JP7029248B2 - レジスト膜付マスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、レジスト膜付マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及びレジスト膜付マスクブランク等に関する。
ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）においては、遮光性膜、半透光性膜、位相シフト膜などの転写パターン形成用薄膜上に、レジスト膜が形成される。このレジスト膜は、前記薄膜のエッチング時にエッチングマスクとして使用される。しかし、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、レジスト膜を形成すべき前記薄膜表面の面積が大きいため、例えばＬＳＩ用のマスクブランク等と比べ、レジスト膜の塗布ムラや、面内膜厚均一性の悪化が生じやすい。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれる。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれる。
このような実情に鑑み、ＦＰＤ用のマスクブランク及びフォトマスクの製造分野において、例えば、「ＣＡＰコーター」と通称される塗布装置が使用されている。この「ＣＡＰコーター」においては、液体状のレジスト剤が溜められた液槽に毛管状隙間を有する塗布ノズルを沈めておき、一方、被塗布面を下方に向けた姿勢で吸着板（サクションプレート：Suction plate）によって基板を保持しておき、次に、塗布ノズルをレジスト剤中より上昇させてこの塗布ノズルの上端部を基板の被塗布面に近接させる。すると、液槽に溜められた液体状のレジスト剤が塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇され、このレジスト剤が塗布ノズルの上端部を介して基板の被塗布面に接液される。このようにレジスト剤が被塗布面に接液した状態において、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置（塗布ギャップＧの位置）まで下降させる。この状態で、塗布ノズル及び被塗布面を被塗布面の全面に亘って相対的に走査させることにより、被塗布面の全面に亘ってレジスト剤の塗布膜が形成される。
ところで、上記のようなＣＡＰコーターを用いた場合であっても、さらなる高精度パターンへの要求等に答えるためには、さらなる膜厚の均一性を追求する必要がある。そのために、塗布後の乾燥に際して面内の乾燥ムラの発生を防止することは、膜厚の均一性を向上させる上で重要な要素となる。
そこで、本願出願人は、クリーンルーム内のダウンフローの気流による乾燥ムラによるレジスト膜の膜厚ムラを防止するために、基板の被塗布面を下向き保持した状態で、基板を一定速度で移動させながら乾燥する際に、被塗布面の下方からレジスト膜に向かって清浄気体を供給することにより、ダウンフローが被塗布面に回り込むのを抑制するレジスト塗布方法（特許文献１）や、塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して設置された整流板（ラミナプレート：Lamina plate）を設け、前記塗布面と前記整流板との間に清浄気体を供給し、乾燥させるレジスト塗布方法（特許文献２）を開発し、先に出願を行っている。
特開２００３－１１２０９９号公報
特開２００８－２５７０８７号公報
そこで、本願出願人は、クリーンルーム内のダウンフローの気流による乾燥ムラによるレジスト膜の膜厚ムラを防止するために、基板の被塗布面を下向き保持した状態で、基板を一定速度で移動させながら乾燥する際に、被塗布面の下方からレジスト膜に向かって清浄気体を供給することにより、ダウンフローが被塗布面に回り込むのを抑制するレジスト塗布方法（特許文献１）や、塗布されたレジスト剤の乾燥は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して設置された整流板（ラミナプレート：Lamina plate）を設け、前記塗布面と前記整流板との間に清浄気体を供給し、乾燥させるレジスト塗布方法（特許文献２）を開発し、先に出願を行っている。
ところが、上記のような方法を適用した場合に、乾燥ムラは効果的に抑制できるものの、特に、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の８５１２サイズ（８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）、８５１４サイズ（８５０ｍｍ×１４００ｍｍ）、１２１４サイズ（１２２０ｍｍ×１４００ｍｍサイズ）等といった比較的大きなサイズの基板を使用する場合には、ＣＡＰコーターに特有の塗布ムラ（スタートムラ、スモールラインムラ（Small line mura）、以下適宜スモールラインムラと称す）と呼ばれるムラが顕著に発生する。このスモールラインムラの写真を図１に示す。このスモールラインムラは、図２に示すように、基板の塗布開始位置近辺で発生し、具体的には、基板の一端（一辺）から塗布方向に向かって１００ｍｍから２５０ｍｍの範囲に亘って発生する。このムラは、塗布方向（図中の矢印の方向）と同じ方向（平行な方向）に延びる細い線状のムラ（ライン状のムラ）である。このムラは、一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルの全域に亘って、複数（例えば数十本程度）連続して発生する。なお、図１は、図２中で黒色の丸で示した部分の写真である。
スモールラインムラは、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターンにおいて、局所的にＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を悪化させ、その結果、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）の要求値を満たさないという問題が発生した。この問題は、微細パターン、複雑なパターン配置が要求されるＯＬＥＤ製造用のフォトマスクの場合に顕著に問題が発生した。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の大きなサイズの基板を使用する場合であっても、ＣＡＰコーター等のスリット状の塗布ノズルから液状のレジスト剤を吐出し、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する際に発生する特有の塗布ムラであるスモールラインムラを低減することにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下のフォトマスクが作製できるマスクブランク及びその製造方法の提供を目的とする。さらに、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性が３０ｎｍ以下であって、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下のフォトマスクが作製できるマスクブランク及びその製造方法等の提供を目的とする。
本発明者は鋭意研究した結果、ＣＡＰコーター等のスリット状の塗布ノズルから液状のレジスト剤を吐出し、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する際に発生する特有のスモールラインムラと呼ばれる塗布膜厚のバラつきは、接液工程における塗布ノズルの昇降速度を極限まで速くする（例えば１０秒以下と昇降時間を極限まで短くする）ことで、低減できることを知見した（対策１）。具体的には、レジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクにおいて、フォトマスク全体のＣＤ均一性が１００ｎｍ以下という厳しい規格を満たすレベルまでスモールラインムラを低減するのに有効な手段であることを知見した。このとき、スモールラインムラの目視による濃さは、この対策を施さない場合に比べ、相対的に薄くできることを知見した。
本発明者はさらに研究を進めた結果、塗布ノズル（又はノズルタンクの上面部）と整流板との隙間を埋めることによって、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たること等を低減でき、スモールラインムラをさらに低減できることを知見した（対策２）。具体的には、上記の厳しい規格（フォトマスク全体のＣＤ均一性が１００ｎｍ以下）を満たすレベルまでスモールラインムラを低減するのに有効な手段であることを知見した。
さらに、本発明者は、上記の対策１、２の双方を適用した場合において、上記の厳しい規格を満たすようにスモールラインムラを低減できることを知見した。
本発明者はさらに研究を進めた結果、塗布ノズル（又はノズルタンクの上面部）と整流板との隙間を埋めることによって、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たること等を低減でき、スモールラインムラをさらに低減できることを知見した（対策２）。具体的には、上記の厳しい規格（フォトマスク全体のＣＤ均一性が１００ｎｍ以下）を満たすレベルまでスモールラインムラを低減するのに有効な手段であることを知見した。
さらに、本発明者は、上記の対策１、２の双方を適用した場合において、上記の厳しい規格を満たすようにスモールラインムラを低減できることを知見した。
本発明者はさらに研究を進めた。その結果、上記の対策１、２の双方を適用した場合であっても、微細パターン、複雑なパターン配置が要求されるＯＬＥＤ製造用のフォトマスクを作製する場合における、例えば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下という最も厳しい規格を満たすフォトマスクを得ようとする場合は問題となることを知見した。
基板のサイズにかかわらず、特に、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の大きなサイズの基板において、ＣＡＰコーター等のスリット状の塗布ノズルから液状のレジスト剤を吐出し、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する際に発生する特有の塗布ムラであるスモールラインムラが目視で観察（認識）されない基板は未だ得られていない。
本発明者はさらに詳細に研究を進めた。その結果、以下のことを解明した。
（１）上記の対策１、２の双方を適用して作製されたレジスト膜付マスクブランクを使用し、フォトマスクを作製した場合において、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合においては、上記の最も厳しい規格（フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下）を満たすフォトマスクの取得率が低下することを知見した。特に、基板の短辺の長さが１２００ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合は、最も厳しい規格を満たすフォトマスクを得ることができなかった。このため、各種の条件を変えて原因を追及した。その過程で、基板サイズが相対的に大きいほど、特に基板における塗布方向の長さ（図２の横方向の長さ）が長いほど、塗布方向の長さが相対的に短い場合に比べ、スモールラインムラは相対的に大きく（濃く）なり、上記の最も厳しい規格を満たすフォトマスクの取得率が低いことを知見した。
（２）基板における塗布ノズルの長さ方向（図２の縦方向）の長さの違いは、取得率にほとんど影響しないことを知見した。
（１）上記の対策１、２の双方を適用して作製されたレジスト膜付マスクブランクを使用し、フォトマスクを作製した場合において、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合においては、上記の最も厳しい規格（フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下）を満たすフォトマスクの取得率が低下することを知見した。特に、基板の短辺の長さが１２００ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合は、最も厳しい規格を満たすフォトマスクを得ることができなかった。このため、各種の条件を変えて原因を追及した。その過程で、基板サイズが相対的に大きいほど、特に基板における塗布方向の長さ（図２の横方向の長さ）が長いほど、塗布方向の長さが相対的に短い場合に比べ、スモールラインムラは相対的に大きく（濃く）なり、上記の最も厳しい規格を満たすフォトマスクの取得率が低いことを知見した。
（２）基板における塗布ノズルの長さ方向（図２の縦方向）の長さの違いは、取得率にほとんど影響しないことを知見した。
（３）基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上であって、相対的にサイズが大きい基板ほど（塗布方向の長さが相対的に長くなる基板ほど）、整流板の露出面積が増大し（図４はこの状態を示す）、クリーンルームやクリーンブースの天井からのダウンフローが整流板に当たり四方に散らばりその一部が塗布ノズルに流れ込む量が大きくなる（図５参照）。このためスモールラインムラが相対的に大きく（濃く）なり、上記の最も厳しい規格を満たすフォトマスクの取得率が低くなる、もしくは最も厳しい規格を持たすフォトマスクが得られないことを本発明者は解明した。
（４）クリーンルームやクリーンブースの天井からのダウンフローを制御し、天井からのダウンフローが整流板に当たり四方に散らばりその一部が塗布ノズルに流れ込む量を制御する（相対的に低減する）ことによって、スモールラインムラを相対的に低減できることを本発明者は解明した（図５参照）。
（５）後述する、所定のタイミングで、所定の気流制御を行うことによって、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上であって、基板サイズが相対的に大きい場合（塗布方向の長さが相対的に長い場合）であっても、最も厳しい規格を満たすフォトマスクの取得率を９０％以上に改善でき、取得率１００％の実現も可能であることを知見した。特に、基板の短辺の長さが１２００ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合、最も厳しい規格を満たすフォトマスクは取得困難な状況（取得率０％）から、取得率を９０％以上に改善でき、取得率１００％の実現も可能であることを知見した。
（４）クリーンルームやクリーンブースの天井からのダウンフローを制御し、天井からのダウンフローが整流板に当たり四方に散らばりその一部が塗布ノズルに流れ込む量を制御する（相対的に低減する）ことによって、スモールラインムラを相対的に低減できることを本発明者は解明した（図５参照）。
（５）後述する、所定のタイミングで、所定の気流制御を行うことによって、基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上であって、基板サイズが相対的に大きい場合（塗布方向の長さが相対的に長い場合）であっても、最も厳しい規格を満たすフォトマスクの取得率を９０％以上に改善でき、取得率１００％の実現も可能であることを知見した。特に、基板の短辺の長さが１２００ｍｍ以上の大きなサイズの基板の場合、最も厳しい規格を満たすフォトマスクは取得困難な状況（取得率０％）から、取得率を９０％以上に改善でき、取得率１００％の実現も可能であることを知見した。
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）
一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルから液体状のレジスト剤を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
前記基板は、矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜が形成された基板であって、
少なくとも、前記塗布ノズルから吐出させた前記レジスト剤を前記パターン形成用薄膜が形成された側の前記基板の被塗布面に接液させる接液工程における一部の工程又は全部の工程において、
少なくとも、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とするレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成２）
前記接液工程、および前記レジスト剤塗布工程を行うレジスト塗布装置に設置された気流を遮る手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１に記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成３）
前記レジスト塗布装置がクリーンブースまたはクリーンルームに設置されており、気流を吸引する手段、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に排出する手段、または、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段のうち少なくとも一つの手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１または２に記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成４）
前記レジスト塗布装置がクリーンブースまたはクリーンルームに設置されており、クリーンブース内またはクリーンルーム内に供給する気流の供給量を変える手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成５）
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト剤が基板の被塗布面に接液された状態で、前記液槽及び塗布ノズルを所定の塗布高さの位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有することを特徴とする構成１から４のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成６）
構成１から５のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法によって得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（構成１）
一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルから液体状のレジスト剤を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
前記基板は、矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜が形成された基板であって、
少なくとも、前記塗布ノズルから吐出させた前記レジスト剤を前記パターン形成用薄膜が形成された側の前記基板の被塗布面に接液させる接液工程における一部の工程又は全部の工程において、
少なくとも、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とするレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成２）
前記接液工程、および前記レジスト剤塗布工程を行うレジスト塗布装置に設置された気流を遮る手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１に記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成３）
前記レジスト塗布装置がクリーンブースまたはクリーンルームに設置されており、気流を吸引する手段、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に排出する手段、または、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段のうち少なくとも一つの手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１または２に記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成４）
前記レジスト塗布装置がクリーンブースまたはクリーンルームに設置されており、クリーンブース内またはクリーンルーム内に供給する気流の供給量を変える手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする構成１から３のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成５）
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト剤が基板の被塗布面に接液された状態で、前記液槽及び塗布ノズルを所定の塗布高さの位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有することを特徴とする構成１から４のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法。
（構成６）
構成１から５のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクの製造方法によって得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（構成７）
矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜と、レジスト膜がこの順に形成されたレジスト膜付マスクブランクにおいて、
前記レジスト膜の膜厚分布は異方性を有し、且つ、前記基板端面のうち一つの辺から対向する辺に向かって延びる線状ムラを有しており、
前記線状ムラは、該線状ムラが延びる方向に対して垂直な方向に光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチで前記レジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う測定点での前記レジスト膜厚の差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とするレジスト膜付マスクブランク。
（構成８）
前記線状ムラは、光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチでレジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値との差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とする構成７記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成９）
前記線状ムラは、前記線状ムラが生じる側の前記基板端面から１００ｍｍ内側の位置で測定されたものであることを特徴とする構成７または８に記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１０）
前記レジスト膜の面内における膜厚の最大値と最小値の差（面内膜厚均一性）が２００オングストローム以下であることを特徴とする構成７から９のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１１）
前記パターン形成用薄膜は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下であることを特徴とする構成７から１０のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１２）
前記矩形状の透明基板の短辺の長さは８５０ｍｍ以上であることを特徴とする構成７から１１のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１３）
構成７から１２のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜と、レジスト膜がこの順に形成されたレジスト膜付マスクブランクにおいて、
前記レジスト膜の膜厚分布は異方性を有し、且つ、前記基板端面のうち一つの辺から対向する辺に向かって延びる線状ムラを有しており、
前記線状ムラは、該線状ムラが延びる方向に対して垂直な方向に光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチで前記レジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う測定点での前記レジスト膜厚の差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とするレジスト膜付マスクブランク。
（構成８）
前記線状ムラは、光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチでレジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値との差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とする構成７記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成９）
前記線状ムラは、前記線状ムラが生じる側の前記基板端面から１００ｍｍ内側の位置で測定されたものであることを特徴とする構成７または８に記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１０）
前記レジスト膜の面内における膜厚の最大値と最小値の差（面内膜厚均一性）が２００オングストローム以下であることを特徴とする構成７から９のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１１）
前記パターン形成用薄膜は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下であることを特徴とする構成７から１０のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１２）
前記矩形状の透明基板の短辺の長さは８５０ｍｍ以上であることを特徴とする構成７から１１のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。
（構成１３）
構成７から１２のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
本発明によれば、上記の対策１、２の双方を適用した場合に比べ、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラの低減効果がさらに得られるように、レジスト剤を塗布できる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラに関し、スモールラインムラの程度の改善（低減）と、スモールラインムラの発生率の改善（低減）ができるように、レジスト剤を塗布できる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラが目視で観察されないように、レジスト剤を塗布できる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラが目視で観察されない程度まで低減されたレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
本発明によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
本発明によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下のフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラに関し、スモールラインムラの程度の改善（低減）と、スモールラインムラの発生率の改善（低減）ができるように、レジスト剤を塗布できる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラが目視で観察されないように、レジスト剤を塗布できる工程を有するマスクブランクの製造方法等を提供できる。
本発明によれば、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラが目視で観察されない程度まで低減されたレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
本発明によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
本発明によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下のフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクを提供できる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のレジスト膜付マスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルから液体状のレジスト剤を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
前記基板は、矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜が形成された基板であって、
少なくとも、塗布ノズルから吐出させたレジスト剤を前記パターン形成用薄膜が形成された側の前記基板の被塗布面に接液させる接液工程における一部の工程又は全部の工程において、
少なくとも、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする（構成１）。
本発明のレジスト膜付マスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルから液体状のレジスト剤を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
前記基板は、矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜が形成された基板であって、
少なくとも、塗布ノズルから吐出させたレジスト剤を前記パターン形成用薄膜が形成された側の前記基板の被塗布面に接液させる接液工程における一部の工程又は全部の工程において、
少なくとも、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御することを特徴とする（構成１）。
本発明では、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御して（意図的に変化させて、意図的に低減して）接液を行うことによって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
気流の制御は、スモールラインムラを効果的に低減できるように行う。
本発明では、所定の気流制御によって、スモールラインムラの程度の改善（低減）と、スモールラインムラの発生率の改善（低減）が達成できる。
また、本発明では、所定の気流制御によって、スモールラインムラの程度の改善（低減）とスモールラインムラの発生率の改善（低減）されることにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性が良好（具体的には、３０ｎｍ以下）なフォトマスクが得られるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。そしてさらに、局所的な領域におけるＣＤ均一性が良好であることに起因して、フォトマスク全体のＣＤ均一性が良好（具体的には、６０ｎｍ以下）なフォトマスクが得られるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。
本発明では、基板にレジスト剤を塗布する毎に、常に一定の安定した気流状態を確実に再現できるような気流制御手段を採用することが好ましい。
気流の制御は、スモールラインムラを効果的に低減できるように行う。
本発明では、所定の気流制御によって、スモールラインムラの程度の改善（低減）と、スモールラインムラの発生率の改善（低減）が達成できる。
また、本発明では、所定の気流制御によって、スモールラインムラの程度の改善（低減）とスモールラインムラの発生率の改善（低減）されることにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性が良好（具体的には、３０ｎｍ以下）なフォトマスクが得られるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。そしてさらに、局所的な領域におけるＣＤ均一性が良好であることに起因して、フォトマスク全体のＣＤ均一性が良好（具体的には、６０ｎｍ以下）なフォトマスクが得られるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。
本発明では、基板にレジスト剤を塗布する毎に、常に一定の安定した気流状態を確実に再現できるような気流制御手段を採用することが好ましい。
本発明では、少なくとも、塗布ノズル周辺の気流について、所定の気流制御（調整）を行う。
塗布ノズル周辺およびその周辺とは、例えば、図６に示すように、「塗布ノズル周辺
」は、ノズルタンク１ｂの上面部、塗布ノズル１ａの先端部、塗布ノズル１ａ先端部と前記基板１０の被塗布面との間、塗布ノズル１ａ周辺６であり、「塗布ノズル周辺」の周辺は、前記「塗布ノズル周辺」のそれぞれの周辺、例えば周辺７である。
塗布ノズル近辺およびその周辺とは、例えば、図６に示すように、整流板２と吸着板３の吸着部３ｂとの間の空間が塗布ノズル近辺５であり、整流板２と吸着板３の羽３ａとの間の空間が「塗布ノズル近辺」の周辺４である。
塗布ノズル周辺およびその周辺とは、例えば、図６に示すように、「塗布ノズル周辺
」は、ノズルタンク１ｂの上面部、塗布ノズル１ａの先端部、塗布ノズル１ａ先端部と前記基板１０の被塗布面との間、塗布ノズル１ａ周辺６であり、「塗布ノズル周辺」の周辺は、前記「塗布ノズル周辺」のそれぞれの周辺、例えば周辺７である。
塗布ノズル近辺およびその周辺とは、例えば、図６に示すように、整流板２と吸着板３の吸着部３ｂとの間の空間が塗布ノズル近辺５であり、整流板２と吸着板３の羽３ａとの間の空間が「塗布ノズル近辺」の周辺４である。
本発明では、レジスト剤塗布工程中の下記（１）、（２）および（３）の各期間（以下適宜、所定の制御期間と称す）において、所定の気流制御を行う態様が含まれる。これらの場合、塗布ノズル周辺の気流を所定の制御期間に適した状態に制御する。
（１）本発明では、前記接液工程における一部の工程又は全部の工程において、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
本発明では、「接液工程における一部の工程」を含む工程又は「接液工程における全部の工程」を含む工程において、所定の気流制御を行ってもよい。気流制御の際に、気流の変化に要する時間、および気流の安定に要する時間等を考慮し、気流制御を行う工程の前後に時間的な余裕を持たせる必要がある場合がある。
（２）本発明では、少なくとも塗布開始から一定の時間、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
塗布開始から一定の時間は、塗布工程（塗布進行）の初期であって、スモールラインムラが生じる時間である。この時間より長い時間とすることで、時間的な余裕を持たせることも可能である。基板サイズなどによるので一概に言えないが、塗布開始から一定の時間は、例えば、塗布開始から１８０秒以内、好ましくは１２０秒以内、さらに好ましくは６０秒以内、より好ましくは３０秒以内である。
（３）本発明では、前記接液工程から、塗布開始後の前記一定の時間までの間、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
（１）本発明では、前記接液工程における一部の工程又は全部の工程において、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
本発明では、「接液工程における一部の工程」を含む工程又は「接液工程における全部の工程」を含む工程において、所定の気流制御を行ってもよい。気流制御の際に、気流の変化に要する時間、および気流の安定に要する時間等を考慮し、気流制御を行う工程の前後に時間的な余裕を持たせる必要がある場合がある。
（２）本発明では、少なくとも塗布開始から一定の時間、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
塗布開始から一定の時間は、塗布工程（塗布進行）の初期であって、スモールラインムラが生じる時間である。この時間より長い時間とすることで、時間的な余裕を持たせることも可能である。基板サイズなどによるので一概に言えないが、塗布開始から一定の時間は、例えば、塗布開始から１８０秒以内、好ましくは１２０秒以内、さらに好ましくは６０秒以内、より好ましくは３０秒以内である。
（３）本発明では、前記接液工程から、塗布開始後の前記一定の時間までの間、所定の気流制御を行う態様が含まれる。
本発明では、接液工程の後に塗布工程（塗布進行工程）が開始される。被塗布面へのレジスト剤の塗布時および塗布後では、例えば乾燥に適した気流制御を行うことが好ましい。例えば、塗布開始（または塗布開始から一定の時間を経過した後）から塗布終了までは、レジスト剤をむらなく乾燥させるために適した気流制御を行うことが好ましい。
本発明では、待機時等は例えばクリーンブースまたはクリーンルームの作用機能の十分な発揮に適した気流制御を行うことが好ましい。
本発明では、所定の気流制御を行う所定の制御期間を除く工程、例えば、塗布開始（または塗布開始から一定の時間を経過した後）から塗布終了までの工程と、次の接液工程が行われるまでの工程（例えば待機時等の工程）と、において、同じ気流制御（例えば、乾燥に適した気流制御や、クリーンブースまたはクリーンルームの作用機能の十分な発揮に適した気流制御）を行うことができる。これによると、気流の制御が容易である。
本発明では、待機時等は例えばクリーンブースまたはクリーンルームの作用機能の十分な発揮に適した気流制御を行うことが好ましい。
本発明では、所定の気流制御を行う所定の制御期間を除く工程、例えば、塗布開始（または塗布開始から一定の時間を経過した後）から塗布終了までの工程と、次の接液工程が行われるまでの工程（例えば待機時等の工程）と、において、同じ気流制御（例えば、乾燥に適した気流制御や、クリーンブースまたはクリーンルームの作用機能の十分な発揮に適した気流制御）を行うことができる。これによると、気流の制御が容易である。
図３は、接液工程（その準備工程を含む）から塗布工程（塗布の開始、進行、終了を含む）までの塗布（コーティング）プロセスのフロー（工程）を示す。
図３に示すように、塗布プロセスは、転写パターン形成用薄膜が形成されたガラス基板の吸着（転写パターン形成用薄膜が形成されてない側のガラス基板を吸着する）、ノズルタンク上面のシャッターオープン、塗布ノズルを所定の高さ位置まで移動、塗布ノズルの先端部とガラス基板主表面までの距離測定、接液開始、塗布開始、塗布終了の順に進む。
このうち、ノズルタンク上面のシャッターオープンから塗布開始までが接液工程（全工程）である。所定の気流制御は、接液工程の一部で行う場合は、例えば、（１）「接液開始（特に接液の瞬間）」またはその前後に時間的な余裕を持たせた期間、（２）「接液開始から塗布開始まで」またはその前後に時間的な余裕を持たせた期間、で実施できる。
塗布開始（または塗布開始から一定の時間を経過した後）から塗布終了まで（または塗布終了から一定の時間を経過したときまで）はクリーンブースやクリーンルーム内のダウンフロー（通常は常時オンである。）の気流による乾燥ムラによるレジスト膜の膜厚ムラを防止するために、塗布面と整流板との間に清浄気体を導入するためのＦＦＵ（例えば水平フロー）はオン（作動状態）とするのが好ましい（図３）。塗布面と整流板との間に清浄気体を導入するためのＦＦＵ（例えば水平フロー）は、塗布終了後や、ガラス基板の吸着からノズルタンク上面のシャッターオープン直前まで、の期間において、オン（作動状態）としてもよい。これらの場合において、クリーンブースやクリーンルーム内のダウンフローは、通常は常時オンとする。
図３に示すように、塗布プロセスは、転写パターン形成用薄膜が形成されたガラス基板の吸着（転写パターン形成用薄膜が形成されてない側のガラス基板を吸着する）、ノズルタンク上面のシャッターオープン、塗布ノズルを所定の高さ位置まで移動、塗布ノズルの先端部とガラス基板主表面までの距離測定、接液開始、塗布開始、塗布終了の順に進む。
このうち、ノズルタンク上面のシャッターオープンから塗布開始までが接液工程（全工程）である。所定の気流制御は、接液工程の一部で行う場合は、例えば、（１）「接液開始（特に接液の瞬間）」またはその前後に時間的な余裕を持たせた期間、（２）「接液開始から塗布開始まで」またはその前後に時間的な余裕を持たせた期間、で実施できる。
塗布開始（または塗布開始から一定の時間を経過した後）から塗布終了まで（または塗布終了から一定の時間を経過したときまで）はクリーンブースやクリーンルーム内のダウンフロー（通常は常時オンである。）の気流による乾燥ムラによるレジスト膜の膜厚ムラを防止するために、塗布面と整流板との間に清浄気体を導入するためのＦＦＵ（例えば水平フロー）はオン（作動状態）とするのが好ましい（図３）。塗布面と整流板との間に清浄気体を導入するためのＦＦＵ（例えば水平フロー）は、塗布終了後や、ガラス基板の吸着からノズルタンク上面のシャッターオープン直前まで、の期間において、オン（作動状態）としてもよい。これらの場合において、クリーンブースやクリーンルーム内のダウンフローは、通常は常時オンとする。
本発明では、例えば、前記所定の制御期間を除く時間における塗布ノズル周辺の気流の状態である気流の動線、気流の流速、および気流の流量に対し、前記所定の制御期間における塗布ノズル周辺の気流の状態である気流の動線、気流の流速、および気流の流量を、変更、変化、または低減、して接液および塗布を行う態様が含まれる。
気流を変化させる手段は、気流の向きを変える手段、気流の供給量を変える手段、気流の動線（軌跡）を変える手段、気流を遮る手段（シャッター、カーテン等）、気流を吸引する手段、気流を排気する手段、気流を塗布装置から遠ざける手段、等がある。
気流を変化させる手段は、基板の移動、塗布ノズルの動作などの塗布装置の動作は除かれる。
気流を変化させる手段は、気流の向きを変える手段、気流の供給量を変える手段、気流の動線（軌跡）を変える手段、気流を遮る手段（シャッター、カーテン等）、気流を吸引する手段、気流を排気する手段、気流を塗布装置から遠ざける手段、等がある。
気流を変化させる手段は、基板の移動、塗布ノズルの動作などの塗布装置の動作は除かれる。
本発明では、 気流を遮る手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御する態様が含まれる（構成２）。この方法は、簡便な手段である。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
例えば、前記接液工程中に、塗布ノズル近辺に可動式のシャッターを設けることによって、塗布ノズル周辺の気流（状態、動線、流速、流量）を制御（変更、変化、低減）する。
より具体的には、例えば、天井FFU（Fun filter unit）からのダウンフローが整流板ぶつかり塗布ノズル方向に流れる風を、図７に示すように、塗布ノズル部１と整流板２との間（塗布ノズル１ａに対し塗布進行方向の側の位置）に可動式のシャッター１３を設置し風を遮る方法が例示される。シャッターの代わりに、カーテン等で気流を遮ることも可能である。
本発明では、構成２と、後述する構成３や構成４とを組み合わせて実施できる。本発明では、構成２、構成３、構成４は、任意に組み合わせて実施できる。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
例えば、前記接液工程中に、塗布ノズル近辺に可動式のシャッターを設けることによって、塗布ノズル周辺の気流（状態、動線、流速、流量）を制御（変更、変化、低減）する。
より具体的には、例えば、天井FFU（Fun filter unit）からのダウンフローが整流板ぶつかり塗布ノズル方向に流れる風を、図７に示すように、塗布ノズル部１と整流板２との間（塗布ノズル１ａに対し塗布進行方向の側の位置）に可動式のシャッター１３を設置し風を遮る方法が例示される。シャッターの代わりに、カーテン等で気流を遮ることも可能である。
本発明では、構成２と、後述する構成３や構成４とを組み合わせて実施できる。本発明では、構成２、構成３、構成４は、任意に組み合わせて実施できる。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２の上方、または整流板２と吸着板３の双方の上方を、遮蔽手段で覆う態様が含まれる（図４参照）。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２が、吸着板３にぶつからないように水平方向に移動しつつ上昇し、吸着板３を一部覆う位置、または吸着板３の羽３ａと一部重なる位置に移動させ、塗布ノズル周辺の気流を制御する態様が含まれる。塗布のときは整流板２は元の位置に戻す（図４参照）。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２が、吸着板３にぶつからないように水平方向に移動しつつ上昇し、吸着板３を一部覆う位置、または吸着板３の羽３ａと一部重なる位置に移動させ、塗布ノズル周辺の気流を制御する態様が含まれる。塗布のときは整流板２は元の位置に戻す（図４参照）。
本発明では、内部にレジスト塗布装置が設置されたクリーンブース（Clean booth）またはクリーンルームにおいて、気流を吸引する手段、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に排出する手段、または、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段のうち少なくとも一つの手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御する態様が含まれる（構成３）。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
上記手法によれば、例えば、ダウンフローを利用しつつ、塗布ノズル周辺のみ「川の淀み」のような状態を作り出すことができる。この場合、クリーンブース内の陽圧（与圧）は保たれる。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
上記手法によれば、例えば、ダウンフローを利用しつつ、塗布ノズル周辺のみ「川の淀み」のような状態を作り出すことができる。この場合、クリーンブース内の陽圧（与圧）は保たれる。
気流を吸引する手段は、例えば、気流を吸引する装置で実施できる。気流を吸引する装置の吸引口等は、クリーンブース内部またはクリーンルーム内部や、クリーンブースの外周カーテンまたは外壁パネルや、クリーンルームの壁面に設置できる。
気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に排出する手段は、例えば、換気扇、排気ダクト、などの気流を排気する設置で実施できる。排気ダクトなどの排気口等は、クリーンブース内部またはクリーンルーム内部や、クリーンブースの外周カーテンまたは外壁パネルや、クリーンルームの壁面に設置できる。換気扇は、クリーンブースの外周カーテンまたは外壁パネルや、クリーンルームの壁面に設置できる。
気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段は、例えば、クリーンブースの外周カーテンをまくり上げることで実施できる。
また、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段は、例えば、クリーンブースの外周カーテンまたは外壁パネルにおいて、整流板に近い部分に、適度な高さ位置に、適度な大きさで開閉可能な開口を設け、この開口を接液工程時等に開き、気流を外に逃がすことで実施できる。
外周カーテンをまくり上げる箇所、および、開閉可能な開口を設ける箇所は、例えば、図４中の外周カーテンまたは外壁パネルにおける整流板２に近い箇所であって、図４中の手前側、奧側、右側の３方の箇所で実施できる。この場合、３方の箇所のうちのいずれか１箇所または複数箇所で実施できる。例えば、手前側のみ、奧側のみ、右側のみ、で実施できる。
外周カーテンをまくり上げる高さ位置、および、開閉可能な開口を設ける高さ位置は、適度な高さ位置（例えば整流板２の高さ位置を含む位置から下方側に亘る位置）とする。また、開閉可能な開口は、適度な大きさとする。
また、気流をクリーンブース外またはクリーンルーム外に逃がす手段は、例えば、クリーンブースの外周カーテンまたは外壁パネルにおいて、整流板に近い部分に、適度な高さ位置に、適度な大きさで開閉可能な開口を設け、この開口を接液工程時等に開き、気流を外に逃がすことで実施できる。
外周カーテンをまくり上げる箇所、および、開閉可能な開口を設ける箇所は、例えば、図４中の外周カーテンまたは外壁パネルにおける整流板２に近い箇所であって、図４中の手前側、奧側、右側の３方の箇所で実施できる。この場合、３方の箇所のうちのいずれか１箇所または複数箇所で実施できる。例えば、手前側のみ、奧側のみ、右側のみ、で実施できる。
外周カーテンをまくり上げる高さ位置、および、開閉可能な開口を設ける高さ位置は、適度な高さ位置（例えば整流板２の高さ位置を含む位置から下方側に亘る位置）とする。また、開閉可能な開口は、適度な大きさとする。
本発明では、レジスト塗布装置がクリーンブースまたはクリーンルームに設置されており、クリーンブース内またはクリーンルーム内に供給する気流の供給量を変える手段によって、前記塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御する態様が含まれる（構成４）。
例えば、図４に示す内部にレジスト塗布装置が設置されたクリーンブース２０において、整流板２の上方に位置するFFUユニット２１の一部、または、FFUユニット２１の全部を接液工程中に停止し気流を止めることにより、塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御する。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
FFUユニットによる送風を停止するだけで無く、FFUユニットによる送風を弱くする方法も適用できる。この場合、クリーンブース内の陽圧は保たれる。
図４に示すクリーンブース２０では、FFUユニット２１は、クリーンブース２０の天井の全面に設置されている。本発明ではこれに限らず、天井の一部にFFUユニットが設置されている場合であっても適用できる。本発明ではFFUユニットに限らず、公知の給気（サプライエア）手段を適用できる。
なお、本発明は、例えば、水平フロータイプ等のクリーンルーム等を採用する場合においても適用できなくはないが、気流の制御が複雑になる。
例えば、図４に示す内部にレジスト塗布装置が設置されたクリーンブース２０において、整流板２の上方に位置するFFUユニット２１の一部、または、FFUユニット２１の全部を接液工程中に停止し気流を止めることにより、塗布ノズル周辺の気流を前記接液工程に適した状態に制御する。
上記構成によって、気流の制御を行わない場合に比べ、スモールラインムラを低減できる。
FFUユニットによる送風を停止するだけで無く、FFUユニットによる送風を弱くする方法も適用できる。この場合、クリーンブース内の陽圧は保たれる。
図４に示すクリーンブース２０では、FFUユニット２１は、クリーンブース２０の天井の全面に設置されている。本発明ではこれに限らず、天井の一部にFFUユニットが設置されている場合であっても適用できる。本発明ではFFUユニットに限らず、公知の給気（サプライエア）手段を適用できる。
なお、本発明は、例えば、水平フロータイプ等のクリーンルーム等を採用する場合においても適用できなくはないが、気流の制御が複雑になる。
本発明においては、クリーンブースやクリーンルーム内のダウンフローは、通常は常時オン（供給量も通常一定）とする。上記構成４において所定の気流制御を行う所定の期間中は例外である。本発明では、構成４と、前述する構成２や構成３とを組み合わせて実施できる。
本発明では、クリーンブースは、装置周辺の気流を安定させる観点、装置周辺の気流を制御する観点、クリーンブース外部の影響受けないようにする観点、から使用することが好ましい。
本発明は、簡易クリーンブース、簡易クリーンルームや塗布装置専用の部屋を使用する場合についても適用可能である。
垂直層流(ダウンフロー)方式は、天井全面（例えばクリーンルームの天井３０全面やクリーンブース２０の天井２３全面）にFFUを設置し、天井から床面へ垂直方向に清浄空気（例えば３１や２２）を流し、床面全面（例えば３２）で吸込み循環する（図４参照）。室内で発生した塵埃・粒子は床面で回収・除塵して、再循環される。 温度・湿度・クリーン度が均一に分布しやすい。FFUでは、例えば、ＨＥＰＡフィルター（High Efficiency Particulate Air filter）が使用される。
本発明は、簡易クリーンブース、簡易クリーンルームや塗布装置専用の部屋を使用する場合についても適用可能である。
垂直層流(ダウンフロー)方式は、天井全面（例えばクリーンルームの天井３０全面やクリーンブース２０の天井２３全面）にFFUを設置し、天井から床面へ垂直方向に清浄空気（例えば３１や２２）を流し、床面全面（例えば３２）で吸込み循環する（図４参照）。室内で発生した塵埃・粒子は床面で回収・除塵して、再循環される。 温度・湿度・クリーン度が均一に分布しやすい。FFUでは、例えば、ＨＥＰＡフィルター（High Efficiency Particulate Air filter）が使用される。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２を下方に下げ（例えば架台１１の位置まで下げ）、塗布ノズル部１周辺の気流を制御する態様が含まれる。塗布工程のときは、整流板２は元の位置まで上昇させる（図４参照）。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２における塗布ノズル部１とは反対側の辺（図４中右側の辺）を下降させ、整流板２を傾け（図４中右肩下がりとなるよう傾け）、塗布ノズル１部周辺の気流を制御する態様が含まれる。塗布工程のときは、整流板２は元の位置に戻す（図４参照）。
本発明においては、例えば、接液時に、整流板２が小さく畳める（面積を小さくできる）ような構成を有する態様が含まれる。塗布工程のときは、整流板は元の大きさに戻す（図４参照）。
本発明には、例えば、整流板２に開閉自在の開口を設け、接液工程中に、整流板２に開口が開き、風が抜けるようにする態様が含まれる。塗布工程のときは整流板２の開口は閉じられる（図４参照）。
本発明には、例えば、接液時に、整流板２における塗布ノズル部１とは反対側の辺（図４中右側の辺）を下降させ、整流板２を傾け（図４中右肩下がりとなるよう傾け）、塗布ノズル１部周辺の気流を制御する態様が含まれる。塗布工程のときは、整流板２は元の位置に戻す（図４参照）。
本発明においては、例えば、接液時に、整流板２が小さく畳める（面積を小さくできる）ような構成を有する態様が含まれる。塗布工程のときは、整流板は元の大きさに戻す（図４参照）。
本発明には、例えば、整流板２に開閉自在の開口を設け、接液工程中に、整流板２に開口が開き、風が抜けるようにする態様が含まれる。塗布工程のときは整流板２の開口は閉じられる（図４参照）。
（１）本発明では気流制御することによって、スモールラインムラの程度（レベル）を低減できる。スモールラインムラは、濃い、薄い、極薄い、目視で観察されない、の各レベルがある。
（２）本発明では気流制御することによって、スモールラインムラの程度（スモールラインムラ発生位置における膜厚バラつき）を低減できる。これにより、所定の規格を満たすフォトマスクの取得率を向上できる。
（３）本発明では気流制御することによって、スモールラインムラが目視で観察されない基板が得られるという従来にない極めて顕著な効果が得られる。
（４）本発明では、気流制御することによって、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
（５）本発明では、気流を制御することによって、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下のフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
なお、従来、大型基板のレジスト膜に埃がわずかに付着しても製品不良となるため、塗布装置上方からのダウンフローは必須と考えられていた。また、従来、接液には一定の時間が必要であり、接液時はレジスト剤が塗布ノズル先端に吐出（停滞）した状態で時間経過が避けがたい。このため、レジスト剤は時間経過で溶剤揮発により粘度ムラ（乾燥ムラ）生じることは避けがたいのでスモールラインムラを完全になくすことは困難であると考えられていた。
（２）本発明では気流制御することによって、スモールラインムラの程度（スモールラインムラ発生位置における膜厚バラつき）を低減できる。これにより、所定の規格を満たすフォトマスクの取得率を向上できる。
（３）本発明では気流制御することによって、スモールラインムラが目視で観察されない基板が得られるという従来にない極めて顕著な効果が得られる。
（４）本発明では、気流制御することによって、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
（５）本発明では、気流を制御することによって、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が６０ｎｍ以下のフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
なお、従来、大型基板のレジスト膜に埃がわずかに付着しても製品不良となるため、塗布装置上方からのダウンフローは必須と考えられていた。また、従来、接液には一定の時間が必要であり、接液時はレジスト剤が塗布ノズル先端に吐出（停滞）した状態で時間経過が避けがたい。このため、レジスト剤は時間経過で溶剤揮発により粘度ムラ（乾燥ムラ）生じることは避けがたいのでスモールラインムラを完全になくすことは困難であると考えられていた。
本発明においては、塗布ノズル周辺およびその周辺の流速は、０．２５ｍ／秒以下であることが好ましく、より好ましくは、０．２ｍ／秒以下、０．１５ｍ／秒以下、０．１２ｍ／秒以下、０．１ｍ／秒以下、０．０５ｍ／秒以下、である。塗布ノズル周辺およびその周辺の意味に関しては、前述した内容と同様である。
本発明においては、塗布ノズル近辺およびその周辺の流速は、０．２５ｍ／秒以下であることが好ましく、より好ましくは、０．２ｍ／秒以下、０．１５ｍ／秒以下、０．１２ｍ／秒以下、０．１ｍ／秒以下、０．０５ｍ／秒以下、である。塗布ノズル近辺およびその周辺の意味に関しては、前述した内容と同様である。
本発明においては、架台と整流板および吸着板との間の流速は、０．２５ｍ／秒以下であることが好ましく、より好ましくは、０．２ｍ／秒以下、０．１５ｍ／秒以下、０．１２ｍ／秒以下、０．１ｍ／秒以下、０．０５ｍ／秒以下、である。
流速は、風量計、フローセンサ等で測定できる。
本発明においては、塗布ノズル近辺およびその周辺の流速は、０．２５ｍ／秒以下であることが好ましく、より好ましくは、０．２ｍ／秒以下、０．１５ｍ／秒以下、０．１２ｍ／秒以下、０．１ｍ／秒以下、０．０５ｍ／秒以下、である。塗布ノズル近辺およびその周辺の意味に関しては、前述した内容と同様である。
本発明においては、架台と整流板および吸着板との間の流速は、０．２５ｍ／秒以下であることが好ましく、より好ましくは、０．２ｍ／秒以下、０．１５ｍ／秒以下、０．１２ｍ／秒以下、０．１ｍ／秒以下、０．０５ｍ／秒以下、である。
流速は、風量計、フローセンサ等で測定できる。
本発明においては、例えば、所定の気流制御によって、塗布ノズル周辺を、無風状態とする、あるいは、微風状態とすることが好ましい。接液工程中、特に接液時（接液の瞬間）の気流の影響を最小限にできる。特に接液の瞬間は、気流の影響によって接液の状態（例えば接液の面積（幅）や位置など）に影響を与えると考えられる。塗布ノズル近辺についても同様に、無風状態とする、あるいは、微風状態とすることが好ましい。
塗布ノズル周辺を、無風状態とする、あるいは、微風状態とすることによって、例えば、スモールラインムラに関し、最も厳しい規格を超える規格を満たすことが可能となる。また、スモールラインムラが目視で観察されない基板の製造が可能となる。
無風状態や微風状態は、例えば、純水の噴霧煙等で確認できる。これについては後述する。また、無風状態は、風量計や、フローセンサの検出限界以下の状態が含まれる。
塗布ノズル周辺を、無風状態とする、あるいは、微風状態とすることによって、例えば、スモールラインムラに関し、最も厳しい規格を超える規格を満たすことが可能となる。また、スモールラインムラが目視で観察されない基板の製造が可能となる。
無風状態や微風状態は、例えば、純水の噴霧煙等で確認できる。これについては後述する。また、無風状態は、風量計や、フローセンサの検出限界以下の状態が含まれる。
気流の速度や方向は、液体窒素の昇華ガスや、純水の水蒸気、純水の噴霧煙、軽い繊維状の紐、などで可視化できる。これらは、クリーンブース等の環境に悪影響を与えない。液体窒素の昇華ガスは、（１）棒の先に布を付けて液体窒素に浸し昇華ガスを出させる方法や、（２）棒の先にドライアイスを布で包み固定させ昇華ガスを出させる方法で発生させる。上記の棒をクリーンブース内部の色々な箇所にかざして昇華ガスの流れの状態を見る。昇華ガスが上昇を続ける場合は無風状態である。昇華ガスが上昇しつついずれかの方向に流れる場合は微風状態である。昇華ガスが拡散して見えない場合は、微風状態を超える気流の速度がある状態である。軽い繊維状の紐は、紐がなびく方向で気流の方向がわかる。軽い繊維状の紐は、紐の動きの程度（違い）で気流の速度の程度（違い）がわかる。
本発明は、一方向に伸びるレジスト剤供給口を有する塗布ノズルから液体状のレジスト剤を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するスリットコータと通称される塗布装置を用いる場合に適用できる。スリットコータにおける、塗布ノズルと基板の位置関係は、特に制限されず、床面に対し水平に保持された基板の上方に塗布ノズルが設けられた態様や、塗布ノズルと基板の双方が床面に対し垂直に保持された態様などが含まれる。
本発明は、「ＣＡＰコーター」と通称される塗布装置を用いる場合に好適に適用できる（構成５）。
図４に示す「ＣＡＰコーター」と通称される塗布装置は、吸着板３に基板１０を吸着し、図中右方向に吸着板３及び基板１０を移動させながら、塗布ノズル部１の塗布ノズル１ａ（図示略）によって基板１０の被塗布面にレジスト剤の塗布を行ってレジスト剤の塗布膜を形成する。
「ＣＡＰコーター」装置では、まず、基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所と、塗布ノズル１ａの上端部と、の位置合わせを行う（図４は位置合わせ後の状態を示す）。基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
図４に示すレジスト塗布装置では、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して整流板２を設けている。整流板２は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して一定間隔で水平に設けている。また、整流板２は、図４および図５に示すように、基板１０及び吸着板３の本体および吸着部３ｂを少なくとも覆うサイズにしてある。整流板２は、吸着板３の本体、吸着部３ｂおよび羽３ａ、３ａ’を覆うサイズにすることができる。整流板２は、塗布ノズル１ａを収容するノズルタンク１ｂと隣接して隙間なく設けられている（図７参照）。これにより、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たることを低減できる。
「ＣＡＰコーター」装置では、まず、基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所と、塗布ノズル１ａの上端部と、の位置合わせを行う（図４は位置合わせ後の状態を示す）。基板１０におけるレジスト剤の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
図４に示すレジスト塗布装置では、塗布されたレジスト剤の塗布面に対向して整流板２を設けている。整流板２は、塗布されたレジスト剤の塗布面に対して一定間隔で水平に設けている。また、整流板２は、図４および図５に示すように、基板１０及び吸着板３の本体および吸着部３ｂを少なくとも覆うサイズにしてある。整流板２は、吸着板３の本体、吸着部３ｂおよび羽３ａ、３ａ’を覆うサイズにすることができる。整流板２は、塗布ノズル１ａを収容するノズルタンク１ｂと隣接して隙間なく設けられている（図７参照）。これにより、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たることを低減できる。
図４に示すクリーンブース２０は、クリーンルーム内に設置できる。クリーンブース２０の天井からのダウンフロー、および、クリーンルームの天井３０からのダウンフロー３１は、天井全面からの垂直層流(ダウンフロー)方式が好ましい。
本発明では、例えば、基板の移動エリアをカバーするサイズ、例えば、整流板２と吸着板３（羽３ａ、３ａ’を含む）を合わせたサイズ、の架台を設けることが好ましい（図５および図４参照）。架台が無い場合に比べ、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たることを低減できる。
尚、基板１０と塗布ノズル１ａとの相対走査速度は、予め設定されている塗布ノズル間隔、レジスト剤の粘度、液面高さ及び塗布ギャップＧを前提として、塗布膜が所望の膜厚となるように、制御部によって制御される。
本発明では、例えば、基板の移動エリアをカバーするサイズ、例えば、整流板２と吸着板３（羽３ａ、３ａ’を含む）を合わせたサイズ、の架台を設けることが好ましい（図５および図４参照）。架台が無い場合に比べ、下方からの上昇流が基板や塗布ノズルに当たることを低減できる。
尚、基板１０と塗布ノズル１ａとの相対走査速度は、予め設定されている塗布ノズル間隔、レジスト剤の粘度、液面高さ及び塗布ギャップＧを前提として、塗布膜が所望の膜厚となるように、制御部によって制御される。
本発明のフォトマスクの製造方法は、上記本発明に係るマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とする（構成６）。
本発明において、マスクブランクとしては、バイナリーマスク、グレートーンマスク（階調マスク）、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレート基板などの作製に用いるマスクブランクが挙げられる。
これらのマスクブランクに形成されるパターン形成用薄膜は、露光光を遮断（遮光）する遮光膜、露光光やマスク作製の描画工程で使用するレーザー等の描画光に対しての反射率を低減する反射率低減膜（反射防止膜）、露光光の透過率を調整する機能を有する透過膜や半透過膜、露光光の位相差を調整する機能を有する位相シフト膜、露光光を吸収する機能を有する吸収体膜、露光光を反射する機能を有する反射膜、透明基板や下層をエッチングしてパターニングする際にマスク機能を有するエッチングマスク膜が挙げられる。
これらのマスクブランクに形成されるパターン形成用薄膜は、露光光を遮断（遮光）する遮光膜、露光光やマスク作製の描画工程で使用するレーザー等の描画光に対しての反射率を低減する反射率低減膜（反射防止膜）、露光光の透過率を調整する機能を有する透過膜や半透過膜、露光光の位相差を調整する機能を有する位相シフト膜、露光光を吸収する機能を有する吸収体膜、露光光を反射する機能を有する反射膜、透明基板や下層をエッチングしてパターニングする際にマスク機能を有するエッチングマスク膜が挙げられる。
本発明では、ＦＰＤ用のマスクブランク及びマスクが含まれる。
本発明において、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）などの表示装置（表示デバイス）としては、液晶表示装置、プラズマ表示装置、ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置、ＬＥＤ表示装置、ＤＭＤ表示装置、ＯＬＥＤ表示装置が代表的なものである。
ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode/有機発光ダイオード）は、発光ダイオードの一種で、発光材料に有機化合物を用いるものである。有機ＥＬ(有機エレクトロルミネッセンス)と呼ばれる現象を応用した発光素子の一種である。最先端品の１つである。
本発明において、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）などの表示装置（表示デバイス）としては、液晶表示装置、プラズマ表示装置、ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置、ＬＥＤ表示装置、ＤＭＤ表示装置、ＯＬＥＤ表示装置が代表的なものである。
ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode/有機発光ダイオード）は、発光ダイオードの一種で、発光材料に有機化合物を用いるものである。有機ＥＬ(有機エレクトロルミネッセンス)と呼ばれる現象を応用した発光素子の一種である。最先端品の１つである。
本発明のレジスト膜付マスクブランクは、矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜と、レジスト膜がこの順に形成されたレジスト膜付マスクブランクにおいて、前記レジスト膜の膜厚分布は異方性を有し、且つ、前記基板端面のうち一つの辺から対応する辺に向かって延びる線状ムラを有しており、前記線状ムラは、該線状ムラが延びる方向に対して垂直な方向に光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチで前記レジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う測定点での前記レジスト膜厚の差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とする（構成７）。
線状ムラに関し、レジスト膜厚の測定は、例えば、基板の一端から他端までの全域、またはその一部の区域で行う。例えば、図２に示す測定点（測定ライン）に沿って基板の一端から他端までの全域、または一部の区域で行う。
なお、レジスト膜の膜厚分布の異方性は、基板面内のレジスト膜の膜厚を複数ポイントで測定した時に、複数ポイントで測定した複数の測定値から算出されるレジスト膜厚の平均値に対する各測定ポイントにおけるレジスト膜厚の差で示される膜厚分布が、異方性を有している状態をいう。異方性に関し、レジスト膜厚の測定は、例えば、基板面内の全域または一部の領域について行う。その際、基板面内で均等に複数ポイントで測定を行う。
レジスト膜の膜厚分布が、レジスト膜の面内方向と垂直な軸に回転した時に、その膜厚分布が変化しない、又は、ほぼ変化しない等方性を有する状態は、異方性の状態と区別される。すなわち、レジスト膜をスピンコーターのみの方法により塗布・形成されたレジスト膜の膜厚分布は等方性の状態となり、本発明が有する異方性の状態と区別される。
レジスト膜の膜厚分布の異方性は、例えば、基板の長辺方向、短辺方向、対角方向、基板の中心軸回りの回転方向に対して生じる。
上記構成によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。そして、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、かつ、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）も６０ｎｍ以下のフォトマスクが作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。そして、このレジスト膜付マスクブランクを使用して作製されたフォトマスクを用いて、表示パネルにパターン転写を行い、表示パネルを作製した場合には、微細なパターンが配列されたパネル上の目視検査で表示ムラとして認識されない。
線状ムラに関し、レジスト膜厚の測定は、例えば、基板の一端から他端までの全域、またはその一部の区域で行う。例えば、図２に示す測定点（測定ライン）に沿って基板の一端から他端までの全域、または一部の区域で行う。
なお、レジスト膜の膜厚分布の異方性は、基板面内のレジスト膜の膜厚を複数ポイントで測定した時に、複数ポイントで測定した複数の測定値から算出されるレジスト膜厚の平均値に対する各測定ポイントにおけるレジスト膜厚の差で示される膜厚分布が、異方性を有している状態をいう。異方性に関し、レジスト膜厚の測定は、例えば、基板面内の全域または一部の領域について行う。その際、基板面内で均等に複数ポイントで測定を行う。
レジスト膜の膜厚分布が、レジスト膜の面内方向と垂直な軸に回転した時に、その膜厚分布が変化しない、又は、ほぼ変化しない等方性を有する状態は、異方性の状態と区別される。すなわち、レジスト膜をスピンコーターのみの方法により塗布・形成されたレジスト膜の膜厚分布は等方性の状態となり、本発明が有する異方性の状態と区別される。
レジスト膜の膜厚分布の異方性は、例えば、基板の長辺方向、短辺方向、対角方向、基板の中心軸回りの回転方向に対して生じる。
上記構成によれば、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であるフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。そして、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、かつ、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）も６０ｎｍ以下のフォトマスクが作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。そして、このレジスト膜付マスクブランクを使用して作製されたフォトマスクを用いて、表示パネルにパターン転写を行い、表示パネルを作製した場合には、微細なパターンが配列されたパネル上の目視検査で表示ムラとして認識されない。
本発明のレジスト膜付マスクブランクは、線状ムラが延びる方向に対して垂直な方向に光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチで前記レジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う測定点での前記レジスト膜厚の差が０オングストローム超２０オングストローム以下であることが好ましい。これにより、スモールラインムラが目視で観察されないレジスト膜付マスクブランクが得られる。スモールラインムラが目視で観察されない場合であっても、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラである山と谷が連なる膜厚バラつきは存在している。スピンコーターでは、このような山と谷が連なる膜厚バラつきは生じない。
本発明の透明基板は、露光光に対して透明（例えば、透過率が９０％以上）であれば、材料は限定されない。透明基板の材料としては、ガラス基板、結晶化ガラス基板を使用することができる。これらの基板材料としては、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラスや、低熱膨張のＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラスなどが挙げられる。
透明基板のサイズは特に限定されないが、ＦＰＤ用のマスクブランクの場合、短辺の長さが３３０ｍｍ以上の透明基板を使用することができる。なお、透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の場合に本発明の効果を最大限に発揮することができる。
また、本発明の透明基板の形状は矩形形状であって、パターン形成用薄膜が形成される主表面と、該主表面に対して対向して設けられた裏面と、前記主表面及び前記裏面と直交し、互いに対向して設けられた二組の側面と、前記主表面及び前記裏面と、側面とによって挟まれた面取面によって透明基板は構成される。基板端面は、前記側面と前記面取面を含む面をいう。
透明基板のサイズは特に限定されないが、ＦＰＤ用のマスクブランクの場合、短辺の長さが３３０ｍｍ以上の透明基板を使用することができる。なお、透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の場合に本発明の効果を最大限に発揮することができる。
また、本発明の透明基板の形状は矩形形状であって、パターン形成用薄膜が形成される主表面と、該主表面に対して対向して設けられた裏面と、前記主表面及び前記裏面と直交し、互いに対向して設けられた二組の側面と、前記主表面及び前記裏面と、側面とによって挟まれた面取面によって透明基板は構成される。基板端面は、前記側面と前記面取面を含む面をいう。
また、パターン形成用薄膜は、前述で説明したとおりである。
本発明のレジスト膜付マスクブランクの線状ムラは、光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチでレジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値との差が０オングストローム超３０オングストローム以下とすることが好ましい（構成８）。
これにより、Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ及びＧｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙが更に改善されたフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
本発明の効果を発揮するレジスト膜付マスクブランクにおける線状ムラの状態を的確に把握するために、線状ムラは、前記線状ムラが生じる側の前記基板端面から１００ｍｍ内側の位置で測定されたものとすることを特徴とする（構成９）。
また、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、レジスト膜の膜厚の最大値と最小値の差（面内膜厚均一性）が２００オングストローム以下であることを特徴とする（構成１０）。これにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、かつ、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）も６０ｎｍ以下のフォトマスクを高い収率で得ることができるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。そして、このレジスト膜付マスクブランクを使用して作製されたフォトマスクを用いて、表示パネルにパターン転写を行い、表示パネルを作製した場合には、微細なパターンが配列されたパネル上の目視検査で表示ムラとして認識されない。
本発明のレジスト膜付マスクブランクの線状ムラは、光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチでレジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値との差が０オングストローム超３０オングストローム以下とすることが好ましい（構成８）。
これにより、Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ及びＧｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙが更に改善されたフォトマスクを作製できるレジスト膜付マスクブランクが得られる。
本発明の効果を発揮するレジスト膜付マスクブランクにおける線状ムラの状態を的確に把握するために、線状ムラは、前記線状ムラが生じる側の前記基板端面から１００ｍｍ内側の位置で測定されたものとすることを特徴とする（構成９）。
また、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、レジスト膜の膜厚の最大値と最小値の差（面内膜厚均一性）が２００オングストローム以下であることを特徴とする（構成１０）。これにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、かつ、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）も６０ｎｍ以下のフォトマスクを高い収率で得ることができるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。そして、このレジスト膜付マスクブランクを使用して作製されたフォトマスクを用いて、表示パネルにパターン転写を行い、表示パネルを作製した場合には、微細なパターンが配列されたパネル上の目視検査で表示ムラとして認識されない。
また、本発明のレジスト膜付マスクブランクのパターン形成用薄膜は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下であることにより、フォトマスクの外周領域に配置される微細パターン（微細部）の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が３０ｎｍ以下であって、かつ、フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）も６０ｎｍ以下のフォトマスクをさらに、高い収率で得られるレジスト膜付マスクブランクが提供できる。
また、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、矩形状の透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上であることを特徴とする（構成１２）。本発明の効果は、透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の場合に、最も効果が発揮できる。
なお、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、本発明のレジスト膜付マスクブランクの製造方法によって製造することができる。
また、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、矩形状の透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上であることを特徴とする（構成１２）。本発明の効果は、透明基板の短辺の長さが８５０ｍｍ以上の場合に、最も効果が発揮できる。
なお、本発明のレジスト膜付マスクブランクは、本発明のレジスト膜付マスクブランクの製造方法によって製造することができる。
本発明において、ＣＡＰコーター等に特有の塗布ムラであるスモールラインムラの測定は、例えば、光干渉式反射率測定機を用いて行う。例えば、ＦＰＤ用自動膜厚測定装置（Ｎａｎｏｓｐｅｃ６５００：ナノメトリックス社製）が使用できる。
スモールラインムラの評価は、例えば、塗布方向に対し垂直方向に連続してレジスト膜厚を測定し、測定データから膜厚バラつきの評価を行う。
測定位置は、塗布開始側の基板の端から一定の位置（スモールラインムラの発生する位置、例えば基板の端から１００ｍｍの位置）である（図２参照）。
測定間隔は、１ｍｍピッチ、５ｍｍピッチ、１０ｍｍピッチなどである。
例えば、ある測定点でのレジスト膜厚からその隣の測定点でのレジスト膜厚を引いた値（差）の絶対値を算出する。これを２ポイントと称する。すなわち、測定点がｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４、ｘ５・・・ｘｎの場合、Ｘ１＝｜ｘ２－ｘ１｜、Ｘ２＝｜ｘ３－ｘ２｜、Ｘ３＝｜ｘ４－ｘ３｜、・・・Ｘｎ－１＝｜ｘｎ－ｘｎ－１｜を算出し、Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎ－１を順次プロットしたのが２ポイントの図の折れ線グラフである。
また、互いに隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値の差を算出する。これを３ポイントと称する。すなわち、測定点がｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４、ｘ５・・・ｘｎの場合、Ｘ１＝｜ｍａｘ（ｘ１、ｘ２、ｘ３）－ｍｉｎ（ｘ１、ｘ２、ｘ３）｜、Ｘ２＝｜ｍａｘ（ｘ２、ｘ３、ｘ４）－ｍｉｎ（ｘ２、ｘ３、ｘ４）｜、・・・Ｘｎ－２＝｜ｍａｘ（ｘｎ－２、ｘｎ－１、ｘｎ）－ｍｉｎ（ｘｎ－２、ｘｎ－１、ｘｎ）｜を算出し、Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎ－２を順次プロットしたのが３ポイントの折れ線グラフである。
さらに、上述の規則に従って、互いに隣り合うＮ個の測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値の差を算出する。これをＮポイントと称する。これを順次プロットしたのがＮポイントの折れ線グラフである。Ｎは自然数である。
ポイント数は、上述の２ポイント、３ポイントの他に、例えば、５ポイント、１０ポイント、２０ポイント、３０ポイント、４０ポイントなどである。ポイント数が多いほど、レジスト膜厚の最大値と最初値の差は大きくなり、厳しい規格となる。
スモールラインムラの評価は、例えば、塗布方向に対し垂直方向に連続してレジスト膜厚を測定し、測定データから膜厚バラつきの評価を行う。
測定位置は、塗布開始側の基板の端から一定の位置（スモールラインムラの発生する位置、例えば基板の端から１００ｍｍの位置）である（図２参照）。
測定間隔は、１ｍｍピッチ、５ｍｍピッチ、１０ｍｍピッチなどである。
例えば、ある測定点でのレジスト膜厚からその隣の測定点でのレジスト膜厚を引いた値（差）の絶対値を算出する。これを２ポイントと称する。すなわち、測定点がｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４、ｘ５・・・ｘｎの場合、Ｘ１＝｜ｘ２－ｘ１｜、Ｘ２＝｜ｘ３－ｘ２｜、Ｘ３＝｜ｘ４－ｘ３｜、・・・Ｘｎ－１＝｜ｘｎ－ｘｎ－１｜を算出し、Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎ－１を順次プロットしたのが２ポイントの図の折れ線グラフである。
また、互いに隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値の差を算出する。これを３ポイントと称する。すなわち、測定点がｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４、ｘ５・・・ｘｎの場合、Ｘ１＝｜ｍａｘ（ｘ１、ｘ２、ｘ３）－ｍｉｎ（ｘ１、ｘ２、ｘ３）｜、Ｘ２＝｜ｍａｘ（ｘ２、ｘ３、ｘ４）－ｍｉｎ（ｘ２、ｘ３、ｘ４）｜、・・・Ｘｎ－２＝｜ｍａｘ（ｘｎ－２、ｘｎ－１、ｘｎ）－ｍｉｎ（ｘｎ－２、ｘｎ－１、ｘｎ）｜を算出し、Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎ－２を順次プロットしたのが３ポイントの折れ線グラフである。
さらに、上述の規則に従って、互いに隣り合うＮ個の測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値の差を算出する。これをＮポイントと称する。これを順次プロットしたのがＮポイントの折れ線グラフである。Ｎは自然数である。
ポイント数は、上述の２ポイント、３ポイントの他に、例えば、５ポイント、１０ポイント、２０ポイント、３０ポイント、４０ポイントなどである。ポイント数が多いほど、レジスト膜厚の最大値と最初値の差は大きくなり、厳しい規格となる。
本発明のレジスト膜付ブランクは、最先端品の規格に対応可能である。例えば、最先端品（例えばＯＬＥＤなど）では、基板のサイド（外周部）（例えば図２の左端部分）に微細な回路が作り込まれる。この微細部（狭いエリア）のＣＤ均一性は３０ｎｍ以下と厳しい規格なので問題となる。本発明はこの規格をクリアできる。
以下、実施例について説明する。
（実施例１および比較例１）
上述した図４～図６に示す構成を有するレジスト塗布装置を使用し、マスクブランクのパターン形成用薄膜上にレジスト剤を塗布し、乾燥して、レジスト膜付マスクブランクを作製した。
その際、塗布ノズルの昇降時間（ノズルの昇降開始からノズル先端が接液高さに到達するまでの時間）は３秒とし極限まで短くした（対策１）。また、塗布ノズル１ａを収容するノズルタンク１ｂと整流板２との隙間は埋めた（図７参照）（対策２）。
塗布の条件は、５３００オングストロームのレジスト膜を形成するための、液面高さ、塗布ギャップ、搬送速度等を設定した。
また、乾燥の条件は、基板を一定速度で移動させ塗布を行いつつ、前記塗布面と整流板との間に塗布面と平行に清浄気体が流れ、乾燥ムラが生じないように調整した。
マスクブランクとしては、ガラス基板上に、転写パターン形成用薄膜であるクロムと窒素を含む遮光層と、クロムと酸素を含む反射防止層が積層された遮光膜を有する基板を使用した。なお、前記反射防止層は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下になるように膜厚と組成が調整されている。サイズは、大型ガラス基板（合成石英ガラス（ＱＺ）１３ｍｍ厚、サイズ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）と、大型ガラス基板（合成石英ガラス（ＱＺ）１０ｍｍ厚、８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）の２種類とした。
レジスト塗布装置は、クリーンルーム内に設置し、レジスト塗布装置を個別に囲うクリーンブースは設けなかった。
（実施例１および比較例１）
上述した図４～図６に示す構成を有するレジスト塗布装置を使用し、マスクブランクのパターン形成用薄膜上にレジスト剤を塗布し、乾燥して、レジスト膜付マスクブランクを作製した。
その際、塗布ノズルの昇降時間（ノズルの昇降開始からノズル先端が接液高さに到達するまでの時間）は３秒とし極限まで短くした（対策１）。また、塗布ノズル１ａを収容するノズルタンク１ｂと整流板２との隙間は埋めた（図７参照）（対策２）。
塗布の条件は、５３００オングストロームのレジスト膜を形成するための、液面高さ、塗布ギャップ、搬送速度等を設定した。
また、乾燥の条件は、基板を一定速度で移動させ塗布を行いつつ、前記塗布面と整流板との間に塗布面と平行に清浄気体が流れ、乾燥ムラが生じないように調整した。
マスクブランクとしては、ガラス基板上に、転写パターン形成用薄膜であるクロムと窒素を含む遮光層と、クロムと酸素を含む反射防止層が積層された遮光膜を有する基板を使用した。なお、前記反射防止層は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下になるように膜厚と組成が調整されている。サイズは、大型ガラス基板（合成石英ガラス（ＱＺ）１３ｍｍ厚、サイズ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）と、大型ガラス基板（合成石英ガラス（ＱＺ）１０ｍｍ厚、８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）の２種類とした。
レジスト塗布装置は、クリーンルーム内に設置し、レジスト塗布装置を個別に囲うクリーンブースは設けなかった。
（気流制御手段および気流制御のタイミング）
実施例１では、図７に示すように、塗布ノズル１ａと整流板２との間（塗布ノズルに対し塗布進行方向の側の位置）に可動式のシャッター１３を設置し風を遮る手段で気流制御した。気流制御のタイミングは、接液工程における全部の工程とした。
比較例１では、実施例１において、気流制御を実施しなかった。
実施例１では、図７に示すように、塗布ノズル１ａと整流板２との間（塗布ノズルに対し塗布進行方向の側の位置）に可動式のシャッター１３を設置し風を遮る手段で気流制御した。気流制御のタイミングは、接液工程における全部の工程とした。
比較例１では、実施例１において、気流制御を実施しなかった。
（効果）
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小の線状ムラ）を評価した。その結果、実施例１では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例１）に比べ相対的に薄くなった。
スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所（基板端面から１００ｍｍ内側の位置）（基板端面（辺）から基板端面（辺）と平行に（基板端面（辺）に対し垂直方向に）１００ｍｍ内側の位置）（図２参照）における測定ポイント（測定ライン）上で基板端面から２０ｍｍを除く範囲（図２参照）の膜厚バラツキをＦＰＤ用自動膜厚測定装置（Ｎａｎｏｓｐｃ６５００：ナノメトリックス社製）で測定した。その結果を図８に示す。図８（１）は、測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイント、図８（２）は、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントである。図８の横軸の数値は１０分の１で、「１２０」は１２００ｍｍを示す。
スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所（基板端面から１００ｍｍ内側の位置）の膜厚バラツキは、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１７オングストロームであった。
比較例１では、実施例１において、気流制御を実施しなかった。測定結果（比較例１）を図９に示す。図９（１）は測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイント、図９（２）は、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントである。
スモールラインムラに対応する箇所の膜厚バラツキは、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントでは４８オングストローム、測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントでは５０オングストロームであった。
また、実施例１のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性（基板端（各辺）から２０ｍｍ内側の領域（図２の点線の内側の領域）、１１×１１＝１２１点におけるレジスト膜の最大膜厚と最小膜厚の差）は、１７０オングストロームと良好であった。一方、比較例１のレジスト膜の面内膜厚均一性は、３０１オングストロームであった。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小の線状ムラ）を評価した。その結果、実施例１では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例１）に比べ相対的に薄くなった。
スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所（基板端面から１００ｍｍ内側の位置）（基板端面（辺）から基板端面（辺）と平行に（基板端面（辺）に対し垂直方向に）１００ｍｍ内側の位置）（図２参照）における測定ポイント（測定ライン）上で基板端面から２０ｍｍを除く範囲（図２参照）の膜厚バラツキをＦＰＤ用自動膜厚測定装置（Ｎａｎｏｓｐｃ６５００：ナノメトリックス社製）で測定した。その結果を図８に示す。図８（１）は、測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイント、図８（２）は、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントである。図８の横軸の数値は１０分の１で、「１２０」は１２００ｍｍを示す。
スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所（基板端面から１００ｍｍ内側の位置）の膜厚バラツキは、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１７オングストロームであった。
比較例１では、実施例１において、気流制御を実施しなかった。測定結果（比較例１）を図９に示す。図９（１）は測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイント、図９（２）は、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントである。
スモールラインムラに対応する箇所の膜厚バラツキは、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイントでは４８オングストローム、測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントでは５０オングストロームであった。
また、実施例１のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性（基板端（各辺）から２０ｍｍ内側の領域（図２の点線の内側の領域）、１１×１１＝１２１点におけるレジスト膜の最大膜厚と最小膜厚の差）は、１７０オングストロームと良好であった。一方、比較例１のレジスト膜の面内膜厚均一性は、３０１オングストロームであった。
さらに、上記で得られた実施例１のレジスト膜付マスクブランクを使用し、パターン線幅が１．８μｍのラインアンドスペースパターンを有するフォトマスクを作製した。フォトマスクの作製は、上記レジスト膜付マスクブランクに対してレーザー描画装置による描画と現像処理して、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして、クロム・エッチング液でウェットエッチングすることにより遮光膜パターンを形成した。最後にレジストパターンをレジスト剥離液により剥離して、フォトマスクを得た。この得られたフォトマスクについてＣＤ均一性を評価した。
フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ＝ＧＣＤＵ）は、基板端（各辺）から５０ｍｍ内側の領域について、１５×１６＝２４０ポイントを測定して評価した。また、基板外周領域の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ＝ＬＣＤＵ）は、基板端より１００ｍｍ内側の位置における測定ポイント（測定ライン）（図２参照）上の領域の５０ｍｍ×５０ｍｍ領域（例えば基板端より５０ｍｍから１００ｍｍまでの領域）について、１８箇所を測定して評価した。
その結果、ＧＣＤＵは６０ｎｍ、ＬＣＤＵは３０ｎｍとなり、ＣＤ均一性が良好なフォトマスクが得られた。目視によるムラを観察したが異常は確認できなかった。
この得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例１のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例１のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
フォトマスク全体のＣＤ均一性（Ｇｌｏｂａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ＝ＧＣＤＵ）は、基板端（各辺）から５０ｍｍ内側の領域について、１５×１６＝２４０ポイントを測定して評価した。また、基板外周領域の局所的な領域におけるＣＤ均一性（Ｌｏｃａｌ ＣＤ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ＝ＬＣＤＵ）は、基板端より１００ｍｍ内側の位置における測定ポイント（測定ライン）（図２参照）上の領域の５０ｍｍ×５０ｍｍ領域（例えば基板端より５０ｍｍから１００ｍｍまでの領域）について、１８箇所を測定して評価した。
その結果、ＧＣＤＵは６０ｎｍ、ＬＣＤＵは３０ｎｍとなり、ＣＤ均一性が良好なフォトマスクが得られた。目視によるムラを観察したが異常は確認できなかった。
この得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例１のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例１のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
（実施例２および比較例２）
実施例２では、実施例１において、気流制御手段および気流制御のタイミングを変更した。実施例２では、実施例１の可動式のシャッター１３は設置しなかった。実施例２では、レジスト塗布装置は、クリーンルーム内に設置し、さらに、レジスト塗布装置を個別に囲うクリーンブースを設けた。クリーンブースの天井全面にＦＦＵ（Fun filter unit）を設置した。実施例２では、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時にクリーンブースの外に逃がすことによって、天井からのダウンフローが整流板に極力当たらないようにする手段で気流制御した。詳しくは、図４中の右半分側であって手前側、奧側、右側の３方の外周カーテンにおける整流板２に近接する箇所のカーテンについて、図４中で整流板より１００ｃｍ程度上方までまくり上げる（手前側、奧側、右側の３方同時）条件とした。
気流制御のタイミングは接液工程における全部の工程および塗布開始から１０秒の間とした。
その他の条件は、実施例１と同様とした。
比較例２では、実施例２において、気流制御を実施しなかった。
実施例２では、実施例１において、気流制御手段および気流制御のタイミングを変更した。実施例２では、実施例１の可動式のシャッター１３は設置しなかった。実施例２では、レジスト塗布装置は、クリーンルーム内に設置し、さらに、レジスト塗布装置を個別に囲うクリーンブースを設けた。クリーンブースの天井全面にＦＦＵ（Fun filter unit）を設置した。実施例２では、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時にクリーンブースの外に逃がすことによって、天井からのダウンフローが整流板に極力当たらないようにする手段で気流制御した。詳しくは、図４中の右半分側であって手前側、奧側、右側の３方の外周カーテンにおける整流板２に近接する箇所のカーテンについて、図４中で整流板より１００ｃｍ程度上方までまくり上げる（手前側、奧側、右側の３方同時）条件とした。
気流制御のタイミングは接液工程における全部の工程および塗布開始から１０秒の間とした。
その他の条件は、実施例１と同様とした。
比較例２では、実施例２において、気流制御を実施しなかった。
（効果）
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小な線状ムラ）を評価した。その結果、実施例２では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例２）に比べ、相対的に薄くなった。
実施例１と同様に、実施例２のレジスト膜付マスクブランクについて、スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所の膜厚バラツキを測定したところ、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１５オングストロームであった。
一方、比較例２の場合は、比較例１と同等の結果となった。
また、実施例２のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性は、１６５オングストロームと良好であった。一方、比較例２のレジスト膜の面内膜厚均一性は、比較例１と同様の結果となった。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小な線状ムラ）を評価した。その結果、実施例２では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例２）に比べ、相対的に薄くなった。
実施例１と同様に、実施例２のレジスト膜付マスクブランクについて、スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所の膜厚バラツキを測定したところ、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１５オングストロームであった。
一方、比較例２の場合は、比較例１と同等の結果となった。
また、実施例２のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性は、１６５オングストロームと良好であった。一方、比較例２のレジスト膜の面内膜厚均一性は、比較例１と同様の結果となった。
上記得られた実施例２のレジスト膜付マスクブランクを使用して、実施例１と同様にフォトマスクを作製し、ＧＣＤＵ、ＬＣＤＵを評価した。その結果、ＧＣＤＵは５８ｎｍ、ＬＣＤＵは２８ｎｍとなり、実施例１と比べてＣＤ均一性が良好となった。目視によるムラを観察したが異常は確認できなかった。
さらに、得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例２のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例１のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
なお、カーテンに替えて、外壁パネルに設けた開口を開閉させる手段とし上記と同様の条件とした場合について、上記と同様であることを確認した。
さらに、得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例２のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例１のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
なお、カーテンに替えて、外壁パネルに設けた開口を開閉させる手段とし上記と同様の条件とした場合について、上記と同様であることを確認した。
（実施例３および比較例３）
実施例３では、実施例２において、気流制御手段に関し、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時にクリーンブースの外に逃がすことに替えて、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時に止めること等によって、クリーンブースの天井からのダウンフローが整流板に当たらないようにする手段で気流制御した。詳しくは、クリーンブースにおいて、（１）ＦＦＵユニットの全部について送風を弱くする、（２）ＦＦＵユニットの全部を停止する、（３）整流板上方に位置するＦＦＵユニットを停止する、の３条件とした。気流制御のタイミングは、実施例２と同様とした。
その他の条件は、実施例２と同様とした。
比較例３では、実施例３において、気流制御を実施しなかった。
実施例３では、実施例２において、気流制御手段に関し、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時にクリーンブースの外に逃がすことに替えて、クリーンブースの天井からのダウンフローを接液時に止めること等によって、クリーンブースの天井からのダウンフローが整流板に当たらないようにする手段で気流制御した。詳しくは、クリーンブースにおいて、（１）ＦＦＵユニットの全部について送風を弱くする、（２）ＦＦＵユニットの全部を停止する、（３）整流板上方に位置するＦＦＵユニットを停止する、の３条件とした。気流制御のタイミングは、実施例２と同様とした。
その他の条件は、実施例２と同様とした。
比較例３では、実施例３において、気流制御を実施しなかった。
気流制御の条件が（１）、（３）の場合、図６に示す塗布ノズル近辺５およびその周辺４における気流の流速はいずれも０．１ｍ／秒以下であった。気流制御の条件が（２）の場合は、０．０１ｍ／秒以下（無風状態）であることを確認した。
比較例３では、図６に示す塗布ノズル近辺５およびその周辺４における気流の流速は０．２９ｍ／秒であった。
比較例３では、図６に示す塗布ノズル近辺５およびその周辺４における気流の流速は０．２９ｍ／秒であった。
（効果）
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小な線状ムラ）を評価した。その結果、実施例３では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例３）に比べ、いずれの気流制御の条件（１）、（２）および（３）においても相対的に薄くなった。
実施例１と同様に、実施例３のレジスト膜付マスクブランクについて、スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所の膜厚バラツキを測定したところ、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１４オングストロームであった。
一方、比較例３の場合は比較例１と同等の結果となった。
また、実施例３のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性は、１６４オングストロームと良好であった。一方、比較例３のレジスト膜の面内膜厚均一性は、比較例１と同様の結果となった。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布・乾燥されたレジスト膜のスモールラインムラ（微小な線状ムラ）を評価した。その結果、実施例３では、いずれのサイズの基板についても、図１および図２に示すようなスモールラインムラは、気流制御しない場合（比較例３）に比べ、いずれの気流制御の条件（１）、（２）および（３）においても相対的に薄くなった。
実施例１と同様に、実施例３のレジスト膜付マスクブランクについて、スモールラインムラ（微小の線状ムラ）に対応する箇所の膜厚バラツキを測定したところ、測定間隔５ｍｍピッチ、２ポイント、及び測定間隔５ｍｍピッチ、３ポイントともに１４オングストロームであった。
一方、比較例３の場合は比較例１と同等の結果となった。
また、実施例３のレジスト膜付マスクブランクにおけるレジスト膜の面内膜厚均一性は、１６４オングストロームと良好であった。一方、比較例３のレジスト膜の面内膜厚均一性は、比較例１と同様の結果となった。
上記得られた実施例３のレジスト膜付マスクブランクを使用して、実施例１と同様にフォトマスクを作製し、ＧＣＤＵ、ＬＣＤＵを評価した。その結果、ＧＣＤＵは５７ｎｍ、ＬＣＤＵは２６ｎｍとなり、実施例１と比べてＣＤ均一性が良好となった。目視によるムラを観察したが異常は確認できなかった。
さらに、得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例３のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例３のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
さらに、得られたフォトマスクを用いてＯＬＥＤ用の表示パネルを作製したが、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常は確認できなかった。
一方、比較例３のレジスト膜付マスクブランクを使用して得られたフォトマスクについては、ＧＣＤＵは１００ｎｍを超え、ＬＣＤＵも５０ｎｍを超える結果となった。目視によるムラを観察したが、外周領域に形成された微細パターン（微細部）において、ムラが数か所確認された。このため、比較例３のフォトマスクを使用してＯＬＥＤ用表示パネルを作製した場合、レジスト膜付マスクブランクのスモールラインムラに起因する表示ムラ等の異常が発生する。
尚、本発明は、前述した実施例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
１ 塗布ノズル部
１ａ 塗布ノズル
１ｂノズルタンク
２ 整流板
３ 吸着板
１０基板
１３可動式のシャッター
１ａ 塗布ノズル
１ｂノズルタンク
２ 整流板
３ 吸着板
１０基板
１３可動式のシャッター
Claims (7)
- 矩形状の透明基板上にパターン形成用薄膜と、レジスト膜がこの順に形成されたレジス
ト膜付マスクブランクにおいて、
前記レジスト膜の膜厚分布は異方性を有し、且つ、前記基板端面のうち一つの辺から対
向する辺に向かって延びる線状ムラを有しており、
前記線状ムラは、該線状ムラが延びる方向に対して垂直な方向に光干渉式のレジスト膜
厚測定機を用いて、５ｍｍピッチで前記レジスト膜の膜厚を測定した時に、隣り合う測定
点での前記レジスト膜厚の差が０オングストローム超３０オングストローム以下であるこ
とを特徴とするレジスト膜付マスクブランク。 - 前記線状ムラは、光干渉式のレジスト膜厚測定機を用いて、５ｍｍピッチでレジスト膜
の膜厚を測定した時に、隣り合う３つの測定点でのレジスト膜厚における最大値と最小値
との差が０オングストローム超３０オングストローム以下であることを特徴とする請求項
１記載のレジスト膜付マスクブランク。 - 前記線状ムラは、前記線状ムラが生じる側の前記基板端面から１００ｍｍ内側の位置で
測定されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト膜付マスクブランク。 - 前記レジスト膜の面内における膜厚の最大値と最小値の差が２００オングストローム以
下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。 - 前記パターン形成用薄膜は、レーザー描画波長における反射率が１０％以下であること
を特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。 - 前記矩形状の透明基板の短辺の長さは８５０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１
から５のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランク。 - 請求項１から６のいずれかに記載のレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマス
クを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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