3항에 있어서, 상기 기류 건조부는 상기 격벽에 근접하여 배치되어, 상기 기판 반송부에 의한 평류 반송으로 상기 제2 처리실 내를 통과하는 상기 기판을 향해 상방으로부터 건조용 가스를 공급하는 제2 급기부를 갖는, 기판 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 기류 건조부는 상기 건조용 가스를 포함하는 상기 제2 처리실 내의 기체를 실외로 배출하기 위해, 기판 반송 방향에 있어서 상기 급기부의 하류측에 배치되는 제2 배기부를 갖는, 기판 처리 장치.
제3항에 있어서, 상기 기류 건조부는 상기 노즐이 도포 처리용의 제1 위치에 있을 때와, 상기 노즐이 비도포 처리 시에 상기 제1 위치보다도 높은 제2 위치에 있을 때에, 상기 제2 급기부로부터 공급하는 건조용 가스의 유량을 전환하는, 기판 처리 장치.
제6항에 있어서, 상기 건조용 가스의 공급 유량은 상기 노즐이 상기 제1 위치에 있을 때의 유량에 대해, 비도포 처리 시에 상기 제2 위치에 있을 때의 유량이 큰, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 격벽에 근접하여 설치되어, 상기 기판을 상기 제1 처리실로부터 상기 제2 처리실로 옮기는 동안은 개방 상태로 되고, 상기 노즐이 도포 처리용의 제1 위치보다도 높은 제2 위치에 있는 동안은 폐쇄 상태로 되어 상기 제1 처리실의 분위기와 상기 제2 처리실의 분위기를 차단하는 셔터를 갖는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 노즐을 소정의 방향 또는 경로에서 이동시키기 위한 노즐 이동 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
제9항에 있어서, 상기 노즐 이동 기구가, 상기 노즐을, 도포 처리를 위한 제1 위치와, 도포 처리의 동안에 상기 노즐의 기능을 리프레쉬하기 위한 제3 위치 사이에서 이동시키는, 기판 처리 장치.
제10항에 있어서, 상기 노즐의 기능을 리프레쉬하기 위한 노즐 리프레쉬부가, 상기 제1 처리실의 옆에서 상기 제2 처리실로부터 이격된 제3 실 내에 설치 또는 배치되는, 기판 처리 장치.
제11항에 있어서, 상기 제3 실이 상기 제2 처리실 상에 설치되는, 기판 처리 장치.
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