JP7102033B2 - クリーンブース - Google Patents
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Description
(A)FFUのフィルタ占有率70%以下、フィルタ間隔500mm以下(好ましくは300mm以下)、下部200mm以内(好ましくは下部100mm)に全面パンチング板(開口率20~40%)とした100%の全面整流機構
(B)クリーンブース全体の気流循環を均一にするため、少なくとも二面以上の側壁を二重化し(隙間~200mm)、穴開きの床板が不要な偏流を抑えた均一循環機構
(C)装置により生じるパスライン(ライン設備での材料の通り道、プロセスエリアにおける実質重要な箇所)上の気流の乱れ、巻き上がり、剥離、渦生成等の偏流および/または滞留を低減させるための装置付帯の整流・導風手段の設置
(D)装置およびその稼働により生じるパスライン周辺の発塵と気流の乱れを回避・低減するための局所吸引機構
(E)以上のように、全体空間(A)・(B)、装置周りの空間(C)、局所空間(D)の段階的な設計を、実条件を考慮した数値流体力学(CFD:Computational Fluid Dynamics)により実行し、ISO Class3からClass4要求エリア(主にパスライン)において、下向きの速度0.3m/s前後、空気齡(吹出し位置を0sとしたときに空間内の各位置に到達するのに必要な時間)を理論値の3倍以下、クリーンブース内陽圧を20~40Paとする
以上の構成により、安定した高清浄度空間を提供することができるようにした。
2 空気清浄手段
3 パンチング板
4 内壁
5 外壁
6 装置
7 整流・導風手段
8 局所吸引機構
Claims (5)
- ISO Class3からClass4の規格を満たす、さらにはそれ以上の高い清浄度環境が求められるエリアを区画部材を用いて区画することにより局所的にクリーンブースを形成し、前記クリーンブースの天井には空気清浄手段を設け、前記空気清浄手段のフィルタ占有率を40%以上70%以下とし、前記空気清浄手段のフィルタ下部にパンチング板を設け、前記クリーンブースの少なくとも二面以上の側壁を外壁と内壁で覆うことで二重壁とし、前記外壁は内圧が50Pa以上に耐えうるようにシールされ、前記内壁の下部に吸込み口を設け、前記吸込み口から前記クリーンブース内の空気を吸込み、前記二重壁の隙間を通して、前記空気清浄手段へ前記クリーンブース内の空気を循環させるようにしたことを特徴とし、 装置を設置したクリーンブースにおいて、パスライン上に前記装置に付帯する整流・導風手段を設置するようにしたことにより、前記装置の周辺の空気齢を理想のダウンフローの空気齢の理論値の3倍以下にしたことを特徴とするクリーンブース。
- 前記パスライン周辺に局所吸引機構を設けたことを特徴とする請求項1に記載のクリーンブース。
- 前記パスライン付近において前記局所吸引機構によって生じる下方への流れの気流速度が0.5m/s以下であることを特徴とする請求項2に記載のクリーンブース。
- 前記クリーンブース内の圧力が前記クリーンブース外の圧力に比べて陽圧であることを特徴とする請求項1から請求項3いずれか一項に記載のクリーンブース。
- 前記陽圧が20~40Paであることを特徴とする請求項4に記載のクリーンブース。
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