JP6955928B2 - 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、制御部100とを備える。
続いて、熱処理装置の一例として、塗布・現像装置2が含む熱処理装置20の構成を説明する。図3に示すように、熱処理装置20は、処理モジュール11の熱処理ユニットU2と、制御部100とを備える。熱処理装置20は、上記下層膜形成用の処理液が塗布されたウェハWに熱処理を行う装置である。下層膜は、例えばスピンオンカーボン(SOC)膜等の所謂ハードマスクである。
Tnew=Told−Δv×Sv/St
Tnew:新たな温度目標値
Told:一つ前の温度目標値
Δv:熱処理領域51上における流速変化量(増加方向が正方向)
Sv:気流感度
St:温度感度
続いて、熱処理方法の一例として、制御部100が熱処理ユニットU2を制御することにより実行される熱処理手順を説明する。この熱処理手順は、処理対象のウェハWを処理室31内に搬入することと、処理室31内の熱処理部50の上にウェハWを載置することと、ウェハWの周方向に並ぶ複数個所における気流の流速に応じた温度分布にてウェハWを加熱するように熱処理部50を制御することと、を含む。複数個所における気流の流速と温度分布との関係を処理液の種類に応じて変えてもよい。
以上に説明したように、熱処理装置20は、処理対象のウェハWを収容する処理室31と、処理室31内に設けられ、ウェハWを支持して加熱する熱処理部であって、当該ウェハWの周方向に少なくとも並ぶ複数の熱処理領域51を有する熱処理部50と、処理室31内に気体を導入する給気口35と、処理室31内から気体を排出する排気口34と、熱処理部50に支持されるウェハWの周方向に並び、気流の流速を検出する複数の流速センサ71と、複数の流速センサ71により検出される気流の流速に応じた温度分布にて複数の熱処理領域51の温度を調節するように熱処理部50を制御する制御部100と、を備える。
Claims (7)
- 処理対象の基板を収容する処理室と、
前記処理室内において前記基板を支持して加熱又は冷却する熱処理部であって、当該基板の周方向に並ぶ複数の熱処理領域を有する熱処理部と、
前記処理室内に気体を導入する給気口と、
前記処理室内から気体を排出する排気口と、
前記熱処理部に支持される前記基板の周方向に並び、気流の流速を検出する複数の流速センサと、
前記複数の流速センサにより検出される気流の流速に応じた温度分布にて前記複数の熱処理領域の温度を調節するように前記熱処理部を制御する制御部と、を備え、
前記処理対象の基板は、処理液が塗布された基板であり、
前記制御部は、前記複数の流速センサにより検出される気流の流速と前記温度分布との関係を前記処理液の種類に応じて変えるように構成されている熱処理装置。 - 処理対象の基板を収容する処理室と、
前記処理室内において前記基板を支持して加熱又は冷却する熱処理部であって、当該基板の周方向に並ぶ複数の熱処理領域を有する熱処理部と、
前記処理室内に気体を導入する給気口と、
前記処理室内から気体を排出する排気口と、
前記熱処理部に支持される前記基板の周方向に並び、気流の流速を検出する複数の流速センサと、
前記複数の流速センサにより検出される気流の流速に応じた温度分布にて前記複数の熱処理領域の温度を調節するように前記熱処理部を制御する制御部と、を備え、
前記基板の周方向において、前記複数の流速センサは、前記複数の熱処理領域にそれぞれ対応するように配置されている熱処理装置。 - 前記複数の流速センサは、前記熱処理部に支持される前記基板よりも外側に設けられている、請求項1又は2記載の熱処理装置。
- 前記処理室の内面は、前記熱処理部に支持される前記基板の表面に対向する上面と、当該基板を囲む周面とを含み、
前記排気口は前記上面の中央部に設けられており、
前記給気口は前記周面に沿って前記基板を囲むように設けられている、請求項1〜3のいずれか一項記載の熱処理装置。 - 処理対象の基板を処理室内に搬入することと、
前記処理室内の熱処理部の上に前記基板を載置することと、
前記基板の周方向に並ぶ複数個所における気流の流速に応じた温度分布にて前記基板を加熱又は冷却するように前記熱処理部を制御することと、を含み、
前記処理対象の基板は、処理液が塗布された基板であり、
前記複数個所における気流の流速と前記温度分布との関係を前記処理液の種類に応じて変える熱処理方法。 - 処理対象の基板を処理室内に搬入することと、
前記処理室内の熱処理部の上に前記基板を載置することと、
前記基板の周方向に並ぶ複数個所における気流の流速に応じた温度分布にて前記基板を加熱又は冷却するように前記熱処理部を制御することと、を含み、
前記熱処理部は、前記基板の周方向に並ぶ複数の熱処理領域を有し、
前記基板の周方向において、前記複数個所は、前記複数の熱処理領域にそれぞれ対応するように配置されている、熱処理方法。 - 請求項5又は6記載の熱処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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