JP4341978B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
従来、このような減圧乾燥処理を行う装置としては、例えば特許文献1に開示の減圧乾燥ユニットのように、チャンバ内で処理を施す構成が主流であった。即ち、図5の断面図に示すように、特許文献1に開示の減圧乾燥ユニット200は、下部チャンバ201と、その上を覆うように開閉自在に設けられた上部チャンバ202とを備え、下部チャンバ201の中央に基板Gを載置するためのステージ203が設けられる。
この減圧乾燥ユニット200においては、ステージ203上に基板Gが載置された後、チャンバ内が密閉され、所定の減圧雰囲気がチャンバ内に形成されることによって減圧乾燥処理が施される。
また、チャンバの開閉動作や基板の搬入出に時間を要するため、複数の基板を処理する際にスループットが低下するという課題があった。
このように構成することにより、平流し搬送を行いながら複数の基板を処理することができるため、スループットを向上することができる。
また、従来のチャンバ装置にようにチャンバ内減圧のためのポンプやチャンバ開閉のための昇降装置等が不要であり、大型の基板を処理する場合であっても低コストで装置を構築することができる。
また、前記チャンバユニット内の搬送路に基板浮上手段を設け、チャンバユニット内における基板搬送を基板浮上させた状態で行うことにより、基板上方に形成される乾燥空気流が、コロ搬送により生じ易い乱流の影響を受けないようにすることができる。また、コロ搬送時に発生し易い基板の振動や撓みを低減し、基板全体の水平度を向上して均一な乾燥処理を行うことができる。
このように構成することで、基板に対する段階的な乾燥処理を行うことができ、チャンバユニット毎に乾燥空気流の調整が可能なため、基板処理装置全体の処理として、塗布膜の形成を適切な状態で完了することが可能となる。
このようにヒータを設けることによって、乾燥空気流で溶剤を蒸発させる前に、予め基板を加熱し、溶剤が揮発し易い状態とすることができる。
このように構成することによって、チャンバユニット内の基板搬送路が基板浮上手段により構成されていても、確実に被処理基板を搬送することができる。
また、前記被処理基板の搬送方向に沿って前記搬送路上に複数段設けられる前記チャンバユニットにおいて、初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速は、所定速度に設定され、後段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速は、前記初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速よりも速く設定されることが望ましい。
このようにすることで、初段のチャンバユニットにおいては溶剤の蒸発量を少量に抑え、後段のチャンバユニットにおいて、より大量の溶剤が蒸発するようにすることができる。また、蒸発した溶剤を後段のユニットにおいて急速に排気することができる。即ち、これによりレジスト液の急激な乾燥が抑制され、後段では固化したレジスト膜に対し流速が速く温度が高い乾燥空気流を基板G上面に当てても、むらがなく膜厚変動が少ないレジスト膜を得ることができる。
この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD用のガラス基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
カセットステーション(C/S)14は、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容したカセットCを搬入出するポートであり、水平な一方向(Y方向)に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、洗浄プロセス部24、第1の熱的処理部26、塗布プロセス部28および第2の熱的処理部30が一列に配置されている。ここで、洗浄プロセス部24は、平流し搬送路32に沿って上流側から順にエキシマUV照射ユニット(e−UV)34およびスクラバ洗浄ユニット(SCR)36が設けられている。第1の熱的処理部26は、平流し搬送路32に沿って上流側から順にアドヒージョンユニット(AD)40および冷却ユニット(COL)42が設けられている。
これらのユニット54、56、58、60、62は平流し搬送路33に沿って上流側からこの順序で設けられている。なお、ポストベークユニット(POBAKE)58および冷却ユニット(COL)60は第3の熱的処理部59を構成する。
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると、先ず周辺装置78のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS10)。
こうして、基板Gは、今度は平流し搬送路33上を仰向けの姿勢でプロセスラインBの下流側に向けて搬送される。
最初の現像ユニット(DEV)54において、基板Gは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される(ステップS11)。
第3の熱的処理部59において、基板Gは、最初にポストベークユニット(POBAKE)58で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける(ステップS13)。このポストベーキングによって、基板G上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。
次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)60で所定の基板温度に冷却される(ステップS14)。検査ユニット(AP)62では、基板G上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる(ステップS15)。
続いて、この減圧乾燥ユニット(VD)46の構成について説明する。図3に、減圧乾燥ユニット(VD)46の概略断面図を示し、図4に、減圧乾燥ユニット(VD)46における基板搬送部の平面図を示す。
ここで、減圧乾燥ユニット(VD)46に基板Gが搬送されると、搬送される基板Gの下面には、複数のコロ搬送部7のうち、いずれかが必ず接し、コロの回転駆動により基板Gが搬送方向に移動するように構成されている。即ち、図3、図4に示すように、一つのチャンバユニットにおける浮上搬送部4の基板搬送方向の長さ寸法は、基板Gの同方向の長さ寸法よりも短く構成されている。
また、各ステージ5の下方には、通気孔84の噴出孔84aに圧縮乾燥空気を供給し、吸気孔84bからステージ5上方の空気を吸引する浮上空気圧制御手段6が設けられ、各ステージ5上の浮上空気圧の制御を行うように構成されている。
尚、チャンバユニット1、2、3ごとに設けられる上部気流制御部80a、80b、80cは、夫々ユニット単位でチャンバカバー9下に形成する乾燥空気流の温度、流量を調整可能に構成されている。これにより、各チャンバユニット1、2、3における基板Gに対する乾燥効果に差異を持たせることができ、また、減圧乾燥ユニット(VD)46全体での乾燥効果の調整が可能となる。
また、チャンバユニット1に形成される乾燥空気流の流速は、1〜5m/secに設定され、後段のチャンバユニット2、3における乾燥空気流の流速は、それよりも速く設定される。
このようにすることで、初段のチャンバユニットにおいては溶剤の蒸発量を少量に抑え、後段のチャンバユニットにおいて、より大量の溶剤が蒸発するようにすることができる。また、蒸発した溶剤を後段のユニットにおいて急速に排気することができる。即ち、これによりレジスト液の急激な乾燥が抑制され、後段では固化したレジスト膜に対し流速が速く温度が高い乾燥空気流を基板G上面に当てても、むらがなく膜厚変動が少ないレジスト膜を得ることができる。
基板Gは先ずヒータ8の上方を通過することにより加熱され、所定温度(例えば100℃〜120℃)まで昇温し、レジスト膜中の溶剤が揮発し易い状態となされる。
また、チャンバユニット2、3には、ステージ5の搬送方向途中にヒータ8が設けられ、常に基板Gに塗布されたレジスト中の余分な溶剤が揮発し易い状態となされるが、基板G上方に形成される空気流の効果は、チャンバユニット1の場合と同様に得られ、チャンバユニットを通過する毎に乾燥処置が進行する。
また、各チャンバユニット1、2、3において基板G上面に当てられる乾燥空気流の温度、流速等は前記したようにユニット単位で調整可能であるため、基板Gが全てのチャンバユニット1、2、3を通過した後に、レジスト膜の形成を適切な状態で完了することが可能となる。
したがって、従来のチャンバ装置にようにチャンバ内減圧のためのポンプやチャンバ開閉のための昇降装置等が不要であり、大型の基板を処理する場合であっても低コストで装置を構築することができる。
また、平流し搬送を行いながら複数の基板を処理することができるため、スループットを向上することができる。
また、本発明における被処理基板はLCD基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
2 チャンバユニット
3 チャンバユニット
4 浮上搬送部
5 ステージ
6 浮上空気圧制御手段
7 コロ搬送部
8a ヒータ
8b ヒータ
8c ヒータ
9 チャンバカバー
9a 給気路(給気手段)
9b 排気路(排気手段)
10 塗布現像処理システム
46 減圧乾燥ユニット(基板処理装置)
80a 上部気流制御部
80b 上部気流制御部
80c 上部気流制御部
81a 第1給気手段
81b 第2給気手段
81c 第3給気手段
82a 第1排気手段
82b 第2排気手段
82c 第3排気手段
83 整流板
84 通気孔
84a 噴出孔
84b 吸気孔
85 排気手段
G 基板
Claims (6)
- 処理液が塗布された被処理基板に対し前記処理液の乾燥処理を行うことにより塗布膜を形成する基板処理装置において、
前記被処理基板を仰向けの姿勢とし搬送路上を水平方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送路上に設けられ、前記搬送手段により搬入された前記基板に対し乾燥処理を施すチャンバユニットとを備え、
前記搬送手段は、前記チャンバユニット内の搬送路において、被処理基板を空気圧により浮上させた状態で水平方向に搬送する基板浮上手段により構成され、
前記チャンバユニットは、基板搬送方向の下流側に設けられた給気手段及び基板搬送方向の上流側に設けられた排気手段、または、基板搬送方向の上流側に設けられた給気手段及び基板搬送方向の下流側に設けられた排気手段を有し、
前記給気手段により乾燥空気を供給し、該供給された乾燥空気を前記排気手段により排気することで、前記チャンバユニット内に、前記基板浮上手段により搬送される前記基板の上面に接する乾燥空気流が形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記チャンバユニットは、被処理基板の搬送方向に沿って前記搬送路上に複数段設けられ、前記チャンバユニット毎に前記乾燥空気流の形成制御がなされることを特徴とする請求項1に記載された基板処理装置。
- 前記搬送路上における前記チャンバユニットの前段には、前記搬送手段により搬送される被処理基板を加熱するヒータが設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された基板処理装置。
- 前記被処理基板の搬送方向に沿って前記搬送路上に複数段設けられる各チャンバユニットの前段及び後段には、基板をコロ搬送するコロ搬送部が設けられ、
各チャンバユニットにおける前記基板浮上手段の基板搬送方向の長さ寸法は、前記被処理基板の同方向の長さ寸法よりも短く構成され、
前記被処理基板が前記チャンバユニットを通過する際、該基板は、前記チャンバユニットの前段または後段のコロ搬送部により搬送方向に移動することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された基板処理装置。 - 前記被処理基板の搬送方向に沿って前記搬送路上に複数段設けられる前記チャンバユニットにおいて、
初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の温度は、所定温度に設定され、
後段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の温度は、前記初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の温度よりも高く設定されることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載された基板処理装置。 - 前記被処理基板の搬送方向に沿って前記搬送路上に複数段設けられる前記チャンバユニットにおいて、
初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速は、所定速度に設定され、
後段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速は、前記初段のチャンバユニットに形成される乾燥空気流の流速よりも速く設定されることを特徴とする請求項2乃至請求項5のいずれかに記載された基板処理装置。
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