JP4428175B2 - 気相エピタキシャル成長装置および半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
上記目的を達成するために、本発明の第1の観点によれば、ウェーハが投入されるチャンバと、前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段により導入された反応ガスの流量を検出するガス流量検出手段と、前記チャンバ内に投入されたウェーハを加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱エネルギーを調節する加熱調節手段と、前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、前記ガス流量検出手段により検出されたガス流量と前記温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときの加熱エネルギーの最適値を求め、これを前記加熱調節手段に出力する制御手段と、を備える気相エピタキシャル成長装置が提供される。
<第1実施形態>
図1は本発明に係る気相エピタキシャル成長装置の第1実施形態を示すブロック図、図2は図1の制御装置における演算内容を説明するための図、図3は図1の制御装置における制御手順を示すフローチャートである。
図4は本発明に係る気相エピタキシャル成長装置の第2実施形態を示すブロック図、図5は図4のチャンバを示す平面図、図6は図4の制御装置における制御手順を示すフローチャートである。
11…チャンバ
111…ガス導入口
112…ガス排出口
12…ガス導入装置(ガス導入手段)
13…ヒーター(加熱手段)
131…上部外側ヒーター
132…上部内側ヒーター
133…下部外側ヒーター
134…下部内側ヒーター
14…温度センサー(温度検出手段)
141…中心温度センサー
142…外側温度センサー
15…流量センサー(ガス流量検出手段)
16…加熱調節装置(加熱調節手段)
17…制御装置(制御手段)
18…ガス流量調節装置(ガス流量調節手段)
W…半導体ウェーハ
Claims (10)
- ウェーハが投入されるチャンバと、
前記チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段により導入された反応ガスの流量を検出するガス流量検出手段と、
前記チャンバ内に投入されたウェーハを加熱する複数の加熱手段と、
前記複数の加熱手段に供給される電力値及びこれらの分配比を調節する加熱調節手段と、
前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、
前記加熱調節手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
a)前記ガス流量検出手段により検出されたガス流量と前記温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルによる流れの計算を実行してエピタキシャル膜の膜厚分布を計算し、
b)当該計算された膜厚分布が目標とする膜厚均一性を満たす範囲内にない場合には、予め定められたシミュレーションモデルにより前記複数の加熱手段に供給される前記電力値及びこれらの分配比の最適値を、前記膜厚分布が前記目標とする膜厚均一性を満たす範囲になるまで再計算し、
c)当該目標とする膜厚均一性を満たす電力値及びこれらの分配比の最適値を前記加熱調節手段に出力し、
前記a)〜c)の処理をエピタキシャル膜の成長が終了するまで行う気相エピタキシャル成長装置。 - ウェーハが投入されるチャンバと、
流量調節バルブを含み、前記チャンバ内に反応ガスを導入する複数のガス導入手段と、
前記複数のガス導入手段の前記流量調節バルブの開度及びこれらの開度比を調節するガス流量調節手段と、
前記チャンバ内に投入されたウェーハを加熱する加熱手段と、
前記加熱手段により供給される加熱エネルギーを検出する加熱エネルギー検出手段と、
前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、
前記ガス流量調節手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
a)前記加熱エネルギー検出手段により検出された加熱エネルギーと前記温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルによる流れの計算を実行してエピタキシャル膜の膜厚分布を計算し、
b)当該計算された膜厚分布が目標とする膜厚均一性を満たす範囲内にない場合には、予め定められたシミュレーションモデルにより前記複数の流量調節バルブの前記開度及びこれらの開度比の最適値を、前記膜厚分布が前記目標とする膜厚均一性を満たす範囲になるまで再計算し、
c)当該目標とする膜厚均一性を満たす開度及びこれらの開度比の最適値を前記ガス流量調節手段に出力し、
前記a)〜c)の処理をエピタキシャル膜の成長が終了するまで行う
気相エピタキシャル成長装置。 - 前記加熱手段は、前記チャンバの上部の内側に設けられた上部内側加熱手段と、上部の外側に設けられた上部外側加熱手段と、前記チャンバの下部の内側に設けられた下部内側加熱手段と、下部の外側に設けられた下部外側加熱手段とを有する請求項1記載の気相エピタキシャル成長装置。
- 前記ガス導入手段は、前記チャンバ内に投入されたウェーハの中央に向かって反応ガスを導入する中央ガス導入手段と、前記チャンバ内に投入されたウェーハの外側に向かって反応ガスを導入する外側ガス導入手段とを有する請求項2記載の気相エピタキシャル成長装置。
- 前記温度検出手段は、前記チャンバ内に投入されたウェーハの中央の温度を検出する中央温度検出手段と、前記ウェーハの周囲の温度を検出する周囲温度検出手段とを有する請求項1〜4の何れかに記載の気相エピタキシャル成長装置。
- チャンバ内に投入されたウェーハを複数の加熱手段に電力を供給して加熱するとともに当該チャンバ内に反応ガスを導入し、前記ウェーハ表面に前記反応ガスの熱分解によるエピタキシャル膜を形成する半導体ウェーハの製造方法において、
前記チャンバ内に導入された反応ガスの流量を検出するステップと、
前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出するステップと、
前記ステップで検出されたガス流量と前記ステップで検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルによる流れの計算を実行してエピタキシャル膜の膜厚分布を計算するステップAと、
当該計算された膜厚分布が目標とする膜厚均一性を満たす範囲内にない場合には、予め定められたシミュレーションモデルにより前記複数の加熱手段に供給される前記電力の電力値及びこれらの分配比の最適値を、前記膜厚分布が前記目標とする膜厚均一性を満たす範囲になるまで再計算するステップBと、
当該目標とする膜厚均一性を満たす電力値及びこれらの分配比の最適値を出力して前記複数の加熱手段を制御するステップCと、
前記A〜Cのステップをエピタキシャル膜の成長が終了するまで行う
半導体ウェーハの製造方法。 - チャンバ内に投入されたウェーハを加熱するとともに当該チャンバ内に流量調節バルブを含む複数のガス導入手段により反応ガスを導入し、前記ウェーハ表面に前記反応ガスの熱分解によるエピタキシャル膜を形成する半導体ウェーハの製造方法において、
前記チャンバ内に投入されたウェーハに供給される加熱エネルギーを検出するステップと、
前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出するステップと、
前記ステップで検出された加熱エネルギーと前記ステップで検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルによる流れの計算を実行してエピタキシャル膜の膜厚分布を計算するステップAと、
当該計算された膜厚分布が目標とする膜厚均一性を満たす範囲内にない場合には、予め定められたシミュレーションモデルにより前記複数の流量調節バルブの開度及びこれらの開度比の最適値を、前記膜厚分布が前記目標とする膜厚均一性を満たす範囲になるまで再計算するステップと、
当該目標とする膜厚均一性を満たす開度及びこれらの開度比の最適値を出力して前記複数の流量調節バルブを制御するステップと、
前記A〜Cのステップをエピタキシャル膜の成長が終了するまで行う半導体ウェーハの製造方法。 - 前記加熱手段は、前記チャンバの上部の内側に設けられた上部内側加熱手段と、上部の外側に設けられた上部外側加熱手段と、前記チャンバの下部の内側に設けられた下部内側加熱手段と、下部の外側に設けられた下部外側加熱手段とを有する請求項6記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記ガス導入手段は、前記チャンバ内に投入されたウェーハの中央に向かって反応ガスを導入する中央ガス導入手段と、前記チャンバ内に投入されたウェーハの外側に向かって反応ガスを導入する外側ガス導入手段とを有する請求項7記載の半導体ウェーハの製造装置。
- 前記チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出するステップは、前記ウェーハの中央の温度と、前記ウェーハの周囲の温度を検出する請求項6〜9の何れかに記載の半導体ウェーハの製造方法。
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